KR20110139105A - Substrate with fine metal pattern, print circuit board and semiconductor device, and production method of substrate with fine metal pattern, print curcuit board and semiconductor device - Google Patents

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히데키 하라
야스아키 미츠이
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스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드
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Abstract

PURPOSE: A substrate with a fine metal pattern, a print circuit board, a semiconductor apparatus, and a method for manufacturing a substrate with a fine metal pattern and a print circuit board are provided to reduce reaction active field which is generated by a metal micro pattern. CONSTITUTION: A metal micro pattern(7b') is filled in a recess(9). The recess is prepared in a support surface which consists of a resin. A part, which is not touched with the surface of the recess in a metal micro pattern area, is coated with a nickel-palladium-gold plated layer(8). The ratio of a shortest distance between patterns and the projection height of the metal micro pattern is below 0.8 in the area of the nickel-palladium-gold plated layer.

Description

금속 미세 패턴 부착 기재, 프린트 배선판 및 반도체 장치, 및 금속 미세 패턴 부착 기재 및 프린트 배선판의 제조 방법{SUBSTRATE WITH FINE METAL PATTERN, PRINT CIRCUIT BOARD AND SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PRODUCTION METHOD OF SUBSTRATE WITH FINE METAL PATTERN, PRINT CURCUIT BOARD AND SEMICONDUCTOR DEVICE}Substrate with FINE METAL PATTERN, PRINT CIRCUIT BOARD AND SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PRODUCTION METHOD OF SUBSTRATE WITH FINE METAL PATTERN, PRINT CURCUIT BOARD AND SEMICONDUCTOR DEVICE}

본 발명은 금속 미세 패턴 부착 기재, 프린트 배선판, 반도체 장치 및 이들의 제조 방법에 관한 것이다.
TECHNICAL FIELD This invention relates to the base material with a metal fine pattern, a printed wiring board, a semiconductor device, and its manufacturing method.

프린트 배선판 상의 회로는 납땜 접합, 와이어 본딩 등의 접속 신뢰성을 확보할 목적으로 금 도금이 행해진다.The circuit on a printed wiring board is gold-plated for the purpose of ensuring connection reliability, such as solder joint and wire bonding.

금 도금의 대표적인 방법의 하나로서, 무전해 니켈-금 도금법이 있다. 이 방법에서는 도금 대상에 클리너 등의 적당의 방법에 의해 전처리를 실시한 후 팔라듐 촉매를 부여하고, 그 후 추가로 무전해 니켈 도금 처리 및 무전해 금 도금 처리를 차례로 실시한다. ENIG법(Electroless Nickel Immersion Gold)은 무전해 니켈-금 도금법의 하나로, 무전해 금 도금 처리 단계에서 치환 금 도금 처리(Immersion Gold)를 실시하는 방법이다.As one of the typical methods of gold plating, there is an electroless nickel-gold plating method. In this method, after a pretreatment is performed to a plating target by suitable methods, such as a cleaner, a palladium catalyst is given, and after that, an electroless nickel plating process and an electroless gold plating process are further performed in order. ENIG (Electroless Nickel Immersion Gold) is one of the electroless nickel-gold plating methods, and is a method of performing the Immersion Gold in the electroless gold plating step.

단자 부분을 ENIG법으로 금 도금했을 경우, 그 단자 부분을 와이어 본딩하기 위해서 가열 처리할 때, 금 피막 상에 니켈이 확산해 접속 신뢰성이 저하되는 문제가 있다. 니켈 확산의 문제에 대해, 니켈-금 피막 상에 금 무전해 도금 처리를 추가로 실시해 금의 막 두께를 두껍게 함으로써 내열성을 확보할 수 있다.In the case where the terminal portion is gold plated by the ENIG method, nickel is diffused on the gold film when the heat treatment is performed in order to wire-bond the terminal portion, thereby deteriorating connection reliability. For the problem of nickel diffusion, heat resistance can be ensured by further adding a gold electroless plating treatment on the nickel-gold film to increase the film thickness of gold.

그러나, 환경 대책의 관점으로부터 향후 필수로 여겨지는 납프리 납땜의 용융 온도는 260℃ 정도에 이르러, 종래의 납 납땜의 용융 온도보다도 높다. 이 때문에 납프리 납땜 대응을 고려하면, 단자 부분의 금 도금에 대해서는 종래보다도 더욱 고내열성인 것이 필요하게 된다. ENIG법에서는 납프리(lead-free) 납땜을 실시할 때의 고온 가열에 대해서 충분히 대처할 수 없는 경우가 있고, 또 고내열성을 확보하기 위하여 금의 막 두께를 두껍게 하면 할수록 비용이 높아진다는 문제가 있다.However, from the viewpoint of environmental measures, the melting temperature of lead-free soldering, which is considered essential in the future, is about 260 ° C, which is higher than that of conventional solder soldering. For this reason, in consideration of lead-free soldering, the gold plating of the terminal portion needs to be more heat resistant than before. In the ENIG method, it may not be possible to cope with the high temperature heating at the time of lead-free soldering, and there is a problem that the higher the film thickness of the gold, the higher the cost in order to secure high heat resistance. .

상기 문제를 해결하기 위해서, 무전해 니켈-팔라듐-금 도금법의 적용이 검토되기 시작하고 있다. 이 방법에서는 상기 무전해 니켈-금 도금법의 무전해 니켈 도금 처리 후, 무전해 팔라듐 도금 처리를 실시하고, 계속해서 금 도금 처리를 실시한다.In order to solve this problem, application of the electroless nickel-palladium-gold plating method is beginning to be examined. In this method, after the electroless nickel plating treatment of the electroless nickel-gold plating method, the electroless palladium plating treatment is performed, followed by the gold plating treatment.

ENEPIG법(Electroless Nickel Electroless Palladium Immersion Gold)은 무전해 니켈-팔라듐-금 도금법의 하나로, 무전해 니켈-팔라듐-금 도금법의 무전해 금 도금 처리 단계에서 치환 금 도금 처리(Immersion Gold)를 실시하는 방법이다(특허문헌 1). 무전해 니켈-팔라듐-금 도금법에서는 회로나 단자 부분에서의 도체 재료의 확산 방지 및 내식성 향상, 니켈 산화 방지 및 확산 방지가 가능하다. 또, 무전해 니켈-팔라듐-금 도금법은 무전해 팔라듐 도금 피막을 마련함으로써 금에 의한 니켈 산화를 방지할 수 있으므로, 열 부하가 큰 납프리 납땜 접합의 신뢰성이 향상되고, 나아가 금의 막 두께를 두껍게 하지 않아도 니켈 확산이 생기지 않기 때문에 무전해 니켈-금 도금법보다도 저비용화할 수 있는 이점도 있다.
ENEPIG (Electroless Nickel Electroless Palladium Immersion Gold) is one of the electroless nickel-palladium-gold plating methods. (Patent document 1). In the electroless nickel-palladium-gold plating method, it is possible to prevent the diffusion of conductor materials and to improve corrosion resistance, nickel oxidation prevention and diffusion prevention in circuits or terminal portions. In addition, the electroless nickel-palladium-gold plating method can prevent nickel oxidation by gold by providing an electroless palladium plating film, so that the reliability of lead-free solder joints with a large thermal load is improved, and further, the film thickness of gold is improved. Since the diffusion of nickel does not occur even if it is not thickened, there is an advantage that the cost can be reduced compared to the electroless nickel-gold plating method.

일본 특개 2008-144188호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2008-144188

상술한 바와 같이 무전해 니켈-팔라듐-금 도금법은 무전해 니켈-금 도금법과 비교해서 고열 부하에 대한 접속 신뢰성이 높다. 그러나, 프린트 배선판의 회로에 무전해 니켈-팔라듐-금 도금을 실시하면 무전해 팔라듐 도금 처리 단계에서 도체 회로를 지지하고 있는 수지 표면의 단자 부분의 주위에 금속이 이상 석출해서 도금 처리면의 품질을 떨어뜨리고, 심한 경우에는 인접하는 단자간에 쇼트를 일으키는 원인이 되는 것이 발견되었다.As described above, the electroless nickel-palladium-gold plating method has higher connection reliability with respect to high heat loads than the electroless nickel-gold plating method. However, when electroless nickel-palladium-gold plating is applied to a circuit of a printed wiring board, metal is abnormally precipitated around the terminal portion of the surface of the resin supporting the conductor circuit in the electroless palladium plating step, thereby improving the quality of the plated surface. It has been found to drop and cause a short between adjacent terminals in severe cases.

또, 회로의 미세화에 수반해 회로 간격이 좁아질수록 인접하는 도체 회로간의 수지 표면에 이상 석출이 발생하기 쉬워지는 것도 발견되었다.In addition, it has also been found that with the miniaturization of circuits, the narrower the circuit spacing, the easier the occurrence of abnormal precipitation on the resin surface between adjacent conductor circuits.

본 발명은 상기 문제점을 해소하기 위해서 이루어진 것으로서, 프린트 배선판의 단자 부분, 혹은 프린트 배선판 이외의 전자 부품의 도체 회로 표면, 그 밖에도 수지 기재 상에 지지된 금속 미세 패턴의 표면을 도금 처리의 대상으로 하여, 그러한 도금 처리 대상면에 무전해 니켈-팔라듐-금 도금을 실시할 때에 하지(下地)인 수지 표면에 금속의 이상 석출이 일어나는 것을 억제할 수 있는 도금 처리품의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems. The present invention is directed to a terminal portion of a printed wiring board, a conductor circuit surface of an electronic component other than the printed wiring board, and a surface of a metal fine pattern supported on a resin substrate as a target of plating treatment. It is an object of the present invention to provide a method for producing a plated product that can suppress abnormal deposition of metal on the underlying resin surface when electroless nickel-palladium-gold plating is performed on a surface to be plated. .

나아가 본 발명은 품질이 뛰어난 도금 처리면을 가지는 금속 미세 패턴 부착 기재, 프린트 배선판 및 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
Furthermore, an object of this invention is to provide the base material with a metal micropattern, a printed wiring board, and a semiconductor device which have a plating process surface excellent in quality.

상기 목적은 하기 발명 (1)~(15)에 의해 달성된다.The said object is achieved by following invention (1)-(15).

(1) 금속 미세 패턴 부착 기재로서,(1) As a base material with a metal fine pattern,

금속 미세 패턴의 적어도 하부가 수지로 이루어진 지지 표면에 마련된 홈에 매립되어 있고,At least the lower part of the metal fine pattern is embedded in the groove provided in the support surface which consists of resin,

상기 금속 미세 패턴의 적어도 일부 영역에서의 상기 홈의 표면과 접하지 않는 부분이 니켈-팔라듐-금 도금층으로 피복되어 있으며,A portion of the metal micropattern not in contact with the surface of the groove in at least a portion of the metal fine pattern is covered with a nickel-palladium-gold plating layer,

상기 니켈-팔라듐-금 도금층을 가지는 영역에서의 금속 미세 패턴의 지지 표면으로부터의 돌출 높이를 X(단, X≤0(제로)인 경우에는 X=0으로 간주함)로 하고, 패턴간 최소 거리를 Y로 했을 때의 비(X/Y)가 0.8 미만인 것을 특징으로 하는 금속 미세 패턴 부착 기재.The protruding height from the support surface of the metal fine pattern in the region having the nickel-palladium-gold plating layer is set to X (where X = 0 (zero) is regarded as X = 0), and the minimum distance between patterns The ratio (X / Y) at the time of making Y into Y is less than 0.8, The base material with a metal fine pattern characterized by the above-mentioned.

(2) 상기 금속 미세 패턴의 니켈-팔라듐-금 도금층을 가지는 영역의 라인 앤드 스페이스(L/S)가 5~100㎛/5~100㎛인 상기 (1)에 기재된 금속 미세 패턴 부착 기재.(2) The base material with a metal fine pattern as described in said (1) whose line and space (L / S) of the area | region which has the nickel-palladium-gold plating layer of the said metal fine pattern is 5-100 micrometers / 5-100 micrometers.

(3) 프린트 배선판으로서,(3) As a printed wiring board,

도체 회로의 적어도 하부가 코어 기판 또는 절연층으로 이루어진 지지 표면에 마련된 홈에 매립되어 있고,At least a lower portion of the conductor circuit is embedded in a groove provided in a support surface made of a core substrate or an insulating layer,

상기 도체 회로의 적어도 일부 영역에서의 상기 홈의 표면과 접하지 않는 부분이 니켈-팔라듐-금 도금층으로 피복되어 있으며,A portion of the at least part of the conductor circuit which is not in contact with the surface of the groove is covered with a nickel-palladium-gold plating layer,

상기 니켈-팔라듐-금 도금층을 가지는 영역에서의 도체 회로의 지지 표면으로부터의 돌출 높이를 X(단, X≤0(제로)인 경우에는 X=0으로 간주함)로 하고, 회로 패턴간 최소 거리를 Y로 했을 때의 비(X/Y)가 0.8 미만인 것을 특징으로 하는 프린트 배선판.The protruding height from the support surface of the conductor circuit in the region having the nickel-palladium-gold plated layer is X (where X = 0 (zero) is assumed to be X = 0), and the minimum distance between circuit patterns The ratio (X / Y) at the time of making Y into Y is less than 0.8, The printed wiring board characterized by the above-mentioned.

(4) 상기 도체 회로의 니켈-팔라듐-금 도금층을 가지는 영역의 라인 앤드 스페이스(L/S)가 5~100㎛/5~100㎛인 상기 (3)에 기재된 프린트 배선판.(4) The printed wiring board as described in said (3) whose line and space (L / S) of the area | region which has the nickel-palladium-gold plating layer of the said conductor circuit is 5-100 micrometers / 5-100 micrometers.

(5) 상기 도체 회로의 니켈-팔라듐-금 도금층을 가지는 영역이 단자를 형성하는 영역인 상기 (3) 또는 (4)에 기재된 프린트 배선판.(5) The printed wiring board according to (3) or (4) above, wherein the region having the nickel-palladium-gold plating layer of the conductor circuit is a region in which a terminal is formed.

(6) 상기 (5)에 기재된 프린트 배선판에 반도체 소자를 탑재하고, 상기 프린트 배선판의 단자와 반도체 소자의 출입력부를 접속한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.(6) A semiconductor device comprising a semiconductor element mounted on a printed wiring board as described in (5) above, wherein a terminal of the printed wiring board and an entry / exit part of the semiconductor element are connected.

(7) 금속 미세 패턴 부착 기재의 제조 방법으로서,(7) As a manufacturing method of a base material with a metal fine pattern,

금속 미세 패턴의 적어도 하부가 수지로 이루어진 지지 표면에 마련된 홈에 매립되어 이루어진 처리용 기재를 준비하는 공정과,Preparing a substrate for processing in which at least a lower portion of the metal fine pattern is embedded in a groove provided on a support surface made of resin;

상기 처리용 기재의 금속 미세 패턴의 적어도 일부 영역에서의 상기 홈의 표면과 접하지 않는 부분에 무전해 니켈-팔라듐-금 도금을 실시하는 공정을 포함하고,Performing electroless nickel-palladium-gold plating on a portion not in contact with the surface of the groove in at least a part of the metal fine pattern of the substrate for processing;

상기 금속 미세 패턴의 무전해 니켈-팔라듐-금 도금을 실시하는 영역에서의 지지 표면으로부터의 돌출 높이를 X(단, X≤0(제로)인 경우에는 X=0으로 간주함)로 하고, 패턴간 최소 거리를 Y로 했을 때의 비(X/Y)가 0.8 미만이 되도록 하는 것을 특징으로 하는 금속 미세 패턴 부착 기재의 제조 방법.The protrusion height from the support surface in the region where the fine metal pattern is subjected to electroless nickel-palladium-gold plating is X (except X = 0, where X = 0), and the pattern The manufacturing method of the base material with a metal micropattern characterized by making ratio (X / Y) at the time of making the minimum distance between Y into less than 0.8.

(8) 상기 금속 미세 패턴의 무전해 니켈-팔라듐-금 도금을 실시하는 영역의 라인 앤드 스페이스(L/S)를 5~100㎛/5~100㎛가 되도록 하는 상기 (7)에 기재된 금속 미세 패턴 부착 기재의 제조 방법.(8) The metal fine metal as described in said (7) which makes the line and space (L / S) of the area | region which electroless nickel-palladium-gold plating of the said metal fine pattern be 5-100 micrometers / 5-100 micrometers. The manufacturing method of a base material with a pattern.

(9) 상기 처리용 기재를 준비하는 공정에 있어서, 처리용 기재의 지지 표면에 레이저에 의해서 홈을 형성하고, 상기 홈에 금속을 퇴적시킴으로써 금속 미세 패턴을 형성하는 상기 (7) 또는 (8)에 기재된 금속 미세 패턴 부착 기재의 제조 방법.(9) Said (7) or (8) which forms a metal fine pattern by forming a groove | channel by a laser in the support surface of a process substrate, and depositing metal in the said groove | channel in the process of preparing the said base material for a process. The manufacturing method of the base material with a metal fine pattern of description.

(10) 상기 처리용 기재를 준비하는 공정에 있어서, 금속 미세 패턴 전사 시트의 금속 미세 패턴을, 처리용 기재를 가열 연화시킨 지지 표면에 전사하는 상기 (7) 또는 (8)에 기재된 금속 미세 패턴 부착 기재의 제조 방법.(10) In the step of preparing the substrate for treatment, the metal micropattern according to the above (7) or (8), wherein the metal fine pattern of the metal fine pattern transfer sheet is transferred to a support surface on which the substrate for treatment is heat-softened. The manufacturing method of an adhesion base material.

(11) 프린트 배선판의 제조 방법으로서,(11) As a manufacturing method of a printed wiring board,

도체 회로의 적어도 하부가 코어 기판 또는 절연층으로 이루어진 지지 표면에 마련된 홈에 매립되어 이루어진 처리용 배선판을 준비하는 공정과,Preparing a processing wiring board in which at least a lower portion of the conductor circuit is embedded in a groove provided in a support surface made of a core substrate or an insulating layer;

상기 처리용 배선판의 도체 회로의 적어도 일부 영역에서의 상기 홈의 표면과 접하지 않는 부분에 무전해 니켈-팔라듐-금 도금을 실시하는 공정을 포함하고,And performing electroless nickel-palladium-gold plating on a portion of the processing circuit board not in contact with the surface of the groove in at least a part of the conductor circuit.

상기 도체 회로의 무전해 니켈-팔라듐-금 도금을 실시하는 영역에서의 지지 표면으로부터의 돌출 높이를 X(단, X≤0(제로)인 경우에는 X=0으로 간주함)로 하고, 회로 패턴간 최소 거리를 Y로 했을 때의 비(X/Y)가 0.8 미만이 되도록 하는 것을 특징으로 하는 프린트 배선판의 제조 방법.The projected height from the support surface in the region where the electroless nickel-palladium-gold plating of the conductor circuit is to be performed is assumed to be X (where X = 0 when X≤0 (zero)), and the circuit pattern The manufacturing method of the printed wiring board which makes ratio (X / Y) at the time of making the minimum distance between them Y be less than 0.8.

(12) 상기 도체 회로의 무전해 니켈-팔라듐-금 도금을 실시하는 영역의 라인 앤드 스페이스(L/S)를 5~100㎛/5~100㎛가 되도록 하는 상기 (11)에 기재된 프린트 배선판의 제조 방법.(12) of the printed wiring board according to the above (11), wherein the line and space (L / S) of the region where the electroless nickel-palladium-gold plating of the conductor circuit is to be made 5 to 100 µm / 5 to 100 µm; Manufacturing method.

(13) 상기 도체 회로의 니켈-팔라듐-금 도금을 실시하는 영역이 단자를 형성하는 영역인 상기 (11) 또는 (12)에 기재된 프린트 배선판의 제조 방법.(13) The manufacturing method of the printed wiring board as described in said (11) or (12) whose area | region which performs nickel-palladium-gold plating of the said conductor circuit is a area | region which forms a terminal.

(14) 상기 처리용 배선판을 준비하는 공정에 있어서, 처리용 배선판의 지지 표면에 레이저에 의해서 홈을 형성하고, 상기 홈에 금속을 퇴적시킴으로써 도체 회로를 형성하는 상기 (11) 내지 (13) 중 어느 1항에 기재된 프린트 배선판의 제조 방법.(14) In the process of preparing the processing wiring board, the grooves are formed on the support surface of the processing wiring board by a laser, and the above-mentioned (11) to (13) to form a conductor circuit by depositing a metal on the groove. The manufacturing method of the printed wiring board of any one of Claims 1.

(15) 상기 처리용 배선판을 준비하는 공정에 있어서, 도체 회로 전사 시트의 도체 회로를, 처리용 배선판을 가열 연화시킨 지지 표면에 전사하는 상기 (11) 내지 (13) 중 어느 1항에 기재된 프린트 배선판의 제조 방법.
(15) The process according to any one of the above (11) to (13), wherein the conductor circuit of the conductor circuit transfer sheet is transferred to a support surface on which the processing circuit board is heat-softened in the step of preparing the processing wiring board. Method of manufacturing a wiring board.

본 발명에 의하면, 금속 미세 패턴 부착 기재의 금속 미세 패턴을 수지 표면에 매립하고 노출된 도체 회로의 표면을 도금 처리함으로써, 도금욕에 대한 도체 회로의 노출 면적이 작아지므로, 금속 미세 패턴의 존재에 의해 생기는 반응 활성장(도금욕의 반응 활성이 높은 공간)을 작게 할 수 있다.According to the present invention, by embedding the metal fine pattern of the substrate with a metal fine pattern on the resin surface and plating the surface of the exposed conductor circuit, the exposed area of the conductor circuit to the plating bath is reduced, so that the presence of the metal fine pattern The reaction active field (the space where the reaction activity of a plating bath is high) produced by it can be made small.

또, 금속 미세 패턴을 수지 표면에 매립함으로써 수지 표면의 회로 요철(회로 정상부와 수지 표면의 높낮이 차이)이 작아지기 때문에 수지 표면의 세정성이 향상되어 팔라듐 촉매의 제거성이 향상된다.In addition, by embedding the metal fine pattern on the resin surface, the circuit irregularities (the difference between the heights of the circuit top and the resin surface) of the resin surface are reduced, so that the resin surface is cleaned and the palladium catalyst is removed.

따라서 본 발명에 의하면, 금속 미세 패턴 부착 기재의 금속 미세 패턴의 주위에서의 금속의 이상 석출을 방지할 수 있다.Therefore, according to this invention, abnormal precipitation of the metal around the metal fine pattern of a base material with a metal fine pattern can be prevented.

나아가 본 발명에서는 금속 미세 패턴의 노출 면적을 작게 하기 위해서 도체 회로를 수지 표면에 매립하므로, 금속 미세 패턴의 두께를 얇게 할(회로 단면적을 작게 할) 필요가 없다. 따라서 본 발명에 의하면, 금속의 이상 석출을 방지하는 것이 가능할 뿐만 아니라, 신호의 전달 속도가 늦어지는 문제를 회피할 수 있다.Furthermore, in the present invention, since the conductor circuit is embedded in the resin surface in order to reduce the exposed area of the metal fine pattern, it is not necessary to make the thickness of the metal fine pattern thin (the circuit cross-sectional area small). Therefore, according to the present invention, it is possible not only to prevent abnormal deposition of metal, but also to avoid the problem of slow signal transmission speed.

본 발명은 프린트 배선판 이외의 전자 부품의 도체 회로 표면에 대해서도 바람직하게 적용할 수 있고, 나아가서는 전자 부품 이외의 여러 가지 분야에서 수지 기재 상에 지지된 금속 미세 패턴을 도금하는 경우에도 바람직하게 적용할 수 있어 품질이 좋은 도금면을 얻을 수 있다.
The present invention can also be preferably applied to the surface of conductor circuits of electronic components other than printed wiring boards, and furthermore preferably applied to plating of metal fine patterns supported on resin substrates in various fields other than electronic components. It is possible to obtain a high quality plated surface.

도 1은 본 발명에 속하는 프린트 배선판의 일례의 횡단면을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 프린트 배선판의 단자 영역의 일부를 확대해 본 평면도이다.
도 3은 도 2에서의 AA 단면을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 4는 도체 회로층이 홈에 매립된 부분의 횡단면을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 5는 금속 미세 패턴의 지지 표면으로부터의 돌출 높이 X와 패턴간 최소 거리 Y의 관계를 설명하는 개념도이다.
도 6은 본 발명에 속하는 반도체 장치의 한쪽 면만의 횡단면을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 7a는 레이저 가공에 의한 순서(전반)를 설명하는 한쪽 면만의 도면이다.
도 7b는 레이저 가공에 의한 순서(후반)를 설명하는 한쪽 면만의 도면이다.
도 8은 무전해 니켈-팔라듐-금 도금의 순서를 나타내는 블럭도이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows typically the cross section of an example of the printed wiring board which belongs to this invention.
2 is an enlarged plan view of a part of a terminal region of a printed wiring board.
FIG. 3 is a diagram schematically illustrating an AA cross section in FIG. 2.
It is a figure which shows typically the cross section of the part in which the conductor circuit layer was embedded in the groove | channel.
5 is a conceptual diagram illustrating the relationship between the projecting height X from the support surface of the metal fine pattern and the minimum distance Y between the patterns.
It is a figure which shows typically the cross section of only one surface of the semiconductor device which concerns on this invention.
FIG. 7A is a diagram of only one surface illustrating a procedure (overall) by laser processing. FIG.
FIG. 7B is a diagram of only one side illustrating the procedure (second half) by laser processing. FIG.
8 is a block diagram showing the sequence of electroless nickel-palladium-gold plating.

프린트 배선판의 도체 회로에 무전해 니켈-팔라듐-금 도금을 실시할 때에 도체 회로의 주위에 이상 석출이 일어나는 원인은 다음과 같이 생각된다.When electroless nickel-palladium-gold plating is performed to the conductor circuit of a printed wiring board, the cause of abnormal precipitation around a conductor circuit is considered as follows.

프린트 배선판의 도체 회로에 무전해 니켈-팔라듐-금 도금을 실시할 때에, 전처리로서 팔라듐 촉매를 피처리면에 부여하고 나서 니켈 무전해 도금을 실시하지만, 팔라듐 촉매 부여 공정의 단계에서 단자 표면에 선택적으로 금속 Pd를 충분량 부착시킨 채로 지지체인 수지 표면으로부터 Pd2 이온을 완전히 제거하는 것이 곤란하다는 것이 원인의 하나로 생각된다. 수지 표면에 잔류한 Pd2 이온은 무전해 팔라듐 도금욕 중에서 0(제로)가로 환원되고, 이 환원된 Pd가 핵이 되어 금속 Pd 알갱이가 성장한다고 생각된다.When electroless nickel-palladium-gold plating is performed on the conductor circuit of the printed wiring board, nickel electroless plating is performed after the palladium catalyst is applied to the surface to be treated as a pretreatment, but selectively on the surface of the terminal in the step of applying the palladium catalyst. it is that it is difficult to completely remove the Pd 2 + ion from the resin support chain surface state in which a sufficient amount of adhesion to metal Pd is thought to be one of the causes. A Pd 2 + ion remains in the resin surface is electroless and reduced width of zero in a palladium plating bath, a reduced Pd is the nucleus is considered that the growth is metal Pd particles.

또한, 도체 회로 주위의 수지 표면에 이상 석출이 국한적으로 발생하는 이유는 단자의 근방은 도금욕의 반응 활성이 높아지고 있어 니켈 피막으로부터 니켈이 용출해 니켈 용출 지점 근방의 수지 표면에서 Ni로부터 Pd로의 치환(용출 Ni + 수지 표면 Pd2 → Ni2 + Pd)이 다발하기 때문이라고 생각된다.Further, the reason why abnormal precipitation occurs locally on the resin surface around the conductor circuit is that the reaction activity of the plating bath is increased in the vicinity of the terminal, so that nickel is eluted from the nickel film and Ni to Pd is formed on the resin surface near the nickel elution point. substituted (elution Ni + resin surface Pd 2 + → Ni 2 + + Pd) this is thought to be due to the bundle.

특히, 서로 인접하는 도체 회로의 사이에 끼워진 영역은 도체 회로가 밀집된 공간이기 때문에 도금욕의 반응 활성이 극히 높아진다고 생각된다. 또, 회로가 미세화해 도체 회로간의 거리가 작아질수록 도체 회로의 밀집의 정도가 높아지기 때문에, 서로 인접하는 도체 회로의 사이에 끼워진 영역에서는 도금욕의 반응 활성이 높아진다고 생각된다.In particular, the region sandwiched between the conductor circuits adjacent to each other is considered to be extremely high in the reaction activity of the plating bath because the conductor circuit is a dense space. In addition, as the circuit becomes finer and the distance between the conductor circuits becomes smaller, the degree of compactness of the conductor circuits increases. Therefore, it is considered that the reaction activity of the plating bath increases in the region sandwiched between adjacent conductor circuits.

본 발명자는 도체 회로를 수지 표면에 매립함으로써, 도체 회로 주위의 금속 석출을 억제하는 것이 가능해지고, 특히 인접하는 도체 회로의 사이에 끼워진 영역의 금속 석출을 억제하는 것이 가능해지는 것을 발견했다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM This inventor discovered that it becomes possible to suppress metal precipitation around a conductor circuit, and to suppress metal precipitation of the area | region sandwiched between adjacent conductor circuits by embedding a conductor circuit in the resin surface.

도체 회로를 수지 표면에 매립함으로써, 도금욕에 대한 도체 회로의 노출 면적이 작아지므로, 도체 회로의 존재에 의해 생기는 반응 활성장(도금욕의 반응 활성이 높은 공간)을 작게 할 수 있다.By embedding the conductor circuit on the resin surface, the exposed area of the conductor circuit to the plating bath is reduced, so that the reaction active field (space with high reaction activity of the plating bath) caused by the presence of the conductor circuit can be reduced.

또, 도체 회로를 수지 표면에 매립함으로써, 수지 표면의 회로 요철(회로 정상부와 수지 표면의 높낮이 차이)이 작아지기 때문에 수지 표면의 세정성이 향상되어 팔라듐 촉매의 제거성이 향상된다.In addition, by embedding the conductor circuit in the resin surface, the circuit irregularities (difference in height between the circuit top and the resin surface) of the resin surface are reduced, so that the resin surface is cleaned and the palladium catalyst is removed.

도체 회로를 수지 표면에 매립하더라도 도체 회로의 두께를 얇게 하는(높이를 낮게 하는) 것에서도 도금욕에 대한 도체 회로의 노출 면적을 작게 하고, 또한 수지 표면의 회로 요철을 작게 하는 것은 가능하지만, 그 경우에는 도체 회로의 횡단면적이 작아지므로 전기 저항이 증대해 신호의 전달 속도가 늦어진다는 문제가 생긴다. 특히, 회로가 미세화될 수록 이와 같은 신호의 전달 속도가 늦어지는 문제가 커진다.Even if the conductor circuit is embedded in the resin surface, even if the thickness of the conductor circuit is reduced (lower in height), it is possible to reduce the exposed area of the conductor circuit to the plating bath and to reduce the circuit irregularities on the resin surface. In this case, since the cross-sectional area of the conductor circuit is small, there is a problem that the electrical resistance is increased and the signal transmission speed is slowed. In particular, the finer the circuit, the greater the problem that the transmission speed of such a signal becomes slower.

이것에 대해 본 발명에서는 도체 회로의 노출 면적을 작게 하기 위해서 도체 회로를 수지 표면에 매립하므로 도체 회로의 두께를 얇게 할 필요가 없다. 따라서, 본 발명에 의하면 금속의 이상 석출을 방지하는 것이 가능할 뿐만 아니라, 신호의 전달 속도가 늦어지는 문제를 회피할 수 있다.On the other hand, in the present invention, since the conductor circuit is embedded in the resin surface in order to reduce the exposed area of the conductor circuit, the thickness of the conductor circuit does not need to be reduced. Therefore, according to the present invention, it is possible not only to prevent abnormal deposition of metal, but also to avoid the problem of slow signal transmission speed.

또, 상술한 바와 같이 프린트 배선판의 도체 회로에 무전해 니켈-팔라듐-금 도금을 실시할 때의 이상 석출은 도체 회로의 미세화에 의해 도체 회로간의 거리가 작아질수록 일어나기 쉬워지고, 또한 신호의 전달 속도도 도체 회로의 미세화에 의해 회로의 횡단면적이 작아질수록 늦어지지만, 본 발명은 미세화된 도체 회로에 무전해 니켈-팔라듐-금 도금을 실시하는 경우에 효과적으로 금속 석출을 방지할 수 있고, 또한 신호의 전달 속도가 늦어지는 문제를 회피할 수 있다.In addition, as described above, abnormal deposition during electroless nickel-palladium-gold plating on the conductor circuit of the printed wiring board is more likely to occur as the distance between the conductor circuits becomes smaller due to the miniaturization of the conductor circuit, and also the signal transmission. Although the speed also becomes slower as the cross sectional area of the circuit becomes smaller due to the miniaturization of the conductor circuit, the present invention can effectively prevent metal precipitation when electroless nickel-palladium-gold plating is applied to the miniaturized conductor circuit. The problem of slow signal transmission speed can be avoided.

본 발명은 프린트 배선판 이외의 전자 부품의 도체 회로 표면에 대해서도 바람직하게 적용할 수 있고, 나아가서는 전자 부품 이외의 여러 가지 분야에서 수지 기재 상에 지지된 금속 미세 패턴을 도금하는 경우에도 바람직하게 사용할 수 있어 품질이 좋은 도금면을 얻을 수 있다.The present invention can also be preferably applied to the surface of conductor circuits of electronic components other than printed wiring boards, and furthermore, it can be preferably used even when plating metal fine patterns supported on resin substrates in various fields other than electronic components. As a result, a high quality plated surface can be obtained.

상기 지견에 근거해 하기 발명이 제공된다.The following invention is provided based on the said knowledge.

본 발명의 금속 미세 패턴 부착 기재는Substrate with a metal fine pattern of the present invention

금속 미세 패턴의 적어도 하부가 수지로 이루어진 지지 표면에 마련된 홈에 매립되어 있고,At least the lower part of the metal fine pattern is embedded in the groove provided in the support surface which consists of resin,

상기 금속 미세 패턴의 적어도 일부 영역에서의 상기 홈의 표면과 접하지 않는 부분이 니켈-팔라듐-금 도금층으로 피복되어 있으며,A portion of the metal micropattern not in contact with the surface of the groove in at least a portion of the metal fine pattern is covered with a nickel-palladium-gold plating layer,

상기 니켈-팔라듐-금 도금층을 가지는 영역에서의 금속 미세 패턴의 지지 표면으로부터의 돌출 높이를 X(단, X≤0(제로)인 경우에는 X=0으로 간주함)로 하고, 패턴간 최소 거리를 Y로 했을 때의 비(X/Y)가 0.8 미만인 것을 특징으로 한다.The protruding height from the support surface of the metal fine pattern in the region having the nickel-palladium-gold plating layer is set to X (where X = 0 (zero) is regarded as X = 0), and the minimum distance between patterns It is characterized by the ratio (X / Y) at which Y is made less than 0.8.

또, 본 발명의 프린트 배선판은In addition, the printed wiring board of the present invention

도체 회로의 적어도 하부가 코어 기판 또는 절연층으로 이루어진 지지 표면에 마련된 홈에 매립되어 있고,At least a lower portion of the conductor circuit is embedded in a groove provided in a support surface made of a core substrate or an insulating layer,

상기 도체 회로의 적어도 일부 영역에서의 상기 홈의 표면과 접하지 않는 부분이 니켈-팔라듐-금 도금층으로 피복되어 있으며,A portion of the at least part of the conductor circuit which is not in contact with the surface of the groove is covered with a nickel-palladium-gold plating layer,

상기 니켈-팔라듐-금 도금층을 가지는 영역에서의 도체 회로의 지지 표면으로부터의 돌출 높이를 X(단, X≤0(제로)인 경우에는 X=0으로 간주함)로 하고, 회로 패턴간 최소 거리를 Y로 했을 때의 비(X/Y)가 0.8 미만인 것을 특징으로 한다.The protruding height from the support surface of the conductor circuit in the region having the nickel-palladium-gold plated layer is X (where X = 0 (zero) is assumed to be X = 0), and the minimum distance between circuit patterns It is characterized by the ratio (X / Y) at which Y is made less than 0.8.

또, 본 발명의 반도체 장치는 상기 본 발명의 프린트 배선판에 반도체 소자를 탑재해 상기 프린트 배선판의 단자와 반도체 소자의 출입력부를 접속한 것을 특징으로 한다.Moreover, the semiconductor device of this invention mounts a semiconductor element on the said printed wiring board of this invention, and is connected with the terminal of the said printed wiring board and the entry / exit part of a semiconductor element. It is characterized by the above-mentioned.

또, 본 발명의 금속 미세 패턴 부착 기재의 제조 방법은Moreover, the manufacturing method of the base material with a metal micropattern of this invention

금속 미세 패턴의 적어도 하부가 수지로 이루어진 지지 표면에 마련된 홈에 매립되어 이루어진 처리용 기재를 준비하는 공정과,Preparing a substrate for processing in which at least a lower portion of the metal fine pattern is embedded in a groove provided on a support surface made of resin;

상기 처리용 기재의 금속 미세 패턴의 적어도 일부 영역에서의 상기 홈의 표면과 접하지 않는 부분에 무전해 니켈-팔라듐-금 도금을 실시하는 공정을 포함하고,Performing electroless nickel-palladium-gold plating on a portion not in contact with the surface of the groove in at least a part of the metal fine pattern of the substrate for processing;

상기 금속 미세 패턴의 무전해 니켈-팔라듐-금 도금을 실시하는 영역에서의 지지 표면으로부터의 돌출 높이를 X(단, X≤0(제로)인 경우에는 X=0으로 간주함)로 하고, 패턴간 최소 거리를 Y로 했을 때의 비(X/Y)가 0.8 미만이 되도록 하는 것을 특징으로 한다.The protrusion height from the support surface in the region where the fine metal pattern is subjected to electroless nickel-palladium-gold plating is X (except X = 0, where X = 0), and the pattern It is characterized by making ratio (X / Y) at the time of making the minimum distance between Y into less than 0.8.

또, 본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법은Moreover, the manufacturing method of the printed wiring board of this invention is

도체 회로의 적어도 하부가 코어 기판 또는 절연층으로 이루어진 지지 표면에 마련된 홈에 매립되어 이루어진 처리용 배선판을 준비하는 공정과,Preparing a processing wiring board in which at least a lower portion of the conductor circuit is embedded in a groove provided in a support surface made of a core substrate or an insulating layer;

상기 처리용 배선판의 도체 회로의 적어도 일부 영역에서의 상기 홈의 표면과 접하지 않는 부분에 무전해 니켈-팔라듐-금 도금을 실시하는 공정을 포함하고,And performing electroless nickel-palladium-gold plating on a portion of the processing circuit board not in contact with the surface of the groove in at least a part of the conductor circuit.

상기 도체 회로의 무전해 니켈-팔라듐-금 도금을 실시하는 영역에서의 지지 표면으로부터의 돌출 높이를 X(단, X≤0(제로)인 경우에는 X=0으로 간주함)로 하고, 회로 패턴간 최소 거리를 Y로 했을 때의 비(X/Y)가 0.8 미만이 되도록 하는 것을 특징으로 한다.The projected height from the support surface in the region where the electroless nickel-palladium-gold plating of the conductor circuit is to be performed is assumed to be X (where X = 0 when X≤0 (zero)), and the circuit pattern It is characterized by making ratio (X / Y) at the time of making the minimum distance between Y into less than 0.8.

이하, 프린트 배선판의 최외층에 구리 회로를 형성하고, 그 단자 영역에 도금을 실시하는 경우를 예로 하여 본 발명을 설명한다.Hereinafter, this invention is demonstrated to the example which forms a copper circuit in the outermost layer of a printed wiring board, and performs plating to the terminal area | region.

먼저, 프린트 배선판의 구조에 대해서 설명한다.First, the structure of a printed wiring board is demonstrated.

도 1은 본 발명에 속하는 프린트 배선판의 일례의 횡단면을 모식적으로 나타내는 도면이다. 프린트 배선판(1)은 코어 기판(2)을 갖고, 그 양면에 도체 회로층을 가진다. 코어 기판(2)의 윗면 측에는 4층의 도체 회로층(3a, 3b, 3c, 3d)이 층간 절연층(4a, 4b, 4c)을 통해 차례차례 적층되어 있고, 아랫면 측에는 4층의 도체 회로층(5a, 5b, 5c, 5d)이 층간 절연층(4d, 4e, 4f)을 통해 차례차례 적층되어 있다. 도체 회로층(3a~3d 및 5a~5d)은 코어 기판 또는 층간 절연층으로 이루어진 지지 표면에 형성되어 있다. 또한, 최외층 회로(3d)는 층간 절연층(4c)에 마련된 홈에 매립되어 있고, 최외층 회로(3d) 이외의 도체 회로층(3a~c, 5a~d)은 지지 표면에 매립되어 있어고, 매립되어 있지 않아도 된다. 상하면의 각 도체 회로층은 비아 홀을 통해 층간 접속되어 있다. 코어 기판 윗면 측의 최외층 회로(3d)는 대부분이 솔더 레지스트층(6)에 의해 피복되어 있지만, 단자 영역(7)은 솔더 레지스트층으로부터 노출되어 있다. 단자 영역(7)의 최외층 회로(3d)는 홈으로부터 돌출되어 있는 부분이 니켈-팔라듐-금 도금층(8)으로 피복되어 있다. 코어 기판 아랫면 측의 최외층 회로(5d)는 메인보드 등과의 접속을 위한 개구부(6a)를 가지도록 솔더 레지스트층(6)에 의해 피복되어 있다. 프린트 배선판(1)은 상기 개구부(6a)로부터 노출된 패드부(7c) 상에 핸더 볼 등의 컨택트 부재를 마련함으로써 메인보드 등과 접속할 수 있다. 상기 개구부(6a)는 패드부(7c)와 솔더 레지스트(6)의 사이에 틈새를 마련한 구조여도 되고, 패드부(7c)의 주위가 솔더 레지스트(6)에 의해 피복된 구조여도 된다. 도 1에는 패드부(7c)와 솔더 레지스트(6) 사이에 틈새를 마련한 구조의 개구부(6a)를 나타낸다. 상기 개구부(6a)는 상기 단자 영역(7)과 같이 복수의 접속 단자를 포함하지 않아 이상 석출에 의한 쇼트가 일어나는 일이 없기 때문에, 상기 개구부(6a)의 표면 처리(미도시)는 무전해 니켈-팔라듐-금 도금이어도 되고, 그 외 공지의 표면 처리 방법에 따르는 것이어도 된다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows typically the cross section of an example of the printed wiring board which belongs to this invention. The printed wiring board 1 has a core board | substrate 2, and has a conductor circuit layer on both surfaces. Four conductor circuit layers 3a, 3b, 3c, and 3d are sequentially stacked on the upper side of the core substrate 2 via the interlayer insulating layers 4a, 4b and 4c, and four conductor circuit layers on the bottom side thereof. (5a, 5b, 5c, 5d) are sequentially laminated through the interlayer insulating layers 4d, 4e, 4f. Conductor circuit layers 3a to 3d and 5a to 5d are formed on a support surface made of a core substrate or an interlayer insulating layer. In addition, the outermost layer circuit 3d is embedded in the groove provided in the interlayer insulating layer 4c, and the conductor circuit layers 3a to c, 5a to d other than the outermost layer circuit 3d are embedded in the support surface. It does not need to be embedded. The upper and lower conductor circuit layers are interlayer connected via via holes. Most of the outermost layer circuit 3d on the upper surface side of the core substrate is covered with the solder resist layer 6, but the terminal region 7 is exposed from the solder resist layer. In the outermost layer circuit 3d of the terminal region 7, a portion protruding from the groove is covered with the nickel-palladium-gold plating layer 8. The outermost layer circuit 5d on the bottom side of the core substrate is covered with the solder resist layer 6 so as to have an opening 6a for connection with a main board or the like. The printed wiring board 1 can be connected to a main board or the like by providing a contact member such as a handball on the pad portion 7c exposed from the opening 6a. The opening portion 6a may have a structure in which a gap is provided between the pad portion 7c and the solder resist 6, or may be a structure in which the periphery of the pad portion 7c is covered with the solder resist 6. 1, the opening part 6a of the structure which provided the clearance gap between the pad part 7c and the soldering resist 6 is shown. Since the opening portion 6a does not include a plurality of connecting terminals as in the terminal region 7, and a short circuit due to abnormal precipitation does not occur, the surface treatment (not shown) of the opening portion 6a is performed by electroless nickel. -Palladium-gold plating may be sufficient, and what is based on other well-known surface treatment method may be sufficient.

또한, 프린트 배선판(1)은 코어 기판의 양면에 층간 절연층의 적층 구조를 가지지만, 본 발명의 프린트 배선판은 이것으로 한정되지 않고, 코어 기판의 한 면에만 층간 절연층을 가지는 구조여도 되고, 층간 절연층을 가지지 않고 코어 기판만의 구조여도 된다.In addition, although the printed wiring board 1 has the laminated structure of an interlayer insulation layer on both surfaces of a core board | substrate, the printed wiring board of this invention is not limited to this, The structure which has an interlayer insulation layer only in one side of a core board | substrate may be sufficient, The structure of only a core substrate may be sufficient without having an interlayer insulation layer.

도 2는 단자 영역(7)의 일부를 확대해 본 평면도이다. 본 발명에서 단자 영역이란, 회로층을 전자 부품(소자나 회로 등)과 접속하기 위해서 솔더 레지스트층(6) 등의 절연 재료로 피복되지 않고 노출된 영역이며, 전기적 접속점이 되는 패드부(7a)와 패드부 근방의 회로(7b)를 포함한다.2 is an enlarged plan view of a part of the terminal region 7. In the present invention, the terminal region is an area exposed without being covered with an insulating material such as the solder resist layer 6 in order to connect the circuit layer with an electronic component (element or circuit), and the pad portion 7a serving as an electrical connection point. And a circuit 7b near the pad portion.

도 3은 도 2에서의 AA 단면, 즉 홈(9)과 상기 홈에 매립된 단자 근방(7b)의 횡단면을 모식적으로 나타내는 도면이다. 층간 절연층(4c)에는 홈(9)이 마련되어 있고, 단자 근방(7b)의 아래쪽 부분이 홈의 안에 매립되어 있다.FIG. 3: is a figure which shows typically the AA cross section in FIG. 2, ie, the cross section of the groove | channel 9 and the terminal vicinity 7b embedded in the said groove | channel. A groove 9 is provided in the interlayer insulating layer 4c, and a lower portion of the terminal vicinity 7b is embedded in the groove.

홈(9)은 바닥면(9a)과 측면(9b)을 갖고, 이들 바닥면과 측면으로 이루어진 홈 표면이 단자 근방(7b)의 아래쪽 부분과 접촉하고 있다. 단자 근방(7b)의 위쪽 부분은 홈으로부터 돌출하고 있고 니켈-팔라듐-금 도금층(8)으로 피복되어 있다. 상세하게는 도시되어 있지 않지만, 니켈-팔라듐-금 도금층이란, 도금 처리면 측으로부터 니켈 피막, 팔라듐 피막, 금 피막의 순서로 적층되어 있는 복합 도금층이다.The groove 9 has a bottom surface 9a and a side surface 9b, and a groove surface consisting of these bottom surfaces and side surfaces is in contact with the lower portion of the terminal vicinity 7b. The upper part of the terminal vicinity 7b protrudes from the groove and is covered with the nickel-palladium-gold plating layer 8. Although not shown in detail, a nickel-palladium-gold plating layer is a composite plating layer laminated | stacked in the order of a nickel film, a palladium film, and a gold film from the plating process surface side.

또한, 도 3에 나타내는 회로의 단면도는 장방형이지만, 본 발명의 프린트 배선판이 가지는 회로의 단면도의 형상은 특별히 한정되지 않고, 장방형 또는 정방형인 것이 바람직하지만, 예를 들면, 사다리꼴 등이어도 된다.In addition, although the cross section of the circuit shown in FIG. 3 is rectangular, the shape of the cross section of the circuit which the printed wiring board of this invention has is not specifically limited, It is preferable that it is rectangular or square, For example, a trapezoid etc. may be sufficient.

본 발명에서 「매립되어 있는」이란, 금속 미세 패턴을 형성하는 재료에 의해 지지 표면의 홈이 충전되어 있는 상태를 의미한다. 그리고, 도체 회로 등의 금속 미세 패턴이 홈에 매립된 상태는 금속 미세 패턴과 홈의 패턴이 일치해 서로 겹치고, 또한 금속 미세 패턴의 적어도 하부가 지지 표면 안에 함몰된 외관을 나타낸다.In the present invention, "embedded" means a state in which a groove on the support surface is filled with a material forming a metal fine pattern. The state in which the metal fine patterns such as the conductor circuits are embedded in the grooves is the overlapping pattern of the metal fine patterns and the grooves and overlaps each other, and at least the lower part of the metal fine patterns is depressed in the support surface.

본 발명에서 금속 미세 패턴의 높이(두께)는 홈의 깊이보다도 커도 되고, 홈의 깊이와 동일해도 되며, 홈의 깊이보다도 작아도 된다. 여기서, 금속 미세 패턴의 높이(두께)란, 홈의 바닥면으로부터 금속 미세 패턴의 정상까지의 높이이며, 지지 표면으로부터의 「돌출 높이」는 아니다.In the present invention, the height (thickness) of the metal fine pattern may be larger than the depth of the groove, the same as the depth of the groove, or smaller than the depth of the groove. Here, the height (thickness) of the metal fine pattern is the height from the bottom surface of the groove to the top of the metal fine pattern, and is not a "protrusion height" from the support surface.

금속 미세 패턴의 높이가 홈의 깊이보다도 큰 경우란, 도 3에 나타낸 상태이다. 즉, 금속 미세 패턴(이 예에서는 단자 근방(7b))을 형성하는 재료가 지지 표면(이 예에서는 층간 절연층(4c))의 홈(9)을 완전히 충전해, 금속 미세 패턴이 지지 표면으로부터 더 돌출되어 있는 상태를 의미한다.The case where the height of the metal fine pattern is larger than the depth of the groove is the state shown in FIG. 3. That is, the material forming the metal fine pattern (in this example, the vicinity of the terminal 7b) completely fills the groove 9 of the support surface (in this example, the interlayer insulating layer 4c), so that the metal fine pattern is removed from the support surface. It means more protruding state.

또, 금속 미세 패턴의 높이가 홈의 깊이와 동일한 경우란, 도 4의 (A)에 나타내는 상태이다. 즉, 금속 미세 패턴을 형성하는 재료가 지지 표면의 홈(9)을 완전히 충전해, 금속 미세 패턴(7b')의 정상면이 지지 표면(4c')과 면일로 되어 있는 상태를 의미한다. 홈의 표면과 접촉하고 있지 않는 부분은 금속 미세 패턴(7b')의 정상면 뿐이어서 이 정상면만이 니켈-팔라듐-금 도금층(8)으로 피복되어 있다.Moreover, the case where the height of a metal fine pattern is equal to the depth of a groove | channel is a state shown to FIG. 4 (A). That is, it means that the material forming the metal fine pattern completely fills the groove 9 of the support surface, and the top surface of the metal fine pattern 7b 'is planar to the support surface 4c'. Only the top surface of the metal fine pattern 7b 'is not in contact with the surface of the groove, and only this top surface is covered with the nickel-palladium-gold plating layer 8.

또, 금속 미세 패턴의 높이가 홈의 깊이보다도 작은 경우란, 도 4의 (B)에 나타내는 상태이다. 즉, 금속 미세 패턴(7b')을 형성하는 재료가 지지 표면(4c')의 홈의 깊이의 도중까지 충전되어 금속 미세 패턴(7b')이 지지 표면으로부터 패여 있는 상태를 의미한다. 홈의 표면과 접촉하고 있지 않은 부분은 금속 미세 패턴(7b')의 정상면 뿐이어서 이 정상면만이 니켈-팔라듐-금 도금층(8)으로 피복되어 있다.In addition, the case where the height of a metal fine pattern is smaller than the depth of a groove | channel is a state shown to FIG. 4 (B). That is, it means that the material forming the metal fine pattern 7b 'is filled up to the middle of the depth of the groove of the support surface 4c' so that the metal fine pattern 7b 'is recessed from the support surface. Only the top surface of the metal fine pattern 7b 'is not in contact with the surface of the groove, and only this top surface is covered with the nickel-palladium-gold plating layer 8.

단자 영역(7)에서의 도체 회로의 돌출 높이는 도체 회로 주위의 금속 석출을 효과적으로 억제하기 위해서 제한된다.The protruding height of the conductor circuit in the terminal region 7 is limited in order to effectively suppress metal precipitation around the conductor circuit.

즉, 본 발명에서는 도 5에 나타내는 바와 같이 니켈-팔라듐-금 도금층(8)을 가지는 영역에서의 금속 미세 패턴(7b')의 지지 표면(4c')으로부터의 돌출 높이를 X(단, X≤0(제로)인 경우에는 X=0으로 간주함)로 하고, 패턴간 최소 거리를 Y로 했을 때의 비(X/Y)가 0.8 미만이 되도록 치수를 조정한다. 여기서, 돌출 높이 X가 0이 되는 경우란, 금속 미세 패턴의 높이가 홈의 깊이와 동일한 경우(도 4의 (A))이다. 또, 돌출 높이 X를 0으로 간주하는 경우란, 금속 미세 패턴의 높이가 홈의 깊이보다도 작은 경우(도 4의 (B))이다. 또한, 금속 미세 패턴의 높이가 홈의 깊이보다도 작은 경우의 실제의 돌출 높이 X는 특별히 한정되지 않지만, -20㎛≤X<0인 것이 바람직하고, 특히 -15≤X<0인 것이 바람직하다. 여기서, 돌출 높이 X가 음의 값인 경우에는 금속 미세 패턴이 지지 표면에 대해서 패여 있는 것을 의미한다.That is, in the present invention, as shown in Fig. 5, the protrusion height from the support surface 4c 'of the metal fine pattern 7b' in the region having the nickel-palladium-gold plating layer 8 is X (where X≤ If 0 (zero), X is assumed to be 0), and the dimension is adjusted so that the ratio (X / Y) when the minimum distance between patterns is Y is less than 0.8. Here, the case where the protrusion height X becomes 0 is a case where the height of the metal fine pattern is equal to the depth of the groove (FIG. 4A). In addition, the case where projection height X is regarded as 0 is the case where the height of a metal fine pattern is smaller than the depth of a groove | channel (FIG. 4 (B)). In addition, although the actual protrusion height X in the case where the height of a metal micropattern is smaller than the depth of a groove | channel is not specifically limited, It is preferable that it is -20 micrometer <= X <0, It is preferable that especially -15 <= X <0. Here, in the case where the protrusion height X is a negative value, it means that the metal fine pattern is recessed with respect to the support surface.

또, 패턴간 최소 거리 Y란, 예를 들면 도 2에 나타내는 평면도의 경우라면 소문자 부호 y로 나타내는 거리이고, 도 5에 나타내는 단면도의 경우라면 대문자 부호 Y로 나타내는 거리이며, 즉 회로 형상에 따르지 않고 회로간 최소 거리이다. 예를 들면, 회로 형상이 사다리꼴이라면 바닥면, 역사다리꼴이라면 윗면, 원주형이라면 회로 중앙에서의 회로간 거리이다.The minimum distance Y between patterns is, for example, a distance indicated by a lowercase letter y in the case of the plan view shown in FIG. 2, and a distance represented by an uppercase letter Y in the case of the sectional view shown in FIG. 5, that is, depending on the circuit shape. Minimum distance between circuits. For example, if the circuit shape is trapezoidal, it is the bottom surface, if it is an inverted trapezoid, it is the upper surface, and if it is columnar, it is the distance between circuits from the center of the circuit.

상기 프린트 배선판(1)은 단자 영역(7) 주위의 수지 표면, 특히 서로 인접하는 회로간에 끼워진 위치의 수지 표면의 이상 석출이 적기 때문에, 도금 처리면의 품질이 뛰어나 쇼트가 일어나기 어렵다. 니켈-팔라듐-금 도금에 의한 이상 석출은 도체 회로가 미세화되어 도체 회로간의 거리가 작아질수록 일어나기 쉬워지고, 또한 신호의 전달 속도도 도체 회로가 미세화되어 회로의 횡단면적이 작아질수록 늦어지지만, 본 발명에 의하면 도체 회로의 무전해 니켈-팔라듐-금 도금을 실시하고 싶은 영역의 라인 앤드 스페이스(L/S)가 5~100㎛/5~100㎛인 범위에서 금속 석출을 효과적으로 방지할 수 있다. 또, 본 발명에서는 도체 회로의 노출 면적을 작게 하기 위해서 도체 회로를 수지 표면에 매립하므로 도체 회로의 두께를 얇게 할 필요가 없다. 이 때문에, 금속의 이상 석출을 방지하는 것이 가능할 뿐만 아니라, 신호의 전달 속도가 늦어지는 문제를 회피할 수 있다. 또, 도체 회로의 무전해 니켈-팔라듐-금 도금을 실시하고 싶은 영역의 라인 앤드 스페이스(L/S)가 5~50㎛/5~50㎛인 것이 바람직하고, 5~25㎛/5~25㎛인 것이 더욱 바람직하다.Since the printed wiring board 1 has little abnormal deposition of the resin surface around the terminal area 7, especially the resin surface at positions sandwiched between adjacent circuits, the plating wiring surface is excellent in quality and hardly shorted. Abnormal deposition by nickel-palladium-gold plating is more likely to occur as the conductor circuit becomes finer and the distance between the conductor circuits becomes smaller, and the signal transmission speed also becomes slower as the conductor circuit becomes finer and the cross-sectional area of the circuit becomes smaller. According to the present invention, metal deposition can be effectively prevented in the range where the line and space (L / S) of the region where the electroless nickel-palladium-gold plating of the conductor circuit is to be performed is in the range of 5 to 100 µm / 5 to 100 µm. . In addition, in the present invention, since the conductor circuit is embedded in the resin surface in order to reduce the exposed area of the conductor circuit, it is not necessary to reduce the thickness of the conductor circuit. For this reason, it is not only possible to prevent abnormal deposition of metal, but also to avoid the problem of slow signal transmission speed. Moreover, it is preferable that the line and space (L / S) of the area | region where electroless nickel-palladium-gold plating of a conductor circuit is to be performed is 5-50 micrometers / 5-50 micrometers, and 5-25 micrometers / 5-25 It is more preferable that it is micrometer.

도 6은 상기 프린트 배선판(1)을 이용한 반도체 장치의 한쪽 면만의 횡단면을 모식적으로 나타내는 도면이다. 반도체 장치(10)는 프린트 배선판(1)에 반도체 소자(11)를 탑재해서 이루어진다.FIG. 6: is a figure which shows typically the cross section of only one surface of the semiconductor device using the said printed wiring board 1. As shown in FIG. The semiconductor device 10 is formed by mounting the semiconductor element 11 on the printed wiring board 1.

프린트 배선판(1)의 윗면 측의 최외층 회로(3d)는 솔더 레지스트층(6)으로 피복되어 있지만, 단자 영역은 솔더 레지스트층으로부터 노출되어 있고, 상기 단자 영역의 홈으로부터 돌출된 부분은 니켈-팔라듐-금 도금층(8)으로 피복되어 있다.The outermost layer circuit 3d on the upper side of the printed wiring board 1 is covered with the solder resist layer 6, but the terminal region is exposed from the solder resist layer, and the portion protruding from the groove of the terminal region is nickel-. It is covered with a palladium-gold plating layer 8.

반도체 소자(11)는 프린트 배선판(1)의 솔더 레지스트층(6) 상에 에폭시 수지 등의 다이 본드재 경화층(13)을 통해 고착되어 있다. 반도체 소자(11)는 윗면에 전극 패드(12)를 가지고 있고, 이 전극 패드(12)와 프린트 배선판(1)의 최외층 회로의 접속 단자가 금선(14)에 의해 접속하고 있다.The semiconductor element 11 is fixed on the soldering resist layer 6 of the printed wiring board 1 via the die bond material hardening layer 13, such as an epoxy resin. The semiconductor element 11 has the electrode pad 12 on the upper surface, and the connection terminal of this electrode pad 12 and the outermost layer circuit of the printed wiring board 1 is connected by the gold wire 14.

반도체 장치(10)의 반도체 소자 탑재측은 에폭시 수지 등의 봉지재(15)에 의해 봉지되어 있다.The semiconductor element mounting side of the semiconductor device 10 is sealed by the sealing material 15, such as an epoxy resin.

도 6은 와이어 본딩에 의해 반도체 소자를 접속한 예를 나타내지만, 본 발명은 에리어 어레이형 패키지 등, 다른 접속 방식의 단자 부분을 금 도금하는 경우에도 적용된다.Although FIG. 6 shows the example which connected the semiconductor element by wire bonding, this invention is applied also when gold-plating the terminal part of another connection system, such as an area array type package.

다음에, 도 1의 프린트 배선판(1)을 제조하는 방법을 설명한다. 먼저, 무전해 니켈-팔라듐-금 도금을 실시하는 처리용 배선판을 준비한다.Next, the method of manufacturing the printed wiring board 1 of FIG. 1 is demonstrated. First, a process wiring board for electroless nickel-palladium-gold plating is prepared.

프린트 배선판(1)의 경우, 처리용 배선판으로는 도 1에 나타낸 프린트 배선판(1)으로부터 니켈-팔라듐-금 도금층(8)이 결여된 구조를 가지는 적층체를 준비한다.In the case of the printed wiring board 1, the laminated body which has a structure which lacks the nickel-palladium- gold plating layer 8 from the printed wiring board 1 shown in FIG. 1 is prepared as a processing wiring board.

여기서, 프린트 배선판을 제조하는 경우의 「처리용 배선판」이란, 무전해 니켈-팔라듐-금 도금을 실시하는 대상이 되는 중간 제품이며, 코어 기판의 표면 또는 코어 기판 상에 적층된 도체 회로층을 피복하는 층간 절연층의 표면에 홈을 마련해 그 홈에 도체 회로의 적어도 하부를 매립하고, 도체 회로의 홈의 표면과 접촉하고 있지 않는 부분의 적어도 일부 영역이 니켈-팔라듐-금 도금 처리를 실시할 수 있도록 도금 처리 환경으로부터 노출시킨 구조를 가진다.Here, the "processing wiring board" in the case of manufacturing a printed wiring board is an intermediate product which becomes an object of electroless nickel-palladium-gold plating, and coats the conductor circuit layer laminated | stacked on the surface of a core board | substrate or a core board | substrate. A groove is formed in the surface of the interlayer insulating layer to bury at least a lower portion of the conductor circuit, and at least a portion of the portion not in contact with the surface of the groove of the conductor circuit can be subjected to nickel-palladium-gold plating. It has a structure exposed from the plating treatment environment.

또, 프린트 배선판 이외의 금속 미세 패턴 부착 기재를 제조하는 경우의 「처리용 기재」란, 수지로 이루어진 지지 표면을 가지는 기재로서 그 지지 표면에 마련된 홈에 도체 회로의 적어도 하부를 매립한 구조를 가진다. 또한, 이 기재는 표면이 수지로 이루어지고, 금속 미세 패턴을 매립하기 가능하다면 깊은 부분이 수지 이외의 재료로 이루어진 것이어도 된다.In addition, the "substrate for processing" in the case of manufacturing a base material with a metal micropattern other than a printed wiring board is a base material which has a support surface which consists of resin, and has a structure which embedded at least the lower part of a conductor circuit in the groove provided in the support surface. . The base may be made of a material other than resin as long as the surface is made of resin and the metal fine pattern can be embedded.

도체 회로층이 층간 절연층 등의 수지로 이루어진 지지 표면에 매립된 구조를 형성하는 방법으로는 예를 들면, 수지로 이루어진 지지 표면에 레이저 가공에 의해 도체 회로와 동일한 패턴을 가지는 홈을 형성하고, 홈을 형성한 지지 표면에 도체층을 형성한 후, 홈 이외의 영역의 도체층을 제거하는 방법(레이저 트렌치 가공법)이 있다.As a method of forming a structure in which the conductor circuit layer is embedded in a support surface made of resin such as an interlayer insulating layer, for example, a groove having the same pattern as the conductor circuit is formed on the support surface made of resin by laser processing, After forming a conductor layer in the support surface in which the groove | channel was formed, there exists a method (laser trench processing method) which removes the conductor layer of regions other than a groove | channel.

또 다른 방법으로서 캐리어 필름 상에 소정 패턴 모양의 도체 회로를 마련한 도체 회로 전사 시트와 수지로 이루어진 지지 표면을 가지는 기재를 준비하고, 상기 기재의 지지 표면을 가열 연화시킨 상태에서 상기 전사 시트를 겹치고 캐리어 필름을 박리나 용해 등의 수법으로 제거해 도체 회로를 전사하는 방법(전사법)이 있다.As another method, a substrate having a support surface made of a conductor circuit transfer sheet and a resin provided with a conductor circuit having a predetermined pattern shape on a carrier film is prepared, and the transfer sheet is laminated in a state in which the support surface of the substrate is softened by heat. There exists a method (transcription method) which removes a film by methods, such as peeling and melt | dissolution, and transfers a conductor circuit.

전사법의 한 형태로는 감광성의 드라이 필름 레지스트를 이용해 포토리소그래피의 프로세스에 의해 니켈박 상에 전해 구리 도금의 수법으로 회로를 형성하고, 상기 니켈박의 회로가 형성되어 있는 면을 가열 연화시킨 상태의 지지 표면에 접촉하도록 적층해 프레스 성형한 후, 니켈박을 에칭 제거하는 방법이 있다.In one form of the transfer method, a circuit is formed on the nickel foil by a photolithography process using a photosensitive dry film resist, and the surface on which the circuit of the nickel foil is formed is softened by heating. After laminating | stacking and press-molding so that it may contact the support surface of the, there exists a method of etching-removing nickel foil.

도 7a 및 도 7b는 레이저 가공에 의한 순서를 설명하는 도면이다. 또한, 도 7a 및 도 7b는 프린트 배선판의 한쪽 면만을 나타내는 모식도이다. 이하에서, 레이저 가공에 의해 처리용 배선판을 제조하는 순서를 상세하게 설명한다.7A and 7B are diagrams illustrating a procedure by laser processing. 7A and 7B are schematic diagrams showing only one surface of a printed wiring board. Hereinafter, the procedure for manufacturing the processing wiring board by laser processing will be described in detail.

먼저, 순서 (a)에 있어서, 코어 기판(2)의 윗면 측에 3층의 도체 회로층(3a, 3b, 3c)을 층간 절연층(4a, 4b)을 통해 적층하고, 아랫면 측에 도체 회로층(5)를 형성해 각 도체 회로층을 층간 접속한 적층체를 준비한다.First, in the procedure (a), three conductor circuit layers 3a, 3b, and 3c are laminated on the upper surface side of the core substrate 2 via the interlayer insulating layers 4a and 4b, and the conductor circuit is disposed on the lower surface side. The laminated body which formed the layer 5, and connected each conductor circuit layer between layers was prepared.

코어 기판은 유리 에폭시 기판 등 공지의 것을 이용할 수 있다. 코어 기판 상으로의 도체 회로층의 빌드업도 공지의 재료를 이용해 세미 애디티브법(SAP) 등 공지의 방법에 의해 실시할 수 있다.The core substrate can use a well-known thing, such as a glass epoxy substrate. Buildup of the conductor circuit layer onto the core substrate can also be carried out by a known method such as a semiadditive process (SAP) using a known material.

또, 절연층(4c")을 캐리어 필름(16)에 적층한 수지 시트를 준비한다. 수지 시트도 층간 절연층을 전사 가능한 공지의 것을 이용할 수 있다.Moreover, the resin sheet which laminated | stacked the insulating layer 4c "on the carrier film 16 is prepared. The well-known thing which can transfer an interlayer insulation layer can also be used for a resin sheet.

절연층(4c")을 구성하는 수지 조성물은 열경화성 수지를 포함하는 수지 조성물로 구성되어 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 수지층의 내열성을 향상시킬 수 있다.It is preferable that the resin composition which comprises the insulating layer 4c "is comprised with the resin composition containing a thermosetting resin. Thereby, the heat resistance of a resin layer can be improved.

또 상기 절연층(4c")은 유리 섬유 기재 등의 기재를 포함하고 있어도 된다.Moreover, the said insulating layer 4c "may contain base materials, such as a glass fiber base material.

열경화성 수지로는 예를 들면, 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 비스페놀 A 노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 미변성된 레졸 페놀 수지, 동유, 아마니유, 호두유 등으로 변성된 유(油) 변성 레졸 페놀 수지 등의 레졸형 페놀 수지 등의 페놀 수지, 비스페놀 A 에폭시 수지, 비스페놀 F 에폭시 수지, 비스페놀 E형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 Z형 에폭시 수지, 비스페놀 P형 에폭시 수지, 비스페놀 M형 에폭시 수지 등의 비스페놀형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비페닐 아랄킬형 에폭시 수지, 아릴 알킬렌형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 페녹시형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 노르보넨형 에폭시 수지, 아다만탄형 에폭시 수지, 플루오렌형 에폭시 수지 등의 에폭시 수지, 우레아(요소) 수지, 멜라민 수지 등의 트리아진환을 가지는 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 비스말레이미드 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리우레탄 수지, 디알릴 프탈레이트 수지, 실리콘 수지, 벤조옥사진환을 가지는 수지, 트리아진 수지, 벤조시클로부텐 수지, 시아네이트 수지, 비스말레이미드 화합물 등을 들 수 있다.Examples of thermosetting resins include oils modified with novolak-type phenol resins such as phenol novolak resins, cresol novolak resins, and bisphenol A novolak resins, unmodified resol phenol resins, copper oil, amani oil, and walnut oil. (Iii) Phenolic resins such as resol type phenol resins such as modified resol phenol resins, bisphenol A epoxy resins, bisphenol F epoxy resins, bisphenol E type epoxy resins, bisphenol S type epoxy resins, bisphenol Z type epoxy resins and bisphenol P type epoxy resins Bisphenol-type epoxy resins, such as resin and bisphenol M-type epoxy resin, phenol novolak-type epoxy resin, novolak-type epoxy resins, such as a cresol novolak epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, biphenyl aralkyl type epoxy resin, and aryl alkylene type Epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, phenoxy type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, nord Epoxy resins, such as a linen type epoxy resin, an adamantane type epoxy resin, and a fluorene type epoxy resin, resin which has triazine rings, such as urea (urea) resin and melamine resin, unsaturated polyester resin, bismaleimide resin, polyimide resin, Polyamideimide resin, polyurethane resin, diallyl phthalate resin, silicone resin, resin having benzoxazine ring, triazine resin, benzocyclobutene resin, cyanate resin, bismaleimide compound and the like.

이들 중에서도 에폭시 수지, 페놀 수지, 시아네이트 수지, 비스말레이미드 화합물 및 벤조시클로부텐 수지 중에서 선택되는 1종 이상의 수지가 바람직하고, 특히 시아네이트 수지가 바람직하다. 이에 의해, 수지층의 열팽창 계수를 작게 할 수 있다. 또한, 수지층의 전기 특성(저유전율, 저유전탄젠트), 기계 강도 등도 뛰어나다.Among these, 1 or more types of resin chosen from an epoxy resin, a phenol resin, a cyanate resin, a bismaleimide compound, and a benzocyclobutene resin are preferable, and especially a cyanate resin is preferable. Thereby, the thermal expansion coefficient of a resin layer can be made small. Moreover, the electrical characteristics (low dielectric constant, low dielectric tangent) of a resin layer, mechanical strength, etc. are also excellent.

시아네이트 수지로는 구체적으로는 노볼락형 시아네이트 수지, 비스페놀 A형 시아네이트 수지, 비스페놀 E형 시아네이트 수지, 테트라메틸 비스페놀 F형 시아네이트 수지 등의 비스페놀형 시아네이트 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 노볼락형 시아네이트 수지가 바람직하다. 노볼락형 시아네이트 수지는 수지층의 열팽창 계수를 작게 할 수 있고, 수지층의 기계 강도, 전기 특성(저유전율, 저유전탄젠트)도 뛰어나다.Specific examples of the cyanate resin include bisphenol cyanate resins such as novolac cyanate resin, bisphenol A cyanate resin, bisphenol E cyanate resin, and tetramethyl bisphenol F cyanate resin. Among these, novolak-type cyanate resin is preferable. The novolac cyanate resin can reduce the coefficient of thermal expansion of the resin layer, and is excellent in mechanical strength and electrical properties (low dielectric constant, low dielectric tangent) of the resin layer.

시아네이트 수지의 중량 평균 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 중량 평균 분자량 500~4,500이 바람직하고, 특히 600~3,000이 바람직하다. 중량 평균 분자량이 상기 하한값 미만이면 수지층의 경화물의 기계적 강도가 저하되는 경우가 있고, 또한 수지층을 제작했을 경우에 점착성이 생겨 수지의 전사가 생기거나 하는 경우가 있다. 또, 중량 평균 분자량이 상기 상한값을 넘으면 경화 반응이 빨라져 기판(특히, 회로 기판)으로 했을 경우에 성형 불량이 생기거나 층간 필 강도가 저하되거나 하는 경우가 있다. 또한, 시아네이트 수지 등의 중량 평균 분자량은 예를 들면 GPC(겔 투과 크로마토그래피, 표준 물질:폴리스티렌 환산)로 측정할 수 있다.Although the weight average molecular weight of cyanate resin is not specifically limited, The weight average molecular weights 500-4,500 are preferable and especially 600-3,000 are preferable. The mechanical strength of the hardened | cured material of a resin layer may fall that a weight average molecular weight is less than the said lower limit, and when a resin layer is produced, adhesiveness may arise and transfer of resin may arise. Moreover, when a weight average molecular weight exceeds the said upper limit, hardening reaction may become quick and when a board | substrate (especially a circuit board) is used, a molding defect may arise or an interlayer peeling strength may fall. In addition, the weight average molecular weight of cyanate resin etc. can be measured, for example by GPC (gel permeation chromatography, a standard substance: polystyrene conversion).

비스말레이미드 화합물로는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 4,4'-디페닐메탄 비스말레이미드, m-페닐렌 비스말레이미드, p-페닐렌 비스말레이미드, 2,2'-[4-(4-말레이미드 페녹시)페닐]프로판, 비스-(3-에틸-5-메틸-4-말레이미드 페닐)메탄, 4-메틸-1,3-페닐렌 비스말레이미드, N,N'-에틸렌 디말레이미드, N,N'-헥사메틸렌 디말레이미드 등을 들 수 있고, 폴리말레이미드로는 폴리페닐메탄 말레이미드 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 저흡수율 등을 고려하면, 2,2'-비스[4-(4-말레이미드 페녹시)페닐]프로판, 비스-(3-에틸-5-메틸-4-말레이미드 페닐)메탄이 바람직하다.Although it does not specifically limit as a bismaleimide compound, For example, 4,4'- diphenylmethane bismaleimide, m-phenylene bismaleimide, p-phenylene bismaleimide, 2,2 '-[4 -(4-maleimide phenoxy) phenyl] propane, bis- (3-ethyl-5-methyl-4-maleimide phenyl) methane, 4-methyl-1,3-phenylene bismaleimide, N, N ' -Ethylene dimaleimide, N, N'-hexamethylene dimaleimide, etc. are mentioned, As polymaleimide, polyphenylmethane maleimide etc. are mentioned. Among them, 2,2'-bis [4- (4-maleimide phenoxy) phenyl] propane and bis- (3-ethyl-5-methyl-4-maleimide phenyl) methane are preferable in consideration of low water absorption and the like. Do.

열경화성 수지의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물 전체의 5~50중량%가 바람직하고, 특히 10~40중량%가 바람직하다. 함유량이 하한값 미만이면 수지층을 형성하는 것이 곤란해지는 경우가 있고, 상한값을 넘으면 수지층의 강도가 저하되는 경우가 있다.Although content of a thermosetting resin is not specifically limited, 5-50 weight% of the whole resin composition is preferable, and 10-40 weight% is especially preferable. When content is less than a lower limit, it may become difficult to form a resin layer, and when it exceeds an upper limit, the strength of a resin layer may fall.

열경화성 수지로서 시아네이트 수지(특히, 노볼락형 시아네이트 수지)를 이용하는 경우에는 에폭시 수지(실질적으로 할로겐 원자를 포함하지 않음)를 병용하는 것이 바람직하다.When using cyanate resin (especially novolak-type cyanate resin) as a thermosetting resin, it is preferable to use together an epoxy resin (it does not contain a halogen atom substantially).

에폭시 수지로는 예를 들면, 비스페놀 A 에폭시 수지, 비스페놀 F 에폭시 수지, 비스페놀 E형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 Z형 에폭시 수지, 비스페놀 P형 에폭시 수지, 비스페놀 M형 에폭시 수지 등의 비스페놀형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 크실릴렌형 에폭시 수지, 비페닐 아랄킬형 에폭시 수지 등의 아릴 알킬렌형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 페녹시형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 노르보넨형 에폭시 수지, 아다만탄형 에폭시 수지, 플루오렌형 에폭시 수지 등을 들 수 있다.As an epoxy resin, For example, bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, bisphenol E type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol Z type epoxy resin, bisphenol P type epoxy resin, bisphenol M type epoxy resin, etc. Aryl alkylene type epoxy resins such as novolak type epoxy resins such as epoxy resins, phenol novolac epoxy resins, cresol novolak epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, xylylene type epoxy resins, and biphenyl aralkyl type epoxy resins; Naphthalene type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, phenoxy type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, norbornene type epoxy resin, adamantane type epoxy resin, fluorene type epoxy resin and the like.

에폭시 수지로서 이들 중 1종류를 단독으로 이용할 수도 있고, 상이한 중량 평균 분자량을 가지는 2종류 이상을 병용하거나 1종류 또는 2종류 이상과 그들의 프리폴리머를 병용하거나 할 수도 있다.One type of these may be used alone as the epoxy resin, two or more types having different weight average molecular weights may be used in combination, or one or two or more types thereof and their prepolymers may be used in combination.

에폭시 수지의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물 전체의 1~55중량%가 바람직하고, 특히 5~40중량%가 바람직하다. 함유량이 상기 하한값 미만이면 시아네이트 수지의 반응성이 저하되거나 얻어지는 제품의 내습성이 저하되거나 하는 경우가 있고, 상기 상한값을 넘으면 저열팽창성, 내열성이 저하되는 경우가 있다.Although content of an epoxy resin is not specifically limited, 1-55 weight% of the whole resin composition is preferable, and 5-40 weight% is especially preferable. When content is less than the said lower limit, the reactivity of a cyanate resin may fall, or the moisture resistance of the obtained product may fall, and when it exceeds the said upper limit, low thermal expansion resistance and heat resistance may fall.

에폭시 수지의 중량 평균 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 중량 평균 분자량 500~20,000이 바람직하고, 특히 800~15,000이 바람직하다. 중량 평균 분자량이 상기 하한값 미만이면 수지층의 표면에 점착성이 생기는 경우가 있고, 상기 상한값을 넘으면 납땜 내열성이 저하되는 경우가 있다. 중량 평균 분자량을 상기 범위 내로 함으로써 이들 특성의 밸런스가 뛰어난 것으로 할 수 있다. 에폭시 수지의 중량 평균 분자량은 예를 들면 GPC(겔 투과 크로마토그래피, 표준 물질:폴리스티렌 환산)로 측정할 수 있다.Although the weight average molecular weight of an epoxy resin is not specifically limited, The weight average molecular weights 500-20,000 are preferable and 800-15,000 are especially preferable. If a weight average molecular weight is less than the said lower limit, adhesiveness may arise on the surface of a resin layer, and when it exceeds the said upper limit, soldering heat resistance may fall. By carrying out a weight average molecular weight in the said range, it can be set as the outstanding balance of these characteristics. The weight average molecular weight of an epoxy resin can be measured, for example by GPC (gel permeation chromatography, a standard substance: polystyrene conversion).

본 발명의 프린트 배선판의 수지층을 구성하는 수지 조성물은 무기 충전재를 포함하는 것으로 할 수 있다. 수지층을 구성하는 수지 조성물 중에 포함할 수 있는 무기 충전재의 평균 입경으로는 0.05㎛ 이상 0.5㎛ 이하인 것이 바람직하다. 이에 의해, 절연 신뢰성이 높고, 신호 응답성이 뛰어난 미세 배선 형성이 가능해진다.The resin composition which comprises the resin layer of the printed wiring board of this invention can be made to contain an inorganic filler. As an average particle diameter of the inorganic filler which can be contained in the resin composition which comprises a resin layer, it is preferable that they are 0.05 micrometer or more and 0.5 micrometer or less. As a result, fine wiring can be formed with high insulation reliability and excellent signal response.

무기 충전재의 평균 입자 지름의 측정은 예를 들면 레이저 회절 산란법에 의해 측정할 수 있다. 무기 충전재를 수중에서 초음파에 의해 분산시키고, 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치(HORIBA제, LA-500)에 의해 무기 충전재의 입도 분포를 부피 기준으로 작성해, 그 중간 지름(D50)을 평균 입자 지름으로 함으로써 측정할 수 있다.The measurement of the average particle diameter of an inorganic filler can be measured by a laser diffraction scattering method, for example. The inorganic filler was dispersed by ultrasonic waves in water, and the particle size distribution of the inorganic filler was prepared by volume using a laser diffraction particle size distribution measuring apparatus (manufactured by HORIBA, LA-500), and the intermediate diameter (D50) was converted into an average particle diameter. It can measure by making.

수지층을 구성하는 수지 조성물 중에 포함할 수 있는 무기 충전재의 최대 입경으로는 2.0㎛ 이하인 것이 바람직하다. 이에 의해, 절연 신뢰성이 높고, 신호 응답성이 뛰어난 미세 배선 형성이 가능해진다. 또, 특별히 한정은 되지 않지만, 무기 충전재의 최대 입경은 1.8㎛ 이하가 보다 바람직하고, 1.5㎛ 이하가 특히 바람직하다. 이에 의해, 절연 신뢰성, 신호 응답성을 높이는 작용을 효과적으로 발현시킬 수 있다.It is preferable that it is 2.0 micrometers or less as the largest particle diameter of the inorganic filler which can be contained in the resin composition which comprises a resin layer. As a result, fine wiring can be formed with high insulation reliability and excellent signal response. Moreover, although it does not specifically limit, 1.8 micrometers or less are more preferable, and, as for the maximum particle diameter of an inorganic filler, 1.5 micrometers or less are especially preferable. Thereby, the effect | action which raises insulation reliability and signal responsiveness can be expressed effectively.

수지층을 구성하는 수지 조성물 중에 포함할 수 있는 무기 충전재의 평균 입경이 상기 상한값을 웃돌든가, 혹은 무기 충전재의 최대 입경이 상기 상한값을 웃돌면, 무기 충전재가 레이저 가공을 저해해 수지층에 홈을 형성할 수 없는 개소가 생기는 경우가 있다. 또 레이저 광으로 홈을 형성하는 시간이 길어지기 때문에 작업성이 저하될 가능성이 생긴다. 또, 레이저 가공 후에 홈 측벽면에 잔류한 무기 충전재에 의해 도금 후의 도체층의 표면 요철이 커진다. 이에 의해, 배선의 정도(精度)가 나빠져 고밀도 프린트 배선판에서는 절연 신뢰성을 해치는 경우가 있다. 나아가서는 1GHz를 넘는 고주파수 영역에서는 표면 효과에 의해 신호 응답성을 해치는 경우가 있다.When the average particle diameter of the inorganic filler which can be contained in the resin composition which comprises a resin layer exceeds the said upper limit, or the maximum particle diameter of an inorganic filler exceeds the said upper limit, an inorganic filler inhibits laser processing and forms a groove in a resin layer. A point which cannot be done may occur. Moreover, since the time to form a groove by laser light becomes long, workability may decrease. Moreover, the surface unevenness | corrugation of the conductor layer after plating becomes large by the inorganic filler which remained in the groove side wall surface after laser processing. As a result, the accuracy of the wiring deteriorates and the insulation reliability may be impaired in the high density printed wiring board. Furthermore, in the high frequency region over 1 GHz, the signal responsiveness may be impaired by the surface effect.

수지층을 구성하는 수지 조성물 중에 포함할 수 있는 무기 충전재의 평균 입경이 상기 하한값 미만이 되면, 수지 조성물의 열팽창 계수·탄성률의 물리적 성질을 저하시켜 반도체 소자 탑재시의 실장 신뢰성을 해친다.When the average particle diameter of the inorganic filler which can be contained in the resin composition which comprises a resin layer becomes less than the said lower limit, the physical property of the thermal expansion coefficient and elastic modulus of a resin composition will fall, and the mounting reliability at the time of semiconductor element mounting will be impaired.

수지층을 구성하는 수지 조성물 중에 포함할 수 있는 무기 충전재로는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 탈크, 소성 클레이, 미소성 클레이, 마이카, 글래스 등의 규산염, 산화티탄, 알루미나, 실리카, 용융 실리카 등의 산화물, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 하이드로탈사이트 등의 탄산염, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 수산화칼슘 등의 수산화물, 황산바륨, 황산칼슘, 아황산칼슘 등의 황산염 또는 아황산염, 붕산 아연, 메타붕산 바륨, 붕산 알루미늄, 붕산 칼슘, 붕산 나트륨 등의 붕산염, 질화 알루미늄, 질화 붕소, 질화 규소, 질화 탄소 등의 질화물, 티탄산 스트론튬, 티탄산 바륨 등의 티탄산염 등을 들 수 있다. 무기 충전재로서 이들 중 1종류를 단독으로 이용할 수도 있고, 2종류 이상을 병용하거나 할 수도 있다. 이들 중에서도 특히, 저열팽창성, 난연성 및 탄성률이 뛰어나다는 점에서 실리카가 바람직하고, 용융 실리카가 보다 바람직하다. 이들 중에서도 그 형상은 구상 실리카가 바람직하다.Although it does not specifically limit as an inorganic filler which can be contained in the resin composition which comprises a resin layer, For example, silicate, such as talc, calcined clay, unbaked clay, mica, glass, titanium oxide, alumina, silica, fused silica Oxides, such as calcium carbonate, magnesium carbonate, hydrotalcite, hydroxides such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium hydroxide, sulfates such as barium sulfate, calcium sulfate, calcium sulfite or sulfite, zinc borate, barium metaborate, boric acid Borate salts, such as aluminum, calcium borate, and sodium borate, nitrides, such as aluminum nitride, boron nitride, silicon nitride, and carbon nitride, titanates, such as strontium titanate and barium titanate, etc. are mentioned. As an inorganic filler, one type of these may be used independently and two or more types may be used together. Among these, silica is preferable and fused silica is more preferable at the point which is excellent in low thermal expansion property, a flame retardance, and an elasticity modulus. Among these, spherical silica is preferable in shape.

수지 시트의 캐리어 필름(16)은 절연층(4c")을 도체 회로층 상에 전사할 수 있는 이형성을 가지고 있다. 캐리어 필름은 특별히 한정되지 않지만, 고분자 필름 또는 금속박을 이용할 수 있다. 고분자 필름으로는 예를 들면, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트 등의 폴리에스테르 수지, 불소계 수지, 폴리이미드 수지 등의 내열성을 가진 열가소성 수지 필름을 이용할 수 있다. 금속박으로는 예를 들면, 구리 및/또는 구리계 합금, 알루미늄 및/또는 알루미늄계 합금, 철 및/또는 철계 합금, 은 및/또는 은계 합금, 금 및 금계 합금, 아연 및 아연계 합금, 니켈 및 니켈계 합금, 주석 및 주석계 합금 등의 금속박 등을 이용할 수 있다.The carrier film 16 of the resin sheet has a release property which can transfer the insulating layer 4c "on a conductor circuit layer. Although a carrier film is not specifically limited, A polymer film or a metal foil can be used. For example, a thermoplastic resin film having heat resistance such as polyester resin such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, fluorine resin, polyimide resin, etc. may be used, for example, copper and / or Copper alloys, aluminum and / or aluminum alloys, iron and / or iron alloys, silver and / or silver alloys, gold and gold alloys, zinc and zinc alloys, nickel and nickel alloys, tin and tin alloys, and the like. Metal foil etc. can be used.

캐리어 필름의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 두께가 10~70㎛인 것을 이용하면 수지 시트를 제조할 때의 취급성이 양호하여 바람직하다.Although the thickness of a carrier film is not specifically limited, When the thing of thickness 10-70 micrometers is used, the handleability at the time of manufacturing a resin sheet is favorable, and it is preferable.

캐리어 필름 상의 절연층의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 1~60㎛가 바람직하고, 특히 5~40㎛가 바람직하다. 수지층의 두께는 절연 신뢰성을 향상시키는데 있어서 상기 하한값 이상이 바람직하고, 다층 프린트 배선판의 박막화를 달성하는데 있어서 상기 상한값 이하가 바람직하다.Although the thickness of the insulating layer on a carrier film is not specifically limited, 1-60 micrometers is preferable and 5-40 micrometers is especially preferable. In order to improve the insulation reliability, the thickness of the resin layer is preferably equal to or greater than the lower limit, and preferably equal to or less than the upper limit in achieving thinning of the multilayer printed wiring board.

수지 시트의 제조 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 수지 조성물을 용제 등에 용해, 분산시켜 수지 바니시를 조제하고, 각종 코터 장치를 이용해 수지 바니시를 캐리어 필름 상에 도공한 후, 이것을 건조하는 방법이나, 스프레이 장치를 이용하여 수지 바니시를 캐리어 필름 상에 분무 도공한 후, 이것을 건조하는 방법 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 콤마 코터, 다이 코터 등의 각종 코터 장치를 이용하여 수지 바니시를 캐리어 필름 상에 도공한 후, 이것을 건조하는 방법이 바람직하다. 이에 의해, 보이드가 없고, 균일한 수지층의 두께를 가지는 수지 시트를 효율적으로 제조할 수 있다.Although the manufacturing method of a resin sheet is not specifically limited, For example, a resin composition is melt | dissolved and disperse | distributed to a solvent etc. to prepare a resin varnish, and after coating a resin varnish on a carrier film using various coater apparatuses, After spray-coating a resin varnish on a carrier film using a spray apparatus, the method of drying this, etc. are mentioned. Among these, after coating a resin varnish on a carrier film using various coater apparatuses, such as a comma coater and a die coater, the method of drying this is preferable. Thereby, there is no void and the resin sheet which has the thickness of a uniform resin layer can be manufactured efficiently.

또, 수지 시트의 캐리어 필름은 표면이 조화(粗化)화 된 것이어도 되고, 무조화(無粗化)된 것이어도 된다. 수지 시트의 캐리어 필름의 표면을 조화하는 방법으로는 예를 들면, 에칭 약액에 의해 화학적으로 조화하는 방법, 연마기를 이용해 물리적으로 조화하는 방법 등을 들 수 있다.Moreover, the surface of the carrier film of the resin sheet may be roughened, or may be unharmonized. As a method of roughening the surface of the carrier film of a resin sheet, the method of chemically roughening with an etching chemical liquid, the method of physically roughening using a grinder, etc. are mentioned, for example.

다음에, 순서 (b)에 있어서 상기 순서 (a)에서 준비한 적층체의 윗면 측에 수지 시트의 절연층 측을 마주보게 해 겹친 후, 순서 (c)에서 캐리어 필름을 박리해 층간 절연층(4c)을 형성한다.Next, in the step (b), the insulating film side of the resin sheet is placed on the upper surface side of the laminate prepared in the step (a) so as to face each other, and the carrier film is peeled off in the step (c) to interlayer insulating layer 4c. ).

층간 절연층(4c)의 캐리어 필름을 박리한 측의 표면(4c')은 조화 처리되어 있어도 된다. 상기 조화 처리의 방법으로는 예를 들면 (가) 층간 절연층(4c)과의 접촉면이 조화되어 있는 캐리어 필름을 이용해 상기 조화된 캐리어 필름을 박리함으로써 박리된 층간 절연층(4c)의 표면(4c')을 조화하는 방법, (나) 층간 절연층(4c)과의 접촉면이 조화되어 있는 캐리어 필름을 이용해 상기 조화된 캐리어 필름을 박리한 층간 절연층(4c)의 표면(4c')을 플라스마 처리 및/또는 디스미어 처리함으로써 조화하는 방법, (다) 무조화된 캐리어 필름을 이용해 상기 무조화된 캐리어 필름을 박리한 층간 절연층(4c)의 표면(4c')을 플라스마 처리 및/또는 디스미어 처리함으로써 조화하는 방법 등을 들 수 있다.The surface 4c 'of the side which peeled the carrier film of the interlayer insulation layer 4c may be roughened. As a method of the said roughening process, (a) The surface 4c of the interlayer insulation layer 4c peeled off by peeling the said carrier film using the carrier film in which the contact surface with the interlayer insulation layer 4c is harmonized, for example. '), (B) Plasma treatment of surface 4c' of interlayer insulating layer 4c from which said harmonized carrier film is peeled off using a carrier film in which contact surfaces with interlayer insulating layer 4c are harmonized. And / or a method for roughening by desmearing, and (c) plasma treatment and / or desmearing the surface 4c 'of the interlayer insulating layer 4c from which the above-mentioned uncarried carrier film is peeled off using the above-mentioned uncarried carrier film. The method of harmonizing by processing is mentioned.

또한, 캐리어 필름은 순서 (c)에서 박리하지 않고, 후술하는 순서 (d)에서의 레이저 가공 후에 박리해도 된다.In addition, you may peel after a laser processing in the procedure (d) mentioned later, without peeling a carrier film in procedure (c).

다음에, 순서 (d)에 있어서 레이저 광(17)을 조사해 층간 절연층(4c)의 표면에 홈(9)을 형성한다. 레이저 가공시에는 최종적으로 홈을 따라서 형성되는 도체 회로의 니켈-팔라듐-금 도금을 실시하고 싶은 영역에 있어서, 지지 표면으로부터의 회로의 돌출 높이 X와 회로 패턴간 최소 거리 Y의 비(X/Y)를 상술한 바와 같이 0.8 미만이 되도록 홈의 치수, 형상을 조정한다.Next, in step (d), the laser light 17 is irradiated to form the groove 9 on the surface of the interlayer insulating layer 4c. In laser processing, in the region where nickel-palladium-gold plating of the conductor circuit finally formed along the groove is to be performed, the ratio of the height X of the circuit from the support surface to the minimum distance Y between the circuit patterns (X / Y ), The dimensions and shape of the grooves are adjusted to be less than 0.8.

또, 홈(9)은 특별히 한정되지 않지만, 상기 홈(9)의 깊이가 층간 절연층(4c) 두께의 50% 이하가 되도록 형성되는 것이 바람직하다.Moreover, although the groove 9 is not specifically limited, It is preferable to form so that the depth of the said groove 9 may be 50% or less of the thickness of the interlayer insulation layer 4c.

레이저 광은 엑시머 레이저 또는 YAG 레이저인 것이 바람직하다. 이들 레이저를 사용함으로써, 정도·형상이 좋은 미세 배선 형성이 가능해진다. 특별히 한정은 되지 않지만, 엑시머 레이저의 레이저 파장은 193㎚, 308㎚, 248㎚인 것이 보다 바람직하고, 193㎚, 248㎚인 것이 특히 바람직하다. 이에 의해, 정도 좋고, 또 형상 좋은 미세 배선을 형성할 수 있는 작용을 효과적으로 발현시킬 수 있다. YAG 레이저의 파장은 355㎚인 것이 바람직하다. 다른 파장에서는 층간 절연층을 구성하는 수지 조성물이 레이저 광을 흡수하지 않아 미세 배선을 형성할 수 없을 가능성이 있다.The laser light is preferably an excimer laser or a YAG laser. By using these lasers, fine wiring can be formed with good accuracy and shape. Although it does not specifically limit, It is more preferable that the laser wavelength of an excimer laser is 193 nm, 308 nm, and 248 nm, and it is especially preferable that it is 193 nm, 248 nm. Thereby, the effect | action which can form a fine line and a fine fine wiring can be expressed effectively. It is preferable that the wavelength of a YAG laser is 355 nm. At other wavelengths, the resin composition constituting the interlayer insulating layer may not absorb laser light and thus may not be able to form fine wiring.

다음에, 순서 (e)에 있어서 층간 절연층(4c)에 비아 홀(18)을 형성해 층간 접속의 경로를 확보한 후, 무전해 도금에 의해 층간 절연층(4c)의 표면에 무전해 도금층(19)을 형성한다. 무전해 도금층(19)의 금속의 종류는 특별히 한정되지 않지만, 구리나 니켈 등이 바람직하다.Next, in the step (e), via holes 18 are formed in the interlayer insulating layer 4c to secure the path for the interlayer connection, and then the electroless plating layer is formed on the surface of the interlayer insulating layer 4c by electroless plating. 19). Although the kind of metal of the electroless plating layer 19 is not specifically limited, Copper, nickel, etc. are preferable.

또한, 홈(9) 및 비아 홀(18)을 형성 후에, 밀착성 향상을 위해 디스미어 공정을 적절히 추가해도 된다.In addition, after the grooves 9 and the via holes 18 are formed, a desmear step may be appropriately added to improve the adhesion.

다음에, 필요에 따라서 순서 (f)를 실시해 전해 도금층(20)을 형성한다. 전해 도금에는 황산구리 전해 도금을 사용할 수 있다.Next, if necessary, the procedure (f) is performed to form the electrolytic plating layer 20. Copper sulfate electroplating can be used for electroplating.

다음에, 순서 (g)에 있어서 홈 이외의 영역의 무전해 도금층(19) 및 전해 도금층(20)을 제거함으로써 홈(9) 부분에만 최외층 회로(3d)를 형성한다. 특별히 한정은 되지 않지만, 무전해 도금층(19) 및 전해 도금층(20)을 제거하는 방법은 화학 에칭 처리, 연마 처리, 버프 연마 처리 등이 바람직하다. 이에 의해, 수지 표면 상의 무전해 도금층(19) 및 전해 도금층(20)만을 효과적으로 제거해 홈(9) 부분에만 도체 회로를 남기는 것이 가능하다.Next, in the step (g), the outermost layer circuit 3d is formed only in the groove 9 by removing the electroless plating layer 19 and the electrolytic plating layer 20 in regions other than the grooves. Although not particularly limited, the method of removing the electroless plating layer 19 and the electrolytic plating layer 20 is preferably a chemical etching treatment, a polishing treatment, a buff polishing treatment, or the like. Thereby, it is possible to effectively remove only the electroless plating layer 19 and the electrolytic plating layer 20 on the resin surface, leaving the conductor circuit only in the groove 9 portion.

그리고, 순서 (h)에 있어서 최외층 회로(3d) 상에 솔더 레지스트층(6)을 형성하고, 그때에 솔더 레지스트층(6)으로부터 단자 영역(7)(미도시)의 부분만 노출시킴으로써 처리용 배선판이 얻어진다.Then, in the step (h), the solder resist layer 6 is formed on the outermost layer circuit 3d, and the process is performed by exposing only the portion of the terminal region 7 (not shown) from the solder resist layer 6 at that time. The wiring board for this is obtained.

상기 순서 (a) 내지 (h)를 거쳐 얻어진 처리용 배선판은 최외층 회로 중 단자 영역(7)만이 솔더 레지스트층으로부터 노출하고 있으므로, 최외층 회로의 단자 영역에 대해 무전해 니켈-팔라듐-금 도금을 선택적으로 실시할 수 있다.In the processing wiring board obtained through the above steps (a) to (h), since only the terminal region 7 of the outermost layer circuit is exposed from the solder resist layer, electroless nickel-palladium-gold plating is applied to the terminal region of the outermost layer circuit. May be optionally performed.

본 발명에 있어서, 도체 회로 또는 금속 미세 패턴의 일부 영역에 대해서만 무전해 니켈-팔라듐-금 도금을 실시하고 싶은 경우에는 솔더 레지스트층과 같은 영구 레지스트 이외에 가용성 레지스트나 성형품 마스크 등의 다른 도금 처리용 마스크를 이용해도 된다.In the present invention, when electroless nickel-palladium-gold plating is to be performed only on a part of a conductor circuit or a metal fine pattern, other plating masks such as soluble resists and molded product masks, in addition to permanent resists such as solder resist layers You can also use

도 8은 무전해 니켈-팔라듐-금 도금의 순서를 나타내는 블럭도이다. 이하에 있어서, 상기 무전해 니켈-팔라듐-금 도금의 순서를 상세하게 설명한다.8 is a block diagram showing the sequence of electroless nickel-palladium-gold plating. Below, the order of the said electroless nickel-palladium-gold plating is demonstrated in detail.

본 발명에 의해 프린트 배선판의 최외층 구리 회로에 도금을 실시하는 경우, 팔라듐 촉매 부여 공정에 앞서는 전처리로서 상기 단자 부분에 필요에 따라 1개 또는 2개 이상의 방법으로 표면 처리를 실시할 수 있다. 도 8에는 전처리로서 클리너(S1a), 소프트 에칭(S1b), 산 처리(S1c), 프리딥(S1d)을 나타냈지만, 그 이외의 처리를 실시해도 된다.When plating to the outermost layer copper circuit of a printed wiring board by this invention, surface treatment can be given to the said terminal part by one or two or more methods as needed as a preprocessing before a palladium catalyst provision process. Although FIG. 8 showed the cleaner S1a, the soft etching S1b, the acid treatment S1c, and the pre-dip S1d as FIG. 8, you may perform another process.

상기 전처리 후, 팔라듐 촉매의 부여, 무전해 니켈 도금, 무전해 팔라듐 도금 및 무전해 금 도금을 차례로 실시함으로써, 니켈-팔라듐-금(Ni-Pd-Au) 피막이 형성된다.After the pretreatment, a nickel-palladium-gold (Ni-Pd-Au) film is formed by sequentially applying a palladium catalyst, electroless nickel plating, electroless palladium plating, and electroless gold plating.

본 발명의 무전해 니켈-팔라듐-금 도금 방법에 있어서, 전처리(S1), 팔라듐 촉매 부여 공정(S2), 무전해 니켈 도금 처리(S3), 무전해 팔라듐 도금 처리(S4), 무전해 금 도금 처리(S5)는 종래와 동일하게 실시하면 된다.In the electroless nickel-palladium-gold plating method of the present invention, pretreatment (S1), palladium catalysis giving step (S2), electroless nickel plating treatment (S3), electroless palladium plating treatment (S4), electroless gold plating The processing S5 may be performed in the same manner as in the prior art.

이하, S1~S5의 각 처리 단계에 대해서 차례차례 설명한다.Hereinafter, each process step of S1-S5 is demonstrated one by one.

<전처리(S1)><Pretreatment (S1)>

(1) 클리너 처리(S1a)(1) cleaner treatment (S1a)

전처리의 하나인 클리너 처리(S1a)는 산성 타입 또는 알칼리 타입의 클리너 액을 단자 표면에 접촉시킴으로써, 단자 표면으로부터의 유기 피막 제거, 단자 표면의 금속 활성화, 단자 표면의 습윤성 향상을 도모하기 위해서 행해진다.The cleaner treatment (S1a), which is one of the pretreatments, is performed in order to remove the organic film from the terminal surface, to activate the metal on the terminal surface, and to improve the wettability of the terminal surface by bringing the acidic or alkaline type cleaner liquid into contact with the terminal surface. .

산성 타입의 클리너는 주로 단자 표면의 극히 얇은 부분을 에칭해 표면을 활성화하는 것으로, 구리 단자에 유효한 것으로는 옥시카르복시산, 암모니아, 식염, 계면활성제를 함유하는 액(예를 들면, 카미무라 공업(주)의 ACL-007)이 이용된다. 구리 단자에 유효한 다른 산성 타입 클리너로는 황산, 계면활성제, 염화나트륨을 함유하는 액(예를 들면, 카미무라 공업(주)의 ACL-738)을 이용해도 되고, 이 액은 습윤성이 높다.Acid-type cleaners mainly etch extremely thin portions of the terminal surface to activate the surface, and effective for copper terminals include liquids containing oxycarboxylic acid, ammonia, salt, and surfactants (e.g., Kamimura Industries, Ltd.). ACL-007) is used. Other acid type cleaners effective for the copper terminal may be a solution containing sulfuric acid, a surfactant, and sodium chloride (for example, Kamimura Industries Co., Ltd. ACL-738), which is highly wettable.

알칼리성 타입의 클리너는 주로 유기 피막을 제거하는 것으로, 구리 단자에 유효한 것으로는 비이온 계면활성제, 2-에탄올아민, 디에틸렌트리아민을 함유하는 액(예를 들면, 카미무라 공업(주)의 ACL-009)이 이용된다.The alkaline type cleaner mainly removes the organic coating, and the liquid containing a nonionic surfactant, 2-ethanolamine, and diethylenetriamine is effective for the copper terminal (for example, ACL of Kamimura Industries Co., Ltd.). -009) is used.

클리너 처리를 실시하려면 단자 부분에 침지, 스프레이 등의 방법으로 상기 중 어느 하나의 클리너 액을 접촉시킨 후, 수세(水洗)하면 된다.In order to perform a cleaner process, after contacting any one of said cleaner liquids by the method of immersion, spray, etc., a terminal part may be washed with water.

(2) 소프트 에칭 처리(S1b)(2) soft etching treatment (S1b)

다른 전처리인 소프트 에칭 처리(S1b)는 단자 표면의 극히 얇은 부분을 에칭해 산화막의 제거를 도모하기 위해서 행해진다. 구리 단자에 유효한 소프트 에칭액으로는 과황산소다와 황산을 함유하는 산성 액이 이용된다.Another pre-processing soft etching process (S1b) is performed to etch an extremely thin portion of the terminal surface to remove the oxide film. As an effective soft etching solution for the copper terminal, an acid solution containing sodium persulfate and sulfuric acid is used.

소프트 에칭 처리를 실시하려면 단자 부분에 침지, 스프레이 등의 방법으로 상기 소프트 에칭액을 접촉시킨 후, 수세하면 된다.In order to perform a soft etching process, after contacting the said soft etching liquid by the method of immersion, spray, etc., what is necessary is just to wash with water.

(3) 산세(酸洗) 처리(S1c)(3) Pickling treatment (S1c)

다른 전처리인 산세 처리(S1c)는 단자 표면 또는 그 근방의 수지 표면으로부터 스멋(구리 미립자)을 제거하기 위해서 행해진다.Another pretreatment, pickling treatment (S1c) is performed in order to remove the fine particles (copper fine particles) from the resin surface of the terminal surface or its vicinity.

구리 단자에 유효한 산세액으로는 황산이 이용된다.Sulfuric acid is used as an effective pickling solution for copper terminals.

산세 처리를 실시하려면 단자 부분에 침지, 스프레이 등의 방법으로 상기 산세액을 접촉시킨 후, 수세하면 된다.To perform the pickling treatment, the pickling liquid may be brought into contact with the terminal by immersion, spraying, or the like, followed by washing with water.

(4) 프리딥 처리(S1d)(4) pre-dip processing (S1d)

다른 전처리인 프리딥 처리(S1d)는 팔라듐 촉매 부여 공정에 앞서 촉매 부여액과 거의 동일한 농도의 황산에 담그는 처리이며, 단자 표면의 친수성을 올려 촉매 부여액 중에 함유되는 Pd 이온에 대한 부착성을 향상시키거나 촉매 부여액으로의 수세수 유입을 피해 촉매 부여액의 반복 재사용을 가능하게 하거나, 산화막 제거를 도모하기 위해서 행해진다. 프리딥 액으로는 황산이 이용된다.Another pre-treatment, pre-dip treatment (S1d) is a process of dipping in sulfuric acid at almost the same concentration as the catalyst imparting solution prior to the palladium catalyzing step, and improving the hydrophilicity of the terminal surface to improve adhesion to Pd ions contained in the catalyst imparting solution. In order to avoid the inflow of water to the catalyst imparting liquid, to enable the repeated reuse of the catalyst imparting liquid, or to remove the oxide film. Sulfuric acid is used as the pre-dip liquid.

프리딥 처리를 실시하려면 단자 부분을 상기 프리딥 액에 침지한다. 또한, 프리딥 처리 후에 수세는 실시하지 않는다.In order to perform a pre-dip process, the terminal part is immersed in the said pre-dip liquid. In addition, water washing is not performed after a pre-dip process.

<팔라듐 촉매 부여 공정(S2)><Palladium catalyst provision process (S2)>

Pd2 이온을 함유하는 산성 액(촉매 부여액)을 단자 표면에 접촉시켜 이온화 경향(Cu+Pd2 →Cu2 +Pd) 에 의해 단자 표면에서 Pd2 이온을 금속 Pd로 치환한다. 단자 표면에 부착된 Pd는 무전해 도금의 촉매로서 작용한다. Pd2 이온 공급원인 팔라듐염으로서 황산 팔라듐 또는 염화 팔라듐을 이용할 수 있다.Pd 2 + ions acid solution (catalyst giving liquid) containing in contact with the terminal surface is replaced with Pd 2 + ion in the terminal surface by ionization tendency (Cu + Pd 2 + → Cu 2 + + Pd) of metal Pd. Pd attached to the terminal surface acts as a catalyst for electroless plating. Pd 2 + ion as a supply source of palladium salt can be used sulfuric acid, palladium or palladium chloride.

황산 팔라듐은 흡착력이 염화 팔라듐보다 약해서 Pd 제거되기 쉽기 때문에 세선(細線) 형성에 적절하다. 구리 단자에 유효한 황산 팔라듐계 촉매 부여액으로는 황산, 팔라듐염 및 구리염을 함유하는 강산 액(예를 들면, 카미무라 공업(주)의 KAT-450)이나, 옥시카르복시산, 황산 및 팔라듐염을 함유하는 강산 액(예를 들면, 카미무라 공업(주)의 MNK-4)이 이용된다.Palladium sulfate is suitable for thin line formation because the adsorption power is weaker than that of palladium chloride, and Pd is easily removed. Palladium sulfate catalyst-imparting solutions effective for copper terminals include strong acid solutions containing sulfuric acid, palladium salts and copper salts (for example, KAT-450 from Kamimura Industries, Ltd.), oxycarboxylic acids, sulfuric acid and palladium salts. Strong acid solution (for example, MNK-4 of Kamimura Industries Co., Ltd.) is used.

한편, 염화 팔라듐은 흡착력, 치환성이 강해서 Pd 제거되기 어렵기 때문에 도금 미착이 일어나기 쉬운 조건으로 무전해 도금을 실시하는 경우에 도금 미착을 방지하는 효과가 얻어진다.On the other hand, since palladium chloride has a strong adsorption force and a substitution property, and Pd is hardly removed, an effect of preventing plating non-adherent is obtained when electroless plating is performed under conditions where plating unfixed easily occurs.

팔라듐 촉매 부여 공정을 실시하려면 단자 부분에 침지, 스프레이 등의 방법으로 상기 촉매 부여액을 접촉시킨 후, 수세하면 된다.What is necessary is just to contact the said catalyst provision liquid with the method of immersion, spray, etc. to a terminal part, and to wash the water, in order to implement a palladium catalyst provision process.

<무전해 니켈 도금 처리(S3)><Electroless nickel plating treatment (S3)>

무전해 니켈 도금욕으로는 예를 들면, 수용성 니켈염, 환원제 및 착화제를 함유하는 도금욕을 이용할 수 있다. 무전해 니켈 도금욕의 자세한 것은 예를 들면, 일본 특개 평8-269726호 공보 등에 기재되어 있다.As an electroless nickel plating bath, the plating bath containing a water-soluble nickel salt, a reducing agent, and a complexing agent can be used, for example. Details of the electroless nickel plating bath are described, for example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-269726.

수용성 니켈염으로는 황산 니켈, 염화 니켈 등을 이용해 그 농도를 0.01~1몰/리터 정도로 한다.As a water-soluble nickel salt, it uses nickel sulfate, nickel chloride, etc., and makes the density | concentration about 0.01-1 mol / liter.

환원제로는 차아인산, 차아인산 나트륨 등의 차아인산염, 디메틸아민보란, 트리메틸아민보란, 히드라진 등을 이용해 그 농도를 0.01~1몰/리터 정도로 한다.As a reducing agent, the density | concentration is made into about 0.01-1 mol / liter using hypophosphite, such as hypophosphorous acid and sodium hypophosphite, dimethylamine borane, trimethylamine borane, and hydrazine.

착화제로는 말산, 숙신산, 젖산, 시트르산 등이나 그의 나트륨염 등의 카르복시산류, 글리신, 알라닌, 이미노디아세트산, 아르기닌, 글루타민산 등의 아미노산류를 이용해 그 농도를 0.01~2몰/리터 정도로 한다.As a complexing agent, the density | concentration is made into about 0.01-2 mol / liter using amino acids, such as carboxylic acids, such as malic acid, succinic acid, lactic acid, a citric acid, its sodium salt, glycine, alanine, imino diacetic acid, arginine, glutamic acid.

이 도금욕을 pH 4~7로 조정해 욕 온도 40~90℃ 정도에서 사용한다. 이 도금욕에 환원제로서 차아인산을 이용하는 경우, 구리 단자 표면에서 다음의 주반응이 Pd 촉매에 의해 진행되어 Ni 도금 피막이 형성된다.This plating bath is adjusted to pH 4-7 and used at a bath temperature of 40-90 degreeC. When hypophosphorous acid is used as the reducing agent in this plating bath, the following main reaction proceeds by the Pd catalyst on the surface of the copper terminal to form a Ni plating film.

Ni2 + H2PO2 - + H2O + 2e- → Ni + H2PO3 - + H2 Ni 2 + + H 2 PO 2 - + H 2 O + 2e - → Ni + H 2 PO 3 - + H 2

<무전해 팔라듐 도금 처리(S4)><Electroless palladium plating treatment (S4)>

무전해 팔라듐 도금욕으로는 예를 들면, 팔라듐 화합물, 착화제, 환원제, 불포화 카르복시산 화합물을 함유하는 도금욕을 이용할 수 있다.As an electroless palladium plating bath, the plating bath containing a palladium compound, a complexing agent, a reducing agent, and an unsaturated carboxylic acid compound can be used, for example.

팔라듐 화합물로는 예를 들면, 염화 팔라듐, 황산 팔라듐, 아세트산 팔라듐, 질산 팔라듐, 테트라아민팔라듐염 산염 등을 이용해 그 농도를 팔라듐 기준으로 하여 0.001~0.5몰/리터 정도로 한다.The palladium compound is, for example, palladium chloride, palladium sulfate, palladium acetate, palladium nitrate, tetraamine palladium hydrochloride, or the like, and the concentration thereof is about 0.001 to 0.5 mol / liter based on palladium.

착화제로는 암모니아 혹은 메틸아민, 디메틸아민, 메틸렌디아민, EDTA 등의 아민 화합물 등을 이용해 그 농도를 0.001~10몰/리터 정도로 한다.As a complexing agent, the density | concentration shall be about 0.001-10 mol / liter using amine compounds, such as ammonia or methylamine, dimethylamine, methylenediamine, and EDTA.

환원제로는 차아인산 혹은 차아인산 나트륨, 차아인산 암모늄 등의 차아인산염 등을 이용해 그 농도를 0.001~5몰/리터 정도로 한다.The concentration of the reducing agent is about 0.001 to 5 mol / liter using hypophosphite, hypophosphite such as sodium hypophosphite and ammonium hypophosphite.

불포화 카르복시산 화합물로는 아크릴산, 메타크릴산, 말레산 등의 불포화 카르복시산, 이들의 무수물, 이들의 나트륨염, 암모늄염 등의 염, 이들의 에틸 에스테르, 페닐 에스테르 등의 유도체 등을 이용해 그 농도를 0.001~10몰/리터 정도로 한다.As the unsaturated carboxylic acid compound, the concentration of the unsaturated carboxylic acid such as acrylic acid, methacrylic acid and maleic acid, salts such as anhydrides thereof, sodium salts and ammonium salts thereof, derivatives such as ethyl esters and phenyl esters, etc. may be used. It should be about 10 mol / liter.

이 도금욕을 pH 4~10로 조정해 욕 온도 40~90℃ 정도에서 사용한다. 이 도금욕에 환원제로서 차아인산을 이용하는 경우, 구리 단자 표면(실제로는 니켈 표면)에서 다음의 주반응이 진행되어 Pd 도금 피막이 형성된다.This plating bath is adjusted to pH 4-10 and used at a bath temperature of 40-90 degreeC. When hypophosphorous acid is used as the reducing agent in this plating bath, the next main reaction proceeds on the copper terminal surface (actually the nickel surface) to form a Pd plating film.

Pd2 + H2PO2 - + H2O → Pd + H2PO3 - + 2H Pd 2 + + H 2 PO 2 - + H 2 O → Pd + H 2 PO 3 - + 2H +

<무전해 금 도금 처리(S5)><Electroless gold plating treatment (S5)>

무전해 금 도금욕으로는 예를 들면, 수용성 금 화합물, 착화제 및 알데히드 화합물을 함유하는 도금욕을 이용할 수 있다. 무전해 금 도금욕의 자세한 것은 예를 들면, 일본 특개 2008-144188호 공보 등에 기재되어 있다.As the electroless gold plating bath, for example, a plating bath containing a water-soluble gold compound, a complexing agent and an aldehyde compound can be used. Details of the electroless gold plating bath are described, for example, in Japanese Patent Laid-Open No. 2008-144188.

수용성 금 화합물로는 예를 들면, 시안화 금, 시안화 금 칼륨, 시안화 금 나트륨, 시안화 금 암모늄 등의 시안화 금염을 이용해 그 농도를 금 기준으로 0.0001~1몰/리터 정도로 한다.As a water-soluble gold compound, the concentration is made into 0.0001-1 mol / liter on a gold basis using gold cyanide salts, such as gold cyanide, gold potassium cyanide, sodium gold cyanide, and gold ammonium cyanide, for example.

착화제로는 예를 들면, 인산, 붕산, 시트르산, 글루콘산, 타르타르산, 젖산, 말산, 에틸렌 디아민, 트리에탄올 아민, 에틸렌 디아민 4아세트산 등을 이용해 그 농도를 0.001~1몰/리터 정도로 한다.As the complexing agent, for example, phosphoric acid, boric acid, citric acid, gluconic acid, tartaric acid, lactic acid, malic acid, ethylene diamine, triethanol amine, ethylene diamine tetraacetic acid and the like are used at a concentration of about 0.001 to 1 mol / liter.

알데히드 화합물(환원제)로는 예를 들면, 포름알데히드, 아세트알데히드 등의 지방족 포화 알데히드, 글리옥살, 석신디알데히드 등의 지방족 디알데히드, 크로톤 알데히드 등의 지방족 불포화 알데히드, 벤즈알데히드, o-, m- 또는 p-니트로 벤즈알데히드 등의 방향족 알데히드, 글루코오스, 갈락토오스 등의 알데히드기(-CHO)를 가지는 당류 등을 이용해 그 농도를 0.0001~0.5몰/리터 정도로 한다.As the aldehyde compound (reducing agent), for example, aliphatic saturated aldehydes such as formaldehyde and acetaldehyde, aliphatic dialdehydes such as glyoxal and succinic aldehyde, aliphatic unsaturated aldehydes such as croton aldehyde, benzaldehyde, o-, m- or p The concentration is set to 0.0001 to 0.5 mol / liter using a sugar having an aldehyde group (-CHO) such as aromatic aldehyde such as nitro benzaldehyde, glucose, galactose or the like.

이 도금욕을 pH 5~10로 조정해 욕 온도 40~90℃ 정도에서 사용한다. 이 도금욕을 이용하는 경우, 구리 단자 표면(실제로는 팔라듐 표면)에서 다음의 2가지 치환 반응이 진행되어 Au 도금 피막이 형성된다.Adjust this plating bath to pH 5-10 and use it at bath temperature about 40-90 degreeC. When using this plating bath, the following two substitution reactions advance on a copper terminal surface (actually a palladium surface), and an Au plating film is formed.

Pd + Au → Pd2 + Au + e- Pd + Au + → Pd 2 + + Au + e -

e-(Au 자동촉매의 작용에 의해 도금욕 중 성분을 산화시켜 획득함) + Au → Aue - (also obtained by oxidation of components in the plating bath by the action of auto-Au catalyst) + Au → Au +

또한, 상기 무전해 니켈-팔라듐-금 도금에서는 팔라듐 촉매 부여 공정(S2) 후, 무전해 팔라듐 도금 처리(S4)를 실시하기 전 임의의 단계에서 수지 표면에 부착된 Pd 촉매를 제거하는 공정(포스트딥 공정)을 실시해도 된다. 포스트딥 공정으로는 예를 들면, KCN를 이용해 Pd2 이온과 KCN를 반응시켜 착이온을 형성해 촉매로 하여 불활성하게 하는 방법이나, 산성 액을 이용해 Pd2 이온을 씻어 없애는 방법 등이 있다.In the electroless nickel-palladium-gold plating, a step of removing the Pd catalyst attached to the surface of the resin at any stage after the palladium catalyst applying step (S2) and before the electroless palladium plating treatment (S4) (post Dip step). A post-dip step may have for example, a method how to make the inert as Pd 2 + ion and reacting the KCN to form a complex ion catalyst or using KCN, using an acid solution to eliminate wash Pd 2 + ion.

상기 순서를 거쳐 프린트 배선판의 회로에 품질이 좋은 Ni-Pd-Au 도금 피막이 형성되고, 또한 단자 주위의 수지 표면에는 이상 석출이 없는 품질이 좋은 도금 처리면이 확보된다.The Ni-Pd-Au plating film of high quality is formed in the circuit of a printed wiring board through the said procedure, and the high quality plating process surface without abnormal precipitation is ensured on the resin surface around a terminal.

상기 방법으로 제조된 본 발명의 프린트 배선판 상에 반도체 소자를 실장해 접속 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제조할 수 있다.
A semiconductor device with high connection reliability can be manufactured by mounting a semiconductor element on the printed wiring board of this invention manufactured by the said method.

실시예Example

이하에서 실시예를 나타내어 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 이것으로 한정되는 것은 아니다.Although an Example is shown to the following and this invention is demonstrated to it in more detail, it is not limited to this.

< 실시예Example 1> 1 >

(테스트 피스의 작성)(Creation of a test piece)

노볼락형 시아네이트 수지(론자재팬 주식회사제, 프리마세트 PT-30, 중량 평균 분자량 약 700) 20중량부, 메톡시나프탈렌 디메틸렌형 에폭시 수지(대일본잉크화학공업 주식회사제, EXA-7320) 35중량부, 페녹시 수지(재팬에폭시레진사제, jER4275) 5중량부, 이미다졸 화합물(시코쿠화성공업 주식회사제, 큐아졸 1B2PZ(1-벤질-2-페닐 이미다졸)) 0.2중량부를 메틸에틸케톤에 용해, 분산시켰다. 또한, 구상 용융 실리카(덴키화학공업 주식회사제, SFP-20M)를 적층형 카트리지 필터(스미토모 3M 주식회사제)를 이용해 최대 입자 지름 2.0㎛를 웃도는 입자를 여과 분리해 평균 입자 지름을 0.4㎛로 하여 40중량부 첨가했다. 또한, 에폭시실란 커플링제(GE 토시바 실리콘 주식회사제, A-187) 0.2중량부를 첨가하고 고속 교반 장치를 이용해 10분간 교반하여 고형분 50중량%의 수지 바니시를 조제했다.20 parts by weight of novolac-type cyanate resin (manufactured by Lonja Japan Co., Ltd., Primasset PT-30, weight average molecular weight approximately 700), methoxynaphthalene dimethylene type epoxy resin (manufactured by Japan Nippon Ink Chemical Co., Ltd., EXA-7320) 35 5 parts by weight, phenoxy resin (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., jER4275), 0.2 parts by weight of imidazole compound (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., quazole 1B2PZ (1-benzyl-2-phenyl imidazole)) to methyl ethyl ketone Dissolved and dispersed. In addition, a spherical fused silica (manufactured by Denki Chemical Industries, Ltd., SFP-20M) was filtered using a multilayer cartridge filter (manufactured by Sumitomo 3M Corporation) to filter particles having a maximum particle diameter of 2.0 μm, and average weight was 0.4 μm. Part added. Furthermore, 0.2 weight part of epoxy silane coupling agents (GE Toshiba Silicone Co., Ltd. make, A-187) were added, and it stirred for 10 minutes using the high speed stirring apparatus, and prepared the resin varnish of 50 weight% of solid content.

상기에서 얻어진 수지 바니시를 두께 25㎛의 PET(폴리에틸렌 테레프탈레이트) 캐리어 필름의 한 면에 콤마 코터 장치를 이용해 건조 후의 수지 필름의 두께가 40㎛가 되도록 도공하고, 이것을 160℃의 건조 장치에서 10분간 건조하여 수지 시트를 제작했다.The resin varnish obtained above is coated on one side of a 25-micrometer-thick PET (polyethylene terephthalate) carrier film using a comma coater so that the thickness of the resin film after drying may be 40 micrometers, and this is carried out in a drying apparatus at 160 ° C for 10 minutes. It dried and produced the resin sheet.

이 수지 시트를 내층 회로 기판의 표리에 겹쳐 맞추고, 이것을 진공 가압식 라미네이터 장치를 이용하여 온도 100℃, 압력 1MPa에서 진공 가열 가압 성형시키고, 그 후 열풍 건조 장치에서 180℃에서 45분간 가열 경화를 실시해 수지층 부착 기판을 얻었다.This resin sheet was superimposed on the front and back of the inner layer circuit board, and was vacuum heated and press-molded at a temperature of 100 ° C. and a pressure of 1 MPa using a vacuum pressurized laminator device, followed by heat curing at 180 ° C. for 45 minutes in a hot air drying device. The substrate with a stratified layer was obtained.

또한, 내층 회로 기판으로는 하기의 것을 사용했다.In addition, the following were used as an inner circuit board.

·절연층:할로겐 프리 FR-5재, 두께 0.4㎜Insulation layer: Halogen-free FR-5 material, thickness 0.4mm

·도체층:구리박 두께 18㎛, L/S=120/180㎛, 클리어런스 홀 1㎜Φ, 3㎜Φ, 슬릿 2㎜Conductor layer: Copper foil thickness 18 micrometers, L / S = 120/180 micrometers, clearance hole 1 mm (phi), 3 mm (phi), slit 2 mm

캐리어 필름(PET)을 박리한 후, 193㎚의 파장을 가지는 엑시머 레이저에 의해 수지층 부착 기판의 수지층에 라인 앤드 스페이스(L/S)=40/40, 타겟 깊이 15㎛의 홈을 형성했다.After peeling a carrier film (PET), the groove | channel of line and space (L / S) = 40/40 and target depth 15micrometer was formed in the resin layer of the board | substrate with a resin layer with the excimer laser which has a wavelength of 193 nm. .

얻어진 적층체를 60℃의 팽윤액(아트테크재팬 주식회사제, 스웰링딥 세큐리건트 P500)에 10분간 침지하고, 추가로 80℃의 과망간산 칼륨 수용액(아트테크재팬 주식회사제, 콘센트레이트 컴팩트 CP)에 20분 침지 후 중화해 디스미어 처리를 실시했다.The obtained laminated body was immersed in 60 degreeC swelling liquid (Art-Tech Japan Co., Ltd., Swelling Deep Securitant P500) for 10 minutes, and also in 80 degreeC aqueous potassium permanganate solution (Art-Tech Japan Co., Ltd., condensate compact CP). After immersion for 20 minutes, it neutralized and desmeared.

이것을 탈지, 촉매 부여, 활성화의 공정을 거친 후, 무전해 구리 도금층 약 0.2㎛를 형성시켰다.After this step of degreasing, catalyzing, and activating, an electroless copper plating layer of about 0.2 mu m was formed.

다음에, 무전해 구리 도금층을 전극으로 하여 전해 구리 도금(오쿠노제약공업 주식회사제, 톱루티나α)을 3A/dm2, 60분 실시해서 수지 표층으로부터 두께 약 20㎛의 도체층을 형성했다.Next, electroless copper plating layer as an electrode by the electrolytic copper plating to embodiment (Okuno Chemical Industries Co., Ltd., top Rutina α) 3A / dm 2, 60 minutes to form a conductor layer thickness of about 20㎛ from the resin surface layer.

도체층 표면에 드라이 필름 레지스트(도쿄오카고교사제 AR320)를 롤 라미네이트하고, 소정의 네거티브 필름을 이용해 노광·현상하여 도체 회로에 필요한 도금 레지스트를 형성했다. 패턴상의 노출부를 플래시 에칭 처리(에바라전산의 SAC 프로세스)에 의해 제거한 후 드라이 필름을 박리(박리액:미츠비시 가스화학제 R-100, 박리 시간:240초)했다.A dry film resist (AR320 manufactured by Tokyo Takagyo Co., Ltd.) was roll-laminated on the surface of the conductor layer, and exposed and developed using a predetermined negative film to form a plating resist required for the conductor circuit. After removing the exposed part of a pattern by flash etching process (SAC process of Ebara Co., Ltd.), the dry film was peeled off (peeling liquid: R-100 by Mitsubishi Gas Chemical, peeling time: 240 second).

다음에 절연 수지층을 온도 200℃, 60분간 완전 경화시킨 후, 회로 조화 처리(조화 처리액:맥크(주)제 CZ8101, 1㎛ 조화 조건)를 실시해 라인 앤드 스페이스(L/S)=40㎛/40㎛, 돌출 높이(X)=20㎛, X/Y=0.50의 구리 회로를 가지는 테스트 피스를 작성했다.Subsequently, the insulating resin layer was completely cured at a temperature of 200 ° C. for 60 minutes, and then subjected to circuit roughening treatment (harmonic treatment solution: Mack Co., Ltd. CZ8101, 1 μm roughening condition), and line and space (L / S) = 40 μm. The test piece which has the copper circuit of 40 micrometers, protrusion height (X) = 20 micrometers, and X / Y = 0.50 was created.

(무전해 니켈-팔라듐-금 도금 공정(ENEPIG 공정))Electroless Nickel-Palladium-Gold Plating Process (ENEPIG Process)

다음의 순서로 상기 테스트 피스에 ENEPIG 공정을 실시해 실시예 1의 4층 프린트 배선판을 얻었다.The ENEPIG process was performed to the said test piece in the following procedure, and the four-layer printed wiring board of Example 1 was obtained.

(1) 클리너 처리(1) cleaner treatment

클리너 액으로서 카미무라 공업(주)제 ACL-007을 이용해 상기 테스트 피스를 액온 50℃의 클리너 액에 5분간 침지한 후, 3회 수세했다.After the said test piece was immersed in the cleaner liquid of 50 degreeC of liquid temperature for 5 minutes using ACL-007 by Kamimura Industries Co., Ltd. as a cleaner liquid, it washed with water three times.

(2) 소프트 에칭 처리(2) soft etching treatment

클리너 처리 후, 소프트 에칭액으로서 과황산 소다와 황산의 혼액을 이용해 상기 테스트 피스를 액온 25℃의 소프트 에칭액에 1분간 침지한 후, 3회 수세했다.After the cleaner treatment, the test piece was immersed in a soft etching solution having a liquid temperature of 25 ° C. for 1 minute using a mixture of soda persulfate and sulfuric acid as the soft etching solution, and then washed three times.

(3) 산세 처리(3) pickling treatment

소프트 에칭 처리 후, 상기 테스트 피스를 액온 25℃의 황산에 1분간 침지한 후, 3회 수세했다.After the soft etching treatment, the test piece was immersed in sulfuric acid at a liquid temperature of 25 ° C. for 1 minute, and then washed three times with water.

(4) 프리딥 처리(4) pre-dip processing

산세 처리 후, 상기 테스트 피스를 액온 25℃의 황산에 1분간 침지했다.After the pickling treatment, the test piece was immersed in sulfuric acid at a liquid temperature of 25 ° C. for 1 minute.

(5) 팔라듐 촉매 부여 공정(5) Palladium catalyst provision process

프리딥 처리 후, 배선 부분에 팔라듐 촉매를 부여하기 위해서 팔라듐 촉매 부여액으로서 카미무라 공업(주)제 KAT-450을 이용했다. 상기 테스트 피스를 액온 25℃의 상기 팔라듐 촉매 부여액에 2분간 침지한 후, 3회 수세했다.In order to provide a palladium catalyst to a wiring part after a pre-dip process, Kami-mura KK-450 was used as a palladium catalyst provision liquid. The test piece was immersed in the palladium catalyst imparting liquid at a liquid temperature of 25 ° C. for 2 minutes, and then washed three times with water.

(6) 무전해 Ni 도금 처리(6) Electroless Ni Plating

팔라듐 촉매 부여 공정 후, 상기 테스트 피스를 액온 80℃의 무전해 Ni 도금욕(카미무라 공업(주)제 NPR-4)에 35분간 침지한 후, 3회 수세했다.After the palladium catalyst applying step, the test piece was immersed in an electroless Ni plating bath (NPR-4, manufactured by Kamimura Industries Co., Ltd.) at a liquid temperature of 80 ° C. for 35 minutes, and washed with water three times.

(7) 무전해 Pd 도금 처리(7) Electroless Pd Plating

무전해 Ni 도금 처리 후, 상기 테스트 피스를 액온 50℃의 무전해 Pd 도금욕(카미무라 공업(주)제 TPD-30)에 15분간 침지한 후, 3회 수세했다.After the electroless Ni plating treatment, the test piece was immersed in an electroless Pd plating bath (TPD-30 manufactured by Kamimura Industries Co., Ltd.) at a liquid temperature of 50 ° C. for 15 minutes, and then washed with water three times.

(8) 무전해 Au 도금 처리(8) Electroless Au Plating

무전해 Pd 도금 처리 후, 상기 테스트 피스를 액온 80℃의 무전해 Au 도금욕(카미무라 공업(주)제 TWX-40)에 18분간 침지한 후, 3회 수세했다.
After the electroless Pd plating treatment, the test piece was immersed in an electroless Au plating bath (TWX-40, manufactured by Kamimura Industries Co., Ltd.) at a liquid temperature of 80 ° C. for 18 minutes, and washed with water three times.

< 실시예Example 2> 2 >

라인 앤드 스페이스(L/S)=20㎛/20㎛, 돌출 높이(X)=15㎛로 하고, X/Y=0.75로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 4층 프린트 배선판을 제작했다.
A 4-layer printed wiring board was produced in the same manner as in Example 1 except that the line-and-space (L / S) was set to 20 µm / 20 µm and the projected height X was 15 µm, and X / Y was set to 0.75.

< 실시예Example 3> 3 >

라인 앤드 스페이스(L/S)=25㎛/25㎛, 전해 구리 도금 후, 전해 구리 20㎛를 에치 다운함으로써 돌출 높이(X)=0㎛로 하고, X/Y=0으로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 4층 프린트 배선판을 제작했다.
Line and space (L / S) = 25 micrometers / 25 micrometers, after electrolytic copper plating, it etches down 20 micrometers of electrolytic copper, and makes it the protrusion height (X) = 0 micrometer, except having made X / Y = 0. In the same manner as in 1, a four-layer printed wiring board was produced.

< 실시예Example 4> 4>

라인 앤드 스페이스(L/S)=25㎛/25㎛, 전해 구리 도금 후, 전해 구리 25㎛를 에치 다운함으로써 돌출 높이(X)<0㎛(실제는 X=-5㎛)로 하고, X/Y=0으로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 4층 프린트 배선판을 제작했다.
Line and space (L / S) = 25 µm / 25 µm, after electrolytic copper plating, the projection height X <0 µm (actually X = -5 µm) by etching down 25 µm of electrolytic copper, X / A 4-layer printed wiring board was produced in the same manner as in Example 1 except that Y was set to 0.

< 비교예Comparative example 1> 1 >

라인 앤드 스페이스(L/S)=25㎛/25㎛, 돌출 높이(X)=20㎛로 하고, X/Y=0.80으로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 4층 프린트 배선판을 제작했다.
A 4-layer printed wiring board was produced in the same manner as in Example 1 except that the line-and-space (L / S) was 25 µm / 25 µm and the protrusion height X was 20 µm, and X / Y was 0.80.

< 비교예Comparative example 2> 2 >

라인 앤드 스페이스(L/S)=25㎛/25㎛, 돌출 높이(X)=25㎛로 하고, X/Y=1.00으로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 4층 프린트 배선판을 제작했다.
The 4-layer printed wiring board was produced like Example 1 except having set line and space (L / S) = 25 micrometers / 25 micrometers, protrusion height (X) = 25 micrometers, and setting it to X / Y = 1.00.

각 실시예 및 비교예에서 얻어진 프린트 배선판에 대하여 이하의 평가를 실시했다. 평가 항목을 내용과 함께 나타내고, 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.The following evaluation was performed about the printed wiring board obtained by each Example and the comparative example. An evaluation item is shown with the content and the obtained result is shown in Table 1.

<이상 석출의 유무><Having abnormal precipitation>

프린트 배선판의 단자 부분을 전자현미경(반사 전자상)에 의해 관찰함으로써 이상 석출의 유무를 평가했다.The presence or absence of abnormal precipitation was evaluated by observing the terminal portion of the printed wiring board with an electron microscope (reflected electron image).

○:이상 석출 없음○: No abnormal precipitation

△:회로시에 약간의 이상 석출 있음(Triangle | delta): There exist some abnormal precipitation at the time of a circuit

×:스페이스 전면에 이상 석출 있음X: Abnormal precipitation in the front of the space

<절연 시험><Insulation test>

실시예 및 비교예에서 얻은 프린트 배선판의 배선간 쇼트의 유무를 도통 시험기(HIOKI:X=YC Hightester 1116)를 이용해 검증했다.The presence or absence of the wiring short of the printed wiring board obtained by the Example and the comparative example was verified using the conduction tester (HIOKI: X = YC Hightester 1116).

○:도통 없음○: No conduction

×:도통 있음×: With conduction

Figure pat00001
Figure pat00001

실시예 1~4에서 얻어진 프린트 배선판은 배선간의 이상 석출이 없거나 또는 적고, ENEPIG 공정 후에 있어서도 배선간 절연을 유지할 수 있었다. 한편, 비교예 1, 2에서 얻어진 프린트 배선판은 이상 석출이 확인되어 배선간 쇼트가 확인되었다. 따라서, 도체 회로를 수지 표면에 매립하여 상기 도체 회로의 지지 표면으로부터의 돌출 높이 X와 회로 패턴간 최소 거리 Y의 비(X/Y)가 0.8 미만인 것을 특징으로 하는 본 발명의 프린트 배선판은 회로 주위에서의 금속의 이상 석출이 방지되어 배선간의 절연에 효과적이라는 것을 알 수 있다.
The printed wiring boards obtained in Examples 1 to 4 had little or no abnormal deposition between the wirings, and the insulation between the wirings could be maintained even after the ENEPIG process. On the other hand, in the printed wiring boards obtained in Comparative Examples 1 and 2, abnormal deposition was confirmed, and shorts between wirings were confirmed. Therefore, the printed wiring board of the present invention is characterized by the fact that the ratio (X / Y) of the projected height X from the support surface of the conductor circuit to the minimum distance Y between the circuit patterns is less than 0.8 by embedding the conductor circuit in the resin surface. It can be seen that abnormal deposition of metals in the metal structure is prevented and effective for insulation between wirings.

< 비교예Comparative example 3> 3 >

도체 회로의 무전해 니켈-팔라듐-금 도금을 실시하고 싶은 영역의 라인 앤드 스페이스가 실시예 1과 동일한 40㎛/40㎛로 하고, 또 도체 회로를 수지 표면에 매립하지 않고 수지 표면에만 있는 도전 회로의 두께를 20㎛로 하는 종래의 방법으로 작성한 도전 회로는 실시예 1의 도전 회로와 비교하여 횡단면적이 약 60% 밖에 없고, 전기 저항이 대략 2배로 증가했다.A conductive circuit in which the line and space of the region where the electroless nickel-palladium-gold plating of the conductor circuit is to be performed is 40 mu m / 40 mu m as in Example 1, and the conductor circuit is not embedded in the resin surface but only on the resin surface. Compared with the conductive circuit of Example 1, the electrically conductive circuit produced by the conventional method of making the thickness of 20 micrometers has only a cross-sectional area of about 60%, and the electrical resistance increased approximately twice.

본 발명에 의하면, 금속의 이상 석출을 방지하는 것이 가능할 뿐만 아니라, 신호의 전달 속도가 늦어지는 문제를 회피할 수 있다.
According to the present invention, it is possible not only to prevent abnormal deposition of metal, but also to avoid the problem of slow signal transmission speed.

1 프린트 배선판
2 코어 기판
3(3a, 3b, 3c, 3d) 윗면 측의 도체 회로층
4(4a, 4b, 4c, 4d, 4e, 4f) 층간 절연층
4c' 지지 표면
4c" 절연층
5(5a, 5b, 5c, 5d) 아랫면 측의 도체 회로층
6 솔더 레지스트층
6a 개구부
7 단자 영역
7a 패드부
7b 패드부 근방의 회로
7b' 금속 미세 패턴
7c 패드부
8 니켈-팔라듐-금 도금층
9 홈
10 반도체 장치
11 반도체 소자
12 전극 패드
13 다이 본드재 경화층
14 금선
15 봉지재
16 캐리어 필름
17 레이저 광
18 비아 홀
19 무전해 도금층
20 전해 도금층
1 printed wiring board
2 core board
3 (3a, 3b, 3c, 3d) top side conductor circuit layer
4 (4a, 4b, 4c, 4d, 4e, 4f) interlayer insulation layer
4c 'support surface
4c "insulation layer
5 (5a, 5b, 5c, 5d) bottom side conductor circuit layer
6 solder resist layer
6a opening
7 terminal area
7a pad
7b Circuit near pad part
7b 'metal fine pattern
7c pad
8 Nickel-Palladium-Gold Plating Layer
9 home
10 semiconductor devices
11 semiconductor devices
12 electrode pads
13 die bond material hardened layer
14 gold wire
15 bags
16 carrier film
17 laser light
18 Via Hole
19 Electroless Plating Layer
20 Electrolytic Plating Layer

Claims (15)

금속 미세 패턴 부착 기재로서,
금속 미세 패턴의 적어도 하부가 수지로 이루어진 지지 표면에 마련된 홈에 매립되어 있고,
상기 금속 미세 패턴의 적어도 일부 영역에서의 상기 홈의 표면과 접하지 않는 부분이 니켈-팔라듐-금 도금층으로 피복되어 있으며,
상기 니켈-팔라듐-금 도금층을 가지는 영역에서의 금속 미세 패턴의 지지 표면으로부터의 돌출 높이를 X(단, X≤0(제로)인 경우에는 X=0으로 간주함)로 하고, 패턴간 최소 거리를 Y로 했을 때의 비(X/Y)가 0.8 미만인 것을 특징으로 하는 금속 미세 패턴 부착 기재.
As a base material with a metal fine pattern,
At least the lower part of the metal fine pattern is embedded in the groove provided in the support surface which consists of resin,
A portion of the metal micropattern not in contact with the surface of the groove in at least a portion of the metal fine pattern is covered with a nickel-palladium-gold plating layer,
The protruding height from the support surface of the metal fine pattern in the region having the nickel-palladium-gold plating layer is set to X (where X = 0 (zero) is regarded as X = 0), and the minimum distance between patterns The ratio (X / Y) at the time of making Y into Y is less than 0.8, The base material with a metal fine pattern characterized by the above-mentioned.
청구항 1에 있어서,
상기 금속 미세 패턴의 니켈-팔라듐-금 도금층을 가지는 영역의 라인 앤드 스페이스(L/S)가 5~100㎛/5~100㎛인 금속 미세 패턴 부착 기재.
The method according to claim 1,
The base material with a metal fine pattern whose line and space (L / S) of the area | region which has the nickel-palladium- gold plating layer of the said metal fine pattern is 5-100 micrometers / 5-100 micrometers.
프린트 배선판으로서,
도체 회로의 적어도 하부가 코어 기판 또는 절연층으로 이루어진 지지 표면에 마련된 홈에 매립되어 있고,
상기 도체 회로의 적어도 일부 영역에서의 상기 홈의 표면과 접하지 않는 부분이 니켈-팔라듐-금 도금층으로 피복되어 있으며,
상기 니켈-팔라듐-금 도금층을 가지는 영역에서의 도체 회로의 지지 표면으로부터의 돌출 높이를 X(단, X≤0(제로)인 경우에는 X=0으로 간주함)로 하고, 회로 패턴간 최소 거리를 Y로 했을 때의 비(X/Y)가 0.8 미만인 것을 특징으로 하는 프린트 배선판.
As a printed wiring board,
At least a lower portion of the conductor circuit is embedded in a groove provided in a support surface made of a core substrate or an insulating layer,
A portion of the at least part of the conductor circuit which is not in contact with the surface of the groove is covered with a nickel-palladium-gold plating layer,
The protruding height from the support surface of the conductor circuit in the region having the nickel-palladium-gold plated layer is X (where X = 0 (zero) is assumed to be X = 0), and the minimum distance between circuit patterns The ratio (X / Y) at which Y is Y is less than 0.8. The printed wiring board characterized by the above-mentioned.
청구항 3에 있어서,
상기 도체 회로의 니켈-팔라듐-금 도금층을 가지는 영역의 라인 앤드 스페이스(L/S)가 5~100㎛/5~100㎛인 프린트 배선판.
The method according to claim 3,
The printed wiring board in which the line and space (L / S) of the area | region which has the nickel- palladium- gold plating layer of the said conductor circuit is 5-100 micrometers / 5-100 micrometers.
청구항 3 또는 청구항 4에 있어서,
상기 도체 회로의 니켈-팔라듐-금 도금층을 가지는 영역이 단자를 형성하는 영역인 프린트 배선판.
The method according to claim 3 or 4,
The printed wiring board in which the area | region which has the nickel- palladium- gold plating layer of the said conductor circuit is an area | region which forms a terminal.
상기 청구항 5에 기재된 프린트 배선판에 반도체 소자를 탑재하고, 상기 프린트 배선판의 단자와 반도체 소자의 출입력부를 접속한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.A semiconductor device is mounted on a printed wiring board according to claim 5, and a terminal of the printed wiring board and an entry / exit part of the semiconductor element are connected. 금속 미세 패턴 부착 기재의 제조 방법으로서,
금속 미세 패턴의 적어도 하부가 수지로 이루어진 지지 표면에 마련된 홈에 매립되어 이루어진 처리용 기재를 준비하는 공정과,
상기 처리용 기재의 금속 미세 패턴의 적어도 일부 영역에서의 상기 홈의 표면과 접하지 않는 부분에 무전해 니켈-팔라듐-금 도금을 실시하는 공정을 포함하고,
상기 금속 미세 패턴의 무전해 니켈-팔라듐-금 도금을 실시하는 영역에서의 지지 표면으로부터의 돌출 높이를 X(단, X≤0(제로)인 경우에는 X=0으로 간주함)로 하고, 패턴간 최소 거리를 Y로 했을 때의 비(X/Y)가 0.8 미만이 되도록 하는 것을 특징으로 하는 금속 미세 패턴 부착 기재의 제조 방법.
As a manufacturing method of a base material with a metal fine pattern,
Preparing a substrate for processing in which at least a lower portion of the metal fine pattern is embedded in a groove provided on a support surface made of resin;
Performing electroless nickel-palladium-gold plating on a portion not in contact with the surface of the groove in at least a part of the metal fine pattern of the substrate for processing;
The protrusion height from the support surface in the region where the fine metal pattern is subjected to electroless nickel-palladium-gold plating is X (except X = 0, where X = 0), and the pattern The manufacturing method of the base material with a metal micropattern characterized by making ratio (X / Y) at the time of making the minimum distance between Y into less than 0.8.
청구항 7에 있어서,
상기 금속 미세 패턴의 무전해 니켈-팔라듐-금 도금을 실시하는 영역의 라인 앤드 스페이스(L/S)를 5~100㎛/5~100㎛가 되도록 하는 금속 미세 패턴 부착 기재의 제조 방법.
The method according to claim 7,
The manufacturing method of the base material with a metal micropattern so that the line and space (L / S) of the area | region which electroless nickel-palladium-gold plating of the said metal micropattern is set to 5-100 micrometers / 5-100 micrometers.
청구항 7 또는 청구항 8에 있어서,
상기 처리용 기재를 준비하는 공정에 있어서, 처리용 기재의 지지 표면에 레이저에 의해서 홈을 형성하고, 상기 홈에 금속을 퇴적시킴으로써 금속 미세 패턴을 형성하는 금속 미세 패턴 부착 기재의 제조 방법.
The method according to claim 7 or 8,
In the step of preparing the substrate for treatment, a method for producing a substrate with a metal micropattern, wherein a groove is formed on a support surface of the substrate for processing by laser, and a metal fine pattern is formed by depositing a metal in the groove.
청구항 7 또는 청구항 8에 있어서,
상기 처리용 기재를 준비하는 공정에 있어서, 금속 미세 패턴 전사 시트의 금속 미세 패턴을, 처리용 기재를 가열 연화시킨 지지 표면에 전사하는 금속 미세 패턴 부착 기재의 제조 방법.
The method according to claim 7 or 8,
The manufacturing method of the base material with a metal fine pattern in the process of preparing the said base material for processing WHEREIN: The metal fine pattern of a metal fine pattern transfer sheet is transferred to the support surface which heat-softened the base material for processing.
프린트 배선판의 제조 방법으로서,
도체 회로의 적어도 하부가 코어 기판 또는 절연층으로 이루어진 지지 표면에 마련된 홈에 매립되어 이루어진 처리용 배선판을 준비하는 공정과,
상기 처리용 배선판의 도체 회로의 적어도 일부 영역에서의 상기 홈의 표면과 접하지 않는 부분에 무전해 니켈-팔라듐-금 도금을 실시하는 공정을 포함하고,
상기 도체 회로의 무전해 니켈-팔라듐-금 도금을 실시하는 영역에서의 지지 표면으로부터의 돌출 높이를 X(단, X≤0(제로)인 경우에는 X=0으로 간주함)로 하고, 회로 패턴간 최소 거리를 Y로 했을 때의 비(X/Y)가 0.8 미만이 되도록 하는 것을 특징으로 하는 프린트 배선판의 제조 방법.
As a manufacturing method of a printed wiring board,
Preparing a processing wiring board in which at least a lower portion of the conductor circuit is embedded in a groove provided in a support surface made of a core substrate or an insulating layer;
And performing electroless nickel-palladium-gold plating on a portion of the processing circuit board not in contact with the surface of the groove in at least a part of the conductor circuit.
The projected height from the support surface in the region where the electroless nickel-palladium-gold plating of the conductor circuit is to be performed is assumed to be X (where X = 0 when X≤0 (zero)), and the circuit pattern The manufacturing method of the printed wiring board which makes ratio (X / Y) at the time of making the minimum distance between them Y be less than 0.8.
청구항 11에 있어서,
상기 도체 회로의 무전해 니켈-팔라듐-금 도금을 실시하는 영역의 라인 앤드 스페이스(L/S)를 5~100㎛/5~100㎛가 되도록 하는 프린트 배선판의 제조 방법.
The method of claim 11,
The manufacturing method of the printed wiring board which makes line and space (L / S) of the area | region which electroless nickel-palladium-gold plating of the said conductor circuit become 5-100 micrometers / 5-100 micrometers.
청구항 11에 있어서,
상기 도체 회로의 니켈-팔라듐-금 도금을 실시하는 영역이 단자를 형성하는 영역인 프린트 배선판의 제조 방법.
The method of claim 11,
The manufacturing method of the printed wiring board in which the area | region which performs nickel-palladium-gold plating of the said conductor circuit is a area | region which forms a terminal.
청구항 11 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리용 배선판을 준비하는 공정에 있어서, 처리용 배선판의 지지 표면에 레이저에 의해서 홈을 형성하고, 상기 홈에 금속을 퇴적시킴으로써 도체 회로를 형성하는 프린트 배선판의 제조 방법.
The method according to any one of claims 11 to 13,
In the step of preparing the processing wiring board, a groove is formed on the support surface of the processing wiring board by a laser, and a conductor circuit is formed by depositing a metal in the groove.
청구항 11 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리용 배선판을 준비하는 공정에 있어서, 도체 회로 전사 시트의 도체 회로를, 처리용 배선판을 가열 연화시킨 지지 표면에 전사하는 프린트 배선판의 제조 방법.
The method according to any one of claims 11 to 13,
The manufacturing method of the printed wiring board which transfers the conductor circuit of a conductor circuit transfer sheet to the support surface which heat-softened the process wiring board in the process of preparing the said process wiring board.
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