KR20100076872A - 정보 처리 장치, 수명 평가 방법, 및 기록 매체 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (7)
- 다이내믹 랜덤 액세스 메모리와,상기 다이내믹 랜덤 액세스 메모리와 협조하여 처리를 행하는 프로세서와,수명 평가 장치를 포함하는 내장된 진단 모듈을 구비하는 정보 처리 장치로서,상기 수명 평가 장치는, 메모리에 데이터가 유지된 후의 경과 시간을 재는 타이머부와, 상기 경과 시간이 미리 정해진 값에 도달한 경우에 상기 데이터를 상기 메모리로부터 판독하는 판독 제어부와, 판독한 상기 데이터의 에러의 유무 및 상기 경과 시간에 기초하여 상기 메모리의 수명을 평가하는 평가부를 포함하는 것인 정보 처리 장치.
- 제1항에 있어서,상기 평가부는, 상기 판독 제어부에 의해 상기 데이터를 에러 없음으로 판독할 수 있는 경우의 상기 경과 시간을 데이터 유지 시간으로서 구하고, 이 데이터 유지 시간에 기초하여 상기 메모리의 수명을 평가하는 것인 정보 처리 장치.
- 제2항에 있어서,상기 평가부가 수명을 평가한 경우에 경고 메시지를 출력하는 경고부를 포함한 정보 처리 장치.
- 제2항에 있어서,상기 평가부는, 제1 데이터 유지 시간을 구하고, 이 제1 데이터 유지 시간을 구한 후 측정 기간을 두고 제2 데이터 유지 시간을 구하며, 상기 측정 기간에 저하된 상기 제1 데이터 유지 시간과 상기 제2 데이터 유지 시간과의 차 및 상기 측정 기간에 기초하여 데이터 유지 시간의 저하율을 구하며, 이 저하율로부터 상기 수명을 평가하는 것인 정보 처리 장치.
- 제4항에 있어서,상기 평가부는, 상기 수명의 평가를 미리 정해진 타이밍으로 행하고, 평가한 수명에 기초하여 상기 미리 정해진 타이밍을 변경하는 것인 정보 처리 장치.
- 다이내믹 랜덤 액세스 메모리와, 상기 다이내믹 랜덤 액세스 메모리와 협조하여 처리를 행하는 프로세서와, 수명 평가 장치를 포함하는 내장된 진단 모듈을 구비하는 정보 처리 장치에 의해 행해지는 수명 평가 방법으로서,메모리에 데이터가 유지된 후의 경과 시간을 재는 단계와,상기 경과 시간이 미리 정해진 값에 도달한 경우에 상기 데이터를 상기 메모리로부터 판독하는 단계와,판독한 상기 데이터의 에러의 유무 및 상기 경과 시간에 기초하여 상기 메모리의 수명을 평가하는 단계를 포함하는 수명 평가 방법.
- 다이내믹 랜덤 액세스 메모리와, 상기 다이내믹 랜덤 액세스 메모리와 협조하여 처리를 행하는 프로세서와, 수명 평가 장치를 포함하는 내장된 진단 모듈을 구비하는 정보 처리 장치에,메모리에 데이터가 유지된 후의 경과 시간을 재는 단계와,상기 경과 시간이 미리 정해진 값에 도달한 경우에 상기 데이터를 상기 메모리로부터 판독하는 단계와,판독한 상기 데이터의 에러의 유무 및 상기 경과 시간에 기초하여 상기 메모리의 수명을 평가하는 단계를 실행시키는 수명 평가 프로그램을 저장한 컴퓨터로 판독할 수 있는 기록 매체.
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US6978406B2 (en) * | 2002-05-24 | 2005-12-20 | Agilent Technologies, Inc. | System and method for testing memory arrays |
JP2004310930A (ja) * | 2003-04-08 | 2004-11-04 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
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