KR20120135414A - 표면실장형 및 내장형 부품의 방전 보호 - Google Patents

표면실장형 및 내장형 부품의 방전 보호 Download PDF

Info

Publication number
KR20120135414A
KR20120135414A KR1020127025074A KR20127025074A KR20120135414A KR 20120135414 A KR20120135414 A KR 20120135414A KR 1020127025074 A KR1020127025074 A KR 1020127025074A KR 20127025074 A KR20127025074 A KR 20127025074A KR 20120135414 A KR20120135414 A KR 20120135414A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
vsdm
layer
component
electronic component
circuit board
Prior art date
Application number
KR1020127025074A
Other languages
English (en)
Inventor
렉스 코소우스키
로버트 플레밍
브렛 그레이돈
다니엘 바스케스
Original Assignee
쇼킹 테크놀로지스 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 쇼킹 테크놀로지스 인코포레이티드 filed Critical 쇼킹 테크놀로지스 인코포레이티드
Publication of KR20120135414A publication Critical patent/KR20120135414A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0254—High voltage adaptations; Electrical insulation details; Overvoltage or electrostatic discharge protection ; Arrangements for regulating voltages or for using plural voltages
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05F—STATIC ELECTRICITY; NATURALLY-OCCURRING ELECTRICITY
    • H05F3/00—Carrying-off electrostatic charges
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0254—High voltage adaptations; Electrical insulation details; Overvoltage or electrostatic discharge protection ; Arrangements for regulating voltages or for using plural voltages
    • H05K1/0257—Overvoltage protection
    • H05K1/0259—Electrostatic discharge [ESD] protection
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/07—Electric details
    • H05K2201/073—High voltage adaptations
    • H05K2201/0738—Use of voltage responsive materials, e.g. voltage switchable dielectric or varistor materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/30—Details of processes not otherwise provided for in H05K2203/01 - H05K2203/17
    • H05K2203/304—Protecting a component during manufacturing

Abstract

전압절환형 유전 물질(VSDM)을 포함하는 인쇄회로기판을 개시한다. VSDM은 인쇄회로기판 상에 배치되거나 인쇄회로기판 내에 내장된 전자 부품을 전기적 과부하 또는 정전기 방전과 같은 방전으로부터 보호하기 위해 사용된다. 과전압 이벤트 중에 VSDM층은 과전류가 접지로 방향전환되게 하여, 전자 부품의 파괴 또는 손상을 방지한다.

Description

표면실장형 및 내장형 부품의 방전 보호{ELECTRIC DISCHARGE PROTECTION FOR SURFACE MOUNTED AND EMBEDDED COMPONENTS}
본 출원은 전반적으로 서지 이벤트로부터의 전자 장치의 보호에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 회로기판의 표면실장형 및 내장형 전자 부품을 방전 이벤트로부터 보호하기 위한, 회로기판에 대한 전압절환형 유전 물질(voltage switchable dielectric material, VSDM)의 적용에 관한 것이다.
정전기 방전(ESD)과 같은 방전 및 전기적 과부하(EOS)는 전자 부품 및 장치에 고장을 일으키는 주요 원인 중 하나이다. 전자 장치를 소형화하려는 지속적인 경향 및 점점 더 소형의 부품을 회로에 집적하려는 경향은 ESD 민감도 문제의 증가를 초래한다. 그 결과로, 이러한 고장은 보통 바람직하지 않은 과전압 및/또는 과전류의 영향으로 인해 전자 장치의 성능 열화 또는 파괴로 이어진다.
전자 장치를 ESD 및 EOS 영향으로부터 보호하기 위한 다양한 해결방안들이 사용 가능하게 되었다. ESD 문제의 해결을 위해, 기술자들은 일반적으로 다양한 캐패시터 기반의 장치, 제너 다이오드, 과도전압억제(TVS) 다이오드, 다중계층 배리스터, 쇼트키 다이오드 등을 이용한다. 그러나, 전술한 장치들은 회로기판 상에 실장될 필요가 있으므로, 추가적인 공간을 요구하고, 그에 더하여 설계상의 복잡도를 증가시킨다. 게다가, 대부분의 집적 회로는 기존의 ESD 해결방안으로 완전히 보호되지 않는다.
다양한 실시예들은 과전압 및/또는 과전류 이벤트의 경우 전류가 접지로 방향전환되게 하는 기술을 제공하여 전자 부품의 손상을 방지하기 위한, 인쇄회로기판 내의 전압절환형 유전 물질의 사용에 관련된다.
일 실시예에서, 적어도 하나의 비전도층, 도체, 도체에 적용되는 전압절환형 유전 물질(VSDM), 및 VSDM층에 전기적으로 결합되는 적어도 하나의 리드를 구비한 전자 부품을 포함하는 인쇄회로기판을 제공한다. VSDM은 상기 물질에 인가된 전압이 특성 전압 레벨을 초과하는 경우 유전성에서 전도성으로 절환된다. 전자 부품은 내장형 부품 또는 표면실장형 부품일 수 있다. 전자 부품은 레지스터, 인덕터, 또는 캐패시터와 같은 수동 부품일 수 있다. 전자 부품은 다이오드, 트랜지스터, 반도체 장치, 회로, 칩, 또는 집적 회로와 같은 능동 부품일 수 있다.
다른 실시예에서, 적어도 하나의 비전도층, 도체, 적어도 하나의 비전도층에 적용되는 전압절환형 유전 물질(VSDM), 및 VSDM층에 전기적으로 결합되는 적어도 하나의 리드를 구비한 전자 부품을 포함하는 인쇄회로기판을 제공한다. VSDM은 상기 물질에 인가된 전압이 특성 전압 레벨을 초과하는 경우 유전성에서 전도성으로 절환된다. 전자 부품은 내장형 부품 또는 표면실장형 부품일 수 있다. 전자 부품은 레지스터, 인덕터, 또는 캐패시터와 같은 수동 부품일 수 있다. 전자 부품은 다이오드, 트랜지스터, 반도체 장치, 회로, 칩, 또는 집적 회로와 같은 능동 부품일 수 있다.
실시예들은 유사 도면부호가 유사 구성요소를 나타내는 첨부 도면에 제한이 아닌 예로서 도시된다.
도 1은 예시적인 실시예에 따른 예시적인 VSDM을 도시한다.
도 2는 예시적인 실시예에 따른 VSDM층 및 표면실장형 전자 부품을 포함하는 적층구조(stackup)를 도시한다.
도 3은 예시적인 실시예에 따른 VSDM층 및 표면실장형 전자 부품을 포함하는 적층구조를 도시한다.
도 4 내지 도 8은 다양한 예시적인 실시예들에 따른 VSDM층 및 표면실장형 전자 부품을 포함하는 적층구조를 도시한다.
도 9a 내지 도 9c는 VSDM 요소를 포함하는 수개의 회로를 도시한다.
일부 예시적인 실시예들에서, ESD 또는 EOS로부터의 보호에는 VSDM의 사용이 포함될 수 있다. VSDM은 낮은 전압에서는 절연체로, 높은 전압에서는 도체로 작용한다. VSDM은 특정의 절환 전압을 가질 수 있고, 이는 낮은 전도율 상태와 높은 전도율 상태 사이의 범위이다. VSDM은 접지로의 방향전환(shunt)을 제공할 수 있고, 이는 절환 전압보다 높은 전압값의 전류가 보호 중인 장치 또는 부품이 아닌 VSDM을 통해 접지에 도달하게 함으로써, 회로 및/또는 전자 부품을 높은 전압값에 대해 보호한다.
본원에서, "하나의(a 또는 an)"라는 용어는 특허 문헌에서 일반적인 바와 같이 하나 또는 둘 이상을 포함하도록 사용된다. 본원에서, "또는"이라는 용어는 비배타적인 "또는"을 가리키도록 사용되므로, 달리 나타내지 않는 한, "A 또는 B"는 "B가 아니라 A", "A가 아니라 B", 및 "A와 B"를 모두 포함한다. 아울러, 본원에 참조된 모든 공개들, 특허들, 및 특허 문헌들은 개별적으로 참조로서 포함되는 것처럼, 전체가 이에 참조로서 포함된다. 본원과 참조로서 포함된 문헌들 사이에 일치하지 않는 용례(usage)가 존재하는 경우, 포함된 참조문헌(들)의 용례는 본원의 용례에 보충적인 것으로 고려되어야 한다; 양립할 수 없는 불일치에 대해서는 본원의 용례가 우선한다.
"예시적인"이라는 용어는 "본보기, 예증, 또는 실례의 역할을 하는" 것을 의미하도록 본원에 사용된다. "예시적인" 것으로 본원에 기술된 임의의 실시예는 다른 실시예들에 비해 바람직하거나 유리한 것으로 해석되지 않아야 한다. 마찬가지로, "실시예들"이라는 용어는 모든 실시예들이 논의된 특징, 이점, 또는 작동 모드를 포함할 것을 요구하지 않는다.
본원에 사용된 바와 같이, 인쇄회로기판(PCB)이라는 용어는 인쇄배선판, 식각배선판, 또는 유사 기판을 가리킨다. PCB는 비전도성 기판에 적층되거나 부착된 전도성 리드, 와이어, 라인, 경로, 트랙, 또는 신호 트레이스를 이용하여, 별개의 전자 부품들을 기계적으로 지지하고 전기적으로 연결하기 위해 사용된다. 일부 경우에, 부착된 다양한 전자 부품들 사이에 전기전도성을 제공하기 위해 금속 리드들이 (예컨대, 이후에 식각될 Cu층으로서) 포함되기도 한다. 본원에 개시된 일부 실시형태들에 따르면, PCB는 상이한 층들에서 같거나 다른 전도율을 가진 단일 기판 또는 다층 기판으로서 구현될 수 있다.
본원에 사용된 바와 같이, 전자 부품이라는 용어는 수동 부품 및/또는 능동 부품을 가리킬 수 있고, 레지스터, 인덕터, 캐패시터, 다이오드, 트랜지스터, 반도체 장치, 회로, 칩, 집적 회로 등을 포함하지만 이에 제한되지 않는다. 통상적으로, 전자 부품은 다른 부품 또는 경로에 대한 전기적 연결을 위해 사용되는 전도성 리드를 구비한다. 본원에 개시된 실시예들에 따르면, 전자 부품은 표면실장형 부품 및 내장형 부품을 포함한다. 전자 부품은 별개의 요소 또는 박막(예컨대, 저항층, 캐패시턴스층 등)으로서 구현될 수 있고, PCB의 층 또는 기판 상에 증착되거나 스퍼터링될 수 있다.
본원에 사용된 바와 같이, VSDM은 특정 값을 초과하는 필드 또는 전압이 물질에 인가되지 않는 한 유전성 또는 비전도성인 특징을 가진 임의의 조성 또는 조성들의 조합을 가리키고, 인가되는 경우 상기 물질은 전도성이 된다. 그러므로, VSDM은 물질과 연관된 값을 초과하는 전압(또는 필드)(예컨대, ESD 또는 EOS 이벤트에 의해 제공됨)이 물질에 인가되지 않는 한 유전체이고, 인가되는 경우 VSDM은 전도성 상태로 절환된다.
VSDM은 비선형 저항물질로 추가로 정의될 수 있다. 다수의 응용에서, VSDM의 특성 전압은 회로 또는 장치의 작동 전압 레벨을 수배 초과하는 값의 범위이다. 실시예들에는 계획된 전기적 이벤트의 사용이 포함되기도 하지만, 상기 전압 레벨은 대략적인 과도 상태(예컨대, 정전기 방전과 같이 전하에 의해 발생됨)로 이루어질 수 있다. 아울러, 하나 이상의 실시예들은 특성 전압을 초과하는 전압의 부재 시에 비전도성 물질 또는 유전 물질과 유사하게 작용하는 VSDM을 제공한다.
본원에 개시된 실시예들에 따르면, VSDM은 폴리머계 물질이고, 충진된 폴리머를 포함할 수 있다. 충진된 폴리머는 절연체, 도체, 및 반도체 물질의 혼합물을 포함할 수 있다. 절연 물질의 예로, 실리콘 폴리머, 에폭시, 폴리이미드, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리페닐렌 옥사이드, 폴리술폰, 졸겔 물질, 크리머, 실리콘 다이옥사이드, 알루미늄 옥사이드, 지르코니아 옥사이드, 및 기타 금속 산화물 절연체가 포함되지만 이에 제한되지 않는다. 전도성 물질의 예로, 구리, 알루미늄, 니켈, 스테인리스 강 등과 같은 금속이 포함된다. 반도체 물질의 예로, 유기 및 무기 반도체 양자가 포함된다. 일부 무기 반도체로, 실리콘, 실리콘 카바이드, 보론 나이트라이드, 알루미늄 나이트라이드, 니켈 옥사이드, 징크 옥사이드, 및 징크 설파이드가 포함된다. 유기 반도체의 예로, 폴리-3-엑실티오펜, 펜타센, 페릴렌, 카본 나노튜브, 플러렌 등이 포함된다. VSDM의 특별한 적용에 적합한 기계적, 전기적 특성을 위해, 특정의 제형 및 조성이 선택될 수 있다.
또한, 본원에 개시된 하나 이상의 실시예들은 PCB 상에 VSDM층을 포함한다. VSDM층은 접지로의 방향전환을 제공할 수 있고, 이는 절환 전압보다 높은 전압의 전류가 보호 중인 회로 및/또는 전자 부품이 아닌 VSDM층을 통해 접지에 도달하게 함으로써, 회로 및/또는 전자 부품을 높은 전압에 대해 보호한다.
도 1은 예시적인 VSDM(100)을 도시한다. VSDM(100)은 전도 상(110) 및 절연 및/또는 반도체 상(120)을 포함할 수 있다. 낮은 전압에서는 VSDM(100)이 절연체로 작용할 수 있다. 절환 전압(예컨대, 트리거 전압, 클램프 전압 등)보다 높은 전압에서는 VSDM(100)이 도체로 작용할 수 있다. 통상적으로, VSDM(100)은 전기 접지에 연결될 수 있고, 장치의 보호 중에 전류가 접지로 방향전환되게 할 수 있다.
도 2는 VSDM층을 포함하는 예시적인 적층구조(200)를 도시한다. 적층구조(200)는 비전도성 기판(202)(예컨대, PCB 및 프리프레그층 등과 같은 PCB의 층)을 포함한다. 적층구조(200)는 또한 VSDM층(210)을 포함하되, 상기 VSDM층은 코팅, 층, 라인, 및 비아 중 일부 혹은 전부를 포함할 수 있다. VSDM은 임의의 형상으로 이루어질 수 있고, 도체(220)에 연결될 수 있다. 소정의 도체(220)들이 접지에 전기적으로 연결될 수 있고, 그에 따라 과전압 이벤트 중에 전류가 VSDM층을 통해 접지로 방향전환된다. 도체는 전도층, 와이어, 패스라인, 비아, 커넥터 등을 포함할 수 있다.
보호될 전기 부품(230)(예컨대, 레지스터, 인덕터, 캐패시터, 다이오드, 트랜지스터, 회로, 칩 등)이 VSDM층(210) 상에 실장될 수 있다. 일부 경우에, 전자 부품(230)은 표면실장형 장치일 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 전자 부품(230)은 (예컨대, 저항성 잉크로서) VSDM층(210) 상에 직접 증착될 수 있는 실질적으로 편평한 장치일 수 있다. 아울러, 전자 부품(230)은 하나 이상의 리드(240)(예컨대, Cu 리드)를 포함할 수 있다. 전자 부품(230)을 포함하는 과전압 이벤트(예컨대, ESD 또는 EOS 이벤트) 중에, 전류는 리드(240)(및/또는 부품(230))로부터 VSDM층(210)을 통해 도체(220)로 방향전환될 수 있다. 전류는 부품(230) 및/또는 리드(240)와 전도성 패드(260) 사이의 갭(250)을 메울 수 있고, 상기 전도성 패드는 비아(270)를 통해 도체(220)에 전기적으로 연결될 수 있다.
전자 부품(230)은 저항, 인덕턴스, 캐패시턴스 등과 같은 하나 이상의 항목을 특징으로 할 수 있다. 일부 경우에, 과전압 및/또는 과전류 이벤트를 견디는 성능은 명시되지 않아도 좋다. 예컨대, 레지스터는 통상의 사용 중에(예컨대, 10V 이하의 전압에서) 1Ω의 저항을 제공하도록 설계될 수 있지만, 더 높은 전압에 의해 손상될 수 있으며, 손상을 견디도록 설계된 유사 레지스터는 주어진 응용에 비해 규모가 너무 클 수 있다. VSDM을 이용하여 소형 레지스터를 보호하면, 소형 부품의 사용이 가능할 수 있고, 이는 PCB 조립체와 같은 패키지에 유리할 수 있다. 0603 및 0402 레지스터와 같은 대형 레지스터는 과전압 또는 과전류 이벤트를 견딜 정도로 충분히 클 수 있지만, 0201 및 01005 레지스터와 같은 소형 레지스터는 회로의 무결성을 유지하기 위해 보호가 필요할 수 있다.
VSDM층(210), 도체(220), 및 전자 부품(230) 중 어느 하나가 기판(202)의 표면 상에 배치될 수 있거나, 또는 기판(202)의 내부에 배치될 수 있다(예컨대, 내장될 수 있다). 일부 실시예들에서, VSDM층(210) 및 전자 부품(230)은 PCB에 내장된다(예컨대, PCB 적층구조 내의 층들로서 제조된다). 적층구조(200)는 추가적인 PCB 부품들(예컨대, 추가적인 프리프레그층들)을 추가하여 처리함으로써 내장될 수 있다.
도 3은 VSDM층을 포함하는 예시적인 적층구조(300)를 도시한다. 본 예에서, 적층구조(300)는 비전도성 기판(202)(예컨대, 인쇄회로기판 및/또는 그 층) 및/또는 다른 조립체를 포함할 수 있다. VSDM층(210)은 코팅, 층, 라인, 비아를 포함할 수 있고/있거나, 임의의 다른 형상으로 이루어질 수 있고, 일반적으로 도체(220)에 연결될 수 있다. 보호되는(표면실장되거나 내장되는) 전자 부품(230)이 VSDM층(210)에 실장되거나 통합될 수 있다. 부품(230)을 포함하는 과전압 이벤트(예컨대, ESD 이벤트) 중에, 전류는 리드(및/또는 부품(230) 자체)로부터 VSDM층(210)을 통해 도체(220)로 방향전환될 수 있다. 일부 경우에, VSDM층(210) 중 리드(240) 및/또는 부품(230)과 도체(220) 사이의 갭(350)에 위치하는 부분에 능동 체적이 연결될 수 있다. 능동 체적은 VSDM층의 두께 및 (예컨대, 경계 도체의) 면적에 연결될 수 있고, 주로 과전압 이벤트 중에 전류가 통과하는 체적을 기술할 수 있다. 적층구조(300)는 추가적인 PCB 부품들(예컨대, 추가적인 프리프레그층들 등)을 추가하여 처리함으로써 내장될 수 있다.
도 4는 예시적인 적층구조(300)의 횡단면을 도시한다. 도시된 바와 같이, 적층구조(400)는 하나 이상의 비전도성 기판(202) 및 적어도 하나의 VSDM층(210)을 포함할 수 있다. VSDM층(210)은 코팅, 박막, 라인, 비아, 와이어, 패스라인으로 구현될 수 있고/있거나, 특정의 응용에 따라 임의의 다른 적절한 형상으로 이루어질 수 있다. VSDM층(210)은 일반적으로 하나 이상의 도체(220), 패드(260), 비아(270), 또는 이들의 조합을 통해 접지에 연결될 수 있다. 보호 중인 전자 부품(430)(예컨대, 박막 저항층(432) 및 연관된 리드(440)들)은 VSDM층(210) 상에 증착되거나, 스퍼터링되거나, 달리 형성될 수 있다.
부품(430)을 포함하는 과전압 이벤트(예컨대, ESD 또는 EOS 이벤트) 중에, 과전류는 부품(430)을 손상시키는 레벨에서 부품(430)을 통과하는 대신 접지로 방향전환될 수 있다. 전류는 갭(450)을 포함할 수 있는 VSDM층(210)을 통과함으로써 방향전환될 수 있다. 일부 경우에, 추가층들(예컨대, 부품(430)과 연결된 박막)은 VSDM층(210)의 ESD/EOS 보호 성능에 악영향을 미치지 않는 조건으로 존재할 수 있다(예컨대, 저항막은 특히 얇게 형성될 수 있고, 그에 따라 저항층(432)은 특히 얇게 형성된 경우 리드(440)들 아래에 배치될 수 있다).
도 5는 적층구조(500)의 횡단면을 도시한다. 본 예에서, 적층구조(500)는 적어도 하나의 비전도성 기판(202) 및 하나의 VSDM층(210)을 포함할 수 있다. VSDM층(210)은 코팅, 박막, 라인, 비아, 와이어, 패스라인으로 구현될 수 있고/있거나, 특정의 응용에 따라 임의의 다른 적절한 형상으로 이루어질 수 있다. VSDM층(210)은 일반적으로 적층구조(500)의 표면 상에 배치되는 하나 이상의 도체(220)를 통해 그리고 또한 패드(260), 비아(270), 또는 이들의 조합에 의해 접지에 연결될 수 있다. 보호 중인 전자 부품(430)은 VSDM층(210) 상에 증착되거나, 스퍼터링되거나, 달리 형성될 수 있다. 전자 부품(430)은 박막 저항층(432)으로 구현될 수 있으며, 연관된 전도성 리드(440)들을 포함할 수 있고, 이들 역시 저항층(432) 및/또는 적층구조의 층들 중 하나의 층에 증착되거나 스퍼터링될 수 있다.
부품(430)을 포함하는 ESD 또는 EOS와 관련된 과전압 이벤트의 경우, 과전류는 전자 부품(430)을 통과하는 대신 접지로 방향전환될 수 있다. 과전류는 갭(550)을 포함할 수 있는 VSDM층(210)을 통과함으로써 방향전환될 수 있다.
도 6은 예시적인 적층구조(600)의 횡단면을 도시한다. 본 실시예에 따르면, 적층구조(600)는 전자 부품(430)의 복수의 영역을 보호하는 비전도성 VSDM층(210)을 포함할 수 있다. VSDM층(210)은 일반적으로 적층구조(600) 내에 배치되는 하나 이상의 도체(220)를 통해 그리고 패드(260), 비아(270), 또는 이들의 조합에 의해 접지에 연결될 수 있다. 보호 중인 전자 부품(430)은 VSDM층(210) 상에 증착되거나, 스퍼터링되거나, 달리 형성될 수 있다. 전자 부품(430)은 박막(예컨대, 저항층)으로 구현될 수 있고, 적어도 하나의 연관된 전도성 리드(440)를 포함할 수 있다. 적층구조(600)에서는, 제1 갭(650) 및 제2 갭(652)이 과전압 이벤트 중에 전류가 통과할 수 있는 VSDM층(210)의 실질적으로 독립된 영역들을 한정한다.
도 7은 예시적인 적층구조(700)의 횡단면을 도시한다. 본 실시예에서, 적층구조(700)는 VSDM층(210)을 제공할 수 있고, 하나 이상의 비전도성 기판(202)이 보호 중인 전자 부품(430)과 VSDM층 사이에 구비된다. 적층구조(700)는 또한 하나 이상의 도체(220), 하나 이상의 비아(270), 및 하나 이상의 패드(260)를 포함할 수 있고, 이들 각각은 서로 간에 상호 연결되거나 접지에 연결될 수 있다.
VSDM층(210)은 갭(750)을 포함할 수 있다. 전자 부품(430)을 포함하는 과전압 이벤트 중에, 과전류는 부품(430) 자체를 통과하는 대신 VSDM층(210)의 갭(750)을 통해 접지로 방향전환되어, 부품(430)의 손상 또는 파괴를 방지할 수 있다.
도 8은 예시적인 적층구조(800)의 횡단면을 도시한다. 도시된 바와 같이, 적층구조(800)는 적어도 2개의 비전도성 기판(202), 기판들(202) 사이에 배치되는 VSDM층(210), 하나 이상의 전도성 리드(440)를 구비한 전자 부품(430), 및 도체(220), 비아(270), 패드(260), 또는 이들의 조합과 같은 복수의 연결 요소를 포함할 수 있다. 전자 부품(430)은 제1 기판(202) 상에 배치될 수 있고, VSDM층(210)에 직접 접촉되는 것이 아니라, 복수의 연결 요소에 의해 전기 접촉될 수 있다. VSDM층(210)은 갭(850)을 포함할 수 있고, 상기 갭은 과전압 이벤트 중에 통전 활성 영역(예컨대, 갭(850)의 양측의 패드(260)들 사이)에 연결될 수 있다.
도 9a 내지 도 9c는 VSDM 요소를 포함하는 수개의 회로 스킴을 도시한다. 이들 도해에서는, VSDM 요소(900)가 번개모양 화살표에 의해 전기 밸브로서 개략적으로 보여진다. 본 예들에서, VSDM 요소(900)는 접지에 연결될 수 있는 도체에 연결되고, 보호 중인 전자 부품 또는 전자 장치에 전기적으로 (또한 종종 물리적으로) 연결된다.
도 9a는 레지스터(910)를 보호하는 VSDM(900)을 도시하되, 상기 레지스터는 표면실장형 또는 내장형 레지스터일 수 있다. 본 예에서는, VSDM(900)이 레지스터(910)의 리드에 전기적으로 연결된다. 레지스터(910)를 손상시킬 수 있는 ESD 또는 EOS와 같은 과전압 이벤트는 과전류가 VSDM 요소(900)를 통해 접지로 방향전환되는 결과를 가져올 수 있다.
도 9b는 캐패시터(920)를 보호하는 VSDM 요소(900)를 도시하되, 상기 캐패시터는 표면실장형 또는 내장형 캐패시터일 수 있다. 본 예에서는, VSDM 요소(900)가 캐패시터(920)의 양측의 리드들에 연결된다. 캐패시터(920)를 손상시킬 수 있는 과전압 이벤트는 과전류가 VSDM 요소(900)들 중 적어도 하나를 통해 접지로 방향전환되는 결과를 가져올 수 있다.
도 9c는 인덕터(930)를 보호하는 VSDM 요소(900)를 도시하되, 상기 인덕터는 내장형 인덕터일 수 있다. 본 예에서는, VSDM 요소(900)가 인덕터(930)의 리드에 연결된다. 인덕터(930)를 손상시킬 수 있는 과전압 이벤트의 경우, 과전류가 VSDM 요소(900)를 통해 접지로 방향전환된다.
일부 실시예들은 다양한 파라미터들(예컨대, 전류, 전압, 전력, 저항, 비저항, 인덕턴스, 캐패시턴스, 두께, 변형, 온도, 응력, 농도, 깊이, 길이, 폭, (절연성 및 전도성 사이의) 절환 전압 및/또는 전압 밀도, 트리거 전압, 클램프 전압, 오프상태 통전, 유전상수, 시간, 날짜, 및 기타 특성)을 감지하는 센서들을 포함할 수 있다. 다양한 장치들이 다양한 센서들을 감시할 수 있고, 시스템들은 자동 제어(솔레노이드, 공압, 압전 등)에 의해 구동될 수 있다. 일부 실시예들은 프로세서 및 메모리에 결합되는 컴퓨터 판독 가능한 저장 매체를 포함할 수 있다. 컴퓨터 판독 가능한 저장 매체에 저장된 실행 가능한 명령어들이 프로세서에 의해 실행되어, PCB 내에 배치된 전자 부품들의 다양한 작동 및/또는 보호 방법들을 수행하거나, 제어하거나, 감시할 수 있다. 센서들 및 액츄에이터들이 프로세서에 결합되어, 입력을 제공할 수 있고, 다양한 방법들과 연관된 명령어들을 수신할 수 있다. 다양한 파라미터들의 폐루프 제어를 위해, 입력을 제공하는 결합 센서들 및 파라미터를 조절하기 위한 명령어를 수신하는 결합 액츄에이터들을 통해 소정의 명령어들이 제공될 수 있다. 다양한 실시예들은 전화(예컨대, 휴대전화), 범용직렬버스(USB) 장치(예컨대, USB 저장장치), 개인휴대단말기(PDA), 랩톱 컴퓨터, 넷북 컴퓨터, 태블릿 PC, 발광 다이오드(LED) 등과 같은 다양한 전자 장치들을 포함할 수 있다.
전술한 설명은 당해 기술분야의 숙련자가 특정의 실시예들을 구현하거나 이용할 수 있도록 제공되었다. 이러한 실시예들에 대한 다양한 변경이 당해 기술분야의 숙련자들에게는 쉽게 명확해질 것이고, 본원에 정의된 포괄적인 원리들은 본 개시의 범주를 벗어남 없이 다른 실시예들에 적용될 수 있다. 그러므로, 본 개시는 본원에 설명된 실시예들에 제한되는 것이 아니라, 본원에 개시된 원리들에 부합되는 최대한의 범위에 일치하도록 의도된 것이다.

Claims (20)

  1. 적어도 하나의 도체;
    적어도 하나의 도체에 적용되는 전압절환형 유전 물질(VSDM); 및
    VSDM에 전기적으로 결합되는 적어도 하나의 리드를 구비한 전자 부품을 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
  2. 제1항에 있어서,
    전자 부품은 내장형 부품인 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
  3. 제2항에 있어서,
    내장형 부품은 레지스터, 인덕터, 및 캐패시터 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
  4. 제2항에 있어서,
    내장형 부품은 다이오드, 트랜지스터, 반도체 장치, 회로, 칩, 및 집적 회로 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
  5. 제1항에 있어서,
    전자 부품은 표면실장형 부품인 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
  6. 제5항에 있어서,
    표면실장형 부품은 레지스터, 인덕터, 및 캐패시터 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
  7. 제5항에 있어서,
    표면실장형 부품은 다이오드, 트랜지스터, 반도체 장치, 회로, 칩, 및 집적 회로 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
  8. 제1항에 있어서,
    VSDM은 층인 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
  9. 제8항에 있어서,
    VSDM층은 비전도층 내에 통합되는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
  10. 제8항에 있어서,
    VSDM층은 적어도 2개의 비전도층들 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
  11. 적어도 하나의 비전도층;
    적어도 하나의 도체;
    적어도 하나의 비전도층에 적용되는 전압절환형 유전 물질(VSDM); 및
    VSDM에 전기적으로 결합되는 적어도 하나의 리드를 구비한 전자 부품을 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
  12. 제11항에 있어서,
    전자 부품은 내장형 부품인 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
  13. 제12항에 있어서,
    내장형 부품은 레지스터, 인덕터, 및 캐패시터 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
  14. 제12항에 있어서,
    내장형 부품은 다이오드, 트랜지스터, 반도체 장치, 회로, 칩, 및 집적 회로 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
  15. 제11항에 있어서,
    전자 부품은 표면실장형 부품인 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
  16. 제15항에 있어서,
    표면실장형 부품은 레지스터, 인덕터, 및 캐패시터 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
  17. 제15항에 있어서,
    표면실장형 부품은 다이오드, 트랜지스터, 반도체 장치, 회로, 칩, 및 집적 회로 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
  18. 제11항에 있어서,
    VSDM은 층인 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
  19. 제18항에 있어서,
    VSDM층은 적어도 하나의 비전도층 내에 통합되는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
  20. 제18항에 있어서,
    VSDM층은 적어도 2개의 비전도층들 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판.
KR1020127025074A 2010-02-26 2011-02-26 표면실장형 및 내장형 부품의 방전 보호 KR20120135414A (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US30882510P 2010-02-26 2010-02-26
US61/308,825 2010-02-26
US13/035,791 2011-02-25
US13/035,791 US9320135B2 (en) 2010-02-26 2011-02-25 Electric discharge protection for surface mounted and embedded components
PCT/US2011/026389 WO2011106751A1 (en) 2010-02-26 2011-02-26 Electric discharge protection for surface mounted and embedded components

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20120135414A true KR20120135414A (ko) 2012-12-13

Family

ID=44505169

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127025074A KR20120135414A (ko) 2010-02-26 2011-02-26 표면실장형 및 내장형 부품의 방전 보호

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9320135B2 (ko)
EP (1) EP2540147A1 (ko)
JP (1) JP2013521633A (ko)
KR (1) KR20120135414A (ko)
CN (1) CN102860141A (ko)
TW (1) TW201218871A (ko)
WO (1) WO2011106751A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018004242A1 (ko) * 2016-06-29 2018-01-04 주식회사 아모텍 전기적 과부하 보호소자

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120212904A1 (en) * 2008-02-12 2012-08-23 Robert Fleming Flexible circuits and substrates comprising voltage switchable dielectric material
US8203421B2 (en) * 2008-04-14 2012-06-19 Shocking Technologies, Inc. Substrate device or package using embedded layer of voltage switchable dielectric material in a vertical switching configuration
US8699297B2 (en) * 2009-02-13 2014-04-15 Westerngeco L.L.C. Deghosting and reconstructing a seismic wavefield
US8633562B2 (en) * 2011-04-01 2014-01-21 Qualcomm Incorporated Voltage switchable dielectric for die-level electrostatic discharge (ESD) protection
EP2758992A4 (en) * 2011-09-21 2015-08-12 Littelfuse Inc VERTICAL SWITCHING TRAINING FOR PROTECTION AGAINST ELECTROSTATIC DISCHARGE
US20130194708A1 (en) * 2012-01-30 2013-08-01 Sony Ericsson Mobile Communications Ab Current Carrying Structures Having Enhanced Electrostatic Discharge Protection And Methods Of Manufacture
KR20150066547A (ko) * 2012-09-25 2015-06-16 피에스티 센서스 (프로프리에터리) 리미티드 전류 전환 트랜지스터
EP2920885A4 (en) * 2012-11-15 2017-05-31 Switchbee Ltd. Device kit and method for absorbing leakage current
CN103050492B (zh) * 2012-12-30 2015-12-02 深圳中科系统集成技术有限公司 单路静电释放保护器件
CN103022016B (zh) * 2012-12-31 2016-12-28 深圳中科系统集成技术有限公司 多路静电释放保护器件
US9354186B2 (en) * 2013-03-13 2016-05-31 Texas Instruments Incorporated X-ray sensor and signal processing assembly for an X-ray computed tomography machine
US20160104670A1 (en) * 2014-10-10 2016-04-14 Globalfoundries Inc. Interlayer ballistic conductor signal lines
CN207124800U (zh) * 2015-06-25 2018-03-20 株式会社村田制作所 树脂基板以及电子设备
CN106340868B (zh) * 2016-10-28 2019-03-01 京东方科技集团股份有限公司 电路保护装置、电子器件和电子设备
CN109302794A (zh) * 2018-08-30 2019-02-01 出门问问信息科技有限公司 电子组件及电子设备
TWI713424B (zh) * 2018-10-15 2020-12-11 鼎展電子股份有限公司 銅箔電阻與具有該銅箔電阻的電路板結構
US11296040B2 (en) 2019-12-19 2022-04-05 Intel Corporation Electrostatic discharge protection in integrated circuits
US11189580B2 (en) * 2019-12-19 2021-11-30 Intel Corporation Electrostatic discharge protection in integrated circuits
CN111121452B (zh) * 2020-01-09 2020-09-18 永康市利高工具厂 一种基于导体半导体互相切换的加热器
DE102021130924B4 (de) 2021-11-25 2024-01-04 Infineon Technologies Ag Schutz vor elektrostatischer Entladung einer elektronischen Komponente, welche in dem Laminat einer gedruckten Leiterplatte eingebettet ist

Family Cites Families (229)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3347724A (en) 1964-08-19 1967-10-17 Photocircuits Corp Metallizing flexible substrata
US3685026A (en) 1970-08-20 1972-08-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd Process of switching an electric current
US3685028A (en) 1970-08-20 1972-08-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd Process of memorizing an electric signal
US3808576A (en) * 1971-01-15 1974-04-30 Mica Corp Circuit board with resistance layer
US3723635A (en) * 1971-08-16 1973-03-27 Western Electric Co Double-sided flexible circuit assembly and method of manufacture therefor
GB1433129A (en) * 1972-09-01 1976-04-22 Raychem Ltd Materials having non-linear resistance characteristics
US3926916A (en) 1972-12-22 1975-12-16 Du Pont Dielectric composition capable of electrical activation
US4359414A (en) 1972-12-22 1982-11-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Insulative composition for forming polymeric electric current regulating junctions
US3977957A (en) 1973-09-24 1976-08-31 National Plastics And Plating Supply Co. Apparatus for intermitting electroplating strips
US4113899A (en) 1977-05-23 1978-09-12 Wear-Cote International, Inc. Method of obtaining electroless nickel coated filled epoxy resin article
US4133735A (en) * 1977-09-27 1979-01-09 The Board Of Regents Of The University Of Washington Ion-sensitive electrode and processes for making the same
JPS6056238B2 (ja) * 1979-06-01 1985-12-09 株式会社井上ジャパックス研究所 電気メツキ方法
JPS5828750B2 (ja) 1979-12-25 1983-06-17 富士通株式会社 半導体装置
US4331948A (en) * 1980-08-13 1982-05-25 Chomerics, Inc. High powered over-voltage protection
DE3040784C2 (de) 1980-10-29 1982-11-18 Schildkröt Spielwaren GmbH, 8057 Eching Verfahren zum Aufbringen eines metallischen Überzuges und hierfür geeigneter Leitlack
US4439809A (en) * 1982-02-22 1984-03-27 Sperry Corporation Electrostatic discharge protection system
US4591411A (en) * 1982-05-05 1986-05-27 Hughes Aircraft Company Method for forming a high density printed wiring board
DE3231118C1 (de) * 1982-08-20 1983-11-03 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Kombinierte Schaltungsanordnung mit Varistor und Verfahren zu ihrer Herstellung
US4405432A (en) 1982-10-22 1983-09-20 National Semiconductor Corporation Plating head
CH663491A5 (en) 1984-02-27 1987-12-15 Bbc Brown Boveri & Cie Electronic circuit module
US4702860A (en) 1984-06-15 1987-10-27 Nauchno-Issledovatelsky Institut Kabelnoi Promyshlennosti Po "Sredazkabel" Current-conducting composition
JPS61108160A (ja) 1984-11-01 1986-05-26 Nec Corp コンデンサ内蔵型半導体装置及びその製造方法
BR8601387A (pt) 1985-03-29 1986-12-02 Raychem Ltd Dispositivo para proteger um circuito eletrico,circuito eletrico,componente eletrico e uso de uma composicao amorfa
US4888574A (en) 1985-05-29 1989-12-19 501 Ohmega Electronics, Inc. Circuit board material and method of making
US4642160A (en) * 1985-08-12 1987-02-10 Interconnect Technology Inc. Multilayer circuit board manufacturing
US5917707A (en) 1993-11-16 1999-06-29 Formfactor, Inc. Flexible contact structure with an electrically conductive shell
US4799128A (en) * 1985-12-20 1989-01-17 Ncr Corporation Multilayer printed circuit board with domain partitioning
US4726877A (en) * 1986-01-22 1988-02-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Methods of using photosensitive compositions containing microgels
US4726991A (en) * 1986-07-10 1988-02-23 Eos Technologies Inc. Electrical overstress protection material and process
KR960015106B1 (ko) * 1986-11-25 1996-10-28 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 면실장형 반도체패키지 포장체
US5295297B1 (en) * 1986-11-25 1996-11-26 Hitachi Ltd Method of producing semiconductor memory
JPS63195275A (ja) 1987-02-10 1988-08-12 Canon Inc 精密成形金型の製造方法
US5138438A (en) * 1987-06-24 1992-08-11 Akita Electronics Co. Ltd. Lead connections means for stacked tab packaged IC chips
US4892776A (en) * 1987-09-02 1990-01-09 Ohmega Electronics, Inc. Circuit board material and electroplating bath for the production thereof
US5734188A (en) * 1987-09-19 1998-03-31 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit, method of fabricating the same and apparatus for fabricating the same
EP0322466A1 (en) * 1987-12-24 1989-07-05 Ibm Deutschland Gmbh PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) method for deposition of tungsten or layers containing tungsten by in situ formation of tungsten fluorides
US5068634A (en) 1988-01-11 1991-11-26 Electromer Corporation Overvoltage protection device and material
US4977357A (en) 1988-01-11 1990-12-11 Shrier Karen P Overvoltage protection device and material
US4935584A (en) 1988-05-24 1990-06-19 Tektronix, Inc. Method of fabricating a printed circuit board and the PCB produced
US5502889A (en) * 1988-06-10 1996-04-02 Sheldahl, Inc. Method for electrically and mechanically connecting at least two conductive layers
US4992333A (en) * 1988-11-18 1991-02-12 G&H Technology, Inc. Electrical overstress pulse protection
AU631595B2 (en) 1988-12-24 1992-12-03 Technology Applications Company Limited Improved method for making printed circuits
EP0379176B1 (en) * 1989-01-19 1995-03-15 Burndy Corporation Card edge connector
US5300208A (en) * 1989-08-14 1994-04-05 International Business Machines Corporation Fabrication of printed circuit boards using conducting polymer
US5099380A (en) * 1990-04-19 1992-03-24 Electromer Corporation Electrical connector with overvoltage protection feature
JPH045844A (ja) 1990-04-23 1992-01-09 Nippon Mektron Ltd Ｉｃ搭載用多層回路基板及びその製造法
US4996945A (en) * 1990-05-04 1991-03-05 Invisible Fence Company, Inc. Electronic animal control system with lightning arrester
JPH0636472B2 (ja) * 1990-05-28 1994-05-11 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン 多層配線基板の製造方法
US5260848A (en) 1990-07-27 1993-11-09 Electromer Corporation Foldback switching material and devices
JP3151816B2 (ja) 1990-08-06 2001-04-03 日産自動車株式会社 エッチング方法
US5252195A (en) 1990-08-20 1993-10-12 Mitsubishi Rayon Company Ltd. Process for producing a printed wiring board
US5679977A (en) 1990-09-24 1997-10-21 Tessera, Inc. Semiconductor chip assemblies, methods of making same and components for same
EP0481703B1 (en) 1990-10-15 2003-09-17 Aptix Corporation Interconnect substrate having integrated circuit for programmable interconnection and sample testing
US5142263A (en) 1991-02-13 1992-08-25 Electromer Corporation Surface mount device with overvoltage protection feature
US5183698A (en) * 1991-03-07 1993-02-02 G & H Technology, Inc. Electrical overstress pulse protection
US5557136A (en) 1991-04-26 1996-09-17 Quicklogic Corporation Programmable interconnect structures and programmable integrated circuits
US5189387A (en) * 1991-07-11 1993-02-23 Electromer Corporation Surface mount device with foldback switching overvoltage protection feature
AT398877B (de) * 1991-10-31 1995-02-27 Philips Nv Zwei- oder mehrlagige leiterplatte, verfahren zum herstellen einer solchen leiterplatte und laminat für die herstellung einer solchen leiterplatte nach einem solchen verfahren
US5248517A (en) 1991-11-15 1993-09-28 Electromer Corporation Paintable/coatable overvoltage protection material and devices made therefrom
US5367764A (en) 1991-12-31 1994-11-29 Tessera, Inc. Method of making a multi-layer circuit assembly
US5282312A (en) * 1991-12-31 1994-02-01 Tessera, Inc. Multi-layer circuit construction methods with customization features
US5294374A (en) * 1992-03-20 1994-03-15 Leviton Manufacturing Co., Inc. Electrical overstress materials and method of manufacture
EP0568313A2 (en) * 1992-05-01 1993-11-03 Nippon CMK Corp. A method of manufacturing a multilayer printed wiring board
JP2601128B2 (ja) * 1992-05-06 1997-04-16 松下電器産業株式会社 回路形成用基板の製造方法および回路形成用基板
JP2921722B2 (ja) 1992-06-10 1999-07-19 三菱マテリアル株式会社 チップ型サージアブソーバ
US5246388A (en) 1992-06-30 1993-09-21 Amp Incorporated Electrical over stress device and connector
US5278535A (en) * 1992-08-11 1994-01-11 G&H Technology, Inc. Electrical overstress pulse protection
JP3057924B2 (ja) 1992-09-22 2000-07-04 松下電器産業株式会社 両面プリント基板およびその製造方法
US5393597A (en) * 1992-09-23 1995-02-28 The Whitaker Corporation Overvoltage protection element
US5262754A (en) 1992-09-23 1993-11-16 Electromer Corporation Overvoltage protection element
EP0589560B1 (en) * 1992-09-23 1997-10-22 The Whitaker Corporation Electrical overstress protection apparatus
JP2773578B2 (ja) * 1992-10-02 1998-07-09 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
CA2082771C (en) 1992-11-12 1998-02-10 Vu Quoc Ho Method for forming interconnect structures for integrated circuits
US5418689A (en) 1993-02-01 1995-05-23 International Business Machines Corporation Printed circuit board or card for direct chip attachment and fabrication thereof
US5340641A (en) 1993-02-01 1994-08-23 Antai Xu Electrical overstress pulse protection
US5347258A (en) 1993-04-07 1994-09-13 Zycon Corporation Annular resistor coupled with printed circuit board through-hole
JP3256603B2 (ja) 1993-07-05 2002-02-12 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
US5413694A (en) 1993-07-30 1995-05-09 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method for improving electromagnetic shielding performance of composite materials by electroplating
IL106738A (en) 1993-08-19 1998-02-08 Mind E M S G Ltd Device for external correction of deficient valves in venous junctions
US5736681A (en) * 1993-09-03 1998-04-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Printed wiring board having an interconnection penetrating an insulating layer
US5444593A (en) 1993-09-30 1995-08-22 Allina; Edward F. Thick-film varistors for TVSS
JP3361903B2 (ja) * 1994-01-06 2003-01-07 凸版印刷株式会社 プリント配線板の製造方法
US5808351A (en) 1994-02-08 1998-09-15 Prolinx Labs Corporation Programmable/reprogramable structure using fuses and antifuses
US5834824A (en) 1994-02-08 1998-11-10 Prolinx Labs Corporation Use of conductive particles in a nonconductive body as an integrated circuit antifuse
US5552757A (en) * 1994-05-27 1996-09-03 Littelfuse, Inc. Surface-mounted fuse device
US6191928B1 (en) * 1994-05-27 2001-02-20 Littelfuse, Inc. Surface-mountable device for protection against electrostatic damage to electronic components
US5510629A (en) * 1994-05-27 1996-04-23 Crosspoint Solutions, Inc. Multilayer antifuse with intermediate spacer layer
EP0771465B1 (en) 1994-07-14 2002-11-13 Surgx Corporation Method of making single and multi-layer variable voltage protection devices
US5493146A (en) * 1994-07-14 1996-02-20 Vlsi Technology, Inc. Anti-fuse structure for reducing contamination of the anti-fuse material
BR9508404A (pt) 1994-07-14 1997-11-25 Surgx Corp Componente de proteção de voltagem variável e processo de produção do mesmo
US5802714A (en) 1994-07-19 1998-09-08 Hitachi, Ltd. Method of finishing a printed wiring board with a soft etching solution and a preserving treatment or a solder-leveling treatment
US5487218A (en) * 1994-11-21 1996-01-30 International Business Machines Corporation Method for making printed circuit boards with selectivity filled plated through holes
US5962815A (en) 1995-01-18 1999-10-05 Prolinx Labs Corporation Antifuse interconnect between two conducting layers of a printed circuit board
US5714794A (en) * 1995-04-18 1998-02-03 Hitachi Chemical Company, Ltd. Electrostatic protective device
US5906042A (en) 1995-10-04 1999-05-25 Prolinx Labs Corporation Method and structure to interconnect traces of two conductive layers in a printed circuit board
JPH09111135A (ja) * 1995-10-23 1997-04-28 Mitsubishi Materials Corp 導電性ポリマー組成物
US5834160A (en) 1996-01-16 1998-11-10 Lucent Technologies Inc. Method and apparatus for forming fine patterns on printed circuit board
US5940683A (en) 1996-01-18 1999-08-17 Motorola, Inc. LED display packaging with substrate removal and method of fabrication
ATE309610T1 (de) 1996-01-22 2005-11-15 Surgx Corp Überspannungsschutzanordnung und herstellungsverfahren
US6172590B1 (en) * 1996-01-22 2001-01-09 Surgx Corporation Over-voltage protection device and method for making same
US5869869A (en) 1996-01-31 1999-02-09 Lsi Logic Corporation Microelectronic device with thin film electrostatic discharge protection structure
US5933307A (en) 1996-02-16 1999-08-03 Thomson Consumer Electronics, Inc. Printed circuit board sparkgap
US6455916B1 (en) 1996-04-08 2002-09-24 Micron Technology, Inc. Integrated circuit devices containing isolated dielectric material
US5744759A (en) * 1996-05-29 1998-04-28 International Business Machines Corporation Circuit boards that can accept a pluggable tab module that can be attached or removed without solder
US5874902A (en) * 1996-07-29 1999-02-23 International Business Machines Corporation Radio frequency identification transponder with electronic circuit enabling/disabling capability
US5956612A (en) 1996-08-09 1999-09-21 Micron Technology, Inc. Trench/hole fill processes for semiconductor fabrication
US6933331B2 (en) 1998-05-22 2005-08-23 Nanoproducts Corporation Nanotechnology for drug delivery, contrast agents and biomedical implants
US5977489A (en) 1996-10-28 1999-11-02 Thomas & Betts International, Inc. Conductive elastomer for grafting to a metal substrate
US5856910A (en) * 1996-10-30 1999-01-05 Intel Corporation Processor card assembly having a cover with flexible locking latches
US5946555A (en) 1996-11-04 1999-08-31 Packard Hughes Interconnect Company Wafer level decal for minimal packaging of chips
US6013358A (en) 1997-11-18 2000-01-11 Cooper Industries, Inc. Transient voltage protection device with ceramic substrate
ATE355645T1 (de) 1996-11-19 2006-03-15 Surgx Corp Schutzvorrichtung gegen transiente spannungen und verfahren zu deren herstellung
US5834893A (en) 1996-12-23 1998-11-10 The Trustees Of Princeton University High efficiency organic light emitting devices with light directing structures
US20020061363A1 (en) 2000-09-27 2002-05-23 Halas Nancy J. Method of making nanoshells
US5972192A (en) 1997-07-23 1999-10-26 Advanced Micro Devices, Inc. Pulse electroplating copper or copper alloys
JP3257521B2 (ja) 1997-10-07 2002-02-18 ソニーケミカル株式会社 Ｐｔｃ素子、保護装置および回路基板
US6251513B1 (en) 1997-11-08 2001-06-26 Littlefuse, Inc. Polymer composites for overvoltage protection
US7253109B2 (en) 1997-11-26 2007-08-07 Applied Materials, Inc. Method of depositing a tantalum nitride/tantalum diffusion barrier layer system
US6468593B1 (en) 1997-11-27 2002-10-22 Kanto Kasei Co., Ltd. Plated non-conductive products and plating method for the same
TW511103B (en) 1998-01-16 2002-11-21 Littelfuse Inc Polymer composite materials for electrostatic discharge protection
US6130459A (en) 1998-03-10 2000-10-10 Oryx Technology Corporation Over-voltage protection device for integrated circuits
US6064094A (en) 1998-03-10 2000-05-16 Oryx Technology Corporation Over-voltage protection system for integrated circuits using the bonding pads and passivation layer
GB9806066D0 (en) * 1998-03-20 1998-05-20 Cambridge Display Tech Ltd Multilayer photovoltaic or photoconductive devices
JP2000059986A (ja) * 1998-04-08 2000-02-25 Canon Inc 太陽電池モジュ―ルの故障検出方法および装置ならびに太陽電池モジュ―ル
JP2942829B1 (ja) 1998-08-17 1999-08-30 熊本大学長 光無電解酸化法による金属酸化膜の形成方法
US6549114B2 (en) * 1998-08-20 2003-04-15 Littelfuse, Inc. Protection of electrical devices with voltage variable materials
US6162159A (en) 1998-08-24 2000-12-19 Martini; Calvin Duke Ticket dispenser
US6108184A (en) 1998-11-13 2000-08-22 Littlefuse, Inc. Surface mountable electrical device comprising a voltage variable material
US6713955B1 (en) 1998-11-20 2004-03-30 Agilent Technologies, Inc. Organic light emitting device having a current self-limiting structure
US6351011B1 (en) * 1998-12-08 2002-02-26 Littlefuse, Inc. Protection of an integrated circuit with voltage variable materials
US6211554B1 (en) * 1998-12-08 2001-04-03 Littelfuse, Inc. Protection of an integrated circuit with voltage variable materials
US6198392B1 (en) * 1999-02-10 2001-03-06 Micron Technology, Inc. Communications system and method with A/D converter
US6534422B1 (en) * 1999-06-10 2003-03-18 National Semiconductor Corporation Integrated ESD protection method and system
US20100044079A1 (en) * 1999-08-27 2010-02-25 Lex Kosowsky Metal Deposition
US7825491B2 (en) * 2005-11-22 2010-11-02 Shocking Technologies, Inc. Light-emitting device using voltage switchable dielectric material
US20100044080A1 (en) * 1999-08-27 2010-02-25 Lex Kosowsky Metal Deposition
US20100038121A1 (en) * 1999-08-27 2010-02-18 Lex Kosowsky Metal Deposition
US20100040896A1 (en) * 1999-08-27 2010-02-18 Lex Kosowsky Metal Deposition
US20120195018A1 (en) 2005-11-22 2012-08-02 Lex Kosowsky Wireless communication device using voltage switchable dielectric material
AU6531600A (en) * 1999-08-27 2001-03-26 Lex Kosowsky Current carrying structure using voltage switchable dielectric material
US20100038119A1 (en) * 1999-08-27 2010-02-18 Lex Kosowsky Metal Deposition
US7446030B2 (en) * 1999-08-27 2008-11-04 Shocking Technologies, Inc. Methods for fabricating current-carrying structures using voltage switchable dielectric materials
WO2001018864A1 (fr) * 1999-09-03 2001-03-15 Seiko Epson Corporation Dispositif a semi-conducteurs, son procede de fabrication, carte de circuit et dispositif electronique
US6448900B1 (en) 1999-10-14 2002-09-10 Jong Chen Easy-to-assembly LED display for any graphics and text
US6316734B1 (en) 2000-03-07 2001-11-13 3M Innovative Properties Company Flexible circuits with static discharge protection and process for manufacture
US6509581B1 (en) 2000-03-29 2003-01-21 Delta Optoelectronics, Inc. Structure and fabrication process for an improved polymer light emitting diode
US6407411B1 (en) 2000-04-13 2002-06-18 General Electric Company Led lead frame assembly
US6373719B1 (en) 2000-04-13 2002-04-16 Surgx Corporation Over-voltage protection for electronic circuits
JP4066620B2 (ja) 2000-07-21 2008-03-26 日亜化学工業株式会社 発光素子、および発光素子を配置した表示装置ならびに表示装置の製造方法
US6628498B2 (en) 2000-08-28 2003-09-30 Steven J. Whitney Integrated electrostatic discharge and overcurrent device
US7327582B2 (en) 2000-09-21 2008-02-05 Ultrasource, Inc. Integrated thin film capacitor/inductor/interconnect system and method
JP4708577B2 (ja) * 2001-01-31 2011-06-22 キヤノン株式会社 薄膜半導体装置の製造方法
US6903175B2 (en) 2001-03-26 2005-06-07 Shipley Company, L.L.C. Polymer synthesis and films therefrom
TW554388B (en) * 2001-03-30 2003-09-21 Univ California Methods of fabricating nanostructures and nanowires and devices fabricated therefrom
US6690251B2 (en) 2001-04-11 2004-02-10 Kyocera Wireless Corporation Tunable ferro-electric filter
TW492202B (en) 2001-06-05 2002-06-21 South Epitaxy Corp Structure of III-V light emitting diode (LED) arranged in flip chip configuration having structure for preventing electrostatic discharge
SE523309E (sv) 2001-06-15 2009-10-26 Replisaurus Technologies Ab Metod, elektrod och apparat för att skapa mikro- och nanostrukturer i ledande material genom mönstring med masterelektrod och elektrolyt
ATE499691T1 (de) * 2001-07-02 2011-03-15 Abb Schweiz Ag Polymercompound mit nichtlinearer strom-spannungs-kennlinie und verfahren zur herstellung eines polymercompounds
US7034652B2 (en) * 2001-07-10 2006-04-25 Littlefuse, Inc. Electrostatic discharge multifunction resistor
US20030066998A1 (en) 2001-08-02 2003-04-10 Lee Howard Wing Hoon Quantum dots of Group IV semiconductor materials
US6525953B1 (en) * 2001-08-13 2003-02-25 Matrix Semiconductor, Inc. Vertically-stacked, field-programmable, nonvolatile memory and method of fabrication
US7258819B2 (en) 2001-10-11 2007-08-21 Littelfuse, Inc. Voltage variable substrate material
DE10153563A1 (de) 2001-10-30 2003-05-15 Infineon Technologies Ag Verringerung des Kontaktwiderstandes in organischen Feldeffekttransistoren durch Einbettung von Nanopartikeln zur Erzeugung von Feldüberhöhungen
US6936968B2 (en) * 2001-11-30 2005-08-30 Mule Lighting, Inc. Retrofit light emitting diode tube
GB0200259D0 (en) 2002-01-07 2002-02-20 Univ Reading The Encapsulated radioactive nuclide microparticles and methods for their production
US20070208243A1 (en) 2002-01-16 2007-09-06 Nanomix, Inc. Nanoelectronic glucose sensors
US20030143492A1 (en) * 2002-01-31 2003-07-31 Scitex Digital Printing, Inc. Mandrel with controlled release layer for multi-layer electroformed ink jet orifice plates
TWI229115B (en) 2002-02-11 2005-03-11 Sipix Imaging Inc Core-shell particles for electrophoretic display
JP4078859B2 (ja) * 2002-03-19 2008-04-23 株式会社デンソー 電子部品
US7132922B2 (en) 2002-04-08 2006-11-07 Littelfuse, Inc. Direct application voltage variable material, components thereof and devices employing same
US7183891B2 (en) 2002-04-08 2007-02-27 Littelfuse, Inc. Direct application voltage variable material, devices employing same and methods of manufacturing such devices
WO2003088356A1 (en) * 2002-04-08 2003-10-23 Littelfuse, Inc. Voltage variable material for direct application and devices employing same
TWI299559B (en) * 2002-06-19 2008-08-01 Inpaq Technology Co Ltd Ic substrate with over voltage protection function and method for manufacturing the same
KR100497121B1 (ko) 2002-07-18 2005-06-28 삼성전기주식회사 반도체 led 소자
FR2843756B1 (fr) 2002-08-26 2005-04-22 Commissariat Energie Atomique Procede de soudage d'une surface polymere avec une surface conductrice ou semi-conductrice et ses applications
EP2399970A3 (en) 2002-09-05 2012-04-18 Nanosys, Inc. Nanocomposites
JP3625467B2 (ja) * 2002-09-26 2005-03-02 キヤノン株式会社 カーボンファイバーを用いた電子放出素子、電子源および画像形成装置の製造方法
US6709944B1 (en) * 2002-09-30 2004-03-23 General Electric Company Techniques for fabricating a resistor on a flexible base material
WO2004059663A1 (en) 2002-12-26 2004-07-15 Showa Denko K. K. Carbonaceous material for forming electrically conductive material and use thereof
US7132697B2 (en) 2003-02-06 2006-11-07 Weimer Alan W Nanomaterials for quantum tunneling varistors
US6981319B2 (en) * 2003-02-13 2006-01-03 Shrier Karen P Method of manufacturing devices to protect election components
US20040211942A1 (en) 2003-04-28 2004-10-28 Clark Darren Cameron Electrically conductive compositions and method of manufacture thereof
KR100776912B1 (ko) 2003-06-25 2007-11-15 주식회사 엘지화학 리튬 이차 전지용 고용량 부극재
US7354988B2 (en) 2003-08-12 2008-04-08 General Electric Company Electrically conductive compositions and method of manufacture thereof
DE102004049053A1 (de) 2003-10-11 2005-05-04 Conti Temic Microelectronic Leitungsträger mit einer Funkenstrecke zum Überspannungsschutz zwischen zwei elektrischen leitfähigen Gebieten auf einem Leitungsträger
US7692270B2 (en) 2003-10-20 2010-04-06 University Of Dayton Ferroelectric varactors suitable for capacitive shunt switching
US7141184B2 (en) 2003-12-08 2006-11-28 Cts Corporation Polymer conductive composition containing zirconia for films and coatings with high wear resistance
US7557154B2 (en) 2004-12-23 2009-07-07 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Polymer compositions, method of manufacture, and articles formed therefrom
US7205613B2 (en) * 2004-01-07 2007-04-17 Silicon Pipe Insulating substrate for IC packages having integral ESD protection
US7279724B2 (en) 2004-02-25 2007-10-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Ceramic substrate for a light emitting diode where the substrate incorporates ESD protection
EP1585146B1 (en) 2004-04-06 2008-08-06 Abb Research Ltd. Nonlinear electrical material for high and medium voltage applications
KR100628943B1 (ko) 2004-04-16 2006-09-27 학교법인 포항공과대학교 중심-껍질 구조의 나노입자, 및 이의 제조방법
US7064353B2 (en) 2004-05-26 2006-06-20 Philips Lumileds Lighting Company, Llc LED chip with integrated fast switching diode for ESD protection
US20050274455A1 (en) 2004-06-09 2005-12-15 Extrand Charles W Electro-active adhesive systems
US7002217B2 (en) 2004-06-12 2006-02-21 Solectron Corporation Electrostatic discharge mitigation structure and methods thereof using a dissipative capacitor with voltage dependent resistive material
WO2007005038A1 (en) * 2004-08-31 2007-01-11 University Of Florida Research Foundation, Inc. Photocatalytic nanocomposites and applications thereof
KR100576872B1 (ko) * 2004-09-17 2006-05-10 삼성전기주식회사 정전기 방전 방지기능을 갖는 질화물 반도체 발광소자
US7218492B2 (en) 2004-09-17 2007-05-15 Electronic Polymers, Inc. Devices and systems for electrostatic discharge suppression
US7345307B2 (en) 2004-10-12 2008-03-18 Nanosys, Inc. Fully integrated organic layered processes for making plastic electronics based on conductive polymers and semiconductor nanowires
EP1807919A4 (en) 2004-11-02 2011-05-04 Nantero Inc DEVICES FOR PROTECTING ELECTROSTATIC DISCHARGES OF NANOTUBES AND NON-VOLATILE AND VOLATILE SWITCHES OF CORRESPONDING NANOTUBES
KR20070085565A (ko) 2004-11-30 2007-08-27 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 열적 프로그래밍가능 디바이스, 어드레싱가능 셀 어레이,메모리, 집적 회로 및 디바이스 제조 방법
US20060152334A1 (en) 2005-01-10 2006-07-13 Nathaniel Maercklein Electrostatic discharge protection for embedded components
US7368045B2 (en) 2005-01-27 2008-05-06 International Business Machines Corporation Gate stack engineering by electrochemical processing utilizing through-gate-dielectric current flow
US7579397B2 (en) 2005-01-27 2009-08-25 Rensselaer Polytechnic Institute Nanostructured dielectric composite materials
WO2007050114A2 (en) 2005-02-16 2007-05-03 Sanmina-Sci Corporation A substantially continuous layer of embedded transient protection for printed circuit boards
TWI389205B (zh) 2005-03-04 2013-03-11 Sanmina Sci Corp 使用抗鍍層分隔介層結構
KR100775100B1 (ko) 2005-03-16 2007-11-08 주식회사 엘지화학 절연막 형성용 조성물, 이로부터 제조되는 절연막, 및 이를포함하는 전기 또는 전자 소자
US7535462B2 (en) 2005-06-02 2009-05-19 Eastman Kodak Company Touchscreen with one carbon nanotube conductive layer
KR100668977B1 (ko) 2005-06-27 2007-01-16 삼성전자주식회사 써지전압 보호용 소자
US7923844B2 (en) * 2005-11-22 2011-04-12 Shocking Technologies, Inc. Semiconductor devices including voltage switchable materials for over-voltage protection
US20070116976A1 (en) 2005-11-23 2007-05-24 Qi Tan Nanoparticle enhanced thermoplastic dielectrics, methods of manufacture thereof, and articles comprising the same
US7435780B2 (en) 2005-11-29 2008-10-14 Sabic Innovavtive Plastics Ip B.V. Poly(arylene ether) compositions and methods of making the same
US7492504B2 (en) * 2006-05-19 2009-02-17 Xerox Corporation Electrophoretic display medium and device
EP2418657A3 (en) 2006-07-29 2013-05-01 Shocking Technologies, Inc. Voltage Switchable dielectric material having high aspect ratio particles
US20080047930A1 (en) * 2006-08-23 2008-02-28 Graciela Beatriz Blanchet Method to form a pattern of functional material on a substrate
WO2008036984A2 (en) * 2006-09-24 2008-03-27 Shocking Technologies Inc Technique for plating substrate devices using voltage switchable dielectric material and light assistance
WO2008036423A2 (en) * 2006-09-24 2008-03-27 Shocking Technologies, Inc. Formulations for voltage switchable dielectric material having a stepped voltage response and methods for making the same
DE102006047377A1 (de) 2006-10-06 2008-04-10 Robert Bosch Gmbh Elektrostatischer Entladungsschutz
KR100849791B1 (ko) * 2007-03-12 2008-07-31 삼성전기주식회사 캐패시터 내장형 인쇄회로기판
EP1990834B1 (en) 2007-05-10 2012-08-15 Texas Instruments France Local integration of non-linear sheet in integrated circuit packages for ESD/EOS protection
US7793236B2 (en) * 2007-06-13 2010-09-07 Shocking Technologies, Inc. System and method for including protective voltage switchable dielectric material in the design or simulation of substrate devices
US7708912B2 (en) 2008-06-16 2010-05-04 Polytronics Technology Corporation Variable impedance composition
DE102008024480A1 (de) * 2008-05-21 2009-12-03 Epcos Ag Elektrische Bauelementanordnung
US8363365B2 (en) 2008-06-17 2013-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US20100047535A1 (en) 2008-08-22 2010-02-25 Lex Kosowsky Core layer structure having voltage switchable dielectric material
US8399773B2 (en) 2009-01-27 2013-03-19 Shocking Technologies, Inc. Substrates having voltage switchable dielectric materials
KR101679099B1 (ko) 2009-03-26 2016-11-23 쇼킹 테크놀로지스 인코포레이티드 전압 스위칭형 유전 물질을 갖는 소자
US9224728B2 (en) * 2010-02-26 2015-12-29 Littelfuse, Inc. Embedded protection against spurious electrical events
US9082622B2 (en) 2010-02-26 2015-07-14 Littelfuse, Inc. Circuit elements comprising ferroic materials

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018004242A1 (ko) * 2016-06-29 2018-01-04 주식회사 아모텍 전기적 과부하 보호소자

Also Published As

Publication number Publication date
TW201218871A (en) 2012-05-01
JP2013521633A (ja) 2013-06-10
WO2011106751A8 (en) 2012-08-16
EP2540147A1 (en) 2013-01-02
CN102860141A (zh) 2013-01-02
US20110211319A1 (en) 2011-09-01
US9320135B2 (en) 2016-04-19
WO2011106751A1 (en) 2011-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20120135414A (ko) 표면실장형 및 내장형 부품의 방전 보호
US8045312B2 (en) Devices and system for electrostatic discharge suppression
US6570765B2 (en) Over-voltage protection for electronic circuits
US20060152334A1 (en) Electrostatic discharge protection for embedded components
US9224728B2 (en) Embedded protection against spurious electrical events
US7593203B2 (en) Selective deposition of embedded transient protection for printed circuit boards
US6628498B2 (en) Integrated electrostatic discharge and overcurrent device
KR101679099B1 (ko) 전압 스위칭형 유전 물질을 갖는 소자
US7180719B2 (en) Integrated overvoltage and overcurrent device
US9082622B2 (en) Circuit elements comprising ferroic materials
US10192682B1 (en) Composite electronic component and board having the same
EP2564482B1 (en) Embedded protection against spurious electrical events
WO2011149989A1 (en) Circuit elements comprising ferroic materials
KR20170141039A (ko) 기판 및 그 제조방법
CN202068672U (zh) 一种具有抗瞬间电气过载能力的印刷电路板
KR101872596B1 (ko) 복합 전자부품
CN108631286B (zh) 电子装置及其过压保护结构

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid