KR20110126528A - 용량성 터치 패널 및 용량성 터치 패널에서 금속 전도체의 투명도를 감소하는 방법 - Google Patents

용량성 터치 패널 및 용량성 터치 패널에서 금속 전도체의 투명도를 감소하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20110126528A
KR20110126528A KR1020110034870A KR20110034870A KR20110126528A KR 20110126528 A KR20110126528 A KR 20110126528A KR 1020110034870 A KR1020110034870 A KR 1020110034870A KR 20110034870 A KR20110034870 A KR 20110034870A KR 20110126528 A KR20110126528 A KR 20110126528A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
metal
layer
electrode
conductor
low reflective
Prior art date
Application number
KR1020110034870A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101255825B1 (ko
Inventor
리 유-웬
린 칭-산
Original Assignee
티피케이 터치 솔루션즈 (씨아먼) 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 티피케이 터치 솔루션즈 (씨아먼) 인코포레이티드 filed Critical 티피케이 터치 솔루션즈 (씨아먼) 인코포레이티드
Publication of KR20110126528A publication Critical patent/KR20110126528A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101255825B1 publication Critical patent/KR101255825B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0443—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04111—Cross over in capacitive digitiser, i.e. details of structures for connecting electrodes of the sensing pattern where the connections cross each other, e.g. bridge structures comprising an insulating layer, or vias through substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Position Input By Displaying (AREA)

Abstract

본 발명은 일반적으로 용량성 터치 패널, 및 용량성 터치 패널에서 금속 전도체의 투명도를 감소시키는 방법에 관한 것이다. 용량성 터치 패널은 실질적으로 투명 기판, 및 기판상에 복수의 전극 패턴을 포함한다. 전극 패턴은 적어도 두 개의 전도체 셀 및 하나의 금속 전도체를 포함한다. 전도체 셀은 각각으로부터 분리되며, 금속 전도체에 의해 연결된다. 금 속 전도체는 흡광층으로 코팅된다. 본 발명은 또한 금속 전도체의 투명도를 감소시키며 좋은 광학 성능을 얻기 위하여, 금속 전도체로부터 빛의 반사율을 감소시키기 위하여 금속 전도체 상에 검정 혹은 어두운 색의 낮은 반사 층을 코팅하는 방법을 제공한다.

Description

용량성 터치 패널 및 용량성 터치 패널에서 금속 전도체의 투명도를 감소하는 방법{CAPACITIVE TOUCH PANEL AND METHOD OF REDUCING VISIBILITY OF METAL CONDUCTORS IN THE SAME}
본 발명은 일반적으로 용량성 터치(capacitive touch) 기술에 관한 것으로서, 더 자세히는, 단층 투명 전도성 구조를 갖는 용량성 터치 패널 및 용량성 터치 패널에서 금속 전도체의 투명도(visibility)를 감소시키는 방법에 관한 것이다.
용량성 터치 패널은 인체 및 감지 전극(sensing electrode) 사이의 전류 감지 효과에 의해 작동한다. 일반적으로, 용량성 터치 패널은 실질적으로 투명 기판(substantially transparent substrate), 전극 패턴(electrode pattern) 및 패시베이션 층(passivation layer)을 포함한다. 전극 패턴은 터치 작용을 감지하며 그에 따라 터치 신호를 생성하기 위하여 실질적으로 투명 기판상에 중첩된다. 유저(user)가 터치 패널을 터치할 때, 일부 전하는 전류 신호를 형성하기 위하여 없어지며, 그때에 금속 트레이스(metal trace)에 의해 프로세서(processor)로 전달된다. 프로세서는 신호에 따라 터치된 위치를 결정한다.
용량성 터치 패널의 전극 패턴은 실질적으로 투명한 전도성 재료, 예를 들면 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO) 또는 안티몬 주석 산화물(Antomony Tin Oxide, ATO)로 만들어진 실질적으로 투명한 전도성 층을 코팅하거나, 에칭(etching)하거나 혹은 프린팅함으로써 형성될 수 있다. 전극 패턴은 일부 전도체 셀 및 그러한 두 전도체 셀에 연결되는 전기 전도체를 포함한다. 종래의 용량성 터치 패널은 전극 패턴의 구조에 따라 단일 층인듐 주석 산화물 구조 혹은 이중 층 인듐 주석 산화물 구조중의 하나일 수 있다. 단일 층 인듐 주석 산화물 구조는 하나의 층 위에 서로 다른 축 전극(axial electrode)을 갖는 구조이다. 이중 층 인듐 주석 산화물 구조는 두 개의 층 위에 위치하는 두 개의 서로 다른 축 전극을 갖는 구조이다.
도 1, 도 2 및 도 3을 참조하면, 단일 층 인듐 주석 산화물 구조를 갖는 하나의 용량성 터치 패널(10)은 실질적으로 하나의 투명 기판(1), 하나의 전극 패턴(2) 및 하나의 패시베이션 층(4)을 포함한다. 패시베이션 층(4)은 용량성 터치 패널(10)의 가장 바깥쪽의 층이며, 전극 패턴(2) 상을 덮는다. 전극 패턴(2)은 실질적으로 투명 기판(1) 상에 중첩되며, 실질적으로 투명 기판(1)의 표면상에 배열되는 적어도 하나의 제 1 전극(first electrode, 21) 및 적어도 하나의 제 2 전극(second electrode, 22)를 포함한다. 절연 층(insulating layer, 3)은 적어도 하나의 절연체(31)를 포함한다. 제 1 전극(21)은 절연체(31)에 의해 제 2 전극(22)으로부터 절연된다.
게다가, 제 1 전극(21)은 복수의 제 1 전도체 셀(211) 및 복수의 제 1 전기 전도체(212)를 포함한다. 제 1 전기 전도체(212)는 하나의 제 1 전극(21) 내의 인접한 두 개의 제 1 전도체 셀(211)을 연결한다. 제 2 전극(22)은 적어도 하나의 제 2 전도체 셀(221) 및 적어도 하나의 제 2 전기 전도체(222)를 포함한다. 제 2 전기 전도체(222)는 하나의 제 2 전극(22) 내의 인접한 두 개의 제 2 전도체 셀(221)을 연결한다. 절연체(31)는 절연을 제공하기 위하여 제 1 전기 전도체(212) 및 상응하는 제 2 전기 전도체(222) 사이에 위치한다.
용량성 터치 패널(10)은 터치 신호를 수신하고 프로세스하기 위한 프로세서(도 3에 도시되지 않음), 및 터치 신호를 프로세서에 전달하기 위한 금속 트레이스를 더 포함한다. 각각의 제 1 전극(21)은 제1 금속 트레이스(23)를 통하여 프로세서에 연결되며, 각각의 제 2 전극(22)은 제 2 금속 트레이스(24)를 통하여 프로세서에 연결된다. 일반적으로, 제 1 금속 트레이스(23) 및 제 2 금속 트레이스(24)는 금속 전도체로 만들어진다.
금속 전도체가 우수한 전도성 및 낮은 가격을 갖기 때문에, 제 2 전기 전도체(222)는 일반적으로 실제 생산에서 금속 전도체로 만들어진다. 그러나, 금속 전도체는 특정 깊이를 갖기 때문에, 유저는 실질적으로 투명 기판 및 투명한 전극 패턴으로 구성되는 그러한 투명한 환경에서 항상 금속 전도체를 볼 수 있다. 금속 전도체의 투명도는 바람직하지 않다.
종래 기술에서, 금속 전도체의 시각 결함을 감소시키기 위한 두 가지 방법이 존재한다: (1) 특정 값보다 낮은 금속 전도체의 폭을 갖는 금속 전도체의 크기를 감소하는 것이다. 이러한 방법은 생산에 사용하기가 어려우며 수율(yield rate)을 감소시킬 것이다. 게다가 상기 방법은 시각 결함을 완전하게 해결할 수 없다. (2) 금속 전도체를 만들기 위하여 인듐 주석 산화물을 사용하는 것이다. 전극 층은 동일한 낮은 반사성 재료(reflective material, 인듐 주석 산화물)를 사용하기 때문에, 제품은 좋은 외관을 형성할 수 있다. 그러나, 이러한 방법은 고비용 재료(인듐 주석 산화물)를 사용하며, 실제 생산에서, 본 방법은 인듐 주석 산화물 코팅 과정, 포토리소그래피(photolithography) 노출 및 현상 과정, 및 필름을 에칭하고 필링(peeling)하는 과정을 첨가하는 것이 필요한데, 따라서 제조 비용이 증가한다.
본 발명의 목적은 금속 전도체의 낮은 투명도 및 좋은 광학 성능을 갖는 용량성 터치 패널을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 금속 전도체의 투명도를 감소시키는 방법을 제공하는 것으로서, 상기 방법은 제품의 외관의 질을 향상시키며, 비용을 감소시키며 수율을 유지한다.
일 양상에서, 용량성 터치 패널은 투명 기판, 터치 신호를 감지하기 위한 전극 패턴을 포함한다. 전극 패턴은 투명 기판상에 중첩되는 적어도 하나의 금속 전도체를 포함한다. 용량성 터치 패널은 또한 상응하는 각각의 금속 전도체 상에 중첩되는 흡광층(light absorption layer)을 포함한다.
게다가, 전극 패턴은 적어도 하나의 제 1 전극 및 적어도 하나의 제 2 전극을 포함하는데, 상기 제 1 전극은 제 2 전극에 직교하며 제 2 전극으로부터 절연되며, 상기 제 1 전극 혹은 제 2 전극은 적어도 두 개의 전도체 셀, 두 개의 전도체 셀을 연결하는 금속 전도체를 포함한다.
게다가, 흡광층의 반사율(reflectivity)은 80% 이하이며, 흡광층은 낮은 반사성 재료로 코팅함으로써 형성된다. 낮은 반사성 재료는 질화물(nitride), 산화물(oxide), 질화물과 산화물의 혼합물, 혹은 짙은 색상의 자외선 감광성(photosensitive) 유기 재료이다. 질화물은 크롬 질화물(chromium nitride, CrN), 티타늄 질화물(titanium nitride, TiN) 혹은 지르코늄 질화물(zirconium nitride, ZrN)과 같은 금속 질화물이다. 산화물은 산화 크롬(CrO), 산화 티타늄(TiO) 혹은 산화 지르코늄(ZrO)과 같은 금속 산화물이다. 짙은 색상의 자외선 감광성 유기 재료는 회색, 갈색 혹은 검정의 감광성 재료이다.
또 다른 양상에서, 금속 전도체를 갖는 용량성 터치 패널에 사용되며, 상기 용량성 터치 패널은 투명 기판을 포함하는, 금속 전도체의 투명도를 감소시키기 위한 방법은 (a) 투명 기판상에 적어도 하나의 금속 전도체를 포함하는 전극 패턴을 부착(affix)하는 단계; (b) 금속 전도체 상에 낮은 반사성 재료를 갖는 흡광층을 코팅하는 단계를 포함한다.
게다가, 낮은 반사성 재료는 질화물, 산화물, 질화물과 산화물의 혼합물, 혹은 짙은 색상의 자외선 감광성 유기 재료이다. 질화물은 크롬 질화물, 티타늄 질화물 혹은 지르코늄 질화물과 같은 금속 질화물이다. 산화물은 산화 크롬, 산화 티타늄 혹은 산화 지르코늄과 같은 금속 산화물이다. 짙은 색상의 자외선 감광성 유기 재료는 회색, 갈색 혹은 검정의 감광성 재료이다.
본 발명은 금속 전도체의 투명도를 감소시키기 위하여, 금속 전도체로부터 빛의 반사율을 감소시키기 위하여 금속 전도체 상에 검정, 혹은 어두운 색의 낮은 반사성 층을 코팅하는 방법을 제공한다. 금속 전도체의 폭을 감소시킬 필요가 없으며, 제조 과정에서 고수율을 달성하기가 쉽다. 게다가, 금속 전도체 대신에 인듐 주석 산화물을 사용하는 종래의 방법과 비교하여, 본 발명은 인듐 주석 산화물의 코팅 과정, 필름의 에칭 및 필링 과정을 줄일 수 있다. 따라서, 제조 과정이 단순화될 수 있으며 비용이 감소될 수 있다.
도 1은 종래의 용량성 터치 패널의 단면도를 도시한다;
도 2는 도 1의 A-A를 따라 절단된 단면도를 도시한다;
도 3은 종래의 용량성 터치 패널의 정면도를 도시한다;
도 4는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 용량성 터치 패널의 단면도를 도시한다;
도 5는 도 4의 B-B를 따라 절단된 단면도를 도시한다;
도 6은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 용량성 터치 패널의 정면도를 도시한다;
도 7은 투명 기판의 표면상에 배열하는 복수의 제 1 전도체 셀, 복수의 제 1 전기 전도체, 및 복수의 제 2 전도체 셀의 정면도를 도시한다.
도 8은 제 1 전기 전도체의 표면상의 복수의 절연체를 배열하는 정면도를 도시한다.
도 9는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 용량성 터치 패널의 정면도를 도시한다;
도 10은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 용량성 터치 패널의 단면도를 도시한다.
본 발명의 상세한 설명이 다음의 실시 예들에 의해 논의될 것이나, 이는 본 발명의 범위에 한정하지 않으며, 또한 다른 적응을 위하여 적용될 수 있다. 도면이 상세히 설명되는 동안에, 특별히 한정한 양을 제외하고는, 개시된 부품의 양은 개시된 양보다 크거나 작을 수 있다는 것을 이해하여야 한다.
도 4, 도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 용량성 터치 패널(10)은 실질적으로 투명 기판(1), 전극 패턴(2), 절연층(3), 및 패시베이션 층(4)을 포함한다. 전극 패턴(2)은 터치 신호를 감지하기 위하여 실질적으로 투명한 기판(1) 상에 중첩되며, 전극 패턴(2)은 복수의 제 1 전극(21) 및 복수의 제 2 전극(22)을 포함한다. 제 1 전극(21)은 제 1 방향으로 배열되며, 제 2 전극(22)은 제 2 방향으로 배열된다. 각각의 제 1 전극(21)은 제 2 전극(22)에 직교하며, 제 1 전극(21) 및 제 2 전극(22)은 실질적으로 투명 기판(1)의 일 표면상에 중첩된다. 절연층(3)은 복수의 절연체(31)를 포함한다. 각각의 제 1 전극(21)은 절연체(31) 중 하나에 의해 제 2 전극(22)으로부터 절연된다. 패시베이션 층(4)은 용량성 터치 패널(10)의 가장 바깥쪽 층 상에 중첩되며, 전극 패턴(2)을 덮는다. 패시베이션 층(4)은 일반적으로 투명한 유기 폴리머로 만들어진다.
게다가, 각각의 제 1 전극(21)은 복수의 제 1 전도체 셀(211) 및 복수의 제 1 전기 전도체(212)를 포함하는데, 상기 각각의 제 1 전기 전도체(212)는 하나의 제 1 전극(21) 내의 인접한 두 개의 제 1 전도체 셀(211)을 연결하며; 각각의 제 2 전극(22)은 복수의 제 2 전도체 셀(221) 및 복수의 제 2 전기 전도체(222)를 포함하는데, 상기 각각의 제 2 전기 전도체(222)는 하나의 제 2 전극(22) 내의 인접한 두 개의 제 2 전도체 셀(221)을 연결한다. 각각의 절연체(31)는 그것들을 절연하기 위하여 제 1 전기 전도체(212) 및 제 2 전기 전도체(222) 사이에 배열된다.
게다가, 각각의 제 2 전기 전도체(222)는 금속 전도체로 만들어진다. 흡광층(5)은 제 2 전기 전도체(222)의 표면상에 코팅된다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 흡광층(5)은 각각의 제 2 전기 전도체(222) 상에 덮여 있는 복수의 저반사성 스트립(low-reflective strip, 5a)을 포함한다. 흡광층(5)은 빛의 반사율을 감소킬 수 있으며, 반사율은 80% 이하이며, 따라서 제 2 전기 전도체(222)의 투명도는 그에 따라 감소된다.
흡광층(5)은 낮은 반사성 재료로 코팅함으로써 형성된다. 낮은 반사성 재료는 질화물, 산화물, 질화물과 산화물의 혼합물, 혹은 짙은 색상의 자외선 감광성 유기 재료이다. 질화물은 크롬 질화물, 티타늄 질화물 혹은 지르코늄 질화물과 같은 금속 질화물이다. 산화물은 산화 크롬, 산화 티타늄 혹은 산화 지르코늄과 같은 금속 산화물이다. 짙은 색상의 자외선 감광성 유기 재료는 회색, 갈색 혹은 검정의 감광성 재료이다.
게다가, 제 1 전도체 셀(211), 제 2 전도체 셀(221) 및 제 1 전기 전도체(212)는 실질적으로 투명한 전도성 재료로 만들어진다. 투명한 전도성 재료는 투명한 인듐 주석 산화물 혹은 투명한 안티몬 주석 산화물과 같은 투명한 전도성 재료이다. 절연체는 투명한 절연 재료(산화 규소와 같은)로 만들어진다.
용량성 터치 패널(10)은 터치 신호를 수신하고 프로세스하기 위한 프로세서(도 6에 도시되지 않음)를 더 포함한다. 각각의 제 1 전극(21)은 하나의 제 1 금속 트레이스(23)를 갖는 프로세서에 연결되며, 각각의 제 2 전극(22)은 하나의 제 2 금속 트레이스(24)를 갖는 프로세서에 연결된다. 일반적으로, 제 1 금속 트레이스(23) 및 제 2 금속 트레이스(24)는 금속 전도체들이다.
또한 저투명도(low-visibility) 금속 전도체를 갖는 용량성 터치 패널을 생산하는 방법이 제공된다.
도 7을 참조하면, S110 단계는 투명한 전도성 재료로 코팅하며 복수의 분리된 제 1 전도체 셀(211), 복수의 분리된 제 2 전도체 셀(221), 및 하나의 제 1 전극 내의 인접한 두 개의 제 1 전도체 셀(211)에 연결되는 복수의 제 1 전기 전도체(212)를 형성하기 위하여 에칭한다.
도 8을 참조하면, S120 단계는 절연체(31)의 표면상에 복수의 제 2 전기 전도체(222)를 부착하며, 각각의 제 2 전기 전도체(222)는 하나의 제 2 전극(22) 내의 인접한 두 개의 제 2 전도체 셀(221)에 연결되며, 제 2 전기 전도체(222)는 금속 전도체로 만들어진다; 그리고 나서 제 2 전기 전도체(222) 상에 흡광층(5)을 부착한다. S130 단계에서 형성된 구조가 도 6에 도시된다. S130 단계에서 제 2 전기 전도체(222)를 부착하는 서로 다른 방법들이 존재한다:
(1) 실질적으로 투명 기판(1) 상에 금속 층을 부착한 후 금속 층 상에 질화물, 산화물, 혹은 질화물과 산화물의 혼합물로 만들어진 저반사성 재료를 코팅하며; 그리고 나서 제 2 전기 전도체(222) 및 흡광층(5)을 형성하기 위하여 금속 층 및 저반사성 재료 층을 에칭한다; 흡광층(5)은 각각의 제 2 전기 전도체(222) 상을 덮는 복수의 저반사성 스트립(low-reflective strip, 5a)을 포함하며, 상기 저반사성 스트립(5a)은 제 2 전기 전도체(222)의 동일한 구조를 갖는다.
(2) 실질적으로 투명 기판(1) 상에 금속 층을 부착한 후에 금속 층 상에 짙은 색상의 자외선 감광성 유기 재료로 만들어진 낮은 반사성 재료 층을 부착한다; 그리고 나서 낮은 반사성 재료 층을 포토리소그래피 과정에 의해 흡광층(5) 내로 노출시키고 현상하는데, 상기 흡광층(5)은 복수의 저반사성 스트립(5a)을 포함한다; 그때에 금속 층을 제 2 전기 전도체(222) 내로 에칭하기 위하여 마스킹층(masking layer)으로서 저반사성 스트립(5a)을 사용하는데, 따라서 저반사성 스트립(5a)은 제 2 전기 전도체(222)의 동일한 구조를 갖는다.
(3) 실질적으로 투명 기판(1) 상에 금속 층을 부착한 후에 금속 층을 제 2 전기 전도체(222) 내로 에칭한다; 그리고 나서 금 속 층 상에 짙은 색상의 자외선 감광성 유기 재료로 만들어진 낮은 반사성 재료 층을 부착한다; 그기고 나서 낮은 반사성 재료 층을 포토리소그래피 과정에 의해 흡광층(5) 내로 노출시키고 현상하는데, 상기 흡광층(5)은 각각의 제 2 전기 전도체 상에 덮여 있는 복수의 저반사성 스트립(5a)을 포함하며, 저반사성 스트립(5a)은 제 2 전기 전도체(222)의 동일한 구조를 갖는다.
S140 단계에서, 그 위에 부착된 전극 패턴(2)을 갖는 실질적으로 투명 기판(1) 상에 패시베이션 층(4)을 부착한다. 패시베이션 층(4)은 투명한 유기 폴리머 재료로 만들어진다.
제 1 전극(21) 및 제 2 전극(22)의 양은 용량성 터치 패널의 해상도에 의해 조정된다. S110 단계 및 S130 단계는 변경될 수 있는데, 이는 이러한 단계의 순서가 S130-S120-S110-S140일 수 있다는 것을 의미한다.
유사하게, 금속 트레이스의 투명도를 감소시키기 위하여 제 1 금속 트레이스(23) 및 제 2 금속 트레이스(24) 상에 흡광층(5)을 코팅할 수 있다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 용량성 터치 패널(10)은 실질적으로 투명 기판(1), 전극 패턴(2), 절연층(3), 및 패시베이션 층(4)을 포함한다. 전극 패턴(2)은 실질적으로 투명 기판(1) 상에 중첩되며, 전극 패턴(2)은 복수의 제 1 전극(21) 및 복수의 제 2 전극(22)을 포함한다. 각각의 제 1 전극(21)은 제 2 전극(22)에 직교하며, 제 1 전극(21) 및 제 2 전극(22)은 실질적으로 투명 기판(1)의 일 표면상에 중첩된다. 각각의 제 1 전극(21)은 복수의 제 1 전도체 셀(211) 및 복수의 제 1 전기 전도체(212)를 포함하는데, 상기 각각의 제 1 전기 전도체(212)는 하나의 제 1 전극(21) 내의 인접한 두 개의 제 1 전도체 셀(211)을 연결하며; 각각의 제 2 전극(22)은 복수의 제 2 전도체 셀(221) 및 복수의 제 2 전기 전도체(222)를 포함한다. 절연층(3)은 적어도 한 쌍의 관통 홀(through hole, 32)을 한정하는데, 절연층(3)의 제 1 표면은 제 1 전극(21)에 접하며, 제 2 전기 전도체(222)는 제 1 표면에 반대되는 제 2 표면 상에 배열되며, 각각의 제 2 전기 전도체의 두 개의 터미널(terminal)은 관통 홀(32) 쌍을 관통하며 하나의 제 2 전극(22) 내의 인접한 두 개의 제 2 전도체 셀(221)에 연결한다. 패시베이션 층(4)은 용량성 터치 패널(10)의 가장 바깥쪽 층 상에 중첩되며, 실질적으로 투명 기판(1) 및 전극 패턴(2)을 덮는다. 패시베이션 층(4)은 일반적으로 유기 폴리머로 만들어진다.
게다가, 각각의 제 2 전기 전도체(222)는 금속 전도체로 만들어지며, 흡광층(5)은 제 2 전기 전도체(222)의 표면상에 코팅된다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 흡광층(5)은 각각의 제 2 전기 전도체(222) 상에 덮여 있는 복수의 저반사성 스트립(5a)을 포함한다. 흡광층(5)은 빛의 반사율을 감소킬 수 있으며, 반사율은 80% 이하이며, 따라서 제 2 전기 전도체(222)의 투명도는 그에 따라 감소된다. 유사하게, 실질적으로 투명 기판(1), 전극 패턴(2), 절연층(3) 및 패시베이션 층(4)은 본 발명의 제 1 실시 예와 동일한 재료를 사용한다.
용량성 터치 패널(10)은 감지 신호를 수신하고 프로세스하기 위한 프로세서를 더 포함한다. 프로세서는 금속 트레이스를 갖는 전도체 셀에 연결된다: 각각의 제 1 전극(21)은 하나의 제1 금속 트레이스(23)를 갖는 프로세서에 연결되며, 각각의 제 2 전극(22)은 하나의 제 2 금속 트레이스(24)를 갖는 프로세서에 연결된다. 일반적으로, 제 1 금속 트레이스(23) 및 제 2 금속 트레이스(24)는 금속 전도체로 만들어진다.
본 발명의 제 2 실시 예에서 용량성 터치 패널을 생산하는 방법은 제 1 실시 예와 유사한데, 그것들 사이의 차이는 단지 절연층을 배열하는 방법이다.
흡광층(5)은 빛의 반사율을 감소시키며 금속 전도체의 투명도를 감소시키기 위하여 금속 전도체들(예를 들면, 제 2 전기 전도체(222), 제 1 금속 트레이스(23) 혹은 제 2 금속 트레이스(24)) 상에 덮을 수 있다.
비록 본 발명이 특정 언어구조적 특징 및/또는 방법론적 수단에 특정한 언어로 설명되었지만, 청구항에 정의된 본 발명은 특정 특징 혹은 수단들에 반드시 한정되는 않는다는 것은 말할 것도 없다. 오히려, 특정 특징 혹은 수단들은 발명 주장을 실행하는 바람직한 형태로서 개시된다.
1 : 실질적으로 투명 기판
2 : 전극 패턴
3 : 절연층
4 : 패시베이션 층
5 : 흡광층
5a : 저반사성 스트립
10 : 용량성 터치 패널
21 : 제 1 전극
22 : 제 2 전극
23 : 제 1 금속 트레이스
24 : 제 2 금속 트레이스
31 : 절연체
32 : 관통 홀
211 : 제 1 전도체 셀
212 : 제 1 전기 전도체
221 : 제 2 전도체 셀
222 : 제 2 전기 전도체

Claims (15)

  1. 실질적으로 투명 기판;
    터치 신호를 감지하기 위하여 상기 실질적으로 투명 기판 상에 중첩되는 적어도 하나의 금속 전도체를 포함하는, 상기 실질적으로 투명 기판상에 중첩되는 전극 패턴; 및
    상기 금속 전도체 상의 적어도 하나의 흡광층을 포함하는 것을 특징으로 하는, 용량성 터치 패널.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 전극 패턴은 제 1 방향으로 배열되는 적어도 하나의 제 1 전극 및 제 2 방향으로 배열되는 적어도 하나의 제 2 전극을 포함하며, 상기 제 1 전극은 제 2 전극에 직교하며 제 2 전극으로부터 절연되며; 상기 제 1 전극 혹은 제 2 전극은 금속 전도체에 의해 연결되는 적어도 두 개의 전도체 셀을 포함하는 것을 특징으로 하는, 용량성 터치 패널.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 제 1 전극 및 제 2 전극은 동일한 층 상에 중첩되며 적어도 하나의 절연체에 의해 절연되며, 상기 절연체는 상응하는 제 1 전극 및 제 2 전극 사이에 중첩되는 것을 특징으로 하는, 용량성 터치 패널.
  4. 제 2항에 있어서, 상기 용량성 터치 패널은 적어도 한 쌍의 관통 홀을 갖는 절연층을 더 포함하며, 상기 제 1 전극 및 제 2 전극의 적어도 두 개의 전도체 셀은 절연층의 제 1 표면상에 중첩되며, 금속 전도체는 제 1 표면에 반대되는 절연층의 제 2 표면상에 중첩되며, 상기 전기 전도체의 두 개의 터미널은 관통 홀 쌍을 괸통하며 제 1 전극에 의해 분리된 제 2 전극의 인접한 두 개의 전도체 셀을 연결하는 것을 특징으로 하는, 용량성 터치 패널.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 용량성 터치 패널은 터치 신호를 수신하고 프로세스하기 위한 프로세서를 더 포함하며, 전극 패턴은 정도 하나의 금속 트레이스에 의해 상기 프로세서에 연결되는 것을 특징으로 하는, 용량성 터치 패널.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 흡광층의 반사율은 80% 이하인 것을 특징으로 하는, 용량성 터치 패널.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 흡광층은 낮은 반사성 재료로 코팅함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는, 용량성 터치 패널.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 낮은 반사성 재료는 질화물, 산화물, 질화물과 산화물의 혼합물, 및 짙은 색상의 자외선 감광성 유기 재료로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, 용량성 터치 패널.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 질화물은 크롬 질화물, 티타늄 질화물 및 지르코늄 질화물으로 이루어진 그룹으로부터 선택되며; 상기 산화물은 산화 크롬, 산화 티타늄 및 산화 지르코늄으로 이루어진 그룹으로부터 선택되며; 상기 짙은 색상의 자외선 감광성 유기 재료는 회색, 갈색 혹은 검정의 감광성 재료로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, 용량성 터치 패널.
  10. 적어도 하나의 금속 전도체를 포함하는 전극 패턴을 실질적으로 투명 기판 상에 부착하는 단계;
    낮은 반사성 재료로 만들어진 금속 전도체 상에 흡광층을 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 실질적으로 투명 기판을 포함하는, 용량성 터치 패널에서 금속 전도체의 투명도를 감소시키는 방법.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 낮은 반사성 재료는 질화물, 산화물, 질화물과 산화물의 혼합물, 및 짙은 색상의 자외선 감광성 유기 재료로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, 용량성 터치 패널에서 금속 전도체의 투명도를 감소시키는 방법.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 질화물은 크롬 질화물, 티타늄 질화물 및 지르코늄 질화물으로 이루어진 그룹으로부터 선택되며; 상기 산화물은 산화 크롬, 산화 티타늄 및 산화 지르코늄으로 이루어진 그룹으로부터 선택되며; 상기 짙은 색상의 자외선 감광성 유기 재료는 회색, 갈색 혹은 검정의 감광성 재료로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, 용량성 터치 패널에서 금속 전도체의 투명도를 감소시키는 방법.
  13. 제 11항에 있어서,
    실질적으로 투명 기판 상에 금속 층을 부착하는 단계;
    금속 층 상에 질화물, 산화물, 혹은 질화물과 산화물의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 낮은 반사성 재료로 만들어진 낮은 반사성 재료 층을 코팅하는 단계;
    적어도 하나의 금속 전도체 및 각각의 금속 전도체 상에 덮여 있는 적어도 하나의 저반사성성 스트립을 포함하는 흡광 층을 형성하기 위하여 금속 층 및 낮은 반사성 재료 층을 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 용량성 터치 패널에서 금속 전도체의 투명도를 감소시키는 방법.
  14. 제 11항에 있어서,
    실질적으로 투명 기판 상에 금속 층을 부착하는 단계;
    금속 층 상에 짙은 색상의 자외선 감광성 유기 재료로 만들어진 낮은 반사성 재료 층을 부착하는 단계;
    낮은 반사성 재료 층을 포토리소그래피 과정에 의해 복수의 저반사성성 스트립을 포함하는 흡광층 내로 노출시키고 현상하는 단계;
    금속 층을 하나의 저반사성성 스트립에 의해 덮여 있는 각각의 금속 전도체를 마스킹하기 위한 적어도 하나의 금속 전도체 내로 에칭하기 위하여 저반사성성 스트립을 사용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 용량성 터치 패널에서 금속 전도체의 투명도를 감소시키는 방법.
  15. 제 11항에 있어서,
    실질적으로 투명 기판 상에 금속 층을 부착하는 단계;
    금속 층을 적어도 하나의 금속 전도체 내로 에칭하는 단계;
    금 속 층 상에 짙은 색상의 자외선 감광성 유기 재료로 만들어진 낮은 반사성 재료 층을 부착하는 단계;
    낮은 반사성 재료 층을 금속 전도체 상에 적어도 하나의 저반사성성 스트립을 만들기 위하여, 낮은 반사성 재료 층을 포토리소그래피 과정에 의해 흡광층 내로 노출시키고 현상하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 용량성 터치 패널에서 금속 전도체의 투명도를 감소시키는 방법.
KR1020110034870A 2010-05-16 2011-04-14 용량성 터치 패널 및 용량성 터치 패널에서 금속 전도체의 가시성을 감소시키는 방법 KR101255825B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201010176328.0 2010-05-16
CN201010176328.0A CN102243553B (zh) 2010-05-16 2010-05-16 电容式触控面板及降低其金属导体可见度的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110126528A true KR20110126528A (ko) 2011-11-23
KR101255825B1 KR101255825B1 (ko) 2013-04-17

Family

ID=44278666

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110034870A KR101255825B1 (ko) 2010-05-16 2011-04-14 용량성 터치 패널 및 용량성 터치 패널에서 금속 전도체의 가시성을 감소시키는 방법

Country Status (6)

Country Link
US (2) US20110279403A1 (ko)
EP (1) EP2386937B1 (ko)
JP (1) JP5739984B2 (ko)
KR (1) KR101255825B1 (ko)
CN (1) CN102243553B (ko)
WO (1) WO2011143861A1 (ko)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130072402A (ko) * 2011-12-22 2013-07-02 엘지이노텍 주식회사 터치패널의 전극형성방법
WO2013157858A3 (ko) * 2012-04-18 2013-12-12 주식회사 엘지화학 전도성 구조체 및 이의 제조방법
WO2014021629A1 (ko) * 2012-07-31 2014-02-06 (주)인터플렉스 반사방지층을 포함하는 센서 패널 및 그 제조 방법
KR20140024622A (ko) * 2012-08-20 2014-03-03 엘지이노텍 주식회사 터치 패널 및 그 제조 방법
WO2014035197A1 (ko) * 2012-08-31 2014-03-06 주식회사 엘지화학 전도성 구조체 및 이의 제조방법
WO2014035207A1 (ko) * 2012-08-31 2014-03-06 주식회사 엘지화학 전도성 구조체 및 이의 제조방법
KR101415583B1 (ko) * 2011-12-16 2014-07-07 엘지이노텍 주식회사 터치 패널 및 그 제조 방법
KR20140110270A (ko) * 2013-03-07 2014-09-17 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널
KR101476026B1 (ko) * 2012-02-10 2014-12-23 알프스 덴키 가부시키가이샤 입력 장치
KR101492690B1 (ko) * 2011-11-29 2015-02-11 티피케이 터치 솔루션즈 (씨아먼) 인코포레이티드 터치 감지 패널
KR20150107319A (ko) * 2014-03-14 2015-09-23 주식회사 아모센스 터치 스크린 패널용 센서의 제조 방법 및 터치 스크린 패널용 센서
KR20150107320A (ko) * 2014-03-14 2015-09-23 주식회사 아모센스 터치 스크린 패널용 커버 필름 및 이를 포함하는 터치 스크린 패널
KR20160041845A (ko) * 2013-08-13 2016-04-18 삼성전자주식회사 상호작용 감지
KR20170067592A (ko) * 2015-12-08 2017-06-16 주식회사 엘지화학 터치패널 및 이의 제조방법
KR20190030666A (ko) * 2019-03-11 2019-03-22 엘지이노텍 주식회사 터치 패널 및 그 제조 방법
KR20200122284A (ko) * 2019-03-11 2020-10-27 엘지이노텍 주식회사 터치 패널 및 그 제조 방법

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI471790B (zh) 2010-02-03 2015-02-01 Wintek Corp 電容式觸控感應器及其製造方法及電容式觸控面板
CN103186275B (zh) * 2011-12-31 2015-09-30 宸鸿科技(厦门)有限公司 触控面板及其制作方法
CN103197785B (zh) * 2012-01-06 2016-07-06 宸鸿科技(厦门)有限公司 触控面板及其制作方法
CN103240922B (zh) * 2012-02-13 2015-07-22 群康科技(深圳)有限公司 电子装置及其积层结构及积层结构的制造方法
KR101859515B1 (ko) * 2012-02-14 2018-05-21 삼성디스플레이 주식회사 터치 패널
CN103294242B (zh) * 2012-02-25 2016-03-02 宸鸿科技(厦门)有限公司 触控面板及其制作方法
CN102662547A (zh) * 2012-04-09 2012-09-12 天津美泰真空技术有限公司 可视区无金属线的电容式触摸屏玻璃盖板的制作方法
JP5975713B2 (ja) * 2012-04-18 2016-08-23 三菱電機株式会社 タッチパネルおよびその製造方法ならびに表示装置ならびに表示モジュール
JP6324656B2 (ja) * 2012-07-12 2018-05-16 大日本印刷株式会社 タッチパネル基板、及び表示装置
CN103853397A (zh) * 2012-12-04 2014-06-11 厦门天马微电子有限公司 一种电容式触摸屏及其制造方法
CN103941925B (zh) * 2013-01-17 2017-04-12 联咏科技股份有限公司 触控面板
CN103941930B (zh) * 2013-01-23 2017-09-05 北京京东方光电科技有限公司 电容式触摸屏传感器及其制作方法
JP2014179063A (ja) * 2013-02-13 2014-09-25 Panasonic Corp タッチパネル
US20140293149A1 (en) * 2013-03-27 2014-10-02 Shenzhen O-Film Tech Co., Ltd Capacitive touch screen and manufacturing method thereof
CN103412688B (zh) * 2013-03-27 2014-09-17 深圳欧菲光科技股份有限公司 电容触摸屏及其制备方法
CN103235439B (zh) * 2013-04-08 2015-08-12 北京京东方光电科技有限公司 一种对盒基板及制备方法、触摸屏、显示装置
CN104156127A (zh) * 2013-05-13 2014-11-19 胜华科技股份有限公司 触控面板
CN103336643A (zh) * 2013-06-19 2013-10-02 业成光电（深圳）有限公司 触控面板
CN103309539A (zh) * 2013-06-20 2013-09-18 深圳南玻伟光导电膜有限公司 Ogs结构的电容式触摸屏及其制备方法
US10042446B2 (en) 2013-08-13 2018-08-07 Samsung Electronics Company, Ltd. Interaction modes for object-device interactions
JP6157293B2 (ja) * 2013-09-12 2017-07-05 株式会社アルバック タッチパネルおよびタッチパネルの製造方法
CN103488363B (zh) * 2013-09-27 2017-02-01 汕头超声显示器（二厂）有限公司 一种高精度的电容触摸屏装饰框
AT13879U1 (de) * 2013-10-04 2014-10-15 Plansee Se Berührungssensoranordnung
KR102207143B1 (ko) 2013-11-06 2021-01-25 삼성디스플레이 주식회사 터치 패널 및 이의 제조 방법
KR101548824B1 (ko) * 2013-12-17 2015-08-31 삼성전기주식회사 터치 패널
CN104731394B (zh) * 2013-12-20 2018-04-03 和鑫光电股份有限公司 触控面板
TWI506508B (zh) * 2014-04-10 2015-11-01 Ind Tech Res Inst 觸控感測結構
CN109799935A (zh) * 2014-06-27 2019-05-24 宸盛光电有限公司 触控感应单元
CN105469861A (zh) * 2014-08-20 2016-04-06 深圳欧菲光科技股份有限公司 一种透明导电膜、导电油墨及触控面板
CN105677073A (zh) * 2014-11-21 2016-06-15 群创光电股份有限公司 触控显示装置及其制造方法
TWI563429B (en) * 2015-05-08 2016-12-21 Innolux Corp Touch pannel and applications thereof
TW201702848A (zh) * 2015-07-09 2017-01-16 達鴻先進科技股份有限公司 電容式觸控面板
CN106710499B (zh) * 2015-08-24 2020-06-26 群创光电股份有限公司 显示面板及触控显示装置
CN105739789B (zh) * 2016-03-14 2019-03-01 广东劲胜智能集团股份有限公司 一种电子触控屏及镀膜制备工艺
KR101779906B1 (ko) * 2016-07-21 2017-09-19 동우 화인켐 주식회사 필름 터치 센서
CN106249961B (zh) * 2016-09-12 2018-12-21 京东方科技集团股份有限公司 触摸显示屏的制作方法、触摸显示屏和显示装置
JP6735850B2 (ja) * 2016-12-12 2020-08-05 アルプスアルパイン株式会社 静電容量式センサおよび機器
JP6504299B1 (ja) * 2017-12-07 2019-04-24 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 黒色低反射膜、および積層体の製造方法
CN108803924B (zh) * 2018-05-23 2021-06-22 业成科技（成都）有限公司 单层式感应电极及其制造方法
CN109300942B (zh) * 2018-09-13 2021-02-09 维沃移动通信有限公司 显示面板和具有其的显示装置
CN109696990A (zh) * 2018-11-16 2019-04-30 信利光电股份有限公司 一种金属网格触摸屏的黑化方法及金属网格触摸屏
CN112885254A (zh) * 2021-04-13 2021-06-01 深圳市蝉翼科技有限公司 柔性透明led显示屏
KR20230000039A (ko) 2021-06-23 2023-01-02 삼성디스플레이 주식회사 입력 감지 패널과 이를 포함한 표시 장치 및 이의 제조 방법

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5667880A (en) * 1992-07-20 1997-09-16 Fuji Photo Optical Co., Ltd. Electroconductive antireflection film
US7065319B1 (en) * 2002-10-18 2006-06-20 Hartley Shawna R Chair mountable educational device
KR100685954B1 (ko) * 2002-12-24 2007-02-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 터치 패널
JP4837297B2 (ja) * 2005-03-09 2011-12-14 富士フイルム株式会社 遮光画像付き基板及び遮光画像の形成方法、転写材料、カラーフィルター、並びに表示装置
JP4610416B2 (ja) * 2005-06-10 2011-01-12 日本写真印刷株式会社 静電容量型タッチパネル
JP4285524B2 (ja) * 2006-10-13 2009-06-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
CN101558370B (zh) * 2007-03-01 2012-04-25 夏普株式会社 显示面板用基板、显示面板、显示装置、和显示面板用基板的制造方法
TW200842681A (en) * 2007-04-27 2008-11-01 Tpk Touch Solutions Inc Touch pattern structure of a capacitive touch panel
CN201078769Y (zh) * 2007-04-27 2008-06-25 宸鸿光电科技股份有限公司 电容式触控板的触控图型结构
JP4998919B2 (ja) * 2007-06-14 2012-08-15 ソニーモバイルディスプレイ株式会社 静電容量型入力装置
CN201107767Y (zh) * 2007-11-27 2008-08-27 胜华科技股份有限公司 电容式触控面板接合区域的结构
TWM344544U (en) * 2007-12-25 2008-11-11 Cando Corp Sensory structure of touch panel
US8068195B2 (en) * 2008-01-14 2011-11-29 Lg Electronics Inc. Portable device including external-light-shielding sheet
CN101546241A (zh) * 2008-03-28 2009-09-30 义隆电子股份有限公司 触控面板装置
TW200947289A (en) * 2008-05-12 2009-11-16 Tpk Touch Solutions Inc Layout method of touch circuit pattern
US8508495B2 (en) * 2008-07-03 2013-08-13 Apple Inc. Display with dual-function capacitive elements
JP5788129B2 (ja) * 2008-07-18 2015-09-30 日東電工株式会社 透明導電性フィルム及びタッチパネル
US8493337B2 (en) * 2008-09-22 2013-07-23 Ritfast Corporation Light transmission touch panel
CN101685841A (zh) * 2008-09-26 2010-03-31 台达电子工业股份有限公司 发光二极管芯片
JP2010086684A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Kuramoto Seisakusho Co Ltd 透明導電配線膜付き光学薄膜
CN201298221Y (zh) * 2008-10-10 2009-08-26 达虹科技股份有限公司 电容式触控面板的二维感测结构
TWI380089B (en) * 2008-12-03 2012-12-21 Au Optronics Corp Method of forming a color filter touch sensing substrate
CN101441538B (zh) * 2008-12-19 2010-11-10 友达光电股份有限公司 触控式装置的结构与触控式显示面板
WO2010099132A2 (en) * 2009-02-26 2010-09-02 3M Innovative Properties Company Touch screen sensor and patterned substrate having overlaid micropatterns with low visibility
JP5182164B2 (ja) * 2009-03-12 2013-04-10 セイコーエプソン株式会社 タッチパネルの製造方法及び表示装置製造方法並びに電子機器製造方法
CN201374687Y (zh) * 2009-03-20 2009-12-30 宸鸿科技(厦门)有限公司 电容式触控电路图形结构
US8174510B2 (en) * 2009-03-29 2012-05-08 Cypress Semiconductor Corporation Capacitive touch screen
TW201040818A (en) * 2009-05-08 2010-11-16 Sintek Photronic Corp Capacitive touch panel structure with high optical uniformity
CN101571779A (zh) * 2009-06-05 2009-11-04 中国南玻集团股份有限公司 电容式触控屏及其加工方法
TWM375934U (en) * 2009-07-14 2010-03-11 Wintek Corp Capacitance touch panel
TWM378432U (en) * 2009-08-06 2010-04-11 Ritdisplay Corp Capacitive type touch panel
CN101989160A (zh) * 2009-08-07 2011-03-23 铼宝科技股份有限公司 电容式触控面板
KR100954894B1 (ko) * 2009-09-10 2010-04-28 남동식 터치패널센서
TWM380535U (en) * 2009-12-03 2010-05-11 Transtouch Technology Inc Capacitive touch panel
KR101101088B1 (ko) * 2010-05-03 2011-12-30 삼성모바일디스플레이주식회사 터치 스크린 패널 및 그 제조방법
CN201725318U (zh) * 2010-05-16 2011-01-26 宸鸿科技(厦门)有限公司 具有低可见度金属导体的电容式触控面板
TWI434208B (zh) * 2010-12-30 2014-04-11 Au Optronics Corp 電容式觸控顯示面板

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101492690B1 (ko) * 2011-11-29 2015-02-11 티피케이 터치 솔루션즈 (씨아먼) 인코포레이티드 터치 감지 패널
US9703424B2 (en) 2011-12-16 2017-07-11 Lg Innotek Co., Ltd. Electrode pattern of touch panel and forming method for the same
KR101415583B1 (ko) * 2011-12-16 2014-07-07 엘지이노텍 주식회사 터치 패널 및 그 제조 방법
KR20130072402A (ko) * 2011-12-22 2013-07-02 엘지이노텍 주식회사 터치패널의 전극형성방법
KR101476026B1 (ko) * 2012-02-10 2014-12-23 알프스 덴키 가부시키가이샤 입력 장치
WO2013157858A3 (ko) * 2012-04-18 2013-12-12 주식회사 엘지화학 전도성 구조체 및 이의 제조방법
US9204535B2 (en) 2012-04-18 2015-12-01 Lg Chem, Ltd. Conductive structure and method for manufacturing same
WO2014021629A1 (ko) * 2012-07-31 2014-02-06 (주)인터플렉스 반사방지층을 포함하는 센서 패널 및 그 제조 방법
KR20140024622A (ko) * 2012-08-20 2014-03-03 엘지이노텍 주식회사 터치 패널 및 그 제조 방법
WO2014035207A1 (ko) * 2012-08-31 2014-03-06 주식회사 엘지화학 전도성 구조체 및 이의 제조방법
KR101408572B1 (ko) * 2012-08-31 2014-06-17 주식회사 엘지화학 전도성 구조체 및 이의 제조방법
JP2016500853A (ja) * 2012-08-31 2016-01-14 エルジー・ケム・リミテッド 伝導性構造体およびその製造方法｛ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｂｏｄｙａｎｄｍｅｔｈｏｄｆｏｒｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇｔｈｅｓａｍｅ｝
US9462682B2 (en) 2012-08-31 2016-10-04 Lg Chem, Ltd. Conductive structure and method for manufacturing same
WO2014035197A1 (ko) * 2012-08-31 2014-03-06 주식회사 엘지화학 전도성 구조체 및 이의 제조방법
US9766652B2 (en) 2012-08-31 2017-09-19 Lg Chem, Ltd. Conductive structure and method for manufacturing same
KR20140110270A (ko) * 2013-03-07 2014-09-17 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널
KR20160041845A (ko) * 2013-08-13 2016-04-18 삼성전자주식회사 상호작용 감지
KR20150107319A (ko) * 2014-03-14 2015-09-23 주식회사 아모센스 터치 스크린 패널용 센서의 제조 방법 및 터치 스크린 패널용 센서
KR20150107320A (ko) * 2014-03-14 2015-09-23 주식회사 아모센스 터치 스크린 패널용 커버 필름 및 이를 포함하는 터치 스크린 패널
KR20170067592A (ko) * 2015-12-08 2017-06-16 주식회사 엘지화학 터치패널 및 이의 제조방법
KR20190030666A (ko) * 2019-03-11 2019-03-22 엘지이노텍 주식회사 터치 패널 및 그 제조 방법
KR20200122284A (ko) * 2019-03-11 2020-10-27 엘지이노텍 주식회사 터치 패널 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20110279403A1 (en) 2011-11-17
KR101255825B1 (ko) 2013-04-17
WO2011143861A1 (en) 2011-11-24
CN102243553A (zh) 2011-11-16
EP2386937A3 (en) 2015-06-10
EP2386937B1 (en) 2017-03-15
US20180188857A1 (en) 2018-07-05
CN102243553B (zh) 2015-06-10
JP5739984B2 (ja) 2015-06-24
JP2013526741A (ja) 2013-06-24
US10331283B2 (en) 2019-06-25
EP2386937A2 (en) 2011-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101255825B1 (ko) 용량성 터치 패널 및 용량성 터치 패널에서 금속 전도체의 가시성을 감소시키는 방법
JP2013526741A6 (ja) 容量性タッチパネル及び該容量性タッチパネルにおける視認性を低減する方法
US9690434B2 (en) Touch module, manufacturing method thereof and display device
US20140204043A1 (en) Touch panel
TWI584178B (zh) Capacitive touch panel and reduce the visibility of its metal conductor
US9872400B2 (en) Touch panel and method for manufacturing the same
US10705640B2 (en) Touch panel and method for fabricating the same, touch display device
US10168846B2 (en) Touch display panel, manufacturing method, display device and touch substrate
US9342193B2 (en) Touch panel with a conductive bridge structure and manufacturing method thereof
JP5755699B2 (ja) タッチパネルセンサの製造方法、及びタッチパネルセンサ
US11397483B2 (en) Touch panel, manufacturing method thereof, and display device
US11010001B2 (en) Touch substrate, method of manufacturing the same, and touch display device
US11023061B2 (en) Panel with multiple conductive patterns
KR101504840B1 (ko) 전도성 기판 및 이의 제조방법
US10592015B2 (en) Preparation method for touch panel, touch panel, and display device
US20160170515A1 (en) Manufacturing method of touch panel
JP2014211663A (ja) タッチパネルおよびタッチパネルの製造方法
KR101513672B1 (ko) 터치 스크린 패널 제작 방법
CN113220157A (zh) 一种触控面板及制备方法、显示装置
KR20130017840A (ko) 정전용량형 터치스크린 제조 방법 및 이에 의해 제조된 터치스크린
KR20160137794A (ko) 터치 스크린 패널 구조 및 이의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170320

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180208

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190227

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200220

Year of fee payment: 8