KR20100118148A - 도핑된 유기 반도체층의 제조 방법 - Google Patents

도핑된 유기 반도체층의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

도핑된 유기 반도체층의 제조 방법이 제공되며, 상기 방법은 A) 매트릭스 물질의 제공 단계, B) 도펀트 착물의 제공 단계 및 C) 매트릭스 물질과 도펀트 착물을 기판상에 동시 증발 증착하는 단계를 포함하고, 이때 도펀트 착물은 C) 단계에서 분해되고 순수한 도펀트가 매트릭스 물질에 매립된다.

Description

도핑된 유기 반도체층의 제조 방법{METHOD FOR PRODUCING A DOPED ORGANIC SEMICONDUCTING LAYER}
본 발명은 유기 반도체층의 도핑 방법 및 전하 수송층을 포함한 광전 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
본 특허 출원은 독일 특허 출원 10 2008 011185.6의 우선권을 청구하고, 그 공개 내용은 참조로 포함된다.
예를 들면 유기 발광다이오드와 같은 광전 장치에서 유기 반도체층의 도핑은, 층들로의 전하 캐리어 주입 또는 전하 캐리어 수송을 개선하기 위해 중요할 수 있다. 유기 반도체층의 도핑을 위한 종래 방법은, 도핑이 층 내부에서 비균일하거나/비균일하고 확산되어 광전 장치의 유효 수명 및 전하 캐리어 주입의 신뢰도에 부정적으로 작용하도록 한다. 또한, 이제까지의 방법은 소모적이며 비용 집약적이다.
본 발명의 과제는 비용 효과적이며 취급 가능한 물질을 사용하는, 도핑된 유기 반도체층의 제조 방법을 제공하는 것이다. 이러한 과제는 특허 청구 범위 제1항에 따른 방법에 의하여 해결된다. 도핑된 유기 반도체층의 제조 방법을 이용하여 제조되며 전하 수송층을 포함하는 광전 장치의 제조 방법은 특허 청구 범위 제12항에 기술된다. 본 방법의 다른 실시예는 다른 청구항의 대상이다.
일 실시예에 따르면, 도핑된 유기 반도체층의 제조 방법은 A) 매트릭스 물질의 제공 단계, B) 도펀트 착물의 제공 단계 및 C) 기판상에 매트릭스 물질 및 도펀트 착물의 동시 증발증착 단계를 포함한다. 이때, C) 단계에서 도펀트 착물이 분해되고 순수한 도펀트가 매트릭스 물질에 삽입된다. 이때 양호하게 취급 가능하며, 특히 휘발되기 쉬우며 양호하게 기화될 수 있는 도펀트 착물이 선택되고, 상기 도펀트 착물은 분해될 때 순수한 도펀트를 방출하며, 상기 순수한 도펀트는 바로 매트릭스 물질에 매립된다.
A) 단계에서, 매트릭스 물질은 페난트롤린유도체, 이미다졸유도체, 트리아졸유도체, 옥사디아졸유도체, 페닐 함유 화합물, 축합 방향족을 함유한 화합물, 카르바졸 함유 화합물, 플루오렌유도체, 스피로플루오렌유도체 및 피리딘 함유 화합물을 포함한 군으로부터 선택될 수 있다.
이하, A) 단계에서 제공될 수 있는 매트릭스 물질에 대한 예가 기술된다. 페난트롤린유도체는 예를 들면 Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthrolin, 식 1)
식 1
Figure pct00001
또는 BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthrolin, 식 2)일 수 있다.
식 2
Figure pct00002
이미다졸유도체에 대한 예는 TPBi(1,3,5-Tris-(1-phenyl-1H-benzimidazol-2-yl)-benzol, 식 3)
식 3
Figure pct00003

및 TPBi와 유사한 화합물이다.
트리아졸유도체에 대한 예는 TAZ(3-(4-biphenyl)-4-phenyl-5-(4-tert-butylphenyl)-1,2,4-triazol, 식 4)이다.
식 4
Figure pct00004
옥사졸유도체는 예를 들면 Bu-PBD((2-4-biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol)이다.
페닐 함유 화합물 및 축합 방향족을 함유한 화합물은 예를 들면 DPVBi(4,4'-Bis(2,2-diphenyl-ethen-1-yl)-diphenyl), 루브린(rubrene), α-NPD(N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)benzidin), 1-TNATA(4,4',4''-Tris(N-(naphth-1-yl)-N-phenyl-amino)triphenylamin)이다.
카르바졸 함유 화합물은 BCzVBi(4,4'-Bis(9-ethyl-3-carbazolvinylen)1,1'-biphenyl)일 수 있으나, 예를 들면 CBP(4,4'-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl)과 같이 더 작은 카르바졸 유도체도 가능하며, 이는 주로 π-시스템에 의해 착물을 형성할 수 있다.
또한, 매트릭스 물질로서 비피리딜-, 테르피리딜- 또는 트리피리딜 함유 화합물이 사용될 수 있을 뿐만 아니라, 예를 들면 F4TCNQ(테트라플루오르테트라시아노퀴노디메탄)과 같이 전자를 강하게 끌어당기는 물질이 사용될 수 있다.
또한, 본 방법의 C) 단계에서 도펀트 착물은 도펀트 및 적어도 하나의 리간드로 분해될 수 있다. 본 방법을 위해, 기화 가능하면서 분해 가능한 도펀트 착물, 예를 들면 가스형 리간드 또는 휘발되기 쉬운 리간드를 포함한 착물이 적합하다.
또한, 도펀트로서 금속 및/또는 금속 클러스터(metal cluster)가 선택될 수 있다. 금속은 전이 금속, 란탄족, 주족 금속을 포함한 군으로부터 선택될 수 있다. 예를 들면 Zn, Cd, Hg, Mg, Ca, Sr, Ba, Al, Ga, In, Tl, Bi, Sn, Pb, Fe, Cr, Co, Os, Ru, Rh, Ir, Ni, Cu, Mn, Re, W, Mo, Nb, Zr, As, Sb, V, Ta, Ti, Sc가 사용될 수 있고, 란탄족으로서 예를 들면 Ce, Er, Gd, Hf, La, Nd, Pr, Sm, Tb, Tm, Yb가 사용될 수 있다.
본 방법에서 리간드로는, 카르보닐-, 포스핀-, 사이클로펜타디에닐- 및 아렌-리간드를 포함한 군으로부터의 리간드가 선택될 수 있다. 이러한 리간드는 휘발되기 쉽고, 도펀트의 에너지 작용하에 가스상에서 분리될 수 있어서, 예를 들면 금속 원자 및/또는 금속 클러스터와 같은 도펀트가 순수한 형태로 얻어진다. 표 1에는 예시적인 전이 금속을 포함한 도펀트 착물의 예가 기술된다.
금속/금속 클러스터 도펀트 착물의 예
3. 부족 Cp3Sc
4. 부족 Cp2Ti(CO)2, Cp2Ti(아세틸렌유도체), Cp2Zr(아세틸렌유도체), Cp2Hf(아세틸렌유도체)
5. 부족 V(CO)6, V(Cp)2, NbCp4, TaCp4
6. 부족 Cr(CO)6, 디벤졸크롬, Mo(CO)6, W(CO)6
7. 부족 Mn2(CO)10, Re2(CO)10
8a. 부족 Fe(CO)5, Fe2(CO)9, Fe3(CO)12, 페로신(ferrocene), Ru(CO)5, Ru3(CO)12, Ru6(CO)18, OS(CO)5, OS3(CO)12
8b. 부족 CO2(CO)8, CO4(CO)12, Co6(CO)16, Rh2(CO)8, Rh4(CO)12, Rh6(CO)16, Ir4(CO)12, Ir6(CO)16
8c. 부족 Ni(CO)4
1b. 부족 사이클로펜타디에닐(트리에틸포스핀)구리(I)
또한, 카르보닐금속원자이온 및 카르보닐금속할로게나이드의 반응에 의해 혼합된 금속카르보닐이 제공될 수 있고, 이는 예를 들면 (OC)4Co-Pt(py)2-Co(CO)4, H3ReOs3(CO)12 및 HCoRu2(CO)13이 있다. CO 리간드는 부분적으로 또는 전체가 포스핀리간드로 대체될 수 있다. 이로써, 본 방법에서 도펀트로 사용될 수 있는 금속의 선택이 전이 금속계로 확대된다. 사이클로펜타디에닐- 또는 아렌리간드는 도펀트 착물의 기화 특성 및 분해 특성을 조절하기 위해 치환될 수 있다.
Zn은, 예를 들면, 알킬 = 메틸 또는 에틸인 경우에 Cp*2Zn 또는 Zn(alkyl)2 으로 도펀트 착물로서 사용될 수 있다.
Mg, Ca, Sr, Ba와 같은 주족 원소는 Cp2Mg, Cp*2Mg, Cp2Ca, Cp2Sr, Cp2Ba로서 착화될 수 있다.
Al, Ga, In, Tl, Bi-개별 원자는 상기 원자의 알킬화합물에 의해 본 방법에서 도펀트 착물로서 사용될 수 있으며, 상기 알킬화합물은 트리메틸알루미늄, 트리에틸알루미늄, 트리메틸갈륨, 트리에틸갈륨, 트리메틸인듐, 트리에틸탈륨, 트리페닐비스무트가 있다. 탈륨은 사이클로펜타디에닐탈륨으로서 착화될 수 있다.
Sn 또는 Pb를 포함한 도펀트 착물은 예를 들면 SnCp2 및 PbCp2, 또는 이것의 과메틸화되거나 과페닐화된 유도체, 즉 Pb(alkyl, aryl)4, Sn(alkyl, aryl)4이며, 이때 예를 들면 알킬 = 에틸이고, 아릴 = 페닐이다.
As, Sb, Bi를 포함한 도펀트 착물은 알킬 리간드 또는 아릴 리간드 및 혼합된 알킬 수소 화합물을 포함한 As(III), Sb(III), Bi(III)일 수 있고, 이때 알킬 수소 화합물은 아르신, 스티빈 또는 비스무틴이 있다.
예를 들면 Ce, Er, Gd, Hf, La, Nd, Pr, Sm, Tb, Tm, Yb와 같은 란탄족을 포함한 도펀트 착물은 예를 들면 사이클로펜타디에닐화합물 및 그 유도체, 즉 트리스(사이클로펜타디에닐)세륨, 트리스(사이클로펜타디에닐)에르븀, 트리스(사이클로펜타디에닐)가돌리늄, 비스(사이클로펜타디에닐)디메틸하프늄, 트리스(사이클로펜타디에닐)란타늄, 트리스(사이클로펜타디에닐)네오디뮴, 트리스(사이클로펜타디에닐)프래소디뮴, 트리스(사이클로펜타디에닐)사마륨, 트리스(이프로필사이클로펜타디에닐)테르븀, 트리스(사이클로펜타디에닐)튤륨, 트리스(사이클로펜타디에닐)이터븀이 있다.
또한 본 방법의 C) 단계에서 도펀트 착물은 연속적으로 기화되고 분해될 수 있다. 도펀트 착물의 분해는, 예를 들면 노즐 및/또는 와이어를 이용한 열적 가열, 예를 들면 사용되는 도펀트 착물의 흡수 스펙트럼에 동조된 레이저, UV 또는 IR을 이용한 전자기 조사, 무선주파수를 이용한 조사 또는 예를 들면 캐리어 가스를 이용한 플라즈마와 같은 마이크로파 조사로부터 선택되는 방법으로 수행될 수 있다. 도펀트 착물의 분해는 가스상에서 시작될 수 있다.
따라서, 용융점이 매우 높아 기화되기 어려운 경우가 많은 금속과 같은 도펀트는 상기에 열거한 리간드와 같이 휘발되기 쉬운 화합물과의 금속의 분해성 착물이 사용됨으로써 활용될 수 있다. 도펀트 착물은 소기의 도펀트, 예를 들면 개별 금속 원자 또는 금속 클러스터의 제공을 위한 전구체로서 역할한다. 가스상에서 시작될 수 있는 리간드의 분리 이후에, 개별 금속 원자 또는 제조된 소기의 금속 클러스터가 존재한다. 금속 원자 및/또는 금속 클러스터는 응고하지 않는데, 예를 들면 10-4 mbar미만의 압력을 포함한 진공이 조성되는 제조 조건하에서 평균 자유 행정(mean free path)이 조직 규격보다 크기 때문이다. 따라서, 순수한 금속 및/또는 금속 클러스터는 다른 금속 원자와 충돌(collision)하여 클러스터 결합을 이루기 전에 매트릭스 물질에 매립될 수 있다.
또한, 방법의 C) 단계에서는, 매트릭스 물질로의 매립 시 매트릭스 물질과 착물을 형성하는 도펀트가 사용될 수 있다. 도펀트는 매트릭스 물질을 p형 또는 n형으로 도핑할 수 있다. 예를 들면 매트릭스 물질 및 금속 원자 및/또는 금속 클러스터가 동시에 기판상에 증발 증착되면, 금속 원자 및/또는 금속 클러스터는 리간드의 분리 이후에 매트릭스로부터 착화될 수 있다.
이때, 각 금속 원자 및/또는 금속 클러스터의, 열 역학적으로 안정된 착물이 생성될 수 있다. 예를 들면, Fe가 도펀트로서 사용된 경우 3개의 매트릭스 분자와의 상호 작용에 의해 8면체 착물이 생성될 수 있다(도식 1):
도식 1
Figure pct00005
도식 1은 2개의 질소 원자를 포함한 매트릭스 물질을 기호로 개략적으로 도시한다. 상기 질소 원자는 금속(Me)에 배위될 수 있다. 예를 들면, 매트릭스 물질로서 Bphen 또는 BCP가, 금속(Me)으로서 Fe 또는 Cr이 사용될 수 있고, 이때 3개의 매트릭스 분자는 금속을 상기 매트릭스 분자의 질소 원자에 의해 착화한다. 착물 형성에 의해, 금속은 매트릭스 물질에 단단히 결합되고, 매트릭스 물질에서 더 이상 확산되지 않을 수 있다.
유기 반도체층이 도펀트로 n형 도핑되면, 예를 들면, 매트릭스 물질에의 도펀트 삽입 이후에 자유 전자가 n형 도전을 위해 제공되는 가의 여부가 결정될 수 있다. 이를 위해, 각 금속 원자에 위치한 전자의 수를 세는데, 이때 Fe는 예를 들면 8개의 외각 원자이다. 도식 1에 도시된 예시적인 3개의 리간드는 3 x 4 = 12 전자를 제공한다. 매트릭스 물질에는 이제 Fe 원자가 20개의 전자 주변에 위치한다. 전자 안정적 형태(configuration)는 18개의 전자로 구성된다. 두 개의 잉여 전자는 이제부터 전자 안내를 위한 전하 캐리어로서 제공된다. 따라서, 매트릭스 물질은 n형 도핑된다.
Cr을 위한 유사한 계산의 결과 전하 수송을 위한 잉여 전자가 얻어지지 않는다. 물론, 금속 Cr은 전극 전위 서열에서 낮아서(-0.56 V), 매트릭스로 적어도 하나의 부분적 전하 전이가 예상될 수 있다. 이와 유사한 계산은 예를 들면 Ru와 같은 금속의 경우에도 적용된다. 예를 들면 비피리딜매트릭스와의 Ru의 착물은 마찬가지로 n형 도핑을 위해 2개의 전자를 제공할 것이다.
일반적으로, 매트릭스의 자리(denticity)는 2개에 한정되지 않는다. 자리가 많으면 착물 안정성도 증가한다. 또한, 이러한 산정은 표본으로서 이해될 수 있다.
전자 안내를 위한 순전하(net charge)가 제공된다는 점이 중요하다. 예를 들면, Fe 원자 또는 Cr 원자는 2개의 아렌리간드에 의해 π결합을 이룰 수 있다.
각 매트릭스 물질 및 도펀트에 따라, 도펀트의 주변, 예를 들면 금속 원자의 주변이 달라질 수 있다.
즉, 매트릭스 물질과의 선형 착물, 4면체 착물, 8면체 착물 또는 삼각 쌍뿔 착물이 발생할 수 있다. 구리는 페난트롤린과 예를 들면 4면체 배열로 착화된다. 이는 2개, 3개 또는 그 이상의 금속 원자로 구성하여 제조된 소기의 금속 클러스터의 경우에도 동일하게 관찰된다.
본 발명은 광전 장치의 제조 방법에 관한 것이기도 하다. 본 장치는 기판, 상기 기판상에서 구동 시 제1전하의 전하 캐리어를 배출하는 제1전극, 제1전하의 전하 캐리어를 수송하는 제1전하 수송층, 상기 제1전하 수송층상의 적어도 하나의 방출층 및 상기 적어도 하나의 방출층상에서 구동 시 제2전하의 전하 캐리어를 배출하는 제2전극을 포함한다. 방법에서, 제1전하 수송층은 상기에 열거한 실시예에 따른 방법을 이용하여 제조된다.
따라서, 광전 장치, 예를 들면 유기 발광다이오드가 제조될 수 있고, 상기 발광다이오드는 도핑에 의해 전하 캐리어 주입이 증가된 적어도 하나의 전하 수송층을 포함한다. 도핑은 예를 들면 n형 도핑일 수 있다. 이때, 제1전극은 전자 주입 캐소드이고, 전하 수송층은 전자 수송층이다. 앞에서 기술한 방법에 의해, 전하 수송층의 균일한 도핑이 얻어질 수 있어서, 장치의 유효 수명이 증가한다.
본 발명은 도면에 의거하여 더 상세히 설명된다.
도 1은 유기 발광다이오드의 개락적 측면도이다.
도 2는 도핑된 유기 반도체층의 제조를 위한 예시적 장치를 도시한 개략도이다.
도 1은 기판(10), 제1전극(20), 제1전하 수송층(30), 방출층(40), 제2전극(50)을 포함한 유기 발광다이오드의 개략적 측면도를 도시한다. 전하 수송층(30)은 매트릭스 물질의 도핑을 포함하고, 상기에 기술한 방법 중 하나에 따라 상기에 언급한 매트릭스 물질 및 도펀트를 포함하여 제조된다. 이러한 층은 필요 시 다른 소자를 위해 사용될 수 있다. 유기 발광다이오드는 제2전하 수송층 및/또는 복수 개의 방출층을 더 포함할 수 있다(여기에 도시되지 않음).
도 2는 도핑된 유기 반도체층의 제조를 위한 예시적 장치를 개략적으로 도시한다. 진공 수용부(60)에서 회전 기판 접시(70)가 위치하고, 전기적으로 가열된 세라믹 노즐(80)로부터 도펀트 착물이 상기 기판 접시상에 증발증착된다(점선의 화살표로 표시되어 있음). 또한, 전기 가열된 몰리브덴 보트(molybdenum boat)(90)로부터 매트릭스 물질은 기판 접시상에 증발증착된다(파선 화살표로 표시되어 있음). 이를 통해, 기판 접시(70)상에서, 균일하게 매립된 도펀트를 함유한 매트릭스 물질을 포함하는 유기 반도체층이 제조될 수 있다.
일 실시예에서, 도 2에 따르면, 예비 배기된 압력 컨테이너에서 Fe(CO)5는 110℃로 가열된다. 내부압은 약 1 bar로 상승한다. 기화된 도펀트 착물은 약 20 sccm의 통과 유속으로, 전기 가열되며 백색으로 작열하는 세라믹 노즐(80)을 통과하여 진공 수용부(60)로 안내된다. 노즐은 회전 기판(70)에 대해 경사져 있다. 유사하게 설치된 전기 가열된 몰리브댄 보트(90)는 예를 들면 BCP와 같은 매트릭스 물질의 증착을 위해 역할한다. 몰리브댄 보트를 통과하는 전류는, 성장율이 0.1 nm/s가 되도록 조절된다. 이러한 방식으로, 약 5분내에 30 nm의 철 도핑된 BCP가 나타난다.
예를 들면, Fe(CO)5 대신 Ni(CO)4가 사용되면, 압력 컨테이너는 겨우 40℃로 가열된다. 이때, 니켈 도핑된 층이 얻어진다.
또한, Fe(CO)5 대신 트리에틸알루미늄이 사용될 수 있다. 압력 컨테이너는 80℃로 가열된다.
Fe(CO)5는 냉간 노즐에 의해 안내될 수 있다. 레이저원은 유입구상의 일센티미터만큼 집속되고, 상기 레이저원은 Fe(CO)5의 IR 카르보닐밴드의 2200 내지 1700 cm-1이라는 흡수압 주파수에 맞춰지며, 도펀트 착물을 분해할 수 있다(레이저원은 도 2에 미도시됨).
또한, 고형 Cr(CO)6은 전류 제어된 소스에 채워질 수 있고, 상기에 열거된 예와 유사하게 분해될 수 있다.
Cr(CO)6 대신 디벤졸크롬이 사용될 수 있다. 아렌리간드의 분리를 위해 충분히 강한 적색 레이저가 사용될 수 있다.
도 1 및 2에 도시된 실시 형태 및 실시예는 임의적으로 달라질 수 있다. 또한, 본 발명은 상기 예에 한정되지 않고 여기에 상술되지 않은 다른 형성예도 허용하고 있음을 주지해야 할 것이다.

Claims (12)

  1. 도핑된 유기 반도체층을 제조하는 방법에 있어서,
    A) 매트릭스 물질의 제공 단계,
    B) 도펀트 착물의 제공 단계, 및
    C) 상기 매트릭스 물질 및 상기 도펀트 착물을 동시에 기판상에 증발증착하는 단계
    를 포함하고,
    상기 C) 단계에서 상기 도펀트 착물이 분해되고, 순수한 도펀트가 상기 매트릭스 물질에 매립되는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 A) 단계에서 매트릭스 물질이 제공되고, 상기 매트릭스 물질은 페난트롤린유도체, 이미다졸유도체, 트리아졸유도체, 옥사디아졸유도체, 페닐 함유 화합물, 축합 방향족을 함유한 화합물, 카르바졸 함유 화합물, 플루오렌유도체, 스피로플루오렌유도체, 피리딘 함유 화합물을 포함한 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 C) 단계에서 상기 도펀트 착물은 도펀트 및 적어도 하나의 리간드로 분해되는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 도펀트는 금속 및/또는 금속 클러스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 금속 및/또는 금속 클러스터는 전이 금속, 란탄족 및 주족 금속을 포함한 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 청구항 3에 있어서,
    상기 적어도 하나의 리간드는 카르보닐리간드, 포스핀리간드, 사이클로펜타디에닐리간드 및 아렌리간드를 포함한 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 C) 단계에서 상기 도펀트 착물은 연속적으로 기화되고 분해되는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 C) 단계에서 상기 도펀트 착물은 열적 가열, 전자기 조사, 무선주파수 조사 및 마이크로파 조사로부터 선택된 방법을 이용하여 분해되는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 도펀트 착물의 분해는 가스상에서 시작되는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 C) 단계에서 상기 순수한 도펀트는 상기 매트릭스 물질에 삽입될 때 상기 매트릭스 물질과 착물을 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 도펀트는 매트릭스 물질을 n형 도핑하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 광전 장치의 제조 방법에 있어서,
    상기 광전 장치는
    기판,
    상기 기판상에서 구동 시 제1전하의 전하 캐리어를 배출하는 제1전극,
    상기 제1전하의 전하 캐리어를 수송하는 제1전하 수송층,
    상기 제1전하 수송층상에 위치한 적어도 하나의 방출층, 및
    상기 적어도 하나의 방출층상에서 구동 시 제2전하의 전하 캐리어를 배출하는 제2전극
    을 포함하고,
    상기 제1전하 수송층은 청구항 1 내지 11에 따른 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 광전 장치의 제조 방법.
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