KR20100048406A - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20100048406A
KR20100048406A KR1020080107536A KR20080107536A KR20100048406A KR 20100048406 A KR20100048406 A KR 20100048406A KR 1020080107536 A KR1020080107536 A KR 1020080107536A KR 20080107536 A KR20080107536 A KR 20080107536A KR 20100048406 A KR20100048406 A KR 20100048406A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
air
conditioning unit
air conditioning
unit
evaporator
Prior art date
Application number
KR1020080107536A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101015957B1 (ko
Inventor
박상욱
고재승
노형래
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020080107536A priority Critical patent/KR101015957B1/ko
Publication of KR20100048406A publication Critical patent/KR20100048406A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101015957B1 publication Critical patent/KR101015957B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G03F7/70875Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248Temperature monitoring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치를 개시한 것으로서, 하나의 냉각 유닛을 이용하여 사진 공정이 진행되는 모듈로 공급되는 공기의 온도와, 이송 로봇이 설치된 이송로에 공급되는 공기의 온도를 조절하는 구성을 가진다.
이러한 구성에 의하면, 사진 공정(도포 공정, 노광 공정, 현상 공정)에 투입되는 기판의 온도를 일정하게 관리하고, 사진 공정이 진행되는 설비의 내부 온도와 설비에 로딩되는 기판의 온도 편차를 줄여 공정 품질을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.
도포, 노광, 현상, 이송로, 공조, 냉각

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 포토리소그래피 공정을 진행하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 실리콘 웨이퍼 상에 소정의 회로 패턴을 형성하도록 박막을 순차적으로 적층하는 과정을 반복함으로써 제조되며, 박막의 형성 및 적층을 위해서는 증착 공정, 사진 공정, 식각 공정 등 다수의 단위 공정들을 반복 수행해야만 한다.
이러한 다수의 단위 공정들 중 사진 공정은 웨이퍼 상에 패턴을 형성하기 위한 공정으로서, 감광액 도포(Coating) 공정, 노광(Exposuring) 공정, 그리고 현상(Developing) 공정 등으로 이루어진다.
감광액 도포 공정은 빛에 민감한 물질인 감광액(Photoresist)을 웨이퍼 표면에 고르게 도포시키는 공정이고, 노광 공정은 스텝퍼(Stepper)를 사용하여 마스크에 그려진 회로 패턴에 빛을 통과시켜 감광막이 형성된 웨이퍼 상에 회로 패턴을 노광하는 공정이며, 현상 공정은 디벨로퍼(Developer)를 사용하여 노광 공정을 통해 웨이퍼의 표면의 감광막에서 빛을 받은 부분 또는 빛을 받지 않는 부분을 선택 적으로 현상시키는 공정이다.
도포 공정, 노광 공정 및 현상 공정 등에 의해 웨이퍼 상에는 패턴이 형성되고, 웨이퍼 상에 형성된 패턴을 이용하여 웨이퍼의 최상단층을 식각 처리함으로써 패턴에 따른 소자의 형성이 가능하게 된다.
본 발명은 사진 공정(도포 공정, 노광 공정, 현상 공정)에 투입되는 기판의 온도를 관리할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 처리 장치는 기판 처리 공정이 진행되는 처리실; 상기 처리실에 상기 기판을 반입/반출하는 이송 로봇이 설치된 이송실; 상기 처리실 내에 하강 기류가 형성되도록 공기를 공급하는 제 1 공조 유닛; 상기 이송실 내에 하강 기류가 형성되도록 공기를 공급하는 제 2 공조 유닛; 및 상기 제 1 공조 유닛과 상기 제 2 공조 유닛으로 공급된 공기를 냉각하고 제습하는 냉각 유닛을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 냉각 유닛은 냉동 싸이클을 형성하도록 냉매 순환 라인 상에 순차적으로 배치되는 증발기, 압축기, 응축기, 팽창 밸브를 포함하되, 상기 증발기는 상기 제 1 공 조 유닛에 설치되며, 상기 제 1 공조 유닛으로 공급되는 공기의 열을 흡수하는 제 1 증발기; 및 상기 순환 라인에 의해 상기 제 1 증발기와 연결되도록 상기 제 2 공조 유닛에 설치되며, 상기 제 2 공조 유닛으로 공급되는 공기의 열을 흡수하는 제 2 증발기를 포함할 수 있다.
상기 제 1 공조 유닛은 상기 처리실의 상부에 설치되며, 상기 처리실로 공급될 공기가 일시적으로 머무는 공간을 제공하는 공기 챔버; 공기가 유출입되는 덕트; 및 상기 덕트의 유출구로부터 유출되는 공기를 상기 공기 챔버로 송풍하는 송풍기를 포함하되, 상기 덕트 내에는 상기 유출구로부터 길이 방향을 따라 가습기, 히터, 그리고 상기 제 1 증발기가 순차적으로 설치될 수 있다.
상기 제 2 공조 유닛은 상기 이송실의 상부에 설치되는 팬-필터 유닛(FFU);
공기가 유출입되는 덕트; 및 상기 덕트의 유출구로부터 유출되는 공기를 상기 팬-필터 유닛으로 송풍하는 송풍기를 포함하되, 상기 덕트 내에는 상기 유출구로부터 길이 방향을 따라 히터와 상기 제 2 증발기가 순차적으로 설치될 수 있다.
상기 제 2 공조 유닛은 상기 팬-필터 유닛에 팹(FAB) 환경 온도의 공기를 공급하는 공기 공급 부재를 더 포함할 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 처리실에는 상기 기판에 대한 감광액 도포 공정을 진행하는 도포 유닛이 설치될 수 있다.
다른 예에 의하면, 상기 처리실에는 감광액이 도포된 상기 기판을 노광 처리하는 노광 유닛이 설치될 수 있다.
또 다른 예에 의하면, 상기 처리실에는 노광 처리된 상기 기판에 대한 현상 공정을 진행하는 현상 유닛이 설치될 수 있다.
상기한 과제를 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 처리 장치는 감광액 도포 공정을 진행하는 도포 모듈들과, 상기 도포 모듈들에 기판을 반출입하는 제 1 기판 이송 모듈을 가지는 제 1 처리 유닛; 현상 공정을 진행하는 현상 모듈들과, 상기 현상 모듈들에 기판을 반출입하는 제 2 기판 이송 모듈을 가지며, 복층 구조를 이루도록 상기 제 1 처리 유닛의 상부와 하부 중 어느 일측에 배치되는 제 2 처리 유닛; 상기 도포 모듈들과 상기 현상 모듈들 내에 하강 기류가 형성되도록 공기를 공급하는 제 1 공조 유닛; 상기 제 1 및 제 2 기판 이송 모듈 내에 하강 기류가 형성되도록 공기를 공급하는 제 2 공조 유닛; 및 상기 제 1 공조 유닛과 상기 제 2 공조 유닛으로 공급된 공기를 냉각하고 제습하는 냉각 유닛을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 냉각 유닛은 냉동 싸이클을 형성하도록 냉매 순환 라인 상에 순차적으로 배치되는 증발기, 압축기, 응축기, 팽창 밸브를 포함하되, 상기 증발기는 상기 제 1 공조 유닛에 설치되며, 상기 제 1 공조 유닛으로 공급되는 공기의 열을 흡수하는 제 1 증발기; 및 상기 순환 라인에 의해 상기 제 1 증발기와 연결되도록 상기 제 2 공조 유닛에 설치되며, 상기 제 2 공조 유닛으로 공급되는 공기의 열을 흡수하는 제 2 증발기를 포함할 수 있다.
상기 제 1 공조 유닛은 상기 도포 모듈들과 상기 현상 모듈들의 상부에 각각 설치되며, 상기 처리실로 공급될 공기가 일시적으로 머무는 공간을 제공하는 공기 챔버; 공기가 유출입되는 덕트; 및 상기 덕트의 유출구로부터 유출되는 공기를 상기 공기 챔버들로 송풍하는 송풍기를 포함하되, 상기 덕트 내에는 상기 유출구로부터 길이 방향을 따라 가습기, 히터, 그리고 상기 제 1 증발기가 순차적으로 설치될 수 있다.
상기 제 2 공조 유닛은 상기 제 1 및 제 2 기판 이송 모듈의 상부에 각각 설치되는 팬-필터 유닛(FFU)들; 공기가 유출입되는 덕트; 및 상기 덕트의 유출구로부터 유출되는 공기를 상기 팬-필터 유닛들로 송풍하는 송풍기를 포함하되, 상기 덕트 내에는 상기 유출구로부터 길이 방향을 따라 히터와 상기 제 2 증발기가 순차적으로 설치될 수 있다.
상기 제 2 공조 유닛은 상기 팬-필터 유닛들에 팹(FAB) 환경 온도의 공기를 공급하는 공기 공급 부재를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 의하면, 사진 공정(도포 공정, 노광 공정, 현상 공정)에 투입되는 기판의 온도를 일정하게 관리할 수 있다.
그리고 본 발명에 의하면, 사진 공정이 진행되는 설비의 내부 온도와 설비에 로딩되는 기판의 온도 편차를 줄여 공정 품질을 향상시킬 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가 능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
( 실시 예 )
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 평면도이고, 도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 측면도이다. 그리고 도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 공정 처리부를 설명하기 위한 도면이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 인덱스(20), 공정 처리부(30) 그리고 인터페이스(50)를 포함한다. 인덱스(20), 공정 처리부(30) 및 인터페이스(50)는 제 1 방향(12)으로 나란하게 배치된다. 인덱스(20)는 제 1 방향(12)을 따라 공정 처리부(30)의 전단부에 인접하게 배치되고, 인터페이스(50)는 제 1 방향(12)을 따라 공정 처리부(30)의 후단부에 인접하게 배치된다. 인덱스(20) 및 인터페이스(50)는 길이 방향이 제 1 방향(12)에 수직한 제 2 방향(14)을 향하도록 배치된다. 공정 처리부(30)는 상하 방향으로 적층 배치된 복층 구조를 가진다. 하층에는 제 1 처리 유닛(32a)이 배치되고, 상층에는 제 2 처리 유닛(32b)이 배치된다. 인덱스(20)와 인터페이스(50)는 공정 처리부(30)로 기판을 반출입한다.
제 1 처리 유닛(32a)은 제 1 이송로(34a), 제 1 메인 로봇(36a), 그리고 처리 모듈들(40a,40b)을 포함한다. 제 1 이송로(34a)는 인덱스(20)와 인접한 위치에서 인터페이스(50)와 인접한 위치까지 제 1 방향(12)으로 길게 제공된다. 제 1 이 송로(34a)의 길이 방향을 따라 제 1 이송로(34a)의 양측에는 처리 모듈들(40a,40b)이 배치되고, 제 1 이송로(34a)에는 제 1 메인 로봇(36a)이 설치된다. 제 1 메인 로봇(36a)은 인덱스(20), 처리 모듈들(40a,40b), 그리고 인터페이스(50) 간에 기판을 이송한다.
제 2 처리 유닛(32b)은 제 2 이송로(34b), 제 2 메인 로봇(36b), 그리고 처리 모듈(40a,40b)들을 포함한다. 제 2 이송로(34b)는 인덱스(20)와 인접한 위치에서 인터페이스(50)와 인접한 위치까지 제 1 방향(12)으로 길게 제공된다. 제 2 이송로(34b)의 길이 방향을 따라 제 2 이송로(34b)의 양측에는 처리 모듈들(40a,40b)이 배치되고, 제 2 이송로(34b)에는 제 2 메인 로봇(36b)이 설치된다. 제 2 메인 로봇(36b)은 인덱스(20), 처리 모듈들(40a,40b), 그리고 인터페이스(50) 간에 기판을 이송한다.
제 1 처리 유닛(32a)은 도포 공정을 진행하는 모듈들(40a)과 베이크 모듈들(40b)을 가지고, 제 2 처리 유닛(32b)는 현상 공정을 진행하는 모듈들(40a)과 베이크 모듈들(40b)을 가진다. 이와 달리 제 1 처리 유닛(32a)이 현상 공정을 진행하는 모듈들(40a)과 베이크 모듈들(40b)을 가지고, 제 2 처리 유닛(32b)이 도포 공정을 진행하는 모듈들(40a)과 베이크 모듈들(40b)을 가질 수 있다. 또한, 제 1 및 제 2 처리 유닛(32a, 32b)가 도포 공정을 수행하는 모듈들과 현상 공정을 수행하는 모듈들, 그리고 베이크 모듀들을 모두 가질 수도 있다.
이하에서는 제 1 처리 유닛(32a)이 도포 공정을 진행하는 모듈들(40a)과 베이크 모듈들(40b)을 가지고, 제 2 처리 유닛(32b)이 현상 공정을 진행하는 모듈 들(40a)과 베이크 모듈들(40b)을 가지는 경우를 예로 들어 설명한다.
제 1 처리 유닛(32a)의 베이크 모듈들(40b)로는 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판을 소정의 온도로 가열하여 기판 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(Pre-Baking) 공정을 수행하는 베이크 유닛과, 포토레지스트를 기판상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(Soft-Baking) 공정을 수행하는 베이크 유닛과, 기판을 냉각하는 공정을 수행하는 베이크 유닛 등을 예로 들수 있다. 그리고, 제 2 처리 유닛(32b)의 베이크 모듈들(40b)로는 광이 조사되어 변형된 포토 레지스트를 현상한 이후에 행하는 하드 베이크(Hard-Baking) 공정을 수행하는 베이크 유닛, 포토 레지스트를 광원으로 노광시킨 이후에 행하는 노광 후 베이크(Post Exposure Baking) 공정을 수행하는 베이크 유닛, 그리고 기판을 냉각하는 공정을 수행하는 베이크 유닛 등을 예로 들을 수 있다.
인덱스(20)는 공정 처리부(30)의 전단부에 설치된다. 인덱스(20)는 기판들이 수용된 카세트(C)가 놓이는 로드 포트들(22a,22b,22c,22d)과, 인덱스 로봇(100a)을 가진다. 로드 포트들(22a,22b,22c,22d)은 제 2 방향(14)을 따라 일 방향으로 나란하게 배치되고, 인덱스 로봇(100a)은 로드 포트들(22a,22b,22c,22d)과 공정 처리부(30)의 사이에 위치한다. 기판들을 수용하는 용기(C)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(미도시)에 의해 로드 포트(22a,22b,22c,22d) 상에 놓인다. 용기(C)는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 인덱스 로봇(100a)은 로 드 포트(22a,22b,22c,22d)에 놓인 용기(C)와 공정 처리부(30) 간에 기판을 이송한다.
인터페이스(50)는 공정 처리부(30)를 기준으로 인덱스(20)와 대칭을 이루도록 공정 처리부(30)의 후단부에 설치된다. 인터페이스(50)는 인터페이스 로봇(100b)을 가진다. 인터페이스 로봇(100b)은 인터페이스(50)의 후단에 연결되는 노광 처리부(50)와 공정 처리부(30) 간에 기판을 이송한다.
인덱스 로봇(100a)은 수평 가이드(110), 수직 가이드(120), 그리고 로봇 아암(130)을 가진다. 로봇 아암(130)은 제 1 방향(12)으로 직선 이동 가능하며, Z 축을 중심축으로 하여 회전할 수 있다. 수평 가이드(110)는 로봇 아암(130)의 제 2 방향(14)을 따른 직선 이동을 안내하고, 수직 가이드(120)는 로봇 아암(130)의 제 3 방향(16)을 따른 직선 이동을 안내한다. 로봇 아암(130)은 수평 가이드(110)를 따라 제 2 방향(14)으로 직선 이동하고, Z 축을 중심축으로 회전하고 제 3 방향(16)으로 이동 가능한 구조를 가진다. 인터페이스 로봇(100b)는 인덱스 로봇(100a)과 동일한 구조를 가진다.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 기판 처리 장치(10)의 동작을 설명하면 다음과 같다. 기판들이 수용된 카세트(C)가 오퍼레이터 또는 이송 수단(미도시)에 의해 인덱스(20)의 로드 포트(22a)에 놓인다. 인덱스 로봇(100a)은 로드 포트(22a)에 놓인 카세트(C)로부터 기판을 인출하여 제 1 처리 유닛(32a)의 제 1 메인 로봇(36a)으로 기판을 인계한다. 제 1 메인 로봇(36a)은 제 1 이송로(34a)를 따라 이 동하면서 각각의 처리 모듈들(40a,40b)로 기판을 로딩하여 도포 공정 및 베이크 공정을 수행한다. 처리 모듈들(40a,40b)에서 기판에 대한 처리 공정이 완료되면, 처리된 기판은 처리 모듈들(40a,40b)로부터 언로딩된다. 언로딩된 기판은 제 1 메인 로봇(36a)에 의해 인터페이스 로봇(100b)로 전달되고, 인터페이스 로봇(100b)는 이를 노광 처리부(50)으로 이송한다. 노광 공정이 완료된 기판은 인터페이스 로봇(100b)에 의해 제 2 처리 유닛(32b)로 전달된다. 기판은 제 2 메인 로봇(36b)에 의해 처리 모듈들(40a,40b)로 이송되면서 현상 공정 및 베이크 공정이 수행된다. 현상 공정이 완료된 기판은 인덱스(20)로 전달된다.
도 4는 공조 유닛의 구성을 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 공조 유닛은 제 1 공조 유닛(100), 제 2 공조 유닛(200), 그리고 냉각 유닛(300)을 포함한다. 제 1 공조 유닛(100)은 도포 모듈(40a) 내에 하강 기류가 형성되도록 공기를 공급한다. 제 2 공조 유닛(200)은 제 1 이송로(34a) 내에 하강 기류가 형성되도록 공기를 공급한다. 냉각 유닛(300)은 제 1 공조 유닛(100)과 제 2 공조 유닛(200)으로 공급된 공기를 냉각하고 제습한다.
제 1 공조 유닛(100)은 공기 챔버(110), 덕트(120), 그리고 송풍기(130)를 포함한다. 공기 챔버(110)는 도포 모듈(40a)의 상부에 설치되며, 도포 모듈(40a)로 공급될 공기가 일시적으로 머무는 공간을 제공한다. 공기 챔버(110)의 하부에는 도포 모듈(40a)로 공급되는 공기를 필터링하는 필터(112)가 설치된다. 공기 챔버(110)는 공기 공급관(114)에 의해 송풍기(130)에 연결되고, 송풍기(130)는 덕 트(120)의 유출구(124)에 연결된다. 송풍기(130)는 덕트(120)의 유출구(124)로부터 유출되는 공기를 공기 챔버(110)로 송풍한다.
덕트(120) 내에는 유출구(124)로부터 유입구(122)를 향해 길이 방향으로 가습기(140), 히터(150), 그리고 제 1 증발기(310a), 필터(160)가 순차적으로 설치된다. 유입구(122)를 통해 덕트(120)로 유입된 공기는 필터(160)에 의해 필터링된다. 필터링된 공기는 제 1 증발기(310a)를 통과하면서 습도가 낮은 저온의 공기로 냉각/제습된다. 저온/저습도의 공기는 히터(150)에 의해 가열되고, 가습기(140)에 의해 습도가 조절된다. 이후, 공기는 유출구(124)를 통해 덕트(120)로부터 유출되고, 송풍기(130)의 송풍력에 의해 공기 공급관(114)을 타고 흘러 공기 챔버(110)로 유입된다. 공기 챔버(110)로 유입된 공기는 필터(112)에 의해 필터링되고, 하강 기류를 형성하며 도포 모듈(40a) 내로 공급된다.
제 2 공조 유닛(200)은 팬 필터 유닛(210), 덕트(220), 그리고 송풍기(230)를 포함한다. 팬 필터 유닛(210)은 제 1 이송로(34a)의 상부에 설치된다. 팬 필터 유닛(210) 공기 공급관(214)에 의해 송풍기(230)에 연결되고, 송풍기(230)는 덕트(220)의 유출구(224)에 연결된다. 송풍기(230)는 덕트(220)의 유출구(224)로부터 유출되는 공기를 팬 필터 유닛(210)으로 송풍한다.
덕트(220) 내에는 유출구(224)로부터 유입구(222)를 향해 길이 방향으로 히터(250), 그리고 제 2 증발기(310b), 필터(260)가 순차적으로 설치된다. 유입구(222)를 통해 덕트(220)로 유입된 공기는 필터(260)에 의해 필터링된다. 필터링 된 공기는 제 2 증발기(310b)를 통과하면서 습도가 낮은 저온의 공기로 냉각/제습된다. 저온/저습도의 공기는 히터(250)에 의해 가열된다. 이후, 공기는 유출구(224)를 통해 덕트(220)로부터 유출되고, 송풍기(230)의 송풍력에 의해 공기 공급관(214)을 타고 흘러 팬 필터 유닛(210)으로 유입된다. 팬 필터 유닛(210)으로 유입된 공기는 팬(211)에 의해 하강 기류를 형성하고, 필터(212)를 거치면서 필터링된 상태로 제 1 이송로(34a) 내로 공급된다.
그리고, 팬-필터 유닛(210)에는 팬-필터 유닛(210)에 팹(FAB) 환경 온도의 공기를 공급하는 공기 공급 부재(270)가 설치된다.
냉각 유닛(300)은 증발기(310a,310b), 압축기(320), 응축기(330) 및 팽창 밸브(340)를 포함한다. 증발기(310a,310b), 압축기(320), 응축기(330) 및 팽창 밸브(340)는 냉동 싸이클을 형성하도록 냉매 순환 라인(302) 상에 순차적으로 배치된다. 제 1 증발기(310a)는 제 1 공조 유닛(100)의 덕트(120) 내에 설치되며, 제 1 공조 유닛(100)의 덕트(120)로 유입되는 공기의 열을 흡수한다. 제 2 증발기(310b)는 냉매 순환 라인(302)에 의해 제 1 증발기(310a)와 연결되며, 제 2 공조 유닛(200)의 덕트(220) 내에 설치된다. 제 2 증발기(310b)는 제 2 공조 유닛(200)의 덕트(220)로 유입되는 공기의 열을 흡수한다. 압축기(320)는 제 1 및 제 2 증발기(310a,310b)를 통과한 공기를 고온/고압으로 압축하고, 응축기(330)는 고온/고압으로 압축된 공기를 액화시키고, 액화된 공기는 팽창 밸브(340)를 거치면서 저온/저압의 기체로 상변화된다. 저온/저압의 기체는 다시 제 1 및 제 2 증발 기(310a,310b)를 통과하면서, 제 1 공조 유닛(100)의 덕트(120)로 유입되는 공기와 제 2 공조 유닛(200)의 덕트(220)로 유입되는 공기로부터 열을 흡수한다.
공기 공급 부재(270)로부터 공급되는 팹(FAB) 환경 온도의 공기는 팬 필터 유닛(210)을 통과하면서 온도가 상승된다. 이로 인해 제 1 이송로(34a)의 이송 로봇에 파지된 기판의 온도가 상승될 수 있다. 온도가 상승된 기판이 도포 모듈(40a)로 공급되면, 도포 모듈(40a) 내의 온도와 기판 온도의 편차에 의해 공정 불량이 발생할 수 있다. 그러나, 본 발명은 제 2 공조 유닛(200) 및 냉각 유닛(300)에 의해 냉각된 공기가 팬 필터 유닛(210)으로 추가 공급되기 때문에, 팬 필터 유닛(210)을 통과하면서 공기의 온도가 일정 부분 상승되더라도, 상승된 공기의 온도는 공정 온도로 유지될 수 있다.
이와 같이, 본 발명은 도포 모듈에 투입되는 기판의 온도를 일정하게 관리할 수 있으며, 도포 모듈의 내부 온도와 로딩되는 기판의 온도 편차를 줄여 공정 품질을 향상시킬 수 있다.
상기의 실시 예에서는 도포 공정이 진행되는 모듈을 예로 들어 설명하였으나, 본 발명의 공조 유닛 및 냉각 유닛은 현상 공정이나 노광 공정을 진행하는 모듈에도 적용될 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으 로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이하에 설명된 도면들은 단지 예시의 목적을 위한 것이고, 본 발명의 범위를 제한하기 위한 것이 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 평면도,
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 측면도,
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 공정 처리부를 설명하기 위한 도면,
도 4는 공조 유닛의 구성을 보여주는 도면이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
100 : 제 1 공조 유닛 120 : 덕트
200 : 제 2 공조 유닛 220 : 덕트
300 : 냉각 유닛 310a : 제 1 증발기
310b : 제 2 증발기 320 : 압축기
330 : 응축기 340 : 팽창 밸브

Claims (13)

  1. 기판 처리 공정이 진행되는 처리실;
    상기 처리실에 상기 기판을 반입/반출하는 이송 로봇이 설치된 이송실;
    상기 처리실 내에 하강 기류가 형성되도록 공기를 공급하는 제 1 공조 유닛;
    상기 이송실 내에 하강 기류가 형성되도록 공기를 공급하는 제 2 공조 유닛; 및
    상기 제 1 공조 유닛과 상기 제 2 공조 유닛으로 공급된 공기를 냉각하고 제습하는 냉각 유닛
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 냉각 유닛은 냉동 싸이클을 형성하도록 냉매 순환 라인 상에 순차적으로 배치되는 증발기, 압축기, 응축기, 팽창 밸브를 포함하되,
    상기 증발기는,
    상기 제 1 공조 유닛에 설치되며, 상기 제 1 공조 유닛으로 공급되는 공기의 열을 흡수하는 제 1 증발기; 및
    상기 순환 라인에 의해 상기 제 1 증발기와 연결되도록 상기 제 2 공조 유닛에 설치되며, 상기 제 2 공조 유닛으로 공급되는 공기의 열을 흡수하는 제 2 증발기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 공조 유닛은,
    상기 처리실의 상부에 설치되며, 상기 처리실로 공급될 공기가 일시적으로 머무는 공간을 제공하는 공기 챔버;
    공기가 유출입되는 덕트; 및
    상기 덕트의 유출구로부터 유출되는 공기를 상기 공기 챔버로 송풍하는 송풍기를 포함하되,
    상기 덕트 내에는 상기 유출구로부터 길이 방향을 따라 가습기, 히터, 그리고 상기 제 1 증발기가 순차적으로 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 공조 유닛은,
    상기 이송실의 상부에 설치되는 팬-필터 유닛(FFU);
    공기가 유출입되는 덕트; 및
    상기 덕트의 유출구로부터 유출되는 공기를 상기 팬-필터 유닛으로 송풍하는 송풍기를 포함하되,
    상기 덕트 내에는 상기 유출구로부터 길이 방향을 따라 히터와 상기 제 2 증발기가 순차적으로 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 2 공조 유닛은,
    상기 팬-필터 유닛에 팹(FAB) 환경 온도의 공기를 공급하는 공기 공급 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 처리실에는 상기 기판에 대한 감광액 도포 공정을 진행하는 도포 유닛이 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 처리실에는 감광액이 도포된 상기 기판을 노광 처리하는 노광 유닛이 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 처리실에는 노광 처리된 상기 기판에 대한 현상 공정을 진행하는 현상 유닛이 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 감광액 도포 공정을 진행하는 도포 모듈들과, 상기 도포 모듈들에 기판을 반출입하는 제 1 기판 이송 모듈을 가지는 제 1 처리 유닛;
    현상 공정을 진행하는 현상 모듈들과, 상기 현상 모듈들에 기판을 반출입하 는 제 2 기판 이송 모듈을 가지며, 복층 구조를 이루도록 상기 제 1 처리 유닛의 상부와 하부 중 어느 일측에 배치되는 제 2 처리 유닛;
    상기 도포 모듈들과 상기 현상 모듈들 내에 하강 기류가 형성되도록 공기를 공급하는 제 1 공조 유닛;
    상기 제 1 및 제 2 기판 이송 모듈 내에 하강 기류가 형성되도록 공기를 공급하는 제 2 공조 유닛; 및
    상기 제 1 공조 유닛과 상기 제 2 공조 유닛으로 공급된 공기를 냉각하고 제습하는 냉각 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 냉각 유닛은 냉동 싸이클을 형성하도록 냉매 순환 라인 상에 순차적으로 배치되는 증발기, 압축기, 응축기, 팽창 밸브를 포함하되,
    상기 증발기는,
    상기 제 1 공조 유닛에 설치되며, 상기 제 1 공조 유닛으로 공급되는 공기의 열을 흡수하는 제 1 증발기; 및
    상기 순환 라인에 의해 상기 제 1 증발기와 연결되도록 상기 제 2 공조 유닛에 설치되며, 상기 제 2 공조 유닛으로 공급되는 공기의 열을 흡수하는 제 2 증발기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 공조 유닛은,
    상기 도포 모듈들과 상기 현상 모듈들의 상부에 각각 설치되며, 상기 처리실로 공급될 공기가 일시적으로 머무는 공간을 제공하는 공기 챔버;
    공기가 유출입되는 덕트; 및
    상기 덕트의 유출구로부터 유출되는 공기를 상기 공기 챔버들로 송풍하는 송풍기를 포함하되,
    상기 덕트 내에는 상기 유출구로부터 길이 방향을 따라 가습기, 히터, 그리고 상기 제 1 증발기가 순차적으로 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 2 공조 유닛은,
    상기 제 1 및 제 2 기판 이송 모듈의 상부에 각각 설치되는 팬-필터 유닛(FFU)들;
    공기가 유출입되는 덕트; 및
    상기 덕트의 유출구로부터 유출되는 공기를 상기 팬-필터 유닛들로 송풍하는 송풍기를 포함하되,
    상기 덕트 내에는 상기 유출구로부터 길이 방향을 따라 히터와 상기 제 2 증발기가 순차적으로 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 2 공조 유닛은,
    상기 팬-필터 유닛들에 팹(FAB) 환경 온도의 공기를 공급하는 공기 공급 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
KR1020080107536A 2008-10-31 2008-10-31 기판 처리 장치 KR101015957B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080107536A KR101015957B1 (ko) 2008-10-31 2008-10-31 기판 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080107536A KR101015957B1 (ko) 2008-10-31 2008-10-31 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100048406A true KR20100048406A (ko) 2010-05-11
KR101015957B1 KR101015957B1 (ko) 2011-02-23

Family

ID=42275175

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080107536A KR101015957B1 (ko) 2008-10-31 2008-10-31 기판 처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101015957B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180033848A (ko) * 2016-09-26 2018-04-04 멜콘 주식회사 기체 공급 장치 및 기판 처리 시스템
KR20200115117A (ko) * 2019-03-28 2020-10-07 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리장치
KR20230000785A (ko) * 2021-06-25 2023-01-03 주식회사 선반도체 기판 표면상에 존재하는 이온 또는 염 성분의 용해 석출 장치 및 이를 이용한 용해 석출 방법

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102351614B1 (ko) * 2015-09-17 2022-01-18 주식회사 케이씨텍 기판처리장치
KR102478750B1 (ko) * 2015-11-16 2022-12-19 주식회사 케이씨텍 기판 처리장치

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11294817A (ja) 1998-04-16 1999-10-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理システム
KR20070040071A (ko) * 2005-10-11 2007-04-16 삼성전자주식회사 기판 이송 장치
JP2008153422A (ja) * 2006-12-18 2008-07-03 Tokyo Electron Ltd 塗布・現像装置およびパターン形成方法
JP4896899B2 (ja) 2007-01-31 2012-03-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置およびパーティクル付着防止方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180033848A (ko) * 2016-09-26 2018-04-04 멜콘 주식회사 기체 공급 장치 및 기판 처리 시스템
KR20200115117A (ko) * 2019-03-28 2020-10-07 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리장치
US11342201B2 (en) 2019-03-28 2022-05-24 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
KR20230000785A (ko) * 2021-06-25 2023-01-03 주식회사 선반도체 기판 표면상에 존재하는 이온 또는 염 성분의 용해 석출 장치 및 이를 이용한 용해 석출 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR101015957B1 (ko) 2011-02-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9984904B2 (en) Substrate treatment system, substrate transfer method and computer storage medium
US6593045B2 (en) Substrate processing apparatus and method
US6814809B2 (en) Coating and developing apparatus and pattern forming method
US9287145B2 (en) Substrate treatment system, substrate transfer method, and a non-transitory computer storage medium
US10867820B2 (en) Substrate transfer device and substrate transfer method
KR101015957B1 (ko) 기판 처리 장치
KR100427163B1 (ko) 처리시스템
US20110242508A1 (en) Interface system
US6168667B1 (en) Resist-processing apparatus
JPH0926176A (ja) 処理システムとこれを用いたデバイス生産方法
US20080160895A1 (en) Atmosphere control apparatus, device-manufacturing apparatus, device-manufacturing method, and exposure apparatus
US6580958B1 (en) Semiconductor manufacturing apparatus and device manufacturing method
KR20010029949A (ko) 처리시스템
US20040055177A1 (en) Exposure Apparatus
KR20150071457A (ko) 기판 처리 장치 및 항온 항습 방법
JP3286994B2 (ja) 露光方法、および露光装置
KR100542630B1 (ko) 반도체 제조 설비
JP3673397B2 (ja) 基板冷却装置および基板冷却方法
JP5430508B2 (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の装置内温度制御方法、及び表示用パネル基板の製造方法
US20160124324A1 (en) Peripheral Exposure Method and Apparatus Therefor
KR101768518B1 (ko) 반송 챔버, 기판 처리 설비, 그리고 기판 반송 방법
JP3576943B2 (ja) 基板処理装置
JP3811409B2 (ja) 処理装置
JP3214494B2 (ja) 保持装置および露光システム、デバイス
JP3149106B2 (ja) 露光システム及びその露光システムにより製造されたデバイス、並びに露光方法及びその露光方法を用いたデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140212

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151008

Year of fee payment: 5

R401 Registration of restoration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160212

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170202

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180206

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200131

Year of fee payment: 10