KR20120025971A - 연삭 휠 - Google Patents

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KR20120025971A
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grindstone
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료고 마지
류지 오시마
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

본 발명은 연삭면에 결손 및 균열을 발생시키는 일 없이 경질 취성 재료를 원하는 두께로 연삭할 수 있는 연삭 휠을 제공하는 것을 목적으로 한다.
피가공물을 연삭하는 본 발명의 연삭 휠은, 휠 마운트에 장착되는 휠 마운트 장착면을 갖는 환형 베이스와, 상기 환형 베이스의 자유 단부에 링형으로 배치되며 다이아몬드 지립에 붕소 화합물을 첨가하여 구성되는 복수의 연삭 지석을 구비한 것을 특징으로 한다. 붕소 화합물은 B4C, HBN, 또는 CBN 중 어느 하나로 구성된다.

Description

연삭 휠{GRINDING WHEEL}
본 발명은, 경질 취성 재료를 연삭하는 데 적합한 연삭 휠에 관한 것이다.
IC, LSI 등의 수많은 디바이스가 표면에 형성되고, 격자형으로 형성된 분할 예정 라인(스트리트)에 의해 개개의 디바이스가 구획되어 있는 실리콘 웨이퍼는, 절삭 블레이드를 구비한 다이싱 장치에 의해 분할 예정 라인을 절삭하여 개개의 디바이스로 분할되고, 분할된 디바이스는 휴대전화, 퍼스널 컴퓨터 등의 전기기기에 이용된다.
또한, LED(발광 다이오드), LD(레이저 다이오드) 등의 수많은 발광 디바이스가 표면에 형성되고, 개개의 발광 디바이스가 분할 예정 라인(스트리트)에 의해 구획된 사파이어 웨이퍼는, 레이저 빔을 조사하는 레이저 가공 장치에 의해 개개의 발광 디바이스로 분할되고, 분할된 발광 디바이스는 전구, 휴대전화, 퍼스널 컴퓨터 등의 전기기기에 이용된다(예컨대 일본 특허 공개 평성10-305420호 공보 참조).
실리콘 웨이퍼 또는 사파이어 웨이퍼는, 다이싱 장치 또는 레이저 가공 장치를 사용하여 개개의 디바이스로 분할하기 전에 연삭 장치에 의해 이면이 연삭되고, 방열성, 휘도의 향상을 도모하기 위해 얇게 가공된다(예컨대 일본 특허 공개 제2010-46744호 공보 참조).
일본 특허 공개 평성10-305420호 공보 일본 특허 공개 제2010-46744호 공보
그러나, 다이아몬드 지립(砥粒)을 주성분으로 하는 복수의 연삭 지석(砥石)이 환형 베이스의 자유 단부에 링형으로 배치된 연삭 휠로 특히 사파이어 웨이퍼를 연삭하는 경우, 연삭면에 결손이 생기고, 또한 사파이어 웨이퍼가 100 ㎛ 이하의 두께로 연삭되는 경우 균열이 생겨 품질이 현저히 저하된다고 하는 문제가 있다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 것은, 사파이어 웨이퍼와 같은 경질 취성 재료이어도 연삭면에 결손 및 균열을 발생시키는 일 없이 원하는 두께로 연삭 가능한 연삭 휠을 제공하는 것이다.
본 발명에 의하면, 피가공물을 연삭하는 연삭 휠로서, 휠 마운트에 장착되는 휠 마운트 장착면을 갖는 환형 베이스와, 상기 환형 베이스의 자유 단부에 링형으로 배치되며 다이아몬드 지립에 붕소 화합물을 첨가하여 구성되는 복수의 연삭 지석을 구비한 것을 특징으로 하는 연삭 휠이 제공된다.
바람직하게는, 붕소 화합물은 B4C, HBN 또는 CBN 중 어느 것으로 구성된다. 바람직하게는, 연삭 지석은 다이아몬드 지립 및 붕소 화합물을 레진 본드, 비트리파이드(vitrified) 본드, 메탈 본드 중 어느 것에 혼련하여 소결한 소결 지석으로 구성된다. 또는, 연삭 지석은 다이아몬드 지립 및 붕소 화합물을 니켈 도금으로 고정한 전기 주조 지석으로 구성된다.
본 발명은, 붕소 화합물에는 윤활성이 있어 이형제로서 사용되는 것과 열전도성이 양호한 것에 착안하여, 다이아몬드 지립에 붕소 화합물을 첨가하여 연삭 지석을 형성하고, 이 연삭 지석을 환형 베이스의 자유 단부에 복수 배치하여 연삭 휠을 구성했기 때문에, 사파이어 웨이퍼, SiC 웨이퍼, 유리판 등의 경질 취성 재료를 연삭하여도, 윤활성과 방열성에 의해 충격력이 완화되어, 결손 및 균열을 발생시키는 일 없이 경질 취성 재료를 원하는 두께로 연삭할 수 있다.
도 1은 본 발명의 연삭 휠을 구비한 연삭 장치의 외관 사시도.
도 2는 사파이어 웨이퍼의 표면에 보호 테이프를 접착하는 모습을 도시하는 사시도.
도 3의 (A)는 제1 실시형태의 연삭 휠의 사시도이고, 도 3의 (B)는 그 종단면도이다.
도 4는 연삭시에서의 척 테이블과 연삭 휠의 위치 관계를 도시하는 사시도.
도 5의 (A)는 제2 실시형태의 연삭 휠의 사시도이고, 도 5의 (B)는 그 종단면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도 1은 본 발명 실시형태의 연삭 휠을 구비한 연삭 장치(2)의 외관 사시도를 도시하고 있다. 도면부호 4는 연삭 장치(2)의 하우징(베이스)이고, 하우징(4)의 후방에는 칼럼(6)이 세워져 마련되어 있다. 칼럼(6)에는, 상하 방향으로 연장되는 한 쌍의 가이드 레일(8)이 고정되어 있다.
이 한 쌍의 가이드 레일(8)을 따라 연삭 유닛(연삭 수단)(10)이 상하 방향으로 이동 가능하게 장착되어 있다. 연삭 유닛(10)은 스핀들 하우징(12)과, 스핀들 하우징(12)을 유지하는 지지부(14)를 갖고 있고, 지지부(14)가 한 쌍의 가이드 레일(8)을 따라 상하 방향으로 이동하는 이동 베이스(16)에 부착되어 있다.
연삭 유닛(10)은 스핀들 하우징(12) 속에 회전 가능하게 수용된 스핀들(18)과, 스핀들(18)의 선단에 고정된 휠 마운트(20)와, 휠 마운트(20)에 나사 체결되며 환형으로 배치되는 복수의 연삭 지석을 갖는 연삭 휠(22)과, 스핀들(18)을 회전 구동하는 전동 모터를 포함하고 있다.
연삭 장치(2)는, 연삭 유닛(10)을 한 쌍의 안내 레일(8)을 따라 상하 방향으로 이동시키는 볼나사(28)와 펄스 모터(30)로 구성되는 연삭 유닛 이송 기구(32)를 구비하고 있다. 펄스 모터(30)를 구동하면, 볼나사(28)가 회전하여, 이동 베이스(16)가 상하 방향으로 이동한다.
하우징(4)의 상면에는 오목부(4a)가 형성되어 있고, 이 오목부(4a)에 척 테이블 기구(34)가 배치되어 있다. 척 테이블 기구(34)는 척 테이블(36)을 가지며, 도시하지 않은 이동 기구에 의해 웨이퍼 착탈 위치 A와, 연삭 유닛(10)에 대향하는 연삭 위치 B의 사이에서 Y축 방향으로 이동된다. 도면부호 38, 40은 벨로우즈이다. 하우징(4)의 전방측에는, 연삭 장치(2)의 오퍼레이터가 연삭 조건 등을 입력하는 조작 패널(42)이 배치되어 있다.
도 2를 참조하면, 사파이어 웨이퍼(11)의 표면측 사시도가 도시되어 있다. 사파이어 웨이퍼(11)의 표면(11a)에는 복수의 분할 예정 라인(13)이 격자형으로 형성되고, 이들 분할 예정 라인(13)에 의해 구획된 각 영역에 LED(발광 다이오드), LD(레이저 다이오드) 등의 발광 디바이스(15)가 형성되어 있다.
사파이어 웨이퍼(11)는, 그 표면(11a)에 복수의 발광 디바이스(15)가 형성된 디바이스 영역(17)과, 디바이스 영역(17)을 둘러싸는 외주 잉여 영역(19)을 갖고 있다. 사파이어 웨이퍼(11)의 연삭에 앞서, 그 표면(11a)에는 발광 디바이스(15)를 보호할 목적으로 보호 테이프(23)가 접착된다.
도 3의 (A)를 참조하면, 본 발명 제1 실시형태의 연삭 휠(22)의 사시도가 도시되어 있다. 도 3의 (B)는 그 종단면도이다. 연삭 휠(22)은, 휠 마운트(20)에 장착되는 휠 마운트 장착면(22a)을 갖는 환형 베이스(24)와, 환형 베이스(24)의 자유 단부에 환형으로 배치된 복수의 연삭 지석(26)으로 구성된다.
연삭 지석(26)은 직방체 형상으로 형성된 레진 본드 지석이며, 그 두께(t)는 약 3 ㎜?5 ㎜이다. 환형 베이스(24)에는, 휠 마운트(20)에 나사 체결하기 위한 4개의 나사 구멍(27)과, 복수의 연삭수 공급 구멍(44)이 형성되어 있다.
레진 본드는 페놀 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지 등으로 구성된다. 본 실시형태에서는, 레진 본드로서 페놀 수지를 사용하고, 다이아몬드 지립 및 B4C를 페놀 수지에 혼련하여 직방체 형상으로 성형하며, 소결 온도 180℃?200℃에서 7 내지 8 시간 소결하여 소결 연삭 지석(26)을 제조하였다.
소결 연삭 지석(26)은 레진 본드 소결 지석에 한정되는 것이 아니라, 메탈 본드 소결 지석 또는 비트리파이드 본드 소결 지석도 채용할 수 있다. 메탈 본드 소결 지석은, 다이아몬드 지립 및 B4C를 메탈 본드에 혼련하여 직방체 형상으로 성형하고, 소결 온도 600℃?700℃에서 약 1 시간 소결하여 제조한다. 여기서, 메탈 본드로서는, 구리와 주석 합금인 브론즈를 주성분으로 하고, 코발트, 니켈 등을 미량 혼입한 것을 채용하는 것이 바람직하다.
비트리파이드 본드 소결 지석은, 다이아몬드 지립 및 B4C를 비트리파이드 본드에 혼련하여 직방체 형상으로 성형하고, 소결 온도 700℃?800℃에서 약 1 시간 소결하여 제조한다. 여기서, 비트리파이드 본드로서는, 이산화규소(SiO2)를 주성분으로 하고, 장석 등을 미량 혼입한 것을 채용하는 것이 바람직하다.
이와 같이 구성된 연삭 장치(2)의 연삭 작업에 대해서 이하에 설명한다. 보호 테이프(23)를 아래로 하여 척 테이블(36)에 흡인 유지된 사파이어 웨이퍼(11)가 도 1의 연삭 위치 B에 위치하면, 도 4에 도시하는 바와 같이, 척 테이블(36)을 화살표 a 방향으로 30 rpm?500 rpm으로 회전시키면서, 연삭 휠(22)을 척 테이블(36)과 동일 방향으로, 즉 화살표 b 방향으로 예컨대 1000 rpm으로 회전시키고, 연삭 유닛 이송 기구(32)를 작동시켜 연삭 지석(26)을 웨이퍼(11)의 이면(11b)에 접촉시킨다.
그리고, 연삭 휠(22)을 소정의 연삭 이송 속도(예컨대 0.2?3.0 ㎛/초)로 아래쪽으로 소정량 연삭 이송하여, 웨이퍼(11)의 연삭을 실시한다. 도시하지 않은 접촉식 또는 비접촉식의 두께 측정 게이지에 의해 웨이퍼의 두께를 측정하면서 웨이퍼를 원하는 두께, 예컨대 100 ㎛로 마무리한다.
웨이퍼(11)의 연삭시에는, 도 3의 (B)의 확대도에 도시하는 바와 같이, 연삭수 공급 구멍(44)을 통해 연삭 영역에 연삭수를 공급하면서 사파이어 웨이퍼(11)의 연삭을 실행한다. 연삭면을 관찰한 바, 경면으로 되어 있는 것이 판명되었다.
도 5의 (A)를 참조하면, 본 발명 제2 실시형태의 연삭 휠(22A)의 사시도가 도시되어 있다. 도 5의 (B)는 그 종단면도이다. 본 실시형태의 연삭 지석(22A)은, 환형 베이스(24A)의 자유 단부에 복수의 연삭 지석 삽입 구멍(45)을 가지며, 이 연삭 지석 삽입 구멍(45) 안에 파이프 형상 전기 주조 지석(46)이 삽입 고정되어 구성되어 있다.
파이프 형상 전기 주조 지석(46)은, 예컨대 다이아몬드 지립과 B4C 입자를 혼입한 니켈 도금액 속에 알루미늄의 선재(線材)를 삽입하고, 알루미늄의 선재의 표면에 다이아몬드 지립과 B4C 입자를 함유한 니켈 도금을 성장시키며, 그 후 알루미늄의 선재를 용해하여 제거하는 것에 의해 형성된다. B4C 입자 대신에, 다른 붕소 화합물, 예컨대 HBN(Hexagonal Boron Nitride: 육방정 질화붕소), CBN(Cubic Boron Nitride: 입방정 질화붕소)을 다이아몬드 지립과 함께 니켈 도금 속에 혼입하도록 하여도 좋다.
도 5의 (B)의 부분 확대도에서, 파이프 형상 전기 주조 지석(46)의 직경(D)은 2 ㎜?5 ㎜, 파이프의 두께(t)는 0.1 ㎜?10 ㎜, 전기 주조 지석(46)의 베이스(22A)로부터의 돌출량(P)은 1 ㎜?10 ㎜인 것이 바람직하다.
본 실시형태의 연삭 휠(22A)은, 파이프 형상 전기 주조 지석(46)이 단단하기 때문에, 사파이어 웨이퍼 등의 경질 취성 재료의 연삭에 특히 적합하다. 연삭시에 연삭 휠(22A)의 연삭수 공급 구멍(44A)을 통해 공급된 연삭수는, 화살표 a 및 b에 도시하는 바와 같이 2개로 나뉘어 연삭 영역에 공급된다.
[실시예 1]
페놀 수지로 이루어지는 레진 본드에 입경 5 ㎛의 다이아몬드 지립을 체적비로 10%?20%, 입경 1 ㎛의 B4C 입자를 체적비로 45%?20% 혼입하여 직방체 형상으로 성형하였다. 이것을 180℃의 소결 온도에서 약 8 시간 소결하여 레진 본드 지석을 형성하였다.
이 레진 본드 지석을 복수개 환형 베이스(24)의 자유 단부에 고정하여 연삭 휠을 형성하였다. 이 연삭 휠을 휠 마운트(20)에 장착하고, 스핀들의 회전수 1000 rpm, 척 테이블의 회전수 500 rpm, 연삭 휠의 이송 속도 0.2 ㎛/초의 가공 조건으로 두께 300 ㎛의 사파이어 웨이퍼를 연삭하였다. 그 결과, 사파이어 웨이퍼에 결손 및 균열을 발생시키는 일 없이 90 ㎛의 두께까지 연삭할 수 있었다.
[실시예 2]
브론즈를 주성분으로 하는 메탈 본드에 입경 5 ㎛의 다이아몬드 지립을 체적비로 10%?20%, 입경 1 ㎛의 HBN 입자를 체적비로 45%?20% 혼입하여 직방체 형상으로 성형하였다. 이것을 700℃의 소결 온도에서 약 1 시간 소결하여 메탈 본드 지석을 형성하였다.
이 메탈 본드 지석을 복수개 환형 베이스(24)의 자유 단부에 환형으로 고정하여 연삭 휠을 형성하였다. 이 연삭 휠을 휠 마운트(20)에 장착하고, 실시예 1과 동일 조건으로 사파이어 웨이퍼를 연삭한 바, 사파이어 웨이퍼에 결손 및 균열을 발생시키는 일 없이 90 ㎛의 두께까지 연삭할 수 있었다.
[실시예 3]
이산화규소를 주성분으로 하는 비트리파이드 본드에 입경 5 ㎛의 다이아몬드 지립을 체적비로 10%?20%, 입경 1 ㎛의 CBN 입자를 체적비로 45%?20% 혼입하여 직방체 형상으로 성형하였다. 이 성형체를 700℃의 소결 온도에서 약 1 시간 소결하여 비트리파이드 본드 지석을 형성하였다.
이 지석을 복수개 환형 베이스(24)의 자유 단부에 고정하여 연삭 휠을 형성하였다. 이 연삭 휠을 휠 마운트(20)에 장착하고, 실시예 1과 동일 조건으로 사파이어 웨이퍼를 연삭한 바, 사파이어 웨이퍼에 결손 및 균열을 발생시키는 일 없이 90 ㎛의 두께까지 연삭할 수 있었다.
(비교예 1)
페놀 수지로 형성된 레진 본드에 입경 5 ㎛의 다이아몬드 지립을 체적비로 10%?20%, 입경 1 ㎛의 SiC 입자를 체적비로 35%?25% 혼입하여 직방체 형상으로 성형하였다. 이 성형체를 180℃의 소결 온도에서 약 8 시간 소결하여 레진 본드 지석을 형성하였다.
이 레진 본드 지석을 복수개 환형 베이스(24)의 자유 단부에 고정하여 연삭 휠을 형성하였다. 이 연삭 휠을 휠 마운트(20)에 장착하고, 실시예 1과 동일 조건으로 사파이어 웨이퍼를 연삭한 바, 사파이어 웨이퍼에 결손이 생기고 두께가 150 ㎛에 도달하면 균열이 발생하였다. 그 결과, 종래의 레진 본드 지석은 사파이어 웨이퍼의 연삭에 적합하지 않은 것이 판명되었다.
[실시예 4]
입경 5 ㎛의 다이아몬드 지립과 입경 1 ㎛의 B4C 입자를 적절한 비율로 혼입한 니켈 도금액을 만들었다. 이 니켈 도금액 속에 알루미늄의 선재를 삽입하여 전기 주조하였다. 전기 주조 후 알루미늄의 선재를 용해하여, 입경 5 ㎛의 다이아몬드 지립을 체적비로 12%?18% 함유하고, 입경 1 ㎛의 B4C 입자를 체적비로 15%?10% 함유한 파이프 형상 전기 주조 지석을 형성하였다.
이 전기 주조 지석을 복수개 환형 베이스(24A)의 자유 단부에 고정하여 연삭 휠을 형성하였다. 이 연삭 휠을 휠 마운트(20)에 장착하고, 스핀들의 회전수 1000 rpm, 척 테이블의 회전수 30 rpm, 연삭 휠의 이송 속도 3 ㎛/초의 가공 조건으로 두께 300 ㎛의 사파이어 웨이퍼를 연삭하였다. 그 결과, 사파이어 웨이퍼에 결손 및 균열을 발생시키는 일 없이 70 ㎛의 두께까지 연삭할 수 있었다.
[실시예 5]
입경 5 ㎛의 다이아몬드 지립과 입경 1 ㎛의 HBN 입자를 적절한 비율로 혼입한 니켈 도금액을 만들었다. 이 니켈 도금액 속에 알루미늄의 선재를 삽입하여 전기 주조하였다. 전기 주조 후 알루미늄의 선재를 용해하여, 입경 5 ㎛의 다이아몬드 지립을 체적비로 12%?18% 함유하고, 입경 1 ㎛의 HBN(육방정 질화붕소) 입자를 체적비로 15%?10% 함유한 파이프 형상 전기 주조 지석을 형성하였다.
이 전기 주조 지석을 복수개 환형 베이스(24A)의 자유 단부에 고정하여 연삭 휠을 형성하였다. 이 연삭 휠을 휠 마운트(20)에 장착하고, 실시예 4와 동일 조건으로 사파이어 웨이퍼를 연삭한 바, 사파이어 웨이퍼에 결손 및 균열을 발생시키는 일 없이 70 ㎛의 두께까지 연삭할 수 있었다.
[실시예 6]
입경 5 ㎛의 다이아몬드 지립과 입경 1 ㎛의 CBN 입자를 적절한 비율로 혼입한 니켈 도금액을 만들었다. 이 니켈 도금액 속에 알루미늄의 선재를 삽입하여 전기 주조하였다. 전기 주조 후 알루미늄의 선재를 용해하여, 입경 5 ㎛의 다이아몬드 지립을 체적비로 12%?18% 함유하고, 입경 1 ㎛의 CBN(입방정 질화붕소) 입자를 체적비로 15%?10% 함유한 파이프 형상 전기 주조 지석을 형성하였다.
이 전기 주조 지석을 복수개 환형 베이스(24A)의 자유 단부에 환형으로 고정하여 연삭 휠을 형성하였다. 이 연삭 휠을 휠 마운트(20)에 장착하고, 실시예 4와 동일 조건으로 사파이어 웨이퍼를 연삭한 바, 사파이어 웨이퍼에 결손 및 균열을 발생시키는 일 없이 70 ㎛의 두께까지 연삭할 수 있었다.
(비교예 2)
입경 5 ㎛의 다이아몬드 지립을 혼입하여 니켈 도금액을 만들었다. 이 니켈 도금액 속에 알루미늄의 선재를 삽입하여 전기 주조하였다. 전기 주조 후 알루미늄의 선재를 용해하여, 입경 5 ㎛의 다이아몬드 지립을 체적비로 15%?20% 함유한 파이프 형상 전기 주조 지석을 형성하였다.
이 전기 주조 지석을 복수개 환형 베이스(24A)의 자유 단부에 환형으로 고정하여 연삭 휠을 형성하였다. 이 연삭 휠을 휠 마운트(20)에 장착하고, 실시예 4와 동일 조건으로 사파이어 웨이퍼를 연삭한 바, 사파이어 웨이퍼에 결손이 생기고 두께가 110 ㎛에 도달하면 균열이 발생하였다. 따라서, 이 파이프 형상 전기 주조 지석은 사파이어 웨이퍼의 연삭에 적합하지 않은 것이 판명되었다.
2: 연삭 장치 10: 연삭 유닛
11: 사파이어 웨이퍼 18: 스핀들
20: 휠 마운트 22, 22A: 연삭 휠
23: 보호 테이프 24, 24A: 환형 베이스
26: 연삭 지석(레진 본드 지석) 36: 척 테이블
46: 파이프 형상 전기 주조 지석

Claims (4)

  1. 피가공물을 연삭하는 연삭 휠로서,
    휠 마운트에 장착되는 휠 마운트 장착면을 갖는 환형 베이스와,
    상기 환형 베이스의 자유 단부에 링형으로 배치되며 다이아몬드 지립(砥粒)에 붕소 화합물을 첨가하여 구성되는 복수의 연삭 지석(砥石)
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 연삭 휠.
  2. 제1항에 있어서, 상기 붕소 화합물은 B4C, HBN 및 CBN을 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 연삭 휠.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 연삭 지석은, 다이아몬드 지립 및 붕소 화합물을 레진 본드, 비트리파이드(vitrified) 본드, 메탈 본드 중 어느 하나에 혼련하여 소결한 소결 지석으로 구성되는 것을 특징으로 하는 연삭 휠.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 연삭 지석은, 다이아몬드 지립 및 붕소 화합물을 니켈 도금으로 고정한 전기 주조 지석으로 구성되는 것을 특징으로 하는 연삭 휠.
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201347921A (zh) * 2012-05-21 2013-12-01 Ritedia Corp 自潤性砂輪
CN102896311B (zh) * 2012-09-19 2014-09-24 河南省亚龙金刚石制品有限公司 一种金刚石复合片用粉末状粘接剂及其制备方法
CN104385118A (zh) * 2014-09-17 2015-03-04 浙江舜宇光学有限公司 一种金刚石丸片及其应用方法、研磨工具
JP2016147359A (ja) * 2015-02-13 2016-08-18 株式会社ディスコ 研削砥石
JP2016168660A (ja) * 2015-03-13 2016-09-23 株式会社ディスコ 研削ホイール
JP6564624B2 (ja) * 2015-06-10 2019-08-21 株式会社ディスコ 研削砥石
JP6707278B2 (ja) * 2015-09-04 2020-06-10 株式会社ディスコ 研削ホイール及び被加工物の研削方法
CN105856085B (zh) * 2016-03-30 2018-05-18 东北大学 用碳化硼制备研磨盘的方法
CN109465758A (zh) * 2018-12-25 2019-03-15 苏州远东砂轮有限公司 用于磨削钛合金的陶瓷结合剂cbn复合砂轮及制备方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62136375A (ja) * 1985-12-06 1987-06-19 Towa Shoko Kk 超硬砥粒砥石の製造法
JPH0669669B2 (ja) * 1985-12-20 1994-09-07 日本精工株式会社 超砥粒超仕上砥石
JPH061324Y2 (ja) * 1986-06-30 1994-01-12 三菱マテリアル株式会社 電鋳薄刃砥石
JPH03190671A (ja) * 1989-12-21 1991-08-20 Nippon Steel Corp 焼結錫ボンド研磨砥石およびその製造方法
EP1066134B9 (en) * 1998-03-27 2002-11-13 Norton Company Abrasive tools
US6200208B1 (en) * 1999-01-07 2001-03-13 Norton Company Superabrasive wheel with active bond
JP2001252874A (ja) * 2000-03-10 2001-09-18 Asahi Diamond Industrial Co Ltd レジンボンド超砥粒ホイール及びその製造方法
JP2001300856A (ja) * 2000-04-18 2001-10-30 Allied Material Corp 超砥粒工具
JP2003225866A (ja) * 2002-01-31 2003-08-12 Allied Material Corp 薄板加工用メタルボンドダイヤモンドラップ定盤
JP2004098266A (ja) * 2002-09-12 2004-04-02 Polymatech Co Ltd 研磨砥石及びその製造方法
CN101148037A (zh) * 2007-11-07 2008-03-26 南京航空航天大学 具有自润滑功能的金属结合剂立方氮化硼砂轮的制作方法
JP2010052076A (ja) * 2008-08-27 2010-03-11 Disco Abrasive Syst Ltd 研削ホイール

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