KR20130006993A - 플렉서블 표시장치의 제조방법 - Google Patents

플렉서블 표시장치의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20130006993A
KR20130006993A KR1020110062820A KR20110062820A KR20130006993A KR 20130006993 A KR20130006993 A KR 20130006993A KR 1020110062820 A KR1020110062820 A KR 1020110062820A KR 20110062820 A KR20110062820 A KR 20110062820A KR 20130006993 A KR20130006993 A KR 20130006993A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
flexible
display device
forming
thin film
Prior art date
Application number
KR1020110062820A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101852190B1 (ko
Inventor
송태준
류순성
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020110062820A priority Critical patent/KR101852190B1/ko
Priority to CN201110427810.1A priority patent/CN102856252B/zh
Priority to TW100149281A priority patent/TWI457886B/zh
Priority to US13/339,202 priority patent/US9076696B2/en
Publication of KR20130006993A publication Critical patent/KR20130006993A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101852190B1 publication Critical patent/KR101852190B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H01L27/1266—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate the substrate on which the devices are formed not being the final device substrate, e.g. using a temporary substrate
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133305—Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78603—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the insulating substrate or support
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 제조방법은 캐리어 기판 상에 희생층을 형성하는 단계, 상기 희생층 상에 플렉서블 기판을 형성하는 단계, 상기 플렉서블 기판 상에 박막트랜지스터 어레이를 형성하는 단계, 상기 희생층을 식각하여 상기 플렉서블 기판과 상기 캐리어 기판을 분리하는 단계, 상기 플렉서블 기판을 점착롤에 부착하는 단계 및 배면기판 상에 상기 점착롤에 부착된 상기 플렉서블 기판을 부착하는 단계를 포함할 수 있다.

Description

플렉서블 표시장치의 제조방법{MANUFACTURING METHOD OF FLEXIBLE DISPLAY}
본 발명은 플렉서블 표시장치의 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 캐리어 기판을 재활용할 수 있는 플렉서블 표시장치의 제조방법에 관한 것이다.
근래에, 표시장치(Display Device)는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정표시장치(Liquid Crystal Display: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 전계방출디스플레이(Field Emission Display: FED), 유기전계발광표시장치(Organic Light Emitting Diode Display Device: OLED), 전기영동디스플레이(Electrophoretic Display: EPD) 등과 같은 여러 가지의 평면형 표시장치가 실용화되고 있다.
최근 기존의 유연성이 없는 유리기판 대신에 플라스틱 등과 같이 유연성 있는 재료를 사용하여 종이처럼 휘어져도 표시성능을 그대로 유지할 수 있게 제조된 플렉서블(flexible) 표시장치가 대두되고 있다. 그러나, 플렉서블 표시장치의 기판은 잘 휘어지는 특성 때문에 캐리어 기판과 같은 단단한 기판에 지지되어 제조된다.
도 1은 종래 플렉서블 표시장치의 제조방법을 공정별로 나타낸 순서도이다.
도 1을 참조하면, 종래 플렉서블 표시장치는 캐리어 기판 상에 희생층을 형성하고, 희생층 상에 플렉서블 기판을 형성한다.(S10), 플렉서블 기판 상에 TFT 어레이를 형성하고(S20), 표시소자를 부착한 뒤, 플렉서블 기판을 셀 단위로 스크라이빙한다.(S30) 그리고, 플렉서블 기판과 표시소자로 이루어진 셀 단위의 플렉서블 표시장치를 실링한 후(S40), 캐리어 기판과 플렉서블 기판을 분리하여(S50) 플렉서블 표시장치를 제조한다.
그러나, 종래 플렉서블 표시장치는 캐리어 기판과 블렉서블 기판이 부착된 상태에서 스크라이빙 공정이 수행되기 때문에, 캐리어 기판을 한번 사용하고 폐기해야 한다. 따라서, 캐리어 기판의 재사용이 불가능하여 비용이 증가되는 문제점이 있다.
본 발명은 제조공정을 간소화하고 제조비용을 절감할 수 있는 플렉서블 표시장치의 제조방법을 제공한다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 제조방법은 캐리어 기판 상에 희생층을 형성하는 단계, 상기 희생층 상에 플렉서블 기판을 형성하는 단계, 상기 플렉서블 기판 상에 박막트랜지스터 어레이를 형성하는 단계, 상기 희생층을 식각하여 상기 플렉서블 기판과 상기 캐리어 기판을 분리하는 단계, 상기 플렉서블 기판을 점착롤에 부착하는 단계 및 배면기판 상에 상기 점착롤에 부착된 상기 플렉서블 기판을 부착하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 플렉서블 기판과 상기 캐리어 기판을 분리하는 단계 이전 또는 상기 배면기판에 상기 플렉서블 기판을 부착하는 단계 이후에, 상기 플렉서블 기판 상에 표시소자를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 표시소자를 형성하는 단계 이후에, 상기 부착된 플렉서블 기판을 스크라이빙하고, 실링하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 표시소자는 유기전계발광소자, 액정표시소자, 전기영동소자 및 플라즈마디스플레이소자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
상기 희생층은 레이저 조사에 의해 식각될 수 있다.
상기 점착롤은 표면에 점착제가 도포된 롤러일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 제조방법은 캐리어 기판 상에 희생층을 형성하는 단계, 상기 희생층 상에 버퍼층을 형성하는 단계, 상기 버퍼층 상에 박막트랜지스터 어레이를 형성하는 단계, 상기 희생층을 식각하여 상기 박막트랜지스터 어레이가 형성된 버퍼층과 상기 캐리어 기판을 분리하는 단계, 상기 박막트랜지스터 어레이가 형성된 버퍼층을 점착롤에 부착하는 단계 및 배면기판 상에 상기 점착롤에 부착된 상기 박막트랜지스터 어레이가 형성된 버퍼층을 부착하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 박막트랜지스터 어레이가 형성된 버퍼층과 상기 캐리어 기판을 분리하는 단계 이전 또는 상기 배면기판에 상기 박막트랜지스터 어레이가 형성된 버퍼층을 부착하는 단계 이후에, 상기 배면기판 상에 표시소자를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 표시소자를 형성하는 단계 이후에, 상기 부착된 배면기판을 스크라이빙하고, 실링하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 희생층은 레이저 조사에 의해 식각될 수 있다.
상기 점착롤은 표면에 점착제가 도포된 롤러일 수 있다.
상기 배면기판은 플렉서블한 기판일 수 있다.
본 발명의 플렉서블 표시장치의 제조방법은 스크라이빙 공정 전에 박막트랜지스터 어레이가 형성된 플렉서블 기판 또는 버퍼층과 캐리어 기판을 분리함으로써, 캐리어 기판의 재사용이 가능하여 제조비용을 절감할 수 있는 이점이 있다. 또한, 점착롤을 이용하여 간단한 방법으로 배면기판에 박막트랜지스터 어레이가 형성된 버퍼층 또는 플렉서블 기판을 부착함으로써, 제조공정을 간소화하여 생산율을 향상시킬 수 있는 이점이 있다. 또한, 폴리이미드로 이루어진 플렉서블 기판의 제조를 생략할 수 있어 제조비용을 절감할 수 있는 이점이 있다.
도 1은 종래 플렉서블 표시장치의 제조방법을 공정별로 나타낸 순서도.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 제조방법을 공정별로 나타낸 순서도.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 제조방법을 공정별로 나타낸 도면.
도 4는 박막트랜지스터 어레이 및 전기영동 필름을 나타낸 도면.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 제조방법을 공정별로 나타낸 순서도.
도 6a 내지 도 6f는 본 발명의 제2 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 제조방법을 공정별로 나타낸 도면.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시 예들을 자세하게 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 제조방법을 공정별로 나타낸 순서도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 플렉서블 표시장치는 캐리어 기판에 희생층 형성공정(S100), 플렉서블 기판 형성공정(S110), 박막트랜지스터 어레이 형성공정(S120), 플렉서블 기판 분리공정(S130), 점착롤에 플렉서블 기판 부착공정(S140), 배면기판에 플렉서블 기판 부착공정(S150), 스크라이빙 및 실링공정(S160), COG 및 FPC 부착공정(S170)으로 이루어진다.
보다 자세하게, 캐리어 기판에 희생층 형성공정(S100)은 글래스와 같은 고열에 견디면서 단단한 캐리어 기판 상에 희생층을 형성하는 공정이다. 플렉서블 기판 형성공정(S110)은 희생층 상에 폴리이미드를 전면에 도포하여 플렉서블 기판을 만드는 공정이고, 박막트랜지스터 어레이 형성공정(S120)은 플렉서블 기판 상에 박막트랜지스터 어레이를 형성하는 공정이다. 표시소자 형성공정(S125)은 박막트랜지스터 어레이 상에 표시소자를 형성하는 공정으로, 박막트랜지스터 어레이 형성공정 후에 수행될 수 있고, 이와는 달리, 스크라이빙 및 실링 공정 이전에 수행될 수도 있다.
그리고, 플렉서블 기판 분리공정(S130)은 캐리어 기판과 플렉서블 기판을 분리하는 공정이고, 점착롤에 플렉서블 기판 부착공정(S140)은 분리된 플렉서블 기판을 점착롤에 감아 부착하는 공정이다. 배면기판에 플렉서블 기판 부착공정(S150)은 점착롤에 부착된 플렉서블 기판을 점착롤을 회전하여 배면기판에 부착하는 공정이고, 스크라이빙 및 실링공정(S160)은 플렉서블 기판을 셀 단위로 자르고 실링하는 공정이다. 마지막으로 COG 및 FPC를 부착하여 플렉서블 표시장치를 완성하는 COG 및 FPC 부착공정(S170)으로 구성된다.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 제조방법을 공정별로 나타낸 도면이고, 도 4는 박막트랜지스터 어레이 및 전기영동 필름을 나타낸 도면이다.
도 3a를 참조하면, 글래스로 이루어진 캐리어 기판(210) 상에 무기절연막(215)을 형성한다. 무기절연막(215)은 뒤에 형성되는 희생층과의 접착력을 향상시키는 역할을 하는 것으로 실리콘 질화막으로 이루어진다. 그리고, 무기절연막(215) 상에 비정질 실리콘을 증착하여 희생층(220)을 형성한다.
이어, 희생층(220) 상에 고분자 물질인 폴리이미드를 스핀코팅하여 전면에 도포한다. 그리고, 도포된 폴리이미드를 경화시켜 플렉서블 기판(230)을 형성한다. 그리고, 플렉서블 기판(230) 상에 버퍼층(235)을 형성한다. 버퍼층(235)은 고분자 물질로 이루어진 플렉서블 기판(230)과의 접합력 향상 및 고분자 물질이 고온에 노출 시 발생할 수 있는 유기 가스(gas) 또는 미세 유기 입자가 방출되는 것을 방지하는 역할을 한다.
다음, 도 3b를 참조하면, 버퍼층(235) 상에 박막트랜지스터 어레이(300)를 형성한다. 보다 자세하게 박막트랜지스터 어레이(300)를 도시한 도 4를 참조하여 설명하면, 버퍼층(235) 상에 금속을 적층하여 게이트 전극(315)을 형성하고, 게이트 전극(315) 상에 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막을 적층하여 게이트 전극(315)을 절연시키는 게이트 절연막(320)을 형성한다.
이어, 게이트 절연막(320) 상에 비정질 실리콘 또는 비정질 실리콘을 결정화한 다결정 실리콘을 형성하고 이를 패터닝하여, 게이트 전극(315)과 대응되도록 반도체층(325)을 형성한다. 그리고, 반도체층(325)의 양 측에 오믹콘택층(330)을 형성하고, 저저항의 금속을 적층하고 패터닝하여, 오믹콘택층(330)과 접속된 소스 전극(335a) 및 드레인 전극(335b)을 형성하여 박막트랜지스터(TFT)를 형성한다.
그리고, 박막트랜지스터(TFT)를 보호하는 평탄화막(340)을 형성하고, 평탄화막(340)의 콘택홀을 통해 드레인 전극(335b)에 연결되는 제 1 전극(345)을 형성하여 박막트랜지스터 어레이(300)를 형성한다.
다음, 도 3c의 (a)를 참조하면, 박막트랜지스터 어레이(300)가 형성된 플렉서블 기판(230)과 캐리어 기판(210)을 분리한다. 이때, 캐리어 기판(210)과 플렉서블 기판(230) 사이의 희생층(220)에 레이저를 조사하면 희생층(220)에서 수소 기체를 발생시켜 플렉서블 기판(230)과 캐리어 기판(210)이 분리된다.
플렉서블 기판(230)이 캐리어 기판(210)으로부터 분리되면, 점착롤(400)을 플렉서블 기판(230) 상에 접촉하고 회전운동한다. 그러면 도 3c의 (b)에 도시된 바와 같이, 플렉서블 기판(230)이 점착롤(400)에 감겨 부착된다. 여기서, 점착롤(400)은 점착롤(400)의 표면에 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane)과 같은 점착제(410)가 도포되어 플렉서블 기판(230)을 점착롤(400)에 접착할 수 있다.
이어, 도 3c의 (c) 및 (d)를 참조하면, 점착롤(400)의 하부에 접착제가 도포된 배면기판(430)을 준비하고, 점착롤(400)을 배면기판(430) 상에 접촉하고 회전운동하여 배면기판(430)에 플렉서블 기판(230)을 부착한다. 따라서, 플렉서블 기판(230)은 캐리어 기판(210)으로부터 분리되어 배면기판(430) 상에 부착되어, 캐리어 기판(210)은 플렉서블 기판의 제조 공정에 재 사용된다.
다음, 도 3d를 참조하면, 박막트랜지스터 어레이(300) 상에 표시소자(350)를 형성한다. 본 발명의 표시소자(350)로는 유기전계발광소자, 액정표시소자, 전기영동소자 및 플라즈마디스플레이소자 등이 사용될 수 있으나, 본 실시예에서는 전기영동소자를 예로 설명하기로 한다.
보다 자세하게 도 4를 참조하면, 박막트랜지스터 어레이(300) 상에 패시베이션막(345)을 형성하고, 패시베이션막(345) 상에 전기영동소자인 전기영동 필름(350)을 부착한다. 전기영동 필름(350)은 하전 염료 입자(charge pigment particle)를 포함하는 캡슐(361)과, 캡슐(361)의 상하에 위치하는 상부 및 하부 보호층(363, 362)으로 구성된다. 캡슐(361)에는 정극성 전압에 반응하는 블랙 염료 입자(361a)와, 부극성 전압에 반응하는 화이트 염료 입자(361b)와, 솔벤트(361c)가 포함된다. 상부 및 하부 보호층(363, 362)은 구형의 캡슐(361)의 유동을 차단함과 아울러 캡슐(361)을 보호하는 역할을 한다. 이러한, 상부 및 하부 보호층(363, 362)은 유연성을 가지는 플라스틱 또는 유연성을 가지는 도전성 물질 등으로 이루어진다. 그리고, 전기영동 필름(350)의 상부에는 제 2 전극(370)이 형성된 보호필름(380)이 구비된다.
이어, 도 3e를 참조하면, 전기영동 필름(350)이 부착된 플렉서블 표시장치(460)를 절단장치 또는 레이저 커팅 장치를 이용하여 셀 단위로 스크라이빙한다. 그리고, 각 셀 단위의 플렉서블 표시장치(460)의 외곽부에 실제(450)를 도포하여 실링한다. 다음, 도 3f를 참조하면, 플렉서블 표시장치(460)에 COG 및 FPC(470)를 부착하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 플렉서블 표시장치(460)를 제조한다.
상기와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 제조방법은 스크라이빙 공정 전에 플렉서블 기판과 캐리어 기판을 분리함으로써, 캐리어 기판의 재사용이 가능하여 제조비용을 절감할 수 있는 이점이 있다. 또한, 점착롤을 이용하여 간단한 방법으로 배면기판에 플렉서블 기판을 부착함으로써, 제조공정을 간소화하여 생산율을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
한편, 전술한 제1 실시예와는 달리, 본 발명은 플렉서블 기판의 형성 공정을 생략하고 플렉서블 표시장치를 제조할 수도 있다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 제조방법을 공정별로 나타낸 순서도이다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 플렉서블 표시장치는 캐리어 기판에 희생층 형성공정(S500), 버퍼층 형성공정(S510), 박막트랜지스터 어레이 형성공정(S520), 버퍼층 분리공정(S530), 점착롤에 박막트랜지스터 어레이 부착공정(S540), 배면기판에 박막트랜지스터 어레이 부착공정(S550), 스크라이빙 및 실링공정(S560), COG 및 FPC 부착공정(S570)으로 이루어진다.
보다 자세하게, 캐리어 기판에 희생층 형성공정(S500)은 글래스와 같은 고열에 견디면서 단단한 캐리어 기판 상에 희생층을 형성하는 공정이다. 버퍼층 형성공정(S510)은 희생층 상에 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막의 버퍼층을 형성하는 공정이고, 박막트랜지스터 어레이 형성공정(S520)은 버퍼층 상에 박막트랜지스터 어레이를 형성하는 공정이다. 표시소자 형성공정(S525)은 박막트랜지스터 어레이 상에 표시소자를 형성하는 공정으로, 박막트랜지스터 어레이 형성공정 후에 수행될 수 있고, 이와는 달리, 스크라이빙 및 실링 공정 이전에 수행될 수도 있다.
그리고, 버퍼층 분리공정(S530)은 캐리어 기판과 버퍼층을 분리하는 공정이고, 점착롤에 박막트랜지스터 어레이 부착공정(S540)은 박막트랜지스터 어레이가 형성된 버퍼층을 점착롤에 감아 부착하는 공정이다. 배면기판에 박막트랜지스터 어레이 부착공정(S550)은 버퍼층을 점착롤을 회전하여 배면기판에 부착하는 공정이고, 스크라이빙 및 실링공정(S560)은 플렉서블 기판을 셀 단위로 자르고 실링하는 공정이다. 마지막으로 COG 및 FPC를 부착하여 플렉서블 표시장치를 완성하는 COG 및 FPC 부착공정(S570)으로 구성된다.
도 6a 내지 도 6f는 본 발명의 제2 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 제조방법을 공정별로 나타낸 도면이다. 하기에서는 전술한 제1 실시예와 동일한 공정에 대해서는 그 설명을 간략히 하기로 한다.
도 6a를 참조하면, 글래스로 이루어진 캐리어 기판(610) 상에 무기절연막(615)을 형성하고, 무기절연막(615) 상에 비정질 실리콘을 증착하여 희생층(620)을 형성한다. 이어, 희생층(620) 상에 버퍼층(635)을 형성한다. 버퍼층(635)은 캐리어 기판(610)과 분리됐을 때, 버퍼층(635) 상에 형성된 박막트랜지스터 어레이(300)를 지지하는 역할을 한다.
다음, 도 6b를 참조하면, 버퍼층(635) 상에 박막트랜지스터 어레이(700)를 형성한다. 박막트랜지스터 어레이(700)는 전술한 제1 실시예와 동일한 것으로 그 설명을 생략하기로 한다.
다음, 도 6c의 (a)를 참조하면, 박막트랜지스터 어레이(700)가 형성된 버퍼층(635)과 캐리어 기판(610)을 분리한다. 이때, 캐리어 기판(610)과 버퍼층(635) 사이의 희생층(620)에 레이저를 조사하면 희생층(620)에서 수소 기체를 발생시켜 버퍼층(635)과 캐리어 기판(610)이 분리된다. 버퍼층(635)이 캐리어 기판(610)으로부터 분리되면, 점착롤(800)을 박막트랜지스터 어레이(700)가 형성된 버퍼층(635) 상에 접촉하고 회전운동한다. 그러면 도 6c의 (b)에 도시된 바와 같이, 버퍼층(635)이 점착롤(800)에 감겨 부착된다.
이어, 도 6c의 (c) 및 (d)를 참조하면, 점착롤(800)의 하부에 접착제가 도포된 배면기판(830)을 준비하고, 점착롤(800)을 배면기판(830) 상에 접촉하고 회전운동하여 배면기판(830)에 버퍼층(635)을 부착한다. 따라서, 버퍼층(635)은 캐리어 기판(610)으로부터 분리되어 배면기판(830) 상에 부착되어, 캐리어 기판(610)은 플렉서블 기판의 제조 공정에 재 사용된다.
다음, 도 6d를 참조하면, 박막트랜지스터 어레이(700) 상에 표시소자(750)를 형성한다. 본 발명의 표시소자(750)로는 전술한 제1 실시예와 같이, 전기영동소자인 전기영동 필름을 예로 설명한다. 이어, 도 6e를 참조하면, 전기영동 필름(750)이 부착된 플렉서블 표시장치(860)를 절단장치 또는 레이저 커팅 장치를 이용하여 셀 단위로 스크라이빙한다. 그리고, 각 셀 단위의 플렉서블 표시장치(860)의 외곽부에 실제(850)를 도포하여 실링한다. 다음, 도 6f를 참조하면, 플렉서블 표시장치(860)에 COG 및 FPC(870)를 부착하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 플렉서블 표시장치(860)를 제조한다.
상기와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 제조방법은 스크라이빙 공정 전에 박막트랜지스터 어레이가 형성된 버퍼층과 캐리어 기판을 분리함으로써, 캐리어 기판의 재사용이 가능하여 제조비용을 절감할 수 있는 이점이 있다. 또한, 점착롤을 이용하여 간단한 방법으로 배면기판에 박막트랜지스터 어레이가 형성된 버퍼층을 부착함으로써, 제조공정을 간소화하여 생산율을 향상시킬 수 있는 이점이 있다. 또한, 폴리이미드로 이루어진 플렉서블 기판의 제조를 생략할 수 있어 제조비용을 절감할 수 있는 이점이 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (12)

  1. 캐리어 기판 상에 희생층을 형성하는 단계;
    상기 희생층 상에 플렉서블 기판을 형성하는 단계;
    상기 플렉서블 기판 상에 박막트랜지스터 어레이를 형성하는 단계;
    상기 희생층을 식각하여 상기 플렉서블 기판과 상기 캐리어 기판을 분리하는 단계;
    상기 플렉서블 기판을 점착롤에 부착하는 단계; 및
    배면기판 상에 상기 점착롤에 부착된 상기 플렉서블 기판을 부착하는 단계를 포함하는 플렉서블 표시장치의 제조방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 플렉서블 기판과 상기 캐리어 기판을 분리하는 단계 이전 또는 상기 배면기판에 상기 플렉서블 기판을 부착하는 단계 이후에, 상기 플렉서블 기판 상에 표시소자를 형성하는 단계를 더 포함하는 플렉서블 표시장치의 제조방법.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 표시소자를 형성하는 단계 이후에,
    상기 부착된 플렉서블 기판을 스크라이빙하고, 실링하는 단계를 더 포함하는 플렉서블 표시장치의 제조방법.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 표시소자는 유기전계발광소자, 액정표시소자, 전기영동소자 및 플라즈마디스플레이소자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 플렉서블 표시장치의 제조방법.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 희생층은 레이저 조사에 의해 식각되는 플렉서블 표시장치의 제조방법.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 점착롤은 표면에 점착제가 도포된 롤러인 플렉서블 표시장치의 제조방법.
  7. 캐리어 기판 상에 희생층을 형성하는 단계;
    상기 희생층 상에 버퍼층을 형성하는 단계;
    상기 버퍼층 상에 박막트랜지스터 어레이를 형성하는 단계;
    상기 희생층을 식각하여 상기 박막트랜지스터 어레이가 형성된 버퍼층과 상기 캐리어 기판을 분리하는 단계;
    상기 박막트랜지스터 어레이가 형성된 버퍼층을 점착롤에 부착하는 단계; 및
    배면기판 상에 상기 점착롤에 부착된 상기 박막트랜지스터 어레이가 형성된 버퍼층을 부착하는 단계를 포함하는 플렉서블 표시장치의 제조방법.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터 어레이가 형성된 버퍼층과 상기 캐리어 기판을 분리하는 단계 이전 또는 상기 배면기판에 상기 박막트랜지스터 어레이가 형성된 버퍼층을 부착하는 단계 이후에, 상기 배면기판 상에 표시소자를 형성하는 단계를 더 포함하는 플렉서블 표시장치의 제조방법.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 표시소자를 형성하는 단계 이후에,
    상기 부착된 배면기판을 스크라이빙하고, 실링하는 단계를 더 포함하는 플렉서블 표시장치의 제조방법.
  10. 제7 항에 있어서,
    상기 희생층은 레이저 조사에 의해 식각되는 플렉서블 표시장치의 제조방법.
  11. 제7 항에 있어서,
    상기 점착롤은 표면에 점착제가 도포된 롤러인 플렉서블 표시장치의 제조방법.
  12. 제7 항에 있어서,
    상기 배면기판은 플렉서블한 기판인 플렉서블 표시장치의 제조방법.
KR1020110062820A 2011-06-28 2011-06-28 플렉서블 표시장치의 제조방법 KR101852190B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110062820A KR101852190B1 (ko) 2011-06-28 2011-06-28 플렉서블 표시장치의 제조방법
CN201110427810.1A CN102856252B (zh) 2011-06-28 2011-12-19 柔性显示器的制造方法
TW100149281A TWI457886B (zh) 2011-06-28 2011-12-28 可撓性顯示裝置之製造方法
US13/339,202 US9076696B2 (en) 2011-06-28 2011-12-28 Method of manufacturing flexible display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110062820A KR101852190B1 (ko) 2011-06-28 2011-06-28 플렉서블 표시장치의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130006993A true KR20130006993A (ko) 2013-01-18
KR101852190B1 KR101852190B1 (ko) 2018-04-25

Family

ID=47391057

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110062820A KR101852190B1 (ko) 2011-06-28 2011-06-28 플렉서블 표시장치의 제조방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9076696B2 (ko)
KR (1) KR101852190B1 (ko)
CN (1) CN102856252B (ko)
TW (1) TWI457886B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9472650B2 (en) 2015-01-21 2016-10-18 Samsung Display Co., Ltd. Manufacturing method of flexible display device
US9666813B2 (en) 2014-02-03 2017-05-30 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device and method of manufacturing the same

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10112257B1 (en) 2010-07-09 2018-10-30 General Lasertronics Corporation Coating ablating apparatus with coating removal detection
CN103299448B (zh) * 2010-09-29 2016-09-07 Posco公司 使用辊形状母基板的柔性电子器件的制造方法、柔性电子器件及柔性基板
US9895771B2 (en) 2012-02-28 2018-02-20 General Lasertronics Corporation Laser ablation for the environmentally beneficial removal of surface coatings
CN102769109B (zh) * 2012-07-05 2015-05-13 青岛海信电器股份有限公司 柔性显示器的制作方法以及制作柔性显示器的基板
KR101960745B1 (ko) * 2012-11-14 2019-03-21 엘지디스플레이 주식회사 연성 표시소자 절단방법 및 이를 이용한 연성 표시소자 제조방법
CN103531723B (zh) * 2013-03-22 2016-04-27 Tcl集团股份有限公司 柔性显示器的制备方法及用于制作柔性显示器的基板
KR102108360B1 (ko) * 2013-06-19 2020-05-11 삼성디스플레이 주식회사 기판 처리방법 및 이를 이용해 제조된 플렉서블 디스플레이 장치
KR102090276B1 (ko) * 2013-08-08 2020-03-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 광학 필름
CN103456689B (zh) * 2013-08-13 2015-02-25 京东方科技集团股份有限公司 用于将柔性基板与玻璃基板分离的装置及生产设备
KR102068093B1 (ko) * 2013-11-04 2020-01-20 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치 제조 방법
DE112014007325B3 (de) 2013-12-02 2021-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung und deren Herstellungsverfahren
CN103681486B (zh) * 2013-12-06 2018-07-17 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示基板的制造方法
CN103779390B (zh) 2014-02-11 2016-08-17 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示基板及其制备方法
CN103985665B (zh) * 2014-05-15 2016-08-17 深圳市华星光电技术有限公司 一种柔性显示器的制作方法
TWI561325B (en) * 2014-08-01 2016-12-11 Au Optronics Corp Display module manufacturing method and display module
CN105336682A (zh) * 2014-08-06 2016-02-17 上海和辉光电有限公司 一种柔性基板的制作方法、固定方法以及固定结构
CN104332416A (zh) * 2014-08-21 2015-02-04 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示器的制备方法和柔性显示器
CN104916550A (zh) * 2015-06-09 2015-09-16 深圳市华星光电技术有限公司 用于制造柔性基板的方法以及基板结构
CN106373917A (zh) * 2015-07-20 2017-02-01 Tcl集团股份有限公司 柔性显示屏的制造方法和柔性显示屏的制造设备
CN107706305B (zh) * 2016-08-07 2020-11-03 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 柔性显示装置及其制备方法
CN106711174B (zh) * 2016-12-07 2020-01-17 上海天马微电子有限公司 显示母板、柔性显示面板、柔性显示装置以及制作方法
US10384434B2 (en) 2017-08-31 2019-08-20 Industrial Technology Research Institute Separating device and separating method
KR102470375B1 (ko) 2017-10-31 2022-11-23 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN108281388B (zh) * 2018-01-23 2021-02-26 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、其制作方法及显示面板
CN108767127A (zh) * 2018-05-28 2018-11-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板的制作方法、显示面板及显示装置
CN112201169B (zh) * 2020-11-02 2021-07-27 山西穿越光电科技有限责任公司 一种柔性显示装置
CN112397559B (zh) * 2020-11-09 2024-02-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 可拉伸显示模组及其制备方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6814832B2 (en) * 2001-07-24 2004-11-09 Seiko Epson Corporation Method for transferring element, method for producing element, integrated circuit, circuit board, electro-optical device, IC card, and electronic appliance
TW558743B (en) * 2001-08-22 2003-10-21 Semiconductor Energy Lab Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
US7223672B2 (en) * 2002-04-24 2007-05-29 E Ink Corporation Processes for forming backplanes for electro-optic displays
JP2004349540A (ja) * 2003-05-23 2004-12-09 Seiko Epson Corp 薄膜装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器
KR101219748B1 (ko) * 2004-03-22 2013-01-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박막 집적회로 제작방법
US8040469B2 (en) * 2004-09-10 2011-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, method for manufacturing the same and apparatus for manufacturing the same
TWI296444B (en) * 2006-04-28 2008-05-01 Innolux Display Corp Thin film transistor substrate and method of manufacturing same
US7713836B2 (en) * 2006-09-29 2010-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming conductive layer and substrate having the same, and method for manufacturing semiconductor device
JP5299736B2 (ja) * 2007-09-04 2013-09-25 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 フィルム貼付装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9666813B2 (en) 2014-02-03 2017-05-30 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device and method of manufacturing the same
US9472650B2 (en) 2015-01-21 2016-10-18 Samsung Display Co., Ltd. Manufacturing method of flexible display device

Also Published As

Publication number Publication date
US9076696B2 (en) 2015-07-07
TW201301223A (zh) 2013-01-01
CN102856252B (zh) 2015-07-22
US20130005059A1 (en) 2013-01-03
CN102856252A (zh) 2013-01-02
TWI457886B (zh) 2014-10-21
KR101852190B1 (ko) 2018-04-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101852190B1 (ko) 플렉서블 표시장치의 제조방법
TWI583562B (zh) 一種柔性電子器件的製備方法
US8454851B2 (en) Manufacturing method of the flexible display device
KR101318242B1 (ko) 플렉서블 표시소자의 제조 방법
KR101870798B1 (ko) 플렉서블 디스플레이 장치와 이의 제조방법
KR101555551B1 (ko) 플렉시블 표시장치 제조방법
KR20130003997A (ko) 캐리어 기판과 박형 글라스의 탈부착 방법
KR20090110097A (ko) 캐리어 기판 및 이를 이용한 가요성 표시 장치의 제조 방법
CN103424936A (zh) 显示面板及其制备方法、显示装置
KR101842134B1 (ko) 전기영동 표시장치 및 그 제조 방법
CN107910458B (zh) 柔性显示基板及其制作方法、显示面板
CN108242424B (zh) 柔性面板的制作方法、柔性面板及显示装置
US20190097180A1 (en) Substrate unit, display device and method for manufacturing display device
KR101582943B1 (ko) 평판 표시 장치의 제조 방법
CN105097673B (zh) Tft基板结构的制作方法
KR101845440B1 (ko) 플렉서블 표시장치의 제조 방법
US9142807B2 (en) Method for manufacturing flexible OLED (organic light emitting display) panel
CN109427689A (zh) 一种显示面板及其制造方法
KR20120131611A (ko) 전기영동 표시장치와 이의 제조방법
CN105759477A (zh) 增加薄膜粘附力的薄膜制备方法、显示基板及其制造方法
WO2012070483A1 (ja) フレキシブルデバイス、その製造方法、および表示装置
KR101870799B1 (ko) 플렉서블 디스플레이 장치의 제조방법
CN106356375A (zh) 基板单元、元件基板、显示装置及显示装置的制造方法
KR101649226B1 (ko) 표시장치 및 그 제조방법
KR20110071664A (ko) 표시장치 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant