KR20110101312A - 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 cmp용 연마패드 및 그 제조 방법 - Google Patents
임프린트 리소그래피 공정을 이용한 cmp용 연마패드 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20110101312A KR20110101312A KR1020100020239A KR20100020239A KR20110101312A KR 20110101312 A KR20110101312 A KR 20110101312A KR 1020100020239 A KR1020100020239 A KR 1020100020239A KR 20100020239 A KR20100020239 A KR 20100020239A KR 20110101312 A KR20110101312 A KR 20110101312A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- polishing pad
- cmp
- imprint lithography
- lithography process
- resin
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 71
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 67
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title claims abstract description 54
- 238000012545 processing Methods 0.000 title description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 49
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 42
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 14
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 6
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 5
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 5
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 5
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 5
- 235000019422 polyvinyl alcohol Nutrition 0.000 claims description 5
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 claims description 4
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 claims description 4
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 4
- -1 ester methacrylate Chemical class 0.000 claims description 4
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 4
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 4
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 claims description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 3
- YTLYLLTVENPWFT-UPHRSURJSA-N (Z)-3-aminoacrylic acid Chemical compound N\C=C/C(O)=O YTLYLLTVENPWFT-UPHRSURJSA-N 0.000 claims description 2
- POYODSZSSBWJPD-UHFFFAOYSA-N 2-methylprop-2-enoyloxy 2-methylprop-2-eneperoxoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OOOC(=O)C(C)=C POYODSZSSBWJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical class NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 2
- AJXBTRZGLDTSST-UHFFFAOYSA-N amino 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)ON AJXBTRZGLDTSST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 2
- MHCLJIVVJQQNKQ-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;2-methylprop-2-enoic acid Chemical compound CCOC(N)=O.CC(=C)C(O)=O MHCLJIVVJQQNKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N oxidophosphanium Chemical class [PH3]=O MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FAQJJMHZNSSFSM-UHFFFAOYSA-N phenylglyoxylic acid Chemical compound OC(=O)C(=O)C1=CC=CC=C1 FAQJJMHZNSSFSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 claims description 2
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 claims description 2
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 2
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 claims 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 claims 2
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 claims 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 claims 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 abstract description 10
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 14
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 8
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- OYKPJMYWPYIXGG-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethylbutane;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.CCC(C)(C)C OYKPJMYWPYIXGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LESMLVDJJCWZAJ-UHFFFAOYSA-N 2-(diphenylphosphorylmethyl)-1,3,5-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1CP(=O)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 LESMLVDJJCWZAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHWGFJBTMHEZME-UHFFFAOYSA-N 4-prop-2-enoyloxybutyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCCOC(=O)C=C JHWGFJBTMHEZME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004713 Cyclic olefin copolymer Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100107923 Vitis labrusca AMAT gene Proteins 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
Abstract
본 발명은 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 CMP용 연마패드의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 아크릴계 공중합 수지 100중량부에 대하여, 가교성 단량체 1 내지 60 중량부 및 광중합 개시제 0.1 내지 10 중량부를 함유하는 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 CMP용 연마패드 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 CMP용 연마패드 수지 조성물 및 제조 방법은 정밀하고 오염도가 없는 CMP용 연마패드 수지 조성물을 생산할 수 있으며, 폴리우레탄 연마패드에 Groove 및 Micro pore를 한번의 리소그래피공정으로 형성함으로써 생산성이 높은 효과가 있다.
본 발명에 따른 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 CMP용 연마패드 수지 조성물 및 제조 방법은 정밀하고 오염도가 없는 CMP용 연마패드 수지 조성물을 생산할 수 있으며, 폴리우레탄 연마패드에 Groove 및 Micro pore를 한번의 리소그래피공정으로 형성함으로써 생산성이 높은 효과가 있다.
Description
본 발명은 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 CMP용 연마패드 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 아크릴계 공중합 수지, 가교성 단량체 및 광중합 개시제를 함유하는 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 CMP용 연마패드 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 CMP(화학기계적연마) 또는 연마기법들을 채용하는 공정들은 제작공정의 수율, 성능 및 신뢰성을 개선하기 위하여 디바이스제작의 다양한 단계 등 웨이퍼들의 표면을 평탄화하는데 광범위하게 사용되어 왔다.
종래의 CMP 연마패드 제조 기술은 크게 다음과 같이 구분되어 질 수 있다.
첫 번째는 양모와 같은 천연 펠트 섬유 또는 천연 제직 섬유, 우레탄 혼입된 펠트 폴리에스테르 또는 각종 형태의 필러로 충진된 우레탄 패드, 두 번째는 필러를 함유하지 않지만 슬러리를 저장할 수 있는 기포 혹은 기공이 함유된 연마패드, 및 세 번째는 균일한 고분자를 매트릭스로 하여 슬러리를 저장할 수 있는 마이크로 홀이 형성된 연마패드 등이 있다. 두 번째 연마패드에 관한 기술로서, 미국특허 제5,578,362호에 폴리우레탄 내에 중공 구형 부자재(속이 빈 코어 쉘)를 혼합하여 반원 상의 함몰부로 표면 구조가 이루어진 연마패드가 기재되어 있다. 이러한 연마패드는 우수한 연마속도와 평탄도로 현재 널리 사용되고 있다. 또한 당사에서는 한국 출원번호 10-2009-0088642호를 통해서 하이드로 카본계나, 연마입자, 촉매등을 포함하는 코어 쉘에 의해 일정한 분산도에 의해 균일한 연마속도를 유지하는 연마패드 제조 기술을 개시하고 있다. 상기의 연마패드는 모두 CMP slurry의 이동을 용이하게 하고, CMP동안 발생되는 연마물을 원활히 배출하기위한 Groove를 가지고 있으며, 연마동안 CMP입자(실리카, 세리아,알루미나등)를 일정한 농도로 계속 패드상에 함유하게 하기위한 포어(pore)를 형성하고 있다. 그루브(Groove)를 형성하는 종래의 기술은 밀 위의 톱날이 홈을 가공하는 기술(한국출원번호 10-1998-0017456 몰드로 형성하는 방법을 언급 함. 특히 네가티브 이미지를 포함하는 몰드로 가공 함.)을 개시하고 있고, 레이저빔을 이용하여 홈을 가공하는 기술(출원번호 2002-0045832)을 개시하고 있다. 또한 연마 동안 CMP입자를 일정한 농도로 함유하기 위한 포어(pore)를 형성하는 기술(미국특허 제5,578,362)이 개시되어있다. 이렇게 groove 및 포어(pore)를 형성하기위한 종래의 기술로는 깨끗한 표면을 갖는 홈을 제조하기 어려워서 CMP공정중 particle defect을 유발할 수 있고, 포어의 형성도 불균일하여 연마속도가 안정하지 않은 점에서 초 미세공정을 가공하는 미래 반도체공정에 적용하기에 어려움이 있다. 또한 레이저빔에 의한 가공은 낮은 생산성의 문제점이 있다.
이에 본 발명자들은 상기 문제점을 해결하기 위하여 예의 노력한 결과, 기존의 연마패드 제조 공정에 임프린트 리소그래피 기술을 도입하여 제조함으로써 정밀하고 오염도가 없는 CMP용 연마패드를 제공할 수 있으며, 폴리우레탄 연마패드에 Groove 및 Micro pore를 한번의 리소그래피공정으로 형성함으로써 생산성이 높은 CMP 연마패드의 제조기술을 제공 할 수 있음을 확인하고 본 발명을 완성하였다.
본 발명의 목적은 기존의 연마패드의 제조 공정 중 임프린트 리소그래피 기술을 도입하여 정밀하고 오염도가 없으며, 생산성이 높은 CMP용 연마패드 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 아크릴계 공중합 수지 100중량부에 대하여, 가교성 단량체 1 내지 60 중량부 및 광중합 개시제 0.1 내지 10 중량부를 함유하여 정밀하고 오염도가 없는 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 CMP용 연마패드를 제공한다.
본 발명은 또한, (a) 기판 상에 피가공층을 형성하는 감광성 수지 조성물을 형성하는 단계; (b) 상기 피가공층에 패턴형성을 위한 임프린트 리소그래피 몰드를 접촉시키는 단계; (c) 광선을 조사하여 피가공층을 경화시키는 단계; 및 (d) 경화된 피가공층으로부터 임프린트 리소그래피 몰드를 분리시키는 단계를 포함하는 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 CMP용 연마패드의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 CMP용 연마패드 및 그 제조 방법은 정밀하고 오염도가 없는 CMP용 연마패드를 제조할 수 있으며, 폴리우레탄 연마패드에 Groove 및 Micro pore를 한번의 리소그래피공정으로 형성함으로써 생산성이 높은 효과가 있다.
도 1은 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 CMP용 연마패드의 제조 공정 순서도를 나타낸 것이다.
달리 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 기술적 및 과학적 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 숙련된 전문가에 의해서 통상적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 일반적으로, 본 명세서에서 사용된 명명법 및 이하에 기술하는 실험 방법은 본 기술 분야에서 잘 알려져 있고 통상적으로 사용되는 것이다.
본 발명은 일 관점에서 아크릴계 공중합 수지 100중량부에 대하여, 가교성 단량체 1 내지 60 중량부 및 광중합 개시제 0.1 내지 10 중량부를 함유하는 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 CMP용 연마패드에 관한 것이다.
본 발명에 있어서, 임프린트 리소그래피용 수지 조성물을 사용하기 위해서는 크게 경질몰드(hard mold)와 연질몰드(soft mold) 가 사용된다. 연질몰드(Soft mold)는 반복되는 임프린팅공정 진행 시에 몰드의 변형을 초래할 수 있으나 몰드의 제조가 매우 용이하며, 경질몰드(Hard mold)는 변형이 잘 일어나지 않는 장점이 있다. 임프린트 리소그래피에 적용되는 수지 조성물은 크게 열경화성 수지 조성물과 광경화성 수지 조성물로 구분할 수 있다. 열경화성 수지 조성물은 특정온도 이상으로 가열하여 유동성을 확보하면서 몰드를 가압하므로 패턴의 얼라인이 힘들고 하부막이 열화되며 몰드의 이형이 까다로우며 고온 고압을 이용하므로 공정상 냉각시키는 시간이 필요한 단점이 있다. 반면에 광경화성 조성물은 광투과성이 우수한 재료를 이용한 몰드를 적용하며 광경화성 수지 조성물에 몰드를 정합하고 그 상태에서 광조사함으로써 패턴을 전사하는 방식이다. 이 방식은 UV 광이 투과되는 투명한 재질의 몰드를 사용해야 하는 등의 문제점이 있으나 열경화 방식에 비해 패턴형성방법이 훨씬 쉬운 장점이 있다.
본 발명에 있어서, CMP는 반도체웨이퍼에 집적회로를 제조하는 동안 개별적인 층을 평탄화하기 위하여 이용된다. CMP는 식각공정 이후의 금속침전물, STI(Shallow Trench Isolation)공정 등의 불필요한 산화물 등을 제거한다.
CMP는 일반적으로 슬러리라고 지칭하는 반응성 액체매체, 그리고 평탄도를 얻기 위한 화학적 및 기계적 제어를 제공하기 위하여 연마패드를 이용한다. 액체 또는 연마패드는 CMP 공정의 화학적인 반응성 및 기계적인 활동도를 향상시키기 위하여 나노크기의 무기물 입자를 포함할 수 있다. 일반적으로 패드는 슬러리의 운반, 웨이퍼에 가해진 압력의 분배 및 반응 생성물의 제거를 포함하는 몇몇 기능을 실행 할 수 있는 견고한 미세 다공성의 폴리우레탄 재료로 만들어 진다. CMP 공정이 진행되는 동안에 슬러리의 화학적 상호작용은 연마표면에 화학적으로 변형된 층을 형성한다. 동시에 슬러리의 연마제는 화학적으로 변형된 층과 기계적으로 상호 작용하여 재료를 제거한다. CMP 공정에서 재료의 제거 속도는 슬러리 연마제의 농도의 크기와, 평균마찰계수는 패드 마찰 공학에 의존한다. 최근의 연구들은 패드 재료 컴플라이언스, 패드 접촉 면적 및 시스템의 평활도가 CMP 공정에서 중요한 역할을 하고 있는 것을 나타나고 있다. 효과적인 CMP 공정은 높은 연마율을 제공할 뿐만 아니라 평탄한 기판 표면을 제공한다. 연마율과 평탄도, 선택비는 슬러리와 패드의 조합, 패드와 웨이퍼의 상대속도 및 패드에 대하여 기판을 누르도록 가해지는 방향의 힘에 의해 지배되는 것으로 판단된다.
본 발명에 있어서 임프린트 리소그래피용 감광성 수지 조성물은, 아크릴계 공중합 수지, 아크릴 단량체 또는 적어도 2개 이상의 에틸렌계 이중결합을 가지고 있는 가교성 단량체 및 광중합 개시제를 포함하는 임프린트 리소그래피용 수지 조성물을 제공한다. 또한 코팅 및 몰드와 합착시 퍼짐특성을 개선하기 위하여, 불소계 공중합체 내지 실리콘계 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택되는 계면활성제를 0.001~5중량부를 포함할 수도 있으며, 기타 물성개선을 위하여, 산화방지제로 이루어진 군으로부터 선택되는 첨가제 0.1 ~10중량부를 포함 할 수도 있다.
본 발명에 있어서, 아크릴계 공중합 수지는 수지의 가교밀도를 높이는 역할을 하며, 아크릴 단량체 및 적어도 2개 이상의 에틸렌계 이중결합을 가지고 있는 가교성 단량체는 수지의 물성 개선 및 수지의 점도를 희석시키는 역할을 한다. 본 발명에 있어서, 아크릴계 공중합 수지는 에폭시 아크릴레이트 수지, 우레탄 아크릴레이트 수지, 폴리에스터 아크릴레이트 수지, 실리콘 아크릴레이트 수지, 아미노 아크릴레이트 수지, 에폭시 메타아크릴레이트 수지, 우레탄 메타아크릴레이트 수지, 폴리에스터 메타아크릴레이트 수지, 실리콘 메타아크릴레이트 수지, 아미노 메타아크릴레이트 수지로 이루어진 군으로부터 단독 또는 2종 이상 선택되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 광중합 개시제는 수지를 광경화 시키는 역할을 하며, 패드의 특성상 수백 ㎛의 패턴부터 수㎛ 패턴을 형성하기 위하여, 장파장을 흡수하는 개시제와 단파장을 흡수하는 개시제를 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있으며, 바람직하게는 장파장을 흡수하는 개시제로는 알파아미노케톤 계열 또는 포스파인옥사이드 계열을 사용할 수 있고, 단파장을 흡수하는 개시제로는 알파하이드록시케톤 계열 또는 페닐글리옥실레이트 계열을 사용할 수 있다. 광중합 개시제는 단일 또는 2종 이상을 사용하여 수지의 표면과 안쪽을 동일한 시간에 광경화 시킬 수 있으며, 장파장을 흡수하는 개시제와 단파장을 흡수하는 개시제가 95:5 내지 5:95의 중량비의 혼합물인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 임프린트 리소그래피 기술은, 최초 나노 스케일을 각인하기 위해 미국 프린스턴 대학교의 스테판 쵸우(Stephen chou)등에 의해 발명된 방법으로 상대적으로 강도가 강한 물질의 표면에 필요로 하는 형상을 미리 제작하여 이를 다른 물질 위에 도장 찍는 듯이 하여 패턴을 형성하거나 원하는 패턴을 미리 형성시킨 몰드(mold)를 사용하여 금속막 또는 유기막 위에 코팅된 경화성 조성물에 합착하여 열 또는 광경화시켜 패턴을 형성하는 공법으로 공정단순화 및 초미세 패턴 형성에 유리한 이점이 있다.
본 발명은 다른 관점에서(a) 기판 상에 피가공층을 형성하는 감광성 수지 조성물을 형성하는 단계; (b) 상기 피가공층에 패턴형성을 위한 임프린트 리소그래피 몰드를 접촉시키는 단계; (c) 광선을 조사하여 피가공층을 경화시키는 단계; 및 (d) 경화된 피가공층으로부터 임프린트 리소그래피 몰드를 분리시키는 단계를 포함하는 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 CMP용 연마패드의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 있어서 패턴 형성을 위한 임프린트 리소그래피용 몰드는 몰드의 패턴을 형성하기 위하여, 몰드의 패턴을 형성하기 위한 재료로써, 퀄츠 내지 유리 내지 고분자 수지가 있으며, 특히 고분자 수지는 투과율의 저하가 생길 수 있으므로, 광투광율이 좋은 고분자 수지로써 자외선 광원 내지 열에 의해 경화되는 고분자 수지를 특징으로 한다. 고분자 수지는 경화후의 광투과율이 좋은 고분자 수지이며, 패턴형성용 고분자 수지 주형제로는 아크릴계 공중합 수지를 주로 사용하고 있다. 또한, 패턴을 형성하기 위한 재료 중 고분자 수지는 치수변형 및 몰드의 틀어짐이 발생할 수 있으며, 이를 방지하기 위하여, 패턴이 형성된 다른 일면에 부착되는 배면지지체가 필요로 하게 되며, 배면지지체는 파장이 550nm인 경우 광투과율이 80% 이상인 유리(Bare Glass), COC (Cyclic olefin copolymer), PAc (Polyacrylate), PC (Polycarbonate), PE (Polyethylene), PEEK (Polyetheretherketone), PEI (Polyetherimide), PEN (Polyethylenenaphthalate), PES (Polyethersulfone), PET (Polyethyleneterephtalate), PI (Polyimide), PO (Polyolefin), PMMA (Polymethylmethacrylate), PSF (Polysulfone), PVA (Polyvinylalcohol), PVCi (Polyvinylcinnamate), TAC (Triacetylcellulose), 폴리실리콘 (Poly Silicone), 폴리우레탄 (Polyurethane), 또는 에폭시수지 (Epoxy Resin) 소재로 이루어진 군으로부터 선택되는 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판이다.
본 발명에 있어서,상기 피가공층에 상기 임프린트 리소그래피용 몰드를 접촉시키는 단계는 도 1의 기판(105)위에 패턴을 형성하기 위한 임프린트 리소그래피용 수지(이하 수지라 칭함)(106)를 도포시킨 후, 패턴이 형성 되어있는 몰드(102)와 점착 및 접착되어있는 배면지지체(103)로 이루어진 스탬프(104)로 패턴을 형성하기 위한 수지(106)를 눌러 임프린트 리소그래피용 스탬프(104)의 패턴이 수지(106)에 전사될 수 있도록 한다. 노광에 사용되는 광원으로서 예를 들면, 185~600nm, 바람직하게는 185~450nm 영역의 UV를 사용하며, 전자선 조사도 가능하다.
본 발명에 있어서, 피가공층에서 상기 임프린트 리소그래피용 몰드를 분리시키는 단계는 도1의 임프린트 리소그래피용 스탬프(104)와 합착되어 있는 패턴이 형성되어 있는 수지(106)을 이형하면 패턴이 형성되어 있는 수지(106)가 나타나게 되고, 패턴이 형성되어 있는 수지(106)을 필요에 따라 세정액으로 쓰일 수 있는 산혼합물 또는 염기혼합물에 대한 내화학성 또는 CMP slurry에 대한 내마모성을 갖도록 추가 광경화공정 내지 열공정을 거친다. 이때 열공정 온도에 따라 박막의 기계적인 강도, 내마모성, 내화학성 등을 향상시킬 수 있다. 또한 이렇게 만들어진 패턴이 형성된 수지(106)의 후면에 있는 기판(105)를 유지하거나 제거 할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 (b) 와 (c) 공정 사이에 진공처리공정을 실시하여 non-porous 연마패드를 제조할 수 있으며, 상기 (b) 와 (c) 공정 사이에 진공처리 공정을 생략하여 porous 연마패드를 제조할 수 있다.
임프린트 리소그래프용 몰드의 제조
패턴을 형성하고자 하는 모양이 바르게 패터닝 되어져 있는 마스터 몰드 위에 임프린트 리소그래프용 몰드 재료인 폴리 에스터 아크릴레이트 수지를 도포한다. 배면지지체를 합착한 후 UV Lamp로 광경화를 진행한 후 마스터 몰드와 임프린트 리소그래프용 몰드를 분리를 하면, 임프린트 리소그래프용 몰드의 일면에는 마스터 몰드에 형성되어 있는 패턴이 역으로 형성되어진다.
몰드의 형태는 어플라이드 머티리얼즈사의 특허(출원번호 1998-107456)에 이미 개시한 동심원 형태의 groove를 역으로 형성하였다. 또한 역으로 형성된 groove 패턴 주위에 마이크로 패턴을 추가로 역으로 형성하여 non-porous 연마패드로의 적용이 가능하게 하였다.
Porous
연마패드의
제조
우레탄 아크릴레이트 수지 700g 트리메틸프로판트리아크릴레이트 200g 1,4-부탄디올디아크릴레이트 100g, 디페닐(2,4,6-트리메틸벤질)-포스핀 옥사이드 40g를 믹서를 이용하여 블렌딩 한다. 블렌딩 한 임프린트 리소그래피용 수지(이하 수지라 칭함)를 기판에 도포 시킨 후, Vacuum공정 없이 [실시예 1]에서 제조한 몰드로 패턴을 형성하기 위한 수지를 합착하여 몰드의 패턴이 수지에 전사될 수 있도록 한다. 이때, 합착공정을 Vacuum공정 없이 진행하면 수지를 블렌딩 할 때 발생한 Bubble이 제거가 안된 상태로 남게 된다. UV Lamp를 사용하여 광경화를 진행하며, 경화가 완료 된 후 몰드를 분리 한다. 수지에서 제거가 안된 Bubble은 광경화 후 Micro pore를 형성하는 역할을 하게 되어 Porous 연마패드가 형성이 되어진다. 패턴형성이 완료 된 수지를 필요에 따라 내화학성 또는 CMP slurry에 대한 내마모성을 갖도록 추가적인 광경화공정 내지 열공정을 거친다.
Non
-
porous
연마패드의
제조
우레탄 아크릴레이트 수지 700g 트리메틸프로판트리아크릴레이트 200g 1,4-부탄디올디아크릴레이트 100g, 디페닐(2,4,6-트리메틸벤질)-포스핀 옥사이드 40g를 믹서를 이용하여 블렌딩 한다. 수지에 대한 광경화 반응을 진행하기 전에 광경화실 내부를 Vacuum상태에서 몰드를 합착하여 광경화를 실시하게 되면, 수지의 블랜딩과정에서 형성된 Bubble을 제거 할 수 있다. 이 경우 패드 내부에 pore가 형성되지 않는 non-porous 연마패드가 형성이 되어진다.
[실험방법]
연마공정에 사용된 장비와 조건은 하기에 기재하였으며 패드만 교체하여 테스트를 진행하였다.
사용웨이퍼 : PETEOS(두께 :10,000A, 장비: AMAT사의 P5000 TEOS)
사용장비: UNIPLA 211(두산)
슬러리: 옥사이드 슬러리(동진쎄미켐: DHPS-11)
슬러리 플로우(ml): 200
연마시간(초): 100
헤드 회전속도(rpm): 40
정반 회전속도(rpm): 50
Down Force(hPa): 4
Back Pressure(hPa): 4
Retainer Ring Pressure(hPa): 7
ILD 공정 | ||||||
패드장착초기 | 15시간 사용 후 | 30시간 사용 후 | ||||
Removal Rate(A/min) |
Scratch갯수 (ea/웨이퍼) |
Removal Rate(A/min) |
Scratch갯수 (ea/웨이퍼) |
Removal Rate(A/min) |
Scratch갯수 (ea/웨이퍼) |
|
비교예1 | 4321 | 112 | 4101 | 135 | 3984 | 154 |
실시예2 | 4752 | 95 | 4510 | 107 | 4321 | 119 |
실시예3 | 4265 | 84 | 4095 | 92 | 3912 | 108 |
비교예1은 다우(Dow)사의 IC1000을 적용한 실험으로 조건은 동일하다. scratch개수는 NegevTech사의 1300-exp를 이용하여 1um이상의 개수를 측정하였다.
상기 실험결과에 의하면 본 발명에 따른 제품의 경우 scratch defect의 개수가 적음을 알수 있고 특히, 기존기술의 연마 패드 적용 시 사용시간에 따른 증가가 더 많이 됨을 알수 있다. 이는 기존 가공기술이 표면의 정밀함 정도가 본 발명의 경우보다 더 거칠기 때문인것으로 예상한다.
이상으로 본 발명 내용의 특정한 부분을 상세히 기술하였는 바, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서, 이러한 구체적 기술은 단지 바람직한 실시 상양태일 뿐이며, 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아닌 점은 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 청구항들과 그것들의 첨가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.
102 : 패턴이 형성 되어있는 몰드
103 : 점착 및 접착되어있는 배면지지체
104 :스탬프
105 : 기판
106 : 임프린트 리소그래피용 수지
103 : 점착 및 접착되어있는 배면지지체
104 :스탬프
105 : 기판
106 : 임프린트 리소그래피용 수지
Claims (18)
- 아크릴계 공중합 수지 100중량부에 대하여, 가교성 단량체 1 내지 60 중량부 및 광중합 개시제 0.1 내지 10 중량부를 함유하는 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 CMP용 연마패드.
- 제1항에 있어서, 상기 아크릴계 공중합 수지는 에폭시 아크릴레이트 수지, 우레탄 아크릴레이트 수지, 폴리에스터 아크릴레이트 수지, 실리콘 아크릴레이트 수지, 아미노 아크릴레이트 수지, 에폭시 메타아크릴레이트 수지, 우레탄 메타아크릴레이트 수지, 폴리에스터 메타아크릴레이트 수지, 실리콘 메타아크릴레이트 수지, 아미노 메타아크릴레이트 수지로 이루어진 군으로부터 단독 또는 2종 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 CMP용 연마패드.
- 제1항에 있어서, 상기 가교성 단량체는 아크릴 단량체 또는 적어도 2개 이상의 에틸렌계 이중결합을 가지는 가교성 단량체인 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 CMP용 연마패드.
- 상기 광중합 개시제는 장파장을 흡수하는 개시제 또는 단파장을 흡수하는 개시제인 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 CMP용 연마패드.
- 제4항에 있어서, 상기 장파장을 흡수하는 개시제는 알파아미노케톤 내지 포스파인옥사이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 CMP용 연마패드.
- 제4항에 있어서, 상기 단파장을 흡수하는 개시제는 알파하이드록시케톤 내지 페닐글리옥실레이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 CMP용 연마패드.
- 상기 광중합 개시제는 장파장을 흡수하는 개시제와 단파장을 흡수하는 개시제가 95 : 5 내지 5 : 95 중량비의 혼합물인 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 CMP용 연마패드.
- 제1항에 있어서, 상기 조성물은 계면활성제 0.001 내지 5중량부를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 CMP용 연마패드.
- 제8항에 있어서, 상기 계면활성제는 불소계 공중합체 내지 실리콘계 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 CMP용 연마패드.
- 제1항에 있어서, 상기 조성물은 산화방지제로 이루어진 군으로부터 선택되는 첨가제 0.1 내지 10중량부를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 CMP용 연마패드.
- 다음 단계를 포함하는, 제 1항에 따른 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 CMP용 연마패드의 제조 방법.:
(a) 기판 상에 피가공층을 형성하는 감광성 수지 조성물을 형성하는 단계;
(b) 상기 피가공층에 패턴형성을 위한 임프린트 리소그래피 몰드를 접촉시키는 단계;
(c) 광선을 조사하여 피가공층을 경화시키는 단계; 및
(d) 경화된 피가공층으로부터 임프린트 리소그래피 몰드를 분리시키는 단계
- 제11항에 있어서, 상기 감광성 수지 조성물은 제1항의 감광성 수지 조성물인 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 CMP용 연마패드의 제조 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 몰드 재질은 유리, 퀄츠 내지 아크릴 공중합 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 CMP용 연마패드의 제조 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 몰드는 유리(Bare Glass), COC (Cyclic olefin copolymer), PAc (Polyacrylate), PC (Polycarbonate), PE (Polyethylene), PEEK (Polyetheretherketone), PEI (Polyetherimide), PEN (Polyethylenenaphthalate), PES (Polyethersulfone), PET (Polyethyleneterephtalate), PI (Polyimide), PO (Polyolefin), PMMA (Polymethylmethacrylate), PSF (Polysulfone), PVA (Polyvinylalcohol), PVCi (Polyvinylcinnamate), TAC (Triacetylcellulose), 폴리실리콘 (Poly Silicone), 폴리우레탄 (Polyurethane), 또는 에폭시수지 (Epoxy Resin) 소재의 광 투과율이 80%이상 550nm파장의 재질인 것으로 이루어진 군으로부터 선택되는 재질의 배면지지체를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 CMP용 연마패드의 제조 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 광원은 185 내지 600 nm 파장의 광원인 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 CMP용 연마패드의 제조 방법.
- 제11항에 있어서, 몰드 분리 후 연마패드에 대하여 광경화 또는 열공정을 추가로 진행하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 CMP용 연마패드의 제조 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 (b) 와 (c) 공정 사이에 진공처리공정을 더욱 실시하여 non-porous 연마패드를 제조하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 CMP용 연마패드의 제조 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 (b) 와 (c) 공정 사이에 진공처리공정을 생략하여 porous 연마패드를 제조하는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 CMP용 연마패드의 제조 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100020239A KR20110101312A (ko) | 2010-03-08 | 2010-03-08 | 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 cmp용 연마패드 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100020239A KR20110101312A (ko) | 2010-03-08 | 2010-03-08 | 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 cmp용 연마패드 및 그 제조 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110101312A true KR20110101312A (ko) | 2011-09-16 |
Family
ID=44953353
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100020239A KR20110101312A (ko) | 2010-03-08 | 2010-03-08 | 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 cmp용 연마패드 및 그 제조 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20110101312A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015023442A1 (en) * | 2013-08-10 | 2015-02-19 | Applied Materials, Inc. | Cmp pads having material composition that facilitates controlled conditioning |
-
2010
- 2010-03-08 KR KR1020100020239A patent/KR20110101312A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015023442A1 (en) * | 2013-08-10 | 2015-02-19 | Applied Materials, Inc. | Cmp pads having material composition that facilitates controlled conditioning |
CN105453232A (zh) * | 2013-08-10 | 2016-03-30 | 应用材料公司 | 具有促进受控的调节的材料组成的cmp垫 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4467611B2 (ja) | 光インプリント方法 | |
KR100491452B1 (ko) | 웨이퍼 표면 개질용 플루오로화합물을 포함하는 연마 용품 | |
KR100857504B1 (ko) | 연마 패드용 쿠션층 | |
TWI278488B (en) | Contact planarization materials that generate no volatile byproducts or residue during curing | |
KR101456724B1 (ko) | 웨이퍼의 제조 방법 및 제조 장치와, 경화성 수지 조성물 | |
JP2009162965A (ja) | 反射防止構造の形成方法および反射防止構造 | |
JP2010513050A (ja) | ナノ微粒子充填剤を有する研磨物品並びにそれを作製及び使用する方法 | |
WO2015001939A1 (ja) | 精密研磨方法及び研磨機 | |
JP2007245702A (ja) | テンプレートおよび転写微細パターンを有する処理基材の製造方法 | |
JP2009158729A (ja) | インプリント用基板 | |
TW202231695A (zh) | 用於化學機械拋光墊之可uv固化樹脂 | |
KR20120020012A (ko) | 유기-무기 복합체 및 이로부터 제조된 나노임프린트용 스탬프 | |
KR101192470B1 (ko) | 글래스 몰딩 프레스용 유리질 탄소 몰드를 제조하는 방법 및 이를 이용하는 유리 미세 패턴의 형성방법 | |
KR20110101312A (ko) | 임프린트 리소그래피 공정을 이용한 cmp용 연마패드 및 그 제조 방법 | |
KR20230052826A (ko) | 화학 기계적 연마 패드 및 이의 제조 | |
JP2005166712A (ja) | Cmp用研磨パッド、及び研磨方法 | |
JP4845347B2 (ja) | 研磨パッドおよびその製造方法 | |
JP6421425B2 (ja) | テンプレート基板の製造方法、および、ナノインプリント用テンプレートの製造方法 | |
KR20230052825A (ko) | 화학 기계적 연마 패드 및 이의 제조 | |
WO2021182551A1 (ja) | モールドおよびモールドの製造方法 | |
JP2006113161A (ja) | 微細パターンの形成方法 | |
WO2023244739A1 (en) | Dual-cure resin for preparing chemical mechanical polishing pads | |
WO2023244740A1 (en) | Uv-curable resins for chemical mechanical polishing pads | |
JP2023148907A (ja) | 研磨パッドの製造方法及び研磨パッド | |
JP2019012853A (ja) | テンプレート基板の製造方法、および、ナノインプリント用テンプレートの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |