KR20120076111A

KR20120076111A - 우수한 내식성, 가공성 및 외관을 제공하는 용융아연도금욕 및 그에 의해 도금된 강판

Info

Publication number: KR20120076111A
Application number: KR1020100138122A
Authority: KR
Inventors: 이재민; 김종민; 안덕수; 장삼규
Original assignee: 동부제철 주식회사
Priority date: 2010-12-29
Filing date: 2010-12-29
Publication date: 2012-07-09

Abstract

본 발명은 도금욕에 포함되는 금속 총 중량을 기준으로, 0.5 ~ 20 중량%의 Al, 0.5 ~ 6 중량%의 Mg, 0.05 ~ 0.5 중량%의 Sn, 및 불가피한 불순물을 제외한 잔부의 Zn을 포함하는, 내식성, 가공성 및 외관성이 우수한 용융아연도금욕을 제공한다.

Description

우수한 내식성, 가공성 및 외관을 제공하는 용융아연도금욕 및 그에 의해 도금된 강판{HOT-DIP ZINC PLATING BATH PROVIDING EXCELLENT CORROSION RESISTANCE, HIGH FORMABILITY AND APPEARANCE, AND STEEL PLATE PLATED WITH THE SAME}

본 발명은 내식성, 가공성 및 외관이 우수한 용융아연도금욕 및 그에 의해 도금된 강판에 관한 것으로, 보다 상세하게는 도금강판의 표면품질과 내식성을 향상시키면서, 우수한 가공성을 제공하는 4원계인 Zn-Mg-Al-Sn계 또는 5원계인 Zn-Mg-Al-Si-Sn계인 용융아연도금욕 및 그에 의해 도금된 강판에 관한 것이다.

기존 용융아연 도금강판은 자기 희생성이 우수하여 건자재, 가전재 등에 많이 적용되고 있다. 아연계 용융아연 도금강판은 부식환경에 노출 되었을 때, 아연은 노출된 철 부분에 대하여 희생양극으로 작용하여 도금층에 아연의 소실을 발생시킨다. 이러한 아연의 희생양극작용은 부식환경에서 소지철의 녹발생 억제에 탁월한 역할을 하지만 양극효율이 다소 떨어지는 단점이 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해 근래에 일본과 유럽에서 아연에 마그네슘을 첨가하여 양극효율을 향상시킨 제품이 소개되고 있다. 그러나 아연도금에 마그네슘이 첨가된 제품은 마그네슘과 아연간에 형성된 화합물로 인하여 가공시 표면에 크랙이 발생하며, 도금층의 박리가 발생되어 도금강판의 가공성 및 내식성을 저하시키는 단점을 갖는다.

본 발명은, 종래기술의 상기와 같은 문제를 해결하기 위한 것으로서, 도금층 상에 형성되는 MgZn₂상과 Mg₂Si상이 미세하게 분산되도록 제어함으로써, 도금강판의 표면품질과 내식성을 향상시킬 뿐만 아니라, 우수한 가공성도 제공하는 Zn-Mg-Al-Sn계 또는 Zn-Mg-Al-Si-Sn계 용융아연도금욕을 제공하는 것을 목적으로 한다.

또한, 본 발명은 내식성, 가공성 및 외관이 우수한 Zn-Mg-Al-Sn계 또는 Zn-Mg-Al-Si-Sn계 아연도금강판을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은, 도금욕에 포함되는 금속 총 중량을 기준으로, 0.5 ~ 20 중량%의 Al, 0.5 ~ 6 중량%의 Mg, 0.05 ~ 0.5 중량%의 Sn, 및 불가피한 불순물을 제외한 잔부의 Zn을 포함하는 용융아연도금욕을 제공한다.

또한, 본 발명은, 상기 용융아연도금욕에 의해 형성되는 도금층을 포함하는 아연합금도금강판을 제공한다.

또한, 본 발명은, 상기 용융아연도금욕을 400~450℃로 유지하면서, 강판 소재를 상기 도금욕에 침적시키는 단계;

상기 도금욕 외부로 도금강판을 이송시키면서 도금 두께를 5㎛~50㎛ 범위로 조절하는 단계; 및

상기 도금강판을 냉각시키는 단계를 포함하는 아연합금도금강판의 제조방법을 제공한다.

본 발명의 Zn-Mg-Al-Sn계 또는 Zn-Mg-Al-Si-Sn계 용융아연도금욕은 도금층 상에 형성되는 MgZn₂상과 Mg₂Si상이 미세하게 분산되도록 제어함으로써, 도금강판의 표면품질과 내식성을 향상시킬 뿐만 아니라, 우수한 가공성도 제공한다.

또한, 본 발명은 내식성, 가공성 및 외관이 우수한 Zn-Mg-Al-Sn계 또는 Zn-Mg-Al-Si-Sn계 아연도금강판을 제공한다.

도1은 Mg이 2 중량%, Al이 1 중량%, Sn이 0.3 중량% 및 잔부의 Zn으로 구성된 용융아연도금욕에 의해 도금된 도금강판의 표면의 조직 사진이다.
도2는 Mg이 2 중량%, Al이 1 중량%, Sn이 0.3 중량% 및 잔부의 Zn으로 구성된 용융아연도금욕에 의해 도금된 도금강판에 대하여 T-Bending 테스트를 실시한 후 촬영한 가공부의 표면 사진이다.
도3은 Mg 2중량%, Al 1 중량% 및 잔부의 Zn으로 구성된 용융아연도금욕에 의해 도금된 도금강판의 표면을 나타내는 조직사진이다.
도4는 Mg 2중량%, Al 1 중량% 및 잔부의 Zn으로 구성된 용융아연도금욕에 의해 도금된 도금강판 대하여 T-Bending 테스트를 실시한 후 촬영한 가공부의 표면사진이다.

본 발명은, 도금욕에 포함되는 금속 총 중량을 기준으로, 0.5 ~ 20 중량%의 Al, 0.5 ~ 6 중량%의 Mg, 0.05 ~ 0.5 중량%의 Sn, 및 불가피한 불순물을 제외한 잔부의 Zn을 포함하는 용융아연도금욕에 관한 것이다.

상기 용융아연도금욕은 3 ~ 8 중량%의 Si를 더 포함할 수 있다.

상기에서 불가피한 불순물은 Fe, Pb, Sb, Cu 등을 포함하며, 이들 불순물은 통상적인 함량범위(약 0.02 중량%) 내에서는 별다른 영향이 없다.

본 발명의 용융아연도금욕은 Zn-Mg-Al계 또는 Zn-Mg-Al-Si계에 적정량의 Sn이 첨가됨에 따라, Sn이 Mg와 반응하여 삼원공정영역에 네트워크 형태의 Mg₂Sn상을 생성함으로써, 도금층에 생성되는 초정 Zn상, MgZn₂상, Mg₂Si상을 미세하게 분산시키는 특징을 갖는다. 따라서, 본 발명의 용융아연도금욕을 사용하여 강판을 도금하는 경우, 도금강판의 도금층에 포함될 수 있는 가공성이 취약한 MgZn₂상과 Mg₂Si상이 균일하고 미세하게 분산되어, 가공시에 MgZn₂상과 Mg₂Si상에 의한 크랙이 도금의 소지철까지 전파되는 것이 방지되므로, 도금강판에 우수한 가공성 및 외관을 제공한다.

본 발명의 용융아연도금욕에서 Al은 삼원공정상을 형성하여 조직을 미세화 시키는 역할을 한다. 삼원공정상은 Mg, Zn 및 Al을 포함하고 있는 공정상을 말한다. 상기 Al은 도금욕에 포함되는 금속 총 중량을 기준으로 0.5 ~ 20 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 상세하게는 5 ~ 10 중량%로 포함되는 것이 더욱 바람직하다. Al이 0.5 중량% 미만으로 포함되면, 공정상의 형성에 의한 조직 미세화가 어려워지고, 반면 20 중량%를 초과하면 도금층에 Al상이 단독으로 형성되므로 광택도가 현저하게 저하되어 외관이 열화 된다. 또한, 5 ~ 10 중량%로 포함되는 것이 더욱 바람직한 이유는 5 ~ 10 중량% 범위에서는 삼원공정상이 미세하면서 삼원공정상에 의해서 표면 외관성이 저하되지 않기 때문이다.

본 발명의 용융아연도금욕에서 Mg는 내식성을 향상시키는 중요한 원소이다. Mg 성분은 용융 Zn-Mg-Al-Sn계 또는 Zn-Mg-Al-Si-Sn계 도금강판이 부식환경에 노출될 때 도금층 표면 및 소지철 노출부를 Mg를 포함한 부식생성물로 덮어 용융 Zn-Mg-Al-Sn계 도금강판 본래의 내식성을 한층 더 향상시키는 기능을 발휘 할 뿐만 아니라, Zn의 양극 효율도 높여준다. 즉 도금층 중에 Mg 성분은 MgZn₂(도1 및 3의 20으로 표시됨)를 형성하고 이러한 금속간 화합물은 부식환경에서 안정한 부식생성물의 형성을 촉진하며, Mg 성분의 공급원이 된다. 이 때문에 도금층 표면은 신속하게 균일한 부식생성물로 덮이고, 이 부식생성물은 안정한 보호피막으로 작용하여 도금층의 내식성을 향상시킨다. 즉, Mg 성분은 도금층의 내식성을 향상시킴과 더불어 희생방식 작용을 오래 유지하는 효과를 제공한다.

상기 Mg는 도금욕에 포함되는 금속 총 중량을 기준으로 0.5 ~ 6 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 2 ~ 5 중량%로 포함되는 것이 더욱 바람직하다.

상기 Mg가 0.5 중량% 미만으로 포함되면 코팅층의 부식방지능이 미미해지고, 6 중량%를 초과하면 가공에 취약한 MgZn₂상이 너무 많이 형성되어 가공성이 저하될 뿐만 아니라 도금욕이 Mg의 산화로 인하여 제어가 어려워진다.

본 발명의 용융아연도금욕에서 Sn은 Mg와 반응하여 Mg₂Sn(도1의 30으로 표시됨) 고내식 네트워크상을 형성하여 조직을 미세화하는 역할을 한다.

상기 Sn은 도금욕에 포함되는 금속 총 중량을 기준으로 0.05 ~ 0.5 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 0.1 ~ 0.5 중량%로 포함되는 것이 더욱 바람직하다.

상기 Sn이 0.05 중량% 미만으로 포함되면 충분한 양의 Mg₂Sn상이 생성되지 못하기 대문에 가공에 취약한 MgZn₂상 및 Mg₂Si상을 균일하고 미세하게 분산시키지 못하며, 0.5 중량%를 초과하면 Sn이 Mg와 화합물을 형성하지 않고 단독으로 석출되어 Sn 주변의 조직에 대하여 갈바닉 셀을 형성하여 국부적인 부식을 가속화시킨다.

본 발명의 용융아연도금욕에서 Si는 Mg와 결함하여 Mg₂Si 상을 형성하여 부식환경에서 Mg가 쉽게 소실되는 것을 방지하는 역할을 한다. 상기 Si는 도금욕에 포함되는 금속 총 중량을 기준으로 3 ~ 8 중량%로 포함되는 것이 바람직하다.

상기 Si가 3 중량% 미만으로 포함되면, Mg과 반응하여 생성된 Mg₂Si상 생성 분율이 적어 부식환경에서 Mg가 쉽게 소실되어 양극효율이 낮아지며, 8 중량%를 초과하여 포함되면 과도한 Mg₂Si상과 Si 단상이 생성되어 내식성, 가공성 및 외관성이 저하된다.

본 발명에서 용융아연도금욕 제조시 용탕의 제조 순서를 예를 들어 설명하면 다음과 같다. 먼저, 잔부의 Zn을 450℃ 용탕에 용해한 후, Mg 첨가시 발생하는 산화를 방지하기 위해서 용해분위기를 아르곤, 질소, SF₆+CO₂ 가스 분위기로 하고, 순수 Al을 첨가하여 용해한다. Si가 첨가됨 함금에서는 Al-10% Si모합금을 사용하여 Si를 첨가한다. 다음으로 Mg, Sn순으로 첨가하여 용해한다. 좀더 바람직한 Mg의 용해방법은 Al-Mg모합금을 이용하여 용해하는 것이며, 이 경우, Mg산화물이 적게 발생하여 용탕의 청정도를 높일 수있다.

본 발명의 용융아연도금욕은 도금욕 용탕의 온도가 400?450℃인 것이 적당하다. 그 이유는 용탕의 온도가 400℃ 미만이면, 용탕의 유동도가 급격히 하락하여 작업이 어렵고, 450℃ 이상이 되면 용탕에 과도한 마그네슘 산화피막이 형성되어 도금강판의 외관이 불량해지고 도막의 밀착성이 저하되기 때문이다.

또한, 본 발명은 상기 용융아연도금욕에 의해 형성되는 코팅층을 포함하는 아연합금도금강판에 관한 것이다.

상기 아연합금도금강판의 도금층에는 Mg₂Sn이 형성되어 초정 Zn상과 MgZn₂상을 미세하게 분산시킨다. 따라서, 가공시 가공에 취약한 MgZn₂상 및 Mg₂Si상이 균일하고 미세하게 분산되어 크랙이 도금의 소지철까지 전파되는 것이 방지된다.

상기 아연합금도금강판은 이 분야에 공지된 방법에 의해 제조될 수 있다.

특히, 본 발명의 용융아연도금욕을 400~450℃로 유지하면서, 강판 소재를 상기 도금욕에 침적시키는 단계;

상기 도금욕 외부로 도금강판을 이송시키면서 도금 두께를 5 ㎛~50 ㎛ 범위로 조절하는 단계; 및

상기 도금강판을 냉각시키는 단계를 포함하여 제조되는 것이 바람직하다.

상기에서, 도금강판의 냉각 속도는 5~30℃/sec인 것이 바람직하다.

이하에서, 도면을 참고하여 본 발명의 설명한다.

도1은 Mg이 2 중량%, Al이 1 중량%, Sn이 0.3 중량% 및 잔부의 Zn으로 구성된 용융아연도금욕에 의해 도금된 도금강판의 도금 표면 조직을 나타낸 것으로서, Sn이 미첨가된 합금에 비해 Zn상(10)과 MgZn₂상(20)이 매우 미세하고 균일하게 분산됨을 확인할 수 있다. 이러한 조직 미세화 현상은 Sn이 첨가됨에 따라 Sn이 Mg와 반응하여 삼원공정영역에 네트워크 형태의 Mg₂Sn상(30)을 생성함으로써, 초정 Zn상(10)과 MgZn₂상(20)이 미세화되어 발생한다. 이렇게 미세화된 조직은 가공시 가공에 취약한 MgZn₂상(20)이 균일하고 미세하게 분산되어 있어 크랙(40)이 도금의 소지철까지 전파되는 것을 방지 한다.

그러나 내식성의 저하 없이 Sn 첨가에 따르는 가공성을 향상시키기 위해서는 Sn상이 단독으로 석출되지 않도록 해야 한다. 그러기 위해서, 전술한 바와 같이, Sn의 첨가 함량은 0.05 ~ 0.5 중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 0.5 중량%를 초과하여 첨가되는 경우, Sn이 Mg와 화합물을 형성하지 않고 단독으로 석출되어 Sn 주변의 조직에 대하여 갈바닉 셀을 형성하여 국부적인 부식을 가속화하므로 코팅층의 내식성을 저하시킬 우려가 있다.

도2는 Mg 2 중량%, Al 1 중량%, Sn 0.3중량% 및 잔부의 Zn로 구성된 용융아연도금욕에 의해 도금된 도금강판에 대하여 T-Bending 테스트를 실시한 후, 촬영한 가공부의 표면 사진이다. 사진에서 확인되는 바와 같이, Sn을 첨가함에 따라 Zn상과 MgZn₂상(20)이 미세하게 네트워크를 형성하여 가공시 미세한 크랙(40)을 생성하므로, 크랙(40)에 의한 박리 및 내식성 저하가 최소화된다.

도3은 Mg 2중량%, Al 1 중량% 및 잔부의 Zn으로 구성된 용융아연도금욕에 의해 도금된 도금강판의 표면을 나타내는 조직 사진이다. 소지는 Zn(10)으로 이루어졌으며, Zn 주위는 Zn, Al, Mg인 삼원성분으로 이루어져 있다. 삼원성분이 위치한 곳에는 내식성을 향상시키는 MgZn₂상(20)이 석출된다. 네트워크 형태로 분산되어 있는 MgZn₂상(20)은 내식성을 향시키는 역할을 하는 반면, 가공시 크랙(40)이 발생하는 시발점으로 작용하여 가공성을 저하시키는 원인이 되기도 한다.

도4는 Mg 2중량%, Al 1 중량% 및 잔부의 Zn으로 구성된 용융아연도금욕에 의해 도금된 도금강판에 대하여 T-Bending 테스트를 실시한 후, 촬영한 가공부의 표면사진이다. 사진에서 확인되는 바와 같이, 표면의 크랙(40)이 굵게 생성되어 크랙(40)이 소지철까지 전파되어 부식환경에 노출시 직접적인 소지철과의 반응을 피할 수 없을 뿐만 아니라 도금층이 박리될 확률이 높다.

이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.

실시예1~12 및 비교예1~10: 용융아연도금욕의 제조

하기 표1에 나타낸 조성을 갖는 용융아연도금욕을 준비하였다. 이 때, 도금욕 용탕의 온도는 420℃로 설정하였다.

실시예 13: 아연합금도금강판의 제조

두께, 폭 및 길이가 각각 0.7mm x 180mm x 220mm인 냉연 강판을 50℃ 알카리 용액에 30분 동안 침지시킨 후 물로 세척하여, 표면의 이물질과 기름을 제거하여 시편을 준비하였다.

도금강판으로서 소지철에 대한 소둔분위기는 수소 10 중량% 및 질소 90 중량%로 구성된 환원분위기로 설정하였고, 요구되는 기계적 성질에 맞추어 소둔싸이클에 의해 700℃~750℃로 열처리하였다. 그 후 시편의 온도가 상기 실시예1~12및 비교예1~10에서 제조된 도금욕의 온도와 동일한 온도로 떨어지는 시점에 도금욕에 2초간 침적시켰다. 그 후 도금욕 외부로 도금강판을 이송시키면서 질소 wiping을 통해 도금 두께를 15㎛~20㎛범위로 조정하였다. 그 후 에어로 도금강판을 냉각시키며, 25℃/s의 냉각속도로 350℃까지 냉각시켰다.

시험예: 아연합금도금강판의 물성 측정

각종 물성을 측정하는 방법은 하기의 방법으로 실시하였으며, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.

<도금욕 조성분석>

희석한 염산 적당량과 인히비터(inhibitor) 1~2 방울을 떨어뜨린 용액으로 도금층을 용해한 후 그 용액을 ICP로 측정하였다.

<도금층 관찰>

도금된 강판의 표면을 전자현미경 및 광학현미경으로 관찰하였다.

<내식성 평가>

KS D 9502 (ASTM B-117) 규정에 따라 5%, 35℃ NaCl 염수분무시험법으로 평가를 수행하였다. 이때 시험편 도금량은 동일하게 하였으며 2000시간 경과 후 외관의 적청 발생을 육안으로 관찰하였다.

평가 기준

◎: 적청 발생율 5% 이하

○: 적청 발생율 5% 초과 10% 이하

△: 적청 발생율 10% 초과 30% 이하

×: 적청 발생율 30% 초과

<가공성 평가>

시험편에 180°3T 벤딩(bending)시험을 실시한 후, 현미경으로 가공부의 외관의 상태를 관찰하여 평가하였다.

평가 기준

◎: 육안으로 도금의 크랙이 관찰되지 않음

○: 육안으로 도금의 크랙이 관찰 됨

△: 크랙의 전파가 심함

×: 도금 박리 있음

<외관 평가>

육안으로 관찰하여 평가하였다.

평가 기준

◎: 표면이 미려하며 스팽글(Spangle)이 없음

○: 표면이 미려하지는 않지만 스팽글이 없음

△: 표면이 미려하지 않으며 스팽글이 생성됨

×: 드로스(dross) 생성 흡착

구분	도금액의 조성					물성평가
Mg	Al	Si	Sn	잔부	내식성	가공성	외관성
실시예1	2	1		0.05	Zn 및 불순물	◎	○	○
실시예2	2	1		0.1	Zn 및 불순물	◎	○	○
실시예3	2	1		0.3	Zn 및 불순물	◎	◎	◎
실시예4	2	1		0.5	Zn 및 불순물	◎	◎	○
비교예 1	2	1		0.7	Zn 및 불순물	○	◎	△
비교예2	2	1		1	Zn 및 불순물	△	◎	△
실시예5	3	1		0.3	Zn 및 불순물	◎	○	◎
실시예6	5	1		0.3	Zn 및 불순물	◎	○	○
비교예3	7	1		0.3	Zn 및 불순물	◎	×	×
실시예7	2	5		0.3	Zn 및 불순물	◎	○	◎
실시예8	2	10		0.3	Zn 및 불순물	◎	○	○
실시예9	2	15		0.3	Zn 및 불순물	◎	○	△
실시예10	2	20		0.3	Zn 및 불순물	◎	○	△
비교예4	2	25		0.3	Zn 및 불순물	◎	△	△
실시예11	2	10	3	0.3	Zn 및 불순물	◎	○	○
실시예12	2	10	6	0.3	Zn 및 불순물	◎	○	○
비교예5	2	10	9	0.3	Zn 및 불순물	○	×	×
비교예6	-	<0.2	-	-	Zn 및 불순물	×	◎	○
비교예7	0.5	0.5			Zn 및 불순물	○	△	○
비교예8	2	2			Zn 및 불순물	◎	△	◎
비교예9	1	2			Zn 및 불순물	○	△	◎
비교예10	2	1			Zn 및 불순물	◎	△	◎

상기 표1의 시험결과에 나타난 바와 같이, 0.5 내지 20 중량%의 Al, 0.5 내지 6 중량%의 Mg, 0.05 내지 0.5 중량%의 Sn이 포함되고 잔부 Zn으로 구성된 본 발명의 아연도금욕(실시예1~12)은 우수한 내식성, 가공성 및 외관을 나타냈다.

구체적으로, 실시예 1~4는 Sn이 0.05 ~ 0.5 중량%로 첨가됨에 따라 MgZn₂상(20), Mg₂Sn상(30)이 미세한 네트워크상을 형성하여 가공성이 향상됨을 나타냈으나, 비교예 1 및 2는 Sn이 0.5 중량%를 초과하여 포함됨에 따라, Sn이 단독으로 존재하게 되어 내식성이 저하되었을 뿐만 아니라 스팽글도 생성되어 외관이 저하됨을 나타냈다.

실시예 5 및 6은 Mg의 함량이 증가함에 따라 실시예 1~4에 비하여 가공성이 다소 저하됨을 나타냈으나, 비교예3은 Mg의 함량이 6 중량%를 초과하면서 가공성이 급격히 저하되어 Sn의 첨가에 따른 가공성 향상 효과가 나타나지 않음을 보였다.

실시예 7~10은 Al의 함량이 0.5~20 중량%인 경우에 도금욕의 내식성, 가공성, 외관성에 큰 영향이 없음을 보였으나, 비교예4는 Al의 함량이 20%를 초과하게 되면 과도한 삼원공정상이 생성되어 가공성 및 외관성이 저하됨을 나타내었다.

실시예 11 및 12는 Zn-Mg-Al-Si계 합금에서 Si의 함량이 0,3 ~ 8 중량%인 조성에서 Mg와 Si가 반응하여 생성된 Mg₂Si상이 Sn의 첨가에 의해 미세화 됨에 따라 가공성이 향상되었다. 그러나 비교예5는 Si의 함량이 8 중량%를 초과함으로써, 과도한 Mg₂Si상과 Si 단상으로 인해 내식성, 가공성, 외관성이 저하됨을 나타냈다.

Claims

도금욕에 포함되는 금속 총 중량을 기준으로, 0.5 ~ 20 중량%의 Al, 0.5 ~ 6 중량%의 Mg, 0.05 ~ 0.5 중량%의 Sn, 및 불가피한 불순물을 제외한 잔부의 Zn을 포함하는 용융아연도금욕.
청구항1에 있어서, 3 ~ 8 중량%의 Si를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 용융아연도금욕.
청구항1에 있어서, 도금 후에 도금층에 Mg₂Sn상이 형성되는 것을 특징으로 하는 용융아연도금욕.
청구항 2에 있어서, 도금 후에 도금층에 Mg₂Sn상이 형성되는 것을 특징으로 하는 용융아연도금욕.
청구항1 내지 청구항4 중의 어느 한 항의 용융아연도금욕에 의해 형성되는 도금층을 포함하는 아연합금도금강판.
청구항5에 있어서, 도금층에 Mg₂Sn이 형성된 것을 특징으로 하는 아연합금도금강판.
청구항1 내지 청구항4 중의 어느 한 항의 용융아연도금욕을 400~450℃로 유지하면서, 강판 소재를 상기 도금욕에 침적시키는 단계;
상기 도금욕 외부로 도금강판을 이송시키면서 도금 두께를 5 ㎛~50 ㎛ 범위로 조절하는 단계; 및
상기 도금강판을 냉각시키는 단계를 포함하는 아연합금도금강판의 제조방법.
청구항7에 있어서, 도금강판의 냉각속도가 5~30℃/sec인 것을 특징으로 하는 아연합금도금강판의 제조방법.