KR20110086861A - 적색을 방출하는 ｓｒ２ｓｉ５ｎ８ 발광 물질 및 그러한 종류의 발광 물질을 포함하는 광원 및 그러한 발광 물질을 생산하는 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 니트라이도실리케이트 부류에 속하며, 바람직하게는 Eu로 도핑되어 M이 Sr, Ca, Ba 군에 속하는 하나 이상의 원소인 개질된 Eu^{2 +}-도핑된 알칼리토류 니트로도실리케이트 M₂Si₅N₈을 나타내며, 옥사이드 또는 옥시니트라이드 상을 함유한 알칼리토류에 의해서 안정화되는 신규한 발광 물질에 관한 것이다.

Description

적색을 방출하는 ＳＲ２ＳＩ５Ｎ８ 발광 물질 및 그러한 종류의 발광 물질을 포함하는 광원 및 그러한 발광 물질을 생산하는 방법{SR2SI5N8 LUMINOUS SUBSTANCE EMITTING RED AND LIGHT SOURCE COMPRISING A LUMINOUS SUBSTANCE OF SAID KIND AND METHOD FOR PRODUCING THE LUMINOUS SUBSTANCE}

기술 분야

본 발명은 청구항 제 1항의 전문에 따른 니트라이도실리케이트류에 속하는 적색-방출 발광 재료에 관한 것이다. 본 발명은 추가로 그러한 종류의 발광 재료을 지니는 광원과 그러한 발광 재료를 생산하는 방법에 관한 것이다. 광원은 특히 변환 LED이다. 그러한 종류의 발광 재료는 특히 백색광 LED에서의 사용으로 의도된다.

종래 기술

WO 01/40403호는 니트라이도실리케이트류에 속하는 적색-방출 발광 재료를 사용하는 변환 LED를 나타내고 있다. 관련된 재료는 발광 재료 MxSiyNz:Eu이며, 여기서, M은 Ca, Sr, Ba, 및/또는 Zn를 나타낸다. 적용되는 것은 z = 2/3 x + 4/3 y이다. 최상의 대표물질은 M₂Si₅N₈:Eu 및 MSi₇N₃:Eu이다.

발명의 설명

본 발명의 목적은 열적 스트레스가 있는 환경에서도 사용하기에 적합한 높은 안정도가 특징인 적색-방출 발광 재료를 제공하는 것이다. 추가의 목적은 이들 성질을 지니는 방광 재료를 지닌 광원 및 그러한 발광 재료를 생산하는 방법을 제공하는 것이다.

상기 목적은 청구항 제 1항의 특징, 일부의 경우, 청구항 제 6항의 특징, 일부의 경우, 청구항 제 14항의 특징에 의해서 달성된다.

특히 유리한 구체예는 종속항에서 발견될 수 있다.

신규의 발광 재료는 개질된, 바람직하게는, Eu^{2 +}-도핑된 알칼리토류 니트라이도실리케이트 M₂Si₅N₈이며, 여기서, M은 Sr, Ca, Ba 군에 속하는 하나 이상의 원소이고, 이러한 니트라이도실리케이트는 옥사이드 - 특히 알칼리토류 - 상에 의해서 안정화된다. 그리하여, 발광 재료는 청색 또는 자외선에 의해서 여기될 수 있고, 우세한 파장이 600nm 범위인 효율적인 안정화된 적색 방출 발광 재료를 제공할 수 있다.

M이 Sr, Ca, Ba 군에 속하는 하나 이상의 원소인 Eu^{2 +}-도핑된 알칼리토류 니트라이도실리케이트 M₂Si₅N₈은 아주 장시간 동안 공지된 적색-방출 발광 재료 시스템이다. 그러나, 특히 약 600nm 내지 610nm의 우세한 파장을 고려하여 아주 관심의 대상인 Sr₂Si₅N₈는 높은 온도(>100℃)에서의 및 산화되거나 고 방사선에 노출되는 경우의 화학적 불안정성으로 인해서 그 적용이 제한된다.

방출 안정성 면에서 약점은 없지만, 경쟁 시스템, 예컨대, CaAlSiN₃의 시스템은 615nm 내지 620nm의 좁은 유용 방출 파장 범위로 인해서 많은 적용에서 배제된다.

따라서, 현재까지, 높은 온도에 주어지는 경우에도 높은 안정도를 나타내는 적색-방출 발광 재료에 대한 전체적으로 만족할 만한 해결책이 알려지지 않았다.

M₃N₂, Si₃N₄, 및 Eu₂O₃이 공지된 M₂Si₅N₈를 제조하는데 출발물질로서 요구된다. 신규의 안정화된 알칼리토류 니트라이도실리케이트는 적어도 SiO₂를 포함하도록 에덕트 측(educt side)을 연장시킴으로써 얻어질 수 있다. 결과는 화학양론적으로 더 이상 M₂Si₅N₈를 생성시키지 않지만 그 대신 개질된 Eu^{2 +}-도핑된 알칼리토류 니트라이도실리케이트 M₂Si₅N₈인 초기 혼합물이며, 여기서, M은 Sr, Ca, Ba 군에 속하는 하나 이상의 원소이고, 그러한 니트라이도실리케이트는 적어도 제 2 옥사이드 상, 특히, SiO₂에 의해서 안정화된다. 특히, 에덕트 측은 SiO₂ 및 추가의 M₃N₂를 포함하도록 연장된다.

특정의 구체적인 변형에서, 생성물은 화학양론적 (1-a)(M₂Si₅N₈:Eu)*a(SiO₂)이며, 이의 바람직한 경우는 0<a<0.25인 경우이다.

또 다른 특정의 구체적인 변형에서, 생성되는 생성물은 화학양론적 (1-a-b)(M₂Si₅N₈:Eu)*a(SiO₂)*b(M'₃N₂)이며, 이의 바람직한 경우는 0<a<0.25 및 0≤ b≤0.30인 경우이다. M'는 특히 사용된 M과는 상이하고, 예를 들어, M=Sr이면 M'=Ca이다. 특히, a 및 b는 (M₂Si₅N₈:Eu)*(M'₃Si₂0₄N₂:Eu)(여기서, M'는 Sr, Ca, Ba 군에 속하는 하나 이상의 원소이다)의 형태의 생성물을 최종적으로 생성시키도록 선택된다.

일반적으로, 생성물을 생성시키는 화학양론은 단순한 화학양론이 아니며; 생성물을 설명하기 위해서 3 부분 성분 SiN_{4 /3}, SiO₂, 및 MN_{2 /3}를 기반으로 하여 상 다이아그램이 설명되어야 하는 경우이다.

M은 바람직하게는 50mol% 초과의 Sr로 표시된다.

M중의 전체 도핑 수단, 특히, 본 발명에서는 Eu의 백분율 몫은 일반적으로는 0.1 내지 15mol% 범위에 있어야 한다. 또 다른 또는 추가의 도핑제, 예컨대, Ce 또는 Mn이 배제되지 않는다. 특히, 관심의 대상이 되는 시스템은 한 편으로는 Eu, Mn이고, 다른 한편으로는 Ce, Li(Eu와 함께 또는 Eu 없이)이다. Li는 후자의 경우에서 전하를 상쇄하도록 작용한다.

발광 재료는 광원에 의한 광자 여기(photonic excitation)에 적합하다. 그러한 광원은, 예를 들어, 램프, 예컨대, 형광 램프 또는 고압 방전 램프, 특히 변환 LED이다. 발광 재료는 특히 백색 광을 생성시키기 위해서 사용될 수 있다. RGB 원리가 일반적으로 적용된다. 본 발명의 발광 재료는 적색 방출에 사용된다. 또 다른 발광 재료, 예컨대, sion, 특히 Ba sion은 녹색 방출에 사용된다. 청색 방출의 경우에, 가장 적합한 것은 청색-방출 LED의 일차 방사선이며, 410 내지 500nm의 최대 파장이 바람직하다.

청색 발광 재료, 예컨대, BAM이 추가로 410 내지 430nm의 최대 파장의 경우에 사용될 수 있다. 여기(Excitation)는, 470 내지 500nm에서의 장파 여기의 경우에, 또 다른 발광 재료의 이차 방사선에 의해서 제공될 수 있다.

삼상 SiN_{4 /3}, SiO₂, MN_{2 /3}의 상대적인 백분율 몫은 바람직하게는 하기 키 포인트를 지니는 범위에 있으며, 각각의 경우의 합은 100mol%이다:

(1) SiO₂ : SiN_{4 /3} : MN_{2 /3} = 7.5% : 67.5% : 25%

(2) SiO₂ : SiN_{4 /3} : MN_{2 /3} = 17.5% : 57.5% : 25%

(3) SiO₂ : SiN_{4 /3} : MN_{2 /3} = 7.5% : 47.5% : 45%

(4) SiO₂ : SiN_{4 /3} : MN_{2 /3} = 17.5% : 37.5% : 45%.

특히 바람직하게 적용되는 경우는 다음과 같다:

(1) SiO₂ : SiN_{4 /3} : MN_{2 /3} = 10% : 65% : 25%

(2) SiO₂ : SiN_{4 /3} : MN_{2 /3} = 15% : 60% : 25%

(3) SiO₂ : SiN_{4 /3} : MN_{2 /3} = 10% : 45% : 45%

(4) SiO₂ : SiN_{4 /3} : MN_{2 /3} = 15% : 40% : 45%.

본 발명은 몇 가지 예시적인 구체예에 의해서 이하 보다 상세히 설명되고 있다:
도 1은 공지된 니트로도실리케이트 및 신규의 안정화된 니트로도실리케이트를 구역화하는 상 다이아그램이다.
도 2는 공지된 니트라이도실리케이트 Sr₂Si₅N₈:Eu의 분말 회절그램이다.
도 3은 안정화된 니트라이도실리케이트 Sr₂Si₅N₈:Eu * nSiO₂의 분말 회절그램이다.
도 4는 도 2 및 도 3에 나타낸 두 발광 재료에 대한 산화 시험 후의 양자 효율의 상대적 손실을 나타내고 있다.
도 5는 도 2 및 도 3에 나타낸 두 발광 재료에 대한 높은 조사 강도(irradiation strength)를 시용한 스트레스 시험의 결과는 나타내고 있다.
도 6은 온도에 대한 도 2 및 도 3에 나타낸 두 발광 재료에 대한 켄칭 특성(quenching characteristics)의 측정치를 나타내고 있다.
도 7은 파장에 대한 다양한 발광 재료의 여기성(excitability)을 나타내고 있다.
도 8은 시간에 대한 변환 LED의 효율 손실을 나타내고 있다.
도 9는 변환 LED의 개략도이다.
도 10은 안정화된 니트라이드에 대한 컨버터 손실을 백분율로 나타내고 있다.
도 11은 비-안정화된 니트라이드에 대한 컨버터 손실을 백분율로 나타내고 있다.
도 12는 안정화된 니트라이드를 갖는 LED에 대한 스펙트럼을 나타내고 있다.
도 13은 비-안정화된 니트라이드를 갖는 LED에 대한 스펙트럼을 나타내고 있다.

본 발명의 바람직한 구체적인 변형예

신규한 적색-방출 발광 재료의 예시적인 구체예는 다음과 같다. 생성되는 주요 방출 파장은 595 내지 610nm 범위이다.

a) 초기 혼합물 1. 통상의 니트라이도실리케이트

8.7 g Sr₃N₂, 10.9 g Si₃N₄, 및 0.3 g Eu₂O₃가 보호 가스 대기하에서 칭량되고 균질화된다. 그 결과 혼합물이 튜브 또는 챔버 로(furnace)에서 수 시간 동안 환원 대기하에 1,200℃ 내지 1,800℃의 온도에서 로스팅(roasting)된다. 이어서, 유사하게 환원 대기하에 1,200℃ 내지 1,800℃의 온도에서 제 2 로스팅된다.

b) 초기 혼합물 2, 안정화된 니트라이도실리케이트

10.9 g Sr₃N₂, 1.7 g SiO₂, 6.8 g Si₃N₄, 및 0.4 g Eu₂O₃가 보호 가스 대기하에서 칭량되고 균질화된다. 그 결과 혼합물이 튜브 또는 챔버 로(furnace)에서 수 시간 동안 환원 대기하에 1,200℃ 내지 1,800℃의 온도에서 로스팅(roasting)된다. 이어서, 유사하게 환원 대기하에 1,200℃ 내지 1,800℃의 온도에서 제 2 로스팅된다.

c) 초기 혼합물 3, 안정화된 니트로도실리케이트

11.5 g Sr₃N₂, 0.9 g SiO₂, 7.2 g Si₃N₄, 및 0.4 g Eu₂O₃가 보호 가스 대기하에서 칭량되고 균질화된다. 그 결과 혼합물이 튜브 또는 챔버 로(furnace)에서 수 시간 동안 환원 대기하에 1,200℃ 내지 1,800℃의 온도에서 로스팅(roasting)된다. 이어서, 유사하게 환원 대기하에 1,200℃ 내지 1,800℃의 온도에서 제 2 로스팅된다.

d) 초기 혼합물 4, 안정화된 니트로도실리케이트

10.7 g Sr₃N₂, 2.2 g SiO₂, 6.7 g Si₃N₄, 및 0.4 g Eu₂O₃가 보호 가스 대기하에서 칭량되고 균질화된다. 그 결과 혼합물이 튜브 또는 챔버 로(furnace)에서 수 시간 동안 환원 대기하에 1,200℃ 내지 1,800℃의 온도에서 로스팅(roasting)된다. 이어서, 유사하게 환원 대기하에 1,200℃ 내지 1,800℃의 온도에서 제 2 로스팅된다.

e) 초기 혼합물 5, 안정화된 니트로도실리케이트

8.8 g Sr₃N₂, 1.2 g Ca₃N₂, 2.7 g SiO₂, 6.9 g Si₃N₄, 및 0.4 g Eu₂O₃가 보호 가스 대기하에서 칭량되고 균질화된다. 그 결과 혼합물이 튜브 또는 챔버 로(furnace)에서 수 시간 동안 환원 대기하에 1,200℃ 내지 1,800℃의 온도에서 로스팅(roasting)된다. 이어서, 유사하게 환원 대기하에 1,200℃ 내지 1,800℃의 온도에서 제 2 로스팅된다.

표 1: 색상 점(color point), 양자 효율, 휘도

일반적으로 M₂Si₅N₈ 점으로부터 점선을 향해서 진행함에 따라서, 본 발명자들은 양자 효율이 마킹된 영역의 경계에서 다시 상승하기 전에 먼저 극적으로 떨어질 것임을 발견하였다. 이는 M이 Sr인 예에 의해서 예시된다. M은 바람직하게는 본 발명에서 50mol%이고, 특히 바람직하게는 M은 Sr이다. M중의 Eu의 백분율 몫은 바람직하게는 0.1 내지 15mol%이다. 따라서, 상 삼각형에서 점선으로 확인되는 주요 점들을 지닌 예시적인 영역이 바람직하다(관련된 화학양론이 괄호로 표시된다)

(1) SiO₂ : SiN_{4 /3} : SrN_{2 /3} = 7.5% : 67.5% : 25% (Sr_{2 .5}Si_{7 .5}O_{1 .5}N_{10 .67})

(2) SiO₂ : SiN_{4 /3} : SrN_{2 /3} = 17.5% : 57.5% : 25%

(Sr_{2 .5}Si_{7 .5}O_{3 .5}N_{9 .33})

(3) SiO₂ : SiN_{4 /3} : SrN_{2 /3} = 7.5% : 47.5% : 45%

(Sr_{4 .5}Si_{5 .5}O_{1 .5}N_{9 .33})

(4) SiO₂ : SiN_{4 /3} : SrN_{2 /3} = 17.5% : 37.5% : 45%

(Sr_{4 .5}Si_{5 .5}O_{3 .5}N₈),

이는 최상으로 안정화된 Sr₂Si₅N₈ 샘플의 양자 효율 면에서 보면 <40%의 상대적인 손실이 특징이다.

70% 초과의 양자 효율을 지니는, 파선으로 표시된 영역이 특히 바람직하다. 직사각형은 여기서 하기 주요 지점에 의해서 기재된다:

(A) SiO₂ : SiN_{4 /3} : SrN_{2 /3} = 10% : 65% : 25%

(Sr_{2 .5}Si_{7 .5}O₂N_{10 .33})

(B) SiO₂ : SiN_{4 /3} : SrN_{2 /3} = 15% : 60% : 25%

(Sr_{2 .5}Si_{7 .5}O₂N_{9 .67})

(C) SiO₂ : SiN_{4 /3} : SrN_{2 /3} = 10% : 45% : 45%

(Sr_{4 .5}Si_{5 .5}O₂N₉)

(D) SiO₂ : SiN_{4 /3} : SrN_{2 /3} = 15% : 40% : 45%

(Sr_{4 .5}Si_{5 .5}O₃N_{8 .33})

표 2: 신규한 상의 가장 중요한 반사작용의 위치

SiO₂를 초기 혼합물에 첨가하면 두 번째 상이 생성되는데, 그러한 두 번째 상은 특성들 중 어떠한 특성을 약화시키지 않으면서 발광 재료 M₂Si₅N₈:D를 모든 제한 특성 면에서 현저하게 개선시키고, 여기서, D는 바람직하게는 Eu에 의해서 표시된다. 생성되는 보조 상은 지금까지 공지되지 않은 아마도 옥시니트라이드 상이며, 이는 현재 지식에 따르면 Ba₃Al₂O₆의 구조로 결정화된다(공간 군

(No. 205) 및 격자 상수 a = 15.650(1)A).

도 7은 통상의 니트라이도실리케이트의 여기성과 안정화된 니트라이도실리케이트의 여기성의 차이를 나타내고 있다. 안정화된 Eu 도핑된 Sr₂Si₅N₈의 여기성은 표준 Sr₂Si₅N₈의 파장 보다 더 강한 360nm의 여기 파장에서 파괴되지만, 전자는 410 내지 500nm에서 현저하게 우수한 여기성을 지니며, 이는 청색 LED 칩에 의한 여기의 경우에 특히 유리하다.

모든 사항에서 불안정하고, 약 600 내지 610nm의 주된 방출 파장이 많은 적용에 유익한 Sr₂Si₅N₈가 이의 광학적 성질에 영향을 주지 않으면서 모든 상기된 양태(온도 켄칭, 레이저 안정성, 산화 안정성)에서 안정화될 수 있다.

도 2는 그 자체로 공지된 Sr 니트라이도실리케이트 Sr₂Si₅N₈:Eu의 분말 회절그램이다. 반면, 도 3에 도시된 개질된 SiO₂-안정화된 Sr₂Si₅N₈:Eu의 분말 회절그램이 전체적으로 상이한 피크를 나타내고 있다.

도 4는 도 2 및 도 3에 도시된 표준 및 개질된 Sr 니트라이도실리케이트에 대한 양자 효율의 상대적인 손실을 나타내고 있다.

도 5는 높은 수준의 레이저 방사선에 노출되는 경우의 도 2 및 도 3에 도시된 표준 및 개질된 Sr 니트라이도실리케이트에 대한 안정성을 도시하고 있다. 노출 길이는 가로좌표로서 나타내고 있다. 세로좌표는 방사선의 상대적인 세기를 나타낸다.

도 6은 도 2 및 도 3에 도시된 표준 및 개질된 Sr 니트라이도실리케이트에 대한 온도 켄칭을 나타내고 있다. 가로좌표는 섭씨 온도로의 온도이고, 세로좌표는 온도 스트레스하에서 의미하는 것이 아닌 25℃에서의 휘도에 비한 휘도이다.

도 7은 여기 파장에 대한 다양한 발광 재료의 여기성을 나타내고 있다.

도 8은 시간(시(hour))에 대한 안정화된 및 표준 Sr₂Si₅N₈:Eu의 변환 효율의 손실을 나타내고 있다. 방사선 노출 길이가 가로좌표로서 플로팅된다. 세로좌표는 손실 백분율이다.

도 9에 따르면, 변환 LED(1)은 일차 방사선을 방출하는 칩(2)을 지닌다. 일차 방사선은 가장 일반적으로는 최대 파장이 420 내지 480nm, 바람직하게는 450 내지 470nm 범위인 청색이다. 이는 일차 방사선이 가장 일반적으로는 360 내지 420nm 범위인 UV LED일 수 있다.

칩은 전기 단자(3) 및 결합 와이어(14)에 연결된다. 이는 반사기(17)로서 작용하는 하우징(8)에 의해서 둘러싸인다.

칩 상에는 분산 형태의 발광-재료 혼합물(6)을 함유하는 포팅(potting: 5)이 장착된다. 발광 재료는 개질된 니트라이도실리케이트 유형의 적색-방출 발광 재료 및 황색-녹색 발광 재료, 예컨대, YAG:Ce 또는 sion, 예컨대, Ba-Si₂O₂N₂:Eu이다.

도 10은 대안으로서 다수의 LED(10)가 베이스플레이트(18) 및 벽(19)을 지니는 모듈에 전자 제어(17)와 함께 수용되어 있는 예시적인 구체예를 나타낸다. 발광 재료는 벽의 내부에 또는 단지 커버 플레이트(20) 상에만 적용된다.

도 11은 a=b인 안정화된 니트라이드에 대한 시간의 함수로서의 컨버터 손실을 나타내고 있다. M = Sr이고, M' = Sr, Ca이다. 안정화는 컨버터 손실(백분율로서)이 도 12에 도시된 비-안정화된 통상의 니트라이드의 경우에서보다 더 우수하다.

도 13은 초기의 및 에이징(ageing) 후의 안정화된 니트라이드를 지닌 LED의 스펙트럼을 나타낸다. 안정성은 비-안정화된 니트라이드를 지닌 LED의 비교(도 14 참조)에서 나타낸 스펙트럼의 경우에서보다 더 크다.

표 3: 색상 점, 양자 효율, 휘도

표 4: 산화시험 후의 변화(공기중 150℃에서 68시간)

Claims (15)

1. 니트라이도실리케이트 부류에 속하며 하나 이상의 활성제 D, 특히, Eu로 도핑되는 적색-방출 발광 재료로서, M이 Sr, Ca, 또는 Ba 군에 속하는 하나 이상의 원소이고, 옥사이드 또는 옥시니트라이드- 특히, 알칼리토류 - 상에 의해서 안정화되는 개질된 D-도핑 알칼리토류 니트라이도실리케이트 M₂Si₅N₈임을 특징으로 하는 적색-방출 발광 재료.
2. 제 1항에 있어서, M이 50mol% 초과의 Sr로 표시됨을 특징으로 하는 적색-방출 발광 재료.
3. 제 1항에 있어서, 상 삼각형 SiN_{4 /3}, SiO₂, MN_{2 /3}의 상대적인 백분율 값이 하기 주요 지점을 지닌 범위 내에 있음을 특징으로 하는 적색-방출 발광 재료:
   (1) SiO₂ : SiN_{4 /3} : MN_{2 /3} = 7.5% : 67.5% : 25%
   (2) SiO₂ : SiN_{4 /3} : MN_{2 /3} = 17.5% : 57.5% : 25%
   (3) SiO₂ : SiN_{4 /3} : MN_{2 /3} = 7.5% : 47.5% : 45%
   (4) SiO₂ : SiN_{4 /3} : MN_{2 /3} = 17.5% : 37.5% :45%.
4. 제 1항에 있어서, 상 삼각형 SiN_{4 /3}, SiO₂, MN_{2 /3}의 상대적인 백분율 값이 하기 주요 지점을 지닌 범위 내에 있음을 특징으로 하는 적색-방출 발광 재료:
   (1) SiO₂ : SiN_{4 /3} : MN_{2 /3} = 10% : 65% : 25%
   (2) SiO₂ : SiN_{4 /3} : MN_{2 /3} = 15% : 60% : 25%
   (3) SiO₂ : SiN_{4 /3} : MN_{2 /3} = 10% : 45% : 45%
   (4) SiO₂ : SiN_{4 /3} : MN_{2 /3} = 15% : 40% : 45%.
5. 제 1항에 있어서, M중의 활성제 D의 백분율 값이 0.1 내지 15mol% 범위에 있음을 특징으로 하는 적색-방출 발광 재료.
6. 제 1항에 있어서, 안정화된 발광 재료가 화학양론 (1-a-b)(M₂Si₅N₈:D)*a(SiO₂)*b(M'₃N₂)를 나타냄을 특징으로 하는 적색-방출 발광 재료.
7. 제 1항의 발광 재료를 지닌 광원, 특히, 변환 LED.
8. 제 7항에 있어서, 변환 LED가 백색 광을 방출함을 특징으로 하는 변환 LED.
9. 제 7항에 있어서, 발광 재료가 방사선에 의해서 에너지를 공급받고, 방사선의 피크가 410 내지 500nm 범위, 특히 430 내지 465nm 범위에 있음을 특징으로 하는 변환 LED.
10. 제 7항에 있어서, 발광 재료의 주된 방출 파장이 595 내지 610nm 범위내에 있음을 특징으로 하는 변환 LED.
11. 제 7항에 있어서, 황색-녹색 광을 방출하는 2차 발광 물질이 백색-방출 LED를 위해서 사용됨을 특징으로 하는 변환 LED.
12. 제 7항에 있어서, 발광 재료가 LED에 통합되며, 특히, 칩의 전면에 위치한 포팅 화합물(potting compound)에 혼입됨을 특징으로 하는 변환 LED.
13. 제 7항에 있어서, 발광 재료가 캐리어(carrier)에 별도로 적용됨을 특징으로 하는 변환 LED.
14. 제 7항에 있어서, 칩이 UV 내지 청색 범위, 특히 360nm 내지 480nm 범위의 일차 방사선을 방출하며, 하나 이상의 추가의 발광 재료가 가능하게 또한 사용됨을 특징으로 하는 변환 LED.
15. 니트라이도실리케이트 부류에 속하며, 활성제 D로 도핑되고, M이 Sr, Ca, Ba 군에 속하는 하나 이상의 원소이고, M'가 Sr, Ca, 또는 Ba군에 속하는 하나 이상의 원소인 개질 도핑된 알칼리토류 니트라이도실리케이트 M₂Si₅N₈이고, 옥사이드 또는 옥시니트라이드 - 특히 알칼리토류 - 상에 의해서 안정화되는 니트라이도실리케이트인 적색-방출 발광 재료를 생성시키는 방법으로서,
    M₃N₂, Si₃N₄, SiO₂, 및 가능하게는 M'₃N₂ 뿐만 아니라 활성화제 D의 전구체가 1200℃ 이상의 온도에서 환원 대기하에 로스팅(roasting)됨을 특징으로 하는 방법.

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