CN105856085B - 用碳化硼制备研磨盘的方法 - Google Patents

用碳化硼制备研磨盘的方法 Download PDF

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Abstract

用碳化硼制备研磨盘的方法,属于磨具的制备领域。方法:1)以优质的碳化硼为磨料,分别与树脂结合剂热压成型、陶瓷结合剂高温烧结、金属结合剂电镀或烧结制备碳化硼研磨层;2)通过粘结剂或电镀,将磨料层和基体相结合制成碳化硼研磨盘。本发明方法,可减少因金刚石硬度过高造成的工件粗糙、崩边和破裂等现象,增加了研磨面的平整度,提高了工件合格率,降低了后续抛光工序的难度和强度;本发明方法,大幅度降低研磨盘的成本,显著地提高其经济效益。

Description

用碳化硼制备研磨盘的方法
技术领域
本发明属于磨具的制备领域,特别涉及一种用碳化硼制备研磨盘的方法。
背景技术
随着科技的进步,研磨和抛光作为超精密加工的重要手段,在工程陶瓷、光学玻璃、光电晶体、精密光学等器件得到越来越广泛的应用,研磨和抛光成为影响了、甚至决定了产品质量的关键工序。研磨是作为抛光的前道工序,直接会影响着后续的抛光效率和工件的表面质量。研磨主要有两种方式:(1)固结磨料研磨;(2)游离磨料研磨。其中固结磨料磨具主要有研磨盘、砂带、砂轮等。
研磨盘作为固结磨料磨具的一种,以其高效、低廉等优点而得到广泛应用。研磨盘主要有金刚石研磨盘、氧化铝研磨盘和铸铁研磨盘等。金刚石研磨盘研磨速率高但存在以下不足:(1)金刚石粉价格昂贵且产量低,致使研磨成本大大增加;(2)金刚石硬度过高,在研磨过程中容易造成工件表面粗糙度高、划痕多、质量差等。针对金刚石研磨盘这些不足之处,现提出一种用碳化硼粉制备研磨盘的方法,即用碳化硼替代金刚石作为磨料制备碳化硼研磨盘。碳化硼磨料可分别与树脂结合剂热压成型、陶瓷结合剂高温烧结、金属结合剂电镀或烧结制备成碳化硼研磨盘。
碳化硼具有硬度高、耐磨性好、密度低(2.52g/cm3)及熔点高(2450℃)等优异特性,被广泛应用于机械研磨、耐火材料、工程陶瓷、核工业和军事等领域。碳化硼莫氏硬度为9.36,硬度仅次于金刚石和立方氮化硼,所以可作为固结磨料研磨盘的磨料。
发明内容
本发明的目的是针对金刚石研磨盘存在的不足,提供一种以碳化硼为磨料制备研磨盘的方法。该方法以优质的碳化硼代替金刚石作为磨料,分别与树脂结合剂、陶瓷结合剂和金属结合剂相结合制备碳化硼研磨盘。
方法一:本发明的用碳化硼制备研磨盘的方法,包括如下步骤:
步骤1,配料:
按质量比,碳化硼∶树脂结合剂∶填料=(5~20)∶(2~20)∶(60~95)配料,混合均匀制得粉料,其中:
碳化硼的纯度为95~99.9%;碳化硼的粒度为2~500μm;碳化硼中硼碳比为3.8~4.5;碳化硼为单晶颗粒,莫氏硬度大于9.35;
树脂结合剂和填料的平均粒度均为20~100μm;
步骤2,制备磨料层:
(1)将粉料,热压成生坯:热压的温度为200~500℃,热压的时间为0.5~2h,热制的压力为20~60MPa;
(2)将生坯在50~300℃固化1~2h,机械加工制得所需尺寸的树脂碳化硼磨料层;
步骤3,与基体结合:
将基体清洗干净,将树脂碳化硼磨料层置于基体上,接触的部位涂抹粘结剂,使树脂碳化硼磨料层与基体结合牢固,制得树脂碳化硼研磨盘。
上述的方法一:
所述的步骤1中,树脂结合剂可为酚醛树脂、环氧树脂、双马来酰亚胺、聚酰亚胺树脂中的一种;
所述的步骤2(1)中,采用热压机进行热压成型;
方法二:本发明的用碳化硼制备研磨盘的方法,包括如下步骤:
步骤1,配料:
按质量比,碳化硼∶陶瓷结合剂∶填料=(5~20)∶(2~20)∶(60~95)配料,混合均匀制得粉料,其中:
碳化硼的纯度为95~99.9%;碳化硼的粒度为2~500μm;碳化硼中硼碳比为3.8~4.5;碳化硼为单晶颗粒,莫氏硬度大于9.35;
陶瓷结合剂和填料的平均粒度均为20~100μm;
步骤2,制备磨料层:
(1)将粉料,常温压制成生坯后,进行干燥,其中,压制的压力为5~50MPa,压制的时间为0.1~2h;干燥的温度为50~300℃,干燥时间为0.5~5h;
(2)将干燥后的生坯,高温烧结后,机械加工制得所需尺寸的陶瓷碳化硼磨料层,其中,烧结的温度为600~2000℃,烧结时间为0.5~4h;
步骤3,与基体结合:
将基体清洗干净,将陶瓷碳化硼磨料层置于基体上,接触的部位涂抹粘结剂,使陶瓷碳化硼磨料层与基体结合牢固,制得陶瓷碳化硼研磨盘。
上述的方法二:
所述的步骤1中,陶瓷结合剂为陶瓷或玻璃;
方法三:本发明的用碳化硼制备研磨盘的方法,包括如下步骤:
步骤1,配料:
按质量比,碳化硼∶金属结合剂∶填料=(5~20)∶(2~20)∶(60~95)配料,混合均匀制得粉料,其中:
碳化硼的纯度为95~99.9%;碳化硼的粒度为2~500μm;碳化硼中硼碳比为3.8~4.5;碳化硼为单晶颗粒,莫氏硬度大于9.35;
金属结合剂和填料的平均粒度均为20~100μm;
步骤2,制备磨料层:
将粉料,在真空或惰性气体保护下,热压烧结后,机械加工制得所需尺寸的金属碳化硼磨料层;其中,热压的温度为1000~2300℃,热压的时间为0.5~2h,热压的压力为20~60MPa;
步骤3,与基体结合:
当金属结合剂为铜基合金粉或铁基合金粉时:
将基体清洗干净,将金属碳化硼磨料层置于基体上,接触的部位涂抹粘结剂,使金属碳化硼磨料层与基体结合牢固,制得金属碳化硼研磨盘;
当金属结合剂为镍或镍合金时:
(1)将金属碳化硼磨料层进行除油和超声清洗预处理;将基体进行除锈、除油和阳极腐蚀预处理;
(2)将预处理后的基体,进行电镀;其中,电镀金属为镍或镍合金,电镀电流密度为1.0~1.5A/dm2
(3)将预处理后的金属碳化硼磨料层,通过电镀植砂的方法与基体结合;其中,电镀金属为镍或镍合金;电镀植砂的电流密度为0.1~0.6A/dm2
(4)将金属碳化硼磨料层与基体结合的部位,进行电镀,使碳化硼磨料牢固地固定在基体上,制得电镀碳化硼研磨盘;其中,镀金属为镍或镍合金,电镀电流密度为0.8~1.8A/dm2
上述的方法三:
所述的步骤1中,金属结合剂为铜基合金粉或铁基合金粉;
所述的步骤2中,惰性气体为氩气。
上述的方法一至方法三:
所述的步骤1中,碳化硼的粒度为6~12μm、8~16μm、20~30μm、36~54μm、60~70μm、70~80μm、100~120μm或325~400μm;
所述的步骤1中,填料为为三氧化二铬粉、氧化锌粉或白刚玉中的一种或几种,平均粒度均为2~100μm;
所述的步骤1中,在混料机将配料混合均匀;
所述的步骤3中,基体为铝合金或者铁合金;
所述的方法一至方法三,制备的碳化硼研磨盘的直径为50~1500mm。
本发明的用碳化硼制备研磨盘的方法,选用的碳化硼的硬度(莫氏硬度为9.36)仅次于金刚石(莫氏硬度10),但其价格仅为金刚石的约十分之一。所以本发明用碳化硼替代金刚石制备研磨盘,具有以下优点:
(1)可减少因金刚石硬度过高造成的工件粗糙、崩边和破裂等现象,增加了研磨面的平整度,提高了工件合格率,降低了后续抛光工序的难度和强度;
(2)可大幅度降低研磨盘的成本,显著地提高其经济效益。
具体实施方式:
以下实施例中,所选用的基体为铝合金。
实施例1
用碳化硼制备研磨盘的方法,采用方法一,包括如下步骤:
步骤1,配料:
按质量比,碳化硼∶酚醛树脂∶三氧化二铬粉=5∶2∶93配料,混合均匀制得粉料,其中:
碳化硼的纯度为97%;碳化硼的粒度为60~70μm;碳化硼中硼碳比为3.9;碳化硼为单晶颗粒,莫氏硬度大于9.36;
酚醛树脂和三氧化二铬粉的平均粒度均为50μm;
步骤2,制备磨料层:
(1)将粉料,采用热压机将粉料热压成生坯:热压的温度为250℃,热压的时间为0.3h,热压的压力为20MPa;
(2)将生坯,在100℃固化2h,机械加工制得直径为150mm的树脂碳化硼磨料层;
步骤3,与基体结合:
将直径为150mm基体清洗干净,将树脂碳化硼磨料层置于基体上,接触的部位涂抹粘结剂,使树脂碳化硼磨料层与基体结合牢固,制得直径为150mm树脂碳化硼研磨盘。
实施例2
用碳化硼制备研磨盘的方法,采用方法一,包括如下步骤:
步骤1,配料:
按质量比,碳化硼∶聚酰亚胺树脂∶氧化锌粉=20∶15∶65配料,混合均匀制得粉料,其中:
碳化硼的纯度为99%;碳化硼的粒度为6~12μm;碳化硼中硼碳比为4.0;碳化硼为单晶颗粒,莫氏硬度大于9.36;
聚酰亚胺树脂和氧化锌粉的平均粒度均为20μm;
步骤2,制备磨料层:
(1)将粉料,采用热压机将粉料热压成生坯:热压的温度为500℃,热压的时间为2h,热压的压力为60MPa;
(2)将生坯,在300℃固化1h,机械加工制得直径为500mm的树脂碳化硼磨料层;
步骤3,与基体结合:
将直径为500mm基体清洗干净,将树脂碳化硼磨料层置于基体上,接触的部位涂抹粘结剂,使树脂碳化硼磨料层与基体结合牢固,制得直径为500mm树脂碳化硼研磨盘。
实施例3
用碳化硼制备研磨盘的方法,采用方法二,包括如下步骤:
步骤1,配料:
按质量比,碳化硼∶玻璃∶白刚玉=20∶20∶60配料,混合均匀制得粉料,其中:
碳化硼的纯度为98%;碳化硼的粒度为325~400μm;碳化硼中硼碳比为4.2;碳化硼为单晶颗粒,莫氏硬度大于9.36;
玻璃和白刚玉的平均粒度均为100μm;
步骤2,制备磨料层:
(1)将粉料,常温压制成生坯后,进行干燥,其中,压制的压力为50MPa,压制的时间为0.1h;干燥的温度为50℃,干燥时间为5h;
(2)将干燥后的生坯,高温烧结后,机械加工制得直径为600mm的陶瓷碳化硼磨料层,其中,烧结的温度为1200℃,烧结时间为2.5h;
步骤3,与基体结合:
将直径为600mm的基体清洗干净,将陶瓷碳化硼磨料层置于基体上,接触的部位涂抹粘结剂,使陶瓷碳化硼磨料层与基体结合牢固,制备直径为600mm的陶瓷碳化硼研磨盘。
实施例4
用碳化硼制备研磨盘的方法,采用方法二,包括如下步骤:
步骤1,配料:
按质量比,碳化硼∶陶瓷∶白刚玉∶氧化锌粉=3∶2∶40∶55配料,混合均匀制得粉料,其中:
碳化硼的纯度为98.5%;碳化硼的粒度为450~500μm;碳化硼中硼碳比为4.3;碳化硼为单晶颗粒,莫氏硬度大于9.36;
陶瓷、白刚玉和氧化锌粉的平均粒度均为80μm;
步骤2,制备磨料层:
(1)将粉料,常温压制成生坯后,进行干燥,其中,压制的压力为10MPa,压制的时间为2h;干燥的温度为100℃,干燥时间为3h;
(2)将干燥后的生坯,高温烧结后,机械加工制得直径为50mm的陶瓷碳化硼磨料层,其中,烧结的温度为2000℃,烧结时间为1h;
步骤3,与基体结合:
将直径为50mm的基体清洗干净,将陶瓷碳化硼磨料层置于基体上,接触的部位涂抹粘结剂,使陶瓷碳化硼磨料层与基体结合牢固,制备直径为50mm的陶瓷碳化硼研磨盘。
实施例5
用碳化硼制备研磨盘的方法,采用方法三,包括如下步骤:
步骤1,配料:
按质量比,碳化硼∶铜铝合金∶氧化锌粉=8∶2∶90配料,混合均匀制得粉料,其中:
碳化硼的纯度为98.5%;碳化硼的粒度为36~54μm;碳化硼中硼碳比为4.1;碳化硼为单晶颗粒,莫氏硬度大于9.36;
铜铝合金和氧化锌粉的平均粒度为20μm;
步骤2,制备磨料层:
将粉料,在氩气气体保护下,热压烧结后,机械加工制得直径为380mm的金属碳化硼磨料层;其中,热压的温度为1500℃,热压的时间为0.5h,热压的压力为50MPa;
步骤3,与基体结合:
将直径为380mm的基体清洗干净,将金属碳化硼磨料层置于基体上,接触的部位涂抹粘结剂,使金属碳化硼磨料层与基体结合牢固,制得直径为380mm金属碳化硼研磨盘。
实施例6
用碳化硼制备研磨盘的方法,采用方法三,包括如下步骤:
步骤1,配料:
按质量比,碳化硼∶铁基合金粉∶三氧化二铬粉∶氧化锌粉=20∶20∶30∶30配料,混合均匀制得粉料,其中:
碳化硼的纯度为98.0%;碳化硼的粒度为100~120μm;碳化硼中硼碳比为4.5;碳化硼为单晶颗粒,莫氏硬度大于9.35;
铁基合金粉、三氧化二铬粉和氧化锌粉平均粒度均为60μm;
步骤2,制备磨料层:
将粉料,在氩气气体保护下,热压烧结后,机械加工制得直径为1000mm的金属碳化硼磨料层;其中,热压的温度为2300℃,热压的时间为1.5h,热压的压力为60MPa;
步骤3,与基体结合:
将直径为1000mm的基体清洗干净,将金属碳化硼磨料层置于基体上,接触的部位涂抹粘结剂,使金属碳化硼磨料层与基体结合牢固,制得直径为1000mm金属碳化硼研磨盘。
实施例7
本发明的用碳化硼制备研磨盘的方法,采用方法三,包括如下步骤:
步骤1,配料:
按质量比,碳化硼∶镍∶氧化锌粉=10∶10∶80配料,混合均匀制得粉料,其中:
碳化硼的纯度为98.5%;碳化硼的粒度为20~30μm;碳化硼中硼碳比为4.1;碳化硼为单晶颗粒,莫氏硬度大于9.36;
镍的纯度为99.9%;
镍和氧化锌粉的平均粒度均为25μm;
步骤2,制备磨料层:
将粉料,在真空气体保护下,热压烧结后,机械加工制得直径为1500mm的金属碳化硼磨料层;其中,热压的温度为1500℃,热压的时间为1h,热压的压力为20MPa;
步骤3,与基体结合:
(1)将金属碳化硼磨料层进行除油和超声清洗预处理;将直径为1500mm的基体进行除锈、除油和阳极腐蚀预处理;
(2)将预处理后的基体,进行电镀;其中,电镀金属为镍,电镀电流密度为1.0A/dm2
(3)将预处理后的金属碳化硼磨料层,通过电镀植砂的方法与基体结合;其中电镀金属为镍;电镀植砂的电流密度为0.1A/dm2
(4)将电镀碳化硼磨料层与基体结合的部位,进行电镀,使碳化硼磨料牢固地固定在基体上,制得直径为1500mm的电镀碳化硼研磨盘;其中,电镀金属为镍,电镀电流密度为1.1A/dm2
实施例8
本发明的用碳化硼制备研磨盘的方法,采用方法三,包括如下步骤:
步骤1,配料:
按质量比,碳化硼∶镍合金∶白刚玉=15∶15∶70配料,混合均匀制得粉料,其中:
碳化硼的纯度为96.5%;碳化硼的粒度为60~70μm;碳化硼中硼碳比为4.2;碳化硼为单晶颗粒,莫氏硬度大于9.36;
镍合金和白刚玉的平均粒度均为50μm;
步骤2,制备磨料层:
将粉料,在氩气气体保护下,热压烧结后,机械加工制得直径为100mm的金属碳化硼磨料层;其中,热压的温度为1000℃,热压的时间为2h,热压的压力为20MPa;
步骤3,与基体结合:
(1)将金属碳化硼磨料层进行除油和超声清洗预处理;将直径为100mm的基体进行除锈、除油和阳极腐蚀预处理;
(2)将预处理后的基体,进行电镀;其中,电镀金属为镍,电镀电流密度为1.5A/dm2
(3)将预处理后的金属碳化硼磨料层,通过电镀植砂的方法与基体结合;其中电镀金属为镍;电镀植砂的电流密度为0.6A/dm2
(4)将电镀碳化硼磨料层与基体结合的部位,进行电镀,使碳化硼磨料牢固地固定在基体上,制得直径为100mm的电镀碳化硼研磨盘;其中,电镀金属为镍,电镀电流密度为0.8A/dm2

Claims (6)

1.一种用碳化硼制备研磨盘的方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤 1,配料:
按质量比,碳化硼:树脂结合剂:填料=(5~20):(2~20):(60~95)配料,混合均匀制得粉料,其中:碳化硼的纯度为 95~99.9%;碳化硼的粒度为 2~500μm;碳化硼中硼碳比为 3.8~4.5;碳化硼为单晶颗粒,莫氏硬度大于9.35;树脂结合剂和填料的平均粒度均为 20~100μm;所述的树脂结合剂为酚醛树脂、环氧树脂、双马来酰亚胺、聚酰亚胺树脂中的一种;填料为三氧化二铬粉、氧化锌粉或白刚玉中的一种或几种;
步骤2,制备磨料层:
(1)将粉料,热压成生坯:热压的温度为 200~500℃,热压的时间为 0.3~2h,热压的压力为20~60MPa;
(2)将生坯在 50~300℃固化 1~2h,机械加工制得所需尺寸的树脂碳化硼磨料层;
步骤3,与基体结合;将基体清洗干净,将树脂碳化硼磨料层置于基体上,接触的部位涂抹粘结剂,使树脂碳化硼磨料层与基体结合牢固,制得树脂碳化硼研磨盘。
2.一种用碳化硼制备研磨盘的方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤 1,配料:
按质量比,碳化硼:陶瓷结合剂:填料=(5~20):(2~20):(60~95)配料,混合均匀制得粉料,
其中:碳化硼的纯度为 95~99.9%;碳化硼的粒度为 2~500μm;碳化硼中硼碳比为 3.8~4.5;碳化硼为单晶颗粒,莫氏硬度大于9.35;陶瓷结合剂和填料的平均粒度均为20~100μm;所述的陶瓷结合剂为陶瓷或玻璃;填料为三氧化二铬粉、氧化锌粉或白刚玉中的一种或几种;
步骤 2,制备磨料层:
(1)将粉料,常温压制成生坯后,进行干燥,其中,压制的压力为5~50MPa,压制的时间为0.1~2h;干燥的温度为50~300℃,干燥时间为0.5~5h;
(2)将干燥后的生坯,高温烧结后,机械加工制得所需尺寸的陶瓷碳化硼磨料层,其中,烧结的温度为600~2000℃,烧结时间为0.5~4h;
步骤 3,与基体结合: 将基体清洗干净,将陶瓷碳化硼磨料层置于基体上,接触的部位涂抹粘结剂,使陶瓷碳化硼磨料层与基体结合牢固,制得陶瓷碳化硼研磨盘。
3.一种用碳化硼制备研磨盘的方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1,配料:
按质量比,碳化硼:金属结合剂:填料=(5~20):(2~20):(60~95)配料,混合均匀制得粉料,其中:碳化硼的纯度为 95~99.9%;碳化硼的粒度为 2~500μm;碳化硼中硼碳比为 3.8~4.5;碳化硼为单晶颗粒,莫氏硬度大于9.35;金属结合剂和填料的平均粒度均为20~100μm;所述的填料为三氧化二铬粉、氧化锌粉或白刚玉中的一种或几种;
步骤2,制备磨料层:
将粉料,在真空或惰性气体保护下,热压烧结后,机械加工制得所需尺寸的金属碳化硼磨料层;其中,热压的温度为 1000~2300℃,热压的时间为 0.3~2h,热压的压力为 20~60MPa;
步骤3,与基体结合:
当金属结合剂为铜基合金粉或铁基合金粉时:
将基体清洗干净,将金属碳化硼磨料层置于基体上,接触的部位涂抹粘结剂,使金属碳化硼磨料层与基体结合牢固,制得金属碳化硼研磨盘;
当金属结合剂为镍或镍合金时:
(1)将金属碳化硼磨料层进行除油和超声清洗预处理;将基体进行除锈、除油和阳极腐蚀预处理;
(2)将预处理后的基体,进行电镀;其中,电镀金属为镍或镍合金,电镀电流密度为1.0~1.5A/dm2
(3)将预处理后的金属碳化硼磨料层,通过电镀植砂的方法与基体结合;其中,电镀金属为镍或镍合金;电镀植砂的电流密度为0.1~0.6A/dm2
(4)将金属碳化硼磨料层与基体结合的部位,进行电镀,使碳化硼磨料牢固地固定在基体上,制得电镀碳化硼研磨盘;其中,镀金属为镍或镍合金,电镀电流密度为0.8~1.8A/dm2
4.根据权利要求 1 或 2 或 3所述的用碳化硼制备研磨盘的方法,其特征在于,所述的步骤1中,碳化硼的粒度为6~12μm、8~16μm、20~30μm、36~54μm、 60~70μm、70~80μm、100~120μm或325~400μm。
5.根据权利要求 1 或2 或3 所述的用碳化硼制备研磨盘的方法,其特征在于,所述的步骤3中,基体为铝合金或者铁合金。
6.根据权利要求1或2或3所述的用碳化硼制备研磨盘的方法,其特征在于,所述的方法制得的碳化硼研磨盘的直径为50~1500mm。
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