KR20110088362A - 광 조사 장치 - Google Patents

광 조사 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20110088362A
KR20110088362A KR1020100126276A KR20100126276A KR20110088362A KR 20110088362 A KR20110088362 A KR 20110088362A KR 1020100126276 A KR1020100126276 A KR 1020100126276A KR 20100126276 A KR20100126276 A KR 20100126276A KR 20110088362 A KR20110088362 A KR 20110088362A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mask
rod
shaped member
light
support frame
Prior art date
Application number
KR1020100126276A
Other languages
English (en)
Inventor
히로유키 가메다
Original Assignee
우시오덴키 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 우시오덴키 가부시키가이샤 filed Critical 우시오덴키 가부시키가이샤
Publication of KR20110088362A publication Critical patent/KR20110088362A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H01L21/0275—Photolithographic processes using lasers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

낮은 비용으로, 가능한한 장치 중량을 무겁게 하지 않는 마스크 유지 수단을 구비한 광 조사 장치를 제공하는 것으로서, 패턴이 형성된 마스크(5)를, 광 투과성의 마스크 유지 수단(4)에 의해 흡착 유지하고, 광 조사부(1)로부터 출사하는 광을, 마스크(5)를 통하여 피조사물(W)에 조사하는 광 조사 장치에 있어서, 마스크 유지 수단(4)은, 마스크(5)의 일방향(폭) 방향의 길이보다도 길고, 하측 표면에 마스크(5)를 흡착 유지하기 위한 진공 흡착 홈(42) 또는 진공 흡착 구멍이 형성된, 광 투과성의 봉형상 부재(41)와, 봉형상 부재(41)를 아래로부터 지지하는 지지 프레임(44)을 구비하고 있다. 봉형상 부재(41)는, 봉형상 부재(41)가 상측 방향으로 이동하는 것을 규제하지 않는 위치 결정 부재에 의해 위치 결정되어, 지지 프레임(44)에 지지되어 있다. 또한 위치 결정 부재는, 지지 프레임(44) 상에서 수평 방향으로의 위치가 가변 가능하게 부착되어 있어도 된다.

Description

광 조사 장치{LIGHT IRRADIATING APPARATUS}
본 발명은, 광 조사 장치에 관련되고, 특히, 반도체, 프린트 기판, 액정기판 등의 패턴 형성에 이용되는 노광 장치나, 액정 패널 등의 패널을 맞붙이는 맞붙임 장치 등에 있어서, 마스크 유지 수단에 유지된 마스크를 통하여 피조사물에 광을 조사하는 광 조사 장치에 관한 것이다.
반도체, 프린트 기판, 액정 기판 등을 제조하기 위한 노광 공정에 있어서, 패턴을 형성한 마스크를 통하여 자외선(노광광)을 포함하는 광을 조사하고, 마스크 패턴을 워크에 전사하는 노광 장치가 이용된다. 이러한 노광 장치로서, 마스크와 워크를 접근시켜서 마스크 패턴을 워크 상에 전사하는 프록시미티 노광 장치가 있다. 또한, 액정 패널을 맞붙이는 맞붙임 장치에 있어서도, 프록시미티 노광 장치를 이용한 맞붙임이 행해진다.
예를 들면, 액정 패널의 맞붙임에는 다음과 같은 방법이 채용된다. 우선, 광 투과성 기판 상에, 광(자외선) 경화 수지인 실링제의 둘러쌈을 형성하고, 그 안에 액정을 적하한다. 다음에, 그 위에, 다른 1장의 광 투과성 기판을 얹고, 광 투과성 기판 너머, 자외선을 포함하는 광을 실링제에 조사한다. 이에 따라, 2장의 광 투과성 기판이 맞붙여진다. 액정은 자외선이 조사되면 특성 변화를 일으키므로, 실링부 이외에는 자외선이 조사되지 않도록, 실링부 이외의 부분을 차광한 마스크를 이용하여, 차광 마스크를 통하여, 차광 마스크와 맞붙이는 광 투과성 기판을 근접시켜서 광(자외선)을 조사한다.
그런데, 최근에는, 액정 기판은 1변이 2m을 초과하는 것도 있어 해마다 대형화하고 있다.
이러한 액정 기판을 맞붙이기 위한 광 조사는, 기판 전체를 일괄하여 행해진다. 이 때문에, 상기의 차광 마스크도 기판에 따라 대형화하고 있다.
종래, 마스크는, 그 주변부를 마스크 스테이지에 의해 유지하여 사용된다. 그러나, 마스크가 대형화하면, 자중에 의한 휨이 발생하여, 노광 정밀도에 나쁜 영향을 준다. 여기서, 마스크가 대형화해도 휘지 않고 유지하기 위해서, 마스크의 전면을 광 투과성의 마스크 유지 수단으로 유지하는 것이, 예를 들면, 특허문헌 1에 기재되어 있다. 또한, 특허문헌 2나 특허문헌 3에는, 액정 패널의 맞붙임 장치에 있어서, 광 투과성의 마스크 유지 수단을 이용하여, 마스크를 전면으로 흡착함으로써 휘지 않게 유지하는 구조가 개시되어 있다.
마스크 유지 수단에 의해, 마스크를 유지하면, 마스크에는, 종래와 같이 마스크를 마스크 스테이지에 부착하기 (유지하기) 위한 유지재를 설치할 필요가 없다. 이 때문에, 마스크를, 노광하는 기판(워크)과 같은정도까지 소형화할 수 있다. 특히, 액정 패널의 맞붙임 장치에 있어서는, 마스크를 제작하는 기판 재료로서 액정 패널 기판을 전용하여, 비용 다운을 도모할 수 있다.
특허문헌 1 : 일본국 특허공개 평5-100416호 공보 특허문헌 2 : 일본국 특허공개 2009-237442호 공보 특허문헌 3 : 일본국 특허공개 2006-66585호 공보
상기한 바와 같이, 액정 기판은 해마다 대형화하고, 최근에는, 예를 들면, 2200mm×2500mm부터 그 이상의 크기인 것도 사용되고 있다. 이와같이 기판이 대형화하면, 그만큼 마스크도 대형화하고, 마스크를 유지하기 위한 광 투과성의 마스크 유지 수단도 대형화한다. 광 투과성의 마스크 유지 수단은, 구체적으로는, 1장의 큰 유리이다. 마스크의 휨을 허용 범위(예를 들면 2mm 이하)로 유지하기 위해서는, 마스크 유지 수단의 자중 휨도 상기 허용 범위(2mm) 이하로 유지하지 않으면 안된다. 따라서, 상기와 같은 크기로 마스크 유지 수단을 제작하면, 두께는 약 20mm, 중량은 300kg이상이 된다. 즉, 마스크 유지 수단을 제작하는 비용은 고가로 되고, 이를 탑재하는 장치의 중량이 무거워진다. 또한, 앞으로도 액정 기판의 대형화에 의한 마스크의 대형화가 예상되지만, 지금 이상의 크기의 마스크 유지 수단은, 제작 자체가 곤란하다.
본 발명의 목적은, 상기의 문제점을 감안하여, 낮은 비용으로, 가능한한 장치 중량을 무겁게 하지 않는 마스크 유지 수단을 제작함과 더불어, 이후 대형화될 마스크도 유지할 수 있는 마스크 유지 수단을 구비한 광 조사 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명은, 상기의 과제를 해결하기 위해서, 다음과 같은 수단을 채용했다.
제1의 수단은, 패턴이 형성된 마스크를, 광 투과성의 마스크 유지 수단에 의해 흡착 유지하고, 광 조사부로부터 출사하는 광을, 상기 마스크를 통하여 피조사물에 조사하는 광 조사 장치에 있어서, 상기 마스크 유지 수단은, 마스크의 한쪽의 길이보다도 길게, 하측 표면에 마스크를 흡착 유지하기 위한 진공 흡착홈 또는 진공 흡착 구멍이 형성된, 광 투과성의 봉형상 부재와, 상기 봉형상 부재를 아래로부터 지지하는 지지 프레임을 구비하는 것을 특징으로 하는 광 조사 장치이다.
제2의 수단은, 제1의 수단에 있어서, 상기 봉형상 부재는, 단면의 높이가 폭보다도 긴 것을 특징으로 하는 광 조사 장치이다.
제3의 수단은, 제1의 수단 또는 제2의 수단에 있어서, 상기 봉형상 부재는, 상기 지지 프레임에 부착된 위치 결정 부재에 의해 위치 결정되어 상기 지지 프레임에 지지되어 있고, 상기 위치 결정 부재는 상기 봉형상 부재가 상측 방향으로 이동하는 것을 규제하지 않는 것을 특징으로 하는 광 조사 장치이다.
제4의 수단은, 제3의 수단에 있어서, 상기 위치 결정 부재는, 상기 지지 프레임 상에서 수평 방향으로의 위치가 가변 가능하게 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 광 조사 장치이다.
청구항 1에 기재된 발명에 의하면, 마스크 유지 수단을 봉형상 부재로 구성하여 마스크를 유지하므로, 마스크 유지 수단은 경량화되고, 광 조사 장치 제작의 비용도 낮아진다.
청구항 2에 기재된 발명에 의하면, 봉형상 부재의 자중에 의한 휨을 적게 할 수 있다.
청구항 3에 기재된 발명에 의하면, 봉형상 부재는, 상측 방향의 이동은 규제되지 않으므로, 마스크를 봉형상 부재의 하면에, 하면측으로부터 접근시켜서 유지시킬 때, 봉형상 부재를 들어 올릴 수 있으므로, 마스크를 봉형상 부재의 하면 전체에 걸쳐 밀착시킬 수 있으므로, 봉형상 부재는 마스크를 확실하게 흡착 유지할 수 있다.
청구항 4에 기재된 발명에 의하면, 봉형상 부재를 위치 결정하는 위치 결정 부재는, 수평 방향으로 위치가 바뀌므로, 광을 효율적으로 투과시키고 싶은 위치로 봉형상 부재가 오는 경우는, 봉형상 부재의 위치를 미(微)조정할 수 있다.
도 1은 본 발명에 관련된 마스크 유지 수단을 구비하는 광 조사 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시한 마스크 유지 수단의 구성을 나타내는 사시도 및 봉형상 부재의 단면도이다.
도 3은 봉형상 부재가, 지지 프레임 상에 지지되고, 위치 결정 부재에 의해 위치 결정되는 상태를 확대하여 도시한 사시도이다.
도 4는 실시예에 입각한, 마스크 유지 수단(조인트, 배관은 생략)과 워크 스테이지의 관계를 나타낸 사시도이다.
도 5는 마스크 유지 수단의 봉형상 부재에 마스크를 부착하는 공정을 도시하는 도면이다.
도 6은 마스크 유지 수단의 봉형상 부재에 마스크를 부착하는 공정을 도시하는 도면이다.
도 7은 마스크 유지 수단의 봉형상 부재에 마스크를 부착하는 공정을 도시하는 도면이다.
도 8은 봉 형상 부재가, 지지 프레임으로부터 이간하고, 위치 결정 부재에 의해 위치 결정되는 상태를 확대하여 도시한 사시도이다.
도 9는 마스크 유지 수단의 봉형상 부재에 마스크를 부착하는 공정을 도시하는 도면이다.
도 10은 봉형상 부재가 지지 프레임에 대하여, 상측 방향의 이동이 규제되지 않는 이유를 설명하는 도면이다.
본 발명의 일실시 형태를 도1∼도10을 이용하여 설명한다.
도 1은, 본 발명에 관련된 마스크 유지 수단을 구비한 광 조사 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
동 도면에 도시하는 바와 같이, 광을 출사하는 광 조사부(1)의 내부에는, 자외선을 포함하는 광을 방사하는 복수의 봉형상의 램프(2)와, 램프(2)로부터 방사되는 광을 반사하는 반사 미러(3)를 구비한다. 마스크 유지 수단(4)은, 도 2에 있어서 상술하는 광 투과성의 복수의 봉형상 부재(41)와, 복수의 봉형상 부재(41)를 지지하는 지지 프레임(44)을 구비한다. 마스크 유지 수단(4)의 조인트(43)에는, 배관(7)이 접속된다. 배관(7)에는 진공원인 진공 펌프(9)와 에어원인 압축 에어 공급원(10)이, 전환 밸브(11)를 통하여 접속된다. 관로(7)에의 진공과 에어의 공급은, 전환 밸브(11)에 의해 전환하여 행한다. 진공은, 배관(7)으로부터, 조인트(43)를 통하여 각 봉형상 부재(41)의 하측 표면에 형성되어 있는 진공 흡착홈(42)에 공급되고, 봉형상 부재(41)의 하면에 마스크(5)가 유지된다. 마스크(5)에는 노광을 행하는 패턴이 형성되어 있다. 마스크(5)를 마스크 유지 수단(4)의 봉형상 부재(41)로부터 떼어내는 경우는, 전환 밸브(11)를 전환하고, 배관(7)에 에어를 공급함으로써 행한다.
워크 스테이지(6)에는, 피조사물로서의 광조사가 행해지는 워크(W)가 재치된다. 워크 스테이지(6)의 표면에는, 워크(W)를 유지하기 위한 진공 흡착홈(도시하지 않음)이 형성되어 있고, 진공 펌프(도시하지 않음)로부터 진공이 공급된다. 워크 스테이지(6)에는, 워크 스테이지 이동 기구(8)가 부착되어 있고, 제어부(도시하지 않음)로부터의 지령 신호에 의해, 워크 스테이지(6)는, 마스크(5)에 대하여 접근하거나 이간하는 방향(도면 상하 방향)으로 이동한다. 워크 스테이지 이동 기구(8)는, 후술하는 바와 같이, 워크 스테이지(6) 상에 둔 마스크(5)를 마스크 유지 수단(4)에 부착하기 위하여 워크 스테이지(6)를 상승시킬 때, 또한, 마스크(5)와 워크(W)의 간격을 미리 설정된 값으로 하여 광 조사 처리를 행할 때 등에 동작한다. 광 조사부(1)로부터 출사한 광은, 마스크(5)를 통하여 워크 스테이지(6) 상의 워크(W)에 조사되는데, 광 투과성의 봉형상 부재(41)를 통과한 후 마스크(5)를 통하여 워크(W)에 조사되는 성분도 있다. 워크(W)는, 예를 들면, 맞붙이는 액정 패널이며, 2장의 유리기판의 사이에 형성된, 광(자외선) 경화 수지인 실링제의 둘러쌈 내에 액정이 끼워져 있다. 실링제에 자외선을 포함하는 광을 마스크(5)의 광 투과부(51)를 통하여 조사함으로써, 수지가 경화하여 2장의 유리 기판이 맞붙여진다. 마스크(5)에는, 광 조사시, 자외선이 액정에 조사되면 특성 변화를 일으키므로, 실링부 이외에 자외선이 조사되지 않도록 차광부(52)가 형성되어 있다.
도 2(a)는, 도 1에 도시한 마스크 유지 수단(4)의 구성을 도시하는 사시도, 도 2(b)는, 도 2(a)의 A-A로부터 본 봉형상 부재(41)의 단면도이다.
동 도면에 도시하는 바와 같이, 봉형상 부재(41)는, 광 투과성의 봉형상의 부재로, 재질은 예를 들면 석영이며, 하면에는 마스크(5)를 유지하기 위한 진공을 공급하는 진공 흡착홈(42)이 형성되어 있다. 또한, 진공 흡착홈은 진공 흡착 구멍이어도 된다. 조인트(43)는, 봉형상 부재(41)에 부착되고, 진공 공급로(45)와 배관(7)을 접속한다. 진공은, 조인트(43)에 접속된 배관(7)으로부터, 봉형상 부재(41)에 형성된 진공 공급로(45)를 통하여 진공 흡착홈(42)에 공급된다.
도 2(a)에 도시하는 바와 같이, 봉형상 부재(41)는 복수 설치되는데, 모든 봉형상 부재(41)에 진공 흡착홈(42)이 형성되고, 각 봉형상 부재(41)에 배관(7)이 접속되어 진공이 공급된다. 봉형상 부재(41)는, 마스크(5)의 한쪽의 길이(예를 들면 2m)보다도 길고, 두께는 자중에 의한 휨이 마스크의 휨의 허용 범위 내(예를 들면 2mm 이하)가 되도록 설정한다. 또한, 액정 패널의 맞붙임에 이용하는 마스크는 통상 직사각형이며, 상기 마스크의 일방향의 길이는, 마스크가 짧은 쪽의 변의 길이(폭 방향의 길이)를 나타내는 경우가 많다. 도 2(b)에 도시하는 바와 같이, 봉형상 부재의 단면 칫수는, 예를 들면, 높이는 약 32mm, 폭은 약 30mm이다. 이와 같이, 봉형상 부재(41)의 자중에 의한 휨을 적게 하기 위해서, 단면의 높이 방향의 칫수는, 폭 방향의 칫수보다도 긴 것이 바람직하다.
도 2(a)에 도시하는 바와 같이, 지지 프레임(44)은, 사각 프레임형상으로 형성되고, 복수의 봉형상 부재(41)의 양단을 하면측으로부터 지지한다. 봉형상 부재(41)는, 기본적으로는 지지 프레임(44) 상에 얹어져 있는 상태에 있고, 수직 상측 방향으로의 이동은 규제되지 않는다.
도 3은, 봉형상 부재(41)가, 지지 프레임(44) 상에 지지되고, 위치 결정 부재(46)에 의해 위치 결정되는 상태를 확대하여 도시한 사시도이다.
동 도면에 도시하는 바와 같이, 봉형상 부재(41)의 단부는, 지지 프레임(44)과 위치 결정 부재(46)에 의해 형성된 오목부(47)에 끼워 넣어져 있다. 오목부(47)의 크기는 봉형상 부재(41)의 폭에 따라서 형성한다. 위치 결정 부재(46)는 지지 프레임(44)에 나사(48)에 의해 고정된다. 봉형상 부재(41)는 오목부(47)에 끼워넣음으로써, 수평 방향의 이동이 규제되고, 지지 프레임(45) 상에서의 수평 방향의 위치가 결정된다. 또한 봉형상 부재(41)가 위치 어긋남을 일으켜서 지지 프레임(44)으로부터 낙하하는 것도 막는다. 또한, 위치 결정 부재(46)는, 상기와 같이 봉형상 부재(41)의 수평 방향의 이동은 규제하지만, 상측 방향(수직 방향)의 이동은 규제하지 않는다.
노광을 행하는 패턴이 형성된 마스크(5)는, 봉형상 부재(41)의 하면에 진공 흡착 유지되고, 마스크(5)는 봉형상 부재(41)에 흡착 유지되면, 지지 프레임(45)의 사각 프레임 안에 들어가는 형이 된다. 상기한 바와 같이, 봉형상 부재(41)의 길이는 마스크(5)의 한쪽의 길이보다도 길기 때문에, 봉형상 부재(41)는 마스크(5)를 횡단하여 유지한다. 도 2(a)에 있어서는, 봉형상 부재(41)는 3개인 경우를 나타내는데, 봉형상 부재(41)의 개수나 간격은, 유지된 마스크(5)의 자중 휨이 허용 범위(예를 들면 2mm 이하)가 되도록 설계한다. 실제로는, 마스크(5)의 1변이 2m 이상이 되면, 봉형상 부재(41)의 개수는 8개로부터 그 이상 필요해진다.
상기한 것처럼, 봉형상 부재(41)는 광 투과성의, 예를 들면, 석영이지만, 봉형상 부재(41)가 존재하는 위치와 존재하지 않는 위치에서는, 다소 마스크(5)로부터 출사한 광의 양이 변화된다. 마스크(5)로부터 출사하는 광량의 변화는, 봉형상 부재(41)가 마스크(5)의 차광부(52)가 형성되어 있는 위치에 있는 경우는 특별히 문제가 되지 않지만, 봉형상 부재(41)가 마스크(5)의 광 투과부(51)의 위로 되는 것도 생각할 수 있다. 이 때문에, 봉형상 부재(41)의 위치를, 마스크(5)의 휨량에 영향을 주지 않는 범위에서 어긋나도록 해 둔다. 이 때문에, 도 3에 도시하는 바와 같이, 위치 결정 부재(46)의 나사(48)가 통과하는 나사 구멍(49)은 장공(長孔)이 되어 있다. 이에 따라, 위치 결정 부재(46)는, 지지 프레임(44) 상을 다소 이동하여 고정하는 것이 가능해지고, 위치 결정 부재(46)를 이동함으로써, 마스크(5)에 대한 봉형상 부재(41)의 위치를 미조정할 수 있다.
도 4는, 실시예에 입각한, 마스크 유지 수단(4)(조인트(43), 배관(7)은 생략)과 워크 스테이지(6)의 관계를 나타낸 사시도이다.
동 도면에 있어서, 마스크 유지 수단(4)에 유지되는 마스크는 1변 2m이상이며, 봉형상 부재(41)는 8개 설치된다. 봉형상 부재(41)의 1개의 중량은 약 6kg이다. 8개 합쳐도 약 50kg이며, 종래 이용되었던 1장의 유리판인 마스크 유지 수단의 중량(약 300kg)에 대하여 약 1/6의 중량이 되어, 광 조사 장치 전체의 경량화를 도모할 수 있다. 또한, 종래의 마스크를 전면 흡착하는 마스크 유지 수단은, 마스크를 유지하는 면은 마스크의 크기인 2m 사방에 걸쳐 평면 정밀도 좋게 가공하지 않으면 안되어, 재료비도 포함하여 제작 비용이 고가였지만, 본원 발명에 의하면, 마스크 유지 수단(4)이 주로 봉형상 부재(41)로 구성되므로, 종래보다도 가공이 용이해지고, 또한, 사용하는 유리 재료도 적어도 되어, 제작 비용을 낮은 가격으로 할 수 있다.
다음에, 마스크 유지 수단(4)의 봉형상 부재(41)에 마스크(5)를 부착하는 공정을 도 5∼도 9를 이용하여 설명한다.
우선, 도 5에 도시하는 바와 같이, 워크 스테이지(6) 상에, 마스크 유지 수단(4)에 부착하는 마스크(5)를 둔다. 마스크 유지 수단(4)의 각 봉형상 부재(41)의 진공 흡착홈(42)에는, 진공 펌프(9)로부터의 진공이 공급된다. 지지 프레임(44)에 의해 지지되어 있는 봉형상 부재(41)에는, 자중에 의해 1㎜∼2㎜ 정도의 허용 범위 내의 휨이 발생해 있다.
다음에, 도 6에 도시하는 바와 같이, 마스크(5)를 얹은 워크 스테이지(6)가, 워크 스테이지 이동 기구(8)에 의해 상승한다. 마스크(5)는 봉형상 부재(41)의 하면의 일부(자중에 의해 가장 많이 휜 부분)에 접촉한다. 그러나, 이 상태에서는 마스크(5)는, 봉형상 부재(41)에는 흡착 유지되지 않는다.
다음에, 도 7에 도시하는 바와 같이, 워크 스테이지(6)를 더욱 상승시킨다. 상기한 것과 같이, 봉형상 부재(41)는 지지 프레임(44)에 대하여 상측 방향의 이동은 규제되지 않으므로, 봉형상 부재(41)는 마스크(5) 상에 얹은 상태로 지지 프레임(44)으로부터 떨어져 상승한다. 상기한 바와 같이, 봉형상 부재(41)는, 8개 합쳐서 50kg이다. 이 때문에, 워크 스테이지 이동 기구(8)에 의해, 봉형상 부재(41)를 얹은 상태로 워크 스테이지(6)를 용이하게 상승시키는 것이 가능하다. 봉형상 부재(41)는 하면 전체를 워크 스테이지(6)에 얹은 마스크(5)에 의해 지지되므로, 자중에 의한 휨은 없어진다. 따라서, 봉형상 부재(41)의 진공 흡착 홈(42)이 형성된 하면은, 마스크(5) 전면에 접촉한다. 이에 따라 마스크(5)는 봉형상 부재(41)에 의해 진공 흡착 유지된다. 도 8은, 이 때의, 봉형상 부재(41)가, 위치 결정 부재(46)에 의해 수평 방향으로 위치 결정되면서 지지 프레임(44)으로부터 이간(상승)해 있는 상태를 확대하여 도시한 사시도이다.
다음에, 도 9에 도시하는 바와 같이, 워크 스테이지(6)는 하강한다. 이에 따라, 봉형상 부재(41)는 마스크(5)를 흡착 유지한 상태로 지지 프레임(44) 상에 얹을 수 있다.
여기에서, 봉형상 부재(41)가 지지 프레임(44)에 대하여, 상측 방향으로의 이동이 규제되지 않는 이유를 도 10을 이용하여 설명한다.
도 10(a)에 도시하는 바와 같이, 봉형상 부재(41)가 고정 부재(X)에 의해, 지지 프레임(44)에 대하여 상측 방향의 이동이 규제되어 있으면, 봉형상 부재(41)에 마스크(5)를 흡착시킬 때, 봉형상 부재(41)가 파손되는 경우가 있다. 즉, 도 5에 도시한 것처럼, 지지 프레임(44) 상의 봉형상 부재(41)는 자중에 의해 미소하지만 휘어져 있다. 마스크(5)를 흡착시키기 위해서, 마스크(5)를 워크 스테이지(6)에 얹은 상태로 상승시켰을 때, 마스크(5)는 봉형상 부재(41)의 하면의 일부(자중에 의해 가장 많이 휜 부분)에 접촉한다. 그러나, 이 상태에서는, 도 6에 도시한 것처럼, 마스크(5)는 봉형상 부재(41)에는 흡착 유지되지 않는다. 여기서, 워크 스테이지(6)를 더 상승시키면, 도 10(b)에 도시하는 바와 같이, 봉형상 부재(41)는 워크 스테이지(6)에 밀려서 워크 스테이지(6) 상의 마스크(5)의 평면을 따라, 휨이 없어진다. 그러나, 이 때, 봉형상 부재(41)의 고정 부재(X)에 의해 가압된 부분에는, 강한 힘이 가해진다. 상기한 바와 같이, 봉형상 부재(41)는, 예를 들면 석영이며, 부분적으로 강한 힘이 가해지면, 경우에 따라서는 이지러지거나 꺽임과 같은 파손이 발생하는 경우가 있다. 이를 막기 위해서는, 도 10(c)에 도시하는 바와 같이, 마스크(5)와 워크 스테이지(6)의 사이에 쿠션과 같은 탄성 부재(Y)를 두고, 봉형상 부재(41)의 휨에 맞추어, 마스크(5)가 휘도록 하는 것도 생각할 수 있다. 그러나, 본 발명과 같이, 봉형상 부재(41)가 지지 프레임(44)에 대하여 상측 방향(수직 방향)으로 이동하는 것을 규제하지 않도록 해 두면, 봉형상 부재(41)의 파손의 염려는 없고, 또한, 마스크(5)와 워크 스테이지(6)의 사이에 탄성 부재(Y)를 배치할 필요도 없고, 마스크(5)를 마스크 유지 수단(4)의 봉형상 부재(41)에 흡착 유지시킬 수 있다.
1 : 광 조사부 2 : 봉형상의 램프
3 : 반사 미러 4 : 마스크 유지 수단
41 : 봉형상 부재 42 : 진공 흡착 홈
43 : 조인트 44 : 지지 프레임
45 : 진공 공급로 46 : 위치 결정 부재
47 : 오목부 48 : 나사
49 : 나사 구멍 5 : 마스크
51 : 광 투과부 52 : 차광부
6 : 워크 스테이지 7 : 배관
8 : 워크 스테이지 이동 기구 9 : 진공 펌프
10 : 압축 에어 공급원 11 : 전환 밸브
W : 워크 X : 고정 부재
Y : 탄성 부재

Claims (4)

  1. 패턴이 형성된 마스크를, 광 투과성의 마스크 유지 수단에 의해 흡착 유지하고, 광 조사부로부터 출사하는 광을, 상기 마스크를 통하여 피조사물에 조사하는 광 조사 장치에 있어서,
    상기 마스크 유지 수단은, 마스크의 일방향의 길이보다도 길고, 하측 표면에 마스크를 흡착 유지하기 위한 진공 흡착 홈 또는 진공 흡착 구멍이 형성된, 광 투과성의 봉형상 부재와, 상기 봉형상 부재를 아래로부터 지지하는 지지 프레임을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 광 조사 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 봉형상 부재는, 단면의 높이가 폭보다도 긴 것을 특징으로 하는 광 조사 장치.
  3. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 봉형상 부재는, 상기 지지 프레임에 부착된 위치 결정 부재에 의해 위치 결정되어 상기 지지 프레임에 지지되어 있고, 상기 위치 결정 부재는 상기 봉형상 부재가 상측 방향으로 이동하는 것을 규제하지 않는 것을 특징으로 하는 광 조사 장치.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 위치 결정 부재는, 상기 지지 프레임 상에서 수평 방향으로의 위치가 가변 가능하게 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 광 조사 장치.
KR1020100126276A 2010-01-27 2010-12-10 광 조사 장치 KR20110088362A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2010-015218 2010-01-27
JP2010015218A JP5472616B2 (ja) 2010-01-27 2010-01-27 光照射装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110088362A true KR20110088362A (ko) 2011-08-03

Family

ID=44295546

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100126276A KR20110088362A (ko) 2010-01-27 2010-12-10 광 조사 장치

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5472616B2 (ko)
KR (1) KR20110088362A (ko)
CN (1) CN102135732B (ko)
TW (1) TWI444784B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180002499A (ko) * 2016-06-29 2018-01-08 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 지지체 분리 장치, 및 지지체 분리 방법

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6663252B2 (ja) * 2016-03-01 2020-03-11 株式会社アドテックエンジニアリング プリント基板用露光装置
DE102016107001A1 (de) 2016-04-15 2017-10-19 Ist Metz Gmbh Vorrichtung zur Belichtung eines Substrats
JP6986317B2 (ja) * 2017-12-05 2021-12-22 株式会社アドテックエンジニアリング マスクユニット及び露光装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4039174B2 (ja) * 2002-08-12 2008-01-30 ウシオ電機株式会社 ディスプレイパネルの貼り合わせ装置
JP4572626B2 (ja) * 2004-08-26 2010-11-04 ウシオ電機株式会社 光照射装置
JP4400628B2 (ja) * 2007-02-01 2010-01-20 ウシオ電機株式会社 液晶パネルの貼り合せ方法
JP4949172B2 (ja) * 2007-08-30 2012-06-06 株式会社アルバック 光照射装置
JP5200622B2 (ja) * 2008-03-28 2013-06-05 ウシオ電機株式会社 光照射装置におけるマスクの取り外し方法
JP5112151B2 (ja) * 2008-04-08 2013-01-09 株式会社アルバック 光照射装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180002499A (ko) * 2016-06-29 2018-01-08 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 지지체 분리 장치, 및 지지체 분리 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TWI444784B (zh) 2014-07-11
CN102135732A (zh) 2011-07-27
CN102135732B (zh) 2014-08-06
JP5472616B2 (ja) 2014-04-16
JP2011155108A (ja) 2011-08-11
TW201126276A (en) 2011-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102172551B1 (ko) 반송 장치, 반송 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
KR101111934B1 (ko) 노광 장치 및 노광 방법
KR20110088362A (ko) 광 조사 장치
CN112204707A (zh) 数字光刻系统的多基板处理
JP6516664B2 (ja) 基板保持装置、塗布装置、基板保持方法
KR100720247B1 (ko) 디스플레이 패널의 접합 장치
US20100209826A1 (en) Apparatus for processing photomask, methods of using the same, and methods of processing photomask
JP4949172B2 (ja) 光照射装置
JP5163401B2 (ja) 光照射装置のマスク保持手段
TWI474375B (zh) 光照射裝置
JP4942401B2 (ja) 露光装置及び露光方法
WO2011089828A1 (ja) 光照射装置、光照射方法および液晶パネルの製造方法
CN104948946A (zh) 照射装置
KR200400671Y1 (ko) 액정 표시 장치용 백라이트 제조장치의 프리즘시트보호필름 자동 제거장치
KR20200081392A (ko) 레이저 가공 장치
KR20090122121A (ko) 광 조사 장치
JP4380316B2 (ja) マスク取り付け治具および該マスク取り付け治具を用いたマスク取り付け方法
JP4557822B2 (ja) 液晶パネルの取り付け方法、及び保持装置
JP2008276040A (ja) マスクステージ
JP4581522B2 (ja) 液晶パネルの貼り合わせ装置
JP4937859B2 (ja) 光照射装置
JP2010040831A (ja) 露光装置における基板の露光方法
JP2009212345A (ja) ワークチャック、露光装置及びフラットパネル製造方法
KR101160245B1 (ko) 광 조사 장치
JP5373168B2 (ja) 光照射装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20140617

Effective date: 20140825