JP2011258597A - Base material with gold plated fine metal pattern, printed wiring board and semiconductor device and manufacturing method thereof - Google Patents

Base material with gold plated fine metal pattern, printed wiring board and semiconductor device and manufacturing method thereof Download PDF

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哲平 伊藤
Hideki Hara
英貴 原
Yasuaki Mitsui
保明 三井
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a base material with a gold plated fine metal pattern obtained by a plated article manufacturing method which can suppress occurrence of abnormal deposition of metal on a ground resin surface when electroless nickel-palladium-gold plating is applied to the surface of a fine metal pattern supported on a resin base material.SOLUTION: The base material with a gold plated fine metal pattern comprises a base material having a support surface consisting of resin, on which a fine metal pattern and a solder resist layer to cover the fine metal pattern area are provided. The solder resist layer has an opening where at least part of the surface of the fine metal pattern is exposed but the support surface is not exposed, and a portion exposed in the opening is covered with a complex gold plated layer selected from a group consisting of a nickel-palladium-gold plated layer and a nickel-gold plated layer.

Description

本発明は、金メッキ金属微細パターン付き基材、プリント配線板、半導体装置、及び、それらの製造方法に関する。   The present invention relates to a substrate with a gold-plated metal fine pattern, a printed wiring board, a semiconductor device, and a manufacturing method thereof.

近年、電子機器の高機能化、軽量化、小型化、薄型化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、高密度実装化が進んでいる。これらの電子機器に使用されるプリント配線板の回路配線は高密度化する傾向にあり、回路パターンの微細化が進んでいる。   In recent years, with the demand for higher functionality, lighter weight, smaller size, and thinner electronic devices, high-density integration and high-density mounting of electronic components are progressing. The circuit wiring of printed wiring boards used in these electronic devices has a tendency to increase in density, and circuit patterns are becoming finer.

プリント配線板上の回路の実装部分および端子部分等の最終表面処理として、金メッキが行われる。金メッキの代表的な方法の一つとして、無電解ニッケル−金メッキ法がある。この方法では、メッキ対象にクリーナー等の適宜の方法により前処理を行った後、パラジウム触媒を付与し、その後さらに無電解ニッケルメッキ処理及び無電解金メッキ処理を順次行う。ENIG法(Electroless Nickel Immersion Gold)は、無電解ニッケル−金メッキ法の一つであり、無電解金メッキ処理段階において、置換金メッキ処理(Immersion Gold)を行う方法である。無電解ニッケル−金メッキ法では、回路や端子部分における導体材料の拡散防止および耐食性向上、ニッケル酸化防止が可能である。   Gold plating is performed as a final surface treatment of circuit mounting portions and terminal portions on the printed wiring board. One of the typical gold plating methods is an electroless nickel-gold plating method. In this method, a pretreatment is performed on an object to be plated by an appropriate method such as a cleaner, a palladium catalyst is applied, and then an electroless nickel plating process and an electroless gold plating process are sequentially performed. The ENIG method (Electroless Nickel Immersion Gold) is one of electroless nickel-gold plating methods, and is a method of performing substitution gold plating treatment (Immersion Gold) in the electroless gold plating treatment stage. In the electroless nickel-gold plating method, it is possible to prevent diffusion of the conductor material in the circuit and the terminal portion, improve corrosion resistance, and prevent nickel oxidation.

また、他の金メッキの方法として、無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ法の適用が検討され始めている。この方法では、上記無電解ニッケル−金メッキ法の無電解ニッケルメッキ処理の後、無電解パラジウムメッキ処理を行い、続いて無電解金メッキ処理を行う。ENEPIG法(Electroless Nickel Electroless Palladium Immersion Gold)は、無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ法の無電解金メッキ処理段階において、置換金メッキ処理(Immersion Gold)を行う方法である(特許文献1)。無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ法では、回路や端子部分における導体材料の拡散防止および耐食性向上、ニッケル酸化防止および拡散防止が可能である。また、無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ法は、無電解パラジウムめっき被膜を設けることによって、金によるニッケル酸化を防止することができるので、熱負荷の大きい鉛フリー半田接合の信頼性が向上し、さらに金の膜厚を厚くしなくてもニッケル拡散が生じないため、無電解ニッケル−金メッキ法よりも低コスト化できる利点もある。   As another gold plating method, application of an electroless nickel-palladium-gold plating method has begun to be studied. In this method, after the electroless nickel plating process of the electroless nickel-gold plating method, an electroless palladium plating process is performed, followed by an electroless gold plating process. The ENEPIG method (Electroless Nickel Electroless Palladium Immersion Gold) is a method of performing substitution gold plating treatment (Immersion Gold) in the electroless gold plating treatment stage of the electroless nickel-palladium-gold plating method (Patent Document 1). In the electroless nickel-palladium-gold plating method, it is possible to prevent the diffusion of the conductor material in the circuit and the terminal portion, improve the corrosion resistance, and prevent the nickel oxidation and the diffusion. In addition, since the electroless nickel-palladium-gold plating method can prevent nickel oxidation due to gold by providing an electroless palladium plating film, the reliability of lead-free solder bonding with a large thermal load is improved. Since nickel diffusion does not occur even if the gold film thickness is not increased, there is an advantage that the cost can be reduced as compared with the electroless nickel-gold plating method.

しかし、プリント配線板の回路が微細化すると、導体回路を支持している絶縁膜または基板の樹脂表面の回路周囲に金属が異常析出し、めっき処理面の品質を落とし、甚だしい場合には、隣接する配線間或いは端子間でショートを起こす原因となる。
パッケージ基板用インターポーザの半導体素子接続側最外層回路の接続端子は、ラインアンドスペース(L/S)が数十μm/数十μm程度と狭いため、特にショートを起こしやすい。
However, when the circuit of the printed wiring board is miniaturized, the metal deposits abnormally around the circuit of the insulating film supporting the conductor circuit or the resin surface of the substrate, reducing the quality of the plated surface, Cause short-circuiting between wirings or terminals.
The connection terminal of the outermost layer circuit on the semiconductor element connection side of the package substrate interposer has a narrow line-and-space (L / S) of about several tens of μm / several tens of μm, and thus is particularly prone to short circuit.

本発明者らの研究によると、無電解ニッケル−金メッキ法又は無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ法のプロセスにおいて付与されるパラジウム触媒に起因して上記異常析出が起きると考えられる。当該パラジウム触媒は、回路表面の無電解メッキ付き性を向上させるために、無電解ニッケルメッキを行う前に付与される。しかし、この段階で付与されるパラジウム触媒は、メッキ対象とされる回路表面だけでなく、回路周囲の樹脂面にも付着する場合がある。
このような樹脂表面に存在するパラジウム触媒またはパラジウム触媒残渣が核となって、回路周囲の樹脂面に異常析出が起きると考えられる。
According to the study by the present inventors, it is considered that the above abnormal precipitation occurs due to the palladium catalyst applied in the process of electroless nickel-gold plating method or electroless nickel-palladium-gold plating method. The palladium catalyst is applied before electroless nickel plating in order to improve the electroless plating property of the circuit surface. However, the palladium catalyst applied at this stage may adhere not only to the circuit surface to be plated but also to the resin surface around the circuit.
It is considered that such a palladium catalyst or palladium catalyst residue existing on the resin surface serves as a nucleus and abnormal precipitation occurs on the resin surface around the circuit.

また、微細回路形成を行うセミアディティブ法と無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ法を組み合わせた場合には、サブトラクティブ法を行う場合と比べて、更に多量の異常析出が起こりやすいことが本発明者らによって判明した。このため、セミアディティブ法との組み合わせで無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ法を行う場合には、特に異常析出を防止する必要性が高い。 In addition, when the semi-additive method for forming a fine circuit and the electroless nickel-palladium-gold plating method are combined, a larger amount of abnormal precipitation is more likely to occur than when the subtractive method is performed. Turned out by. Therefore, when the electroless nickel-palladium-gold plating method is performed in combination with the semi-additive method, it is particularly necessary to prevent abnormal precipitation.

特開2008−144188号公報JP 2008-144188 A

本発明は、上記問題点を解消するためになされたものであって、プリント配線板の導体回路表面(特に端子部分の表面)、或いはプリント配線板以外の電子部品の導体回路表面、その他にも樹脂基材上に支持された金属微細パターンの表面をメッキ処理の対象とし、そのようなメッキ処理対象面に無電解ニッケル−パラジウム−金メッキを行う際に、下地である樹脂表面に金属の異常析出が起きるのを抑えることができるメッキ処理品の製造方法を提供することを目的とする。
さらに本発明は、品質に優れたメッキ処理面を有する金メッキ金属微細パターン付き基材、プリント配線板及び半導体装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and includes a conductor circuit surface of a printed wiring board (especially a surface of a terminal portion), a conductor circuit surface of an electronic component other than the printed wiring board, and others When the surface of the metal fine pattern supported on the resin substrate is the target of plating treatment, and when electroless nickel-palladium-gold plating is performed on the surface to be plated, abnormal deposition of metal on the resin surface as the base It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a plated product that can prevent the occurrence of galvanic acid.
A further object of the present invention is to provide a substrate with a gold-plated metal fine pattern, a printed wiring board, and a semiconductor device having a plated surface excellent in quality.

上記目的は、下記発明(1)〜(16)により達成される。
(1)樹脂からなる支持表面を有する基材の当該支持表面上に、金属微細パターンと、当該金属微細パターンを設けた領域を被覆するソルダーレジスト層が設けられ、
前記ソルダーレジスト層は、前記金属微細パターンの少なくとも一部の表面を露出させ、且つ、前記支持表面が露出していない開口部を有し、
前記金属微細パターンの前記ソルダーレジスト層の開口部において露出した部分が、ニッケル−パラジウム−金メッキ層及びニッケル−金メッキ層よりなる群から選ばれる複合金メッキ層で被覆されていることを特徴とする、金メッキ金属微細パターン付き基材。
(2)前記金属微細パターンの複合金メッキ層を有する領域のラインアンドスペース(L/S)が5/5〜100/100μmである、上記(1)に記載の金属微細パターン付き基材。
(3)樹脂からなる支持表面を有するプリント配線板用基材の当該支持表面上に、導体回路と、当該導体回路を設けた領域を被覆するソルダーレジスト層が設けられ、
前記ソルダーレジスト層は、前記導体回路の少なくとも一部の表面を露出させ、且つ、前記支持表面が露出していない開口部を有し、
前記導体回路の前記ソルダーレジスト層の開口部において露出した部分が、ニッケル−パラジウム−金メッキ層及びニッケル−金メッキ層よりなる群から選ばれる複合金メッキ層で被覆されていることを特徴とする、プリント配線板。
(4)前記導体回路の複合金メッキ層を有する領域のラインアンドスペース(L/S)が5/5〜100/100μmである、上記(3)に記載のプリント配線板。
(5)前記導体回路の複合金メッキ層を有する領域が、端子を形成する領域である、上記(3)又は(4)に記載のプリント配線板。
(6)上記(5)に記載のプリント配線板に半導体素子を搭載し、当該プリント配線板の端子と半導体素子の出入力部をペリフェラル配置により接続したことを特徴とする半導体装置。
(7)樹脂からなる支持表面上に、金属微細パターンを有する金属微細パターン付き基材を準備する工程と、
当該金属微細パターンの少なくとも一部の表面に、無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ処理及び無電解ニッケル−金メッキ処理よりなる群から選ばれる金メッキ処理を行う工程と、を含む金メッキ金属微細パターン付き基材を製造する方法であって、
前記金属微細パターン付き基材の金属微細パターン形成面を、ソルダーレジスト層で被覆し、
前記金属微細パターンの所定領域の上に存在するソルダーレジスト層を選択的に除去して、前記金属微細パターンの一部が露出し且つ前記樹脂からなる支持表面が露出していない開口部を形成し、
当該開口部において露出した金属微細パターンに前記金メッキ処理を行うことを特徴とする、金メッキ金属微細パターン付き基材の製造方法。
(8)感光性ソルダーレジストを用いて前記ソルダーレジスト層を形成し、フォトリソグラフィーのプロセスでソルダーレジスト層の一部を選択的に除去することによって前記開口部を形成する、上記(7)に記載の製造方法。
(9)前記ソルダーレジスト層にレーザーを照射してソルダーレジスト層の一部を選択的に除去することによって前記開口部を形成する、上記(7)に記載の製造方法。
(10)前記金属微細パターンの金メッキ処理を行う領域のラインアンドスペース(L/S)が5/5〜100/100μmである、上記(7)乃至(9)のいずれか1に記載の製造方法。
(11)樹脂からなる支持表面上に、導体回路を有する導体回路付き基材を準備する工程と、
当該導体回路の少なくとも一部の表面に、無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ処理及び無電解ニッケル−金メッキ処理よりなる群から選ばれる金メッキ処理を行う工程と、を含むプリント配線板を製造する方法であって、
前記導体回路付き基材の導体回路形成面を、ソルダーレジスト層で被覆し、
前記導体回路の所定領域の上に存在するソルダーレジスト層を選択的に除去して、前記導体回路の一部が露出し且つ前記樹脂からなる支持表面が露出していない開口部を形成し、
当該開口部において露出した導体回路に前記金メッキ処理を行うことを特徴とする、プリント配線板の製造方法。
(12)感光性ソルダーレジストを用いて前記ソルダーレジスト層を形成し、フォトリソグラフィーのプロセスでソルダーレジスト層の一部を選択的に除去することによって前記開口部を形成する、上記(11)に記載の製造方法。
(13)前記ソルダーレジスト層にレーザーを照射してソルダーレジスト層の一部を選択的に除去することによって前記開口部を形成する、上記(11)に記載の製造方法。
(14)前記導体回路の金メッキ処理を行う領域のラインアンドスペース(L/S)が5/5〜100/100μmである、上記(11)乃至(13)のいずれか1に記載の製造方法。
(15)前記導体回路の複合金メッキ層を有する領域が、端子を形成する領域である、上記(11)乃至(14)のいずれか1に記載の製造方法。
(16)上記(11)乃至(15)のいずれか1に記載の製造方法で得られたプリント配線板に半導体素子を搭載し、当該プリント配線板の端子と半導体素子の出入力部をペリフェラル配置により接続することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
The object is achieved by the following inventions (1) to (16).
(1) On the support surface of the base material having a support surface made of a resin, a solder resist layer is provided to cover the metal fine pattern and the region provided with the metal fine pattern,
The solder resist layer has an opening that exposes at least a part of the surface of the fine metal pattern, and the support surface is not exposed,
The exposed portion of the opening of the solder resist layer of the metal fine pattern is covered with a composite gold plating layer selected from the group consisting of a nickel-palladium-gold plating layer and a nickel-gold plating layer. Base material with metal fine pattern.
(2) The substrate with a metal fine pattern according to (1), wherein a line and space (L / S) of the region having the composite gold plating layer of the metal fine pattern is 5/5 to 100/100 μm.
(3) On the support surface of the printed wiring board substrate having a support surface made of a resin, a solder resist layer is provided to cover the conductor circuit and the region where the conductor circuit is provided,
The solder resist layer has an opening that exposes at least a part of the surface of the conductor circuit and does not expose the support surface;
The printed wiring, wherein the exposed portion of the opening of the solder resist layer of the conductor circuit is covered with a composite gold plating layer selected from the group consisting of a nickel-palladium-gold plating layer and a nickel-gold plating layer. Board.
(4) The printed wiring board according to (3) above, wherein the line and space (L / S) of the region having the composite gold plating layer of the conductor circuit is 5/5 to 100/100 μm.
(5) The printed wiring board according to (3) or (4), wherein the region having the composite gold plating layer of the conductor circuit is a region where a terminal is formed.
(6) A semiconductor device in which a semiconductor element is mounted on the printed wiring board according to (5), and a terminal of the printed wiring board and an input / output portion of the semiconductor element are connected by a peripheral arrangement.
(7) A step of preparing a substrate with a metal fine pattern having a metal fine pattern on a support surface made of a resin;
Performing a gold plating process selected from the group consisting of an electroless nickel-palladium-gold plating process and an electroless nickel-gold plating process on at least a part of the surface of the metal fine pattern, A method of manufacturing comprising:
The metal fine pattern forming surface of the substrate with the metal fine pattern is covered with a solder resist layer,
A solder resist layer existing on a predetermined region of the metal fine pattern is selectively removed to form an opening in which a part of the metal fine pattern is exposed and the support surface made of the resin is not exposed. ,
A method for producing a substrate with a gold-plated metal fine pattern, wherein the gold-plating process is performed on the metal fine pattern exposed in the opening.
(8) The solder resist layer is formed using a photosensitive solder resist, and the opening is formed by selectively removing a part of the solder resist layer by a photolithography process. Manufacturing method.
(9) The manufacturing method according to (7), wherein the opening is formed by selectively removing a part of the solder resist layer by irradiating the solder resist layer with a laser.
(10) The manufacturing method according to any one of (7) to (9), wherein a line and space (L / S) of a region in which the metal fine pattern is subjected to gold plating is 5/5 to 100/100 μm. .
(11) preparing a base material with a conductor circuit having a conductor circuit on a support surface made of a resin;
Performing a gold plating process selected from the group consisting of an electroless nickel-palladium-gold plating process and an electroless nickel-gold plating process on at least a part of the surface of the conductor circuit. And
The conductor circuit forming surface of the substrate with the conductor circuit is covered with a solder resist layer,
Selectively removing a solder resist layer present on a predetermined region of the conductor circuit to form an opening in which a part of the conductor circuit is exposed and the support surface made of the resin is not exposed;
A method of manufacturing a printed wiring board, wherein the gold plating process is performed on a conductor circuit exposed in the opening.
(12) The solder resist layer is formed using a photosensitive solder resist, and the opening is formed by selectively removing a part of the solder resist layer by a photolithography process. Manufacturing method.
(13) The manufacturing method according to (11), wherein the opening is formed by selectively removing a part of the solder resist layer by irradiating the solder resist layer with a laser.
(14) The manufacturing method according to any one of (11) to (13), wherein a line and space (L / S) of a region in which the conductor circuit is subjected to gold plating is 5/5 to 100/100 μm.
(15) The manufacturing method according to any one of (11) to (14), wherein the region having the composite gold plating layer of the conductor circuit is a region where a terminal is formed.
(16) A semiconductor element is mounted on a printed wiring board obtained by the manufacturing method according to any one of (11) to (15), and a terminal of the printed wiring board and an input / output portion of the semiconductor element are arranged as a peripheral. A manufacturing method of a semiconductor device, characterized in that the connection is made by

本発明によれば、プリント配線板の導体回路の配線間をソルダーレジスト層で被覆して、端子表面のみが露出するようにソルダーレジスト層を開口し、当該開口部に無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ層及び無電解ニッケル−金メッキ層よりなる群から選ばれる複合金めっき層を被覆することによって、プリント配線板の導体回路の周囲、特に、微細回路の配線間、端子間の樹脂面における金属の異常析出を防止することができる。
また、本発明は、プリント配線板以外の電子部品の導体回路表面に対しても好適に適用することができ、さらには、電子部品以外の様々な分野において、樹脂基材上に支持された金属微細パターンをメッキする場合にも好適に適用することができ、品質の良いメッキ面が得られる。
According to the present invention, the wiring between the conductor circuits of the printed wiring board is covered with the solder resist layer, the solder resist layer is opened so that only the terminal surface is exposed, and the opening is electroless nickel-palladium-gold plated. By coating a composite gold plating layer selected from the group consisting of a layer and an electroless nickel-gold plating layer, abnormalities in the metal around the conductor circuit of the printed wiring board, particularly between the fine circuit wiring and the resin surface between the terminals Precipitation can be prevented.
The present invention can also be suitably applied to the surface of a conductor circuit of an electronic component other than a printed wiring board. Furthermore, in various fields other than the electronic component, the metal supported on the resin base material It can be suitably applied to the case where a fine pattern is plated, and a high quality plated surface can be obtained.

本発明に属するプリント配線板の横断面を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the cross section of the printed wiring board which belongs to this invention. プリント配線板の端子領域の一部を拡大してみた平面図である。It is the top view which expanded a part of terminal area | region of a printed wiring board. 図2Aに示すプリント配線板の端子領域のAA断面図である。It is AA sectional drawing of the terminal area | region of the printed wiring board shown to FIG. 2A. 本発明に属する半導体装置の片面のみの横断面を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the cross section of only the single side | surface of the semiconductor device which belongs to this invention. プリント配線板を製造する手順(第1パート)を説明する図である。It is a figure explaining the procedure (1st part) which manufactures a printed wiring board. プリント配線板を製造する手順(第2パート)を説明する図である。It is a figure explaining the procedure (2nd part) which manufactures a printed wiring board. プリント配線板を製造する手順(第3パート)を説明する図である。It is a figure explaining the procedure (3rd part) which manufactures a printed wiring board. 無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ法の手順を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the procedure of the electroless nickel-palladium-gold plating method. 無電解ニッケル−金メッキ法の手順を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the procedure of the electroless nickel-gold plating method.

本発明者は、プリント配線板の導体回路配線間をソルダーレジスト層で被覆して、端子部分となる当該導体回路の表面のみが露出するようにソルダーレジスト層を開口し、当該開口部に無電解ニッケル−金メッキ法又は無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ法により複合金めっき層を被覆することにより、プリント配線板の導体回路の周囲、特に、微細回路の配線間、端子間の樹脂面における金属の異常析出を防止することが可能となることを発見した。
つまり、端子部分となる導体回路の表面以外の領域をソルダーレジスト層で被覆することによって、プリント配線板の導体回路の周囲における異常析出が生じる場を無くすことができる。
The inventor covers the printed circuit board between the conductor circuit wirings with a solder resist layer, opens the solder resist layer so that only the surface of the conductor circuit serving as the terminal portion is exposed, and electrolessly opens the opening. By coating the composite gold plating layer by the nickel-gold plating method or the electroless nickel-palladium-gold plating method, metal abnormalities around the conductor circuit of the printed wiring board, especially between the wiring of the fine circuit and between the terminals It was discovered that precipitation can be prevented.
In other words, by covering the region other than the surface of the conductor circuit serving as the terminal portion with the solder resist layer, it is possible to eliminate the occurrence of abnormal precipitation around the conductor circuit of the printed wiring board.

本発明は、プリント配線板以外の電子部品の導体回路表面に対しても好適に適用することができ、さらには、電子部品以外の様々な分野において、樹脂基材上に支持された金属微細パターンをめっきする場合にも好適に適用することができ、品質の良いめっき面が得られる。   The present invention can be suitably applied to the surface of a conductor circuit of an electronic component other than a printed wiring board, and further, a metal fine pattern supported on a resin substrate in various fields other than the electronic component. Can be suitably applied to the case of plating with a high quality plating surface.

従来、ペリフェラル配置により半導体素子をプリント配線板に接続するために、プリント配線板上に導電体の端子を設け、金ワイヤーや半田などの接続部材と接続する構造が用いられる場合がある。このようなペリフェラル型の端子は、近年の半導体素子の高性能化を背景に狭ピッチ化が進展しており、プリント配線板の表面保護層として用いられるソルダーレジストは、複数の端子を包含する範囲を開口する構造で形成される。
このように複数の端子を包含する範囲を開口するのは、適用されるソルダーレジストの解像性能や露光工程の位置決め精度による歩留まり低下を防ぐためであるが、近年の狭ピッチ化で、端子間の樹脂面でメッキの異常析出が発生し、ショートする問題が顕在化してきている。
Conventionally, in order to connect a semiconductor element to a printed wiring board by peripheral arrangement, a structure in which a conductor terminal is provided on the printed wiring board and connected to a connecting member such as a gold wire or solder may be used. Such peripheral-type terminals have been increasingly narrowed against the background of high performance of semiconductor devices in recent years, and the solder resist used as a surface protective layer for printed wiring boards includes a plurality of terminals. It is formed with the structure which opens.
The reason for opening a range including a plurality of terminals in this way is to prevent a decrease in yield due to the resolution performance of the applied solder resist and the positioning accuracy of the exposure process. The problem of short-circuiting due to abnormal deposition of plating on the resin surface has become apparent.

上記知見に基づき、下記発明が提供される。
本発明の金メッキ金属微細パターン付き基材は、
樹脂からなる支持表面を有する基材の当該支持表面上に、金属微細パターンと、当該金属微細パターンを設けた領域を被覆するソルダーレジスト層が設けられ、
前記ソルダーレジスト層は、前記金属微細パターンの少なくとも一部の表面を露出させ、且つ、前記支持表面が露出していない開口部を有し、
前記金属微細パターンの前記ソルダーレジスト層の開口部において露出した部分が、ニッケル−パラジウム−金メッキ層及びニッケル−金メッキ層よりなる群から選ばれる複合金メッキ層で被覆されていることを特徴とする。
Based on the above findings, the following invention is provided.
The substrate with a gold-plated metal fine pattern of the present invention is
On the support surface of the base material having a support surface made of resin, a solder resist layer is provided to cover the metal fine pattern and the region provided with the metal fine pattern,
The solder resist layer has an opening that exposes at least a part of the surface of the fine metal pattern, and the support surface is not exposed,
The exposed portion of the opening of the solder resist layer of the fine metal pattern is covered with a composite gold plating layer selected from the group consisting of a nickel-palladium-gold plating layer and a nickel-gold plating layer.

また、本発明のプリント配線板は、
樹脂からなる支持表面を有するプリント配線板用基材の当該支持表面上に、導体回路と、当該導体回路を設けた領域を被覆するソルダーレジスト層が設けられ、
前記ソルダーレジスト層は、前記導体回路の少なくとも一部の表面を露出させ、且つ、前記支持表面が露出していない開口部を有し、
前記導体回路の前記ソルダーレジスト層の開口部において露出した部分が、ニッケル−パラジウム−金メッキ層及びニッケル−金メッキ層よりなる群から選ばれる複合金メッキ層で被覆されていることを特徴とする。
The printed wiring board of the present invention is
On the support surface of the printed wiring board substrate having a support surface made of a resin, a solder resist layer is provided to cover the conductor circuit and the region where the conductor circuit is provided,
The solder resist layer has an opening that exposes at least a part of the surface of the conductor circuit and does not expose the support surface;
The exposed portion of the opening of the solder resist layer of the conductor circuit is covered with a composite gold plating layer selected from the group consisting of a nickel-palladium-gold plating layer and a nickel-gold plating layer.

また、本発明の半導体装置は、上記本発明のプリント配線板に半導体素子を搭載し、当該プリント配線板の端子と半導体素子の出入力部をペリフェラル配置により接続したことを特徴とする。   The semiconductor device of the present invention is characterized in that a semiconductor element is mounted on the printed wiring board of the present invention, and a terminal of the printed wiring board and an input / output portion of the semiconductor element are connected by a peripheral arrangement.

また、本発明の金メッキ金属微細パターン付き基材の製造方法は、
樹脂からなる支持表面上に、金属微細パターンを有する金属微細パターン付き基材を準備する工程と、
当該金属微細パターンの少なくとも一部の表面に、無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ処理及び無電解ニッケル−金メッキ処理よりなる群から選ばれる金メッキ処理を行う工程と、を含む金メッキ金属微細パターン付き基材を製造する方法であって、
前記金属微細パターン付き基材の金属微細パターン形成面を、ソルダーレジスト層で被覆し、
前記金属微細パターンの所定領域の上に存在するソルダーレジスト層を選択的に除去して、前記金属微細パターンの一部が露出し且つ前記樹脂からなる支持表面が露出していない開口部を形成し、
当該開口部において露出した金属微細パターンに前記金メッキ処理を行うことを特徴とする。
Moreover, the manufacturing method of the substrate with a gold-plated metal fine pattern of the present invention,
A step of preparing a substrate with a metal fine pattern having a metal fine pattern on a support surface made of a resin;
Performing a gold plating process selected from the group consisting of an electroless nickel-palladium-gold plating process and an electroless nickel-gold plating process on at least a part of the surface of the metal fine pattern, A method of manufacturing comprising:
The metal fine pattern forming surface of the substrate with the metal fine pattern is covered with a solder resist layer,
A solder resist layer existing on a predetermined region of the metal fine pattern is selectively removed to form an opening in which a part of the metal fine pattern is exposed and the support surface made of the resin is not exposed. ,
The gold plating process is performed on the metal fine pattern exposed in the opening.

また、本発明のプリント配線板の製造方法は、
樹脂からなる支持表面上に、導体回路を有する導体回路付き基材を準備する工程と、
当該導体回路の少なくとも一部の表面に、無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ処理及び無電解ニッケル−金メッキ処理よりなる群から選ばれる金メッキ処理を行う工程と、を含むプリント配線板を製造する方法であって、
前記導体回路付き基材の導体回路形成面を、ソルダーレジスト層で被覆し、
前記導体回路の所定領域の上に存在するソルダーレジスト層を選択的に除去して、前記導体回路の一部が露出し且つ前記樹脂からなる支持表面が露出していない開口部を形成し、
当該開口部において露出した導体回路に前記金メッキ処理を行うことを特徴とする。
Moreover, the method for producing the printed wiring board of the present invention is as follows.
Preparing a base material with a conductor circuit having a conductor circuit on a support surface made of a resin;
Performing a gold plating process selected from the group consisting of an electroless nickel-palladium-gold plating process and an electroless nickel-gold plating process on at least a part of the surface of the conductor circuit. And
The conductor circuit forming surface of the substrate with the conductor circuit is covered with a solder resist layer,
Selectively removing a solder resist layer present on a predetermined region of the conductor circuit to form an opening in which a part of the conductor circuit is exposed and the support surface made of the resin is not exposed;
The gold plating process is performed on the conductor circuit exposed in the opening.

また、本発明の半導体装置の製造方法は、
上記本発明の製造方法で得られたプリント配線板に半導体素子を搭載し、当該プリント配線板の端子と半導体素子の出入力部をペリフェラル配置により接続することを特徴とする。
In addition, a method for manufacturing a semiconductor device of the present invention includes:
A semiconductor element is mounted on the printed wiring board obtained by the manufacturing method of the present invention, and a terminal of the printed wiring board and an input / output portion of the semiconductor element are connected by peripheral arrangement.

先ず、プリント配線板の構造について説明する。
図1は、本発明に属するプリント配線板の横断面を模式的に示す図である。プリント配線板1は、コア基板2を有し、その両面に導体回路層を有する。コア基板2の上面側には4層の導体回路層3a、3b、3c、3dが、層間絶縁層4a、4b、4cを介して順次積層されており、下面側には4層の導体回路層5a、5b、5c、5dが、層間絶縁層4d、4e、4fを介して順次積層されている。導体回路層3a〜3d及び5a〜5dは、コア基板または層間絶縁層からなる支持表面に形成されている。上下面の各導体回路層は、バイアホールを通じて層間接続されている。コア基板上面側の最外層回路3dは、大部分がソルダーレジスト層6によって被覆されているが、導体回路層3dの端子領域7(不図示)が有するパッド部7aの一部を露出するように開口部6aが形成され、当該パッド部7aの露出部分はニッケル−パラジウム−金メッキ層8で被覆される。尚、ソルダーレジスト層6は、樹脂層4cの表面が露出する隙間がないように被覆する。コア基板下面側の最外層回路5dは、マザーボード等との接続のための開口部6bを形成するように、ソルダーレジスト層6によって被覆されている。プリント配線板1は、前記開口部6bから露出したパッド部7c上に、ハンダボール等のコンタクト部材を設けることにより、マザーボード等と接続することができる。前記開口部6bは、パッド部7cとソルダーレジスト6との間に隙間を設けた構造でもよいし、パッド部7cの周囲がソルダーレジスト6によって被覆された構造でもよい。図1にはパッド部7cとソルダーレジスト6間に隙間を設けた構造の開口部6bを示す。前記開口部6bは、前記端子領域7のように複数の接続端子を含まず、異常析出によるショートが起こることがないため、前記開口部6bの表面処理(不図示)は、無電解ニッケルーパラジウムー金メッキでもよいし、その他公知の表面処理方法によるものでもよい。
尚、プリント配線板1はコア基板の両面に層間絶縁層の積層構造を有するが、本発明のプリント配線板はこれに限定されず、コア基板の片面のみに層間絶縁層を有する構造でもよく、層間絶縁層を有さず、コア基板のみの構造でもよい。
First, the structure of the printed wiring board will be described.
FIG. 1 is a diagram schematically showing a cross section of a printed wiring board belonging to the present invention. The printed wiring board 1 has a core substrate 2 and conductor circuit layers on both sides thereof. Four conductor circuit layers 3a, 3b, 3c, 3d are sequentially stacked on the upper surface side of the core substrate 2 via interlayer insulating layers 4a, 4b, 4c, and four conductor circuit layers are disposed on the lower surface side. 5a, 5b, 5c, and 5d are sequentially stacked via interlayer insulating layers 4d, 4e, and 4f. The conductor circuit layers 3a to 3d and 5a to 5d are formed on a support surface made of a core substrate or an interlayer insulating layer. The conductor circuit layers on the upper and lower surfaces are connected to each other through via holes. Most of the outermost layer circuit 3d on the upper surface side of the core substrate is covered with the solder resist layer 6, but a part of the pad portion 7a included in the terminal region 7 (not shown) of the conductor circuit layer 3d is exposed. An opening 6 a is formed, and the exposed portion of the pad portion 7 a is covered with a nickel-palladium-gold plating layer 8. The solder resist layer 6 is coated so that there is no gap where the surface of the resin layer 4c is exposed. The outermost layer circuit 5d on the lower surface side of the core substrate is covered with a solder resist layer 6 so as to form an opening 6b for connection with a mother board or the like. The printed wiring board 1 can be connected to a mother board or the like by providing a contact member such as a solder ball on the pad portion 7c exposed from the opening 6b. The opening 6b may have a structure in which a gap is provided between the pad portion 7c and the solder resist 6, or may have a structure in which the periphery of the pad portion 7c is covered with the solder resist 6. FIG. 1 shows an opening 6 b having a structure in which a gap is provided between the pad portion 7 c and the solder resist 6. Since the opening 6b does not include a plurality of connection terminals like the terminal region 7 and short-circuit due to abnormal precipitation does not occur, the surface treatment (not shown) of the opening 6b is performed by electroless nickel-palladium. Mood gold plating or other known surface treatment methods may be used.
Although the printed wiring board 1 has a laminated structure of interlayer insulating layers on both surfaces of the core substrate, the printed wiring board of the present invention is not limited to this, and may have a structure having an interlayer insulating layer only on one side of the core substrate. A structure having only the core substrate may be used without the interlayer insulating layer.

プリント配線板1の端子領域7は、ペリフェラル配置により配設されている。本発明においてペリフェラル配置とは、多数の電極端子がその一方の主面の外周に沿って配置されていることを意味する。尚、本発明のプリント配線板は、端子領域がペリフェラル配置となっていることが好ましいが、特に限定はされず、多数の電極端子がその一方の主面の略全面に亘って格子状の並びに配置されるエリアアレイ型であってもよい。   The terminal area 7 of the printed wiring board 1 is arranged by peripheral arrangement. In the present invention, the peripheral arrangement means that a large number of electrode terminals are arranged along the outer periphery of one main surface thereof. In the printed wiring board of the present invention, it is preferable that the terminal region has a peripheral arrangement, but there is no particular limitation, and a large number of electrode terminals are arranged in a grid pattern over substantially the entire main surface. An area array type may be used.

図2Aは、端子領域7の一部を拡大した平面図である。端子領域7は、電気的接続点となるパッド部7aと、パッド部近傍の回路7bを有し、絶縁材料であるソルダーレジスト層6によって被覆され、開口部6aにおいてパッド部7aの一部が露出している。当該パッド部7aの露出部分と電子部品(素子や回路など)とを電気的に接続することができる。尚、図2Aにおいて、ソルダーレジスト層6によって被覆されて見えないが、ソルダーレジスト層6の下に存在するパッド部7a及びパッド部近傍の回路7bを点線で示す。   FIG. 2A is an enlarged plan view of a part of the terminal region 7. The terminal region 7 has a pad portion 7a serving as an electrical connection point and a circuit 7b in the vicinity of the pad portion, and is covered with a solder resist layer 6 that is an insulating material, and a part of the pad portion 7a is exposed in the opening 6a. is doing. An exposed portion of the pad portion 7a and an electronic component (such as an element or a circuit) can be electrically connected. In FIG. 2A, the pad portion 7a present under the solder resist layer 6 and the circuit 7b in the vicinity of the pad portion are shown by dotted lines, although they are not visible because they are covered with the solder resist layer 6.

図2Bは、図2Aに示すプリント配線板の端子領域7のAA断面図である。開口部6aにおけるパッド部7aの露出部分は、ニッケル−パラジウム−金メッキ層8によって被覆されている。   2B is an AA cross-sectional view of the terminal region 7 of the printed wiring board shown in FIG. 2A. An exposed portion of the pad portion 7 a in the opening 6 a is covered with a nickel-palladium-gold plating layer 8.

上記プリント配線板1は、端子領域7において周囲の樹脂表面、特に隣接しあう回路間に挟まれた位置の樹脂表面の異常析出が無いため、めっき処理面の品質に優れており、ショートが起こらない。ニッケル−パラジウム−金メッキによる異常析出は、導体回路が微細化し導体回路間の距離が小さくなるほど起きやすくなるが、本発明によれば、導体回路のニッケル−パラジウム−金メッキ層等の複合金メッキ層を有する領域のラインアンドスペースが5/5〜100/100μmの範囲において、金属析出を効果的に防止することができる。   The printed wiring board 1 is excellent in the quality of the plated surface because there is no abnormal deposition of the resin surface around the terminal region 7, particularly the position sandwiched between adjacent circuits, and short-circuiting occurs. Absent. Abnormal precipitation due to nickel-palladium-gold plating is more likely to occur as the conductor circuit becomes finer and the distance between the conductor circuits becomes smaller. According to the present invention, however, a composite gold plating layer such as a nickel-palladium-gold plating layer of the conductor circuit is provided. Metal precipitation can be effectively prevented when the line and space of the region is in the range of 5/5 to 100/100 μm.

図3は、上記プリント配線板1を用いた半導体装置の片面のみの横断面を模式的に示す図である。半導体装置10は、プリント配線板1に半導体素子11をワイヤーボンディングにより搭載してなる。尚、図3はワイヤーボンディングにより半導体素子を接続した例を示すが、本発明においてプリント配線板と半導体素子との接続方法は特に限定されず、ワイヤーボンディング及びフリップチップ等の公知の方法によって接続することができる。   FIG. 3 is a diagram schematically showing a cross section of only one side of a semiconductor device using the printed wiring board 1. The semiconductor device 10 is formed by mounting a semiconductor element 11 on a printed wiring board 1 by wire bonding. Although FIG. 3 shows an example in which semiconductor elements are connected by wire bonding, in the present invention, the connection method between the printed wiring board and the semiconductor elements is not particularly limited, and connection is made by a known method such as wire bonding or flip chip. be able to.

プリント配線板1の上面側の最外層回路3dは、ソルダーレジスト層6で被覆されているが、ソルダーレジスト層6の開口部6aからパッド部7aの一部が露出しており、当該パッド部7aの露出部分はニッケル−パラジウム−金メッキ層8で被覆されている。尚、ソルダーレジスト層6は、樹脂層4cの表面が露出する隙間がないように被覆する。
半導体素子11は、プリント配線板1のソルダーレジスト層6上に、エポキシ樹脂等のダイボンド材硬化層13を介して固着されている。半導体素子11は、上面に電極パッド12を有しており、この電極パッド12と、プリント配線板1の最外層回路の開口部6a覆うように形成される接続端子とが、金線14により接続している。
半導体装置10の半導体素子搭載側は、エポキシ樹脂等の封止材15により封止されている。
図3は、ワイヤーボンディングにより半導体素子を接続した例を示すが、本発明は、エリアアレイ型パッケージ等、他の接続方式の端子部分を金メッキする場合にも適用される。
The outermost layer circuit 3d on the upper surface side of the printed wiring board 1 is covered with the solder resist layer 6, but a part of the pad portion 7a is exposed from the opening 6a of the solder resist layer 6, and the pad portion 7a. The exposed portion is covered with a nickel-palladium-gold plating layer 8. The solder resist layer 6 is coated so that there is no gap where the surface of the resin layer 4c is exposed.
The semiconductor element 11 is fixed on the solder resist layer 6 of the printed wiring board 1 via a die bond material cured layer 13 such as an epoxy resin. The semiconductor element 11 has an electrode pad 12 on the upper surface, and the electrode pad 12 and a connection terminal formed so as to cover the opening 6 a of the outermost layer circuit of the printed wiring board 1 are connected by a gold wire 14. is doing.
The semiconductor element mounting side of the semiconductor device 10 is sealed with a sealing material 15 such as epoxy resin.
Although FIG. 3 shows an example in which semiconductor elements are connected by wire bonding, the present invention is also applied to the case where the terminal portion of another connection method such as an area array type package is plated with gold.

次に、図1のプリント配線板1を製造する方法を説明する。
先ず、樹脂からなる支持表面を有するプリント配線板用基材を準備する。
プリント配線板1の場合、前記プリント配線板用基材としては、図1に示したプリント配線板からソルダーレジスト層6、最外層回路3d、ニッケル−パラジウム−金メッキ層8が欠如し、最上層として第三の層間絶縁層4cを有する積層体を準備する。
本発明においてプリント配線板用基材とは、コア基板2、及び、コア基板2に1層以上の導体回路層を有し、最上層が層間絶縁層であって、その上にさらに導体回路層を形成できる状態にある多層プリント配線板の中間製品である。
また、プリント配線板以外の金メッキ金属微細パターン付き基材を製造する場合の「樹脂からなる支持表面を有する基材」とは、特に限定を受けるものではないが、セミアディティブやサブトラクティブ法などによって金属微細パターンを形成することが可能な樹脂面を有する基材であればよく、当該基材の深い部分が樹脂以外の材料からなるものであってもよい。
次に、前記プリント配線板用基材に導体回路を形成し、導体回路付き基材を得る。前記導体回路の形成方法は、特に限定されず、セミアディティブ法、アディティブ法、及びサブトラクティブ法等の公知の方法により行うことができる。中でも、特に微細な配線加工が可能なセミアディティブ法によって導体回路を形成することが好ましい。
プリント配線板1の場合、前記導体回路付き基材は、図1に示したプリント配線板1から、ソルダーレジスト層6、ニッケル−パラジウム−金メッキ層8が欠如した構造を有する積層体である。
次に、導体回路付き基材の導体回路形成面をソルダーレジスト層で被覆し、前記導体回路の所定領域の上に存在するソルダーレジスト層を選択的に除去して、前記導体回路の一部が露出し且つ前記樹脂からなる支持表面が露出していない開口部を形成する。
次に、前記導体回路付き基板が有する導体回路の少なくとも一部の表面に、無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ処理及び無電解ニッケル−金メッキ処理よりなる群から選ばれる金メッキ処理を行うことで、プリント配線板を得る。プリント配線板1の場合には、ソルダーレジスト層の開口部において露出した導体回路に前記金メッキ処理を行う。
Next, a method for manufacturing the printed wiring board 1 of FIG. 1 will be described.
First, a printed wiring board substrate having a support surface made of resin is prepared.
In the case of the printed wiring board 1, the printed wiring board substrate lacks the solder resist layer 6, the outermost layer circuit 3 d, and the nickel-palladium-gold plating layer 8 from the printed wiring board shown in FIG. A stacked body having the third interlayer insulating layer 4c is prepared.
In the present invention, the printed wiring board base material includes the core substrate 2 and one or more conductor circuit layers on the core substrate 2, the uppermost layer being an interlayer insulating layer, and a conductor circuit layer further thereon Is an intermediate product of a multilayer printed wiring board in a state where it can be formed.
In addition, the “substrate having a support surface made of resin” in the case of manufacturing a substrate with a gold-plated metal fine pattern other than a printed wiring board is not particularly limited, but by a semi-additive or subtractive method, etc. Any base material having a resin surface capable of forming a metal fine pattern may be used, and a deep portion of the base material may be made of a material other than resin.
Next, a conductor circuit is formed on the substrate for a printed wiring board to obtain a substrate with a conductor circuit. The formation method of the said conductor circuit is not specifically limited, It can carry out by well-known methods, such as a semi-additive method, an additive method, and a subtractive method. Among these, it is preferable to form the conductor circuit by a semi-additive method that enables particularly fine wiring processing.
In the case of the printed wiring board 1, the substrate with a conductor circuit is a laminate having a structure in which the solder resist layer 6 and the nickel-palladium-gold plating layer 8 are missing from the printed wiring board 1 shown in FIG.
Next, the conductor circuit forming surface of the substrate with the conductor circuit is covered with a solder resist layer, the solder resist layer existing on a predetermined region of the conductor circuit is selectively removed, and a part of the conductor circuit is An opening that is exposed and the support surface made of the resin is not exposed is formed.
Next, printed wiring by performing gold plating selected from the group consisting of electroless nickel-palladium-gold plating and electroless nickel-gold plating on at least a part of the surface of the conductor circuit included in the substrate with the conductor circuit. Get a board. In the case of the printed wiring board 1, the gold plating process is performed on the conductor circuit exposed at the opening of the solder resist layer.

以下、前記プリント配線板1の製造方法を図面に基づいて詳しく説明する。
図4A、図4B、図4Cに記載の(a)〜(k)は、プリント配線板を製造する手順を説明する図である。尚、図4A、図4B及び図4Cは、プリント配線板の片面のみを示す模式図である。
先ず、手順(a)において、コア基板2の上面側に3層の導体回路層(3a、3b、3c)を層間絶縁層(4a、4b)を介して積層し、コア基板2の下面側に導体回路層5を形成し、各導体回路層を層間接続した積層体を準備する。
コア基板はガラスエポキシ基板等、公知のものを用いることができる。コア基板上への導体回路層のビルドアップも公知の材料を用い、回路形成も前記公知の方法により行うことができる。
また、絶縁層4c’’をキャリアフィルム16に積層した樹脂シートを準備する。樹脂シートも、層間絶縁層を転写可能な公知のものを用いることができる。
Hereinafter, a method for manufacturing the printed wiring board 1 will be described in detail with reference to the drawings.
(A)-(k) as described in FIG. 4A, FIG. 4B, and FIG. 4C is a figure explaining the procedure which manufactures a printed wiring board. 4A, 4B, and 4C are schematic views showing only one side of the printed wiring board.
First, in the procedure (a), three conductor circuit layers (3a, 3b, 3c) are laminated on the upper surface side of the core substrate 2 via interlayer insulating layers (4a, 4b), and on the lower surface side of the core substrate 2. A conductor circuit layer 5 is formed, and a laminate in which the conductor circuit layers are connected in layers is prepared.
As the core substrate, a known substrate such as a glass epoxy substrate can be used. The conductive circuit layer can be built up on the core substrate using a known material, and the circuit can be formed by the known method.
Further, a resin sheet in which the insulating layer 4c ″ is laminated on the carrier film 16 is prepared. As the resin sheet, a known sheet that can transfer the interlayer insulating layer can be used.

樹脂シートのキャリアフィルム16は、絶縁層4c’’を導体回路層の上に転写できる離型性を有している。キャリアフィルムは特に限定されないが、高分子フィルムまたは金属箔を用いることができる。高分子フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートなどのポリエステル樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド樹脂などの耐熱性を有した熱可塑性樹脂フィルムを用いることができる。金属箔としては、例えば、銅及び/又は銅系合金、アルミ及び/又はアルミ系合金、鉄及び/又は鉄系合金、銀及び/又は銀系合金、金及び金系合金、亜鉛及び亜鉛系合金、ニッケル及びニッケル系合金、錫及び錫系合金等の金属箔などを用いることができる。   The resin sheet carrier film 16 has releasability so that the insulating layer 4c '' can be transferred onto the conductor circuit layer. The carrier film is not particularly limited, but a polymer film or a metal foil can be used. As the polymer film, for example, a thermoplastic resin film having heat resistance such as a polyester resin such as polyethylene terephthalate or polybutylene terephthalate, a fluorine-based resin, or a polyimide resin can be used. Examples of the metal foil include copper and / or copper-based alloy, aluminum and / or aluminum-based alloy, iron and / or iron-based alloy, silver and / or silver-based alloy, gold and gold-based alloy, zinc and zinc-based alloy. Further, metal foils such as nickel and nickel alloys, tin and tin alloys can be used.

キャリアフィルムの厚みは特に限定されないが、厚みが10〜70μmのものを用いると、樹脂シートを製造する際の取り扱い性が良好であり好ましい。
キャリアフィルム上の絶縁層の厚さは特に限定されないが、1〜60μmが好ましく、特に5〜40μmが好ましい。樹脂層の厚さは、絶縁信頼性を向上させるうえで前記下限値以上が好ましく、多層プリント配線板の薄膜化を達成するうえで前記上限値以下が好ましい。
The thickness of the carrier film is not particularly limited, but it is preferable to use a carrier film having a thickness of 10 to 70 μm because the handleability when producing the resin sheet is good.
Although the thickness of the insulating layer on a carrier film is not specifically limited, 1-60 micrometers is preferable and 5-40 micrometers is especially preferable. The thickness of the resin layer is preferably equal to or greater than the lower limit for improving insulation reliability, and is preferably equal to or less than the upper limit for achieving thinning of the multilayer printed wiring board.

絶縁層4c’’を構成する樹脂組成物は、熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物で構成されていることが好ましい。これにより、樹脂層の耐熱性を向上させることができる。
また前記絶縁層4c’’は、ガラス繊維基材等の基材を含んでいても良い。
熱硬化性樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールAエポキシ樹脂、ビスフェノールFエポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールZ型エポキシ樹脂、ビスフェノールP型エポキシ樹脂、ビスフェノールM型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア(尿素)樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、トリアジン樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、シアネート樹脂等が挙げられる。
これらの中でも、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂およびベンゾシクロブテン樹脂の中から選ばれる1種以上の樹脂が好ましく、特にシアネート樹脂が好ましい。これにより、樹脂層の熱膨張係数を小さくすることができる。さらに、樹脂層の電気特性(低誘電率、低誘電正接)、機械強度等にも優れる。
The resin composition constituting the insulating layer 4c ″ is preferably composed of a resin composition containing a thermosetting resin. Thereby, the heat resistance of the resin layer can be improved.
The insulating layer 4c '' may include a base material such as a glass fiber base material.
Examples of thermosetting resins include novolak type phenolic resins such as phenol novolak resin, cresol novolak resin, bisphenol A novolak resin, unmodified resol phenol resin, oil-modified resol phenol resin modified with tung oil, linseed oil, walnut oil, and the like. Phenol resin such as resol type phenol resin, bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, bisphenol E type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol Z type epoxy resin, bisphenol P type epoxy resin, bisphenol M type epoxy resin Bisphenol epoxy resin, phenol novolac epoxy resin, cresol novolac epoxy resin novolac epoxy resin, biphenyl epoxy resin, bif Nylaralkyl type epoxy resin, aryl alkylene type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, phenoxy type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, norbornene type epoxy resin, adamantane type epoxy resin, fluorene type epoxy resin, etc. Resin having triazine ring such as epoxy resin, urea (urea) resin, melamine resin, unsaturated polyester resin, bismaleimide resin, polyimide resin, polyamideimide resin, polyurethane resin, diallyl phthalate resin, silicone resin, benzoxazine ring Examples thereof include resins, triazine resins, benzocyclobutene resins, and cyanate resins.
Among these, one or more resins selected from epoxy resins, phenol resins, cyanate resins, and benzocyclobutene resins are preferable, and cyanate resins are particularly preferable. Thereby, the thermal expansion coefficient of the resin layer can be reduced. Further, the resin layer is excellent in electrical characteristics (low dielectric constant, low dielectric loss tangent), mechanical strength and the like.

シアネート樹脂としては、具体的にはノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールA型シアネート樹脂、ビスフェノールE型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールF型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂等を挙げることができる。これらの中でもノボラック型シアネート樹脂が好ましい。ノボラック型シアネート樹脂は、樹脂層の熱膨張係数を小さくすることができ、樹脂層の機械的強度、電気特性(低誘電率、低誘電正接)にも優れる。   Specific examples of the cyanate resin include novolak-type cyanate resins, bisphenol A-type cyanate resins, bisphenol E-type cyanate resins, and bisphenol-type cyanate resins such as tetramethylbisphenol F-type cyanate resins. Among these, novolac type cyanate resin is preferable. The novolac-type cyanate resin can reduce the thermal expansion coefficient of the resin layer, and is excellent in the mechanical strength and electrical characteristics (low dielectric constant, low dielectric loss tangent) of the resin layer.

シアネート樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量500〜4,500が好ましく、特に600〜3,000が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であると樹脂層を硬化物の機械的強度が低下する場合があり、さらに樹脂層を作製した場合にタック性が生じ、樹脂の転写が生じたりする場合がある。また、重量平均分子量が前記上限値を超えると硬化反応が速くなり、基板(特に回路基板)とした場合に、成形不良が生じたり、層間ピール強度が低下したりする場合がある。尚、シアネート樹脂等の重量平均分子量は、例えばGPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー、標準物質:ポリスチレン換算)で測定することができる。   The weight average molecular weight of the cyanate resin is not particularly limited, but a weight average molecular weight of 500 to 4,500 is preferable, and 600 to 3,000 is particularly preferable. If the weight average molecular weight is less than the lower limit, the mechanical strength of the cured product of the resin layer may be reduced, and further, tackiness may occur when the resin layer is produced, and the resin may be transferred. . Further, when the weight average molecular weight exceeds the above upper limit, the curing reaction is accelerated, and when a substrate (particularly, a circuit substrate) is formed, molding defects may occur or the interlayer peel strength may be reduced. In addition, weight average molecular weights, such as cyanate resin, can be measured by GPC (gel permeation chromatography, standard substance: polystyrene conversion), for example.

熱硬化性樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の5〜50重量%が好ましく、特に10〜40重量%が好ましい。含有量が下限値未満であると樹脂層を形成するのが困難となる場合があり、上限値を超えると樹脂層の強度が低下する場合がある。   Although content of a thermosetting resin is not specifically limited, 5 to 50 weight% of the whole resin composition is preferable, and 10 to 40 weight% is especially preferable. If the content is less than the lower limit, it may be difficult to form the resin layer, and if the content exceeds the upper limit, the strength of the resin layer may be reduced.

熱硬化性樹脂としてシアネート樹脂(特にノボラック型シアネート樹脂)を用いる場合は、エポキシ樹脂(実質的にハロゲン原子を含まない)を併用することが好ましい。
エポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールAエポキシ樹脂、ビスフェノールFエポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールZ型エポキシ樹脂、ビスフェノールP型エポキシ樹脂、ビスフェノールM型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂等のアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。
エポキシ樹脂として、これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する2種類以上を併用したり、1種類または2種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。
When a cyanate resin (especially a novolac-type cyanate resin) is used as the thermosetting resin, it is preferable to use an epoxy resin (substantially free of halogen atoms) in combination.
Examples of the epoxy resin include bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, bisphenol E type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol Z type epoxy resin, bisphenol P type epoxy resin, bisphenol M type epoxy resin and the like. Resins, phenol novolac epoxy resins, cresol novolac epoxy resins and other novolac epoxy resins, biphenyl epoxy resins, xylylene epoxy resins, biphenyl aralkyl epoxy resins and other aryl alkylene epoxy resins, naphthalene epoxy resins, anthracene epoxy Resin, phenoxy type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, norbornene type epoxy resin, adamantane type epoxy Resins, fluorene type epoxy resins and the like.
As the epoxy resin, one of these can be used alone, or two or more having different weight average molecular weights are used in combination, or one or two or more thereof and a prepolymer thereof are used in combination. You can also

エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の1〜55重量%が好ましく、特に5〜40重量%が好ましい。含有量が前記下限値未満であるとシアネート樹脂の反応性が低下したり、得られる製品の耐湿性が低下したりする場合があり、前記上限値を超えると低熱膨張性、耐熱性が低下する場合がある。   Although content of an epoxy resin is not specifically limited, 1 to 55 weight% of the whole resin composition is preferable, and 5 to 40 weight% is especially preferable. If the content is less than the lower limit, the reactivity of the cyanate resin may decrease, or the moisture resistance of the resulting product may decrease. If the content exceeds the upper limit, the low thermal expansion and heat resistance will decrease. There is a case.

エポキシ樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量500〜20,000が好ましく、特に800〜15,000が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であると樹脂層の表面にタック性が生じる場合が有り、前記上限値を超えると半田耐熱性が低下する場合がある。重量平均分子量を上記範囲内とすることにより、これらの特性のバランスに優れたものとすることができる。エポキシ樹脂の重量平均分子量は、例えばGPCで測定することができる。   The weight average molecular weight of the epoxy resin is not particularly limited, but a weight average molecular weight of 500 to 20,000 is preferable, and 800 to 15,000 is particularly preferable. If the weight average molecular weight is less than the lower limit, tackiness may occur on the surface of the resin layer, and if it exceeds the upper limit, solder heat resistance may be reduced. By setting the weight average molecular weight within the above range, it is possible to achieve an excellent balance of these characteristics. The weight average molecular weight of an epoxy resin can be measured by GPC, for example.

また、絶縁層4c’’を構成する樹脂組成物は、無機充填材を含むものとすることができる。これにより低熱膨張性及び機械強度を付与することができる。前記無機充填材としては、特に限定されるものではないが、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、シリカ、溶融シリカ等の酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素等の窒化物、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム等のチタン酸塩等を挙げることができる。無機充填材として、これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、2種類以上を併用したりすることもできる。これらの中でも特に、低熱膨張性、難燃性、及び弾性率に優れる点から、シリカが好ましく、溶融シリカがより好ましい。これらの中でもその形状は球状シリカが好ましい。また、ガラス繊維を用いると、さらに低熱膨張性、難燃性、及び弾性率に優れることからより好適である。   Further, the resin composition constituting the insulating layer 4 c ″ can include an inorganic filler. Thereby, low thermal expansibility and mechanical strength can be provided. The inorganic filler is not particularly limited. For example, talc, fired clay, unfired clay, mica, silicates such as glass, oxides such as titanium oxide, alumina, silica, and fused silica, carbonic acid Carbonates such as calcium, magnesium carbonate, hydrotalcite, hydroxides such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium hydroxide, sulfates or sulfites such as barium sulfate, calcium sulfate, calcium sulfite, zinc borate, Borates such as barium metaborate, aluminum borate, calcium borate and sodium borate, nitrides such as aluminum nitride, boron nitride, silicon nitride and carbon nitride, titanates such as strontium titanate and barium titanate Can be mentioned. As the inorganic filler, one of these can be used alone, or two or more can be used in combination. Among these, silica is preferable and fused silica is more preferable in terms of excellent low thermal expansion, flame retardancy, and elastic modulus. Among these, the shape is preferably spherical silica. Moreover, it is more preferable to use glass fiber because it is further excellent in low thermal expansion, flame retardancy, and elastic modulus.

無機充填材の平均粒子径の測定は、例えばレーザー回折散乱法により測定することができる。無機充填材を水中で超音波により分散させ、レーザー回折式粒度分布測定装置(HORIBA製、LA−500)により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径(D50)を平均粒子径とすることで測定することができる。   The average particle diameter of the inorganic filler can be measured, for example, by a laser diffraction scattering method. The inorganic filler is dispersed in water by ultrasonic waves, and the particle size distribution of the inorganic filler is created on a volume basis by a laser diffraction type particle size distribution measuring device (HORIBA, LA-500), and the median diameter (D50) is averaged. It can measure by setting it as a particle diameter.

樹脂シートの製造方法は特に限定されないが、例えば、樹脂組成物を溶剤などに溶解、分散させて樹脂ワニスを調製し、ガラス繊維に含浸塗布させて乾燥する方法や、各種コーター装置を用いて樹脂ワニスをキャリアフィルム上に塗工した後、これを乾燥する方法や、スプレー装置を用いて、樹脂ワニスをキャリアフィルム上に噴霧塗工した後、これを乾燥する方法等が挙げられる。これらの中でも、コンマコーター、ダイコーターなどの各種コーター装置を用いて、樹脂ワニスをキャリアフィルム上に塗工した後、これを乾燥する方法が好ましい。これにより、ボイドがなく、均一な樹脂層の厚みを有する樹脂シートを効率よく製造することができる。   The method for producing the resin sheet is not particularly limited. For example, a resin varnish is prepared by dissolving and dispersing a resin composition in a solvent or the like, impregnated and applied to glass fibers, and dried using various coater devices. Examples thereof include a method of drying the varnish after coating on the carrier film and a method of drying the resin varnish after spray coating on the carrier film using a spray device. Among these, a method in which a resin varnish is coated on a carrier film using various coaters such as a comma coater and a die coater and then dried is preferable. Thereby, the resin sheet which does not have a void and has the thickness of the uniform resin layer can be manufactured efficiently.

次に、手順(b)において、上記手順(a)で準備した積層体の上面側に、樹脂シートの絶縁層側を向き合わせて重ねた後、手順(c)において、キャリアフィルム16を剥離し、層間絶縁層4cを形成すると、プリント配線板用基材が得られる。
層間絶縁層4cのキャリアフィルムを剥離した側の表面4c’は、粗化処理されていることが好ましい。前記粗化処理の方法としては、例えば(ア)層間絶縁層4cとの接触面が粗化されているキャリアフィルムを用い、当該粗化されたキャリアフィルムを剥離することで、剥離した層間絶縁層4cの表面4c’を粗化する方法、(イ)層間絶縁層4cとの接触面が粗化されているキャリアフィルムを用い、当該粗化されたキャリアフィルムを剥離した層間絶縁層4cの表面4c’を、プラズマ処理及び/又はデスミア処理することにより粗化する方法、(ウ)無粗化のキャリアフィルムを用い、当該無粗化のキャリアフィルムを剥離した層間絶縁層4cの表面4c’を、プラズマ処理及び/又はデスミア処理することにより粗化する方法等が挙げられる。
Next, in the step (b), the insulating layer side of the resin sheet is faced and stacked on the upper surface side of the laminate prepared in the step (a), and then the carrier film 16 is peeled in the step (c). When the interlayer insulating layer 4c is formed, a printed wiring board substrate is obtained.
The surface 4c ′ on the side where the carrier film of the interlayer insulating layer 4c is peeled is preferably roughened. As the roughening treatment method, for example, (a) a carrier film having a roughened contact surface with the interlayer insulating layer 4c is used, and the roughened carrier film is peeled off, thereby peeling the interlayer insulating layer. A method of roughening the surface 4c ′ of 4c, and (a) a surface 4c of the interlayer insulating layer 4c obtained by peeling off the roughened carrier film using a carrier film having a roughened contact surface with the interlayer insulating layer 4c. ', A method of roughening by plasma treatment and / or desmear treatment, (c) using a non-roughened carrier film, the surface 4c' of the interlayer insulating layer 4c from which the non-roughened carrier film was peeled off, Examples of the method include roughening by plasma treatment and / or desmear treatment.

次に、手順(d)において無電解めっきを行い、層間絶縁層4cの表面に無電解めっき層18を形成する。無電解めっき層18の金属の種類は、特に限定されないが、銅やニッケル等が好ましい。   Next, in step (d), electroless plating is performed to form the electroless plating layer 18 on the surface of the interlayer insulating layer 4c. The type of metal of the electroless plating layer 18 is not particularly limited, but copper, nickel and the like are preferable.

次に、手順(e)において無電解めっき層18の上にめっきレジスト19により非回路形成部をマスクし、手順(f)において電解めっきを行い、電解めっき層20を形成する。電解めっきには硫酸銅電解めっきが使用できる。   Next, in the procedure (e), the non-circuit forming portion is masked on the electroless plating layer 18 by the plating resist 19, and the electrolytic plating is performed in the procedure (f) to form the electrolytic plating layer 20. For the electrolytic plating, copper sulfate electrolytic plating can be used.

次に、手順(g)において、めっきレジスト19を除去し、手順(h)において非回路形成部の無電解めっき層18をフラッシュエッチングで除去することにより、層間絶縁層4cに最外層回路3dを形成すると、導体回路付き基材が得られる。   Next, in step (g), the plating resist 19 is removed, and in step (h), the electroless plating layer 18 in the non-circuit forming portion is removed by flash etching, whereby the outermost layer circuit 3d is formed on the interlayer insulating layer 4c. When formed, a substrate with a conductor circuit is obtained.

次に、手順(i)においてソルダーレジスト層6を被覆し、手順(j)において、フォトリソグラフィーのプロセス又はレーザーの照射により、ソルダーレジスト層6の一部を選択的に除去し、開口部6aを形成する。開口部6aにおいて端子領域7のパッド部7aの一部が露出される。   Next, the solder resist layer 6 is coated in the procedure (i), and in the procedure (j), a part of the solder resist layer 6 is selectively removed by a photolithography process or laser irradiation, and the opening 6a is removed. Form. A part of the pad portion 7a of the terminal region 7 is exposed in the opening 6a.

手順(j)をフォトリソグラフィーのプロセスによって行う場合は、感光性ソルダーレジストを用いて前記ソルダーレジスト層6を形成する。
手順(j)をフォトリソグラフィーのプロセスによって行う場合、具体的には、例えば、前記感光性ソルダーレジストとしてネガ型レジストを用いてソルダーレジスト層6を形成し、開口部6a以外の領域に活性エネルギー線を選択的に照射して硬化させ、現像することで、開口部6aを被覆していたソルダ−レジスト層6を除去し、開口部6aを形成する。
When the step (j) is performed by a photolithography process, the solder resist layer 6 is formed using a photosensitive solder resist.
When the step (j) is performed by a photolithography process, specifically, for example, a solder resist layer 6 is formed using a negative resist as the photosensitive solder resist, and active energy rays are formed in a region other than the opening 6a. Is selectively irradiated, cured, and developed to remove the solder-resist layer 6 covering the opening 6a and form the opening 6a.

レーザーの照射により、ソルダーレジスト層6の一部を選択的に除去する場合は、熱硬化性または熱可塑性のレジストを用いることができる。
レーザー光は、UV−YAGレーザーまたはエキシマレーザーであることが好ましい。これらのレーザーを使用することにより、精度・形状よくソルダーレジスト層の開口部を形成することが可能となる。特に限定はされないが、UV−YAGレーザーの波長は355nmであることが好ましく、エキシマレーザーのレーザー波長は、193nm、248nm、308nmなどを用いることができる。
When a part of the solder resist layer 6 is selectively removed by laser irradiation, a thermosetting or thermoplastic resist can be used.
The laser light is preferably a UV-YAG laser or an excimer laser. By using these lasers, the opening of the solder resist layer can be formed with high accuracy and shape. Although not particularly limited, the wavelength of the UV-YAG laser is preferably 355 nm, and the laser wavelength of the excimer laser can be 193 nm, 248 nm, 308 nm, or the like.

次に、手順(k)において導体回路付き基材の開口部6aから露出しているパッド部7aの一部に対し、無電解ニッケル−パラジウム−金メッキを選択的に行うことにより、プリント配線板1が得られる。
前記導体回路付き基材は、最外層回路のうち端子領域7のパッド部7aの一部のみがソルダーレジスト層6の開口部6aから露出しているので、当該パッド部7aの露出部分に対しニッケル−パラジウム−金メッキを選択的に行うことができる。
本発明において、導体回路または金属微細パターンの一部領域に対してだけニッケル−パラジウム−金メッキを行いたい場合には、ソルダーレジスト層のような永久レジスト以外に、可溶性レジストや成形品マスクなどの他のメッキ処理用マスクを用いてもよい。
Next, in the step (k), the electroless nickel-palladium-gold plating is selectively performed on a part of the pad portion 7a exposed from the opening 6a of the base material with a conductor circuit. Is obtained.
In the base material with a conductor circuit, only a part of the pad portion 7a of the terminal region 7 in the outermost layer circuit is exposed from the opening 6a of the solder resist layer 6, so that the exposed portion of the pad portion 7a is nickel. -Palladium-gold plating can be selectively performed.
In the present invention, when it is desired to perform nickel-palladium-gold plating only on a partial area of a conductor circuit or a metal fine pattern, in addition to a permanent resist such as a solder resist layer, there are other resists such as a soluble resist and a molded product mask. Alternatively, a plating mask may be used.

本発明においては、無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ処理及び無電解ニッケル−金メッキ処理よりなる群から選ばれる金メッキ処理が行われる。前記金メッキ処理を行うことにより、前記導体回路上に、ニッケル−パラジウム−金メッキ層(Ni−Pd−Au層)及びニッケル−金メッキ層(Ni−Au層)よりなる群から選ばれる複合金メッキ層を形成する。前記金メッキ処理の中でも、特に無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ処理の一例であるENEPIG法が好ましい。よりニッケルの酸化防止及び拡散防止に優れ、耐熱性が高く、金膜厚を薄くできるからである。   In the present invention, a gold plating process selected from the group consisting of an electroless nickel-palladium-gold plating process and an electroless nickel-gold plating process is performed. By performing the gold plating process, a composite gold plating layer selected from the group consisting of a nickel-palladium-gold plating layer (Ni-Pd-Au layer) and a nickel-gold plating layer (Ni-Au layer) is formed on the conductor circuit. To do. Among the gold plating processes, the ENEPIG method which is an example of an electroless nickel-palladium-gold plating process is particularly preferable. This is because it is more excellent in preventing oxidation and diffusion of nickel, has high heat resistance, and can reduce the thickness of the gold film.

図5は、無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ処理の一例としてENEPIG法の手順を示すブロック図であり、図6は、無電解ニッケル−金メッキ処理の一例としてENIG法の手順を示すブロック図である。
本発明においてENEPIG法又はENIG法を行う場合、パラジウム触媒付与工程に先立つ前処理として、端子部分に必要に応じ1つ又は2つ以上の方法で表面処理を行うことができる。これらの図には、前処理としてクリーナー(S1a)、ソフトエッチング(S1b)、酸処理(S1c)、プレディップ(S1d)を示したが、それ以外の処理を行っても良い。
前処理の後、パラジウム触媒の付与と、ENEPIG法又はENIG法を行うことで、複合金メッキ層(Ni−Pd−Au層又はNi−Au層)が形成される。
FIG. 5 is a block diagram showing the procedure of the ENEPIG method as an example of the electroless nickel-palladium-gold plating process, and FIG. 6 is a block diagram showing the procedure of the ENIG method as an example of the electroless nickel-gold plating process.
When performing the ENEPIG method or the ENIG method in the present invention, as a pretreatment prior to the palladium catalyst application step, the terminal portion can be subjected to a surface treatment by one or more methods as necessary. In these figures, cleaner (S1a), soft etching (S1b), acid treatment (S1c), and pre-dip (S1d) are shown as pretreatments, but other treatments may be performed.
After the pretreatment, a composite gold plating layer (Ni—Pd—Au layer or Ni—Au layer) is formed by applying a palladium catalyst and performing the ENEPIG method or the ENIG method.

以下、特に断らない限りENEPIG法の手順について説明するが、ENIG法についてもENEPIG法の手順と同様に考えることが出来る。
ENEPIG法においては、前処理(S1)、パラジウム触媒付与工程(S2)、無電解ニッケルめっき処理(S3)、無電解パラジウムめっき処理(S4)、無電解金めっき処理(S5)は、従来と同様に行えばよい。
Hereinafter, the procedure of the ENEPIG method will be described unless otherwise specified, but the ENIG method can be considered in the same manner as the procedure of the ENEPIG method.
In the ENEPIG method, the pretreatment (S1), the palladium catalyst application step (S2), the electroless nickel plating treatment (S3), the electroless palladium plating treatment (S4), and the electroless gold plating treatment (S5) are the same as before. You can go to

以下、S1〜S5の各処理段階について順次説明する。
<前処理(S1)>
(1)クリーナー処理(S1a)
前処理の一つであるクリーナー処理(S1a)は、酸性タイプ又はアルカリタイプのクリーナー液を端子表面に接触させることにより、端子表面からの有機被膜除去、端子表面の金属活性化、端子表面の濡れ性向上を図るために行われる。
酸性タイプのクリーナーは、主として端子表面の極薄い部分をエッチングして表面を活性化するものであり、銅端子に有効なものとしては、オキシカルボン酸、アンモニア、食塩、界面活性剤を含有する液(例えば、上村工業(株)のACL−007)が用いられる。
銅端子に有効な別の酸性タイプクリーナーとしては、硫酸、界面活性剤、塩化ナトリウムを含有する液(例えば、上村工業(株)のACL−738)を用いても良く、この液は濡れ性が高い。
アルカリ性タイプのクリーナーは、主として有機被膜を除去するものであり、銅端子に有効なものとしては、ノニオン界面活性剤、2−エタノールアミン、ジエチレントリアミンを含有する液(例えば、上村工業(株)のACL−009)が用いられる。
クリーナー処理を行うには、端子部分に浸漬、スプレー等の方法で上記いずれかのクリーナー液を接触させた後、水洗すればよい。
Hereinafter, each processing stage of S1 to S5 will be described sequentially.
<Preprocessing (S1)>
(1) Cleaner treatment (S1a)
Cleaner treatment (S1a), which is one of the pre-treatments, removes the organic coating from the terminal surface, activates the metal on the terminal surface, and wets the terminal surface by bringing an acidic or alkaline type cleaner solution into contact with the terminal surface. This is done to improve the performance.
The acid type cleaner mainly activates the surface by etching a very thin portion of the terminal surface. As an effective material for the copper terminal, a liquid containing oxycarboxylic acid, ammonia, salt, and a surfactant is used. (For example, ACL-007 of Uemura Kogyo Co., Ltd.) is used.
As another acidic type cleaner effective for copper terminals, a solution containing sulfuric acid, a surfactant, and sodium chloride (for example, ACL-738 of Uemura Kogyo Co., Ltd.) may be used. high.
The alkaline type cleaner mainly removes the organic coating, and as a material effective for the copper terminal, a liquid containing nonionic surfactant, 2-ethanolamine, diethylenetriamine (for example, ACL of Uemura Kogyo Co., Ltd.) -009) is used.
In order to perform the cleaner treatment, any one of the above-mentioned cleaner liquids is brought into contact with the terminal portion by a method such as immersion or spraying, and then washed with water.

(2)ソフトエッチング処理(S1b)
他の前処理であるソフトエッチング処理(S1b)は、端子表面の極薄い部分をエッチングして酸化膜の除去を図るために行われる。銅端子に有効なソフトエッチング液としては、過硫酸ソーダと硫酸を含有する酸性液が用いられる。
ソフトエッチング処理を行うには、端子部分に浸漬、スプレー等の方法で上記ソフトエッチング液を接触させた後、水洗すればよい。
(2) Soft etching process (S1b)
The soft etching process (S1b), which is another pretreatment, is performed in order to remove the oxide film by etching a very thin portion of the terminal surface. As a soft etching solution effective for the copper terminal, an acidic solution containing sodium persulfate and sulfuric acid is used.
In order to perform the soft etching process, the terminal portion is brought into contact with the soft etching solution by a method such as immersion or spraying, and then washed with water.

(3)酸洗処理(S1c)
他の前処理である酸洗処理(S1c)は、端子表面又はその近傍の樹脂表面からスマット(銅微粒子)を除去するために行われる。
銅端子に有効な酸洗液としては、硫酸が用いられる。
酸洗処理を行うには、端子部分に浸漬、スプレー等の方法で上記酸洗液を接触させた後、水洗すればよい。
(3) Pickling treatment (S1c)
The pickling treatment (S1c), which is another pretreatment, is performed to remove smut (copper fine particles) from the terminal surface or the resin surface in the vicinity thereof.
As the pickling solution effective for the copper terminal, sulfuric acid is used.
In order to perform the pickling treatment, the pickling solution may be brought into contact with the terminal portion by a method such as immersion or spraying and then washed with water.

(4)プレディップ処理(S1d)
他の前処理であるプレディップ処理(S1d)は、パラジウム触媒付与工程に先立ち、触媒付与液とほぼ同じ濃度の硫酸に浸ける処理であり、端子表面の親水性を上げて触媒付与液中に含有されるPdイオンに対する付着性を向上したり、触媒付与液への水洗水の流入を避けて触媒付与液の繰り返し再使用を可能としたり、酸化膜除去を図るために行われる。プレディップ液としては、硫酸が用いられる。
プレディップ処理を行うには、端子部分を上記プレディップ液に浸漬する。なお、プレディップ処理後に水洗は行わない。
(4) Pre-dip process (S1d)
The pre-dip treatment (S1d), which is another pretreatment, is a treatment that is immersed in sulfuric acid having substantially the same concentration as the catalyst application liquid prior to the palladium catalyst application process, and is included in the catalyst application liquid by increasing the hydrophilicity of the terminal surface. This is performed to improve the adhesion to Pd ions, to avoid repeated inflow of the washing water into the catalyst application liquid, and to allow repeated reuse of the catalyst application liquid, or to remove the oxide film. As the pre-dip solution, sulfuric acid is used.
In order to perform the pre-dip treatment, the terminal portion is immersed in the pre-dip solution. In addition, water washing is not performed after the pre-dip treatment.

<パラジウム触媒付与工程(S2)>
Pd2+イオンを含有する酸性液(触媒付与液)を端子表面に接触させて、イオン化傾向(Cu+Pd2+→Cu2++Pd)により端子表面でPd2+イオンを金属Pdへ置換する。端子表面に付着したPdは、無電解めっきの触媒として作用する。Pd2+イオン供給源であるパラジウム塩として、硫酸パラジウム又は塩化パラジウムを用いることができる。
硫酸パラジウムは、吸着力が塩化パラジウムより弱く、Pd除去されやすいため、細線形成に適している。銅端子に有効な硫酸パラジウム系触媒付与液としては、硫酸、パラジウム塩、及び、銅塩を含有する強酸液(例えば、上村工業(株)のKAT−450)や、オキシカルボン酸、硫酸、及び、パラジウム塩を含有する強酸液(例えば、上村工業(株)のMNK−4)が用いられる。
一方、塩化パラジウムは、吸着力、置換性が強く、Pd除去されにくいため、めっき未着が起こり易い条件で無電解めっきを行う場合に、めっき未着を防止する効果が得られる。
パラジウム触媒付与工程を行うには、端子部分に浸漬、スプレー等の方法で上記触媒付与液を接触させた後、水洗すればよい。
<Palladium catalyst application step (S2)>
An acidic liquid (catalyst imparting liquid) containing Pd 2+ ions is brought into contact with the terminal surface, and the Pd 2+ ions are replaced with metal Pd on the terminal surface by an ionization tendency (Cu + Pd 2+ → Cu 2+ + Pd). Pd adhering to the terminal surface acts as a catalyst for electroless plating. Palladium sulfate or palladium chloride can be used as a palladium salt which is a Pd 2+ ion supply source.
Palladium sulfate has a lower adsorption power than palladium chloride and is easy to remove Pd, so it is suitable for forming fine wires. As the palladium sulfate-based catalyst imparting solution effective for the copper terminal, sulfuric acid, palladium salt, and strong acid solution containing copper salt (for example, KAT-450 of Uemura Kogyo Co., Ltd.), oxycarboxylic acid, sulfuric acid, and A strong acid solution containing a palladium salt (for example, MNK-4 from Uemura Kogyo Co., Ltd.) is used.
On the other hand, palladium chloride has a strong adsorptive power and displaceability, and is difficult to remove Pd. Therefore, when electroless plating is performed under conditions where plating non-deposition is likely to occur, the effect of preventing non-plating is obtained.
In order to perform the palladium catalyst application step, the catalyst application solution may be brought into contact with the terminal portion by a method such as immersion or spraying, and then washed with water.

<無電解ニッケルめっき処理(S3)>
無電解ニッケルめっき浴としては、例えば、水溶性ニッケル塩、還元剤及び錯化剤を含有するめっき浴を用いることができる。無電解ニッケルめっき浴の詳細は、例えば、特開平8−269726号公報などに記載されている。
水溶性ニッケル塩としては、硫酸ニッケル、塩化ニッケル等を用い、その濃度を0.01〜1モル/リットル程度とする。
還元剤としては、次亜リン酸、次亜リン酸ナトリウム等の次亜リン酸塩、ジメチルアミンボラン、トリメチルアミンボラン、ヒドラジン等を用い、その濃度を0.01〜1モル/リットル程度とする。
錯化剤としては、りんご酸、こはく酸、乳酸、クエン酸などやそのナトリウム塩などのカルボン酸類、グリシン、アラニン、イミノジ酢酸、アルギニン、グルタミン酸等のアミノ酸類を用い、その濃度を0.01〜2モル/リットル程度とする。
このめっき浴を、pH4〜7に調整し、浴温度40〜90℃程度で使用する。このめっき浴に還元剤として次亜リン酸を用いる場合、銅端子表面で次の主反応がPd触媒によって進行し、Niめっき被膜が形成される。
Ni2+ + HPO + HO +2e → Ni + HPO + H
<Electroless nickel plating treatment (S3)>
As the electroless nickel plating bath, for example, a plating bath containing a water-soluble nickel salt, a reducing agent and a complexing agent can be used. Details of the electroless nickel plating bath are described, for example, in JP-A-8-269726.
As the water-soluble nickel salt, nickel sulfate, nickel chloride or the like is used, and its concentration is set to about 0.01 to 1 mol / liter.
As the reducing agent, hypophosphite such as hypophosphorous acid and sodium hypophosphite, dimethylamine borane, trimethylamine borane, hydrazine and the like are used, and the concentration is set to about 0.01 to 1 mol / liter.
As the complexing agent, carboxylic acids such as malic acid, succinic acid, lactic acid, citric acid, and sodium salts thereof, and amino acids such as glycine, alanine, iminodiacetic acid, arginine, and glutamic acid are used, and the concentration is 0.01 to About 2 mol / liter.
The plating bath is adjusted to pH 4-7 and used at a bath temperature of about 40-90 ° C. When hypophosphorous acid is used as a reducing agent in this plating bath, the next main reaction proceeds on the copper terminal surface by the Pd catalyst, and a Ni plating film is formed.
Ni 2+ + H 2 PO 2 + H 2 O + 2e → Ni + H 2 PO 3 + H 2

<無電解パラジウムめっき処理(S4)>
無電解パラジウムめっき浴としては、例えば、パラジウム化合物、錯化剤、還元剤、不飽和カルボン酸化合物を含有するめっき浴を用いることができる。
パラジウム化合物としては、例えば、塩化パラジウム、硫酸パラジウム、酢酸パラジウム、硝酸パラジウム、テトラアンミンパラジウム塩酸塩などを用い、その濃度をパラジウム基準として、0.001〜0.5モル/リットル程度とする。
錯化剤としては、アンモニア、或いはメチルアミン、ジメチルアミン、メチレンジアミン、EDTA等のアミン化合物などを用い、その濃度を0.001〜10モル/リットル程度とする。
還元剤としては、次亜リン酸、或いは次亜リン酸ナトリウム、次亜リン酸アンモニウム等の次亜リン酸塩などを用い、その濃度を0.001〜5モル/リットル程度とする。
不飽和カルボン酸化合物としては、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸等の不飽和カルボン酸、それらの無水物、それらのナトリウム塩、アンモニウム塩等の塩、それらのエチルエステル、フェニルエステル等の誘導体などを用い、その濃度を0.001〜10モル/リットル程度とする。
このめっき浴を、pH4〜10に調整し、浴温度40〜90℃程度で使用する。このめっき浴に還元剤として次亜リン酸を用いる場合、銅端子表面(実際にはニッケル表面)で次の主反応が進行し、Pdめっき被膜が形成される。
Pd2+ + HPO + HO→ Pd + HPO + 2H
<Electroless palladium plating treatment (S4)>
As the electroless palladium plating bath, for example, a plating bath containing a palladium compound, a complexing agent, a reducing agent, and an unsaturated carboxylic acid compound can be used.
As the palladium compound, for example, palladium chloride, palladium sulfate, palladium acetate, palladium nitrate, tetraammine palladium hydrochloride and the like are used, and the concentration is about 0.001 to 0.5 mol / liter based on palladium.
As the complexing agent, ammonia or an amine compound such as methylamine, dimethylamine, methylenediamine, EDTA or the like is used, and the concentration is set to about 0.001 to 10 mol / liter.
As the reducing agent, hypophosphorous acid or hypophosphite such as sodium hypophosphite or ammonium hypophosphite is used, and its concentration is set to about 0.001 to 5 mol / liter.
Examples of unsaturated carboxylic acid compounds include unsaturated carboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid, and maleic acid, anhydrides thereof, salts such as sodium salts and ammonium salts thereof, derivatives such as ethyl esters and phenyl esters thereof, and the like. The concentration is about 0.001 to 10 mol / liter.
The plating bath is adjusted to pH 4 to 10 and used at a bath temperature of about 40 to 90 ° C. When hypophosphorous acid is used as a reducing agent in this plating bath, the following main reaction proceeds on the copper terminal surface (actually the nickel surface), and a Pd plating film is formed.
Pd 2+ + H 2 PO 2 + H 2 O → Pd + H 2 PO 3 + 2H +

<無電解金めっき処理(S5)>
無電解金めっき浴としては、例えば、水溶性金化合物、錯化剤、及びアルデヒド化合物を含有するめっき浴を用いることができる。無電解金めっき浴の詳細は、例えば、特開2008−144188号公報などに記載されている。
水溶性金化合物としては、例えば、シアン化金、シアン化金カリウム、シアン化金ナトリウム、シアン化金アンモニウム等のシアン化金塩を用い、その濃度を金基準で0.0001〜1モル/リットル程度とする。
錯化剤としては、例えば、リン酸、ホウ酸、クエン酸、グルコン酸、酒石酸、乳酸、リンゴ酸、エチレンジアミン、トリエタノールアミン、エチレンジアミン四酢酸などを用い、その濃度を0.001〜1モル/リットル程度とする。
アルデヒド化合物(還元剤)としては、例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド等の脂肪族飽和アルデヒド、グリオキサール、スクシンジアルデヒド等の脂肪族ジアルデヒド、クロトンアルデヒド等の脂肪族不飽和アルデヒド、ベンズアルデヒド、o−,m−又はp−ニトロベンズアルデヒド等の芳香族アルデヒド、グルコース、ガラクトース等のアルデヒド基(−CHO)を有する糖類などを用い、その濃度を0.0001〜0.5モル/リットル程度とする。
このめっき浴を、pH5〜10に調整し、浴温度40〜90℃程度で使用する。このめっき浴を用いる場合、銅端子表面(実際にはパラジウム表面)で次の2つの置換反応が進行し、Auめっき被膜が形成される。
Pd + Au → Pd2+ + Au + e
(Au自動触媒の作用により、めっき浴中成分を酸化して獲得する)+ Au→Au
<Electroless gold plating treatment (S5)>
As the electroless gold plating bath, for example, a plating bath containing a water-soluble gold compound, a complexing agent, and an aldehyde compound can be used. Details of the electroless gold plating bath are described in, for example, JP-A-2008-144188.
As the water-soluble gold compound, for example, a gold cyanide salt such as gold cyanide, potassium gold cyanide, sodium gold cyanide, ammonium gold cyanide is used, and the concentration thereof is 0.0001 to 1 mol / liter based on gold. To the extent.
As the complexing agent, for example, phosphoric acid, boric acid, citric acid, gluconic acid, tartaric acid, lactic acid, malic acid, ethylenediamine, triethanolamine, ethylenediaminetetraacetic acid and the like are used, and the concentration is 0.001-1 mol / Use about liters.
Examples of aldehyde compounds (reducing agents) include aliphatic saturated aldehydes such as formaldehyde and acetaldehyde, aliphatic dialdehydes such as glyoxal and succindialdehyde, aliphatic unsaturated aldehydes such as crotonaldehyde, benzaldehyde, o-, m- Alternatively, an aromatic aldehyde such as p-nitrobenzaldehyde, a saccharide having an aldehyde group (—CHO) such as glucose or galactose is used, and the concentration is set to about 0.0001 to 0.5 mol / liter.
The plating bath is adjusted to pH 5 to 10 and used at a bath temperature of about 40 to 90 ° C. When this plating bath is used, the following two substitution reactions proceed on the copper terminal surface (actually the palladium surface), and an Au plating film is formed.
Pd + Au + → Pd 2+ + Au + e
e (Acquired by oxidizing the components in the plating bath by the action of the Au autocatalyst) + Au + → Au

上記手順を経て、プリント配線板の最外層回路の端子部分に品質の良いNi−Pd−Auめっき被膜が形成され、且つ、端子領域7の樹脂表面には異常析出が無い品質の良いめっき処理面が確保される。
上記方法で製造された本発明のプリント配線板上に半導体素子を実装し、接続信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
Through the above procedure, a high quality Ni-Pd-Au plating film is formed on the terminal portion of the outermost circuit of the printed wiring board, and there is no abnormal precipitation on the resin surface of the terminal region 7. Is secured.
By mounting a semiconductor element on the printed wiring board of the present invention manufactured by the above method, a semiconductor device with high connection reliability can be manufactured.

以下において、実施例を示して本発明を更に詳細に説明するが、これに限定されるものではない。
(テストピースの作成)
後述する実施例及び比較例で共通して用いるテストピース(銅回路付き基板)を、次の手順で作成した。
(1)3μm銅箔付きの全厚0.1mm銅張積層板(日立化成製MCL−E−679FG)を5%塩酸により表面処理する。
(2)銅張積層板の銅箔表面に、セミアディティブ用ドライフィルム(旭化成製UFG−255)をロールラミネーターによりラミネートする。
(3)上記ドライフィルムを所定パターン状に露光(平行光露光機:小野測器製EV−0800、露光条件:露光量140mJ)、現像(スプレー型装置、現像液:1%炭酸ナトリウム水溶液、現像時間:40秒)する。パターン状の露出部に電解銅めっき処理を行って20μm厚の電解銅めっき皮膜を形成し、ドライフィルムを剥離(剥離液:三菱ガス化学製R−100、剥離時間:240秒)する。
(4)剥離後、フラッシュエッチング処理(荏原電産製SACプロセス)により、3μm銅箔シード層を除去する。
(5)その後、回路粗化処理(粗化処理液:メック(株)製CZ8101、1μm粗化条件)を実施し、ライン/スペース(L/S)=70/30μmの銅回路を有するテストピースを作成した。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.
(Create test piece)
A test piece (a substrate with a copper circuit) used in common in Examples and Comparative Examples to be described later was prepared by the following procedure.
(1) A surface treatment is performed with 5% hydrochloric acid on a 0.1 mm thick copper-clad laminate (MCL-E-679FG manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) with a 3 μm copper foil.
(2) A semi-additive dry film (UFG-255 manufactured by Asahi Kasei) is laminated on the copper foil surface of the copper clad laminate by a roll laminator.
(3) Exposure of the dry film in a predetermined pattern (parallel light exposure machine: EV-0800 manufactured by Ono Sokki, exposure condition: exposure amount 140 mJ), development (spray type apparatus, developer: 1% aqueous sodium carbonate solution, development (Time: 40 seconds). An electrolytic copper plating process is performed on the pattern-like exposed portion to form an electrolytic copper plating film having a thickness of 20 μm, and the dry film is peeled off (stripping solution: R-100, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical, stripping time: 240 seconds).
(4) After peeling, the 3 μm copper foil seed layer is removed by flash etching (SAC process manufactured by Ebara Densan).
(5) Thereafter, circuit roughening treatment (roughening solution: CZ8101, manufactured by MEC Co., Ltd., 1 μm roughening condition) is performed, and a test piece having a copper circuit of line / space (L / S) = 70/30 μm It was created.

<実施例1>
上記で得られたテストピースの銅回路形成面に、ソルダーレジスト(太陽インキ製AUS703)をスクリーン印刷により塗布、乾燥後、ENEPIG法によるめっき処理がなされる端子形成部のみが開口され、前記銅張り積層板の樹脂部分が露出しないように露光(平行光露光機:小野測器製EV−0800、露光条件:露光量235mJ)、現像(スプレー型装置、現像液:1%炭酸ナトリウム水溶液、現像時間:120秒)、ポストキュア(150℃、1時間)、ポスト露光(小野測器製EV−0800、露光条件:露光量1000mJ)した。これにより、銅回路上の所定の位置に直径60μmの円状の開口部を形成した。
<Example 1>
After applying a solder resist (Taiyo Ink AUS703) to the copper circuit forming surface of the test piece obtained above by screen printing and drying, only the terminal forming part that is plated by the ENEPIG method is opened, and the copper-clad Exposure (parallel light exposure machine: EV-0800 manufactured by Ono Sokki, exposure condition: exposure amount 235 mJ), development (spray type device, developer: 1% sodium carbonate aqueous solution, development time so as not to expose the resin part of the laminate : 120 seconds), post-cure (150 ° C., 1 hour), post-exposure (EV-0800 manufactured by Ono Sokki, exposure condition: exposure 1000 mJ). Thereby, a circular opening having a diameter of 60 μm was formed at a predetermined position on the copper circuit.

前記開口部に、次の手順で、後述する実施例2および比較例1と共通するENEPIG工程を行った。
(1)クリーナー処理
クリーナー液として上村工業(株)製ACL−007を用い、上記テストピースを液温50℃のクリーナー液に5分間浸漬した後、3回水洗した。
(2)ソフトエッチング処理
クリーナー処理後、ソフトエッチング液として過硫酸ソーダと硫酸の混液を用い、上記テストピースを液温25℃のソフトエッチング液に1分間浸漬した後、3回水洗した。
(3)酸洗処理
ソフトエッチング処理後、上記テストピースを液温25℃の硫酸に1分間浸漬した後、3回水洗した。
(4)プレディップ処理
酸洗処理後、上記テストピースを液温25℃の硫酸に1分間浸漬した。
(5)パラジウム触媒付与工程
プレディップ処理後、端子部分にパラジウム触媒を付与するために、パラジウム触媒付与液として上村工業(株)製KAT−450を用いた。上記テストピースを、液温25℃の当該パラジウム触媒付与液に2分間浸漬した後、3回水洗した。
(6)無電解Niめっき処理
パラジウム触媒付与工程の後、上記テストピースを液温80℃の無電解Niめっき浴(上村工業(株)製NPR−4)に35分間浸漬した後、3回水洗した。
(7)無電解Pdめっき処理
無電解Niめっき処理後、上記テストピースを液温50℃の無電解Pdめっき浴(上村工業(株)製TPD−30)に5分間浸漬した後、3回水洗した。
(8)無電解Auめっき処理
無電解Pdめっき処理後、上記テストピースを液温80℃の無電解Auめっき浴(上村工業(株)製TWX−40)に30分間浸漬した後、3回水洗した。
The ENEPIG process common to Example 2 and Comparative Example 1 described later was performed on the opening by the following procedure.
(1) Cleaner treatment ACL-007 manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd. was used as a cleaner liquid, and the test piece was immersed in a cleaner liquid at a liquid temperature of 50 ° C. for 5 minutes and then washed with water three times.
(2) Soft Etching Treatment After the cleaner treatment, a mixed solution of sodium persulfate and sulfuric acid was used as a soft etching solution, the test piece was immersed in a soft etching solution at a liquid temperature of 25 ° C. for 1 minute, and then washed with water three times.
(3) Pickling treatment After the soft etching treatment, the test piece was immersed in sulfuric acid having a liquid temperature of 25 ° C. for 1 minute, and then washed with water three times.
(4) Pre-dip treatment After the pickling treatment, the test piece was immersed in sulfuric acid having a liquid temperature of 25 ° C. for 1 minute.
(5) Palladium catalyst provision process After pre-dip treatment, in order to provide a palladium catalyst to a terminal part, KAT-450 by Uemura Kogyo Co., Ltd. was used as a palladium catalyst provision liquid. The test piece was immersed in the palladium catalyst application solution at a liquid temperature of 25 ° C. for 2 minutes and then washed with water three times.
(6) Electroless Ni plating treatment After the palladium catalyst application step, the test piece was immersed in an electroless Ni plating bath (NPR-4 manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) at a liquid temperature of 80 ° C. for 35 minutes, and then washed three times with water. did.
(7) Electroless Pd plating treatment After the electroless Ni plating treatment, the test piece was immersed in an electroless Pd plating bath (TPD-30 manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) at a liquid temperature of 50 ° C. for 5 minutes, and then washed with water three times. did.
(8) Electroless Au plating treatment After the electroless Pd plating treatment, the test piece was immersed in an electroless Au plating bath (TWX-40 manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.) at a liquid temperature of 80 ° C. for 30 minutes, and then washed with water three times. did.

<実施例2>
上記で得られたテストピースの銅回路形成面に、熱硬化性絶縁層(住友ベークライト製BLα3700GS)をラミネート形成し、熱硬化処理(条件200℃、1時間)を実施した。ENEPIG法によるめっき処理がなされる端子形成部のみが開口され、前記銅張り積層板の樹脂部分が露出しないように、波長が355nmのUV−YAGレーザー(三菱電機製ML605LDX、加工条件:40μJ、50ショット)にて、熱硬化性絶縁層への穴あけ加工、デスミア処理(アトテック製スウェリングディップセキュリガントPプロセス)を行い、銅回路上の所定の位置に直径60μmの円状の開口部を形成した。前記開口部には、実施例1と同様にENEPIG工程を行った。
<Example 2>
A thermosetting insulating layer (BLα3700GS manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) was laminated on the copper circuit formation surface of the test piece obtained above, and a thermosetting treatment (conditions 200 ° C., 1 hour) was performed. Only a terminal forming portion to be plated by the ENEPIG method is opened, and a UV-YAG laser having a wavelength of 355 nm (ML605LDX manufactured by Mitsubishi Electric, processing conditions: 40 μJ, 50 so that the resin portion of the copper-clad laminate is not exposed) Shot), a hole was formed in the thermosetting insulating layer, and desmear processing (Atotech Swelling Dip Securigant P process) was performed to form a circular opening with a diameter of 60 μm at a predetermined position on the copper circuit. . An ENEPIG process was performed on the opening in the same manner as in Example 1.

<比較例1>
テストピースの銅回路形成面に、ソルダーレジスト(太陽インキ製AUS703)をスクリーン印刷により塗布、乾燥後、ENEPIG法によるめっき処理がなされる端子形成部を少なくとも2箇所包含するように開口し、前記銅張り積層板の樹脂部分が露出するように露光した以外は、実施例1と同様に加工した。
<Comparative Example 1>
Solder resist (Taiyo Ink AUS703) is applied on the copper circuit forming surface of the test piece by screen printing, dried, and then opened to include at least two terminal forming portions that are plated by the ENEPIG method. It processed like Example 1 except having exposed so that the resin part of a tension laminated board might be exposed.

各実施例及び比較例で得られたENEPIG工程後のテストピースについて、以下の評価を行った。   The following evaluation was performed about the test piece after the ENEPIG process obtained by each Example and the comparative example.

<異常析出の有無>
テストピースの端子間を実体顕微鏡により観察することで異常析出の有無を確認した。
<Existence of abnormal precipitation>
The presence or absence of abnormal precipitation was confirmed by observing the terminals of the test pieces with a stereomicroscope.

<ショート不良の有無>
テストピースの外周部に設けられた絶縁チェック用パッドを導通試験機(HIOKI製Hightester1116)により、ショート不良発生有無を確認した。
<Presence / absence of short circuit>
The insulation check pad provided on the outer periphery of the test piece was checked for the presence or absence of short-circuit defects by a continuity tester (Hightester 1116 manufactured by HIOKI).

得られた結果を表1に示す。   The obtained results are shown in Table 1.

Figure 2011258597
Figure 2011258597

1 プリント配線板
2 コア基板
3(3a、3b、3c、3d) 上面側の導体回路層
4(4a、4b、4c、4d、4e、4f) 層間絶縁層
4c’ 支持表面
4c’’ 絶縁層
5(5a、5b、5c、5d) 下面側の導体回路層
6 ソルダーレジスト層
6a 開口部
6b 開口部
7 端子領域
7a パッド部
7b パッド部近傍の回路
7c パッド部
8 ニッケル−パラジウム−金メッキ層
10 半導体装置
11 半導体素子
12 電極パッド
13 ダイボンド材硬化層
14 金線
15 封止材
16 キャリアフィルム
17 バイアホール
18 無電解めっき層
19 めっきレジスト
20 電解めっき層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Printed wiring board 2 Core board | substrate 3 (3a, 3b, 3c, 3d) The upper surface side conductor circuit layer 4 (4a, 4b, 4c, 4d, 4e, 4f) Interlayer insulating layer 4c 'Support surface 4c''Insulating layer 5 (5a, 5b, 5c, 5d) Conductor layer 6 on the lower surface side Solder resist layer 6a Opening 6b Opening 7 Terminal area 7a Pad 7b Circuit in the vicinity of the pad 7c Pad 8 Nickel-palladium-gold plating layer 10 Semiconductor device DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Semiconductor element 12 Electrode pad 13 Die bond material hardening layer 14 Gold wire 15 Sealing material 16 Carrier film 17 Via hole 18 Electroless plating layer 19 Plating resist 20 Electrolytic plating layer

Claims (16)

金メッキ金属微細パターン付き基材であって、
樹脂からなる支持表面を有する基材の当該支持表面上に、金属微細パターンと、当該金属微細パターンを設けた領域を被覆するソルダーレジスト層が設けられ、
前記ソルダーレジスト層は、前記金属微細パターンの少なくとも一部の表面を露出させ、且つ、前記支持表面が露出していない開口部を有し、
前記金属微細パターンの前記ソルダーレジスト層の開口部において露出した部分が、ニッケル−パラジウム−金メッキ層及びニッケル−金メッキ層よりなる群から選ばれる複合金メッキ層で被覆されていることを特徴とする、金メッキ金属微細パターン付き基材。
A substrate with a gold-plated metal fine pattern,
On the support surface of the base material having a support surface made of resin, a solder resist layer is provided to cover the metal fine pattern and the region provided with the metal fine pattern,
The solder resist layer has an opening that exposes at least a part of the surface of the fine metal pattern, and the support surface is not exposed,
The exposed portion of the opening of the solder resist layer of the metal fine pattern is covered with a composite gold plating layer selected from the group consisting of a nickel-palladium-gold plating layer and a nickel-gold plating layer. Base material with metal fine pattern.
前記金属微細パターンの複合金メッキ層を有する領域のラインアンドスペース(L/S)が5/5〜100/100μmである、請求項1に記載の金属微細パターン付き基材。   The substrate with a metal fine pattern according to claim 1, wherein a line and space (L / S) of a region having the composite gold plating layer of the metal fine pattern is 5/5 to 100/100 μm. プリント配線板であって、
樹脂からなる支持表面を有するプリント配線板用基材の当該支持表面上に、導体回路と、当該導体回路を設けた領域を被覆するソルダーレジスト層が設けられ、
前記ソルダーレジスト層は、前記導体回路の少なくとも一部の表面を露出させ、且つ、前記支持表面が露出していない開口部を有し、
前記導体回路の前記ソルダーレジスト層の開口部において露出した部分が、ニッケル−パラジウム−金メッキ層及びニッケル−金メッキ層よりなる群から選ばれる複合金メッキ層で被覆されていることを特徴とする、プリント配線板。
A printed wiring board,
On the support surface of the printed wiring board substrate having a support surface made of a resin, a solder resist layer is provided to cover the conductor circuit and the region where the conductor circuit is provided,
The solder resist layer has an opening that exposes at least a part of the surface of the conductor circuit and does not expose the support surface;
The printed wiring, wherein the exposed portion of the opening of the solder resist layer of the conductor circuit is covered with a composite gold plating layer selected from the group consisting of a nickel-palladium-gold plating layer and a nickel-gold plating layer. Board.
前記導体回路の複合金メッキ層を有する領域のラインアンドスペース(L/S)が5/5〜100/100μmである、請求項3に記載のプリント配線板。   The printed wiring board of Claim 3 whose line and space (L / S) of the area | region which has the composite gold plating layer of the said conductor circuit is 5 / 5-100 / 100 micrometers. 前記導体回路の複合金メッキ層を有する領域が、端子を形成する領域である、請求項3又は4に記載のプリント配線板。   The printed wiring board according to claim 3 or 4, wherein the region having the composite gold plating layer of the conductor circuit is a region for forming a terminal. 前記請求項5に記載のプリント配線板に半導体素子を搭載し、当該プリント配線板の端子と半導体素子の出入力部をペリフェラル配置により接続したことを特徴とする半導体装置。   6. A semiconductor device, wherein a semiconductor element is mounted on the printed wiring board according to claim 5, and a terminal of the printed wiring board and an input / output portion of the semiconductor element are connected by a peripheral arrangement. 金メッキ金属微細パターン付き基材の製造方法であって、
樹脂からなる支持表面上に、金属微細パターンを有する金属微細パターン付き基材を準備する工程と、
当該金属微細パターンの少なくとも一部の表面に、無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ処理及び無電解ニッケル−金メッキ処理よりなる群から選ばれる金メッキ処理を行う工程と、を含む金メッキ金属微細パターン付き基材を製造する方法であって、
前記金属微細パターン付き基材の金属微細パターン形成面を、ソルダーレジスト層で被覆し、
前記金属微細パターンの所定領域の上に存在するソルダーレジスト層を選択的に除去して、前記金属微細パターンの一部が露出し且つ前記樹脂からなる支持表面が露出していない開口部を形成し、
当該開口部において露出した金属微細パターンに前記金メッキ処理を行うことを特徴とする、金メッキ金属微細パターン付き基材の製造方法。
A method of manufacturing a substrate with a gold-plated metal fine pattern,
A step of preparing a substrate with a metal fine pattern having a metal fine pattern on a support surface made of a resin;
Performing a gold plating process selected from the group consisting of an electroless nickel-palladium-gold plating process and an electroless nickel-gold plating process on at least a part of the surface of the metal fine pattern, A method of manufacturing comprising:
The metal fine pattern forming surface of the substrate with the metal fine pattern is covered with a solder resist layer,
A solder resist layer existing on a predetermined region of the metal fine pattern is selectively removed to form an opening in which a part of the metal fine pattern is exposed and the support surface made of the resin is not exposed. ,
A method for producing a substrate with a gold-plated metal fine pattern, wherein the gold-plating process is performed on the metal fine pattern exposed in the opening.
感光性ソルダーレジストを用いて前記ソルダーレジスト層を形成し、フォトリソグラフィーのプロセスでソルダーレジスト層の一部を選択的に除去することによって前記開口部を形成する、請求項7に記載の製造方法。   The manufacturing method according to claim 7, wherein the solder resist layer is formed using a photosensitive solder resist, and the opening is formed by selectively removing a part of the solder resist layer by a photolithography process. 前記ソルダーレジスト層にレーザーを照射してソルダーレジスト層の一部を選択的に除去することによって前記開口部を形成する、請求項7に記載の製造方法。   The manufacturing method of Claim 7 which forms the said opening part by irradiating a laser to the said soldering resist layer and selectively removing a part of soldering resist layer. 前記金属微細パターンの金メッキ処理を行う領域のラインアンドスペース(L/S)が5/5〜100/100μmである、請求項7乃至9のいずれか1項に記載の製造方法。   The manufacturing method according to any one of claims 7 to 9, wherein a line and space (L / S) of a region in which the metal fine pattern is subjected to gold plating is 5/5 to 100/100 µm. プリント配線板の製造方法であって、
樹脂からなる支持表面上に、導体回路を有する導体回路付き基材を準備する工程と、
当該導体回路の少なくとも一部の表面に、無電解ニッケル−パラジウム−金メッキ処理及び無電解ニッケル−金メッキ処理よりなる群から選ばれる金メッキ処理を行う工程と、を含むプリント配線板を製造する方法であって、
前記導体回路付き基材の導体回路形成面を、ソルダーレジスト層で被覆し、
前記導体回路の所定領域の上に存在するソルダーレジスト層を選択的に除去して、前記導体回路の一部が露出し且つ前記樹脂からなる支持表面が露出していない開口部を形成し、
当該開口部において露出した導体回路に前記金メッキ処理を行うことを特徴とする、プリント配線板の製造方法。
A method of manufacturing a printed wiring board,
Preparing a base material with a conductor circuit having a conductor circuit on a support surface made of a resin;
Performing a gold plating process selected from the group consisting of an electroless nickel-palladium-gold plating process and an electroless nickel-gold plating process on at least a part of the surface of the conductor circuit. And
The conductor circuit forming surface of the substrate with the conductor circuit is covered with a solder resist layer,
Selectively removing a solder resist layer present on a predetermined region of the conductor circuit to form an opening in which a part of the conductor circuit is exposed and the support surface made of the resin is not exposed;
A method of manufacturing a printed wiring board, wherein the gold plating process is performed on a conductor circuit exposed in the opening.
感光性ソルダーレジストを用いて前記ソルダーレジスト層を形成し、フォトリソグラフィーのプロセスでソルダーレジスト層の一部を選択的に除去することによって前記開口部を形成する、請求項11に記載の製造方法。   The manufacturing method according to claim 11, wherein the solder resist layer is formed using a photosensitive solder resist, and the openings are formed by selectively removing a part of the solder resist layer by a photolithography process. 前記ソルダーレジスト層にレーザーを照射してソルダーレジスト層の一部を選択的に除去することによって前記開口部を形成する、請求項11に記載の製造方法。   The manufacturing method of Claim 11 which forms the said opening part by irradiating a laser to the said soldering resist layer and selectively removing a part of soldering resist layer. 前記導体回路の金メッキ処理を行う領域のラインアンドスペース(L/S)が5/5〜100/100μmである、請求項11乃至13のいずれか1項に記載の製造方法。   The manufacturing method according to any one of claims 11 to 13, wherein a line and space (L / S) of a region in which the gold plating treatment of the conductor circuit is performed is 5/5 to 100/100 µm. 前記導体回路の複合金メッキ層を有する領域が、端子を形成する領域である、請求項11乃至14のいずれか1項に記載の製造方法。   The manufacturing method according to claim 11, wherein the region having the composite gold plating layer of the conductor circuit is a region in which a terminal is formed. 前記請求項11乃至15のいずれか1項に記載の製造方法で得られたプリント配線板に半導体素子を搭載し、当該プリント配線板の端子と半導体素子の出入力部をペリフェラル配置により接続することを特徴とする、半導体装置の製造方法。   A semiconductor element is mounted on the printed wiring board obtained by the manufacturing method according to any one of claims 11 to 15, and a terminal of the printed wiring board and an input / output portion of the semiconductor element are connected by a peripheral arrangement. A method for manufacturing a semiconductor device.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014053608A (en) * 2012-09-10 2014-03-20 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd Circuit board and production method of the same
CN114190012A (en) * 2021-12-02 2022-03-15 深圳市金晟达电子技术有限公司 Manufacturing method of chip carrier and chip carrier

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004186231A (en) * 2002-11-29 2004-07-02 Ngk Spark Plug Co Ltd Process for producing wiring board
JP2005256128A (en) * 2004-03-15 2005-09-22 Renesas Technology Corp Plating method
JP2006339609A (en) * 2005-06-06 2006-12-14 Kyocer Slc Technologies Corp Wiring board and manufacturing method of the same
JP2010040936A (en) * 2008-08-07 2010-02-18 Kyocer Slc Technologies Corp Wiring board and method of manufacturing the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004186231A (en) * 2002-11-29 2004-07-02 Ngk Spark Plug Co Ltd Process for producing wiring board
JP2005256128A (en) * 2004-03-15 2005-09-22 Renesas Technology Corp Plating method
JP2006339609A (en) * 2005-06-06 2006-12-14 Kyocer Slc Technologies Corp Wiring board and manufacturing method of the same
JP2010040936A (en) * 2008-08-07 2010-02-18 Kyocer Slc Technologies Corp Wiring board and method of manufacturing the same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014053608A (en) * 2012-09-10 2014-03-20 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd Circuit board and production method of the same
CN114190012A (en) * 2021-12-02 2022-03-15 深圳市金晟达电子技术有限公司 Manufacturing method of chip carrier and chip carrier
CN114190012B (en) * 2021-12-02 2023-02-28 深圳市金晟达电子技术有限公司 Manufacturing method of chip carrier plate and chip carrier plate

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