KR20110040683A - 내플라즈마성 처리 장치 - Google Patents

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KR20110040683A
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쯔요시 노구찌
다까후미 도시미쯔
윌리엄 브록 알렉산더
세이찌 히라노
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그린, 트위드 오브 델라웨어, 인코포레이티드
다이킨 고교 가부시키가이샤
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Abstract

플라즈마를 사용하여 각종 처리를 행하며, 플라즈마에 의해 손상되지 않도록 보호되는 처리 장치를 제공한다. 처리 장치는 플라즈마를 사용하며, 상기 처리 장치 내에서 플라즈마에 노출되는 표면의 전부 또는 일부에 불소 함유 엘라스토머를 포함하는 보호층을 갖는 것이다.

Description

내플라즈마성 처리 장치{PLASMA RESISTANT PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 반도체, 액정 패널, 태양 전지 등의 제조에 있어 플라즈마를 사용하여 에칭, CVD 및 애싱과 같은 각종 처리를 위해 사용되는 장치이며, 내플라즈마성이 우수한 처리 장치에 관한 것이다.
반도체, 액정 패널, 및 태양 전지의 제조에는, 플라즈마를 사용하여 에칭, 화학증착(CVD) 및 애싱과 같은 각종 처리를 행하는 장치가 사용된다.
플라즈마를 사용하는 이들 장치는 플라즈마에 노출되는 부재를 가지며, 이러한 부재에는 각각의 처리에 악영향을 주지 않는 재료(물질)이 사용된다. 그러나, 반응성이 높은 플라즈마에 노출되고 있는 동안에 부재의 열화가 발생하는 문제점이 있다.
예를 들어, 도 1에 개략 단면도로서 나타내는 플라즈마 에칭 장치에 있어서, 장치의 챔버 내에서 예각의 오목부 또는 볼록부를 형성하는 에지부(부호 A) 및 O-링에 의해 형성되는 미소 공간(부호 B)에 특히 열화가 현저하게 발생한다. 그러므로, 이들의 교환을 빈번히 행해야 하며, 교환에 의한 장치 및 제조 라인의 정지로 인한 생산성의 저하를 피할 수 없다.
플라즈마에 의한 열화를 억제하기 위해서, 예를 들어 O-링과 같은 시일재를 내플라즈마성 불소 함유 엘라스토머 재료를 사용하여 제작하는 것이 알려져 있다(미국 특허 제7,495,046호, 미국 특허 공개 제2006/0235140호 및 미국 특허 공개 제2007/0098978호).
본 발명의 목적은 플라즈마를 사용하는 처리 장치 내에서 플라즈마에 노출되는 내면의 열화를 억제하는 것이다.
본 발명은, 플라즈마를 사용하는 처리 장치이며, 상기 처리 장치 내에서 플라즈마에 노출되는 표면의 전부 또는 일부에 불소 함유 엘라스토머 (A)를 포함하는 보호층을 갖는 처리 장치에 관한 것이다.
보호층을 구성하는 불소 함유 엘라스토머 (A)는 비가교 불소 함유 엘라스토머 또는 가교 불소 함유 엘라스토머일 수 있다.
또한, 보호층을 구성하는 불소 함유 엘라스토머 (A)는 필러(filler)를 더 포함할 수 있다.　
불소 함유 엘라스토머 (A)로서는, 내플라즈마성이 특히 우수하다는 점으로부터 퍼플루오로엘라스토머가 바람직하다.
보호층은 적어도 처리 장치 내에서 플라즈마에 노출되는 에지부의 표면 및/ 또는 처리 장치 내에서 플라즈마에 노출되는 미소 공간을 형성하는(profiling) 표면에 설치되는 것이 바람직하다.
플라즈마를 사용하는 처리 장치의 바람직한 예로는, 플라즈마 에칭 장치, 플라즈마 CVD 장치 및 애싱 장치를 들 수 있다.
본 발명의 처리 장치는, 플라즈마에 의한 열화를 효과적으로 억제할 수 있고, 처리 장치의 작동 시간을 연장시킬 수 있기 때문에, 생산성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 플라즈마 에칭 장치의 개략 단면도이다.
도 2는 플라즈마 CVD 장치의 개략 단면도이다.
도 3은 애싱 장치의 개략 단면도이다.
본 발명의 플라즈마를 사용하는 처리 장치는, 처리 장치 내에서 플라즈마에 노출되는 표면의 전부 또는 일부에 불소 함유 엘라스토머 (A)를 포함하는 보호층을 갖는 것을 특징으로 한다.
보호하는 표면은 전체면이거나 또는 특히 표면의 일부일 수 있으며, 특히 플라즈마에 의한 열화 및 손상을 받기 쉬운 부분을 보호하는 것이 바람직하다.
플라즈마에 의한 열화 및 손상을 받기 쉬운 부분의 예로는, 예각의 오목부 또는 볼록부를 형성하는 에지부(도 1 내지 3에서 부호 A) 및 O-링에 의해 형성되는 미소 공간(도 1 내지 3에서 부호 B)을 들 수 있다.
본 발명에서, 장치의 보호층을 형성하는 부분을, 이하 각각 플라즈마 에칭 장치, 플라즈마 CVD 장치 및 애싱 장치를 나타내는 도 1, 도 2 및 도 3을 사용하여 설명한다.
(1) 플라즈마 에칭 장치
플라즈마 에칭 장치의 개략 단면도를 도 1에 도시한다. 도 1에서, 부호 1은 가스 도입용 노즐, 부호 2는 뚜껑(lid), 부호 3은 측벽, 부호 4는 저판, 부호 5는 링, 부호 6은 전극, 부호 7은 전극의 측판, 부호 8은 웨이퍼, 부호 9는 웨이퍼 척, 부호 10은 배기 파이프, 부호 11은 고주파 코일이며, 부호 12는 O-링이다.
도 1에서, 도면 좌측 절반은 특히 보호층을 실질적으로 설치해야 할 부분(부호 A 및 B)을 나타내고, 도면 우측 절반은 보호층(13 및 14)을 설치한 경우를 나타낸다.
상기 플라즈마 에칭 장치에서, 예각의 에지부의 예로는 부호 A로 나타낸 부분이 있고, 미소 공간의 예로는 부호 B로 나타내며 O-링 및 그 주위의 부재에 의해 형성되는 부분이 있다.
에지부 A에 설치하는 보호층은 후술하는 코팅막 형성용 조성물을 도포하여 형성되는 코팅막 형태의 보호층(13)이 바람직하고, 미소 공간 B에 설치하는 보호층은 후술하는 혼련된 코킹(caulking) 조성물을 충전함(plugging up)으로써 형성되는 보호층(14)이 바람직하다.
(2) 플라즈마 CVD 장치
플라즈마 CVD 장치의 개략 단면도를 도 2에 도시한다. 도 2에서, 부호 21은 히터, 부호 22는 돔 커버, 부호 23은 측벽, 부호 24는 저판, 부호 25는 링, 부호 26은 전극, 부호 27은 절연체, 28은 웨이퍼, 29는 웨이퍼 척, 부호 30은 배기 파이프, 부호 31은 고주파 코일이며, 부호 32는 O-링이다.
도 2에서, 도면 좌측 절반은 특히 보호층을 실질적으로 설치해야 할 부분(부호 A 및 B)을 나타내고, 도면 우측 절반은 보호층(33 및 34)을 설치한 경우를 나타낸다.
상기 플라즈마 CVD 장치에서, 예각의 에지부의 예로는 부호 A로 나타내는 부분이 있고, 미소 공간의 예로는 부호 B로 나타내며 O-링과 그 주위의 부재에 의해 형성되는 부분이 있다.
에지부 A에 설치하는 보호층은 후술하는 코팅막 형성용 조성물을 도포하여 형성되는 코팅막 형태의 보호층(33)이 바람직하고, 미소 공간 B에 설치하는 보호층은 후술하는 혼련된 코킹 조성물을 충전함으로써 형성되는 보호층(34)이 바람직하다.
(3) 애싱 장치
애싱 장치의 개략 단면도를 도 3에 도시한다. 도 3에서, 부호 41은 가스 도입용 노즐, 부호 42는 돔 커버, 부호 43은 측벽, 부호 44는 저판, 부호 45는 링, 부호 46은 전극, 부호 47은 절연체, 부호 48은 웨이퍼, 부호 49는 웨이퍼 척, 부호 50은 배기 파이프, 부호 51은 고주파 코일이며, 부호 52는 O-링이다.
도 3에서, 도면 좌측 절반은 특히 보호층을 실질적으로 설치해야 할 부분(부호 A 및 B)을 나타내고, 도면 우측 절반은 보호층(53 및 54)을 설치한 경우를 나타낸다.
상기 애싱 장치에서, 예각의 에지부의 예로는 부호 A로 나타내는 부분이 있고, 미소 공간의 예로는 부호 B로 나타내며 O-링과 그 주위의 부재에 의해 형성되는 부분이 있다.
에지부 A에 설치하는 보호층은 후술하는 코팅막 형성용 조성물을 도포하여 형성되는 코팅막 형태의 보호층(53)이 바람직하고, 미소 공간 B에 설치하는 보호층은 후술하는 혼련된 코킹 조성물을 충전함으로써 형성되는 보호층(54)이 바람직하다.
이들 보호층(13, 14, 33, 34, 53, 54)의 형성 방법은 특별히 한정되지 않고 코팅 방법, 충전(코킹) 방법, 브러싱 방법, 및 불소 함유 엘라스토머 (A)를 포함하는 시트를 부착하는 방법이 사용될 수 있다. 또한, 부품에 보호층을 형성한 후에 부품을 장치에 조립하는 방법, 또는 조립된 장치에 코팅 방법 등에 의해 보호층을 형성하는 방법이 사용될 수 있다.
코팅 방법에 의해 보호층을 형성하는 경우, 불소 함유 엘라스토머 (A)와 유기 용매 (B)를 포함하는 코팅 조성물을 사용하는 것이 바람직하다. 이하, 각 성분에 대해서 설명한다.
(A) 불소 함유 엘라스토머
본 발명에서 사용하는 불소 함유 엘라스토머 (A)는 통상적인 엘라스토머일 수 있다.
얻어지는 불소 함유 엘라스토머의 안정성 및 비오염성이라는 점으로부터, 예를 들어, 테트라플루오로에틸렌(TFE), 비닐리덴 플루오라이드(VdF), 헥사플루오로프로필렌(HFP) 및 화학식 1로 나타내어지는 퍼플루오로 비닐 에테르로부터 유래되는 구조 단위를 포함하는 엘라스토머를 들 수 있다.
Figure pat00001
(식 중, Rf는 탄소수 1 내지 5의 퍼플루오로알킬기 또는 산소 원자를 1개 내지 3개 포함하고 탄소수 3 내지 12의 퍼플루오로알킬(폴리)에테르기임)
또한, 엘라스토머는 본 발명의 효과 및 엘라스토머의 성질을 손상시키지 않는 범위에서, 그 밖의 단량체 단위를 포함할 수 있다. 그 밖의 단량체로서는, 예를 들어, 에틸렌(Et) 및 프로필렌(Pr)과 같은 올레핀; 압축 영구 변형률(compression set)에 양호한 성능을 부여하고, 화학식: I(CH2CF2CF2O)m[CF(CF3)CF2O]nCF=CF2(식 중, m은 1 내지 5의 정수이며, n은 0 또는 1 내지 3의 정수임)으로 나타내어지는 요오드 함유 불소화 비닐 에테르, 및 JP7-316246A호에 기재되고, 화학식: CX2=CX-Rf 2-CHR-I(식 중, X는 수소 원자, 불소 원자 또는 메틸기이고, R은 수소 원자 또는 메틸기이고, Rf 2는 적어도 하나의 에테르형 산소 원자를 가질 수 있는 직쇄상 또는 분지상의 플루오로- 또는 퍼플루오로알킬렌기 또는 플루오로- 또는 퍼플루오로옥시알킬렌기임)으로 나타내어지는 요오드화 올레핀을 예로 들 수 있다. 다른 예로는, CF2=CHI 및 퍼플루오로(5-요오도-3-옥사-1-펜텐)이 있다. 또한, 내열성을 향상시키기 위한 이하에 예시된 관능기 함유 단량체도 있다.
Figure pat00002
바람직한 단량체의 조합의 예로는, TFE/퍼플루오로(알킬비닐에테르)(PAVE), VdF/HFP, VdF/TFE/HFP, VdF/PAVE/TFE, VdF/퍼플루오로(메틸비닐에테르)(PMVE), VdF/HFP/PMVE, VdF/TFE/PMVE, VdF/PMVE/HFP/TFE 및 TFE/Pr/그 밖의 단량체를 들 수 있다. TFE/PAVE의 비율은 40 내지 90/10 내지 60(몰％)인 것이 바람직하고, VdF/HFP 또는 VdF/TFE/HFP의 비율은 30 내지 85/0 내지 30/15 내지 40(몰％)인 것이 바람직하고, VdF/PAVE/TFE의 비율은 10 내지 90/10 내지 40/0 내지 80(몰％)인 것이 바람직하다. VdF/PMVE의 비율은 65 내지 90/10 내지 35(몰％)인 것이 바람직하고, VdF/HFP/PMVE의 비율은 65 내지 90/3 내지 25/3 내지 25(몰％)인 것이 바람직하고, VdF/TFE/PMVE의 비율은 40 내지 80/3 내지 40/15 내지 35(몰％)인 것이 바람직하고, VdF/PMVE/HFP/TFE의 비율은 40 내지 80/3 내지 25/3 내지 25/3 내지 40(몰％)인 것이 바람직하다. 또한, TFE/Pr/그 밖의 단량체의 비율은 40 내지 70/30 내지 60/0 내지 20(몰％)인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 사용하는 불소 함유 엘라스토머 (A)로는, 시일성(sealing property) 및 클린성(cleanness)이 요구되는 각종 성형품의 성형에 적절하게 사용되는 성형 재료로서 일본 특허 출원 제1997/304684호에 개시된 불소 함유 멀티세그먼트 엘라스토머일 수 있다. 바람직한 단량체의 조합의 예로는, 엘라스토머성 불소 함유 중합체 쇄 세그먼트로서, TFE/PAVE/경화 부위를 부여하는 단량체(몰％로 45 내지 90/10 내지 50/0 내지 5, 이하 마찬가지임)가 있으며, 더 바람직한 몰％는 45 내지 80/20 내지 50/0 내지 5, 특히 53 내지 70/30 내지 45/0 내지 2이다. 비엘라스토머성 불소 함유 중합체 쇄 세그먼트의 예로는,
(1) VdF/TFE(0 내지 100/100 내지 0), 특히 VdF/TFE(70 내지 99/30 내지 1), PTFE 또는 PVdF;
(2) 에틸렌/TFE/HFP(6 내지 60/40 내지 81/1 내지 30), 3,3,3-트리플루오로 프로필렌-1,2-트리플루오로메틸-3,3,3-트리플루오로프로필렌-1/PAVE(40 내지 60/60 내지 40);
(3) TFE/CF2=CF-Rf 1(비엘라스토머성을 나타내는 몰％ 범위 이내, 즉 CF2=CF-Rf 1: 15몰％ 이하);
(4) VdF/TFE/CTFE(50 내지 99/30 내지 0/20 내지 1);
(5) VdF/TFE/HFP(60 내지 99/30 내지 0/10 내지 1);
(6) 에틸렌/TFE(30 내지 60/70 내지 40);
(7) 폴리클로로트리플루오로에틸렌(PCTFE);
(8) 에틸렌/CTFE(30 내지 60/70 내지 40) 등을 들 수 있다.
또한, 알케닐기를 갖는 플루오로에테르 화합물로부터 유도되는 불소 함유 엘라스토머 (예를 들어 JP2004-51834A호, JP2003-327820A호, JP2005-97369A호, 및 JP8-198926A호에 기재된 불소 함유 엘라스토머)도 사용할 수 있다.
또한, 실리콘 엘라스토머를 불소화하여 얻어지는 플루오로실리콘 엘라스토머를 사용할 수 있다.
이들 불소 함유 엘라스토머 (A) 중에서, 내플라즈마성 및 내화학성과 같은 성질이 특히 우수하고, 반도체 제조 장치에 적절하게 적용할 수 있는 퍼플루오로 엘라스토머가 바람직하다.
또한, 퍼플루오로엘라스토머 중에서, 내열성이 더욱 우수하다는 점으로부터, PAVE, TFE 및 관능기 함유 단량체 단위를 포함하는 TFE/PAVE계 퍼플루오로엘라스토머가 바람직하다. 보다 구체적으로는, PAVE(특히 PMVE) 단위 18 내지 33몰％, 관능기(특히 니트릴기, 카르복실기 및 알콕시카르보닐기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나)를 갖는 단량체 단위 0.3 내지 0.6몰％를 포함하며, 잔량부 몰％가 TFE 단위인 TFE/PAVE계 퍼플루오로엘라스토머가 바람직하다.
TFE/PAVE계 퍼플루오로엘라스토머에서의 PAVE 단위의 함유량은, 엘라스토머가 수지에 가까운 성질을 갖지 않고, 고무 탄성을 상실하지 않는다는 점으로부터, 18몰％ 이상이며, 20몰％ 이상이 바람직하고, 23몰％ 이상이 보다 바람직하다.
이 경우, PAVE의 예로는, 예를 들어 PMVE, 퍼플루오로(프로필비닐에테르) 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 사용되거나 또는 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 그의 임의의 조합으로 사용될 수 있다.
이들 중에서, 고무 탄성으로서의 성질 및 기계적 강도가 우수하다는 점으로부터, PMVE가 바람직하다.
관능기 함유 단량체 단위의 함유량은, 기재에 대한 밀착성을 높이고, 시일성 및 고정 성능을 높인다는 점으로부터, TFE/PAVE계 퍼플루오로엘라스토머 중에서 0.3몰％ 이상이며, 0.4몰％ 이상이 바람직하다. 또한, 함유량은 고무 탄성의 성질을 유지한다는 점으로부터, 0.6몰％ 이하이고, 0.5몰％ 이하가 바람직하다.
관능기의 예로는 니트릴, 카르복실, 알콕시카르보닐, 히드록실 및 아미노가 있다. 니트릴, 카르복실 및 알콕시카르보닐로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나가, 기재에 대한 밀착성을 높이고, 시일성 및 고정 성능을 높인다는 점으로부터 특히 바람직하다.
또한, 이들 관능기는 가교제를 사용하는 경우에, 가교 부위를 구성할 수 있다.
TFE/PAVE계 퍼플루오로엘라스토머의 예로는, JP9-512569A호, WO 00/29479호, JP11-92529A호 등에 기재되어 있는 것을 들 수 있다.
(B) 유기 용매
본 발명에서 사용할 수 있는 유기 용매 (B)는, 불소 함유 엘라스토머 (A)를 용해하거나 또는 팽윤하거나, 또는 균일하게 분산시킬 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않는다.
유기 용매 (B)의 예로는, 불소 함유 용매, 비불소 함유 용매 및 그의 혼합 물을 들 수 있고, 유기 용매는 불소 함유 엘라스토머 (A)의 종류, 양, 사용 형태, 및 용도에 따라서 적절히 선택된다.
이들 용매 중에서, 불소 함유 엘라스토머 (A)에 대해 친화성을 갖는 불소 함유 용매가 바람직하다.
불소 함유 용매에는, 그의 화학 구조로부터 계산되는 수소 함유량이 3％ 이하인 것이 바람직하고, 수소 함유량이 0％인 완전 불소화 용매가, 불소 함유 엘라스토머 (A), 특히 퍼플루오로엘라스토머를 충분히 용해할 수 있기 때문에 보다 바람직하다.
불소 함유 용매의 예로는, CFC(완전 할로겐화 클로로플루오로카본), HFC(히드로플루오로카본), HCFC(히드로클로로플루오로카본), 퍼플루오로트리-n-부틸아민 및 퍼플루오로트리에틸아민과 같은 퍼플루오로 3급 아민, 및 플로리네이트(FLORINATE) FC-77(등록상표, 스미토모 쓰리엠사(Sumitomo 3M Limited)제, 주로 C8F16O을 포함)을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용하거나 또는 그의 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
비불소 함유 용매의 예로는, 메틸이소부틸케톤 및 이소포론과 같은 케톤, 아세트산부틸 및 아세트산이소펜틸과 같은 에스테르, 디에틸렌글리콜 디메틸에테르와 같은 에테르, 톨루엔 및 크실렌과 같은 탄화수소, 및 N,N-디메틸아세트아미드 및 N-메틸-2-피롤리돈과 같은 아미드를 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용하거나 또는 그의 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
또한, 불소 함유 용매와 비불소 함유 용매의 혼합물을 사용할 수 있다.
유기 용매 (B)의 양은, 용매의 종류 및 조성물의 사용 형태 및 용도에 따라 상이하며, 용매는 얻어지는 조성물이 25℃(상온)에서 유동성을 갖도록 하는 양으로 사용된다. 본 발명에 따르면, 용매는 25℃에서의 조성물의 점도가 0.4 내지 30Pa·s(4 내지 300 [P])이 되도록 배합된다.
조성물은 용액, 분산액, 슬러리 및 페이스트와 같은 형태로 사용할 수 있고, 그 형태는 사용 형태 및 용도에 따라서 적절히 선택할 수 있다.
내플라즈마성의 향상을 주목적으로 하는 본 발명에서는, 본 발명에서 사용하는 코팅 조성물에 가교제 (C)를 함유시키거나 또는 함유시키지 않을 수 있다.
가교제 (C)를 배합하는 경우에, 불소 함유 엘라스토머 (A)를 가교함으로써 보호층의 기계적 강도를 높일 수 있다.
가교제 (C)로서 공지된 가교제를 사용할 수 있고, 예를 들어 퍼옥시드 가교제, 폴리올 가교제, 폴리아민 가교제, 트리아진 가교제, 옥사졸 가교제, 이미다졸 가교제, 티아졸 가교제 및 방사선 가교제를 예시할 수 있다.
퍼옥시드 가교에 사용하는 가교제는, 열 또는 산화 환원계의 존재 하에서 용이하게 퍼옥시 라디칼을 발생시킬 수 있는 유기 퍼옥시드이며, 그 예로는 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)-3,5,5-트리메틸시클로헥산, 2,5-디메틸헥산-2,5-디히드로퍼옥시드, 디-t-부틸퍼옥시드, t-부틸쿠밀퍼옥시드, 디쿠밀퍼옥시드, α,α-비스(t-부틸퍼옥시)-p-디이소프로필벤젠, 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸퍼옥시)헥산, 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸퍼옥시)-헥신-3, 벤조일퍼옥시드, t-부틸퍼옥시벤젠, 2,5-디메틸-2,5-디(벤조일퍼옥시)-헥산, t-부틸퍼옥시말레에이트, t-부틸퍼옥시이소프로필카르보네이트 등을 들 수 있다. 이들 중에서, 디알킬 퍼옥시드가 바람직하다. 또한, 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸퍼옥시)-헥산이 특히 바람직하다. 일반적으로, 활성 -O-O-의 양 및 분해 온도를 고려하여 유기 퍼옥시드의 종류 및 양이 선택된다.
또한, 퍼옥시드 가교계에서는 가교 촉진제를 사용할 수 있다. 가교 촉진제는 퍼옥시 라디칼 또는 중합체 라디칼과의 반응성을 갖는 화합물이며, 그 예로는 예를 들어 CH2=CH-, CH2=CHCH2- 또는 CF2=CF-와 같은 관능기를 갖는 다관능성 화합물이 있다. 그 예로는, 트리알릴 시아누레이트, 트리알릴이소시아누레이트(TAIC), 트리아크릴 포르말, 트리알릴 트리멜리테이트, N,N'-n-페닐렌비스말레이미드, 디프로파르길 테레프탈레이트, 디알릴프탈레이트, 테트라알릴 테레프탈아미드, 트리알릴 포스페이트, 비스말레이미드, 불소화 트리알릴 이소시아누레이트(1,3,5-트리스(2,3,3-트리플루오로-2-프로페닐)-1,3,5-트리아진2,4,6-트리온), 트리스(디알릴아민)-s-트리아진, 트리알릴 포스파이트, N,N-디알릴아크릴아미드 및 1,6-디비닐도데카플루오로헥산을 들 수 있다.
폴리올 가교에 사용하는 가교제의 예로는 비스페놀 A 및 비스페놀 AF와 같은 다가 알코올 화합물을 들 수 있다.
폴리아민 가교에 사용하는 가교제의 예로는 헥사메틸렌디아민 카르바메이트, N,N'-디신나밀리덴-1,6-헥산디아민 및 4,4'-비스(아미노시클로헥실)메탄 카르바메이트와 같은 폴리아민 화합물을 들 수 있다.
트리아진 가교에 사용하는 가교제의 예로는 테트라페닐주석 및 트리페닐주석과 같은 유기주석 화합물을 들 수 있다.
옥사졸 가교계, 이미다졸 가교계 및 티아졸 가교계에 사용하는 가교제의 예로는, 화학식 10으로 나타내어지는 비스디아미노페닐 가교제, 비스아미노페놀 가교제 및 비스아미노티오페놀 가교제,
Figure pat00003
(식 중, R1은 -SO2-, -O-, -CO-, 탄소수 1 내지 6의 알킬렌기, 탄소수 1 내지 10의 퍼플루오로알킬렌기 또는 단일 결합이고, R2 및 R3 중 하나는 -NH2이며, 나머지 하나는 -NH2, -OH 또는 -SH이고, 바람직하게는 R2 및 R3 모두 -NH2임)
화학식 11로 나타내어지는 비스아미드라존 가교제 및 비스아미드옥심 가교제,
Figure pat00004
(R1은 상기 정의된 바와 같고, R4는
Figure pat00005
또는
Figure pat00006
임)
및 화학식 12 또는 화학식 13으로 나타내어지는 비스아미드라존 가교제 및 비스아미드옥심 가교제를 들 수 있다.
Figure pat00007
(식 중, Rf는 탄소수 1 내지 10의 퍼플루오로알킬렌기임)
Figure pat00008
(식 중, n은 1 내지 10의 정수임)
이들 비스아미노페놀 가교제, 비스아미노티오페놀 가교제 및 비스디아미노페닐 가교제는 니트릴기를 가교 부위로 사용하는 가교계에 사용되었고, 또한 카르복실기 및 알콕시카르보닐기와도 반응하여 옥사졸 환, 티아졸 환 또는 이미다졸 환을 형성하여, 가교물을 형성한다.
이들 가교제 중에서, 내열성이 특히 우수하고, 가교 반응성이 양호하며, 합성이 비교적 용이하다는 점으로부터, 보다 바람직한 가교제는 화학식 14로 나타내어지는 비스아미노 가교성 관능기를 적어도 2개 갖는 비스디아미노페닐 가교제이다.
Figure pat00009
(식 중, R5는 불소 원자 또는 1가의 유기기임)
상기 가교성 관능기와 반응가능한 관능기의 예로는 니트릴기, 카르복실기 및 알콕시카르보닐기를 들 수 있으며, 반응에 의해 이미다졸 환을 형성한다.
또한, 보다 바람직한 가교제는, 화학식 15로 나타내어지는 화합물이다.
Figure pat00010
가교성 반응기에서의 치환기 R6은 수소 이외의 1가의 유기기 또는 불소 원자이며, 특히 N-H 결합보다도 높은 내산화성을 갖는 N-R6 결합을 형성하는 치환기가 바람직하다. 여기에서「N-H 결합보다도 높은 내산화성을 갖는 N-R6 결합을 형성하는 치환기」는, 이미다졸 환을 형성했을 때에 N-H 결합을 갖는 화합물보다 산화하기 어려운 화합물에 존재하는 N-R6 결합을 형성하는 치환기를 의미한다.
이러한 R6의 비제한적인 예로는 치환될 수 있는 지방족 탄화수소기 또는 치환될 수 있는 페닐기 또는 벤질기를 들 수 있다.
예를 들어, R6 중 적어도 하나는 -CH3, -C2H5 또는 -C3H7과 같은 탄소수 1 내지 10, 특히 1 내지 6의 저급 알킬기; -CF3, -C2F5, -CH2F, -CH2CF3 또는 -CH2C2F5와 같은 탄소수 1 내지 10, 특히 1 내지 6의 불소 원자 함유 저급 알킬기; 페닐기; 벤질기; -C6F5 또는 -CH2C6F5와 같은 불소 원자에 의해 1개 내지 5개의 수소 원자가 치환된 페닐기 또는 벤질기, 또는 -C6H5 -n(CF3)n 또는 -CH2C6H5 -n(CF3)n(n은 1 내지 5의 정수임)과 같은 -CF3에 의해 1개 내지 5개의 수소 원자가 치환된 페닐기 또는 벤질기이다.
이들 중에서, 내열성이 특히 우수하고, 가교 반응성이 양호하며, 합성이 비교적 용이한 점으로부터, 페닐기 및 -CH3이 바람직하다.
화학식 15로 나타내어지는 화합물에서, R7은 -SO2-, -O-, -CO-, 치환될 수 있는 알킬렌기,
Figure pat00011
또는 단일 결합이다.
R7의 치환될 수 있는 알킬렌기의 비제한적인 예로는, 탄소수 1 내지 6의 비치환 알킬렌기 또는 탄소수 1 내지 10의 퍼플루오로알킬렌기를 들 수 있으며, 퍼플루오로알킬렌기의 예는
Figure pat00012
등이다. 이들 R7은 JP2-59177B호 및 JP8-120146A호에 기재된 비스디아미노페닐 화합물의 예시로서 알려져 있다.
R7은 좌우의 벤젠환 중 어느 쪽의 위치에도 결합될 수 있지만, 합성이 용이하고 가교 반응이 용이하다는 점에서, R7은 NH2기 또는 NHR7기 중 어느 하나가 R7에 대하여 파라 위치에 배치되도록 결합되는 것이 바람직하다.
특히 바람직한 가교제의 예로는, 화학식 16으로 나타내어지는 화합물이 있다.
Figure pat00013
(식 중, R8들은 동일하거나 또는 상이하고, 각각 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 불소 원자를 갖는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 페닐기, 벤질기, 또는 불소 원자 또는 -CF3에 의해 1개 내지 5개의 수소 원자가 치환된 페닐기 또는 벤질기임)
화합물의 비제한적인 예로는, 예를 들어 2,2-비스-[3-아미노-4-(N-메틸아미노)페닐]헥사플루오로프로판, 2,2-비스-[3-아미노-4-(N-에틸아미노)페닐]헥사플루오로프로판, 2,2-비스-[3-아미노-4-(N-프로필아미노)페닐]헥사플루오로프로판, 2, 2-비스-[3-아미노-4-(N-페닐아미노)페닐]헥사플루오로프로판, 2,2-비스-[3-아미노-4-(N-퍼플루오로페닐아미노)페닐]헥사플루오로프로판, 2,2-비스-[3-아미노-4-(N- 벤질아미노)페닐]헥사플루오로프로판, 2,2-비스-(3-아미노-4-히드록시페닐)헥사플루오로프로판(일반명: 비스(아미노페놀)AF), 2,2-비스-(3-아미노-4-머캅토페닐)헥사플루오로프로판, 테트라아미노벤젠, 비스-3,4-디아미노페닐메탄, 비스-3,4-디아미노페닐에테르, 2,2-비스(3,4-디아미노페닐)헥사플루오로프로판 등을 들 수 있다.
상기 설명한 가교제는, 기계적 강도, 내열성 및 내화학성이 우수한 가교물, 특히 내열성과 내화학성이 밸런스 좋게 우수한 가교물을 제공한다.
가교제의 양은 불소 함유 엘라스토머 (A) 100질량부에 대하여, 0.05 내지 10질량부인 것이 바람직하고, 1 내지 5질량부인 것이 보다 바람직하다. 가교제의 양이 0.05질량부 보다 적으면, 불소 함유 엘라스토머가 충분 가교되지 않는 경향이 있고, 가교제의 양이 10질량부를 초과하면, 가교물의 물성이 악화되는 경향이 있다.
가교 조건은, 사용하는 가교제의 종류에 따라 적절히 정할 필요가 있고, 통상 150℃ 내지 300℃에서의 1분 내지 24시간 동안의 가교가 채택될 수 있다.
조성물은 가교제를 배합하지 않고, 비가교인 상태로 간단히 고화시킬 수 있다. 이 경우에, 조성물은 보다 도포(코팅)하기 쉽고 취급하기 쉬우며, 가교에 의한 치수 변화(수축)도 없고, 열화한 보호막의 교체 또는 제거도 용이하다. 또한, 가교제에 유래하는 오염 및 분산 불량을 해소하기 위한 수단 및 공정을 생략할 수 있다.
(D) 필러
본 발명에서 사용하는 조성물은 필요에 따라, 각종 첨가제를 배합할 수 있다. 이러한 첨가제 중에서, 가교하지 않는 경우에는 기계적 특성의 향상을 제공하는 필러가 유용한 첨가제이다.
필러의 예로는, 카본 블랙 및 금속 산화물과 같은 무기 필러, 및 엔지니어링 수지 분말과 같은 유기 필러를 들 수 있다. 금속 산화물의 예로는, 산화알루미늄, 산화마그네슘, 산화티타늄 및 산화규소를 들 수 있고, 유기 필러의 예로는, 폴리이미드, 폴리아미드이미드 및 폴리에테르이미드와 같은 이미드 구조를 갖는 이미드 필러; 폴리아릴레이트, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리페닐렌술피드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리옥시벤조에이트 및 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE)을 들 수 있다.
예를 들어, 플라즈마 발생을 수반하는 반도체 제조 장치용의 부재에 적용하는 경우에는, 고순도 산화규소, 산화티타늄, 폴리아미드 및 폴리이미드와 같은 내플라즈마성 필러가 바람직하다.
조성물의 형태, 사용 형태 및 용도에 따라서, 이들 필러 중 적어도 하나는 얻어지는 조성물이 25℃(상온)에서 유동성을 갖도록 하는 양으로 사용한다. 본 발명에서는, 25℃에서의 점도가 0.4 내지 30Pa·s가 되도록 필러를 배합하는 것이 바람직하다.
그 밖의 첨가제의 예로는, 가공 보조제, 가소제, 착색제, 안정화제 및 접착 보조제를 들 수 있다.
코팅 조성물은, 유기 용매 이외의 각 성분을, 통상의 엘라스토머 가공 장치, 예를 들어 오픈 롤, 밴버리 혼합기 또는 혼련기를 사용하여 혼합하여 컴파운드로 만든 후, 컴파운드를 유기 용매 중에 용해, 팽윤 및 분산시킴으로써 제조할 수 있다. 또한, 조성물은 각 성분을 볼 밀과 같은 내부식 혼합기를 사용하여 혼합함으로써 제조할 수 있다.
코팅 조성물의 처리 장치의 부재 표면에의 도포 방법으로서는, 조성물의 형태, 점도, 용도, 및 도포 부위 (넓은지 또는 좁은지)에 따라서, 코팅 방법, 충전 방법, 및 혼련 및 충전 방법, 압착 방법과 같은 공지된 방법을 사용할 수 있다.
기재에 도포된 조성물은 가교에 의해 경화하거나, 또는 가교하지 않고 고화시켜 보호층을 형성한다.
가교제를 배합하지 않는 경우에는, 조성물은 유기 용매의 제거를 통해 고화시킴으로써 고화된다. 용매를 제거할 때 또는 제거한 후에도, 가교는 원칙적으로 발생되지 않는다. 유기 용매의 제거 방법은, 가교가 발생하지 않는 조건 하에서 제거를 행하는 한 특별히 한정되지 않는다. 유기 용매의 제거에는 강제 가열 건조, 공기 건조 및 진공 건조가 바람직하다.
얻어지는 고화물은 열에 의한 치수 변화가 작고, 내플라즈마성, 고열전도성, 및 파티클 개수 감소와 같은 우수한 성능을 나타낸다. 또한, 고화물에 가교가 적용되지 않기 때문에, 용매에 의해 쉽게 용해되고 제거될 수 있다.
특히, 열에 의한 치수 변화가 작은 점은, 이하 새깅성(sagging) 시험에 있어서의 변화율(150℃)이 20％ 이하인 점으로부터 실증된다. 또한, 100℃에서의 새깅성 시험에서의 변화율이 20％ 이하인 것이 바람직하고, 또한 200℃에서의 새깅성 시험에서의 변화율이 20％ 이하인 것이 바람직하다.
새깅성 시험:
10mm×10mm 사각형의 두께 3mm의 고화물을 수평 판 상에 적재하고, 150℃에서 1시간 가열한 뒤에, 고화물의 두께를 측정하여 두께의 변화율을 산출한다.
두께의 변화율(％)=[{3mm - 가열 후의 두께(mm)}/3mm]×100
본 발명에서, 보호층의 형성에 사용하는 코팅용 조성물은, 코킹용 조성물 또는 코팅막 형성용 조성물의 형태이며, 조성물의 형태에 따른, 각 성분의 적합한 종류 및 조합 및 점도는 이하 개별적으로 설명한다.
(1) 코킹용 조성물
본 발명에서, 코킹용 조성물은 부재 간의 간극, 예를 들어 상기 언급된 미소 공간 B, 불필요한 구멍, 함몰(dent)과 같은 공간을 밀봉하기에 적합하다. 이 경우에, 부재에 대한 적절한 밀착성을 갖고, 고화할 때의 치수 변화가 적은 것이 특히 요구된다.
또한, 코킹 전후의 치수 변화를 적게 하고, 코킹(밀봉)할 때의 작업성, 및 건조 방법을 고려할 필요가 있다.
코킹용 조성물에서, 유기 용매 (B)는 얻어지는 조성물이 25℃(상온)에서 유동성을 갖도록 하는 양으로 사용된다. 예를 들어, 용매는 25℃에서의 점도가 4 내지 300 [P](0.4 내지 30Pa·s), 특히 70 내지 300 [P](7 내지 30Pa·s)이도록 사용된다. 점도가 작아지면, 예를 들어 4 [P](0.4Pa·s)보다 작으면, 유동성이 높아지고 새깅성이 발생하기 쉬워져, 코킹 작업이 어려워지는 경향이 있다. 점도가 300 [P](30Pa·s)보다 크면, 유동성이 없어지고, 밀봉을 충분히 할 수 있는 고화물이 얻어지기 어려워지는 경향이 있다.
상기 언급된 점도 범위가 되는 불소 함유 엘라스토머 (A)와 유기 용매 (B)의 비율은, 이들의 종류에 따라 크게 상이하지만, (A)/(B)(질량비)의 비제한적인 비율은 5/95 내지 10/90이다.
상기 언급된 점도 범위의 코킹용 조성물은, 고농도의 용액, 슬러리 또는 페이스트의 형태를 나타내며, 밀봉 작업이 용이하다.
본 발명의 코킹용 조성물에 가교제 (C)를 배합할 수 있다. 그러나, 가교에 의한 수축과 같은 치수 변화가 발생하는 경우가 있기 때문에, 이 점을 고려하여 밀봉할 필요가 있다.
필러 (D)를 배합하는 경우, 그 양은 상기 언급된 점도 범위가 되도록, 예를 들어 불소 함유 엘라스토머 100질량부에 대하여 20 내지 40질량부의 범위 내에서 조정될 수 있다.
(2) 코팅막 형성용 조성물
본 발명에서, 「코팅막 형성」은, 부재 상에 보호층으로서 코팅막을 형성하는 것을 의미하고, 보호층의 열화에 의한 결함 부분을 보수하기 위한 국소적인 코팅막 형성을 포함한다. 따라서, 조성물은 부재에 대한 적절한 밀착성을 갖는 것이 특히 요구된다.
또한, 코팅할 때의 작업성을 고려할 필요가 있고, 코팅막을 육안으로 판별가능할 필요가 있다.
코팅막 형성용 조성물에서, 유기 용매 (B)는 얻어지는 코팅막 형성용 조성물이 25℃(상온)에서 유동성을 갖도록 하는 양으로 사용된다. 본 발명의 코팅막 형성용 조성물에서는, 25℃에서의 점도가 0.4 내지 30Pa·s(4 내지 300 [P]), 특히0.4 내지 7Pa·s(4 내지 70 [P])이도록 용매를 배합한다. 점도가 0.4Pa·s(4 [P])보다 작으면 유동성이 매우 높아지고, 매끄러운 코팅막의 형성이 어려워지는 경우가 있다. 점도가 30Pa·s(300 [P])보다도 크면, 유동성이 낮아져, 균일한 코팅막의 형성이 어려워진다.
불소 함유 엘라스토머 (A)와 유기 용매(B)의 비율은 이들 종류에 따라서 크게 상이하지만, (A)/(B)(질량비)의 비제한적인 비율은 5/95 내지 10/90이다.
상기 언급된 점도 범위의 코팅막 형성용 조성물은, 용액 또는 분산액의 형태를 나타내고, 도포 작업이 용이하다.
본 발명의 코팅막 형성용 조성물에, 가교제 (C)를 배합할 수 있다. 그러나, 가교에 의한 수축과 같은 치수 변화가 발생하고 추가 가교 작업이 필요한 경우가 있기 때문에, 이 점을 고려하여 밀봉할 필요가 있다.
필러 (D)를 배합하는 경우, 그 양은 상기 언급된 점도 범위가 되도록 예를 들어 불소 함유 엘라스토머 (A) 100질량부에 대하여 20 내지 40질량부가 되도록 조정할 수 있다.
코팅막 형성용 조성물의 코팅은, 예를 들어 딥 코팅, 캐스팅, 스프레이 코팅, 브러시 코팅 또는 커튼 플로우 코팅에 의해 행할 수 있다.
또한, 코팅막 형성용 조성물은, 보호층의 결함 부분의 보수에도 이용할 수 있다. 보수용의 코팅막 형성용 조성물은, 보호층의 조성물과 동일 또는 동종인 것이 밀착성이 양호하다는 점으로부터 바람직하다. 보수 방법은, 코팅막의 형성 방법과 동일할 수 있다.
본 발명의 플라즈마를 사용하는 처리 장치가 사용되는 분야 및 장치는, 예를 들어 이하에 예시된 것이다.
반도체 제조 장치 분야:
CVD 장치, 건식 에칭 장치, 습식 에칭 장치, 산화 및 확산 장치, 스퍼터링 장치, 애싱 장치, 플라즈마 세정 장치, 이온 주입 장치, 리소그래피 장치 등.
액정 패널 제조 장치 분야:
CVD 장치, 건식 에칭 장치, 습식 에칭 장치, 산화 및 확산 장치, 스퍼터링 장치, 애싱 장치, 플라즈마 세정 장치, 이온 주입 장치, 리소그래피 장치 등.
태양 전지 제조 장치 분야:
CVD 장치, 확산 장치, 스퍼터링 장치 등.
<실시예>
본 발명을 다음에 실시예에 의해 설명하지만, 이들에 한정되지 않는다.
본 발명에서, 각종 물성은 다음의 방법을 따라서 측정한다.
(점도)
점도는 JIS Z8803에 따라서 측정한다(25℃).
(밀착성)
불소 함유 엘라스토머 조성물 1g을 2장의 SUS304 스테인리스강판(50mm×40mm) 사이에 코팅하고, 조성물을 실온에서 2일간 건조하여 시험편을 제작한다. 인장 시험기(시마즈 코포레이션(Shimadzu Corporation)제의 AG-I)를 사용하여, 시험편의 2장의 SUS304 스레인리스강판을 수평 반대 방향으로 인장하고, 박리되는 시점의 강도(N/mm2)를 밀착 강도로 한다.
(내플라즈마성)
불소 함유 엘라스토머 조성물 1g을 SUS304 스테인리스강판 상에 블레이드 방법에 의해 코팅하고, 조성물을 실온에서 1일간 건조하여 시험편을 제작한다. 이 시험편에 플라즈마 장치(삼코, 인크.(SAMCO, Inc.)제의 고밀도 플라즈마 에칭 장치: RIE-101iPH)를 사용하여 O2 플라즈마를 조사하고(800W, 16sccm, 600sec), 조사 후의 중량 감소량(질량％)을 조사한다.
(새깅성)
불소 함유 엘라스토머 조성물을 폴리에스테르 필름 상에 캐스팅하고, 실온에서 2일간 건조하여 두께 3mm의 고화물 시트를 제작한다. 이 고화물 시트를 60℃로 설정된 오븐 내에서 1시간 가열하여 용매를 완전하게 제거한다.
얻어진 건조 고화물 시트를 10mm×10mm 사각형으로 절단하여 두께 3mm의 시험편을 제작한다. 이 시험편을 100℃, 150℃ 및 200℃로 설정된 오븐 중에 수평 판 상에 적재하고, 각 설정 온도에서 1시간 동안 가열한다. 가열 후의 시험편의 두께(mm)를 측정하고, 두께의 변화율(％)을 산출한다.
(작업성)
밀착성 시험, 내플라즈마성 시험 및 새깅성 시험에서 시험편의 제작시에 코팅 작업성을 평가한다.
작업성을 이하의 기준에 의해 평가한다.
○: 불균일이 없이 코팅할 수 있다.
△: 부분적으로 불균일이 발생하지만, 코팅할 수 있다.
×: 대부분의 코팅에 불균일이 발생하고, 균일하게 코팅할 수 없다.
(제거성)
새깅성 시험에 사용한 가열한 샘플 시트를 불소 함유 엘라스토머 조성물의 제조에 사용한 것과 동일한 유기 용매 중에 40℃에서 24시간 동안 침지하고, 용해 상태를 육안으로 관찰하여, 이하의 기준에 의해 평가한다.
○: 샘플 시트는 거의 완전하게 용해되고, 용매는 투명해진다.
△: 부분적으로 불용 부분이 잔존하고, 용매는 백탁된다.
×: 샘플 시트는 거의 용해되지 않았다.
실시예 1
불소 함유 엘라스토머 (A)로서 TFE/PMVE/CF2=CFOCF2CF(CF3)OCF2CF2CN(CNVE)(=58.5/41.0/0.5몰％)(A-1)을 사용하고, 이 불소 함유 엘라스토머 (A-1) 5질량부를 불소 함유 용매 (B)로서 플로리네이트 FC-77 (B-1) 195질량부 중에 용해시킴으로써, 고형분 함량 5 질량％(점도: 0.42Pa·s(4.2 [P]))인 용액 형태의 투명한 불소 함유 엘라스토머 조성물을 제조하였다.
다음에, 얻어진 불소 함유 엘라스토머 조성물을 사용하여, 밀착성, 내플라즈마성, 새깅성, 제거성 및 작업성을 조사하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
실시예 2 내지 4
표 1에 나타내는 고형분 함량이 되도록 배합량을 조정한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방식으로, 불소 함유 엘라스토머 조성물을 제조하였다.
다음에, 얻어진 불소 함유 엘라스토머 조성물을 사용하여, 밀착성, 내플라즈마성, 새깅성, 제거성 및 작업성을 조사하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
실시예 5
실시예 2의 조성물에, 가교제로서 2,2-비스[3-아미노-4-(N-페닐아미노)페닐]헥사플루오로프로판(AFTA-Ph) 0.9질량부를 추가로 배합하여 불소 함유 엘라스토머 조성물을 제조하였다.
가교제를 함유하는 이 불소 함유 엘라스토머 조성물 1g을 2장의 SUS304 스테인리스강판(50mm×40mm) 사이에 코팅하고, 조성물을 30분간 풍건한 후에, 80℃ 내지 100℃로 설정한 오븐에서 추가로 30분간 건조하고, 또한 200℃에서 10분간 가열하여 가교하였다. 이렇게 밀착성 시험용의 시험편을 제작하고, 밀착성을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
또한, 내플라즈마성 및 새깅성을 조사하기 위해서, 가교제를 함유하는 불소 함유 엘라스토머 조성물을 건조 및 가교(30분간의 풍건, 80℃ 내지 100℃로 설정한 오븐에서 30분간의 건조, 및 200℃에서 10분간 가열함으로써 가교)를 행하여 시험편을 제작하고, 내플라즈마성, 새깅성, 제거성 및 작업성을 조사하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure pat00014
실시예 6
불소 함유 엘라스토머 (A)로서, WO 2005/049746호의 제조예 1에서와 동일한 방식으로 제조한 TFE/PMVE/CNVE(=56.6/42.3/1.1몰％) (A-2)를 사용하고, 이 불소 함유 엘라스토머 (A-2) 10질량부를 불소 함유 용매 (B)로서 플로리네이트 FC-77 (B-1) 190질량부 중에 용해시킴으로써, 고형분 함량 5 질량％(점도: 0.18Pa·s(1.8 [P]))인 용액 형태의 투명한 불소 함유 엘라스토머 조성물을 제조하였다.
다음에, 얻어진 불소 함유 엘라스토머 조성물을 사용하여, 밀착성, 내플라즈마성, 새깅성, 제거성 및 작업성을 조사하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.
실시예 7 및 8
표 2에 나타내는 고형분 함량이 되도록 배합량을 조정한 것 이외에는, 실시예 6과 동일한 방식으로, 불소 함유 엘라스토머 조성물을 제조하였다.
다음에, 얻어진 불소 함유 엘라스토머 조성물을 사용하여, 밀착성, 내플라즈마성, 새깅성, 제거성 및 작업성을 조사하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.
Figure pat00015
실시예 9 내지 16
불소 함유 엘라스토머 (A)로서, 불소 함유 엘라스토머 (A-1)과 (A-2)를 함께 사용하고, (A-1)을 표 3에 나타내는 비율(질량％)로 혼합하여 고형분 함량을 10 질량％로 한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방식으로 불소 함유 엘라스토머 조성물을 제조하였다.
다음에, 얻어진 불소 함유 엘라스토머 조성물을 사용하여, 밀착성, 내플라즈마성, 새깅성, 제거성 및 작업성을 조사하였다. 결과를 표 3에 나타낸다.
Figure pat00016
A: 에지부, B: 미소 공간, 1: 가스 도입용 노즐, 2: 뚜껑, 3: 측벽, 4: 저판, 5: 링, 6: 전극, 7: 전극의 측판, 8: 웨이퍼, 9: 웨이퍼 척, 10: 배기 파이프, 11: 고주파 코일, 12: O-링, 13: 보호층, 14: 보호층, 21: 히터, 22: 돔 커버, 23: 측벽, 24: 저판, 25: 링, 26: 전극, 27: 절연체, 28: 웨이퍼, 29: 웨이퍼 척, 30: 배기 파이프, 31: 고주파 코일, 32: O-링, 33: 보호층, 34: 보호층, 41: 가스 도입용 노즐, 42: 돔 커버, 43: 측벽, 44: 저판, 45: 링, 46: 전극, 47: 절연체, 48: 웨이퍼, 49: 웨이퍼 척, 50: 배기 파이프, 51: 고주파 코일, 52: O-링, 53: 보호층, 54: 보호층

Claims (10)

  1. 플라즈마를 사용하는 처리 장치이며, 상기 처리 장치 내에서 플라즈마에 노출되는 표면의 전부 또는 일부에 불소 함유 엘라스토머 (A)를 포함하는 보호층을 갖는 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 불소 함유 엘라스토머 (A)는 비가교 불소 함유 엘라스토머인 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 불소 함유 엘라스토머 (A)는 가교 불소 함유 엘라스토머인 처리 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 불소 함유 엘라스토머 (A)는 필러를 더 포함하는 처리 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 불소 함유 엘라스토머 (A)는 퍼플루오로엘라스토머인 처리 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 보호층은 적어도 처리 장치 내에서 플라즈마에 노출되는 에지부의 표면에 설치되는 처리 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 보호층은 적어도 처리 장치 내에서 플라즈마에 노출되는 미소 공간을 형성하는 표면에 설치되는 처리 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 플라즈마를 사용하는 처리 장치는 플라즈마 에칭 장치인 처리 장치.
  9. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 플라즈마를 사용하는 처리 장치는 플라즈마 CVD 장치인 처리 장치.
  10. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 플라즈마를 사용하는 처리 장치는 애싱 장치인 처리 장치.
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