KR101055379B1 - 브리지 타입 전극의 설치방법 및 브리지 타입 전극구조 - Google Patents

브리지 타입 전극의 설치방법 및 브리지 타입 전극구조 Download PDF

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Abstract

본 발명은 브리지 타입 전극의 설치방법 및 브리지 타입의 전극구조에 관한 것으로, 브리지 타입 전극의 설치방법은 기판이 제공되는 단계 S1과; 기판에 복수개의 패턴블록이 서로 인접하여 설치되는 투명도전층이 형성되는 단계 S2와; 기판에 패턴블록 사이를 가로지르는 브리지 타입 홈을 가지는 복수개의 브리지 절연유닛을 구비하는 배향막층이 형성되는 단계 S3와; 기판에 광학보상타입 마스크를 통하여 과다 노출 및 과다 현상과 배합하여 형성되는 복수개의 도전선을 가지며 각각 브리지 타입 홈에 대응하여 설치되는 도전층이 형성되는 단계 S4; 및 기판에 광학투과율을 증가시키고 기판, 투명도전층, 배향막층, 및 도전층을 보호하는 보호층이 형성되는 단계 S5를 포함한다.

Description

브리지 타입 전극의 설치방법 및 브리지 타입 전극구조{Installing method of bridge type electrode and electrode structure of bridge type}
본 발명은 브리지 타입 전극의 설치방법 및 브리지 타입 전극구조에 관한 것으로, 특히 특수한 마스크를 이용하여 절연유닛에 브리지 타입 홈을 형성하고 그 브리지 타입 홈에 설치되어 있는 도선으로 하여금 후속의 제조공정 때문에 전반적인 수율이 좋지 못함을 쉽게 조성하지 않게 하는 브리지 타입 전극의 설치방법 및 브리지 타입 전극구조에 관한 것이다.
잘 알려져 있는 기술은 용량성(Capacitive) 터치 패널 제조공정에서 기판에 두 개의 축 방향이 같지 않은 전극을 형성하고 또한 그중 하나의 축 방향 전극에 재차 절연층을 형성하여 다른 축 방향 전극이 그 절연층에 설치한 금속도선을 통과하여 전기적인 연결을 진행하는 것을 제공하는데 사용하는 것이다.
그러나 전통적으로 절연층에 설치하는 금속도선은 가능하게 후속의 제조공정에서 파손될 수 있어 전도할 수 없게 되고 더 나아가서는 용량성 터치 패널의 제조 수율을 낮아지게 한다.
이밖에 일반적인 회사의 마스크 설계상에서 생산하는 마스크의 도형 넓이와 요구되는 성형 선로의 도형 넓이가 같아야 하고, 상술한 문제의 발생을 효과적으로 극복하기 어려울 뿐만 아니라 현상 후 포토레지스트 잔류가 심하고, 현상 불완전과 과다현상 등 문제 역시 동시에 존재하며, 그리고 에칭을 거친 후 매우 쉽게 외관불량(선로 가장자리에 톱날 혹은 파도 상태를 형성) 혹은 전기불량을 형성한다(신뢰성 테스트가 정상이 아님). 따라서 새로운 구조를 제공하여 용량성 터치 패널의 수율을 높일 필요가 있다.
본 발명의 목적은 하프톤 패턴(halftone pattern)을 가지고 있는 마스크를 통하여 브리지 타입 홈을 형성하여 제조공정에서 조성되는 브리지 타입 홈에 설치되어 있는 금속도선의 대한 파괴를 해결하는 브리지 타입 전극의 설치방법을 제공함에 있다.
본 발명의 다른 하나의 목적은 브리지 절연유닛을 가지고 있어 전극사이의 전기적인 연결을 진행하고 또한 그 전극을 연결하는 도선으로 하여금 브리지 절연유닛의 높이보다 낮은 브리지 타입 홈 속에 설치되게 하는데 사용하는 브리지 타입 전극구조를 제공함에 있다.
본 발명의 또 하나의 목적은 노출용 빛 에너지 조절 및/혹은 광학보상타입 마스크에 배합하는 것을 통하여 그 빛 에너지와 광학보상타입 마스크로 하여금 서로 간에 상호작용이 이루어지게 하여 도전선을 보상하는데, 예를 들면 도전선의 임계치수손실(Critical Dimension Loss)을 보상하는 브리지 타입 전극구조를 제공함에 있다.
상술한 본 발명의 목적은, 기판이 제공되는 단계 S1과; 기판에 복수개의 패턴블록이 서로 인접하여 설치되는 투명도전층이 형성되는 단계 S2와; 기판에 패턴블록 사이를 가로지르는 브리지 타입 홈을 가지는 복수개의 브리지 절연유닛을 구비하는 배향막층이 형성되는 단계 S3와; 기판에 광학보상타입 마스크를 통하여 과다 노출 및 과다 현상과 배합하여 형성되는 복수개의 도전선을 가지며 각각 브리지 타입 홈에 대응하여 설치되는 도전층이 형성되는 단계 S4; 및 기판에 광학투과율을 증가시키고 기판, 투명도전층, 배향막층, 및 도전층을 보호하는 보호층이 형성되는 단계 S5를 포함하는 브리지 타입 전극의 설치방법에 의해 달성된다.
또한 상술한 본 발명의 목적은, 기판과; 기판에 설치되며 제1도선을 통하여 직렬 전기연결되는 제1전극블록과; 기판에 설치되며 각각 제1도선의 양측에 설치되는 제2전극블록; 및 제1도선에 수직으로 설치되며 브리지 타입 홈을 가지는 브리지 절연유닛을 포함하되, 제2전극블록은 제2도선을 가지고 있는 브리지 절연유닛을 통하여 직렬 전기연결되고, 용량성 터치 패널에 사용되는 것을 특징으로 하는 브리지 타입 전극구조에 의해 달성된다.
또한 상술한 본 발명의 목적은, 기판층(SL), 투명도전층(ECL), 배향막층(PI), 및 도전층(CL)을 포함하되, 투명도전층(ECL)은 기판층(SL)의 일측에 설치되고, 배향막층(PI)은 기판층(SL)과 투명도전층(ECL)의 일측에 설치되고, 도전층(CL)은 배향막층(PI)의 일측에 인접하여 설치되고, 용량성 터치 패널에 사용되며, 브리지 타입 전극구조의 일측에 설치되는 적어도 하나의 보호층이 더 포함되며 이 보호층은 유기물층, 감광물층, 반사방지층(anti-reflection; AR), 눈부심방지층(anti-glare;AG) 또는 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 브리지 타입 전극구조에 의해 달성된다.
본 발명의 브리지 타입 전극의 설치방법 및 브리지 타입의 전극구조는 하프톤 패턴을 가지고 있는 마스크를 통하여 브리지 절연유닛에 브리지 타입 홈을 형성하여 전극 간에 서로 연결할 때 기판에 동시에 두 개 방향을 가지고 있는 전극에 서로 절연을 제공하여 각각 전기연결을 진행할 수 있게 하는 외에 또한 브리지 타입 홈이 그 브리지 절연유닛 높이보다 낮은 구조를 통하여 효과적으로 제조공정 수율을 높일 수 있다. 특히, 노출 조절용 빛 에너지 및/혹은 광학보상타입 마스크에 배합하는 것을 통하여 그 빛 에너지와 광학보상타입 마스크로 하여금 서로 간에 상호작용이 이루어지게 하여 도전선의 임계치수손실(Critical Dimension Loss)을 보상한다.
도 1에서 도 5는 실시예의 브리지 타입 전극의 설치방법의 공정설명도이다.
도 6a에서 도 6c는 광학보상타입 마스크의 패턴 설명도이다.
도 7a에서 도 7d는 실시예의 브리지 타입 전극구조의 설명도이다.
도 8a에서 도 8b는 실시예의 브리지 타입 전극구조의 수직단면 설명도이다.
본 발명의 목적, 특징 및 효능을 충분히 이해하기 위하여 아래의 구체적인 실시예와 도면을 통하여 본 발명에 대하여 상세한 설명을 하려고 하는데 설명은 아래와 같다.
도 1부터 도 5를 참고로 한다. 본 발명 실시 예 중의 브리지 타입 전극의 설치방법의 공정도이다.
도 1에서 브리지 타입 전극의 설치방법의 설치단계는 단계 S1의 기판제공으로부터 시작된다. 이어서 단계 S2에서 기판에 투명도전층이 형성되며 이 투명도전층은 복수개의 패턴블록이 서로 인접하여 설치된다. 이어서 단계 S3에서 기판에 배향막층이 형성되며 이 배향막층은 브리지 타입 홈을 가지는 복수개의 브리지 절연유닛을 구비하는데 패턴블록 사이를 가로지르는데 사용된다. 이어서 단계 S4에서 기판에 도전층이 형성되며 이 도전층은 복수개의 도전선을 가지는데 각각 브리지 타입 홈에 대응하여 설치되며, 이 도전층의 도전선은 광학보상타입 마스크를 통하여 과다 노출 및 과다 현상과 배합하여 최소한 하나가 형성된다. 이어서 단계 S5에서 기판 위에 보호층을 형성하여 광학투과율을 증가시키고 기판, 투명도전층, 배향막층, 및 도전층을 보호하는데 사용한다.
도 2는 상술한 단계 S2의 더욱 상세한 단계인데 투명도전층 형성단계는 아래와 같은 것을 포함한다. 시작되는 단계 S2-1에서 기판에 도전필름(ITO)을 스퍼터링한다. 이어서 단계 S2-2에서 기판에 포토레지스트 코팅을 한다. 이어서 단계 S2-3에서 패턴블록에 대응하는 마스크를 제공하며 이 마스크를 통과하여 포토레지스트에 패턴블록이 노출형성되게 한다. 이어서 단계 S2-4에서 패턴블록을 현상, 식각, 및 스트립하여 서로 인접한 패턴블록을 형성한다.
도 3은 상술한 단계 S3의 더욱 상세한 단계인데 배향막층 형성단계는 아래와 같은 것을 포함한다. 시작되는 단계 S3-1에서 기판에 포토레지스트 코팅을 한다. 이어서 단계 S3-2에서 하프톤 패턴을 가지고 있는 마스크를 제공하며 이 마스크를 통하여 하프톤 패턴을 포토레지스트에 노출시킨다. 이어서 단계 S3-3에서 하프톤 패턴을 포토레지스트로 현상하여 패턴블록 사이를 가로지르는 브리지 타입 홈을 형성한다. 이어서 단계 S3-4에서 포토레지스트를 베이킹한다.
이밖에 마스크의 하프톤 패턴 형성단계인 단계 S3-2는 아래와 같은 것이 포함된다. 마스크의 표면에 제공되는 불투광 구역의 지름은 하프톤 패턴의 지름(도 6a에 도시된 바와 같다)보다 크고, 복수개 구멍을 형성하며(예를 들면 구멍은 원형, 장방형 혹은 임의의 형태일 수 있다), 이 구멍은 마스크의 표면에 설치된다(도 6b, 6c에 도시된 바와 같다). 노출시 광선은 하프톤 패턴에 대하여 간섭과 회절작용을 조성하여 브리지 타입 홈의 포토레지스트로 하여금 현상 후 그 브리지 타입 홈이 브리지 절연유닛 높이보다 낮게 한다(도 7d에 도시된 바와 같다).
도 4는 상술한 단계 S4의 더욱 상세한 단계인데 도전층 형성단계는 아래와 같은 것을 포함한다. 시작되는 단계 S4-1에서 기판에 도전재료를 스퍼터링한다. 이어서 단계 S4-2에서 기판에 포토레지스트 코팅을 한다. 이어서 단계 S4-3에서 광학보상타입 마스크를 제공하며, 광학보상타입 마스크를 통과하여 도전선에 대응하는 도전선 패턴을 포토레지스트에 과다 노출되게 한다. 이어서 단계 S4-4에서 도전선 패턴을 과다 현상하여 서로 인접한 패턴블록을 형성한다. 이밖에 단계 S4-3에서 노출용 빛 에너지 조절하고 광학보상타입 마스크와 배합하여 빛 에너지와 광학보상타입 마스크로 하여금 서로 간에 상호작용이 이루어지게 하여 도전선의 임계치수손실(Critical Dimension Loss)을 보상하게 한다.
예를 들면 광학보상타입 마스크가 만들어내는 패턴은 도 7a와 도 7b의 굵은 선의 도전선 패턴으로 도시된 바와 같다. 도 7a는 광학보상타입 마스크가 같은 지름 넓이를 가지는 도전선을 만들어내는 것을 나타낸다. 도 7b는 광학보상타입 마스크가 같지 않은 지름 넓이를 가지는 도전선을 만들어내는 것을 나타내며 또한 특별히 도전선의 양측에 비교적 넓은 지름을 가지고 있는 것을 나타낸다.
도 5는 상술한 단계 S5의 더욱 상세한 단계인데 보호층 형성단계는 아래와 같은 것을 포함한다. 시작되는 단계 S5-1에서 적어도 하나의 포토레지스트 및 유기물을 기판에 코팅한다. 이어서 단계 S5-2에서 포토레지스트 또는 유기물을 베이킹하여 경질의 보호막을 형성한다. 이밖에 다른 하나의 실시예 중에서 만약 보호층을 기판의 전체 면적에 사용하지 않을 경우 단계 S5-1을 거친 후 보호구역 패턴의 마스크를 제공하며, 이 마스크를 통과하여 보호구역 패턴을 포토레지스트 또는 유기물에 노출되게 하며, 현상에 의해 포토레지스트 또는 유기물 위에 보호구역 패턴이 위치한다.
도 7c에서 도 7d를 참고한다. 본 발명 실시예의 브리지 타입 전극구조의 설명도이다.
도 7c는 브리지 타입 전극구조를 제공하는데 용량성 터치 패널에 사용된다. 기판(10), 복수개의 제1전극블록(12), 복수개의 제2전극블록(14)와 브리지 절연유닛(16)을 포함한다. 기판(10)의 재질은 유리재질일 수 있는데 즉 유리기판이다. 제1전극블록(12)은 기판(10)에 설치될 뿐만 아니라 제1도선(18)을 통하여 직렬 전기연결된다. 제2전극블록(14)는 기판(10)에 설치되며 또한 제2전극블록(14)는 각각 제1도선(18)의 양측에 설치된다. 브리지 절연유닛(16)은 제1도선(18)에 수직으로 설치될 뿐만 아니라 브리지 절연유닛(16)은 브리지 타입 홈(20)을 가지는데, 도 7d에 도시된 바와 같다. 제2전극블록(14)은 제2도선(22)을 가지고 있는 브리지 절연유닛(16)을 통하여 직렬 전기연결된다. 제1전극블록(12), 제2전극블록(14), 제1도선(18), 및 제2도선(22)은 투명 혹은 불투명한 도전재질을 선택하는데 예를 들면 ITO(Indium tin oxide)이다.
그리고 제1도선(18)과 제2도선(22)은 몰리브덴(Mo)-알루미늄(Al)-몰리브덴(Mo) 재잴이다. 이밖에 브리지 타입 전극구조는 적어도 하나의 보호층을 더 포함하는데 브리지 타입 전극구조의 일측, 타측 또는 양측에 설치되는데 도면에는 도시되지 않았다. 보호층은 유기물 또는 포토레지스트로 형성되는데 예를 들면 포토레지스트의 재질은 이산화규소(SiO₂)이다.
도 8a에서 도 8b를 참고한다. 본 발명 실시예의 브리지 타입 전극구조의 수직단면 설명도이다. 본 실시예에서 브리지 타입 전극구조는 용량성 터치 패널에 사용된다. 기판층(SL), 투명도전층(ECL), 배향막층(PI), 및 도전층(CL)을 포함한다. 투명도전층(ECL)은 최소한 기판층(SL)의 일측에 설치된다. 배향막층(PI)은 기판층(SL)과 투명도전층(ECL)의 일측에 설치된다. 도전층(CL)은 배향막층(PI)의 일측에 인접하여 설치되며 또한 도전층(CL)은 몰리브덴(Mo)-알루미늄(Al)-몰리브덴(Mo) 구조일 수 있다.
이밖에 브리지 타입 전극구조는 일측에 보호층(PL)이 설치되며 보호층(PL)은 유기물층, 감광물층, 반사방지층(anti-reflection; AR), 눈부심방지층(anti-glare;AG) 또는 이들의 조합일 수 있다. 당 기술분야를 잘 알고 있는 자는 응당 그 보호층(PL)은 무시할 수 있으며 각 층의 배열 제작과정 순서도 요구에 따라 가변할 수 있음을 이해해야 한다.
잘 알려져 있는 기술과 비교할 때 본 발명의 브리지 타입 전극 설치방법 및 그 설치구조는 하프톤 패턴을 가지는 마스크를 통하여 브리지 절연유닛에 브리지 타입 홈을 형성하여 전극 간에 서로 연결을 진행할 때 기판에 동시에 두 개 방향을 가지는 전극이 서로 절연을 제공하여 각각 전기연결을 진행할 수 있게 하는 외에 또 브리지 타입 홈이 그 브리지 절연유닛 높이보다 낮은 구조를 통하여 효과적으로 제조공정 수율을 높일 수 있다.
본 발명은 상술한 바처럼 비교적 우수한 실시 예로 설명하였다. 본 기술분야의 기술을 잘 알고 있는 자는 본 실시예는 본 발명을 묘사한 것이지 본 발명의 범위를 제한하는 것이 아님을 알아야 한다. 응당 주의해야 할 것은 본 실시예와 같은 효과의 변화와 교체는 모두 본 발명의 권리범위에 속하는 것으로 보아야 한다. 때문에 본 발명의 보호범위는 아래의 특허청구범위에서 확정한 범위를 기준으로 한다.
10 기판 12 제1전극블록
14 제2전극블록 16 브리지 절연유닛
18 제1도선 20 브리지 타입 홈
22 제2도선 PL 보호층
ECL 투명도전층 SL 기판층
PI 배향막층 CL 도전층

Claims (21)

  1. 기판이 제공되는 단계 S1과;
    기판에 복수개의 패턴블록이 서로 인접하여 설치되는 투명도전층이 형성되는 단계 S2와;
    기판에 패턴블록 사이를 가로지르는 브리지 타입 홈을 가지는 복수개의 브리지 절연유닛을 구비하는 배향막층이 형성되는 단계 S3와;
    기판에 광학보상타입 마스크를 통하여 과다 노출 및 과다 현상과 배합하여 형성되는 복수개의 도전선을 가지며 각각 브리지 타입 홈에 대응하여 설치되는 도전층이 형성되는 단계 S4; 및
    기판에 광학투과율을 증가시키고 기판, 투명도전층, 배향막층, 및 도전층을 보호하는 보호층이 형성되는 단계 S5를 포함하는 브리지 타입 전극의 설치방법.
  2. 청구항 1에 있어서, 단계 S2는
    기판에 도전필름(ITO)을 스퍼터링하는 단계 S2-1과;
    기판에 포토레지스트 코팅을 하는 단계 S2-2와;
    패턴블록에 대응하는 마스크를 제공하며 이 마스크를 통과하여 포토레지스트에 패턴블록이 노출형성되게 하는 단계 S2-3; 및
    패턴블록을 현상, 식각, 및 스트립하여 서로 인접한 패턴블록을 형성하는 단계 S2-4를 포함하는 브리지 타입 전극의 설치방법.
  3. 청구항 2에 있어서, 단계 S3는
    기판에 포토레지스트 코팅을 하는 단계 S3-1과;
    하프톤 패턴을 가지는 마스크를 제공하며 이 마스크를 통하여 하프톤 패턴을 포토레지스트에 노출시키는 단계 S3-2와;
    하프톤 패턴을 포토레지스트로 현상하여 패턴블록 사이를 가로지르는 브리지 타입 홈을 형성하는 이어서 단계 S3-3; 및
    포토레지스트를 베이킹하는 단계 S3-4를 포함하는 브리지 타입 전극의 설치방법.
  4. 청구항 3에 있어서, 단계 S4는
    기판에 도전재료를 스퍼터링하는 단계 S4-1과;
    기판에 포토레지스트 코팅을 하는 단계 S4-2와;
    광학보상타입 마스크를 제공하며, 광학보상타입 마스크를 통과하여 도전선에 대응하는 도전선 패턴을 포토레지스트에 과다 노출되게 하는 단계 S4-3; 및
    도전선 패턴을 과다 현상하여 서로 인접한 패턴블록을 형성하는 단계 S4-4를 포함하는 브리지 타입 전극의 설치방법.
  5. 청구항 4에 있어서, 단계 S5는
    적어도 하나의 포토레지스트 및 유기물을 기판에 코팅하는 단계 S5-1와;
    포토레지스트 또는 유기물을 베이킹하여 경질의 보호막을 형성하는 단계 S5-2를 포함하는 브리지 타입 전극의 설치방법.
  6. 청구항 5에 있어서,
    단계 S5-1을 거친 후 보호구역 패턴의 마스크를 제공하며, 이 마스크를 통과하여 보호구역 패턴을 포토레지스트 또는 유기물에 노출되게 하며, 현상에 의해 포토레지스트 또는 유기물 위에 보호구역 패턴이 위치하는 것을 특징으로 하는 브리지 타입 전극의 설치방법.
  7. 청구항 3에 있어서,
    단계 S3-2에서 마스크의 표면에 제공되는 불투광 구역의 지름은 하프톤 패턴의 지름보다 큰 것을 특징으로 하는 브리지 타입 전극의 설치방법.
  8. 청구항 3에 있어서,
    단계 S3-2에서 마스크의 표면에 복수개 구멍을 형성하는 것을 특징으로 하는 브리지 타입 전극의 설치방법.
  9. 청구항 3에 있어서,
    단계 S3-2에서 노출시 광선은 하프톤 패턴에 대하여 간섭과 회절작용을 조성하여 브리지 타입 홈의 포토레지스트로 하여금 현상 후 그 브리지 타입 홈이 브리지 절연유닛의 높이보다 낮게 하는 것을 특징으로 하는 브리지 타입 전극의 설치방법.
  10. 청구항 4에 있어서,
    단계 S4-3에서 노출용 빛 에너지 조절하고 광학보상타입 마스크와 배합하여 빛 에너지와 광학보상타입 마스크로 하여금 서로 간에 상호작용이 이루어지게 하여 도전선의 임계치수손실(Critical Dimension Loss)을 보상하게 하는 것을 특징으로 하는 브리지 타입 전극의 설치방법.
  11. 기판(10)과; 기판(10)에 설치되며 제1도선(18)을 통하여 직렬 전기연결되는 제1전극블록(12)과; 기판(10)에 설치되며 각각 제1도선(18)의 양측에 설치되는 제2전극블록(14); 및 제1도선(18)에 수직으로 설치되며 브리지 타입 홈(20)을 가지는 브리지 절연유닛(16)을 포함하되, 제2전극블록(14)은 제2도선(22)을 가지고 있는 브리지 절연유닛(16)을 통하여 직렬 전기연결되고, 용량성 터치 패널에 사용되는 것을 특징으로 하는 브리지 타입 전극구조.
  12. 청구항 11에 있어서,
    제1전극블록(12), 제2전극블록(14), 제1도선(18), 및 제2도선(22)은 투명 혹은 불투명한 도전재질인 것을 특징으로 하는 브리지 타입 전극구조.
  13. 청구항 12에 있어서,
    기판은 유리기판인 것을 특징으로 하는 브리지 타입 전극구조.
  14. 청구항 11에 있어서,
    제1도선과 제2도선은 몰리브덴(Mo)-알루미늄(Al)-몰리브덴(Mo) 재질인 것을 특징으로 하는 브리지 타입 전극구조.
  15. 청구항 11에 있어서,
    브리지 타입 전극구조의 일측에 설치되는 적어도 하나의 보호층이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 브리지 타입 전극구조.
  16. 청구항 15에 있어서,
    브리지 타입 전극구조의 타측에 설치되는 적어도 하나의 보호층이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 브리지 타입 전극구조.
  17. 청구항 15 또는 16에 있어서,
    보호층은 유기물 및 포토레지스트로 형성되는 것을 특징으로 하는 브리지 타입 전극구조.
  18. 청구항 17에 있어서,
    포토레지스트의 재질은 이산화규소(SiO₂)인 것을 특징으로 하는 브리지 타입 전극구조.
  19. 기판층(SL), 투명도전층(ECL), 배향막층(PI), 및 도전층(CL)을 포함하되,
    투명도전층(ECL)은 기판층(SL)의 일측에 설치되고, 배향막층(PI)은 기판층(SL)과 투명도전층(ECL)의 일측에 설치되고, 도전층(CL)은 배향막층(PI)의 일측에 인접하여 설치되며, 용량성 터치 패널에 사용되는 것을 특징으로 하는 브리지 타입 전극구조.
  20. 청구항 19에 있어서,
    브리지 타입 전극구조의 일측에 설치되는 적어도 하나의 보호층(PL)이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 브리지 타입 전극구조.
  21. 청구항 20에 있어서,
    보호층(PL)은 유기물층, 감광물층, 반사방지층(anti-reflection; AR), 눈부심방지층(anti-glare;AG) 또는 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 브리지 타입 전극구조.
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