KR20100083041A - 화학 기상 증착 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일실시예에 따른 화학 기상 증착 장치는 반응가스가 공급되어 기판이 에피성장되도록 하는 반응챔버를 형성하는 기판 천정부; 및 상기 기판 천정부와 분리되며, 에피성장 반응 후의 배기 가스가 배출되는 배기부;를 포함하며, 상기 배기부는 상기 기판이 에피성장하는 경우 발생하는 파티클이 부착되는 파티클 형성부가 구비될 수 있다.

Description

화학 기상 증착 장치{Apparatus for chemical vapor deposition}
본 발명은 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판 교체를 위해 반응챔버 커버를 개방하는 경우 파티클이 낙하하는 것을 방지하는 화학 기상 증착 장치에 관한 것이다.
화학 기상 증착 장치는 다양한 종류로 이루어지며, 특히 유기 금속 화학 기상 증착 장치(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)는 화학 반응을 이용하여 피증착물(일반적으로 반도체 웨이퍼 등의 기판을 포함함)에 금속 산화막을 형성하는 박막 형성 장치로서, 진공으로 이루어진 챔버 내에서 가열된 기판에 증기압이 높은 금속의 유기 화합물 증기를 보내어 그 금속의 막을 기판에 성장시키도록 하는 장치이다.
이와 같은 유기 금속 화학 기상 증착 장치는 배기부가 반응챔버의 중심부에 위치하게 되며, 상기 배기부는 에피 성장(epitaxial(EPI) growth)을 위한 반응이 반응 챔버 내에서 일어나는 경우에도 온도가 상대적으로 낮다.
에피 성장 반응에 의해 많은 파티클 등이 발생하면 챔버 내의 벽이나 천정에 붙는다. 그러나, 온도가 상대적으로 낮은 배기부 주변의 파티클은 밀착력이 약해 약간 진동 등에도 쉽게 떨어진다.
따라서, 기판 교환을 위해 챔버 커버를 여는 경우 파티클이 떨어져 기판이나 서셉터가 오염되는 문제점이 있다.
기판이나 서셉터가 오염되면 파티클 제거를 위한 청소시간이 상대적으로 길어져 장비 가동율이 떨어지는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 에피 성장 반응에 의해 발생한 파티클이 챔버 커버의 개폐에 의해 낙하되지 않도록 챔버 커버 개폐시 동시에 개폐되는 기판 천정부와 별도의 배기부 천정부를 구비하는 화학 기상 증착 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일실시예에 따른 화학 기상 증착 장치는 반응가스가 공급되어 기판이 에피성장되도록 하는 반응챔버를 형성하는 기판 천정부; 및 상기 기판 천정부와 분리되며, 에피성장 반응 후의 배기 가스가 배출되는 배기부;를 포함하며, 상기 배기부는 상기 기판이 에피성장하는 경우 발생하는 파티클이 부착되는 파티클 형성부가 구비될 수 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 상기 기판 천정부는 상기 파티클 형성부의 상부에 대응되는 부분은 절곡되어 배기부 천정부를 형성할 수 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 상기 파티클 형성부는 상부 플레이트와 하부 플레이트로 나누어지며, 상기 상부 플레이트와 하부 플레이트는 그 사이에 반응 후 가스가 배출되도록 하는 공간을 형성하도록 연결로드로 연결되며, 상기 하부 플레이트에는 배기홀이 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 상기 상부 플레이 트의 저면에는 파티클이 부착되는 단면적을 넓히기 위해 커버부재를 덧댈 수 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 상기 상부 플레이트는 파티클이 부착되는 단면적을 넓히기 위해 절곡 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 상기 상부 플레이트의 저면에는 파티클이 부착되는 단면적을 넓히기 위해 원추형상의 원추부가 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 상기 파티클 형성부는 상부 플레이트와 하부 플레이트로 나누어지며, 상기 상부 플레이트와 하부 플레이트는 그 사이에 반응 후 가스가 배출되도록 하는 공간을 형성하도록 연결로드로 연결되며, 상기 하부 플레이트는 배기가스가 배출되는 배기로가 형성되는 몸체부와 연통될 수 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 상기 상부 플레이트의 저면에는 파티클이 부착되는 단면적을 넓히기 위해 커버부재를 덧댈 수 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 상기 상부 플레이트는 파티클이 부착되는 단면적을 넓히기 위해 절곡 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 상기 상부 플레이트의 저면에는 파티클이 부착되는 단면적을 넓히기 위해 원추형상의 원추부가 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 상기 배기부는 배기부 안착부에 삽입되어 지지되며 탈착 가능할 수 있다.
한편, 본 발명의 다른 일실시예에 따른 화학 기상 증착 장치는 반응가스가 공급되어 기판이 에피성장되도록 반응챔버를 덮는 반응챔버 커버; 상기 반응챔버 커버와 연결되며, 기판의 상부에서 발생되는 파티클이 부착되는 기판 천정부; 및 상기 기판 천정부와 분리되며, 에피성장 반응 후의 배기 가스가 배출되는 배기부;를 포함하며, 상기 배기부는 상기 기판이 에피성장하는 경우 발생하는 파티클이 부착되는 파티클 형성부가 구비될 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 일실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 상기 반응챔버 커버는 서셉터를 수용하는 하우징을 덮어 상기 반응챔버를 덮도록 상기 하우징의 외측에 구비되는 프레임에 힌지 연결될 수 있다.
본 발명에 따른 화학 기상 증착 장치에 의하면, 온도가 상대적으로 낮은 배기부 상에 챔버 커버의 개폐시 동시에 개폐되는 기판 천정부와 별도의 배기부 천정부가 구비되므로, 챔버 커버의 개폐에도 진동이 발생하지 않아 배기부에서 발생한 파티클이 기판이나 서셉터에 낙하하지 않게 되는 효과가 있다.
또한, 배기부 천정부만 별도로 분리하여 청소를 하므로 청소시간이 단축되며, 장비 가동율이 향상되는 효과가 있다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세하게 설명한 다. 다만, 본 발명의 사상은 제시되는 실시예에 제한되지 아니하고, 본 발명의 사상을 이해하는 당업자는 동일한 사상의 범위 내에서 다른 구성요소를 추가, 변경, 삭제 등을 통하여, 퇴보적인 다른 발명이나 본 발명 사상의 범위 내에 포함되는 다른 실시예를 용이하게 제안할 수 있을 것이나, 이 또한 본원 발명 사상 범위 내에 포함된다고 할 것이다.
또한, 실시예의 도면에 나타나는 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성요소는 동일한 참조부호를 사용하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 일부를 절개하여 도시한 개략 단면도이며, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 반응 챔버 내에서 반응이 일어난 후 반응 챔버의 커버를 연 상태를 도시한 개략 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치(1)는 기판 천정부(50) 및 배기부(60)를 포함하여 구성된다.
또한, 본 발명의 다른 일실시예에 따른 화학 기상 증착 장치(1)는 상기 기판 천정부(50)가 연결되는 반응챔버 커버(16)를 더 포함할 수 있다.
우선, 기판 천정부(50)는 반응가스가 공급되어 기판(14)이 에피성장되도록 하는 반응챔버(10)를 형성한다.
상기 반응챔버(10)는 반응가스가 유동하며 화학반응을 통해 기판(14)에 대한 박막 성장이 일어나는 공간이다. 상기 반응챔버(10)는 상기 기판(14)의 상부에 형성되는 공간을 기판 천정부(50)가 덮어 형성된다.
상기 반응챔버 커버(16)는 서셉터(20)를 수용하는 프레임(25)을 덮도록 형성된다.
상기 반응챔버 커버(16)는 상기 프레임(25)의 외부에 배치되는 반응챔버 커버 지지 프레임(80)와 커버 연결부(84)로 연결된다. 그리고, 상기 반응챔버 커버(16)는 반응챔버 커버 지지 프레임(80)에 형성되는 힌지부(82)에 의해 회전하면서 프레임(25)을 덮는다.
상기 반응챔버 커버(16)와 연결되는 기판 천정부(50)는 상기 반응챔버 커버(16)의 회전에 따라 프레임(25)에 돌출형성되는 기판 천정부 안착부(18)에 놓여지면서 기판(14) 상부에 형성되는 공간을 덮어 반응챔버(10)를 형성한다.
상기 서셉터(20)의 저부에는 서셉터(20)에 수용되는 기판(14)에 열을 공급하는 가열부(40)가 구비된다. 상기 가열부(40)는 유도 코일로 형성되며, 전기저항에 의해 발생하는 열을 서셉터(20) 상의 기판(14)에 제공한다.
상기 가열부(40)는 회전축(70) 까지 연장된 것이 아니므로, 배기부(60)가 배치되는 반응챔버(10)의 중심부는 온도가 상대적으로 낮다.
한편, 상기 반응챔버(10)는 가판(14)이 에피 성장을 하도록 하는 반응 가스를 공급하는 가스 주입부(12)와 연통된다. 그리고, 상기 기판(14)은 서셉터(20)에 수용되며, 반응챔버(10)의 저면에서 노출된다.
상기 서셉터(20)는 원형의 디스크로 상기 기판(14)이 수용되는 기판 수용홈(24)이 형성된다. 상기 서셉터(20)에는 다수의 기판(14)이 수용되며, 회전축(70)을 중심으로 상기 기판들(14)이 대응되도록 수용될 수 있다.
상기 회전축(70)은 원통으로 이루어지며, 상기 배기부(60)가 없는 경우 원통 내부가 반응 후의 배기가스가 배출되는 배기로가 될 수 있다.
상기 배기부(60)는 상기 반응챔버(10)의 중심부에는 가스 주입부(12)에 의해 상기 반응챔버(10)로 분사되는 반응가스가 반응 후 외부로 배출되도록 한다.
상기 기판(14)에서 에피 성장 반응이 일어나면, 기상 반응에 의한 파티클이 많이 생성된다. 이때 생성되는 파티클은 기판 천정부(50)와 배기부(60)에 부착된다.
상기 배기부(60)에는 상기 기판이 에피 성장하는 경우 발생하는 파티클이 부착되는 파티클 형성부(63)가 구비된다.
상기 기판 천정부(50)는 반응챔버(10) 전체에 걸쳐 연장되며, 배기부(60)의 파티클 형성부(63)의 상부에 대응되는 부분은 절곡되어 배기부 천정부(52)를 형성한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 배기부의 개략 사시도이며, 도 4는 도 3의 A-A'선을 절개하여 본 단면도이다.
본 실시예의 배기부(60)는 파티클이 생성되는 파티클 형성부(63)와 내부에 배기로(62)가 형성되는 원통형의 몸체부(61)로 구분된다.
상기 파티클 형성부(63)는 상부 플레이트(64)와 하부 플레이트(66)로 나누어지며, 상기 상부 플레이트(64)와 하부 플레이트(55)는 그 사이에 반응 후 가스가 배출되도록 하는 공간을 형성하도록 연결로드(65)로 연결된다.
상기 하부 플레이트(66)는 배기가스가 배출되는 배기로(62)가 형성되는 몸체부(61)와 연통된다.
즉, 상기 배기부(60)는 서셉터(20)의 일측에 형성되는 배기부 안착부(22)에 삽입되어 지지되며, 상기 서셉터(20)에서 탈착할 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 배기부의 개략 단면도이다.
도 5를 참조하면, 본 실시예의 배기부(60)는 파티클이 생성되는 파티클 형성부(63)만으로 이루어진다.
상기 파티클 형성부(63)는 상부 플레이트(64)와 하부 플레이트(66)로 나누어지며, 상기 상부 플레이트(64)와 하부 플레이트(55)는 그 사이에 반응 후 가스가 배출되도록 하는 공간을 형성하도록 연결로드(65)로 연결된다.
상기 하부 플레이트(66)에는 배기가스가 배출되는 배기홀(67)이 형성될 수 있다.
본 실시예의 배기부(60)도 서셉터(20)의 일측에 형성되는 배기부 안착부(22)에 삽입되어 지지되며, 상기 서셉터(20)에서 탈착할 수 있다.
본 발명에 따르는 배기부(60)에서는 서셉터(20)에 비해 온도가 낮기 때문에 배기부(60)에서 생성되는 파티클이 쉽게 떨어지게 된다. 본 발명에 따른 배기부(60)는 배기부 안착부(22)에 의해 지지되고, 반응챔버 커버(16)가 열릴 때 같이 열리지 않기 때문에 파티클이 떨이지지 않게 된다.
상기 반응챔버 커버(16)가 개방된 후, 배기부(60)를 별도로 탈거하여 배기부(60)에 형성되는 파티클을 청소하기 때문에 배기부(60) 파티클은 깨끗하게 제거될 수 있다.
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 배기부의 상부 플레이트의 여러 실시예의 개략 단면도이다.
도 6a 내지 도 6c를 참조하면, 본 발명의 배기부(60)의 파티클 형성부(64)의 상부 플레이트(64) 저면에 파티클이 부착되는 단면적을 넓히기 위한, 상부 플레이트(64)의 다양한 실시예가 개시된다.
도 6a의 상부 플레이트(64)는 그 저면에 별도의 커버부재(72)가 구비된 모습이며, 도 6b의 상부 플레이트(64)는 원추형상으로 절곡한 절곡부(74)를 형성한 것이며, 도 6c는 상부 플레이트(64)를 중심과 외곽의 두께를 달리하여 원추 형상의 원추부(76)를 형성한 것이다.
이러한 형상들은 상부 플레이트(64)에 파티클이 부착되는 양을 늘리는 효과가 있다.
본 발명에 따른 화학 기상 증착 장치에 의하면, 온도가 상대적으로 낮은 배기부 상에 챔버 커버의 개폐시 동시에 개폐되는 기판 천정부와 별도의 배기부 천정부가 구비되므로, 챔버 커버의 개폐에도 진동이 발생하지 않아 배기부에서 발생한 파티클이 기판이나 서셉터에 낙하하지 않게 되는 효과가 있다.
또한, 배기부 천정부만 별도로 분리하여 청소를 하므로 청소시간이 단축되며, 장비 가동율이 향상되는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 일부를 절개하여 도시한 개략 단면도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 반응 챔버 내에서 반응이 일어난 후 반응 챔버의 커버를 연 상태를 도시한 개략 단면도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 배기부의 개략 사시도.
도 4는 도 3의 A-A'선을 절개하여 본 단면도.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 배기부의 개략 단면도.
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 배기부의 상부 플레이트의 여러 실시예의 개략 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10: 반응챔버 20: 서셉터
24: 기판 수용홈 40: 가열부
50: 챔버 천정부 52: 배기부 천정부
60: 배기부 62: 배기로

Claims (13)

  1. 반응가스가 공급되어 기판이 에피성장되도록 하는 반응챔버를 형성하는 기판 천정부; 및
    상기 기판 천정부와 분리되며, 에피성장 반응 후의 배기 가스가 배출되는 배기부;를 포함하며,
    상기 배기부는 상기 기판이 에피성장하는 경우 발생하는 파티클이 부착되는 파티클 형성부가 구비되는 화학 기상 증착 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판 천정부는 상기 파티클 형성부의 상부에 대응되는 부분은 절곡되어 배기부 천정부를 형성하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 파티클 형성부는 상부 플레이트와 하부 플레이트로 나누어지며,
    상기 상부 플레이트와 하부 플레이트는 그 사이에 반응 후 가스가 배출되도록 하는 공간을 형성하도록 연결로드로 연결되며,
    상기 하부 플레이트에는 배기홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 상부 플레이트의 저면에는 파티클이 부착되는 단면적을 넓히기 위해 커버부재를 덧대는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 상부 플레이트는 파티클이 부착되는 단면적을 넓히기 위해 절곡 형성되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 상부 플레이트의 저면에는 파티클이 부착되는 단면적을 넓히기 위해 원추형상의 원추부가 형성되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 파티클 형성부는 상부 플레이트와 하부 플레이트로 나누어지며,
    상기 상부 플레이트와 하부 플레이트는 그 사이에 반응 후 가스가 배출되도록 하는 공간을 형성하도록 연결로드로 연결되며,
    상기 하부 플레이트는 배기가스가 배출되는 배기로가 형성되는 몸체부와 연통되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 상부 플레이트의 저면에는 파티클이 부착되는 단면적을 넓히기 위해 커버부재를 덧대는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 상부 플레이트는 파티클이 부착되는 단면적을 넓히기 위해 절곡 형성되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 상부 플레이트의 저면에는 파티클이 부착되는 단면적을 넓히기 위해 원추형상의 원추부가 형성되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 배기부는 배기부 안착부에 삽입되어 지지되며 탈착 가능한 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
  12. 반응가스가 공급되어 기판이 에피성장되도록 반응챔버를 덮는 반응챔버 커버;
    상기 반응챔버 커버와 연결되며, 기판의 상부에서 발생되는 파티클이 부착되는 기판 천정부; 및
    상기 기판 천정부와 분리되며, 에피성장 반응 후의 배기 가스가 배출되는 배기부;를 포함하며,
    상기 배기부는 상기 기판이 에피성장하는 경우 발생하는 파티클이 부착되는 파티클 형성부가 구비되는 화학 기상 증착 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 반응챔버 커버는 서셉터를 수용하는 하우징을 덮어 상기 반응챔버를 덮도록 상기 하우징의 외측에 구비되는 프레임에 힌지 연결되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012087002A2 (ko) * 2010-12-20 2012-06-28 삼성엘이디 주식회사 화학 기상 증착 장치 및 이를 사용한 발광소자 제조방법
WO2012139006A2 (en) * 2011-04-07 2012-10-11 Veeco Instruments Inc. Metal-organic vapor phase epitaxy system and process
WO2013022127A1 (ko) * 2011-08-09 2013-02-14 삼성전자주식회사 Ｍｏｃｖｄ 장치
WO2013147377A1 (ko) * 2012-03-30 2013-10-03 주식회사 테스 기상 증착 장치
CN114892265A (zh) * 2022-04-13 2022-08-12 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种外延生长反应装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8826857B2 (en) * 2011-11-21 2014-09-09 Lam Research Corporation Plasma processing assemblies including hinge assemblies

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63134664A (ja) * 1986-11-26 1988-06-07 Hitachi Electronics Eng Co Ltd Ｃｖｄ薄膜形成装置
US6095083A (en) * 1991-06-27 2000-08-01 Applied Materiels, Inc. Vacuum processing chamber having multi-mode access
JPH11135296A (ja) * 1997-07-14 1999-05-21 Applied Materials Inc マルチモードアクセスを有する真空処理チャンバ
JP2004063783A (ja) * 2002-07-29 2004-02-26 Nanoteco Corp Ｃｖｄ装置、半導体結晶成長用基板、及び半導体デバイスの製造方法
JP4202856B2 (ja) * 2003-07-25 2008-12-24 東京エレクトロン株式会社 ガス反応装置
KR100703214B1 (ko) * 2006-01-02 2007-04-09 삼성전기주식회사 유성형 화학 기상 증착 장치
US20070215036A1 (en) * 2006-03-15 2007-09-20 Hyung-Sang Park Method and apparatus of time and space co-divided atomic layer deposition

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012087002A2 (ko) * 2010-12-20 2012-06-28 삼성엘이디 주식회사 화학 기상 증착 장치 및 이를 사용한 발광소자 제조방법
KR20120069590A (ko) * 2010-12-20 2012-06-28 삼성엘이디 주식회사 화학 기상 증착 장치 및 이를 사용한 발광소자 제조방법
WO2012087002A3 (ko) * 2010-12-20 2012-10-04 삼성엘이디 주식회사 화학 기상 증착 장치 및 이를 사용한 발광소자 제조방법
US8927302B2 (en) 2010-12-20 2015-01-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Chemical vapor deposition apparatus and method for manufacturing light-emitting devices using same
WO2012139006A2 (en) * 2011-04-07 2012-10-11 Veeco Instruments Inc. Metal-organic vapor phase epitaxy system and process
WO2012139006A3 (en) * 2011-04-07 2013-04-18 Veeco Instruments Inc. Metal-organic vapor phase epitaxy system and process
WO2013022127A1 (ko) * 2011-08-09 2013-02-14 삼성전자주식회사 Ｍｏｃｖｄ 장치
WO2013147377A1 (ko) * 2012-03-30 2013-10-03 주식회사 테스 기상 증착 장치
CN114892265A (zh) * 2022-04-13 2022-08-12 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种外延生长反应装置

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