JP2006019531A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 リード端子の間隔を変えずに、複数の半導体チップを積層した半導体装置での半導体チップの端子間接続を容易にする。
【解決手段】 半導体装置1では、第1の半導体チップ4が第1の接着層7により、ベッド12表面に接着固定され、第2の半導体チップ5が第2の接着層8により、裏面を第2の接着層8と接するように、第1の半導体チップ4表面に接着固定されている。そして、第1の半導体チップ4表面に設けられた端子6及び第2の半導体チップ5表面に設けられた端子6と接続リード13は、それぞれボンディングワイヤ9で電気的に接続されている。接続リード13は、モールド樹脂に覆われ、露呈されていない。
【選択図】 図2
【解決手段】 半導体装置1では、第1の半導体チップ4が第1の接着層7により、ベッド12表面に接着固定され、第2の半導体チップ5が第2の接着層8により、裏面を第2の接着層8と接するように、第1の半導体チップ4表面に接着固定されている。そして、第1の半導体チップ4表面に設けられた端子6及び第2の半導体チップ5表面に設けられた端子6と接続リード13は、それぞれボンディングワイヤ9で電気的に接続されている。接続リード13は、モールド樹脂に覆われ、露呈されていない。
【選択図】 図2
Description
本発明は、半導体装置に係り、特に単一パッケージ内に複数個の半導体チップを積層して搭載する半導体装置及びその製造方法に関するものである。
近年、単一パッケージ内に複数個の半導体チップを搭載することにより、半導体装置の小型化、高性能化、システム化が図られている。例えば、携帯機器に搭載されるメモリへ付加価値を付与したり、メモリ容量を増大させる目的で複数個の半導体チップを積層して搭載するMCP(multi-chip package)や、複数のメモリやロジックLSI等を組み合わせ、小さな単一パッケージに詰め込むSiP(system in package)が各種機器に用いられている。MCPやSiPにおいて、半導体チップとこの半導体チップ上に設けられた半導体チップとの接続は、半導体チップの端子間を直接ワイヤボンディングしたり、半導体チップの端子とリード端子をワイヤボンディングすることにより行っている(例えば、非特許文献1参照。)。
ところが、リードフレーム使用パッケージにおいて半導体チップの大きさが同一の場合、或いは半導体チップがリードフレームの表面側(第1主面側)と裏面側(第1主面と相対向する第2主面側)に形成されている場合、半導体チップの端子間を直接ワイヤボンディングすることができないという問題点がある。
また、半導体チップの端子とリード端子をワイヤボンディングする場合、このリード端子は半導体装置の外部との接続用として用いていないので、半導体装置の動作時には不要となる。このため、半導体装置の使用前にこの端子を切断するのでリード端子間隔が不揃いになるという問題点がある。そして、この端子を切断しない場合には、リード端子数が増加するという問題点がある。
岡隆弘、他2名、「2チップ積層MCP(マルチチップパッケージ)の開発」、沖電気研究開発、沖電気工業株式会社、平成12年10月、第184号、Vol.67、No.3(頁71、図1、図2)
岡隆弘、他2名、「2チップ積層MCP(マルチチップパッケージ)の開発」、沖電気研究開発、沖電気工業株式会社、平成12年10月、第184号、Vol.67、No.3(頁71、図1、図2)
本発明は、一定なリード端子間隔を保ち、且つリード端子数を増やすことなく、半導体チップ間の接続ができる単一パッケージ内に複数個の半導体チップを積層して搭載する半導体装置及びその製造方法を提供する。
上記目的を達成するために、本発明の一態様の半導体装置は、ベッドと、前記ベッド上に積層載置された複数の半導体チップと、前記ベッドから離間して設けられたインナーリードと、前記インナーリードの近傍領域に設けられた接続リードと、前記複数の半導体チップの内のいずれか1つの半導体チップに設けられた第1の端子と、前記複数の半導体チップの内の前記半導体チップとは異なる半導体チップに設けられた第2の端子と、前記第1の端子と前記接続リードを電気的に接続する第1のボンディングワイヤと、前記第2の端子と前記接続リードを電気的に接続する第2のボンディングワイヤと、前記ベッド、前記複数の半導体チップ、前記インナーリード、前記接続リード、前記第1のボンディングワイヤ、及び第2のボンディングワイヤを封止する外囲器と、前記インナーリードに接続され前記外囲器の外側に延在するアウターリードとを具備することを特徴とする。
更に、上記目的を達成するために、本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、インナーリードと、前記インナーリードの近傍領域に設けられる接続リードと、前記接続リードを前記インナーリードに固定するためのサポートバーとを有するリードフレームを加工成形する工程と、前記インナーリード及び前記接続リードを連結固定する絶縁性支持体を形成する工程と、前記サポートバーを前記リードフレームから切断する工程と、前記サポートバーを前記リードフレームから除去する工程と、第1の半導体チップの第1主面と相対向する第2主面を第1の接着層を用いてベッドの第1主面に接着固定する工程と、第2の半導体チップの第1主面と相対向する第2主面を第2の接着層を用いて前記第1の半導体チップの第1主面に接着固定する工程と、前記第1の半導体チップの端子と前記接続リードをワイヤボンディングし接続する工程と、前記第2の半導体チップの端子と前記接続リードをワイヤボンディングし接続する工程とを具備することを特徴とする。
本発明によれば、一定なリード端子間隔を保ち、且つリード端子数を増やすことなく、半導体チップ間の接続ができる単一パッケージ内に複数個の半導体チップを積層して搭載する半導体装置及びその製造方法を提供するができる。
以下本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
まず、本発明の実施例1に係る半導体装置について、図面を参照して説明する。図1は、樹脂封止型半導体装置を示す平面図、図2は図1のA−A線に沿う半導体装置の断面図である。本実施例では、異なるサイズの半導体チップを積層している。
図1に示すように、半導体装置1は、モールド樹脂2と、四方向にそれぞれ等間隔に設けられた複数のリード端子3と、モールド樹脂2内に設けられた第1の半導体チップ4と、第1の半導体チップ4の表面側(第1主面側)に設けられた第2の半導体チップ5を有し、パッケージ高さ0.9mmからなる36ピンQFP(quad flat package)を用いた2チップ積層MCPである。ここで、モールド樹脂2は第1の半導体チップ4、第2の半導体チップ5を封止する外囲器として用いられる。
図2に示すように、半導体装置1では、第1の半導体チップ4、第2の半導体チップ5、第1の半導体チップ4及び第2の半導体チップ5の端子6、第1の接着層7、第2の接着層8、ボンディングワイヤ9ばかりでなく接続リード13もモールド樹脂2に覆われ、露呈されていない。そして、第1の半導体チップ4が第1の接着層7により、ベッド12表面(第1主面)に接着固定され、第2の半導体チップ5が第2の接着層8により、裏面(第2主面)を第2の接着層8と接するように、第1の半導体チップ4表面(第1主面)に接着固定されている。
第1の半導体チップ4表面に設けられた端子6及び第2の半導体チップ5表面に設けられた端子6と接続リード13は、それぞれボンディングワイヤ9で電気的に接続されている。このため、第1の半導体チップ4及び第2の半導体チップ5は、リード端子などを介さずに電気的に信号のやりとりができる。接続リード13は、絶縁性樹脂テープ14により、ベッド12を含むリードフレームに固定されている。ここで、絶縁性樹脂テープ14をインナーリード11と接続リード13の上下面に設けているが、上面のみを覆うように形成してもよい。
次に、半導体装置の製造方法について図3乃至6を参照して説明する。図3は半導体装置の製造方法を示すフローチャート、図4乃至図6は半導体装置の製造工程を示す平面図である。
まず、図4に示すように、銅(Cu)などからなるリードフレーム10を用意する。リードフレーム10は、左右両端部に設けられたサイドフレーム15と、サイドフレーム15を保持する枠部18と、サイドフレーム15及び枠部18に保持され、四方向にそれぞれ等間隔に設けられた複数のアウターリード16、16aと、アウターリード16の先端に設けられ、アウターリード16よりも幅の狭い複数のインナーリード11と、インナーリード11間に設けられた接続リード13と、インナーリード11と接続リード13の先端に設けられ、接続リード13をリードフレーム10に固定するために設けられたサポートバー17と、アウターリード16aと接続し半導体チップをマウントするためのベッド12を有し、プレス加工により成形される。ここで、インナーリード11と接続リード13の先端には、ボンディングワイヤとの接合を良好にし電気的な接続状態を向上させるために、例えば、銀(Ag)メッキ等が施されている(ステップS1)。すべてのインナーリード11及び接続リード13はサポートバー17により連結固定されている。
次に、図5に示すように、ベッド12と等距離に離間して、インナーリード11、接続リード13、及びアウターリード16aの中央部分を覆うように絶縁性樹脂テープ14を形成する(ステップS2)。続いて、プレス加工により、サポートバー17部分を切断して取り除く。ここで、サポートバー17はすべてのインナーリード11及び接続リード13を連結固定しているので、プレス加工後のインナーリード11及び接続リード13の高さ及び形状を一定に保つことができる。また、接続リード13はベッド12と離間し、インナーリード11の間に設けられているが、インナーリード11の近傍領域、例えば、両端のインナーリード11の外側に設けてもよい。そして、接続リード13は絶縁性樹脂テープ14により、リードフレーム10に固定されることになる(ステップS3)。
続いて、図6に示すように、ベッド12表面に設けられた第1の接着層7上に第1の半導体チップ4を、表面を上側にして載置する。ここで、第1の接着層7には、導電性樹脂膜を用いているが絶縁性樹脂と導電性樹脂の2層構造の膜等を用いてもよい。また、導電性樹脂の代わりに、半田、半田バンプ、金バンプ、或いはVNi/AuGe、Ti/Au等の金属を用いてもよい(ステップS4)。次に、第1の半導体チップ4表面に設けられた第2の接着層8上に第2の半導体チップ5を、表面を上側にして載置する。ここで、第2の接着層8には、絶縁性樹脂膜を用いているが絶縁性樹脂と導電性樹脂の2層構造の膜等を用いてもよい(ステップS5)。
続いて、例えば、180℃で加重をかけて第1の半導体チップ4及び第2の半導体チップ5をリードフレーム10に接着固定する。なお、第1の半導体チップ4をベッド12表面に載置した後に加熱及び加重処理を施して第1の半導体チップ4を接着固定してもよい。そして、第1の半導体チップ4の端子PAD1とインナーリード11及びベッド12、第1の半導体チップ4の端子PAD1aと接続リード13、第1の半導体チップ4の端子PAD1bとインナーリード11、第2の半導体チップ5の端子PAD2とインナーリード11、第2の半導体チップ5の端子PAD2aと接続リード13、第2の半導体チップ5の端子PAD2bとインナーリード11をそれぞれワイヤボンディングする。ここで、第1の半導体チップ4の端子PAD1aと第2の半導体チップ5の端子PAD2aは、接続リード13により電気的に接続される。電気的に接続された第1の半導体チップ4の端子PAD1bと第2の半導体チップ5の端子PAD2bは、例えば、電源用端子として用いられる。また、半導体装置1が高速又は高周波動作する場合、ボンディングワイヤで接続リード13と接続される端子は、接続リードの長尺方向の中心線上に設けるのが好ましい(ステップS6)。
そして、モールド金型を用いてモールド樹脂2でモールドし(ステップS7)、打ち抜き金型を用いてアウターリード16、16aを曲げ及びリードフレーム10から切断分離することにより半導体装置1は製造され利用することができる。
上述したように、本実施例の半導体装置では、インナーリード11の間に、絶縁性樹脂テープ14でリードフレーム10に固定され、モールド樹脂2に覆われ露呈されていない接続リード13が設けられている。そして、第1の半導体チップ4の端子と第2の半導体チップ5の端子は、接続リード13によりワイヤボンディングで電気的に接続されている。このため、第1の半導体チップ4の端子と第2の半導体チップ5の端子を接続するリード端子を設ける必要がなく、リード端子数の増加を抑制でき、且つリード端子間隔を一定に保つことができる。
なお、本実施例では、半導体チップを2チップ積層載置したMCPについて説明したが、3チップ以上積層載置したMCPに適用してもよい。また、接続リード13のリードフレーム10への固定に、絶縁性樹脂テープ14を用いているが、セラミックスを焼結成型した絶縁性支持体を用いて、接続リード13をリードフレーム10に固定させてもよい。更に、QFPの代わりに、SOP(small out-line package)、QFN(quad flat non−leaded package)などの薄型パッケージを用いてもよい。
次に、本発明の実施例2に係る半導体装置について図面を参照して説明する。図7は、樹脂封止型半導体装置を示す平面図、図8は図7のB−B線に沿う半導体装置の断面図である。
本実施例では、実施例1とは、半導体チップのマウント及びワイヤボンディングを変更した点で異なり、それ以外の構成は同一であり、以下異なる点のみ説明する。
図7に示すように、半導体装置1aは、モールド樹脂2と、四方向にそれぞれ等間隔に設けられた複数のリード端子3と、モールド樹脂2内に設けられた第1の半導体チップ4と、第1の半導体チップ4の表面側(第1主面側)に設けられた第1の半導体チップ4と同一サイズの第2の半導体チップ5aを有した2チップ積層MCPである。
図8に示すように、半導体装置1では、チップ厚130μmの第1の半導体チップ4が第1の接着層7により、ベッド12表面に接着固定され、チップ厚130μmで第1の半導体チップ4と同一サイズの第2の半導体チップ5aが第2の接着層8により、第1の半導体チップ4表面に接着固定されている。第1の半導体チップ4表面に設けられた端子6及び第2の半導体チップ5a表面に設けられた端子6と接続リード13は、それぞれ高さ150μm以下の低ループ形状のボンディングワイヤ9で電気的に接続され、第2の接着層8の厚さをボンディングワイヤ9の高さよりも高くしている。このため、ボンディングワイヤ9と第1の半導体チップ4裏面(第2主面)との接触を防止しながら、第1の半導体チップ4及び第2の半導体チップ5aは、リード端子などを介さずに電気的に信号のやりとりができる。
次に、半導体装置の製造方法について図9を参照して説明する。図9は半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
まず、図9に示すように、実施例1と同様に、リードフレーム形成(ステップS1)から第1の半導体チップマウントを行う(ステップS4)。次に、例えば、180℃で加重をかけて第1の半導体チップ4をリードフレーム10に接着固定してから、第1の半導体チップ4の端子PAD1、PAD1a、PAD1bと、インナーリード11、接続リード13、ベッド12との間をそれぞれワイヤボンディングする(ステップS6a)。続いて、第1の半導体チップ4表面に設けられた第2の接着層8上に第2の半導体チップ5aを、表面を上側にして載置する(ステップS5)。そして、加重をかけて第2の半導体チップ5aをリードフレーム10に接着固定してから、第2の半導体チップ5aの端子と、インナーリード11、接続リード13、ベッド12との間をそれぞれワイヤボンディングする(ステップS6b)。
上述したように、本実施例の半導体装置では、第1の半導体チップ4の端子と第2の半導体チップ5aの端子間を直接ワイヤボンディングできない同一半導体チップサイズにおいても、第1の半導体チップ4の端子と第2の半導体チップ5の端子は、接続リード13によりワイヤボンディングで電気的に接続されているので、実施例1と同様な効果がえられる。
次に、本発明の実施例3に係る半導体装置について図面を参照して説明する。図10は、樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。
本実施例では、実施例1とは、半導体チップをリードフレームに載置する面を変更した点で異なり、それ以外の構成は同一であり、以下異なる点のみ説明する。
図10に示すように、半導体装置1bでは、第1の半導体チップ4、第2の半導体チップ5b、第1の半導体チップ4及び第2の半導体チップ5bの端子6、第1の接着層7、第2の接着層8、ボンディングワイヤ9ばかりでなく左右に設けられた接続リード13もモールド樹脂2に覆われ、露呈されていない。そして、第1の半導体チップ4が第1の接着層7により、ベッド12表面(第1主面)に接着固定され、第2の半導体チップ5が第2の接着層8により、ベッド12裏面(第2主面)に接着固定されている。第1の半導体チップ4表面に設けられた端子6及び第2の半導体チップ5b表面に設けられた端子6と接続リード13は、それぞれボンディングワイヤ9で電気的に接続されている。このため、第1の半導体チップ4及び第2の半導体チップ5bは、リード端子などを介さずに電気的に信号のやりとりができる。ここで、第1の接着層7及び第2の接着層8には、導電性樹脂を用いているが、半田、半田バンプ、金バンプ、或いはVNi/AuGe、Ti/Au等の金属を用いてもよい。
上述したように、本実施例に半導体装置では、実施例1の効果の他に、第1の半導体チップ4が導電性を有する第1の接着層7により、ベッド12表面(第1主面)に接着固定され、第2の半導体チップ5が導電性を有する第2の接着層8により、ベッド12裏面(第2主面)に接着固定されている。そして、接続リード13により、第1の半導体チップ4の端子6と第2の半導体チップ5bの端子6がボンディングワイヤ9で電気的に接続されている。このため、接地を共有化しながら、半導体チップ間の信号のやりとりができるので高周波性能を向上させることができる。
本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々、変更してもよい。
例えば、実施例では、樹脂封止型半導体装置について説明したが、金属キャップ、セラミック等により封止され、リードフレームを用いた気密封止型半導体装置にも適用できる。また、実施例3では、ベッド12表面(第1主面)及びベッド12裏面(第2主面)にそれぞれ1個づつ半導体チップを設けているが、ベッド12表面(第1主面)に第1群の複数の半導体チップを、ベッド12裏面(第2主面)に第2群の複数の半導体チップをそれぞれ設け、第1群の複数の半導体チップの内いずれか1つの半導体チップの端子及び接続リードと、第2群の複数の半導体チップの内いずれか1つの半導体チップの端子及び接続リードとをそれぞれボンディングワイヤで電気的に接続してもよい。
本発明は、以下の付記に記載されているような構成が考えられる。
(付記1) インナーリードと、前記インナーリードの近傍領域に設けられる接続リードと、前記接続リードを前記インナーリードに固定するためのサポートバーとを有するリードフレームを加工成形する工程と、前記インナーリード及び前記接続リードを連結固定する絶縁性樹脂テープを形成する工程と、前記サポートバーを前記リードフレームから切断する工程と、前記サポートバーを前記リードフレームから除去する工程と、第1の半導体チップの第1主面と相対向する第2主面を第1の接着層を用いてベッドの第1主面に接着固定する工程と、第2の半導体チップの第1主面と相対向する第2主面を第2の接着層を用いて前記第1の半導体チップの第1主面に接着固定する工程と、前記第1の半導体チップの端子と前記接続リードをワイヤボンディングし接続する工程と、前記第2の半導体チップの端子と前記接続リードをワイヤボンディングし接続する工程とを具備する半導体装置の製造方法。
(付記1) インナーリードと、前記インナーリードの近傍領域に設けられる接続リードと、前記接続リードを前記インナーリードに固定するためのサポートバーとを有するリードフレームを加工成形する工程と、前記インナーリード及び前記接続リードを連結固定する絶縁性樹脂テープを形成する工程と、前記サポートバーを前記リードフレームから切断する工程と、前記サポートバーを前記リードフレームから除去する工程と、第1の半導体チップの第1主面と相対向する第2主面を第1の接着層を用いてベッドの第1主面に接着固定する工程と、第2の半導体チップの第1主面と相対向する第2主面を第2の接着層を用いて前記第1の半導体チップの第1主面に接着固定する工程と、前記第1の半導体チップの端子と前記接続リードをワイヤボンディングし接続する工程と、前記第2の半導体チップの端子と前記接続リードをワイヤボンディングし接続する工程とを具備する半導体装置の製造方法。
1、1a、1b 半導体装置
2 モールド樹脂
3 リード端子
4 第1の半導体チップ
5、5a、5b 第2の半導体チップ
6 端子
7 第1の接着層
8 第2の接着層
9 ボンディングワイヤ
10 リードフレーム
11 インナーリード
12 ベッド
13 接続リード
14 樹脂テープ
15 サイドフレーム
16、16a アウターリード
17 サポートバー
18 枠部
PAD1、PAD1a、PAD1b、PAD2、PAD2a、PAD2b 端子
2 モールド樹脂
3 リード端子
4 第1の半導体チップ
5、5a、5b 第2の半導体チップ
6 端子
7 第1の接着層
8 第2の接着層
9 ボンディングワイヤ
10 リードフレーム
11 インナーリード
12 ベッド
13 接続リード
14 樹脂テープ
15 サイドフレーム
16、16a アウターリード
17 サポートバー
18 枠部
PAD1、PAD1a、PAD1b、PAD2、PAD2a、PAD2b 端子
Claims (5)
- ベッドと、
前記ベッド上に積層載置された複数の半導体チップと、
前記ベッドから離間して設けられたインナーリードと、
前記インナーリードの近傍領域に設けられた接続リードと、
前記複数の半導体チップの内のいずれか1つの半導体チップに設けられた第1の端子と、
前記複数の半導体チップの内の前記半導体チップとは異なる半導体チップに設けられた第2の端子と、
前記第1の端子と前記接続リードを電気的に接続する第1のボンディングワイヤと、
前記第2の端子と前記接続リードを電気的に接続する第2のボンディングワイヤと、
前記ベッド、前記複数の半導体チップ、前記インナーリード、前記接続リード、前記第1のボンディングワイヤ、及び第2のボンディングワイヤを封止する外囲器と、
前記インナーリードに接続され前記外囲器の外側に延在するアウターリードと、
を具備することを特徴とする半導体装置。 - ベッドと、
前記ベッドの第1主面に載置された第1の半導体チップと、
前記ベッドの第1主面と相対向する第2主面に載置された第2の半導体チップと、
前記ベッドと離間して設けられたインナーリードと、
前記インナーリードの近傍領域に設けられた接続リードと、
前記第1の半導体チップに設けられた第1の端子と、
前記第2の半導体チップに設けられた第2の端子と、
前記第1の端子と前記接続リードを電気的に接続する第1のボンディングワイヤと、
前記第2の端子と前記接続リードを電気的に接続する第2のボンディングワイヤと、
前記ベッド、前記1及び第2の半導体チップ、前記インナーリード、前記接続リード、前記第1のボンディングワイヤ、及び第2のボンディングワイヤを封止する外囲器と、
前記インナーリードに接続され前記外囲器の外側に延在するアウターリードと、
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記端子は前記接続リードの長尺方向の中心線上に設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記インナーリードと前記接続リードとを連結固定する絶縁性支持体を更に備えることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- インナーリードと、前記インナーリードの近傍領域に設けられる接続リードと、前記接続リードを前記インナーリードに固定するためのサポートバーとを有するリードフレームを加工成形する工程と、
前記インナーリード及び前記接続リードを連結固定する絶縁性支持体を形成する工程と、
前記サポートバーを前記リードフレームから切断する工程と、
前記サポートバーを前記リードフレームから除去する工程と、
第1の半導体チップの第1主面と相対向する第2主面を第1の接着層を用いてベッドの第1主面に接着固定する工程と、
第2の半導体チップの第1主面と相対向する第2主面を第2の接着層を用いて前記第1の半導体チップの第1主面に接着固定する工程と、
前記第1の半導体チップの端子と前記接続リードをワイヤボンディングし接続する工程と、
前記第2の半導体チップの端子と前記接続リードをワイヤボンディングし接続する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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---|---|---|---|
JP2004196157A JP2006019531A (ja) | 2004-07-02 | 2004-07-02 | 半導体装置及びその製造方法 |
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JPWO2008146426A1 (ja) * | 2007-06-01 | 2010-08-19 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
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-
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JPWO2008146426A1 (ja) * | 2007-06-01 | 2010-08-19 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
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