KR20120032869A - 고분자 수지 조성물 및 이를 이용하여 제조된 절연 필름, 그리고 상기 절연 필름의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 인쇄회로기판 제조용 절연 필름 제조를 위한 고분자 수지 조성물에 관한 것으로, 본 발명의 실시예에 따른 고분자 수지 조성물은 고분자 수지 및 고분자 수지의 반 데르 발스(van der waals) 힘에 비해 큰 인력으로 고분자 수지를 링크(link)시키는 그래핀(graphene)을 포함한다.
Description
본 발명은 고분자 수지 조성물 및 이를 이용하여 제조된 절연 필름, 그리고 상기 절연 필름의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 온도 변화에 따른 팽창 및 수축률이 작은 고분자 수지 조성물 및 이를 이용하여 제조되어 열 팽창 계수(Coefficient of Thermal Expansion:CTE)를 감소시킨 절연 필름, 그리고 상기 절연 필름의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 소정의 전자 장치를 위한 다양한 종류의 패키지 구조물은 인쇄회로기판(Printed Circuit Board:PCB)을 구비한다. 예컨대, 인쇄회로기판에 반도체 집적회로 칩, 다양한 종류의 수동 및 능동 소자들, 그리고 그 밖의 칩 부품들을 실장하여, 시스템 패키지 구조물을 구현할 수 있다.
최근의 전자 제품들은 전세계적으로 보편화되어 사용되므로, 다양한 환경에서 제품 신뢰성이 유지될 수 있도록, 인쇄회로기판의 높은 신뢰성이 요구된다. 예컨대, 인쇄회로기판에 대해 높은 열 특성이 요구되며, 특히, 낮은 열 팽창계수 특성을 갖는 인쇄회로기판이 요구된다.
보다 구체적으로, 인쇄회로기판의 제조 공정은 복수의 절연 필름들을 적층한 적층체를 압착 및 소성하여 제조된다. 이 과정에서, 상기 인쇄회로기판에 형성되는 관통홀(through hole)에 도금되어 있는 도금막과 상기 절연 필름들 간의 열 팽창 계수 차이로 인해, 상기 도금막에 크랙(crack)이 발생되는 현상이 발생된다. 이 경우, 상기 인쇄회로기판 내에 쇼트(short)가 발생하게 되므로, 인쇄회로기판의 제조 효율이 저하된다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 온도 변화에 따른 팽창 및 수축률을 감소시킨 고분자 수지 조성물을 제공하는 것에 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 빌드업 다층 회로기판의 열 팽창 계수를 낮출 수 있는 절연 필름을 제공하는 것에 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 빌드업 다층 회로기판의 열 팽창 계수를 낮출 수 있는 절연 필름의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명에 따른 고분자 수지 조성물은 고분자 수지 및 상기 고분자 수지의 반 데르 발스(van der waals) 힘에 비해 큰 인력으로 상기 고분자 수지를 링크(link)시키는 그래핀(graphene)을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 그래핀은 0.05 내지 40wt%로 조절될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 그래핀은 단층 시트 구조로서 상기 고분자 수지 사이에 개재될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 그래핀과 극성 용매의 반응성이 증가되도록, 상기 그래핀 표면에 형성된 유도체(derivative)를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 고분자 수지로는 에폭시 수지가 사용될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 경화제를 더 포함하되, 상기 경화제는 아민계, 이미다졸계, 구아닌계, 산무수물계, 디시안디아 마이드계, 그리고 폴리아민계 중 적어도 어느 하나의 경화제가 사용될 수 있다. 또는, 상기 경화제로는 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-페닐 이미다졸, 비스(2-에틸-4-메틸이미다졸), 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸, 트리아진 첨가 타입 이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드폭시메틸이미다졸, 프탈산 무수물, 테트라하이드로프탈산 무수물, 메틸부테닐테트라 하이드로 프탈산 무수물, 헥사하이드로프탈산 무수물, 메틸하이드로프탈산 무수물, 트리멜리트산 무수물, 피로멜리트산 무수물, 그리고 벤조페논테트라카르복시산 무수물 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 경화 촉진제를 더 포함하되, 상기 경화 촉진제는 페놀(phenol), 시안 에스테르(cyanate ester), 아민(amine), 그리고 이미다졸(imidazole) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 충진제를 더 포함하되, 상기 충진제는 바륨 술페이트, 바륨 티타네이트, 실리콘 옥사이 드 분말, 무정형 실리카, 탈크, 점토, 그리고 마이카 분말 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 반응성 희석제를 더 포함하되, 상기 반응성 희석제는 페닐 글리시딜 에테르, 레조르신 디글리시딜 에테르, 에틸렌 글리콜디글리시딜 에테르, 글리세롤 트리글리시딜 에테르, 레졸형 노블락 타입 페놀수지, 그리고 이소시아네이트 화합물 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 바인더를 더 포함하되, 상기 바인더는 폴리아크릴 수지, 폴리아미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리시아네이트 수지, 그리고 폴리에스테르 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 회로기판 제조용 절연 필름은 고분자 수지 및 상기 고분자 수지의 반 데르 발스(van der waals) 힘에 비해 큰 인력으로 상기 고분자 수지를 링크(link)시키는 그래핀(graphene)을 갖는 고분자 수지 조성물로 제조된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 그래핀은 상기 고분자 수지 조성물 내에서 0.05wt% 내지 40wt%로 조절될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 고분자 수지는 에폭시 수지를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 회로기판 제조용 절연 필름의 제조 방법은 고분자 수지 및 상기 고분자 수지의 반 데르 발스(van der waals) 힘에 비해 큰 인력으로 상기 고분자 수지를 링크(link)시키는 그래핀(graphene)을 혼합하여 혼합물을 준비하는 단계, 상기 혼합물을 혼합 및 분산시켜 고분자 페이스트를 형성하는 단계, 그리고 상기 고분자 페이스트를 캐스팅(casting) 처리하여 필름화하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 혼합물을 준비하는 단계는 상기 고분자 페이스트 내 상기 그래핀이 .0.5 내지 0.4wt%로 조절되도록, 상기 그래핀의 첨가량을 조절하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 고분자 수지로는 에폭시 수지가 사용될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 고분자 수지 조성물은 고분자 수지 및 상기 고분자 수지 간의 반 데르 발스 힘에 비해 큰 인력으로 상기 고분자 수지를 링크(link)시키는 그래핀(graphene)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 고분자 수지 조성물은 온도 변화에 따른 팽창 및 수축률이 감소되어 낮은 열 팽창 계수를 갖는 빌드-업 다층 회로기판 제조를 위한 조성물로 사용될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 회로기판 제조용 절연 필름은 고분자 수지 및 상기 고분자 수지 간의 반 데르 발스 힘에 비해 큰 인력으로 상기 고분자 수지를 링크시키는 그래핀을 함유하는 고분자 수지 조성물로 제조될 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 절연 필름은 온도 변화에 따른 팽창 및 수축률이 감소되어, 열 팽창 계수를 감소시킬 수 있는 빌드-업 다층 회로기판의 절연 필름으로 사용될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 인쇄회로기판 제조용 절연 필름의 제조 방법은 고분자 수지 및 상기 고분자 수지 간의 반 데르 발스 힘에 비해 큰 인력으로 상기 고분자 수지와 링크되는 그래핀을 포함하는 고분자 수지 조성물을 이용하여 절연 필름을 제조할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따른 절연 필름의 제조 방법은 빌드-업 다층 회로기판의 열 팽창 계수를 감소시킬 수 있는 회로기판 제조용 절연 필름을 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 고분자 수지 조성물을 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 고분자 수지 조성물의 특성을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 고분자 수지 조성물의 특성을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면들과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다. 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공될 수 있다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어들은 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprise)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 고분자 수지 조성물 및 이를 이용하여 제조된 절연 필름, 그리고 상기 절연 필름의 제조 방법에 대해 상세히 설명한다.
본 발명의 실시예에 따른 고분자 수지 조성물은 고분자 수지, 경화제, 경화촉진제, 그리고 그래핀(graphene)을 포함할 수 있다.
상기 고분자 수지는 에폭시 수지(epoxy resin)를 포함할 수 있다. 상기 에폭시 수지는 빌드-업 다층 회로기판의 제조시, 상기 회로기판의 층간 절연 재료로 사용되는 절연 물질일 수 있다. 이를 위해, 상기 에폭시 수지는 내열성, 내약품성, 그리고 전기적 특성이 우수한 것이 사용되는 것이 바람직할 수 있다. 예컨대, 상기 에폭시 수지는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페놀 노블락형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 그리고 트리글리시딜 이소시아네이트 중 적어도 어느 하나의 복소환식 에폭시 수지를 포함할 수 있다. 또는, 상기 에폭시 수지는 브롬 치환된 에폭시 수지를 포함할 수 있다.
상기 경화제는 상기와 같은 에폭시 수지의 종류에 따라, 다양한 경화제가 사용될 수 있다. 예컨대, 상기 경화제는 아민계, 이미다졸계, 구아닌계, 산무수물계, 디시안디아 마이드계, 그리고 폴리아민계 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 또는, 상기 경화제는 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-페닐 이미다졸, 비스(2-에틸-4-메틸이미다졸), 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸, 트리아진 첨가 타입 이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드폭시메틸이미다졸, 프탈산 무수물, 테트라하이드로프탈산 무수물, 메틸부테닐테트라 하이드로 프탈산 무수물, 헥사하이드로프탈산 무수물, 메틸하이드로프탈산 무수물, 트리멜리트산 무수물, 피로멜리트산 무수물, 그리고 벤조페논테트라카르복시산 무수물 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 경화촉진제는 페놀(phenol), 시안 에스테르(cyanate ester), 아민(amine), 그리고 이미다졸(imidazole) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 그래핀은 탄소나노물질로서, 상기 고분자 수지 조성물 내에서 상기 에폭시 수지들 간의 가교(bridge) 역할을 할 수 있다. 예컨대, 상기 그래핀은 풍부한 전자 구름 밀도(electron cloud density)를 가지며, 이에 따라, 상기 에폭시 수지를 강한 인력으로 링크(link)시킬 수 있다. 이때, 상기 그래핀에 의해 제공되는 상기 에폭시 수지에 대한 인력은 상기 에폭시 수지의 반 데르 발스 힘(van der waals)에 비해 매우 강할 수 있다. 따라서, 상기 그래핀에 의해, 상기 고분자 수지 조성물은 온도 변화에 따라 팽창 및 수축률이 매우 낮은 특성을 가질 수 있다.
상기 그래핀은 상기 고분자 조성물 내에 대략 0.05 내지 40wt%로 첨가될 수 있다. 상기 그래핀의 함량이 0.05wt%에 비해 작은 경우, 상기 그래핀의 함량이 상대적으로 매우 낮아, 상기 에폭시 수지들을 강한 인력으로 링크시키는 상기 그래핀의 효과를 기대하기 어려울 수 있다. 이에 반해, 상기 그래핀의 함량이 40wt%를 초과하는 경우, 상기 그래핀의 과도한 첨가로 인해, 상기 고분자 수지 조성물의 절연 특성 저하 및 기타 다른 물질들의 상대적인 감량으로 인한 물질 특성 저하가 발생될 수 있다.
상기와 같은 그래핀의 효과 및 그 원리를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 실시예에 따른 고분자 수지 조성물을 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 고분자 수지 조성물(100)은 에폭시 수지(110) 및 그래핀(120)을 포함하며, 상기 그래핀(120)은 단층의 시트 구조(sheet structure)로서, 상기 에폭시 수지(110) 사이에 개재될 수 있다. 이 경우, 상기 그래핀(120)은 그 양면으로 상기 에폭시 수지(110)에 대해 강한 인력(10)을 제공하므로, 상기 에폭시 수지(110) 간의 인력(10)을 최대화할 수 있다. 이와 같은 시트 구조의 탄소나노물질을 위해서는 보통 단층 구조를 갖는 그래핀(120)이 가장 적합할 수 있다. 만약, 탄소나노튜브와 같은 보통 육각형 벌집 구조 또는 다층 구조를 갖는 경우, 상기 그래핀(120)과 같이 양면으로 인력을 제공하는 효과는 발휘되지 못하므로, 에폭시 수지(110)에 강한 인력으로 링크되지 못할 수 있다. 또한, 상기 탄노나노튜브는 그 물질 자체가 그래핀(120)에 비해 낮은 인력을 가지므로, 상기 그래핀(120)과 같은 높은 가교 효과를 기대하기 어려울 수 있다.
여기서, 상기 그래핀(120)은 그 자체의 극성(polarity)가 매우 커, 일반적으로 강한 극성의 용매에 잘 분산되지 않는 특성이 있다. 이에 따라, 일반적인 그래핀(120)을 고분자 수지 조성물에 첨가되기 어려우므로, 본 발명에서는 상기 그래핀(120)가 용매에 쉽게 녹을 수 있도록, 상기 그래핀(120) 표면에 유도체(derivative)를 화학적으로 붙여 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 예컨대, 상기 그래핀(122b)의 표면에 카르복실기, 알킬기, 그리고 아민기 등과 같은 유도체(derivative)를 형성하여, 상기 용매에 대한 상기 그래핀(122b)의 용해성을 높일 수 있다.
한편, 상기 고분자 수지 조성물은 소정의 첨가제들을 더 포함할 수 있다. 상기 첨가제들은 상기 고분자 수지 조성물을 이용하여 절연 필름을 제조하는 경우, 또한 더 나아가 상기 절연 필름을 이용하여 다층 회로기판을 제조하는 경우에 있어서, 제조 특성 및 기판 특성을 향상시키기 위해 제공될 수 있다. 예컨대, 상기 첨가제들은 충진제(filler), 반응성 희석제, 그리고 바인더 등을 포함할 수 있다.
상기 충진제로는 무기 또는 유기 충진제가 사용될 수 있다. 예컨대, 상기 충진제는 바륨 술페이트, 바륨 티타네이트, 실리콘 옥사이 드 분말, 무정형 실리카, 탈크, 점토, 그리고 마이카 분말 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 충진제의 첨가량은 상기 고분자 수지 조성물의 총중량을 기준으로 대략 1 내지 30 wt%로 조절될 수 있다. 상기 충진제의 첨가량이 1wt% 미만이면, 상기 충진제로서의 기능을 수행하기 어려울 수 있다. 이에 반해, 상기 충진제의 첨가량이 30wt%를 초과하면, 상기 고분자 수지 조성물로 제조된 제품의 유전율과 같은 전기적 특성이 저하될 수 있다.
상기 반응성 희석제는 상기 고분자 수지 조성물의 제조시 점도를 조절하여 제조 작업성을 원활하게 하기 위한 물질일 수 있다. 상기 반응성 희석제는 페닐 글리시딜 에테르, 레조르신 디글리시딜 에테르, 에틸렌 글리콜디글리시딜 에테르, 글리세롤 트리글리시딜 에테르, 레졸형 노블락 타입 페놀수지, 그리고 이소시아네이트 화합물 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 바인더는 상기 고분자 수지 조성물로 제조된 절연 필름의 가요성을 향상시키고, 또한 물질 특성을 향상시키기 위해 제공될 수 있다. 상기 바인더는 폴리아크릴 수지, 폴리아미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리시아네이트 수지, 그리고 폴리에스테르 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기와 같은 반응성 희석제 및 상기 바인더는 상기 고분자 수지 조성물에 30wt% 이하로 첨가될 수 있다. 만약, 상기 반응성 희석제와 상기 바인더의 함량이 상기 고분자 수지 조성물에 30wt%를 초과하면, 상기 고분자 수지 조성물의 물질 특성이 오히려 저하되며, 이에 따라 고분자 수지 조성물로 제조되는 제품의 전기적, 기계적, 그리고 화학적 특성이 낮아질 수 있다.
또한, 상기 고분자 수지 조성물은 상기 첨가제로서, 소정의 고무(rubber)를 더 포함할 수 있다. 예컨대, 내층 회로에 라미네이션되는 절연 필름은 가경화(precure)후 도금층과의 접착강도를 개선하기 위해 산화제를 사용하여 습식 조화공정을 수행한다. 따라서, 산화제에 가용성인 고무나 에폭시 변성 고무수지 등이 조화성분(고무)으로 절연필름 조성물에 사용될 수 있다. 사용되는 고무의 예로는 이로써 특히 한정하는 것은 아니나, 폴리 부타디엔 고무, 에폭시 변성, 아크릴로니트릴 변성, 우레탄 변성 폴리 부타디엔 고무, 아크릴로니트릴 부타디엔 고무, 아크릴 고무 분산형 에폭시수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 조화성분은 상기 고분자 수지 조성물에 대략 5 내지 30wt%로 조절될 수 있다. 상기 조화성분이 5wt% 미만이면, 조화성이 떨어질 수 있다. 이에 반해, 상기 조화성분이 30wt%를 초과하면, 상기 고분자 수지 조성물로 제조된 제품의 기계적 강도가 저하될 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 회로기판 제조용 고분자 수지 조성물의 특성을 설명하기 위한 그래프이다. 도 2는 고분자 수지 조성물의 열 특성을 나타내는 그래프로서, 가로축은 온도를 나타내고, 세로축은 고분자 수지 조성물의 온도 변화에 따른 디멘젼 변화(dimension change)를 나타낸다. 참조번호(20)은 본 발명의 실시예에 따른 고분자 수지 조성물(30)의 열 특성 검사 결과를 보여주는 그래프이고, 참조번호(30)은 상기 고분자 수지 조성물(30)의 비교예로 사용된 고분자 수지 조성물의 열 특성 검사 결과를 보여주는 그래프이다. 상기 비교예로 사용된 고분자 수지 조성물은 다른 물질들은 모두 동일하되, 상기 고분자 수지 조성물(30)에서 그래핀만이 선택적으로 미첨가된 고분자 수지 조성물이다.
도 2를 참조하면, 앞서 살펴본 본 발명의 실시예에 따른 고분자 수지 조성물은(30)은 상기 고분자 수지 조성물(30)로부터 그래핀만을 선택적으로 뺀 고분자 수지 조성물(20)에 비해, 열 팽창 계수(Coefficient of Thermal Expansion:CTE)가 낮아지는 것을 확인할 수 있었다. 특히, 본 발명에 따른 고분자 수지 조성물(30)의 경우 대략 170℃ 내지 280℃의 온도 범위에서, 비교예로 사용된 고분자 수지 조성물(20)에 비해, 현저히 낮은 열 팽창률을 갖는 것을 확인하였다. 이에 따라, 본 발명의 실시예에 따른 고분자 수지 조성물(30)은 인쇄회로기판의 일반적인 표면 실장(Surface Mounted Technology:SMT)을 위한 온도 범위(예컨대, 대략 250℃ 내지 280℃)에서도 열 팽창이 거의 일어나지 않는 것으로 확인되었다. 이에 따라, 상기 고분자 수지 조성물(30)로 제조된 인쇄회로기판은 열 팽창 계수를 크게 낮출 수 있어, 제조 과정에서 회로 패턴과 절연 필름 간의 열 팽창 계수 차이로 인해 발생되는 회로 패턴의 크랙(crack)을 방지할 수 있다.
상기와 같은 고분자 수지 조성물(30)의 테스트 결과를 정리하면, 아래의 표1과 같다.
특성 | 비교예(20) | 실험예(30) | |
유리 전이 온도(Tg)(℃) | 116.66 | 135.93 | |
열 팽창 계수(CTE) (ppm/℃) |
α1 | 70.27 | 59.90 |
α2 | 142.20 | 53.55 |
상기 표 1에서 α1은 유리 전이 온도(Tg)에 비해 낮은 온도 범위를 의미하고, α2는 유리 전이 온도(Tg)에 비해 높은 온도 범위를 의미한다. 상기 표 1에서 나타난 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 고분자 수지 조성물의 경우, 그래핀이 첨가되지 않은 고분자 수지 조성물에 비해 온도 변화에 따른 열 팽창 계수가 낮은 것을 알 수 있다. 특히, 본 발명에 따른 고분자 수지 조성물은 α2의 온도 범위에서의 열 팽창 계수값이 크게 낮아지는 것을 확인하였다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 고분자 수지 조성물으로 빌드-업 다층 인쇄회로기판을 제조하는 경우, 빌드업 절연 필름의 열 팽창 계수를 크게 낮출 수 있어, 도금막과 절연 필름 간의 열 팽창 계수 차이로 인한 상기 도금막에 크랙이 발생되는 문제점 등을 해결할 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
100 : 고분자 수지 조성물
110 : 고분자 수지
120 : 그래핀
110 : 고분자 수지
120 : 그래핀
Claims (16)
- 빌드업 다층 인쇄회로기판 제조용 절연 필름 제조를 위한 고분자 수지 조성물에 있어서,
고분자 수지; 및
상기 고분자 수지의 반 데르 발스(van der waals) 힘에 비해 큰 인력으로 상기 고분자 수지를 링크(link)시키는 그래핀(graphene)을 포함하는 고분자 수지 조성물. - 제 1 항에 있어서,
상기 그래핀은 0.05 내지 40wt%로 조절되는 고분자 수지 조성물.
- 제 1 항에 있어서,
상기 그래핀은 단층 시트 구조로서, 상기 고분자 수지 사이에 개재되는 고분자 수지 조성물.
- 제 1 항에 있어서,
상기 그래핀과 극성 용매의 반응성이 증가되도록, 상기 그래핀 표면에 형성된 유도체(derivative)를 더 포함하는 고분자 수지 조성물.
- 제 1 항에 있어서,
상기 고분자 수지로는 에폭시 수지가 사용되는 고분자 수지 조성물.
- 제 1 항에 있어서,
경화제를 더 포함하되,
상기 경화제는 아민계, 이미다졸계, 구아닌계, 산무수물계, 디시안디아 마이드계, 그리고 폴리아민계 중 적어도 어느 하나의 경화제가 사용될 수 있다. 또는, 상기 경화제로는 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-페닐 이미다졸, 비스(2-에틸-4-메틸이미다졸), 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸, 트리아진 첨가 타입 이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드폭시메틸이미다졸, 프탈산 무수물, 테트라하이드로프탈산 무수물, 메틸부테닐테트라 하이드로 프탈산 무수물, 헥사하이드로프탈산 무수물, 메틸하이드로프탈산 무수물, 트리멜리트산 무수물, 피로멜리트산 무수물, 그리고 벤조페논테트라카르복시산 무수물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 고분자 수지 조성물.
- 제 1 항에 있어서,
경화 촉진제를 더 포함하되,
상기 경화 촉진제는 페놀(phenol), 시안 에스테르(cyanate ester), 아민(amine), 그리고 이미다졸(imidazole) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 고분자 수지 조성물.
- 제 1 항에 있어서,
충진제를 더 포함하되,
상기 충진제는 바륨 술페이트, 바륨 티타네이트, 실리콘 옥사이 드 분말, 무정형 실리카, 탈크, 점토, 그리고 마이카 분말 중 적어도 어느 하나를 포함하는 고분자 수지 조성물.
- 제 1 항에 있어서,
반응성 희석제를 더 포함하되,
상기 반응성 희석제는 페닐 글리시딜 에테르, 레조르신 디글리시딜 에테르, 에틸렌 글리콜디글리시딜 에테르, 글리세롤 트리글리시딜 에테르, 레졸형 노블락 타입 페놀수지, 그리고 이소시아네이트 화합물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 고분자 수지 조성물.
- 제 1 항에 있어서,
바인더를 더 포함하되,
상기 바인더는 폴리아크릴 수지, 폴리아미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리시아네이트 수지, 그리고 폴리에스테르 수지 중 적어도 어느 하나를 포함하는 고분자 수지 조성물.
- 고분자 수지 및 상기 고분자 수지의 반 데르 발스(van der waals) 힘에 비해 큰 인력으로 상기 고분자 수지를 링크(link)시키는 그래핀(graphene)을 갖는 고분자 수지 조성물로 제조된 인쇄회로기판 제조용 절연 필름.
- 제 11 항에 있어서,
상기 그래핀은 상기 고분자 수지 조성물 내에서 0.05wt% 내지 40wt%로 조절되는 인쇄회로기판 제조용 절연 필름.
- 제 11 항에 있어서,
상기 고분자 수지는 에폭시 수지를 포함하는 인쇄회로기판 제조용 절연 필름.
- 고분자 수지 및 상기 고분자 수지의 반 데르 발스(van der waals) 힘에 비해 큰 인력으로 상기 고분자 수지를 링크(link)시키는 그래핀(graphene)을 혼합하여 혼합물을 준비하는 단계;
상기 혼합물을 혼합 및 분산시켜 고분자 페이스트를 형성하는 단계; 및
상기 고분자 페이스트를 캐스팅(casting) 처리하여 필름화하는 단계를 포함하는 인쇄회로기판 제조용 절연 필름의 제조 방법.
- 제 14 항에 있어서,
상기 혼합물을 준비하는 단계는 상기 고분자 페이스트 내 상기 그래핀이 .0.5 내지 0.4wt%로 조절되도록, 상기 그래핀의 첨가량을 조절하는 단계를 포함하는 인쇄회로기판 제조용 절연 필름의 제조 방법.
- 제 14 항에 있어서,
상기 고분자 수지로는 에폭시 수지가 사용되는 인쇄회로기판 제조용 절연 필름의 제조 방법.
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