TW201036504A - Photoelectric transmitting or receiving device and manufacturing method thereof - Google Patents

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TW201036504A
TW201036504A TW098140763A TW98140763A TW201036504A TW 201036504 A TW201036504 A TW 201036504A TW 098140763 A TW098140763 A TW 098140763A TW 98140763 A TW98140763 A TW 98140763A TW 201036504 A TW201036504 A TW 201036504A
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substrate
receiving device
layer
recess
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Lu-Ming Lai
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Everlight Electronics Co Ltd
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Description

201036504 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種光電傳送或接收裝置及其製造方法，特別是 —種小發光散射角度之光電傳送或接收裝置及其製造方法。 【先前技術】 隨著科技的日新月異，對於生活上的照明裝置人們也有著越來 越多的選擇，從傳統的鶴絲燈泡到日光燈，照明裝置不斷地推陳 出新。近年來光電轉換晶片，因其具有耗電量低、元件壽命長、 無須暖燈時間、反應速度快及體積小的優點，因而其應用愈來愈 廣泛。 -般習知光電轉換晶片係設置在傳統印刷電路板上，並加以電 路連結’以構成-光電傳送或接收裝置。“，因光電轉換晶片 之特性，其所發出之光線通常具有較大之發光散射角度。當應用 於需要集中所發出之光線以照射在特定目標時，便f要使用一碗 =結構’以集中光束i於-般印刷電路板之厚度有限，若非昂 貴之特殊厚度印刷電路板’通常均需要另外設卜反射罩於電路 板上及光電轉換晶片之周圍。然而，此舉亦大幅增加製程上之複 雜度以及製造成本。 如第1圖所7F’為解決上述問題，習知之光電傳送或接收裝置1 =利用射出成形方式，同時射出導電及不導電之塑膠，以形成二 電塑滕科11及夾置於其中之_非導電歸部分12。爾後利 2金屬鑛膜製程僅會將金屬層鍵於會導電物體之特性，習知技術 -導電層μ僅賴於上述二導電塑勝部分η之上。光電轉換 201036504 晶片15則設置於光電傳送或接收裝置1之-凹槽⑴之-底部 上，並電性連接導電層14之其中之一。最後，利用一導線16電 性連結光電轉換晶片15至導電層14其中之另一。藉由鑛有金屬 層（導電層14)之高深度凹槽⑴，習知光電傳送或接收裝置i 適可集中光電轉換晶片15所發出之光線，達到小發紐射角之目 的。 在此需特別說明者，第1圖所示之光電傳送或接收裝置！係經 〇 大量製造’同時射出成形—條之導電及不導電之塑膠’經上述各 項製程後’最後將複數相連呈一條狀之光電傳送或接收裝置^半 成品裁切而得上述光電傳送或接收裝置丨，因此二導電塑膠部分 11僅於第1圖中繪示有材質線之部分上，形成有導電層14，而未 繪製有材質線之部分’則為裁七刀面，未形成有導電層14。因此， 若習知光電傳送或接收裝置i係直立安裝（即整體垂直於安裝平 面安裝）’將使光電傳送或接收裝置丨必須以裁切面接觸安裝面。 然而，銲錫或其他作為電路連接之金屬材料僅可與金屬材質之導 Ο 電層14相結合，造成銲錫或其他作為電路連接之金屬材料無法緊 抓裁切面，而僅能附著於二側之導電層14上，使直立安裝之光電 傳送或接收裝置1無法穩固地僅以銲錫電性連結或固定，而必須 再以其他方式作進一步固定。 上述習知光電傳送或接收裝置1，其係以射出成形製程，同時射 出導電及不導電之塑膠，以形成二導電塑膠部分u及失置於其中 之非導電塑膠部分12’以致其難以精確控制導電塑膠部分u及非 導電塑膠部分12之形狀。因此，上述光電傳送或接收裝置丨難以 201036504 更進一步縮小尺寸。有鑑於此，提供一種光電傳送或接收裝置， 真有體積小、可靠度高並且發光散射角度小之特性，乃為此業界 所亟待努力之目標。 【發明内容】 本發明之一目的係提供一種光電傳送或接收裝置及其製造方 法，使該光電傳送或接收裝置之發光散射角度小、可進一步減小 尺寸並提高可靠度。 為達上述目的，本發明第一實施例之光電傳送及接收裝置包含 一基板、一第一導電層—第二導電層及一光電轉換晶片。該基板 具有一上表面及一凹槽，該凹槽是由一底面及一由該底面向上延 伸至該上表面之内側壁所界定。在此需注意者係，該基板係由一 複合材料所構成，該複合材料藉由雷射活化而適可在該複合材料 表面形成一導體層。該第一導電層係利用雷射活化該基板之該複 合材料而形成。該第一導電層係設置在該凹槽的該底面的一第一 部分’並沿該凹槽的該内側壁及該基板的該上表面向外延伸。該 第二導電層亦係利用雷射活化該基板之該複合材料而形成，並與 該第一導電層電性絕緣。該第二導電層係設置在該凹槽的該底面 的一第二部分，並沿該凹槽的該内側壁及該基板的該上表面向外 延伸。該光電轉換晶片設置於該凹槽之該底面上並分別與該凹槽 的該底面上的該第一導電層及該第二導電層電性連接。 本發明第一實施例之用於製造上述光電傳送及接收裝置之製造 方去係包含以下步驟：（a)提供該基板’具有該上表面及該凹槽， 該凹槽是由該底面及由該底面向上延伸至該上表面之該内侧壁所 201036504 界定’其t該基板由複合材料所構成，該複合材料藉由雷射活化 而適可在該複合材料表面形成導體層；（b)對該凹槽的該底面的該 第一部分、部分該内側壁及該基板的部分該上表面實施雷射照 射’而形成該第-導電層；（e)對該凹槽的該底面的該第二部分、 β以内側壁及該基板的部分該上表面實施雷射照射，而形成該 第二導電層，其中該第二導電層與該第—導電層電性絕緣；以及 ⑷將該光電轉換晶片設置在該凹槽的該底面上，並分別與該底面 〇 上的該第一導電層及該第二導電層電性連接。 為達上述目的，本發明第二實施例之光電傳送或接收裝置包含 一基板、一第一導電層、一第二導電層及一光電轉換晶片。該基 板具有一上表面及一凹槽，該凹槽是由一底面及一由該底面向上 延伸至該上表面之内側壁所界定。在此需注意者係，該基板係由 —複合材料所製成，該複合材料藉由雷射活化而適可在該複合材 料表面形成一導體層。該第一導電層係利用雷射活化該基板之該 複合材料而形成。該第一導電層係設置在該凹槽的該底面，並沿 Ο 該凹槽的該内側壁及該基板的該上表面向外延伸。該第二導電層 亦係利用雷射活化該基板之該複合材料而形成，並與該第一導電 層電性絕緣。該第二導電層係設置在凹槽的該底面外，並沿該基 板的該上表面向外延伸。該光電轉換晶片設置於該凹槽之該底面 上並分別與該第一導電層及該第二導電層電性連接。 本發明第二實施例之用於製造上述光電傳送或接收裝置之製造 方法係包含以下步驟：（a)形成該基板’具有該上表面及該凹槽， 該凹槽是由該底面及由該底面向上延伸至該上表面之該内側壁所 201036504 界定；（b)對該基板實施雷射昭 後‘、、、射，而形成該第一導電層，其中該 第一導電層形成於該凹槽的該 « . , ± , 展面’並沿該凹槽的該内側壁及該 基板的該上表面向外延伸；（ 松^ ’ VC)對該基板實施雷射照射，而形成該 層形成於該凹槽的該底面外並沿 5玄基板的該上表面向外延彳φθ& % T·^興該第一導電層電性絕緣；（d)將該 光電轉換晶片設置在該凹槽的該底面上，並分別與該第一導電層 及該第二導電層電性連接。 為讓本發明之上述目的、技術特徵和優點能更明顯易懂，下文 係以較佳實施例配合所附圖式進行詳細說明。 【實施方式】 本發明之光電傳送或接收裝置係利用模製互連元件雷射導引結構 (Molded Interconnect Device - Laser Direct Structure, MID-LDS) 技術所製成之小尺寸、高可靠度及小發光散射角度之光電傳送或 接收裝置。所謂MID-LDS為一種模製電路之製程，其所使用之載 體是應用一種特殊之摻雜金屬原子的複合材質，而載體經由雷射 照射，複合材質内所含之金屬原子間的鍵結會被雷射打斷，造成 金屬帶電荷而具備鍵結吸引力，因此，進行金屬化之後，會形成 金屬層在經雷射處理的表面上。 應用上述MID-LDS技術，本發明第一實施例之光電傳送或接收 裝置2之結構請參考第2圖。本發明之光電傳送或接收裝置2包 含一基板21、二雷射處裡區22、一非導電區23及一光電轉換晶 片25。基板21具有一上表面210且形成有_凹槽211，凹槽211 是由一底面21 la及一與底面21 la及基板21之上表面210相連接 201036504 的内側壁2Hb所界定。光電轉換晶片25設置於凹槽2ΐι的底面 21 la上’光電轉換晶片25例如是-發光二極體晶片或一光感晶片。 基板21係由上述MID_LDS所應用之—複合材f所製成，複合 材質係包含摻雜如銅等金屬原子。經雷射處理之後，係於基板2ι 形成二雷射處理區22以及一非導電區23。其中，非導電區23將 雷射處理區22區分為兩電性相反之導電層。詳細而言非導電區 23係自基板21之上表面210向下經過凹槽211之底面2Ua，再 0 沿著凹槽211之底面211a向上朝凹槽211之内側壁2Ub延伸至 基板21之上表面210，因此，非導電區23將雷射處理區22區分 為第一導電層241及第二導電層242,且彼此電性絕緣，於本實施 例中，第一導電層241係設置於凹槽211之底面2Ua之一第一部 分，並沿凹槽211之内側壁211b及基板21之上表面21〇向外延 伸，而第二導電層242係設置於凹槽211之底面211a的一第二部 分，並沿凹槽211之内側壁211b及基板21之上表面210向外延 伸。 光電轉換晶片25設置在凹槽211的底面211a上，且與凹槽211 的第一導電層241及第二導電層242電性連接。此外，要說明的 是，在凹槽211之底面211a上的第一導電層241可以例如是一固 晶區’光電轉換晶片25設置在固晶區上並與固晶區電性連接，而 第二導電層242可以例如是一打線區，因此，光電轉換晶片25可 藉由一導線26與打線區電性連接。由於本發明之導線26藉由打 線製程電性連接光電轉換晶片25與凹槽211之底面211a上的第 二導電層242 ’因此，在凹槽211的底面21 la完成固晶打線製程， 201036504 不需如習知技術之將打線區設置在凹槽211之外，故本發明之光 電傳送或接收裝置產生之光形較佳，且相較於習知技術，由於導 線26距離短，因此不易斷裂且可靠度高。此外，一封膠（圖未示） 設置於凹槽211内，並包覆光電轉換晶片25及導線26,封膠具有 支揮導線26及保護光電轉換晶片25與導線26之效果。 此外，本發明之第一導電層241及第二導電層242係為多層結 構。其中’第-導電層241及第二導電層242各依序包含一鍍銅 層 鍍鎳層及一鍍金層。鍍銅層係以化學鍍膜製程形成於基板 21上之雷射處理區22上，鍍鎳層則以電鍍製程相應形成於鍍銅層 上，而鍍金層以電鍍製程相應形成於鍍鎳層上。 請參考第2圖至第3D®，其中本發明藉由MIDLDS製程，並 利用雷射照射於即雷射處理區22以成長第一導電層241及第二導 電層242,而使得本發明之光㈣送或接收裝置2可以精確控制導 電層成長之部位。相較於習知光電傳送或接收裝置i係利用射出 成形技術，難以精確控制導電塑膠部分n及非導電塑膠部分12 之成形’而無法進一步縮小尺寸，本發明之光電傳送或接收裝置] 不但尺寸可以進-步縮減，錢為財之縮減，相較於習知光電 傳送或接收裝置卜本發明之光電傳送或接收裝置2之導線％可 以更為縮短。轉於轉26上時，尺寸賴㈣為料， 26較不易斷裂。 如第1圖所示，因習知光電傳送或接收裝置！係經大量製造， 射出成形—條導電及不導電_相互夹置之半成品，經各項製程 後，最後再裁切成形。因此，裁切面上未形成有導電層】4項^ 201036504 知光電傳送或接收裝置1於直立安裝（即整體垂直於安裝平面安 裝）時，僅能以二側之導電層14與銲錫固定。然而，本發明之光 電傳送或接收裝置2係應用MID-LDS製程，因此精準的雷射照射 可突破習知光電傳送或接收裝置1之射出成形製程限制。本發明 之光電傳送或接收裝置2可將裁切面設計於光電傳送或接收裝置 2之左右二側，使與基板21的上表面210相連接之側面213受到 雷射之照射，而形成有焊接點212。藉此，光電傳迸或接收裝置2 〇 可利用位於側面213之焊接點212而焊附於一印刷電路板（圖未繪 示)上’以便立式安裝本發明之光電傳送或接收裝置2，藉此成為 一側射型光電傳送或接收裝置2。 除此之外’第一導電層241及第二導電層242，可延伸至基板 21之相對於上表面21〇之下表面214 ’如第3C圖所示。藉此，本 發明之光電傳送或接收裝置2適於下表面214形成焊接點212以 與一印刷電路板（圖未繪示）焊接’使凹槽211的開口向上，因此， 光電傳送或接收裝置2可朝上設置。此外，由於與其他電路連結 〇 材料固接的面積大為增加，因此，大幅增加固接的穩定度。 請繼續參閱第3A圖至第3D圖所示，藉由MID_LDS製程，光 電傳送或接收裝置2相較於習知技術可大幅縮減尺寸，並藉由高 深寬比（aspect ratio)之凹槽211，使光電傳送或接收裝置2之發光 散射角度大幅縮小。相對於習知光電傳送或接收裝置1，本發明之 光電傳送或接收裝置2得以應用於更多不同之微型化裝置。於一 實際應用中’光電傳送或接收裝置2適可應用於遙控器之訊號傳 送接受器。 201036504 較佳地，光電傳送或接收裝置2之凹槽211具有一實質上為 1.145mm之深度D。基板21具有一長度L、一寬度w及平行於凹 槽211之深度D之一厚度Η。較佳地，長度l實質上係為2 3mm， 寬度W係為2.25mm及厚度Η係為1.6mm。在此需注章者係，本 發明之光電傳送或接收裝置2之前述尺寸並非用以限縮本發明之 範圍，只係為本發明之一較佳實施態樣，具有本發明之相同概念 者，在此不作限制。 本發明用於製造第一實施例中所述之光電傳送或接收裝置2之 製造方法，請再參照第2圖，首先執行步驟(a)提供一基板2丨，基 板21具有一上表面21〇並且形成有一凹槽211。凹槽2ιι是由底 面211a及與底面211a及基板21之上表面21〇相連接的内側壁 211b所界定。基板21由複合材料所製成，並藉由雷射活化，在複 合材料表面可形成一導體層^於步驟（幻中，為大量製造，係將 MID-LDS所應用之複合材料射入一模具（圖未示），而成形一如 第4圖所示之一模板28。模板28係包含複數成排相連之基板21， 各基板21具有凹槽2U。模板28經後續製程處理後，最後經裁切， 成為本發明各個獨立之光電傳送或接收裝置2。 步驟(a)後’執行步驟(b)。於步驟(b)中’對部分凹槽211的底面 21 la的第一部份、部分内側壁21 lb及基板21的部分上表面210 實施雷射照射’而形成第一導電層241。再者，於少驟（c)中，對 凹槽211的底面211a的第二部分、另一部分的内側壁211b及基 板21另一部分的上表面210實施雷射照射，而形成第二導電層 242。在此需說明，步驟(b)及步驟(c)較佳地係同時執行，亦即同 12 201036504 時對二雷射處理區22實施雷射照射，並且同時形成第一導電層 241及第二導電層242於上述雷射處理區22。此外，第一導電層 241及第二導電層242可以延伸至基板21的側面213上而形成焊 接點212，其中側面213與基板21的上表面210相連接，以便立 式安裝本發明之光電傳送或接收裝置2。或者，如第3C圖所示， 第一導電層241及第二導電層242可延伸至相對於基板21之上表 面210的下表面214，以與一印刷電路板（圖未繪示）焊接。 其中，未經雷射照射之非導電區23係自基板21之上表面210 向下經過凹槽211之底面211a，再沿著凹槽211之底面211a向上 朝凹槽211之内側壁211b延伸至基板21之上表面210，因此，非 導電區23將雷射處理區22區分為第一導電層241及第二導電層 242，且彼此電性絕緣。 於步驟(b)中，第一導電層241之詳細形成步驟如下：（bl)化鍍 一鍍銅層於基板21上之其中之一雷射處理區22上；（b2)電鍍一鍍 鎳層於鍍銅層上；（b3)電鍍一鍍金層於鍍鎳層上。相同地，於步驟 (c)中，第二導電層242之詳細形成步驟如下：（cl)化鍍一鍍銅層於 基板21上之另一雷射處理區22上；（c2)電鍍一鍍鎳層於鍍銅層 上；（c3)電鍍一鍍金層於鍍鎳層。較佳地，步驟(b)及步驟(c)中， 第一導電層241及第二導電層242之二鍍銅層係同時形成，二鍍 鎳層係同時形成，並且二鍍金層係同時形成。 形成第一導電層241及第二導電層242後，於步驟(d)中，將一 光電轉換晶片25設置在凹槽211的底面211a上，並分別與凹槽 211之底面21 la上之第一導電層241及第二導電層242電性連接。 13 201036504 在步驟(d)之後’本發明之製造方法更包含步驟(e)實施一封膠製 程以包覆光電轉換晶片25及導線26。由於導線26距離減小，相 應地必需包覆之封膠的長度隨之減少，因此相較於習知之光電傳 送或接收裝置1，本發明之光電傳送或接收裝置2之點膠製程更加 簡易且可靠性亦更為增力σ。 完成上述製程後，最後進行〆裁切製程，令形成於如第4圖所 不之模板28上之各個光電傳送或接收裝置2裁切分開，最後形成 本發明如第2圖所示之光電傳送或接收裝置2。本發明製造方法所 形成之光電傳送或接收裝置2,其詳細尺寸如上述，在此不贅述。 其中，於本發明中，上述裁切方向係平行於非導電區23之延 向。藉ιΗ~ ，所切割出來之複數光電傳送或接收裝置2,於立式安裝 1 點其^面213上形成有第一導電層241及第二導電層242之谭 更可自其均可與銲踢或其他金屬接合材料結合。焊接點212 表面2ΐ〇Γ導電層241及第二_ 242延伸至基板21相對於上 2適以下表面214 ’因此於队式安裝時，光電傳送或接收裝置 因此，相較合於印刷電路板’使凹槽2U開口正面朝上。 2可以更錢接收裝置卜光電傳送或接收裝置
明之光電傳送或接收裝置，▲之詳細結構，並錢制本發 技術之應用。 發明主要目的仍在於結合MID-LDS 清參考第 置5之結耩 一基板Si、 Ά繪本發明第二實施例之光電傳送或接收 、實施例類似地’光電傳送或接收裝置5包/ -雷射處裡區52、_ 非導電£ 53及一光電轉換晶j 14 201036504 55。基板51具有一上表面510且形成有一凹槽511，凹槽511是 由一底面511a及一由底面511 a向上延伸至基板51之上表面510 相連接的内側壁511b所界定，光電轉換晶片55設置於凹槽511 的底面511a上’光電轉換晶片55可以是一發光二極體晶片、一 光感晶片、或二者功能兼具。其中，於第二實施例中重複出現之 元件，其作用皆與第一實施例中所述相同，於此不再贅述。然， 差異之處在於（一）導電層設置之位置；以及（二）基板51更包 含一溝槽57。 ❹ 詳細來說，如同先前於第一實施例中所描述的，基板51亦由上 述MID-LDS所應用之一複合材質所製成，複合材質係包含摻雜如 銅等金屬原子。而經雷射處理之後，係於基板51形成二雷射處理 區52以及非導電區53。其中，非導電區53將雷射處理區52區分 為兩電性相反之導電層。須特別注意者，與第一實施例不同之處 在於，第一導電層541係設置於凹槽511之底面5丨la，並且較佳 地第一導電層541係佈滿於凹槽511之底面5Ua;第二導電層542 Ο 係至少設置於凹槽511之底面5na之外、基板51之上表面51〇 上，並且較佳地第二導電層542係設置於凹槽5丨丨全部之外。 同樣地，光電轉換晶片55設置在凹槽511的底面51丨3上，且 與凹槽511的第-導電層541第二導電層542電性連接。詳言之， 在凹槽511之底面511a上的第一導電層541可以例如是一固晶 區’光電轉換晶片55設置在固晶區上並與固晶區電性連接，而第 二導電層542可以例如是一打線區，因此，光電轉換晶片55可藉 由一導線56與打線區電性連接。然而，與第一實施例不同之處在 15 201036504 於，第二實施例中之基板51之上表面51〇更形成一溝槽57，其用 以連結凹槽511以及打線區（亦即第二導電層542)，其中導線 5 6經由溝槽5 7連結.光電轉換晶片5 5與打線區。 相似於第一實施例，本發明第二實施例之光電傳送或接收裝置5 亦可將裁切面設計於光電傳送或接收裝置5之左右二側，使與基 板51的上表面510相連接之側面513受到雷射之照射，而形成有 焊接點512。藉此，光電傳送或接收裝置5可利用位於側面513 之焊接點512而焊附於一印刷電路板（圖未繪示）上，以便立式安裝 本發明之光電傳送或接收裝置5,藉此成為一側射型光電傳送或接C1 收裝置5。除此之外，第一導電層541及第二導電層542更延伸至 基板51之相對於上表面510之一下表面。藉此，本發明之光電傳 送或接收裝置5適於下表面形成焊接點512以與一印刷電路板（圖 未繪示）焊接，使凹槽511的開口向上，因此，第二實施例之光電 傳送或接收裝置5可朝上設置。此外，由於與其他電路連結材料 固接的面積大為增加，因此，大幅增加固接的穩定度。 另，一封膠（圖未示）亦可設置於凹槽511及溝槽57内，並包t》 覆光電轉換晶片55及導線56，封膠具有支撐導線56及保護光電 轉換晶片55與導線56之效果。更者，第二實施例之第一導電層 541及第二導電層542亦為多層結構。其中’第一導電層541及第 二導電層542各依序包含—鑛銅層、—鑛錄層及—鑛金層。鑛銅 層係以化學鍍膜製程形成於基板51上之雷射處理區52上鍍鎳 層則以電鍍製程相應形成於鍍銅層上，而鍍金層以電鍍製程相應 形成於鍍鎳層上。 16 201036504 本發明用於製造第二實施例之光電傳送或接收裝置5之方法， 請同樣參照第5圖，首先執行步驟⑷提供一基板51，基板51具 有一上表面510並且形成有一凹槽511以及一溝槽57。凹槽511 是由底面511a及與底面511a及基板51之上表面51〇相連接的内 側壁511b所界定。基板51由複合材料所製成，並藉由雷射活化， 在複合材料表面可形成一導體層。於步驟(幻中，為大量製造，係 將MID-LDS所應用之複合材料射入一模具（圖未示），而成形一 〇 如第6圖所示之一模板58。其中，模板58與第4圖之模板28不 同之處在於模板58更包含溝槽57。同樣地，模板58係包含複數 成排相連之基板51，各基板51具有凹槽511以及溝槽57。模板 58經後續製程處理後’最後經裁切，成為本發明各個獨立之光電 傳送或接收裝置5。 步驟(a)後，執行步驟(b)。於步驟(b)中，對凹槽511的底面5Ua、 凹槽川的内側壁5Ub及基板51的上表面51〇實施雷射照射， 而形成第-導電層54卜較佳地，於步驟⑼中，針對凹槽5ΐι的 0 底面51U全部進行雷射照射。再者，於步驟(C)中，對凹槽5n之 底面511a之外且基板51之上表面510實施雷射照射，而形成第 二導電層542。較佳地，於步驟⑷中，對凹槽511全部之外且基 板51之上表面510實施雷射照射，而形成第二導電層542。在此 需說明，步驟(b)及步驟(c)較佳地係同時執行，亦即同時對二雷射 處理區52實施雷射照射，並且同時形成第一導電層54丨及第二導 電層542於上述雷射處理區52。 此外’第-導電層⑷及第二導電層542可以延伸至基板”的 17 201036504 側面513上而形成焊接點512 ’其中側面513與某& 、丞板51的上表 510相連接’以便立式安裝本發明之光電傳送或接收|置 導電層541及第二導電層542更延伸至相對於基被第— 510的下表面514，以與一印刷電路板（圖未繪示）焊接 表面 於步驟(b)中’第一導電層541之詳細形成步驟 卜.（bl)化鑛 一鍍銅層於基板51上之雷射處理區52其中之—j* . 上，〇>2)電鍍—錢 鎳層於鍍銅層上；（b3)電鍍一鍍金層於鍍鎳層上。相同地，、 (c)中，第二導電層542之詳細形成步驟如下：（cl)化鑛__麵驟 基板51上之另-雷射處理區52上；（e2)電鍍1錄層於鍵2 上；（c3)電鍍一鍍金層於鍍鎳層。較佳地，步驟（b)及步驟& 第一導電層54丨及第二導電層542之二鍍銅層係同時形成 鎳層係同時形成，並且二鍍金層係同時形成^ 一緩 形成第-導電層541及第二導電層542後，於步驟(射，將一 光電轉換晶片55設置在凹槽5U的底面叫上，並分別與_ 511之底面仙上之第-導電層241及第二導電層如電性連糟 在步驟⑷之後，本發明之製造方法更包含步驟⑷實施—封膠製° 於凹槽511及溝槽57中以包覆光電轉換# y A ^ w狹晶片55及導線56。 完成上述製程後，最後進行一裁切製鞀人 氓程，令形成於如第6圖所 示之模板58上之各個光電傳送或接收奘苗 衣置5裁切分開，最後形成 本發明如第5圖所示之光電傳送或接收#μ 裝置5。其中，裁切之方式 與第一實施例中相同，於此不在贅述。 綜上所述，本發明之光電傳送或接妆
裝置及其製造方法採用 MID-LDS之技術，改善習知光電傳送或拉L 4接收裝置製程過於繁複， 18 201036504 且體積大發光散射角度大及成本南等缺失，達到製程簡單、體 積小、發光散射角度小且成本低之目的。再者，本發明之光電傳 送或接收裝置及其製造方法適可同—種模具射域形，再藉 由更換雷射照射之設計圖面，而更得以t造成形具不同設計之產 印，使產σσ設叶多樣化大幅提昇，而不必更換模具。 上述實施例僅為例示性說明本發明之原理及其功效以及_ 本發明之技術義’ _用於限财㈣之料料。任何熟悉 〇本技術者之人士均可在不違背本發明之技術原理及精神的情況 下，可輕易完成之改變或均等性之安排均屬於本發明所主張之範 圍。因此，本發明之權利保護範圍應如後述之申請專利範圍所列。 【圖式簡單說明】 第1圖係為習知光電傳送或接收裝置； 第2圖係為本發明之第一實施例之光電傳送或接收裝置之立體 圖； 〇 帛3Α圖係為本發明之第—實施例之光電傳送或接收裝置之前 視圖； 第3Β圖係為本發明之第一實施例之光電傳送或接收裝置之右 視圖； 第3C圖係為本發明之第一實施例之光電傳送或接收裝置之後 視圖； 第3D圖係為本發明之第一實施例之光電傳送或接收裝置之下 視圖； 19 201036504 第4圖係為本發明之第一實施例之光電傳送或接收裝置於大量 製造時之模板示意圖； 第5圖係為本發明之第二實施例之光電傳送或接收裝置之立體 圖；以及 第6圖係為本發明之第二實施例之光電傳送或接收裝置於大量 製造時之模板示意圖。 【主要元件符號說明】 1 光電傳送或接收裝置 11 導電塑膠部分 111 凹槽 12 非導電塑膠部分 14 導電層 15 光電轉換晶片 16 導線 17 溝槽 2 光電傳送或接收裝置 21 基板 210 上表面 211 凹槽 211a 底面 211b 内側壁 212 焊接點 213 側面 214 下表面 22 雷射處理區 23 非導電區 241 第一導電層 242 第二導電層 25 光電轉換晶片 26 導線 28 模板 5 光電傳送或接收裝置 51 基板 510 上表面 511 凹槽 511a 底面 511b 内側壁 512 焊接點 513 側面 20 201036504 52 雷射處理區 53 非導電區 541 第一導電層 542 第二導電層 55 光電轉換晶片 56 導線 57 溝槽 58 模板 D 深度 Η 厚度 L 長度 W 寬度 ❹ ❹ 21

Claims (1)

  1. 201036504 七、申請專利範圍： 1. 一種光電傳送或接收裝置，包含： 一基板，具有一上表面及—凹槽，該凹槽是由一底面及 一由該底面向上延伸至該上表面之内側壁所界定，其中該基 板由一複合材料所構成’該複合材料藉由雷射活化而適可在 該複合材料表面形成一導體層； 一第〆導電層，設置在該凹槽的該底面的一第一部分， 並沿該凹槽的該内側壁及該基板的該上表面向外延伸，其中 該第一導電層係利用雷射活化該基板之該複合材料而形成； 一第二導電層，與該第一導電層電性絕緣，該第二導電 層設置在該凹槽的該底面的一第二部分，並沿該凹槽的該内 側壁及該基板的該上表面向外延伸，其中該第二導電層係利 用雷射活化該基板之該複合材料而形成；以及 一光電轉換晶片’設置於該凹槽之該底面上並分別與該 凹槽的該底面上的該第一導電層及該第二導電層電性連接。 2. 如請求項1所述之光電傳送或接收裝置，其中該複合材料包 括一模製互連元件雷射導引結構（Molded Interconnect Device-Laser Direct Structure，MID-LDS)所應用的複合材料。 3. 如請求項1所述之光電傳送或接收裝置，其中在該凹槽之該 底面上的該第，導電層為一固晶區’在該凹槽之該底面上的 該第二導電層為一打線區，該光電轉換晶片設置在該固晶區 並與該固晶區電性連接，而該光電轉換晶片與該打線區藉由 一導線電性連接。 4. 如請求項3所述之光電傳送或接收裝置，更包括一封膠’設 22 201036504 置於該凹槽内，並包覆該光電轉換晶片及該導線。 5. 如請求項1所述之光電傳送或接收裝置，其中該光電轉換晶 片為一發光二極體晶片或一光感晶片。 6. 如請求項1所述之光電傳送或接收裝置，其中該第一導電層 更包含一鑛銅層。 7. 如請求項6所述之光電傳送或接收裝置，其中該第一導電層 更包含一鍍鎳層，形成於該鍍銅層上。 8. 如請求項7所述之光電傳送或接收裝置，其中該第一導電層 更包含一鍍金層，形成於該鍍鎳層上。 9. 如請求項1所述之光電傳送或接收裝置，其中該第二導電層 更包含一鍍銅層。 10. 如請求項9所述之光電傳送或接收裝置，其中該第二導電層 更包含一鍍鎳層，形成於該鍍銅層上。 11. 如請求項10所述之光電傳送或接收裝置，其中該第二導電層 更包含一鍍金層，形成於該鍍鎳層上。 12. 如請求項1所述之光電傳送或接收裝置，更包括一焊接點， 該焊接點設置在該基板的一側面上，該側面與該基板的該上 表面相連接，該焊接點係自該第一導電層或該第二導電層延 伸。 13. —種光電傳送或接收裝置之製造方法，包含下列步驟.· (a)提供一基板，具有一上表面及一凹槽，該凹槽是由一 底面及一由該底面向上延伸至該上表面之内側壁所界定，其 中該基板由一複合材料所構成，該複合材料藉由雷射活化而 適可在該複合材料表面形成一導體層； 23 201036504 (b) 對該凹槽的該底面的一第一部分、部分該内側壁及該 基板的部分該上表面實施雷射照射，而形成一第一導電層； (c) 對該凹槽的該底面的一第二部分、部分該内側壁及該 基板的部分該上表面實施雷射照射，而形成一第二導電層， 其中該第二導電層與該第一導電層電性絕緣； (d) 將一光電轉換晶片設置在該凹槽的該底面上，並分別 與該凹槽的該底面上的該第一導電層及該第二導電層電性連 接。 14. 如請求項13所述之製造方法，其中該複合材料包含一模製互 連元件雷射導引結構（Molded Interconnect Device-Laser Direct Structure, MID-LDS)所應用之複合材料。 15. 如請求項13所述之製造方法，其中步驟(b)包含下述步驟： (bl)化鑛一鑛銅層。 16. 如請求項15所述之製造方法，其中步驟(b)更包含下述步驟： (b2)電鍍一鍍鎳層於該鍍銅層上。 17. 如請求項16所述之製造方法，其中步驟(b)更包含下述步驟： (b3)電鍍一鍍金層於該鍍鎳層上。 18. 如請求項13所述之製造方法，其中步驟(c)包含下述步驟： (cl)化鑛一鑛銅層。 19. 如請求項18所述之製造方法，其中步驟(c)更包含下述步驟： (c2)電鍍一鍍鎳層於該鍍銅層上。 20. 如請求項19所述之製造方法，其中步驟(c)更包含下述步驟： (c3)電鍍一鍍金層於該鍍鎳層上。 21. 如請求項13所述之製造方法，其中該凹槽之該底面上的該第 24 201036504 一導電層為一固晶區，在該凹槽之該底面上的該第二導電層 為一打線區，且於步驟(d)中，該光電轉換晶片係設置在該固 晶區並與該固晶區電性連接，而該光電轉換晶片與該打線區 藉由一導線電性連接。 22. 如請求項13所述之製造方法，其中該光電轉換晶片為一發光 二極體晶片或一光感晶片。 23. 如請求項13所述之製造方法，其中於步驟(d)後更包含下述步 驟： (e)施加一封膠，以包覆該光電轉換晶片及該導線。 24. 如請求項13所述之製造方法，其中該第一導電層或該第二導 電層更延伸形成一焊接點，並且該焊接點設置在該基板的一 側面上，該側面與該基板的該上表面相連接。 25. —種光電傳送或接收裝置，包含： 一基板，具有一上表面及一凹槽，該凹槽是由一底面及 一由該底面向上延伸至該上表面之内側壁所界定，其中該基 板由一複合材料所製成，該複合材料藉由雷射活化而適可在 該複合材料表面形成一導體層； 一第一導電層，設置在該凹槽的該底面，並沿該凹槽的 該内側壁及該基板的該上表面向外延伸，其中該第一導電層 係利用雷射活化該基板之該複合材料而形成； 一第二導電層，設置在凹槽的該底面之外，並沿該基板 的該上表面向外延伸且與該第一導電層電性絕緣，其中該第 二導電層係利用雷射活化該基板之該複合材料而形成；以及 一光電轉換晶片，設置於該凹槽之該底面上並分別與該 25 201036504 第一導電層及該第二導電層電性連接。 26. 如請求項25所述之光電傳送或接收裝置，其中該光電傳送或 接收裝置更包括複數焊接點，該等焊接點設置在該基板的一 側面上，該側面與該基板的該上表面相連接並適以與一電路 板表面接合，並且該等焊接點係自該第一導電層及該第二導 電層延伸。 27. 如請求項26所述之光電傳送或接收裝置，其中該複合材料包 括一模製互連元件雷射導引結構（Molded Interconnect Device-Laser Direct Structure, MID-LDS)所應用的複合材料。 28. 如請求項27所述之光電傳送或接收裝置，其中在該凹槽之該 底面上的該第一導電層為一固晶區，該第二導電層為一打線 區，該光電轉換晶片設置在該固晶區並與該固晶區電性連 接，而該光電轉換晶片與該打線區藉由一導線電性連接。 29. 如請求項28所述之光電傳送或接收裝置，其中該基板更形成 有一溝槽，連結該凹槽及該打線區，而該導線係經由該溝槽 連接該光電轉換晶片與該打線區。 30. 如請求項29所述之光電傳送或接收裝置，其中該光電傳送或 接收裝置更包括一封膠，包覆該光電轉換晶片及該導線。 31. 如請求項25所述之光電傳送或接收裝置，其中該光電轉換晶 片為一發光二極體晶片或一光感晶片。 32. 如請求項25所述之光電傳送或接收裝置，其中該第一導電層 及第二導電層更各包含一鍍銅層，形成於該基板上。 33. 如請求項32所述之光電傳送或接收裝置，其中該第一導電層 及第二導電層更各包含一鍍鎳層，相應形成於各該鍍銅層上。 26 201036504 34.如請求項33所述之光電傳送或接收装置，其令 % 電層更各包含-鍍金層’相應形成於各該麟層上: . 光電傳送或接收裝置之製造方法，包含下列步驟： ⑷形成-基板，具有一上表面及-凹槽，該凹槽是由一 底面及—由該底面向上延伸至該上表面之内側壁所界定，其 中該基板由—複合材料所製成，該複合材料藉由雷射活化而 適可在該複合材料表面形成一導體層； (b) 對該基板實施雷射照射，而形成—第一導電層，其中 該第一導電層形成於該凹槽的該底面，並沿該凹槽的該内侧 壁及該基板的該上表面向外延伸； (c) 對該基板實施雷射照射，而形成一第二導電層，其中 該第二導電層形成於該凹槽的該底面外，並沿該基板的該上 表面向外延伸且與該第一導電層電性絕緣； (句將一光電轉換晶片設置在該凹槽的該底面上，並分別 與該凹槽的該底面上的該第一導電層及該第二導電層電性連 接。 36. 如請求項35所述之製造方法，其中於步驟(b)及步驟(c)中， 該第一導電層或該第二導電層更延伸至該基板的一側面上， 以形成複數焊接點，該側面與該基板的該上表面相連接並適 以與一電路板表面接合。 37. 如請求項36所述之製造方法，其中該複合材料包含一模製互 連元件雷射導引結構（Molded Interconnect Device-Laser Direct Structure, MID-LDS)所應用之複合材料。 38·如請求項37所述之製造方法，其中該凹槽之該底面上的該第 27 201036504 一導電層為一固晶區，該第二導電層為一打線區，且於步驟 (d)中，該光電轉換晶片係設置在該固晶區並與該固晶區電性 連接，而該光電轉換晶片與該打線區藉由一導線電性連接。 39. 如請求項38所述之光電傳送或接收裝置，其中於步驟(a)中該 基板更形成有一溝槽，連結該凹槽及該打線區，而該導線係 經由該溝槽連接該光電轉換晶片與該打線區。 40. 如請求項39所述之製造方法，其中於步驟（d)後更包含下述步 驟： (e)施加一封膠，以包覆該光電轉換晶片及該導線。 41. 如請求項35所述之製造方法，其中該光電轉換晶片為一發光 二極體晶片或一光感晶片。 42. 如請求項35所述之製造方法，其中步驟(b)包含下述步驟： (M)化鍍一鍍銅層於該基板上。 43. 如請求項42所述之製造方法，其中步驟(b)更包含下述步驟： (b2)電鍍一鍍鎳層於該鍍銅層上。 44. 如請求項43所述之製造方法，其中步驟(b)更包含下述步驟： (b3)電鍍一鍍金層於該鍍鎳層上。 45. 如請求項35所述之製造方法，其中步驟(c)包含下述步驟： (cl)化鑛一鑛銅層於該基板上。 46. 如請求項45所述之製造方法，其中步驟(c)更包含下述步驟： (c2)電鍍一鍍鎳層於該鍍銅層上。 47. 如請求項46所述之製造方法，其中步驟(c)更包含下述步驟： (c3)電鍍一鍍金層於該鍍鎳層上。 28
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