KR20070087495A - 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 기억 매체 - Google Patents

기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 기억 매체 Download PDF

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Abstract

본 발명은 스루풋을 저하시키는 일 없이 양품률을 높일 수 있는 기판 처리 방법을 제공한다. 기판 처리 시스템(1)은 대기계(大氣系) 반송 장치(3) 내에 반송 암(52)과 가스 공급계(60)를, 로드록실(4) 내에 탑재·이송 암(70)과 가스 공급계(72)를 구비한다. 대기계 반송 장치(3) 내에 있어서, 가스 공급계(60)는 히팅 유닛(62)에 의해 가열된 고온 가스를 반송 암(52) 및 반송 암(52)에 의해 반송되고 있는 웨이퍼 W에 분사한다. 또한, 로드록실(4) 내에 있어서, 가스 공급계(72)는 히팅 유닛(76)에 의해 가열된 고온의 N2 가스 등의 불활성 가스를 탑재·이송 암(70) 및 탑재·이송 암(70)에 의해서 반송되고 있는 웨이퍼 W에 분사한다.

Description

기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 기억 매체{SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND STORAGE MEDIUM}
도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 기판 처리 시스템의 구성을 개략적으로 나타내는 단면도,
도 2는 도 1에 있어서의 P/M의 개략 구성을 나타내는 단면도,
도 3은 도 1에 있어서의 L/M 내의 반송 암에 있어서의 픽의 개략 형상을 나타내는 도면으로서, (a)는 픽에 웨이퍼가 탑재된 상태에서의 평면도, (b)는 픽상의 테이퍼 패드 부근의 확대 부분 사시도,
도 4는 열응력을 이용한 테이퍼 패드로부터의 이물질의 제거 방법을 나타내는 공정도,
도 5는 웨이퍼에 남는 워터마크를 설명하는 도면,
도 6은 열응력을 이용한 웨이퍼상의 흡착 분자의 제거 방법을 나타내는 공정도이다.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
W : 웨이퍼 1 : 기판 처리 시스템
2 : 기판 처리 장치 3 : 대기계 반송 장치
4 : 로드록실 10, 71 : 챔버
34 : 가스 도입 샤워 헤드 43, 62, 76 : 히팅 유닛
51 : 대기 로더 모듈 52 : 반송 암
54, 74 : 픽 54a, 74a : 테이퍼 패드
60, 72 : 가스 공급계 70 : 탑재·이송 암
80 : 브레이크 필터
본 발명은 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.
기판으로부터 반도체 디바이스나, 예컨대, 액정 표시 장치 등의 FPD(Flat Panel Display)를 제조하는 공정에서는, 제조 장치 밖으로부터 혼입되거나, 또는 제조 장치 내에서 발생하는 미립자(이물질)에 의해 기판이 오염되는 것을 방지하는 것이 과제로 되고 있다. 특히, 그 제조 장치가 구비하는 감압 처리실에 마련된 탑재대가 이물질에 의해 오염되어 있으면, 그 위에 탑재된 기판의 이면에 이물질이 부착되어, 다음 공정에 있어서 오염이 확대되고, 최종적으로 제조되는 반도체 디바이스의 양품률이 저하한다.
이러한 이물질은 감압 처리실 밖으로부터 유입되는 것, 감압 처리실 내에 있어서 탑재대와 기판의 접촉에 의해 박리된 것, 또는 반응성 가스에 의한 생성물이 퇴적된 것 등이 상정된다.
그래서, 최근에, 본 출원인은 감압 처리실 내의 탑재대의 온도를 제어하여, 그 탑재대의 온도를 통상 사용 온도로부터 충분히 높게 또는 낮게 해서, 열응력에 의해 그 탑재대에 부착된 이물질의 박리를 유발시키는 방법을 제안하고, 또한, 탑재대를 고온으로 유지함과 아울러 소정의 압력을 유지함으로써 발생하는 열 영동력에 의해 그 탑재대에 부착된 이물질을 탑재대로부터 비산시키는 방법을 제안했다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
(특허문헌 1) 일본 특허 출원 제 2004-218939호
그러나, 기판은 감압 처리실 내에서 발생하는 이물질 등, 예컨대, 그 기판이 탑재되는 탑재대에 부착된 이물질에 의해 오염될 뿐만 아니라, 기판을 반송하는 반송 공정에 있어서도 오염된다. 이것은 특히, 기판을 반송하는 반송 암 상에 부착된 이물질의 부착에 의해 발생한다. 그 반송 암 상에 부착된 이물질을 제거하기 위해서는, 반송 암, 나아가서는 반송 처리실의 가동을 정지하지 않으면 안되고, 특히, 복수의 처리실에 접속된 반송 처리실의 가동을 정지하기 위해서는 모든 처리실의 가동을 정지하지 않으면 안되어, 현저히 스루풋이 저하한다.
본 발명의 목적은 스루풋을 저하시키는 일 없이 양품률을 높일 수 있는 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 기억 매체를 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 제 1 측면에 따른 기판 처리 방법은 적어도, 기판을 처리하는 기판 처리 장치와, 상기 기판을 반송하는 반송 수단을 갖는 기판 반송 장치를 구비한 기판 처리 시스템의 기판 처리 방법에 있어서, 상기 반송 수단 및 그 반송 수단에 의해 반송되고 있는 기판의 적어도 한쪽에 고온 가스를 분사하는 분사 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다.
제 2 측면에 따른 기판 처리 방법은 제 1 측면에 따른 기판 처리 방법에 있어서, 상기 분사 단계는 상기 반송 수단에 의한 상기 기판의 반송 전에, 상기 반송 수단에 고온 가스를 분사하는 것을 특징으로 한다.
제 3 측면에 따른 기판 처리 방법은 제 1 측면 또는 제 2 측면에 따른 기판 처리 방법에 있어서, 상기 고온 가스는 상기 반송 수단 및 그 반송 수단에 의해 반송되고 있는 기판의 적어도 한쪽에 부착된 이물질에 대하여 열응력을 발생시키는 것을 특징으로 한다.
제 4 측면에 따른 기판 처리 방법은 제 1 측면 또는 제 2 측면에 따른 기판 처리 방법에 있어서, 상기 반송 수단은 상기 기판과 접촉하는 접촉부를 갖고, 상기 분사 단계는 상기 접촉부를 향하여 상기 고온 가스를 분사하는 것을 특징으로 한다.
제 5 측면에 따른 기판 처리 방법은 제 1 측면 또는 제 2 측면에 따른 기판 처리 방법에 있어서, 상기 분사 단계는 상기 반송 수단에 의한 상기 기판의 상기 기판 처리 장치로의 반송 전에, 상기 기판에 고온 가스를 분사하는 것을 특징으로 한다.
제 6 측면에 따른 기판 처리 방법은 제 1 측면 또는 제 2 측면에 따른 기판 처리 방법에 있어서, 상기 기판의 면에는 수분이 부착되고, 상기 분사 단계는 상기 기판의 면을 향하여 상기 고온 가스를 분사하는 것을 특징으로 한다.
제 7 측면에 따른 기판 처리 방법은 제 1 측면 또는 제 2 측면에 따른 기판 처리 방법에 있어서, 상기 기판 처리 장치는 상기 기판을 수용하는 처리실을 갖고, 상기 분사 단계는 상기 처리실 내를 향하여 상기 고온 가스를 분사하는 것을 특징으로 한다.
제 8 측면에 따른 기판 처리 방법은 제 1 측면 또는 제 2 측면에 따른 기판 처리 방법에 있어서, 상기 기판 처리 장치는 상기 기판을 수용하는 처리실을 갖고, 상기 기판의 면에는 흡착 분자가 부착되며, 상기 분사 단계는 상기 처리실 내에 수용된 상기 기판의 면을 향하여 상기 고온 가스를 분사하는 것을 특징으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 제 9 측면에 따른 기판 처리 시스템은 적어도, 기판을 처리하는 기판 처리 장치와, 상기 기판을 반송하는 반송 수단을 갖는 기판 반송 장치를 구비한 기판 처리 시스템에 있어서, 상기 기판 반송 장치는 상기 반송 수단 및 그 반송 수단에 의해 반송되고 있는 기판의 적어도 한쪽에 고온 가스를 분사하는 분사 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 제 10 측면에 따른 기억 매체는 적어도, 기판을 처리하는 기판 처리 장치와, 상기 기판을 반송하는 반송 수단을 갖는 기판 반송 장치를 구비한 기판 처리 시스템의 기판 처리 방법을 컴퓨터에게 실행시키는 프로그램을 저장하는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체에 있어서, 상기 반송 수단 및 그 반송 수단에 의해 반송되고 있는 기판의 적어도 한쪽에 고온 가스를 분사하는 분사 모듈을 갖는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 실시예에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.
도 1에 있어서, 기판 처리 시스템(1)은 기판으로서의 반도체 웨이퍼(이하, 간단히 「웨이퍼」라고 함) W에 RIE(Reactive Ion Etching) 처리나 애싱 처리 등의 플라즈마 처리를 실시하는 후술하는 도 2의 기판 처리 장치(Process Module)(이하, 「P/M」이라고 함)(2)와, 웨이퍼 W를 수용하는 용기로서의 후프(Front Opening Unified Pod)(5)로부터 웨이퍼 W를 추출하는 대기계 반송 장치(3)와, 이 대기계 반송 장치(3)와 P/M(2)의 사이에 배치되어, 대기계 반송 장치(3)로부터 P/M(2)으로, 또는 P/M(2)으로부터 대기계 반송 장치(3)로 웨이퍼 W를 반출입하는 로드록실(Load-Lock Module)(이하, 「LL/M」이라고 함)(4)을 구비한다.
P/M(2) 및 LL/M(4)의 내부는 진공 흡입 가능하게 구성되어, 대기계 반송 장치(3)의 내부는 상시 대기압으로 유지된다. 또한, P/M(2) 및 LL/M(4), 및 LL/M(4) 및 대기계 반송 장치(3)는 각기 게이트 밸브(6, 7)에 의해 접속된다. 이 게이트 밸브(6, 7)는 개폐가 자유로우며, P/M(2)과 LL/M(4), 및 LL/M(4)과 대기계 반송 장치(3)의 사이를 연통하거나 또는 차단한다. 또한, LL/M(4)의 내부 및 대기계 반송 장치(3)의 내부는 도중에 개폐가 자유로운 밸브(8)가 배치된 연통관(9)에 의해서도 접속된다.
대기계 반송 장치(3)는 후프(5)가 탑재되는 후프 탑재대(50)와, 대기 로더 모듈(Loader Module)(이하 「L/M」이라고 함)(51)과, 이 L/M(51) 내에 고온 가스를 공급하는 가스 공급계(60)(분사 수단)를 갖는다.
후프 탑재대(50)는 윗면이 평평한 형상이며, 후프(5)는, 예컨대, 25장의 웨이퍼 W를 같은 피치로 다단 탑재하여 수용한다. 또한, L/M(51)은 직방체의 상자 형상이며, 내부에 웨이퍼 W를 반송하는 스칼라 타입의 반송 암(52)을 갖는다.
또한, L/M(51)의 후프 탑재대(50) 쪽의 측면에는, 그 후프 탑재대(50)에 탑재된 후프(5)에 대향하여 셔터(도시 생략)가 마련된다. 셔터는 후프(5)와 L/M(51)의 내부를 연통시킨다.
반송 암(52)은 굴신 가능하게 구성된 다관절 형상의 반송 암부(53)와, 그 반송 암부(53)의 선단에 부착된 후술하는 도 3의 픽(54)을 갖고, 그 픽(54)은 웨이퍼 W를 직접적으로 탑재하도록 구성되어 있다. 또한, 반송 암(52)은 굴신 가능하게 구성된 다관절 암 형상의 맵핑 암(55)을 갖고 있고, 이 맵핑 암(55)의 선단에는, 예컨대, 레이저 광을 발생하여 웨이퍼 W의 유무를 확인하는 맵핑 센서(도시 생략)가 배치되어 있다. 이들 반송 암부(53)와 맵핑 암(55)의 각 기단은 반송 암(52)의 기부(56)로부터 세워 마련된 암 기단부 지주(57)를 따라 승강하는 승강대(58)에 연결되어 있다. 또한, 그 암 기단부 지주(57)는 선회 가능하게 구성되어 있다. 후프(5)에 수용되어 있는 웨이퍼 W의 위치 및 수를 인식하기 위해 행하는 맵핑 조작 에서는, 맵핑 암(55)이 연신된 상태에서, 그 맵핑 암(55)이 상승 또는 하강함으로써, 후프(5) 내에 있어서의 웨이퍼 W의 위치 및 매수를 확인한다.
반송 암(52)은 반송 암부(53)에 의해 굴곡이 자유로우며, 암 기단부 지주(57)에 의해 선회가 자유롭기 때문에, 픽(54)에 탑재한 웨이퍼 W를 후프(5)와 LL/M(4)의 사이에 있어서 자유롭게 반송할 수 있다.
가스 공급계(60)는 L/M(51)의 외부로부터 L/M(51)의 내부로 관통함과 아울러, L/M(51) 내부측이 반송 암(52)을 향하여 마련된 가스 도입관(61)과, 그 가스 도입관(61)의 L/M(51) 외부측 선단에 접속된 가스 공급 장치(도시 생략)와, 가스 도입관(61)에 있어서 L/M(51)과 가스 공급 장치의 사이에 배치된 제어 밸브(63)와, 가스 도입관(61)에 있어서 L/M(51)과 제어 밸브(63)의 사이에 배치된 히팅 유닛(62)을 갖는다. 본 실시예에 있어서, 히팅 유닛(62)은 공급된 가스의 온도를 1초 내지 10초 정도의 단시간의 가열로 소정 고온으로 승온하는 것이 바람직하다.
본 실시예에 있어서, 가스 공급계(60)는 히팅 유닛(62)에 의해 가열된 고온 가스를 소정 타이밍에 반송 암(52), 특히 픽(54)에 분사하여, 반송 암(52) 상에 부착된 이물질을 제거한다. 이물질 제거의 상세에 대해서는 후술한다.
LL/M(4)은 굴신 및 선회가 자유롭게 이루어진 탑재·이송 암(70)이 배치된 챔버(71)와, 이 챔버(71) 내에 고온의 N2 가스 등의 불활성 가스를 공급하는 가스 공급계(72)(분사 수단)와, 챔버(71) 내를 배기하는 L/L 배기계(73)를 갖는다.
탑재·이송 암(70)은 복수의 암부로 이루어지는 스칼라 타입의 반송 암이며, 그 선단에 부착된 픽(74)을 갖는다. 픽(74)은 웨이퍼 W를 직접적으로 탑재하도록 구성된다. 또, 픽(74)의 형상은 상술한 픽(54)의 형상과 마찬가지이다.
웨이퍼 W가 대기계 반송 장치(3)로부터 P/M(2)으로 반입되는 경우, 게이트 밸브(7)가 개방되었을 때, 탑재·이송 암(70)은 L/M(51) 내의 반송 암(52)으로부터 웨이퍼 W를 받아들이고, 게이트 밸브(6)가 개방되었을 때, 탑재·이송 암(70)은 P/M(2)의 챔버(10) 내로 진입하여, 탑재대(12)의 상면으로부터 돌출한 후술하는 푸셔 핀(33)의 상단에 웨이퍼 W를 탑재한다. 또한, 웨이퍼 W가 P/M(2)으로부터 대기계 반송 장치(3)로 반입되는 경우, 게이트 밸브(6)가 개방되었을 때, 탑재·이송 암(70)은 P/M(2)의 챔버(10) 내로 진입하여, 탑재대(12)의 상면으로부터 돌출한 푸셔 핀(33)의 상단에 탑재된 웨이퍼 W를 받아들인다. 게이트 밸브(7)가 개방되었을 때, 탑재·이송 암(70)은 L/M(51) 내의 반송 암(52)으로 웨이퍼 W를 이송한다.
또, 탑재·이송 암(70)은 스칼라 타입에 한정되지 않고, 프로그 레그 타입이나 더블 암 타입이더라도 좋다.
가스 공급계(72)는 챔버(71)의 외부로부터 챔버(71)의 내부로 관통하는 가스 도입관(75)과, 가스 도입관(75)의 챔버(71) 외부측 선단에 접속된 가스 공급 장치(도시 생략)와, 가스 도입관(75)에 있어서 챔버(71)와 가스 공급 장치의 사이에 배치된 제어 밸브(77)와, 가스 도입관(75)에 있어서 챔버(71)와 제어 밸브(77)의 사이에 배치된 히팅 유닛(76)과, 가스 도입관(75)의 챔버(71) 내부측 선단에 배치된 고온의 N2 가스 등의 불활성 가스를 분출하는 가스 공급구를 갖는다. 본 실시예에 있어서, 가스 공급구의 선단에 한 쌍의 브레이크 필터(Break Filter)(80)를 갖더라도 좋다. 본 실시예에 있어서, 히팅 유닛(76)은, 공급된 N2 가스 등의 불활성 가스의 온도를 1초 내지 10초 정도의 단시간의 가열로 소정 고온으로 승온하는 것이 바람직하다.
본 실시예에 있어서, 가스 공급계(72)는, 히팅 유닛(76)에 의해 가열된 고온의 N2 가스 등의 불활성 가스를 소정 타이밍에 챔버(71) 내부의 탑재·이송 암(70), 특히 픽(74)에 분사하여, 탑재·이송 암(70) 상에 부착된 이물질을 제거한다. 이물질 제거의 상세에 대해서는 후술한다. 또한, 가스 공급계(72)는 고온의 N2 가스 등의 불활성 가스를 소정 타이밍에 챔버(71) 내부에 공급하여, 그 챔버(71)의 내부 압력을 제어한다.
브레이크 필터(80)는 그 길이가, 예컨대, 200㎜로 설정된 그물 형상의 금속제 필터이며, 고온의 N2 가스 등의 불활성 가스의 분출 면적을 작게 또는 크게할 수 있기 때문에, 분출하는 고온의 N2 가스 등의 불활성 가스의 흐름을 가속할 수 있음과 아울러 감속할 수 있어, 탑재·이송 암(70)으로 고압 고온의 N2 가스 등의 불활성 가스를 분사하여 탑재·이송 암(70) 상에 부착된 이물질을 효과적으로 제거함과 아울러 광범위에 걸쳐 균일하게 고온의 N2 가스 등의 불활성 가스를 분출하여 챔버(71) 내부의 압력을 균일하게 상승시킨다.
LL/M 배기계(73)는 챔버(71)의 내부로 관통하는 배기관(78)과, 그 배기 관(78)의 도중에 배치된 제어 밸브(79)를 갖고, 상술한 가스 공급계(72)와 협동하여 챔버(71)의 내부 압력을 제어한다.
도 2는 도 1에 있어서의 P/M(2)의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.
도 2에 있어서, P/M(2)은 내벽에 알루마이트 코팅이 실시되어 있는 알루미늄제의 원통 형상의 챔버(10)를 갖고, 이 챔버(10) 내에는, 예컨대, 직경이 300㎜인 웨이퍼 W를 탑재하는 원기둥 형상의 탑재대(12)가 배치되어 있다.
P/M(2)에서는, 챔버(10)의 내측벽과 탑재대(12)의 측면에 의해, 탑재대(12) 위쪽의 기체 분자를 챔버(10)의 밖으로 배출하는 유로로서 기능하는 배기로(13)가 형성된다. 이 배기로(13)의 도중에는 플라즈마의 누설을 방지하는 고리 형상의 배플판(14)이 배치된다. 또한, 배기로(13)에 있어서의 배플판(14)보다 하류의 공간은, 탑재대(12)의 아래쪽으로 돌아 들어가, 가변식 버터플라이 밸브인 자동 압력 제어 밸브(APC 밸브 : Automatic Pressure Control Valve)(15)에 연통한다. APC 밸브(15)는 아이솔레이터 밸브(Isolator Valve)(16)를 거쳐 진공 흡입용 배기 펌프인 터보 분자 펌프(TMP : Turbo Molecular Pump)(17)에 접속되고, TMP(17)는 밸브(18)를 거쳐 배기 펌프인 드라이 펌프(DP : Dry Pump)(19)에 접속되어 있다. APC 밸브(15), 아이솔레이터 밸브(16), TMP(17), 밸브(18) 및 DP(19)에 의해 구성되는 배기 유로(본 배기 라인)는 APC 밸브(15)에 의해 챔버(10) 내의 압력 제어를 행하고, 또한 TMP(17) 및 DP(19)에 의해 챔버(10) 내를 거의 진공 상태가 될 때까지 감압한다.
또한, 배관(20)이 APC 밸브(15) 및 아이솔레이터 밸브(16)의 사이로부터 밸 브(21)를 거쳐 DP(19)에 접속되어 있다. 배관(20) 및 밸브(21)에 의해 구성되는 배기 유로(바이패스 라인)는 TMP(17)를 바이패스하여, DP(19)에 의해 챔버(10) 내를 감압한다.
탑재대(12)에는 하부 전극용 고주파 전원(22)이 급전봉(23) 및 정합기(Matcher)(24)를 거쳐 접속되어 있고, 이 하부 전극용 고주파 전원(22)은 소정 고주파 전력을 탑재대(12)에 공급한다. 이에 따라, 탑재대(12)는 하부 전극으로서 기능한다. 또한, 정합기(24)는 탑재대(12)로부터의 고주파 전력의 반사를 저감하여 고주파 전력의 탑재대(12)로의 공급 효율을 최대로 한다.
탑재대(12)의 내부 위쪽에는, 도전막으로 이루어지는 원판 형상의 ESC 전극판(25)이 배치되어 있다. ESC 전극판(25)에는 직류 전원(26)이 전기적으로 접속되어 있다. 웨이퍼 W는 직류 전원(26)으로부터 ESC 전극판(25)에 인가된 직류 전압에 의해 발생하는 쿨롱력 또는 존슨·라벡(Johnsen-Rahbek)력에 의해 탑재대(12)의 상면에 흡착 유지된다. 또한, 탑재대(12)의 위쪽에는, 탑재대(12)의 상면에 흡착 유지된 웨이퍼 W의 주위를 둘러싸도록 둥근 고리 형상의 포커스 링(27)이 배치된다. 이 포커스 링(27)은 실리콘, SiC(탄화규소) 또는 Qz(석영)로 이루어지며, 후술하는 처리 공간 S에 노출되어 그 처리 공간 S의 플라즈마를 웨이퍼 W의 표면을 향하여 수속하여, 플라즈마 처리의 효율을 향상시킨다.
또한, 탑재대(12)의 내부에는, 예컨대, 원주 방향으로 연장하는 고리 형상의 냉매실(28)이 마련된다. 이 냉매실(28)에는, 칠러(chiller) 유닛(도시 생략)으로부터 냉매용 배관(29)을 거쳐 소정 온도의 냉매, 예컨대, 냉각수 또는 갈덴(등록 상표)이 순환 공급되고, 그 냉매의 온도에 의해 탑재대(12), 나아가서는 그 상면에 흡착 유지된 웨이퍼 W의 온도가 제어된다.
탑재대(12) 상면의 웨이퍼 W가 흡착 유지되는 부분(이하, 「흡착면」이라고 함)에는, 웨이퍼 W에 대향하는 복수의 전열 가스 공급 구멍(30)이 개구하고 있다. 이들 전열 가스 공급 구멍(30)은 탑재대(12) 내부에 배치된 전열 가스 공급 라인(31)을 거쳐 전열 가스 공급부(32)에 접속되고, 이 전열 가스 공급부(32)는 전열 가스로서의 헬륨(He) 가스를 전열 가스 공급 구멍(30)을 통해 흡착면과 웨이퍼 W 이면의 간극에 공급한다. 이들 전열 가스 공급 구멍(30), 전열 가스 공급 라인(31) 및 전열 가스 공급부(32)는 전열 가스 공급 장치를 구성한다. 또, 백 사이드 가스의 종류는 헬륨에 한정되는 것은 아니고, 질소(N2), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr), 크세논(Xe) 등의 불활성 가스 또는 산소(O2) 등이더라도 좋다.
또한, 탑재대(12)의 흡착면에는, 탑재대(12)의 상면으로부터 돌출이 자유로운 리프트 핀으로서의 푸셔 핀(33)이 3개 배치되어 있다. 이들 푸셔 핀(33)은 모터(도시 생략)에 볼 나사(도시 생략)를 거쳐 접속되고, 이 볼 나사에 의해 직선 운동으로 변환된 모터의 회전 운동에 기인하여 흡착면으로부터 자유롭게 돌출한다. 웨이퍼 W에 플라즈마 처리를 실시하기 위해 웨이퍼 W를 흡착면에 흡착 유지할 때에는, 푸셔 핀(33)은 탑재대(12)에 수용되고, 플라즈마 처리가 실시된 웨이퍼 W를 챔버(10)로부터 반출할 때에는, 푸셔 핀(33)은 탑재대(12)의 상면으로부터 돌출하여 웨이퍼 W를 탑재대(12)로부터 이간시켜 위쪽으로 들어 올린다.
챔버(10)의 천정부에는, 탑재대(12)와 대향하도록 가스 도입 샤워 헤드(34)(분사 수단)가 배치되어 있다. 가스 도입 샤워 헤드(34)에는 정합기(35)를 거쳐 상부 전극용 고주파 전원(36)이 접속되어 있고, 상부 전극용 고주파 전원(36)은 소정의 고주파 전력을 가스 도입 샤워 헤드(34)에 공급하기 때문에, 가스 도입 샤워 헤드(34)는 상부 전극으로서 기능한다. 또, 정합기(35)의 기능은 상술한 정합기(24)의 기능과 동일하다.
가스 도입 샤워 헤드(34)는 다수의 가스 구멍(37)을 갖는 천정 전극판(38)과, 이 천정 전극판(38)을 착탈 가능하게 지지하는 전극 지지체(39)를 갖는다. 또한, 이 전극 지지체(39)의 내부에는 버퍼실(40)이 마련되고, 이 버퍼실(40)에는 가스 공급 장치(도시 생략)로부터의 가스 도입관(41)이 접속되어 있다. 이 가스 도입관(41)에 있어서 가스 공급 장치와 챔버(10)의 사이에는 배관 인슐레이터(42)가 배치되어 있다. 이 배관 인슐레이터(42)는 절연체로 이루어지며, 가스 도입 샤워 헤드(34)로 공급된 고주파 전력이 가스 도입관(41)을 거쳐 가스 공급 장치로 누설되는 것을 방지한다. 또한, 가스 도입관(41)에 있어서 가스 공급 장치 및 배관 인슐레이터(42)의 사이에는 제어 밸브(44)가 배치되고, 배관 인슐레이터(42) 및 제어밸브(44)의 사이에는 히팅 유닛(43)이 배치되어 있다. 본 실시예에 있어서, 히팅 유닛(43)은 공급된 처리 가스의 온도를 1초 내지 19초 정도의 단시간의 가열로 소정 고온으로 승온하는 것이 바람직하다.
본 실시예에 있어서, 가스 도입 샤워 헤드(34)는 가스 도입관(41)으로부터 버퍼실(40)로 공급된 고온의 처리 가스를 가스 구멍(37)을 경유하여 챔버(10) 내로 공급한다.
또한, 챔버(10)의 측벽에는, 푸셔 핀(33)에 의해 탑재대(12)로부터 위쪽으로 들어 올려진 웨이퍼 W의 높이에 대응하는 위치에 웨이퍼 W의 반출입구(44)가 마련되고, 반출입구(44)에는, 이 반출입구(44)를 개폐하는 상술한 게이트 밸브(6)가 부착되어 있다.
이 P/M(2)의 챔버(10) 내에서는, 상술한 바와 같이, 탑재대(12) 및 가스 도입 샤워 헤드(34)에 고주파 전력을 공급하여, 탑재대(12)와 가스 도입 샤워 헤드(34) 사이의 처리 공간 S에 고주파 전력을 인가함으로써, 그 처리 공간 S에 있어서 가스 도입 샤워 헤드(34)로부터 공급된 처리 가스로부터 고밀도 플라즈마를 발생시키고, 이 플라즈마에 의해 웨이퍼 W에 플라즈마 처리를 실시한다.
구체적으로는, 이 P/M(2)에서는, 웨이퍼 W에 플라즈마 처리를 실시할 때, 우선 게이트 밸브(6)를 열어, 가공 대상 웨이퍼 W를 챔버(10) 내에 반입하고, 또한, 직류 전압을 ESC 전극판(25)에 인가함으로써, 반입된 웨이퍼 W를 탑재대(12)의 흡착면에 흡착 유지한다. 또한, 가스 도입 샤워 헤드(34)로부터 처리 가스(예컨대, 소정 유량 비율의 CF4 가스, O2 가스 및 Ar 가스로 이루어지는 혼합 가스)를 소정의 유량 및 유량비로 챔버(10) 내에 공급함과 아울러, APC 밸브(15) 등에 의해 챔버(10) 내의 압력을 소정값으로 제어한다. 또한, 탑재대(12) 및 가스 도입 샤워 헤드(34)에 의해 챔버(10) 내의 처리 공간 S에 고주파 전력을 인가한다. 이에 따라, 가스 도입 샤워 헤드(34)로부터 도입된 처리 가스를 처리 공간 S에서 플라즈마 로화하고, 이 플라즈마를 포커스 링(27)에 의해 웨이퍼 W의 표면에 수속하여, 웨이퍼 W의 표면을 물리적 또는 화학적으로 에칭한다.
또, 상술한 도 1의 기판 처리 시스템(1)을 구성하는 P/M(2), 대기계 반송 장치(3) 및 LL/M(4)의 각 구성 요소의 동작은, 본 실시예에 따른 기판 처리 방법을 실행하는 프로그램에 따라 기판 처리 시스템(1)이 구비하는 제어 장치로서의 컴퓨터(도시 생략)나, 기판 처리 시스템(1)에 접속된 제어 장치로서의 외부 서버(도시 생략)등에 의해 제어된다.
상술한 기판 처리 시스템(1)에 있어서 LL/M(4)에 접속되는 P/M(2)에서는, 하부 전극으로서의 탑재대(12)가 챔버(10)에 대하여 이동하지 않지만, LL/M(4)에 접속되는 P/M은 이것에 한정되지 않고, 예컨대, 하부 전극이 챔버에 대하여 이동하는 것이라도 좋다.
다음에, 본 발명의 실시예 1에 따른 기판 처리 방법에 대하여 설명한다. 이 기판 처리 방법은 상술한 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 대기계 반송 장치(3) 및 LL/M(4)에 있어서 실행된다.
우선, 대기계 반송 장치(3) 내의 반송 암(52)에 있어서의 픽(54)의 형상에 대하여 도 3을 이용하여 설명한다. 또, 상술한 바와 같이, LL/M(4) 내의 탑재·이송 암(70)에 있어서의 픽(74)의 형상은 픽(54)의 형상과 마찬가지이다.
도 3(a)는 픽(54)에 웨이퍼 W가 탑재된 상태에서의 평면도를 나타내고, 도 3(b)는 픽(54)상에 마련된 후술하는 테이퍼 패드(54a) 부근의 확대 부분 사시도를 나타낸다.
도 3(a)에 나타내는 바와 같이, 픽(54)은 포크 모양의 형상을 나타내고, 웨이퍼 W를 픽(54)의 표면으로부터 소정 간격만큼 이간시켜 유지하는 테이퍼 패드(54a)를 4개 구비한다. 각 테이퍼 패드(54a)는 도 3(b)에 나타내는 바와 같이, 원통형 부재에 끝이 잘린 원추형 부재를 접합한 형상을 나타내고 있다. 4개의 테이퍼 패드(54a)는 픽(54)에 있어서 웨이퍼 W의 바깥 둘레(베벨부)를 따르도록 배치되고, 각 테이퍼 패드(54a)가 끝이 잘린 원추형부에 있어서 웨이퍼 W의 바깥 둘레와 접촉함으로써 픽(54)에 대한 웨이퍼 W의 어긋남을 방지한다.
대기계 반송 장치(3) 내의 반송 암(52) 및 LL/M(4) 내의 탑재·이송 암(70)이 웨이퍼 W를 반송할 때, 상술한 바와 같이, 웨이퍼 W의 바깥 둘레는 각 테이퍼 패드의 끝이 잘린 원추형부와 접촉하기 때문에, 픽의 위, 특히 테이퍼 패드에 이물질이 부착된다. 부착되는 이물질은 웨이퍼 W의 바깥 둘레와 테이퍼 패드의 접촉 마찰에 의해 테이퍼 패드가 마모됨으로써 발생하거나 또는 웨이퍼 W의 바깥 둘레에 부착된 CF계 폴리머가 박리함에 의해 발생하는 것으로 생각된다. 그리고, 테이퍼 패드에 부착된 이물질은 웨이퍼 W의 반송시에 웨이퍼 W를 향하여 비산하여, 웨이퍼 W의 오염 원인으로 된다.
본 실시예에서는, 대기계 반송 장치(3)에 있어서, 가스 공급계(60)에 의해 반송 암(52)에 고온 가스를 분사하는 것에 의해 반송 암(52) 상, 특히 픽(54)의 테이퍼 패드(54a)에 부착된 이물질을 열응력을 이용하여 비산시킴으로써 제거한다. 또한, LL/M(4)에 있어서, 가스 공급계(72)에 의해 탑재·이송 암(70)에 고온의 N2 가스를 분사하는 것에 의해 탑재·이송 암(70) 상, 특히 픽(74)의 테이퍼 패드에 부착된 이물질을 열응력을 이용하여 비산시킴으로써 제거한다. 이에 따라, 웨이퍼 W를 오염시키는 일 없이, 웨이퍼 W의 반송을 행할 수 있다. 이하, 도면을 이용하여 구체적으로 설명한다.
도 4는 열응력을 이용한 테이퍼 패드(54a)로부터의 이물질 제거 방법을 나타내는 공정도이다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 픽(54)의 위 및 테이퍼 패드(54a)에 이물질이 부착된 상태(도 4(a))에 있어서, 고온 가스(도면 중 흰색 화살표로 나타냄)를 픽(54) 및 테이퍼 패드(54a)에 분사하여(도 4(b)), 픽(54)의 위 및 테이퍼 패드(54a)에 부착된 이물질을 고온 가스의 열응력에 의해 비산시킨다(도 4(c)). 이에 따라, 픽(54)의 위 및 테이퍼 패드(54a)에 부착된 이물질을 제거할 수 있다. 또, 픽(74)의 위 및 테이퍼 패드(74a)에 있어서도, 동일한 수법에 의해 이물질을 제거할 수 있다.
종래에는, 예컨대, 테이퍼 패드에 부착된 이물질을 가스를 분사하는 것에 의해 비산시키려고 하면, 테이퍼 패드 표면에 가스의 유속도가 0(zero)인 층(경계층)이 발생하여, 경계층 내부의 이물질에 대하여 가스를 분사할 수 없어 그 이물질을 전부 비산시킬 수 없었다. 이에 대하여, 본 실시예에서는, 고온 가스의 열응력을 이용하여 이물질을 비산시키고 있다. 또한, 분사하는 가스의 압력을 변동시킴으로써 펄스파를 발생시키고, 이 펄스파에 의해 상술한 경계층을 돌파함으로써 이물질을 보다 효과적으로 비산시킬 수도 있기 때문에, 본 실시예에 있어서, 고온 가스의 압력을 변동시키면서 분사하는 것에 의해, 이물질의 제거를 더욱 효율적으로 행할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 고온 가스로서 어떠한 가스를 이용하여도 좋지만, 고온의 산소 가스 또는 산소와 다른 가스 분자를 혼합한 가스, 또는 오존 가스를 이용하여, 플루오르카본계 폴리머를 분해함으로써, 화학적으로 제거 효과를 촉진하더라도 좋다.
종래, 웨이퍼 W의 온도가 낮은 상태로 웨이퍼 W가 P/M으로 반송되어, P/M의 플라즈마 처리가 실행되면, 플라즈마로부터의 유입 열에 의해 웨이퍼 W가 가열되어, 웨이퍼 W의 온도가 변화된다. 플라즈마로부터의 유입 열은 안정하지 않고 웨이퍼 W마다 다르기 때문에, 웨이퍼 W마다 승온 형태가 다르고, 결과적으로 웨이퍼 W마다 플라즈마 처리의 결과가 다르다(프로세스 편차).
이에 대하여, 본 실시예에서는, 반송 공정에 있어서 웨이퍼 W에 고온 가스를 분사할 수 있기 때문에, 웨이퍼 W에 플라즈마 처리가 실시되기 전에, 웨이퍼 W의 온도를 플라즈마로부터의 유입 열에 의해 도달하는 온도로 미리 승온할 수 있어, 상술한 프로세스 편차를 방지할 수 있다. 이 경우, 반송 공정에 있어서 웨이퍼 W의 온도를 플라즈마로부터의 유입 열에 의해 도달하는 온도로 확실히 제어해야 하는 LL/M(4)이나 대기계 반송 장치(3)에 웨이퍼 W의 온도 검지 수단을 마련하더라도 좋고, 승온 시간을 단축하기 위해 상술한 플라즈마로부터의 유입 열에 의해 도달하는 온도에 가까운 온도의 고온 가스를 반송 공정에 있어서 분사하더라도 좋다. 또한, 웨이퍼 W가 P/M(2)의 챔버(10) 내에 반입된 후, 웨이퍼 W에 플라즈마 처리를 실시하기 전에, 가스 도입 샤워 헤드(34)로부터 고온의 처리 가스를 분사하는 것에 의해, 웨이퍼 W의 온도를 플라즈마로부터의 유입 열에 의해 도달하는 온도까지 승온시키더라도 좋다.
또한, 종래에는, 웨이퍼 W의 온도가 낮은 상태로 웨이퍼 W가 P/M(2)의 챔버(10) 내에 반송되고, 또한 챔버(10) 내가 진공 흡입되면, 웨이퍼 W에 흡착되어 있던 수분이 진공 흡입에 의해 웨이퍼 W에 증착하여, 도 5에 나타내는 것 같은 워터마크가 웨이퍼 W에 남는다. 웨이퍼 W의 잔류 수분이 많으면 많을수록, 진공 흡입 후에 워터마크가 많이 남고, 이 워터마크는 웨이퍼 W의 결함이 되기 쉽다. 또한, 웨이퍼 W에 남는 워터마크의 형상은 기판 처리 시스템 전체의 장치 구성에 따라 다르다. 본 실시예에서는, 반송 공정에 있어서 웨이퍼 W에 고온 가스를 분사할 수 있기 때문에, P/M(2)의 챔버(10) 내로의 반입 전에 웨이퍼 W의 온도를 상승시키는 것으로 웨이퍼 W의 잔류 수분을 제거할 수 있어, 웨이퍼 W에 워터마크가 남는 것을 방지할 수 있다. 이 워터 마크는 대기 중에서도 가열함으로써 제거할 수 있지만, 진공 중에서 제거하기 쉽기 때문에, 대기계 반송 장치(3)로 반송되기 전에 제거하는 것이 바람직하다.
또한, 종래, 진공 챔버의 유지 보수(대기 개방) 후의 진공 흡입에서는, 챔버 내벽 등에 부착된 수분의 아웃 가스가 발생하기 때문에, 장시간의 진공 흡입이 필요하다. 본 실시예에서는, 챔버(챔버(71)나 챔버(10)) 내에 고온 가스를 공급할 수 있기 때문에, 챔버의 유지 보수 후, 고온 가스의 공급에 의해 챔버 내벽에 부착되어 있는 수분의 아웃 가스의 발생을 촉진하여, 진공 흡입을 단시간에 행할 수 있 다. 알루미늄 무구 챔버나 세라믹 용사 챔버 등, 내벽 내부로부터의 아웃 가스가 거의 없는 또는 매우 적은 챔버에서는 챔버 내벽에 부착되어 있는 수분이 주된 아웃 가스 발생의 원인이다. 이러한 챔버에 상술한 수법을 적용하면, 진공 흡입의 시간 단축에 매우 효과적이다. 고온 가스의 공급 방법은 임의이지만, 진공 흡입을 행하면서 고온 가스를 공급하면, 효율적으로 수분의 아웃 가스의 발생을 촉진할 수 있다. 또한, 수분과의 반응성을 높이기 위해 고온 가스의 압력을 변동시켜도 좋고, 고온 가스 중에 수분과의 반응성이 높은 가스를 혼합시켜도 좋다. 수분과의 반응성이 높은 가스는, HCl, BCl3, NOCl, COCl2, COF2, B2H8, Cl2, F2, SOBr2, 디클로로프로판, 디메틸프로판, 디브로모프로판, 트리메틸디클로로실란, 디메틸디클로로실란, 모노메틸트리클로로실란, 테트라클로로실란 등이다.
다음에, 본 발명의 실시예 2에 따른 기판 처리 방법에 대하여 설명한다. 이 기판 처리 방법은 상술한 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 P/M(2)에서 실행된다.
본 실시예에서는, P/M(2)에 있어서, 가스 도입 샤워 헤드(34)에 의해 웨이퍼 W의 표면에 고온 가스를 분사하는 것에 의해 웨이퍼 W의 표면에 부착된 이물질을 열응력을 이용하여 비산시킨다. 또한, 전열 가스 공급부(32)에 의해 웨이퍼 W의 이면에 고온의 전열 가스를 분사하는 것에 의해 웨이퍼 W의 이면에 부착된 이물질을 열응력을 이용하여 비산시켜도 좋다.
종래, 플라즈마 처리 후의 웨이퍼 W상에 부식성 흡착 분자가 부착된 상태로 P/M(2)의 챔버(10)로부터 웨이퍼 W가 반출되면, 웨이퍼 W로부터 증발한 흡착 분자 에 의해 기판 처리 시스템(1)이 부식되어 버리는 일이 있었다. 본 실시예에서는, 플라즈마 처리 후에 웨이퍼 W의 표면에 대면한 위치의 가스 도입 샤워 헤드(34)로부터 웨이퍼 W를 향하여 고온 가스를 분사하는 것으로 웨이퍼 W를 가열하여, 웨이퍼 W의 온도를 상승시킴으로써 웨이퍼 W상의 흡착 분자를 제거할 수 있다. 또한, 플라즈마 처리 후에 웨이퍼 W의 이면에 대향하는 전열 가스 공급 구멍(30)으로부터 웨이퍼 W를 향하여 고온의 전열 가스를 분사함으로써 웨이퍼 W를 가열하여, 웨이퍼 W의 온도를 상승시키는 것에 의해 웨이퍼 W상의 흡착 분자를 제거할 수도 있다. 이하, 도면을 이용하여 구체적으로 설명한다.
도 6은 열응력을 이용한 웨이퍼 W상의 흡착 분자의 제거 방법을 나타내는 공정도이다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 W의 표면에 흡착 분자가 부착된 상태(도 6(a))에서, 고온 가스(도면 중 흰 화살표로 나타냄)를 웨이퍼 W의 표면에 분사하여(도 6(b)), 웨이퍼 W의 온도를 상승시킴으로써 웨이퍼 W의 표면에 부착된 흡착 분자를 열응력에 의해 그 표면으로부터 비산시킨다(도 6(c)). 이에 따라, 플라즈마 처리 후 웨이퍼 W에 부착된 흡착 분자를 제거할 수 있다. 또, 웨이퍼 W의 이면에 부착된 흡착 분자에 있어서도, 마찬가지로 제거할 수 있다.
또한, 본 실시예에 있어서, 분사하는 고온 가스의 압력을 변동시켜 펄스파를 발생시킴으로써, 흡착 분자의 제거를 효율 좋게 행할 수 있다.
상술한 바와 같이, 웨이퍼 W의 온도가 낮은 상태에서 웨이퍼 W에 P/M(2)의 플라즈마 처리가 실행되면, 웨이퍼 W마다 플라즈마 처리의 결과가 다르다. 이에 대하여, 본 실시예에서는, P/M(2)의 챔버(10) 내에서 웨이퍼 W에 플라즈마 처리를 실시하기 전에, 가스 도입 샤워 헤드(34)로부터 고온 가스를 분사하여도 좋다. 이에 따라, 웨이퍼 W의 온도를 플라즈마로부터의 유입 열에 의해 도달하는 온도로 미리 승온할 수 있어, 상술한 프로세스 편차를 방지할 수 있다. 또한, 플라즈마 처리를 실시하기 전에, 웨이퍼 W의 이면에 대향하는 전열 가스 공급 구멍(30)으로부터 웨이퍼 W를 향하여 고온의 전열 가스를 분사하여도 좋고, 이것에 의해서도, 프로세스 편차를 방지할 수 있다.
또한, 본 실시예에서도, 웨이퍼 W에 워터마크가 남는 것을 방지할 수 있고, 더욱이, 챔버(10)의 내벽에 부착되어 있는 수분의 아웃 가스의 발생을 촉진하여, 진공 흡입을 단시간에 행할 수 있다.
또한, 본 발명의 목적은 상술한 각 실시예의 기능을 실현하는 소프트웨어의 프로그램 코드를 기억한 기억 매체를 시스템 또는 장치에 공급하고, 그 시스템 또는 장치의 컴퓨터(또는 CPU나 MPU 등)가 기억 매체에 저장한 프로그램 코드를 판독하여 실행함으로써도 달성된다.
이 경우, 기억 매체로부터 판독된 프로그램 코드 자체가 상술한 각 실시예의 기능을 실현하는 것이 되고, 그 프로그램 코드 및 그 프로그램 코드를 기억한 기억 매체는 본 발명을 구성하는 것이 된다.
또한, 프로그램 코드를 공급하기 위한 기억 매체로는, 예컨대, 플로피(등록 상표) 디스크, 하드디스크, 광 자기 디스크, CD-ROM, CD-R, CD-RW, DVD-ROM, DVD-RAM, DVD-RW, DVD+RW 등의 광 디스크, 자기 테이프, 비휘발성 메모리 카드, ROM 등 을 이용할 수 있다. 또는, 프로그램 코드를 네트워크를 통해 다운로드하여도 좋다.
또한, 컴퓨터가 판독한 프로그램 코드를 실행함으로써, 상술한 각 실시예의 기능이 실현될 뿐만 아니라, 그 프로그램 코드의 지시에 근거하여, 컴퓨터상에서 가동되고 있는 0S(Operating System) 등이 실제 처리의 일부 또는 전부를 행하고, 그 처리에 의해 상술한 각 실시예의 기능이 실현되는 경우도 포함된다.
또한, 기억 매체로부터 판독된 프로그램 코드가, 컴퓨터에 삽입된 기능 확장 보드나 컴퓨터에 접속된 기능 확장 유닛에 구비되는 메모리에 기입된 후, 그 프로그램 코드의 지시에 근거하여, 그 확장 기능을 확장 보드나 확장 유닛에 구비되는 CPU 등이 실제 처리의 일부 또는 전부를 행하고, 그 처리에 의해 상술한 각 실시예의 기능이 실현되는 경우도 포함된다.
상기 프로그램 코드의 형태는 오브젝트 코드, 인터프리터에 의해 실행되는 프로그램 코드, 0S에 공급되는 스크립트 데이터 등의 형태로 이루어져도 좋다.
제 1 측면에 따른 기판 처리 방법, 제 9 측면에 따른 기판 처리 시스템 및 제 10 측면에 따른 기억 매체에 의하면, 반송 수단에 고온 가스를 분사하기 때문에, 반송 수단에 부착된 이물질을 비산시킴으로써, 반송 수단의 오염을 방지할 수 있고, 또한, 그 반송 수단이 반송하는 기판에 오염이 비산하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 반송 수단에 의해 반송되고 있는 기판에 고온 가스를 분사하기 때문에, 기판에 부착된 이물질을 비산시킴으로써, 기판의 오염을 방지할 수 있다. 따라서, 기판 반송 장치의 가동을 정지하는 일 없이, 기판 반송 장치가 반송하는 기판의 오염을 방지할 수 있고, 또한, 스루풋을 저하시키는 일 없이 양품률을 높일 수 있다.
제 2 측면에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 반송 수단에 의한 기판의 반송 전에, 반송 수단에 고온 가스를 분사하기 때문에, 반송 수단에 부착된 이물질을 비산시킬 수 있어, 반송 수단이 반송하는 기판의 오염을 확실히 방지할 수 있다.
제 3 측면에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 반송 수단 및 그 반송 수단에 의해 반송되고 있는 기판의 적어도 한쪽에 부착된 이물질에 대하여 열응력을 발생시키기 때문에, 그 열응력에 의해 이물질을 비산시킬 수 있고, 또한, 반송 수단 및 그 반송 수단이 반송하는 기판의 오염을 방지할 수 있다.
제 4 측면에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 반송 수단이 갖는, 기판과 접촉하는 접촉부를 향하여 고온 가스를 분사하기 때문에, 기판과 접촉부가 접촉함으로써 발생한 이물질을 비산시킬 수 있고, 또한, 반송 수단의 오염을 확실히 방지할 수 있다.
제 5 측면에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 반송 수단에 의한 기판의 기판 처리 장치로의 반송 전에, 기판에 고온 가스를 분사하기 때문에, 기판의 온도를 미리 기판 처리 장치에 있어서 승온되는 온도로 상승시킬 수 있고, 또한, 기판 처리 장치 내에서의 기판의 승온 형태를 동일하게 할 수 있다. 이에 따라, 기판마다의 처리 결과를 균일하게 할 수 있어, 양품률을 높일 수 있다.
제 6 측면에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 수분이 부착된 기판의 면을 향 하여 고온 가스를 분사하기 때문에, 기판의 면에 부착된 수분을 증발시킬 수 있고, 또한, 기판의 오염을 방지할 수 있다.
제 7 측면에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 기판 처리 장치가 갖는, 기판을 수용하는 처리실 내를 향하여 고온 가스를 분사하기 때문에, 처리실 내에 부착된 수분의 아웃 가스의 발생을 촉진할 수 있고, 또한, 스루풋을 향상시킬 수 있다.
제 8 측면에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 기판 처리 장치가 갖는 처리실 내에 수용된 면에 흡착 분자가 부착된 기판의 면을 향하여 고온 가스를 분사하기 때문에, 처리실 내에서 기판의 면에 부착된 흡착 분자를 비산시킬 수 있고, 또한, 처리실 밖에 있어서의 그 흡착 분자의 비산에 기인하는 부식을 방지할 수 있어, 시스템의 부식을 방지할 수 있다.

Claims (10)

  1. 적어도, 기판을 처리하는 기판 처리 장치와, 상기 기판을 반송하는 반송 수단을 갖는 기판 반송 장치를 구비한 기판 처리 시스템의 기판 처리 방법에 있어서,
    상기 반송 수단 및 그 반송 수단에 의해 반송되고 있는 기판의 적어도 한쪽에 고온 가스를 분사하는 분사 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 분사 단계는 상기 반송 수단에 의한 상기 기판의 반송 전에, 상기 반송 수단에 고온 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 고온 가스는 상기 반송 수단 및 그 반송 수단에 의해 반송되고 있는 기판의 적어도 한쪽에 부착된 이물에 대하여 열응력을 발생시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 반송 수단은 상기 기판과 접촉하는 접촉부를 갖고,
    상기 분사 단계는 상기 접촉부를 향하여 상기 고온 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 분사 단계는 상기 반송 수단에 의한 상기 기판의 상기 기판 처리 장치로의 반송 전에, 상기 기판에 고온 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 기판의 면에는 수분이 부착되고,
    상기 분사 단계는 상기 기판의 면을 향하여 상기 고온 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는 상기 기판을 수용하는 처리실을 갖고,
    상기 분사 단계는 상기 처리실 내를 향하여 상기 고온 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는 상기 기판을 수용하는 처리실을 갖고,
    상기 기판의 면에는 흡착 분자가 부착되며,
    상기 분사 단계는 상기 처리실 내에 수용된 상기 기판의 면을 향하여 상기 고온 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  9. 적어도, 기판을 처리하는 기판 처리 장치와, 상기 기판을 반송하는 반송 수단을 갖는 기판 반송 장치를 구비한 기판 처리 시스템에 있어서,
    상기 기판 반송 장치는 상기 반송 수단 및 그 반송 수단에 의해 반송되고 있는 기판의 적어도 한쪽에 고온 가스를 분사하는 분사 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  10. 적어도, 기판을 처리하는 기판 처리 장치와, 상기 기판을 반송하는 반송 수 단을 갖는 기판 반송 장치를 구비한 기판 처리 시스템의 기판 처리 방법을 컴퓨터에게 실행시키는 프로그램을 저장하는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체에 있어서,
    상기 반송 수단과 그 반송 수단에 의해 반송되고 있는 기판의 적어도 한쪽에 고온 가스를 분사하는 분사 모듈을 갖는 것을 특징으로 하는 기억 매체.
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