KR20120055717A - 반도체 장치 - Google Patents

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Abstract

반도체 장치는 리드 프레임에 2 이상의 반도체 소자를 적층해 탑재하고, 리드 프레임과 반도체 소자를 와이어로 전기적으로 접합하고, 반도체 소자와 와이어와 전기적 접합부를 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 경화물로 봉지하여 이루어진 반도체 장치로서, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물은 (A) 에폭시 수지, (B) 경화제, (C) 무기 충전재를 포함하고 있으며, (C) 무기 충전재는 가장 얇은 충전 두께의 2/3 이하의 입자 지름을 갖는 입자를 99.9 중량% 이상 포함한다.

Description

반도체 장치{SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 반도체 장치에 관한 것이다.
전자기기의 소형화, 경량화, 고성능화의 요구로부터 멀티플-칩 기술이 개발되었다. 복수의 반도체 소자를 단일 패키지 형태의 반도체 장치로 하여 전자기기에 대한 탑재 면적을 작게 하고, 또 각 반도체 소자의 배선 거리를 짧게 함으로써 성능을 향상할 수 있었다 (예를 들면, 특허문헌 1, 2, 3 참조).
종래, 반도체 소자와 리드 프레임의 리드 단자의 접합은 일반적으로 금 와이어에 의해서 접합되어 있다 (예를 들면, 특허문헌 3의 단락 [0015] 참조).
또, 종래부터 집적회로, 다이오드, 트랜지스터 등의 반도체 장치는 주로 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 경화물에 의해 봉지되어 있다. 특히 집적회로에는 에폭시 수지, 페놀 수지계 경화제 및 무기 충전재를 배합한, 내열성, 내습성이 뛰어난 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물이 이용되고 있다. 최근, 반도체 소자의 고집적화가 해마다 진보하고, 또 반도체 장치의 표면 실장화가 촉진되는 가운데 반도체 소자의 봉지에 이용되고 있는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물에 대한 요구는 더욱 엄격해지고 있다.
멀티플-칩 기술을 응용한 반도체 장치에 대한 적용도 이와 같은 어려운 요구에 대한 대응 중 하나이다. 멀티플-칩 형태에서, 특히 반도체 소자를 적층한 것은 유로 (流路)가 좁고 복잡해서 성형시에 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 유동 제한이 크다. 이 때문에, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 미충전이 발생하는 문제가 있었다.
특허문헌 1: 일본 특개 2005-340766호 공보 특허문헌 2: 일본 특개 2006-019531호 공보 특허문헌 3: 일본 특개 2007-134486호 공보 특허문헌 4: 일본 특개 2001-151866호 공보
본 발명은 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 미충전의 발생이 적은 신뢰성이 뛰어난 반도체 장치를 제공하는 것이다.
본 발명은 이하와 같다.
[1]　리드 프레임에 2 이상의 반도체 소자를 적층해 탑재하고, 상기 리드 프레임과 상기 반도체 소자를 와이어로 전기적으로 접합하고, 상기 반도체 소자와 상기 와이어와 전기적 접합부를 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 경화물로 봉지하여 이루어진 반도체 장치로서,
상기 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물은 (A) 에폭시 수지, (B) 경화제, (C) 무기 충전재를 포함하고 있으며,
상기 (C) 무기 충전재는 가장 얇은 충전 두께의 2/3 이하의 입자 지름을 갖는 입자를 99.9 중량% 이상 포함하는 반도체 장치.
[2] 상기 반도체 소자를 적층함으로써 공극부가 마련되어 있으며, 상기 공극부에 상기 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 경화물이 충전되어 가장 얇은 상기 충전 두께를 갖는 충전부가 구성되어 있는 [1]에 기재된 반도체 장치.
[3] 상기 반도체 소자와 상기 반도체 소자 사이의 상기 공극부, 또는 상기 반도체 소자와 상기 리드 프레임 사이의 상기 공극부 중 적층 방향으로 가장 얇은 두께가 가장 얇은 상기 충전 두께에 상당하는 [2]에 기재된 반도체 장치.
[4] 상기 와이어가 구리제 와이어인 [1] 내지 [3] 중 어느 한 항에 기재된 반도체 장치.
[5] 상기 리드 프레임에 상기 반도체 소자를 스페이서를 통해 적층해 탑재한 반도체 장치로서, 상기 (C) 무기 충전재는 상기 스페이서 두께의 2/3 이하의 입자 지름을 갖는 입자를 99.9 중량% 이상 포함하는 [1] 내지 [4] 중 어느 한 항에 기재된 반도체 장치.
[6] 상기 (C) 무기 충전재는 실리카를 포함하는 [1] 내지 [5] 중 어느 한 항에 기재된 반도체 장치.
[7] 상기 리드 프레임과 상기 반도체 소자는 상기 와이어의 리버스 본딩 (reverse bonding)에 의해 전기적으로 접합되는 [1] 내지 [6] 중 어느 한 항에 기재된 반도체 장치.
[8] 상기 구리제 와이어의 구리 순도는 99.99 중량% 이상인 [4]에 기재된 반도체 장치.
[9] 상기 구리제 와이어는 그 표면에 팔라듐을 포함하는 금속재료로 구성된 피복층을 가지고 있는 [4] 또는 [8]에 기재된 반도체 장치.
[10] 상기 피복층의 두께는 0.001㎛ 이상 0.02㎛ 이하인 [9]에 기재된 반도체 장치.
[11] 상기 스페이서의 두께는 0.01 ㎜ 이상 0.2 ㎜ 이하인 [5]에 기재된 반도체 장치.
본 발명에 따르면, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 미충전 발생이 적은 신뢰성이 뛰어난 반도체 장치를 얻을 수 있다.
상술한 목적 및 그 외의 목적, 특징 및 이점은 이하에 말하는 바람직한 실시의 형태 및 그것에 부수하는 이하의 도면에 의해서 더 분명해진다.
도 1은 본 발명에 관련된 반도체 장치의 일례에 대해서 단면 구조를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명에 관련된 반도체 장치의 일례에 대해서 단면 구조를 나타낸 도면이다.
이하, 본 발명의 반도체 장치에 대해서 상세하게 설명한다. 본 발명의 반도체 장치는 리드 프레임에 2 이상의 반도체 소자를 적층해 탑재하고, 리드 프레임과 반도체 소자를 와이어로 전기적으로 접합하고, 반도체 소자와 와이어와 전기적 접합부를 본 발명에 관련된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 경화물로 봉지하여 이루어진 반도체 장치로서, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물은 (A) 에폭시 수지, (B) 경화제, (C) 무기 충전재를 포함하고 있으며, (C) 무기 충전재는 가장 얇은 충전 두께의 2/3 이하의 입자 지름을 갖는 입자를 99.9 중량% 이상 포함하는 것이며, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 미충전 발생이 적은 신뢰성이 뛰어난 반도체 장치이다.
이하, 각 구성에 대해서 상세히 설명한다.
먼저, 본 발명의 반도체 장치에 이용되는 와이어에 대해서 설명을 실시한다. 와이어는 리드 프레임과 리드 프레임에 탑재된 반도체 소자를 전기적으로 접속하기 위해서 사용된다. 반도체 소자의 분야에 있어서는 집적도의 향상을 위해 패드의 미세 피치 (fine pitch), 작은 와이어 지름이 요구되며, 구체적으로는 30㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 25㎛ 이하의 와이어 지름이 요구되고 있다. 와이어는 특별히 한정되는 것이 아니며, 예를 들면, 금, 알루미늄, 구리, 구리 합금 등을 포함하는 것이 바람직하다. 또, 와이어는 전기 특성, 낮은 비용이라는 관점에서는 구리를 주성분으로 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 반도체 장치에 이용할 수 있는 구리제 와이어는 30㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 25㎛ 이하의 와이어 지름을 가지며, 또한 15㎛ 이상의 와이어 지름을 가지는 것이 바람직하다. 이 범위이면 구리제 와이어 선단 (先端)의 볼 형상이 안정되어 접합 부분의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또, 와이어로서 구리제 와이어를 이용함으로써 구리제 와이어 자신의 강도 (rigidity)에 의해 와이어 흐름을 저감하는 것이 가능해진다.
본 발명에 관련된 구리제 와이어는 특별히 한정되지 않지만, 구리 순도 99.99 중량% 이상인 것이 바람직하고, 99.999 중량% 이상인 것이 보다 바람직하다. 일반적으로 구리에 대해서 각종 원소 (도펀트)를 첨가함으로써 접합시에 구리제 와이어 선단의 볼측 형상의 안정화를 도모할 수 있지만, 0.01 중량%보다 많은 대량의 도펀트를 첨가하면 와이어 접합시에 볼 부분이 경화됨으로써 반도체 소자의 전극 패드 측에 데미지를 주어 접합 부족에 기인한 내습 신뢰성의 저하, 고온 보관 특성의 저하, 전기 저항값의 증대라는 문제점을 발생하는 경우가 있다. 이에 대조해, 구리 순도 99.99 중량% 이상의 구리제 와이어라면, 볼 부분은 충분한 유연성을 가지고 있기 때문에 접합시에 패드 측에 데미지를 부여할 우려가 없다. 또한, 본 발명의 반도체 장치에 이용할 수 있는 구리제 와이어는 심선 (core line)인 구리에 Ba, Ca, Sr, Be, Al 또는 희토류 금속 등의 도펀트를, 예를 들면 0.001?0.003 중량% 도프 (dope)함으로써 볼 형상과 접합 강도가 추가로 개선된다.
본 발명에 관련된 구리제 와이어는 특별히 한정은 되지 않지만, 그 표면에 팔라듐을 포함한 금속 재료로 구성된 피복층을 가지고 있는 것이 바람직하다. 이 피복층은 적어도 접합 부분의 구리제 와이어 선단의 전면을 덮는 것이 바람직하고, 구리제 와이어 전체 전면을 덮는 것이 보다 바람직하다. 이것에 의해, 구리제 와이어 선단의 볼 형상이 안정되어, 접합 부분의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또, 심선인 구리의 산화 열화를 방지하는 효과도 얻어져, 접합 부분의 고온 보관 특성을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 관련된 구리제 와이어에서 팔라듐을 포함하는 금속 재료로부터 구성된 피복층의 두께로는 0.001?0.02㎛인 것이 바람직하고, 0.005?0.015㎛인 것이 보다 바람직하다 (이하, 「?」는 특별히 명시하지 않는 한 상한값과 하한값을 포함하는 것을 나타낸다). 상기 상한값을 초과하면 와이어 본딩시에 심선인 구리와 피복재인 팔라듐을 포함하는 금속 재료가 충분히 녹지 않아 볼 형상이 불안정하게 되어, 접합 부분의 내습성, 고온 보관 특성이 저하될 우려가 있다. 또, 상기 하한값을 하회하면 심선인 구리의 산화 열화를 충분히 방지하지 못하여, 동일하게 접합 부분의 내습성, 고온 보관 특성이 저하될 우려가 있다.
본 발명에 관련된 구리제 와이어는 구리 합금을 용해로에서 주조하고, 그 주괴 (ingot)를 롤 압연하고, 다시금 다이를 이용해 신선 (伸線) 가공을 실시하고, 연속적으로 와이어를 스윕 (sweep) 하면서 가열한 후 열처리를 실시하여 얻을 수 있다. 또, 본 발명에 관련된 피복층은 미리 타겟으로 하는 와이어 지름의 선을 준비하고, 이것을 팔라듐을 포함하는 전해 용액 또는 무전해 용액에 침지하여 연속적으로 스윕해 도금함으로써 형성할 수 있다. 이 경우, 본 발명에 관련된 피복층의 두께는 스윕 속도로 조정할 수 있다. 또, 타겟보다도 굵은 선을 준비하고, 이것을 전해 용액 또는 무전해 용액에 침지해 연속적으로 스윕하여 피복층을 형성하고, 다시금 소정의 지름이 이루어질 때까지 신선하는 수법도 취한다.
다음에, 본 발명의 반도체 장치에 이용되는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물에 대해서 설명을 실시한다. 본 발명에 관련된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물은 (A) 에폭시 수지, (B) 경화제, (C) 무기 충전재를 포함하고 있으며, (C) 무기 충전재는 가장 얇은 충전 두께의 2/3 이하의 입자 지름을 갖는 입자를 99.9 중량% 이상 포함하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물이다. 이하, 본 발명에 관련된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 각 구성 성분에 대해서 설명을 실시한다.
본 발명에 관련된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물에는 (A) 에폭시 수지를 이용할 수 있다. (A) 에폭시 수지는 1 분자내에 에폭시기를 2개 이상 갖는 모노머, 올리고머, 폴리머 전반이며, 그 분자량, 분자 구조를 특별히 한정하는 것은 아니지만, 예를 들면 비페닐형 에폭시 수지, 비스페놀형 에폭시 수지, 스틸벤형 에폭시 수지 (stilbene epoxy resin) 등의 결정성 에폭시 수지; 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지; 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 알킬 변성 트리페놀메탄형 에폭시 수지 등의 다관능 에폭시 수지; 페닐렌 골격을 갖는 페놀 아랄킬형 에폭시 수지, 비페닐렌 골격을 갖는 페놀 아랄킬형 에폭시 수지 등의 아랄킬형 에폭시 수지; 디히드록시 나프탈렌형 에폭시 수지, 디히드록시 나프탈렌의 2량체를 글리시딜 에테르화하여 얻어진 에폭시 수지 등의 나프톨형 에폭시 수지; 트리글리시딜이소시아누레이트, 모노아릴디글리시딜이소시아누레이트 등의 트리아진핵 (核) 함유 에폭시 수지; 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시 수지 등의 유교환상 (有橋環狀) 탄화수소 화합물 변성 페놀형 에폭시 수지를 들 수 있으며, 이들은 1 종류를 단독으로 이용해도, 2 종류 이상을 병용해도 된다.
(A) 에폭시 수지 전체의 배합 비율의 하한값으로는 특별히 한정되지 않지만, 본 발명에 관련된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 전체에 대해서 3 중량% 이상인 것이 바람직하고, 5 중량% 이상인 것이 보다 바람직하다. (A) 에폭시 수지 전체의 배합 비율이 상기 범위이내라면 점도 상승에 의한 와이어 조각 (break)을 일으킬 우려가 적다. 또, (A) 에폭시 수지 전체의 배합 비율의 상한값으로는 특별히 한정되지 않지만, 본 발명에 관련된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 전체에 대해서 20 중량% 이하인 것이 바람직하고, 18 중량% 이하인 것이 보다 바람직하다. (A) 에폭시 수지 전체의 배합 비율의 상한값이 상기 범위이내라면 흡수율 증가에 의한 내습 신뢰성의 저하 등을 일으킬 우려가 적다.
본 발명에 관련된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물에는 (B) 경화제를 이용할 수 있다. (B) 경화제로는 예를 들면 중부가형 (polyaddition) 경화제, 촉매형 경화제, 축합형 경화제의 3 형태로 크게 나눌 수 있다.
중부가형 (B) 경화제로는, 예를 들면 디에틸렌 트리아민 (DETA), 트리에틸렌 테트라민 (TETA), 메타크실릴렌 다아민 (MXDA) 등의 지방족 폴리아민, 디아미노디페닐메탄 (DDM), m-페닐렌 디아민 (MPDA), 디아미노디페닐술폰 (DDS) 등의 방향족 폴리아민 외, 디시안디아미드 (DICY), 유기산 디히드라지드 등을 포함하는 폴리아민 화합물; 헥사히드로 무수프탈산 (HHPA), 메틸테트라히드로 무수프탈산 (MTHPA) 등의 지환족산 무수물, 무수 트리멜리트산 (TMA), 무수 피로멜리트산 (PMDA), 벤조페논테트라카르복시산 (BTDA) 등의 방향족 산무수물 등을 포함하는 산무수물; 노볼락형 페놀 수지, 페놀 폴리머 등의 폴리페놀 화합물; 폴리 설파이드, 티오 에스테르, 티오 에테르 등의 폴리메르캅탄 화합물; 이소시아네이트 프리폴리머, 블록화 이소시아네이트 등의 이소시아네이트 화합물; 카르복시산 함유 폴리에스테르 수지 등의 유기산류 등을 들 수 있다.
촉매형 (B) 경화제로는, 예를 들면 벤질디메틸 아민 (BDMA), 2,4,6-트리스 디메틸아미노메틸 페놀 (DMP-30) 등의 3급 아민 화합물; 2-메틸 이미다졸, 2-에틸-4-메틸 이미다졸 (EMI24) 등의 이미다졸 화합물; BF3 착체 등의 루이스산 등을 들 수 있다.
축합형 (B) 경화제로는, 예를 들면 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지 등의 페놀 수지계 경화제; 메틸올기 함유 우레아 수지와 같은 우레아 수지; 메틸올기 함유 멜라민 수지와 같은 멜라민 수지 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 내연성, 내습성, 전기 특성, 경화성, 보존 안정성 등의 밸런스의 점으로부터 페놀 수지계 경화제가 바람직하다. 페놀 수지계 경화제는 1 분자내에 페놀성 수산기를 2개 이상 갖는 모노머, 올리고머, 폴리머 전반이며, 그 분자량, 분자 구조를 특별히 한정하는 것은 아니지만, 예를 들면 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지 등의 노볼락형 수지; 트리페놀메탄형 페놀 수지 등의 다관능형 페놀 수지; 테르펜 변성 페놀 수지, 디시클로펜타디엔 변성 페놀 수지 등의 변성 페놀 수지; 페닐렌 골격 및/또는 비페닐렌 골격을 갖는 페놀 아랄킬 수지, 페닐렌 및/또는 비페닐렌 골격을 갖는 나프톨 아랄킬 수지 등의 아랄킬형 수지; 비스페놀 A, 비스페놀 F 등의 비스페놀 화합물 등을 들 수 있으며, 이들은 1 종류를 단독으로 이용해도 2 종류 이상을 병용해도 된다.
(B) 경화제 전체의 배합 비율의 하한값에 대해서는 특별히 한정되지 않지만, 본 발명에 관련된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 전체에 대해서 0.8 중량% 이상인 것이 바람직하고 1.5 중량% 이상인 것이 보다 바람직하다. 배합 비율의 하한값이 상기 범위이내이면 충분한 유동성을 얻을 수 있다. 또, 경화제 (B) 전체의 배합 비율의 상한값에 대해서도 특별히 한정되지 않지만, 본 발명에 관련된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 전체에 대해서 16 중량% 이하인 것이 바람직하고, 14 중량% 이하인 것이 보다 바람직하다. 배합 비율의 상한값이 상기 범위이내이면 흡수율 증가에 의한 내습 신뢰성의 저하 등을 일으킬 우려가 적다. 　
또, 경화제 (B)로서 페놀 수지계 경화제를 이용하는 경우에 에폭시 수지와 페놀 수지계 경화제의 배합 비율로는 전체 에폭시 수지의 에폭시기 수 (EP)와 전체 페놀 수지계 경화제의 페놀성 수산기 (OH) 수의 당량비 (EP)/(OH)가 0.8 이상, 1.3 이하인 것이 바람직하다. 당량비가 이 범위이면 본 발명에 관련된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 경화성의 저하, 또는 본 발명에 관련된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 경화물 물성의 저하 등을 일으킬 우려가 적다.
본 발명에 관련된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물은 (C) 무기 충전재를 포함하고 있으며, (C) 무기 충전재는 가장 얇은 충전 두께의 2/3 이하의 입자 지름을 갖는 입자를 99.9 중량% 이상 포함하는 것을 이용할 수 있다. 이 범위의 것을 이용함으로써 반도체 소자가 적층된 반도체 장치, 미세 피치의 와이어를 갖는 반도체 장치에도 적용할 수 있게 된다. 이 범위로 함으로써, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 미충전이나 조대 (粗大)한 입자가 와이어 사이에 끼어 밀어서 쓰러뜨리는 와이어 흐름을 억제할 수 있는 것이다. 이와 같은 무기 충전재는 시판되고 있는 무기 충전재를 그대로, 혹은, 그들의 복수를 혼합하거나 체분하는 것 등에 의해 조정해서 얻을 수 있다. 또, 본 발명에서 이용하는 무기 충전재의 입도 분포는 시판의 레이저식 입도 분포계 (예를 들면, (주) 시마즈 제작소제, SALD-7000 등) 등을 이용해 측정할 수 있다. 여기에서는 가장 얇은 충전 두께는 반도체 소자를 적층할 경우에 형성되는 공극부의 적층 방향의 두께 중 가장 얇은 두께에 상당하며, 예를 들면 스페이서를 통해 적층하고 있는 2개의 반도체 소자 사이의 공극부의 적층 방향의 두께 중 가장 얇은 두께나, 적층한 반도체 소자와 리드 프레임의 사이의 공극부의 적층 방향의 두께 중 가장 얇은 두께에 상당하는 것이 바람직하다.
여기서, 특허문헌 4에는 일반적인 반도체 장치에 있어서 무기 충전제는 입경 100㎛ 이상의 성분이 0.1 중량% 이하인 용융 실리카로서, 봉지용 에폭시 수지 성형 재료가 기재되어 있다.
이에 대조적으로, 본 발명자가 검토 한 결과 반도체 소자를 적층할 경우에 형성된 공극부 (예를 들면, 스페이서를 통해 적층하고 있는 2개의 반도체 소자 사이의 공극부나, 반도체 소자와 리드 프레임 사이의 공극부에 있어서는 상기 특허문헌 4에 기재된 무기 충전제로는 충전성이 불충분한 경우가 있는 것으로 판명되었다. 이에, 이 공극부의 적층 방향의 두께 중 가장 얇은 두께 (가장 얇은 충전 두께)에 대해서, 가장 얇은 충전 두께의 2/3 보다 큰 입자 지름의 (C) 무기 충전재를 0.1 중량% 미만으로 함으로써 미충전의 발생이 적은 신뢰성이 뛰어난 반도체 장치를 얻을 수 있는 것을 알았다.
여기서, 특허문헌 3에서는 와이어로서 구리선보다 강도가 낮은 금선을 이용하고 있다. 일반적으로, 무기 충전제의 입자 지름을 작게 하면, 봉지 수지의 점도가 높아진다. 이 때문에, 특허문헌 3에 있어서, 무기 충전제를 포함하는 봉지 수지로 봉지할 때, 무기 충전제의 입자 지름을 작게 하면, 와이어 흐름율이 저하될 우려가 있었다.
이에 대조적으로, 본 발명에 있어서는 (C) 무기 충전재는 가장 얇은 충전 두께의 2/3 이하의 입자 지름을 갖는 입자를 99.9 중량% 이상 포함하는 것을 이용하면서, 와이어의 재료체나 와이어 지름을 적절히 선택함으로써 충전성을 향상시키면서도, 와이어 흐름율이 뛰어난 반도체 장치가 얻어진다. 또, 특히 와이어로서 금제 와이어보다 강도가 높은 구리제 와이어를 이용함으로써 와이어 흐름율이 더 뛰어나며, 미세 피치성이 뛰어난 반도체 장치를 얻을 수 있다.
(C) 무기 충전재로는 일반적인 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물에 사용되고 있는 것을 이용할 수 있다. 예를 들면, 용융 구상 실리카, 용융 파쇄실리카, 결정 실리카, 탈크, 알루미나, 티탄 화이트, 질화 규소 등을 들 수 있으며, 그 중에서도 용융 구상 실리카가 특히 바람직하다. (C) 무기 충전재로는 이러한 1종을 단독으로 이용해도 2종 이상을 병용해도 지장 없다. 또, (C) 무기 충전재의 형상으로는 본 발명에 관련된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 용융 점도의 상승을 억제하고, 또한 (C) 무기 충전재의 함유량을 높이기 위해서는 가능한 한 진구상 (眞球狀)이며, 또한 입도 분포가 넓은 (broad) 것이 바람직하다. 또, (C) 무기 충전재가 커플링제에 의해 표면 처리되어도 된다. 더욱이 필요에 따라서 (C) 무기 충전재를 에폭시 수지 또는 페놀 수지로 미리 처리해서 이용해도 된다. 처리의 방법으로는 용매를 이용해 혼합한 후에 용매를 제거하는 방법이나, 직접 무기 충전재에 첨가하고, 혼합기를 이용해서 혼합 처리하는 방법 등이 있다.
(C) 무기 충전재의 함유 비율은 한정되지 않지만, 본 발명에 관련된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 충전성, 본 발명의 반도체 장치의 신뢰성을 생각하면, 본 발명에 관련된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 전체에 대해서 60 중량% 이상인 것이 바람직하고, 65 중량% 이상인 것이 보다 더 바람직하다. 상기 하한값을 하회하지 않는 범위이면, 저흡습성, 저열팽창성을 얻을 수 있기 때문에 내습 신뢰성이 불충분하게 될 우려가 적다. 또, (C) 무기 충전재의 함유 비율의 상한값은 성형성을 고려하면, 본 발명에 관련된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 전체에 대해서 92 중량% 이하인 것이 바람직하고, 89 중량% 이하인 것이 보다 바람직하다. 상기 상한값을 초과하지 않는 범위이면, 유동성이 저하해서 성형시에 충전 불량 등이 생기거나, 고점도화에 의한 반도체 장치내의 와이어 흐름 등이 좋지 않은 상황이 생길 우려가 적다.
본 발명에 관련된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물에는 경화촉진제를 더 이용할 수 있다. 경화촉진제는 에폭시 수지의 에폭시기와 경화제 (예를 들면, 페놀 수지계 경화제의 페놀성 수산기)의 가교 반응을 촉진시키는 것이면 되고, 일반적인 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물에 사용하는 것을 이용할 수 있다. 예를 들면, 1,8-디아자비시클로(5,4,0)운데센-7 등의 디아자비시클로알켄 및 그 유도체; 트리페닐 포스핀, 메틸디페닐 포스핀 등의 유기 포스핀류; 2-메틸 이미다졸 등의 이미다졸 화합물; 테트라페닐 포스포늄?테트라페닐 보레이트 등의 테트라 치환 포스포늄?테트라 치환 보레이트; 포스핀 화합물과 퀴논 화합물의 부가물 등을 들 수 있으며, 이들은 1 종류를 단독으로 이용해도 2종 이상을 병용해도 지장 없다.
경화촉진제의 배합 비율의 하한값으로는 특별히 한정되지 않지만, 본 발명에 관련된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 전체에 대해서 0.05 중량% 이상인 것이 바람직하고, 0.1 중량% 이상인 것이 보다 바람직하다. 경화촉진제의 배합 비율의 하한값이 상기 범위이내라면, 경화성의 저하를 일으킬 우려가 적다. 또, 경화촉진제의 배합 비율의 상한값으로는 특별히 한정되지 않지만, 본 발명에 관련된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 전체에 대해서 1 중량% 이하인 것이 바람직하고, 0.5 중량% 이하인 것이 보다 바람직하다. 경화촉진제의 배합 비율의 상한값이 상기 범위이내라면 유동성의 저하를 일으킬 우려가 적다.
본 발명에 관한 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물에는 필요에 따라서 추가로 수산화 지르코늄 등의 알루미늄 부식 방지제; 산화비스무트 수화물 등의 무기 이온 교환체; γ-글리시드옥시프로필 트리메톡시실란, 3-메르캅토 프로필 트리메톡시실란, 3-아미노프로필 트리메톡시실란 등의 커플링제; 카본 블랙, 붉은 황토 (red ocher) 등의 착색제; 실리콘 고무 등의 저응력 성분; 카루나우바 왁스 (carnauba wax) 등의 천연 왁스, 합성 왁스, 스테아린산아연 등의 고급 지방산 및 그 금속 염류 혹은 파라핀 등의 이형제; 산화 방지제 등의 각종 첨가제를 적절히 배합해도 된다.
본 발명에 관련된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물은 전술한 각 성분을, 예를 들면 믹서 등을 이용해 상온 혼합한 것, 다시금 그 후 롤, 니더, 압출기 등의 혼련기로 용융 혼련하고, 냉각 후 분쇄한 것 등 필요에 따라서 적절히 분산도나 유동성 등을 조정한 것을 이용할 수 있다.
다음에, 본 발명의 반도체 장치의 구조에 대해서 설명한다. 도 1 및 도 2는 본 발명에 관련된 반도체 봉지용 수지 조성물을 이용한 반도체 장치 (100)의 일례를 나타낸 단면도이다. 본 발명의 반도체 장치는 리드 프레임에 2개 이상의 반도체 소자를 적층해 탑재하고, 리드 프레임과 반도체 소자를 와이어로 전기적으로 접합하고, 반도체 소자와 와이어와 전기적 접합부를 본 발명에 관련된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 경화물로 봉지하여 이루어진다. 즉, 도 1에 나타낸 본 발명의 반도체 장치 (100)에 있어서는 리드 프레임 (10)의 다이 패드 (3)상에, 접착제층 (2)을 통해 반도체 소자 (1)가 고정되어 있다. 이 반도체 소자 (1)상에 적층되어 있으며, 스페이서 (7)를 통해 반도체 소자 (11)가 고정되어 있다. 이러한 반도체 소자 (1,11)의 전극 패드와 리드 프레임 (10)의 리드부 (5)가 와이어 (4)로 전기적으로 접속되어 있다. 반도체 소자 (1,11)는 본 발명에 관련된 반도체 봉지용 수지 조성물의 경화체 (6)에 의해서 봉지되어 있다. 이 반도체 장치 (100)에서는 스페이서 (7)를 통하여 반도체 소자 (1)상에 반도체 소자 (11)가 적층됨으로써 반도체 소자 (1)과 반도체 소자 (11)의 사이에 공극부가 마련되어 있으며, 이 공극부에 본 발명에 관련된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 경화물 (경화체 (6))이 충전되어 가장 얇은 충전 두께 (L)를 가지는 충전부가 구성되어 있다. 또, 반도체 장치 (100)에 있어서는 가장 얇은 충전 두께 (L)는 스페이서 (7)의 적층 방향의 두께 중 가장 얇은 두께에 상당한다.
여기서, 스페이서 (7)의 적층 방향의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 0.01 ㎜ 이상 0.2 ㎜ 이하가 바람직하고, 0.05 ㎜ 이상 0.15 ㎜ 이하가 보다 바람직하다.
또, 도 2에 나타낸 본 발명의 반도체 장치 (100)에 있어서는 리드 프레임 (8)상에 접착제층 (2)을 통해 반도체 소자 (1)가 고정되어 있다. 이 반도체 소자 (1)상에 돌출하여 (overhanging) 적층되어 있으며, 접착제층 (12)을 통해 반도체 소자 (11)가 고정되어 있다. 이러한 반도체 소자 (1,11)의 전극 패드와 리드 프레임 (8,9)이 와이어 (4)로 전기적으로 접속되어 있다. 반도체 소자 (1,11)는 본 발명에 관련된 반도체 봉지용 수지 조성물의 경화체 (6)에 의해서 봉지되어 있다. 이 반도체 장치 (100)에서는 돌출하여 반도체 소자 (1)상에 반도체 소자 (11)가 적층됨으로써 반도체 소자 (11)와 리드 프레임 (8) 사이에 공극부가 마련되어 있으며, 이 공극부에 본 발명에 관련된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 경화물 (경화체 (6))이 충전되어 가장 얇은 충전 두께 (L)를 가지는 충전부가 구성되어 있다. 또, 반도체 장치 (100)에 있어서는 가장 얇은 충전 두께 (L)는 적층한 반도체 소자 (11)와 리드 프레임 (8)의 공극부의 적층 방향의 두께 중 가장 얇은 두께에 상당한다.
이와 같이, 본 발명에 관련된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물로 봉지를 실시하는 반도체 소자로서는 특별히 한정된 것이 아니며, 예를 들면 집적회로, 대규모 집적회로, 고체 촬상 소자 등을 들 수 있다. 반도체 장치의 구체적인 형태로는 예를 들면 TSOP, QFP 등을 들 수 있다. 1 단째의 반도체 소자는 필름 접착제, 열경화성 접착제 등에 의해 리드 프레임의 아일랜드에 접착된다. 2 단째 이후의 반도체 소자는 절연성의 필름 접착제에 의해 순차 적층된다. 와이어와 반도체 소자의 간섭, 접촉을 방지하기 위해 2 단째 이후의 반도체 소자를 돌출하여 (반도체 소자의 일부는 접착되어 있지 않다) 접착해도 되고, 스페이서를 통해서 접착해도 된다. 스페이서는 응력 완화의 점으로부터 반도체 소자와 열팽창율이 가까운 것이 바람직하다. 상기에 있어서, 2 단째 이후의 반도체 소자를 돌출하여 (반도체 소자의 일부가 접착되어 있지 않다) 접착했을 경우 접착제 주변부, 및 스페이서를 통해 접착했을 경우의 스페이서 주변부는, 리드 프레임에 2개 이상의 반도체 소자를 적층해 탑재한 반도체 장치에 있어서 가장 얇은 충전 두께 부분에 상당하게 된다.
리드 프레임의 리드부와 반도체 소자는 와이어의 리버스 본딩에 의해 접합되는 것이 바람직하다. 리버스 본딩으로는 우선 반도체 소자의 패드부에 와이어의 선단에 형성된 볼을 접합하고, 와이어를 절단해 스티치 접합용 (stitch junction) 범프 (bump)를 형성한다. 다음에 리드 프레임의 금속 도금된 리드부에 대해서 와이어의 선단에 형성된 볼을 접합하고 반도체 소자의 범프에 스티치 접합한다. 리버스 본딩으로는 정 본딩 (positive bonding)보다 반도체 소자상의 와이어 높이를 낮게 할 수 있기 때문에 반도체 소자의 접합 높이를 낮게 할 수 있다.
본 발명의 반도체 장치는 본 발명에 관련된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 이용하여 반도체 소자 등의 전자 부품을 봉지하고, 트랜스퍼 몰딩, 콤프레션 몰딩, 인젝션 몰딩 등의 종래부터의 성형 방법으로 경화 성형해서 얻어진다. 트랜스퍼 몰딩 등의 성형 방법으로 봉지된 반도체 장치는 그대로, 혹은 80℃?200℃ 정도의 온도에서 10분?10시간 정도의 시간을 걸쳐서 완전 경화시킨 후, 전자기기 등에 탑재되는 것이 바람직하다.
이상과 같이, 본 발명에 따르면 본 발명에 관련된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 미충전의 발생이 적은 신뢰성이 뛰어난 반도체 장치를 얻을 수 있기 때문에 유로가 좁고 복잡한 멀티플-칩 형태의 반도체 장치, 특히 반도체 소자를 적층해 탑재한 반도체 장치에 매우 적합하게 이용할 수 있다.
또한, 당연히 상술한 실시의 형태 및 복수의 변형예는 그 내용이 상반되지 않는 범위에서 조합할 수 있다. 또, 상술한 실시의 형태 및 변형예에서는 각부의 구조 등을 구체적으로 설명했지만, 그 구조 등은 본원 발명을 만족하는 범위에서 각종으로 변경할 수 있다.
실시예
이하에 본 발명의 실시예를 나타내지만, 본 발명은 이들로 한정되는 것은 아니다. 배합 비율은 중량부로 한다. 실시예, 비교예에서 이용한 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 각 성분에 대해서 이하에 나타낸다.
반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 각 성분:
오르소크레졸노볼락형 에폭시 수지 (E-1: 일본화약 (주)제, EOCN1020, 연화점 55℃, 에폭시 당량 196)
비페닐렌 골격을 갖는 페놀 아랄킬형 에폭시 수지 (E-2: 일본화약 (주)제, NC3000, 연화점 58℃, 에폭시 당량 274) 페놀 노볼락 수지 (H-1: 스미토모 베이클리트 (주)제, PR-HF-3, 연화점 80℃, 수산기 당량 104)
비페닐렌 골격을 갖는 페놀 아랄킬 수지 (H-2: 메이와 화성 (주)제, MEH-7851SS, 연화점 65℃, 수산기 당량 203)
용융 구상 실리카-1 (전기화학공업 (주)제, FB-100X, 100㎛ 이하의 입자 비율: ＞99.9 중량%, 67㎛ 이하의 입자의 비율: 87.4 중량%)
용융 구상 실리카-2 (전기화학공업 (주)제, FB-100X를 300 메쉬의 체로 체분 한 것, 67㎛ 이하의 입자의 비율: ＞99.9 중량%, 33㎛ 이하의 입자 비율: 73.7 %)
용융 구상 실리카-3 (전기화학공업 (주)제, FB-5SDC, 33㎛ 이하의 입자 비율: ＞99.9 중량%)
경화촉진제: 트리페닐포스핀 (TPP)
실란 커플링제: 에폭시실란 (γ-글리시드옥시프로필 트리메톡시실란)
착색제: 카본 블랙
이형제: 카루나우바 왁스
충전성 및 와이어 흐름율의 평가에 사용한 각 반도체 패키지:
PKG-1: 44pTSOP. 패키지 사이즈: 18×10×1.0 ㎜, 42 합금 리드 프레임. 아일랜드 사이즈: 5.0×8.5 ㎜, 1 단째의 칩 사이즈: 4.5×8.0×0.10㎜. 스페이서 사이즈: 3×5×0.15㎜. 2 단째의 칩 사이즈: 4.5×8.0×0.10㎜. 구리제 와이어: 타츠타전선 (주)제 TC-E (구리순도 99.99 중량%, 선 지름 25㎛)에 0.01㎛의 팔라듐 피복을 시행한 것. 칩과 리드는 리버스 본딩에 의해 접합했다.
PKG-2: 44pTSOP. 패키지 사이즈: 18×10×1.0 ㎜, 42 합금 리드 프레임. 아일랜드 사이즈: 5.0×8.5 ㎜, 1 단째의 칩 사이즈: 4.5×8.0×0.10㎜. 스페이서 사이즈: 3×5×0.10㎜. 2 단째의 칩 사이즈: 4.5×8.0×0.10㎜. 구리제 와이어: 타츠타전선 (주)제 TC-E (구리순도 99.99 중량%, 선 지름 25㎛)에 0.01㎛의 팔라듐 피복을 시행한 것. 칩과 리드는 리버스 본딩에 의해 접합했다.
PKG-3: 44pTSOP. 패키지 사이즈: 18×10×1.0 ㎜, 42 합금 리드 프레임. 아일랜드 사이즈: 5.0×8.5 ㎜, 1 단째의 칩 사이즈: 4.5×8.0×0.10㎜. 스페이서 사이즈: 3×5×0.05㎜. 2 단째의 칩 사이즈: 4.5×8.0×0.10㎜. 구리제 와이어: 타츠타전선 (주)제 TC-E (구리순도 99.99 중량%, 선 지름 25㎛)에 0.01㎛의 팔라듐 피복을 시행한 것. 칩과 리드는 리버스 본딩에 의해 접합했다.
PKG-4: 44pTSOP. 패키지 사이즈: 18×10×1.0 ㎜, 42 합금 리드 프레임. 아일랜드 사이즈: 5.0×8.5 ㎜, 1 단째의 칩 사이즈: 4.5×8.0×0.10㎜. 스페이서 사이즈: 3×5×0.15㎜. 2 단째의 칩 사이즈: 4.5×8.0×0.10㎜. 금 와이어: Kulicke＆Soffa, Ltd. 제 AW66 (금 순도 99.99 중량%, 선 지름 25㎛). 칩과 리드는 리버스 본딩에 의해 접합했다.
PKG-5: 44pTSOP. 패키지 사이즈: 18×10×1.0 ㎜, 42 합금 리드 프레임. 아일랜드 사이즈: 5.0×8.5 ㎜, 1 단째의 칩 사이즈: 4.5×8.0×0.10㎜. 스페이서 사이즈: 3×5×0.10㎜. 2 단째의 칩 사이즈: 4.5×8.0×0.10㎜. 금 와이어: Kulicke＆Soffa, Ltd. 제 AW66 (금 순도 99.99 중량%, 선 지름 25㎛). 칩과 리드는 리버스 본딩에 의해 접합했다.
반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 제조:
(실시예 1)
E-1 12.43 중량부
H-1 6.52 중량부
용융 구상 실리카-1 80 중량부
TPP 0.15 중량부
에폭시실란 0.2 중량부
카본 블랙 0.3 중량부
카루나우바 왁스 0.4 중량부
를 상온에서 믹서를 이용해 혼합하고, 다음에 70?100℃에서 롤 혼련하고, 냉각 후 분쇄해서 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 얻었다.
(실시예 2?5, 비교예 1?2)
표 1에 기재된 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 배합에 따라 실시예 1과 동일하게 하여 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 얻었다.
각 실시예 및 각 비교예에서 얻어진 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물에 대해서, 이하의 평가를 실시했다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.
평가방법
(반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 평가)
스파이럴 플로우: 저압 트랜스퍼 성형기 (코타키세이키 (주)제, KTS-15)를 이용해서 EMMI-1-66에 준한 스파이럴 플로우 측정용 금형에 금형 온도 175℃, 주입 압력 6.9 MPa, 경화 시간 120초의 조건으로 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 주입해 유동 길이를 측정했다. 단위는 cm. 80 cm 이하이면 패키지 미충전 등의 성형 불량이 발생하는 경우가 있다.
(반도체 패키지의 평가)
충전성: 저압 트랜스퍼 자동 성형기 (제일정공제, GP-ELF)를 이용해서 금형 온도 175℃, 주입 압력 9.8 MPa, 경화 시간 70초의 조건에서 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물에 의해 실리콘 칩 등을 봉지하고, 표 1에 기재된 평가 패키지를 얻었다. 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 충전성을 초음파탐상장치 (히타치 건기 파인텍 주식회사제, mi-scope　hyper　II)에 의해 관찰했다. 스페이서 주변부에서 1 단째와 2 단째의 칩 사이의 공극부 (틈새)의 적층 방향의 두께 중 가장 얇은 두께를 가장 얇은 충전 두께로 한다. 여기에서는, 가장 얇은 충전 두께가 스페이서 두께에 상당한다. 스페이서 주변부에서 1 단째와 2 단째의 칩 사이의 공극부 (틈새)에 미충전부가 있는 것을 불량으로 했다. 평가한 패키지의 수는 20개. 불량 패키지의 개수가 n개일 때 n/20으로 표시했다.
와이어 흐름율: 충전성 평가에 사용한 패키지를 연(軟) X선 투시 장치 (소프텍스 (주)제, PRO-TEST100)로 촬영하여 22개의 와이어에 대해서 와이어 길이, 흐름량 (와이어단을 연결한 선과 와이어의 최대 거리)을 측정했다. 와이어 흐름율을 (흐름량)/(와이어 길이)의 백분율로 나타내어, 측정한 22개 중 최대값을 나타냈다. 단위는 %. 이 값이 5%를 초과하면 인접하는 와이어끼리 접촉할 가능성이 높다.
Figure pct00001
표 1로부터 명확한 바와 같이, 무기 충전재가 가장 얇은 충전 두께의 2/3 이하의 입자 지름을 갖는 입자를 99.9 중량% 이상 포함하는 실시예 1?5는 충전성이 뛰어났다. 또, 구리제 와이어를 이용한 실시예 1?3은 와이어 흐름율에서도 우수했다.
이 출원은 평성 21년 9월 8일에 출원된 일본 특허출원 특원2009-206535를 기초로 하는 우선권을 주장하고, 그 공개된 전체를 여기에 도입했다.

Claims (11)

  1. 리드 프레임에 2 이상의 반도체 소자를 적층해 탑재하고, 상기 리드 프레임과 상기 반도체 소자를 와이어로 전기적으로 접합하고, 상기 반도체 소자와 상기 와이어와 전기적 접합부를 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 경화물로 봉지하여 이루어진 반도체 장치로서,
    상기 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물은 (A) 에폭시 수지, (B) 경화제, (C) 무기 충전재를 포함하고 있으며,
    상기 (C) 무기 충전재는 가장 얇은 충전 두께의 2/3 이하의 입자 지름을 갖는 입자를 99.9 중량% 이상 포함하는 반도체 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 반도체 소자를 적층함으로써 공극부가 마련되어 있으며, 상기 공극부에 상기 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 경화물이 충전되어 가장 얇은 상기 충전 두께를 갖는 충전부가 구성되어 있는 반도체 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 반도체 소자와 상기 반도체 소자 사이의 상기 공극부, 또는 상기 반도체 소자와 상기 리드 프레임 사이의 상기 공극부 중 적층 방향으로 가장 얇은 두께가 가장 얇은 상기 충전 두께에 상당하는 반도체 장치.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 와이어가 구리제 와이어인 반도체 장치.
  5. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 리드 프레임에 상기 반도체 소자를 스페이서를 통해 적층해 탑재한 반도체 장치로서, 상기 (C) 무기 충전재는 상기 스페이서 두께의 2/3 이하의 입자 지름을 갖는 입자를 99.9 중량% 이상 포함하는 반도체 장치.
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (C) 무기 충전재는 실리카를 포함하는 반도체 장치.
  7. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 리드 프레임과 상기 반도체 소자는 상기 와이어의 리버스 본딩에 의해 전기적으로 접합되는 반도체 장치.
  8. 청구항 4에 있어서,
    상기 구리제 와이어의 구리순도는 99.99 중량% 이상인 반도체 장치.
  9. 청구항 4 또는 청구항 8에 있어서,
    상기 구리제 와이어의 그 표면에 팔라듐을 포함한 금속재료로 구성된 피복층을 가지고 있는 반도체 장치.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 피복층의 두께는 0.001㎛ 이상 0.02㎛ 이하인 반도체 장치.
  11. 청구항 5에 있어서,
    상기 스페이서의 두께는 0.01 ㎜ 이상 0.2 ㎜ 이하인 반도체 장치.
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