KR20120111717A - 입자포착 유닛, 해당 입자포착 유닛의 제조 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 배기 효율의 저하를 방지할 수 있는 입자포착 유닛을 제공한다. 파티클 P가 부유하는 공간에 노출되는 파티클 트랩 유닛(40)을 구성하는 제 1 트랩 유닛(40a)은 복수의 제 1 스테인리스강(44a)으로 이루어지는 제 1 그물형상 층(44)과, 복수의 제 2 스테인리스강(45a)으로 이루어지는 제 2 그물형상 층(45)을 구비하고, 제 1 스테인리스강(44a)의 굵기는 제 2 스테인리스강(45a)의 굵기보다 작고, 제 1 그물형상 층(44)에 있어서의 제 1 스테인리스강(44a)의 배치 밀도는 제 2 그물형상 층(45)에 있어서의 제 2 스테인리스강(45a)의 배치 밀도보다도 높고, 제 2 그물형상 층(45)은 제 1 그물형상 층(44) 및 파티클 P가 부유하는 공간의 사이에 개재하고, 제 1 그물형상 층(44) 및 제 2 그물형상 층(45)은 소결에 의해 경화되어 서로 접합하고 있다.
Description
본 발명은 기판 처리 장치 내를 이동하는 불필요한 입자를 포착하는 입자포착 유닛, 해당 입자포착 유닛의 제조 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다．
일반적으로, 반도체 디바이스용의 웨이퍼나, 액정 등의 FPD 패널, 태양 전지 등을 제조하기 위한 유리 기판 등의 기판에 소정의 처리를 실시하는 기판 처리 장치는 기판을 수용해서 소정의 처리를 실시하는 처리실(이하, “챔버”라 함)을 구비한다. 이 챔버 내에는 챔버 내벽의 데포나 소정의 처리에 의해서 발생한 반응 생성물에 기인하는 파티클이 부유하고 있다. 이들 파티클이 웨이퍼 표면에 부착되면, 해당 웨이퍼로부터 제조되는 제품, 예를 들면, 반도체 디바이스에 있어서 배선 단락이 발생하고, 반도체 디바이스의 양품률이 저하한다. 따라서, 챔버 내의 파티클을, 기판 처리 장치의 배기계에 의한 챔버 내의 가스의 배기와 함께 챔버 내로부터 제거하는 것이 실행되고 있다.
기판 처리 장치의 배기계는 챔버와 배기 플레이트를 거쳐서 연통하는 배기실(매니폴드)과, 고진공을 실현 가능한 배기 펌프인 터보 분자 펌프(Turbo Molecular Pump)(이하, "TMP" 라 함)와, 해당 TMP 및 매니폴드를 연통하는 연통관을 갖는다. TMP는 배기류를 따라 배치된 회전축과, 해당 회전축으로부터 직각으로 돌출된 복수의 블레이드 형상의 회전날개를 갖고, 회전날개가 회전축을 중심으로 고속 회전하는 것에 의해, 흡기한 가스를 고속으로 배기한다. 배기계는 TMP를 작동시키는 것에 의해서 챔버 내의 파티클을 챔버 내의 가스와 함께 배출한다.
그런데, TMP의 회전날개에 부착된 데포가 박리하거나, TMP가 흡기한 가스에 포함되는 파티클이나 연통관을 거쳐서 TMP에 유입된 매니폴드내의 잔사물이 TMP의 회전날개와 충돌해서 튕겨나가는 경우가 있다. 회전날개로부터 박리된 데포나 회전날개와 충돌해서 튕겨나온 파티클은 모두 고속 회전하는 회전날개에 의해서 큰 운동 에너지를 부여받기 때문에, 연통관 내를 역류해서 챔버 내에 진입한다.
상술한 파티클의 역류에 대응해서 본 발명자들은 TMP로부터 튕겨나온 파티클을 해당 TMP를 향해 반사하는 반사 장치나 해당 파티클을 포착하는 포착 기구를 개발하였다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 해당 특허문헌 1에 개시된 반사 장치나 포착 기구는 튕겨나온 파티클의 대부분을 재차 TMP를 향해 반사하거나, 혹은 포착할 수 있다.
일본 특허공개공보 제2007-180467호
그러나, 상술한 특허문헌 1의 반사 장치는 배기관 내를 차단하도록 배치되기 때문에, 배기 유로의 콘덕턴스(conductance)를 저하시켜 배기 효율을 저하시킨다. 또한, 특허문헌 1의 포착 기구는 배기관의 내면을 따라 배치되지만, 해당 포착 기구에 진입한 파티클을 포착하기 위해서는 진입한 파티클이 포착 기구의 구성재와 충돌을 반복해서 운동 에너지를 상실하기 때문에 필요한 소정의 두께가 필요하고, 이에 따라 포착 기구가 배기관 내로 돌출되기 때문에, 배기 유로의 콘덕턴스를 저하시켜서 배기 효율을 저하시킨다. 배기 효율이 저하하면 챔버의 진공배기에 시간을 요하고, 기판 처리 장치의 가동율이 저하하는 등의 문제가 발생한다.
또한, 포착 기구의 구성재로서 섬유로 이루어지는 솜형상체를 사용하는 것이 상기 특허문헌 1에 있어서 개시되어 있지만, 솜형상체로부터는 섬유가 결락하기 쉽고, 해당 결락된 섬유의 일부가 TMP에 낙하한 경우, 해당 TMP의 회전날개 등을 손상시킬 우려가 있다고 하는 문제도 발생한다.
본 발명의 목적은 배기 효율의 저하를 방지하는 동시에, 배기 펌프의 회전날개 등이 손상되는 것을 방지할 수 있는 입자포착 유닛, 해당 입자포착 유닛의 제조 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제 1 형태에 따른 입자포착 유닛은 입자가 부유하는 공간에 노출되어 마련되고, 복수의 제 1 섬유형상물로 이루어지는 제 1 층과, 복수의 제 2 섬유형상물로 이루어지는 제 2 층을 적어도 구비하고, 상기 제 1 섬유형상물의 굵기는 상기 제 2 섬유형상물의 굵기보다 작고, 상기 제 1 층에 있어서의 상기 제 1 섬유형상물의 배치 밀도는 상기 제 2 층에 있어서의 제 2 섬유형상물의 배치 밀도보다 높고, 상기 제 2 층은 상기 제 1 층 및 상기 입자가 부유하는 공간의 사이에 개재하고, 상기 제 1 층 및 상기 제 2 층은 소결에 의해서 경화되어 서로 접합하고 있는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 섬유형상물의 굵기는 직경 0.2㎛ 내지 3㎛이고, 상기 제 2 섬유형상물의 굵기는 직경 3㎛ 내지 30㎛인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 입자포착 유닛은 상기 제 2 섬유형상물의 굵기보다 큰 굵기의 제 3 섬유형상물로 이루어지는 제 3 층을 더 구비하고, 해당 제 3 층은 상기 제 1 층을 거쳐서 상기 제 2 층과 대향하도록 배치되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제 3 섬유형상물의 굵기는 직경 30㎛ 내지 400㎛인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제 1 섬유형상물 및 상기 제 2 섬유형상물은 스테인리스강으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 2 형태에 따른 입자포착 유닛의 제조 방법은 입자가 부유하는 공간에 노출되는 입자포착 유닛의 제조 방법으로서, 복수의 제 1 섬유형상물로 이루어지는 제 1 층 및 복수의 제 2 섬유형상물로 이루어지는 제 2 층을 형성하는 층 형성 스텝과, 상기 제 1 층 및 상기 제 2 층을 중첩하고, 해당 중첩된 제 1 층 및 제 2 층을, 상기 제 2 층이 상기 제 1 층 및 상기 입자가 부유하는 공간의 사이에 개재되도록, 원하는 형상으로 성형하는 성형 스텝과, 상기 제 1 층 및 상기 제 2 층을 소결에 의해서 경화되어 서로 접합시키는 소결 스텝을 갖고, 상기 제 1 섬유형상물의 굵기는 상기 제 2 섬유형상물의 굵기보다 작고, 상기 제 1 층에 있어서의 상기 제 1 섬유형상물의 배치 밀도는 상기 제 2 층에 있어서의 제 2 섬유형상물의 배치 밀도보다 높은 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 3 형태에 따른 기판 처리 장치는 기판에 소정의 처리를 실시하는 처리실과, 고속 회전하는 회전날개를 갖고 처리실내의 가스를 배기하는 배기 펌프와, 상기 처리실 및 상기 배기 펌프를 연통시키는 배기계를 구비하는 장치로서, 배기계내의 공간에 노출되는 입자포착 유닛을 더 구비하고, 상기 입자포착 유닛은 복수의 제 1 섬유형상물로 이루어지는 제 1 층과, 복수의 제 2 섬유형상물로 이루어지는 제 2 층을 적어도 갖고, 상기 제 1 섬유형상물의 굵기는 상기 제 2 섬유형상물의 굵기보다 작고, 상기 제 1 층에 있어서의 상기 제 1 섬유형상물의 배치 밀도는 상기 제 2 층에 있어서의 제 2 섬유형상물의 배치 밀도보다 높고, 상기 제 2 층은 상기 제 1 층 및 상기 배기계 내의 공간의 사이에 개재하고, 상기 제 1 층 및 상기 제 2 층은 소결에 의해서 경화되어 서로 접합하고 있는 것을 특징으로 한다.
상기 배기계는 배기관을 갖고, 상기 입자포착 유닛은 상기 배기관의 내주면을 따라 배치되는 원통 부분과, 상기 배기 펌프보다 배기에 있어 상류에 배치되고, 또한 상기 배기 펌프에 있어서의 상기 회전날개의 회전축의 연장선상에 있어서 상기 회전축을 덮도록 배치되는 판형상 부분을 갖는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 입자포착 유닛은 상기 원통 부분에서 상기 배기관의 내측을 향해 돌출된 복수의 돌출 부분을 더 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 복수의 제 1 섬유형상물로 이루어지는 제 1 층과, 복수의 제 2 섬유형상물로 이루어지는 제 2 층을 적어도 구비하고, 제 1 층을 구성하는 제 1 섬유형상물의 굵기는 제 2 층을 구성하는 제 2 섬유형상물의 굵기보다도 작고, 제 1 층에 있어서의 제 1 섬유형상물의 배치 밀도는 제 2 층에 있어서의 제 2 섬유형상물의 배치 밀도보다도 높으므로, 제 1 층은 입자포착 유닛에 진입해서 제 2 층을 통과한 입자를 포착한다. 또한, 제 2 층은 제 1 층 및 입자가 비유하는 공간의 사이에 개재하므로, 제 1 층에서 반사한 입자는 제 2 층에 있어서의 제 2 섬유형상물과 충돌해서 운동에너지를 잃은 후에 제 1 층으로 다시 튕겨나가고, 입자가 입자포착 유닛으로부터 공간으로 튕겨 나가는 일이 없다. 그 결과, 입자포착 유닛의 두께를 크게 하는 일 없이, 입자포착 유닛에 진입한 입자를 확실하게 포착할 수 있다.
또한, 제 1 층 및 제 2 층은 소결에 의해서 경화되어 서로 접합하고 있으므로, 입자포착 유닛은 높은 강성을 갖는다. 따라서, 입자포착 유닛을 지지하는 프레임체를 마련할 필요가 없으므로, 입자포착 유닛이 공간으로 돌출되는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 입자포착 유닛은 배기 효율의 저하를 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 제 1 층 및 제 2 층은 소결에 의해서 경화되어 서로 접합하고 있으므로, 제 1 층을 구성하는 제 1 섬유형상물의 일부나 제 2 층을 구성하는 제 2 섬유형상물의 일부가 결락하는 일이 없다. 그 결과, 결락한 섬유형상물의 일부가 배기 펌프의 회전날개와 충돌해서 튕겨 나가는 일이 없으므로, 이물의 처리실내에의 진입을 확실하게 방지할 수 있는 동시에, 배기 펌프의 회전날개 등이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 관한 입자포착 유닛이 적용되는 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치에 있어서의 APC 밸브 및 TMP 근방의 확대 단면도이다.
도 3은 본 실시형태에 관한 입자포착 유닛으로서의 파티클 트랩 유닛의 구성을 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 4는 도 3에 있어서의 제 1 트랩 유닛 및 제 2 트랩 유닛을 구성하는 그물형상 부재의 구조를 개략적으로 나타내는 확대 단면도이다.
도 5는 본 실시형태에 관한 입자포착 유닛으로서의 파티클 트랩 유닛에 있어서의 제 1 트랩 유닛의 제조 방법의 공정도이다.
도 6은 본 실시형태에 관한 입자포착 유닛으로서의 파티클 트랩 유닛의 변형예의 구성을 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 7은 그물형상 부재의 변형예의 구조를 개략적으로 나타내는 확대 단면도이다.
도 8은 파티클 트랩 유닛이 적용되는 장치의 변형예를 개략적으로 나타내는 부분 단면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치에 있어서의 APC 밸브 및 TMP 근방의 확대 단면도이다.
도 3은 본 실시형태에 관한 입자포착 유닛으로서의 파티클 트랩 유닛의 구성을 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 4는 도 3에 있어서의 제 1 트랩 유닛 및 제 2 트랩 유닛을 구성하는 그물형상 부재의 구조를 개략적으로 나타내는 확대 단면도이다.
도 5는 본 실시형태에 관한 입자포착 유닛으로서의 파티클 트랩 유닛에 있어서의 제 1 트랩 유닛의 제조 방법의 공정도이다.
도 6은 본 실시형태에 관한 입자포착 유닛으로서의 파티클 트랩 유닛의 변형예의 구성을 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 7은 그물형상 부재의 변형예의 구조를 개략적으로 나타내는 확대 단면도이다.
도 8은 파티클 트랩 유닛이 적용되는 장치의 변형예를 개략적으로 나타내는 부분 단면도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태에 대해 상세하게 설명한다.
도 1은 본 실시형태에 관한 입자포착 유닛이 적용되는 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 1에 있어서, 반도체 웨이퍼(이하, "웨이퍼"로 칭함) W에 반응성 이온 에칭(Reactive Ion Etching)(이하, "RIE"라 함) 처리를 실시하는 에칭 처리 장치로서 구성되는 기판 처리 장치(10)는 금속, 예를 들면, 알루미늄 또는 스테인리스강으로 이루어지는, 2개의 크고 작은 원통이 중첩된 형상을 띠는 챔버(11)(처리실)를 구비한다.
해당 챔버(11)내에는 웨이퍼 W를 탑재하고, 또한 해당 탑재된 웨이퍼 W와 함께 챔버(11)내를 상승/하강하는 웨이퍼 스테이지로서의 하부 전극(12)과, 상승/하강하는 하부 전극(12)의 측부를 덮는 원통형상의 커버(13)가 배치된다.
하부 전극(12)의 측부에는 하부 전극(12) 위쪽의 공간인 처리공간 S로부터 배기실(이하,"매니폴드"라 함)(14)을 분리하는 환상의 배기 플레이트(15)가 배치되고, 매니폴드(14)는 연통관(16) 및 가변식 슬라이드 밸브인 자동 압력 제어 밸브(Automatic Pressure Control)(이하, "APC"라 함) 밸브(17)를 거쳐서 진공배기용의 배기펌프인 TMP(18)와 연통한다. TMP(18)는 챔버(11)내를 대략 진공 상태가 될 때까지 감압하고, APC 밸브(17)는 챔버(11)내의 감압 시에 챔버(11)내의 압력을 제어한다. 배기 플레이트(15)는 처리공간 S와 매니폴드(14)를 연통하는 복수의 슬릿형상, 혹은 원형상의 통기 구멍을 갖는다. 기판 처리 장치(10)에서는 매니폴드(14), 연통관(16) 및 APC 밸브(17)가 배기계를 구성한다.
하부 전극(12)에는 하부 고주파 전원(19)이 하부 정합기(20)를 거쳐 접속되어 있고, 하부 고주파 전원(19)은 소정의 고주파 전력을 하부 전극(12)에 인가한다. 또한, 하부 정합기(20)는 하부 전극(12)으로부터의 고주파 전력의 반사를 저감해서 해당 고주파 전력의 하부 전극(12)에의 공급 효율을 최대로 한다.
하부 전극(12)의 위쪽에는 웨이퍼 W를 정전 흡착력으로 흡착하기 위한 ESC(21)가 배치되어 있다. ESC(21)에 내장된 전극판(도시하지 않음)에는 직류 전원(도시하지 않음)이 전기적으로 접속되어 있다. ESC(21)는 직류 전원으로부터 전극판에 인가된 직류 전압에 의해 발생하는 쿨롱력 또는 죤슨 라벡(Johnsen-Rahbek)력에 의해서 웨이퍼 W를 그 상면에 흡착 유지한다. 또한, ESC(21)의 둘레가장자리에는 실리콘(Si) 등으로 이루어지는 둥근 모양의 포커스 링(22)이 배치되고, 해당 포커스 링(22)의 주위는 둥근 모양의 커버 링(23)에 의해서 덮여 있다.
하부 전극(12)의 아래쪽에는 해당 하부 전극(12)의 하부에서 아래쪽을 향해 연장되어 마련된 지지체(24)가 배치되어 있다. 해당 지지체(24)는 하부 전극(12)을 지지하고, 또한 하부 전극(12)을 승강시킨다. 또한, 지지체(24)는 주위를 벨로우즈(25)에 의해서 덮어서 챔버(11) 내부 혹은 매니폴드(14) 내부의 분위기로부터 차단된다.
이 기판 처리 장치(10)에서는 챔버(11)내에 웨이퍼 W가 반입 또는 반출되는 경우, 하부 전극(12)이 웨이퍼 W의 반입/반출 위치까지 하강하고, 웨이퍼 W에 RIE 처리가 실시되는 경우, 하부 전극(12)이 웨이퍼 W의 처리 위치까지 상승한다.
챔버(11)의 천장부에는 챔버(11)내에 후술하는 처리 가스를 공급하는 샤워헤드(26)가 배치되어 있다. 샤워헤드(26)는 처리공간 S에 면하는 다수의 가스 통기 구멍(27)을 갖는 원판형상의 상부 전극(28)과, 해당 상부 전극(28)의 위쪽에 배치되고 또한 상부 전극(28)을 착탈 가능하게 지지하는 전극 지지체(29)를 갖는다.
상부 전극(28)에는 상부 고주파 전원(30)이 상부 정합기(31)를 거쳐서 접속되어 있고, 상부 고주파 전원(30)은 소정의 고주파 전력을 상부 전극(28)에 인가한다. 또한, 상부 정합기(31)는 상부 전극(28)으로부터의 고주파 전력의 반사를 저감해서 해당 고주파 전력의 상부 전극(28)에의 공급 효율을 최대로 한다.
전극 지지체(29)의 내부에는 버퍼실(32)이 마련되고, 이 버퍼실(32)에는 처리 가스 도입관(33)이 접속되어 있고, 처리 가스 도입관(33)의 도중에는 밸브(34)가 배치되어 있다. 버퍼실(32)에는 처리 가스 도입관(33)으로부터, 예를 들면, 사불화탄소(CF4)의 단독, 또는 ＣF4와 아르곤 가스(Ar), 산소 가스(O2), 사불화규소(SiF4)의 조합 등으로 이루어지는 처리 가스가 도입되고, 해당 도입된 처리 가스는 가스 통기 구멍(27)을 거쳐서 처리공간 S에 공급된다.
이 기판 처리 장치(10)의 챔버(11)내에서는 상술한 바와 같이, 하부 전극(12) 및 상부 전극(28)에 고주파 전력이 인가되고, 해당 인가된 고주파 전력에 의해서 처리공간 S에 있어서 처리 가스로부터 고밀도의 플라즈마가 발생하고, 이온이나 래디컬이 생성된다. 이들 생성된 래디컬이나 이온은 하부 전극(12)의 상면에 흡착 유지된 웨이퍼 W의 표면을 물리적 또는 화학적으로 에칭한다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치에 있어서의 APC 밸브(17) 및 TMP(18) 근방의 확대 단면도이며, 도 3은 본 실시형태에 관한 입자포착 유닛으로서의 파티클 트랩 유닛의 구성을 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 2에 있어서, TMP(18)는 도면 중 상하 방향, 즉 배기류의 방향을 따라 배치된 회전축(35)과, 해당 회전축(35)을 수용하도록 회전축(35)과 평행하게 배치되는 원통체(36)와, 회전축(35)으로부터 수직으로 돌출된 복수의 블레이드형상의 회전날개(37)와, 원통체(36)의 내주면에서 회전축(35)을 향해 돌출된 복수의 블레이드형상의 정지(靜止) 날개(38)를 구비한다.
복수의 회전날개(37)는 회전축(35)으로부터 방사상으로 돌출해서 회전날개군을 형성하고, 복수의 정지 날개(38)는 원통체(36)의 내주면의 동일 원주상에 있어서 등간격으로 배치되고, 또한 회전축(35)을 향해 돌출해서 정지 날개군을 형성한다. TMP(18)에서는 회전 날개군과 정지 날개군이 복수 존재하고, 각 회전 날개군은 회전축(35)을 따라 등간격으로 배치되며, 각 정지 날개군은 인접하는 2개의 회전날개군의 사이에 배치된다.
일반적으로, TMP(18)에서는 최상의 회전날개군이 최상의 정지 날개군보다 도면 중 위쪽에 배치된다. 즉, 최상의 회전 날개군이 최상의 정지 날개군보다 연통관(16)의 부근에 배치된다. TMP(18)는 회전날개(37)를 회전축(35) 주위로 고속 회전시키는 것에 의해, 가스를 연통관(16)으로부터 TMP(18)의 하측으로 고속 배기한다.
또한, APC 밸브(17) 및 TMP(18)의 사이에는 비교적 짧은 원통형상의 배기관(39)이 마련되고, 해당 배기관(39)은 APC 밸브(17) 및 TMP(18)을 연통시키고, 내부에 파티클 트랩 유닛(40)(입자포착 유닛)을 갖는다.
도 2 및 도 3에 있어서, 파티클 트랩 유닛(40)은 배기관(39)의 내주면을 따라 배치되는 원통형상의 제 1 트랩 유닛(40a)(원통 부분)과, TMP(18)의 회전축(35)의 연장선상에 배치되고, 평면에서 본 경우(도 2중의 백색 화살표를 따라 본 경우), 회전축(35)을 덮도록 배치되는 원판형상의 제 2 트랩 유닛(40b)(판형상 부분)을 갖는다. 제 2 트랩 유닛(40b)은 배기관(39)내를 횡단하도록 배치된 봉형상의 스테이(41)에 캡 나사(42)에 의해서 부착된다. 제 1 트랩 유닛(40a) 및 제 2 트랩 유닛(40b)은 각각 3층 구조의 그물형상 부재(43)(후술)로 이루어지고, 진입한 파티클 P를 취입해서 포착한다.
구체적으로는 TMP(18)에 유입된 파티클 P는 고속으로 회전하는 회전날개(37)와 충돌할 때, 회전날개(37)의 회전의 접선 방향의 운동 에너지를 부여받아 배기관(39)의 내주면을 향해 튕기지만, 제 1 트랩 유닛(40a)이 배기관(39)의 내주면을 따라 배치되기 때문에, 튕겨나간 파티클 P는 제 1 트랩 유닛(40a)에 진입하고, 해당 제 1 트랩 유닛(40a)은 진입한 파티클 P를 취입해서 포착한다.
또한, TMP(18)의 회전축(35)을 향해 유입되는 파티클(도시하지 않음)은 TMP(18)의 주위에 부착되어 데포로 되고, TMP(18)로부터 배기관(39) 등을 향해 역류하는 파티클의 발생 요인으로 되지만, 제 2 트랩 유닛(40b)이 TMP(18)보다도 배기에 있어 상류에 배치되므로, 해당 제 2 트랩 유닛(40b)은 TMP(18)의 회전축(35)을 향해 유입되는 파티클을 취입해서 포착한다.
또, 본 실시형태에서는 제 2 트랩 유닛(40b)을 스테이(41)에 캡 나사(42)에 의해서 고정시켰지만, 제 2 트랩 유닛(40b)을 스테이(41)에 고정시키기 위한 수단은 이것에 한정되지 않고, 접착제 등의 고정 가능한 수단이면 다른 수단이어도 좋고, 또한, 스테이(41)도 본 실시형태에서는 봉형상의 부재로 이루어지지만, 스테이의 형태는 이것에 한정되지 않고, 망형상의 부재 등의 제 2 트랩 유닛(40b)을 공간에 유지 가능한 부재이면 다른 형태로 이루어져 있어도 좋다.
도 4는 도 3에 있어서의 제 1 트랩 유닛(40a) 및 제 2 트랩 유닛(40b)을 구성하는 그물형상 부재의 구조를 개략적으로 나타내는 확대 단면도이다.
도 4에 있어서, 그물형상 부재(43)는 굵기가 직경 0.2㎛ 내지 3㎛인 섬유형상의 제 1 스테인리스강(44a)이 짜여져 형성된 제 1 그물형상 층(44)(제 1 층)과, 굵기가 직경 3㎛ 내지 30㎛의 섬유형상의 제 2 스테인리스강(45a)이 짜여져 형성된 제 2 그물형상 층(45)(제 2 층)과, 굵기가 직경 30㎛ 내지 400㎛의 섬유형상의 제 3 스테인리스강(46a)이 짜여져 형성된 제 3 그물형상 층(46)(제 3 층)을 갖는다.
제 1 그물형상 층(44)에서는 제 1 스테인리스강(44a)이 적어도 이중으로 중첩되고, 제 2 그물형상 층(45)에서는 제 2 스테인리스강(45a)이 적어도 이중으로 중첩되어 있으며, 제 3 그물형상 층(46)에서는 제 3 스테인리스강(46a)이 적어도 이중으로 중첩되어 있다. 도면 중에 있어서, 아래쪽부터 제 2 그물형상 층(45), 제 1 그물형상 층(44), 제 3 그물형상 층(46)의 순으로 적층되고, 그물형상 부재(43) 전체의 두께는 1㎜ 이하로 억제된다.
제 1 트랩 유닛(40a)에 있어서, 그물형상 부재(43)는 제 2 그물형상 층(45)이 제 1 그물형상 층(44) 및 배기관(39)의 내부공간, 즉, 파티클 P(입자)가 부유하는 공간(이하, "파티클 부유 공간" 이라 함)의 사이에 개재하도록 배치되기 때문에, 제 2 그물형상 층(45)이 파티클 부유 공간에 노출된다. 제 3 그물형상 층(46)은 제 1 그물형상 층(44)을 거쳐서 제 2 그물형상 층(45)과 대향하도록 배치되기 때문에, 제 3 그물형상 층(46)은 배기관(39)의 내주면과 접하고, 파티클 부유 공간에 노출되지 않는다.
또한, 제 2 트랩 유닛(40b)에 있어서, 그물형상 부재(43)는 제 2 그물형상 층(45)이 배기관(39)을 흐르는 파티클 P를 포함하는 배기류와 대향하고 또한 해당 배기류에 노출되도록 배치된다. 제 3 그물형상 층(46)은 제 1 그물형상 층(44)을 거쳐서 제 2 그물형상 층(45)과 대향하도록 배치되기 때문에, 제 3 그물형상 층(46)은 스테이(41)에 접한다. 이 때, 제 2 트랩 유닛(40b)은 그물형상 부재를 사용하고, 또한, 두께가 1㎜ 이하로 얇기 때문에, 배기관(39)에 있어서의 배기 콘덕턴스의 저하를 억제할 수 있다.
제 1 트랩 유닛(40a)나 제 2 트랩 유닛(40b)의 그물형상 부재(43)에서는 제 2 그물형상 층(45)이 파티클 부유 공간이나 배기류에 노출되기 때문에, 파티클 P는 우선 제 2 그물형상 층(45)에 진입한다. 진입한 파티클 P의 몇 개는 제 2 그물형상 층(45)에 있어서 제 2 스테인리스강(45a)에 의해서 구성된 그물코의 개구부(간극)에 걸려 포착되지만, 제 2 그물형상 층(45)에 있어서의 제 2 스테인리스강(45a)의 굵기가 크고, 제 2 그물형상 층(45)에서 발생하는 간극은 크기 때문에, 파티클 P의 일부는 제 2 그물형상 층(45)을 통과해서 제 1 그물형상 층(44)에 도달한다.
제 1 그물형상 층(44)에 있어서의 제 1 스테인리스강(44a)의 굵기는 가늘기 때문에, 제 1 그물형상 층(44)에는 작은 간극밖에 생기지 않고, 제 1 그물형상 층(44)에 도달한 파티클 P는 해당 제 1 그물형상 층(44)을 통과 할 수 없어 제 1 그물형상 층(44)에 머무르고, 제 1 그물형상 층(44)에 있어서 제 1 스테인리스강(44a)에 의해서 구성된 그물코의 개구부(간극)에 걸려 포착된다.
또한, 제 1 그물형상 층(44)에 도달한 파티클 P 중의 몇 개의 파티클 P는 제 1 그물형상 층(44)의 간극에 걸리는 일 없이, 제 1 스테인리스강(44a)에 의해서 반사되어 파티클 부유 공간으로 되돌아오려고 하지만, 제 1 그물형상 층(44) 및 파티클 부유 공간의 사이에는 제 2 그물형상 층(45)이 개재하므로, 반사한 파티클 P는 제 2 그물형상 층(45)에 의해서 포착되거나, 혹은 제 2 그물형상 층(45)의 제 2 스테인리스강(45a)과 충돌해서 운동 에너지를 잃은 후에 제 1 그물형상 층(44)으로 되튕겨진다. 해당 되튕겨진 파티클 P는 운동 에너지가 작기 때문에, 제 1 그물형상 층(44)에 도달한 후, 해당 제 1 그물형상 층(44)으로부터 반사하는 일 없이, 제 1 그물형상 층(44)에 머무른다.
따라서, 그물형상 부재(43)에 진입한 파티클 P가 재차 그물형상 부재(43)로부터 파티클 부유 공간으로 되돌아오는 일은 없고, 그물형상 부재(43)는 진입한 파티클 P를 확실하게 포착할 수 있다.
또한, 제 3 그물형상 층(46)을 구성하는 제 3 스테인리스강(46a)의 굵기는 제 1 그물형상 층(44)을 구성하는 제 1 스테인리스강(44a)의 굵기나 제 2 그물형상 층(45)을 구성하는 제 2 스테인리스강(45a)의 굵기보다도 크고, 제 3 그물형상 층(46)은 그물형상 부재(43)의 일부를 구성하므로, 제 3 그물형상 층(46)은 그물형상 부재(43)의 강성의 향상에 기여하고, 제 1 트랩 유닛(40a)나 제 2 트랩 유닛(40b)이 변형되어 파티클 포착 효율이 저하하는 것을 방지할 수 있다.
다음에, 본 실시형태에 관한 입자포착 유닛의 제조 방법에 대해 설명한다.
도 5a ~ 도 5c 는 본 실시형태에 관한 입자포착 유닛으로서의 파티클 트랩 유닛(40)에 있어서의 제 1 트랩 유닛(40a)의 제조 방법의 공정도이다.
도 5에 있어서, 우선, 복수의 제 1 스테인리스강(44a)을 짜서 띠형상의 제 1 그물형상 층(44)을 형성하고, 복수의 제 2 스테인리스강(45a)을 짜서 띠형상의 제 2 그물형상 층(45)을 형성하며, 복수의 제 3 스테인리스강(46a)을 짜서 띠형상의 제 3 그물형상 층(46)을 형성한다(도 5a: 층 형성 스텝).
다음에, 띠형상의 제 1 그물형상 층(44), 띠형상의 제 2 그물형상 층(45) 및 띠형상의 제 3 그물형상 층(46)을 대략 동일한 길이로 절단하고, 제 3 그물형상 층(46)에 제 1 그물형상 층(44)을 중첩하고, 또한 해당 제 1 그물형상 층(44)에 제 2 그물형상 층(45)을 중첩해서 그물형상 부재(43)를 형성하고, 해당 그물형상 부재(43)를 원통형상으로 성형한다. 이 때, 해당 그물형상 부재(43)로부터 제조되는 제 1 트랩 유닛(40a)이 배기관(39)에 배치되었을 때, 제 2 그물형상 층(45)이 파티클 부유 공간에 노출되도록, 원통형상의 최내주측에 제 2 그물형상 층(45)을 위치시킨다(도 5b: 성형 스텝).
그리고, 원통형상으로 성형된 그물형상 부재(43)를 소결에 의해서 경화해서 서로 접합하여, 제 1 트랩 유닛(40a)을 제조하고, 본 처리를 종료한다(도 5c).
또한, 제 2 트랩 유닛(40b)도 띠형상이 아닌 원형상으로 절단되는 것과 원통형상으로 성형되지 않는 것 이외에는 도 5의 제조 방법에 따라 제조된다.
본 실시형태에 관한 파티클 트랩 유닛(40)에 의하면, 제 1 트랩 유닛(40a) 및 제 2 트랩 유닛(40b)을 구성하는 그물형상 부재(43)는 복수의 제 1 스테인리스강(44a)으로 이루어지는 제 1 그물형상 층(44)과, 복수의 제 2 스테인리스강(45a)으로 이루어지는 제 2 그물형상 층(45)을 구비하고, 제 1 스테인리스강(44a)의 굵기는 제 2 스테인리스강(45a)의 굵기보다도 작고, 제 1 그물형상 층(44)에 있어서의 제 1 스테인리스강(44a)의 배치 밀도는 제 2 그물형상 층(45)에 있어서의 제 2 스테인리스강(45a)의 배치 밀도보다도 높으므로, 제 1 그물형상 층(44)은 그물형상 부재(43)에 진입하여 제 2 그물형상 층(45)을 통과한 파티클 P를 포착한다.
또한, 제 2 그물형상 층(45)은 제 1 그물형상 층(44) 및 파티클 부유 공간의 사이에 개재하므로, 제 2 그물형상 층(45)을 통과해서 제 1 그물형상 층(44)에서 반사된 파티클 P는 제 2 그물형상 층(45)에 있어서의 제 2 스테인리스강(45a)과 충돌해서 운동 에너지를 잃은 후에 제 1 그물형상 층(44)으로 다시 튕겨 나가기 때문에, 파티클 P가 그물형상 부재(43)로부터 공간으로 튕겨 나가는 일이 없다.
그 결과, 그물형상 부재(43)의 두께를 크게 하는 일 없이, 예를 들면, 그물형상 부재(43)의 두께를 1㎜ 이하로 설정해도 그물형상 부재(43)에 진입한 파티클 P를 확실하게 포착할 수 있다.
또한, 파티클 트랩 유닛(40)의 제 1 트랩 유닛(40a)이나 제 2 트랩 유닛(40b)에 있어서 제 3 그물형상 층(46), 제 1 그물형상 층(44) 및 제 2 그물형상 층(45)은 소결에 의해서 경화되어 서로 접합하고 있으므로, 제 1 트랩 유닛(40a)나 제 2 트랩 유닛(40b)은 높은 강성을 갖는다. 따라서, 제 1 트랩 유닛(40a)이나 제 2 트랩 유닛(40b)을 지지하는 프레임을 마련할 필요가 없으므로, 파티클 트랩 유닛(40)이 공간으로 튀어 나오는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 파티클 트랩 유닛(40)은 배기 효율의 저하를 방지할 수 있다.
또한, 그물형상 부재(43)는 소결되기 때문에, 제 1 그물형상 층(44)을 구성하는 제 1 스테인리스강(44a)의 일부, 제 2 그물형상 층(45)을 구성하는 제 2 스테인리스강(45a)의 일부나 제 3 그물형상 층(46)을 구성하는 제 3 스테인리스강(46a)의 일부가 결락하는 일이 없다. 그 결과, 결락한 스테인리스강의 일부가 TMP(18)의 회전날개(37)와 충돌해서 튕겨 나가는 일이 없으므로, 이물의 처리실내에의 진입을 확실하게 방지할 수 있는 동시에, TMP(18)의 회전날개(37) 등이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
또, 제 1 트랩 유닛(40a)이나 제 2 트랩 유닛(40b)에서는 그물형상 부재(43)를 원하는 형상으로 변형시킨 후, 제 3 그물형상 층(46), 제 1 그물형상 층(44) 및 제 2 그물형상 층(45)을 소결에 의해서 경화시키므로, 원하는 형상을 용이하게 실현할 수 있다.
또한, 제 1 그물형상 층(44), 제 2 그물형상 층(45) 및 제 3 그물형상 층(46)은 스테인리스강으로 이루어지므로, 어느 정도의 신장이나 왜곡을 허용한다. 따라서, 소결 전에 있어서 그물형상 부재(43)를 원하는 형상으로 변형시킬 때, 제 1 그물형상 층(44), 제 2 그물형상 층(45) 및 제 3 그물형상 층(46)의 일부가 파단되는 것을 억제할 수 있고, 이로써, 파티클 트랩 유닛(40)의 제조를 용이하게 할 수 있다.
이상, 본 발명에 대해, 상기 실시형태를 이용해서 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다.
예를 들면, 도 6에 나타내는 바와 같이, 파티클 트랩 유닛(40)에 있어서, 그물형상 부재(43)에 의해서 구성되고, 제 1 트랩 유닛(40a)에서 배기관(39)의 내측을 향해 제 1 트랩 유닛(40a)의 반경 방향을 따라 돌출된 복수의 판형상의 돌출 부분(40c)을 마련해도 좋다. 각 돌출 부분(40c)은 회전날개(37)의 회전의 접선 방향의 운동 에너지를 부여받은 파티클 P의 진행을 저해하므로, 회전날개(37)로부터 튕기는 파티클 P의 포착 효율을 더욱 향상시킬 수 있다. 또, 각 돌출 부분(40c)은 배기관(39)의 중심까지 연신될 필요는 없고, 제 1 트랩 유닛(40a)으로부터의 돌출량은 파티클 P의 발생량이나 회전날개(37)의 회전속도 등에 의거하여 변경되어도 좋다.
그물형상 부재(43)는 반드시 제 3 그물형상 층(46)을 가질 필요는 없으며, 적어도 제 1 그물형상 층(44) 및 제 2 그물형상 층(45)을 갖고, 제 2 그물형상 층(45)이 파티클 부유 공간에 노출되어 있으면 좋다. 또한, 그물형상 부재(43)를 구성하는 층의 수도 3개에 한정되지 않고, 예를 들면, 도 7에 나타내는 바와 같이, 제 2 그물형상 층(45) 및 파티클 부유 공간의 사이에 다른 제 3 그물형상 층(46)을 개재시켜도 좋다. 이에 따라, 제 1 트랩 유닛(40a)이나 제 2 트랩 유닛(40b)의 강성을 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 제 1 그물형상 층(44)을 2개의 제 2 그물형상 층(45) 사이에 배치하는 구조로 해도 좋고, 이에 따라, 일방향 뿐만 아니라 쌍방향으로부터 날아오는 입자를 포착할 수 있다. 이 경우에 있어서도, 보강재로서의 제 3 그물형상 층(46)을 제 1 그물형상 층(44) 및 2개의 제 2 그물형상 층(45)으로 이루어지는 적층 구조의 한쪽에 마련해도 좋고, 또는 상기 적층 구조의 양측에 마련해서 해당 적층 구조를 끼워 넣도록 해도 좋다.
또한, 제 1 그물형상 층(44), 제 2 그물형상 층(45)이나 제 3 그물형상 층(46)을 구성하는 섬유 형상물로서는 상술한 스테인리스강 뿐만 아니라, 다른 소결 가능한 금속을 이용할 수 있으며, 예컨데, 알루미나 등의 세라믹스를 이용할 수도 있다.
그물형상 부재(43)로 이루어지는 파티클 트랩 유닛은 기판 처리 장치(10)에 있어서 배기관(39) 뿐만 아니라, 배기계를 구성하는 구성요소, 예를 들면, 매니폴드(14), 연통관(16) 및 APC 밸브(17), 또는 TMP(18)에 있어서의 배기류에 노출되는 개소이면, 어느 개소에 있어서도 배치할 수 있고, 또한, 배치하는 장소에 따라 파티클 트랩 유닛의 형상이나 구성을 변경할 수 있다. 본 실시형태에 있어서는 에칭 처리 장치에 적용하는 경우에 대해 설명했지만, 적용되는 장치는 이것에 한정되지 않고, CVD 장치나 애싱 장치 등의 다른 처리를 실행하는 기판 처리 장치에도 적용 가능하다.
또한, 기판 처리 장치(10) 뿐만 아니라, 대략 감압 공간을 파티클이 부유하는 개소를 갖는 장치이면, 해당 장치에 적용할 수 있다. 예를 들면, 도 8에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치의 처리실(47) 및 반송실(트랜스퍼 챔버)(48)을 간막이하는 게이트 밸브(49)의 근방에 있어서 파티클 트랩 유닛(50)을 트랜스퍼 챔버(48)의 내벽면을 따라 배치해도 좋다.
P 파티클 W 웨이퍼
11 챔버 18 TMP
37 회전날개 39 배기관
40, 50 파티클 트랩 유닛 40a 제 1 트랩 유닛
40b 제 2 트랩 유닛 40c 돌출 부분
44 제 1 그물형상 층 44a 제 1 스테인리스강
45 제 2 그물형상 층 45a 제 2 스테인리스강
46 제 3 그물형상 층 46a 제 3 스테인리스강
11 챔버 18 TMP
37 회전날개 39 배기관
40, 50 파티클 트랩 유닛 40a 제 1 트랩 유닛
40b 제 2 트랩 유닛 40c 돌출 부분
44 제 1 그물형상 층 44a 제 1 스테인리스강
45 제 2 그물형상 층 45a 제 2 스테인리스강
46 제 3 그물형상 층 46a 제 3 스테인리스강
Claims (10)
- 입자가 부유하는 공간에 노출되는 입자포착 유닛으로서,
복수의 제 1 섬유형상물로 이루어지는 제 1 층과, 복수의 제 2 의 섬유형상물로 이루어지는 제 2 층을 적어도 구비하고,
상기 제 1 섬유형상물의 굵기는 상기 제 2 섬유형상물의 굵기보다 작고, 상기 제 1 층에 있어서의 상기 제 1 섬유형상물의 배치 밀도는 상기 제 2 층에 있어서의 제 2 섬유형상물의 배치 밀도보다 높고,
상기 제 2 층은 상기 제 1 층 및 상기 입자가 부유하는 공간의 사이에 개재하고,
상기 제 1 층 및 상기 제 2 층은 소결에 의해서 경화되어 서로 접합하고 있는 것을 특징으로 하는
입자포착 유닛.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 섬유형상물의 굵기는 직경 0.2㎛ 내지 3㎛이고, 상기 제 2 섬유형상물의 굵기는 직경 3㎛ 내지 30㎛인 것을 특징으로 하는
입자포착 유닛.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 섬유형상물의 굵기보다 큰 굵기의 제 3 섬유형상물로 이루어지는 제 3 층을 더 구비하고, 해당 제 3 층은 상기 제 1 층을 사이에 두고 상기 제 2 층과 대향하도록 배치되는 것을 특징으로 하는
입자포착 유닛.
- 제 3 항에 있어서,
상기 제 3 섬유형상물의 굵기는 직경 30㎛ 내지 400㎛인 것을 특징으로 하는
입자포착 유닛.
- 제 3 항에 있어서,
또 다른 제 3 층을 더 구비하고, 해당 또 다른 제 3 층은 상기 제 2 층 및 상기 입자가 부유하는 공간의 사이에 개재하는 것을 특징으로 하는
입자포착 유닛.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중의 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 섬유형상물 및 상기 제 2 섬유형상물은 스테인리스강으로 이루어지는 것을 특징으로 하는
입자포착 유닛.
- 입자가 부유하는 공간에 노출되는 입자포착 유닛의 제조 방법으로서,
복수의 제 1 섬유형상물로 이루어지는 제 1 층 및 복수의 제 2 섬유형상물로 이루어지는 제 2 층을 형성하는 층 형성 스텝과,
상기 제 1 층 및 상기 제 2 층을 중첩하고, 해당 중첩된 제 1 층 및 제 2 층을, 상기 제 2 층이 상기 제 1 층 및 상기 입자가 부유하는 공간의 사이에 개재하도록, 소정의 형상으로 성형하는 성형 스텝과,
상기 제 1 층 및 상기 제 2 층을 소결에 의해서 경화하여 서로 접합시키는 소결 스텝을 갖고,
상기 제 1 섬유형상물의 굵기는 상기 제 2 섬유형상물의 굵기보다 작고, 상기 제 1 층에 있어서의 상기 제 1 섬유형상물의 배치 밀도는 상기 제 2 층에 있어서의 제 2 섬유형상물의 배치 밀도보다 높은 것을 특징으로 하는
입자포착 유닛의 제조 방법.
- 기판에 소정의 처리를 실시하는 처리실과, 고속 회전하는 회전날개를 포함하여 처리실 내의 가스를 배기하는 배기 펌프와, 상기 처리실 및 상기 배기 펌프를 연통시키는 배기계를 구비하는 기판 처리 장치에 있어서,
배기계 내의 공간에 노출되는 입자포착 유닛을 더 구비하고,
상기 입자포착 유닛은 복수의 제 1 섬유형상물로 이루어지는 제 1 층과, 복수의 제 2 섬유형상물로 이루어지는 제 2 층을 적어도 갖고,
상기 제 1 섬유형상물의 굵기는 상기 제 2 섬유형상물의 굵기보다 작고, 상기 제 1 층에 있어서의 상기 제 1 섬유형상물의 배치 밀도는 상기 제 2 층에 있어서의 제 2 섬유형상물의 배치 밀도보다 높고,
상기 제 2 층은 상기 제 1 층 및 상기 배기계 내의 공간의 사이에 개재하고,
상기 제 1 층 및 상기 제 2 층은 소결에 의해서 경화되어 서로 접합하고 있는 것을 특징으로 하는
기판 처리 장치.
- 제 8 항에 있어서,
상기 배기계는 배기관을 갖고,
상기 입자포착 유닛은 상기 배기관의 내주면을 따라 배치되는 원통 부분과, 상기 배기관 내에서 상기 배기 펌프보다 배기 방향에 있어서 상류에 배치되고, 또한 상기 배기 펌프에 있어서의 상기 회전날개의 회전축의 연장선상에 있어서 상기 회전축을 덮도록 배치되는 판형상 부분을 갖는 것을 특징으로 하는
기판 처리 장치.
- 제 9 항에 있어서,
상기 입자포착 유닛은 상기 원통 부분에서 상기 배기관의 내측을 향해 돌출된 복수의 돌출 부분을 더 갖는 것을 특징으로 하는
기판 처리 장치.
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Family Cites Families (20)
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|---|---|---|---|---|
| US3339347A (en) * | 1965-10-05 | 1967-09-05 | Jr Herbert R Otto | Filter |
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| US4181514A (en) * | 1978-02-14 | 1980-01-01 | Huyck Corporation | Stitch knitted filters for high temperature fluids and method of making them |
| DE4110285A1 (de) * | 1991-03-28 | 1992-10-01 | Schwaebische Huettenwerke Gmbh | Filter- oder katalysatorkoerper |
| US5651250A (en) * | 1994-05-24 | 1997-07-29 | Isuzu Ceramics Research Institute Co., Ltd. | Diesel particulate filter apparatus |
| WO1998017372A1 (de) * | 1996-10-17 | 1998-04-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Aerosolfilter |
| DE19843000C2 (de) * | 1998-09-21 | 2000-07-13 | Freudenberg Carl Fa | Luftfilter |
| JP4051861B2 (ja) * | 2000-06-12 | 2008-02-27 | 株式会社村田製作所 | 厚膜形成用ペーストの製造方法、厚膜形成用ペースト、および濾過装置 |
| JP2002146659A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-05-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 金属不織布及びその製造方法 |
| US7398887B2 (en) * | 2001-02-12 | 2008-07-15 | Aaf-Mcquay, Inc. | Product and method of forming successive layers of face-to-face adjacent media with calculated pore size |
| DE60300826T2 (de) * | 2002-01-25 | 2006-05-18 | Inoac Corp., Nagoya | Fluidfilter |
| WO2006023474A1 (en) * | 2004-08-17 | 2006-03-02 | Acs Industries, Inc. | Wire mesh filter with improved hoop strength |
| JP2007180467A (ja) * | 2005-03-02 | 2007-07-12 | Tokyo Electron Ltd | 反射装置、連通管、排気ポンプ、排気システム、該システムの洗浄方法、記憶媒体、基板処理装置及びパーティクル捕捉部品 |
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| JP2009082868A (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-23 | Itochu Systech Corp | ポリマー濾過フィルターと濾過装置 |
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