KR20110032283A - 소스 가스 공급 유닛, 이를 구비하는 증착 장치 및 방법 - Google Patents

소스 가스 공급 유닛, 이를 구비하는 증착 장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 소스 가스 공급 유닛, 이를 구비하는 증착 장치 및 방법에 관한 것으로, 일정한 소스 가스를 증착 챔버로 공급함으로써 균일한 막을 증착할 수 있는 소스 가스 공급 유닛, 이를 구비하는 증착 장치 및 방법에 관한 것이다.
본 발명은 소스가 저장되는 캐니스터, 상기 캐니스터를 가열하기 위한 가열부, 상기 캐니스터의 일측에 형성되는 소스 가스 공급관, 상기 소스 가스 공급관에 설치되어, 상기 소스 가스 공급관을 통과하는 소스 가스의 양을 측정하는 측정 수단 및 상기 가열부와 상기 측정 수단에 연결되는 온도 제어부를 포함하고, 상기 온도 제어부는 상기 측정 수단에 의해 측정된 소스 가스의 양에 따라 상기 가열부를 제어하는 것을 특징으로 하는 소스 가스 공급 유닛을 제공한다.
캐리어 가스, 소스 가스, 증착 챔버, 측정 수단, 온도 제어부, 가열

Description

소스 가스 공급 유닛, 이를 구비하는 증착 장치 및 방법{Source gas supplying unit, deposition device having the same and method thereof}
본 발명은 소스 가스 공급 유닛, 이를 구비하는 증착 장치 및 방법에 관한 것으로, 일정한 소스 가스를 공급할 수 있는 소스 가스 공급 유닛 및 이를 구비하여 균일한 막을 증착할 수 있는 증착 장치 및 방법에 관한 것이다.
최근 들어 전자 디스플레이 산업이 급속도로 발전함에 따라, TV나 컴퓨터 모니터 등에 표시장치로 주로 사용된 음극선관(CRT,Cathode Ray Tube) 대신 두께가 얇고 가벼운 액정표시장치(LCD, Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP, Plasma Display Panel) 및 유기 발광 표시장치(OLED, Organic Light Emitting Display) 등의 평판 표시 장치(FPD, Flat Panel Display)가 널리 사용되고 있다.
상기 유기 발광 표시장치는 형광성 유기화합물을 전기적으로 여기시켜 발광하게 하는 자발광형 표시 소자로서, 양전극(애노드 전극)과 음전극(캐소드 전극) 사이에 유기 화합물을 형성하고, 외부로부터 전자와 정공을 주입하여, 그것들의 재결합 에너지에 의한 발광을 통해 패널 상에 임의의 영상을 디스플레이 한다.
상기한 유기 발광 표시장치는 기판상에 적층식으로 형성되는 애노드 전극과 유기막 및 캐소드 전극을 포함하며, 적어도 하나의 박막 트랜지스터(TFT, Thin Film Transistor)를 더 포함할 수 있다.
여기서 유기막은 유기 발광층을 구비하는데, 이 유기 발광층에서 정공과 전자가 재결합하여 여기자를 형성하고 빛이 발생한다. 이때 발광 효율을 보다 높이기 위해서는 정공과 전자를 유기 발광층으로 보다 원활하게 수송해야 한다.
이를 위하여 캐소드 전극과 유기 발광층 사이에는 전자 수송층이 배치될 수 있고, 애노드 전극과 유기 발광층 사이에는 정공 수송층이 배치될 수 있으며, 또한, 애노드 전극과 정공 수송층 사이에 정공 주입층이 배치될 수도 있고, 캐소드 전극과 전자 수송층 사이에 전자 주입층이 배치될 수도 있다.
상기한 바와 같이, 유기 발광 표시장치는 기판상에 도전막, 유기막 및 절연막 등이 다수 적층되어 형성된다.
기판에 박막을 형성하는 일반적인 방법으로는 진공 증착(evaporation)법, 이온 플레이팅(ion plating)법 및 스퍼터링(sputtering)법과 같은 물리 기상 증착(PVD)법과, 가스 반응에 의한 화학 기상 증착(CVD)법 등이 있다.
종래의 화학 기상 증착법에 의한 박막 형성은 박막 형성을 위한 소스가 저장된 캐니스터의 내부에 캐리어 가스를 유입시켜 상기 소스를 기화시키고, 상기 캐리어 가스와 기화된 소스 가스가 혼합된 혼합 가스가 증착 챔버 내로 공급된 후, 증 착 챔버 내에 위치한 기판 상에 소스가 증착됨으로써 이루어진다.
하지만, 종래와 같이 캐리어 가스가 캐니스터의 내부에 유입되어 소스를 기화시키고, 캐리어 가스와 기화된 소스 가스를 증착 챔버 내로 공급하게 되면, 캐리어 가스의 유입으로 소스의 형상이나 용량에 변화를 유발시키기 때문에 소스의 안정적인 증발이 어려우며, 따라서, 기판 상에 증착되는 소스가 균일하지 못하게 되는 문제점이 발생한다.
상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 고안된 본 발명은 일정한 소스 가스를 증착 챔버로 공급하기 위한 소스 가스 공급 유닛을 제공하는데 목적이 있다.
또한, 본 발명은 상기 소스 가스 공급 유닛을 구비하여 균일한 막을 증착할 수 있는 증착 장치 및 방법을 제공하는데 다른 목적이 있다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 소스 가스 공급 유닛은 소스가 저장되는 캐니스터, 상기 캐니스터를 가열하기 위한 가열부, 상기 캐니스터의 일측에 형성되는 소스 가스 공급관, 상기 소스 가스 공급관에 설치되어, 상기 소스 가스 공급관을 통과하는 소스 가스의 양을 측정하는 측정 수단 및 상기 가열부와 상기 측정 수단에 연결되는 온도 제어부를 포함하고, 상기 온도 제어부는 상기 측정 수단에 의해 측정된 소스 가스의 양에 따라 상기 가열부를 제어하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 증착 장치는 소스 가스를 공급하는 소스 가스 공급 유닛, 캐리어 가스를 공급하는 캐리어 가스 공급부 및 상기 소스 가스와 상기 캐리어 가스가 혼합된 혼합 가스를 공급받아 증착 공정을 실시하는 증착 챔버를 포함하고, 상기 소스 가스 공급 유닛은 소스가 저장되는 캐니스터, 상기 캐니스터를 가열하기 위한 가열부, 상기 캐니스터의 일측에 형성되는 소스 가스 공급관, 상기 소스 가스 공급관에 설치되어, 상기 소스 가스 공급관을 통과하는 소스 가스의 양을 측정하는 측정 수단 및 상기 가열부와 상기 측정 수단에 연결되며, 상기 측정 수단에 의해 측정된 소스 가스의 양에 따라 상기 가열부를 제어하는 온도 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 증착 방법은 가열부를 이용하여 캐니스터를 가열하여 소스를 기화시키는 기화 단계; 소스 가스 공급관을 통해 외부로 공급되는 소스 가스의 양을 측정하여, 측정된 값을 온도 제어부로 전송하는 측정 및 전송 단계; 측정된 소스 가스의 양에 따라 상기 온도 제어부를 이용하여 상기 가열부를 제어하는 제어 단계; 및 상기 소스 가스와 캐리어 가스 공급부로부터 공급되는 캐리어 가스가 혼합되어 증착 챔버로 공급되는 공급 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 본 발명의 구성에 따르면, 캐리어 가스가 캐니스터의 내부에 공급되지 않아도 되므로, 캐리어 가스에 의해 소스의 형태나 용량이 영향을 받지 않으므로, 소스가 안정적으로 기화될 수 있다.
또한, 소스 가스 공급관을 통해 외부로 공급되는 소스 가스의 양에 따라 히터의 온도를 제어하므로, 공급되는 소스 가스의 양을 일정하게 유지할 수 있다.
또한, 측정 수단은 혼합 가스의 양을 측정하는 것이 아니라, 소스 가스의 양 만을 측정하기 때문에, 혼합 가스의 양을 측정하는 것보다 정밀하게 소스 가스의 양을 측정할 수 있으며, 공급되는 소스 가스의 양을 일정하게 유지할 수 있다.
또한, 일정한 양의 소스 가스가 챔버 본체 내부로 공급되기 때문에, 균일하게 증착된 막을 형성할 수 있다.
이하, 바람직한 실시예를 도시한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 소스 가스 공급 유닛, 이를 구비하는 증착 장치 및 방법에 대해 상세히 설명한다.
도1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 소스 가스 공급 유닛을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도1을 참조하면, 소스 가스 공급 유닛(100)은 소스(111)가 저장되는 캐니스터(112), 상기 캐니스터(112)를 가열하기 위한 가열부(113), 상기 캐니스터(112)의 일측에 설치되는 소스 가스 공급관(114), 상기 소스 가스 공급관(114)에 설치되어, 상기 소스 가스 공급관(114)를 통과하는 소스 가스의 양을 측정하는 측정 수단(115) 및 상기 가열부(113)와 상기 측정 수단(115)에 연결되는 온도 제어부(116)를 포함한다.
또한, 상기 소스 가스 공급 유닛(100)은 상기 캐니스터(112)와 연결되어, 상기 캐니스터(112) 내부로 상기 소스(111)를 공급하는 소스 공급부(117) 및 상기 소스 가스 공급관(114)에 설치되어, 상기 소스 가스 공급관(114)을 개폐하는 개폐 부(118)를 더 포함한다.
상기 소스(111)는 증착을 통해 막을 형성하기 위한 물질로서, 액체 상태로 존재하며, 상기 가열부(113)에 의해 제공되는 열에 의해 기화된다.
상기 캐니스터(112)는 상기 소스(111)를 저장하며, 중공의 실리더 형태 또는 중공의 육면체 형태를 가질 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 가열부(113)는 상기 소스(111)를 기화시키기 위하여 캐니스터(112)에 열을 가하며, 상기 캐니스터(112)에 일체로 설치될 수 있고, 상기 캐니스터(112)에 탈부착 가능하도록 설치될 수도 있다.
또한, 상기 가열부(113)는 상기 캐니스터(112)에 내장될 수 있으며, 상기 캐니스터(112)의 외부에 위치할 수도 있으나, 효율적인 가열을 위하여 상기 캐니스터(112)에 내장되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 가열부(113)는 상기 캐니스터(112)의 전면에 설치될 수 있으며, 하부면 또는 측면 등과 같이 일부 영역에만 선택적으로 설치될 수도 있다.
상기 가열부(113)는 램프 히터 또는 코일 히터일 수 있다.
상기 소스 가스 공급관(114)은 상기 가열부(113)에 의해 기화된 소스 가스를 상기 캐니스터(112)의 외부로 공급하기 위한 통로로서, 상기 캐니스터(112)의 일부분이 연장되어 형성될 수 있으며, 별도의 관이 상기 캐니스터(112)와 결합된 형태일 수 있다.
상기 측정 수단(115)은 상기 소스 가스 공급관(114)을 지나는 소스 가스의 양을 측정하는 장치로서, 상기 소스 가스 공급관(114)에 설치되며, 상기 온도 제어 부(116)와 연결되어, 측정되는 소스 가스의 양을 상기 온도 제어부(116)에 전송한다.
상기 온도 제어부(116)는 상기 가열부(113) 및 상기 측정 수단(115)과 연결되어, 상기 측정 수단(115)에 의해 측정된 소스 가스의 양에 따라 상기 가열부(113)를 제어한다.
즉, 상기 온도 제어부(116)는 상기 측정 수단(115)에 의해 측정되는 소스 가스의 양이 공급되어야 하는 기준량보다 작으면, 상기 가열부(113)가 현재 공급하는 온도보다 더 높은 온도로 상기 캐니스터(112)를 가열하도록 하고, 측정되는 소스 가스의 양이 기준량보다 많으면, 상기 가열부(113)가 현재 공급하는 온도보다 더 낮은 온도로 상기 캐니스터(112)를 가열하도록 제어한다.
상기와 같은 본 발명의 실시예에 따른 소스 가스 공급 유닛(100)의 동작을 살펴보면,
증착 공정이 시작되면, 상기 가열부(113)를 이용하여 상기 캐니스터(112)를 가열함으로써, 소스(111)를 기화시킨다.
이때, 온도 제어부(116)는 초기 설정 온도로 상기 캐니스터(112)를 가열하도록, 상기 가열부(113)를 제어한다.
이때, 개폐부(118)는 열려진 상태이므로, 기화된 소스 가스가 소스 가스 공급관(114)을 통해 외부로 공급된다.
또한, 소스 공급부(117)는 캐니스터(112)의 내부에 저장된 소스(111)가 일정한 양을 유지하도록, 캐니스터(112)의 내부로 소스(111)를 공급한다.
측정 수단(115)은 소스 가스 공급관(114)을 통해 외부로 공급되는 소스 가스의 양을 측정하여, 측정된 값을 온도 제어부(116)에 전송한다.
온도 제어부(116)는 상기 측정 수단(115)으로부터 측정된 소스 가스의 양에 따라 가열부(113)를 제어한다.
즉, 상기 온도 제어부(116)는 상기 측정 수단(115)에 의해 측정되는 소스 가스의 양이 공급되어야 하는 기준량보다 적으면, 상기 가열부(113)가 현재 공급하는 온도보다 더 높은 온도로 상기 캐니스터(112)를 가열하도록 하고, 측정되는 소스 가스의 양이 기준량보다 많으면, 상기 가열부(113)가 현재 공급하는 온도보다 더 낮은 온도로 상기 캐니스터(112)를 가열하도록 제어한다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 소스 가스 공급 유닛을 이용하면, 캐리어 가스가 캐니스터의 내부에 공급되지 않아도 되므로, 캐리어 가스에 의해 소스의 형태나 용량이 영향을 받지 않으므로, 소스가 안정적으로 기화될 수 있다.
또한, 소스 가스 공급관을 통해 외부로 공급되는 소스 가스의 양에 따라 가열부의 온도를 제어하므로, 공급되는 소스 가스의 양을 일정하게 유지할 수 있다.
또한, 측정 수단은 소스 가스와 캐리어 가스가 혼합된 혼합 가스의 양을 측정하는 것이 아니라, 소스 가스의 양만을 측정하기 때문에, 혼합 가스의 양을 측정하는 것보다 정밀하게 소스 가스의 양을 측정할 수 있기 때문에, 균일한 소스 가스를 공급할 수 있다.
도2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 증착 장치를 설명하기 위한 개략적 인 구성도이다.
도2를 참조하면, 화학 기상 증착 장치(500)는 소스 가스를 공급하는 소스 가스 공급 유닛(510), 캐리어 가스를 공급하는 캐리어 가스 공급부(530) 및 상기 소스 가스와 상기 캐리어 가스를 공급받아 증착 공정을 실시하는 증착 챔버(550)를 포함한다.
상기 소스 가스 공급 유닛(510)은 본 발명의 실시예에 따른 소스 가스 공급 유닛(100)과 동일하므로, 구체적인 설명은 생략한다.
상기 캐리어 가스 공급부(530)는 제 1 관(540)을 통해 상기 소스 가스 공급 유닛(510), 더 정확하게는 소스 가스 공급관(514)과 연결된다.
또한, 상기 캐리어 가스 공급관(540)을 개폐하기 위한 제1 개폐부(545)가 상기 제 1 관(540)에 설치될 수 있다.
상기 증착 챔버(550)는 제 2 관(560)을 통해 상기 소스 가스 공급 유닛(510), 더 정확하게는 소스 가스 공급관(514)과 연결된다.
또한, 상기 혼합 가스 공급관(560)을 개폐하기 위한 제 2 개폐부(565)가 상기 제 2 관(560)에 설치될 수 있다.
따라서, 상기 소스 가스 공급관(514), 상기 제 1 관(540) 및 상기 제 2 관(560)의 각 일 끝단은 상호 연결된다.
이때, 상기 소스 가스 공급관(514), 상기 제 1 관(540) 및 상기 제 2 관(560)이 연결되는 부위의 상기 제 1 관(540)과 상기 제 2 관(560)은 오리피스 형상을 가질 수 있다.
따라서, 오리피스 형상인 부위에서는 압력이 떨어지게 되어, 상기 캐리어 가스 공급부(540)으로부터 제공되는 캐리어 가스가 상기 소스 가스 공급관(514)으로 유입되는 것을 방지할 수 있다.
상기 증착 챔버(550)는 챔버 본체(551), 서셉터(552) 및 샤워 헤드(553)를 포함한다.
상기 챔버 본체(551)는 증착 공정이 진행되는 공간을 제공하며, 원통형 또는 박스 형상을 갖을 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 챔버 본체(551)의 하부에는 증착 공정에 따른 잔류 가스를 배출하기 위한 배출구(554)가 구비되며, 상기 챔버 본체(551)의 일측에는 기판(S)을 투입 및 배출하기 위한 출입구(미도시)가 구비된다.
상기 서셉터(552)는 상기 챔버 본체(551)의 내측 하부에 위치하며, 상기 챔버 본체(551)의 내부로 투입되는 상기 기판(S)이 안착되며, 공정이 진행되는 동안 상기 기판(S)을 지지한다.
상기 샤워 헤드(553)는 상기 챔버 본체(551)의 내측 상부에 상기 서셉터(552)와 마주보도록 구비된다.
상기 샤워 헤드(553)는 상기 제 2 관(560)과 연결되며, 상기 제 2 관(560)을 통해 캐리어 가스와 소스 가스가 혼합된 혼합 가스를 공급받아, 소스를 이루는 물질을 상기 기판(S) 상에 고르게 증착되도록 분사한다.
상기와 같은 본 발명의 실시예에 따른 증착 장치(500)의 동작을 살펴보면,
증착을 위한 공정이 시작되면, 우선, 가열부(513)를 이용하여 캐니스터(512) 를 가열함으로써, 소스(511)를 기화시킨다.
이때, 온도 제어부(516)는 초기 설정 온도로 상기 캐니스터(112)를 가열하도록, 상기 가열부(113)를 제어한다.
이때, 소스 가스 공급 유닛(510)의 개폐부(518)는 열린 상태이며, 따라서, 기화된 소스 가스가 소스 가스 공급관(514)을 통해 외부로 공급될 수 있다.
또한, 소스 공급부(517)는 상기 캐니스터(512)의 내부에 저장된 상기 소스(511)가 일정한 양을 유지하도록, 상기 캐니스터(512)의 내부로 상기 소스(511)를 공급한다.
측정 수단(515)은 상기 소스 가스 공급관(514)을 통해 외부로 공급되는 소스 가스의 양을 측정하여, 측정된 값을 온도 제어부(516)에 전송한다.
상기 온도 제어부(516)는 상기 측정 수단(515)으로부터 측정된 소스 가스의 양에 따라 상기 가열부(513)를 제어한다.
즉, 상기 온도 제어부(516)는 상기 측정 수단(515)에 의해 측정되는 소스 가스의 양이 공급되어야 하는 기준량보다 적으면, 상기 가열부(513)가 현재 공급하는 온도보다 더 높은 온도로 상기 캐니스터(512)를 가열하도록 하고, 측정되는 소스 가스의 양이 기준량보다 많으면, 상기 가열부(513)가 현재 공급하는 온도보다 더 낮은 온도로 상기 캐니스터(512)를 가열하도록 제어한다.
이때, 제 1 개폐부(545) 및 제 2 개폐부(565)는 캐리어 가스 및 혼합 가스가 통과할 수 있도록, 열려 있다.
상기 소스 가스 공급관(514)을 통해 외부로 공급되는 소스 가스는 제 1 관(540)을 통해 공급되는 캐리어 가스와 함께 혼합되어, 제 2 관(560)을 따라 이동되어, 증착 챔버(550)의 샤워 헤드(553)에 공급된다.
상기 샤워 헤드(553)는 소스 가스와 캐리어 가스가 혼합된 혼합 가스를 공급받아 소스를 이루는 물질을 서셉터(552)에 안착된 기판(S) 상에 고르게 증착되도록 분사한다.
상기와 같이 본 발명의 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치를 이용하면, 일정한 양의 소스 가스가 챔버 본체 내부로 공급되기 때문에, 균일하게 증착된 막을 형성할 수 있다.
이상과 같이 본 발명을 바람직한 실시예를 도시한 도면을 참조하여 설명하였지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 소스 가스 공급 유닛을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
[도면의 주요부호에 대한 설명]
100, 510 : 소스 가스 공급 유닛 111, 511 : 소스
112, 512 : 캐니스터 113, 513 : 가열부
114, 514 : 소스 가스 공급관 115, 515 : 측정 수단
116, 516 : 온도 제어부 117, 517 : 소스 공급부
118, 518 : 소스 가스 공급 유닛의 개폐부
530 : 캐리어 가스 공급부 540 : 제 1 관
545 : 제 1 개폐부 550 : 증착 챔버
551 : 챔버 본체 552 : 서셉터
553 : 샤워 헤드 554 : 배출구
560 : 제 2 관 565 : 제 2 개폐부
S : 기판

Claims (22)

  1. 소스가 저장되는 캐니스터;
    상기 캐니스터를 가열하기 위한 가열부;
    상기 캐니스터의 일측에 형성되는 소스 가스 공급관;
    상기 소스 가스 공급관에 설치되어, 상기 소스 가스 공급관을 통과하는 소스 가스의 양을 측정하는 측정 수단; 및
    상기 가열부와 상기 측정 수단에 연결되는 온도 제어부를 포함하고,
    상기 온도 제어부는 상기 측정 수단에 의해 측정된 소스 가스의 양에 따라 상기 가열부를 제어하는 것을 특징으로 하는 소스 가스 공급 유닛.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐니스터와 연결되어 상기 캐니스터의 내부로 상기 소스를 공급하는 소스 공급부; 및
    상기 소스 가스 공급관에 설치되어, 상기 소스 가스 공급관을 개폐하는 개폐부를 더 포함하는 소스 가스 공급 유닛.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 가열부는 상기 캐니스터에 일체로 설치되거나 탈부착 가능하도록 설치되는 것을 특징으로 하는 소스 가스 공급 유닛.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 가열부는 상기 캐니스터의 전면에 설치되거나 일부 영역에만 설치되는 것을 특징으로 하는 소스 가스 공급 유닛.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 가열부는 상기 캐니스터의 하부면 또는 측면에 형성되는 것을 특징으로 하는 소스 가스 공급 유닛.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 가열부는 램프 히터 또는 코일 히터인 것을 특징으로 하는 소스 가스 공급 유닛.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 소스 가스 공급관은 상기 캐니스터의 일부가 연장되어 형성되는 것을 특징으로 하는 소스 가스 공급 유닛.
  8. 소스 가스를 공급하는 소스 가스 공급 유닛;
    캐리어 가스를 공급하는 캐리어 가스 공급부; 및
    상기 소스 가스와 상기 캐리어 가스가 혼합된 혼합 가스를 공급받아 증착 공 정을 실시하는 증착 챔버를 포함하고,
    상기 소스 가스 공급 유닛은 소스가 저장되는 캐니스터, 상기 캐니스터를 가열하기 위한 가열부, 상기 캐니스터의 일측에 형성되는 소스 가스 공급관, 상기 소스 가스 공급관에 설치되어, 상기 소스 가스 공급관을 통과하는 소스 가스의 양을 측정하는 측정 수단 및 상기 가열부와 상기 측정 수단에 연결되며, 상기 측정 수단에 의해 측정된 소스 가스의 양에 따라 상기 가열부를 제어하는 온도 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 캐리어 가스 공급부와 상기 소스 가스 공급 유닛을 연결하는 제 1 관; 및
    상기 증착 챔버와 상기 소스 가스 공급 유닛을 연결하는 제 2 관을 더 포함하는 증착 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 관은 상기 캐리어 가스 공급부와 상기 가스 공급 유닛의 상기 소스 가스 공급관을 연결하고,
    상기 제 2 관은 상기 증착 챔버와 상기 가스 공급 유닛의 상기 소스 가스 공급관을 연결하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 관에 설치되어, 상기 제 1 관을 개폐하는 제 1 개폐부와 상기 제 2 관에 설치되어, 상기 제 2 관을 개폐하는 제 2 개폐부를 더 포함하는 증착 장치.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 증착 챔버는 증착 공정이 진행되는 공간을 제공하는 챔버 본체;
    상기 챔버 본체의 내측 하부에 위치하며, 기판을 안착하고, 지지하는 서셉터;
    상기 챔버 본체의 내측 상부에 상기 서셉터와 마주보도록 위치하는 샤워 헤드를 포함하며,
    상기 제 2 관은 상기 샤워 헤드와 연결되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  13. 제 8 항에 있어서,
    상기 소스 가스 공급 유닛은 상기 캐니스터와 연결되어 상기 캐니스터의 내부로 상기 소스를 공급하는 소스 공급부; 및
    상기 소스 가스 공급관에 설치되어, 상기 소스 가스 공급관을 개폐하는 개폐부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  14. 제 8 항에 있어서,
    상기 가열부는 상기 캐니스터에 일체로 설치되거나 탈부착 가능하도록 설치 되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  15. 제 8 항에 있어서,
    상기 가열부는 상기 캐니스터의 전면에 설치되거나 일부 영역에만 설치되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  16. 제 8 항에 있어서,
    상기 가열부는 상기 캐니스터의 하부면 또는 측면에 형성되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  17. 제 8 항에 있어서,
    상기 가열부는 램프 히터 또는 코일 히터인 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  18. 제 8 항에 있어서,
    상기 소스 가스 공급관은 상기 캐니스터의 일부가 연장되어 형성되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  19. 가열부를 이용하여 캐니스터를 가열하여 소스를 기화시키는 기화 단계;
    소스 가스 공급관을 통해 외부로 공급되는 소스 가스의 양을 측정하여, 측정된 값을 온도 제어부로 전송하는 측정 및 전송 단계;
    측정된 소스 가스의 양에 따라 상기 온도 제어부를 이용하여 상기 가열부를 제어하는 제어 단계; 및
    상기 소스 가스와 캐리어 가스 공급부로부터 공급되는 캐리어 가스가 혼합되어 증착 챔버로 공급되는 공급 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 기화 단계는 상기 온도 제어부가 초기 설정 온도로 상기 캐니스터를 가열하도록 상기 가열부를 제어하는 것을 특징으로 하는 증착 방법.
  21. 제 19 항에 있어서,
    상기 제어 단계는 측정된 소스 가스의 양이 기준량보다 적으면, 현재 공급하는 온도보다 더 높은 온도로 상기 캐니스터를 가열하도록 제어하고, 측정된 소스 가스의 양이 기준량보다 많으면, 현재 공급하는 온도보다 더 낮은 온도로 상기 캐니스터를 가열하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 증착 방법.
  22. 제 19 항에 있어서,
    소스 공급부로부터 상기 캐니스터의 내부로 소스를 공급하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 방법.
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