KR20110050598A - 실리콘 웨이퍼의 패시베이션을 위한 증착 방법 - Google Patents

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Abstract

기판(3)은 기판 캐리어 플레이트(3)의 상승된 기판 지지부(31)상에 장착된다. 기판을 갖는 기판 캐리어 플레이트는 그후 플라즈마 반응기(8) 내에 놓인다. 상승된 기판 지지부로 인해, 기판의 대향하는 두 측면은 플라즈마(6)에 노출되고, 따라서 전기적인 패시베이션 층(7)으로 코팅된다.

Description

실리콘 웨이퍼의 패시베이션을 위한 증착 방법{DEPOSITION METHOD FOR PASSIVATION OF SILICON WAFERS}
본 명세서에 개시된 요지는 일반적으로 고전압, 고전력 반도체의 기술분야에 관한 것이고, 보다 상세하게는 전력용 반도체를 위한 반도체 웨이퍼 상에 전기적인 패시베이션 층의 단일-단계의 양면 증착을 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 다이오드, 다이리스터, GTO 및 GCT와 같은 바이폴라 전력용 반도체는 실리콘 웨이퍼로부터 만들어진다. 이들 실리콘 웨이퍼가 다른 주입, 확산, 포토리쏘그라피 및 금속화 처리를 겪은 후, 원형 디스크로 절단되고, 고전압 차단 PN-접합 상에 음 또는 양의 경사면이 깍여 형성된다. 이들 경사면은 주로 전기적인 패시베이션 층으로 보호될 필요가 있다. 현재 사용되고 있는 최신 기술의 패시베이션 재질 중 하나는 통상적으로 평행 플레이트 플라즈마 반응기 내에서 플라즈마 강화 화학 증기 증착(PECVD : Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 공정으로 증착된 비정질의 수소화된 탄소(a-C:H, 또한 다이아몬드형 탄소(DLC)로도 알려져 있음)이지만, 일반적으로 다른 기하학적 구조의 PECVD 반응기 내에서, 또는 이온 빔, 스퍼터링, 음극 아크, 펄스형 레이저 증착 또는 저압 CVD에 의해 증착될 수도 있다.
일반적인 PECVD 공정의 단순화된 그림이 도 1에 주어졌다. 실리콘 웨이퍼는 기판의 캐리어 플레이트를 통해 반응 챔버 내에서 제 2의 하부 전극과 접촉한다. 탄화수소 전구체 가스(예, 메탄, 아세틸렌)가 제 1의 상부 전극 내의 개구를 통해 플라즈마 반응기의 반응 챔버로 들어가고, 고주파에 의해 이온화되어, 벌크 플라즈마(bulk plasma)를 형성한다. 가장자리 플라즈마 층은, 플라즈마 이온이 두 개의 전극 사이에 인가된 DC 바이어스 전압으로 인해 기판과 기판 캐리어 플레이트의 방향으로 가속되는 공간이다.
일반적인 공정은 도 1에 도시된 알루미늄 기판 캐리어 플레이트상의 오목부 내에 실리콘 웨이퍼를 위치시키는 것이다. 이러한 기판 캐리어 플레이트는 실리콘 웨이퍼(기판)를 위한 홀더로서만 작용하는 것이 아니라, 반응 챔버 내에서 능동적으로 냉각된 제 2 (하부) 전극에 대한 디스크의 열적 및 전기적 접촉을 형성하기도 한다. 제 1 (상부) 전극을 향하는 실리콘 웨이퍼 상의 경사면은, 실리콘 웨이퍼의 나머지 상부 표면이 알루미늄 새도우 마스크에 의해 덮혀 있는 동안, a-C:H 증착 플라즈마에 노출된다. 증착 공정 도중에 실리콘 웨이퍼의 능동 냉각은 만족스럽지 못한 전기적 특성을 갖는 패시베이션 층을 회피하기 위하여 필요하다. a-C:H의 열적 열화는 J. Robertson에 의한 "다이아몬드형 비정질 탄소"{Materials Science and Engineering : R: Reports 37,(2002) 129}에서 보고되었다.
두 개의 고전압 차단 pn-접합을 갖는 실리콘 웨이퍼는 마주보는 면의 각각에 깍여 형성된 하나의 음의 경사면을 가질 수 있다(예를 들어, 다이리스터). 위에서 기술된 일반적인 공정을 통해 오직 상부 경사면만이 단일 공정의 진행을 통해 a-C:H로 코팅된다. 결과적으로, 실리콘 웨이퍼의 수동 뒤집음(flipping-over)과 제 2의 a-C:H 증착 공정의 실행이 요구된다. 제 2 공정 단계에서 코팅된 경사면이 제 1 공정 단계 도중에 면을 아래로 하여 보호되지 않고 매우 민감한 상태로 오목부 내에 놓이기 때문에, 상기 경사면은 오염되어 감소된 차단 수율을 초래할 위험이 크다.
본 발명의 목적은 웨이퍼의 양면에 균질의 a-C:H 층과 같은 전기적인 패시베이션 층으로서 양면 증착층의 증착을 위한 단일 단계의 방법을 보이는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 반도체 웨이퍼 상의 전기적인 패시베이션 층의 증착을 위한 이러한 단일 단계의 공정을 허용하도록 기존의 증착 장치를 개선하는 것이다.
본 발명의 방법은 개선된 기판-홀더 장치와 조합한 플라즈마 강화 화학 증기 증착(PECVD : Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)에 기초한다. 특히, 본 발명의 방법은 기판 캐리어 플레이트의 상승된 기판 지지부 상에 실리콘 웨이퍼를 장착하고, 실리콘 웨이퍼를 갖는 기판 캐리어 플레이트를 플라즈마 반응기 내에 위치시키는 단계를 포함한다. 기판 지지부는, 웨이퍼의 제 2의 메인 측면의 중앙 영역이 기판 지지부와 접촉하는 상태로만 웨이퍼가 기판 지지부 상에 놓이도록, 형성된다. 이러한 상승된 기판 지지부로 인해, 실리콘 웨이퍼의 마주보는 양측면은 플라즈마에 노출되고, 따라서 전기적인 패시베이션 층으로 코팅된다. 전기적인 패시베이션 층에 의해 웨이퍼는 전기적인 패시베이션 층의 영역 내에서 전기적으로 비활성화된다(본 발명의 패시베이션 층은 부분적으로 전도성인 한 전기적으로 완전히 비활성은 아니다.).
본 발명의 방법은 이전의 방법에 비해 유리한데, 왜냐하면 a-C:H 층이 한 공정 단계에서 웨이퍼, 예컨대 실리콘 웨이퍼의 두 면상에, 한 실리콘 웨이퍼의 양면 상에, 또는 배면이 접촉하여 적층된 두 개의 실리콘 웨이퍼 상에 증착되기 때문이다. 웨이퍼는 제 1 메인 측면과 제 2 메인 측면을 포함하고, 제 1 메인 측면은 그 경계 상에 제 1 경사면을 갖고, 제 2 메인 측면은 중앙 영역과, 중앙 영역을 둘러싸는 제 2 메인 측면의 경계상에 제 2 경사면을 갖고, 제 2 메인 측면은 제 1 메인 측면과 대향되게 배치된다. 웨이퍼는 기판 캐리어 플레이트의 기판 지지부상에 장착되고, 기판 지지부는, 웨이퍼의 제 2의 메인 측면의 중앙 영역이 기판 지지부에 접촉하는 상태로만 웨이퍼가 기판 지지부 상에 놓이도록, 형성된다. 그 후, 기판 캐리어 플레이트는 플라즈마 반응기의 반응 챔버 내에 웨이퍼와 함께 놓인다. 이를 통해, 제 1 및 제 2 경사면은 전기적인 패시베이션 층을 형성하기 위하여 플라즈마에 동시에 노출된다. 예시적인 실시예에 있어서, 비정질의 수소화된 탄소는 플라즈마로서 인가되어, 웨이퍼 상에 전기적인 패시베이션 층을 형성한다.
기판 캐리어 플레이트의 상승된 기판 지지부 상에서 지지된 실리콘 웨이퍼와 능동적으로 냉각된 하부 전극 사이의 증가된 거리로 인해 발생할 수 있는 악화된 열 전달을 회피하기 위하여, 본 발명은 또한 상기 새로운 기판 캐리어 플레이트 설계와 개선된 실리콘 웨이퍼 냉각 메커니즘의 조합에 관한 것이다. 이는 증착 공정에서 중요한 합리적인 열 소산을 허용하는데, 왜냐하면 만족스럽지 못한 전기 특성을 갖는 흑연형 탄소층이 대략 200℃보다 높은 기판 온도에서 더 많이 증착될 수 있기 때문이다.
기술된 발명은 오목부 대신에 주춧대형 기판 캐리어 플레이트의 중요성을 강조한다. 그러므로, 실리콘 웨이퍼의 양측면이 플라즈마에 노출된다. 그럼에도 불구하고, 균질의 증착은 특히 하부 전극에 인접한 경사면에 대해 상당히 평범하지 않다. 평탄한 플라즈마 플럭스율과 균질의 전기장 둘 모두가 균일한 a-C:H-층의 증착을 위하여 필요하기 때문에, 상승된 기판 지지부의 버섯형(예, 오목하고, 뒤집힌 절두 원추형, 등) 설계는 순수한 원통형 설계보다 유리한 경향이 있다.
또 다른 실시예에서, 본 발명은 또한 DC 바이어스 전압의 조절된 증착-공정 파라메터에 관한 것이다.
본 발명의 보다 완벽한 이해는 첨부된 도면과 함께 이루어지는 다음의 상세한 설명을 참조하여 얻어질 수 있다.
본 발명의 방법에 따라, 웨이퍼의 양면에 균질의 a-C:H 층과 같은 전기적인 패시베이션층으로서 양면 증착층의 증착이 단일 단계로 이루어진다. 또한 본 발명에 따라 반도체 웨이퍼 상의 전기적인 패시베이션 층의 증착을 위한 이러한 단일 단계의 공정을 허용하도록 기존의 증착 장치가 개선된다.
도 1은 종래 기술의 단일 면의 증착 공정에서 평행 플레이트 반응기 내에서 실리콘 웨이퍼를 갖는 조립체를 개략적으로 도시하는 도면.
도 2는 평행 플레이트 반응기 내에서 본 발명의 상승된 기판 지지부상에 실리콘 웨이퍼를 갖는 조립체를 개략적으로 도시하는 도면.
도 3은 본 발명의 상승된 기판 지지부의 제 1 실시예(원통형)를 통해 도 2의 조립체를 보다 상세하게 도시하는 도면.
도 4는 본 발명의 상승된 기판 지지부의 제 2 실시예(절두 원추형)를 통해 도 2의 조립체를 보다 상세하게 도시하는 도면.
도 5는 평행 플레이트 반응기 내에서 본 발명의 상승된 기판 지지부상에 적층된 실리콘 웨이퍼를 갖는 조립체를 개략적으로 도시하는 도면.
도 1은 한 쌍의 평행 플레이트 전극(1 및 2), 반응 챔버(8), 벌크 플라즈마(6), 가장자리 플라즈마 층(7), 실리콘 웨이퍼(4), 새도우 마스크(5), 및 오목부(33)를 갖는 기판 캐리어 플레이트(3)를 구비하는, 종래 기술의 PECVD-공정에서 사용된 평행 플레이트 반응기의 개략도를 제공한다. 전자 에너지(플라즈마)는 실리콘 웨이퍼 상에 a-C:H 증착을 가능케 하는 활성화 방법으로서 사용된다. 탄화수소 전구체 가스(예, 메탄, 아세틸렌)는 상부 전극(1) 내의 개구(11)를 통해 반응 챔버(8)로 들어간다. 탄화수소 전구체 가스는 고주파에 의해 이온화되어 벌크 플라즈마(6)를 형성한다. 가장자리 플라즈마 층(7)은, 플라즈마 이온이 두 개의 전극(1 및 2) 사이에 인가된 DC 바이어스 전압으로 인해 실리콘 웨이퍼 또는 기판 캐리어플레이트로 가속되는 반응 챔버(8) 내의 공간이다. 기판으로서 실리콘 웨이퍼(4)는 기판 캐리어 플레이트(3) 상의 오목부(33) 내에 놓인다. 이러한 기판 캐리어 플레이트(3)은 기계적인 기판 홀더로서만 작용하는 것이 아니라, 플라즈마 반응기의 반응 챔버(8) 내에서 실리콘 웨이퍼와 하부 전극(2) 사이의 열적 및 전기적 접촉을 형성하기도 한다. 패시베이션되어야 할 실리콘 웨이퍼 상의 하나의 경사면은 상부 전극(1)을 향한다. 이러한 경사면은 a-C:H 증착 플라즈마(6 및/또는 7)에 노출된다. 패시베이션되지 않는 실리콘 웨이퍼의 상부 표면상의 영역은 새도우 마스크(5)로 덮인다. 현재의 공정에서, 오직 상부 경사면만이 단일 공정의 실행으로 a-C:H로 코팅된다. 결과적으로, 실리콘 웨이퍼의 수동 뒤집음 및 제 2의 a-C:H 증착-공정의 실행이 두 개의 고전압 차단 pn-접합을 갖는 실리콘 웨이퍼에 대해 필요하며, 이러한 pn 접합은 각각의 대향 측면상에 하나의 경사면을 갖는다(예, 다이리스터). 상술한 바와 같이, 제 2 공정 단계에서 코팅되는 경사면은 제 1 공정 단계 도중에 면을 아래로 하여(보호되지 않고 따라서 매우 민감한 상태로) 오목부(33) 내에 놓이고, 따라서 오염되어 감소된 차단 수율을 초래할 위험성이 크다.
도 2는 본 발명의 단일 단계의 양면 PECVD-공정에서 사용되는 평행 플레이트 반응기의 개선된 형태의 개략도를 제공한다. 이 장치는 새로 개발된 기판 캐리어 플레이트(3)가 사용된다는 점에서 도 1에서 사용된 장치와 다르다. 이러한 플레이트는 알루미늄 또는 다른 금속과 같은 전기적으로 또한 열적으로 전도성인 재질로 만들어지는 것이 바람직하다. 오직 단면의 a-C:H-증착의 제한을 극복하기 위하여, 실리콘 웨이퍼(기판)는 더 이상 기판 캐리어 플레이트(3) 내의 오목부 내에 놓이지 않는다. 대신에, 실리콘 웨이퍼는 상승된 기판 지지부(31)로 언급되는 "버섯형" 또는 "주춧대형" 돌출부의 상부에 놓인다. 웨이퍼는 그러한 설계의 접촉 영역을 갖는 기판 캐리어 플레이트(3) 상에 놓이는데, 접촉 영역의 설계는, 웨이퍼의 제 2 메인 측면이 기판 캐리어 플레이트(31)에 접촉하고, 제 1 및 제 2 경사면이 기판 캐리어 플레이트(31)에 의해 덮이거나, 둘러싸이거나, 감싸여지지 않는, 설계이다.
상기 상승된 기판 지지부(31)는 기판 캐리어 플레이트(3)의 상부에 배치되고, 기판 캐리어 플레이트(3)와 일체로 되거나, 선택적으로 별도의 부품으로 배치된다. 이러한 기판 캐리어 플레이트는 실리콘 웨이퍼를 위한 기계적인 기판 홀더로서만 작용하는 것이 아니라, 반응 챔버(8) 내에서 실리콘 웨이퍼와 하부 전극(2) 사이의 열적 및 전기적 접촉을 형성하기도 한다. 실리콘 웨이퍼의 위치를 들어올림으로써, 평행 플레이트 전극(1)을 통해 반응 챔버(8) 내로 흐르는 전구체 가스로부터 다시 생성되는 플라즈마의 흐름은 실리콘 웨이퍼 기판의 상부 경사면(41)에만 더 이상 제한되지 않는다. a-C:H-증착은 실리콘 웨이퍼의 상부 경사면(41)과 하부 경사면(42)상에서 동시에 발생한다. 실리콘 웨이퍼의 코팅될 수 없는 상부 표면 영역은 다시 새도우 마스크(5)로 덮인다. 실리콘 웨이퍼의 온도를 대략 200℃ 아래의 레벨로 간접적으로 제한하기 위하여, 하부 전극(2)은 예컨대 대략 15 내지 20℃의 온도로 동작하는 수냉식 디바이스(22)에 의해 능동적으로 냉각된다.
도 3은 상부에 웨이퍼 예컨대 실리콘 웨이퍼를 갖는 기판 캐리어 플레이트(3)의 본 발명의 "주춧대형" 상승된 기판 지지부(31)에 대한 제 1 실시예의 보다 상세한 도면을 제공한다. 벌크 플라즈마(6)로부터의 이온은 전기적으로 바닥 전극(2)에 연결되는 기판 근처의 가장자리 플라즈마 층(7) 내에서 실리콘 웨이퍼(4)로 가속된다. 다른 영역(A 및 B)의 실리콘 웨이퍼(4)상에서 균질의 a-C:H 증착은 특히 실리콘 웨이퍼상의 하부 경사면에 대해 상당히 평범하지 않다. 그 이유는 고르게 분포된 플라즈마 플럭스율과 균질의 전기장이 균일한 a-C:H-층의 증착을 위해 필요하기 때문이다. 그러나, 극히 얇은 플라즈마 가장자리 층 두께를 제외하고, 플라즈마 플럭스-밀도와 함께 가속 전기장은 영역(A 및 B)에 대해 다를 수 있어, 이들 영역에서의 약간 이질적인 a-C:H 증착을 초래한다. 어느 정도까지, 이러한 이질성은 처리 파라미터의 약간의 조정에 의해 보상될 수 있는데, 왜냐하면 플라즈마 가장자리 층의 두께가 대략 500 Volt의 최소값으로 감소할 수 있는 DC 바이어스 전압의 제곱근으로 비례하기 때문이다. 이러한 최소 DC 바이어스 전압은 많은 다른 파라미터에 의존하기 때문에 일부 반응기를 위하여 변경될 수 있다.
도 4는 본 발명의 기판 캐리어 플레이트(3), 특히 상승된 기판 지지부(31)의 제 2 실시예의 보다 상세한 도면을 제공한다. 기판 캐리어 플레이트(3)의 상승된 기판 지지부(31)로서 단순히 원통형 돌출부를 사용하는 대신에, 베이스에서 부가적인 회전 절단은 상승된 기판 지지부(31)의 오목한 단면을 초래한다. 이러한 유형의 기하학적 측면을 고려하여, 이들 상승된 기판 지지부는 본 명세서에서 "버섯형"으로 언급된다. 가능한 기하학적 절단부, 즉 버섯형 측면은 직선에 제한되지 않는다. 원칙적으로, 플라즈마 플럭스율이 충분히 높고, 실리콘 웨이퍼의 바닥 경사면상에서 전기/자기장이 가능한한 균질한 증착율을 제공하도록 이루어진다면, 상승된 기판 지지부(31)의 임의의 기하학적 측면, 예컨대 오목하고 뒤집한 절두원추형 등이 사용될 수 있다. 이들 경우에 있어서, 다른 영역(A 및 B)의 실리콘 웨이퍼(4)상에서 균질의 a-C:H 증착이 촉진된다. 나머지 가능한 이질성은 처리 파라미터의 약간의 조정에 의해 다시 보상될 수 있는데, 왜냐하면 플라즈마 가장자리 층의 두께가 대략 500 Volt의 최소값으로 감소할 수 있는 DC 바이어스 전압의 제곱근으로 비례하기 때문이다. 실리콘 웨이퍼의 개선되고 보다 직접적인 냉각은 기판 캐리어 플레이트(3) 내에 또는 이에 인접하여 배치되거나, 기판 캐리어 플레이트의 상승된 기판 지지부(31) 내에 또는 이에 인접하여 배치된 냉각 디바이스(32)를 통한 능동적인 냉각에 의해 선택적으로 달성될 수 있다. 냉각 디바이스로서 예컨대 15 내지 20℃의 온도에서 동작하는 수냉식이 사용될 수 있다. 실리콘 웨이퍼 및/또는 기판 캐리어 플레이트의 선택적인 사전냉각 절차와 조합하여 이렇게 최적화된 원위치의 냉각 전략은 200℃ 미만의 실리콘 웨이퍼의 최대 처리 온도를 초래한다. 증착 공정 도중에 실리콘 웨이퍼의 온도를 더 줄이기 위하여, 실리콘 웨이퍼의 상부 표면을 덮는 새도우 마스크에 냉각 수단이 선택적으로 배치된다. 상술한 바와 같이, 200℃ 초과의 실리콘 웨이퍼 온도가 만족스럽지 못한 전기적 특성을 갖는 흑연형 탄소 층의 증착을 초래할 수 있기 때문에, 만족스러운 열 소산은 증착 공정을 위해 중요하다.
실리콘 웨이퍼(4)와 기판 캐리어 플레이트(3)의 상승된 기판 지지부(31)를 적절히 정렬시키기 위하여, 즉 동심으로 정렬시키기 위하여, 정렬 수단, 즉 중심 맞춤 수단이 조립체를 플라즈마 반응기의 반응 챔버 안으로 적재하기 전에 사용될 수 있다.
선택적으로, 도 5에 개략적으로 도시된 바와 같이, 상승된 기판 지지부(31) 상에서 지지된 하나의 실리콘 웨이퍼(4)의 상부에 추가 실리콘 웨이퍼(4')가 적층될 수 있다. 인접한 실리콘 웨이퍼상에 균질의 a-C:H 증착을 허용하기 위하여, 적층 내의 인접한 실리콘 웨이퍼(4 및 4') 사이에 상승된 기판 지지부(31')가 배치된다. 선택적으로, 이러한 추가적인 상승 기판 지지부는 생략되어, 각각이 다이오드, GTO 및 GCT와 같이 하나의 고전압 차단 pn-접합을 갖는, 따라서 패시베이션될 오직 하나의 경사면을 갖는, 두 개의 실리콘 웨이퍼의 배면 맞춤 적층을 허용할 수 있다.
선택적으로, 냉각 수단은 추가적인 상승 기판 지지부(31') 내에 및/또는 적층의 상부에 배치된 새도우 마스크(5) 내에 배치될 수 있다. 선택적으로, 추가적인 상승 기판 지지부(31')와, 하부 전극(2)에 전기적으로 연결된 하나 또는 수 개의 또는 모든 부품, 즉 상승된 기판 지지부(31), 기판 캐리어 플레이트(3) 또는 하부 전극(2) 자체 사이에 전기적으로 전도성 연결부(34)가 배치될 수 있다.
1, 2 : 전극 3 : 기판 캐리어 플레이트
4, 4' : 실리콘 디스크/기판 5 : 새도우 마스크
6 : 벌크 플라즈마 7 : 가장자리 플라즈마 층
8 : 플라즈마 반응기의 반응 챔버 22, 32 : 냉각기
31,31' : 상승된 기판 지지부 33 : 오목부
34 : 전기적으로 전도성 연결부 42 : 하부 경사면

Claims (16)

  1. 비정질의 수소화된 탄소의 양면 증착층(7)을 실리콘 웨이퍼(4)상에 도포하는(applying) 방법으로서, 상기 웨이퍼(4)는 제 1 메인 측면과 제 2 메인 측면을 포함하고, 상기 제 1 메인 측면은 그 경계상에 제 1 경사면을 갖고, 상기 제 2 메인 측면은 중앙 영역과, 중앙 영역을 둘러싸는 제 2 메인 측면의 경계상에 제 2 경사면을 갖고, 상기 제 2 메인 측면은 상기 제 1 메인 측면과 대향하여 배치되는, 비정질의 수소화된 탄소의 양면 증착층(7)을 실리콘 웨이퍼(4)상에 도포하는 방법에 있어서,
    기판 캐리어 플레이트(3)의 기판 지지부(31)상에 상기 웨이퍼(4)를 장착하는 단계로서, 상기 기판 지지부(31)는, 상기 웨이퍼(4)의 제 2의 메인 측면의 중앙 영역이 기판 지지부(31)와 접촉하는 상태로만 상기 웨이퍼(4)가 상기 기판 지지부(31) 상에 놓이도록, 형성되는, 웨이퍼(4)를 장착하는 단계와,
    상기 웨이퍼(4)를 갖는 기판 캐리어 플레이트를 플라즈마 반응기의 반응 챔버(8) 내에 위치시키는 단계를 포함하되,
    상기 제 1 및 제 2 경사면은 상기 증착층(7)을 생성하기 위하여 플라즈마(6)에 동시에 노출되고, 비정질 수소화된 탄소가 플라즈마로서 인가되는, 비정질의 수소화된 탄소의 양면 증착층을 실리콘 웨이퍼상에 도포하는 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 웨이퍼 내의 온도는 증착 공정 도중에 200℃ 미만으로 유지되는, 비정질의 수소화된 탄소의 양면 증착층을 실리콘 웨이퍼상에 도포하는 방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 웨이퍼(4)가 기판 캐리어 플레이트(3)상에 장착되기 전에 냉각되거나, 상기 기판 캐리어 플레이트(3)가 상기 반응 챔버(8) 내에 위치되기 전에 냉각되거나, 상기 웨이퍼(4)와 상기 기판 캐리어 플레이트(3)가 상기 반응 챔버(8) 내에 놓이기 전에 냉각되는, 비정질의 수소화된 탄소의 양면 증착층을 실리콘 웨이퍼상에 도포하는 방법.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 반응 챔버(8)는 두 개의 평행 플레이트 전극(1, 2)을 포함하고, 상기 웨이퍼(4)가 상기 증착 공정 도중에 상기 반응 챔버(8)의 상기 전극(2) 내에 배치된 냉각 수단(22)에 의해 능동적으로 냉각되거나, 상기 웨이퍼(4)가 상기 증착 공정 도중에 상기 기판 캐리어 플레이트(3) 내에 또는 상기 기판 캐리어 플레이트(3)의 상기 기판 지지부(31) 내에 배치된 냉각 수단(32)에 의해 능동적으로 냉각되는, 비정질의 수소화된 탄소의 양면 증착층을 실리콘 웨이퍼상에 도포하는 방법.
  5. 플라즈마 반응기 챔버(8) 내의 실리콘 웨이퍼(4)의 표면상에 양면 증착층(7)을 증착하기 위한 증착 공정 도중에 반도체 디바이스의 제작을 위해 실리콘 웨이퍼(4)를 지지하기 위한 기판 캐리어 플레이트(3)로서, 상기 웨이퍼(4)는 제 1 메인 측면과 제 2 메인 측면을 포함하고, 상기 제 1 메인 측면은 그 경계상에 제 1 경사면을 갖고, 상기 제 2 메인 측면은 중앙 영역과, 중앙 영역을 둘러싸는 제 2 메인 측면의 경계상에 제 2 경사면을 갖고, 상기 제 2 메인 측면은 상기 제 1 메인 측과 대향하여 배치되는, 실리콘 웨이퍼(4)를 지지하기 위한 기판 캐리어 플레이트(3)에 있어서,
    상기 웨이퍼(4)를 지지하기 위한 기판 지지부(31)를 포함하되, 상기 기판 지지부(31)는, 상기 웨이퍼(4)의 제 2의 메인 측면의 중앙 영역이 기판 지지부(31)와 접촉하는 상태로만 상기 웨이퍼(4)가 상기 기판 지지부(31) 상에 놓이도록, 형성되는, 실리콘 웨이퍼를 지지하기 위한 기판 캐리어 플레이트.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 웨이퍼의 중앙 영역이 놓일 수 있는 표면 평면 내의 표면 영역을 갖는, 원통형 기판 지지부(31) 또는 기판 지지부(31)를 포함하고, 상기 기판 캐리어 플레이트(3)는 상기 표면 평면으로부터 적어도 제 1 깊이까지 거리를 통해 감소하는 단면을 갖는, 실리콘 웨이퍼를 지지하기 위한 기판 캐리어 플레이트.
  7. 제 5항 또는 제6항에 있어서, 각각이 웨이퍼(4)를 지지하기 위한 수 개의 기판 지지부(31)를 포함하는, 실리콘 웨이퍼를 지지하기 위한 기판 캐리어 플레이트.
  8. 제 5항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 지지부(31)는 상기 기판 캐리어 플레이트(3)에 부착된 별도의 부품인, 실리콘 웨이퍼를 지지하기 위한 기판 캐리어 플레이트.
  9. 제 5항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 캐리어 플레이트(3)는 기판 지지부(31)를 포함하고, 제 1 웨이퍼가 상기 기판 지지부(31)상에서 지지될 수 있고, 적어도 하나의 추가 웨이퍼가 상기 제 1 웨이퍼상에 적층될 수 있는, 실리콘 웨이퍼를 지지하기 위한 기판 캐리어 플레이트.
  10. 제 9항에 있어서, 추가적인 기판 지지부(31')가 인접 웨이퍼(4,4') 사이에 적층되어 배치될 수 있고, 각 쌍의 이웃 웨이퍼로부터의 웨이퍼는 추가적인 기판 지지부(31')만큼 서로로부터 분리되는, 실리콘 웨이퍼를 지지하기 위한 기판 캐리어 플레이트.
  11. 제 10항에 있어서, 냉각 수단(32)이 상기 추가적인 기판 지지부(31') 내에 배치되는, 실리콘 웨이퍼를 지지하기 위한 기판 캐리어 플레이트.
  12. 제 10항 또는 제 11항에 있어서, 전기적으로 전도성 연결부(34)가 상기 추가적인 기판 지지부(31')와 기판 지지부(31) 및/또는 기판 캐리어 플레이트(3) 및/또는 전극(2)을 지지하는 기판 캐리어 플레이트(3) 사이에 배치되는, 실리콘 웨이퍼를 지지하기 위한 기판 캐리어 플레이트.
  13. 실리콘 웨이퍼(4)상에 양면 증착층(7)을 증착하기 위한 증착 장치로서,
    플라즈마 반응기의 반응 챔버(8) 내부의 두 개의 평행 플레이트 전극(1,2)과, 기판 지지부(31)상에 놓인 적어도 하나의 웨이퍼(4)를 갖는 제 3항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 따른 기판 캐리어 플레이트(3)를 포함하고, 상기 기판 캐리어 플레이트(3)는 한 전극(2)상에 놓일 수 있는, 실리콘 웨이퍼상에 양면 증착층을 증착하기 위한 증착 장치.
  14. 제 13항에 있어서, 증착 처리 도중에 상기 웨이퍼(4)를 냉각시키기 위한 냉각 수단(22,32)을 포함하는, 실리콘 웨이퍼상에 양면 증착층을 증착하기 위한 증착 장치.
  15. 제 14항에 있어서, 상기 냉각 수단(22)은 전극(2)을 지지하는 상기 기판 캐리어 플레이트(3) 내에 또는 이에 인접하여 배치되는, 실리콘 웨이퍼상에 양면 증착층을 증착하기 위한 증착 장치.
  16. 제 14항 또는 제 15항에 있어서, 상기 냉각 수단(32)은 상기 기판 캐리어 플레이트(3) 내에 또는 상기 기판 캐리어 플레이트(3)의 상기 기판 지지부(31) 내에 배치되거나, 상기 냉각 수단(32)은 상기 두 개의 플레이트 전극 중 다른 전극(1)과 마주하는 표면상에서 상기 웨이퍼(4)를 덮는 새도우 마스크(5) 내에 배치되는, 실리콘 웨이퍼상에 양면 증착층을 증착하기 위한 증착 장치.
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