CN108803924B - 单层式感应电极及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种单层式感应电极及其制造方法，其制造方法包括下列步骤：a.提供一触控感应薄膜。b.利用一第一蚀刻方式于该触控感应薄膜上制作一第一电极。c.利用一第二蚀刻方式于该触控感应薄膜上制作一第二电极。d.于该第一电极、该第二电极上方制作一绝缘层、一跨桥结构以及一保护层，其制作方法包括下列程序流程：设置绝缘材料、第一次曝光、第一次显影、镀膜、设置保护光阻、第二次曝光、第二次显影、跨桥结构蚀刻以及烘烤。本发明在跨桥结构蚀刻时，上方选用之光阻改为保护光阻，由于保护光阻在跨桥结构蚀刻后会保留，因此不需去膜制程，有效的降低制程工序，同时亦可提升光学表现。

Description

单层式感应电极及其制造方法
技术领域
本发明之技术涉及触控装置领域，特别是指一种单层式感应电极制造方法。
背景技术
触控模组的感应电极通常是利用黄光微影以及蚀刻的方式在透明导电膜材料例如氧化铟锡(ITO)上制作感应电极结构。一般来说，目前单层式(Single Type)的感应电极制程，其跨桥结构上并无保护层存在，且由于跨桥结构上方通常会使用光学胶(OCA)与其他组件黏接，光学胶阻隔水气的能力并不优秀，会造成信赖度测试(Reliability Analysis)结果不佳。再者，因此跨桥结构较容易被用户肉眼所观察到，影响到体验感。有厂商提出利用黑色光阻进行跨桥结构反光遮蔽，然而此方式对于透明导电材会造成降低光穿透度的影响。
若想在跨桥结构上额外设置一保护层，则必须再增加：设置保护层、曝光、显影、烘烤等工序。然而，由于透明导电膜在烘烤过程中有热胀冷缩之问题，在绝缘层的制程时，容易因热固化制程导致基材收缩.造成后续进行跨桥结构蚀刻时，黄光曝光显影时对位的困难，故仍有可改良之空间。
发明内容
本发明之主要目的系提供一种光学特性优良且减少制造工序提高制造效率的感应电极制造方法。为了达到上述目的，本发明系采取以下之技术手段予以达成，其中，本发明提供一种单层式感应电极制造方法，包括下列步骤：a.提供一触控感应薄膜。b.利用一第一蚀刻方式于该触控感应薄膜上制作一第一电极。c.利用一第二蚀刻方式于该触控感应薄膜上制作一第二电极。d.于该第一电极、该第二电极上方制作一绝缘层、一跨桥结构以及一保护层，其制作方式包括下列程序流程：设置绝缘材料、第一次曝光、第一次显影、镀膜、设置保护光阻、第二次曝光、第二次显影、跨桥结构蚀刻以及烘烤。
在本发明一实施例中，该触控感应薄膜为一氧化铟锡薄膜。
在本发明一实施例中，该第一蚀刻方式包括下列程序流程：设置光阻层、曝光、显影、铜蚀刻、氧化铟锡蚀刻以及去膜制程。
在本发明一实施例中，该第二蚀刻方式包括下列程序流程：设置光阻层、曝光、显影、铜蚀刻以及去膜制程。
本发明还提供一种利用上述制造方法制作的单层式感应电极，包括：一薄膜层、一第一电极、一第二电极、一绝缘层、复数个跨桥结构以及一保护层。该薄膜层至少具有一表面。该第一电极设置于该表面上，包括复数个彼此互相电性独立的电极区块。该第二电极设置于该表面上并与该第一电极相互电性独立。该绝缘层设置于该第一电极以及该第二电极上。复数个跨桥结构用以电性连接相邻的两个所述电极区块。该保护层设置于该跨桥结构上方，且沿着该跨桥结构边缘向外延伸一宽度。
在本发明一实施例中，该保护层为一透明保护光阻，其厚度不小于5微米，全光穿透率大于百分之六十，光密度(optical density)小于0.2。
在本发明一实施例中，该跨桥结构为一透明导电材质，其全光穿透率大于百分之八十，光密度小于1。
在本发明一实施例中，该宽度不小于0.01微米。
在本发明一实施例中，该跨桥结构可为一氧化铟锡、氧化铟锡复合层、导电高分子(PEDOT)、纳米银线(silver nanowire,AgNW)或碳纳米管(Carbon Nanotube，CNT)等任一种材质所制成。
附图说明
图1为本发明单层式感应电极制造方法一实施例之方法流程图。
图2为本发明单层式感应电极制造方法一实施例之制造工序示意图。
图3为本发明单层式感应电极一实施例之结构示意图。
附图标记：
薄膜层 1
第一电极 2
第二电极 3
绝缘层 4
跨桥结构 5
连接部 51
保护层 6
基板 7
宽度 X
厚度 H
步骤 100～130
具体实施方式
为达成上述目的及功效，本发明所采用之技术手段及构造，兹绘图就本发明较佳实施例详加说明其特征与功能如下，俾利完全了解，但须注意的是，所述内容不构成本发明的限定。
请同时参阅图1、图2及图3所示，其为本发明单层式感应电极制造方法较佳实施例之方法流程图、制造工序示意图以及结构示意图。本发明之单层式感应电极制造方法包括以下步骤：
步骤100：提供一触控感应薄膜。于本发明一实施例中，该该触控感应薄膜为一氧化铟锡薄膜。
步骤110：利用一第一蚀刻方式于该触控感应薄膜上制作一第一电极2。所述的第一蚀刻方式可为目前业界常见的感应电极制作方式，可包括下列程序流程：设置光阻层、曝光、显影、铜蚀刻、氧化铟锡蚀刻以及去膜制程。
步骤120：利用一第二蚀刻方式于该触控感应薄膜上制作一第二电极3。所述的第二蚀刻方式亦可为目前业界常见的感应电极制作方式，可包括下列程序流程：设置光阻层、曝光、显影、铜蚀刻以及去膜制程。于本发明一实施例中，该第一电极2为感测线路(Rx)，该第二电极3为驱动线路(Tx)，但不限于此。
步骤130：于该第一电极2、该第二电极3上方制作一绝缘层4、一跨桥结构5以及一保护层6，其制作方式包括下列程序流程：设置绝缘材料、第一次曝光、第一次显影、镀膜、设置保护光阻、第二次曝光、第二次显影、跨桥结构蚀刻以及烘烤。其中，设置绝缘材料、第一次曝光、第一次显影以及镀膜制程可制作出该绝缘层4，而设置保护光阻、第二次曝光、第二次显影、跨桥结构蚀刻以及烘烤制程可以同时制作出该跨桥结构5以及该保护层6。
在本发明制作绝缘层4、跨桥结构5以及保护层6的流程中，第一次显影与镀膜制程间不需要烘烤制程，并且将镀膜制程后的设置光阻程序改为设置保护光阻，并依序进行第二次曝光、第二次显影、跨桥结构蚀刻以及烘烤等制程，所设置的保护光阻在跨桥结构蚀刻后会保留，因此不需要进行去膜。透过上述方式，可以省略先前技术中，在跨桥结构蚀刻程序之后的去膜、设置保护层、曝光、显影等制程，有效的减少制程，提升光学表现。
在本发明一实施例中，所述跨桥结构蚀刻为一种湿式蚀刻。
本发明还揭示一种利用上述制造方法制作的单层式感应电极，包括：一薄膜层1、一第一电极2、一第二电极3、一绝缘层4、复数个跨桥结构5以及一保护层6。
该薄膜层1为一触控感应薄膜，其可以设置于一基板7上，且该薄膜层1具有一表面。
该第一电极2设置于该表面上，其包括复数个彼此互相电性独立的电极区块。
该第二电极3设置于该表面上并与该第一电极2相互电性独立。
该绝缘层4设置于该第一电极2以及该第二电极3上，用以保护该第一电极2以及该第二电极3。
复数个该跨桥结构5部份设置于该绝缘层4上方，且其两端分别具有一连接部51，该连接部51用以电性连接相邻的两个所述电极区块。较佳者，该跨桥结构5为一透明导电材质，其全光穿透率大于百分之八十，光密度(optical density)小于1。
于本发明一实施例中，该跨桥结构5可为一氧化铟锡、氧化铟锡复合层、导电高分子(PEDOT)、纳米银线(silver nanowire,AgNW)或碳纳米管(Carbon Nanotube，CNT)等任一种材质所制成。
该保护层6设置于该跨桥结构5上方，且沿着该跨桥结构5边缘向外延伸一宽度X。由于本发明制造方法的跨桥结构蚀刻为湿式蚀刻，在蚀刻的同时会有侧蚀现象，且因蚀刻液对不同材料蚀刻程度亦不相同，故选用适当的材料可以使该保护层6沿着该跨桥结构5边缘向外延伸一宽度X，较佳者，该宽度X不小于0.01微米。
于本发明一实施例中，该保护层6为一透明保护光阻，其厚度H不小于5微米，全光穿透率大于百分之六十，光密度(optical density)小于0.2。
故，请参阅全部附图所示，本发明提供的一种高信赖低工序的单层式感应电极及其制造方法，其在跨桥结构蚀刻时，上方选用之光阻改为保护光阻，由于保护光阻在跨桥结构蚀刻后会保留，因此不需去膜制程，只需要较少的工序即可制造出跨桥结构上具有保护层之单层式感应电极，有效的降低制程工序。
透过上述之详细说明，即可充分显示本发明之目的及功效上均具有实施之进步性，极具产业之利用性价值，且为目前市面上前所未见之新发明，完全符合发明专利要件，爰依法提出申请。唯以上所述仅为本发明的一实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。

Claims (9)

1.一种单层式感应电极制造方法，其特征在于，其包括下列步骤：
a.提供一触控感应薄膜；
b.利用一第一蚀刻方式于该触控感应薄膜上制作一第一电极；
c.利用一第二蚀刻方式于该触控感应薄膜上制作一第二电极；
d.于该第一电极、该第二电极上方制作一绝缘层、一跨桥结构以及一保护层，其制作方法包括下列程序流程：设置绝缘材料、第一次曝光、第一次显影、镀膜、设置保护光阻、第二次曝光、第二次显影、跨桥结构蚀刻以及烘烤；
其中，步骤d所述的程序流程中，所述第一次显影与所述镀膜制程间没有烘烤制程。
2.如权利要求1所述的单层式感应电极制造方法，其中提供的该触控感应薄膜为一氧化铟锡薄膜。
3.如权利要求2所述的单层式感应电极制造方法，其中该第一蚀刻方式包括下列程序流程：设置光阻层、曝光、显影、铜蚀刻、氧化铟锡蚀刻以及去膜制程。
4.如权利要求2所述的单层式感应电极制造方法，其中该第二蚀刻方式包括下列程序流程：设置光阻层、曝光、显影、铜蚀刻以及去膜制程。
5.一种利用权利要求1至4任一项制造方法制作的单层式感应电极，其特征在于，包括：
一薄膜层，至少具有一表面；
一第一电极，设置于该表面上，包括复数个彼此互相电性独立的电极区块；
一第二电极，设置于该表面上并与该第一电极相互电性独立；
一绝缘层，设置于该第一电极以及该第二电极上；
复数个跨桥结构，用以电性连接相邻的两个所述电极区块；以及
一保护层，设置于该跨桥结构上方，且沿着该跨桥结构边缘向外延伸一宽度。
6.如权利要求5所述的单层式感应电极，其中该保护层为一透明保护光阻，其厚度不小于5微米，全光穿透率大于百分之六十，光密度小于0.2。
7.如权利要求5所述的单层式感应电极，其中该跨桥结构为一透明导电材质，其全光穿透率大于百分之八十，光密度小于1。
8.如权利要求5所述的单层式感应电极，其中该宽度不小于0.01微米。
9.如权利要求5所述的单层式感应电极，其中该跨桥结构为一氧化铟锡、氧化铟锡复合层、导电高分子、纳米银线或碳纳米管任一种材质所制成。
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