KR20120043074A - 광 매트릭스 디바이스의 제조 방법 - Google Patents

광 매트릭스 디바이스의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 광 매트릭스 디바이스의 제조 방법에 의하면, 인쇄 패턴이 형성되는 하지층인 절연막 (2) 상에 인쇄 도포된 액적 (7) 의 연신을 조장하는 연신 조장 패턴 (PS) 을 형성하기 때문에, 액적 (7) 은 연신 조장 패턴 (PS) 을 따라 연신된다. 또한, 인쇄 패턴의 종단부에는, 인쇄 패턴 즉 연신 조장 패턴 (PS) 과 교차하도록 연신 저해 패턴 (PH) 을 절연막 (2) 상에 형성하기 때문에, 연신 조장 패턴 (PS) 을 따라 연신되는 액적 (7) 은 연신 저해 패턴 (PH) 에 의해 연신이 멈춘다. 이로부터, 액체인 액적 (7) 의 위치 제어를 양호한 정밀도로 할 수 있다.

Description

광 매트릭스 디바이스의 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING OPTICAL MATRIX DEVICE}
본 발명은, 텔레비전이나 퍼스널 컴퓨터의 모니터로서 사용되는 박형 화상 표시 장치, 혹은 의료 분야나 산업 분야 등에 사용되는 방사선 촬상 장치에 구비되는 방사선 검출기 등, 표시 소자 또는 수광 소자로 형성되는 화소를 2 차원 매트릭스상으로 배열한 구조를 갖는 광 매트릭스 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.
현재, 박막 트랜지스터 (TFT) 등으로 형성되는 액티브 소자와 콘덴서를 구비한 광에 관한 소자를 2 차원 매트릭스상으로 배열한 광 매트릭스 디바이스가 범용되고 있다. 광에 관한 소자로서 수광 소자와 표시 소자를 들 수 있다. 또, 이 광 매트릭스 디바이스를 크게 나누면, 수광 소자로 구성된 디바이스와 표시 소자로 구성된 디바이스로 나뉜다. 수광 소자로 구성된 디바이스로는 광 촬상 센서나, 의료 분야 또는 산업 분야 등에서 사용되는 방사선 촬상 센서 등이 있다. 표시 소자로 구성된 디바이스로는, 투과광의 강도를 조절하는 소자를 구비한 액정형이나, 발광 소자를 구비한 EL 형 등의 텔레비전이나 퍼스널 컴퓨터의 모니터로서 사용되는 화상 디스플레이가 있다. 여기서 광이란, 적외선, 가시광선, 자외선, 방사선 (X 선), γ 선 등을 말한다.
최근, 이러한 광 매트릭스 디바이스에 구비되는 액티브 매트릭스 기판의 배선 등의 형성 방법으로서 인쇄법을 사용하는 방법이 활발히 연구되며, 특히 잉크젯법을 사용하는 방법이 주목받고 있다. 액티브 매트릭스 기판의 게이트선이나 데이터선 등의 배선에만 그치지 않고, 게이트 채널 등의 반도체막도 잉크젯법에 의해 형성할 수 있다. 종래의 포토리소그래피법과 달리 국소적으로 인쇄 형성할 수 있고, 마스크를 필요로 하지 않는다는 점에서 매우 유용하다. 이와 같은 이유에 의해 대면적의 액티브 매트릭스 기판을 제조하는 기술로서 기대되고 있다.
잉크젯 인쇄 기술에 의하면, 반도체, 절연체, 또는 도전성 미립자를 함유하는 액적 (잉크) 을 인쇄 도포함으로써 반도체막, 절연체막 또는 도선을 형성할 수 있다. 잉크젯 노즐로부터 사출되는 액적은 반도체, 절연체, 또는 도전성 미립자 중 어느 것을 유기 용매로 용해 또는 분산시켜, 용액 또는 콜로이드 상태로 유지되고 있다. 그리고, 이 액적을 인쇄 도포한 후, 가열 처리를 실시함으로써 유기 용매를 휘발시켜 반도체막, 절연체막, 또는 도선 (배선) 을 형성한다.
예를 들어, 특허문헌 1 에서는 탑 게이트형의 박막 트랜지스터를 구비한 표시 장치를 잉크젯법에 의해 형성하는 제조 방법이 개시되어 있다.
일본 특허 3541625호
그러나, 잉크젯법으로 토출된 액적은 액체이기 때문에, 기판 상에 착탄된 액적의 형상이 항상 불안정하다는 문제가 있다. 이 문제를 특허문헌 1 에서는, 뱅크를 형성함으로써 사출된 액적의 위치를 고정시켰지만, 뱅크를 형성하는 것은 인쇄 묘화의 자유도를 빼앗는 것으로, 본말전도의 사태가 되었다.
본 발명은, 이와 같은 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 인쇄법을 사용함에도 불구하고 인쇄 패턴의 위치 정밀도를 향상시킬 수 있는 광 매트릭스 디바이스의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 이와 같은 목적을 달성하기 위하여 다음과 같은 구성을 취한다.
즉, 본 발명의 광 매트릭스 디바이스의 제조 방법은, 박막 트랜지스터를 기판 상에 2 차원 매트릭스상으로 배열하여 구성된 광 매트릭스 디바이스의 인쇄법을 사용한 제조 방법으로서, 인쇄 패턴이 형성되는 하지층 상에 도포되는 액적의 연신을 조장하는 연신 조장 패턴을 형성하는 연신 조장 패턴 형성 단계와, 상기 인쇄 패턴의 종단부의 하지층 상에 상기 액적의 연신을 저해하는 연신 저해 패턴을 형성하는 연신 저해 패턴 형성 단계를 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 광 매트릭스 디바이스의 제조 방법에 의하면, 연신 조장 패턴 형성 단계에 의해, 인쇄 패턴이 형성되는 하지층 상에 도포되는 액적의 연신을 조장하는 연신 조장 패턴이 형성된다. 또, 연신 저해 패턴 형성 단계에 의해, 도포되는 액적의 연신을 저해하는 연신 저해 패턴이 형성된다. 이로부터, 하지층 상에 도포된 액적은 연신 조장 패턴을 따라 연신되고, 연신 저해 패턴에 의해 그 연신이 멈춘다. 이와 같이, 액적은 액체면서 그 도포 위치의 제어를 양호한 정밀도로 실시할 수 있고, 액적이 가로로 흐르는 것이나 과도한 연신을 방지할 수 있기 때문에 위치 정밀도를 향상시킨 인쇄 패턴을 형성할 수 있다.
또, 서로 교차하는 인쇄 패턴을 형성하는 경우, 각각의 인쇄 패턴의 연신 조장 패턴은 하지층 상에서 교차한다. 이로부터, 각각의 인쇄 패턴의 액적의 연신을 조장할 수 있으면서, 각각의 인쇄 패턴의 접촉을 방지할 수 있다. 또, 일방의 인쇄 패턴의 연신 조장 패턴과 타방의 인쇄 패턴의 연신 조장 패턴을 부분적으로 교차시켜도 된다.
이와 같이, 서로 교차하는 인쇄 패턴을 형성하는 경우, 서로의 연신 조장 패턴이 완전하게 또는 일부 교차하고 있고, 일방의 인쇄 패턴을 연신 조장 패턴을 따라 형성하는 제 1 인쇄 패턴 형성 단계와, 각각의 인쇄 패턴의 교차부에 있어서 타방의 인쇄 패턴을 분단하여 형성하는 제 2 인쇄 패턴 형성 단계와, 교차부에 형성된 일방의 인쇄 패턴 상에 절연막을 형성하는 교차부 절연막 형성 단계와, 교차부에 형성된 절연막 상에 추가적인 인쇄 패턴을 형성함으로써, 상기 교차부에 있어서 분단된 타방의 인쇄 패턴을 접속시키는 제 3 인쇄 패턴 형성 단계를 실시함으로써, 서로 교차하는 인쇄 패턴을 양호한 정밀도로 형성할 수 있다.
또한, 연신 조장 패턴의 형성은, 예를 들어, 인쇄 패턴과 평행하게 인쇄 패턴이 형성되는 하지층 상에 요철 패턴을 형성함으로써 실시할 수 있다. 연신 저해 패턴의 형성은, 예를 들어, 인쇄 패턴과 교차하도록 인쇄 패턴이 형성되는 하지층 상에 요철 패턴을 형성함으로써 실시할 수 있다.
또, 연신 조장 패턴의 형성은 요철 패턴을 형성하는 방법 이외에도, 인쇄 패턴과 평행하게 소액부와 친액부의 평행 패턴을 인쇄 패턴이 형성되는 하지층 상에 형성함으로써 실시할 수 있다. 연신 저해 패턴의 형성도 요철 패턴을 형성하는 방법 이외에, 인쇄 패턴과 교차하도록 소액부와 친액부의 평행 패턴을 형성함으로써 실시할 수 있다.
또, 인쇄 패턴으로서 게이트선, 데이터선, 그라운드선 또는 용량 전극을 들 수 있고, 이들 인쇄법에 의해 위치 정밀도를 향상시켜 형성할 수 있다. 나아가서는, 인쇄 패턴으로서 박막 트랜지스터의 전극도 들 수 있고, 이것을 인쇄법에 의해 위치 정밀도를 향상시켜 형성할 수 있다.
또, 연신 조장 패턴 또는 연신 저해 패턴의 형성에 임프린트법을 사용함으로써, 정밀한 연신 조장 패턴 또는 연신 저해 패턴을 형성할 수 있다. 나아가서는, 인쇄 패턴의 형성을 잉크젯법에 의해 형성함으로써 온디맨드의 인쇄 패턴을 형성할 수 있고, 인쇄 패턴의 묘화의 자유도를 늘릴 수 있다. 이로부터, 소 로트 다품종의 광 매트릭스 디바이스를 효율적으로 형성할 수도 있다.
또, 상기 광 매트릭스 디바이스의 제조 방법에 의해, 위치 정밀도가 향상된 인쇄 패턴이 형성되어 있기 때문에 로트간의 특성 편차가 저감된 광 검출기, 방사선 검출기, 또는 화상 표시 장치를 제조할 수 있다.
본 발명에 관련된 광 매트릭스 디바이스의 제조 방법에 의하면, 인쇄법을 사용함에도 불구하고 인쇄 패턴의 위치 정밀도를 향상시킬 수 있는 광 매트릭스 디바이스의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1 은, 실시예 1 에 관련된 플랫 패널형 X 선 검출기 (FPD) 의 제조 공정의 흐름을 나타내는 플로우 차트도이다.
도 2 는, 실시예 1 에 관련된 FPD 의 제조 공정을 나타내는 종단면도이다.
도 3 은, 실시예 1 에 관련된 FPD 의 제조 공정을 나타내는 종단면도이다.
도 4 는, 실시예 1 에 관련된 FPD 의 제조 공정을 나타내는 개략 사시도이다.
도 5 는, 실시예 1 에 관련된 FPD 의 제조 공정을 나타내는 종단면도이다.
도 6 은, 실시예 1 에 관련된 FPD 의 제조 공정을 나타내는 정면도이다.
도 7 은, 실시예 1 에 관련된 FPD 의 제조 공정을 나타내는 정면도이다.
도 8 은, 실시예 1 에 관련된 FPD 의 제조 공정을 나타내는 개략 사시도이다.
도 9 는, 실시예 1 에 관련된 FPD 의 제조 공정을 나타내는 정면도이다.
도 10 은, 실시예 1 에 관련된 FPD 의 제조 공정을 나타내는 정면도이다.
도 11 은, 실시예 1 에 관련된 FPD 의 제조 공정을 나타내는 정면도이다.
도 12 는, 실시예 1 에 관련된 FPD 의 제조 공정을 나타내는 정면도이다.
도 13 은, 실시예 1 에 관련된 FPD 의 제조 공정을 나타내는 정면도이다.
도 14 는, 실시예 1 에 관련된 FPD 의 제조 공정을 나타내는 정면도이다.
도 15 는, 실시예 1 에 관련된 FPD 의 제조 공정을 나타내는 정면도이다.
도 16 은, 실시예 1 에 관련된 FPD 의 제조 공정을 나타내는 정면도이다.
도 17 은, 실시예 1 에 관련된 FPD 의 제조 공정을 나타내는 종단면도이다.
도 18 은, 실시예 1 에 관련된 FPD 의 제조 공정을 나타내는 종단면도이다.
도 19 는, 실시예 1 에 관련된 FPD 의 제조 공정을 나타내는 정면도이다.
도 20 은, 실시예 1 에 관련된 FPD 의 제조 공정을 나타내는 종단면도이다.
도 21 은, 실시예 1 에 관련된 FPD 의 제조 공정을 나타내는 정면도이다.
도 22 는, 실시예 1 에 관련된 FPD 의 제조 공정을 나타내는 종단면도이다.
도 23 은, 실시예 1 에 관련된 FPD 의 제조 공정을 나타내는 종단면도이다.
도 24 는, 실시예 1 에 관련된 FPD 의 제조 공정을 나타내는 종단면도이다.
도 25 는, 실시예 1 에 관련된 FPD 의 제조 공정을 나타내는 종단면도이다.
도 26 은, 실시예 1 에 관련된 FPD 에 구비되는 액티브 매트릭스 기판 및 주변 회로의 구성을 나타내는 회로도이다.
도 27 은, 실시예 2 에 관련된 FPD 의 제조 공정을 나타내는 정면도이다.
도 28 은, 실시예 2 에 관련된 FPD 의 제조 공정을 나타내는 종단면도이다.
도 29 는, 실시예 3 에 관련된 방법에 의해 제조되는 액티브 매트릭스 기판을 구비한 화상 표시 장치를 나타내는 개략 사시도이다.
도 30 은, 본 발명의 변형 실시에 관련된 FPD 의 제조 공정을 나타내는 정면도이다.
도 31 은, 본 발명의 변형 실시에 관련된 FPD 의 제조 공정을 나타내는 정면도이다.
도 32 는, 본 발명의 변형 실시에 관련된 FPD 의 제조 공정을 나타내는 정면도이다.
실시예 1
＜플랫 패널형 X 선 검출기 제조 방법＞
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 광 매트릭스 디바이스의 일례로서, 플랫 패널형 X 선 검출기 (이하, FPD 라고 칭한다) 의 제조 방법을 설명한다.
도 1 은 실시예 1 에 관련된 FPD 의 제조 공정의 흐름을 형성하는 흐름을 나타내는 플로우 차트도이고, 도 2 에서 도 26 까지는 실시예 1 에 관련된 FPD 의 제조 공정을 나타내는 도면이다. 도 17 은 도 16 의 A-A 화살표 단면도이고, 도 18 은 도 16 의 B-B 화살표 단면도이며, 도 20 은 도 19 의 C-C 화살표 단면도이고, 도 22 는 도 21 의 B-B 화살표 단면도이며, 도 23 은 도 21 의 C-C 화살표 단면도이다.
(단계 S01) 절연막 형성
도 2 에 나타내는 바와 같이, 기판 (1) 의 표면 상에 고르게 절연막 (2) 을 형성한다. 기판 (1) 은 유리, 합성 수지, 금속 등 중 어느 것이어도 된다. 합성 수지의 경우, 폴리이미드, PEN (폴리에틸렌나프탈레이트), PES (폴리에테르술폰), PET (폴리에틸렌테레프탈레이트), PC (폴리카보네이트), PMMA (폴리메타크릴산메틸), PDMS (폴리디메틸실록산) 등을 예로서 들 수 있는데, 내열성이 우수한 폴리이미드가 바람직하다.
절연막 (2) 은, 유기계의 재료로 열가소성 또는 광에 의해 경화되는 것이 바람직하고, 폴리이미드, 아크릴 수지, UV 경화 수지 등을 들 수 있다. 기판 (1) 과 절연막 (2) 이 합성 수지 등의 유기물이면, 플렉시블한 기판을 제조할 수 있다. 이로부터, 기판을 떨어뜨려도 깨지지 않는 이점이 있다. 또, 절연막 (2) 이 유기물이면 상온에서 도포 형성하기 쉽다. 절연막 (2) 은 본 발명에 있어서의 하지층에 상당한다.
(단계 S02) 연신 조장 패턴 형성
도 3 및 도 4 에 나타내는 바와 같이, 기판 (1) 상에 형성된 절연막 (2) 을 연화 상태로 유지하고, 이후의 공정에서 형성되는 게이트선 (3), 그라운드선 (4) 및 데이터선 (5) 등의 인쇄 패턴이 형성되는 절연막 (2) 상에 인쇄 패턴과 평행하게 오목부 (8) 와 볼록부 (9) 를 교대로 평행하게 형성한 요철 패턴을 형성한다. 이 요철 패턴은 인쇄 패턴보다 폭넓게 절연막 (2) 상에 형성된다. 이와 같이, 인쇄 패턴이 형성되는 절연막 (2) 상의 위치에 인쇄 패턴과 평행하게 요철 패턴을 형성함으로써, 연신 조장 패턴 (PS) 을 형성할 수 있다. 이 요철 패턴의 형성 방법은, 요철 패턴이 미리 형성된 전사형 (6) 을 절연막 (2) 에 가압하는 임프린트법이 바람직하다. 이 때, 절연막 (2) 이 열가소성이면, 미리 절연막 (2) 을 가열해서 연화 상태로 유지하여 전사형 (6) 을 가압하는 열 임프린트법을 채용한다. 이 전사형 (6) 의 패턴이 절연막 (2) 상에 전사된 후, 절연막 (2) 을 냉각시켜 절연막 (2) 을 경화시키고, 전사형 (6) 을 절연막 (2) 으로부터 이형 (離形) 시킨다. 이로부터, 도 3 및 도 4 에 나타내는 바와 같이, 이후의 공정에서 형성되는 인쇄 패턴의 하지로서 요철의 홈인 연신 조장 패턴 (PS) 이 절연막 (2) 상에 형성된다.
또, 절연막 (2) 이 자외선 경화성이면, 연화 상태의 절연막 (2) 에 전사형 (6) 을 가압하여 절연막 (2) 에 요철 패턴을 형성한 후, 자외선을 절연막 (2) 에 조사한다. 이 자외선의 조사에 의해, 절연막 (2) 이 경화되어 절연막 (2) 상에 요철의 패턴이 고정된다. 전사형 (6) 은, 예를 들어 Si (실리콘), Ni (니켈), PDMS 등으로 형성된 것을 채용할 수 있다. 전사형 (6) 의 패턴 형성은, EB 노광이나 포토리소그래피법에 의해 형성할 수 있다. 또, 소프트 리소그래피법 (μ 컨택트법) 에 의해 절연막 (2) 상에 요철 패턴을 형성해도 된다. 단계 S02 는 본 발명에 있어서의 연신 조장 패턴 형성 단계에 상당한다.
이 연신 조장 패턴 (PS) 상에 액적 (7) 을 인쇄 도포하면, 도 5 및 도 6 에 나타내는 바와 같이, 액적 (7) 은 연신 조장 패턴 (PS) 의 오목부 (8) 에 흡입되면서 따라 연신된다. 요컨대, 연신 조장 패턴 (PS) 의 평행한 방향에는, 액적 (7) 은 오목부 (8) 를 따라 연신될 수 있는데, 연신 조장 패턴 (PS) 의 교차하는 방향에는 인쇄 도포된 부분의 절연막 (2) 이 요철의 형상으로 되어 있기 때문에, 액적 (7) 은 볼록부 (9) 를 넘어 교차하는 방향으로 연신되는 것보다, 오목부 (8) 를 따라 연신되기 쉽다. 이와 같이 하여, 액적 (7) 은 연신 조장 패턴 (PS) 을 따라 연신된다. 이들 오목부 (8) 및 볼록부 (9) 의 가로폭은 100 ㎚ 이상이 바람직하고, 또, 인쇄 도포되는 액적 (7) 직경의 절반 이하가 바람직하다. 또, 오목부 (8) 와 볼록부 (9) 의 고저차는 10 ㎚ 이상 10 ㎛ 이하가 바람직하다.
(단계 S03) 연신 저해 패턴 형성
연신 조장 패턴 (PS) 이 형성된 절연막 (2) 상의 인쇄 패턴이 형성되는 종단부에는, 인쇄 도포되는 액적 (7) 의 연신을 저해하는 연신 저해 패턴 (PH) 을 형성한다. 도 7 에 나타내는 바와 같이 인쇄 패턴과 교차하도록, 요컨대, 연신 조장 패턴 (PS) 과 교차하도록 요철 패턴을 형성한다. 요철 패턴의 형성 방법은 연신 조장 패턴 (PS) 의 형성과 동일하기 때문에 설명을 생략한다. 이 연신 저해 패턴 (PH) 이 형성됨으로써, 연신 조장 패턴 (PS) 을 따라 연신되고 있던 액적 (7) 의 연신을 저해할 수 있다. 단계 S03 은 본 발명에 있어서의 연신 저해 패턴 형성 단계에 상당한다.
이 연신 조장 패턴 (PS) 과 연신 저해 패턴 (PH) 의 교차부에는, 도 8 에 나타내는 바와 같이, 각각의 요철 패턴이 교차하기 때문에 정육면체상 또는 직육면체상의 볼록부가 형성된다. 이로부터, 도 9 에 나타내는 바와 같이, 연신 조장 패턴 (PS) 을 따라 연신되어 온 액적 (7) 은, 이 정육면체상 또는 직육면체상의 볼록부에 의해 연신이 저해되고, 액적 (7) 의 신장이 멈춘다.
(단계 S04) 게이트선?그라운드선?데이터선 형성
도 10 에 나타내는 바와 같이 게이트선, 그라운드선 및 데이터선이 인쇄 형성되는 패턴의 위치에, 단계 S02 에 의해 절연막 (2) 상에 요철의 연신 조장 패턴 (PS) 이 형성되어 있다. 또, 각 배선 패턴의 종단부에는, 단계 S03 에 의해 연신 저해 패턴 (PH) 이 형성되어 있다. 여기서, 게이트선과 데이터선과 같이 각 인쇄 패턴이 교차하는 경우에는, 각 연신 조장 패턴 (PS) 을 교차시켜 형성해도 된다.
이와 같이, 연신 조장 패턴 (PS) 및 연신 저해 패턴 (PH) 이 형성된 절연막 (2) 상에, 도 11 에 나타내는 바와 같이 인쇄법에 의해 금속 잉크를 도포하여, 게이트선 (3), 그라운드선 (4), 및 데이터선 (5) 을 형성한다. 게이트선과 데이터선은 교차하기 때문에, 게이트선 (3) 만을 먼저 형성하고, 데이터선은 데이터선 (5) 과 같이 교차부의 전후에서 분단된 상태에서 형성한다. 이 교차부에 있어서는, 도 12 에 나타내는 바와 같이 데이터선 (5) 의 연신 조장 패턴 (PS) 에 대해, 게이트선 (3) 의 연신 조장 패턴 (PS) 이 연신 저해 패턴 (PH) 의 기능을 하여, 데이터선 (5) 의 인쇄 패턴과 게이트선 (3) 의 인쇄 패턴이 접촉하는 것을 방지할 수 있다. 또, 게이트선 (3) 과 데이터선 (5) 의 교차부에 있어서는, 게이트선 (3) 의 인쇄 패턴의 연신도 저해되기 때문에, 게이트선 (3) 의 인쇄 피치를 세세하게 할 필요가 있다. 단계 S04 는 본 발명에 있어서의 제 1 인쇄 패턴 형성 단계 및 제 2 인쇄 패턴 형성 단계에 상당한다.
(단계 S05) 절연막 형성
도 13 에 나타내는 바와 같이, 게이트선 (3) 의 소정 위치 상에 게이트 절연막 (10) 을 형성하고, 그라운드선 (4) 의 일부 위치 상에 절연막 (11) 을 형성한다.
(단계 S06) 반도체막 형성
도 14 에 나타내는 바와 같이, 게이트선 (3) 상에 형성된 게이트 절연막 (10) 상에 반도체막 (12) 을 형성한다. 형성 방법으로서 인쇄법, 스퍼터링법, μ 컨택트법 등을 들 수 있다. 이 반도체막 (12) 은 게이트 채널로서 기능한다.
(단계 S07) 절연막 형성
다음으로, 도 15 에 나타내는 바와 같이 절연막 (13) 을 게이트선 (3), 그라운드선 (4), 및 데이터선 (5) 상의 일부 위치에 형성한다. 이로부터, 게이트선과 데이터선의 교차부에 있어서 게이트선 (3) 상에 절연막이 형성되어 있다. 단계 S07 은 본 발명에 있어서의 교차부 절연막 형성 단계에 상당한다.
(단계 S08) 데이터선?용량 전극 형성
다음으로, 도 16 및 도 16 의 A-A 화살표 단면도인 도 17 에 나타내는 바와 같이, 분단된 데이터선 (5) 을 접속시키기 위하여 절연막 (13) 상에 데이터선 (14) 을 형성한다. 데이터선 (14) 의 단부는 분단된 데이터선 (5) 과 각각 접속되기 때문에, 데이터선 (5) 과 데이터선 (14) 으로 1 개의 전기적으로 접속된 배선이 형성된다. 또, 도 16 의 B-B 화살표 단면도인 도 18 에 나타내는 바와 같이, 용량 전극 (15) 을 절연막 (11) 을 사이에 두고 그라운드선 (4) 에 대향하도록 적층 형성한다. 이로부터, 그라운드선 (4) 과 용량 전극 (15) 과 그라운드선 (4)/용량 전극 (15) 사이에 개재하는 절연막 (11) 으로 콘덴서 (Ca) 가 형성된다. 용량 전극 (15) 은, 게이트 채널인 반도체막 (12) 상의 일부에도 형성된다. 반도체막 (12) 상에 형성된 용량 전극 (15) 의 일부분은 소스 전극의 기능을 한다. 또, 반도체막 (12) 상의 다른 일방의 단부와 데이터선 (5) 을 접속시키는 데이터선 (16) 도 인쇄법에 의해 형성된다. 데이터선 (16) 은 드레인 전극의 기능을 한다. 또한, 반도체막 (12) 에 대향한 게이트선 (3) 의 일부분과, 데이터선 (16) 과, 반도체막 (12) 과, 용량 전극 (15) 의 반도체막 (12) 측의 부분과, 게이트선 (3)/반도체막 (12) 사이에 개재하는 게이트 절연막 (10) 으로 TFT (22) 를 구성한다. 이로부터, 기판 (1), 용량 전극 (15), 콘덴서 (Ca), TFT (22), 반도체막 (12), 데이터선 (5, 14, 16), 게이트선 (3), 그라운드선 (4), 절연막 (2), 게이트 절연막 (10), 및 절연막 (11) 을 구비한 액티브 매트릭스 기판 (23) 을 구성한다. 단계 S08 은 본 발명에 있어서의 제 3 인쇄 패턴 형성 단계에 상당한다.
(단계 S09) 절연막 형성
도 19 및 도 19 의 C-C 화살표 단면도인 도 20 에 나타내는 바와 같이, 게이트선 (3), 그라운드선 (4), 데이터선 (5, 14, 16), 용량 전극 (15), 반도체막 (12), 게이트 절연막 (10), 게이트 절연막 (13) 및 절연막 (2) 상에 절연막 (17) 을 적층 형성한다. 이후에 적층하는 화소 전극 (18) 과 접속시키기 위하여 용량 전극 (15) 상에는 절연막 (17) 을 적층 형성하지 않는 비아홀부를 남기고, 용량 전극 (15) 의 주위를 절연막 (17) 으로 적층 형성한다. 절연막 (17) 은 TFT (22) 의 패시베이션막으로서도 기능한다.
(단계 S10) 화소 전극 형성
도 21, 및 도 21 의 B-B 화살표 단면도인 도 22, 그리고 도 21 의 C-C 화살표 단면도인 도 23 에 나타내는 바와 같이, 용량 전극 (15) 및 절연막 (17) 상에 화소 전극 (18) 을 적층한다. 이로부터, 화소 전극 (18) 과 용량 전극 (15) 은 전기적으로 접속된다.
(단계 S11) 절연막 형성
도 24 및 도 25 에 나타내는 바와 같이, 화소 전극 (18) 및 절연막 (17) 상에 절연막 (19) 을 적층한다. 이후에 적층하는 X 선 변환층 (20) 에 의해 생성된 캐리어를 화소 전극 (18) 에 수집하기 위하여, X 선 변환층 (20) 에 직접 접촉시키기 위해 화소 전극 (18) 의 대부분에는 절연막 (19) 을 적층 형성하지 않고, 화소 전극 (18) 의 주위만을 절연막 (19) 으로 적층 형성한다. 즉, 화소 전극 (18) 의 대부분을 개구시키도록 절연막 (19) 을 적층 형성한다.
(단계 S12) X 선 변환층 형성
다음으로, 화소 전극 (18) 및 절연막 (19) 상에 X 선 변환층 (20) 을 적층 형성한다. 실시예 1 의 경우, 수광 소자인 X 선 변환층 (20) 으로서 아모르퍼스 셀렌 (a-Se) 을 적층하기 때문에 증착법을 사용한다. X 선 변환층 (20) 에 어떠한 반도체를 사용하는지에 따라 적층 방법을 바꾸어도 된다.
(단계 S13) 전압 인가 전극 형성
다음으로, 전압 인가 전극 (21) 을 X 선 변환층 (20) 상에 적층 형성한다. 이 후, 도 26 에 나타내는 바와 같이 게이트 구동 회로 (24), 전하-전압 변환기군 (25) 및 멀티플렉서 (26) 등의 주변 회로를 접속시킴으로써 FPD (27) 의 일련의 제조를 종료한다.
이들 FPD (27) 의 절연막 (2, 11, 13, 17, 19) 및 게이트 절연막 (10) 의 형성 방법은, 국소적인 형성이면 인쇄법 중에서도 잉크젯법이 바람직하고, 기판 전체에 고르게 형성하는 경우에는 스핀 코트법이 바람직하다. 또, 이 외에도 볼록판 인쇄법, 그라비아 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 또는, 롤투롤 등에 의해 형성해도 된다.
연신 조장 패턴 (PS) 및 연신 저해 패턴 (PH) 의 형성 방법은, 절연막 (2) 전체를 일괄하여 형성하는 것이어도 되고, 소영역으로 나누어 반복하여 형성해도 된다. 또, 용량 전극 (15) 이나 데이터선 (14) 을 형성하기 전에, 각각 절연막 (11) 이나 절연막 (13) 상에 연신 조장 패턴 (PS) 및 연신 저해 패턴 (PH) 을 형성해도 된다.
＜플랫 패널형 X 선 검출기＞
이상과 같이 하여 제조된 FPD (27) 는, 도 26 에 나타내는 바와 같이 X 선이 입사되는 X 선 검출부 (XD) 에는, XY 방향으로 2 차원 매트릭스상으로 X 선 검출 소자 (DU) 가 배열되어 있다. X 선 검출 소자 (DU) 는, 입사된 X 선에 감응하여 전하 신호를 화소마다 출력하는 것이다. 또한 설명의 형편상, 도 26 에서는, X 선 검출 소자 (DU) 가 3 × 3 화소분의 2 차원 매트릭스 구성으로 하고 있지만, 실제 X 선 검출부 (XD) 에는 X 선 검출 소자 (DU) 가, 예를 들어 4096 × 4096 화소분 정도로, FPD (27) 의 화소 수에 맞춘 매트릭스 구성으로 하고 있다. X 선 검출 소자 (DU) 는 본 발명에 있어서의 광에 관한 소자에 상당한다.
또, X 선 검출 소자 (DU) 는 도 24 및 도 25 에 나타내는 바와 같이, 바이어스 전압이 인가되는 전압 인가 전극 (21) 의 하층에, X 선의 입사에 의해 캐리어(전자?정공쌍) 를 생성하는 X 선 변환층 (20) 이 형성되어 있다. 그리고, X 선 변환층 (20) 의 하층에는, 화소마다 캐리어를 수집하는 화소 전극 (18) 이 형성되고, 또한, 화소 전극 (18) 에 수집된 캐리어에 의해 발생한 전하를 축적하는 콘덴서 (Ca) 와, 콘덴서 (Ca) 와 전기적으로 접속된 TFT (22) 와, TFT (22) 로 스위치 작용의 신호를 보내는 게이트선 (3) 과, TFT (22) 를 통하여 콘덴서 (Ca) 에 축적된 전하를 X 선 검출 신호로서 판독 출력하는 데이터선 (5) 과, 그것을 지지하는 기판 (1) 을 구비하는 액티브 매트릭스 기판 (23) 이 형성되어 있다. 이 액티브 매트릭스 기판 (23) 에 의해 X 선 변환층 (20) 에서 생성된 캐리어로부터 X 선 검출 신호를 화소마다 판독 출력할 수 있다. 이와 같이, 각 X 선 검출 소자 (DU) 에는, X 선 변환층 (20) 과 화소 전극 (18) 과 콘덴서 (Ca) 와 TFT (22) 가 구비되어 있다.
X 선 변환층 (20) 은 X 선 감응형 반도체로 이루어지고, 예를 들어, 비정질의 아모르퍼스 셀렌 (a-Se) 막으로 형성되어 있다. 또, X 선 변환층 (20) 에 X 선이 입사되면, 이 X 선의 에너지에 비례한 소정 개수의 캐리어가 직접 생성되는 구성 (직접 변환형) 으로 되어 있다. 이 a-Se 막은 특히 검출 에리어의 대면적화를 용이하게 할 수 있다. X 선 변환층 (20) 으로서 상기 이외에도 다른 반도체막, 예를 들어, CdTe (텔루르화 카드뮴) 등의 다결정 반도체막이어도 된다.
이와 같이, 본 실시예의 FPD (27) 는 X 선 검출 화소인 검출 소자 (DU) 가 X, Y 방향을 따라 다수 배열된 2 차원 어레이 구성의 플랫 패널형 X 선 센서로 되어 있기 때문에, 각 검출 소자 (DU) 마다 국소적인 X 선 검출을 실시할 수 있으며, X 선 강도의 2 차원 분포 측정이 가능해진다.
본 실시예의 FPD (27) 에 의한 X 선 검출 동작은 이하와 같다.
즉, 피검체에 X 선을 조사하여 X 선 촬상을 실시하는 경우에는, 피검체를 투과한 방사선 이미지가 X 선 변환층 (20) 상에 투영되고, 이미지의 농담에 비례한 캐리어가 a-Se 막 내에 발생한다. 발생된 캐리어는, 바이어스 전압이 발생되는 전계에 의해 화소 전극 (18) 에 수집되고, 캐리어가 생성된 수에 상응하여 전하가 콘덴서 (Ca) 에 유발되어 축적된다. 그 후, 게이트 구동 회로 (24) 로부터 게이트선 (3) 을 통하여 보내지는 게이트 전압에 의해, TFT (22) 는 스위칭 작용을 하여 콘덴서 (Ca) 에 축적된 전하가 TFT (22) 를 경유하고, 데이터선 (5) 을 통하여 전하-전압 변환기군 (25) 에서 전압 신호로 변환되어, 멀티플렉서 (26) 에 의해 X 선 검출 신호로서 순서대로 외부로 판독 출력된다.
상기 서술한 FPD (27) 에 있어서의 데이터선 (5, 14, 16), 게이트선 (3), 그라운드선 (4), 화소 전극 (18), 용량 전극 (15) 및 전압 인가 전극 (21) 등의 도전체를, Ag (은), Au (금), Cu (구리) 등의 금속을 페이스트상으로 한 금속 잉크를 인쇄함으로써 형성해도 되고, ITO 잉크나 폴리스티렌술폰산을 도프한 폴리에틸렌디옥시티오펜 (PEDOT/PSS) 등으로 대표되는 고도전성의 유기물 잉크를 인쇄함으로써 형성해도 된다. 또, ITO 와 Au 박막 등의 구성이어도 된다. 국소적인 형성이면 인쇄법 중에서도 잉크젯법이 바람직하지만, 볼록판 인쇄법, 그라비아 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 또는, 롤투롤 등에 의해 형성해도 된다.
상기 서술한 실시예 1 에서는, X 선 변환층 (20) 은 X 선에 의해 캐리어를 생성하는 것이었지만, X 선에 한정하지 않고
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선 등의 방사선에 감응하는 방사선 변환층이나 광에 감응하는 광 변환층을 사용해도 된다. 또, 광 변환층 대신에 포토 다이오드를 사용해도 된다. 이렇게 하면, 동일한 구조이면서 방사선 검출기 및 광 검출기를 제조할 수 있다.
상기와 같이 구성한 광 매트릭스 디바이스의 제조 방법에 의하면, FPD (27) 내의 액티브 매트릭스 기판 (23) 을 구성하는 배선, 반도체막, 절연막 등을 인쇄 도포함으로써 형성하는 경우, 인쇄 패턴이 형성되는 절연막 상에, 인쇄되는 액적 (7) 의 연신을 조장시키기 위하여 인쇄 패턴과 평행하게 연신 조장 패턴 (PS) 을 형성하고, 인쇄 패턴의 종단부에는, 인쇄되는 액적 (7) 의 연신을 저해시키기 위하여 인쇄 패턴과 교차하도록 연신 저해 패턴 (PH) 을 형성하기 때문에, 가로로 흐르기 쉬운 액적 (7) 의 위치 정밀도를 향상시킬 수 있고, 인쇄 패턴을 양호한 정밀도로 형성할 수 있다.
또, 연신 조장 패턴 (PS) 및 연신 저해 패턴 (PH) 의 요철 패턴을 임프린트법에 의해 형성하기 때문에, 위치 정밀도가 높은 요철 패턴을 형성할 수 있다. 이 요철 패턴에 의해 각 배선 및 전극을 인쇄법, 특히 잉크젯법에 의해 형성할 수 있다. 요컨대, 잉크젯법에 의해 사출된 액적 (7) 이 절연막에 형성된 요철의 패턴을 따라 신장되기 때문에, 잉크젯법이면서 선폭이나 위치 정밀도가 정확한 인쇄 패턴을 형성할 수 있다. 이로부터, FPD (27) 의 각 X 선 검출 소자 (DU) 의 사이즈가 안정되기 때문에, 각 제조 로트에 의해 방사선 검출기의 전기적 성능의 편차를 저감시킬 수 있다.
실시예 2
다음으로, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 2 를 설명한다.
도 27 은 절연막 (2) 상에 형성된 연신 조장 패턴을 나타내는 정면도이며, 도 28 은 도 27 의 D-D 화살표 단면도이다. 실시예 1 과 동일한 부재에 대해서는 동일한 부호를 부여하고, 그 설명을 생략한다.
실시예 1 과 실시예 2 의 차이는, 실시예 1 에서는 하지층인 절연막 (2) 에 요철 패턴을 형성함으로써 연신 조장 패턴 (PS) 및 연신 저해 패턴 (PH) 을 형성한 것을, 실시예 2 에서는 하지층 상에 인쇄 도포되는 액적 (7) 에 대해 친액성과 소액성의 교호 패턴을 형성함으로써 연신 조장 패턴 및 연신 저해 패턴을 형성하는 점이다. 즉, 실시예 1 의 오목부 (8) 는 실시예 2 의 친액부 (32) 에 상당하고, 실시예 1 의 볼록부 (9) 는 실시예 2 의 소액부 (31) 에 상당한다. 이하에 그 상세를 설명한다.
실시예 2 에 있어서의 연신 조장 패턴의 형성 방법은, 먼저, 하지층인 절연막 (2) 으로서, 인쇄 도포되는 액적 (7) 에 대해 친액성의 절연막을 채용하거나, 절연막 (2) 에 친액화 처리를 실시한다. 그리고, 이 친액성의 절연막 (2) 상에 액적 (7) 에 대해 소액성의 소액부 (31) 를 형성함으로써, 액적 (7) 에 대해 친액성의 친액부 (32) 와 액적 (7) 에 대해 소액성의 소액부 (31) 의 대략 평행한 교호 패턴을, 인쇄 도포되는 패턴과 평행하게 형성한다.
소액부 (31) 의 형성 방법을 이하에 설명한다.
먼저, 절연막 (2) 상에 레지스트막을 적층한다. 다음으로, 이 레지스트막을 임프린트법에 의해 요철을 형성하고, 이 오목부를 에칭함으로써 마스크를 형성한다. 다음으로, 이 마스크를 이용하여 불소 분위기 (CF4, SF6 등) 에서 플라스마 처리를 함으로써, 레지스트막 및 절연막 (2) 의 표면을 소액화 처리할 수 있다. 또한, 마스크인 레지스트막을 현상 처리로 제거함으로써, 친액부 (32) 와 소액부 (31) 의 교호 평행 패턴을 절연막 (2) 상에 형성할 수 있다.
또, 연신 저해 패턴의 형성 방법도, 상기 서술한 방법에서 소액부 (31) 와 친액부 (32) 의 교호 평행 패턴을 인쇄 패턴과 교차하도록, 요컨대, 연신 조장 패턴과 교차하도록 형성하면 된다.
이와 같이, 소액부 (31) 와 친액부 (32) 의 교호 평행 패턴을 인쇄 패턴과 평행하게 또는 교차하도록, 인쇄 패턴이 형성되는 위치에 절연막 (2) 상에 형성함으로써, 연신 조장 패턴 또는 연신 저해 패턴을 형성할 수 있기 때문에, 인쇄 도포에 의해 형성된 배선, 절연막, 반도체막 등의 위치 정밀도를 향상시킬 수 있다.
실시예 3
다음으로, 본 발명의 실시예 3 에 대해 도 29 를 참조하여 설명한다. 도 29 는, 화상 표시 장치의 일례로서 액티브 매트릭스 기판을 구비하는 디스플레이 (유기 EL 디스플레이) 의 일부 파단 사시도이다.
본 발명의 방법은, 화상 표시 장치의 제조에 응용하는 것도 바람직하다. 화상 표시 장치로서 박형의 일렉트로 루미네이트 디스플레이나 액정 디스플레이 등을 들 수 있다. 화상 표시 장치에 있어서도, 액티브 매트릭스 기판에 형성된 화소 회로를 구비하고 있어, 이와 같은 디바이스에 적용하는 것이 바람직하다.
도 29 에 나타내는 바와 같이, 액티브 매트릭스 기판을 구비하는 유기 EL 디스플레이 (40) 는 기판 (41) 과, 기판 (41) 상에 매트릭스상으로 복수개 배치된 TFT 회로 (42) 와 화소 전극 (43) 에 접속되고, 기판 (41) 에 순차 적층된 유기 EL 층 (44), 투명 전극 (45) 및 보호 필름 (46) 과, 각 TFT 회로 (42) 와 소스 구동 회로 (47) 와 접속하는 복수개의 소스 전극선 (49) 과, 각 TFT 회로 (42) 와 게이트 구동 회로 (48) 와 접속하는 복수개의 게이트 전극선 (50) 을 구비하고 있다. 여기서, 유기 EL 층 (44) 은 전자 수송층, 발광층, 정공 수송층 등의 각 층이 적층되어 구성되어 있다.
이 유기 EL 디스플레이 (40) 에 있어서도, 소스 전극선 (49) 및 게이트 전극선 (50) 이 인쇄 도포되는 절연막에는, 전술한 실시예 1 에 의한 광 매트릭스 디바이스의 제조 방법에 의해 연신 조장 패턴 및 연신 저해 패턴이 형성되어 있기 때문에, 인쇄 패턴의 위치 정밀도를 향상시킬 수 있다. 이로부터, 제조 로트간의 특성 편차를 억제할 수 있다.
또, 상기 서술한 화상 표시 장치는 유기 EL 등의 표시 소자를 사용한 디스플레이였지만, 이것에 한정되지 않으며, 액정 표시 소자를 구비한 액정형 디스플레이여도 된다. 액정형 디스플레이의 경우, 컬러 필터에 의해 화소가 RGB 로 착색된다. 또한, 투명한 배선 및 투명한 기판을 채용하면, 광의 투과 효율이 올라가는 장점이 있다. 또, 다른 표시 소자를 구비한 디스플레이여도 된다.
본 발명은, 상기 실시형태에 한정되지 않으며, 하기와 같이 변형 실시할 수 있다.
(1) 상기 서술한 실시예에 있어서, 게이트선 (3) 의 인쇄 패턴과 데이터선 (5, 14) 의 인쇄 패턴이 교차하였기 때문에, 게이트선 (3) 및 데이터선 (5) 의 연신 조장 패턴은 서로 교차하였다. 그래서, 도 30 에 나타내는 바와 같이, 일방의 연신 조장 패턴의 일부에 타방의 연신 조장 패턴이 교차하도록 해도 된다. 이와 같이 하면, 예를 들어, 데이터선 (5) 의 연신 조장 패턴은 게이트선 (3) 을 형성하는 액적 (7) 의 연신을 저해하지 않기 때문에, 게이트선 (3) 의 인쇄 도포 형성시에 도 31 에 나타내는 바와 같이, 서로의 연신 조장 패턴의 교차부에서 인쇄 피치를 세세하게 할 필요가 없으며, 인쇄 형성의 효율화를 도모할 수 있다.
(2) 상기 서술한 실시예에 있어서, 연신 조장 패턴의 형성은 연속한 직선의 패턴이었지만, 도 32 에 나타내는 바와 같이, 불연속적인 직선상의 볼록부 (51) 와 오목부 (52) 의 패턴이어도 된다. 각 볼록부 (51) 는 평행하게 형성되어 있다. 이 볼록부 (51) 의 종횡의 비는 2 : 1 이상이 바람직하고, 5 : 1 이상이면 더욱 바람직하다. 이 볼록부 (51) 의 가로 길이보다 세로 길이가 길면 길수록, 액적 (7) 의 연신이 조장되기 쉬워진다.
(3) 상기 서술한 실시예에 있어서, 절연막 (2) 을 하지층으로 하고 있었지만, 절연막 (2) 상에 하지층을 형성해도 된다. 또, 하지층으로서 유기막과 무기막의 혼합물을 채용해도 된다. 또, 연신 조장 패턴 (PS) 및 연신 저해 패턴 (PH) 은, 절연막 (2) 상뿐만 아니라 절연막 (11) 이나 절연막 (13) 상에도 형성함으로써, 데이터선 (14) 및 용량 전극 (15) 의 인쇄 형성을 양호한 정밀도로 실시해도 된다. 이와 같이, 연신 조장 패턴 (PS) 및 연신 저해 패턴 (PH) 의 형성은 액티브 매트릭스 기판 (23) 의 최하층뿐만 아니라 2 층째, 3 층째의 인쇄 패턴에 적응해도 된다.
(4) 상기 서술한 실시예에 있어서, 그라운드선 (4) 은 게이트선 (3) 과 평행하게 형성하였지만, 데이터선 (5) 과 평행하게 형성해도 된다. 게이트선 (3), 그라운드선 (4) 및 데이터선 (5) 의 3 종류의 배선 중 2 종류의 배선이 교차하는 경우에는, 어떤 종류의 배선이 액티브 매트릭스 기판의 하층에 형성되어도 된다.
(5) 상기 서술한 실시예에 있어서, 액적 (7) 은 Ag 나 Au 등의 금속 배선 잉크였지만, 폴리이미드 잉크 등을 사용함으로써 절연막을 형성하는 경우에도 적응할 수 있다. 요컨대, 하지층 상에 인쇄법에 의해 위치 정밀도가 향상된 절연막을 형성할 수도 있다.
(6) 상기 서술한 실시예에 있어서, 보텀 게이트형의 TFT 를 구비한 광 매트릭스 디바이스였지만, 탑 게이트형의 TFT 를 구비한 광 매트릭스 디바이스여도 된다.
1 : 기판
2 : 절연막
3 : 게이트선
4 : 그라운드선
5, 14, 16 : 데이터선
6 : 전사형
7 : 액적
8 : 오목부
9 : 볼록부
10 : 게이트 절연막
11 : 절연막
12 : 반도체막
15 : 용량 전극
22 : 박막 트랜지스터 (TFT)
27 : 플랫 패널형 X 선 검출기 (FPD)
31 : 소액부
32 : 친액부
DU : X 선 검출 소자
PS : 연신 조장 패턴
PH : 연신 저해 패턴

Claims (14)

  1. 박막 트랜지스터를 기판 상에 2 차원 매트릭스상으로 배열하여 구성된 광 매트릭스 디바이스의 인쇄법을 사용한 제조 방법으로서,
    인쇄 패턴이 형성되는 하지층 상에 도포되는 액적의 연신을 조장하는 연신 조장 패턴을 형성하는 연신 조장 패턴 형성 단계와,
    상기 인쇄 패턴의 종단부의 하지층 상에 상기 액적의 연신을 저해하는 연신 저해 패턴을 형성하는 연신 저해 패턴 형성 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 광 매트릭스 디바이스의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    서로 교차하는 인쇄 패턴을 형성하는 경우,
    상기 하지층 상에 각각의 인쇄 패턴의 연신 조장 패턴이 교차하는 것을 특징으로 하는 광 매트릭스 디바이스의 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    서로 교차하는 인쇄 패턴을 형성하는 경우,
    일방의 인쇄 패턴의 연신 조장 패턴과 타방의 인쇄 패턴의 연신 조장 패턴이 부분적으로 교차하는 것을 특징으로 하는 광 매트릭스 디바이스의 제조 방법.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    일방의 인쇄 패턴을 형성하는 제 1 인쇄 패턴 형성 단계와,
    각각의 인쇄 패턴이 서로 교차하는 교차부에 있어서, 타방의 인쇄 패턴을 분단하여 형성하는 제 2 인쇄 패턴 형성 단계와,
    상기 교차부에 형성된 일방의 인쇄 패턴 상에 절연막을 형성하는 교차부 절연막 형성 단계와,
    상기 교차부 상에 추가적인 인쇄 패턴을 형성함으로써, 상기 교차부에 있어서 분단된 타방의 인쇄 패턴을 접속시키는 제 3 인쇄 패턴 형성 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 광 매트릭스 디바이스의 제조 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 연신 조장 패턴 형성 단계는, 인쇄 패턴이 형성되는 상기 하지층 상에 인쇄 패턴과 평행하게 요철 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 광 매트릭스 디바이스의 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 연신 저해 패턴 형성 단계는, 인쇄 패턴이 형성되는 상기 하지층 상에 인쇄 패턴과 교차하는 방향으로 요철 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 광 매트릭스 디바이스의 제조 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 연신 조장 패턴 형성 단계는, 인쇄 패턴이 형성되는 상기 하지층 상에 인쇄 패턴과 평행하게 소액부와 친액부의 평행 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 광 매트릭스 디바이스의 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 연신 저해 패턴 형성 단계는, 인쇄 패턴이 형성되는 상기 하지층 상에 인쇄 패턴과 교차하는 방향으로 소액부와 친액부의 평행 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 광 매트릭스 디바이스의 제조 방법.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 인쇄 패턴이 게이트선, 데이터선, 그라운드선 또는 용량 전극인 것을 특징으로 하는 광 매트릭스 디바이스의 제조 방법.
  10. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 인쇄 패턴이 박막 트랜지스터의 전극인 것을 특징으로 하는 광 매트릭스 디바이스의 제조 방법.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 연신 조장 패턴의 형성 또는 상기 연신 저해 패턴의 형성을 임프린트법을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 광 매트릭스 디바이스의 제조 방법.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 인쇄 패턴의 형성을 잉크젯법에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 광 매트릭스 디바이스의 제조 방법.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광 매트릭스 디바이스가 광 또는 방사선 검출기인 것을 특징으로 하는 광 매트릭스 디바이스의 제조 방법.
  14. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광 매트릭스 디바이스가 화상 표시 장치인 것을 특징으로 하는 광 매트릭스 디바이스의 제조 방법.
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