JP2015525811A - パーフルオロエラストマー物品の静電ポテンシャルを低減するプロセス - Google Patents

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Abstract

本発明は、パーフルオロエラストマー物品の静電ポテンシャルを低減するプロセスであって、パーフルオロエラストマー物品が、ナトリウムナフタリド溶液で処理され、水酸化アンモニウムで洗浄かつ処理されるプロセスである。

Description

本発明は、パーフルオロエラストマー物品の静電ポテンシャルを低減するプロセスに関する。さらに具体的には、本発明は、パーフルオロエラストマー物品の表面を還元剤で処理するプロセスに関する。
パーフルオロエラストマーは、並外れた商業的成功を収め、過酷な環境に遭遇する多種多様な用途、特に高温に曝露され、かつ反応性の高い化学物質が生じる最終用途において使用されている。例えば、これらのポリマーは、航空機エンジンのシールにおいて、石油採掘装置において、かつ高温で使用される工業装置のシーリング構成部品において使用されることが多い。
パーフルオロエラストマーの傑出した特性は主に、これらの組成物におけるポリマー主鎖の大部分を構成する共重合過フッ素化モノマーの安定性および不活性に起因し得る。かかるモノマーとしては、テトラフルオロエチレンおよび過フッ素化ビニルエーテルが挙げられる。ゴム状弾性を完全に生じさせるために、パーフルオロエラストマーは通常、架橋、つまり加硫される。このため、少量の硬化部位モノマーが通常、過フッ素化モノマー単位と共重合される。少なくとも1つのニトリル基を含有する硬化部位モノマー、例えばパーフルオロ−8−シアノ−5−メチル−3,6−ジオキサ−1−オクテンが特に好ましい。かかる組成物は、米国特許第4,281,092号明細書;米国特許第4,394,489号明細書;米国特許第5,789,489号明細書;および米国特許第5,789,509号明細書に記載されている。
半導体ウエハー製造装置などの特定の最終用途において、一般的なパーフルオロエラストマー物品の比較的高い(つまり、500Vを超える)静電ポテンシャルは問題となり得る。静電ポテンシャルは、パーフルオロエラストマー物品に導電性充填剤を組み込むことによって低減され得ることが知られている。しかしながら、かかる充填剤は、半導体ウエハー製造装置において望ましくない汚染源となり得る。したがって、パーフルオロエラストマー物品の静電ポテンシャルを低減する他の手段が望ましい。
本発明の態様は、パーフルオロエラストマー物品の静電ポテンシャルを低減するプロセスであって:
A)パーフルオロエラストマー物品の少なくとも1つの表面を還元するために、還元剤でパーフルオロエラストマー物品を処理する工程;
B)還元されたパーフルオロエラストマー物品を洗浄して、余分な還元剤を除去する工程;
C)その洗浄され、還元されたパーフルオロエラストマー物品を水酸化アンモニウム溶液で処理する工程;
を含むプロセスである。
本発明の他の態様は、硬化パーフルオロエラストマーを含む物品であり、前記物品は、500V未満の静電ポテンシャルおよびESCAによって測定されたフッ素原子:炭素原子の重量比1.3:1〜0.9:1を有し、かつ導電性カーボンブラックを含有しない。
パーフルオロエラストマーは、少なくとも2つの主要な過フッ素化モノマーの共重合単位を有するポリマー組成物である。一般に、その主要なコモノマーの1つはパーフルオロオレフィンであり、もう1つはパーフルオロビニルエーテルである。代表的な過フッ素化オレフィンとしては、テトラフルオロエチレンおよびヘキサフルオロプロピレンが挙げられる。適切な過フッ素化ビニルエーテルとしては、次式:
CF2=CFO(Rf’O)n(Rf’’O)mf (I)
(式中、Rf’およびRf’’は、炭素原子2〜6個の異なる直鎖状または分岐状パーフルオロアルキレン基であり、mおよびnは独立して、0〜10であり、Rfは、炭素原子1〜6個のパーフルオロアルキル基である)
の過フッ素化ビニルエーテルが挙げられる。
過フッ素化ビニルエーテの好ましい種類としては、次式:
CF2=CFO(CF2CFXO)nf (II)
(式中、Xは、FまたはCF3であり、nは0〜5であり、Rfは、炭素原子1〜6個のパーフルオロアルキル基である)
の組成物が挙げられる。
最も好ましい過フッ素化ビニルエーテルは、nが0または1であり、Rfが炭素原子1〜3個を含有する過フッ素化ビニルエーテルである。かかる過フッ素化エーテルの例としては、パーフルオロ(メチルビニル)エーテルおよびパーフルオロ(プロピルビニル)エーテルが挙げられる。他の有用なモノマーとしては、次式:
CF2=CFO[(CF2mCF2CFZO]nf (III)
(式中、Rfは、炭素原子1〜6個のパーフルオロアルキル基であり、m=0または1、n=0〜5、およびZ=FまたはCF3である)
の化合物が挙げられる。この種類の好ましいメンバーは、式中、RfがC37であり、m=0、およびn=1であるメンバーである。更なる過フッ素化ビニルエーテルモノマーとしては、次式:
CF2=CFO[(CF2CFCF3O)n(CF2CF2CF2O)m(CF2p]Cx2x+1 (IV)
(式中、mおよびn=1〜10、p=0〜3、およびx=1〜5である)
の化合物が挙げられる。この種類の好ましいメンバーとしては、式中、n=0〜1、m=0〜1、およびx=1である化合物が挙げられる。
有用な過フッ素化ビニルエーテルの更なる例としては、
CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2O)mn2n+1 (V)
(式中、n=1〜5、m=1〜3であり、好ましくはn=1である)
が挙げられる。
好ましいパーフルオロエラストマーコポリマーは、テトラフルオロエチレンと、主要なモノマー単位としての少なくとも1つの過フッ素化ビニルエーテルとで構成される。かかるコポリマーにおいて、共重合過フッ素化エーテル単位は、ポリマーにおける総モノマー単位の約15〜50モル%を占める。
パーフルオロエラストマーはさらに、少なくとも1つの硬化部位モノマーの共重合単位を一般に0.1〜5モル%の量で含有する。その範囲は、好ましくは0.3〜1.5モル%である。複数種の硬化部位モノマーが存在し得るが、もっとも一般的には1種類の硬化部位モノマーが使用され、それは少なくとも1つのニトリル置換基を含有する。適切な硬化部位モノマーとしては、ニトリル含有フッ素化オレフィンおよびニトリル含有フッ素化ビニルエーテルが挙げられる。有用なニトリル含有硬化部位モノマーとしては、以下に示す式のモノマーが挙げられる。
CF2=CF−O(CF2n−CN (VI)
(式中、n=2〜12、好ましくは2〜6である);
CF2=CF−O[CF2−CFCF3−O]n−CF2−CFCF3−CN (VII)
(式中、n=0〜4、好ましくは0〜2である);および
CF2=CF−[OCF2CFCF3x−O−(CF2n−CN (VIII)
(式中、x=1〜2、n=1〜4である)。
式(VIII)のモノマーが好ましい。特に好ましい硬化部位モノマーは、ニトリル基とトリフルオロビニルエーテル基とを有する過フッ素化ポリエーテルである。最も好ましい硬化部位モノマーは、
CF2=CFOCF2CF(CF3)OCF2CF2CN (IX)
つまり、パーフルオロ(8−シアノ−5−メチル−3,6−ジオキサ−1−オクテン)または8−CNVEである。
他の硬化部位モノマーとしては、式R1CH=CR23によって表されるオレフィンが挙げられ、式中、R1およびR2は独立して、水素およびフッ素から選択され、R3は独立して、水素、フッ素、アルキル、およびパーフルオロアルキルから選択される。パーフルオロアルキル基は、炭素原子を約12個まで含有してもよい。しかしながら、炭素原子4個までのパーフルオロアルキル基が好ましい。さらに、硬化部位モノマーは好ましくは、3個以下の水素原子を有する。かかるオレフィンの例としては、エチレン、フッ化ビニリデン、フッ化ビニル、トリフルオロエチレン、1−ヒドロペンタフルオロプロペン、および2−ヒドロペンタフルオロプロペン、ならびに臭素化またはヨウ素化オレフィン、例えば4−ブロモ−3,3,4,4−テトラフルオロブテン−1およびブロモトリフルオロエチレンが挙げられる。その代わりとして、または硬化部位モノマーの共重合単位に加えて、臭素またはヨウ素含有末端基の硬化部位が、重合中の臭素またはヨウ素含有連鎖移動剤の反応によって、パーフルオロエラストマーポリマー鎖上に導入されてもよい。
本発明で用いられるパーフルオロエラストマーに組み込まれ得る硬化部位モノマーの他の種類は、パーフルオロ(2−フェノキシプロピルビニルエーテル)および米国特許第3,467,638号明細書に開示される関連するモノマーである。
特に好ましいパーフルオロエラストマーは、テトラフルオロエチレン53.0〜79.9モル%、パーフルオロ(メチルビニル)エーテル20.0〜46.9モル%、ニトリル含有硬化部位モノマー0.1〜1.5モル%を含有する。
ニトリル含有硬化部位を含有するパーフルオロエラストマーに有用な、好ましい硬化システムには、次式
のビス(アミノフェノール)およびビス(アミノチオフェノール)
と、次式
のテトラアミンが用いられ、式中、Aは、SO2、O、CO、炭素原子1〜6個のアルキル、炭素原子1〜10個のパーフルオロアルキル、または2つの芳香族環を連結する炭素間結合である。上記の式Xおよび式XIにおけるアミノ基およびヒドロキシル基またはチオ基は、ベンゼン環上で互いに隣接しており、A基に対してメタ位およびパラ位に交換可能にある。好ましくは、硬化剤は、4,4’−[2,2,2−トリフルオロ−1−(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス(2−アミノフェノール);4,4’−スルホニルビス(2−アミノフェノール);3,3’−ジアミノベンジジン;および3,3’,4,4’−テトラアミノベンゾフェノンからなる群から選択される化合物である。これらの最初の硬化剤が最も好ましく、ビス(アミノフェノール)AFと呼ばれる。この硬化剤は、米国特許第3,332,907号明細書(Angelo)に開示されるように製造することができる。ビス(アミノフェノール)AFは、4,4’−[2,2,2−トリフルオロ−1−(トリフルオロメチル)エチリデン]−ビスフェノール(つまり、ビスフェノールAF)を好ましくは硝酸カリウムおよびトリフルオロ酢酸でニトロ化し、続いて、好ましくは溶媒としてエタノールおよび触媒として触媒量の炭素担持パラジウムを用いて接触水素化することによって製造することができる。硬化剤のレベルは、加硫物の所望の特性が最適化されるように選択すべきである。一般に、パーフルオロエラストマー中に存在するすべての硬化部位と反応するのに必要な量を超える、わずかに過剰量の硬化剤が使用される。一般に、エラストマー100部に対して0.5〜5.0重量部の硬化剤が必要とされる。好ましい範囲は1.0〜2.0phrである。
特に硬化部位がニトリル基またはヨウ素もしくは臭素基である場合に、過酸化物も硬化剤として用いてもよい。有用な過酸化物は、硬化温度にて遊離基を発生する過酸化物である。50℃を超える温度で分解するジアルキルパーオキシドまたはビス(ジアルキルパーオキシド)が特に好ましい。多くの場合には、ペルオキシ酸素に結合している第三級炭素原子を有するジ−t−ブチルパーオキシドを使用することが好ましい。この種類の最も有用な過酸化物の中に、2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルパーオキシ)ヘキシン−3および2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルパーオキシ)ヘキサンがある。他の過酸化物は、過酸化ジクミル、過酸化ジベンゾイル、過安息香酸t−ブチル、およびジ[1,3−ジメチル−3−(t−ブチルパーオキシ)ブチル]カーボネートなどの化合物から選択することができる。一般に、パーフルオロエラストマー100部当たり約1〜3部の過酸化物が使用される。過酸化物硬化剤システムの一部として組成物と通常ブレンドされる他の材料は、過酸化物と協力して有用な硬化を提供することができる、多価不飽和化合物で構成される架橋助剤(coagent)である。これらの架橋助剤は、パーフルオロエラストマー100部につき0.1〜10部の量で、好ましくは2〜5phrで添加することができる。一般的な架橋助剤としては、限定されないがトリアリルシアヌレート;トリアリルイソシアヌレート;トリ(メチルアリル)イソシアヌレート;トリス(ジアリルアミン)−s−トリアジン;亜リン酸トリアリル;N,N−ジアリルアクリルアミド;ヘキサアリルホスホルアミド;N,N,N’,N’−テトラアルキルテトラフタルアミド;N,N,N’,N’−テトラアリルマロンアミド;トリビニルイソシアヌレート;2,4,6−トリビニルメチルトリシロキサン;およびトリ(5−ノルボルネン−2−メチレン)シアヌレートが挙げられる。トリアリルイソシアヌレートが特に有用である。
ニトリル硬化部位を有するパーフルオロエラストマーを加硫するのに適した他の硬化剤としては、アンモニア、米国特許第5,565,512号明細書に開示される無機酸または有機酸のアンモニウム塩(例えば、ペルフルオロオクタン酸アンモニウム)、米国特許第6,281,296B1号明細書に開示される、分解してアンモニアを生成する化合物(例えば、尿素)および米国特許第6,638,999B2号明細書に開示される窒素含有求核性化合物(例えば、ジフェニルグアニジン)が挙げられる。
存在する硬化部位モノマーに応じて、二重硬化(dual cure)システムを使用することも可能である。例えば、アンモニア発生硬化剤および架橋助剤と併せて、過酸化物の混合物を含む硬化剤を使用して、ニトリル含有硬化部位モノマーの共重合単位を有するパーフルオロエラストマーを硬化することができる。一般に、過酸化物0.3〜5部、架橋助剤0.3〜5部、およびアンモニア発生硬化剤0.1〜10部が用いられる。
意図する使用条件に対して適切な安定性を有するという条件で、パーフルオロエラストマー配合で通常用いられる、充填剤(例えば、非フィブリル化性およびフィブリル化性フルオロポリマー、非導電性カーボンブラック、硫酸バリウム、シリカ、酸化アルミニウム、ケイ酸アルミニウム、および二酸化チタン)、安定剤、可塑剤、潤滑剤、および加工助剤などの添加剤を本発明の組成物に組み込むことができる。
本発明で用いられる硬化パーフルオロエラストマー物品は、上記のパーフルオロエラストマー組成物を成形し、次いで硬化することによって製造される。硬化は、熱または放射線によって引き起こされる。続いて物品は、ある期間、高温で後硬化される。かかる物品の例としては、シール、ガスケット、Oリングおよび複合部品(例えば、貼り合わせドアのシール)が挙げられる。
本発明の態様は、導電性カーボンブラックを含有しないパーフルオロエラストマー物品の静電ポテンシャルを下げるプロセスである。このプロセスは、A)パーフルオロエラストマー物品の少なくとも1つの表面を還元するために、パーフルオロエラストマー物品を還元剤で処理する工程;B)処理されたパーフルオロエラストマー物品を洗浄して、余分な還元剤を除去する工程;およびC)洗浄され、還元されたパーフルオロエラストマー物品を水酸化アンモニウム溶液で処理する工程;を含む。
適切な還元剤の例としては、限定されないが、アルカリ金属ナフタリド(例えば、ナトリウムナフタリド、カリウムナフタリドおよびナトリウムアセナフチレニド)、液体アルカリ金属(例えば、ナトリウム/カリウム合金)、および還元性プラズマ(例えば、水素プラズマ)が挙げられる。ナトリウムナフタリドが好ましい還元剤である。それは一般に、テトラヒドロフランまたはジメトキシエタンなどの有機溶媒に溶解される。FluoroEtch(登録商標)(Acton Technologiesから入手可能)は、本発明のプロセスで使用するのに適した市販の還元剤の一例である。
工程Aにおいて、処理は好ましくは、窒素またはアルゴンなどの不活性雰囲気中で行われる。パーフルオロエラストマー物品の表面の適切な還元は通常、パーフルオロエラストマー物品を還元剤に約5分間曝露した後に室温で行われる。
工程Bにおいて、次いで、表面が還元されたパーフルオロエラストマー物品を洗浄して余分な還元剤を除去する。洗浄は、不活性雰囲気中で行う必要はない。洗浄は一般に多段階プロセスであり、還元されたパーフルオロエラストマー物品を最初に有機溶媒(例えば、アセトン)ですすぎ、続いて脱イオン水、次いで希酸溶液(例えば、0.1M HCl)ですすぐ。次いで物品を再度アセトンですすいでもよい。
工程C)において、洗浄かつ還元されたパーフルオロエラストマー物品を水酸化アンモニウム溶液(約1M)で処理し、空気乾燥させる。
好ましくは、物品の表面から微量の金属イオンを除去するために、パーフルオロエラストマー物品を、多量の脱イオン水でさらに洗浄し、次いで好ましくは最終的な水酸化アンモニウム溶液で洗浄する。
表面が還元された、得られたパーフルオロエラストマー物品は、低い静電ポテンシャル、つまり500V未満、好ましくは100V未満の静電ポテンシャルを有し、特に、半導体ウエハー製造装置で使用するのに適している。少なくとも10ミクロンの深さまでの物品の表面は、ESCAによって測定される、フッ素原子:炭素原子の重量比1.3:1〜0.9:1(好ましくは1:1)を有する。これは、還元剤による作用により、物品の表面付近に形成される複数のC−C二重結合と一致している。この物品は導電性カーボンブラックを含有しない。
[実施例]
試験方法
K314サイズのパーフルオロエラストマーOリングでの静電ポテンシャルが、Shishido Electrostatic Ltd.,model STATIRON DS−3静電ポテンシャルメーターで測定された。センサーとOリングの距離は5mmであった。Oリング表面に沿って3箇所で測定された、静電ポテンシャルの平均値を実施例で報告する。
20kVおよび100Wで動作する集束(100mm)単色Al X線(1486.6eV)ビームを用いて、Physical Electronics Quantera Scanning ESCA Microprobeで処理および未処理(つまり、対照)OリングのESCA表面解析を行った。電子銃を使用してX線ビームを発生させ、約1400mm×約200mmにわたってスキャンして、解析領域を定めた。試料を低エネルギーイオンおよび電子(それぞれ約8eVおよび約1eV)でフラッディングすることによって、表面荷電を中和した。高分解能スキャン(一般に、各要素に対して20〜50eVスキャン)のデータポイント間で55eVおよび0.2eVステップサイズのパスエネルギーを用いて、一定のエネルギーモードで電子エネルギー分析器を動作させた。試料の法線に対して取出角度は45度であった。
実施例1
実施例で用いられるパーフルオロエラストマー物品は、テトラフルオロエチレン、パーフルオロ(メチルビニル)エーテルおよびパーフルオロ(8−シアノ−5−メチル−3,6−ジオキサ−1−オクテン)の共重合単位を含むパーフルオロエラストマーから製造され、ビス(アミノフェノール)AFで硬化されている、K−314タイプのOリングであった。Oリングは導電性カーボンブラックを含有しなかった。
処理前に、Oリングの静電ポテンシャルが、1085Vであると測定された。ESCAによって、処理前のフッ素原子:炭素原子の重量比が1.8:1であると示された。
本発明のプロセスによって処理されるべきOリングを窒素パージボックスに入れた。次いで、ジメトキシエタン中のナトリウムナフタリドの溶液(FluoroEtch(登録商標))でOリングを処理した。試料を穏やかに攪拌して、十分に付着させた。5分後、緑色の溶液からOリングを除去し、パージボックスから移した。次いで、還元表面Oリングをアセトンで浸し、続いて脱イオン水、次に0.1M HCl、最後に再びアセトンで洗浄した。プロセスのこの段階で、Oリングの静電ポテンシャルが、399Vであると測定された。
次いで、洗浄されたOリングを1M水酸化アンモニウム溶液に浸し、空気乾燥させた。次いで、多量の脱イオン水中での洗浄にOリングをかけた。得られたOリングの静電ポテンシャルは、52Vであると測定された。ESCAによって、得られたOリングのフッ素原子:炭素原子の重量比は0.98:1であると示された。

Claims (8)

  1. パーフルオロエラストマー物品の静電ポテンシャルを低減する方法であって、
    A)前記パーフルオロエラストマー物品の少なくとも1つの表面を還元するために、パーフルオロエラストマー物品を還元剤で処理する工程;
    B)処理された前記パーフルオロエラストマー物品を洗浄して、余分な還元剤を除去する工程;
    C)洗浄され、処理された前記パーフルオロエラストマー物品を水酸化アンモニウム溶液で処理する工程;
    を含む、方法。
  2. 前記還元剤が、アルカリ金属ナフタリド、液体アルカリ金属、および還元性プラズマからなる群から選択される、請求項1に記載の方法。
  3. 前記アルカリ金属ナフタリドが、ナトリウムナフタリド、カリウムナフタリドおよびナトリウムアセナフチレニドからなる群から選択される、請求項2に記載の方法。
  4. 前記アルカリ金属ナフタリドが、ナトリウムナフタリドである、請求項3に記載の方法。
  5. 前記ナトリウムナフタリドが、有機溶媒中の溶液である、請求項4に記載の方法。
  6. 硬化パーフルオロエラストマーを含む物品であって、500V未満の静電ポテンシャルおよびESCAによって測定されたフッ素原子:炭素原子の重量比1.3:1〜0.9:1を有し、かつ導電性カーボンブラックを含有しない、物品。
  7. 前記静電ポテンシャルが100V未満である、請求項6に記載の物品。
  8. フッ素原子:炭素原子の前記重量比が1:1である、請求項6に記載の物品。
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