KR20100078814A - 고효율 태양전지용 레이저 소성장치 및 고효율 태양전지 제조방법 - Google Patents

고효율 태양전지용 레이저 소성장치 및 고효율 태양전지 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 제 1 레이저 생성수단 및 제 2 레이저 생성수단을 포함하는 태양전지용 레이저 소성장치를 제공한다. 또한, 본 발명은 태양전지용 반도체 기판의 전면에 형성된 전면전극부에 레이저를 조사하여 소성 및 컨택(contact)하고, 상기 반도체 기판의 후면에 형성된 후면 금속페이스트 영역에 레이저를 조사하여 BSF(Back Surface Field)층을 형성하는 것을 포함하는 태양전지 제조방법을 제공한다. 이에 따라, 국부적으로, 짧은 시간 내에 고온의 레이저를 조사함으로써, 고효율 태양전지를 제조할 수 있다.
태양전지, 고효율, 소성, 레이저, 스테이지

Description

고효율 태양전지용 레이저 소성장치 및 고효율 태양전지 제조방법{Laser Firing Apparatus For High Efficiency Sollar Cell And Fabrication Method For High Efficiency Sollar Cell}
본 발명은 고효율 태양전지용 레이저 소성장치에 관한 것이다. 상세하게는, 상기 고효율 태양전지용 레이저 소성장치는, 태양전지용 반도체 기판의 전면에 형성된 전면전극부에 레이저를 조사하여 전면전극부를 소성 및 컨택(contact)하는 제 1 레이저 생성수단 및 상기 반도체 기판 후면에 형성된 후면 금속페이스트 영역에 레이저를 조사하여 BSF(Back Surface Field)층을 형성하는 제 2 레이저 생성수단을 포함한다.
또한, 본 발명은 고효율 태양전지 제조방법에 관한 것으로서, 태양전지용 반도체 기판의 전면에 형성된 전면전극부에 레이저를 조사하여 소성 및 컨택(contact)하고, 상기 반도체 기판의 후면에 형성된 후면 금속페이스트 영역에 레이저를 조사하여 BSF(Back Surface Field)층을 형성하는 것을 포함한다.
태양전지를 그의 기판재료를 기초로 하여 분류하면, 크게 나누어 실리콘 결정계 태양전지, 아마포스(비정질)실리콘계 태양전지 및 화합물반도체계 태양전지의 3종류를 들수 있고, 또한 실리콘 결정계 태양전지에는 단결정계 태양전지와 다결정계 태양전지가 있다.
상기 태양전지 중, 실리콘 결정계 태양전지를 제조하는 공정에서 열을 가하여 소성하는 공정은 필수적이다. 이때, 벨트로(belt furnace)를 이용하여 고온에서 수 분 동안 열처리하는 방법으로 소성하는 것일 일반적이다. 이 과정에서, 태양전지의 효율에 영향을 미치는 라이프타임(life time)이 감소되는 현상이 발생한다. 따라서, 라이프타임을 유지하기 위해 실리콘 기판이 열처리 되는 시간을 최소화하는 방법에 대한 연구가 절실하다.
본 발명은 상술한 바와 같이, 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 짧은 시간내에 열처리 할 수 있는 소성장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은 상기의 소성장치를 이용하여 효율이 상승된 태양전지를 제조하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 고효율 태양전지용 레이저 소성장치는 태양전지용 반도체 기판의 전면에 형성된 전면전극부에 레이저를 조사하여 전면전극부를 소성하는 제 1 레이저 생성수단 및 상기 반도체 기판의 후면에 형성된 후면 금속페이스트 영역에 레이저를 조사하여 BSF(Back Surface Field)층을 형성하는 제 2 레이저 생성수단을 포함한다.
상기 제 1 레이저 생성수단과 제 2 레이저 생성수단은 각각 상기 반도체 기판의 전면 쪽과 상기 반도체 기판의 후면 쪽에 위치하여 서로 대향되도록 배치되거나, 상기 반도체 기판의 일면 쪽에 위치하여 서로 나란하게 배치될 수 있다.
또한, 고효율 태양전지용 레이저 소성장치는 상기 상기 반도체 기판이 안착되는 스테이지를 더 포함할 수 있다.
상기 스테이지는, 상기 반도체 기판이 이동되는 제 1 벨트형 이동수단과 제 2 벨트형 이동수단을 포함할 수 있고, 상기 제 1 벨트형 이동수단과 제 2 벨트형 이동수단은 상기 제 2 레이저 생성수단에서 생성된 레이저가 통과되도록 이격된 것일 수 있다.
상기 레이저는 라인(line) 형태의 레이저가 될 수 있다.
상기 제 1 레이저 생성수단에서 생성되는 레이저의 조사에 의해, 상기 반도체 기판의 온도는 600 ~ 1000℃의 온도범위에 속할 수 있다.
상기 제 2 레이저 생성수단에서 생성되는 레이저의 조사에 의해, 상기 반도체 기판의 온도는 450 ~ 750℃의 온도범위에 속할 수 있다.
또한 본 발명의 고효율 태양전지용 레이저 소성장치는 태양전지용 반도체 기판의 전면에 형성된 전면전극부에 레이저를 조사하여 전면전극부를 소성하거나, 상기 반도체 기판의 후면에 형성된 후면 금속페이스트 영역에 레이저를 조사하여 BSF(Back Surface Field)층을 형성하는 레이저 생성수단을 포함할 수 있고, 상기 레이저는 라인형태의 레이저가 될 수 있다.
상기 레이저는 슬릿에 의하여 출력광이 변형된 라인형태의 레이저가 될 수 있다.
상기 레이저 생성수단은 복수 개의 레이저 생성수단이 라인상으로 배열된 것일 수 있다.
또한, 본 발명의 고효율 태양전지를 제조하는 방법은, 태양전지용 반도체 기판의 전면에 형성된 전면전극부 또는 상기 반도체 기판의 후면에 형성된 후면전극부에 라인형태의 레이저를 조사하여 소성 및 컨택(contact)을 형성하고, 상기 반도체 기판의 후면에 형성된 후면 금속페이스트 영역에 라인형태의 레이저를 조사하여 BSF(Back Surface Field)층을 형성할 수 있다.
상기 전면전극부 또는 후면전극부에 조사되는 라인형태의 레이저와 상기 후면 금속페이스트 영역에 조사되는 라인형태의 레이저는 동시(同時) 또는 이시(異時)에 조사될 수 있다.
또한, 상기 고효율 태양전지를 제조방법은 상기 반도체 기판의 전면에 전면전극부를 형성하기 전에, 상기 반도체 기판의 전면에 반사방지막층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 고효율 태양전지를 제조방법은 상기 반도체 기판의 후면에 후면전극부를 형성하기 전에, 상기 반도체 기판의 후면에 후면보호막층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 소성장치를 이용하면, 짧은 시간내에 열처리함으로써, 기존의 벨트로(belt furnace)를 사용하는 경우에 비해서, 태양전지의 효율에 영향을 미치는 라이프 타임(life time)을 상승시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 고효율 태양전지 제조방법에 따르면, 효율이 상승된 태양전지를 제조할 수 있다.
바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 하기의 각 도 면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하며, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
본 발명의 태양전지용 레이저 소성장치의 기능을 보다 명확히 설명하기 위하여, 먼저 공지의 태양전지 제조방법을 살펴본다.
도 1은 공지의 태양전지의 제조방법에 의해 제조된 태양전지의 단면도이다.
도 1을 참조하여 공지의 태양전지 제조방법을 대략적으로 살펴보면 다음과 같다.
먼저, p형 불순물 반도체 기판(1)의 전면에 인을 확산하여 n+ 층(2)을 형성한다. 그 후, 상기 기판(1)의 전면과 후면에 Al 페이스트를 스크린 프린팅(screen printing)하고 건조(drying)시킨다. 다음으로, 벨트로(belt furnace)에서 상기 기판을 열처리한다. 그 결과, 기판의 전면에서는 Al 이 n+ 층(2)으로 수 um 확산되면서, 전면전극부(fire-through contact)(4)가 형성된다. 또한, 기판의 후면에서는 Al 이 기판 내부로 확산되면서 BSF(Back Surface Field)층(3)이 형성되고, 이와 함께 후면전극부(5)가 형성된다.
이와 같이, 태양전지의 BSF층 및 전극부를 형성하기 위해서 열처리를 할 때, 벨트로(belt furnace)를 이용하는 경우, 소요되는 시간은 약 1 ~ 2 분 정도이며, 최고 온도는 약 800℃ 에 해당한다. 이러한 공정에서 라이프 타임(life time)이 급 격하게 감소한다. 라이프 타임(life time)이 감소하면, 빛을 받아서 만들어진 홀(hole)과 전자(electron)가 재결합(recombination)할 확률이 커지며, 이에 따라 태양전지의 효율이 감소하게 되는 것이다.
통상적으로, 기판(1)의 전면 및 후면에 Ag 페이스트를 각기 소정의 패턴으로 스크린 프린팅하고 건조단계를 거친 경우, 라이프 타임(life time)은 약 18 ~ 20μsec 정도에 해당한다. 그러나, 벨트로(belt furnace)의 열처리 단계를 거친 경우의 라이프 타임(life time)은 약 4 μsec 까지 급격히 감소하게 된다.
상기와 같이, 벨트로(belt furnace)를 이용한 고온의 열처리로 인해 태양전지의 효율에 영향을 미치는 라이프 타임(life time)이 감소되는 현상을 방지하기 위하기 위해서, 본 발명은 반도체 기판을 국부적으로 가열하고 짧은 시간내에 열처리 할 수 있는 레이저를 사용하여 태양전지를 제조한다.
통상적으로, 태양전지의 변환효율 η은 개방전압 Voc × 단락전류밀도 Jsc × 충실도 FF(fill factor) 값을 총 광에너지(소자면적 S × 태양전지에 조사되는 광의 강도 I)로 나눈 값을 말한다. 따라서, 상기 태양전지의 변환효율 η을 높이기 위해서는 단락전류밀도 Jsc 또는 개방전압 Voc를 크게 하는 것이 중요하며, 상기의 값에 영향을 미치는 요인 중 하나가 소성 시간이다.
하기의 <참고도 1>에서 볼 수 있는 바와 같이, 상기 태양전지를 제조하는 과정에서 약 800℃의 온도에서 소성공정을 거치되, 기존소성과 고속소성의 두 가지 경우로 나누어서 태양전지를 제조하였다. 상기 기존소성이란 기존의 방법에 따라 비교적 장시간 동안 소성한 경우를 말하며, 상기 고속소성은 기존의 방법에 비해서 비교적 단시간 동안 소성한 경우를 말한다.
<참고도 1>
Figure 112008090645916-PAT00001
이와 같이 소성시간을 달리하여 제조한 태양전지의 변환효율 η을 살펴보기 위하여 단락전류밀도 Jsc 와 개방전압 Voc를 측정하여 <참고도 2>와 같이 나타냈다.
<참고도 2>
Figure 112008090645916-PAT00002
상기 <참고도 2>에서 볼 수 있듯이, 기존소성에 비해서 고속소성의 경우 더 높은 값의 단락전류밀도 Jsc 와 개방전압 Voc 을 얻게 된다. 즉, 변환효율이 높은 태양전지를 얻기 위해서 고속소성으로 태양전지를 제조하는 방법을 고안할 필요성이 있다.
따라서, 이하에서는 도 2를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 고효율 태양전지용 레이저 소성장치에 의해, 레이저를 이용하여 고속소성으로 태양전지를 제조하는 방법에 대하여 살펴본다.
도 2의 태양전지용 레이저 소성장치는 제 1 레이저 생성수단(11), 제 2 레이저 생성수단(12), 제 1 벨트형 이동수단(13) 및 제 2 벨트형 이동수단(14)을 포함한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 벨트형 이동수단(13)과 제 2 벨트형 이동수단(14)은 상기 제 2 레이저 생성수단(12)에서 생성된 레이저가 통과되도록 이격되도록 배치되어 있다.
먼저, p형 불순물 반도체 기판(15)의 전면에 n+ 층이 형성되고, 기판의 후면에 후면 금속페이스트 영역이 형성된 태양전지용 반도체 기판을 제 1 벨트형 이동수단(13)에 안착시킨다. 본 실시예에서는 p형 불순물 반도체 기판을 사용하였으나, 이에 한정하는 것은 아니며, n형 불순물 반도체 기판도 사용될 수 있다.
상기 제 1 벨트형 이동수단(13)에 안착된 태양전지용 반도체 기판은 제 2 벨트형 이동수단으로 이동하면서, 제 1 레이저 및 제 2 레이저에 의해 조사된다. 상기 제 1 레이저는 제 1 레이저 생성수단(11)에서 라인(line) 형태로 생성된 것으 로서, 상기 제 1 레이저가 조사된 상기 태양전지용 반도체 기판의 온도는 600 ~ 1000℃의 온도범위에 속하게 된다. 상기 제 1 레이저는 태양전지용 반도체 기판의 전면전극부에 조사되어, 전면전극부를 소성하고 컨택(contact)한다. 또한 상기 제 2 레이저는 제 2 레이저 생성수단(12)에서 라인(line) 형태로 생성된 것으로서, 상기 제 2 레이저가 조사된 상기 태양전지용 반도체 기판의 온도는 450 ~ 750℃의 온도에 속하게 된다. 상기 제 2 레이저는 태양전지용 반도체 기판의 후면 금속페이스트 영역에 조사되어 BSF(Back Surface Field)층을 형성한다. 상기 레이저는 슬릿에 의하여 출력광이 변형된 라인(line) 형태인 것을 사용할 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 따르면, 태양전지용 반도체 기판의 전면전극부 및 후면 금속페이스트 영역만을 라인(line) 형태의 레이저로 국부적으로 가열하고 짧은 시간내에 열처리함으로써, 라이프 타임(life time)을 증가시킬 수 있다. 이와 같이 라이프 타임(life time)이 증가하면, 홀(hole)과 전자(electron)의 재결합 확률이 감소하여 효율이 상승된 태양전지를 제조할 수 있다.
기존의 방법에 의해 벨트로(belt furnace)의 열처리 단계를 거쳐서 제조한 경우의 라이프 타임(life time)이 약 4 μsec 라면, 이때의 전산모사로 증명된 이론 최대치의 Jsc값은 92%에 불과하다.
그러나, 본 발명의 고효율 태양전지용 레이저 소성장치를 이용하여 제조한 경우의 라이프 타임은 10 μsec 이상이며, 이때의 전산모사로 증명된 이론 최대치의 Jsc값은 97% Jsc 이상까지 도달할 수 있할 수 있으므로, 효율이 상승된 태양전지를 제조할 수 있게 된다.
상기의 태양전지용 레이저 소성장치는 송풍수단(blowing system, 16) 또는 진공흡착수단(evacuation system, 17)을 더 포함할 수 있다. 상기 송풍수단(16)은 전면전극부에 레이저를 조사할 때 발생하는 흄(hume)을 태양전지의 바깥으로 빼내기 위하여, 에어(air)를 불어넣는 역할을 하는 것이다. 또한 상기 진공흡착수단(17)은 상기 흄(hume)을 빠른 시간 내에 태양전지의 바깥으로 빼내기 위하여, 진공상태에서 흄(hume)을 흡착 또는 빨아들이는 역할을 하는 것이다.
상기의 일 실시시예에서 태양전지를 제조하는 방법은, 도 2에 나타낸 바와 같이, 고효율 태양전지용 레이저 소성장치에서, 제 1 레이저 생성수단은 상기 반도체 기판의 전면 쪽에 위치하고 제 2 레이저 생성수단은 상기 반도체 기판의 후면 쪽에 위치하여 서로 대향되도록 배치될 수 있다.
그러나, 상기 제 1 레이저 생성수단과 제 2 레이저 생성수단의 위치는 반드시 상기의 위치에 제한되지 않는다. 즉, 상기 제 1 레이저 생성수단과 제 2 레이저 생성수단은 라인상으로 배열될 수 있다. 상기 제 1 레이저 생성수단과 제 2 레이저 생성수단이 모두, 상기 반도체 기판의 전면 쪽에 위치하거나, 상기 반도체 기판의 후면 쪽에 위치하여 서로 나란하게 배치될 수도 있다.
또한, 상기의 일 실시예에서 상기 전면전극부와 후면 금속페이스트 영역에 조사되는 레이저는 별개의 레이저 생성수단, 즉, 제 1 레이저 생성수단과 제 2 레이저 생성수단에서 각각 조사되었으나, 반드시 이에 한정될 필요는 없다. 전면전극 부와 후면 금속페이스트 영역에 조사되는 레이저는 동일한 레이저 생성수단에서 생성될 수도 있다.
본 발명의 또다른 일 실시예에 따라, 고효율 태양전지용 레이저 소성장치에 의해, 또다른 형태의 태양전지를 제조하는 방법에 대하여 살펴본다. 즉, 도 2에 도시된 바와 같은 본 발명의 고효율 태양전지용 레이저 소성장치를 이용하여 전면전극부와 후면전극부를 포함하는 태양전지를 제조하는 방법을 살펴본다.
먼저, p형 불순물 반도체 기판(15)의 전면의 상부면에 n+ 층 및 전면 금속페이스트 영역이 순차적으로 형성되고, 기판의 후면의 상부면에 후면보호막층 및 후면 금속페이스트 영역이 형성된 태양전지용 반도체 기판을 제 1 벨트형 이동수단(13)에 안착시킨다. 본 실시예에서는 p형 불순물 반도체 기판을 사용하였으나, 이에 한정하는 것은 아니며, n형 불순물 반도체 기판도 사용될 수 있다.
상기 제 1 벨트형 이동수단(13)에 안착된 태양전지용 반도체 기판은 제 2 벨트형 이동수단으로 이동하면서, 제 1 레이저 및 제 2 레이저에 의해 조사된다. 상기 제 1 레이저는 제 1 레이저 생성수단(11)에서 라인(line) 형태로 생성된 것으로서, 상기 태양전지용 반도체 기판의 전면전극부에 조사되어, 전면전극부를 소성하고 컨택(contact)한다. 또한 상기 제 2 레이저는 제 2 레이저 생성수단(12)에서 라인(line) 형태로 생성된 것으로서, 상기 태양전지용 반도체 기판의 후면 금속페이스트 영역 및 후면전극부에 조사되어 BSF(Back Surface Field)층을 형성함과 동시에 후면전극부를 소성하고 컨택(contact)한다. 상기 레이저는 슬릿에 의하여 출 력광이 변형된 라인(line) 형태인 것을 사용할 수 있다.
상기의 태양전지용 레이저 소성장치는 송풍수단(blowing system, 16) 또는 진공흡착수단(evacuation system, 17)을 더 포함하여, 레이저를 조사할 때 상기 반도체 기판에서 발생하는 흄(hume)을 빠른 시간 내에 태양전지의 바깥으로 빼낼 수 있다.
상기의 공정을 거치면, 상기 반도체 기판의 전면에는 반사방지막층과 전면전극부가 형성되고, 상기 반도체 기판의 후면에는 BSF(Back Surface Field)층, 후면보호막층, 후면전극부가 순차적으로 형성된 태양전지의 제조가 완료된다.
상기 일실시예에서는 제 1 레이저 생성수단에서 형성된 레이저와 제 2 레이저 생성수단에서 형성된 레이저가 동시에 조사되어 상기 태양전지의 전면전극부와 후면전극부가 동시에 형성되었다. 그러나, 제 1 레이저 생성수단에서 형성된 레이저와 제 2 레이저 생성수단에서 형성된 레이저는 반드시 동시(同時)에 조사될 필요 없으며, 이시(異時)에 조사되어 상기 태양전지의 전면전극부와 후면전극부가 동시에 형성되지 않을 수도 있다.
또한, 상기 일실시예에서는 제 1 레이저 생성수단과 제 2 레이저 생성수단이 서로 대향되는 위치에 배치되었으나, 상기의 위치에 제한되지 않는다. 즉, 상기 제 1 레이저 생성수단과 제 2 레이저 생성수단은 라인상으로 배열되어, 제 1 레이저 생성수단에서 형성된 레이저와 제 2 레이저 생성수단에서 형성된 레이저가 이시(異時)에 조사되어 상기 태양전지의 전면전극부와 후면전극부가 동시에 소성되지 않을 수도 있다.
이상 본 발명의 구체적 실시형태와 관련하여 본 발명을 설명하였으나 이는 예시에 불과하며 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 당업자는 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 설명된 실시형태를 변경 또는 변형할 수 있으며, 이러한 변경 또는 변형도 본 발명의 범위에 속한다. 또한, 본 명세서에서 설명한 각 구성요소의 물질은 당업자가 공지된 다양한 물질로부터 용이하게 선택하여 대체할 수 있다. 또한 당업자는 본 명세서에서 설명된 구성요소 중 일부를 성능의 열화 없이 생략하거나 성능을 개선하기 위해 구성요소를 추가할 수 있다. 뿐만 아니라, 당업자는 공정 환경이나 장비에 따라 본 명세서에서 설명한 방법 단계의 순서를 변경할 수도 있다. 따라서 본 발명의 범위는 설명된 실시형태가 아니라 특허청구범위 및 그 균등물에 의해 결정되어야 한다.
도 1은 공지의 태양전지의 제조방법에 의해 제조된 태양전지의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지용 레이저 소성장치를 나타낸다.
{도면의 주요부분에 대한 부호의 설명}
1 : p형 불순물 반도체 기판 2 : n+ 층
3 : BSF(Back Surface Field)층 4 : 전면전극부
5 : 후면전극부
11 : 제 1 레이저 생성수단 12 : 제 2 레이저 생성수단
13 : 제 1 벨트형 이동수단 14 : 제 2 벨트형 이동수단
15 : p형 불순물 반도체 기판 16 : 송풍수단(blowing system)
17 : 진공흡착수단(evacuation system)

Claims (22)

  1. 태양전지용 반도체 기판의 전면에 형성된 전면전극부에 레이저를 조사하여 전면전극부를 소성하는 제 1 레이저 생성수단; 및
    상기 반도체 기판의 후면에 형성된 후면 금속페이스트 영역에 레이저를 조사하여 BSF(Back Surface Field)층을 형성하는 제 2 레이저 생성수단을 포함하는 고효율 태양전지용 레이저 소성장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 레이저 생성수단과 제 2 레이저 생성수단은 각각 상기 반도체 기판의 전면 쪽과 상기 반도체 기판의 후면 쪽에 위치하여 서로 대향되도록 배치된 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지용 레이저 소성장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 레이저 생성수단과 제 2 레이저 생성수단은 상기 반도체 기판의 일면 쪽에 위치하여 서로 나란하게 배치된 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지용 레이저 소성장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 기판은 p형 불순물 반도체 기판 또는 n형 불순물 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지용 레이저 소성장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 기판이 안착되는 스테이지를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지용 레이저 소성장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 스테이지는, 상기 반도체 기판이 이동되는 제 1 벨트형 이동수단과 제 2 벨트형 이동수단인 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지용 레이저 소성장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 벨트형 이동수단과 제 2 벨트형 이동수단은 상기 제 2 레이저 생성수단에서 생성된 레이저가 통과되도록 이격된 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지용 레이저 소성장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 레이저는 라인(line) 형태의 레이저인 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지용 레이저 소성장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 레이저 생성수단에서 생성되는 레이저의 조사에 의해, 상기 반도체 기판의 온도는 600 ~ 1000℃의 온도범위에 속하는 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지용 레이저 소성장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 레이저 생성수단에서 생성되는 레이저의 조사에 의해, 상기 반도체 기판의 온도는 450 ~ 750℃의 온도범위에 속하는 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지용 레이저 소성장치.
  11. 태양전지용 반도체 기판의 전면에 형성된 전면전극부에 레이저를 조사하여 전면전극부를 소성하거나, 상기 반도체 기판의 후면에 형성된 후면 금속페이스트 영역에 레이저를 조사하여 BSF(Back Surface Field)층을 형성하는 레이저 생성수단을 포함하는 고효율 태양전지용 레이저 소성장치에 있어서,
    상기 레이저는 라인형태의 레이저인 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지용 레이저 소성장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 레이저는 슬릿에 의하여 출력광이 변형된 라인형태의 레이저인 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지용 레이저 소성장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 레이저 생성수단은 복수 개의 레이저 생성수단이 라인상으로 배열된 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지용 레이저 소성장치.
  14. 제 11항에 있어서,
    상기 반도체 기판은 p형 불순물 반도체 기판 또는 n형 불순물 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지용 레이저 소성장치.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 반도체 기판이 안착되는 스테이지를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지용 레이저 소성장치.
  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 전면전극부에 조사되는 레이저에 의해, 상기 반도체 기판의 온도는600 ~ 1000℃의 온도범위에 속하는 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지용 레이저 소성장치.
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 후면 금속페이스트 영역에 조사되는 레이저에 의해, 상기 반도체 기판의 온도는 450 ~ 750℃의 온도범위에 속하는 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지 용 레이저 소성장치.
  18. 고효율 태양전지를 제조하는 방법에 있어서,
    태양전지용 반도체 기판의 전면에 형성된 전면전극부 또는 상기 반도체 기판의 후면에 형성된 후면전극부에 라인형태의 레이저를 조사하여 소성 및 컨택(contact)을 형성하고,
    상기 반도체 기판의 후면에 형성된 후면 금속페이스트 영역에 라인형태의 레이저를 조사하여 BSF(Back Surface Field)층을 형성하는 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지 제조방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 전면전극부 또는 후면전극부에 조사되는 라인형태의 레이저와 상기 후면 금속페이스트 영역에 조사되는 라인형태의 레이저는 동시(同時) 또는 이시(異時)에 조사되는 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지 제조방법.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 반도체 기판은 p형 불순물 반도체 기판 또는 n형 불순물 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지 제조방법.
  21. 제 18 항에 있어서,
    상기 반도체 기판의 전면에 전면전극부를 형성하기 전에, 상기 반도체 기판의 전면에 반사방지막층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지 제조방법.
  22. 제 18 항에 있어서,
    상기 반도체 기판의 후면에 후면전극부를 형성하기 전에, 상기 반도체 기판의 후면에 후면보호막층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지 제조방법.
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