KR20100105486A - 광전 송신 또는 수신 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

광전 송신 또는 수신 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 광전 송신 장치는 기판, 제1 도전층, 제2 도전층 및 광전 변환 칩을 포함한다. 기판은 상면과 리세스를 구비하고 복합 재료로 이루어진다. 리세스는 바닥면과, 바닥면에서 상면으로 상향 연장되는 내부 측벽에 의해 한정된다. 제1 도전층 및 제2 도전층은 레이저를 이용하여 기판의 복합 재료를 활성화시킴으로서 형성된다. 제1 도전층은 리세스의 바닥면에 배치되고 리세스의 내부 측벽 및 기판의 상면을 따라 외향 연장된다. 제2 도전층은 제1 도전층과 전기적으로 절연되고 기판의 상면을 따라 외향 연장된다. 광전 변환 칩은 리세스의 바닥면에 배치되고 리세스의 바닥면에 배치된 제1 도전층과 제2 도전층에 각각 전기적으로 연결된다.

Description

광전 송신 또는 수신 장치 및 그 제조 방법{PHOTOELECTRIC TRANSMITTING OR RECEIVING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 광전 송신 또는 수신 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 광 산란각이 작은 광전 송신 또는 수신 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
과학과 기술의 급속한 발전으로 조명 장치는 종래의 텅스텐-필라멘트 전구에서 형광 램프로 점진적으로 발전해 왔고, 이에 따라 오늘날 일상 생활에서 사용되는 조명 장치에 대해 선택의 폭이 넓어졌다. 최근에, 광전 변환 칩은 낮은 소비전력, 긴 사용 수명, 준비시간의 제거, 신속한 응답 속도 및 작은 부피 등과 같은 이점 때문에 응용 범위가 넓어졌다.
일반적으로, 종래의 광전 변환 칩은 종래의 인쇄회로기판(PCB)에 배치되어 광전 송신 또는 수신 장치를 형성하도록 전기적으로 연결된다. 그러나, 이 광전 변환 칩의 특성은 이로부터 방출되는 광이 일반적으로 광 산란각이 크다는 점이다. 특정 대상을 조명하기 위해 집중 광이 필요한 응용분야에서, 사발형(bowl-shaped) 구조가 광 빔을 집중시키기 위해 사용될 것이다. 일반적인 인쇄회로기판은 제한된 두께를 가지므로, 상당한 두께를 갖는 고가의 인쇄회로기판이 사용되지 않는 한, 일반적으로 별도의 반사 커버가 광전 변환 칩 주변의 회로기판에 배치되어야 한다. 그러나, 이로 인해 제조 공정이 복잡해지고 생산 비용이 추가된다.
도 1에 도시된 바와 같이, 상술한 문제를 해결하기 위해, 종래의 광전 송신 또는 수신 장치(1)는 사출 성형 공정에서 도전성 및 비도전성 플라스틱을 동시에 사출하여 두 개의 도전성 플라스틱부(11)와 그 사이에 개재된 비도전성 플라스틱부(12)를 형성함으로써 형성된다. 그후, 금속층이 도전성 물체에만 도금될 수 있는 금속막 도금 공정의 특성을 이용하여, 두 개의 도전층(14)이 두 개의 도전성 플라스틱부(11)에만 도금된다. 광전 변환 칩(15)은 광전 송신 또는 수신 장치(1)의 리세스(111)의 바닥면에 배치되어 두 도전층(14) 중 하나에 전기적으로 연결된다. 최종적으로, 와이어(16)가 광전 변환 칩(15)을 나머지 도전층(14)에 전기적으로 연결하는 데 이용된다. 금속층(즉, 도전층(14))으로 도금된 깊은 리세스(111)를 이용함으로써, 종래의 광전 송신 또는 수신 장치(1)는 광전 변환 칩(15)에 의해 방출된 광을 집중시키도록 구성되고, 이에 의해 광 산란각이 작아진다.
도 1에 도시된 광전 송신 또는 수신 장치(1)는 도전성 및 비도전성 플라스틱 스트립을 동시에 사출 성형한 후 반제품으로서 일체로 형성된 광전 송신 또는 수신 장치(1) 스트립을 슬라이싱하여 개별적인 광전 송신 또는 수신 장치(1)를 형성하는 방식으로 양산된다. 따라서, 두 개의 도전성 플라스틱부(11)는 도 1에 도시된 빗금부에만 도전층(14)을 갖도록 형성되는 한편, 빗금이 없는 부분은 도전층(14)을 갖지 않도록 형성된 슬라이싱된 횡단면부이다. 종래의 광전 송신 또는 수신 장치(1)가 수직 방향으로 장착되는 경우(즉, 장치가 장착면에 대해 전체적으로 수직하게 장착되는 경우), 슬라이싱된 횡단면부 상에서 장착면과 접촉되어야 한다. 그러나, 납땜 주석 및 회로 연결을 위한 다른 금속 재료는 금속 재료로 제조된 도전층(14)과 결합될 수 있지만 슬라이싱된 횡단면부와 밀접하게 결합될 수 없기 때문에, 이들은 양 쪽의 도전층(14)에만 부착된다. 결국, 납땜 주석만 이용하여서는 수직하게 장착되는 광전 송신 또는 수신 장치(1)를 전기적으로 확실히 연결 또는 고정시키기 어렵고, 광전 송신 또는 수신 장치(1)를 더 고정시킬 수 있는 다른 수단이 사용되어야 한다.
종래의 광전 송신 또는 수신 장치(1)는 도전성 플라스틱 및 비도전성 플라스틱을 동시에 사출 성형하여 두 개의 도전성 플라스틱부(11) 및 그 사이에 개재된 비도전성 플라스틱부(12)를 형성함으로써 형성되므로, 도전성 플라스틱부(11)와 비도전성 플라스틱부(12)의 형태를 정확히 제어하기 어렵다. 결국, 종래의 광전 송신 또는 수신 장치(1)의 크기를 더 줄이기 어렵다. 따라서, 작은 부피, 높은 신뢰성 및 작은 광 산란각을 특징으로 하는 광전 송신 또는 수신 장치를 제공하는 것이 당해 기술분야에서 매우 바람직하다
본 발명은 광전 송신 또는 수신 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 광전 송신 또는 수신 장치는 광 산란각이 작고, 크기가 더 작고 신뢰성이 개선된 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제1 실시예에 따른 광전 송신 또는 수신 장치는 기판, 제1 도전층, 제2 도전층 및 광전 변환 칩을 포함한다. 기판은 상면과 리세스를 구비하는데, 리세스는 바닥면과 바닥면에서 상면으로 상향 연장되는 내부 측벽에 의해 한정된다. 기판은 복합 재료로 제조되고 복합 재료는 레이저 조사를 이용한 활성화에 의해 복합 재료의 표면에 도전층이 형성되도록 구성된다. 제1 도전층은 레이저 조사를 통해 기판의 복합 재료를 활성화시킴으로서 형성된다. 제1 도전층은 리세스의 바닥면의 제1 부분에 배치되고 리세스의 내부 측벽 및 기판의 상면을 따라 외향 연장된다. 제2 도전층도 레이저 조사를 통해 기판의 복합 재료를 활성화시켜 형성되고 제1 도전층과 전기적으로 절연된다. 제2 도전층은 리세스의 바닥면의 제2 부분에 배치되고 리세스의 내부 측벽 및 기판의 상면을 따라 외향 연장된다. 광전 변환 칩은 리세스의 바닥면에 배치되고 리세스의 바닥면에 배치된 제1 도전층과 제2 도전층에 각각 전기적으로 연결된다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 광전 송신 또는 수신 장치의 제조 방법은, (a) 상면과 리세스를 갖는 기판을 제공하되 리세스는 바닥면 및 바닥면에서 상면으로 상향 연장되는 내부 측벽에 의해 한정되고 기판은 복합 재료로 제조되고 복합 재료는 레이저 조사를 이용한 활성화에 의해 복합 재료의 표면에 도전층이 형성되도록 구성되는 기판 제공 단계와, (b) 리세스의 상기 바닥면의 제1 부분, 상기 내부 측벽의 일부 및 기판의 상면 일부를 레이저로 조사하여 제1 도전층을 형성하는 제1 도전층 형성 단계와, (c) 리세스의 바닥면의 제2 부분, 내부 측벽의 일부 및 기판의 상면 일부를 레이저로 조사하여 제1 도전층에 대해 절연된 제2 도전층을 형성하는 제2 도전층 형성 단계와, (d) 리세스의 바닥면에 광전 변환 칩을 배치하고 광전 변환 칩을 리세스의 바닥면의 제1 도전층과 제2 도전층에 각각 전기적으로 연결하는 전기 연결 단계를 포함한다.
상술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제2 실시예에 따른 광전 송신 또는 수신 장치는 기판, 제1 도전층, 제2 도전층 및 광전 변환 칩을 포함한다. 기판은 상면과 리세스를 갖는다. 리세스는 바닥면 및 바닥면에서 상면으로 상향 연장되는 내부 측벽에 의해 한정된다. 기판은 복합 재료로 제조되고, 복합 재료는 레이저 조사를 이용한 활성화에 의해 복합 재료의 표면에 도전층이 형성되도록 구성된다. 제1 도전층은 레이저 조사를 통해 기판의 복합 재료를 활성화시켜 형성된다. 제1 도전층은 리세스의 바닥면에 배치되고 리세스의 내부 측벽 및 기판의 상면을 따라 외향 연장된다. 제2 도전층도 레이저 조사를 이용하여 기판의 복합 재료를 활성시킴으로써 형성되고, 제1 도전층과 전기적으로 절연된다. 제2 도전층은 리세스의 바닥면 외측에 배치되고 기판의 상면을 따라 외향 연장된다. 광전 변환 칩은 리세스의 바닥면에 배치되고 제1 도전층과 제2 도전층에 각각 전기적으로 연결된다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 광전 송신 또는 수신 장치의 제조 방법은, (a) 상면과 리세스를 갖는 기판을 형성하되 리세스는 바닥면 및 바닥면에서 상면으로 상향 연장되는 내부 측벽에 의해 한정되는 기판 형성 단계와, (b) 기판을 레이저 조사하여 제1 도전층을 형성하되 제1 도전층은 리세스의 바닥면에 형성되고 리세스의 내부 측벽 및 기판의 상면을 따라 외향 연장되는 제1 도전층 형성 단계와, (c) 기판을 레이저로 조사하여 제2 도전층을 형성하되 제2 도전층은 리세스의 바닥면의 외부에 형성되고 기판의 상면을 따라 외향 연장되고 제1 도전층과 절연되는 제2 도전체 형성 단계와, (d) 리세스의 바닥면에 광전 변환 칩을 배치하고 광전 변환 칩을 제1 도전층과 제2 도전층에 각각 전기적으로 연결하는 전기 연결 단계를 포함한다.
본 발명을 구현하는 상세한 기술 및 바람직한 실시예는 당업자가 본 발명의 특징을 잘 이해할 수 있도록 첨부 도면을 참조하여 이하에서 상술된다.
본 발명에 따르면, 본 발명에 따른 광전 송신 또는 수신 장치 및 그 제조 방법은 MID-LDS 기술을 이용하여 종래의 광전 송신 또는 수신 장치의 단점을 개선함으로써 보다 간단한 제조 공정, 보다 작은 부피 및 보다 작은 광 산란각을 얻을 수 있도록 하고 제조 비용을 보다 낮출 수 있다. 또한, 본 발명의 광전 송신 또는 수신 장치는 동일 세트의 몰드를 이용하여 사출 성형된 후 서로 다른 설계 패턴으로 레이저 조사되어 서로 다른 설계의 제품을 생산하도록 구성됨으로써, 몰드를 교체하지 않고서 제품 설계의 다양성을 현저히 개선할 수 있다.
도 1은 종래의 광전 송신 또는 수신 장치를 도시한다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 광전 송신 또는 수신 장치의 사시도이다.
도 3a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 광전 송신 또는 수신 장치의 정면도이다.
도 3b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 광전 송신 또는 수신 장치의 우측면도이다.
도 3c는 본 발명의 제1 실시예에 따른 광전 송신 또는 수신 장치의 배면도이다.
도 3d는 본 발명의 제1 실시예에 따른 광전 송신 또는 수신 장치의 저면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 광전 송신 또는 수신 장치의 대량 생산 중의 템플릿의 개략도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 광전 송신 또는 수신 장치의 사시도이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 광전 송신 또는 수신 장치의 대량 생산 동안의 템플릿을 도시한 개략도이다.
본 발명의 광전 송신 또는 수신 장치는 MID-LDS(Molded Interconnect Device-Laser Direct Structure) 기술을 이용하여 크기가 작고, 신뢰성이 높고, 광 산란각이 작도록 만들어진다. MID-LDS는 회로를 성형하는 공정으로서, 금속 원자로 도핑된 특정 복합 재료로 이루어진 캐리어가 이용되고 레이저로 조사되는데, 이는 복합 재료에서 금속 원자들 간의 결합을 방해하여 금속 원자들이 전하로 충전되어 그들 사이에 결합 인력을 나타내도록 한다. 결과적으로, 금속화 공정을 통해서, 금속층이 레이저 처리된 표면에 형성될 수 있다.
도2에는 MID-LDS 기술을 채용하는 본 발명의 제1 실시예에 따른 광전 송신 또는 수신 장치(2)의 구조가 도시된다. 본 발명의 광전 송신 또는 수신 장치(2)는 기판(21), 두 개의 레이저 처리 영역(22), 비도전성 영역(23) 및 광전 변환 칩(25)을 포함한다. 기판(21)은 상면(210)과 리세스(211)를 포함하는데, 리세스(211)는 바닥면(211a)과, 바닥면(211a) 및 기판(21)의 상면(210)에 연결된 내부 측벽(211b)에 의해 한정된다. 발광 다이오드(LED) 또는 광 센서인 광전 변환 칩(25)은 리세스(211)의 바닥면(211a)에 배치된다.
기판(21)은 상기 MID-LDS 기술에서 사용되는 복합 재료로 제조되는데, 이 복합 재료는 구리 원자와 같은 도핑된 금속 원자를 포함한다. 레이저 처리를 통해, 두 개의 레이저 처리 영역(22)과 비도전성 영역(23)이 기판(21)에 형성되는데, 비도전성 영역(23)은 레이저 처리 영역(22)을 반대되는 전기 극성을 갖는 두 도전층으로 분할한다. 구체적으로, 비도전성 영역(23)은 기판(21)의 상면(210)에서 리세스(211)의 바닥면(211a)으로 하향 연장되고, 리세스(211)의 바닥면(211a)를 지나, 최종적으로 내부 측벽(211b)을 따라 기판(21)의 상면(210)으로 상향 연장된다. 따라서, 비도전성 영역(23)은 레이저 처리 영역(22)을 서로 전기적으로 절연된 제1 도전층(241)과 제2 도전층(242)으로 분할한다. 본 실시예에서, 제1 도전층(241)은 리세스(211)의 바닥면(211a)의 제1 부분에 배치되어 리세스(211)의 내부 측벽(211b)과 기판(21)의 상면(210)을 따라 외향 연장되는 한편, 제2 도전층(242)은 리세스(211)의 바닥면(211a)의 제2 부분에 배치되어 리세스(211)의 내부 측벽(211b)과 기판(21)의 상면(210)을 따라 외향 연장된다.
광전 변환 칩(25)은 리세스(211)의 바닥(211a)에 배치되어 리세스(211)의 제1 도전층(241)과 제2 도전층(242)에 각각 전기적으로 연결된다. 또한, 리세스(211)의 바닥면(211a) 상의 제1 도전층(241)은 예컨대 다이 본딩(die bonding) 영역으로 광전 변환 칩(25)이 다이 본딩 영역에 배치되어 전기적으로 연결되어 있을 수 있는 한편, 제2 도전층(242)은 예컨대 와이어 본딩(wire bonding) 영역일 수 있다. 광전 변환 칩(25)은 와이어(26)를 통해 와이어 본딩 영역에 전기적으로 연결된다. 본 발명의 와이어(26)가 와이어 본딩 공정을 통해 광전 변환 칩(25)과 리세스(211)의 바닥면(211a) 상의 제2 도전층(242)을 전기적으로 연결함에 따라, 와이어 본딩과 다이 본딩 공정은 종래 기술에서와 같이 리세스(211) 외부에 와이어 본딩 영역을 배치할 필요없이 리세스(211)의 바닥면(211a) 상에서 수행될 수 있다. 따라서, 본 발명의 광전 송신 또는 수신 장치에 의해 생성된 광이 잘 형성되고, 와이어(26)가 종래 기술에 비해 더 짧은 거리에 걸쳐 있어서 쉽게 파손되지 않고 신뢰성이 높다. 또한, 밀봉 화합물(도시 안됨)이 리세스(211) 내에 배치되어 광전 변환 칩(25)과 와이어(26)를 덮는다. 밀봉 화합물은 와이어(26)를 지지하고 광전 변환 칩(25)과 와이어(26)를 보호하도록 작용한다.
더불어, 본 발명의 제1 도전층(241)과 제2 도전층은 구리 도금층, 니켈 도금층 및 금 도금층을 순서대로 포함하는 적층 구조로 형성된다. 구리 도금층은 화학적 막 도금 공정을 통해 레이저 처리 영역(22)에 형성되고, 니켈은 전기도금 공정을 통해 구리 도금층에 형성되고, 금 도금층은 전기도금 공정을 통해 니켈 도금층에 형성된다.
도 2 내지 도 3d를 참조하면, MID-LDS 공정을 이용하여 레이저 처리 영역(22)에 레이저 조사를 통해 제1 도전층(241)과 제2 도전층(242)을 형성함으로써, 도전층이 형성되는 장소가 본 발명의 광전 송신 또는 수신 장치(2)에서 정확히 제어될 수 있다. 사출 성형되는 종래의 광전 송신 또는 수신 장치(1)의 경우, 도전성 플라스틱부(11)와 비도전성 플라스틱부(12)의 형성을 정확히 제어하기가 어려워 크기를 더 줄이는 것이 불가능하다. 이에 반해, 본 발명의 광전 송신 또는 수신 장치(2)는 그 크기를 더 줄일 수 있을 뿐만 아니라 장치(2)의 크기 감소로 인해 와이어(26)의 단축이 가능하다. 감소된 크기로 인해, 와이어(26)에 접착제를 도포하기가 보다 용이하고 와이어(26)는 쉽게 파손되지 않는다.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 광전 송신 또는 수신 장치(1)는 도전성 플라스틱부 및 비도전성 플라스틱부가 서로 개재되어 있는 반제품의 스트립을 사출 성형하고, 반제품에 대해 일련의 제조 공정을 수행하고, 최종적으로 이들을 슬라이싱함으로써 양산된다. 슬라이싱된 표면에 도전층(14)이 형성되지 않고, 종래의 광전 송신 또는 수신 장치(1)가 수직 장착되어야 할 때(즉, 장치가 전체적으로 장착면에 대해 수직하게 장착될 때), 장치 양쪽에서 도전층(14)과 납땜 주석에 의해서만 고정될 수 있다. 이에 반해, 본 발명의 광전 송신 또는 수신 장치(2)는 MID-LDS 공정을 통해 형성됨으로써, 정확한 레이저 조사로 종래의 광전 송신 또는 수신 장치(1)를 형성하기 위해 사용되는 사출 성형 공정의 한계를 극복할 수 있다. 구체적으로, 본 발명의 광전 송신 또는 수신 장치(2)에서, 슬라이싱된 표면이 그 좌측 및 우측에 위치하도록 설계됨으로써, 기판(21)의 상면(210)과 연결된 측면(213)이 레이저에 의해 조사되어 그 위에 납땜 지점(soldering points)(212)을 형성할 수 있다. 이런 배치를 가짐으로써, 광전 송신 또는 수신 장치(2)는 수직 방향으로 측면(213)의 납땜 지점(212)에 의해 인쇄회로기판(도시 안됨)에 납땜될 수 있고, 이로써 측면 발광 광전 송신 또는 수신 장치(2)을 얻게 된다.
또한, 제1 도전층(241)과 제2 도전층(242)은 도 3c에 도시된 바와 같이 기판(21)의 상면(210)에 대향하는 기판(21)의 하면(214)으로 연장할 수 있다. 따라서, 본 발명의 광전 송신 또는 수신 장치(2)는 리세스(211)가 상향 대면하는 상태로 인쇄회로기판(도시 안됨)에 납땜되도록 하면(214)에 납땜 지점(212)이 형성될 수 있다. 그 결과, 광전 송신 또는 수신 장치(2)는 상면(210)이 상향 대면하는 상태로 배치될 수 있다. 또한, 다른 회로 본딩 재료를 고정하기 위한 영역이 확대되므로, 고정의 안정성이 현저하게 개선된다.
도 3a 내지 3d를 참조하면, 종래 기술에 비해, 광전 송신 또는 수신 장치(2)는 MID-LDS 공정을 이용함으로써 크기가 현저히 감소되고, 큰 종횡비를 갖는 리세스(211)로 인해 광 산란각이 현저히 줄어든다. 종래의 광전 송신 또는 수신 장치(1)와 비교하면, 본 발명의 광전 송신 또는 수신 장치(2)는 보다 소형의 장치에 적용가능하다. 실제적인 응용분야에서, 광전 송신 또는 수신 장치(2)는 리모콘의 신호 송수신기로서 사용되도록 적용된다.
광전 송신 또는 수신 장치(2)의 리세스(211)는 실질적으로 1.145 mm의 깊이 D를 갖는다. 기판(21)은 길이 L, 폭 W 및 리세스(211)의 깊이 D에 평행한 두께 H를 갖는다. 길이 L은 실질적으로 2.3 mm이고, 폭 W는 2.25 mm, 두께 H는 1.6 mm이다. 본 발명의 광전 송신 또는 수신 장치(2)의 상기 규격은 단지 예시적인 것이며 본 발명의 범위를 한정하는 것이 아님에 유의한다.
이하, 도 2를 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 광전 송신 또는 수신 장치(2)의 제조 방법을 설명한다. 우선, 상면(210)과 리세스(211)를 구비한 기판(21)을 제공하는 단계 (a)가 수행된다. 리세스(211)는 바닥면(211a)과, 바닥면(211a) 및 기판(21)의 상면(210)에 연결된 내부 측벽(211b)에 의해 한정된다. 기판(21)은 복합 재료로 제조되고, 복합 재료는 레이저 조사를 이용한 활성화에 의해 그 표면에 도전층이 형성되도록 구성된다. 단계 (a)에서, 대량 생산을 위해, MID-LDS에서 사용되는 복합 재료가 몰드(도시 안됨)로 사출되어 도 4에 도시된 바와 같은 템플릿(28)을 형성한다. 템플릿(28)은 서로 연결된 복수 열의 기판(21)을 포함하고, 각각의 기판(21)은 리세스(211)를 갖는다. 템플릿(28)은 후속 공정을 거쳐 최종적으로 서로 분리된 개별적인 광전 송신 또는 수신 장치(2)로 슬라이싱된다.
그후, 리세스(211)의 바닥면(211a)의 제1 부분, 내부 측벽(211b)의 일부 및 기판(210)의 상면(210)의 일부를 레이저로 조사하여 제1 도전층(241)을 형성하는 단계(b)가 수행된다. 또한, 단계(c)에서는, 리세스(211)의 바닥면(211a)의 제2 부분, 내부 측벽(211b)의 다른 일부 및 기판(21)의 상면(210)의 다른 일부를 레이저로 조사하여 제2 도전층(242)을 형성한다. 단계(b)와 (c)는 동시 수행되는 것이 바람직하다. 즉 두 개의 레이저 처리 영역(22)이 동시에 레이저 조사되어 그 위에 제1 도전층(241)과 제2 도전층(242)이 각각 형성되는 것이 바람직함에 유의한다. 또한, 제1 도전층(241)과 제2 도전층(242)은 측면(213)(기판(21)의 상면과 연결됨)으로 연장되어 그 상부에 납땜 지점(212)을 형성하여 본 발명의 광전 송신 또는 수신 장치(2)가 수직하게 장착되도록 할 수 있다. 이와 달리, 도 3c에 도시된 바와 같이, 제1 도전층(241)과 제2 도전층(242)은 인쇄회로기판(도시 안됨)에 납땜되도록 기판(21)의 상면(210)에 대향하는 기판(21)의 하면(214)으로 연장될 수 있다.
레이저 조사에 노출되지 않은 비도전성 영역(23)은 기판(21)의 상면(210)에서 리세스(211)의 바닥면(211a)으로 하향 연장되어, 리세스(211)의 바닥면(211a)을 지나, 최종적으로 리세스(211)의 내부 측벽(211b)을 따라 기판(21)의 상면(210)으로 상향 연장된다. 따라서, 비도전성 영역(23)은 레이저 처리 영역(22)을 서로 절연된 제1 도전층(241)과 제2 도전층(242)으로 분할한다.
단계(b)에서, 제1 도전층(241)을 형성하는 상세한 절차는 다음과 같다. 즉, (b1) 기판(21) 상의 레이저 처리 영역들(22) 중 하나에 구리 도금층을 화학적으로 도금하고, (b2) 구리 도금층에 니켈 도금층을 전기도금하고, (b3) 니켈 도금층에 금 도금층을 전기도금한다. 마찬가지로, 단계(c)에서, 제2 도전층(242)을 형성하는 상세한 절차는 다음과 같다. 즉, (c1) 기판(21) 상의 다른 레이저 처리 영역(22)에 구리 도금층을 화학적으로 도금하고, (c2) 구리 도금층에 니켈 도금층을 전기도금하고 및(c3) 니켈 도금층에 금 도금층을 전기도금한다. 바람직하게는, 단계(b) 및 단계(c)에서, 제1 도전층(241)과 제2 도전층(242)의 두 개의 구리 도금층이 동시에 형성되고, 두 개의 니켈 도금층이 동시에 형성되고, 두 개의 금 도금층이 동시에 형성된다.
제1 도전층(241)과 제2 도전층(242)을 형성한 후, 단계(d)에서 광전 변환 칩(25)이 리세스(211)의 바닥면(211a)에 배치되어 리세스(211)의 바닥면(211a)의 제1 도전층(241)과 제2 도전층(242)에 각각 전기적으로 연결된다.
단계(d) 이후, 본 발명의 제조 방법은 단계(e)를 더 포함하는데, 단계(e)에서는 광전 변환 칩(25)과 와이어(26)를 더도록 밀봉 화합물이 도포된다. 와이어(26)가 짧은 거리에 걸쳐 있음으로 해서, 밀봉 화합물이 도포되는 길이가 감소하고, 본 발명의 광전 송신 또는 수신 장치(2)에서 밀봉 화합물의 도포는 종래의 광전 송신 또는 수신 장치(1)에서 보다 더 용이하고 신뢰성있게 수행될 수 있다.
상기 공정의 완료후, 도 4에 도시된 템플릿(28)을 개별적인 광전 송신 또는 수신 장치(2)로 얇게 잘라내는 슬라이싱(slicing) 공정이 최종적으로 수행되어, 도 2에 도시된 광전 송신 또는 수신 장치(2)를 얻게 된다. 본 발명의 제조 방법에 의해 형성되는 광전 송신 또는 수신 장치(2)의 상세한 규격에 대해서는 앞서 설명했기에 반복하지 않는다. 본 발명에서, 상술한 슬라이싱 방향은 비도전성 영역(23)이 연장되는 방향에 평행하고, 이렇게 얻어진 개별 광전 송신 또는 수신 장치(2)가 수직하게 장착될 때, 그 측면(213)에는 납땜 주석 또는 다른 금속 본딩 재료로 본딩되도록 적용되는 제1 도전층(241)과 제2 도전층(242)의 납땜 지점(212)이 형성된다. 납땜 지점(212)은 제1 도전층(241)과 제2 도전층(242)에서 상면(210)에 대향하는 기판(21)의 하면(214)으로 더 연장될 수 있어서, 광전 송신 또는 수신 장치(2)는 수평 방향 장착시 리세스(211)가 상향 대면하는 상태로 하면(214)의 인쇄회로기판과 결합되도록 구성된다. 따라서, 종래의 광전 송신 또는 수신 장치(1)와 비교하면, 광전 송신 또는 수신 장치(2)가 보다 확실하게 고정될 수 있다. 제1 실시예의 상술한 세부 구조는 본 발명의 광전 송신 또는 수신 장치를 제한하지 않으며, 본 발명의 주요 목적은 여전히 MID-LDS 기술의 이용을 포함하는 것이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 광전 송신 또는 수신 장치(5)의 구조가 도시되어 있다. 제1 실시예와 마찬가지로, 광전 송신 또는 수신 장치(5)는 기판(51), 두 개의 레이저 처리 영역(52), 비도전성 영역(53) 및 광전 변환 칩(55)을 포함한다. 기판(51)은 상면(510)과 리세스(511)를 포함하는데, 리세스(511)는 바닥면(511a)과, 바닥면(511a)으로부터 기판(51)의 상면(510)으로 상향 연장되는 내부 측벽(511b)에 의해 한정된다. LED, 광 센서 또는 그 조합일 수 있는 광전 변환 칩(55)이 리세스(511)의 바닥면(511a)에 배치된다. 제1 실시예의 것과 동일한 구성요소들은 제1 실시예에서 설명된 것과 동일한 기능을 가지므로 반복하여 설명하지 않는다. 그러나, (1) 도전층이 배치되는 위치와 (2) 기판(51)이 홈(57)을 더 포함한다는 점에서 차이가 있다.
구체적으로, 제1 실시예에서와 같이, 기판(51)은 상기 MID-LDS 기술에서 사용되는 복합 재료로 제조되고, 복합 재료는 구리 원자와 같은 도핑된 금속 원자를 포함한다. 레이저 처리를 통해, 두 개의 레이저 처리 영역(52)과 비도전성 영역(53)이 기판(51)에 형성된다. 비도전성 영역(53)은 레이저 처리 영역(52)을 반대되는 전기 극성을 갖는 두 도전층으로 분할한다. 제1 실시예와의 차이점은, 제1 도전층(541)이 리세스(511)의 바닥면(511a), 바람직하게는 리세스(511)의 바닥면(511a) 전면에 배치되고, 제2 도전층(542)은 리세스(511)의 바닥면(511a) 외측에서 적어도 기판(51)의 상면(510), 바람직하게는 리세스(511)에서 완전히 외측에 배치된다.
마찬가지로, 광전 변환 칩(55)은 리세스(511)의 바닥(511a)에 배치되어 리세스(511)의 제1 도전층(541)과 제2 도전층(542)에 각각 전기적으로 연결된다. 보다 구체적으로, 리세스(511)의 바닥면(511a) 상의 제1 도전층(541)은 예컨대 다이 본딩 영역으로서, 광전 변환 칩(55)이 다이 본딩 영역에 배치되어 전기적으로 연결되어 있을 수 있는 한편, 제2 도전층(542)은 예컨대 와이어 본딩 영역일 수 있다. 따라서, 광전 변환 칩(55)은 와이어(56)를 통해 와이어 본딩 영역에 전기적으로 연결된다. 그러나, 제1 실시예와의 차이점은, 제2 실시예에서 기판(51)의 상면(510)에는 리세스(511)와 와이어 본딩 영역(즉, 제2 도전층(542)) 사이의 연결을 위한 홈(57)이 더 형성됨으로써, 와이어(56)가 홈(57)을 통해 광전 변환 칩(55)과 와이어 본딩 영역을 연결한다는 점이다.
제1 실시예와 마찬가지로, 본 발명의 제2 실시예에 따른 광전 송신 또는 수신 장치(5)에서, 슬라이싱된 표면은 그 좌측 및 우측에 위치하도록 설계됨으로써 기판(51)의 상면(510)과 연결된 측면(513)이 레이저로 조사되어 그 상부에 납땜 지점(512)이 형성될 수 있다. 따라서, 광전 송신 또는 수신 장치(5)는 측면(513)의 납땜 지점(512)에 의해 인쇄회로기판(도시 안됨)에 수직 방향으로 납땜될 수 있고, 이로써 측면 발광 광전 송신 또는 수신 장치(5)를 얻게 된다. 또한, 제1 도전층(541)과 제2 도전층(542)은 상면(510)에 대향하는 기판(51)의 하면(514)으로 더 연장될 수 있다. 따라서, 본 발명의 광전 송신 또는 수신 장치(5)는 리세스(511)가 상향 대면하는 상태로 인쇄회로기판(도시 안됨)에 납땜되도록 하면에 납땜 지점(512)이 형성될 수 있다. 그 결과, 본 발명의 제2 실시예의 광전 송신 또는 수신 장치(5)는 상면(510)이 상향 대면하는 상태로 배치될 수 있다. 또한, 다른 회로 본딩 재료를 고정하기 위한 영역이 확대되므로, 고정의 안정성이 현저하게 개선된다.
또한, 밀봉 화합물(도시 안됨)이 리세스(511)와 홈(57)에 배치되어 광전 변환 칩(55)과 와이어(56)를 덮을 수 있다. 밀봉 화합물은 와이어(56)를 지지하고 광전 변환 칩(55)과 와이어(56)를 보호하도록 작용한다. 또한, 제2 실시예의 제1 도전층(541) 및 제2 도전층(542)은 구리 도금층, 니켈 도금층 및 금 도금층을 순서대로 포함하는 적층 구조로 형성된다. 구리 도금층은 화학적 막 도금 공정을 통해 기판(51)의 레이저 처리 영역(52)에 형성되고, 니켈은 전기도금 공정을 통해 구리 도금층에 형성되고, 금 도금층은 전기도금 공정을 통해 니켈 도금층에 형성된다.
마찬가지로, 도 5를 참조하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 광전 송신 또는 수신 장치(5)의 제조 방법을 설명한다. 우선, 상면(510)을 갖고 리세스(511)와 홈(57)이 형성된 기판(51)을 제공하는 단계(a)가 수행된다. 리세스(511)는 바닥면(511a)과, 바닥면(511a) 및 기판(51)의 상면(510)에 연결된 내부 측벽(511b)에 의해 한정된다. 기판(51)은 복합 재료로 제조되고, 복합 재료는 레이저 조사를 이용한 활성화에 의해 그 표면에 도전층이 형성되도록 구성된다. 단계(a)에서, 대량 생산을 위해, MID-LDS에서 사용되는 복합 재료가 몰드(도시 안됨)로 사출되어 도 6에 도시된 바와 같은 템플릿(58)을 형성한다. 템플릿(58)과 도 4에 도시된 템플릿(28) 사이의 차이점은, 템플릿(58)이 홈(57)을 더 포함한다는 점이다. 마찬가지로, 템플릿(58)은 서로 연결된 복수 열의 기판(51)을 포함하고, 각각의 기판(51)은 리세스(511)와 홈(57)을 갖는다. 템플릿(58)은 후속 공정을 거쳐 최종적으로 서로 분리된 개별적인 광전 송신 또는 수신 장치(5)로 슬라이싱된다.
그후, 리세스(511)의 바닥면(511a), 리세스(511)의 내부 측벽(511b) 및 기판(510)의 상면(510)을 레이저로 조사하여 제1 도전층(541)을 형성하는 단계(b)가 수행된다. 바람직하게는, 단계(b)에서는 리세스(511)의 전체 바닥면(511a)이 레이저로 조사된다. 또한, 단계(c)에서는 리세스(511)의 바닥면(511a) 외측의 기판(51)의 상면(510)이 레이저 조사되어 제2 도전층(542)을 형성한다. 바람직하게는, 단계(c)에서, 전체 리세스(511) 외측에 있는 기판(51)의 상면(510)이 레이저 조사되어 제2 도전층(542)을 형성한다. 단계(b)와 단계(c)는 동시 수행되는 것이 바람직하다. 즉 두 개의 레이저 처리 영역(52)이 동시에 레이저 조사되어 그 위에 제1 도전층(541)과 제2 도전층(542)이 각각 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 제1 도전층(541)과 제2 도전층(542)은 측면(513)(기판(51)의 상면(510)과 연결됨)으로 연장되어 그 상부에 납땜 지점(512)을 형성하여 본 발명의 광전 송신 또는 수신 장치(5)가 수직으로 장착되도록 할 수 있다. 제1 도전층(541) 및 제2 도전층(542)은 인쇄회로기판(도시 안됨)에 납땜되도록 기판(51)의 상면(510)에 대향하는 하면(514)으로 더 연장될 수 있다.
단계(b)에서, 제1 도전층(541)을 형성하는 상세한 절차는 다음과 같다. 즉,(b1) 기판(51) 상의 레이저 처리 영역들(52) 중 하나에 구리 도금층을 화학적으로 도금하고,(b2) 구리 도금층에 니켈 도금층을 전기도금하고, (b3) 니켈 도금층에 금 도금층을 전기도금한다. 마찬가지로, 단계(c)에서, 제2 도전층(542)을 형성하는 상세한 절차는 다음과 같다. 즉,(c1) 기판(51) 상의 다른 레이저 처리 영역(52)에 구리 도금층을 화학적으로 도금하고, (c2) 구리 도금층에 니켈 도금층을 전기도금하고, (c3) 니켈 도금층에 금 도금층을 전기도금한다. 바람직하게는, 단계(b) 및 단계(c)에서, 제1 도전층(541)과 제2 도전층(542)의 두 개의 구리 도금층이 동시에 형성되고, 두 개의 니켈 도금층이 동시에 형성되고, 두 개의 금 도금층이 동시에 형성된다.
제1 도전층(541)과 제2 도전층(542)을 형성한 후, 단계(d)에서 광전 변환 칩(55)이 리세스(511)의 바닥면(511a)에 배치되어 리세스(511)의 바닥면(511a)의 제1 도전층(541)과 제2 도전층(542)에 각각 전기적으로 연결된다. 단계(d) 이후, 본 발명의 제조 방법은 단계(e)를 더 포함하는데, 단계(e)에서는 광전 변환 칩(55)과 와이어(56)를 덮도록 밀봉 화합물이 리세스(511)와 홈(57)에 도포된다.
상기 공정의 완료후, 도 6에 도시된 템플릿(58)을 개별적인 광전 송신 또는 수신 장치(5)로 얇게 잘라내는 슬라이싱 공정이 최종적으로 수행되며, 이로써 도 5에 도시된 본 발명의 광전 송신 또는 수신 장치(5)를 얻게 된다. 슬라이싱 방법은 제1 실시예의 것과 동일하므로, 반복하여 설명하지 않는다.
상술한 설명은 상세한 기술 내용과 그 신규한 특징에 관한 것이다. 당업자라면 본 발명의 설명 및 시사에 기초하여 그 특징에서 벗어남 없이 다양한 수정 및 변경이 가능할 수 있다. 그렇지만, 이러한 수정 및 변경이 상기 설명에서 충분히 개시되지 않았더라도, 이들은 실질적으로 첨부된 이하의 청구범위에서 포함되어 있다.
2, 5: 광전 송신 또는 수신 장치 21, 51: 기판
22, 52: 레이저 처리 영역 23, 53: 비도전성 영역
25, 55: 광전 변환 칩 26, 56: 와이어
57: 홈 210, 510: 상면
211, 511: 리세스 211a, 511a: 바닥면
211b, 511b: 내부 측벽 212, 512: 납땜 지점
213, 513: 측면 214, 514: 하면
241, 541: 제1 도전층 242, 542: 제2 도전층

Claims (27)

  1. 상면 및 리세스를 구비하고 복합 재료로 제조되되, 상기 리세스는 바닥면 및 상기 바닥면에서 상기 상면으로 상향 연장되는 내부 측벽에 의해 한정되고 상기 복합 재료는 레이저 조사를 이용한 활성화에 의해 상기 복합재료의 표면에 도전층이 형성되도록 구성되는 기판과,
    상기 리세스의 상기 바닥면의 제1 부분에 배치되고 상기 리세스의 상기 내부 측벽 및 상기 기판의 상기 상면을 따라 외향 연장되되, 레이저 조사를 이용하여 상기 기판의 상기 복합 재료를 활성시킴으로써 형성되는 제1 도전층과,
    상기 제1 도전층과 절연되고 상기 리세스의 상기 바닥면의 제1 부분에 배치되고 상기 리세스의 상기 내부 측벽 및 상기 기판의 상기 상면을 따라 외향 연장되되, 레이저 조사를 이용하여 상기 기판의 상기 복합 재료를 활성시킴으로써 형성되는 제2 도전층과,
    상기 리세스의 상기 바닥면에 배치되고 상기 리세스의 상기 바닥면에 형성된 상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층에 각각 전기적으로 연결되는 광전 변환 칩을 포함하는 광전 송신 또는 수신 장치.
  2. 상면 및 리세스를 구비하고 복합 재료로 제조되되, 상기 리세스는 바닥면 및 상기 바닥면에서 상기 상면으로 상향 연장되는 내부 측벽에 의해 한정되고 상기 복합 재료는 레이저 조사를 이용한 활성화에 의해 상기 복합 재료의 표면에 도전층이 형성되도록 구성되는 기판과,
    상기 리세스의 상기 바닥면에 배치되고 상기 리세스의 상기 내부 측벽 및 상기 기판의 상기 상면을 따라 외향 연장되되, 레이저 조사를 이용하여 상기 기판의 상기 복합 재료를 활성시킴으로써 형성되는 제1 도전층과,
    상기 제1 도전층과 절연되고 상기 리세스의 상기 바닥면 외측에 배치되고 상기 기판의 상기 상면을 따라 외향 연장되되, 레이저 조사를 이용하여 상기 기판의 상기 복합 재료를 활성시킴으로써 형성되는 제2 도전층과,
    상기 리세스의 상기 바닥면에 배치되고 상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층에 각각 전기적으로 연결되는 광전 변환 칩을 포함하는 광전 송신 또는 수신 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 광전 송신 또는 수신 장치는 상기 기판의 측면에 배치되는 복수의 납땜 지점을 더 포함하고, 상기 측면은 상기 기판의 상기 상면과 연결되고 회로 기판의 표면에 연결되도록 구성되고, 상기 납땜 지점은 상기 제1 도전층 및 제2 도전층에서 연장되는 광전 송신 또는 수신 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 복합 재료는 MID-LDS(Molded Interconnect Device-Laser Direct Structure)에서 적용되는 복합 재료인 광전 송신 또는 수신 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 리세스의 상기 바닥면 상에 형성된 상기 제1 도전층은 다이 본딩 영역이고, 상기 리세스의 상기 바닥면 상에 형성된 상기 제2 도전층은 와이어 본딩 영역이며, 상기 광전 변환 칩은 상기 다이 본딩 영역에 배치되어 상기 다이 본딩 영역에 전기적으로 연결되고, 상기 광전 변환 칩은 와이어를 통해 상기 와이어 본딩 영역에 전기적으로 연결되는 광전 송신 또는 수신 장치.
  6. 제2항에 있어서, 상기 리세스의 상기 바닥면 상의 상기 제1 도전층은 다이 본딩 영역이고, 상기 제2 도전층은 와이어 본딩 영역이며, 상기 광전 변환 칩은 상기 다이 본딩 영역에 배치되어 상기 다이 본딩 영역에 전기적으로 연결되고, 상기 광전 변환 칩은 와이어를 통해 상기 와이어 본딩 영역에 전기적으로 연결되는 광전 송신 또는 수신 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 기판에는 상기 리세스 및 상기 와이어 본딩 영역과 연결되는 홈이 추가로 형성되고, 상기 와이어는 상기 홈을 통해 상기 광전 변환 칩 및 상기 와이어 본딩 영역과 연결되는 광전 송신 또는 수신 장치.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 광전 송신 또는 수신 장치는 상기 광전 변환 칩 및 상기 와이어를 덮는 밀봉 화합물을 더 포함하는 광전 송신 또는 수신 장치.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 광전 변환 칩은 발광 다이오드 또는 광 센서인 광전 송신 또는 수신 장치.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층 각각은 상기 기판에 형성되는 구리 도금층을 더 포함하는 광전 송신 또는 수신 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층 각각은 상기 구리 도금층에 형성되는 니켈 도금층을 더 포함하는 광전 송신 또는 수신 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층 각각은 상기 니켈 도금층에 형성되는 금 도금층을 더 포함하는 광전 송신 또는 수신 장치.
  13. (a) 상면과 리세스를 갖는 기판을 제공하되 상기 리세스는 바닥면 및 상기 바닥면에서 상기 상면으로 상향 연장되는 내부 측벽에 의해 한정되고, 상기 기판은 복합 재료로 제조되고 상기 복합 재료는 레이저 조사를 이용한 활성화에 의해 상기 복합 재료의 표면에 도전층이 형성되도록 구성되는 기판 제공 단계와,
    (b) 상기 리세스의 상기 바닥면의 제1 부분, 상기 내부 측벽의 일부 및 상기 기판의 상기 상면의 일부를 레이저로 조사하여 제1 도전층을 형성하는 제1 도전층 형성 단계와,
    (c) 상기 리세스의 상기 바닥면의 제2 부분, 상기 내부 측벽의 일부 및 상기 기판의 상기 상면의 일부를 레이저로 조사하여 상기 제1 도전층에 대해 절연된 제2 도전층을 형성하는 제2 도전층 형성 단계와,
    (d) 상기 리세스의 상기 바닥면에 광전 변환 칩을 배치하고 상기 광전 변환 칩을 상기 리세스의 상기 바닥면에 형성된 상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층에 각각 전기적으로 연결하는 전기 연결 단계를 포함하는 광전 송신 또는 수신 장치 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 복합 재료는 MID-LDS에서 적용되는 복합 재료인 광전 송신 또는 수신 장치 제조 방법.
  15. 제13항에 있어서, 상기 단계(b)는,
    (b1) 구리 도금층을 화학적으로 도금하는 단계,
    (b2) 상기 구리 도금층에 니켈 도금층을 전기도금하는 단계, 및
    (b3) 상기 니켈 도금층에 금 도금층을 전기도금하는 단계를 포함하는 광전 송신 또는 수신 장치 제조 방법.
  16. 제13항에 있어서, 상기 단계(c)는,
    (c1) 구리 도금층을 화학적으로 도금하는 단계,
    (c2) 상기 구리 도금층에 니켈 도금층을 전기도금하는 단계, 및
    (c3) 상기 니켈 도금층에 금 도금층을 전기도금하는 단계를 포함하는 광전 송신 또는 수신 장치 제조 방법.
  17. 제13항에 있어서, 상기 리세스의 상기 바닥면 상에 형성된 상기 제1 도전층은 다이 본딩 영역이고, 상기 리세스의 상기 바닥면 상에 형성된 상기 제2 도전층은 와이어 본딩 영역이며, 상기 단계(d)에서, 상기 광전 변환 칩은 상기 다이 본딩 영역에 배치되어 상기 다이 본딩 영역에 전기적으로 연결되고, 상기 광전 변환 칩은 와이어를 통해 상기 와이어 본딩 영역에 전기적으로 연결되는 광전 송신 또는 수신 장치 제조 방법.
  18. 제13항에 있어서,
    단계(d) 이후에,
    (e) 상기 광전 변환 칩 및 상기 와이어를 덮도록 밀봉 화합물을 도포하는 단계를 더 포함하는 광전 송신 또는 수신 장치 제조 방법.
  19. 제13항에 있어서, 상기 제1 도전층 또는 상기 제2 도전층은 납땜 지점을 형성하도록 더 연장되고, 상기 납땜 지점은 상기 기판의 측면에 배치되고, 상기 측면은 상기 기판의 상기 상면과 연결되는 제광전 송신 또는 수신 장치 조 방법.
  20. (a) 상면과 리세스를 갖는 기판을 형성하되 상기 리세스는 바닥면 및 상기 바닥면에서 상기 상면으로 상향 연장되는 내부 측벽에 의해 한정되는 기판 형성 단계와,
    (b) 상기 기판을 레이저 조사하여 제1 도전층을 형성하되 상기 제1 도전층은 상기 리세스의 상기 바닥면에 형성되고 상기 리세스의 상기 내부 측벽 및 상기 기판의 상기 상면을 따라 외향 연장되는 제1 도전층 형성 단계와,
    (c) 상기 기판을 레이저로 조사하여 제2 도전층을 형성하되 상기 제2 도전층은 상기 리세스의 상기 바닥면의 외부에 형성되고 상기 기판의 상기 상면을 따라 외향 연장되고 상기 제1 도전층과 절연되는 제2 도전체 형성 단계와,
    (d) 상기 리세스의 상기 바닥면에 광전 변환 칩을 배치하고 상기 광전 변환 칩을 상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층에 각각 전기적으로 연결하는 전기 연결 단계를 포함하는 광전 송신 또는 수신 장치 제조 방법.
  21. 제20항에 있어서, 상기 단계 (b) 및 단계 (c)에서, 상기 제1 도전층 또는 상기 제2 도전층은 복수의 납땜 지점을 형성하도록 상기 기판의 측면으로 더 연장되고, 상기 측면은 상기 기판의 상기 상면과 연결되어 회로 기판의 표면과 결합하도록 적용되는 광전 송신 또는 수신 장치 제조 방법.
  22. 제21항에 있어서, 상기 복합 재료는 MID-LDS에서 적용되는 복합 재료인 광전 송신 또는 수신 장치 제조 방법.
  23. 제22항에 있어서, 상기 리세스의 상기 바닥면 상의 상기 제1 도전층은 다이 본딩 영역이고, 상기 제2 도전층은 와이어 본딩 영역이며, 상기 단계(d)에서, 상기 광전 변환 칩은 상기 다이 본딩 영역에 배치되어 상기 다이 본딩 영역에 전기적으로 연결되고, 상기 광전 변환 칩은 와이어를 통해 상기 와이어 본딩 영역에 전기적으로 연결되는 광전 송신 또는 수신 장치 제조 방법.
  24. 제23항에 있어서, 상기 단계(a)에서, 상기 기판에는 상기 리세스 및 상기 와이어 본딩 영역과 연결하는 홈이 더 형성되고, 상기 와이어는 상기 홈을 통해 상기 광전 변환 칩 및 상기 와이어 본딩 영역과 연결되는 광전 송신 또는 수신 장치 제조 방법.
  25. 제24항에 있어서,
    (d) 단계 이후에,
    (e) 상기 광전 변환 칩 및 상기 와이어를 덮도록 밀봉 화합물을 도포하는 단계를 더 포함하는 광전 송신 또는 수신 장치 제조 방법.
  26. 제20항에 있어서, 상기 단계(b)는,
    (b1) 상기 기판에 구리 도금층을 화학적으로 도금하는 단계,
    (b2) 상기 구리 도금층에 니켈 도금층을 전기도금하는 단계, 및
    (b3) 상기 니켈 도금층에 금 도금층을 전기도금하는 단계를 포함하는 광전 송신 또는 수신 장치 제조 방법.
  27. 제20항에 있어서, 상기 단계(c)는,
    (c1) 상기 기판에 구리 도금층을 화학적으로 도금하는 단계,
    (c2) 상기 구리 도금층에 니켈 도금층을 전기도금하는 단계, 및
    (c3) 상기 니켈 도금층에 금 도금층을 전기도금하는 단계를 포함하는 광전 송신 또는 수신 장치 제조 방법.
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