WO2007119648A1 - 気体清浄装置および半導体製造装置 - Google Patents

気体清浄装置および半導体製造装置 Download PDF

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gas cleaning
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Kazuya Dobashi
Teruyuki Hayashi
Akitake Tamura
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Tokyo Electron Limited
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D46/00—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
    • B01D46/52—Particle separators, e.g. dust precipitators, using filters embodying folded corrugated or wound sheet material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
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    • B01D46/52—Particle separators, e.g. dust precipitators, using filters embodying folded corrugated or wound sheet material
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    • B01D46/56—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours with multiple filtering elements, characterised by their mutual disposition
    • B01D46/62—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours with multiple filtering elements, characterised by their mutual disposition connected in series
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof

Definitions

  • the present invention relates to a gas cleaning device that generates particles by removing particles in a gas, and a semiconductor manufacturing apparatus using the gas cleaning device.
  • particles such as HEPA (High Efficiency Particulate Air) filters and ULPA (Ultra Low Penetration Air) filters are used to reduce particles around the semiconductor manufacturing equipment and inside the semiconductor manufacturing equipment (for example, the wafer loading section). In some cases, air was supplied through a filter.
  • HEPA High Efficiency Particulate Air
  • ULPA Ultra Low Penetration Air
  • Patent Document 1 Japanese Patent Publication No. 7-66165
  • the present invention provides a novel and useful gas purifier that solves the above problems, and Providing a semiconductor manufacturing apparatus using the gas purifier is a general issue.
  • a specific object of the present invention is to provide a gas cleaning device for removing fine particles and supplying clean gas, and a semiconductor manufacturing apparatus using the gas cleaning device.
  • the above-described problem is a gas cleaning device for removing particles in a gas, wherein the first filter layer is installed on each of the upstream side and the downstream side of the gas. And a second filter layer, wherein the first filter layer collects particles smaller than the particles collected by the second filter layer. To do.
  • the above problem is solved by the substrate processing apparatus having the gas cleaning apparatus.
  • the above-described problem is a gas cleaning device that removes particles in a gas, and includes a first filter layer and a second filter layer.
  • the first filter layer and the second filter layer are solved by a gas purifier characterized by having different collection efficiency characteristics with respect to a change in particle diameter of particles.
  • the above-described problem is a gas cleaning device that removes particles in a gas, and includes a first filter layer and a second filter layer.
  • the first filter layer and the second filter layer are solved by a gas cleaning device characterized in that collection efficiency for particles having the same particle diameter is different.
  • FIG. 1 is a view showing a gas cleaning device according to Example 1.
  • FIG. 1 is a view showing a gas cleaning device according to Example 1.
  • FIG. 2 is a view showing a conventional gas cleaning device.
  • FIG. 3 is a diagram (part 1) showing an evaluation result of the gas cleaning device of FIG.
  • FIG. 4 is a diagram (part 2) showing an evaluation result of the gas cleaning device of FIG.
  • FIG. 5 is a diagram (part 3) showing an evaluation result of the gas cleaning device of FIG.
  • FIG. 6 is a diagram (part 4) showing the evaluation result of the gas cleaning device of FIG.
  • FIG. 7 is a diagram (part 5) showing an evaluation result of the gas cleaning device of FIG.
  • FIG. 8 is a diagram showing an evaluation method of the gas cleaning device of FIG. 1.
  • FIG. 9 is a diagram showing an evaluation result of the gas cleaning device of FIG. 1.
  • FIG. 10 is a diagram showing the collection efficiency of the fibrous filter.
  • FIG. 11 is a view showing a modification of the gas cleaning device of FIG. 1.
  • FIG. 12 shows a semiconductor manufacturing apparatus according to Example 2.
  • the gas cleaning device is a gas cleaning device for removing particles in a gas, and includes a first filter layer and a second filter layer, and the first filter layer The diameter of the fibers constituting the second filter layer is larger than the diameter of the fibers constituting the second filter layer. Yes.
  • the conventional gas cleaning device does not sufficiently collect particles of 50 nm or less, and there is a concern that the clean atmosphere is contaminated by the gas supplied by the conventional gas cleaning device.
  • the gas cleaning device in the gas cleaning device according to the present invention, a plurality of filter layers (first filter layer and second filter layer) made of a fibrous material for collecting particles are provided. Further, the diameter of the fiber constituting the first filter layer is larger than the diameter of the fiber constituting the second filter layer. For this reason, with the gas cleaning device according to the present invention, it is possible to remove fine particles from the gas, which have been difficult to measure in the past.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a gas cleaning device (filter) 100 according to Embodiment 1 of the present invention.
  • a gas purifier 100 according to the present embodiment is installed between a primary side space 100A and a secondary side space 100B, and gas (for example, air) supplied from the primary side space 100A. ) Is filtered to remove particles and supplied to the secondary side space 100B.
  • gas for example, air
  • the gas cleaning device 100 includes a gas blowing unit 103 for forming a gas flow, a filter unit 101 for removing particles in the gas supplied from the gas blowing unit 103, and a filter unit.
  • 102 has a laminated structure.
  • the air blowing unit 103 has a structure in which air blowing means (for example, a fan) 103A is housed in a housing 103B.
  • the filter portion 101 has a structure in which a filter layer 101 A is accommodated in a housing portion 101B.
  • the filter unit 102 has a structure in which a filter layer 102A is housed in a housing unit 102B.
  • the filter layer 101A mainly collects small particles! / And particles (for example, 50 nm or less), and the filter layer 102A has a particle size larger than the particles collected by the filter layer 101A.
  • the gas cleaning device 100 Since the gas cleaning device 100 according to the present embodiment has the above-described structure, the gas cleaning device 100 efficiently removes particles having a small particle diameter to particles having a relatively large particle diameter from the gas. Can be supplied to the secondary space 100B.
  • the filter layers 101A and 102A are both constituted by a fibrous filter layer, and the fiber diameter of the fibers constituting the filter is larger in the filter layer 101A than in the filter layer 102A. That is, it is possible to remove even smaller particles by using a filter layer having a large fiber diameter.
  • the above filter layer 102 A force corresponds to a normal ULP A filter.
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing a conventional gas cleaning device 200 used for evaluating the particle removal effect.
  • a gas purifier 200 shown in the figure is installed between a primary side space 200A and a secondary side space 200B, and is supplied with a gas (for example, air is filtered to remove particles and supply the secondary side space 200B.
  • the gas cleaning device 200 has a structure in which a gas blowing unit 203 for forming a gas flow and a filter unit 202 for removing particles in the gas supplied from the gas blowing unit 203 are stacked. is doing.
  • the air blowing unit 203 has a structure in which air blowing means (for example, a fan) 203A is housed in a housing 203B.
  • the filter unit 202 has a structure in which a filter layer 202A is housed in a housing unit 202B.
  • the filter layer 202A is composed of a fibrous filter layer (UL PA filter).
  • the wafer wl was installed in the primary side space 200A and the wafer w2 was installed in the secondary side space 200B, and the behavior of particles and the state of particle removal were examined.
  • FIG. 3 is a diagram showing the results of examining the number of particles on the silicon wafer wl left for 10 minutes in the primary side space 200A (the space before particle removal) shown in FIG. Referring to Fig. 3, the particles on wafer wl tend to increase as the particle size decreases. For example, when it is considered to prevent contamination of the semiconductor device manufacturing process by particles, it is important how to remove such particles having a small particle diameter and difficult to remove. For this reason, the inventors of the present invention conducted the following analysis on the behavior of fine particles.
  • Fig. 4 the particles shown in Fig. 3 are arbitrarily selected by SEM (scanning electron microscope) and analyzed using EDX (energy dispersive X-ray analyzer) to examine the particle size and components. It is a figure which shows the result.
  • SEM scanning electron microscope
  • EDX energy dispersive X-ray analyzer
  • the component (element) is identified by analyzing the retrieved particles using EDX.
  • the number of particles that have a particle size force of 0.1—0.5 / ⁇ ⁇ , 0.5—1.0 m, 1.0 m or more is also investigated. .
  • Fig. 5 shows the metal contamination of the surface of the silicon wafer wl left in the primary space 200A shown in Fig. 2 for 10 minutes by VPD ICP-MS (gas phase analysis + inductively coupled plasma mass spectrometry). It is a figure which shows the result analyzed using).
  • Na contamination on the wafer surface is caused by particles having a particle diameter of 0.1 nm (lOOnm) or less that were not detected in the analysis shown in FIG. This is considered to have a large impact.
  • metal contamination such as Na is presumed to be greatly affected by fine particles that are difficult to detect with current technology.
  • the following table shows the amount of increase in particles of the wafer w2 that is left in the secondary space 200B shown in Fig. 2 for 60 hours.
  • the following table shows the particle size force of particles 0.05-0. 06 ⁇ m, 0. 06-0. 08 ⁇ m, 0. 08— 0. 10 ⁇ m, 0. 10— 0. 12 ⁇ m , 0. 12—0.15 m, and increase of 0. m or more.
  • FIG. 6 is a diagram showing the results of analyzing metal contamination on the surface of the wafer w2 using VPD ICP-MS.
  • the wafer used for the above evaluation is preliminarily reinforced with metal on the wafer surface at a predetermined concentration or less (for example, Na is 2 X 10 8 atoms / cm 2 or less, A1 is 3 X 10 8 atoms / cm 2 or less).
  • a predetermined concentration or less for example, Na is 2 X 10 8 atoms / cm 2 or less, A1 is 3 X 10 8 atoms / cm 2 or less.
  • the lower limit of quantification is a
  • the reference value (the value at the start of standing after the above-mentioned surface metal removal treatment)
  • the measured value after standing for 60 hours is c. It is shown by.
  • Figure 7 shows the correlation between the amount of Na metal contamination on the wafer surface and the number of Na-containing particles estimated from the amount of contamination.
  • the particles that are the source of Na exist in the form of NaCl, and the shape of the particles is spherical.
  • the numbers of particles that are considered to exist on the wafer surface are shown for particle size forces of 50 nm, 5 nm, and lnm, respectively.
  • the particle size of particles (NaCU-like particles) is 50 ⁇ m
  • the number of particles corresponding to the detected amount of Na shown in FIG. About 3 x 10 5 per c (300mm).
  • the increase in the number of particles on the wafer surface is, as indicated above, in the range of particle size force SO. 05 m to 0.1 m (50 nm to LOONm). It is 18 pieces.
  • the substance related to Na contamination that has passed through the gas cleaning device 100 is mostly particles having a particle size of 50 nm or less.
  • particles with a particle size of 50 nm or less are difficult to detect, and so far there have been few studies on the correlation between the removal method and metal contamination.
  • FIG. 8 is a diagram schematically showing an evaluation method for removing particles (metal contamination) performed using the gas cleaning device 100 described in FIG. However, the parts described previously in FIG. In the above evaluation, the filter layer 101A and the filter layer 102A were made to have the same material and density as the initial evaluation (so as to be a double ULPA filter).
  • filter layers 101A and 102A a ULPA filter manufactured by Daikin Industries, Ltd. (99.9995% or more with respect to particles having a wind speed of 0.5 mZsec and a particle size of 0.15 m).
  • An air filter having particle collection efficiency and an initial pressure loss of 245 Pa or less was used.
  • a silicon wafer (300mm) W2 is placed in the secondary space 100B of the gas cleaning device 100, and left for 60 hours to increase the number of particles and prevent surface metal contamination. Evaluation was performed.
  • the following table shows the increase in the number of particles on the wafer W2.
  • the particle size force of Naughty Nore 0.05-0.06 ⁇ m, 0.06—0.0.08 ⁇ m, 0.08—0.10.m, 0.10-0.12 ⁇ m, 0. 12— Shows the amount of increase in each case above 0.15 ⁇ m, 0.15 m.
  • “Single” shows the results of the evaluation method shown in FIG. 2, and “double” shows the results of the evaluation method shown in FIG.
  • the doubled filter layer shows that the number of transmitted particles is reduced.
  • FIG. 9 is a diagram showing the result of analyzing the metal contamination on the surface of the wafer W2 using VPD ICP-MS in the same manner as in the analysis described with reference to FIG.
  • the evaluation result (detection result d) of the wafer W2 is added to FIG. 6 shown above.
  • the parts described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • Fig. 9 it was confirmed that the amount of Na, Al, and Fe detected on the wafer decreased as a result of double ULPA filters.
  • the particles cause Na contamination! /, And the particles cause other metal contamination.
  • the particle size is thought to be particularly small compared to particles, and in order to reduce Na contamination, it is preferable to effectively remove fine particles of 50 nm or less containing Na.
  • the fiber diameter of the fiber is larger than the fibers constituting the filter layer 102A.
  • the filter layer 101 A composed of the fibers having the filter layer 101 A is further included.
  • Fig. 10 shows the collection efficiency when the fiber diameter df is changed when particles are removed by a fibrous filter ("Aerosol Technology", by William C. Heines, Published by Inoue Shoin, listed on pi 78).
  • Figure 10 shows the difference in collection efficiency when the fiber diameter df is 0.5 m, 2 m, and 10 m.
  • the horizontal axis of the graph indicates the particle size of the collected particles, and the vertical axis indicates the collection efficiency.
  • the fiber diameter tends to be larger and the collection efficiency tends to be larger. This tendency is considered to suggest that the filter fiber diameter is thicker and more effective when collecting particles with a small particle size of 100 nm (0.1 m) or less. .
  • the fiber diameter of the fibers constituting the filter is narrower.
  • the force is less than the predetermined particle size (5 Onm or less) ) Is collected, it is expected that the fiber diameter of the fibers constituting the filter is advantageously larger.
  • filter layers having different particle collection efficiencies filter layers having different collection efficiency characteristics with respect to changes in particle particle size, or particles having the same particle size
  • By combining (stacking) filter layers with different trapping efficiencies for particles it is possible to efficiently remove both fine particles with a particle size of 50 nm or less and particles with a particle size of several hundred nm. It has a possible configuration.
  • the minimum collection efficiency is required when collecting particles with a particle size larger than a predetermined particle size (for example, lOOnm or more).
  • a filter with a large particle size is suitable, and when collecting particles with a particle size of not more than a predetermined particle size (for example, 50 nm or less), a filter with a small minimum collection efficiency is suitable. That is, by combining (stacking) filters with different minimum collection efficiencies, it is possible to efficiently remove both fine particles with a particle size of 50 nm or less and particles with a particle size of several hundred nm. And
  • the filter layers 101A and 102A have a particle collection efficiency of 99.9995% or more for particles having a particle size of 0.15 m at the rated air flow, and an initial pressure loss of 245 Pa or less.
  • Lay out the filter with filter (specified in JIS Z8122).
  • the pressure loss of the filter layer 101A is smaller than the pressure loss of the filter layer 102A. Pressure loss is smaller than when layer 102A is laminated.
  • the filter layer 101A having a large fiber diameter is preferably installed on the upstream side of the air flow. This is because of the small particle size This is because, if the above structure is collected and agglomerated and then desorbed from the filter layer, the separated particles can be collected again by the filter layer 102A.
  • the filter layers 101A and 102A may have different porosity.
  • FIG. 11 is a modification of the gas cleaning device 100 shown in FIG.
  • the parts described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • the gas cleaning device 300 shown in this figure has a structure in which a removal layer 104 for removing organic substances or ions is added to the gas cleaning device 100 shown in FIG. ing.
  • the removal layer has a structure in which the filter layer 104A is accommodated in the housing portion 104B.
  • the filter layer is not limited to a fibrous layer.
  • the filter layer installed on the upstream side of the gas flow may be made of a material selected from the group force consisting of glass, metal, resin, ceramic, and activated carbon.
  • the filter layer installed on the downstream side of the gas flow may be composed of, for example, either glass or resin.
  • particles having a particle size of 50 nm or less, mainly composed of metal (such as Na) are removed, so the filter layer installed on the downstream side in particular. Is preferably made of a non-metallic material.
  • the upstream filter layer and the lower filter layer are not limited to a single-layer structure, and may have a plurality of layers.
  • FIG. 12 is a diagram schematically showing a configuration of a semiconductor manufacturing apparatus 500 which is an example of a substrate processing apparatus configured using the gas cleaning apparatus 100 shown in FIG.
  • the semiconductor manufacturing apparatus 500 is a CVD (chemical vapor deposition) apparatus having a general vertical furnace.
  • the semiconductor manufacturing apparatus 500 has a casing 501. Inside the body 501 is installed a vertical furnace 503 that performs film formation by CVD. In addition, a substrate holding unit 504 that holds a plurality of wafers and conveys the held wafers to the inside of the vertical furnace 503 is installed inside the housing unit 501.
  • the substrate holder 504 is configured to be inserted into the vertical furnace while holding the wafer by an operating mechanism (not shown). Further, a wafer (substrate to be processed) is configured to be loaded from the loading unit 502 into the housing unit 501.
  • the gas cleaning device 100 described in the first embodiment is installed inside the casing unit 501, and the gas (air) taken from the periphery of the casing unit 501 is The gas cleaning device 100 removes particles (substance that becomes a contamination source) and supplies the particles to the inside of the casing 501.
  • the substrate processing apparatus using the gas cleaning apparatus 100 is not limited to the above example.
  • the above-mentioned gas cleaning apparatus is also applied to a type (single-wafer) film forming apparatus or etching apparatus or coater Z developer unit that processes wafers one by one. It is possible.
  • examples of the substrate processing apparatus include a substrate storage device and a substrate transfer device. Moreover, you may use for the atmosphere control of a clean room, etc.
  • gas for removing fine particles and supplying clean gas is provided. It becomes possible to provide a body cleaning apparatus and a semiconductor manufacturing apparatus using the gas cleaning apparatus.

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Abstract

　気体中のパーティクルを除去する気体清浄装置であって、第１のフィルタ層と、第２のフィルタ層と、を有し、前記第１のフィルタ層を構成する繊維の径が、前記第２のフィルタ層を構成する繊維の径より太いことを特徴とする気体清浄装置。また、上記の気体清浄装置を用いた半導体製造装置。

Description

明 細 書
気体清浄装置および半導体製造装置
技術分野
[0001] 本発明は、気体中のパーティクルを除去して清浄な気体を生成する気体清浄装置 および当該気体清浄装置を用いた半導体製造装置に関する。
背景技術
[0002] 半導体装置 (半導体チップ)などの微細なデバイスを含む装置を製造する場合には 、雰囲気中にパーティクル (微粒子）が存在すると製造の歩留まり低下の原因となる 場合がある。このため、半導体製造装置によって半導体ウェハをノヽンドリングする場 合には、パーティクルが低減された雰囲気中で行う必要がある。
[0003] 例えば、半導体製造装置周辺や半導体製造装置内部 (例えばウェハローデイング 部など）のパーティクルを低減するために、 HEPA(High Efficiency Particulate Air) フィルタや ULPA (Ultra Low Penetration Air)フィルタなどのパーティクルを捕集する フィルタを通して空気が供給される方法がとられる場合があった。
[0004] しかし、近年の半導体装置の微細化 ·高性能化に伴い、従来は問題とならな力つた レベルの様々な汚染が問題となってきており、従来のフィルタでは気体の清浄度が 十分とならな 、場合が考えられる。
[0005] 例えば、微細化が進行した高性能の半導体装置では、従来は検出すること自体が 困難であった微細なパーティクルが問題になる場合がある。これらの微細なパーティ クル (例えば 50nm以下）については、雰囲気中から除去する技術については、これ まで検討された例は殆どな力 た。
[0006] したがって、従来の ULP Aフィルタなどでは、微細なパーティクルの除去が不十分 となって、半導体装置の製造の歩留まりが低下してしまう懸念が生じていた。
特許文献 1：平 7— 66165号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0007] そこで、本発明は、上記の問題を解決した、新規で有用な気体清浄装置、および 当該気体清浄装置を用いた半導体製造装置を提供することを統括的課題として 、る
[0008] 本発明の具体的な課題は、微細なパーティクルを除去して清浄な気体を供給する ための気体清浄装置、および当該気体清浄装置を用いた半導体製造装置を提供す ることである。
課題を解決するための手段
[0009] 本発明の第 1の観点では、上記の課題を、気体中のパーティクルを除去する気体 清浄装置であって、前記気体の上流側と下流側にそれぞれ設置された第 1のフィル タ層および第 2のフィルタ層を有し、前記第 1のフィルタ層では、前記第 2のフィルタ 層で補集されるパーティクルよりも小さいパーティクルが補集されることを特徴とする 気体清浄装置により、解決する。
[0010] また、本発明の第 2の観点では、上記の課題を、上記の気体清浄装置を有する基 板処理装置により、解決する。
[0011] また、本発明の第 3の観点では、上記の課題を、気体中のパーティクルを除去する 気体清浄装置であって、第 1のフィルタ層と、第 2のフィルタ層と、を有し、前記第 1の フィルタ層と前記第 2のフィルタ層は、パーティクルの粒径の変化に対する捕集効率 の特性が異なることを特徴とする気体清浄装置により、解決する。
[0012] また、本発明の第 4の観点では、上記の課題を、気体中のパーティクルを除去する 気体清浄装置であって、第 1のフィルタ層と、第 2のフィルタ層と、を有し、前記第 1の フィルタ層と前記第 2のフィルタ層は、同じ粒径のパーティクルに対する捕集効率が 異なることを特徴とする気体清浄装置により、解決する。
発明の効果
[0013] 本発明によれば、微細なパーティクルを除去して清浄な気体を供給するための気 体清浄装置、および当該気体清浄装置を用いた半導体製造装置を提供することが 可能となる。
図面の簡単な説明
[0014] [図 1]実施例 1による気体清浄装置を示す図である。
[図 2]従来の気体清浄装置を示す図である。 [図 3]図 2の気体清浄装置の評価結果を示す図 (その 1)である。
[図 4]図 2の気体清浄装置の評価結果を示す図 (その 2)である。
[図 5]図 2の気体清浄装置の評価結果を示す図 (その 3)である。
[図 6]図 2の気体清浄装置の評価結果を示す図 (その 4)である。
[図 7]図 2の気体清浄装置の評価結果を示す図 (その 5)である。
[図 8]図 1の気体清浄装置の評価方法を示す図である。
[図 9]図 1の気体清浄装置の評価結果を示す図である。
[図 10]繊維状フィルタの捕集効率を示す図である。
[図 11]図 1の気体清浄装置の変形例を示す図である。
[図 12]実施例 2による半導体製造装置を示す図である。
符号の説明
[0015] 100, 200, 300 気体清浄装置
100A, 200A 1次側空間
100B, 200B 2次側空間
101, 102, 202 フィルタ部
101A, 102A, 104A, 202 A フィルタ層
103, 203 送風部
103A, 203A 送風手段
101B, 102B, 103B, 104B, 202B, 203B 筐体部
500 半導体製造装置
501 筐体部
502 装填部
503 縦型炉
504 基板保持部
発明を実施するための最良の形態
[0016] 本発明に係る気体清浄装置は、気体中のパーティクルを除去する気体清浄装置で あって、第 1のフィルタ層と、第 2のフィルタ層と、を有し、前記第 1のフィルタ層を構成 する繊維の径が、前記第 2のフィルタ層を構成する繊維の径より太いことを特徴として いる。
[0017] 従来、微細なパーティクル (例えば 50nm以下）については、検出すること自体が困 難であった。このため、従来の気体清浄装置 (フィルタ）については、これらの微細な パーティクルを雰囲気中から除去する機能について実質的に考慮されることがなか つた。したがって、従来の気体清浄装置では、 50nm以下のパーティクルが充分に捕 集されず、従来の気体清浄装置により供給される気体によって清浄な雰囲気が汚染 されてしまう懸念があった。
[0018] 一方、本発明による気体清浄装置では、パーティクルを捕集するための、繊維状の 材料より構成されるフィルタ層を複数 (第 1のフィルタ層、第 2のフィルタ層）設けてい る。また、前記第 1のフィルタ層を構成する繊維の径カ 前記第 2のフィルタ層を構成 する繊維の径より太いことを特徴としている。このため、本発明による気体清浄装置で は、従来測定そのものが困難であった微細なパーティクルを気体中から除去すること が可能になっている。
[0019] 従来、微細なパーティクルを捕集するためには、繊維状フィルタの繊維の径を細く することが効果的と考えられてきた。しかし、繊維状フィルタの繊維の径をある程度以 上細くした場合には、少なくとも所定の粒径以下となる微細なパーティクル (例えば粒 径 50nm以下)を捕捉する効率は逆に低下してしまうことを本発明の発明者は見出し た。
[0020] このため、従来のフィルタでは、粒径が数百 nm程度の、従来の測定方法で検出が 可能なサイズのパーティクルと、粒径が 50nm以下程度の従来の測定方法では検出 が困難であったパーティクルの双方を効率的に気体中から除去することが困難であ ることがわかった。
[0021] そこで、本発明の発明者が鋭意研究した結果、所定のサイズ以下（50nm以下)の 微細なパーティクルを捕集するための、太い径の繊維により構成されるフィルタ層と、 所定のサイズ以上のパーティクルを捕集するための、細い径の繊維により構成される フィルタ層を組み合わせることにより、効率的にパーティクルを除去できることが明ら カゝとなった。
[0022] 次に、上記の気体清浄装置の構成例と、パーティクル除去の原理について図面に 基づき、説明する。
実施例 1
[0023] 図 1は、本発明の実施例 1による気体清浄装置 (フィルタ） 100を模式的に示す断面 図である。図 1を参照するに、本実施例による気体清浄装置 100は、 1次側空間 100 Aと、 2次側空間 100Bの間に設置され、前記 1次側空間 100Aから供給される気体（ 例えば空気）を濾過してパーティクルを除去し、前記 2次側空間 100Bに供給する構 造になっている。
[0024] また、前記気体清浄装置 100は、気体の流れを形成するための気体送風部 103と 、該気体送風部 103から供給される気体中のパーティクルを除去するためのフィルタ 部 101、フィルタ部 102とが積層された構造を有して 、る。
[0025] 前記送風部 103は、筐体部 103Bに、送風手段（例えばファンなど） 103Aが収納さ れた構造を有している。前記フィルタ部 101は、筐体部 101B内にフィルタ層 101 A が収納された構造を有している。また、前記フィルタ部 102は、筐体部 102B内にフィ ルタ層 102Aが収納された構造を有して 、る。
[0026] この場合、前記フィルタ層 101Aで粒径の小さ!/、パーティクル（例えば 50nm以下） をおもに捕集し、前記フィルタ層 102Aで、当該フィルタ層 101Aで捕集されるパーテ イタルより粒径の大き 、パーティクルをおもに捕集する。
[0027] 本実施例による気体清浄装置 100は、上記の構造を有しているため、粒径の小さ いパーティクルから、比較的粒径の大きいパーティクルまで効率よく気体中から除去 し、清浄な気体を前記 2次側空間 100Bに供給することが可能になっている。
[0028] 前記フィルタ層 101A、 102Aは、ともに繊維状のフィルタ層により構成されており、 フィルタを構成する繊維の繊維径は、フィルタ層 101Aでフィルタ層 102Aより太くな つている。すなわち、繊維径の太いフィルタ層を敢えて用いたことで、より粒径の小さ いパーティクルまで除去することが可能になっている。例えば、上記のフィルタ層 102 A力 通常の ULP Aフィルタに相当する。
[0029] このため、従来除去が困難であった微細なパーティクルを除去し、微細な金属また は金属化合物粒子によって被処理基板 (ウェハなど）が金属汚染されてしまうことを、 効果的に抑制することができる。 [0030] 次に、本実施例による気体清浄装置の原理とその効果を説明するために、まず、従 来の気体清浄装置によるパーティクル (金属汚染)の除去の実験と、その効果の分析 結果について、図 2〜図 7を用いて説明する。図 2は、パーティクル除去効果の評価 に用いた、従来の気体清浄装置 200を模式的に示す図である。
[0031] 図 2を参照するに、本図に示す気体清浄装置 200は、 1次側空間 200Aと、 2次側 空間 200Bの間に設置され、前記 1次側空間 200Aから供給される気体 (例えば空気 )を濾過してパーティクルを除去し、前記 2次側空間 200Bに供給する構造になって いる。前記気体清浄装置 200は、気体の流れを形成するための気体送風部 203と、 該気体送風部 203から供給される気体中のパーティクルを除去するためのフィルタ 部 202とが積層された構造を有している。
[0032] 前記送風部 203は、筐体部 203Bに、送風手段（例えばファンなど） 203Aが収納さ れた構造を有している。前記フィルタ部 202は、筐体部 202B内にフィルタ層 202A が収納された構造を有している。前記フィルタ層 202Aは、繊維状のフィルタ層（UL PAフィルタ）により構成されている。
[0033] 上記の構成において、前記 1次側空間 200Aにウェハ wlを、前記 2次側空間 200 Bにウェハ w2を設置して、パーティクルの挙動とパーティクルの除去の状態を調べた
[0034] 図 3は、図 2に示した 1次側空間 200A (パーティクル除去前の空間）に 10分間放置 したシリコンウェハ wl上のパーティクル数を調べた結果を示す図である。図 3を参照 するに、ウェハ wl上のパーティクルは、粒径が小さなもの程多くなる傾向を示してい る。例えば、パーティクルによる半導体装置製造工程の汚染の防止を考えた場合、こ のような粒径の小さな、除去の困難なパーティクルを如何に除去するかが重要となる 。このため、本発明の発明者は、微細なパーティクルの挙動について以下に示すよう な分析を行った。
[0035] 図 4は、図 3に示したパーティクルを SEM (走査型電子顕微鏡)で任意に選択し、 E DX (エネルギー分散型 X線分析装置)を用いて分析し、粒径と成分を調べた結果を 示す図である。上記の分析では、パーティクルのうち、金属に係るパーティクルの分 析結果のみを表示している。上記の分析では、 SEMを用いてパーティクルを検索し 、検索したパーティクルに対して EDXで分析を行って成分 (元素）を特定している。ま た、それぞれの元素にっ ヽて、ノ ーテイクノレの粒径力 0. 1—0. 5 /ζ πι、 0. 5— 1. 0 m、 1. 0 m以上である個数についても調べている。
[0036] また、図 5は、図 2に示した 1次側空間 200Aに 10分間放置したシリコンウェハ wlの 表面の金属汚染を、 VPD ICP— MS (気相分析法 +誘導結合プラズマ質量分析法 )を用いて分析した結果を示す図である。
[0037] 図 4、図 5を参照するに、図 4の分析結果と図 5の分析結果とは、一見すると結果が 必ずしも一致していない面があることがわかる。例えば Naを例にとって、図 4と図 5の 分析結果を比較してみる。図 4によると、 Naのパーティクル数は A1や Caと比べて少な いにもかかわらず、図 5の分析によると、 Naの汚染度は、各元素の中で最も高い傾向 を示している。
[0038] 上記の図 4、図 5の結果を鑑みると、例えばウェハ表面の Na汚染に関しては、図 4 に示した分析で検出されなかった 0. lnm(lOOnm)以下の粒径のパーティクルによ る影響が大きいと考えられる。すなわち、金属汚染 (例えば Naなど）においては、現 状の技術で検出が困難である微細なパーティクルによる影響が大きいと推察される。
[0039] また、以下の表は、図 2に示した 2次側空間 200Bに 60時間放置したウェハ w2のパ 一ティクル増加量を示している。下記の表には、パーティクルの粒径力 0. 05-0. 06 ^ m, 0. 06-0. 08 ^ m, 0. 08— 0. 10 ^ m, 0. 10— 0. 12 ^ m, 0. 12— 0. 15 m、 0. m以上の場合におけるそれぞれの増加量を示している。
[0040] [表 1]
Figure imgf000009_0001
この 、 力 s0. 05-0. 06 /z mのノ ーテイクノレ力 13{@、 力^). 08-0. 1 0 mのパーティクルが 5個増加しており、上記の気体清浄装置を透過してしまうパー ティクルが存在することが確認された。
[0041] また、図 6は、前記ウェハ w2の表面の金属汚染を、 VPD ICP— MSを用いて分析 した結果を示す図である。ここでは、前記 1次側空間 200Aから前記 2次側空間 200
Bへの金属元素の透過を評価して!/、る。
[0042] また、上記の評価に使用したウェハは、あら力じめウェハ表面の金属を所定の濃度 以下（例えば、 Naについては 2 X 108atoms/cm2以下、 A1については 3 X 108atoms/c m2以下）となるまで除去している。図 6の検出結果については、このような金属除去の 処理済のウェハの表面金属検出量を基準値とした。
[0043] また、図中、物質「Z」は、 ICP— MSにて mZz = 64にピークがあり、 Znあるいは S 化合物 、 SO )が検出されたと考えられ、この評価では Znの検量線を用いて定量
2 2
を行った。また、図中、それぞれの元素毎に、定量下限値を a、基準値 (上記の表面 の金属除去の処理後であって放置開始時の値）を b、 60時間放置後の測定値を cで 示している。
[0044] 図 6を参照するに、前記 2次側空間 200Bに 60時間放置されたウェハ w2表面では 、 Na、 Al、 Fe、（物質 Z)などは汚染レベルが増大しており、前記気体清浄装置 200 によっては十分に金属汚染源 (パーティクル）が除去できないことが明ら力となった。
[0045] 次に、上記の金属汚染の原因と考えられるパーティクルについて、 Naの場合を例 にとり、以下の分析を行った。図 7は、ウェハ表面の Na金属汚染量と、その汚染量か ら推定される、 Naを含むパーティクル数の相関について示した図である。上記の推 定では、 Naの汚染源となるパーティクルは NaClの形で存在し、またパーティクルの 形状は球状であると仮定している。具体的には、パーティクルの粒径力 50nm、 5n m、および lnmの場合について、それぞれウェハ表面に存在すると考えられるパー ティクル数を示している。
[0046] 図 7を参照するに、例えばパーティクル (NaCUりなるパーティクル）の粒径が 50η mである場合には、図 6に示した Naの検出量に相当するためのパーティクル数は、ゥ ェハ（300mm)あたり、 3 X 105個程度となる。一方で、ウェハ表面のパーティクル増 カロ数は、先に示したように、粒径力 SO. 05 m〜0. 1 m (50nm〜： LOOnm)の範囲 で 18個となっている。
[0047] 上記の結果を鑑みると、前記気体清浄装置 100 (既存の ULPAフィルタ）を透過し た、 Naの汚染に係る物質は、粒径が 50nm以下のパーティクルが殆どであると考えら れる。例えば、粒径が 50nm以下のパーティクルは、検出自体が困難であり、これま で除去方法や金属汚染との相関関係について殆ど検討された例が無力つた。
[0048] 次に、これらの微細なパーティクルの除去の評価について、図 8〜図 10に基づき、 説明する。
[0049] 図 8は、図 1に記載した気体清浄装置 100を用いて行った、パーティクル (金属汚染 )の除去の評価方法を模式的に示した図である。ただし、図 1で先に説明した部分に は同一の符号を付し、説明を省略する。また、上記の評価においては、前記フィルタ 層 101 Aと前記フィルタ層 102Aは、最初の評価として敢えて構成する材質や密度が 同じになるように（2重 ULPAフィルタとなるように）した。
[0050] 具体的には、フィルタ層 101A, 102Aとして、ダイキン工業株式会社製、 ULPAフ ィルタ（風速 0. 5mZsecで、粒径が 0. 15 mの粒子に対して、 99. 9995%以上の 粒子捕集効率をもち、かつ、初期圧力損失が 245Pa以下の性能のエアフィルタ)を 用いた。
[0051] 図 8を参照するに、上記の気体清浄装置 100の前記 2次側空間 100Bに、シリコン ウェハ（300mm) W2を設置し、 60時間放置して、パーティクルの増加と表面の金属 汚染の評価を行った。
[0052] 以下の表は、上記のウェハ W2のパーティクルの増加数を示すものである。下記の 表に ίま、ノ ーテイクノレの粒径力 0. 05-0. 06 μ m、 0. 06— 0. 08 μ m、 0. 08— 0 . 10 ^ m, 0. 10-0. 12 ^ m, 0. 12— 0. 15 ^ m, 0. 15 m以上の場合における それぞれの増加量を示している。また、「Single」は、図 2に示した評価方法による結 果を、「double」は、図 8に示した評価方法による結果を示している。
[0053] [表 2] Particle 0.05- 0.06— 0.08 - 0.10 - 0.12-
0.150- Total
Size [um] 0.06 0.08 0.10 0.12 0.15
13 0 5 0 0 0 18
(signal ULPA filter)
2 0 0 0 0 0 2
(double ULPA filter)
上記に示すように、フィルタ層を 2重にしたことで、透過するパーティクルが減少して いることがわ力る。
[0054] また、図 9は、図 6で説明した分析の場合と同様にして、上記のウェハ W2の表面の 金属汚染を、 VPD ICP— MSを用いて分析した結果を示す図である。図 9において は、先に示した図 6に、上記のウェハ W2の評価結果 (検出結果 d)を付加して示して いる。ただし、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する。図 9を参 照するに、 ULPAフィルタを 2重にした結果、 Na、 Al、 Feのウェハ上での検出量が低 減する事が確認された。
[0055] また、図 4〜図 5、および図 6〜図 7の説明に記載したように、 Naの汚染の原因とな つて!/、るパーティクルは他の金属汚染の原因となって 、るパーティクルに比べて特に 粒径が小さいと考えられ、 Naの汚染を低減するためには、 Naを含む微細な 50nm以 下のパーティクルを効果的に除去することが好ましい。
[0056] このため、図 1で先に説明した気体清浄装置 100では、通常の ULPAフィルタに相 当するフィルタ層 102Aに加えて、当該フィルタ層 102Aを構成する繊維よりも太 ヽ繊 維径を有する繊維により構成されたフィルタ層 101 Aをさらに有する構成になって!/ヽ る。
[0057] このため、上記の気体清浄装置 100では、当該フィルタ層 102Aの 1層のみ（または 当該フィルタ層 102Aを積層する構造)では除去が困難であった、 Naを含む粒径 50 μ m以下のパーティクルを効率的に除去することが可能になっている。以下にこの理 由について説明する。
[0058] 図 10は、繊維状のフィルタによってパーティクルを除去する場合に、繊維径 dfを変 更した場合の捕集効率を示した図である（「エアロゾルテクノロジー」、ウィリアム C.ハ インズ著、井上書院発行、 pi 78記載)。図 10は、繊維径 dfを、 0. 5 m、 2 m、お よび 10 mとした場合の捕集効率の違いを示している。グラフの横軸は捕集される パーティクルの粒径を、縦軸は捕集効率を示している。
[0059] 図 10を参照するに、一般的には、繊維径を細くした場合に微細なパーティクルの 捕集効率が良好であると考えられてきた。例えば、繊維径が細くなると、最低捕集効 率 (グラフの極小点）を示す粒径は小さくなり、最低捕集効率は増大する（「エアロゾ ルテクノロジー」、ウィリアム C.ノ、インズ著、井上書院発行、 pl79記載)。これは、「最 低捕集効率」を示すグラフの極小点の位置は、繊維径を細くすることで左側に移動し 、かつ極小点も大きく（捕集効率が高く）なっていることを意味している。
[0060] しかし、図 10を見ると、それぞれの繊維径における最低捕集効率 (極小点）の左側
(粒径が小さくなる側)で考えた場合、繊維径が太!、方が捕集効率が大きくなつて!、 る傾向があることがわかる。この傾向は、 100nm (0. 1 m)以下の微少な粒径のパ 一ティクルを捕集する場合には、フィルタの繊維径が太 、方が有効であることを示唆 していると考えられる。
[0061] 上記の現象は、微少なパーティクルを捕集するためには、フィルタ材への衝突確率 を上げることが有効であり、そのためには有る程度繊維径を太くすることが好ましい可 能性があることを示唆して 、ると考えられる。
[0062] すなわち、所定の粒径以上のパーティクル（lOOnm程度以上）を捕集する場合に は、フィルタを構成する繊維の繊維径は細い方が有利である力 所定の粒径以下（5 Onm以下）を捕集する場合には、フィルタを構成する繊維の繊維径は太い方が有利 であると予測される。
[0063] 例えば、 Na汚染の原因となるパーティクルを考えた場合、先に図 6〜図 7で説明し たように、汚染に寄与するパーティクルの粒径は殆どが 50nm以下であると考えられ る。この場合、繊維径が太い繊維により構成されるフィルタ層を用いることが、金属汚 染 (Na汚染）を抑制するためには有効である。一方で、粒径が lOOnm以上のパーテ イタルは、従来考えられてきたように、繊維径が細い繊維により構成されるフィルタ層 を用いて捕集することが好まし 、。
[0064] そこで、図 1に示した気体清浄装置 100では、繊維の径が異なるフィルタを組み合 わせることによって、粒径が 50nm以下の微細なパーティクルと、粒径が数百 nmのパ 一ティクルの双方を効率的に除去することが可能な構成となっている。
[0065] 言 、換えれば、上記の気体清浄装置 100では、パーティクルの捕集効率が異なる フィルタ層（パーティクルの粒径の変化に対する捕集効率の特性が異なるフィルタ層 、または、同じ粒径のパーティクルに対する捕集効率が異なるフィルタ層）を組み合 わせる（積層する）ことで、粒径が 50nm以下の微細なパーティクルと、粒径が数百 n mのパーティクルの双方を効率的に除去することが可能な構成となっている。
[0066] また、図 10に示すフィルタの最低捕集効率 (グラフの極小点）に着目すると、所定 の粒径以上 (例えば lOOnm以上）のパーティクルを捕集する場合には、最低捕集効 率の大きいフィルタが好適であり、所定の粒径以下（例えば 50nm以下）のパーテイク ルを捕集する場合には、最低捕集効率の小さ ヽフィルタが好適であることがわかる。 すなわち、最低捕集効率の異なるフィルタを組み合わせる (積層する)ことで、粒径が 50nm以下の微細なパーティクルと、粒径が数百 nmのパーティクルの双方を効率的 に除去することが可能となって 、る。
[0067] また、図 9に示す実験結果からもわ力るように、 ULPAフィルタを積層することによつ ても、従来の気体清浄装置では透過して!/、た 50nm以下のパーティクル数を減少さ せることが可能である。この場合、前記フィルタ層 101A, 102Aは、定格風量で粒径 が 0. 15 mの粒子〖こ対して 99. 9995%以上の粒子捕集効率を持ち、かつ、初期 圧力損失が 245Pa以下の性能をもつフィルタ (JIS Z8122にて規定)を積層して構 成してちょい。
[0068] また、上記の気体清浄装置 100においては、前記フィルタ層 101Aの圧力損失は、 フィルタ層 102Aの圧力損失より小さくなり、総合的に圧力損失を考えた場合、繊維 径の細いフィルタ (フィルタ層 102A)を積層した場合よりも圧力損失が小さくなる。
[0069] また、前記フィルタ層 101A、 102Aのうち、繊維径の太いフィルタ層 101A力 気体 の送風の上流側に設置されることが好ましい。これは、粒径の小さいパーティクルの 方が捕集され、凝集した後にフィルタ層から脱離しやすぐ上記の構造だと脱離した パーティクルをフィルタ層 102Aで再捕集することも可能であるからである。
[0070] また、フィルタ層 101A、 102Aで効率よくパーティクルを捕集するために、フィルタ 層 101 Aとフィルタ層 102Aの空隙率が異なるように構成してもよ 、。
[0071] また、上記の気体清浄装置 100に、さらに気体中の有機物またはイオンを除去する 除去層をカ卩えてもよい。図 11は、図 1に示した気体清浄装置 100の変形例である。た だし、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する。
[0072] 図 11を参照するに、本図に示す気体清浄装置 300は、図 1に示した気体清浄装置 100に、有機物またはイオンを除去するための除去層 104が付加された構造を有し ている。当該除去層は、筐体部 104Bに、フィルタ層 104Aが収納された構造となつ ている。このように、有機物またはイオンを除去するための層を付加することで、金属 汚染に加えて有機物やイオンによる汚染を効果的に抑制することが可能になる。
[0073] また、フィルタ層は、繊維状のものに限定されるわけではない。例えば、気体の流れ の上流側に設置されるフィルタ層は、ガラス、金属、榭脂、セラミック、および活性炭よ りなる群力も選択される材料によって構成してもよい。また、気体の流れの下流側に 設置されるフィルタ層は、例えば、ガラスまたは榭脂のいずれカゝより構成されていても よい。また、上流側のフィルタ層では、先に説明したように、粒径が 50nm以下の、金 属 (Naなど)を主成分とするパーティクルが除去されるため、特に下流側に設置され るフィルタ層は、非金属材料より構成されることが好ましい。また、上流側のフィルタ層 と、下層側のフィルタ層は、単層よりなる構造に限定されず、複数の層よりなる構造で あってもよい。
実施例 2
[0074] また、実施例 1に示した気体清浄装置 100 (または気体清浄装置 300)を用いて、 基板処理装置を構成することが可能である。
[0075] 図 12は、図 1に示した気体清浄装置 100を用いて構成した基板処理装置の一例で ある、半導体製造装置 500の構成を模式的に示した図である。前記半導体製造装置 500は、 ヽゎゆる縦型炉を有する CVD (化学気相成長）装置である。
[0076] 図 12を参照するに、前記半導体製造装置 500は、筐体部 501を有しており、該筐 体部 501の内部には、 CVDによる成膜を内部で行う縦型炉 503が設置されている。 また、該筐体部 501の内部には、複数のウェハを保持するとともに、保持したウェハを 前記縦型炉 503の内部に搬送する基板保持部 504が設置されている。
[0077] 前記基板保持部 504は、図示を省略する稼働機構によって、ウェハを保持した状 態で縦型炉の内部に挿入されることが可能に構成されている。また、ウェハ (被処理 基板）は、装填部 502から前記筐体部 501の内部に装填される構造になっている。
[0078] 上記の構造において、前記筐体部 501の内部には実施例 1に記載した気体清浄 装置 100が設置されており、当該筐体部 501の周囲にから取り込まれた気体 (空気） は、該気体清浄装置 100によってパーティクル (汚染源となる物質)が除去されて該 筐体部 501の内部に供給される構造になって 、る。
[0079] 前記筐体部 501の内部では、成膜の前 (縦型炉に充填する前）のゥ ハや、または 成膜完了後 (縦型炉力 排出された)ウェハが取り扱われる領域であり、雰囲気中の パーティクルや汚染物質が除去されていることが好ましい。本実施例による半導体製 造装置では、このような、ウェハがハンドリングされる領域には、先に説明した気体清 浄装置 100で濾過された清浄な気体が供給される構造になっている。このため、前 記筐体部 501内でのウェハの汚染が低いレベルに抑制され、前記半導体製造装置 500の歩留まりが良好となる。
[0080] また、前記気体清浄装置 100を用いた基板処理装置は、上記の例に限定されるも のでない。例えば、気体清浄装置を用いた半導体製造装置として、ウェハを 1枚毎に 処理するタイプ (枚葉）の成膜装置やエッチング装置、またはコーター Zデベロツバ 一などにも上記の気体清浄装置を適用することが可能である。また、上記の基板処 理装置の例としては、半導体製造装置の他に、例えば、基板保管装置や、基板搬送 装置などがある。また、クリーンルームの雰囲気制御などに用いてもよい。
[0081] 以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は上記の特定の実施 例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内にお 、て様々な変 形 ·変更が可能である。
産業上の利用可能性
[0082] 本発明によれば、微細なパーティクルを除去して清浄な気体を供給するための気 体清浄装置、および当該気体清浄装置を用いた半導体製造装置を提供することが 可能となる。
本国際出願は、 2006年 4月 7日に出願した日本国特許出願 2006— 106664号に 基づく優先権を主張するものであり、 2006— 106664号の全内容を本国際出願に 援用する。

Claims

請求の範囲
[1] 気体中のパーティクルを除去する気体清浄装置であって、
前記気体の上流側と下流側にそれぞれ設置された第 1のフィルタ層および第 2のフ ィルタ層を有し、
前記第 1のフィルタ層では、前記第 2のフィルタ層で補集されるパーティクルよりも小 さいパーティクルが補集されることを特徴とする気体清浄装置。
[2] 前記第 1のフィルタ層を構成する繊維の径が、前記第 2のフィルタ層を構成する繊 維の径より太いことを特徴とする請求項 1記載の気体清浄装置。
[3] 前記パーティクルは、粒径が 50nm以下であって金属を含むことを特徴とする請求 項 2記載の気体清浄装置。
[4] 前記第 1のフィルタ層の圧力損失が、前記第 2のフィルタ層の圧力損失より小さいこ とを特徴とする請求項 2記載の気体清浄装置。
[5] 前記第 1のフィルタ層が、単層または複数の層より構成されていることを特徴とする 請求項 1記載の気体清浄装置。
[6] 前記第 1のフィルタ層を構成する材料が、金属、榭脂、セラミック、活性炭よりなる群 より選択され、前記第 2のフィルタ層を構成する材料が、ガラスまたは榭脂のいずれ 力であることを特徴とする請求項 1記載の気体清浄装置。
[7] 前記気体中の有機物またはイオンを除去する除去層をさらに有することを特徴とす る請求項 1記載の気体清浄装置。
[8] 請求項 1乃至 7のうち、いずれか 1項記載の気体清浄装置を有する基板処理装置。
[9] 気体中のパーティクルを除去する気体清浄装置であって、
第 1のフィルタ層と、
第 2のフィルタ層と、を有し、
前記第 1のフィルタ層と前記第 2のフィルタ層は、パーティクルの粒径の変化に対す る捕集効率の特性が異なることを特徴とする気体清浄装置。
[10] 気体中のパーティクルを除去する気体清浄装置であって、
第 1のフィルタ層と、
第 2のフィルタ層と、を有し、 前記第 1のフィルタ層と前記第 2のフィルタ層は、同じ粒径のパーティクルに対する 捕集効率が異なることを特徴とする気体清浄装置。
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