KR20120095947A - 나노 화이버 제조 장치, 및 나노 화이버 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
균일한 막두께이고 품질도 균일한 나노 화이버의 퇴적물을 제조한다. 원료액(300)을 공간에 유출시키는 유출 구멍(118)을 갖는 유출체(115)와, 유출체(115)와 소정의 간격을 두고 배치되는 대전 전극(128)과, 유출체(115)와 대전 전극(128) 사이에 소정의 전압을 인가하는 대전 전원(122)과, 공간 중에서 제조된 나노 화이버(301)를 유인하는 전계를 발생시키는 유인 전극(121)으로서, 유인한 나노 화이버(301)를 퇴적시키는 면형상의 퇴적 영역(A)을 표면에 갖는 유인 전극(121)과, 유인 전극(121)에 소정의 전위를 인가하는 유인 전원(123)과, 퇴적 영역(A)에서의 퇴적된 나노 화이버에 의한 저항값의 불균일을 억제하는 퇴적 영역(A) 전체에 배치되는 절연층(101)을 구비한다.
Description
본원 발명은, 정전 연신 현상에 의해 서브미크론 오더나 나노 오더의 가늘기인 섬유(나노 화이버)를 제조하는 나노 화이버 제조 장치, 나노 화이버 제조 방법에 관한 것이다.
수지 등으로 이루어지고, 서브미크론 스케일이나 나노 스케일의 직경을 갖는 실형상(섬유상) 물질을 제조하는 방법으로서, 정전 연신 현상(electrospinning)을 이용한 방법이 알려져 있다.
이 정전 연신 현상이란, 용매 중에 수지 등의 용질을 분산 또는 용해시킨 원료액을 공간 중에 노즐 등에 의해 유출(분사)시킴과 더불어, 원료액에 전하를 부여해 대전시키고, 공간을 비행중인 원료액을 전기적으로 연신시킴으로써, 나노 화이버를 얻는 방법이다.
보다 구체적으로 정전 연신 현상을 설명하면 다음과 같이 된다. 즉, 대전되어 공간 중에 유출된 원료액은, 공간을 비행중에 서서히 용매가 증발해 간다. 이에 의해, 비행중의 원료액의 체적은, 서서히 감소해 가지만, 원료액에 부여된 전하는, 원료액에 남아있다. 이 결과로서, 공간을 비행중인 원료액은, 전하 밀도가 서서히 상승하게 된다. 그리고, 용매는, 계속해서 증발하기 때문에, 원료액의 전하 밀도가 더욱 높아지고, 원료액 중에 발생하는 반발 방향의 클롱력이 원료액의 표면장력보다 큰 시점에서 원료액이 폭발적으로 선상으로 연신되는 현상이 발생한다. 이것이 정전 연신 현상이다. 이 정전 연신 현상이, 공간에서 연달아 기하급수적으로 발생함으로써, 직경이 서브미크론 오더나 나노 오더의 수지로 이루어지는 나노 화이버가 제조된다.
이상과 같은 정전 연신 현상을 이용해 나노 화이버를 제조하는 경우, 특허 문헌 1에 기재된 장치와 같이, 원료액을 공간 중에 유출시키는 노즐과, 상기 노즐과 떨어져 배치되고, 상기 노즐 사이에 고전압이 인가되는 전극을 구비하는 장치가 이용된다. 그리고, 공간 중에서 제조된 나노 화이버는, 노즐과 전극 사이에 발생하는 전계에 유인되어, 전극 상에 퇴적된다.
퇴적된 나노 화이버가 부직포 등으로서 이용되는 경우, 부직포 전체의 막두께의 균일성이나, 부직포를 구성하는 나노 화이버의 밀도의 균일성 등의 퇴적 상태의 균일성이 문제가 되는 경우가 있다. 그래서, 특허 문헌 1에 기재된 나노 화이버 제조 장치는, 복수의 노즐을 매트릭스 형상으로 배치함과 더불어, 노즐 상호간의 전기적인 영향을 억제하기 위해서 노즐 사이에 제어판 등을 배치함으로써, 나노 화이버가 균일하게 퇴적되도록 제어하고 있다.
그런데, 본원 발명자들이 나노 화이버의 퇴적 상태의 균일성을 향상시키기 위해, 실험과 연구를 계속해 온 결과, 원료액이 유출되는 노즐 등의 유출체의 형상 및 배치뿐만 아니라, 나노 화이버가 퇴적되는 전극측의 상태에 따라서도 나노 화이버의 퇴적 상태의 균일성이 무너진다는 것을 발견하기에 이르렀다. 예를 들면, 전극측에 배치한 절연성의 피퇴적 부재에 나노 화이버를 퇴적한 경우, 나노 화이버의 퇴적 상태의 균일성이 무너진다는 것을 발견했다. 그리고, 이 현상이, 피퇴적 부재의 대전 상태의 불균일성에 기인함을 발견했다. 또한, 피퇴적 부재를 통하지 않고 직접 전극 상에 나노 화이버를 퇴적시키는 경우에도, 나노 화이버는, 전극측에 서서히 내려 쌓여 퇴적되어 가기 때문에, 먼저 쌓인 나노 화이버에 의해 전극측 상태가 변화하고(전극 상의 대전 불균일이 발생해) 나중에 내려 쌓이는 나노 화이버에 영향을 끼쳐, 나노 화이버의 퇴적이 거듭됨에 따라 퇴적 상태의 균일성이 크게 무너져 간다는 것도 찾아냈다.
본원 발명은, 상기 지견에 의거해 이루어진 것이며, 퇴적 상태의 높은 균일성을 유지해 나노 화이버를 퇴적시킬 수 있는 나노 화이버 제조 장치, 및, 나노 화이버 제조 방법의 제공을 목적으로 하고 있다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본원 발명에 따른 나노 화이버 제조 장치는, 나노 화이버를 제조하기 위한 원료액을 공간 중에서 전기적으로 연신시켜 나노 화이버를 제조하는 나노 화이버 제조 장치로서, 원료액을 공간에 유출시키는 유출 구멍을 갖는 유출체와, 상기 유출체와 소정의 간격을 두고 배치되고, 상기 유출체를 대전시키는 대전 전극과, 상기 유출체와 상기 대전 전극 사이에 소정의 전압을 인가하는 대전 전원과, 공간 중에서 제조된 나노 화이버를 유인하는 전계를 발생시키는 유인 전극으로서, 유인한 나노 화이버를 퇴적시키는 면형상의 퇴적 영역을 표면에 갖는 유인 전극과, 상기 유인 전극에 소정의 전위를 인가하는 유인 전원과, 상기 유인 전극의 표면이며 상기 퇴적 영역 전체에 배치되는 절연층을 구비하는 것을 특징으로 한다.
이에 의해, 퇴적되는 나노 화이버와 유인 전극 사이에 절연층이 개재하기 때문에, 퇴적 영역의 일부에서 나노 화이버와 유인 전극 사이에서 전하가 흐르는 것을 억제할 수 있어, 퇴적 영역에 존재하는 전하가 불균일하게 되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 퇴적 영역 전체에 걸쳐서 나노 화이버에 잔존하는 전하의 밀도가 균일해져, 유인 전극에서 발생하는 전계를 흩뜨리지 않고 나노 화이버를 균일한 상태로 유인해, 균일한 상태로 퇴적시키는 것이 가능해진다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본원 발명에 따른 나노 화이버 제조 방법은, 나노 화이버를 제조하기 위한 원료액을 공간 중에서 전기적으로 연신시켜 나노 화이버를 제조하는 나노 화이버 제조 방법으로서, 원료액을 공간에 유출시키는 유출 구멍을 갖는 유출체로부터 원료액을 유출시키고, 상기 유출체와 소정의 간격을 두고 배치되고, 상기 유출체를 대전시키는 대전 전극과 상기 유출체 사이에 대전 전원에 의해 소정의 전압을 인가하고, 나노 화이버를 퇴적시키는 면형상의 퇴적 영역을 표면에 갖고, 상기 퇴적 영역 전체에 배치되는 절연층을 갖는 유인 전극에 유인 전원에 의해 소정의 전위를 인가함으로써, 상기 퇴적 영역에 공간 중에서 제조된 나노 화이버를 유인해 퇴적시키는 것을 특징으로 한다.
이에 의해, 퇴적되는 나노 화이버와 유인 전극 사이에 절연층이 개재하기 때문에, 퇴적 영역의 일부에서 나노 화이버와 유인 전극 사이에 전하가 흐르는 것을 억제할 수 있어, 퇴적 영역에 존재하는 전하가 불균일하게 되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 퇴적 영역 전체에 걸쳐서 나노 화이버에 잔존하는 전하의 밀도가 균일해져, 유인 전극에서 발생하는 전계를 흩뜨리지 않고 나노 화이버를 균일한 상태로 유인해, 균일한 상태로 퇴적시키는 것이 가능해진다.
본원 발명에 의하면, 유인 전극 상에 먼저 퇴적된 나노 화이버의 대전 상태에 그다지 영향을 받지 않고, 또한 나노 화이버를 퇴적시킬 수 있어, 퇴적 영역 전체에 걸쳐서 균일한 품질의 부직포를 제조하는 것이 가능해진다.
도 1은, 나노 화이버 제조 장치를 나타낸 사시도이다.
도 2는, 나노 화이버 제조 장치의 주요부를 일부 절결해 나타낸 측면도이다.
도 3은, 유출체를 절결해 나타낸 사시도이다.
도 4는, 나노 화이버 제조 장치를 나타낸 사시도이다.
도 5는, 나노 화이버 제조 장치의 주요부를 일부 절결해 나타낸 측면도이다.
도 6의 (a)는, 유출체의 다른 예를 나타낸 사시도이며, (b)는, 유출체의 다른 예를 일부 절결해 나타낸 측면도이다.
도 7은, 다른 실시형태에 따른 나노 화이버 제조 장치를 나타낸 사시도이다.
도 8은, 다른 실시형태에 따른 나노 화이버 제조 장치를 나타낸 사시도이다.
도 9는, 절연층과 유인 전극과 피퇴적 부재의 관계의 베리에이션의 하나를 측방으로부터 나타낸 평면도이다.
도 10은, 절연층과 유인 전극과 피퇴적 부재의 관계의 베리에이션의 하나를 측방으로부터 나타낸 평면도이다.
도 11은, 절연층과 유인 전극과 피퇴적 부재의 관계의 베리에이션의 하나를 측방으로부터 나타낸 평면도이다.
도 12는, 절연층과 유인 전극과 피퇴적 부재의 관계의 베리에이션의 하나를 측방으로부터 나타낸 평면도이다.
도 2는, 나노 화이버 제조 장치의 주요부를 일부 절결해 나타낸 측면도이다.
도 3은, 유출체를 절결해 나타낸 사시도이다.
도 4는, 나노 화이버 제조 장치를 나타낸 사시도이다.
도 5는, 나노 화이버 제조 장치의 주요부를 일부 절결해 나타낸 측면도이다.
도 6의 (a)는, 유출체의 다른 예를 나타낸 사시도이며, (b)는, 유출체의 다른 예를 일부 절결해 나타낸 측면도이다.
도 7은, 다른 실시형태에 따른 나노 화이버 제조 장치를 나타낸 사시도이다.
도 8은, 다른 실시형태에 따른 나노 화이버 제조 장치를 나타낸 사시도이다.
도 9는, 절연층과 유인 전극과 피퇴적 부재의 관계의 베리에이션의 하나를 측방으로부터 나타낸 평면도이다.
도 10은, 절연층과 유인 전극과 피퇴적 부재의 관계의 베리에이션의 하나를 측방으로부터 나타낸 평면도이다.
도 11은, 절연층과 유인 전극과 피퇴적 부재의 관계의 베리에이션의 하나를 측방으로부터 나타낸 평면도이다.
도 12는, 절연층과 유인 전극과 피퇴적 부재의 관계의 베리에이션의 하나를 측방으로부터 나타낸 평면도이다.
다음에, 본원 발명에 따른 나노 화이버 제조 장치, 나노 화이버 제조 방법을, 도면을 참조하면서 설명한다.
(실시형태 1)
도 1은, 나노 화이버 제조 장치를 나타낸 사시도이다.
도 2는, 나노 화이버 제조 장치의 주요부를 일부 절결해 나타낸 측면도이다.
이들 도면에 나타낸 바와 같이, 나노 화이버 제조 장치(100)는, 나노 화이버(301)를 제조하기 위한 원료액(300)을 공간 중에서 전기적으로 연신시켜 나노 화이버(301)를 제조하는 장치로서, 유출체(115)와, 대전 전극(128)과, 대전 전원(122)과, 유인 전극(121)과, 유인 전원(123)과, 절연층(101)을 구비하고 있다.
또한, 본 실시형태의 경우, 유인 전극(121)이 대전 전극(128)으로서도 기능하고 있다. 즉, 하나의 전극이, 유인 전극(121)으로서도 기능함과 더불어 대전 전극(128)으로서도 기능하고 있다. 또, 유인 전원(123)이 대전 전원(122)으로서도 기능하고 있다. 즉, 하나의 전원이, 유인 전원(123)으로서도 기능함과 더불어, 대전 전원(122)으로서도 기능하고 있다.
또, 본 명세서와 도면에서, 원료액(300)과 나노 화이버(301)를 편의상 구별해서 기재했으나, 나노 화이버(301)의 제조 과정, 즉, 정전 연신 현상이 발생하고 있는 단계에서 원료액(300)으로부터 나노 화이버(301)가 서서히 제조되는 것이므로, 꼭 원료액(300)과 나노 화이버(301)의 경계가 명확하지는 않다.
도 3은, 유출체를 절결해 나타낸 사시도이다.
유출체(115)는, 원료액(300)의 압력(중력도 포함한 경우가 있음)에 의해 원료액(300)을 공간 중에 유출시키기 위한 부재이며, 유출 구멍(118)과 저류조(113)를 구비하고 있다. 유출체(115)는, 유출되는 원료액(300)에 전하를 공급하는 전극으로서도 기능하고 있으며, 원료액(300)과 접촉하는 부분의 적어도 일부는 도전성을 구비한 부재로 형성되어 있다. 본 실시형태의 경우, 유출체(115) 전체가 금속으로 형성되어 있다. 또한, 금속의 종류는 도전성을 구비하고 있으면, 특별히 한정되는 것이 아니라, 황동이나 스테인리스강 등 임의의 재료를 선정할 수 있다.
유출 구멍(118)은, 원료액(300)을 일정한 방향으로 유출시키기 위한 구멍이다. 본 실시형태의 경우, 유출 구멍(118)은, 유출체(115)에 복수개 설치되어 있으며, 유출체(115)가 구비하는 가늘고 긴 직사각형의 면에, 유출 구멍(118)의 선단에 있는 선단 개구부(119)가 나란히 설치되어 있다. 그리고, 유출 구멍(118)으로부터 유출되는 원료액(300)의 유출 방향이 유출체(115)에 대해 같은 방향이 되도록 유출 구멍(118)은 유출체(115)에 설치되어 있다.
또한, 유출 구멍(118)의 구멍 길이나 구멍 직경은, 특별히 한정되는 것이 아니라, 원료액(300)의 점도 등에 따라 적합한 형상을 선정하면 된다. 구체적으로는, 구멍 길이는, 1mm 이상, 5mm 이하의 범위에서 선정되는 것이 바람직하다. 구멍 지름은, 0.1mm 이상, 2mm 이하의 범위에서 선정되는 것이 바람직하다. 또, 유출 구멍(118)의 형상은, 원통형으로 한정되는 것이 아니라, 임의의 형상을 선정할 수 있다. 특히 선단 개구부(119)의 형상은, 원형으로 한정되는 것이 아니라, 삼각형 및 사각형 등의 다각형, 별형 등 내측으로 돌출하는 부분이 있는 형상 등이어도 상관없다. 또, 유출체(115)는, 대전 전극(128)에 대해 이동해도 상관없다.
또, 본 실시형태의 경우, 도 1에 나타낸 바와 같이, 나노 화이버 제조 장치(100)는, 공급 수단(107)을 구비하고 있다. 공급 수단(107)은, 유출체(115)에 원료액(300)을 공급하는 장치이며, 원료액(300)을 대량으로 저류하는 용기(151)와, 원료액(300)을 소정의 압력으로 반송하는 펌프(도시하지 않음)와, 원료액(300)을 안내하는 안내관(114)을 구비하고 있다.
유인 전극(121)은, 공간 중에서 제조된 나노 화이버(301)를 유인하는 전계를 발생시키는 전극으로서, 유인한 나노 화이버(301)를 퇴적시키는 면형상의 퇴적 영역(A)을 표면에 갖는 전극이다. 유인 전극(121)은, 본 실시형태의 경우, 유출체(115)와 소정의 간격을 두고 배치되고, 유출체(115) 사이에 고전압이 인가되는 부재인 대전 전극(128)으로서도 기능하고 있다. 즉, 유인 전극(121)은, 유출체(115)와 대전 전극(128)으로서 기능하는 유인 전극(121) 사이에 인가되는 고전압에 의해, 유출체(115)에 전하를 모아 원료액(300)을 대전시키는 부재이기도 하다.
구체적으로 유인 전극(121)(대전 전극(128))은, 유출체(115)를 향해(z축 방향) 완만하게 돌출하도록 만곡한 면을 일면에 갖는 블록형의 도체로 이루어지는 부재이다. 또, 본 실시형태의 경우, 대전 전극(128)은, 접지되어 있다. 유인 전극(121)(대전 전극(128))을 만곡시킴으로써, 유인 전극(121)(대전 전극(128))에 올려놓아지는 피퇴적 부재(201)(후술)도 나노 화이버(301)가 퇴적되는 부분이 돌출하도록 만곡시킬 수 있다. 이에 의해, 피퇴적 부재(201)에 퇴적된 후의 나노 화이버(301)가 수축함으로써 피퇴적 부재(201)가 휘어져 버리는 것을 방지하는 것이 가능해진다.
또한, 유인 전극(121)(대전 전극(128))은, 만곡한 형상뿐만 아니라, 표면이 평면이어도 상관없다.
유인 전원(123)은, 유인 전극(121)에 소정의 전위를 인가하는 전원이다. 유인 전원(123)은, 본 실시형태의 경우, 유출체(115)와 유인 전극(121)(대전 전극(128)) 사이에 고전압을 인가할 수 있는 대전 전원(122)으로서도 기능하고 있다. 유인 전원(123)(대전 전원(122))은, 직류 전원이며, 인가하는 전압은, 5kV 이상, 100kV 이하의 범위에 있는 값으로부터 설정되는 것이 적절하다.
본 실시형태와 같이, 유인 전원(123)(대전 전원(122))의 한쪽 전극을 접지 전위로 하고, 유인 전극(121)(대전 전극(128))을 접지하는 것으로 하면, 비교적 대형의 유인 전극(121)(대전 전극(128))을 접지 상태로 할 수 있어, 안전성 향상에 기여할 수 있게 된다.
또, 하나의 도전성의 부재에 유인 전극(121)의 기능과 대전 전극(128)의 기능을 아울러 갖게 함으로써, 나노 화이버 제조 장치(100)의 구조를 단순화할 수 있다. 이에 의해, 고전압이 인가되는 부분이 간단하게 되므로, 간단한 절연 구조를 채용해도 충분히 안전을 유지할 수 있어, 장치 비용의 저감에도 기여할 수 있다.
또한, 유인 전극(121)(대전 전극(128))에 전원을 접속해 유인 전극(121)(대전 전극(128))을 고전압으로 유지하고, 유출체(115)를 접지함으로써 원료액(300)에 전하를 부여해도 된다. 또, 유인 전극(121)(대전 전극(128))과 유출체(115) 모두 접지하지 않는 접속 상태여도 상관없다.
절연층(101)(도 2 참조)은, 퇴적 영역(A)에서의 퇴적된 나노 화이버(301)에 의한 저항값의 불균일을 억제하기 위한 절연성을 구비한 층이며, 퇴적 영역(A)의 전체에 걸쳐서 배치되어 있다. 본 실시형태의 경우, 절연층(101)은, 기재층(200)과 퇴적된 나노 화이버(301)에 의해 발생하는 저항값의 불균일을 억제해 허용 범위 내에 들어가는 층이며, 유인 전극(121)(대전 전극(128))의 표면과 상시 접촉하는 상태에서 막형상으로 배치되는 절연체로서, 퇴적 영역(A) 전체에 걸쳐 배치되는 부재이다.
절연층(101)을 구성하는 재질은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 체적 저항률이 1×10＾15(Ω?cm) 이상인 물질로 구성되는 것이 바람직하다(＾는 거듭제곱을 나타낸다). 이와 같이, 체적 저항률이 높은 물질로 절연층(101)을 구성하면, 절연층(101)을 얇게 해도 막두께 방향(z축 방향)의 저항값인 막두께 저항값을 높게 유지할 수 있다. 이상에 의해, 유출체(115)와 유인 전극(121)(대전 전극(128)) 사이에 발생하는 전계에 큰 영향을 끼치지 않고, 나노 화이버(301)의 퇴적 영역의 일부에서 나노 화이버(301)와 유인 전극(121)(대전 전극(128)) 사이에 전하가 흐르는 것을 억제할 수 있어, 나노 화이버(301)의 퇴적 영역에 존재하는 전하가 불균일하게 되는 것을 억제할 수 있다.
특히, 절연층(101)을 구성하는 재질의 체적 저항률은, 제조하는 나노 화이버(301)를 구성하는 재질(용질) 혹은 피퇴적 부재(201)의 체적 저항률의 10배 이상이 바람직하다.
이와 같이, 퇴적되는 나노 화이버(301)의 체적 저항률과 절연층(101)의 체적 저항률 사이에 10배 이상의 차가 존재하면, 어느 정도 나노 화이버(301)가 퇴적된 상태에서도, 퇴적 영역(A) 전체에서의 절연층(101)과 막두께를 합친 저항값의 불균일을 무시할 수 있는 정도가 된다. 따라서, 퇴적 영역(A) 전체에서의 대전량이 거의 균일해지기 때문에, 그 후에 퇴적되는 나노 화이버(301)는, 퇴적 영역(A)에 균등하게 퇴적되는 것이 가능해진다. 이상으로부터, 퇴적 영역(A)의 전체에 걸쳐 균일한 품질의 나노 화이버(301)의 퇴적물인 부직포를 얻는 것이 가능해진다.
또한, 상기에서는, 절연층(101)을 구성하는 재질의 체적 저항률이 나노 화이버(301)를 구성하는 재질(용질) 혹은 피퇴적 부재(201)의 체적 저항률의 10배 이상이 바람직하다고 기재했는데, 절연층(101)의 막두께 방향(z축 방향)의 저항값인 막두께 저항값이 나노 화이버(301) 혹은 피퇴적 부재(201)의 막두께 저항값의 10배 이상이어도 적절하다. 이러한 조건으로도, 퇴적 영역(A)의 전체에 걸쳐서 균일한 품질의 나노 화이버(301)의 퇴적물인 부직포를 얻는 것이 가능해진다.
또, 절연층(101)을 구성하는 재질은, 절연 내력이 20(kV/mm) 이상인 물질로 구성되는 것이 바람직하다. 유출체(115)와 유인 전극(121)(대전 전극(128)) 사이에는 5kV 이상, 100kV 이하의 범위에서 선정되는 전압이 인가되기 때문에, 절연 내력이 20(kV/mm) 미만인 물질로 절연층(101)을 구성하면, 절연 파괴가 발생할 가능성이 상승해, 퇴적 영역(A)에서의 나노 화이버(301)의 품질의 안정성을 유지할 수 없게 되는 경우가 생각되기 때문이다.
절연층(101)을 구성하는 바람직한 재질로는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, PTFE, 염화 비닐, 실리콘 고무를 예시할 수 있다. 특히 실리콘 고무는, 상기 조건에 합치하는 특성에 용이하게 조정 가능하기 때문에, 특히 적절하다고 생각된다.
기재층(200)은, 공간 중에서 제조된 나노 화이버(301)가 퇴적되는 층으로서, 절연층(101)의 표면에 퇴적 영역(A)을 덮도록 배치되는 층이다. 따라서, 이미 퇴적된 나노 화이버(301)도 기재층(200)에 포함된다.
본 실시형태의 경우, 기재층(200)은, 퇴적된 나노 화이버(301)를 수집하기 위한 피퇴적 부재(201)도 포함되어 있다. 피퇴적 부재(201)는, 절연성을 갖는 시트형상의 부재이며, 이동 가능하게 이루어지고, 공급 롤(127)에 감겨진 상태로 공급된다. 또, 피퇴적 부재(201)는, 회수 수단(129)에 감겨짐으로써, 도 1 중에 화살표로 나타나는 방향으로 이동 가능하게 되어 있다. 또, 피퇴적 부재(201)는, 유인 전극(121)(대전 전극(128))의 만곡을 따라 배치되고, 또, 이동할 수 있도록, 유인 전극(121)(대전 전극(128))의 양단 가장자리 근방에 배치되고, 회전 가능하게 부착되는 봉형상의 누름 부재(125)로 상방으로부터 눌러져 있다.
또한, 피퇴적 부재(201)의 이송 방향이, 도 1에서 유출 구멍(118)의 배열 방향과 일치하고 있도록 기재되어 있지만, 피퇴적 부재(201)의 이송 방향은, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 피퇴적 부재(201)의 이송 방향은, 유출 구멍(118)의 배열 방향(유출체(115)의 길이 방향)에 수직인 방향을 따르는 것이어도 상관없다.
이상의 장치 구성의 나노 화이버 제조 장치(100)에 있어서, 절연층(101)은, 나노 화이버(301)가 퇴적되는 두께가 원하는 두께가 될 때까지, 다음 식을 계속 만족시킬 수 있는 층인 것이 바람직하다. 즉, 절연층(101)과 기재층(200)을 합쳤을 경우의 두께 방향의 저항값(이하 「총 막두께 저항값」이라고 기재함.)의 퇴적 영역(A)에서의 최대치를 rmax로 하고, 총 막두께 저항값의 퇴적 영역(A)에서의 최소치를 rmin으로 하고, 총 막두께 저항값의 퇴적 영역(A)에서의 평균치를 R로 하고, 불균일의 허용치를 k로 한 경우, 식:(rmax－rmin)/R≤k이다.
상기 불균일의 허용치 k는, 나노 화이버(301)를 퇴적시켜 얻어지는 부직포의 요구되는 사양에 따라 상이하나, 예를 들면, 허용치 k는 0.1 이하가 바람직하고, 또한, 0.3 이하이면 된다.
절연층(101)의 막두께 저항값이 피퇴적 부재(201)나 퇴적된 나노 화이버(301)의 막두께 저항값에 비해 충분히 높고, 또한, 절연층(101)의 막두께 저항값이 퇴적 영역(A)에서 충분히 균일하면, 절연층(101)은 상기 식을 만족하는 것이 가능하다.
다음에, 상기 구성의 나노 화이버 제조 장치(100)를 이용한 나노 화이버(301)의 제조 방법을 설명한다.
먼저, 공급 수단(107)에 의해 유출체(115)에 원료액(300)을 공급한다(공급 공정). 이상에 의해, 유출체(115)의 저류조(113)에 원료액(300)이 채워진다.
여기서, 나노 화이버(301)를 구성하는 수지로서, 원료액(300)에 용해, 또는, 분산하는 용질로는, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리스티렌, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리-m－페닐렌테레프탈레이트, 폴리-p－페닐렌이소프탈레이트, 폴리불화비닐리덴, 폴리불화비닐리덴-헥사플루오로프로필렌 공중합체, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴-아크릴레이트 공중합체, 폴리아크릴로니트릴, 폴리아크릴로니트릴-메타크릴레이트 공중합체, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에스테르카보네이트, 폴리아미드, 아라미드, 폴리이미드, 폴리카프로락톤, 폴리유산, 폴리글리콜산, 콜라겐, 폴리히드록시낙산, 폴리아세트산비닐, 폴리펩티드 등 및 이들의 공중합체 등의 고분자 물질을 예시할 수 있다. 또, 상기로부터 선택되는 일종이어도 되고, 또, 복수 종류가 혼재해도 상관없다. 또한, 상기는 예시이며, 본원 발명은 상기 수지에 한정되는 것은 아니다.
원료액(300)에 사용되는 용매로는, 휘발성이 있는 유기용제 등을 예시할 수 있다. 구체적으로 예시하면, 메탄올, 에탄올, 1－프로판올, 2－프로판올, 헥사플루오로이소프로판올, 테트라에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 디벤질알코올, 1, 3－디옥소란, 1, 4－디옥산, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 메틸-n－헥실케톤, 메틸-n－프로필케톤, 디이소프로필케톤, 디이소부틸케톤, 아세톤, 헥사플루오로아세톤, 페놀, 포름산, 포름산메틸, 포름산에틸, 포름산프로필, 안식향산메틸, 안식향산에틸, 안식향산프로필, 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산프로필, 프탈산디메틸, 프탈산디에틸, 프탈산디프로필, 염화메틸, 염화에틸, 염화메틸렌, 클로로포름, o－클로로톨루엔, p－클로로톨루엔, 클로로포름, 4염화탄소, 1, 1－디클로로에탄, 1, 2－디클로로에탄, 트리클로로에탄, 디클로로프로판, 디브로모에탄, 디브로모프로판, 브롬화메틸, 브롬화에틸, 브롬화프로필, 아세트산, 벤젠, 톨루엔, 헥산, 시클로헥산, 시클로헥사논, 시클로펜탄, o－크실렌, p－크실렌, m－크실렌, 아세트니트릴, 테트라히드로푸란, N, N－디메틸포름아미드, N, N－디메틸아세트아미드, 디메틸술포옥시드, 피리딘, 물 등을 들 수 있다. 또, 상기로부터 선택되는 일종이어도 되고, 또, 복수 종류가 혼재해도 상관없다. 또한, 상기는 예시이며, 본원 발명에 이용되는 원료액(300)은 상기 용매를 채용하는 것에 한정되는 것은 아니다.
또한, 원료액(300)에 무기질 고체 재료를 첨가해도 된다. 당해 무기질 고체 재료로는, 산화물, 탄화물, 질화물, 붕소화물, 규화물, 불화물, 황화물 등을 들 수 있는데, 제조되는 나노 화이버(301)의 내열성, 가공성 등의 관점으로부터 산화물을 이용하는 것이 바람직하다. 당해 산화물로는, Al2O3, SiO2, TiO2, Li2O, Na2O, MgO, CaO, SrO, BaO, B2O3, P2O5, SnO2, ZrO2, K2O, Cs2O, ZnO, Sb2O3, As2O3, CeO2, V2O5, Cr2O3, MnO, Fe2O3, CoO, NiO, Y2O3, Lu2O3, Yb2O3, HfO2, Nb2O5 등을 예시할 수 있다. 또, 상기로부터 선택되는 일종이어도 되고, 또, 복수 종류가 혼재해도 상관없다. 또한, 상기는 예시이며, 본원 발명의 원료액(300)에 첨가되는 물질은, 상기 첨가제에 한정되는 것은 아니다.
원료액(300)에 있어서의 용매와 용질의 혼합 비율은, 선정되는 용매의 종류와 용질의 종류에 따라 상이하나, 용매량은, 약 60중량%에서 98중량% 사이가 바람직하다. 적절한 것은 용질이 5~30중량%가 된다.
다음에, 유인 전원(123)(대전 전원(122))에 의해 유출체(115)를 양 또는 음의 고전압으로 한다. 접지되어 있는 유인 전극(121)(대전 전극(128))과 대향하는 유출체(115)의 선단부에 전하가 집중하고, 당해 전하가 유출 구멍(118)을 통과해 공간 중에 유출되는 원료액(300)에 전이되어, 원료액(300)이 대전된다(대전 공정).
상기 대전 공정과 공급 공정은 같은 시기에 실시되고, 유출체(115)의 선단 개구부(119)에서 대전된 원료액(300)이 유출된다(유출 공정).
다음에 어느 정도 공간 중을 비행한 원료액(300)에 정전 연신 현상이 작용함으로써 나노 화이버(301)가 제조된다(나노 화이버 제조 공정).
이 상태에서, 나노 화이버(301)는, 유출체(115)와 유인 전극(121)(대전 전극(128) 사이에 발생하는 전계를 따라 유인 전극(121)(대전 전극(128))을 향해 비행하고, 기재층(200)에 나노 화이버(301)가 퇴적되어 수집된다(퇴적 공정).
충분히 나노 화이버(301)가 퇴적되면, 회수 수단(129)이 가동되어 피퇴적 부재(201)를 이동시켜, 퇴적된 나노 화이버(301)를 피퇴적 부재(201)와 함께 회수한다(회수 공정).
이상과 같은 나노 화이버 제조 장치(100)를 이용해 나노 화이버 제조 방법을 실시하면, 나노 화이버(301)가 퇴적됨에 따라 기재층(200)의 두께는 증가해 가지만, 절연층(101)에 의해, 퇴적된 나노 화이버(301)에 대전하는 전하가 유인 전극(121)(대전 전극(128))에 국소적으로 흐르는 것을 억제할 수 있어, 나노 화이버(301)의 균일한 품질의 퇴적물(부직포)을 얻는 것이 가능해진다. 또한, 절연층(101)의 막두께 저항값을 충분히 높게, 또한, 균일한 것으로 함으로써, 먼저 퇴적된 나노 화이버(301)에 크게 영향을 받지 않고 나노 화이버(301)를 퇴적시킬 수 있어, 나노 화이버(301)를 두껍게 퇴적하는 경우에도, 퇴적 영역(A)에서 균일한 품질의 나노 화이버(301)의 퇴적물(부직포)을 얻는 것이 가능해진다.
(실시형태 2)
다음에, 본원 발명에 따른 제2의 실시형태를 도면에 의거해 설명한다. 본 실시형태에 따른 나노 화이버 제조 장치(100)는, 절연층(101) 상에 직접 나노 화이버(301)가 퇴적되는 장치이다. 또, 나노 화이버 제조 장치(100)는, 유인 전극(121)과 대전 전극(128)을 별체로 하여 구비하고, 유인 전극(121)과 대전 전극(128)에 인가하는 전위는 독립적으로 조정할 수 있는 것으로 되어 있다.
또한, 본 실시형태도, 상기 실시형태 1과 동일하게 본원 발명의 일례를 나타낸 것에 지나지 않으며, 본원 발명을 실현할 수 있는 나노 화이버 제조 장치(100)의 베리에이션의 하나를 나타낸 것이다. 따라서, 이하에 나타낸 복수의 노즐을 일렬로 배치한 유출체(115)를 실시형태 1에 기재한 유출체(115)(복수의 유출 구멍(118)이 일렬로 나란히 설치되고, 이들 유출 구멍(118)과 공통적으로 접속되는 저류조(113)를 구비함)로 교환하는 것은 물론 상관없다. 즉, 본원 발명의 본질은 유인 전극(121)의 표면에 배치되는 절연층(101)이며, 다른 구성 요소의 차이는 본원 발명에 영향을 주는 것은 아니다. 따라서, 본 실시형태에 나타낸 나노 화이버 제조 장치(100)이더라도, 실시형태 1에 나타낸 바와 같이, 유인 전극(121)에 대전 전극(128)으로서의 기능을 함께 갖도록 해도 상관없다.
이상과 같이, 본원 발명을 실현할 수 있는 실시형태는 지극히 다수 존재한다고 생각되는데, 전부 예시할 수는 없으므로, 상기 실시형태 1과는 상이한 구성 요소가 채용되는 다른 나노 화이버 제조 장치(100)의 하나를 이하에서 설명한다. 단, 본원 발명의 외연은, 청구범위에 기재되는 문언이 나타내는 의미에 의해 정해져야 하는 것이며, 이하 기재하는 것에 본원 발명을 한정할 의도는 없다.
또, 실시형태 1에서 설명한 항목과 같은 기능을 구비하는 것은 같은 부호를 달아, 그 기능의 설명을 생략한다.
도 4는, 나노 화이버 제조 장치를 나타낸 사시도이다.
도 5는, 나노 화이버 제조 장치의 주요부를 일부 절결해 나타낸 측면도이다.
이들 도면에 나타낸 바와 같이, 나노 화이버 제조 장치(100)는, 복수의 노즐을 일렬로 배치한 유출체(115)를 구비하고 있다. 또, 일렬로 배치된 노즐의 선단 개구부(119)의 근방에는, 둥근 봉형의 대전 전극(128)이 배치되어 있다.
본 실시형태의 경우, 대전 전극(128)은, 유출 구멍(118)의 선단 개구부(119)의 근방에 노즐의 배열에 따라 2개 배치되어 있다. 이와 같이, 대전 전극(128)이 유출 구멍(118)의 선단 개구부(119)의 근방에 배치됨으로써, 유출체(115)와 대전 전극(128) 사이에 인가하는 전압을 비교적 낮은 값으로 설정하는 것이 가능해진다.
유인 전극(121)은, 직사각형 판형의 도전성의 부재이다. 절연층(101)은, 유인 전극(121)의 표면 상이며, 유출체(115)에서 바라보는 면 전체에 걸쳐서 설치되어 있다. 또한, 본 실시형태에 있어서의 절연층(101)의 특징, 예를 들면 성질이나 재질 등은 상기 실시형태 1의 절연층(101)의 특징과 동일하다.
유인 전원(123)은, 공간에서 제조된 나노 화이버(301)를 퇴적 영역(A)에 유인할 수 있는 전계를 유인 전극(121)으로부터 발생시킬 수 있는 전원이다.
이상과 같이, 원료액(300)의 대전에 거의 기여하는 것이 없는 유인 전극(121)으로서, 오로지 공간 중에서 제조된 나노 화이버(301)를 유인하는 유인 전극(121)의 표면에 절연층(101)을 구비한 나노 화이버 제조 장치(100)이어도, 상기 실시형태 1과 동일하게, 나노 화이버(301)가 퇴적됨에 따라 기재층(200)의 두께는 증가해 가지만, 절연층(101)에 의해, 퇴적된 나노 화이버(301)에 대전되는 전하가 유인 전극(121)에 국소적으로 흐르는 것을 억제할 수 있어, 나노 화이버(301)의 균일한 품질의 퇴적물(부직포)을 얻는 것이 가능해진다. 또한, 절연층(101)의 막두께 저항값을 충분히 높게, 또한, 균일한 것으로 함으로써, 먼저 퇴적된 나노 화이버(301)에 크게 영향을 받지 않고 나노 화이버(301)를 퇴적시킬 수 있어, 나노 화이버(301)를 두껍게 퇴적하는 경우에도, 퇴적 영역(A)에서 균일한 품질의 나노 화이버(301)의 퇴적물(부직포)을 얻는 것이 가능해진다.
또, 실시형태 1의 경우에 비해, 본 실시형태의 경우, 유인 전극(121)에 인가하는 전위를 비교적 낮게 설정하는 것이 가능하기 때문에, 절연층(101)을 구성하는 재질로서 비교적 절연 내력이 낮은 재질을 채용하는 것이 가능해진다. 따라서, 절연층(101)을 구성하는 재질의 선택의 폭을 넓히는 것이 가능해진다.
또한, 본원 발명은, 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 본 명세서에서 기재한 구성 요소를 임의로 조합해서 실현되는 다른 실시형태를 본원 발명으로 해도 된다. 또, 상기 실시형태에 대해 본원 발명의 주지, 즉, 청구의 범위에 기재되는 문언이 나타내는 의미를 일탈하지 않는 범위에서 당업자가 생각해 낸 각종 변형을 가해 얻어지는 변형예도 본원 발명에 포함된다.
예를 들면, 유인 전극(121)과 대전 전극(128)을 별체로 해서 구비하는 나노 화이버 제조 장치(100)에, 피퇴적 부재(201)을 적용해도 본원 발명에 포함된다. 또, 유출체(115)는, 도 6에 나타낸 바와 같이, 유출체(115)가 원통 형상으로 되어 있고, 주벽(周壁)에 유출 구멍(118)이 설치되어 있으며, 모터(303)의 회전 구동력에 의해 유출체(115)가 회전함에 따른 원심력으로 원료액(300)을 공간 중에 유출시키는 것이라도 상관없다.
또, 유인 전극(121)(대전 전극(128))은, 일체의 것 뿐만이 아니라, 도 7에 나타낸 바와 같이, 복수로 분리한 것이라도 상관없다. 이 경우, 절연층(101)은 평판형의 절연성을 구비하는 부재로서, 분리된 유인 전극(121)의 전체에 걸치도록 배치되어 있다.
(실시형태 3)
다음에, 본원 발명에 따른 제３ 실시형태를 도면에 의거하여 설명한다.
도 8은, 본 실시형태에 따른 나노 화이버 제조 장치(100)를 나타낸 사시도이다.
동 도면에 나타낸 바와 같이, 나노 화이버 제조 장치(100)는, 무단 벨트형상의 절연층(101)과, 무단 벨트형상의 절연층(101)을 순환 상태로 이동 가능하게 유지하는 순환 수단(130)과, 제조된 나노 화이버가 퇴적되는 기재층(200)으로서의 피퇴적 부재(201)로서, 절연층(101)의 표면에 퇴적 영역(A)을 덮도록 배치되고, 절연층(101)과 함께 이동하는 기재층(200)을 구비하고 있다. 또한, 상기 실시형태 1, 실시형태 2와 동일한 기능을 갖는 부재, 장치 등은 같은 부호를 달아, 설명을 생략한다.
절연층(101)은, 본 실시형태의 경우, 시트형상의 부재의 단부를 무단 벨트형상이 되도록 이어 맞춘 것이다. 구체적으로는, 구조적인 강도를 담보하는 심재에 상기 절연 성능을 구비한 수지를 코팅한 것이 적절하게 이용된다. 심재로는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 폴리에스테르제의 직물 등을 예시할 수 있고, 절연 성능을 높이는 코팅용 재질로는, 실리콘 고무나 폴리프로필렌, 염화 비닐 등을 예시할 수 있다.
순환 수단(130)은, 본 실시형태의 경우, 절연층(101)에 어느 정도의 장력을 부여해 설치하고, 또한, 절연층(101)을 도면 중의 화살표 방향으로 순환 가능하게 유지하는 2개의 롤러(131)을 구비하고 있다. 롤러(131)는, 본 실시형태의 경우, 축을 중심으로 하여 자유롭게 회전 가능한 프리 롤러이다. 또한, 롤러(131)는, 프리 롤러뿐만이 아니라 동력원을 구비해, 절연층(101)을 적극적으로 순환시키는 것이어도 상관없다. 또, 롤러(131)가 유인 전극(121)으로서 기능하는 것이어도 된다.
본 실시형태의 경우도 상기 실시형태와 동일하게, 기재층(200)은, 퇴적된 나노 화이버(301)를 수집하기 위한 피퇴적 부재(201)도 포함되어 있다. 피퇴적 부재(201)는, 공급 롤(127)에 감겨진 상태로 공급되고, 회수 수단(129)에 감겨짐으로써, 도면 중에 화살표로 나타난 방향으로 이동 가능하게 되어 있다.
유인 전극(121)은, 절연층(101)의 궤도에 둘러싸이도록 배치되고, 또한, 피퇴적 부재(201)와 유인 전극(121)으로 절연층(101)을 사이에 둘 수 있는 위치에 배치되어 있다. 또, 유인 전극(121)은, 복수의 원통형의 부재이며, 절연층(101)의 이동을 추종하여 회전할 수 있는 것으로 되어 있다.
이상의 구성에 의하면, 절연층(101)은, 피퇴적 부재(201)의 이동을 추종하여 순환형으로 이동할 수 있기 때문에, 절연층(101)과 피퇴적 부재(201)(기재층(200)) 사이에 발생하는 전기적 흡인력에 의해 강해지는 마찰을 가급적으로 억제할 수 있어, 절연층(101)이나 피퇴적 부재(201)에 마찰에 따른 손상을 주는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 절연층(101)의 손모를 억제할 수 있고 나노 화이버 제조 장치(100)의 수명을 길게 할 수 있어, 회수되는 나노 화이버(301)의 품질을 높은 상태로 유지시키는 것이 가능해진다.
또한, 절연층(101)과 유인 전극(121)과 피퇴적 부재(201)의 관계는 상기뿐만이 아니라, 여러 가지 베리에이션을 제시할 수 있다.
예를 들면, 도 9에 나타낸 바와 같이, 유인 전극(121)이 고정된 판형상의 부재로 해도 상관없다.
이러한 구성을 채용한 경우, 광범위하게 나노 화이버(301)를 유인하는 것이 가능해진다.
또, 도 10에 나타낸 바와 같이, 유인 전극(121)을 유연한 시트형상의 도전성 부재로 이루어지는 무단 벨트로 하고, 이것을 절연층(101)과 동일하게, 2개의 롤러로 이동 가능하게 해도 상관없다.
이 구성을 채용하면, 도 9에 나타낸 경우와 같이, 나노 화이버(301)를 광범위하게 유인할 수 있음과 더불어, 절연층(101)과의 마찰을 경감시키는 것이 가능해진다.
또, 도 11에 나타낸 바와 같이, 유인 전극(121)을 큰 롤러로 하고, 절연층(101)을 유인 전극(121)의 표면에 설치하고, 유인 전극(121)과 절연층(101)을 함께 피퇴적 부재(201)의 움직임에 동기시켜 회전시켜도 상관없다.
또, 도 12에 나타낸 바와 같이, 유연하며 도전성이 있는 무단 벨트형상의 유인 전극(121)의 표면에 절연층(101)을 설치하고, 롤러(131)을 통해 유인 전극(121)을 소정의 전위로 하는 것이어도 상관없다.
본원 발명은, 나노 화이버를 이용한 방적 및, 부직포의 제조에 이용 가능하다.
100:나노 화이버 제조 장치
101:절연층
107:공급 수단
113:저류조
114:안내관
115:유출체
118:유출 구멍
119:선단 개구부
121:유인 전극
122:대전 전원
123:유인 전원
125:누름 부재
127:공급 롤
128:대전 전극
129:회수 수단
151:용기
200:기재층
201:피퇴적 부재
300:원료액
301:나노 화이버
303:모터
101:절연층
107:공급 수단
113:저류조
114:안내관
115:유출체
118:유출 구멍
119:선단 개구부
121:유인 전극
122:대전 전원
123:유인 전원
125:누름 부재
127:공급 롤
128:대전 전극
129:회수 수단
151:용기
200:기재층
201:피퇴적 부재
300:원료액
301:나노 화이버
303:모터
Claims (9)
- 나노 화이버를 제조하기 위한 원료액을 공간 중에서 전기적으로 연신시켜 나노 화이버를 제조하는 나노 화이버 제조 장치로서,
원료액을 공간에 유출시키는 유출 구멍을 갖는 유출체와,
상기 유출체와 소정의 간격을 두고 배치되고, 상기 유출체를 대전시키는 대전 전극과,
상기 유출체와 상기 대전 전극 사이에 소정의 전압을 인가하는 대전 전원과.
공간 중에서 제조된 나노 화이버를 유인하는 전계를 발생시키는 유인 전극으로서, 유인한 나노 화이버를 퇴적시키는 면형상의 퇴적 영역을 표면에 갖는 유인 전극과,
상기 유인 전극에 소정의 전위를 인가하는 유인 전원과,
상기 퇴적 영역에서의 퇴적된 나노 화이버에 의한 저항값의 불균일을 억제하는 상기 퇴적 영역 전체에 배치되는 절연층을 구비하는 나노 화이버 제조 장치. - 청구항 1에 있어서,
제조된 나노 화이버가 퇴적되는 기재층으로서, 상기 절연층의 표면에 상기 퇴적 영역을 덮도록 배치되는 기재층을 더 구비하고,
상기 절연층과 상기 기재층을 합쳤을 경우의 두께 방향의 저항값(이하 「총 막두께 저항값」이라고 기재함.)의 퇴적 영역에서의 최대치를 rmax로 하고,
총 막두께 저항값의 퇴적 영역에서의 최소치를 rmin로 하고,
총 막두께 저항값의 퇴적 영역에서의 평균치를 R로 한 경우,
상기 절연층과 상기 기재층이 다음 식을 만족시키는, 나노 화이버 제조 장치.
(rmax－rmin)/R≤0.3 - 청구항 2에 있어서,
상기 기재층은, 상기 나노 화이버 제조 장치가 제조하는 나노 화이버의 퇴적에 의해 형성되는 층이며, 원하는 막두께에 도달하지 않은 퇴적 도중의 나노 화이버로 구성되는, 나노 화이버 제조 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 절연층은, 체적 저항률이 1×10＾15(Ω?cm) 이상인 물질로 구성되는, 나노 화이버 제조 장치. - 청구항 4에 있어서,
상기 절연층은, 절연내력이 20(kV/mm) 이상인 물질로 구성되는, 나노 화이버 제조 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 절연층을 구성하는 물질의 체적 저항률은, 나노 화이버를 구성하는 물질 혹은 나노 화이버가 퇴적되는 피퇴적 부재를 구성하는 물질의 체적 저항률의 10배 이상인, 나노 화이버 제조 장치. - 청구항 1에 있어서,
절연층의 막두께 방향의 저항값인 막두께 저항값은, 나노 화이버 혹은 나노 화이버가 퇴적되는 피퇴적 부재의 상기 막두께 저항값의 10배 이상인, 나노 화이버 제조 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 절연층은, 무단 벨트형상으로 이루어지고,
무단 벨트형상의 상기 절연층을 순환 상태로 이동 가능하게 유지하는 순환 수단과,
제조된 나노 화이버가 퇴적되는 기재층으로서, 상기 절연층의 표면에 상기 퇴적 영역을 덮도록 배치되고, 상기 절연층과 함께 이동하는 기재층을 더 구비하는, 나노 화이버 제조 장치. - 나노 화이버를 제조하기 위한 원료액을 공간 중에서 전기적으로 연신시켜 나노 화이버를 제조하는 나노 화이버 제조 방법으로서,
원료액을 공간에 유출시키는 유출 구멍을 갖는 유출체로부터 원료액을 유출시키고,
상기 유출체와 소정의 간격을 두고 배치되고, 상기 유출체를 대전시키는 대전 전극과 상기 유출체 사이에 대전 전원에 의해 소정의 전압을 인가하고,
나노 화이버를 퇴적시키는 퇴적 영역에서의 퇴적된 나노 화이버에 의한 저항값의 불균일을 억제하는 상기 퇴적 영역 전체에 배치되는 절연층을 갖는 유인 전극에 유인 전원에 의해 소정의 전위를 인가함으로써, 상기 퇴적 영역에 공간 중에서 제조된 나노 화이버를 유인해 퇴적시키는, 나노 화이버 제조 방법.
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