KR20110069870A - 포지티브형 감광성 수지 조성물, 경화막, 보호막, 절연막, 및 그것을 이용한 반도체 장치, 표시체 장치 및 레지스트막 형성 방법 - Google Patents

포지티브형 감광성 수지 조성물, 경화막, 보호막, 절연막, 및 그것을 이용한 반도체 장치, 표시체 장치 및 레지스트막 형성 방법 Download PDF

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야스노리 다카하시
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스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드
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Abstract

계면활성제를 포함하는 일 없이 양호한 엣지 린스성을 가지는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공한다. 포지티브형 감광성 수지 조성물은 일반식 (1)로 나타내는 폴리아미드계 수지(A) 100중량부와 감광성 디아조퀴논 화합물(B) 1~100중량부를 포함하고, 이 포지티브형 감광성 수지 조성물을 6인치의 실리콘 웨이퍼에 스핀 코터를 이용해 전면에 도막을 형성하고, 이 실리콘 웨이퍼를 회전시키면서 OK-73 시너를 이용해 엣지 린스한 후, 핫 플레이트로 120℃에서 4분 건조한 이 도막의 단부(端部)로부터의 OK-73 시너의 스며듬 폭이 10㎜ 이하이다.
Figure pct00032

(P1는 NH기에 결합하는 것을 나타낸다. 식 중, Y1, Y2는 유기기이고, Z는 X와 상이한 유기기이다. a, b는 몰 퍼센트를 나타내고, a＋b=100이며, a가 40 이상 100 이하, b가 0 이상 60 이하이다. R1은 수산기, O-R4 중 어느 하나이고, 동일해도 상이해도 된다. R4는 탄소수 1~15의 유기기이다. R2 및 R3은 수산기, 카르복실기, O-R5, COO-R5 중 어느 하나이고, 동일해도 상이해도 된다. R5는 탄소수 1~15의 유기기이다. l, m, n은 0~8의 정수이다.)

Description

포지티브형 감광성 수지 조성물, 경화막, 보호막, 절연막, 및 그것을 이용한 반도체 장치, 표시체 장치 및 레지스트막 형성 방법{POSITIVE-TYPE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, CURED FILM, PROTECTIVE FILM, INSULATING FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE OR DISPLAY DEVICE UTILIZING THE CURED FILM, THE PROTECTIVE FILM OR THE INSULATIING FILM, AND METHOD FOR FORMING RESIST FILM}
본 발명은 포지티브형 감광성 수지 조성물, 경화막, 보호막, 절연막, 및 그것을 이용한 반도체 장치, 표시체 장치 및 레지스트막 형성 방법에 관한 것이다.
종래 반도체 소자의 표면 보호막, 층간 절연막에는 내열성이 뛰어나고, 또 탁월한 전기 특성, 기계 특성 등을 가지는 폴리벤조옥사졸 수지나 폴리이미드 수지가 이용되어 왔다.
그러나, 반도체 집적 회로나 프린트 기판 상의 회로 패턴 형성은 기재 표면에 대한 레지스트재의 조막, 소정 개소에 대한 노광, 에칭 등에 의해 불필요한 개소 제거, 기판 표면의 세정 작업 등의 번잡하고 다방면에 걸친 공정을 거쳐서 패턴 형성이 수행되는 것이기 때문에, 노광, 현상에 의한 패턴 형성 후에도 필요한 부분의 레지스트를 절연 재료로서 그대로 남겨 이용할 수 있는 내열성 감광 재료의 개발이 요망되고 있다.
이와 같은 특성을 가지는 재료로서, 특허문헌 1에는 폴리벤조옥사졸 전구체 및 방사선 조사에 의해 산을 발생시키는 화합물을 함유하는 포지티브형 감광성 수지 조성물이 제안되고 있다. 또, 특허문헌 2에는 폴리벤조옥사졸 전구체와 감광성 디아조 나프토퀴논 화합물을 함유하는 포지티브형 감광성 수지 조성물이 제안되고 있다. 레지스트의 도포시에는 도포 장치의 반송 암(arm)에 레지스트가 부착해서 장치가 고장나지 않도록 하기 위해서, 또 그것에 의해 반도체 소자가 오염되어 제품 수율이 저하되지 않도록 하기 위해서 웨이퍼의 엣지 부분에 도포된 레지스트를 제거하는 엣지 린스(EBR)를 실시할 필요가 있다. 그렇지만, 상기 문헌에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물은 양호한 엣지 린스성을 얻기 위해서 불소계 계면활성제를 첨가할 필요가 있었다. 그러나, 포지티브형 감광성 수지 조성물에 불소계 계면활성제를 첨가하면, 반도체 소자의 표면 보호막, 층간 절연막에 사용했을 경우 금속 배선이 부식된다는 문제가 발생하는 경우가 있었다.
일본 공개특허 2005-321466호 공보 일본 공개특허 평11-119426호 공보
본 발명은 이러한 사정을 감안해 이루어진 것으로, 불소계 계면활성제를 포함하는 일 없이 양호한 엣지 린스성을 가지는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명은
[1] 일반식 (1)로 나타내는 폴리아미드계 수지(A) 100중량부와, 감광성 디아조퀴논 화합물(B) 1~100중량부를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물로서, 이 포지티브형 감광성 수지 조성물을 6인치의 실리콘 웨이퍼에 스핀 코터를 이용해 전면에 도막을 형성하고, 이 실리콘 웨이퍼를 회전시키면서 OK-73 시너를 이용해 엣지 린스한 후, 핫 플레이트로 120℃에서 4분 건조한 이 도막의 단부(端部)로부터의 OK-73 시너의 스며듬 폭이 10㎜ 이하인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
Figure pct00001
(식 중, P1는 NH기에 결합하는 것을 나타낸다. 식 중, Y1, Y2는 유기기이고, Z는 X와 상이한 유기기이다. a, b는 몰 퍼센트를 나타내고, a＋b=100이며, a가 40 이상 100 이하, b가 0 이상 60 이하이다. R1은 수산기, O-R4 중 어느 하나이고, 동일해도 상이해도 된다. R4는 탄소수 1~15의 유기기이다. R2 및 R3은 수산기, 카르복실기, O-R5, COO-R5 중 어느 하나이고, 동일해도 상이해도 된다. R5는 탄소수 1~15의 유기기이다. l, m, n은 0~8의 정수이다.)
[2] 일반식 (1)로 나타내는 폴리아미드계 수지(A) 100중량부와, 감광성 디아조퀴논 화합물(B) 1~100중량부를 포함하고, 불소계 계면활성제를 실질적으로 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
Figure pct00002
(식 중, P1는 NH기에 결합하는 것을 나타낸다. 식 중, Y1, Y2는 유기기이고, Z는 X와 상이한 유기기이다. a, b는 몰 퍼센트를 나타내고, a＋b=100이며, a가 40 이상 100 이하, b가 0 이상 60 이하이다. R1은 수산기, O-R4 중 어느 하나이고, 동일해도 상이해도 된다. R4는 탄소수 1~15의 유기기이다. R2 및 R3은 수산기, 카르복실기, O-R5, COO-R5 중 어느 하나이고, 동일해도 상이해도 된다. R5는 탄소수 1~15의 유기기이다. l, m, n은 0~8의 정수이다.)
[3] 상기 일반식 (1) 중의 a가 60 이상 100 이하인 [1] 또는 [2]에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물.
[4] 상기 일반식 (1)의 유기기 Y1, Y2가 식 (2)로 나타내는 것인 [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물.
Figure pct00003
(식 중, P2는 C=O기에 결합하는 것을 나타낸다.)
[5] [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물의 경화물로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 경화막.
[6] [5]에 기재된 경화막으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 보호막.
[7] [5]에 기재된 경화막으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 절연막.
[8] [5]에 기재된 경화막을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
[9] [5]에 기재된 경화막을 가지는 것을 특징으로 하는 표시체 장치.
[10] [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 실리콘 웨이퍼 상에 도포하는 공정과,
상기 포지티브형 감광성 수지 조성물 가운데 상기 실리콘 웨이퍼의 가장자리 상에 형성된 부분을 엣지 린스에 의해 제거하는 공정과,
상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 경화시켜 레지스트막을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트막 형성 방법.
[11] [10]에 기재된 레지스트 형성 방법에 있어서,
상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 120℃에서 4분 건조해 경화시켜 상기 레지스트막의 단부로부터의 상기 엣지 린스의 스며듬 폭이 10㎜ 이하가 되는 상기 레지스트막을 형성하는 것을 특징으로 하는 레지스트막 형성 방법.
본 발명에 의하면, 불소계 계면활성제를 포함하는 일 없이 양호한 엣지 린스성을 가지는 포지티브형 감광성 수지 조성물이 제공된다. 또, 고신뢰성의 경화막, 보호막, 절연막, 및 반도체 장치, 표시체 장치 및 레지스트막 형성 방법이 제공된다.
상술한 목적 및 그 외의 목적, 특징, 및 이점은 이하에 설명하는 바람직한 실시 형태 및 거기에 부수되는 이하의 도면에 의해 더욱 명확해진다.
도 1은 엣지 린스를 나타내는 실리콘 웨이퍼의 상면도이다.
도 2는 엣지 린스시에 발생하는 싱크 마크(sink mark, 히게)를 나타내는 실리콘 웨이퍼의 종단면도이다.
도 3은 엣지 린스시에 발생하는 반송 치구가 접하는 부위에 도막 잔사가 남은 상태를 적신 실리콘 웨이퍼 상면도이다.
본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 일반식 (1)로 나타내는 폴리아미드계 수지(A) 100중량부와 감광성 디아조퀴논 화합물(B) 1~100중량부를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물로서, 이 포지티브형 감광성 수지 조성물을 6인치의 실리콘 웨이퍼에 스핀 코터를 이용해 전면에 도막을 형성하고, 이 실리콘 웨이퍼를 회전시키면서 OK-73 시너를 이용해 엣지 린스한 후, 핫 플레이트로 120℃에서 4분 건조한 이 도막의 단부로부터의 OK-73 시너의 스며듬 폭이 10㎜ 이하인 것을 특징으로 하는 것이다.
Figure pct00004
(식 중, P1는 NH기에 결합하는 것을 나타낸다. 식 중, Y1, Y2는 유기기이고, Z는 X와 상이한 유기기이다. a, b는 몰 퍼센트를 나타내고, a＋b=100이며, a가 40 이상 100 이하, b가 0 이상 60 이하이다. R1은 수산기, O-R4 중 어느 하나이고, 동일해도 상이해도 된다. R4는 탄소수 1~15의 유기기이다. R2 및 R3은 수산기, 카르복실기, O-R5, COO-R5 중 어느 하나이고, 동일해도 상이해도 된다. R5는 탄소수 1~15의 유기기이다. l, m, n은 0~8의 정수이다.)
본 발명의 보호막, 절연막은 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물의 경화막으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다. 또한, 본 발명의 반도체 장치, 표시체 장치는 상기 경화막을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
이하에 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물, 절연막, 보호막, 반도체 장치 및 표시체 장치에 대해서 설명한다. 또한 하기는 예시이며, 어떠한 형태로든 하기로 한정되는 것은 아니다.
(1) 포지티브형 감광성 수지 조성물
본 발명에 관한 일반식 (1)로 나타내는 폴리아미드계 수지(A)를 포지티브형 감광성 수지 조성물에 적용했을 경우, 불소계 계면활성제를 실질적으로 포함하는 일 없이 양호한 엣지 린스성을 가지는 포지티브형 감광성 수지 조성물이 얻어진다.
또한 불소계 계면활성제를 실질적으로 포함하지 않는다는 것은 포지티브형 감광성 수지 조성물에 포함되는 불소계 계면활성제 중의 불소 농도가 100ppm 이하인 것을 말한다. 보다 바람직하게는 불소계 계면활성제 중의 불소 농도가 0~90ppm이다. 불소 농도의 측정 방법은 다음과 같이 하여 실시한다. 우선, N-메틸-피롤리돈(NMP)에 불소계 계면활성제를 첨가하고 플라스크 연소법 및 이온 크로마토그래피를 이용하여 불소 농도를 측정한다.
Figure pct00005
(식 중, P1는 NH기에 결합하는 것을 나타낸다. 식 중, Y1, Y2는 유기기이고, Z는 X와 상이한 유기기이다. a, b는 몰 퍼센트를 나타내고, a＋b=100이며, a가 40 이상 100 이하, b가 0 이상 60 이하이다. R1은 수산기, O-R4 중 어느 하나이고, 동일해도 상이해도 된다. R4는 탄소수 1~15의 유기기이다. R2 및 R3은 수산기, 카르복실기, O-R5, COO-R5 중 어느 하나이고, 동일해도 상이해도 된다. R5는 탄소수 1~15의 유기기이다. l, m, n은 0~8의 정수이다.)
또한, 식 (1) 중의 a는 40 이상이 바람직하고, 60 이상이 더욱 바람직하다. 이에 의해, 경화막 단부의 형상을 양호하게 할 수 있다.
일반식 (1)로 나타내는 폴리아미드계 수지(A)에 있어서, Z의 치환기로서의 O-R4, Y1, Y2의 치환기로서의 O-R5, COO-R5는 수산기, 카르복실기의 알칼리 수용액에 대한 용해성을 조절할 목적으로 탄소수 1~15의 유기기인 R4 , R5로 보호된 기이며, R4 , R5의 예로는 포르밀기, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 터셔리 부틸기, 터셔리 부톡시기, 페닐기, 벤질기, 테트라히드로푸라닐, 테트라히드로피라닐기 등을 들 수 있다.
일반식 (1)로 나타내는 폴리아미드계 수지(A)는 예를 들면, X의 비스(아미노페놀)과 Z를 포함하는 디아민 혹은 비스(아미노페놀), 2,4-디아미노페놀 등으로부터 선택되는 화합물과 Y1, Y2를 포함하는 테트라카르복시산 2무수물, 트리멜리트산 무수물, 디카르복시산 혹은 디카르복시산 디클로라이드, 디카르복시산 유도체 등으로부터 선택되는 화합물을 반응시켜 얻어지는 것이다. 또한, 디카르복시산의 경우에는 반응 수율 등을 높이기 위해 1-히드록시-1,2,3-벤조트리아졸 등을 미리 반응시킨 활성 에스테르형의 디카르복시산 유도체를 이용해도 된다.
일반식 (1)로 나타내는 폴리아미드계 수지(A)의 X는 하기 식 (18)로 나타내는 것이다. 식 (18)로 나타내는 골격을 도입함으로써, 폴리아미드계 수지(A)가 엣지 린스시에 사용되는 OK-73 시너에 대해서 적당한 습윤성을 갖기 때문에 엣지 린스 후의 싱크 마크(후술함) 및 실리콘 웨이퍼 반송 치구의 오염(후술함)을 억제할 수 있다.
Figure pct00006
(식 중, P1은 NH기에 결합하는 것을 나타낸다.)
일반식 (1)로 나타내는 폴리아미드계 수지(A)의 Z는 X와 상이한 것이면, 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 벤젠환, 나프탈렌환 등의 방향족 화합물, 비스페놀류, 피롤류, 푸란류 등의 복소환식 화합물, 실록산 화합물 등을 들 수 있고, 보다 구체적으로는 하기 식 (3)(식(3-1)~(3-7))로 나타내는 것을 바람직하게 들 수 있다. 이것들은 필요에 따라 1종류 또는 2종류 이상 조합해 이용해도 된다.
Figure pct00007
(여기서 P1은 NH기에 결합하는 것을 나타낸다. 식 중, A는 -CH2-, -CH(CH3)-, -O-, -S-, -SO2-, -CO-, -NHCO-, -C(CF3)2- 또는 단결합이다. R6은 알킬기, 알킬에스테르기, 할로겐 원자 중에서 선택되는 1개를 나타내고, 각각 동일해도 상이해도 된다. R7은 알킬기, 알콕시기, 아실옥시기, 시클로알킬기 중 어느 하나이고, 동일해도 상이해도 된다. r=0~4의 정수이다.)
Figure pct00008
(여기서 P1은 NH기에 결합하는 것을 나타낸다. R8~R11은 유기기이다.)
일반식 (1)로 나타내는 바와 같이, Z에는 R1이 0~8개 결합된다(식 (3)에 있어서, R1은 생략).
식 (3) 중에서 바람직한 것으로는 포지티브형 감광성 수지 조성물 경화 후의 내열성, 기계 특성이 특히 뛰어난 하기 식 (4)(식(4-1)~식(4-17))로 나타내는 것을 들 수 있다.
Figure pct00009
(식 중, P1은 NH기에 결합하는 것을 나타낸다. 식 중, D는 -CH2-, -CH(CH3)-, -O-, -S-, -SO2-, -CO-, -NHCO-, -C(CF3)2- 또는 단결합이다. R12는 알킬기, 알콕시기, 아실옥시기, 시클로알킬기 중 어느 하나이며, 동일해도 상이해도 된다. R13은 알킬기, 알킬에스테르기, 할로겐 원자 중에서 선택되는 1개를 나타내며, 각각 동일해도 상이해도 된다. s=1~3, t=0~4의 정수이다.)
Figure pct00010
(식 중, P1는 NH기에 결합하는 것을 나타낸다.)
또, 일반식 (1)로 나타내는 폴리아미드계 수지(A)의 Y1, Y2는 유기기이며, 예를 들면 벤젠환, 나프탈렌환 등의 방향족 화합물, 비스페놀류, 피롤류, 피리딘류, 푸란류 등의 복소환식 화합물, 실록산 화합물 등을 들 수 있고, 보다 구체적으로는 하기 식 (5)(식 (5-1)~식 (5-8))로 나타내는 것을 바람직하게 들 수 있다. 이것들은 1종류 또는 2종류 이상 조합해 이용해도 된다.
Figure pct00011
(여기서 P2는 C=O기에 결합하는 것을 나타낸다. 식 중, A는 -CH2-, -C(CH3)2-, -O-, -S-, -SO2-, -CO-, -NHCO-, -C(CF3)2- 또는 단결합이다. R14는 알킬기, 알킬에스테르기, 할로겐 원자 중에서 선택되는 1개를 나타내고, 각각 동일해도 상이해도 된다. 또, R15는 수소 원자, 알킬기, 알킬에스테르기, 할로겐 원자 중에서 선택되는 1개를 나타낸다. u=0~4의 정수이다.)
Figure pct00012
(여기서 P2는 C=O기에 결합하는 것을 나타낸다. R16~R19는 유기기이다.)
일반식 (1)로 나타내는 바와 같이, Y1, Y2에는 R2, R3이 각각 0~8개 결합된다(식 (5)에 있어서, R2, R3은 생략).
식 (5) 중에서 바람직한 것으로는 포지티브형 감광성 수지 조성물 경화 후의 내열성, 기계 특성이 특히 뛰어난 하기 식 (6)(식 (6-1)~식 (6-21)), 식 (7)(식 (7-1)~식 (7-4))로 나타나는 것을 들 수 있다.
하기 식 (6) 중의 테트라카르복시산 2무수물 유래의 구조에 대해서는 C=O기에 결합하는 위치가 양쪽 모두 메타 위치인 것, 양쪽 모두 파라 위치인 것을 들고 있지만, 메타 위치와 파라 위치를 각각 포함하는 구조여도 된다.
Figure pct00013
Figure pct00014
(식 중, P2는 C=O기에 결합하는 것을 나타낸다. R20은 알킬기, 알킬에스테르기, 알킬에테르기, 벤질에테르기, 할로겐 원자 중에서 선택되는 1개를 나타내고, 각각 동일해도 상이해도 된다. R21은 수소 원자 또는 탄소수 1~15의 유기기로부터 선택되는 1개를 나타내고, 일부가 치환되어 있어도 된다. v=0~4의 정수이다.)
Figure pct00015
(식 중, P2는 C=O기에 결합하는 것을 나타낸다.)
또, 상술한 일반식 (1)로 나타내는 폴리아미드계 수지(A)는 이 폴리아미드계 수지(A)의 말단을 아미노기로 하고, 이 아미노기를 탄소간 이중 결합 또는 탄소간 삼중 결합 유닛을 적어도 1개 가지는 지방족기, 또는 환식 화합물기를 포함하는 산 무수물을 이용해 아미드로서 캡하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 보존성을 향상시킬 수 있다.
이와 같은 아미노기와 반응한 후의 탄소간 이중 결합 또는 탄소간 삼중 결합을 적어도 1개 가지는 지방족기 또는 환식 화합물기를 포함하는 산 무수물에 기인하는 기로는, 예를 들면 식 (8), 식 (9)로 나타내는 기 등을 들 수 있다. 이것들은 단독으로 이용해도 되고, 2종류 이상 조합해 이용해도 된다.
Figure pct00016
Figure pct00017
이들 중에서 특히 바람직한 것으로는 식 (10)에서 선택되는 기가 바람직하다. 이에 의해, 특히 보존성을 향상시킬 수 있다.
Figure pct00018
또, 이 방법으로 한정되는 일은 없고, 이 폴리아미드계 수지(A) 중에 포함되는 말단의 산을 탄소간 이중 결합 또는 탄소간 삼중 결합 유닛을 적어도 1개 가지는 지방족기 또는 환식 화합물기를 포함하는 아민 유도체를 이용해 아미드로서 캡할 수도 있다.
본 발명에 관한 감광성 디아조퀴논 화합물(B)은 예를 들면, 페놀 화합물과 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-5-설폰산 또는 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-4-설폰산의 에스테르를 들 수 있다. 구체적으로는 식 (11)~식 (14)로 나타내는 에스테르 화합물을 들 수 있다. 이것들은 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상 조합해 이용해도 된다.
Figure pct00019
Figure pct00020
Figure pct00021
Figure pct00022
Figure pct00023
(식 중, Q는 수소 원자, 식 (15), 식 (16) 중 어느 하나로부터 선택되는 것이다. 여기서 각 화합물의 Q 중 적어도 1개는 식 (15), 식 (16)이다.)
본 발명에 관한 감광성 디아조퀴논 화합물(A)의 첨가량은 폴리아미드계 수지(A) 100중량부에 대해서 1~100중량부이며, 1~50중량부가 바람직하다. 보다 바람직하게는 10~40중량부이다. 첨가량을 상기 범위 내로 함으로써, 엣지 린스성, 감도 및 포지티브형 감광성 수지 조성물 경화 후의 기계 특성을 양호하게 할 수 있다.
나아가 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 고감도이고, 또한 스컴(scum) 없이 패터닝할 수 있도록 페놀성 수산기를 가지는 화합물을 병용할 수 있다.
구체적인 구조로는 식 (17)로 나타내는 것을 들 수 있다. 이것들은 1종류 또는 2종류 이상 조합해 이용해도 된다.
Figure pct00024
상기 페놀성 수산기를 가지는 화합물의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 일반식 (1)로 나타내는 폴리아미드계 수지(A) 100중량부에 대해서 1~30중량부가 바람직하고, 보다 바람직하게는 1~20중량부이다. 첨가량을 상기 범위 내로 함으로써 현상시에 있어서 스컴의 발생이 더욱 억제되고, 또 노광부의 용해성이 촉진됨으로써 감도가 향상된다.
본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 필요에 따라 아크릴계, 실리콘계, 불소계, 비닐계 등의 레벨링제, 혹은 실란 커플링제 등의 첨가제 등을 포함해도 된다.
상기 실란 커플링제로는 3-글리시독시프로필 트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸 디에톡시실란, 3-글리시독시프로필 트리에톡시실란, p-스티릴 트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸 디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필 트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸 디에톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필 트리에톡시실란, 3-아크릴옥시프로필 트리메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸 디메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필 트리메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필 트리에톡시실란, 3-아미노프로필 트리메톡시실란, 3-아미노프로필 트리에톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필 트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필메틸 디메톡시실란, 3-메르캅토프로필 트리메톡시실란, 비스(트리에톡시프로필) 테트라술피드, 3-이소시아네이트프로필 트리에톡시실란, 또한 아미노기를 가지는 규소 화합물과 산 2무수물 또는 산 무수물을 반응시킴으로써 얻어지는 실란 커플링제 등을 들 수 있지만, 이것들로 한정되지 않는다.
상기 아미노기를 가지는 규소 화합물로는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면 3-아미노프로필 트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필 트리메톡시실란, 3-아미노프로필메틸 디메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필 트리에톡시실란, 3-아미노프로필 트리에톡시실란 등을 들 수 있다.
상기 산 무수물로는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면 무수 말레산, 클로로 무수 말레산, 시아노 무수 말레산, 시트콘산, 무수 프탈산 등을 들 수 있다. 또, 사용에 있어서는 단독 또는 2종류 이상을 병용해 사용할 수 있다.
상기 산 2무수물로는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면 피로멜리트산 2무수물, 벤젠-1,2,3,4-테트라카르복시산 2무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복시산 2무수물, 2,3,3',4'-벤조페논테트라카르복시산 2무수물, 나프탈렌-2,3,6,7-테트라카르복시산 2무수물, 나프탈렌-1,2,5,6-테트라카르복시산 2무수물, 나프탈렌-1,2,4,5-테트라카르복시산 2무수물, 나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복시산 2무수물, 나프탈렌-1,2,6,7-테트라카르복시산 2무수물, 4,8-디메틸-1,2,3,5,6,7-헥사히드로나프탈렌-1,2,5,6-테트라카르복시산 2무수물, 4,8-디메틸-1,2,3,5,6,7-헥사히드로나프탈렌-2,3,6,7-테트라카르복시산 2무수물, 2,6-디클로로나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복시산 2무수물, 2,7-디클로로나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복시산 2무수물, 2,3,6,7-테트라클로로나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복시산 2무수물, 1,4,5,8-테트라클로로나프탈렌-2,3,6,7-테트라카르복시산 2무수물, 3,3',4,4'-디페닐테트라카르복시산 2무수물, 2,2',3,3'-디페닐테트라카르복시산 2무수물, 2,3,3',4'-디페닐테트라카르복시산 2무수물, 3,3",4,4"-p-테르페닐테트라카르복시산 2무수물, 2,2",3,3"-p-테르페닐테트라카르복시산 2무수물, 2,3,3",4"-p-테르페닐테트라카르복시산 2무수물, 2,2-비스(2,3-디카르복시페닐)-프로판 2무수물, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)-프로판 2무수물, 비스(2,3-디카르복시페닐)에테르 2무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)에테르 2무수물, 비스(2,3-디카르복시페닐)메탄 2무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)메탄 2무수물, 비스(2,3-디카르복시페닐)술폰 2무수물, 비스(3,4-디카르복시페닐)술폰 2무수물, 1,1-비스(2,3-디카르복시페닐)에탄 2무수물, 1,1-비스(3,4-디카르복시페닐)에탄 2무수물, 페릴렌-2,3,8,9-테트라카르복시산 2무수물, 페릴렌-3,4,9,10-테트라카르복시산 2무수물, 페릴렌-4,5,10,11-테트라카르복시산 2무수물, 페릴렌-5,6,11,12-테트라카르복시산 2무수물, 페난트렌-1,2,7,8-테트라카르복시산 2무수물, 페난트렌-1,2,6,7,8-테트라카르복시산 2무수물, 페난트렌-1,2,9,10-테트라카르복시산 2무수물, 피라진-2,3,5,6-테트라카르복시산 2무수물, 피롤리딘 2,3,4,5-테트라카르복시산 2무수물, 티오펜-2,3,4,5-테트라카르복시산 2무수물, 4,4'-헥사플루오로이소프로필리덴디프탈산 2무수물 등을 들 수 있다. 또, 사용에 있어서는 단독 또는 2종류 이상을 병용해 사용할 수 있다.
상기 아미노기를 가지는 규소 화합물과 산 2무수물 또는 산 무수물을 반응시킴으로써 얻어지는 실란 커플링제로는 포지티브형 감광성 수지 조성물의 보존성과 현상시 혹은 가열 처리 후의 실리콘 웨이퍼 등의 기판에 대한 밀착성이 양립하는 비스(3,4-디카르복시페닐)에테르 2무수물과 3-아미노프로필 트리에톡시실란, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복시산 2무수물과 3-아미노프로필 트리에톡시실란, 비스(3,4-디카르복시페닐)술폰 2무수물과 3-아미노프로필 트리에톡시실란, 무수 말레산과 3-아미노프로필 트리에톡시실란의 조합이 바람직하다.
본 발명에 있어서는 이들 성분을 용제에 용해해 바니시 상태로 하여 사용한다. 용제로는 N-메틸-2-피롤리돈, γ-부티로락톤, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸술폭시드, 디에틸렌글리콜 디메틸에테르, 디에틸렌글리콜 디에틸에테르, 디에틸렌글리콜 디부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 젖산 메틸, 젖산 에틸, 젖산 부틸, 메틸-1,3-부틸렌글리콜 아세테이트, 1,3-부틸렌글리콜-3-모노메틸에테르, 피루브산 메틸, 피루브산 에틸, 메틸-3-메톡시프로피오네이트 등을 들 수 있고, 단독으로도 혼합해 이용해도 된다.
본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 6인치의 실리콘 웨이퍼에 스핀 코터를 이용해 전면에 도막을 형성하고, 이 실리콘 웨이퍼를 회전시키면서 OK-73 시너를 이용해 엣지 린스한 후, 또한 핫 플레이트로 120℃에서 4분 건조한 이 도막의 6인치 실리콘 웨이퍼 단부로부터의 OK-73 시너의 스며듬 폭이 10㎜ 이하이다. 상기 범위로 함으로써, 실리콘 웨이퍼 외주부의 반송 치구가 접하는 부위의 도막을 확실히 제거할 수 있고, 나아가 반도체 소자가 형성된 부위의 도막의 막 두께를 균일하게 할 수 있기 때문에 반송 치구의 오염 방지와 제품 수율을 양립시킬 수 있다.
여기서, 상기 스며듬 폭은 하기의 방법에 의해 산출할 수 있다.
포지티브형 감광성 수지 조성물을 D-SPIN636(다이니폰스크린 제조사제)를 이용해 6인치의 실리콘 웨이퍼에 핫 플레이트로 건조 후의 막 두께가 약 10㎛가 되도록 웨이퍼 회전수를 조절해 도포하고, 계속해서 OK-73 시너(도쿄응화공업 주식회사제)로 유량 20mL/분, 웨이퍼 회전수 1000rpm으로 1분간 엣지 린스한 후, 핫 플레이트로 120℃에서 4분 건조해 OK-73 시너가 도막 내에 침입해 막 두께가 불균일하게 된 스며듬 폭을 측정한다.
다음에, 본 발명의 경화막(레지스트막)의 제작 방법에 대해서 설명한다.
본 발명의 경화막은, 예를 들면 하기의 공정을 거쳐 얻을 수 있다.
본 발명의 포지티브형 감광성 조성물을 지지체(기판), 반도체 소자가 형성된 실리콘 웨이퍼에 도포한다(도포 공정). 포지티브형 감광성 수지 조성물의 도포량은 포지티브형 감광성 수지 조성물 경화 후의 최종 막 두께가 0.1~30㎛가 되도록 도포한다. 막 두께가 하한값을 밑돌면 반도체 소자의 보호 표면막으로서의 기능을 충분히 발휘하는 것이 곤란해지고, 상한값을 넘으면 미세한 가공 패턴을 얻는 것이 곤란해질 뿐만 아니라 가공에 시간이 걸려 스루풋(throughput)이 저하된다. 도포 방법으로는 스피너를 이용한 회전 도포, 스프레이 코터를 이용한 분무 도포, 침지, 인쇄, 롤 코팅 등을 들 수 있다.
다음에, 실리콘 웨이퍼 외주부(테두리부 위)의 도막을 엣지 린스액으로 린스(세정)함으로써 제거한다(엣지 린스 공정). 도 1에 나타내는 바와 같이, 엣지 린스 공정은 실리콘 웨이퍼(1)를 반송할 때에 반송 치구가 접하는 부위(4)의 도막(3)을 제거하여 반송 치구 유래에 의한 반도체 소자에 대한 오염을 방지해, 제품 수율을 향상시키기 위해서 실시하는 것이다. 이때, 도 2에 나타내는 바와 같이 도막(3)의 엣지 린스액에 대한 습윤성이 너무 높으면 반도체 소자(2)가 형성된 부위의 도막(3)에 린스액이 스며들어 도막(3)이 두꺼워지는 싱크 마크(5)가 발생하는 경우가 있다.
한편, 도 3에서 나타내는 바와 같이, 도막(3)의 린스액에 대한 용해성이 너무 낮은 경우, 반송 치구가 접하는 부위(4)의 도막(3)을 제거하지 못하고, 반송 치구가 접하는 부위(4)에 도막(3)의 잔사(6)가 남아 그것들이 파티클이 되어서 반도체 소자의 오염을 일으키는 경우가 있다. 도막(3)의 엣지 린스액에 대한 용해성은 포지티브형 감광성 수지 조성물에 포함되는 일반식 (1)로 나타내는 폴리아미드계 수지(A)의 구조에 의해 제어할 수 있다.
엣지 린스액으로는 특별히 한정되는 것은 아니지만, OK-73 시너나 OK-82 시너, AZ EBR 70/30 시너(AZ Electronic Materials제), N-메틸-2-피롤리돈, γ-부티로락톤, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 아세트산 부틸, 젖산 에틸 또는 이들의 혼합 용액 등을 일반적으로 사용할 수 있다.
다음에, 예를 들면 60~130℃에서 프리베이크하여 포지티브형 감광성 수지 조성물의 도막을 건조 후, 원하는 패턴 형상으로 화학선을 조사한다(노광 공정). 화학선으로는 X선, 전자선, 자외선, 가시광선 등을 사용할 수 있지만, 예를 들면 200~500nm의 파장인 것이 바람직하다.
다음에, 노광부를 현상액으로 용해 제거함으로써 릴리프 패턴을 제작(현상 공정)하지만, 포지티브형 감광성 수지 조성물의 현상 메카니즘은 하기와 같다.
미노광부에서는 디아조퀴논 화합물이 폴리아미드 수지와 작용해 용해 억제 효과를 발현하여 알칼리 수용액에 난용이 된다. 한편, 노광부에서는 디아조퀴논 화합물이 화학 변화를 일으켜 알칼리 수용액에 쉽게 녹게 된다. 이 노광부와 미노광부의 용해성의 차이를 이용해 노광부를 용해 제거함으로써 미노광부만의 도막 패턴의 제작이 가능해지는 것이다.
현상 공정에서 사용되는 현상액으로는 예를 들면, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 규산나트륨, 메타규산나트륨, 암모니아수 등의 무기 알칼리류, 에틸아민, n-프로필아민 등의 제 1 아민류, 디에틸아민, 디-n-프로필아민 등의 제 2 아민류, 트리에틸아민, 메틸디에틸아민 등의 제 3 아민류, 디메틸에탄올아민, 트리에탄올아민 등의 알코올 아민류, 테트라메틸암모늄 히드록시드, 테트라에틸암모늄 히드록시드 등의 제4급 암모늄염 등의 알칼리류의 수용액 및 이것에 메탄올, 에탄올 등의 알코올류 수용성 유기용매나 계면활성제를 적당량 첨가한 수용액을 바람직하게 사용할 수 있다. 현상 방법으로는 예를 들면, 스프레이 패들, 침지, 초음파 등의 방식이 가능하다.
다음에, 가열 처리를 실시해 도막에 포함되는 폴리아미드계 수지의 폐환 구조(예를 들면, 옥사졸환, 이미드환 등)를 형성해 내열성이 풍부한 패턴화된 경화막을 얻는다(가열 공정).
가열 처리 온도는 특별히 한정되지 않지만, 150~380℃가 바람직하고, 특히 280~380℃가 바람직하다.
다음에, 본 발명에 의한 포지티브형 감광성 수지 조성물의 경화막에 대해서 설명한다. 포지티브형 감광성 수지 조성물의 경화물인 경화막은 반도체 소자 등의 반도체 장치 용도뿐만 아니라, TFT(Thin Film Transistor)형 액정이나 유기 EL(electro·luminescence) 등의 표시체 장치 용도, 다층 회로의 층간 절연막이나 플렉서블 구리 부착판의 커버 코트, 솔더 레지스트막이나 액정 배향막으로도 유용하다.
반도체 장치 용도의 예로는 반도체 소자 상에 상술한 포지티브형 감광성 수지 조성물의 경화막을 형성해서 이루어지는 패시베이션막, 패시베이션막 상에 상술한 포지티브형 감광성 수지 조성물의 경화막을 형성해서 이루어지는 버퍼 코트막 등의 보호막, 또 반도체 소자 상에 형성된 회로 상에 상술한 포지티브형 감광성 수지 조성물의 경화막을 형성해서 이루어지는 층간 절연막 등의 절연막, 또 α선 차단막, 평탄화막, 돌기(수지 포스트), 격벽 등을 들 수 있다.
표시체 장치 용도의 예로는 표시체 소자 상에 상술한 포지티브형 감광성 수지 조성물의 경화막을 형성해서 이루어지는 보호막, TFT 소자나 컬러 필터용 등의 절연막 또는 평탄화막, MVA(Multi Domain Vertical Alignment)형 액정 표시 장치용 등의 돌기, 유기 EL 소자 음극용 등의 격벽 등을 들 수 있다. 그 사용 방법은 반도체 장치 용도에 준해 표시체 소자나 컬러 필터를 형성한 기판 상에 패턴화된 포지티브형 감광성 수지 조성물 층을 상기의 방법으로 형성하는 것에 따르는 것이다. 표시체 장치 용도의, 특히 절연막이나 평탄화막 용도에서는 높은 투명성이 요구되지만, 이 포지티브형 감광성 수지 조성물 층의 경화 전에 후노광 공정을 도입함으로써, 투명성이 뛰어난 수지층을 얻을 수도 있어 실용상 더욱 바람직하다.
실시예
≪ 실시예 1≫
(폴리아미드계 수지의 조제)
디페닐에테르-4,4'-디카르복시산 4.13g(0.016mol)과 1-히드록시-1,2,3-벤조트리아졸 4.32g(0.032mol)을 반응시켜 얻어진 디카르복시산 유도체 7.88g(0.016mol)과 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)프로판 2.06g(0.008mol)과 헥사플루오로 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)프로판 4.40g(0.012mol)을 온도계, 교반기, 원료 투입구, 건조 질소 가스 도입관을 구비한 4구의 세퍼러블 플라스크에 넣고 N-메틸-2-피롤리돈 50.8g를 기해 용해시켰다. 그 후, 오일배스를 이용해 75℃에서 12시간 반응시켰다. 다음에, 5-노르보넨-2,3-디카르복시산 무수물 1.31g(0.008mol)과 N-메틸-2-피롤리돈 6.6g을 가하고 3시간 더 교반해 반응을 종료했다. 반응 혼합물을 여과한 후, 반응 혼합물을 물/이소프탈산 = 7/4(용적비)의 용액에 투입, 침전물을 여집하고 물로 충분히 세정한 후, 진공 하에서 건조해 목적하는 폴리아미드계 수지(일반식 (1) 중 a=40, b=60)을 얻었다.
(포지티브형 감광성 수지 조성물의 조제)
얻어진 폴리아미드계 수지 10g, 하기 구조를 가지는 감광성 디아조퀴논(식 (19)) 2.7g를 N-메틸피롤리돈 20g에 용해한 후, 0.2㎛ 구멍 지름의 불소 수지제 필터로 여과해 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.
상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 불소계 계면활성제를 포함하지 않기 때문에 불소계 계면활성제 중의 불소 농도가 100ppm 이하였다.
Figure pct00025
(식 중, Q1, Q2, Q3의 75%는 식 (20)이고, 25%는 수소 원자이다.)
(엣지 린스성 평가)
실시예에서 얻어진 포지티브형 감광성 수지 조성물을 D-SPIN636(다이니폰스크린 제조사제)를 이용해 6인치의 실리콘 웨이퍼에 핫 플레이트로 건조 후의 막 두께가 약 10㎛가 되도록 웨이퍼 회전수를 조절해 도포하고, 계속해서 OK-73 시너(도쿄응화공업 주식회사제)로 유량 20mL/분, 웨이퍼 회전수 1000rpm으로 1분간 엣지 린스한 후, 핫 플레이트로 120℃에서 4분 건조해 OK-73 시너가 도막 내에 침입해 막 두께가 불균일하게 된 스며듬 폭(㎜)의 측정을 실시했다. 또, 도막 단부의 형상을 관찰해 평가했다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다.
(기계 특성 평가)
실시예에서 얻어진 포지티브형 감광성 조성물을 경화 후의 막 두께가 5㎛가 되도록 6인치 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코터를 이용해 도포한 후, 핫 플레이트로 120℃에서 4분 건조하고, 다음에 클린 오븐을 이용해 산소 농도 1000ppm 이하에서 150℃/30분 + 320℃/30분 경화를 실시해 경화막을 얻었다. 얻어진 경화막(10㎜ 폭)을 인장 측정기에서 5㎜/분의 속도로 인장 시험을 실시해 인장 탄성률 및 신장률을 평가했다. 평가 결과를 표 3에 나타낸다.
≪ 실시예 2~4≫
디아민을 표 1에 기재된 종류, 배합량으로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 폴리아미드계 수지의 합성, 포지티브형 감광성 수지 조성물의 조정, 엣지 린스성의 평가를 실시했다.
≪ 실시예 5≫
폴리아미드계 수지의 합성에 있어서, 디아민을 표 1에 기재된 종류, 배합량으로 변경하고, 또한 디페닐에테르-4,4'-디카르복시산 4.13g(0.016mol)을 이소프탈산 2.66g(0.016mol)으로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 폴리아미드계 수지의 합성, 포지티브형 감광성 수지 조성물의 조정, 엣지 린스성의 평가를 실시했다.
≪ 비교예 1≫
디아민을 표 1에 기재된 종류, 배합량으로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 폴리아미드계 수지의 합성, 포지티브형 감광성 수지 조성물의 조정, 엣지 린스성의 평가를 실시했다.
Figure pct00026
Figure pct00027
Figure pct00028
또한, 본 발명은 이상에서 제시한 실시예로 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 취지로부터 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변경이 가능하다.
산업상 이용 가능성
본 발명에 의하면, 불소계 계면활성제를 포함하는 일 없이 양호한 엣지 린스성을 가지는 포지티브형 감광성 수지 조성물이 얻어져, 반도체 장치 표면 보호막, 층간 절연막 또는 표시 장치의 절연막 등에 매우 적합하게 이용할 수 있다.
이 출원은 2008년 10월 16일에 출원된 일본 출원 특원 2008-267326을 기초로 하는 우선권을 주장하고, 그 개시된 모든 것을 여기에 포함시킨다.

Claims (11)

  1. 일반식 (1)로 나타내는 폴리아미드계 수지(A) 100중량부와,
    감광성 디아조퀴논 화합물(B) 1~100중량부를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물로서,
    이 포지티브형 감광성 수지 조성물을 6인치의 실리콘 웨이퍼에 스핀 코터를 이용해 전면에 도막을 형성하고, 이 실리콘 웨이퍼를 회전시키면서 OK-73 시너를 이용해 엣지 린스한 후, 핫 플레이트로 120℃에서 4분 건조한 이 도막의 단부(端部)로부터의 OK-73 시너의 스며듬 폭이 10㎜ 이하인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
    Figure pct00029

    (식 중, P1는 NH기에 결합하는 것을 나타낸다. 식 중, Y1, Y2는 유기기이고, Z는 X와 상이한 유기기이다. a, b는 몰 퍼센트를 나타내고, a＋b=100이며, a가 40 이상 100 이하, b가 0 이상 60 이하이다. R1은 수산기, O-R4 중 어느 하나이고, 동일해도 상이해도 된다. R4는 탄소수 1~15의 유기기이다. R2 및 R3은 수산기, 카르복실기, O-R5, COO-R5 중 어느 하나이고, 동일해도 상이해도 된다. R5는 탄소수 1~15의 유기기이다. l, m, n은 0~8의 정수이다.)
  2. 일반식 (1)로 나타내는 폴리아미드계 수지(A) 100중량부와,
    감광성 디아조퀴논 화합물(B) 1~100중량부를 포함하고, 불소계 계면활성제를 실질적으로 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
    Figure pct00030

    (식 중, P1는 NH기에 결합하는 것을 나타낸다. 식 중, Y1, Y2는 유기기이고, Z는 X와 상이한 유기기이다. a, b는 몰 퍼센트를 나타내고, a＋b=100이며, a가 40 이상 100 이하, b가 0 이상 60 이하이다. R1은 수산기, O-R4 중 어느 하나이고, 동일해도 상이해도 된다. R4는 탄소수 1~15의 유기기이다. R2 및 R3은 수산기, 카르복실기, O-R5, COO-R5 중 어느 하나이고, 동일해도 상이해도 된다. R5는 탄소수 1~15의 유기기이다. l, m, n은 0~8의 정수이다.)
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 일반식 (1) 중의 a가 60 이상 100 이하인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 일반식 (1)의 유기기 Y1, Y2가 식 (2)로 나타내는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
    Figure pct00031

    (식 중, P2는 C=O기에 결합하는 것을 나타낸다.)
  5. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물의 경화물로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 경화막.
  6. 청구항 5에 기재된 경화막으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 보호막.
  7. 청구항 5에 기재된 경화막으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 절연막.
  8. 청구항 5에 기재된 경화막을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  9. 청구항 5에 기재된 경화막을 가지는 것을 특징으로 하는 표시체 장치.
  10. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 실리콘 웨이퍼 상에 도포하는 공정과,
    상기 포지티브형 감광성 수지 조성물 가운데 상기 실리콘 웨이퍼의 가장자리 상에 형성된 부분을 엣지 린스에 의해 제거하는 공정과,
    상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 경화시켜 레지스트막을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트막 형성 방법.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 120℃에서 4분 건조해 경화시켜 상기 레지스트막의 단부로부터의 상기 엣지 린스의 스며듬 폭이 10㎜ 이하가 되는 상기 레지스트막을 형성하는 것을 특징으로 하는 레지스트막 형성 방법.
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