KR20100102549A - 임프린트 장치 및 방법 - Google Patents

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아끼오 아오끼
히로시 이나다
도오루 고오다
히데끼 이나
히로시 사또
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캐논 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은
몰드를 유지하도록 구성된 임프린트 헤드를 포함하고,
기판 상의 샷 영역에 수지를 도포하고, 상기 몰드와 도포된 수지를 서로 압박하는 단계를 포함하는 임프린트 공정을 수행하는 임프린트 장치이며,
상기 기판 상의 선택된 복수의 샷 영역에 대한 상기 임프린트 공정의 순서를 제어하도록 구성된 제어기와,
상기 수지를 도포하도록 구성된 제1 도포기 및 제2 도포기를 포함하고,
상기 제1 도포기는 상기 임프린트 헤드에 대해서 제1 방향의 측에 배치되고, 상기 제2 도포기는 상기 임프린트 헤드에 대해서 상기 제1 방향과는 반대인 제2 방향의 측에 배치되는 임프린트 장치에 관한 것이다.

Description

임프린트 장치 및 방법{IMPRINT APPARATUS AND METHOD}
본 발명은, 임프린트 장치 및 방법에 관한 것이다.
나노임프린팅은, 나노미터 스케일의 미세 패턴의 전사를 가능하게 하는 기술이며, 자기 저장 매체 또는 반도체 디바이스의 양산에 적용가능한 나노리소그래피 기술로서 실용화되고 있다. 나노임프린팅에서는, 마스크로서 전자빔 노광 장치와 같은 장치에 의해 형성된 미세 패턴을 갖는 몰드를 사용하여 실리콘 웨이퍼 또는 유리 플레이트와 같은 기판 상에 미세 패턴이 형성된다. 상기 미세 패턴은, 기판 상에 나노임프린트 수지를 도포하고, 몰드에 의해 압박되어 있는 기판 상의 수지를 경화시킴으로써 형성된다.
현재 실용화되어 있는 나노임프린트 기술로서는, 열 사이클법 및 광 경화법이 있다. 열 사이클법에서는, 기판 상의 열가소성 나노임프린트 수지를 유리 전이 온도 이상의 온도로 가열하여 수지의 유동성을 높이고, 유동화된 수지에 대해 몰드를 압박한다. 냉각한 후에 수지로부터 몰드를 분리하여, 패턴을 형성한다. 광 경화법에서는, UV 경화성 나노임프린트 수지가 사용된다. 기판 상의 수지에 대해 몰드를 압박한다. 이 상태에서, 수지를 UV 조사에 의해 경화시킨다. 그 후, 경화된 수지로부터 몰드를 분리하여, 패턴을 형성한다. 열 사이클법에서는, 온도 제어가 전사 시간을 연장시키고, 치수 정밀도가 온도 변화로 인해 저하한다. 그러나, 광 경화법은 이러한 문제를 갖기 않기 때문에, 현 시점에서는 나노미터 스케일의 반도체 디바이스의 양산에 있어서 유리하다.
지금까지 수지의 경화법 및 용도에 따라서 다양한 나노임프린트 장치가 실현되어 왔다. 반도체 디바이스 등의 양산을 대상으로 하는 장치를 전제로 했을 경우, 임프린트 수지의 도포와 패턴의 전사를 기판 상의 각 샷 영역마다 반복하는 것이 효과적이다. 이러한 장치는 일본 특허 제4185941호 공보에 개시되어 있다. 상기 나노임프린트 장치는, 기판 스테이지, 나노임프린트 수지의 도포 기구, 임프린트 헤드, 광 조사계 및 위치결정 마크 검출 기구를 포함한다.
상기 언급된 나노임프린트 장치는, 샷 영역을 도포 기구 아래에 이동시키고 상기 샷 영역에 수지를 도포하고, 그 후에 상기 샷 영역을 몰드 아래에 이동시키고 기판에 대해 상기 몰드를 압박하는 공정을 반복할 수 있다. 따라서, 기판을 이동하는데 필요한 시간이 단축되는 것이 요구된다.
본 발명은 예를 들어, 그의 처리량 면에서 유리한 임프린트 장치 및 방법을 제공한다.
본 발명의 한면은
몰드를 유지하도록 구성된 임프린트 헤드를 포함하고,
기판 상의 샷 영역에 수지를 도포하고, 상기 몰드와 도포된 수지를 서로 압박하는 단계를 포함하는 임프린트 공정을 수행하는 임프린트 장치이며,
상기 기판 상의 선택된 복수의 샷 영역에 대한 상기 임프린트 공정의 순서를 제어하도록 구성된 제어기와,
상기 수지를 도포하도록 구성된 제1 도포기(dispenser) 및 제2 도포기를 포함하고,
상기 제1 도포기는 상기 임프린트 헤드에 대해서 제1 방향의 측에 배치되고, 상기 제2 도포기는 상기 임프린트 헤드에 대해서 상기 제1 방향과는 반대인 제2 방향의 측에 배치되고,
상기 기판은 상기 복수의 샷 영역의 레이아웃의 행이 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향과 평행하도록 배치되고, 상기 제1 도포기는 상기 레이아웃의 제1 그룹에 속하는 샷 영역에 수지를 도포하고, 상기 제2 도포기는 상기 레이아웃의 제2 그룹에 속하는 샷 영역에 수지를 도포하고,
상기 제1 그룹은 상기 제1 방향의 측에 있고, 상기 제2 그룹은 상기 제2 방향의 측에 있고, 상기 제1 그룹의 제r(r은 자연수)행에 속하는 샷 영역의 개수와 상기 제2 그룹의 제r행에 속하는 샷 영역의 개수와의 차이가 1 이하이고,
상기 제어기는,
상기 레이아웃의 1개의 행의 선택된 샷 영역의 모두에 대해 상기 임프린트 공정이 종료되면, 상기 레이아웃의 다음 행의 선택된 샷 영역에 대해 상기 임프린트 공정이 행해지는 제1 조건,
상기 제1 그룹으로부터 선택된 제r행에 속하는 복수의 샷 영역이 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향에 평행한 제r행 선택 방향으로 순차적으로 임프린트 공정이 행해지는 제2 조건,
상기 제2 그룹으로부터 선택된 제r행에 속하는 복수의 샷 영역이 상기 제r행 선택 방향으로 순차적으로 임프린트 공정이 행해지는 제3 조건, 및
상기 레이아웃의 1개의 행에 대하여, 상기 제1 그룹의 선택된 샷 영역과 상기 제2 그룹의 선택된 샷 영역은, 교대로 임프린트 공정이 행해질 수 있는 한, 교대로 임프린트 공정이 행해지는 제4 조건을 충족시키기 위해 상기 순서를 제어하도록 구성되는, 임프린트 장치를 제공한다.
본 발명의 추가 특징은 첨부된 도면을 참조로 하여 예시적인 실시형태에 대한 이하의 기재로부터 명백해질 것이다.
본 발명은 예를 들어, 처리량의 면에서 유리한 임프린트 장치 및 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 제1 실시형태에 따른 임프린트의 순서를 예시하는 도면.
도 2a 내지 도 2c는 광 경화법에 의한 임프린트의 원리를 설명하는 도면.
도 3은 바람직한 실시형태에 따른 임프린트 장치의 개략 구성을 도시하는 도면.
도 4a 내지 도 4e는 바람직한 실시형태에 따른 임프린트 장치의 임프린트 동작을 예시하는 도면.
도 5는 기판 상의 샷 영역을 2개의 그룹에 분리하는 방법을 예시하는 도면.
도 6은 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 임프린트 장치의 임프린트 공정의 절차를 예시하는 순서도.
도 7은 제2 실시형태에 따른 임프린트의 순서를 예시하는 도면.
도 8a 내지 도 8e는 또 다른 바람직한 실시형태에 따른 임프린트 장치의 임프린트 동작을 예시하는 도면.
도 9는 다른 바람직한 실시형태에 따른 임프린트 장치의 임프린트 동작을 예시하는 도면.
이하에, 본 발명의 바람직한 실시형태를 첨부한 도면을 참조로 하여 상세하게 설명한다.
도 2a 내지 도 2c를 참조하면서 광 경화법에 의한 임프린트의 원리를 설명한다. 도 2a의 단계에서, 임프린트 수지(이하, 수지라고 함)(13)가 기판(12)에 도포된다. 몰드(11)의 패턴면(15)이 기판(12) 상의 수지(13)에 대해 압박된다. 이 예에서, 수지(13)는 UV 광과 같은 광으로 조사될 때 경화가능하다. 몰드(11)는 석영과 같은 UV 투광성 재료로 구성된다. 패턴면(15) 상에는 패턴(16)이 형성되어 있다. 몰드(11)의 패턴면(15)이 실리콘 웨이퍼 또는 유리 플레이트와 같은 기판(12) 상의 수지(13)에 대해 압박될 때, 수지(13)는 모세관 현상에 의해 패턴(16)의 오목부에 유입된다.
도 2b의 단계에서, 몰드(11)가 기판(12) 상의 수지(13)에 대해 압박되는 상태에서, UV 광(14)이 몰드(11)를 통해서 수지(13)에 조사된다. 상기 UV 광(14)은 수지(13)를 경화시켜, 몰드(11)의 패턴(16)을 기판(12)에 전사한다. 본 명세서에서, 나노임프린트 기술로 대표되는 임프린트 기술에 의해 기판에 패턴을 형성하거나 전사하는 것을 "임프린트"라고 한다.
도 2c의 단계에서, 몰드(11)는 기판(12) 상의 수지(13)로부터 분리된다. 기판(12) 상에는 몰드(11)의 패턴(16)에 대응하는 형상을 갖는 수지(13)가 남는다. 몰드(11)를 분리한 후에, 전사된 수지(13)의 패턴은 종래의 노광 장치의 리소그래피에 의해 형성된 레지스트 패턴과 동등한 것이 될 수 있다. 반도체 디바이스의 제조에 있어서의 후속 공정은 노광 장치에서와 동일하다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 임프린트 장치(INP)를 도 3을 참조하여 설명한다. 임프린트 장치(INP)는, 샷 영역에 수지를 도포하고 몰드(11)의 패턴면(15)에 의해 압박된 기판(12) 상의 수지를 경화시킴으로써, 기판(12) 상의 샷 영역에 패턴을 임프린트하도록 구성된다. 임프린트 장치(INP)는, 임프린트 헤드(33), 기판 상의 선택된 복수의 샷 영역의 임프린트 순서를 제어하는 제어기(51), 및 임프린트 타겟 샷 영역에 수지를 도포하는 제1 도포기(32) 및 제2 도포기(52)를 포함한다. 이 실시형태에서는, X축 방향 및 Y축 방향의 원점이 임프린트 헤드(33)의 중심과 일치하도록 설정된다.
이 실시형태에서는, 수지는 광에 의해 조사될 때 경화가능한 광 경화성 수지이며, 임프린트 장치(INP)는 몰드(11)를 통해서 수지에 광(39)을 조사하는 광 조사계(34)를 포함한다. 광 조사계(34)는 몰드(11)의 패턴면(15)이 기판(12) 상의 수지에 대해 압박될 때에 상기 수지에 광을 조사한다. 다른 실시에서는, 수지는 열과 같은 다른 물리적인 에너지의 부여시, 또는 화학적으로 변화될 때 경화가능하다. 각각의 제1 도포기(32) 및 제2 도포기(52)는 예를 들어, 수지를 토출하는 노즐의 개수를 선택함으로써 도포 폭을 조정할 수 있도록, 복수의 노즐을 갖는다.
제1 도포기(32)는 임프린트 헤드(33)(의 중심)에 대하여 제1 방향(+X 방향)에 배치된다. 제2 도포기(52)는 상기 제1 방향(+X 방향)과 반대 방향, 즉 임프린트 헤드(33)에 대하여 제2 방향(-X 방향)에 배치된다. 제1 도포기(32) 및 제2 도포기(52)는, 제1 도포기(32), 제2 도포기(52) 및 임프린트 헤드(33)의 중심 (또는 원점)이 서로 직선 상에 위치하도록 배치될 수 있다.
임프린트 헤드(33)는, 몰드(11)를 유지하기 위한 몰드 척(chuck)을 갖는다. 상기 임프린트 헤드(33)의 몰드 척이 몰드(11)를 유지하는 동안에 (도시하지 않은) 액추에이터는 임프린트 헤드(33)를 상하 방향(Z축 방향)으로 구동한다. 상기 액추에이터가 임프린트 헤드(33)를 하방으로 구동할 때, 몰드(11)의 패턴면(15)이 기판(12) 상의 수지에 대해 압박된다. 상기 액추에이터가 임프린트 헤드(33)를 상방으로 구동할 때, 몰드(11)의 패턴면(15)이 기판(12) 상의 수지로부터 분리된다.
임프린트 장치(INP)는 (도시하지 않은) 기판 척에 의해 유지되는 기판(12)을 구동하는 기판 구동 기구(31)를 포함한다. 기판 구동 기구(31)는, XYZ 좌표계에 있어서 적어도 2축, 즉 Z축 방향에 대해 수직인 X축 방향 및 Y축 방향을 따라서 기판(12)의 위치를 제어할 수 있다. 임프린트 장치(INP)는, 몰드(11)와 기판(12) 사이의 위치 어긋남을 검출하는 검출기(35)를 포함할 수 있다. 검출기(35)는 예를 들어, 몰드(11) 상에 형성된 마크와 기판(12) 상에 형성된 마크를 광학적으로 검출함으로써, 몰드(11)와 기판(12) 사이의 위치 어긋남을 검출할 수 있다. 부호 38은 검출기(35)의 검출 광축을 개략적으로 나타낸다.
제어기(51)는 기판 상의 선택된 복수의 샷 영역의 임프린트 순서를 제어하고, 또한 예를 들어, 기판 구동 기구(31), 제1 도포기(32), 제2 도포기(52), 광 조사계(34) 및 검출기(35)를 제어하도록 구성될 수 있다.
도 4a 내지 도 4e를 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 임프린트 장치의 임프린트 동작을 예시적으로 설명한다. 도 4a는, 임프린트 헤드(33)에 의해 유지되는 몰드(11)의 직하에 기판(12)의 중심이 있는 상태를 나타낸다. 부호 41은 기판(12)의 중심 부근의 샷 영역, 42는 기판(12)의 외주 부근의 샷 영역을 나타낸다. 도 4b는, 제1 도포기(32)가 기판(12) 상의 샷 영역(41)에 수지의 도포를 개시하기 직전의 상태를 나타낸다. 이때, 기판(12)의 중심 부근이 제1 도포기(32)의 직하 주변에 위치한다. 도 4c는, 제1 도포기(32)가 기판(12) 상의 샷 영역(41)에 대한 수지의 도포를 종료한 직후의 상태를 나타낸다. 도 4b에 나타내는 상태로부터 도 4c에 나타내는 상태로 이행하는 동안, 샷 영역(41)의 전역에 수지(43)을 도포하기 위해서, 제1 도포기(32)에 의한 수지의 도포 및 기판 구동 기구(31)에 의한 기판의 구동이 병행해서 수행된다. 도 4d는, 임프린트 직후(즉, 몰드(11)가 기판(12) 상의 수지에 대해 압박되는 동안에 기판(12) 상의 샷 영역(41)에 도포된 수지가 경화되고, 상기 수지로부터 몰드(11)가 분리된 직후)의 상태를 나타낸다. 몰드(11)의 패턴면 상에 형성된 패턴은 임프린트 시에 기판(12) 상의 수지에 전사되어 패턴(45)을 형성한다. 도 4e는, 제2 도포기(52)가 기판(12)의 샷 영역(42)에 대한 수지의 도포를 개시하기 직전의 상태를 나타낸다.
도 1을 참조하여 본 발명의 제1 실시형태에 따른 임프린트의 순서를 예시적으로 설명한다. 도 1에 있어서, 기판(12) 상의 영역 내에 각 직사각형은 샷 영역을 나타낸다. 각 직사각형 내의 숫자는, 임프린트의 순서를 나타낸다. 도 1의 예에서, 샷 영역은 Y축에 대하여 대칭으로 배열된다.
기판(12) 상의 복수의 샷 영역의 레이아웃의 행(row)은, X 방향을 따르도록 정의된다. 상기 레이아웃의 열(column)은 Y 방향을 따르도록 정의된다. 각 행의 샷 영역은 +X 방향 (제1 방향)측의 제1 그룹 및 -X 방향(제2 방향)측의 제2 그룹으로 분리된다. 상기 제1 그룹의 제r(r은 자연수)행에 속하는 샷 영역의 개수와 상기 제2 그룹의 제r행에 속하는 샷 영역의 개수와의 차이가 1 이하로 되도록 분리가 이루어진다. 도 1의 예에서, 기판(12) 상의 복수의 (모든) 샷 영역의 레이아웃은 분리 경계(101)를 대칭축으로 하여 대칭이다. 따라서, 상기 제1 그룹의 제r행에 속하는 샷 영역의 개수와 상기 제2 그룹의 제r행에 속하는 샷 영역의 개수와의 차이가 모든 행에 있어서 0이다.
화살표(104)는, 제1 그룹에 속하는 샷 영역의 임프린트의 순서를 나타낸다. 화살표(105)는, 제2 그룹에 속하는 샷 영역의 임프린트의 순서를 나타낸다. 부호 106은 기판 상의 샷 영역의 레이아웃에 있어서의 행의 번호(r)를 나타내고, 107은 상기 레이아웃에 있어서의 열의 번호를 나타낸다. 제1 도포기(32)는 제1 그룹에 속하는 선택된 샷 영역에 수지를 도포하는 반면, 제2 도포기(52)는 제2 그룹에 속하는 선택된 샷 영역에 수지를 도포한다.
제어기(51)는, 이하의 제1 조건, 제2 조건, 제3 조건 및 제4 조건을 충족하도록, 기판(12) 상의 선택된 복수의 샷 영역의 임프린트의 순서를 제어한다. 선택된 샷 영역은, 특정 패턴을 임프린트에 의해 형성해야 할 타겟으로서 기판(12) 상의 모든 샷 영역으로부터 선택된 샷 영역을 의미한다. 기판(12) 상의 모든 샷 영역 또는 일부 샷 영역이 선택될 수 있다. 도 1의 예에서는, 기판(12) 상의 모든 샷 영역이 선택된다.
(제1 조건)
1개의 행에 속하는 선택된 샷 영역의 모두에 대한 임프린트가 종료될 때, 다음 행에 속하는 선택된 샷 영역에 대하여 임프린트가 실행된다.
(제2 조건)
제1 그룹에 속하는 선택된 샷 영역 중에서, 제r행에 속하는 샷 영역은 제1 방향(+X 방향) 및 제2 방향(-X 방향)에 평행한 제r행 선택 방향을 따르는 순서대로 임프린트가 행해진다.
(제3 조건)
제2 그룹에 속하는 선택된 샷 영역 중에서, 제r행에 속하는 샷 영역은 상기 제r행 선택 방향을 따르는 순서대로 임프린트가 행해진다.
(제4 조건)
제1 그룹에 속하는 선택된 샷 영역과 제2 그룹에 속하는 선택된 샷 영역은, 교대로 임프린트가 행해질 수 있는 한, 교대로 임프린트가 행해진다.
도 1의 예에서, 제1 그룹에 포함되는 선택된 샷 영역의 레이아웃과 제2 그룹에 포함되는 선택된 샷 영역의 레이아웃이 대칭이다. 따라서, 제1 그룹에 속하는 선택된 샷 영역에 대한 임프린트 및 제2 그룹에 속하는 선택된 샷 영역에 대한 임프린트는 교대로 실행된다.
도 1의 예에서, 제1 행에 속하는 선택된 샷 영역(1 내지 4로 표시됨)에 대한 임프린트가 종료되면, 제2 행에 속하는 선택된 샷 영역(5 내지 10으로 표시됨)에 대하여 임프린트가 실행된다(제1 조건). 마찬가지로, 제r행에 속하는 선택된 샷 영역의 모두에 대한 임프린트가 종료되면, 제(r+1)행에 속하는 선택된 샷 영역에 대하여 임프린트가 실행된다(제1 조건).
제1 그룹에 속하는 선택된 샷 영역 중에서, 제r행에 속하는 샷 영역은 제1 방향(+X 방향) 및 제2 방향(-X 방향)에 평행한 (화살표(104)로 나타내는) 제r행 선택 방향을 따르는 순서대로 임프린트가 행해진다(제2 조건). 또한, 제2 그룹에 속하는 선택된 샷 영역 중에서, 제r행에 속하는 샷 영역은 (화살표(105)로 나타내는) 상기 제r행 선택 방향을 따르는 순서대로 임프린트가 행해진다(제3 조건). 제1 그룹에 속하는 선택된 샷 영역과 제2 그룹에 속하는 선택된 샷 영역은 교대로 임프린트가 행해진다(제4 조건). 예를 들어, 제1 그룹의 제1 행에서의 샷 영역 "1", 제2 그룹의 제1 행에서의 샷 영역 "2", 제1 그룹의 제1 행에서의 샷 영역 "3", 및 제2 그룹의 제1 행에서의 샷 영역 "4"는 이 순서대로 임프린트가 행해진다.
각 그룹의 각 행에서의 샷 영역의 임프린트의 순서는, r이 홀수일 때 제r행 선택 방향이 제1 방향(+X 방향)이고, r이 짝수일 때 제r행 선택 방향이 제2 방향(-X 방향)이도록 결정되는 것이 바람직하다. 다르게는, 각 그룹의 각 행에서의 샷 영역의 임프린트의 순서는, r이 홀수일 때 제r행 선택 방향이 제2 방향(-X 방향)이고, r이 짝수일 때 제r행 선택 방향이 제1 방향(+X 방향)이도록 결정되는 것이 바람직하다. 홀수 행에서의 제r행 선택 방향과 짝수 행에서의 제r행 선택 방향을 서로 반대 방향으로 설정하는 것이, 기판의 이동량을 적게 하고, 처리량을 향상시키기 위해서 유효하다. 다시 말해서, r = r0일 때의 제r행 선택 방향과 r = r0+1일 때의 제r행 선택 방향을 서로 반대 방향으로 설정하는 것이, 처리량 면에서 유리하다.
도 1에 나타낸 임프린트 순서는 이하 식으로 표현될 수 있다. 이들 식의 연산의 결과는 소수점 이하 부분을 버림으로써 정수화된다.
O1(i) = NX/2 + i
O2(i) = NX/2 - n(j)/2 + i
E1(i) = (NX + 1)/2 + n(j)/2 - (i - 1)
E2(i) = (NX + 1)/2 - (i - 1)
여기서, O1(i)은, 제1 그룹의 홀수행에 속하는 샷 영역 중에서 i번째에 임프린트가 행해지는 샷 영역의 열의 번호이고, O2(i)는, 제2 그룹의 홀수행에 속하는 샷 영역 중 i번째에 임프린트가 행해지는 샷 영역의 열의 번호이고, E1(i)은, 제1 그룹의 짝수행에 속하는 샷 영역 중 i번째에 임프린트가 행해지는 샷 영역의 열의 번호이고, E2(i)는, 제2 그룹의 짝수행에 속하는 샷 영역 중 i번째에 임프린트가 행해지는 샷 영역의 열의 번호이고, NX는, 샷 영역의 수가 가장 많은 행의 샷 영역의 개수(즉, 열의 개수)이고, n(r)은, 제r행의 샷 영역의 개수이다.
도 1의 샷 영역(선택된 샷 영역)의 레이아웃 예에 있어서, 순서로서 샷 영역 4, 3, 2, 55, 54, 56 및 53에 대해 최초에 임프린트를 수행할 경우에 있어서도, 제1 조건 내지 제4 조건은 충족될 수 있다.
도 5의 예에서, 제1 그룹의 제r(r은 자연수)행에 속하는 샷 영역의 개수와 제2 그룹의 제r행에 속하는 샷 영역의 개수의 차이가 모든 행에서 1이다. 도 5의 예에서, 분리 경계(110)는 기판(12) 상의 복수의 샷 영역을 제1 그룹과 제2 그룹으로 분리한다. 기판(12) 상의 영역 내에 각 직사각형은 샷 영역을 나타낸다. 각 직사각형 내의 숫자는, 임프린트의 순서를 나타낸다. 도 5의 예에서도, 제1 조건 내지 제4 조건이 충족된다.
도 6을 참조하면서 임프린트 장치(INP)의 임프린트 공정의 절차를 예시적으로 설명한다. 상기 임프린트 공정은 제어기(51)에 의해서 제어될 수 있다. 단계(S601)에서, 제어기(51)는 제1 조건 내지 제4 조건을 충족하는 임프린트의 순서에 따라서, 다음의 임프린트 타겟 샷 영역을 결정한다. 임프린트 순서는, 제1 조건 내지 제4 조건을 충족하고 제어기(51)에서 설정되도록 미리 결정될 수 있다. 다르게는, 제어기(51)는 기판 상의 복수의 (모든) 샷 영역의 레이아웃 및 선택된 샷 영역에 기초하여 임프린트의 순서를 결정할 수 있다.
단계(S602)에서는, 제어기(51)는 임프린트 타겟 샷 영역에 수지를 도포하기 위해서 기판 구동 기구(31), 제1 도포기(32) 및 제2 도포기(52)를 제어한다. 임프린트 타겟 샷 영역이 제1 그룹에 속할 경우에는, 제1 도포기(32)가 상기 샷 영역에 수지를 도포한다. 임프린트 타겟 샷 영역이 제2 그룹에 속할 경우에는, 제2 도포기(52)가 상기 샷 영역에 수지를 도포한다.
단계(S603)에서는, 제어기(51)는 수지가 도포된 샷 영역에 대하여 임프린트를 실행하기 위해서 기판 구동 기구(31), 임프린트 헤드(33) 및 광 조사계(34)를 제어한다. 이때의 동작은, 예를 들어 다음과 같다. 우선, 기판 구동 기구(31)는 수지가 도포된 샷 영역을 임프린트 헤드(33)에 대하여 위치 결정한다. 다음에, 임프린트 헤드(33)는 상기 샷 영역에서 수지에 대하여 압박된다. 이 상태에서, 광 조사계(34)는 상기 수지를 광으로 조사하여 상기 수지를 경화시킨다. 계속해서, 임프린트 헤드(33)는 경화한 수지로부터 분리된다.
단계(S604)에서는, 제어기(51)는 임프린트 타겟 샷 영역의 모두의 공정이 종료되었는지를 판단한다. 공정이 종료되지 않은 경우에, 공정은 단계(S601)로 복귀된다. 공정이 종료되었을 경우에, 1매의 기판의 임프린트 공정이 종료된다.
이하, 본 발명의 제2 실시형태를 설명한다. 기판 상에서 복수의 샷 영역이 서로 근접해서 배치될 경우에, 샷 영역 사이의 경계에서의 수지를 고려해야 할 필요가 있을 수 있다. 임프린트에 의해 형성된 패턴을 사용해서 하층(underlying layer)을 에칭할 경우에, 샷 영역 사이에 수지의 간극은 상기 간극의 부분에서 층의 에칭을 초래한다. 반대로, 샷 영역에 대한 과잉 도포는 수지가 아직 임프린트되지 않은 인접 샷에 유입되어 상기 인접 샷에 대한 임프린트를 저해할 수 있다.
이러한 문제점을 고려하여, 제1 패턴을 형성해야 할 제1 샷 영역과 상기 제1 패턴보다도 큰 면적을 갖는 제2 패턴을 형성해야 할 제2 샷 영역이 체크 무늬 패턴을 형성하는 유용한 레이아웃이 채택된다. 제1 패턴 및 제2 패턴은 동일 몰드(11)를 사용해서 형성될 수 있다. 이 경우에, 제1 샷 영역 및 제2 샷 영역에 도포되는 수지의 양을 변화시킴으로써, 제1 패턴과 제2 패턴이 선택적으로 형성될 수 있다. 다르게는, 제1 패턴 및 제2 패턴은 상이한 몰드(11)를 사용하여 형성될 수 있다.
도 7의 예에서, 제1 패턴을 형성해야 할 제1 샷 영역(91)과 상기 제1 패턴보다도 큰 면적을 갖는 제2 패턴을 형성해야 할 제2 샷 영역(92)이 체크 무늬 패턴으로 배열되어 있다. 제2 샷 영역(92)의 크기는, 예를 들어 스크라이브 라인을 덮도록 결정된다. 도 7에서, 각 직사각형 내의 숫자는, 임프린트의 순서를 나타낸다.
도 7의 예에서, 제어기(51)에 의해 제어되는 임프린트의 순서는, 다음과 같이 설정되거나 또는 결정된다. 우선, 복수의 제1 샷 영역(91)은 임프린트 타겟 샷 영역으로서 선택된다. 복수의 선택된 제1 샷 영역(91)은 제1 조건 내지 제4 조건을 충족하는 순서대로 임프린트가 행해진다. 다음에, 복수의 제2 샷 영역(92)은 임프린트 타겟 샷 영역으로서 선택된다. 복수의 선택된 제2 샷 영역(92)은 제1 조건 내지 제4 조건을 충족하는 순서대로 임프린트가 행해진다.
제1 샷 영역(91) 및 제2 샷 영역(92)에 대해 임프린트가 교대로 수행될 수 없는 경우에, 도 7에서 화살표(93 및 94)로 표시된 순서에 따라서 샷 영역에 대한 임프린트를 수행하는 것이 처리량 면에서 바람직하다. 제2 조건 및 제3 조건에 따르면, 임프린트는 기판의 외측으로부터 내측의 샷 영역에 대해 수행된다. 그러나, 처리량을 향상시키기 위해서 화살표(93 및 94)로 표시된 바와 같이 순서는 반전된다. 이를 위해서, 제1 샷 영역(91) 또는 제2 샷 영역(92)에 속하는 적어도 2개의 샷 영역에 대하여 연속해서 임프린트를 수행할 경우에, 기판의 내측으로부터 외측의 샷 영역에 대하여 임프린트를 수행하는 제5 조건이 추가될 수 있다.
도 8a 내지 도 8e를 참조하여 본 발명의 또 다른 바람직한 실시형태에 따른 임프린트 장치의 임프린트 동작을 예시적으로 설명한다. 도 9는 도 8a 내지 도 8e에 나타내는 임프린트 동작의 순서를 나타낸다. 도 8a 내지 도 8e에 나타낸 실시형태에서, 제1 도포기(32) 및 제2 도포기(52)는 이동가능하다. 제1 도포기(32) 및 제2 도포기(52)는 이동하면서 정지해 있는 기판(12)에 수지를 도포할 수 있다.
도 8a는 임프린트 헤드(33)에 의해 유지되는 몰드(11)의 직하에 기판(12)의 중심이 있는 상태를 나타낸다. 부호 41과 46은, 기판(12)의 중심 부근의 샷 영역의 예이고 또한 제1 그룹에 속하는 제1 샷 영역의 예를 나타낸다. 부호 42와 47은, 기판(12)의 외주 부근의 샷 영역의 예이고 또한 제2 그룹에 속하는 제2 샷 영역의 예를 나타낸다. 제1 그룹은 X축 방향에서 포지티브 방향 측에 있는 제1 샷 영역으로 이루어진다. 제2 그룹은 X축 방향에서 포지티브 방향 측에 있는 제2 샷 영역으로 이루어진다.
도 8b는 제1 도포기(32)가 기판(12) 상의 샷 영역(41)에 수지를 도포하고 있는 상태를 나타낸다. 기판 구동 기구(31)는 샷 영역(41)이 제1 도포기(32)의 직하 부근에 위치하도록 기판(12)을 구동한다. 그 후에, 제1 도포기(32)는 이동하면서 샷 영역(41)에 수지(43)를 도포한다(901).
도 8c는 기판 구동 기구(31)가, 제1 도포기(32)에 의해 수지(43)가 도포된 샷 영역(41)이 몰드(11)의 직하에 위치하도록 기판(12)을 구동하고, 샷 영역(41)에 대하여 임프린트(몰드(11)의 압박)가 실행되는 상태를 나타낸다. 임프린트 시에, 몰드(11)의 패턴이 수지(43)에 전사되어 패턴(45)을 형성한다(902). 임프린트 동작(몰드(11)의 압박)과 병행하여, 제2 도포기(52)는 이동하면서 샷 영역(42)에 수지(48)를 도포한다(902).
도 8d는 기판 구동 기구(31)가, 제2 도포기(52)에 의해 수지(48)가 도포된 샷 영역(42)이 몰드(11)의 직하에 위치하도록 기판(12)을 구동하고, 샷 영역(42)에 대하여 임프린트(몰드(11)의 압박)가 실행되는 상태를 나타낸다. 임프린트 시에, 몰드(11)의 패턴이 수지(48)에 전사되어 패턴(49)을 형성한다(903). 임프린트 동작(몰드(11)의 압박)과 병행하여, 제1 도포기(32)는 이동하면서 샷 영역(46)에 수지(50)를 도포한다(903).
도 8e는 기판 구동 기구(31)가, 제1 도포기(32)에 의해 수지(50)가 도포된 샷 영역(46)이 몰드(11)의 직하에 위치하도록 기판(12)을 구동하고, 샷 영역(46)에 대하여 임프린트(몰드(11)의 압박)가 실행되는 상태를 나타낸다. 임프린트 시에, 몰드(11)의 패턴이 수지(50)에 전사되어 패턴(61)을 형성한다(904). 임프린트 동작(몰드(11)의 압박)과 병행하여, 제2 도포기(52)는 이동하면서 샷 영역(47)에 대해 수지(62)를 도포한다(904).
도 8a 내지 도 8e에 나타내는 실시형태에 따르면, 도포기는 상기 기재된 방식으로 이동하면서 샷 영역에 수지를 도포한다. 따라서, 몰드(11)를 사용하여 임프린트 동작을 행하는 동안에 다음의 샷 영역에 수지를 도포할 수 있다. 이것은, 샷 영역에 수지를 도포하는 데 필요한 시간이 임프린트 동작 기간에 포함되기 때문에, 제조 시간을 단축시킨다. 몰드(11)와 제1 도포기(32) 및 제2 도포기(52) 사이의 이동 개시 시의 위치 관계는 임의로 설정될 수 있다. 위치 관계는 예를 들어, 샷 영역의 크기 또는 레이아웃에 따라서 설정될 수 있다.
제어기(51)는 샷 영역의 레이아웃을 나타내는 레이아웃 정보에 기초하여 수지의 도포 타겟 샷 영역에 대한 도포의 개시 위치를 결정하고, 상기 개시 위치에 대하여 제1 도포기(32) 및 제2 도포기(52) 중 대응하는 것을 이동시킨다. 다음에, 제어기(51)는 제1 도포기(32) 및 제2 도포기(52) 중 대응하는 것을 샷 영역을 가로질러 상기 도포기를 이동시키면서 수지의 도포 타겟 샷 영역에 수지를 도포시키도록 한다. 제1 도포기(32)는 제1 그룹에 속하는 선택된 샷 영역에 수지를 도포하는 반면, 제2 도포기(52)는 제2 그룹에 속하는 선택된 샷 영역에 수지를 도포한다. 레이아웃 정보는 전형적으로는 하나 또는 복수의 기판을 포함하는 로트(lot)의 공정 이전에 제어기(51)에 제공된다.
상기의 예에서, 제1 그룹에 속하는 샷 영역에 대한 임프린트와 병행하여, 제2 도포기(52)는 제2 그룹에 속하는 다음의 임프린트 타겟 샷 영역에 수지를 도포한다. 또한, 제2 그룹에 속하는 샷 영역에 대한 임프린트와 병행하여, 제1 도포기(32)는 제1 그룹에 속하는 다음의 임프린트 타겟 샷 영역에 수지를 도포한다.
상기의 예 대신에 다음과 같은 제어도 유용하다. 제1 그룹에 속하는 샷 영역에 대한 임프린트와 병행하여, 제2 도포기(52)는 제2 그룹에 속하는 다음의 임프린트 타겟 샷 영역에 수지를 도포하기 위한 위치로 이동한다. 또한, 제2 그룹에 속하는 샷 영역에 대한 임프린트와 병행하여, 제1 도포기(32)는 제1 그룹에 속하는 다음의 임프린트 타겟 샷 영역에 수지를 도포하기 위한 위치로 이동한다.
상술한 바와 같이, 장치가 오직 하나의 임프린트 헤드, 하나의 기판 구동 기구 및 수지를 도포하기 위한 2개의 도포기를 포함하는 경우에, 장치 비용은 낮게 억제될 수 있다. 또한, 상술한 임프린트 절차를 적용하면, 처리량 면에서 유리하다.
물품으로서의 디바이스(예를 들어, 반도체 집적 회로 디바이스 또는 액정 표시 디바이스)의 제조 방법은, 상술한 임프린트 장치를 사용해서 기판(예를 들어, 웨이퍼, 유리 플레이트 또는 필름형 기판)에 패턴을 전사(형성)하는 단계를 포함한다. 또한, 상기 방법은 패턴이 전사된 상기 기판을 에칭하는 단계를 포함할 수 있다. 또한, 패턴화된 매체(기록 매체) 또는 광학 소자와 같은 다른 물품을 제조하기 위해, 상기 방법은 에칭 단계 대신에 패턴이 전사된 기판을 가공하는 다른 공정 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시형태는 상술되어 있다. 그러나, 본 발명은 상술된 실시형태에 한정되지 않고, 본 발명의 기술 사상 및 범주 내에서 다양한 변형 및 변경이 이루어질 수 있다.
본 발명은 반도체 디바이스 또는 MEMS(Micro Electro-Mechanical Systems; 마이크로 전기기계 시스템)와 같은 물품을 제조하기 위해 사용되는 미세 패턴의 형성에 이용가능하다.
본 발명은 예시적인 실시형태를 참조로 하여 기재되었지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시형태에 한정되지 않는 것으로 이해해야 한다. 하기 특허청구범위의 범주는 이러한 모든 변형 및 등가의 구조 및 기능을 포함하도록 최대한 넓은 범위로 해석되어야 한다.
12: 기판
13: 수지
101: 분리 경계
104: 제1 그룹에 속하는 샷 영역의 임프린트의 순서
105: 제2 그룹에 속하는 샷 영역의 임프린트의 순서
106: 레이아웃에 있어서의 행의 번호
107: 레이아웃에 있어서의 열의 번호

Claims (10)

  1. 몰드를 유지하도록 구성된 임프린트 헤드를 포함하고,
    기판 상의 샷 영역에 수지를 도포하고, 상기 몰드와 도포된 수지를 서로 압박하는 단계를 포함하는 임프린트 공정을 수행하는 임프린트 장치이며,
    상기 기판 상의 선택된 복수의 샷 영역에 대한 상기 임프린트 공정의 순서를 제어하도록 구성된 제어기와,
    상기 수지를 도포하도록 구성된 제1 도포기(dispenser) 및 제2 도포기를 포함하고,
    상기 제1 도포기는 상기 임프린트 헤드에 대해서 제1 방향의 측에 배치되고, 상기 제2 도포기는 상기 임프린트 헤드에 대해서 상기 제1 방향과는 반대인 제2 방향의 측에 배치되고,
    상기 기판은 상기 복수의 샷 영역의 레이아웃의 행이 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향과 평행하도록 배치되고,
    상기 제1 도포기는 상기 레이아웃의 제1 그룹에 속하는 샷 영역에 수지를 도포하고, 상기 제2 도포기는 상기 레이아웃의 제2 그룹에 속하는 샷 영역에 수지를 도포하고,
    상기 제1 그룹은 상기 제1 방향의 측에 있고, 상기 제2 그룹은 상기 제2 방향의 측에 있고, 상기 제1 그룹의 제r(r은 자연수)행에 속하는 샷 영역의 개수와 상기 제2 그룹의 제r행에 속하는 샷 영역의 개수와의 차이가 1 이하이고,
    상기 제어기는,
    상기 레이아웃의 1개의 행의 선택된 샷 영역의 모두에 대해 상기 임프린트 공정이 종료되면, 상기 레이아웃의 다음 행의 선택된 샷 영역에 대해 상기 임프린트 공정이 실행되는 제1 조건,
    상기 제1 그룹으로부터 선택된 제r행에 속하는 복수의 샷 영역은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향과 평행한 제r행 선택 방향으로 순차적으로 임프린트 공정이 행해지는 제2 조건,
    상기 제2 그룹으로부터 선택된 제r행에 속하는 복수의 샷 영역은 상기 제r행 선택 방향으로 순차적으로 임프린트 공정이 행해지는 제3 조건, 및
    상기 레이아웃의 1개의 행에 대하여, 상기 제1 그룹의 선택된 샷 영역과 상기 제2 그룹의 선택된 샷 영역은, 교대로 임프린트 공정이 행해질 수 있는 한, 교대로 임프린트 공정이 행해지는 제4 조건을 충족시키기 위해 상기 순서를 제어하도록 구성되는, 임프린트 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어기는,
    r이 홀수일 때 제r행 선택 방향이 제1 방향이고, r이 짝수일 때 제r행 선택 방향이 제2 방향이거나, 또는
    r이 홀수일 때 제r행 선택 방향이 제2 방향이고, r이 짝수일 때 제r행 선택 방향이 제1 방향이도록 상기 순서를 제어하도록 구성되는, 임프린트 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 장치는,
    상기 복수의 샷 영역 중 복수의 제1 샷 영역에 제1 패턴이 형성되고, 상기 복수의 샷 영역 중 복수의 제2 샷 영역에 제2 패턴이 형성되며, 상기 복수의 제1 샷 영역 및 상기 복수의 제2 샷 영역은 체크 무늬 패턴으로 배열되도록 구성되며,
    상기 제어기는,
    복수의 제1 샷 영역에 대하여 상기 제1 조건, 상기 제2 조건, 상기 제3 조건 및 상기 제4 조건을 충족하는 순서로 임프린트 공정이 수행되고,
    그 후에, 복수의 제2 샷 영역에 대하여 상기 제1 조건, 상기 제2 조건, 상기 제3 조건 및 상기 제4 조건을 충족하는 순서로 임프린트 공정이 수행되도록 상기 순서를 제어하도록 구성되는, 임프린트 장치.
  4. 기판 상의 샷 영역에 수지를 도포하고, 몰드와 도포된 수지를 서로 압박하는 단계를 포함하는 임프린트 공정을 수행하는 임프린트 장치를 사용하는 임프린트 방법이며,
    상기 임프린트 장치는,
    상기 몰드를 유지하도록 구성된 임프린트 헤드와,
    상기 기판 상의 선택된 복수의 샷 영역에 대한 상기 임프린트 공정의 순서를 제어하도록 구성된 제어기와,
    상기 수지를 도포하도록 구성된 제1 도포기 및 제2 도포기를 포함하고,
    상기 제1 도포기는 상기 임프린트 헤드에 대해서 제1 방향의 측에 배치되고, 상기 제2 도포기는 상기 임프린트 헤드에 대해서 상기 제1 방향과는 반대인 제2 방향의 측에 배치되고,
    상기 기판은 상기 복수의 샷 영역의 레이아웃의 행이 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향과 평행하도록 배치되고,
    상기 방법은,
    (i) 상기 제1 도포기가 상기 레이아웃의 제1 그룹에 속하는 샷 영역에 수지를 도포하고, 상기 제2 도포기가 상기 레이아웃의 제2 그룹에 속하는 샷 영역에 수지를 도포하고, 상기 제1 그룹은 상기 제1 방향의 측에 있고, 상기 제2 그룹은 상기 제2 방향의 측에 있고, 상기 제1 그룹의 제r(r은 자연수)행에 속하는 샷 영역의 개수와 상기 제2 그룹의 제r행에 속하는 샷 영역의 개수와의 차이가 1 이하이고,
    (ii) 상기 순서는,
    상기 레이아웃의 1개의 행의 선택된 샷 영역의 모두에 대해 상기 임프린트 공정이 종료되면, 상기 레이아웃의 다음 행의 선택된 샷 영역에 대해 상기 임프린트 공정이 실행되는 제1 조건,
    상기 제1 그룹으로부터 선택된 제r행에 속하는 복수의 샷 영역은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향과 평행한 제r행 선택 방향으로 순차적으로 임프린트 공정이 행해지는 제2 조건,
    상기 제2 그룹으로부터 선택된 제r행에 속하는 복수의 샷 영역은 상기 제r행 선택 방향으로 순차적으로 임프린트 공정이 행해지는 제3 조건, 및
    상기 레이아웃의 1개의 행에 대하여, 상기 제1 그룹의 선택된 샷 영역과 상기 제2 그룹에 선택된 샷 영역은, 교대로 임프린트 공정이 행해질 수 있는 한, 교대로 임프린트 공정이 행해지는 제4 조건을 충족하도록
    상기 임프린트 공정을 제어하는 단계를 포함하는, 임프린트 방법.
  5. 제1항의 임프린트 장치를 사용하여 기판 상에 수지의 패턴을 형성하는 단계 및
    패턴이 형성된 기판을 가공하는 단계
    를 포함하는 물품의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 도포기 및 상기 제2 도포기가 이동가능하고, 상기 제1 그룹의 샷 영역에 대한 압박과 병행하여, 상기 제2 도포기가 다음에 압박이 행해지는 상기 제2 그룹의 샷 영역에 수지를 도포하고, 상기 제2 그룹의 샷 영역에 대한 압박과 병행하여, 상기 제1 도포기가 다음에 압박이 행해지는 상기 제1 그룹의 샷 영역에 수지를 도포하도록 구성되는, 임프린트 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 도포기 및 상기 제2 도포기가 이동가능하고, 상기 제1 그룹의 샷 영역에 대한 임프린트 공정과 병행하여, 상기 제2 도포기가 다음에 임프린트 공정이 행해지는 상기 제2 그룹의 샷 영역에 수지를 도포하기 위한 위치로 이동하고, 상기 제2 그룹의 샷 영역에 대한 임프린트 공정과 병행하여, 상기 제1 도포기는 다음에 임프린트 공정이 행해지는 상기 제1 그룹의 샷 영역에 수지를 도포하기 위한 위치로 이동하도록 구성되는, 임프린트 장치.
  8. 기판 상의 샷 영역에 수지를 도포하고, 몰드와 도포된 수지를 서로 압박하는 단계를 포함하는 임프린트 공정을 수행하는 임프린트 장치이며,
    상기 몰드를 유지하고, 상기 압박의 방향인 Z축 방향으로 구동되도록 구성되는 임프린트 헤드와,
    상기 기판을 유지하고, 상기 Z축 방향에 직교하며 서로 직교하는 X축 방향 및 Y축 방향으로 상기 기판을 이동하도록 구성되는 구동 기구와,
    상기 임프린트 헤드에 대해서 상기 X축 방향에 있어서 포지티브 방향의 측에 배치되고, 샷 영역에 수지를 도포하도록 구성되는 제1 도포기와,
    상기 임프린트 헤드에 대해서 상기 X축 방향에 있어서 네가티브 방향의 측에 배치되고, 샷 영역에 수지를 도포하도록 구성되는 제2 도포기와,
    상기 임프린트 헤드, 상기 구동 기구, 상기 제1 도포기 및 상기 제2 도포기를 동작시키고, 상기 X축 방향으로 배치된 샷 영역에 대한 상기 임프린트 공정을 제어하도록 구성되는 제어기를 포함하고,
    상기 제어기는,
    상기 제1 도포기가 상기 포지티브 방향의 측에 있는 제1 샷 영역에 수지를 도포하게 하고,
    상기 제2 도포기가 상기 네가티브 방향의 측에 있는 제2 샷 영역에 수지를 도포하게 하고,
    상기 제1 샷 영역 중 하나에 대한 임프린트 공정 및 상기 제2 샷 영역 중 하나에 대한 임프린트 공정이 교대로 수행되도록 상기 임프린트 공정을 제어하도록 구성되는, 임프린트 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 도포기 및 상기 제2 도포기가 이동가능하고,
    상기 제1 샷 영역 및 상기 제2 샷 영역 중 한쪽의 샷 영역에 대한 상기 압박과 병행하여, 상기 제1 샷 영역 및 상기 제2 샷 영역 중 다른 쪽의 샷 영역에 대하여 다른 쪽에 대응하는 상기 제1 도포기 및 상기 제2 도포기 중 하나가 도포를 위해 이동하도록 구성되는, 임프린트 장치.
  10. 제8항의 임프린트 장치를 사용하여 기판 상에 수지의 패턴을 형성하는 단계 및
    패턴이 형성된 기판을 가공하는 단계
    를 포함하는 물품의 제조 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190001524A (ko) * 2017-06-27 2019-01-04 캐논 가부시끼가이샤 임프린트 장치 및 물품 제조 방법

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5875250B2 (ja) * 2011-04-28 2016-03-02 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法及びデバイス製造方法
JP5458068B2 (ja) * 2011-08-31 2014-04-02 株式会社東芝 パターン転写装置および半導体装置の製造方法
JP5833045B2 (ja) * 2013-03-04 2015-12-16 株式会社東芝 パターン形成方法及びパターン形成装置
CN105229467A (zh) * 2013-03-15 2016-01-06 普林斯顿大学理事会 快速且灵敏的分析物测量测定法
JP6242099B2 (ja) * 2013-07-23 2017-12-06 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置およびデバイス製造方法
JP6178694B2 (ja) * 2013-10-17 2017-08-09 キヤノン株式会社 インプリント装置、および物品の製造方法
JP6478565B2 (ja) * 2014-11-06 2019-03-06 キヤノン株式会社 インプリントシステム及び物品の製造方法
JP6438332B2 (ja) * 2015-03-18 2018-12-12 キヤノン株式会社 インプリントシステム、および物品の製造方法
JP6602033B2 (ja) * 2015-03-31 2019-11-06 キヤノン株式会社 インプリント装置、供給量分布の作成方法、インプリント方法、及び物品の製造方法
JP7066674B2 (ja) * 2017-03-08 2022-05-13 キヤノン株式会社 パターン形成方法、インプリント前処理コーティング材料、及び基板の前処理方法
JP7071331B2 (ja) * 2017-03-08 2022-05-18 キヤノン株式会社 光ナノインプリント技術を用いたパターン形成方法、インプリント装置、および硬化性組成物
US11868042B2 (en) * 2018-08-31 2024-01-09 Samsung Display Co., Ltd. Master stamp for nano imprint and method for manufacturing the same
JP2021174974A (ja) * 2020-04-30 2021-11-01 キヤノン株式会社 インプリント装置、および物品製造方法
JP2023045650A (ja) * 2021-09-22 2023-04-03 キオクシア株式会社 ドロップレシピの作成方法、パターン形成方法、半導体装置の製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7878791B2 (en) * 2005-11-04 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US7670530B2 (en) * 2006-01-20 2010-03-02 Molecular Imprints, Inc. Patterning substrates employing multiple chucks

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190001524A (ko) * 2017-06-27 2019-01-04 캐논 가부시끼가이샤 임프린트 장치 및 물품 제조 방법

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