KR20200115117A - 기판 처리장치 - Google Patents

기판 처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20200115117A
KR20200115117A KR1020200024201A KR20200024201A KR20200115117A KR 20200115117 A KR20200115117 A KR 20200115117A KR 1020200024201 A KR1020200024201 A KR 1020200024201A KR 20200024201 A KR20200024201 A KR 20200024201A KR 20200115117 A KR20200115117 A KR 20200115117A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
unit
circulation
gas
circulation pipe
Prior art date
Application number
KR1020200024201A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102315845B1 (ko
Inventor
테츠오 이토
노리유키 키쿠모토
카즈키 이노우에
쿠니오 야마다
Original Assignee
가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 filed Critical 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Publication of KR20200115117A publication Critical patent/KR20200115117A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102315845B1 publication Critical patent/KR102315845B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D46/00—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
    • B01D46/42—Auxiliary equipment or operation thereof
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B21/00—Arrangements or duct systems, e.g. in combination with pallet boxes, for supplying and controlling air or gases for drying solid materials or objects
    • F26B21/14—Arrangements or duct systems, e.g. in combination with pallet boxes, for supplying and controlling air or gases for drying solid materials or objects using gases or vapours other than air or steam, e.g. inert gases
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B3/00—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat
    • F26B3/28—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat by radiation, e.g. from the sun
    • F26B3/283—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat by radiation, e.g. from the sun in combination with convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Microbiology (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 기판 처리장치를 제공한다. 기판 처리장치(100)에 있어서, 기판 반송부(120)에는, 인덱서부(110)와 기판 처리부(130) 사이에서 기판(W)을 반송하는 반송 로봇(122)이 설치된다. 반송 팬 필터 유닛(126)은 기판 반송부(120)의 상부에 설치된다. 배기구(124p)는 기판 반송부(120)에 설치된다. 순환배관(142)은 기판 반송부(120)의 배기구(124p)와 반송 팬 필터 유닛(126)을 연락한다. 배기관(146)은 순환배관(142)에 접속된다. 불활성 가스 공급부(148)는 순환배관(142)으로 불활성 가스를 공급한다. 순환 팬 필터 유닛(144)은 순환배관(142) 중 배기관(146)과의 접속부분의 하류에서, 순환배관(142)의 유로에 대해서 평행하게 배치된다.

Description

기판 처리장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 기판 처리장치에 관한 것이다.
기판 처리장치는, 예를 들면, 반도체 기판 또는 글래스 기판의 제조에 이용된다. 기판 처리장치에서는 처리액으로 기판을 처리한 후, 기판을 건조시킨다. 근년, 기판 구조의 미세화가 진행되고, 기판의 세정 및 건조가 문제되고 있다(특허문헌 1). 특허문헌 1의 기판 처리장치에서는 불활성 가스를 공급함으로써, 처리액의 건조를 촉진시키고 있다.
국제공개 공보 제2016/199769호
근년, 기판의 미세 처리가 점점 더 중요시되고 있다. 특허문헌 1의 기판 처리장치에서는, 기판 처리 시에는 불활성 가스를 기판으로 공급하고 있으나, 기판의 반송 중에 기판이 산소 분위기에 노출될 수도 있고, 기판의 산화에 의해 기판의 특성이 저하하는 우려가 있었다.
본 발명은, 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은 반송 중의 기판의 산화를 억제 가능한 기판 처리장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 일 국면에 따르면, 기판 처리장치는, 인덱서 로봇과, 인덱서부와, 기판 처리부와, 반송 로봇과, 기판 반송부와, 반송 팬 필터 유닛과, 배기구와, 순환배관과, 배기관과, 불활성 가스 공급부와, 순환 팬 필터 유닛을 구비한다. 상기 인덱서 로봇은 기판을 반입한다. 상기 인덱서부에는 상기 인덱서 로봇이 설치된다. 상기 기판 처리부는 상기 기판을 처리한다. 상기 반송 로봇은 상기 인덱서부와 상기 기판 처리부 사이에서 상기 기판을 반송한다. 상기 기판 반송부에는 상기 반송 로봇이 설치된다. 상기 반송 팬 필터 유닛은 상기 기판 반송부의 상부에 설치된다. 상기 배기구는 상기 기판 반송부에 설치된다. 상기 순환배관은 상기 기판 반송부의 상기 배기구와 상기 반송 팬 필터 유닛을 연락한다. 상기 배기관은 상기 순환배관에 접속된다. 상기 불활성 가스 공급부는 상기 순환배관으로 불활성 가스를 공급한다. 상기 순환 팬 필터 유닛은 상기 순환배관 중 상기 배기관과의 접속부분의 하류에서, 상기 순환배관의 유로에 대해서 평행하게 배치된다.
일 실시형태에서, 상기 순환 팬 필터 유닛은 연직 방향을 따라 연장하도록 배치된다.
일 실시형태에서, 상기 기판 처리장치는 상기 배기관을 통과하는 기체의 흐름을 조정하는 밸브를 더 구비한다.
일 실시형태에서, 상기 순환 팬 필터 유닛은 상기 불활성 가스 공급부에서 공급된 상기 불활성 가스를 상기 순환배관으로 분출(吹出)한다.
일 실시형태에서, 상기 불활성 가스 공급부는 상기 순환배관에 상기 불활성 가스를 제1 유량으로 공급하는 제1 공급부와, 상기 순환배관에 상기 불활성 가스를 상기 제 1유량보다 많은 제2 유량으로 공급하는 제2 공급부를 가진다.
일 실시형태에서, 산소 저하 모드의 경우, 상기 제 1공급부 및 상기 제 2공급부의 각각은 상기 불활성 가스를 상기 순환배관으로 공급하고, 저산소 유지 모드의 경우, 상기 제 1공급부는 상기 불활성 가스를 상기 순환배관으로 공급한다.
일 실시형태에서, 상기 기판 처리장치는 상기 순환배관에 공기를 공급하는 공기 공급부를 더 구비한다.
일 실시형태에서, 산소 증가 모드의 경우, 상기 공기 공급부는 상기 공기를 상기 순환배관으로 공급한다.
일 실시형태에서, 상기 순환 팬 필터 유닛은 상기 공기 공급부에서 공급된 상기 공기를 상기 순환배관으로 분출한다.
일 실시형태에서, 상기 순환 팬 필터 유닛으로, 복수의 팬 필터 유닛이 나란하게 배치되어 있다.
일 실시형태에서, 상기 순환 팬 필터 유닛은, 팬과, 필터와, 케미컬 필터를 포함한다.
일 실시형태에서, 상기 기판 처리장치는 상기 순환배관의 일부 및 상기 순환 팬 필터 유닛을 수용하는 가스 순환 캐비넷을 더 구비한다.
일 실시형태에서, 상기 기판 처리장치는 상기 가스 순환 캐비넷에 인접하고, 상기 기판 처리부로 처리액을 공급하는 처리액 캐비넷을 더 구비한다.
본 발명에 따르면, 반송중의 기판의 산화를 억제할 수 있다.
[도 1] (a)는, 본 실시형태의 기판 처리장치의 모식적인 상면도이고, (b)는, 본 실시형태의 기판 처리장치의 모식적인 측면도이다.
[도 2] (a) 내지 (c)는, 각각 산소 저하 모드, 저산소 유지 모드 및 산소 증가 모드의 본 실시형태의 기판 처리장치의 모식도이다.
[도 3] 본 실시형태의 기판 처리장치에서의 기판 처리부의 모식도이다.
[도 4] 본 실시형태의 기판 처리장치에서의 기판 반송부 및 가스 조정부의 모식도이다.
[도 5] 본 실시형태의 기판 처리장치에서의 기판 반송부 및 가스 조정부의 모식도이다.
[도 6] 본 실시형태의 기판 처리장치에서의 기판 반송부 및 가스 조정부의 모식도이다.
[도 7] (a) 내지 (c)는, 각각 산소 저하 모드, 저산소 유지 모드 및 산소 증가 모드의 본 실시형태의 기판 처리장치의 모식도이다.
[도 8] (a) 및 (b)는, 본 실시형태의 기판 처리장치에서의 가스 조정부의 모식적인 일부 확대도이다.
[도 9] 본 실시형태의 기판 처리장치의 모식도이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 기판 처리장치의 실시형태를 설명한다. 이 때, 도면 중, 동일 또는 상당부분에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하여 설명을 반복하지 않는다. 이 때, 본원 명세서에서는 발명의 이해를 용이하게 하기 위해, 서로 직교하는 X 방향, Y 방향 및 Z 방향을 기재할 수도 있다. 전형적으로는, X 방향 및 Y 방향은 수평 방향에 평행하고, Z 방향은 연직 방향에 평행하다.
도 1을 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리장치(100)를 설명한다. 도 1의 (a)는 본 실시형태의 기판 처리장치(100)의 모식적인 상면도이고, 도 1의 (b)는 본 실시형태의 기판 처리장치(100)의 모식적인 측면도이다.
기판 처리장치(100)는 기판(W)을 처리한다. 기판 처리장치(100)는 기판(W)에 대해서, 에칭, 표면처리, 특성부여, 처리막 형성, 막의 적어도 일부의 제거 및 세정 중 적어도 하나를 수행하도록 기판(W)을 처리한다.
기판(W)은, 얇은 판 형상이다. 전형적으로는, 기판(W)은 얇은 대략 원판 형상이다. 기판(W)은, 예를 들면, 반도체 웨이퍼, 액정 표시장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 전계 방출 디스플레이(Field Emission Display： FED)용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토 마스크용 기판, 세라믹 기판 및 태양전지용 기판 등을 포함한다.
기판 처리장치(100)는, 처리액으로 기판(W)을 처리한다. 여기서는, 기판 처리장치(100)는 기판(W)을 처리액으로 1매마다 처리한다.
도 1의 (a)에 나타내는 바와 같이, 기판 처리장치(100)는 인덱서부(110)와, 기판 반송부(120)와, 기판 처리부(130)와, 가스 조정부(140)를 구비한다. 여기서는, 인덱서부(110), 기판 반송부(120) 및 가스 조정부(140)는 X 방향을 따라 직선형상으로 배열되고, 기판 반송부(120) 및 기판 처리부(130)는 Y 방향을 따라 직선형상으로 배열된다. 기판(W)은 로드 포트(LP)에서, 인덱서부(110) 및 기판 반송부(120)를 통해 기판 처리부(130)로 반송되고, 기판 처리부(130)에서 처리된다. 그 후, 기판(W)은 기판 처리부(130)로부터 기판 반송부(120) 및 인덱서부(110)를 통해 로드 포트(LP)로 반송된다.
가스 조정부(140)는 기판 반송부(120) 내의 기체성분을 조정한다. 여기서는, 가스 조정부(140)는 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도를 조정한다.
가스 조정부(140)는 기판 반송부(120)로 불활성 가스를 공급한다. 또한, 가스 조정부(140)는 기판 반송부(120) 내의 기체를 배기한다. 이 때, 가스 조정부(140)는 기판 반송부(120)로 공급하는 가스를 불활성 가스와 공기 사이에서 전환(切替) 가능하도록 할 수도 있다.
로드 포트(LP)는 인덱서부(110)에 인접하여 배치된다. 로드 포트(LP)는 복수매의 기판(W)을 적층하여 수용한다.
인덱서부(110)에는 인덱서 로봇(112)이 설치되어 있다. 인덱서 로봇(112)은 기판(W)을 반송한다. 인덱서 로봇(112)은 로드 포트(LP)와 기판 반송부(120) 사이에서 기판(W)을 반송한다.
기판 반송부(120)에는 반송 로봇(122)이 설치되어 있다. 반송 로봇(122)은 인덱서부(110)와 기판 처리부(130) 사이에서 기판(W)을 반송한다. 반송 로봇(122)은 센터 로봇으로 불릴 수도 있다.
기판 반송부(120)는 케이스(124)를 가진다. 반송 로봇(122)은 케이스(124)에 의해 둘러싸인다.
케이스(124)는 상부(124a)와, 측부(124b)와, 저부(124c)를 포함한다. 상부(124a)는 측부(124b)와 연결되고, 저부(124c)는 측부(124b)와 연결되어 있다. 측부(124b)는 반송 로봇(122)의 사방을 둘러싼다. 상부(124a)는 반송 로봇(122)의 상방에 위치한다. 반송 로봇(122)은 저부(124c) 상에 설치되어도 좋다.
케이스(124)의 측부(124b) 중, 인덱서부(110)와 대향하는 부분에는 테이블(124t)이 설치된다. 인덱서 로봇(112)은 케이스(124)의 테이블(124t)에 기판(W)을 재치(載置)한다. 반송 로봇(122)은 테이블(124t)에 재치된 기판(W)을 수취(受取)한다. 테이블(124t)은 기판(W)의 수도(受渡)에 이용된다.
기판 반송부(120)의 상부(124a)에는 반송 팬 필터 유닛(126)이 설치된다. 반송 팬 필터 유닛(126)은 외부의 기체를 흡입하고, 기체를 여과하여 기체를 소정 방향으로 분출한다. 예를 들면, 반송 팬 필터 유닛(126)은 일방측의 기체를 흡입하고, 기체를 여과하여 타방측으로 기체를 분출한다. 반송 팬 필터 유닛(126)은 케이스(124) 내에 기체를 내뿜는다. 이 때, 본 명세서에서 반송 팬 필터 유닛(126)을 반송 FFU(126)라고 기재할 수도 있다.
반송 FFU(126)는, 팬과, 필터를 가진다. 반송 FFU(126)에서, 팬 및 필터는 케이스 내에 배치된다. 반송 FFU(126)의 필터는 팬에 의해 기체를 분출하는 측에 배치되어 있다. 필터는 통과하는 기체로부터 부유물을 여과한다.
반송 FFU(126)는, 기판 반송부(120)의 상부(124a)에 설치되고, 반송 FFU(126)의 분출구는 케이스(124)의 저부(124c)를 향하고 있다. 이 때문에, 반송 FFU(126)에서 분출된 기체는 연직 하방을 향해 흐른다. 따라서, 기판 반송부(120)에는 반송 FFU(126)에 의해 다운 플로우가 형성된다.
또한, 케이스(124)에는 배기구(124p)가 설치된다. 도 1의 (b)에서는, 배기구(124p)는 케이스(124)의 저부(124c)에 설치되어 있다. 이 때, 배기구(124p)는 케이스(124)의 측부(124b)에 설치되어도 좋다. 반송 FFU(126)에서 케이스(124)로 분출된 기체는, 케이스(124)의 내부를 통과하여 배기구(124p)를 향해 흐른다.
가스 조정부(140)는 순환배관(142)과, 순환 팬 필터 유닛(144)과, 배기관(146)과, 불활성 가스 공급부(148)를 포함한다. 이 때, 본 명세서에서, 순환 팬 필터 유닛(144)을 순환 FFU(144)라고 기재할 수도 있다. 또한, 본 명세서에서, 불활성 가스 공급부(148)를 단순히 가스 공급부(148)라고 기재할 수도 있다.
순환배관(142)은 기판 반송부(120)의 배기구(124p)와, 반송 FFU(126)를 연락한다. 순환배관(142)의 상류에는 배기구(124p)가 위치되고, 순환배관(142)의 하류에는 반송 FFU(126)가 위치하고 있다. 순환배관(142)에 의해 기판 반송부(120) 내의 기체를 순환할 수 있다.
순환배관(142)에는 순환 FFU(144)가 설치된다. 순환 FFU(144)는 통과하는 기체를 여과하여 순환배관(142) 안으로 기체를 분출한다.
순환 FFU(144)는 팬과 필터를 가진다. 순환 FFU(144)의 팬 및 필터는 케이스 내에 배치된다. 순환 FFU(144)는 외부의 기체를 흡입하고, 기체를 여과하고, 기체를 분출한다. 순환 FFU(144)의 필터는 팬에 의해 기체를 분출하는 위치에 배치되어 있다. 필터는 통과하는 기체를 여과한다.
순환 FFU(144)는, 순환배관(142)의 유로에 대해서 평행하게 배치된다. 이 때문에, 순환 FFU(144)는 순환배관(142)의 측면을 향해 기체를 분출한다.
배기관(146)은 순환배관(142)과 접속한다. 기판 반송부(120) 내의 기체는 순환배관(142)을 통해 배기관(146)을 통과함으로써, 외부로 배기된다.
순환배관(142)과 배기관(146)의 접속부분에는, 밸브(146v)가 설치된다. 밸브(146v)는 배기관(146)을 통과하는 기체의 흐름을 조정한다. 밸브(146v)는 배기관(146) 중 순환배관(142)과의 접속부분의 근방에 배치된다.
밸브(146v)는 개폐 가능하다. 밸브(146v)가 개방상태와 폐쇄상태 사이에서 전환 가능하다. 예를 들면, 밸브(146v)가 개방상태와 폐쇄상태 사이에서 복수 단계를 걸쳐 전환 가능할 수도 있다.
밸브(146v)가 개방되면, 순환배관(142)은 배기관(146)을 통해 외부와 접속된다. 이 때문에, 기판 반송부(120)의 공기는 배기구(124p)로부터 순환배관(142)을 통과하여 배기관(146)을 통해 외부로 배기된다. 이 때, 기판 반송부(120)에서 배기되는 기체의 양은, 기판 반송부(120)로 공급되는 가스의 양과 거의 동일한 정도이며, 기판 반송부(120) 내의 압력은 거의 일정하게 유지된다.
밸브(146v)가 폐쇄되면, 순환배관(142)은 배기관(146)을 통해 외부와 접속되지 않는다. 이 때문에, 기판 반송부(120)의 공기는 배기구(124p)를 통해 순환배관(142)을 통과하고, 다시, 기판 반송부(120)로 돌아온다.
불활성 가스 공급부(148)는 순환배관(142)으로 불활성 가스를 공급한다. 순환배관(142)에 공급된 불활성 가스는 기판 반송부(120)에 흐른다.
여기서는, 순환 FFU(144)는 순환배관(142)과 가스 공급부(148) 사이에 배치되어 있다. 이 때문에, 불활성 가스 공급부(148)로부터 공급된 불활성 가스는, 순환 FFU(144)를 통해 순환배관(142)으로 유입한다. 이 경우, 가스 공급부(148)에서 순환배관(142)으로 불활성 가스가 공급될 때, 불활성 가스는 순환 FFU(144)에서 여과됨과 동시에 분출된다. 이로 인해, 기판 반송부(120)에 불활성 가스와 함께 부유물이 유입하는 것을 억제할 수 있다.
이 때, 순환 FFU(144)는 순환배관(142)에 불활성 가스와 공기를 전환하여 분출가능한 것이 바람직하다. 이 경우, 순환 FFU(144)가 순환배관(142)으로 공기를 분출할 때, 공기는 순환 FFU(144)에서 여과됨과 동시에 분출된다. 이로 인해, 기판 반송부(120)에 공기와 함께 부유물이 유입하는 것을 억제할 수 있다.
기판 반송부(120)가 기판(W)을 반송할 때, 가스 조정부(140)가 순환배관(142)을 통해 기판 반송부(120)로 불활성 가스를 공급함으로써, 반송 중의 기판(W)의 산화를 억제할 수 있다. 일례로는, 가스 조정부(140)는 불활성 가스로서 질소 가스를 기판 반송부(120)로 공급한다. 또는, 가스 조정부(140)는 불활성 가스로서 희소 가스를 기판 반송부(120)에 공급해도 좋다. 예를 들면, 가스 조정부(140)는 불활성 가스로서 아르곤 가스를 기판 반송부(120)에 공급해도 좋다.
본 실시형태의 기판 처리장치(100)에서는, 순환 FFU(144)는 순환배관(142) 중 배기관(146)과의 접속부분의 하류에서, 순환배관(142)의 유로에 대해서 평행하게 배치되어 있다. 순환 FFU(144)는 그 구조 상, 오염물을 제거한 유체를 공급할 수 있으므로, 기판 반송부(120) 내부의 오염을 억제할 수 있다. 본 실시형태의 순환 FFU(144)는 그 배치에 따라 이하의 효과를 나타낸다. 순환배관(142) 중 배기관(146)과의 접속부분의 하류에서는, 순환배관(142)을 흐르는 유체의 압력이 저하하기 쉽고, 산소 성분이 잔존하기 쉽다. 이에 대해서, 기판 처리장치(100)에서는 순환 FFU(144)가, 순환배관(142) 중 배기관(146)과의 접속부분의 하류에 위치하므로, 순환배관(142)을 흐르는 유체의 압력 저하를 억제할 수 있다. 또한 동시에, 순환 FFU(144)는 순환배관(142)의 유로에 대해서 평행하게 배치되므로, 순환배관(142)의 유로 방향을 횡단하는 방향을 향해 유체를 공급한다. 공급된 유체는 상기 순환 FFU(144)에서 보면 상류에 위치하는 순환배관(142)이나, 배기관(146)에서 혼입하는 유체의 진입을 억제하는 기능이 발생한다. 이로 인해, 예를 들면, 순환 FFU(144)에서 불활성 가스를 분출하는 경우에서, 배기관(146)을 통해 외부로부터 혼입하는 산소가 기판 반송부(120) 내부로 침입하는 가능성을 저하시킬 수 있다.
또한, 기판 처리장치(100)에서는 순환배관(142) 중 배기관(146)과의 접속부분의 하류에, 가스 공급부(148)가 불활성 가스를 공급하므로, 배기관(146)에서 순환배관(142)으로 공기가 진입하는 것을 억제할 수 있고, 순환배관(142) 내의 산소농도를 저감할 수 있다. 이 때문에, 순환배관(142) 내의 산소농도 및 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소 농도를 저감할 수 있다.
여기서는, 순환 FFU(144)의 길이 방향이 연직 방향을 따르도록 배치된다. 이 때문에, 순환 FFU(144)는 순환배관(142)의 유로를 따라 배치된다. 순환 FFU(144)를 연직 방향을 따라 배치함으로써, 순환 FFU(144)를 설치하기 위한 바닥면적의 증대를 억제할 수 있다.
본 실시형태의 기판 처리장치(100)는, 반도체가 설치된 반도체 기판의 처리에 매우 적합하게 이용된다. 반도체 기판은 기판 처리부(130)에서 처리된다. 전형적으로는, 반도체 기판에는 기재 상에 도전층 및 절연층이 적층되어 있다. 기판 처리장치(100)는 반도체 기판의 제조 시, 도전층 및/또는 절연층의 세정 및/또는 가공처리(예를 들면, 에칭, 특성 변화 등)에 매우 적합하게 이용된다.
순환배관(142)은 저관(低管)(142p)과, 측관(側管)(142q)과, 상관(上管)(142r)을 가진다. 저관(142p)은 측관(142q)과 연락하고, 측관(142q)은 상관(142r)과 연락한다. 저관(142p)은 기판 반송부(120)의 케이스(124)보다 연직 하방에 위치한다. 측관(142q)은 케이스(124)의 높이에 대응한다. 상관(142r)은 기판 반송부(120)의 케이스(124)보다 연직 상방에 위치한다.
저관(142p) 및 상관(142r)은 수평 방향으로 연장되고, 측관(142q)은 연직 방향으로 연장된다. 여기서는, 순환 FFU(144)는 순환배관(142)의 측관(142q)의 측부에 장착된다.
기판 처리장치(100)는 제어장치(101)를 더 구비한다. 제어장치(101)는, 기판 처리장치(100)의 각종 동작을 제어한다.
제어장치(101)는 제어부(102)와 기억부(104)를 포함한다. 제어부(102)는 프로세서를 포함한다. 프로세서는, 예를 들면, 중앙처리 연산기(Central Processing Unit： CPU)를 가진다. 또는, 프로세서는 범용 연산기를 가져도 좋다. 예를 들면, 제어부(102)는 인덱서부(110)와, 기판 반송부(120)와, 기판 처리부(130)와, 가스 조정부(140)를 제어한다. 일례로서, 제어부(102)는, 인덱서 로봇(112)과, 반송 로봇(122)과, 반송 FFU(126)와, 기판 처리부(130)와, 순환 FFU(144)와, 밸브(146v)와, 가스 공급부(148)를 제어한다.
기억부(104)는 데이터 및 컴퓨터 프로그램을 기억한다. 기억부(104)는 주 기억장치와 보조 기억장치를 포함한다. 주 기억장치는, 예를 들면, 반도체 메모리이다. 보조 기억장치는, 예를 들면, 반도체 메모리 및/또는 하드 디스크 드라이브이다. 기억부(104)는 리무버블 미디어를 포함하고 있어도 좋다. 제어부(102)는 기억부(104)가 기억하고 있는 컴퓨터 프로그램을 실행한다.
이 때, 기억부(104)에는 미리 순서가 정해진 컴퓨터 프로그램이 기억되고, 기판 처리장치(100)는 컴퓨터 프로그램에 정해진 순서에 따라 동작한다.
제어부(102)는 가스 조정부(140)를 제어하여 기판 반송부(120)의 기체성분을 조정해도 좋다. 예를 들면, 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도를 공기 중의 산소농도와 동일한 정도의 상태에서, 공기 중의 산소농도보다 적은 상태로 변경해도 좋다. 본 명세서에서, 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도를 저감시키는 모드를 산소 저하 모드라고 한다.
또는, 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도를 공기 중의 산소농도보다 적은 상태에서, 공기 중의 산소농도와 동일한 정도의 상태로 변경해도 좋다. 본 명세서에서, 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도를 증가시키는 모드를 산소 증가 모드라고 한다.
또한, 제어부(102)는 기판 반송부(120)의 기체의 산소농도를 유지하도록 가스 조정부(140)를 제어해도 좋다. 예를 들면, 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도를 공기 중의 산소농도보다 적은 상태로 유지해도 좋다. 본 명세서에서, 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도를 공기보다 적은 상태로 유지시키는 모드를 저산소 유지 모드라고 할 수 있다. 전형적으로는, 기판(W)이 인덱서부(110)와 기판 처리부(130) 사이를 기판 반송부(120)에 걸쳐 반송되는 경우, 기판 반송부(120)는 저산소 농도로 유지된다.
이하, 도 2를 참조하여 본 실시형태의 기판 처리장치(100)에서의 가스 조정부(140)에 의한 기판 반송부(120)의 산소농도 조정을 설명한다. 도 2의 (a)는, 산소 저하 모드의 기판 처리장치(100)의 모식도이며, 도 2의 (b)는, 저산소 유지 모드의 기판 처리장치(100)의 모식도이며, 도 2의 (c)는, 산소 증가 모드의 기판 처리장치(100)의 모식도이다. 이 때, 도 2의 (a) 내지 도 2의 (c)에서는, 도 1에 나타낸 기판 처리장치(100) 중 기판 반송부(120) 및 가스 조정부(140)만을 나타내고 있다.
도 2의 (a)에 나타내는 바와 같이, 산소 저하 모드의 경우, 기판 처리장치(100)는 기판 반송부(120)의 기체를 불활성 가스로 치환함으로써, 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도를 저하시킨다. 이 경우, 가스 조정부(140)는 기판 반송부(120)에 불활성 가스를 공급한다. 또한, 가스 조정부(140)는 기판 반송부(120)의 기체를 배기한다.
순환 FFU(144)의 팬은 구동하고, 가스 공급부(148)는 순환 FFU(144)를 향해 불활성 가스를 공급한다. 이 때문에, 순환 FFU(144)는 가스 공급부(148)로부터 공급된 불활성 가스를 순환배관(142)을 따라 반송 FFU(126)를 향해 분출한다. 따라서, 불활성 가스는 순환 FFU(144)를 통해 반송 FFU(126)에 도달한다. 반송 FFU(126)는 케이스(124) 내에 불활성 가스를 분출한다. 이 때, 도 2의 (a) 내지 도 2의 (c)의 어느 것도, 반송 FFU(126)의 팬은 구동하고, 반송 FFU(126)는 순환배관(142)을 통과한 기체를 기판 반송부(120)로 공급한다.
밸브(146v)는 개방되고, 배기관(146)은 외부와 접속한다. 이 때문에, 기판 반송부(120)의 공기는 순환배관(142)을 통과하여 배기관(146)을 통해 외부로 배기된다. 이 때, 기판 반송부(120)로부터 배기되는 기체의 양은, 기판 반송부(120)로 공급되는 가스의 양과 거의 동일한 정도이고, 기판 반송부(120) 내의 압력은 거의 일정하게 유지된다.
기판 반송부(120)로의 불활성 가스의 공급 및 기판 반송부(120)로부터의 기체의 배기를 소정 시간 계속함으로써, 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도를 저감할 수 있다. 예를 들면, 산소 저하 모드의 개시 시에는, 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도는 약 20%이지만, 산소 저하 모드의 종료 시에는, 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도를 1000ppm 이하까지 저감할 수 있다. 예를 들면, 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도는 5ppm 이상 100ppm 이하여도 좋다.
이 때, 산소 저하 모드에서, 기판 반송부(120)는 기판(W)을 반송하지 않는 것이 바람직하다. 단, 산소 저하 모드에서, 반송 로봇(122)은 기판(W)의 반송과는 관계없이 동작시켜도 좋다. 반송 로봇(122)의 움직임에 따라, 케이스(124) 내에서 기체가 교반되므로, 케이스(124) 내 전체 기체를 불활성 가스로 신속히 치환할 수 있다. 이 경우, 반송 로봇(122)은 가동범위 내에서 최대한의 범위로 동작하는 것이 바람직하다.
도 2의 (b)에 나타내는 바와 같이, 저산소 유지 모드의 경우, 기판 처리장치(100)는 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도를 유지한다. 이 경우, 가스 조정부(140)는 기판 반송부(120) 내의 기체를 순환시킨다. 또한, 가스 조정부(140)는 기판 반송부(120)의 기체를 배기하지 않는다. 저산소 유지 모드에서, 불활성 가스를 순환하여 사용함으로써, 불활성 가스의 사용에 따른 비용 증가를 억제할 수 있다.
예를 들면, 가스 공급부(148)는 불활성 가스의 공급을 정지하고, 순환 FFU(144)의 팬은 구동을 정지한다. 단, 반송 FFU(126)의 팬은 구동한 채로 있다.
또한, 밸브(146v)는 폐쇄되고, 순환배관(142)은 외부와 차단된다. 이 때문에, 순환배관(142)을 통과하는 기체는 배기관(146)을 통해 외부로 배기되지 않는다.
반송 FFU(126)는 케이스(124) 내에 기체를 분출하면, 기판 반송부(120) 내의 기체는 배기구(124p)를 통해 순환배관(142)을 흐른다. 그 후, 기체는 반송 FFU(126)에 도달하고, 반송 FFU(126)는 케이스(124) 내에 기체를 다시 분출한다. 이와 같이 하여, 기판 반송부(120) 내의 기체는 순환한다. 이 때, 기판 반송부(120)에서 배기되는 기체의 양은, 기판 반송부(120)로 다시 공급되는 가스의 양과 거의 동일한 정도이며, 기판 반송부(120) 내의 압력은 거의 일정하게 유지된다.
단, 기판 반송부(120) 및/또는 순환배관(142)에서 기체가 약간 누설되는 경우, 기판 반송부(120) 및 순환배관(142)을 순환하는 기체의 압력이 저하한다. 이 때문에, 가스 공급부(148)는 반송 FFU(126)를 통해 미량의 불활성 가스를 순환배관(142)으로 공급해도 좋다.
이와 같이, 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도가 저하한 상태에서, 기판 반송부(120) 내에서 기판(W)을 반송하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 반송 로봇(122)은 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도가 저하한 상태에서, 인덱서부(110)에서의 기판(W)을 수취하고, 기판(W)을 기판 처리부(130)에 반송한다. 또한, 반송 로봇(122)은 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도가 저하한 상태에서, 기판 처리부(130)로부터 기판(W)을 수취하고, 기판(W)을 인덱서부(110)로 반송한다.
이 때, 기판(W)의 처리가 완료한 후, 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도를 저하 상태에서 통상의 상태로 복귀한다. 예를 들면, 기판 처리장치(100)의 전원을 오프로 하는 경우, 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도를 저하 상태에서 통상의 상태로 복귀한다. 메인터넌스를 위하여 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도는 저하 상태에서 통상의 상태로 복귀시켜도 좋다.
도 2의 (c)에 나타내는 바와 같이 산소 증가 모드의 경우, 기판 처리장치(100)는 기판 반송부(120) 내의 기체를 공기로 치환함으로써, 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도를 증가시킨다. 이 경우, 가스 조정부(140)는 기판 반송부(120)로 공기를 공급한다. 또한, 가스 조정부(140)는 기판 반송부(120) 내의 기체(주로 불활성 가스)를 배기한다.
예를 들면, 순환 FFU(144)가 공기와 연락하는 경우, 순환 FFU(144)의 팬은 구동하고, 순환 FFU(144)는 순환배관(142)을 향해 공기를 분출한다. 따라서, 공기는 순환배관(142)을 통해 반송 FFU(126)에 도달한다. 반송 FFU(126)는 케이스(124) 내에 공기를 분출한다.
밸브(146v)는 개방되고, 배기관(146)은 외부와 접속한다. 이 때문에, 기판 반송부(120)의 불활성 가스는 순환배관(142)을 통과하여 배기관(146)을 통해 외부로 배기된다. 이 때, 기판 반송부(120)에서 배기되는 불활성 가스의 양은, 기판 반송부(120)에 공급되는 공기의 양과 거의 동일한 정도이며, 기판 반송부(120) 내의 압력은 거의 일정하게 유지된다.
기판 반송부(120)로의 공기의 공급 및 기판 반송부(120)로부터의 불활성 가스의 배기를 소정 시간 계속함으로써, 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도를 증가할 수 있다. 예를 들면, 산소 증가 모드의 개시 시에는, 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도는 1000ppm 이하인데 반해, 산소 증가 모드의 종료 시에는 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도는 약 20%까지 증가한다.
이상과 같이 하여 본 실시형태의 기판 처리장치(100)에서는, 기판 반송부(120)는 산소농도 저하 모드, 저산소 유지 모드 및 산소 증가 모드의 어느 하나로 전환되고, 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도를 조정할 수 있다.
본 실시형태의 기판 처리장치(100)에서, 기판 처리부(130)에서 기판(W)은 거의 수평으로 유지된 상태에서 처리액에 의해 처리된다.
다음으로, 도 3을 참조하여 본 실시형태의 기판 처리장치(100)에서의 기판 처리부(130)를 설명한다. 도 3은, 기판 처리장치(100)에서의 기판 처리부(130)의 모식도이다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 기판 처리부(130)는 챔버(132)와, 기판 유지부(134)와, 처리액 공급부(136)와, 컵(138)을 포함한다. 챔버(132)는 기판(W)을 수용한다. 챔버(132)는 내부공간을 가지는 대략 박스 형상이다. 여기서는, 기판 처리장치(100)는 기판(W)을 1매씩 처리하는 매엽형(枚葉型)이며, 챔버(132)에는 기판(W)이 1매씩 수용된다. 기판(W)은 챔버(132) 내에 수용되고, 챔버(132) 내에서 처리된다. 챔버(132)에는 기판 유지부(134), 처리액 공급부(136) 및 컵(138)의 적어도 일부가 수용된다.
기판 유지부(134)는 기판(W)을 유지한다. 기판 유지부(134)는 기판(W)의 상면이 상방을 향하고, 기판(W)의 이면이 연직 하방을 향하도록 기판(W)을 수평으로 유지한다. 또한, 기판 유지부(134)는 기판(W)을 유지한 상태로 기판(W)을 회전시킨다.
예를 들면, 기판 유지부(134)는 기판(W)의 단부를 끼우는(挾持) 협지식이어도 좋다. 또는, 기판 유지부(134)는 기판(W)을 이면으로부터 유지하는 임의의 기구를 가져도 좋다. 예를 들면, 기판 유지부(134)는 배큠식이어도 좋다. 이 경우, 기판 유지부(134)는 비(非)디바이스 형성면인 기판(W)의 이면(하면)의 중앙부를 상면에 흡착시킴으로써 기판(W)을 수평으로 유지한다. 또는, 기판 유지부(134)는 복수의 척 핀을 기판(W)의 둘레 단면(周端面)에 접촉시키는 협지식과 배큠식을 조합해도 좋다.
예를 들면, 기판 유지부(134)는 스핀 베이스(134a)와, 척 부재(134b)와, 샤프트(134c)와, 전동모터(134d)를 포함한다. 척 부재(134b)는 스핀 베이스(134a)에 설치된다. 척 부재(134b)는 기판(W)을 척(chuck)한다. 전형적으로는, 스핀 베이스(134a)에는 복수의 척 부재(134b)가 설치된다.
샤프트(134c)는 중공축이다. 샤프트(134c)는 회전축(Ax)을 따라 연직 방향으로 연장되어 있다. 샤프트(134c)의 상단에는 스핀 베이스(134a)가 결합되어 있다. 기판(W)의 이면은 스핀 베이스(134a)에 접촉하고, 기판(W)은 스핀 베이스(134a)의 상방에 재치(載置)된다.
스핀 베이스(134a)는 원판 형상이고, 기판(W)을 수평으로 지지한다. 샤프트(134c)는 스핀 베이스(134a)의 중앙부에서 하방으로 연장된다. 전동모터(134d)는 샤프트(134c)에 회전력을 부여한다. 전동모터(134d)는 샤프트(134c)를 회전 방향(R)으로 회전시킴으로써, 회전축(Ax)을 중심으로 기판(W) 및 스핀 베이스(134a)를 회전시킨다. 여기서는, 회전 방향(R)은 반시계 방향이다.
처리액 공급부(136)는 배관(136a)과, 밸브(136b)와, 노즐(136c)을 포함한다. 배관(136a)에는 처리액이 흐른다. 노즐(136c)은 배관(136a)에 접속된다. 배관(136a)에는 처리액 공급원으로부터의 처리액이 공급된다. 배관(136a)에는 밸브(136b)가 배치된다. 밸브(136b)가 열리면, 처리액은 노즐(136c)에서 기판(W)으로 공급된다. 기판(W)은 처리액에 의해 처리된다.
컵(138)은 기판(W)에 공급된 처리액을 회수한다. 컵(138)은 기판 유지부(134)의 주위에 설치된다.
예를 들면, 컵(138)은 기판(W)의 회전에 의해 기판(W)에서 비산하는 처리액을 회수한다. 또한, 컵(138)은 기판(W)에 처리액이 공급되어 있지 않은 경우라도, 기판(W)의 회전에 의해 생긴 기체의 흐름(기류)을 받아들여 기류를 하부로 흘린다.
컵(138)은 연직 방향으로 이동 가능할 수도 있다. 예를 들면, 컵(138)은 기판(W)을 처리액으로 처리하는 경우, 기판(W)의 측방을 덮도록 상승하고, 기판(W)을 처리액으로 처리한 후, 기판(W)의 측방에서 하부로 하강해도 좋다. 이와 같이, 기판(W)은 기판 처리부(130)에서 처리된다.
이 때, 도 1 및 도 2에서, 순환 FFU(144)는 순환배관(142)의 측면에 장착되고, 가스 공급부(148)로부터의 불활성 가스는 순환 FFU(144)를 통해 순환배관(142)으로 공급되나, 본 실시형태는 이에 한정되지 않는다. 순환 FFU(144)는 순환배관(142) 내에 설치되어도 좋다. 또한, 가스 공급부(148)로부터의 불활성 가스는, 순환배관(142)으로 공급된 후, 순환 FFU(144)에 의해서 분출되어도 좋다.
다음으로, 도 4를 참조하여 본 실시형태의 기판 처리장치(100)에서의 가스 조정부(140)를 설명한다. 도 4는, 기판 처리장치(100)에서의 기판 반송부(120) 및 가스 조정부(140)의 모식도이다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 순환배관(142)에는 격벽(142w)이 설치된다. 격벽(142w)은 배기구(124p)에서 반송 FFU(126)까지의 사이에 배치된다. 여기서는, 격벽(142w)은 측관(142q)의 내부에 배치된다. 순환배관(142)은 격벽(142w)에 의해 상류부(142u)와 하류부(142v) 구분된다. 상류부(142u)는 저관(142p)과 측관(142q)의 일부로 형성된다. 하류부(142v)는 측관(142q)의 나머지 일부와 상관(142r)으로 형성된다.
격벽(142w)에는 개구부가 설치된다. 격벽(142w)의 개구부는 상류부(142u)와 하류부(142v)를 연락한다.
순환 FFU(144)는 격벽(142w)에 장착된다. 상세하게는, 순환 FFU(144)는 하류부(142v)에서, 격벽(142w)의 개구부에 설치된다. 순환배관(142)의 상류부(142u)와 하류부(142v)는, 격벽(142w) 중 순환 FFU(144)가 설치되는 영역에 의해 연락한다. 순환 FFU(144)는, 상류부(142u)의 기체를 흡입하고, 하류부(142v)로 분출한다.
순환 FFU(144)는, 팬(144a)과, 필터(144b)와, 케이스(144h)를 가진다. 팬(144a) 및 필터(144b)는 케이스(144h) 내에 배치된다. 케이스(144h)에는 기체를 들이 마시는 흡입구와, 기체를 분출하는 분출구가 설치된다. 이 때, 순환 FFU(144)의 흡입구는 격벽(142w)의 개구부와 대향하고, 개구부를 통해 상류부(142u)와 연락한다.
순환 FFU(144)에서, 팬(144a)은 순환 경로의 상류측에 배치되고, 필터(144b)는 순환 경로의 하류측에 배치된다. 팬(144a)에 의해 분출된 기류는 필터(144b)를 통과할 때 필터(144b)에 의해 여과된다.
케이스(144h)는 길이 방향으로 연장된다. 케이스(144h)는 순환 FFU(144)의 길이 방향이 순환배관(142)의 격벽(142w)을 따르도록 장착된다. 여기서는, 순환 FFU(144)는 순환 FFU(144)의 길이 방향이 연직 방향을 따르도록 격벽(142w)에 배치된다. 이 때문에, 순환 FFU(144)는 순환배관(142)의 유로를 따라 배치된다. 순환배관(142) 내부에서 순환 FFU(144)를 연직 방향을 따라 배치함으로써, 비교적 가는 순환배관(142) 내에도 순환 FFU(144)를 설치할 수 있다.
불활성 가스 공급부(148)는 불활성 가스를 순환배관(142)으로 공급한다. 불활성 가스 공급부(148)는 산소 저하 모드 및 저산소 유지 모드에서 순환배관(142)으로 불활성 가스를 공급한다.
상세하게는, 불활성 가스 공급부(148)는 순환배관(142)의 상류부(142u)의 측면과 연락하고 있다. 불활성 가스 공급부(148)는 순환배관(142)의 상류부(142u)로 불활성 가스를 공급한다.
순환 FFU(144)는 불활성 가스 공급부(148)로부터 공급된 불활성 가스를 흡입하고, 불활성 가스를 여과하여 불활성 가스를 분출한다. 여기서는, 순환 FFU(144)는 상류부(142u)에서 불활성 가스를 흡입하고, 불활성 가스를 여과하고, 불활성 가스를 하류부(142v)를 향해 분출한다.
공기 공급부(149)는 공기를 순환배관(142)으로 공급한다. 공기 공급부(149)는 산소 증가 모드에서 순환배관(142)으로 공기를 공급한다.
상세하게는, 공기 공급부(149)는 순환배관(142)의 상류부(142u)의 측면과 연락한다. 공기 공급부(149)는 순환배관(142)의 상류부(142u)로 공기를 공급한다.
순환 FFU(144)는 공기 공급부(149)로부터 공급된 공기를 흡입하고, 공기를 여과하여 공기를 분출한다. 여기서는, 순환 FFU(144)는 상류부(142u)에서 공기를 흡입하고, 공기를 여과하여 공기를 하류부(142v)를 향해 분출한다.
이 때, 불활성 가스 공급부(148) 및 공기 공급부(149)가 각각 불활성 가스 및 공기를 공급하지 않는 경우에서도, 순환 FFU(144)는 구동하는 것이 바람직하다. 이 경우, 순환 FFU(144)는 상류부(142u)의 기체를 흡입하고, 여과하여 하류부(142v)를 향해 분출한다.
가스 공급부(148) 및 공기 공급부(149)는 순환배관(142)의 상류부(142u)의 측면에 접속된다. 가스 공급부(148) 및 공기 공급부(149)와 순환배관(142)의 상류부(142u)와의 접속부분은, 순환배관(142)의 상류부(142u)를 통해, 순환 FFU(144)에 대향하는 것이 바람직하다. 이로 인해, 순환 FFU(144)는 가스 공급부(148)로부터 공급된 불활성 가스 및 공기 공급부(149)로부터 공급된 공기를 효율적으로 흡입하고, 하류부(142v)를 향해 효율적으로 분출할 수 있다.
반송 FFU(126)는, 팬(126a)과, 필터(126b)와, 케이스(126h)를 가진다. 팬(126a) 및 필터(126b)는 케이스(126h) 내부에 배치된다. 케이스(126h)에는, 기체를 들이 마시는 흡입구와, 기체를 분출하는 분출구가 설치된다.
반송 FFU(126)에서, 팬(126a)은 순환 경로의 상류측에 배치되고, 필터(126b)는 순환 경로의 하류측에 배치된다. 팬(126a)에 의해 분출된 기류는, 필터(126b)를 통과할 때 필터(126b)에 의해 여과된다.
여기서, 도 1 내지 도 4에 나타낸 기판 처리장치(100)에서는, 가스 공급부(148)는 1개의 배관에서 불활성 가스를 공급하였으나, 본 실시형태는 이에 한정되지 않는다. 가스 공급부(148)는 복수의 배관에서 불활성 가스를 공급해도 좋다.
다음으로, 도 5를 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리장치(100)에서의 가스 조정부(140)를 설명한다. 도 5는, 기판 처리장치(100)에서의 기판 반송부(120) 및 가스 조정부(140)의 모식도이다. 도 5에 나타낸 가스 조정부(140)는, 가스 공급부(148)가 복수의 배관을 가지고 있는 점을 제외하고 도 4를 참조하여 상술한 가스 조정부(140)와 유사한 구성을 가지므로, 긴 설명을 피하기 위해 중복하는 기재를 생략한다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 불활성 가스 공급부(148)는 제1 공급부(148a)와 제2 공급부(148b)를 가진다. 제1 공급부(148a)는 불활성 가스를 순환배관(142)으로 공급한다. 제1 공급부(148a)는 비교적 낮은 유량으로 불활성 가스를 순환배관(142)으로 공급한다. 예를 들면, 제1 공급부(148a)는 산소 저하 모드 및/또는 저산소 유지 모드에서 순환배관(142)으로 불활성 가스를 공급한다.
제2 공급부(148b)는 불활성 가스를 순환배관(142)으로 공급한다. 제2 공급부(148b)는 제1 공급부(148a)보다 많은 유량으로 불활성 가스를 순환배관(142)에 공급한다. 예를 들면, 제2 공급부(148b)는 산소 저하 모드에서 순환배관(142)으로 불활성 가스를 공급한다.
예를 들면, 제2 공급부(148b)에 의한 불활성 가스의 유량은 제1 공급부(148a)에 의한 불활성 가스의 유량에 대해서, 2배 이상 100배 이하여도 좋다. 제2 공급부(148b)에 의해 공급되는 불활성 가스의 종류는, 제1 공급부(148a)에 의해 공급되는 불활성 가스의 종류와 동일한 것이 바람직하다.
제1 공급부(148a), 제2 공급부(148b) 및 공기 공급부(149)는 순환배관(142)의 상류부(142u)의 측면에 접속된다. 제1 공급부(148a), 제2 공급부(148b) 및 공기 공급부(149)와 순환배관(142)의 상류부(142u)와의 접속부분은, 순환배관(142)의 상류부(142u)를 통해 순환 FFU(144)에 대향하는 것이 바람직하다. 이로 인해, 순환 FFU(144)는 제1 공급부(148a), 제2 공급부(148b)에서 공급된 불활성 가스 및 공기 공급부(149)에서 공급된 공기를 효율적으로 흡입하고, 하류부(142v)를 향해 효율적으로 분출할 수 있다.
예를 들면, 산소 저하 모드에서, 제1 공급부(148a) 및 제2 공급부(148b)는 각각 순환배관(142)에 불활성 가스를 공급한다. 제1 공급부(148a) 및 제2 공급부(148b)를 이용하여 불활성 가스를 공급함으로써, 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도를 급속히 저감할 수 있다.
또한, 저산소 유지 모드에서, 제1 공급부(148a)는 불활성 가스를 순환배관(142)으로 공급한다. 이 때, 제2 공급부(148b)는 순환배관(142)에 불활성 가스를 공급하지 않는다. 이로 인해, 불활성 가스의 소비를 억제하면서, 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도를 유지할 수 있다.
이 때, 도 5에 나타내는 바와 같이, 기판 반송부(120)에 산소 농도계(128)가 배치되는 것이 바람직하다. 산소 농도계(128)에 의해 기판 반송부(120) 내의 압력을 측정할 수 있다. 또한, 배기관(146)에 배치된 밸브(146v)는, 모터(146m)의 구동에 의해 개폐된다. 밸브(146v)의 개폐는 산소 농도계(128)의 측정결과를 토대로 구동되는 모터(146m)에 의해 제어되는 것이 바람직하다.
예를 들면, 제어부(102)(도 1 참조)는 산소 농도계(128)의 측정결과를 토대로 밸브(146v)를 제어함과 동시에, 제1 공급부(148a), 제2 공급부(148b) 및 공기 공급부(149)를 제어한다. 이로 인해, 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도를 적절히 조정할 수 있다.
이 때, 케이스(124) 내에서, 반송 로봇(122)의 내부의 기압은 반송 로봇(122)의 외부기압과 거의 일정하지만, 반송 로봇(122)의 내부의 미진이 반송 로봇(122)의 동작에 의해 반송 로봇(122) 외부로 확산하지 않도록 반송 로봇(122)의 내부에 팬을 설치하여 반송 로봇(122)의 내부를 외부에 대해서 약간 부압(負壓)으로 할 수 있다. 이 경우, 케이스(124)에는 반송 로봇(122)의 외부에 위치하는 배기구(124p)와 함께, 반송 로봇(122) 내부와 순환배관(142)을 연락하는 다른 배기구를 설치하는 것이 바람직하다.
다음으로, 도 6을 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리장치(100)에서의 가스 조정부(140)를 설명한다. 도 6은, 기판 처리장치(100)에서의 기판 반송부(120) 및 가스 조정부(140)의 모식도이다. 도 6에 나타낸 가스 조정부(140)는 순환 FFU(144)로서 복수의 팬 필터 유닛이 나란하게 배치되어 있는 점을 제외하고, 도 5를 참조하여 상술한 가스 조정부(140)와 유사한 구성을 가지므로, 긴 설명을 피하기 위해 중복되는 기재를 생략한다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 순환 FFU(144)로서 제1 팬 필터 유닛(144A) 및 제2 팬 필터 유닛(144B)이 나란하게 배치되어 있다. 본 명세서에서, 제1 팬 필터 유닛(144A)을 FFU(144A)라고 기재할 수도 있고, 제2 팬 필터 유닛(144B)을 FFU(144B)라고 기재할 수도 있다.
FFU(144A)는, 팬(144Aa)과, 필터(144Ab)와, 케이스(144Ah)를 가진다. 제2 팬 필터 유닛(144B)은, 팬(144Ba)과, 필터(144Bb)와, 케이스(144Bh)를 가진다.
FFU(144A) 및 제2 팬 필터 유닛(144B)은 각각 순환배관(142)의 유로를 따라 배치되어 있다. 여기서는, 제2 팬 필터 유닛(144B)은 FFU(144A)보다 하류측에 배치되어 있다. 또한, FFU(144A) 및 제2 팬 필터 유닛(144B)은 각각 격벽(142w)에 설치되어 있다.
이 때, 제1 공급부(148a), 제2 공급부(148b) 및 공기 공급부(149)는 순환배관(142)의 상류부(142u)의 측면에 접속된다. 제1 공급부(148a), 제2 공급부(148b) 및 공기 공급부(149)와 순환배관(142)의 상류부(142u)와의 접속부분은, FFU(144A) 및 FFU(144B)가 적어도 하나에 대향하거나, 또는, FFU(144A)와 FFU(144B) 사이에 대향하는 것이 바람직하다. 특히, 제1 공급부(148a), 제2 공급부(148b) 및 공기 공급부(149)와 순환배관(142)의 상류부(142u)와의 접속부분은, FFU(144B)에 대향하거나, 또는, FFU(144A)와 FFU(144B) 사이에 대향하는 것이 바람직하다. 이로 인해, 순환 FFU(144)는 제1 공급부(148a), 제2 공급부(148b)에서 공급된 불활성 가스 및 공기 공급부(149)에서 공급된 공기를 효율적으로 흡입하고, 하류부(142v)를 향해 효율적으로 분출할 수 있다.
이 때, 본 실시형태의 기판 처리장치(100)에서는, 제어부(102)는 반송 로봇(122)과, 반송 FFU(126)와, 순환 FFU(144)와 더불어, 제1 공급부(148a), 제2 공급부(148b) 및 공기 공급부(149)를 제어한다. 이로 인해, 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도를 조정할 수 있다.
이하, 도 7을 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리장치(100)에서의 가스 조정부(140)에 의한 기판 반송부(120)의 산소농도의 조정을 설명한다. 도 7의 (a) 내지 도 7의 (c)은 각각 산소 저하 모드, 저산소 유지 모드 및 산소 증가 모드의 기판 처리장치(100)의 모식도이다. 도 7의 (a) 내지 도 7의 (c)에서는, 도 1에 나타낸 기판 처리장치(100) 중 기판 반송부(120) 및 가스 조정부(140)만 나타내고 있다.
도 7의 (a)에 나타내는 바와 같이, 산소 저하 모드의 경우, 기판 처리장치(100)는 기판 반송부(120) 내의 기체를 불활성 가스로 치환함으로써, 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도를 저감시킨다. 이 경우, 제1 공급부(148a) 및 제2 공급부(148b)는 순환배관(142)으로 불활성 가스를 공급한다. FFU(144A)와 FFU(144B)는 구동하여 불활성 가스를 하류에 분출한다. 순환배관(142)을 흐르는 불활성 가스는 반송 FFU(126)에 도달하고, 반송 FFU(126)는 케이스(124) 내에 불활성 가스를 분출한다.
밸브(146v)가 개방하고, 배기관(146)은 기판 반송부(120)의 기체를 배기한다. 이 때문에, 기판 반송부(120)의 공기는 순환배관(142)을 통과하여 배기관(146)을 통해 외부로 배기된다.
기판 반송부(120)로의 불활성 가스의 공급 및 기판 반송부(120)로부터의 기체의 배기를 소정 시간 계속함으로써, 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도를 저감할 수 있다. 예를 들면, 산소 저하 모드의 개시 전에는 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도는 약 20%였으나, 산소 저하 모드의 종료 시에는, 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도는 약 1000ppm까지 저감할 수 있다.
도 7의 (b)에 나타내는 바와 같이, 저산소 유지 모드의 경우, 기판 처리장치(100)는 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도를 유지한다. 이 경우, 제1 공급부(148a)는 순환배관(142)으로 불활성 가스를 공급하는 한편, 제2 공급부(148b)는 순환배관(142)으로 불활성 가스를 공급하지 않는다. FFU(144A)와 FFU(144B)는 구동하여 불활성 가스를 하류에 분출한다. 순환배관(142)을 흐르는 불활성 가스는 반송 FFU(126)에 도달하고, 반송 FFU(126)는 케이스(124) 내에 불활성 가스를 분출한다.
밸브(146v)가 폐쇄하고, 배기관(146)은 기판 반송부(120)의 기체를 배기하지 않는다. 이 때문에, 기판 반송부(120)의 공기는 배기구(124p)를 통해 순환배관(142)을 통과하여 FFU(144A)와 FFU(144B)에 도달한다. FFU(144A)와 FFU(144B)는, 케이스(124) 내에 기체를 다시 분출한다. 이 때, 제1 공급부(148a)로부터의 유량은, 기판 반송부(120) 및/또는 순환배관(142)에서 기체가 누설하는 양 정도인 것이 바람직하다.
이와 같이, 기판 반송부(120)는 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도가 저감한 상태에서 기판(W)을 반송한다. 이 때, 기판(W)의 처리가 완료된 후, 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도는 저하 상태에서 통상의 상태로 복귀한다.
도 7의 (c)에 나타내는 바와 같이, 산소 증가 모드의 경우, 기판 처리장치(100)는 기판 반송부(120)의 기체를 공기로 치환함으로써, 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도를 증가시킨다. 이 경우, 공기 공급부(149)는 순환배관(142)으로 공기를 공급한다. FFU(144A)와 FFU(144B)는 구동하여 공기를 하류로 분출한다. 순환배관(142)을 흐르는 공기는 반송 FFU(126)에 도달하고, 반송 FFU(126)는 케이스(124) 내에 공기를 분출한다.
밸브(146v)가 개방하고, 배기관(146)은 기판 반송부(120)의 기체(주로 불활성 가스)를 배기한다. 이로 인해, 기판 반송부(120)의 기체는 순환배관(142)을 통과하여 배기관(146)을 통해 외부로 배기된다.
기판 반송부(120)로의 공기의 공급 및 기판 반송부(120)로부터의 기체의 배기를 소정 시간 계속함으로써, 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도를 증가시킬 수 있다. 예를 들면, 산소 증가 모드의 개시 전에는 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도는 약 1000ppm이나, 산소 증가 모드의 종료 시에는 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도는 약 20%까지 증가할 수 있다.
이상과 같이 하여 본 실시형태의 기판 처리장치(100)에서는, 기판 반송부(120)는 산소농도 저하 모드, 저산소 유지 모드 및 산소 증가 모드 중 어느 하나로 전환하는 것이 가능하고, 기판 반송부(120) 내의 기체의 산소농도를 제어할 수 있다.
이 때, 도 6 및 도 7에 나타낸 순환 FFU(144)에서는, FFU(144A) 및 FFU(144B)는 연직 방향을 따라 나란하게 배열되었으나, 본 실시형태는 이에 한정되지 않는다. FFU(144A) 및 FFU(144B)는 수평 방향을 따라 나란하게 배열되어도 좋다. 예를 들면, FFU(144A) 및 FFU(144B)는 Y 방향을 따라 나란하게 배열되어도 좋다.
전형적으로는, 반송 로봇(122)에는 반송 로봇(122)이 원활히 동작하도록 유기용제의 윤활유가 칠해진다. 이 경우, 윤활유가 기화한 성분이 순환배관(142)을 흐르고, 순환 FFU(144) 및 반송 FFU(126)를 통과하면, 팬(144a), 필터(144b), 팬(126a) 및/또는 필터(126b)가 오염되어 버리는 경우가 있다. 이 때문에, 순환 FFU(144) 및 반송 FFU(126)의 적어도 하나에 케미컬 필터를 설치하는 것이 바람직하다. 특히, 순환배관(142)에서 상류측에 위치하는 순환 FFU(144)가 케미컬 필터를 구비하는 것이 바람직하다.
여기서, 도 8을 참조하여 본 실시형태의 기판 처리장치(100)에서의 가스 조정부(140)의 순환 FFU(144)의 구성을 설명한다. 도 8의 (a)는, 기판 처리장치(100)에서의 가스 조정부(140)의 모식적인 일부 확대도이다.
도 8의 (a)에 나타내는 바와 같이, 순환 FFU(144)는, 팬(144a) 및 필터(144b)와 더불어, 케미컬 필터(144c)를 더 포함한다. 여기서는, 순환배관(142)의 상류에서 하류를 향해 팬(144a), 필터(144b) 및 케미컬 필터(144c)의 순서로 배치되어 있다.
팬(144a)은 외부의 기체를 흡입하고, 기체를 소정의 방향으로 분출한다. 필터(144b)는 통과하는 기체의 부유물을 여과한다. 케미컬 필터(144c)는 통과하는 기체의 유기용제를 흡착한다. 케미컬 필터(144c)에 의해 반송 로봇(122)의 윤활유가 기화하여 기체 안에 섞여도, 윤활유의 기화 성분을 흡착할 수 있고, 팬(144a) 및 필터(144b)가 윤활유에 의해 오염되는 것을 억제할 수 있다.
이 때, 도 8의 (a)에 나타낸 순환 FFU(144)에서는, 순환배관(142)의 상류에서 하류를 향해 팬(144a), 필터(144b) 및 케미컬 필터(144c)의 순서로 배치되었으나, 본 실시형태는 이에 한정되지 않는다. 팬(144a), 필터(144b) 및 케미컬 필터(144c)는 다른 순서로 배치되어도 좋다.
도 8의 (b)에 나타내는 바와 같이, 케미컬 필터(144c)는 팬(144a) 및 필터(144b)보다 상류측에 배치되어도 좋다. 이로 인해, 순환개시 시 또는 반송 로봇(122)의 구동개시 시, 순환배관(142)에 비교적 다량의 유기용제의 기화 성분이 흘러도, 팬(144a) 및 필터(144b)가 유기용제로 오염되는 것을 억제할 수 있다.
이 때, 도 8의 (b)에서는, 케미컬 필터(144c)는 순환 FFU(144)의 케이스(144h) 내에 배치되었으나, 본 실시형태는 이에 한정되지 않는다. 케미컬 필터(144c)는 케이스(144h)의 외측에 장착되어도 좋다. 또는, 케미컬 필터(144c)는 케이스(144h)로부터 이격된 장소에 배치되어도 좋다. 예를 들면, 케미컬 필터(144c)는 순환배관(142)의 상류부(142u)에 배치되어도 좋다.
이와 같이, 가스 공급부(148)는 케미컬 필터(144c)를 통하지 않고 팬(144a) 및 필터(144b)로 가스를 공급해도 좋다. 이로 인해, 케미컬 필터(144c)에 의해 순환배관(142) 내의 유기용제를 흡착함과 동시에, 케미컬 필터(144c)가 다소 오염되더라도, 가스 공급부(148)로부터의 불활성 가스를 오염이 적은 상태로 순환배관(142)의 하류로 공급할 수 있다.
이 때, 도 1에서 도 8에 나타낸 가스 조정부(140)의 순환 FFU(144)는, 순환배관(142) 중 연직 방향을 따른 유로를 따라 배치되고, 순환 FFU(144)의 길이 방향은 연직 방향을 따라 배치되었으나, 본 실시형태는 이에 한정되지 않는다. 순환 FFU(144)는 순환배관(142) 중 수평 방향을 따른 유로를 따라 배치되고, 순환 FFU(144)의 길이 방향은 수평 방향을 따라 배치되어도 좋다. 예를 들면, 순환배관(142) 중 수평 방향으로 연장된 수평부분이, 순환배관(142) 중 연직 방향으로 연장된 연직부분보다 긴 경우, 순환 FFU(144)의 길이 방향은 수평 방향을 따라 배치되는 것이 바람직하다. 이로 인해, 순환배관(142) 내에 잔존하는 산소성분을 저감시킬 수 있고, 기판 반송부(120)에서 기판(W)을 반송할 때 기판(W)의 산화를 억제할 수 있다.
이 때, 도 1에 나타낸 기판 처리장치(100)는 1개의 기판 처리부(130)를 구비하고 있으나, 본 실시형태는 이에 한정되지 않는다. 기판 처리장치(100)는 복수의 기판 처리부(130)를 구비해도 좋다.
이하, 도 9를 참조하여 본 실시형태의 기판 처리장치(100)를 설명한다. 도 9는, 기판 처리장치(100)의 모식적인 상면도이다. 도 9에 나타낸 기판 처리장치(100)는 복수의 기판 처리부(130)를 구비함과 동시에, 가스 순환 캐비넷(140A)과, 처리액 캐비넷(150)과, 경계벽(160)을 더 구비하는 점을 제외하고, 도 1을 참조하여 상술한 기판 처리장치(100)와 유사한 구성을 가지고 있으므로, 긴 설명을 피하기 위해 중복하는 기재를 생략한다.
도 9에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 기판 처리장치(100)는 복수의 기판 처리부(130)를 구비한다. 복수의 기판 처리부(130)는 평면에서 봤을 때, 반송 로봇(122)을 둘러싸도록 배치된 복수의 타워(TW)(도 9에서는 4개의 타워(TW))를 형성한다. 각 타워(TW)는 상하로 적층된 복수의 기판 처리부(130)(도 9에서는 3개의 기판 처리부)를 포함한다.
또한, 본 실시형태의 기판 처리장치(100)는 인덱서부(110), 기판 반송부(120), 기판 처리부(130) 및 가스 조정부(140)와 더불어, 가스 순환 캐비넷(140A)과, 처리액 캐비넷(150)과, 경계벽(160)을 더 구비한다. 가스 순환 캐비넷(140A)은 순환배관(142)의 일부 및 순환 FFU(144)를 수용한다. 예를 들면, 가스 순환 캐비넷(140A)은 순환 FFU(144)와 함께 순환배관(142)의 측관(142q)(도 1 및 도 4 참조)을 수용한다.
가스 순환 캐비넷(140A)은 기판 반송부(120)에 가스를 공급한다. 또한, 가스 순환 캐비넷(140A)은 기판 반송부(120)의 기체를 배기한다.
기판 처리장치(100)에서는 처리액 캐비넷(150)으로서 3개의 처리액 캐비넷(150A, 150B, 150C)이 배치된다. 처리액 캐비넷(150A)은 처리액 캐비넷(150B)에 인접하여 배치된다. 또한, 처리액 캐비넷(150C)은 가스 순환 캐비넷(140A)에 인접하여 배치된다.
이 때, 처리액 캐비넷(150A, 150B, 150C) 각각의 처리액은 기판 처리부(130)로 공급된다. 도 9에서는, 도면이 과도하게 복잡해지는 것을 피하기 위하여, 처리액 캐비넷(150A)에서 각 타워(TW)로의 처리액의 공급 및 회수하는 경로를 나타내고 있다.
경계벽(160)은 인덱서부(110), 기판 반송부(120), 기판 처리부(130)가 설치된 영역과, 가스 순환 캐비넷(140A) 및 처리액 캐비넷(150)가 설치된 영역의 경계에 위치한다. 경계벽(160)의 높이는 기판 처리부(130)의 타워(TW) 높이와 동일한 정도인 것이 바람직하다.
인덱서부(110), 기판 반송부(120), 기판 처리부(130)가 설치된 영역에서는 기판(W)은 반송 또는 처리된다. 가스 순환 캐비넷(140A) 및 처리액 캐비넷(150)이 설치된 영역에서는, 기판 반송부(120) 및/또는 기판 처리부(130)로 공급되는 가스, 기체 또는 처리액이 조정된다.
가스 순환 캐비넷(140A) 및 처리액 캐비넷(150)이 설치된 영역에는, 기판(W)의 반송 또는 처리 중이라도, 조작자가 진입하여 조작할 수 있는 것이 바람직하다. 예를 들면, 처리액 캐비넷(150A) 및 처리액 캐비넷(150B)과, 가스 순환 캐비넷(140A) 및 처리액 캐비넷(150C) 사이에는 조작영역이 형성된다. 기판 처리장치(100)의 조작자는 기판(W)의 반송 또는 처리 중이라도, 조작영역에 진입 가능하고, 가스 순환 캐비넷(140A) 및 처리액 캐비넷(150)의 가스, 기체 및/또는 처리액을 조정할 수 있다.
이상, 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명하였다. 단, 본 발명은 상기한 실시형태로 한정되는 것이 아니고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 양상으로 실시하는 것이 가능하다. 또한, 상기의 실시형태에 개시되는 복수의 구성요소를 적절히 조합함으로써, 다양한 발명의 형성이 가능하다. 예를 들면, 실시형태에 나타나는 모든 구성요소에서 몇 개의 구성요소를 삭제해도 좋다. 또한 다른 실시형태에 걸쳐 구성요소를 적절히 조합해도 좋다. 도면은 이해하기 쉽게 하기 위하여 각각의 구성요소를 주체로 모식적으로 나타내고 있고, 도시된 각 구성요소의 두께, 길이, 개수, 간격 등은 도면 작성의 형편 상 실제와는 상이한 경우도 있다. 또한, 상기의 실시형태에서 나타낸 각 구성요소의 재질, 형상, 치수 등은 일례이고, 특별히 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 효과로부터 실질적으로 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능하다.
[산업상의 이용가능성]
본 발명은 기판 처리장치에 매우 적합하게 이용된다.
100: 기판 처리장치
110: 인덱서부
112: 인덱서 로봇
120: 기판 반송부
122: 반송 로봇
130: 기판 처리부
140: 가스 조정부
W: 기판

Claims (13)

  1. 기판을 반입하는 인덱서 로봇과,
    상기 인덱서 로봇이 설치된 인덱서부와,
    상기 기판을 처리하는 기판 처리부와,
    상기 인덱서부와 상기 기판 처리부 사이에서 상기 기판을 반송하는 반송 로봇과,
    상기 반송 로봇이 설치된 기판 반송부와,
    상기 기판 반송부의 상부에 설치된 반송 팬 필터 유닛과,
    상기 기판 반송부에 설치된 배기구와,
    상기 기판 반송부의 상기 배기구와 상기 반송 팬 필터 유닛을 연락하는 순환배관과,
    상기 순환배관에 접속된 배기관과,
    상기 순환배관으로 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급부와,
    상기 순환배관 중 상기 배기관과의 접속부분의 하류에서, 상기 순환배관의 유로에 대해서 평행하게 배치된 순환 팬 필터 유닛,
    을 구비하는, 기판 처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 순환 팬 필터 유닛은 연직 방향을 따라 연장하도록 배치되는, 기판 처리장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 배기관을 통과하는 기체의 흐름을 조정하는 밸브를 더 구비하는, 기판 처리장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 순환 팬 필터 유닛은 상기 불활성 가스 공급부에서 공급된 상기 불활성 가스를 상기 순환배관으로 분출하는, 기판 처리장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 불활성 가스 공급부는,
    상기 순환배관에 상기 불활성 가스를 제1 유량으로 공급하는 제1 공급부와,
    상기 순환배관에 상기 불활성 가스를 상기 제 1유량보다 많은 제2 유량으로 공급하는 제2 공급부,
    를 가지는, 기판 처리장치.
  6. 제5항에 있어서,
    산소 저하 모드의 경우, 상기 제 1공급부 및 상기 제 2공급부의 각각은 상기 불활성 가스를 상기 순환배관으로 공급하고,
    저산소 유지 모드의 경우, 상기 제 1공급부는 상기 불활성 가스를 상기 순환배관으로 공급하는, 기판 처리장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 순환배관으로 공기를 공급하는 공기 공급부를 더 구비하는, 기판 처리장치.
  8. 제7항에 있어서,
    산소 증가 모드의 경우, 상기 공기 공급부는 상기 공기를 상기 순환배관으로 공급하는, 기판 처리장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 순환 팬 필터 유닛은 상기 공기 공급부에서 공급된 상기 공기를 상기 순환배관으로 분출하는, 기판 처리장치.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 순환 팬 필터 유닛에서 복수의 팬 필터 유닛이 나란하게 배치되는, 기판 처리장치.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 순환 팬 필터 유닛은, 팬과, 필터와, 케미컬 필터를 포함하는, 기판 처리장치.
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 순환배관의 일부 및 상기 순환 팬 필터 유닛을 수용하는 가스 순환 캐비넷을 더 구비하는, 기판 처리장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 가스 순환 캐비넷에 인접하고, 상기 기판 처리부로 처리액을 공급하는 처리액 캐비넷을 더 구비하는, 기판 처리장치.
KR1020200024201A 2019-03-28 2020-02-27 기판 처리장치 KR102315845B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2019-063855 2019-03-28
JP2019063855A JP7221110B2 (ja) 2019-03-28 2019-03-28 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200115117A true KR20200115117A (ko) 2020-10-07
KR102315845B1 KR102315845B1 (ko) 2021-10-21

Family

ID=72604722

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200024201A KR102315845B1 (ko) 2019-03-28 2020-02-27 기판 처리장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11342201B2 (ko)
JP (1) JP7221110B2 (ko)
KR (1) KR102315845B1 (ko)
CN (1) CN111755367A (ko)
TW (1) TWI736154B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230005029A (ko) * 2021-06-30 2023-01-09 세메스 주식회사 버퍼 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11735455B2 (en) 2021-03-12 2023-08-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Systems, devices, and methods for air flow optimization including adjacent a FOUP

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100701578B1 (ko) * 2000-02-01 2007-04-02 동경 엘렉트론 주식회사 기판처리장치 및 기판처리방법
KR20070087495A (ko) * 2006-02-23 2007-08-28 동경 엘렉트론 주식회사 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 기억 매체
KR20100048406A (ko) * 2008-10-31 2010-05-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치
WO2016199769A1 (ja) 2015-06-12 2016-12-15 株式会社ジェイ・イー・ティ 基板処理装置及び基板処理方法
KR20170121190A (ko) * 2015-02-27 2017-11-01 신포니아 테크놀로지 가부시끼가이샤 반송실

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5934165B2 (ja) 1978-10-17 1984-08-21 電気化学工業株式会社 カルボン酸エステルの製法
JP3421521B2 (ja) * 1996-11-11 2003-06-30 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP4294837B2 (ja) * 1999-07-16 2009-07-15 東京エレクトロン株式会社 処理システム
JP4608172B2 (ja) * 2000-03-22 2011-01-05 出光興産株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造装置およびそれを用いた有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP4033757B2 (ja) 2002-11-06 2008-01-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR100505061B1 (ko) * 2003-02-12 2005-08-01 삼성전자주식회사 기판 이송 모듈
JP2005142185A (ja) * 2003-11-04 2005-06-02 Canon Inc 露光装置及びその環境制御方法
US7896602B2 (en) 2006-06-09 2011-03-01 Lutz Rebstock Workpiece stocker with circular configuration
JP5144207B2 (ja) * 2006-11-06 2013-02-13 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP3135981U (ja) 2007-07-25 2007-10-04 岩崎電気株式会社 メタルハライドランプ用のセラミック発光管
US8899171B2 (en) * 2008-06-13 2014-12-02 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
JP5366030B2 (ja) 2011-09-22 2013-12-11 村田機械株式会社 クリーンルーム用の自動倉庫
JP2014067797A (ja) 2012-09-25 2014-04-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
CN105453246A (zh) * 2013-08-12 2016-03-30 应用材料公司 具有工厂接口环境控制的基板处理系统、装置和方法
US9915261B2 (en) * 2013-10-31 2018-03-13 Semes Co., Ltd. Substrate treating apparatus, drive assembly, and drive member controlling method
TWI678751B (zh) 2013-12-13 2019-12-01 日商昕芙旎雅股份有限公司 設備前端模組（ｅｆｅｍ）
JP6599599B2 (ja) * 2014-01-31 2019-10-30 シンフォニアテクノロジー株式会社 Ｅｆｅｍシステム
JP2016004834A (ja) * 2014-06-13 2016-01-12 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
JP6500498B2 (ja) 2015-02-27 2019-04-17 シンフォニアテクノロジー株式会社 搬送室及び搬送室のケミカルフィルタの湿度管理方法
JP6503281B2 (ja) * 2015-11-13 2019-04-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7023065B2 (ja) 2016-09-13 2022-02-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6890029B2 (ja) * 2017-03-31 2021-06-18 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び基板搬送方法
JP6804398B2 (ja) 2017-06-28 2020-12-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置および熱処理方法
US20190001242A1 (en) * 2017-06-30 2019-01-03 Mott Corporation Filter with non-horizontal cavity
JP6583482B2 (ja) 2018-05-24 2019-10-02 シンフォニアテクノロジー株式会社 Ｅｆｅｍ
US11244844B2 (en) * 2018-10-26 2022-02-08 Applied Materials, Inc. High flow velocity, gas-purged, side storage pod apparatus, assemblies, and methods

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100701578B1 (ko) * 2000-02-01 2007-04-02 동경 엘렉트론 주식회사 기판처리장치 및 기판처리방법
KR20070087495A (ko) * 2006-02-23 2007-08-28 동경 엘렉트론 주식회사 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 기억 매체
KR20100048406A (ko) * 2008-10-31 2010-05-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR20170121190A (ko) * 2015-02-27 2017-11-01 신포니아 테크놀로지 가부시끼가이샤 반송실
WO2016199769A1 (ja) 2015-06-12 2016-12-15 株式会社ジェイ・イー・ティ 基板処理装置及び基板処理方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230005029A (ko) * 2021-06-30 2023-01-09 세메스 주식회사 버퍼 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20200312679A1 (en) 2020-10-01
JP7221110B2 (ja) 2023-02-13
CN111755367A (zh) 2020-10-09
TWI736154B (zh) 2021-08-11
JP2020167190A (ja) 2020-10-08
US11342201B2 (en) 2022-05-24
KR102315845B1 (ko) 2021-10-21
TW202036708A (zh) 2020-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4767783B2 (ja) 液処理装置
JP6679906B2 (ja) Ｅｆｅｍ
US9305767B2 (en) Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium
JP4541232B2 (ja) 処理システム及び処理方法
KR101903338B1 (ko) 기판 반송실, 기판 처리 시스템, 및 기판 반송실 내의 가스 치환 방법
JP5673480B2 (ja) 基板処理装置
KR20030065388A (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
JP7023065B2 (ja) 基板処理装置
US20150101482A1 (en) Mechanisms for controlling gas flow in enclosure
KR102422391B1 (ko) 기판 처리 장치
JP3958594B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR102315845B1 (ko) 기판 처리장치
JP2022162002A (ja) Ｅｆｅｍ、及び、ｅｆｅｍにおけるガス置換方法
TW201639019A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP4790326B2 (ja) 処理システム及び処理方法
KR100521401B1 (ko) 기판세정시스템
JP4256607B2 (ja) 基板処理装置
KR101688621B1 (ko) 퓸 제거 장치
JP2019201075A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2001118782A (ja) 基板処理装置
US20230073234A1 (en) Efem
JP5090291B2 (ja) 基板処理装置
JP2023031968A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2006332542A (ja) 基板処理装置
JP2018032724A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right