KR20110063514A - 무선 통신 개선 시트체, 무선 통신용 ic 태그, 무선 통신용 ic 태그의 제조 방법, 정보 전달 매체 및 무선 통신 시스템 - Google Patents

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Abstract

제 1 스페이서(2)는 무선 IC 태그를 실장하는 배치면(2a)을 갖고, 제 1 스페이서(2)의 배치면(2a)과는 반대측의 면에 무선 통신에 이용되는 전자파에 대해서 공진하는 보조 안테나(3)가 설치된다. 제 2 스페이서(4)는 보조 안테나(3)를 사이에 두고 제 1 스페이서(2)와는 반대측에 설치된다. 제 1 스페이서(2) 및 보조 안테나(3)에는 제 2 스페이서(4)를 바닥으로 하는 홈[구멍(S)]이 공진 주파수의 조정부로서 형성된다. 조정부에 대해서 무선 IC 태그의 배치 위치를 변경함으로써 복수의 통신 주파수에 대응할 수 있다.

Description

무선 통신 개선 시트체, 무선 통신용 IC 태그, 무선 통신용 IC 태그의 제조 방법, 정보 전달 매체 및 무선 통신 시스템{WIRELESS COMMUNICATION IMPROVING SHEET BODY, IC TAG FOR WIRELESS COMMUNICATION, METHOD FOR MANUFACTURING IC TAG FOR WIRELESS COMMUNICATION, INFORMAION TRANSMITTING MEDIUM, AND WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM}
본 발명은 무선 통신용 IC 태그를 사용할 때에 이용함으로써 통신 거리를 개선하는 무선 통신 개선 시트체, 무선 통신용 IC 태그, 무선 통신용 IC 태그의 제조 방법, 정보 전달 매체 및 무선 통신 시스템에 관한 것이다.
정보 통신의 분야 뿐만 아니라, 물류 관리 등의 분야에서도 무선 통신 기술이 응용되어, 무선 통신용 IC 태그(이하에서는 단지 「IC 태그」라고 한다.)는 RFID(Radio Frequency Identification) 기술의 일익을 담당하는 제품으로서 널리 알려진 물류 관리나, 저렴한 정보 기억 매체로서 사용 용도는 다방면에 걸친 점에서 무선 통신 기기는 다양한 사용 환경에 놓여지게 된다.
IC 태그는 식별 번호 등의 데이터를 기억하는 칩과, 전파를 송수신하기 위한 안테나로 이루어지고, 박형, 경량으로 실현할 수 있는 것이 큰 이점으로 되고 있다. IC 태그는 RFID 태그나 RF 태그라고 불리는 일도 있다.
이러한 이점을 충분히 살리기 위해서는 태그의 부착 위치에 제한이 없고, 어디에 어떻게 붙여도 통신 가능하게 구성되어 있는 것이 바람직하다라고 된다.
그러나, IC 태그는 자유공간에서 사용하도록 설계되어 있어 초단파대, 극초단파대, 마이크로파대의 전파를 이용할 경우, 범용 태그는 소위 다이폴 안테나를 사용해서 전파방식의 통신에 의한 송수신을 행하고 있으므로, 금속 등이 안테나 근방에 존재하면 안테나의 통신 특성이 열화되어 통신 가능 거리가 짧아져 버린다.
안테나의 근방에 금속 등의 도전성 재료가 존재할 경우, 안테나에 전류가 흐르면 금속측에서는 이것과 역방향의 전류가 유도되어 유도 전류에 의해 안테나의 입력 임피던스가 크게 저하된다. 이것에 의해 자유공간에 대해서 설계된 IC 칩과의 임피던스의 정합성이 취해지지 않게 되어 통신 가능 거리가 짧아져 버린다. 또한, 같은 크기의 전류가 근방에서 거의 평행하게 역방향으로 존재하면 각각의 전류의 주위에 발생하는 자계의 방향이 반대로 되어 이들 자계가 서로 상쇄되는 관계로 되므로, 결과적으로 전파가 먼 곳까지 가지 않아 통신 가능 거리가 짧지 않게 된다.
일반적으로 다이폴 안테나, 모노폴 안테나 및 루프 안테나는 특정 주파수의 전파를 수신함으로써 안테나 내에 공진 전류가 발생하고, 이것이 IC 칩을 흐를 때에 자유공간에서의 칩 임피던스와 정합이 취해지도록 설계되어 있다.
도 12는 무선 IC 태그(20)를 도전성 부재의 근방에 배치한 상태에서 무선 IC 태그(20)의 근방에 형성되는 전계를 나타내는 단면도이다.
안테나 소자(111)의 근방에 통신 방해 부재(112)가 존재할 경우, 안테나 소자(111)의 타단부(111b)로부터 일단부(111a)를 향하는 전류(I11)가 생김과 아울러, 통신 방해 부재(112) 내에 한쪽 부분(112a)으로부터 다른쪽 부분(12b)을 향하는 전류(I12)가 발생함으로써 안테나 소자(111)와 통신 방해 부재(112)에 역방향의 전류가 발생한다.
IC(117)에 의해 교류가 인가되므로, 도면에 나타내는 방향의 전류가 발생하는 상태와, 반대 방향의 전류가 발생하는 상태가 교대로 발생한다. 도 12는 어떤 순간에 발생한 전류의 방향을 나타내고 있다. 주파수가 높아지면 안테나 소자(111)의 일단부(111a)와 통신 방해 부재(112)의 한쪽 부분(112a) 사이, 및 안테나 소자(111)의 타단부(111b)와 통신 방해 부재(112)의 다른쪽 부분(112b) 사이에 마치 전류(I0)가 발생하고 있는 것과 등가의 상태가 되고, 안테나 소자(111)의 일단부(111a)와 통신 방해 부재(112)의 한쪽 부분(112a) 사이, 및 안테나 소자(111)의 타단부(111b)와 통신 방해 부재(112)의 다른쪽 부분(112b) 사이가 이른바 고주파적으로 단락된 상태가 된다. 이러한 고주파적인 단락이 생기면 안테나 소자(111)와 통신 방해 부재(112)에 의해 폐회로가 형성되어 통신 방해 부재(112)가 근방에 존재하지 않는 경우에 비해서 전류값이 증가한다. 즉, 안테나 소자(111)의 근방에 통신 방해 부재(112)가 없는 경우에 비해 임피던스가 저하되게 된다.
이와 같이, 안테나나 칩의 근방에 도전성 재료가 존재하면 안테나를 흐르는 전류와 역방향의 전류가 도전성 재료 표면으로 유도되게 되고, 또한 안테나와 마주 보는 도전성 재료 표면의 각각의 전계가 높은 개소와 낮은 개소가 고주파적으로 연결되게 되어 안테나 및 도전성 재료를 통해 루프 형상의 전기로가 발생되어 버린다. 이 전기로의 발생이 임피던스를 대폭 저하시키기 때문에 칩 임피던스와 정합이 취해지지 않게 되어 정보신호의 전달이 불가능하게 되어 버린다. 이것에 의해 통신 가능 거리가 짧아진다.
또한, 금속에 한정되지 않고, 종이, 유리, 수지, 액체 등도 IC 태그의 통신 특성을 열화시키는 재질이 될 수 있다.
이들 재질의 경우에는 이들 재질이 갖는 유전성 및 자성에 의해 안테나의 공진 주파수가 변화되고, 통신 상대가 사용하는 전파의 주파수와 안테나의 공진 주파수의 어긋남에 의해 통신 가능 거리가 짧아져 버린다.
특허문헌 1에는 LSI 칩이 탑재된 급전용 패턴과, 태그 안테나로서 동작하는 패치 안테나와, 이들을 고주파 결합하는 고주파 결합부를 구비하는 RFID 태그가 개시되어 있다.
일본 특허 공개 평2008-67342호 공보
특허문헌 1에 기재된 RFID 태그는 패치 안테나를 구비함으로써 그라운드측의 물질의 특성에 영향받지 않기 때문에 금속이나 액체를 포함하는 물체에 부착해도 통신 거리가 열화되지 않고, 안테나의 두께나, 금속의 도전율, 유전체의 손실 등을 조정함으로써 패치 안테나의 이득을 크게 할 수 있어 결과적으로 소형, 박형화가 가능하다.
한편, 특허문헌 1의 도 8 및 도 9에 나타낸 바와 같이, 패치 안테나의 경우, 주파수대역이 좁고, 공진 주파수를 벗어나면 이득이 급격하게 열화되는 문제가 있다. 패치 안테나는 금속에 근접하고 있어도 동작하지만, 공진 사이즈로서의 패치 변길이는 공진 주파수의 파장을 λ로 하면 λ/2의 길이가 필요하며, 안테나 사이즈가 커져 소형 제품에는 사용이 곤란해진다. 또 패치 안테나에 IC 칩을 접합할 필요가 있지만, 금속 근방에서의 사용이 가능한 IC 태그로서 소량 다품종의 요구에 대응하기 위해서는 부착 위치의 설계 및 부착 가공을 행하는 것이 필요하며, 설계 기간의 장기화, 비용 상승을 야기한다.
예를 들면 패치 안테나에 의한 UHF대의 무선 IC 태그의 경우, 통신용 주파수는 미국에 있어서 902∼928MHz, 일본에 있어서 952∼954MHz, 한국에 있어서 910∼915MHz, EU에 있어서 866∼868MHz와 같이 국가별로 할당이 다르다. 그 때문에, 패치 안테나를 사용했을 경우, 사용하는 나라, 즉 사용하는 주파수에 맞춰 안테나의 치수나 재료를 바꾸거나 해서 개별로 제조할 필요가 있다.
본 발명의 목적은 무선 통신용 IC 태그의 통신 가능 거리를 개선하는 것이 가능하며, 복수의 통신 주파수에 대응하는 것이 가능한 무선 통신 개선 시트체, 무선 통신용 IC 태그, 무선 통신용 IC 태그의 제조 방법, 정보 전달 매체 및 무선 통신 시스템을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 무선 IC 태그를 부착하는 것만으로 무선 통신 특성을 개선할 수 있다는 범용성을 갖는 시트체의 제공이다.
본 발명은 무선 IC 태그 또는 무선 IC 태그 구성체를 배치함으로써 무선 IC 태그의 무선 통신 특성을 개선하는 무선 통신 개선 시트체로서,
무선 IC 태그 또는 무선 IC 태그 구성체를 결선시키지 않고 배치하는 배치면을 갖는 제 1 스페이서와,
제 1 스페이서의 상기 배치면과는 반대측의 면에 설치되는 보조 안테나와,
보조 안테나를 사이에 두고 제 1 스페이서와는 반대측에 설치되는 제 2 스페이서가 적층되고,
상기 보조 안테나에는 구멍 또는 노치로 구성되어 무선 IC 태그의 공진 주파수를 조정하는 조정부가 설치되는 것을 특징으로 하는 무선 통신 개선 시트체이다.
또한, 본 발명은, 상기 보조 안테나는 단수 또는 복수의 도체층을 구비하고, 그 도체층의 적어도 어느 한쪽이 상기 무선 통신에 사용되는 전자파에 대해서 공진하는 공진층인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은, 상기 보조 안테나는 평면방향 또는 적층방향으로 분할된 복수의 도체층을 구비하고, 복수의 도체층의 적어도 어느 한쪽이 상기 무선 통신에 사용되는 전자파에 대해서 공진하는 공진층인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 제 2 스페이서의 보조 안테나와는 반대측에 이면 도체층을 더 형성한 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은, 상기 제 2 스페이서의 보조 안테나와는 반대측에 이면 도체층을 더 형성하고, 상기 이면 도체층은 보조 안테나가 구비하는 도체층과 같거나, 또는 보다 큰 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은, 상기 조정부는 상기 제 1 스페이서, 상기 제 2 스페이서, 상기 보조 안테나 및 상기 이면 도체층을 포함해서 구성되고, 이들의 재질, 형상 및 배치를 변경함으로써 공진 주파수를 조정하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은, 상기 조정부의 구멍 또는 노치는 상기 무선 IC 태그 또는 무선 IC 태그 구성체가 배치되었을 때에 적어도 상기 무선 IC 태그 또는 무선 IC 태그 구성체가 구비하는 IC 칩 또는 리액턴스 로딩부에 대향하도록 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은, 상기 제 1 스페이서 및 상기 제 2 스페이서 중 적어도 어느 한쪽은 발포체로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은, 외표면의 일부 또는 전부를 유전재료로 피복한 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은, 상기 배치면 및 상기 배치면과 반대측의 면 중 적어도 어느 한쪽의 면은 점착성 또는 접착성을 갖는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은, 상기 무선 통신 개선 시트체의 배치면에 무선 IC 태그 또는 무선 IC 태그 구성체를 배치해서 무선 통신용 IC 태그를 제조하는 무선 통신용 IC 태그의 제조 방법으로서,
무선 IC 태그의 통신 주파수에 따라 상기 무선 통신 개선 시트체의 상기 조정부에 대한 무선 IC 태그 또는 무선 IC 태그 구성체의 배치 위치를 결정하고, 결정된 배치 위치에 무선 IC 태그 또는 무선 IC 태그 구성체를 배치하는 것을 특징으로 하는 무선 통신용 IC 태그의 제조 방법이다.
또한, 본 발명은, 상기 무선 통신 개선 시트체의 배치면에 무선 IC 태그 또는 무선 IC 태그 구성체를 배치했거나, 또는 무선 통신 개선 시트체에 IC 칩을 결합한 것을 특징으로 하는 무선 통신용 IC 태그이다.
또한, 본 발명은, 상기 무선 통신 개선 시트체, 또는 상기 무선 통신용 IC 태그를 내장한 것을 특징으로 하는 정보 전달 매체이다.
또한, 본 발명은 상기 무선 통신용 IC 태그, 또는 상기 정보 전달 매체를 사용하는 것을 특징으로 하는 무선 통신 시스템이다.
(발명의 효과)
본 발명에 의하면, 무선 IC 태그를 실장함으로써 무선 IC 태그의 무선 통신 특성을 개선하는 것이 가능하며, 복수의 통신 주파수에 대응하는 것이 가능한 무선 통신 개선 시트체이다.
본 발명의 무선 통신 개선 시트체는 시판의 무선 IC 태그나, 시판의 무선 IC 태그 구성체 또는 가공한 무선 IC 태그 구성체를 겹치는 것만으로 피착 물품의 종류에 의존하지 않고 통신 개선을 달성할 수 있는 보조 안테나이다. 보조 안테나와 무선 IC 태그 또는 무선 IC 태그 구성체의 IC 칩간의 전파신호의 교환에 도선 배선, 결선, 납땜 등의 공정을 사용하지 않고, 공간 또는 매체 중에서의 전자계 분포를 개재하는 것 뿐이지만, 그 조건 하에서 임피던스 정합이나 공진 주파수 조정을 실현할 수 있는 무선 통신 개선 시트체이다.
제 1 스페이서는 무선 IC 태그 또는 무선 IC 태그 구성체를 배치하는 배치면을 갖고, 제 1 스페이서의 상기 배치면과는 반대측의 면에 보조 안테나가 설치된다. 제 2 스페이서는 보조 안테나를 사이에 두고 제 1 스페이서와는 반대측에 설치된다.
상기 보조 안테나에는 구멍 또는 노치가 형성되는 것을 특징으로 하고 있다.
이것에 의해, 무선 IC 태그의 안테나 또는 무선 IC 태그 구성체와, 보조 안테나는 구멍 또는 노치를 통해 전자적으로 결합되어 보조 안테나에 의한 통신 개선 효과가 발휘된다.
또한, 구멍 또는 노치가 무선 IC 태그의 공진 주파수를 조정하는 조정부로서 기능하고, 조정부의 재질 또는 형상을 변경하거나, 또한 조정부에 대해서 무선 IC 태그 또는 무선 IC 태그 구성체의 배치 위치를 변경함으로써 복수의 통신 주파수에 대응할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 상기 보조 안테나는 단수 또는 복수의 도체층을 구비하고, 그 도체층 중 적어도 어느 한쪽이 상기 무선 통신에 사용되는 전자파에 대해서 공진하는 공진층인 것을 특징으로 한다.
무선 통신에 사용되는 전자파에 대해서 공진함으로써 보조 안테나에 의한 무선 통신이 가능해져 통신 개선 효과가 발휘된다.
또한, 본 발명에 의하면, 상기 보조 안테나는 평면방향 또는 적층방향으로 분할된 복수의 도체층을 구비하고, 복수의 도체층 중 적어도 어느 한쪽이 상기 무선 통신에 사용되는 전자파에 대해서 공진하는 공진층이다.
무선 통신에 사용되는 전자파에 대해서 공진하는 공진층 이외에 도체층을 갖거나, 복수의 공진층이 배열됨으로써 임피던스 정합 기능을 부가할 수 있거나, 무선 통신 대역을 넓히는 것이 가능해져 통신 개선 효과가 발휘된다.
또한, 본 발명에 의하면, 상기 제 2 스페이서의 보조 안테나와는 반대측에 이면 도체층이 더 형성된다. 이것에 의해, 무선 통신 개선 시트체의 설치 위치(재료의 종류도 포함)의 영향을 작게 할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 상기 제 2 스페이서의 보조 안테나와는 반대측에 도체층이 형성되고, 그 도체층을 보조 안테나가 구비하는 도체층보다 크게 한다. 이것에 의해, 무선 통신 개선 시트체의 설치 위치(재료의 종류도 포함)의 영향을 보다 확실에 작게 할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 상기 조정부는 상기 제 1 스페이서, 상기 제 2 스페이서, 상기 보조 안테나 및 상기 이면 도체층을 포함해서 구성되어 있고, 이들의 재질, 형상 및 배치를 변경함으로써 공진 주파수를 조정할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 상기 조정부의 구멍 또는 노치는 상기 무선 IC 태그 또는 무선 IC 태그 구성체가 실장되었을 때에 적어도 상기 무선 IC 태그 또는 무선 IC 태그 구성체가 구비하는 IC 칩 또는 리액턴스 로딩부에 대향하도록 설치된다.
이것에 의해, 보조 안테나가 도체재료로서 주는 영향을 작게 해서 통신 개선 효과를 더욱 향상시킬 수 있고, 공진 주파수의 조정이 가능해진다.
또한, 본 발명에 의하면, 상기 제 1 스페이서 및 상기 제 2 스페이서 중 적어도 어느 한쪽은 발포체로 이루어진다.
발포체를 사용함으로써 경량화, 박형화된 무선 통신 개선 시트체를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 외표면의 일부 또는 전부를 유전재료로 피복한다.
이것에 의해, 외부로부터의 불필요한 전자파의 영향이나, 주변환경으로부너의 영향을 작게 해서 통신 개선 효과를 더욱 향상시킬 수 있고, 또한 방수성, 내충격성, 절연성을 부여할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 상기 배치면 및 상기 배치면과 반대측의 면 중 적어도 어느 한쪽의 면은 점착성 또는 접착성을 갖는다.
이것에 의해, 무선 IC 태그의 실장이나, 대상 제품으로의 부착을 용이하게 행할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 상기 무선 통신 개선 시트체의 배치면에 무선 IC 태그 또는 무선 IC 태그 구성체를 배치해서 무선 통신용 IC 태그를 제조하는 무선 통신용 IC 태그의 제조 방법으로서, 무선 IC 태그의 통신 주파수에 따라 상기 무선 통신 개선 시트체의 상기 조정부에 대한 무선 IC 태그 또는 무선 IC 태그 구성체의 배치 위치를 결정하고, 결정된 배치 위치에 무선 IC 태그 또는 무선 IC 태그 구성체를 배치한다.
무선 IC 태그의 상기 조정부에 대한 배치 위치에 따라 공진 주파수가 변화되므로, 무선 IC 태그 또는 무선 IC 태그 구성체의 시트체에의 배치 위치를 변경하는 것만으로 사용하는 나라 등에서 정해진 통신 주파수에 따른 무선 통신용 IC 태그를 용이하게 제조할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 상기 무선 통신 개선 시트체의 배치면에 무선 IC 태그 또는 무선 IC 태그 구성체를 실장하거나, 또는 무선 통신 개선 시트체에 IC 칩을 결합한 무선 통신용 IC 태그이다.
무선 IC 태그에 무선 통신 개선 시트체가 일체화되어 있으므로, 설치 장소, 부착 장소에 상관없이 무선 통신을 행할 수 있다. 또 무선 통신 개선 시트체에 직접 IC 칩을 부착함으로써 보다 간단하며 소형화된 금속 등의 통신 방해 부재에 대응한 무선 통신용 IC 태그가 된다.
또한, 본 발명에 의하면, 상기 무선 통신 개선 시트체 또는 무선 통신용 IC 태그를 내장한 정보 전달 매체이다.
정보 전달 매체란, 예를 들면 수첩, 짐표, 명찰, 지시서, 전표, 증명서, 카드, 또는 라벨 등이다.
금속제나 도전성을 갖거나, 또는 유전율이 높은 재료로 이루어지는 제품, 중간 제품, 부품, 재료나 이들의 재료로 이루어지는 용기, 운반구, 또는 이동 수단에 수첩, 짐표, 명찰, 지시서, 전표, 증명서, 카드 또는 라벨 등의 정보 전달 매체로서 직접 붙여도 무선 IC 태그 통신을 행할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 상기 무선 통신용 IC 태그, 또는 상기 정보 전달 매체를 사용함으로써 판독 미스나, 판독 불량이 발생하지 않는 무선 통신 시스템을 실현할 수 있다.
본 발명의 목적, 특색 및 이점은 하기의 상세한 설명과 도면으로부터 보다 명확해질 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태인 시트체(1)의 평면도이다.
도 2는 시트체(1)의 확대 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시형태인 시트체(11)의 평면도이다.
도 4는 시트체(1)에 무선 IC 태그(20)를 배치한 무선 통신용 IC 태그(30)의 평면도이다.
도 5는 시트체(11)에 무선 IC 태그(20)를 배치한 무선 통신용 IC 태그(30a)의 평면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시형태인 시트체(1)의 확대 단면도이다.
도 7의 A는 본 발명의 또 다른 실시형태의 보조 안테나를 나타내는 평면도이다.
도 7의 B는 본 발명의 또 다른 실시형태의 보조 안테나를 나타내는 평면도이다.
도 8은 피복층(6)으로 피복된 무선 통신용 IC 태그(30)의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 9는 무선 통신 시스템(40)의 예를 나타내는 도면이다.
도 10은 실시예 1의 기동 전력의 주파수 특성을 나타내는 그래프이다.
도 11은 실시예 2의 기동 전력의 주파수 특성을 나타내는 그래프이다.
도 12는 무선 IC 태그(20)를 도전성 부재의 근방에 배치한 상태에서 무선 IC 태그(20)의 근방에 형성되는 전계를 나타내는 단면도이다.
도 13은 실시예 3의 시트체의 평면도이다.
도 14는 통신 가능 거리의 측정 방법을 나타내는 도면이다.
도 15는 실시예 4 및 비교예의 측정 결과를 나타내는 도면이다.
이하 도면을 참고로 해서 본 발명의 바람직한 실시형태를 상세하게 설명한다.
본 발명은 무선 IC 태그를 실장함으로써 무선 IC 태그의 무선 통신 특성을 개선함과 아울러 복수의 통신 주파수에 대응하는 것이 가능한 무선 통신 개선 시트체(이하에서는 단지 「시트체」라고 한다.)이다.
본 발명의 시트체는 무선 IC 태그 또는 무선 IC 태그 구성체를 결선하지 않고 배치하는 배치면을 갖는 제 1 스페이서와, 제 1 스페이서의 상기 배치면과는 반대측의 면에 설치되는 보조 안테나와,
보조 안테나를 사이에 두고 제 1 스페이서와는 반대측에 설치되는 제 2 스페이서가 적층되고, 상기 보조 안테나에는 구멍 또는 노치로 구성되고, 무선 IC 태그의 공진 주파수를 조정하는 조정부가 설치된다.
종래 기술에 있어서 제안되어 있는 바와 같이, 다이폴 안테나, 모노폴 안테나 및 루프 안테나를 갖는 무선 IC 태그 또는 무선 IC 태그 구성체를 공진층과 그라운드층에 2층의 도체층을 갖는 패치 안테나 구성의 보조 안테나와 조합합으로써 그라운드층에서 금속 등의 도전성 부재 등의 통신 방해 부재의 영향을 억제하고, 공진층에서 공진을 확보할 수 있는 점에서 이 공진을 이용하면 무선 IC 태그의 통신 개선을 행하는 것이 고려된다.
그러나, 패치 안테나를 사용한 경우에는 공진 주파수를 벗어나면 이득이 급격에 열화된다는 협대역 특성으로부터 사용하는 나라, 즉 사용하는 주파수에 맞춰 패치 안테나의 치수나 재료를 변경하거나 해서 개별로 제조할 필요가 생긴다.
본 발명은 무선 IC 태그의 공진 주파수를 조정하는 조정부를 설치함으로써 복수의 통신 주파수에 대응하는 것이 가능한 것을 특징으로 하고 있다.
우선, 본 발명의 시트체가 갖는 무선 통신 특성을 개선하는 기능에 대해서 설명한다. 본 발명은 보조 안테나에 구멍(슬롯) 또는 노치(슬릿)를 형성함으로써 무선 IC 태그의 통신 개선을 가능하게 하고 있다.
무선 IC 태그 또는 무선 IC 태그 구성체의 안테나와 보조 안테나는 구멍 또는 노치를 통해서 전자적으로 결합해서 보조 안테나에 의한 무선 통신이 가능해 지고, 그 결과 통신 가능 거리를 개선할 수 있다.
보조 안테나에 구멍 또는 노치를 형성함으로써 안테나의 공진동작에 따라서 구멍 또는 노치에 안테나의 안테나 형상의 장축방향을 따라 전계가 발생되므로 이것을 개재함으로써 안테나(및 IC 칩)와 보조 안테나 사이의 전자적 결합이 활성화하게 된다. 또한, 구멍 또는 노치는 도체판의 전기 저항을 높이기 때문에 도체판에 발생되는 안테나에 대응한 유도 전류를 억제하는 것이 가능해진다.
본 발명의 보조 안테나는 이하의 점에서 패치 안테나와는 다르다. 공진판에 구멍 또는 노치인 조정부가 있다는 구조 상의 차이 뿐만 아니라, 그 구멍 또는 노치로 이루어지는 조정부를 개재함으로써 무선 IC 태그 또는 무선 IC 태그 구성체와 결선되지 않아도 전자 에너지를 교환하는 기능을 갖는 것이나 IC 칩에의 정보와 IC 칩으로부터의 정보의 전파 경로도 그 내부에서 중첩화됨으로써 종래의 먼 곳과의 안테나 동작에 추가해서 근방에서의 무선 IC 태그 또는 무선 IC 태그 구성체와의 전자 에너지의 교환이라는 동작 메커니즘에도 대응하고 있는 것이다.
본 발명의 보조 안테나는 무선 IC 태그 또는 무선 IC 태그 구성체와 조합했을 때에 전체적으로 무선 통신 주파수에 공진하는 구성이며, 보조 안테나의 공진층은 무선 통신 주파수의 전파의 파장을 λ로 하면 공진부위는 λ/8∼3λ/4의 범위에 포함되는 치수를 갖고 있다.
본 발명의 시트체는 무선 IC 태그 또는 무선 IC 태그 구성체에 부착시키는 것만으로 무선 IC 태그 또는 무선 IC 태그 구성체의 통신 개선을 행하는 것이 가능해진다. 시판의 무선 IC 태그는 각각의 설계에 의해 칩 임피던스의 값이 다르다. 이 임피던스는 정치의 경우와 동작시의 경우에서도 다르고, 또한 동작 조건에서도 수신하는 에너지량에 의존해서 변화된다. 이들 불안정에 의해 변동되기 쉬운 임피던스를 갖는 무선 IC 태그에 뒤에서 붙이는 것만으로 임피던스 정합 및 개선을 실현할 수 있는 것이 본 발명의 무선 통신 개선 시트체의 특징이다. 보조 안테나나 조정부에 의한 임피던스 정합 기능에 의해 무선 통신 개선 효과를 얻을 수 있고, 또한 복수의 통신 주파수에 대응하는 것이 가능해진다.
본 발명의 시트체에 포함되는 조정부는 제 1 및 제 2 스페이서, 보조 안테나 및 이면 도체층을 포함해서 구성된다. 그리고 보조 안테나에는 도체층이 있고, 그것에 구멍 또는 노치가 형성되어 있다. 또한, 이면 도체층은 금속면에 시트체를 붙이는 경우 등 그 기능을 대체하는 재질의 표면에 붙이는 경우에는 불필요하게 된다. 보조 안테나는 공진하는 부위가 적어도 1개 있으면 좋고, 예를 들면 공진하지 않는 도체부분이나 다른 주파수에 공진하는 도체부분 등이 복수 존재하고 있어도 좋다. 구멍 또는 노치도 각각이 단수이어도 좋고, 복수이어도 좋다. 각각이 조합해서 존재하고 있어도 좋다. 구멍 또는 노치의 형상은 임의이며, 전자결합 등의 기능을 우선해서 결정된다.
조정부의 구성으로서 보조 안테나의 구멍 또는 노치의 어느 위치에 대향시켜 무선 IC 태그 또는 무선 IC 태그 구성체의 IC 칩을 배치하는가가 중요하다. 이 배치 위치에 따라 임피던스가 다르고, 이 관계를 이용해서 임의의 주파수로 조정한 무선 IC 태그를 작성할 수 있다.
보조 안테나와 이면 도체층의 크기도 무선 IC 태그의 방사 특성에 영향을 준다. 공진부분인 보조 안테나보다 이면 도체층이 큰 경우, 공진하는 보조 안테나로부터 이면 도체층의 더욱 이면측으로 돌아 들어가는 전계는 적어지고, 결과적으로 보조 안테나 표면을 포함하는 가상 평면에 직교하는 방향으로의 전파 지향성이 예민해진다. 보조 안테나의 크기가 이면 도체층과 같은 경우에는 보조 안테나의 상면으로부터 발생하는 전계가 이면 도체층의 이면으로까지 돌아 들어가게 되고, 그것들이 균등해지는 결과, 가로방향(보조 안테나를 포함하는 가상 평면에 평행한 방향)으로 발생하는 전파가 커진다. 보조 안테나의 크기가 이면 도체층보다 큰 경우에는 방사되는 전파는 오히려 이면 도체층측으로부터의 방사가 커진다.
보조 안테나의 크기가 이면 도체층과 같은 경우에 가로방향으로 누출되는 전파는 무선 IC 태그가 밀집된 상태에서도 리더(라이터)에서의 판독(기록)을 용이하게 할 수 있고, 전파 방사 범위가 넓어지기 때문에 많은 각도에서 판독하는(기록하는) 것이 가능해진다.
보조 안테나와 이면 도체층의 크기의 관계는 모든 면에서 일률적이어도 좋고, 달라도 좋다. 크기가 다른 관계가 복합되어 있어도 좋다.
또한, 본 발명의 시트체는 패치 안테나와 달리 전자결합을 통해 근접 또는 근방에 배치되는 도체를 안테나로서 이용해서 전파를 송수신할 수 있으므로 이면 도체층이나 그 근접 또는 근방에 위치하는 도전성 물품을 안테나로 할 수 있다.
본래, 무선 IC 태그에 접근해서 특히 횡 배열로 같은 공진 주파수를 갖는 안테나가 존재하면 서로 영향을 주어서 서로의 안테나 특성이 저하되는 것이지만, 본 발명의 시트체를 개재해서 근접함으로써 서로 간섭하는 영향은 없어지고, 이면 도체층이나 그 근접 또는 근방에 위치하는 도전성 물품으로 안테나 기능을 이양시킬 수 있다. 즉, 무선 IC 태그의 주위에 있는 도전성 물품(예를 들면 금속부재)을 통신 방해 부재가 아닌 안테나로서 활용해서 통신 개선할 수 있게 된다. 이 메커니즘은 우선 무선 IC 태그의 IC 칩을 구멍 또는 노치에 의해 금속부재의 영향을 받지 않도록 보호하고, 안테나의 급전 조정을 유지하고 있기 때문에, IC 칩과 외부 안테나를 전자결합에 의해 비접촉이거나, 또는 도전성 부분을 개재해서라도 결부시킬 수 있기 때문이다. 이 결과, 무선 IC 태그의 IC 칩을 이용하면서도 전파를 송수신하는 안테나는 보조 안테나, 이면 도체층, 도전성 물품으로부터 선택하는 것이 가능해진다. 일반적으로 무선 IC 태그가 도전성 물품에 부착되는 경우에는 도전성 물품(예를 들면, 금속부재)이 전자 실드성을 가지므로 도전성 물품측(무선 IC 태그로부터 볼 때 무선 통신적으로 사각(死角)이 되는 방향)으로는 전파가 도달하지 않는다. 즉 무선 IC 태그의 이면측의 리더로는 무선 통신을 할 수 없다. 그러나, 본 발명과 같이 도전성 물품을 안테나로서 활용할 수 있음으로써 사각이 없어지고, 또한 충분한 길이의 안테나를 얻을 수 있게 되어 통신 특성도 향상되게 된다. 이 경우에 동작하는 안테나의 종류는 선택하지 않지만, 예를 들면 대표적인 다이폴 안테나로 할 수 있다.
무선 IC 태그의 공진 주파수에서의 파장을 λ로 하면, 다이폴 안테나의 공진길이는 (λ/2)×n(n:정수)이며, 이 사이즈를 갖는 부분이 이면 도체층이나 도전성 물품의 어딘가에 있으면 좋고, 공진 주파수가 높으면 공진에 필요한 사이즈가 작아지므로 물품 전체로서 소형화할 수 있게 된다. 예를 들면, UHF대 RFID의 인가 주파수의 953MHz대의 파장은 약 31.5cm이며, 절반인 약 15.7cm의 정수배의 길이를 갖는 도전성 물품은 다이폴 안테나로서 기능한다.
일반적인 공구류의 경우, 인간 공학적인 견지로부터 인간의 손바닥으로부터 팔꿈치까지의 거리의 약 절반으로부터 동등한 길이로 끼우거나, 비틀거나, 누르는 등의 동작이 가해지고 있도록 되어 있다. 이 길이가 UHF대 RFID의 국제 인가 주파수의 전파의 λ/2인 약 14cm∼18cm의 정수배에 해당되게 되고, 공구류는 금속제인 경우가 대부분이므로 무선 IC 태그 및 본 발명의 시트체를 붙인 공구 자체가 다이폴 안테나로서 기능하게 된다.
또한, 이면 도체층 및 도전성 물품의 형상, 시트체의 배치 위치 등을 적당히 변경함으로써 이면 도체층 및 도전성 물품은 다이폴 안테나 뿐만 아니라, 모노폴 안테나, 루프 안테나, 슬릿 안테나, 또는 패치 안테나로서의 안테나 기능을 갖는 것도 가능하다.
이것에 의해, 이면 도체층이나 도전성 물품에 안테나 기능을 옮기고, 이들을 무선 IC 태그의 안테나로서 이용함으로써 무선 통신이 불가능한 방향(널(null) 영역)을 해소하여 장거리 통신을 실현하는 것이 더 가능해진다.
또한, 안테나 기능을 갖는 이면 도체층 및 도전성 물품을 외피층으로 하면, 강성이 높은 금속을 외피층으로 할 수 있어 시트체 및 무선 통신용 IC 태그에 용이하게 내충격성을 부여할 수 있다.
이러한 특징에 의해 무선 IC 태그의 근방에 금속, 종이, 유리, 수지, 액체 등의 통신 방해 부재가 존재해도 본 발명의 무선 통신 개선 시트체를 이용함으로써 양호하고 안정된 무선 통신 특성을 얻는 것이 가능해졌다.
이하에서는 본 발명의 시트체에 대해서 도면을 사용해서 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태인 시트체(1)의 평면도이며, 도 2는 시트체(1)의 확대 단면도이다.
시트체(1)는 제 1 스페이서(2), 보조 안테나(3), 제 2 스페이서(4), 이면 도체층(5)을 구비하고, 또한 제 1 스페이서(2), 보조 안테나(3)에 공진 주파수를 조정하기 위한 조정부로서 홈형상의 노치(S)가 형성되어 있다.
제 1 스페이서(2)는 시트체 사용시에 무선 IC 태그를 배치하는 배치면(2a)을 갖고 있고, 이 배치면(2a)의 반대측의 면이 보조 안테나(3)에 접면하도록 형성되고, 무선 IC 태그의 다이폴 안테나와 보조 안테나(3) 사이를 절연시키는 유전체층으로 구성된다.
보조 안테나(3)는 무선 IC 태그의 통신 주파수로 공진함으로써 무선 IC 태그의 다이폴 안테나와 전자적으로 결합하고, 또한 그 자신이 공진 안테나로서 기능한다.
제 2 스페이서(4)는 보조 안테나(3)를 사이에 두고 제 1 스페이서와는 반대측에 설치되고, 보조 안테나(3)와 이면 도체층(5) 사이를 절연하는 유전체층으로 구성된다.
이면 도체층(5)은 제 2 스페이서(4)의 보조 안테나(3)와는 반대측에 형성되고, 그라운드층으로서 기능한다.
제 1 스페이서(2), 보조 안테나(3), 제 2 스페이서(4), 이면 도체층(5)은 각각 동일한 외형 치수를 갖고, 이 순서대로 적층해서 시트체(1)를 구성한다.
시트체(1)를 적층방향으로부터 보았을 때의 평면형상은 실장하는 무선 IC 태그의 형상에도 의하지만, 대부분은 직사각형상이다. 또한, 시트체(1)의 총두께는 약 0.5∼10mm이다.
제 1 실시형태에서는 시트체(1)의 평면형상은 직사각형이며, 단변방향으로 평행하며, 장변방향 중앙부에 개방되는 직선형상의 노치(슬릿)(S)가 형성된다. 직선형상의 노치형상으로부터 이하에서는 제 1 실시형태의 노치를 IO형, 시트체(1)를 IO형 시트체라고 부르는 일이 있다. 도 1에서는 노치(S)의 위치가 시트체의 대략 중앙에 위치하고 있지만, 반드시 중앙부라고는 할 수 없다. 무선 IC 태그의 IC 칩이나 그 접합부 및 리액턴스 로딩부의 위치에 따라서 적당한 위치를 취할 수 있다.
노치(S)는 도 2의 단면도에 나타낸 바와 같이, 제 1 스페이서(2)와 보조 안테나(3)를 적층방향으로 관통하고, 그 결과 제 2 스페이서(4)이 홈의 바닥을 형성하는 구성으로 되어 있다. 따라서, 노치(S)의 깊이(D)는 제 1 스페이서(2)의 두께와 보조 안테나(3)의 두께의 합이 같게 되어 예를 들면 0.05∼5mm이다.
노치(S)의 길이(L)는 시트체(1)의 단변방향 길이(L0)에 대해서 3∼97%가 되는 길이로 형성되고, 예를 들면 3∼97mm이다.
노치(S)의 폭(W)은 IC 칩이나 그 접합 부분 및 리액턴스 로딩부의 크기 등에 의하지만, 예를 들면 1∼90mm이다. 이러한 노치(S)를 형성함으로써 배치면(2a)에 배치된 무선 IC 태그의 다이폴 안테나와, 보조 안테나(3)는 이 노치(S)를 통해 전자적으로 결합되어 보조 안테나(3)가 공진 안테나로서 기능한다. 또한, 무선 IC 태그의 바로 아래에 노치(S)가 형성되므로, IC 칩에 대한 보조 안테나(3)의 도전체로서의 영향을 작게 할 수 있다.
제 1 스페이서(2) 및 제 2 스페이서(4)는 각각 무선 IC 태그와 보조 안테나(3)를 절연하고, 보조 안테나(3)와 이면 도체층(5)을 절연함과 아울러, 유전체층으로서 파장 단축 효과의 영향을 줌으로써 보조 안테나(3)의 공진 주파수를 조정한다. 보조 안테나(3)와 이면 도체층(5) 사이에는 전계=0이 되는 부분이 형성되는 경우가 있고, 그 경우에는 전계=0인 부분에 비아를 형성하는 등 보조 안테나(3)와 이면 도체층(5)을 도통시켜도 동작은 가능하다.
제 1 스페이서(2) 및 제 2 스페이서(4)는 무선 IC 태그와 보조 안테나(3), 또는 이면 도체층(5)의 위치 관계를 유지할 수 있으면 전자 에너지의 손실의 낮은, 즉 통신 주파수대역에서 유전정접[tanδ(ε"/ε')] 또는 자성정접[tanδ(μ"/μ')]이 낮은 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들면 공간이어도 좋지만, 일반적으로는 하기에 예시하는 유기재료를 사용한다.
유기재료로서는 예를 들면 고무, 열가소성 엘라스토머, 각종 플라스틱, 목재, 종이재 등의 고분자 유기재료 등을 사용할 수 있다. 또한 이들의 다공질체도 사용할 수 있다. 상기 고무로서는 천연 고무 이외에 이소프렌 고무, 부타디엔 고무, 스티렌-부타디엔 고무, 에틸렌-프로필렌 고무, 에틸렌-프로필렌-디엔 고무(EPDM 고무), 에틸렌-아세트산 비닐계 고무, 부틸 고무, 할로겐화 부틸 고무, 클로로프렌 고무, 니트릴 고무, 아크릴 고무, 에틸렌아크릴계 고무, 에피클로로히드린 고무, 불소 고무, 우레탄 고무, 실리콘 고무, 염소화 폴리에틸렌 고무, 수소첨가 니트릴 고무(HNBR) 등의 합성 고무 단독, 이들의 유도체, 또는 이들을 각종 변성처리로 개질한 것 등을 들 수 있다. 이들 고무는 단독으로 사용하는 것 이외에 복수를 혼합해서 사용할 수 있다.
열가소성 엘라스토머로서는, 예를 들면 염소화 폴리에틸렌과 같은 염소계, 에틸렌계 공중합체, 아크릴계, 에틸렌 아크릴 공중합체계, 우레탄계, 에스테르계, 실리콘계, 스티렌계, 아미드계, 오레핀계 등의 각종 열가소성 엘라스토머 및 이들의 유도체를 들 수 있다.
또한, 각종 플라스틱으로서는, 예를 들면 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, AS 수지, ABS 수지, 폴리스티렌, 폴리 염화 비닐, 폴리 염화 비닐리덴 등의 염소계 수지; 폴리아세트산 비닐, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 불소 수지, 실리콘 수지, 아크릴계 수지, 나일론, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 알키드 수지, 불포화 폴리에스테르, 폴리술폰, 폴리이미드계 수지, 폴리에스테르계 수지, 우레탄계 수지, 페놀 수지, 요소 수지, 에폭시 수지 등의 열가소성 수지 또는 열경화성 수지 및 이들의 유도체, 또한 공중합체나 리사이클 수지 등을 들 수 있다.
이상의 재료를 그대로이거나, 복합화, 변성화해서 사용할 수 있다. 예를 들면, 카본, 흑연, 그라파이트, 산화 티타늄, 탄소 섬유, 카본 튜브, 흑연 섬유 등의 필러를 복합화해서 유전율을 높일 수 있다. 또한, 고무나 플라스틱에 사용되는 약품이나 충전재 등을 사용하는 것은 가능하다. 또한 발포하는 것이 바람직하다. 전형적인 저밀도의 유전체 재료는 발포 스티롤 수지 등의 발포 수지이다.
제 1 스페이서(2) 및 제 2 스페이서(4)를 구성하는 유전체 재료는, 예를 들면 밀도가 1.0g/㎤ 미만인 것이 바람직하다.
이러한 저밀도의 유전체 재료로서는 다공질 유기재료, 다공질 무기재료로부터 선택되는 1개 또는 복수의 재료를 사용한다. 발포하지 않는 재료를 사용해도 좋고, 발포하지 않는 재료와 발포 재료를 조합해도 좋다. 이상의 것 이외에, 카드보드 등의 종이재, 목재, 유리, 유리 섬유, 토계 재료 등도 사용 가능하다. 또한, 무선 IC 태그의 기재나 점착재층을 스페이서의 재료로 하는 것도 가능하다. 점착재층은 전체면이 아닌 부분적이어도 좋다. 제 1 스페이서의 기능으로서는 무선 IC 태그와 보조 안테나가 도통하지 않도록 되면 충분하므로, 공기 즉 무선 IC 태그와 보조 안테나 사이에 공간이 형성되어 있어도 좋다.
발포 방법으로서 수단은 상관없지만, 발포제 첨가, 또는 열팽창성 미립자 첨가 등으로 분류된다. 발포제는 유기계 발포제와 무기계 발포제가 있다.
유기계 발포제로서는, 예를 들면 디니트로소펜타메틸렌테트라민(DPT), 아조디카르본아미드(ADCA), p,p'-옥시비스벤젠술포닐히드라지드(OBSH), 히드라지드디카르본아미드(HDCA) 등이 첨가되지만, 그것에 한정되는 것은 아니다.
무기계 발포제로서는 탄산수소나트륨 등이 첨가되지만 그것에 한정되는 것은 아니고, 재료에 따라 적당히 선택해서 첨가해도 좋다.
또한, 열팽창성 미립자로서는 마이크로캡슐화한 열팽창성 미립자 소구(小球) 등이 첨가된다.
발포 배율도 특별히 한정되는 것은 아니지만, 흡수체의 두께 변화가 적고, 강도가 유지되고, 또한 경량화가 가능한 형태로 할 필요가 있다. 이들로부터 바람직하게는 발포 배율은 2∼30배 정도가 바람직하다.
발포 구조에 대해서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 압축방향으로 강한 구성, 예를 들면 두께방향으로 편평 발포된 발포 형태가 바람직하다.
목재로서 합판, 라왕재, 파티클 보드, MDF 등의 나무질 재료이며 그 재료에 본질적인 제한을 받는 것은 아니고, 복수의 재료를 조합해서 사용할 수도 있다.
다공질 무기재료로서 각종 세라믹 재료, 석고 보드, 콘크리트, 발포 유리, 부석, 아스팔트, 토재 등을 들 수 있지만, 그것에 한정되는 것은 아니다.
제 1 스페이서(2) 및 제 2 스페이서(4)는 수신한 전파 에너지를 가능한 한 손실없이 송신 에너지로 바꿀 필요가 있으므로, 가능한 한 재료에 의한 에너지 손실이 적은 재료를 선정할 필요가 있다. 그것을 위해서는 무선 IC 태그가 무선 통신에 이용하는 전자파의 주파수에 있어서 유전정접[tanδ(ε"/ε')]이 0.5 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.2 이하이다.
스페이서재로서는 저밀도와 저유전정접[tanδ(ε"/ε')]을 겸하고 있는 것이 좋지만, 보다 중요한 것은 통신 주파수대역(UHF대 등)에서 낮은 유전정접(tanδ)을 나타내는 것이다.
또한, 복소비 유전율의 실부(ε')가 높으면 시트 치수의 박형화, 소형화가 가능해 질 수 있기 때문에 ε' 1∼50인 것이 바람직하다. 단, 여러가지 파라미터에 의해 시트는 구성되므로 상기 수치에 한정되는 것은 아니다.
제 1 스페이서(2) 및 제 2 스페이서(4)는 각각 다른 유전체 재료로 구성되어도 좋고, 같은 유전체 재료로 구성되어 있어도 좋다.
보조 안테나(3) 및 이면 도체층(5)은 도전성을 갖는 도전재료로 구성된다.
도전재료로서는 금, 백금, 은, 니켈, 크롬, 알루미늄, 구리, 아연, 납, 텅스텐, 철 등의 금속이어도 좋고, 수지에 상기 금속의 분말, 도전성 카본블랙이 혼입된 수지 혼합물, 또는 도전성 수지의 필름 등이어도 좋다. 상기 금속 등을 박형상, 판형상, 시트형상, 필름형상 등으로 가공한 것이어도 좋다. 또는 합성 수지성 필름 상에 막두께, 예를 들면 600Å의 금속 박층이 형성된 구성을 가져도 좋다. 금속박을 필름 또는 크로스 등의 기재에 전사한 것이어도 좋다. 또한, 금속 입자계의 도전 잉크(예를 들면 저항률 10Ω/sq. 이하)를 제 1 스페이서(2), 제 2 스페이서(4)에 도포해도 좋다.
보조 안테나(3)의 공진층은 특정 주파수의 전파에 대응하는 파장에 따른 사이즈로 정해지지만, 이면 도체층(5)은 공진층과 적어도 같은 사이즈이거나, 보다 큰 사이즈인 것이 바람직하다. 이것은 피착 대상 제품의 종류에 따른 영향을 조금이라도 억제하는 것이 가능하게 되기 때문이다. 또한, 이 이면 도체층(5)은, 예를 들면 금속 제품에만 붙이는 등의 전자 차폐성을 갖는 재료, 즉 이면 도체층과 동등한 기능을 갖는 재질에 붙이는 경우에는 없어도 되는 경우가 있다.
노치(S)는 일반적인 형성 방법으로 형성할 수 있다. 제 1 스페이서(2)에 있어서는 펀칭, 절삭 등의 기계적 가공을 사용하거나, 에칭 등의 화학적 가공을 사용해서 유전체 재료로 이루어지는 판상부재로부터 구멍 또는 노치가 되는 소정의 부분을 제거하면 된다. 또한, 사용하는 유전체 재료에 따라서는 성형시에 미리 구멍 또는 노치가 형성된 형상으로 성형하는 것도 가능하다.
보조 안테나(3)에 있어서도, 제 1 스페이서(2)와 마찬가지로 기계적, 화학적 가공을 사용해서 구멍 또는 노치가 되는 소정의 부분을 제거하면 된다. 또한, 미리 노치가 형성된 형상이 되도록 스페이서에 직접 인쇄, 증착, 도포하는 것도 가능하다.
상기와 같은 방법을 사용해서 제 1 스페이서(2)와 보조 안테나(3)의 각각에 구멍 또는 노치를 형성해도 좋고, 제 1 스페이서(2)에 미리 보조 안테나(3)를 적층 해 두고, 양자에 동시에 구멍 또는 노치를 형성해도 좋다.
구멍 또는 노치는 보조 안테나(3)에 있어서 필수이지만, 이면 도체층(5)에 있어서는 없어도 된다. 마찬가지로 제 1 스페이서(2) 및 제 2 스페이서(4)에 있어서도 구멍 또는 노치가 있는 경우도 없는 경우도 있다. 가장 가까운 도체층에 구멍 또는 노치를 형성하는 것이 본 발명의 요건이다.
조정부의 형상은 제 1 실시형태와 같은 노치형상(슬릿형상)에 한정되지 않고, 구멍형상(슬롯형상)이어도 좋다. 또한, 보조 안테나(3)를 복수의 도체층에 분할하고, 분할된 도체층끼리의 간극부분을 조정부로 해도 좋다.
전기 저항을 상승시키는 것이면 그 형상에 제한은 없다. 또 구멍, 노치, 또는 간극부의 치수가 무선 통신의 전파의 주파수에 대해서 공진하는 것이어도, 공진하는 것이 아니어도 좋다. 조정부의 목적은 무선 IC 태그의 IC 칩의 임피던스를 조정하고, 태그의 공진 주파수를 조정한다고 하는 것이다. 이 목적에 따르면, 조정부에 투자율이나 유전율을 부여해서 임피던스를 더욱 적극적으로 변경 및 제어해 가는 것도 가능하다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시형태인 시트체(11)의 평면도이다. 제 2 실시형태에서는 제 1 실시형태와 조정부의 형상이 다를 뿐이며, 각 층을 구성하는 재료 등은 제 1 실시형태와 같으므로 이하에서는 조정부의 형상에 대해서만 설명한다.
제 2 실시형태에서는 제 1 실시형태와 마찬가지로 평면형상은 직사각형이며, 그 장변방향 중앙부에 단변방향으로 평행한 직선형상의 구멍(S1)과, 단변방향으로 소정의 간격을 두고 장변방향으로 평행한 2개의 직선형상 구멍(S2)이 형성되고, 구멍(S1)과 구멍(S2)은 중앙부분에서 교차함과 아울러 직선형상의 구멍(S1)은 구멍(S1)으로부터 외측으로 돌출하지 않도록 형성된다. 이러한 2개의 구멍(S2)과, 그 중앙부분에서 2개의 구멍(S2)을 결합하도록 형성되는 구멍(S1)의 형상으로부터 이하에서는 제 2 실시형태의 구멍(S2)을 H형 구멍(S2), 시트체(11)를 H형 시트체라고 부르는 경우가 있다.
구멍(S1) 및 구멍(S2)의 단면은 제 1 실시형태에 있어서 도 2에 나타낸 단면도와 마찬가지로 제 1 스페이서(2)와 보조 안테나(3)를 적층방향으로 관통하고, 그 결과 제 2 스페이서(4)가 홈의 바닥을 형성하는 구성으로 되어 있다. 또한, 구멍(S1)과 구멍(S2)의 깊이 및 폭은 달라도 좋지만, 여기에서는 같다.
구멍(S2)의 깊이(D)는 제 1 스페이서(2)의 두께와 보조 안테나(3)의 두께의 합과 같아지고, 예를 들면 0.1∼10mm이다. 구멍(S1) 및 구멍(S2)의 폭(W)은 IC 칩이나 그 접합 부분 및 리액턴스 로딩부의 크기 등에 의하지만, 예를 들면 1∼90mm이다.
구멍(S1)의 길이(L1)는 예를 들면 5∼100mm이며, 구멍(S2)의 길이(L2)는 예를 들면 30∼200mm이다.
이러한 구멍(S1) 및 구멍(S2)을 형성함으로써 배치면(2a)에 배치된 무선 IC 태그의 다이폴 안테나 또는 IC 칩과, 보조 안테나(3)는 이 구멍(S1) 및 구멍(S2)을 통해 전자적으로 결합해서 보조 안테나(3)가 공진 안테나로서 기능한다. 또한, 무선 IC 태그의 바로 아래에 구멍(S1)이 형성되고, 다이폴 안테나의 루프부에 구멍(S2)이 형성되므로, IC 칩 및 루프부(리액턴스 로딩부)에 대한 보조 안테나(3)의 도전체로서의 영향을 작게 할 수 있다.
다음에 조정부에 의한 공진 주파수의 조정 기능에 대해서 설명한다.
도 4는 시트체(1)에 무선 IC 태그(20)를 배치한 무선 통신용 IC 태그(30)의 평면도이다. 도 5는 시트체(11)에 무선 IC 태그(20)를 배치한 무선 통신용 IC 태그(30a)의 평면도이다. 무선 IC 태그(20)는 기재가 상측에 배치되어도 하측에 배치되어도 좋다.
상술과 같이, 시트체(1,11)의 제 1 스페이서(2)의 배치면(2a)에는 무선 IC 태그(20)가 시트체(1,11)와 결선되지 않게 배치된다. 결선되지 않게 배치한다란, 즉 시트체(1,11)와 무선 IC 태그(20)가 도체배선 등에 의해 직접 도통(DC 결합)되어 있는 것이 아니고, 제 1 스페이서(2)의 배치면(2a)에 적재되어 있는 상태이다.
무선 IC 태그(20)는 ID정보를 기억하는 IC 칩(21)과, IC 칩(21)에 접속되어 리더로부터의 전파를 수신함과 아울러 리더에 전파를 송신하는 안테나(22)로 구성된다.
무선 IC 태그(20)는 도 4, 5에 나타낸 바와 같이 보조 안테나(3)에 형성된 노치(S) 또는 구멍(S1)에 IC 칩(21)이 대향하도록 시트체(1,11)에 배치되거나, 적어도 리액턴스 로딩부인 안테나(22)의 루프형상 컷(23)(리액턴스 로딩부)에 대향하도록 배치한다.
여기서, 무선 통신용 IC(30)의 경우, IC 칩(21) 또는 루프형상 컷(23)의 노치(S)에 대한 위치를 변경함으로써 무선 IC 태그(20)의 공진 주파수를 변경할 수 있다.
또한, 무선 통신용 IC(30a)의 경우, IC 칩(21) 또는 루프형상 컷(23)의 구멍(S1)에 대한 위치를 변경함으로써 무선 IC 태그(20)의 공진 주파수를 변경할 수 있다.
즉, 무선 IC 태그(20)를 시트체(1,11)의 표면에 배치하는 배치 위치를 변경함으로써 무선 IC 태그(20)의 공진 주파수를 변경할 수 있고, 무선 IC 태그(20)의 공진 주파수를 소망의 주파수로 조정할 수 있다. 이것은 조정부 주위의 공간 또는 매체 중의 임피던스(전계와 자계의 비로 구함)를 조정해서 무선 IC 태그(20), 특히 IC 칩(21)과의 임피던스 정합을 행하여 전자 에너지로서 정보의 교환을 행하는 것이다. 임피던스도 주파수 의존성을 가지므로 결과적으로 무선 IC 태그(20)의 공진 주파수를 조정하는 것이 가능해진다. 후술하는 실시예와 같이, 보조 안테나(즉 공진 안테나)의 사이즈를 변경하지 않고, 조정부의 임피던스 조정만으로 공진 주파수를 변경하고 있다. 이 효과도 다주파수역 대응 무선 IC 태그에 빠뜨릴 수 없는 것이다.
본 실시형태에서는 무선 IC 태그(20)의 배치 위치를 시트체의 1개의 장변으로부터 무선 IC 태그(20)의 먼 쪽의 장변까지의 거리(X)로 정의하고 있다.
IO 형 시트체(1) 및 H형 시트체(11) 중 어느 것이어도 이 배치 위치를 변경함으로써 공진 주파수를 조정할 수 있다.
상세한 것은 후술하지만, IO 형 시트체(1)의 경우, 주파수대역이 샤프하고, 배치 위치의 변화에 대해서 변동하는 주파수가 커서 조정 감도가 높다. 또한, 통신 능력이 높고 통신 거리도 길다. H형 시트체(11)의 경우, 주파수대역이 넓고, 배치 위치의 변화에 대해서 변동하는 주파수가 작아 조정 감도가 낮다. 또한, 통신 능력은 IO형 시트체(1)에 비하면 낮지만 통신 개선 능력은 충분히 갖고 있다.
따라서, 조정 감도를 높게 해서 크게 공진 주파수를 변화시키고 싶은 경우에는 IO형 시트체(1)가 바람직하고, 조정 감도를 낮게 해서 배치 위치의 다소의 어긋남에도 공진 주파수의 변화를 작게 하고 싶은 경우에는 H형 시트체(11)가 바람직하다.
무선 IC 태그(20)의 배치 위치와 공진 주파수의 관계는 미리 실측 등에 의해 설정할 수 있으므로, 예를 들면, 나라마다 통신 주파수가 정해져 있는 무선 IC 태그(20)의 경우, 정해져 있는 통신 주파수에 대응하는 배치 위치를 미리 설정된 관계에 의거해서 선택하고, 선택된 배치 위치에 무선 IC 태그를 배치하면 좋다.
이와 같이, 본 발명은 패치 안테나와 같이 안테나의 치수나 재료를 바꾸지 않고, 무선 IC 태그(20)의 배치 위치를 바꾸는 것만으로 공진 주파수를 조정할 수 있으므로, 복수의 통신 주파수에 대응하는 것이 가능한 시트체를 실현할 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시형태인 시트체(1)의 확대 단면도이다. 상기 실시형태에서는 제 1 스페이서(2) 및 보조 안테나(3)에 제 2 스페이서(4)를 바닥으로 하는 노치(S) 또는 구멍(S1)을 조정부로서 형성하는 구성에 대해서 설명했지만, 제 1 스페이서(2)에는 구멍 또는 노치를 형성하지 않고, 보조 안테나(3)에만 구멍, 노치, 또는 간극부를 형성하는 구성이어도 좋다.
본 실시형태의 제조 방법으로서는 조정부인 구멍, 노치, 또는 간극부가 형성된 보조 안테나(3)에 구멍 또는 노치가 형성되어 있지 않은 제 1 스페이서(2)를 부착해도 좋고, 일단 제 1 스페이서(2) 및 보조 안테나(3)에 구멍, 노치, 또는 간극부를 형성한 후, 이것을 메우도록 해도 좋다.
도 7A 및 도 7B는 본 발명의 또 다른 실시형태의 보조 안테나를 나타내는 평면도이다. 도 7A는 제 1 실시형태의 노치(S)를 변형한 실시형태이며, 보조 안테나(3a)에 노치(S)가 아닌 직선형상의 구멍(S2)을 형성하고 있다. 도 7B는 단변방향으로 평행한 직선형상의 노치와, 장변방향으로 평행한 홈형상의 구멍이 중앙부분에서 교차함과 아울러 직선형상의 노치가 구멍으로부터 외측으로 돌출하지 않도록 형성된 보조 안테나(3b)를 나타낸다.
보조 안테나에 조정부로서 형성되는 구멍, 노치, 또는 간극부의 형상이나 개수는 도면에 한정되지 않고, 복수의 구멍이어도 좋고, 조합한 것이어도 좋고, 완전히 보조 안테나를 분할하는 형상이어도 좋다. 또 다각형상 뿐만 아니라, 선형상, 봉형상, 원형상, 원호형상, 곡선형상, 부정형상 등으로 임의의 형상이어도 좋다. 이들이 상하방향으로 분포되는 일도 있다.
상기 각 시트체는 배치면(2a)에는 무선 IC 태그를 실장하고, 배치면과는 반대측의 면은 대상 제품 등에 붙이기 위해서 이들 중 적어도 하나의 면은 점착제 또는 접착제를 갖는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 무선 IC 태그의 실장이나, 대상 제품으로의 부착이 용이해진다. 대상 제품으로의 부착 방법은 이 방법에 한정되지 않고, 고정 지그를 사용하는 방법이나 자석을 사용하는 방법, 끼워 넣는 방법이나 테이프형상의 것으로 압박하는 방법이어도 좋다. 예를 들면, 결속 밴드에 의한 고정 방법을 들 수 있다. 결속 밴드를 무선 IC 태그를 배치한 시트체(1)의 외표면을 덮도록 해서 대상물에 고정함으로써 결속 밴드가 보호재로 되어 내충격성을 높일 수 있다. 또한, 점착제나 접착제로는 곡면으로의 부착이 곤란한 경우, 결속 밴드에 의해 기계적으로 고정해도 좋다.
무선 통신용 IC 태그(30)는 외표면의 일부 또는 전부를 유전재료로 피복하는 것이 바람직하다. 피복 재료로서는 제 1 스페이서나 제 2 스페이서의 재료로서 열거한 재료를 그대로 사용할 수 있다. 폴리머와 섬유의 조합이나 기타 복합 재료가 사용되는 경우가 많다. 특히 내환경성, 내구성, 내충격성, 절연성을 부여하기 위해서 적당한 재료가 선정되어서 피복 가공되게 된다.
도 8은 피복층(6)으로 피복된 무선 통신용 IC 태그(30)의 구성을 나타내는 단면도이다.
본 실시형태의 무선 통신용 IC 태그(30)는 시트체(1)에 무선 IC 태그(20)가 부착되고, 이들을 피복층(6)으로 피복한 것이다.
피복층(6)에 이용되는 유전재료는 유전정접[tanδ(953MHz)]이 0.05 이하이다. tanδ가 0.05보다 큰 유전재료를 사용해서 피복층(6)을 형성한 경우, 피복층(6)의 몰딩에 의해 무선 IC 태그(20)의 통신 가능 거리는 짧아진다. 이것은 무선 IC 태그(20)로 송수신되는 전파가 피복층(6)을 통과할 때에 에너지 손실이 발생해서 통신 가능 거리가 짧아진 것이라고 생각된다. 또한, 유전재료로서는 피복층(6)의 두께를 얇게 하기 위해서 복소비 유전율의 실부[ε'(953MHz)]가 1∼20인 것이 바람직하다.
이러한 피복층(6)에 바람직한 유전재료로서는 EVA(에틸렌-아세트산 비닐 공중합체) 수지, PET(폴리에틸렌테레프탈레이트) 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지 등을 들 수 있다. EVA 수지는 tanδ(953MHz)가 0.01이며, ε'(953MHz)이 2.39이다. PET 수지는 tanδ(953MHz)가 0.01이며, ε'(953MHz)이 2.9이다.
피복층(6)에 의한 시트체(1) 및 무선 IC 태그(20)의 피복은 공지의 용착 기술을 사용해서 행할 수 있고, 용착은 부재를 승온시키는 방법에 의해 임펄스 용착, 열판 용착, 고주파 용착, 초음파 용착 등이 있다. 또 사출 성형법, 압축 성형법, 트랜스퍼 성형법, 주형법, 디핑법, 침지법 외에 기타 적당한 성형 방법을 사용할 수 있다.
본 발명의 시트체(1)에 무선 IC 태그를 실장함으로써 도전성 재료, 유전체 재료, 자성 재료 등 통신 방해 부재인 재질에 붙여도 자유공간의 경우로 바뀌지 않고, 전파방식에서 양호한 무선 통신 특성을 갖는 무선 통신용 IC 태그가 된다. 또한, 본 시트체(1)에 IC 칩을 부착함으로써 시트체(1)가 그대로 무선 통신용 IC 태그가 된다. 이 무선 통신용 IC 태그도 통신 방해 부재에 붙여도 자유공간으로 바뀌지 않는 무선 통신이 가능하다. 본 발명에서 대상이 되는 통신 주파수는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 300MHz 이상 300GHz 이하의 범위를 포함하고, 임의의 단수 또는 복수의 주파수를 선택할 수 있다. 이 300MHz 이상 300GHz 이하의 범위에는 UHF대(300MHz∼3GHz), SHF대(3GHz∼30GHz) 및 EHF대(30GHz∼300GHz)가 포함된다. 또한, 이상의 주파수에서 전파방식의 통신을 행하는 안테나에 대한 무선 통신 개선책이다.
본 발명의 시트체 또는 무선 통신용 IC 태그를 내장한 전표, 증명서, 카드, 또는 라벨 등의 정보 전달 매체를 이용할 수 있다. 이들의 전표류는 현재도 작업 지시서, 의뢰서, 발주서, 납입 전표, 찰표, 전표, 간판 등으로서 물류, 로지스틱스, 유통, 재고관리, 공정관리 등에서 활용되고 있다. 그러나, 종래와 같이 범용 무선 IC 태그를 내장하거나, 또는 서로 부착한 것에서는 상기의 통신 방해 부재에 붙일 수 없었다. 그러나, 실제의 제조업에서는 IC 태그의 사용 환경 주변에는 통신 방해 부재로 이루어지는 재료나 재질이 매우 많다. 본 발명의 시트체 또는 무선 통신용 IC 태그 등을 이용함으로써 금속제나 도전성을 갖거나, 또는 유전율이 높은 재료 등의 통신 방해 부재로 이루어지는 제품, 중간 제품, 부품, 재료나 이들의 재료나 재질로 이루어지는 용기, 운반구, 팰릿, 차, 포크리프트, 컨테이너, 가방, 포대, 케이스, 포트박스, 도전성 상자 등에 간판, 전표, 증명서, 카드 또는 라벨로서 직접 붙여도 무선 IC 태그 통신을 행하는 것이 가능해진다. 이것에 의해 물류관리, 재고관리, 유통관리, 정보관리 등에서의 대상 제품이 확대되고, 또한 RFID 주파수의 국제 주파수에 대응함으로써 수출입의 경우의 관리도 용이해진다.
본 발명의 또 다른 실시형태로서 무선 통신 시스템을 들 수 있다. 무선 통신 시스템으로서는 도 9에 나타낸 바와 같이 예를 들면 복수의 금속제 용기(31)에 각각 무선 IC 태그(30)를 붙이고, 이들을 일괄해서 리더(42)를 설치한 안테나 게이트부(41)를 통과시켜서 정보의 판독이나 기록을 행하는 RFID 무선 통신 시스템(40)을 들 수 있다. 또한, 다수의 금속제 물품에 무선 IC 태그(30)를 붙이고, 이들을 순차(일정 간격을 벌리면서) 컨베이어 위를 흐르고, 이들을 임의의 장소에 설치된 안테나 게이트부에서 물류관리(입출고관리)나 트레이서빌리티 관리 등을 행하는 RFID 무선 통신 시스템도 구성할 수 있다. 또한, 무선 IC 태그(30)의 이면 도체층의 치수를 최적화하고, 전파 방사 범위를 제어함으로써 무선 IC 태그(30)의 가로방향으로 리더를 배치해도 무선 통신이 가능해진다. 예를 들면, 가스 봄베의 네크부 등의 관형상 금속 물품의 측면에 무선 IC 태그(30)를 부착하고, 물품의 상방에 리더 안테나를 배치한다고 하는 시스템도 가능하다. 또한, 공구류에 부착해서 RFID 관리를 행하는 것도 가능해진다. 전달하는 정보로서는 제품 ID 뿐만 아니라, 이력 정보, 특기 정보 뿐만 아니라, 작업 지시서, 의뢰서, 납입 전표, 발주서 등도 겸할 수 있고, 예를 들면 재고 관리나 비용 관리의 데이터로 함으로써 수율 향상이나 비용 저감이라는 생산성을 향상시키는 것도 기대할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 실시예에 대해서 설명한다.
실시예
IO 형 시트체(1) 및 H형 시트체(11)를 제작하고, 이것에 무선 IC 태그를 붙여서 무선 통신용 IC 태그를 제작했다.
우선, 실시예 1로서 IO형 시트체를 제작하고, 무선 IC 태그의 배치 위치를 변경했을 때의 무선 IC 태그의 기동 전력의 주파수 특성을 측정했다.
IO 형 시트체는 외형 치수를 세로 40mm, 가로 100mm로 했다. 제 1 스페이서(2)는 두께 0.1mm의 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트) 필름을 사용했다. 보조 안테나(3)는 두께 0.05mm의 알루미늄박층이며, 노치(S)는 길이(L)를 30mm, 폭(W)을 6mm로 했다. 제 2 스페이서(4)는 두께 2mm의 발포 재료(발포 배율 5배)를 사용했다.
무선 IC 태그의 배치 위치는 X=29mm, 30mm, 31mm, 32mm로 했다.
기동 전력의 주파수 특성은 가부시키가이샤 페리테크제의 RFID 테스터에 의해 측정했다.
도 10은 실시예 1의 기동 전력의 주파수 특성을 나타내는 그래프이다. 가로축은 주파수(MHz)를 나타내고, 세로축은 기동 전력(dBm)을 나타낸다. 플롯 A는 X=29mm인 경우를 나타내고, 플롯 B는 X=30mm인 경우를 나타내고, 플롯 C는 X=31mm인 경우를 나타내고, 플롯 D는 X=32mm인 경우를 나타낸다.
그래프로부터 알 수 있는 바와 같이, 배치 위치 X를 변경하면 공진 주파수가 변화되었다. 공진 주파수는 기동 전력이 가장 작아졌을 때의 주파수이다.
X=29mm인 경우, 공진 주파수의 피크는 917MHz이며, X=30mm인 경우, 공진 주파수의 피크는 928MHz이며, X=31mm인 경우, 공진 주파수의 피크는 942MHz이며, X=32mm인 경우, 공진 주파수의 피크는 952MHz였다.
여기서, 일본의 통신 주파수(952∼954MHz)에 대응하는 리더를 사용했을 때의 통신 가능 거리 및 한국의 통신 주파수(910∼915MHz)에 대응하는 리더를 사용했을 때의 통신 가능 거리를 측정했다. 일본용 리더는 오무론제 리더 V750-BA50C04-JP(측정 출력=22.5dBm), 한국용 리더는 ATID제 리더 AT570(측정 출력=28.0dBm)을 사용하고, 전파암실에서 측정했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure pct00001
이어서, 실시예2로서 H형 시트체를 제작하고, 무선 IC 태그의 배치 위치를 변경했을 때의 무선 IC 태그의 기동 전력의 주파수 특성을 측정했다.
H형 시트체는 외형 치수를 세로 40mm, 가로 105mm로 했다. 제 1 스페이서(2) 및 제 2 스페이서(4)는 모두 두께 1mm의 발포 재료(발포 배율 5배)를 사용했다. 보조 안테나(3)는 두께 0.05mm의 알루미늄박층이며, 구멍(S1)은 길이(L1)를 22mm, 폭(W)을 6mm로 하고, 구멍(S2)은 길이(L2)를 75mm, 폭(W)을 6mm로 했다.
무선 IC 태그의 배치 위치는 X=29mm, 30mm, 31mm, 32mm로 했다.
기동 전력의 주파수 특성은 실시예 1과 마찬가지로 가부시키가이샤 페리테크제의 RFID 테스터에 의해 측정했다.
도 11은 실시예 2의 기동 전력의 주파수 특성을 나타내는 그래프이다. 가로축은 주파수(MHz)를 나타내고, 세로축은 기동 전력(dBm)을 나타낸다. 플롯 E는 X=29mm인 경우를 나타내고, 플롯 F는 X=30mm인 경우를 나타내고, 플롯 G는 X=33mm인 경우를 나타내고, 플롯 H는 X=39mm인 경우를 나타낸다.
그래프로부터 알 수 있는 바와 같이 배치 위치(X)를 변경하면 공진 주파수가 변화되었다. 공진 주파수는 기동 전력이 가장 작아졌을 때의 주파수이다.
X=29mm인 경우, 공진 주파수는 914MHz이며, X=30mm인 경우, 공진 주파수의 피크는 918MHz이며, X=33mm인 경우, 공진 주파수의 피크는 936MHz이며, X=39mm인 경우, 공진 주파수의 피크는 956MHz였다.
실시예 1과 마찬가지로 일본의 통신 주파수(952∼954MHz)에 대응하는 리더를 사용했을 때의 통신 가능 거리 및 한국의 통신 주파수(910∼915MHz)에 대응하는 리더를 사용했을 때의 통신 가능 거리를 측정했다. 결과를 표 2에 나타낸다.
Figure pct00002
이상의 결과로부터 IO형 시트체 및 H형 시트체를 사용했을 때에 공진 주파수가 일본 및 한국 각각의 통신 주파수에 가까워지면 통신 가능 거리가 길어지고, 통신 주파수로부터 멀어지면 통신 거리는 짧아지는 것을 알 수 있었다. 이것에 의해, 무선 IC 태그의 배치 위치를 변경하는 것만으로 복수의 통신 주파수의 무선 IC 태그에 적용하는 것이 가능한 시트체인 것을 알 수 있었다.
또한, 실시예 3으로서 조정부인 구멍(슬롯)을 형성한 시트체를 제작하고, IC 태그를 붙여서 무선 통신용 IC 태그로 했다. 보조 안테나(3)에 대한 이면 도체층(5)의 크기를 바꾸었을 때의 통신 거리에 주는 영향을 나타냈다.
시트체는 외형 치수를 세로 16mm, 가로 98mm로 했다. 제 1 스페이서(2)는 두께 0.1mm의 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트) 필름을 사용했다. 보조 안테나(3)는 두께 0.05mm의 알루미늄박층이며, 구멍(S)은 길이(L)를 29mm, 폭(W)을 12mm로 했다. 제 2 스페이서(4)는 두께 3mm의 폴리에틸렌을 사용했다.
보조 안테나(3)에 대한 이면 도체층(5)의 크기를 바꾸고, 통신 가능 거리를 측정했다. 보조 안테나(3)의 크기는 제 1 및 제 2 스페이서와 마찬가지로 고정하고, 이면 도체층(5)의 크기만을 변경했다. 또한, 도 13의 평면도에 나타낸 바와 같이, 이면 도체층(5)은 보조 안테나(3)의 폭방향 양측으로 균등하게 돌출되도록 형성하고, 폭방향 양측의 돌출량을 Y(mm)로 했다.
돌출량(Y)을 0mm, 10mm, 20mm, 30mm, 40mm, 50mm로 했을 때의 통신 가능 거리를 표 3에 나타낸다. 본 실시예에 있어서의 통신 가능 거리의 측정 방법은 도 14에 나타낸 바와 같이, 무선 IC 태그를 향해서 리더·라이터(51)를 발포체(50)의 측면에 부착하고(높이 110cm의 위치), 발포체(52)의 상면에 무선 IC 태그(20)를 배치하고(높이 110cm의 위치), 발포체(52)를 이동시켜서 리더·라이터(51)와 무선 IC 태그(20)의 거리를 변화시켰다. 이 때, 무선 IC 태그(20)는 이면 도체층(5)이 돌출되는 측을 리더·라이터(51)를 향해서 배치했다.
Figure pct00003
표 3에 나타낸 바와 같이, 이면 도체층(5)의 돌출량을 크게 하면 통신 가능 거리가 짧아졌다. 이것은 무선 IC 태그(20)의 방사 범위, 즉 지향성이 변화된 것을 나타내고 있다. 따라서, 보조 안테나(3)와 이면 도체층(5)의 크기를 변경 함으로써 무선 IC 태그(20)의 전파 방사 범위를 제어할 수 있는 것을 알 수 있었다.
또한, 실시예 4로서 실시예 3의 무선 IC 태그(20)를 도전성 물품인 스패너에 부착한 것을 제작했다.
스패너는 철제로 길이가 160mm이며, 스패너의 손잡이 부분 중앙에 무선 IC 태그(20)를 길이방향을 따라 부착해서 실시예 4의 공구로 했다.
스패너의 길이방향은 연직방향과 평행해지도록 배치하고, 리더를 무선 IC 태그(20)와 같은 높이의 수평면 상에서 판독 위치를 30°마다 변경하면서 통신 가능 거리를 측정했다.
리더와 무선 IC 태그(20)가 대향하는 위치를 판독 위치 0°로 했다. 따라서, 판독 위치 180°는 무선 IC 태그(20)와는 반대측의 판독 위치가 된다.
또한, 비교예로서 150mm×66mm의 SUS판에 무선 IC 태그(20)를 부착한 것을 제작했다. 비교예도 실시예 4와 마찬가지로 리더와 무선 IC 태그(20)가 대향하는 위치를 판독 위치 0°로 하고, 판독 위치를 30°마다 변경하면서 통신 가능 거리를 측정했다.
도 15는 실시예 4 및 비교예의 측정 결과를 나타내는 도면이다. 도 15에 파선으로 나타내는 비교예의 측정 결과에서는 전체적으로 통신 가능 거리가 짧고, 또한, 90°를 초과해서 270°까지의 판독 위치, 즉 무선 IC 태그(20)를 붙인 SUS판의 이면측으로부터 판독하는 위치에서는 통신 가능 거리가 0이었다.
이것에 대해서, 도 15에 실선으로 나타내는 실시예 4에서는 비교예보다 전체적으로 통신 가능 거리가 길어짐과 아울러 0°로부터 360°의 어느 판독 위치에서나 거의 같은 통신 가능 거리가 되었다.
이와 같이, 스패너 등의 도전성 물품에 무선 IC 태그를 부착한 경우, 도전성 물품 자체가 안테나로서 기능하고, 무선 통신이 불가능한 널 영역을 해소하고, 또한 장거리 통신을 실현할 수 있는 것을 알 수 있었다.
본 발명은 그 정신 또는 주요한 특징으로부터 일탈하지 않고, 다른 여러가지 형태로 실시할 수 있다. 따라서, 상술의 실시형태는 모든 점에서 단순한 예시에 지나치지 않고, 본 발명의 범위는 특허청구의 범위에 나타내는 것이며, 명세서 본문에는 조금도 구속되지 않는다. 또한, 특허청구의 범위에 속하는 변형이나 변경은 모두 본 발명의 범위내의 것이다.
1, 11:시트체 2:제 1 스페이서
3:보조 안테나 4:제 2 스페이서
5:이면 도체층 6:피복층
20:무선 IC 태그 21:IC 칩
22:안테나 30:무선 통신용 IC 태그
40:무선 통신 시스템

Claims (14)

  1. 무선 IC 태그 또는 무선 IC 태그 구성체를 배치함으로써 상기 무선 IC 태그의 무선 통신 특성을 개선하는 무선 통신 개선 시트체로서:
    상기 무선 IC 태그 또는 상기 무선 IC 태그 구성체를 결선하지 않고 배치하는 배치면을 갖는 제 1 스페이서와,
    상기 제 1 스페이서의 상기 배치면과는 반대측의 면에 설치되는 보조 안테나와,
    상기 보조 안테나를 사이에 두고 상기 제 1 스페이서와는 반대측에 설치되는 제 2 스페이서가 적층되고;
    상기 보조 안테나에는 구멍 또는 노치로 구성되고 상기 무선 IC 태그의 공진 주파수를 조정하는 조정부가 설치되는 것을 특징으로 하는 무선 통신 개선 시트체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 보조 안테나는 단수 또는 복수의 도체층을 구비하고, 그 도체층 중 1개 이상이 상기 무선 통신에 사용되는 전자파에 대해서 공진하는 공진층인 것을 특징으로 하는 무선 통신 개선 시트체.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 보조 안테나는 평면방향 또는 적층방향으로 분할된 복수의 도체층을 구비하고, 상기 복수의 도체층 중 1개 이상이 상기 무선 통신에 사용되는 전자파에 대해서 공진하는 공진층인 것을 특징으로 하는 무선 통신 개선 시트체.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 스페이서의 보조 안테나와는 반대측에 이면 도체층을 더 형성한 것을 특징으로 하는 무선 통신 개선 시트체.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 스페이서의 보조 안테나와는 반대측에 이면 도체층을 더 형성하고, 상기 이면 도체층은 상기 보조 안테나가 구비하는 도체층과 같거나, 또는 보다 큰 것을 특징으로 하는 무선 통신 개선 시트체.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 조정부는 상기 제 1 스페이서, 상기 제 2 스페이서, 상기 보조 안테나 및 상기 이면 도체층을 포함해서 구성되고, 이들의 재질, 형상 및 배치를 변경함으로써 공진 주파수를 조정하는 것을 특징으로 하는 무선 통신 개선 시트체.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 조정부의 구멍 또는 노치는 상기 무선 IC 태그 또는 상기 무선 IC 태그 구성체가 배치되었을 때에 적어도 상기 무선 IC 태그 또는 상기 무선 IC 태그 구성체가 구비하는 IC 칩 또는 리액턴스 로딩부에 대향하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 무선 통신 개선 시트체.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 스페이서 및 상기 제 2 스페이서 중 1개 이상은 발포체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 무선 통신 개선 시트체.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    외표면의 일부 또는 전부를 유전재료로 피복한 것을 특징으로 하는 무선 통신 개선 시트체.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 배치면 및 상기 배치면과 반대측의 면 중 1개 이상의 면은 점착성 또는 접착성을 갖는 것을 특징으로 하는 무선 통신 개선 시트체.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 기재된 무선 통신 개선 시트체의 배치면에 무선 IC 태그 또는 무선 IC 태그 구성체를 배치해서 무선 통신용 IC 태그를 제조하는 무선 통신용 IC 태그의 제조 방법으로서:
    상기 무선 IC 태그의 통신 주파수에 따라 상기 무선 통신 개선 시트체의 상기 조정부에 대한 상기 무선 IC 태그 또는 상기 무선 IC 태그 구성체의 배치 위치를 결정하고, 결정한 배치 위치에 상기 무선 IC 태그 또는 상기 무선 IC 태그 구성체를 배치하는 것을 특징으로 하는 무선 통신용 IC 태그의 제조 방법.
  12. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 기재된 무선 통신 개선 시트체의 배치면에 무선 IC 태그 또는 무선 IC 태그 구성체를 배치했거나, 또는 상기 무선 통신 개선 시트체에 IC 칩을 결합한 것을 특징으로 하는 무선 통신용 IC 태그.
  13. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 기재된 무선 통신 개선 시트체, 또는 제 12 항에 기재된 무선 통신용 IC 태그를 내장한 것을 특징으로 하는 정보 전달 매체.
  14. 제 12 항에 기재된 무선 통신용 IC 태그 또는 제 13 항에 기재된 정보 전달 매체를 사용하는 것을 특징으로 하는 무선 통신 시스템.
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