KR20100044960A - Substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A substrate processing apparatus is provided to rotate a sub-substrate holder of a substrate settling part without using a separate rotation device by including a rotation controlling part which is fixed to a chamber in the center of the substrate settling part. CONSTITUTION: A substrate settling part(2000) is located in a chamber(1000). A main disk(2100) is located inside the chamber. The substrate settling part includes a plurality of sub-substrate holders. A disc revolution controlling part rotates the main disc of the substrate settling part. A rotation controlling part(4000) controls the rotation of the sub-substrate holder of the substrate settling part. The rotation controlling part comprises a fixing plate part(4100) fixed to the upper region of the chamber, a gear part(4300) for rotation, and a fixed shaft part(4200). The gear part for rotation is prepared in the end part of the fixed shaft.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}[0001] SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS [0002]

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 메인 디스크와 서브 디스크의 공자전을 통해 복수 기판 처리시 균일성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus capable of improving uniformity in processing a plurality of substrates through the co-rotation of the main disk and the sub disk.

종래의 기판 처리 장치는 다수의 기판(약 3~10개)을 동시에 처리하는 세미 배치 타입을 사용하고 있다. 세미 배치 타입의 기판 처리 장치는 다수의 기판을 동시에 처리하는 장치이다. 예를 들어 다수의 기판 각각에 동시에 박막을 증착하거나, 식각을 수행할 수 있다. The conventional substrate processing apparatus uses the semi-batch type which processes many board | substrates (about 3-10 pieces) simultaneously. The semi-batch type substrate processing apparatus is an apparatus which processes several board | substrates simultaneously. For example, a thin film may be simultaneously deposited or etched on each of a plurality of substrates.

하기에서는 박막 증착을 중심으로 설명한다. Hereinafter, the thin film deposition will be described.

세미 배치 타입의 기판 처리 장치의 경우, 대형의 메인 디스크 상측에 복수의 기판을 배치한다. 이후, 챔버의 반응 공간 내에 원료를 공급하여 기판 상에 박막을 증착한다. In the case of the semi-batch type substrate processing apparatus, a plurality of substrates are arranged above the large main disk. Thereafter, a raw material is supplied into the reaction space of the chamber to deposit a thin film on the substrate.

이러한 세미 배치 타입의 기판 처리 장치는 기판에 증착되는 박막의 두께 균 일도가 저하되는 단점이 있다. 이는 메인 디스크의 전면에 원료가 균일하게 제공되지 않고, 메인 디스크의 중심 영역에 원료가 집중되기 때문이다. 즉, 증착 공정을 통해 증착된 박막의 두께가 기판의 위치에 따라 다르기 때문이다. 예를 들어, 메인 디스크의 중심에 인접한 기판 영역의 박막 두께가 메인 디스크의 가장자리에 인접한 기판 영역의 박막 두께 보다 더 두껍게 된다. Such a semi-batch type substrate processing apparatus has a disadvantage in that the thickness uniformity of the thin film deposited on the substrate is reduced. This is because the raw material is not uniformly provided on the front surface of the main disk, and the raw material is concentrated in the central region of the main disk. That is, the thickness of the thin film deposited through the deposition process is different depending on the position of the substrate. For example, the thin film thickness of the substrate region adjacent to the center of the main disk is thicker than the thin film thickness of the substrate region adjacent to the edge of the main disk.

이와 같은 박막 두께의 불균일로 인해 단일 기판 상에 제작된 소자의 전기적 특성 편차가 커지고, 수율이 저하되는 문제가 발생한다. Due to the non-uniformity of the thin film thickness, the variation of the electrical characteristics of the device fabricated on a single substrate is increased, the problem is that the yield is lowered.

이에 최근에는 메인 디스크를 회전시키고, 이와 동시에 메인 디스크 상의 기판을 회전시켜 기판 상의 박막 두께를 균일하게 하는 기술이 제안되었다. 이러한 기술로는 메인 디스크를 구동축으로 공전시키고, 가스 분사를 통해 기판을 자전시켰다. 이경우, 기판의 회전수 조절이 용이하지 않고, 퍼지 가스에 의해 공정 가스(원료)가 희석되는 문제가 있다. In recent years, a technique has been proposed to rotate the main disk and at the same time rotate the substrate on the main disk to make the thickness of the thin film on the substrate uniform. This technique revolves the main disk around the drive shaft and rotates the substrate through gas injection. In this case, the rotation speed of the substrate is not easily adjusted, and there is a problem in that the process gas (raw material) is diluted by the purge gas.

상술한 바와 같은 문제를 해결하기 위해 다층으로 제작된 메인 디스크 내측에 서브 디스크와 고정축을 배치시켜 기판의 회전수 조절이 용이하고, 회전 마찰력을 줄일 수 있고, 파티클 발생을 줄일 수 있으며, 또한, 측면 배기 링을 통해 공정 가스를 배기함으로 인해 복수 기판 처리시 균일성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다. In order to solve the problems described above, by placing the sub-disk and the fixed shaft inside the main disk made of a multi-layer, the rotational speed of the substrate can be easily adjusted, the rotational friction can be reduced, the particle generation can be reduced, and the side Provided is a substrate processing apparatus capable of improving uniformity in processing a plurality of substrates by evacuating the process gas through the exhaust ring.

본 발명에 따른 챔버와, 상기 챔버 내측에 위치하고 공전하는 메인 디스크와 상기 메인 디스크에 배치되어 자전하는 복수의 서브 기판 홀더를 구비하는 기판 안치부와, 상기 기판 안치부의 상기 메인 디스크를 회전시키는 디스크 공전 제어부 및 상기 챔버에 고정되고 상기 기판 안치부의 상기 복수의 서브 기판 홀더의 자전을 제어하는 자전 제어부를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다. A substrate mounting portion including a chamber according to the present invention, a main disk positioned and revolving inside the chamber, and a plurality of sub-substrate holders disposed on the main disk to rotate, and a disk revolution rotating the main disk of the substrate mounting portion. It provides a substrate processing apparatus including a control unit and a rotation control unit which is fixed to the chamber and controls the rotation of the plurality of sub-substrate holder of the substrate mounting portion.

상기 자전 제어부는, 상기 챔버의 상측 영역에 고정되는 고정 판부와, 상기 고정 판부에서 상기 기판 안치부 방향으로 연장된 고정 축부와, 상기 고정 축부의 끝단에 마련된 자전용 기어부를 포함하는 것이 바람직하다.The rotation control unit preferably includes a fixed plate portion fixed to an upper region of the chamber, a fixed shaft portion extending from the fixed plate portion toward the substrate settlement portion, and a magnetic gear portion provided at an end of the fixed shaft portion.

상기 고정 판부는 챔버 상측 영역에 위치하는 고정 몸체와, 상기 고정 몸체의 회전을 고정하는 고정부를 구비하는 것이 효과적이다.The fixing plate portion is effective to have a fixing body located in the upper region of the chamber, and a fixing portion for fixing the rotation of the fixing body.

상기 복수의 서브 기판 홀더 각각은 기판이 안치되는 기판 안치부와, 상기 자전용 기어부와 결합된 홀더용 기어부를 포함하고, 상기 자전용 기어부와 상기 홀더용 기어부간의 기어비를 조절하여 상기 서브 기판 홀더의 자전 속도를 제어하는 것이 바람직하다. Each of the plurality of sub-substrate holders includes a substrate mounting portion on which a substrate is placed, and a holder gear portion coupled to the magnetic gear portion, and adjusts the gear ratio between the magnetic gear portion and the holder gear portion to adjust the sub-substrate. It is desirable to control the rotation speed of the substrate holder.

상기 메인 디스크의 중심에 상기 자전 제어부가 배치되고, 상기 중심을 기준으로 방사상으로 상기 복수의 서브 기판 홀더가 배치되며, 상기 메인 디스크는 상기 자전 제어부와 상기 복수의 서브 기판 홀더를 수납하는 수납 공간을 구비하는 몸체와, 상기 서브 기판 홀더의 기판 안치부를 제외한 나머지 영역을 커버하는 커버부를 구비하는 것이 바람직하다.The rotation control unit is disposed at the center of the main disk, and the plurality of sub substrate holders are disposed radially with respect to the center, and the main disk has an accommodation space for accommodating the rotation control unit and the plurality of sub substrate holders. It is preferable to have a body to be provided and a cover portion for covering the remaining area except for the substrate settled portion of the sub substrate holder.

상기 서브 기판 홀더의 하측 중심에 회전홈이 마련되고, 상기 메인 디스크 상측 표면에는 상기 회전홈에 대응하는 회전 중심 돌기가 마련되거나, 상기 서브 기판 홀더의 하측 중심에 상기 회전 중심 돌기가 마련되고, 상기 메인 디스크 상측 표면에 상기 회전 중심 돌기에 대응하는 회전홈이 마련될 수 있다.A rotation groove is provided at a lower center of the sub substrate holder, and a rotation center projection corresponding to the rotation groove is provided at an upper surface of the main disk, or the rotation center projection is provided at a lower center of the sub substrate holder. Rotating grooves corresponding to the rotation center protrusion may be provided on the upper surface of the main disk.

상기 자전 제어부를 통해 상기 메인 디스크와 상기 서브 기판 홀더 사이에 부상(浮上) 가스를 제공하는 부상 가스 공급부를 더 포함하는 것이 효과적이다.It is effective to further include a floating gas supply unit for providing a floating gas between the main disk and the sub-substrate holder through the rotating control unit.

상기 메인 디스크와 상기 서브 기판 홀더 사이에 부상(浮上) 가스를 배기하 는 부상 가스 배기유로를 더 포함하는 것이 효과적이다.It is effective to further include a floating gas exhaust passage for exhausting the floating gas between the main disk and the sub substrate holder.

상기 부상 가스 공급 유로는 상기 부상 가스가 저장된 부상 가스 저장부를 구비하고, 상기 메인 디스크 내측에 마련되어 상기 메인 디스크와 상기 서브 기판 홀더 사이 영역으로 부상 가스를 공급하는 부상 가스 분배 유로와, 상기 부상 가스 분배 유로와 연통되고, 상기 자전 제어부 내측에 마련되어 부상 가스 저장부의 부상 가스를 상기 부상 가스 분배 유로에 제공하는 부상 가스 공급 유로를 포함하는 것이 바람직하다.The floating gas supply passage includes a floating gas storage unit in which the floating gas is stored, and is provided inside the main disk to supply the floating gas to an area between the main disk and the sub-substrate holder, and the floating gas distribution. It is preferable to include a floating gas supply flow path which is in communication with the flow path and is provided inside the rotation control unit and provides the floating gas in the floating gas storage portion to the floating gas distribution flow path.

상기 부상 가스 분배 유로와 부상 가스 공급 유로가 연통 되도록 상기 자전 제어부와 상기 메인 디스크가 밀착 배치되고, 밀착면 사이에 실링 부재가 마련될 수 있다.The rotating control unit and the main disk may be in close contact with each other so that the floating gas distribution passage and the floating gas supply passage may communicate with each other, and a sealing member may be provided between the adhesion surfaces.

상기 메인 디스크는 순차적으로 적층된 제 1 디스크 몸체와 제 2 디스크 몸체를 구비하고, 상기 부상 가스 분배 유로는 상기 제 2 디스크 몸체의 중심에 마련된 입력 유로와, 상기 입력 유로에서 각 서브 기판 홀더 방향으로 연장된 방사상 연장 유로와, 상기 방사상 연장 유로에 연통되도록 상기 제 2 디스크 몸체를 관통하여 마련된 부상 가스 분사홀을 구비하고, 상기 방사상 연장 유로는 상기 제 1 및 제 2 디스크 몸체의 경계면 영역에 마련될 수 있다.The main disk includes a first disk body and a second disk body which are sequentially stacked, and the floating gas distribution flow path includes an input flow path provided in the center of the second disk body, and the input flow path toward each sub-substrate holder. An extended radially extending passage and a floating gas injection hole provided through the second disc body so as to communicate with the radially extending passage, wherein the radially extending passage is provided at an interface between the first and second disc bodies. Can be.

상기 서브 기판 홀더에 대응하는 상기 제 2 디스크 몸체 영역에 링 형상으로 리세스된 부상홈을 포함하고, 상기 부상 가스 분배 유로는 상기 부상홈으로 상기 부상 가스를 분사하는 것이 효과적이다.And a floating groove recessed in a ring shape in the second disk body region corresponding to the sub-substrate holder, wherein the floating gas distribution flow path effectively sprays the floating gas into the floating groove.

상기 자전 제어부를 통해 상기 서브 기판 홀더 상측 영역에 퍼지 가스를 분 사하는 퍼지 가스 공급부를 더 포함하는 것이 바람직하다.Preferably, the apparatus further includes a purge gas supply unit configured to spray purge gas into an upper region of the sub substrate holder through the rotating controller.

상기 서브 기판 홀더 상에 위치하여 공정 가스를 분사하는 가스 분사부를 구비하는 공정 가스 공급부를 더 포함하는 것이 효과적이다.It is effective to further include a process gas supply unit provided on the sub substrate holder and having a gas injection unit for injecting a process gas.

상기 챔버의 일측에 기판 출입구가 마련되고, 상기 기판 안치부와 상기 가스 분사부 사이 공간의 측면 영역에 링 형태로 배치된 복수의 배기링부를 포함하고, 상기 복수의 배기링부 중 상기 기판 출입구에 대응하는 배기링부는 승하강하고, 나머지 배기링부는 고정될 수 있다.A substrate entrance is provided at one side of the chamber, and includes a plurality of exhaust ring portions arranged in a ring shape in a side region of the space between the substrate settlement portion and the gas ejection portion, and corresponds to the substrate entrances of the plurality of exhaust ring portions. The exhaust ring part is raised and lowered, and the remaining exhaust ring part may be fixed.

또한, 본 발명에 따른 챔버와, 상기 챔버의 일측에 마련된 기판 출입구와, 상기 챔버 내측에 위치하여 적어도 하나의 기판을 안치하는 기판 안치부와, 상기 기판에 공정 가스를 분사하는 가스 분사부 및 상기 기판 안치부와 상기 가스 분사부 사이 공간의 측면 영역에 링 형태로 배치된 복수의 배기링부를 포함하고, 상기 복수의 배기링부 중 기판 출입구에 대응하는 배기링부는 승하강하고, 나머지 배기링부는 고정된 기판 처리 장치를 제공한다.In addition, a chamber according to the present invention, a substrate entrance provided at one side of the chamber, a substrate setter positioned inside the chamber to hold at least one substrate, a gas injector for injecting a process gas into the substrate, and the A plurality of exhaust rings disposed in a ring shape in a side region of the space between the substrate settling portion and the gas injector, wherein an exhaust ring portion corresponding to the substrate entrance and exit is lifted and the remaining exhaust ring portions are fixed; Provided is a substrate processing apparatus.

상기 복수의 배기링부는 상기 기판 안치부와 상기 가스 분사부 사이 공간의 측면 영역에 마련된 측면 배기부와, 상기 측면 배기부를 지지 고정하는 고정부 그리고, 상기 측면 배기부에 연결된 배기 펌프를 구비하고, 상기 기판 출입구에 대응하는 배기링부는 상기 측면 배기부를 승하강시키는 승하강 수단과, 상기 배기 펌프와 측면 배기부 간을 연결하기 위한 배기 연결 유로를 구비하는 것이 효과적이다.The plurality of exhaust ring portions include a side exhaust portion provided in a side region of the space between the substrate settlement portion and the gas injection portion, a fixing portion for supporting and fixing the side exhaust portion, and an exhaust pump connected to the side exhaust portion, It is effective that the exhaust ring portion corresponding to the substrate entrance and exit includes an elevating means for elevating the side exhaust portion and an exhaust connection flow path for connecting between the exhaust pump and the side exhaust portion.

상기 승하강 수단은 승하강력을 생성하는 스테이지부와, 상기 스테이지부와 측면 배기부 간을 연결하는 연결 핀부를 구비하고, 상기 배기 연결 유로는 상기 측 면 배기부와 상기 스테이지부 사이에 마련된 고정 배기 유로와 상기 고정 배기 유로와 상기 배기 펌프간을 연결하는 가변 배기 유로를 구비하는 것이 바람직하다.The elevating means includes a stage portion for generating an elevating force, and a connecting pin portion for connecting the stage portion and the side exhaust portion, wherein the exhaust connection flow path is a fixed exhaust provided between the side exhaust portion and the stage portion. It is preferable to have a variable exhaust flow path connecting the flow path, the fixed exhaust flow path and the exhaust pump.

상술한 바와 같이 본 발명은 기판 안치부의 중심 상에 챔버에 고정된 자전 제어부를 두어 별도의 회전 수단을 사용하지 않고도 기판 안치부의 서브 기판 홀더를 자전시킬 수 있다. As described above, the present invention can rotate the sub-substrate holder of the substrate settle without using a separate rotating means by placing a rotating control unit fixed to the chamber on the center of the substrate settled portion.

또한, 본 발명은 기판 안치부의 메인 디스크와 서브 기판 홀더 사이에 부상 가스를 분사하여 둘 사이의 접촉 저항을 줄일 수 있다. In addition, the present invention can reduce the contact resistance between the two by injecting a floating gas between the main disk and the sub-substrate holder of the substrate mounting portion.

또한, 본 발명은 기판 안치부의 측면으로 공정 가스를 배기하여 기판 상에 증착되는 박막 균일도를 증대시킬 수 있다. In addition, the present invention can increase the uniformity of the thin film deposited on the substrate by exhausting the process gas to the side of the substrate mounting portion.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention in more detail. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and to those skilled in the art to fully understand the scope of the invention. It is provided to inform you. Like numbers refer to like elements in the figures.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다. 도 2는 제 1 실시예에 따른 기판 안치부의 영역의 평면도이다. 도 3은 제 1 실시예에 따른 기판 안치부 일부 영역의 단면 확대도이다. 도 4는 제 1 실시예의 변형예에 따른 기판 안치부 일부 영역의 단면 확대도이고, 도 5는 제 1 실시예의 변형예에 따른 기판 안치부 영역의 평면도이다. 도 6은 제 1 실시예에 따른 자전 제어부 일부 영역의 단면 확대도이다. 1 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. 2 is a plan view of a region of the substrate settled portion according to the first embodiment. 3 is an enlarged cross-sectional view of a portion of the substrate settled portion according to the first embodiment. 4 is an enlarged cross-sectional view of a portion of the substrate settled portion according to the modification of the first embodiment, and FIG. 5 is a plan view of the substrate settled region according to the modification of the first embodiment. 6 is an enlarged cross-sectional view of a partial region of the rotating controller according to the first embodiment.

도 1 내지 도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 기판 처리 장치는 반응 공간을 갖는 챔버(1000)와, 챔버(1000) 내측에 위치하여 메인 디스크(2100)와 그 상측에 배치된 복수의 서브 기판 홀더(2200)를 구비하는 기판 안치부(2000)와, 상기 기판 안치부(2000)의 메인 디스크(2100)를 회전시키는 디스크 공전 제어부(3000)와, 상기 기판 안치부(2000)의 서브 기판 홀더(2200)의 자전을 제어하는 자전 제어부(4000)와, 서브 기판 홀더(2200) 상의 기판(10)에 공정 가스를 제공하는 공정 가스 공급부(5000)를 구비한다. 또한, 기판 처리 장치는 도시된 바와 같이 자전 제어부(4000)를 통해 서브 기판 홀더(2200)와 공정 가스 공급부(5000) 사이 영역에 퍼지 가스를 공급하는 퍼지 가스 공급부(7000)와, 상기 자전 제어부(4000)를 통해 서브 기판 홀더(2200)와 메인 디스크(2100) 사이 공간에 부상(浮上) 가스를 공급하는 부상 가스 공급부(6000)와, 챔버(1000)내의 가스를 배기하는 배기부(8000)를 더 구비한다. 1 to 6, the substrate processing apparatus according to the present exemplary embodiment includes a chamber 1000 having a reaction space, a main disk 2100 disposed in the chamber 1000, and a plurality of subs disposed above the main disk 2100. A substrate holder 2000 having a substrate holder 2200, a disk revolving controller 3000 for rotating the main disk 2100 of the substrate holder 2000, and a sub-substrate of the substrate holder 2000. A rotation control unit 4000 for controlling the rotation of the holder 2200 and a process gas supply unit 5000 for providing a process gas to the substrate 10 on the sub-substrate holder 2200 are provided. In addition, the substrate processing apparatus includes a purge gas supply unit 7000 for supplying purge gas to a region between the sub substrate holder 2200 and the process gas supply unit 5000 through the rotation control unit 4000, and the rotation control unit ( The floating gas supply unit 6000 for supplying the floating gas to the space between the sub-substrate holder 2200 and the main disk 2100 through the 4000, and the exhaust unit 8000 for exhausting the gas in the chamber 1000. It is further provided.

챔버(1000)는 하부 챔버 몸체(1200)와 하부 챔버 몸체(1200)를 덮는 챔버 리드(1100)를 구비한다. 하부 챔버 몸체(1200)는 상측이 개방된 통 형상으로 제작된다. 그리고, 챔버 리드(1100)는 상기 통을 덮는 대략 판 형상으로 제작된다. 하부 챔버 몸체(1200)와 챔버 리드(1100)는 탈착 가능하게 결합된다. 그리고, 도시되지 않았지만, 하부 챔버 몸체(1200)의 일측에는 기판(10)이 출입하는 출입구가 마련된다. 여기서, 출입구는 별도의 이송 챔버에 접속될 수도 있다. 또한, 챔버(1000)는 반응 공간의 압력을 조절하기 위한 별도의 압력 조절 수단을 더 구비할 수도 있다. 또한, 반응성 향상을 위해 챔버(1000) 내부를 가열하기 위한 가열 수단 및 챔버(1000) 내부를 냉각하기 위한 냉각 수단과 같은 온도 조절 수단을 더 구비할 수 있다. The chamber 1000 includes a lower chamber body 1200 and a chamber lid 1100 covering the lower chamber body 1200. The lower chamber body 1200 is manufactured in a cylindrical shape with an open upper side. And the chamber lid 1100 is manufactured in the substantially plate shape which covers the said cylinder. The lower chamber body 1200 and the chamber lid 1100 are detachably coupled. And, although not shown, an entrance through which the substrate 10 enters and exits is provided at one side of the lower chamber body 1200. Here, the entrance and exit may be connected to a separate transfer chamber. In addition, the chamber 1000 may further include a separate pressure adjusting means for adjusting the pressure of the reaction space. In addition, temperature control means such as heating means for heating the inside of the chamber 1000 and cooling means for cooling the inside of the chamber 1000 may be further provided to improve reactivity.

기판 안치부(2000)는 각기 기판(10)이 안치되는 복수의 서브 기판 홀더(2200)와, 복수의 서브 기판 홀더(2200)가 배치된 메인 디스크(2100)를 포함한다. The substrate setter 2000 includes a plurality of sub substrate holders 2200 on which the substrate 10 is placed, and a main disk 2100 on which the plurality of sub substrate holders 2200 are disposed.

메인 디스크(2100)는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 원형 판 형상으로 제작되는 것이 바람직하다. 메인 디스크(2100)의 상측 영역에는 도 2에 도시된 바와 같이 6개의 서브 기판 홀더(2200)가 마련된다. 서브 기판 홀더(2200)들은 메인 디스크(2100)의 중심점을 기준으로 방사상으로 배치된다. 그리고, 상기 서브 기판 홀더(2200)가 배치되지 않는 메인 디스크(2100)의 중심 영역에는 자전 제어부(4000)가 배치된다. The main disk 2100 is preferably manufactured in a circular plate shape as shown in FIGS. 1 and 2. Six sub-substrate holders 2200 are provided in an upper region of the main disk 2100 as shown in FIG. 2. The sub substrate holders 2200 are disposed radially with respect to the center point of the main disk 2100. In addition, the rotation controller 4000 is disposed in the center area of the main disk 2100 where the sub-substrate holder 2200 is not disposed.

메인 디스크(2100)는 제 1 디스크 몸체(2110)와, 제 2 디스크 몸체(2120) 그리고, 커버 몸체(2130)를 구비한다. The main disk 2100 includes a first disk body 2110, a second disk body 2120, and a cover body 2130.

제 1 디스크 몸체(2110)는 원형 판 형상으로 제작된다. 제 1 디스크 몸체(2110) 상측에 판 형상의 제 2 디스크 몸체(2120)가 위치한다. 그리고, 제 2 디 스크 몸체(2120)는 상측에 수납 영역이 마련된다. 즉, 제 2 디스크 몸체(2120)는 하측 바닥 판부와, 하측 바닥 판부의 가장자리 영역에서 돌출된 돌출 측벽부를 구비한다. 여기서, 상기 제 2 디스크 몸체(2120)의 수납 영역 내측에 서브 기판 홀더(2200)와 자전 제어부(4000)가 위치한다. The first disk body 2110 is manufactured in the shape of a circular plate. The plate-shaped second disk body 2120 is positioned above the first disk body 2110. The second disk body 2120 is provided with an accommodation area at an upper side thereof. That is, the second disc body 2120 has a lower bottom plate portion and a protruding side wall portion protruding from the edge region of the lower bottom plate portion. Here, the sub-substrate holder 2200 and the rotation controller 4000 are positioned inside the storage area of the second disc body 2120.

커버 몸체(2130)는 제 2 디스크 몸체(2120)의 상부 영역(즉, 수납 영역)을 커버하되, 서브 기판 홀더(2200)의 기판(10)이 노출되도록 한다. 즉, 커버 몸체(2130)는 서브 기판 홀더(2200)와 자전 제어부(4000)의 기어부 영역과, 서브 기판 홀더(2200)가 배치되지 않은 영역 상측에 위치한다. The cover body 2130 covers the upper region (ie, the receiving region) of the second disc body 2120, and exposes the substrate 10 of the sub substrate holder 2200. That is, the cover body 2130 is positioned above the gear area of the sub substrate holder 2200 and the rotation controller 4000 and the area where the sub substrate holder 2200 is not disposed.

본 실시예의 메인 디스크(2100)는 중심 영역에 마련된 자전 제어부(4000)를 통해 서브 기판 홀더(2200)를 띄우는 부상 가스를 제공 받는다. 그리고, 메인 디스크(2100)는 그 내측에 마련된 부상 가스 분배 유로(2140)를 통해 각 서브 기판 홀더(2200)와 메인 디스크(2100)의 사이 공간에 부상 가스를 제공한다. The main disk 2100 of the present embodiment is provided with a floating gas that floats the sub-substrate holder 2200 through the rotation controller 4000 provided in the center area. The main disk 2100 provides the floating gas to a space between each sub-substrate holder 2200 and the main disk 2100 through the floating gas distribution flow passage 2140 provided therein.

이와 같이 부상 가스를 서브 기판 홀더(2200)와 메인 디스크(2100) 사이에 분사하여 서브 기판 홀더(2200)가 메인 디스크(2100)에 밀착되지 않고, 이격된다. 즉, 이들 사이에 제공된 부상 가스에 의해 서브 기판 홀더(2200)가 메인 디스크(2100)로부터 띄워지게 된다(부상한다). 이를 통해 서브 기판 홀더(2200)와 메인 디스크(2100) 간의 접촉 면 저항이 감소하게 된다. 이때, 제공되는 부상 가스의 유량과 유속에 따라 부상 정도를 제어할 수 있다. In this way, the floating gas is injected between the sub-substrate holder 2200 and the main disk 2100 so that the sub-substrate holder 2200 is separated from the main disk 2100 without being in close contact. In other words, the sub-substrate holder 2200 is lifted up from the main disk 2100 by the floating gas provided therebetween. As a result, the contact surface resistance between the sub-substrate holder 2200 and the main disk 2100 is reduced. At this time, the degree of injury can be controlled according to the flow rate and flow rate of the provided floating gas.

상술한 부상 가스 분배 유로(2140)는 제 2 디스크 몸체(2120)의 중심 영역에 마련된 입력 유로(2141)와, 입력 유로(2141)에서 각 서브 기판 홀더(2200) 방향으 로 방사상으로 연장된 방사상 연장 유로(2142)와, 제 2 디스크 몸체(2120)를 관통하여 방사상 연장 유로(2142)에 연통된 부상 가스 분사홀(2143)을 구비한다. 본 실시예에서는 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이 상기 방사상 연장 유로(2142)는 제 1 및 제 2 디스크 몸체(2110, 2120)의 접촉면(즉, 계면) 상에 위치하는 것이 바람직하다. 즉, 제 1 및 제 2 디스크 몸체(2110, 2120)의 결합에 의해 방사상 연장 유로(2142)가 형성되는 것이 효과적이다. 예를 들어 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이 제 1 디스크 몸체(2110)에는 방사상 연장 유로(2142)가될 홈이 형성된다. 그리고, 이 홈을 제 2 디스크 몸체(2120)로 커버하여 방사상 연장 유로가 제작된다. 물론 반대의 경우, 즉 제 2 디스크 몸체(2120)에 홈이 형성될 수도 있다. The above-mentioned floating gas distribution flow passage 2140 has an input flow passage 2141 provided in the center region of the second disc body 2120 and a radially extending radially from the input flow passage 2141 toward each sub-substrate holder 2200. An extension flow passage 2142 and a floating gas injection hole 2143 passing through the second disc body 2120 and communicating with the radial extension passage 2142 are provided. In the present embodiment, as shown in FIGS. 1 and 3, the radially extending channel 2142 is preferably positioned on the contact surfaces (ie, interfaces) of the first and second disk bodies 2110 and 2120. That is, it is effective that the radially extending flow path 2142 is formed by the combination of the first and second disk bodies 2110 and 2120. For example, as shown in FIGS. 1 and 3, the first disc body 2110 is provided with a groove to be a radially extending channel 2142. Then, the groove is covered with the second disk body 2120 to produce a radially extending flow path. Of course, in the opposite case, that is, a groove may be formed in the second disc body 2120.

이와 같이 분리된 몸체간의 결합을 통해 유로를 형성하여 유로의 제작을 단순화 시킬 수 있다. 즉, 본 실시예에서는 유로등의 제작 편의를 위해 메인 디스크(2100)를 제 1 및 제 2 디스크 몸체(2110, 2120)로 분리 제작하였다. 하지만, 이에 한정되지 않고, 제 1 및 제 2 디스크 몸체(2110, 2120)를 단일 몸체로 제작할 수도 있다. Thus, the formation of the flow path through the coupling between the separated bodies can simplify the production of the flow path. That is, in the present embodiment, the main disk 2100 is separated into the first and second disk bodies 2110 and 2120 for the convenience of manufacturing the flow path. However, the present invention is not limited thereto, and the first and second disc bodies 2110 and 2120 may be manufactured as a single body.

본 실시예의 메인 디스크(2100)는 제공된 부상 가스를 배기하기 위한 부상 가스 배기 유로(2150)를 더 구비한다. 부상 가스 배기 유로(2150)는 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이 제 1 및 제 2 디스크 몸체(2110, 2120)의 가장자리 영역에서 이들을 관통하여 제작되는 것이 효과적이다. 이때, 도면에서는 부상 가스 배기 유로(2150)가 챔버(1000) 반응 공간에 바로 노출됨이 도시되었다. 따라서, 상기 부상 가스 배기 유로(2150)의 직경을 조절하여 제 1 및 제 2 디스크 몸체(2110, 2120) 사이로 제공된 부상 가스의 배기량을 제어할 수 있다. 이를 통해 서브 기판 홀더(2200)의 부상 정도를 제어할 수 있다. 물론 이에 한정되지 않고, 상기 부상 가스 배기 유로(2150)가 별도의 배기 유로를 통해 배기부에 접속될 수도 있다. 이 경우 배기부의 배기량 조절을 통해 부상 가스의 배기량을 제어할 수도 있다. The main disk 2100 of the present embodiment further includes a floating gas exhaust passage 2150 for exhausting the provided floating gas. Floating gas exhaust passage 2150 is effectively produced through them in the edge region of the first and second disk bodies 2110 and 2120, as shown in FIGS. In this case, the floating gas exhaust passage 2150 is directly exposed to the chamber 1000 reaction space. Therefore, by adjusting the diameter of the floating gas exhaust passage 2150, it is possible to control the displacement of the floating gas provided between the first and second disk bodies 2110 and 2120. Through this, the degree of injury of the sub-substrate holder 2200 may be controlled. Of course, the present invention is not limited thereto, and the floating gas exhaust passage 2150 may be connected to the exhaust unit through a separate exhaust passage. In this case, the displacement of the floating gas may be controlled by adjusting the displacement of the exhaust.

물론 상기 메인 디스크(2100)는 상술한 설명에 한정되지 않고, 도 4 및 도 5의 변형예에서와 같이 회전 중심 돌기(2160)를 더 구비할 수 있다. Of course, the main disk 2100 is not limited to the above description, and may further include a rotation center protrusion 2160 as in the modification of FIGS. 4 and 5.

즉, 회전 중심 돌기(2160)는 서브 기판 홀더(2200)의 하측 바닥 중심에 마련된 회전홈에 대응하는 제 2 디스크 몸체(2120) 상에 마련된다. 그리고, 회전 중심 돌기(2160)는 서브 기판 홀더(2200)의 회전홈에 끼워넣어진다. 이를 통해 서브 기핀 홀더(2200)의 회전시 서브 기판 홀더(2200)의 좌우 움직임을 잡아줄 수 있다. 또한, 서브 기판 홀더(2200)와 메인 디스크(2100)(즉, 제 2 디스크 몸체(2120))와의 접촉을 면접촉이 아닌 점접촉이 되도록 할 수 있다. 따라서, 접촉 저항을 줄일 수 있다. That is, the rotation center protrusion 2160 is provided on the second disc body 2120 corresponding to the rotation groove provided in the bottom bottom center of the sub substrate holder 2200. The rotation center protrusion 2160 is fitted into the rotation groove of the sub substrate holder 2200. As a result, the left and right movements of the sub-substrate holder 2200 may be caught when the sub-giffin holder 2200 is rotated. In addition, the contact between the sub-substrate holder 2200 and the main disk 2100 (that is, the second disk body 2120) may be point contact instead of surface contact. Therefore, contact resistance can be reduced.

여기서, 회전 중심 돌기(2160)의 형상을 다양할 수 있다. 즉, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이 원기둥 형상일 수도 있고, 원 뿔 형상일 수도 있으며, 반구 형상일 수도 있다. Here, the shape of the rotation center protrusion 2160 may vary. That is, as shown in FIG. 4 and FIG. 5, it may be cylindrical, may be circular, or may be hemispherical.

또한, 도 4 및 도 5의 변형예에서와 같이 제 2 디스크 몸체(2120)에 부상 홈(2121)이 마련될 수 있다. 여기서, 부상홈(2121)은 서브 기판 홀더(2200)에 대응하는 제 2 디스크 몸체(2120) 영역에서 도 5에 도시된 바와 같이 원형 링 형상으로 제작된다. 그리고, 부상홈(2121)의 일측은 부상 가스 분사 유로(2140)와 연통되고, 다른 일측은 부상 가스 배기 유로(2150)와 연통된다. 이를 통해 부상 가스 분사 유로(2140)를 통해 제공된 부상 가스는 상기 부상홈(2121)을 따라 이동하여 부상 가스 배기 유로(2150)를 통해 외부로 배기된다. In addition, as shown in the modified example of FIGS. 4 and 5, the floating groove 2121 may be provided in the second disc body 2120. Here, the floating groove 2121 is manufactured in a circular ring shape as shown in FIG. 5 in the region of the second disk body 2120 corresponding to the sub substrate holder 2200. One side of the floating groove 2121 is in communication with the floating gas injection passage 2140, and the other side is in communication with the floating gas exhaust passage 2150. As a result, the floating gas provided through the floating gas injection passage 2140 moves along the floating groove 2121 and is exhausted to the outside through the floating gas exhaust passage 2150.

이와 같이 링 형태의 부상홈(2121)을 지나는 부상 가스에 의해 서브 기판 홀더(2200)가 띄워질 수 있다. 즉, 부상 가스를 부상홈(2121)을 따라 이동하게 함으로 인해 서브 기판 홀더(2200)를 부상시키기 위한 힘이 집중될 수 있다. 또한, 링 형태의 부상홈(2121)에 의해 상기 부상력이 서브 기판 홀더(2200)에 균일하게 제공될 수 있다. As such, the sub-substrate holder 2200 may float by the floating gas passing through the ring-shaped floating groove 2121. That is, the force for floating the sub-substrate holder 2200 may be concentrated by allowing the floating gas to move along the floating groove 2121. In addition, the floating force may be uniformly provided to the sub substrate holder 2200 by the ring-shaped floating groove 2121.

상술한 바와 같은 메인 디스크(2100)의 상측 영역에는 기판(10)이 안치되는 복수의 서브 기판 홀더(2200)가 마련된다. 도 2에서는 6개의 서브 기판 홀더(2200)가 도시되었다. 하지만, 본 실시예는 이에 한정되지 않고, 이보다 더 많거나 적은 갯수의 서브 기판 홀더(2200)가 마련될 수 있다. 서브 기판 홀더(2200)는 크게 기판이 안치되는 영역과 기판 안치 영역을 회전시키기 위해 외부 구성과 접속되는 영역으로 분리된다.In the upper region of the main disk 2100 as described above, a plurality of sub-substrate holders 2200 on which the substrate 10 is placed is provided. In FIG. 2, six sub-substrate holders 2200 are shown. However, the exemplary embodiment is not limited thereto, and more or fewer sub-substrate holders 2200 may be provided. The sub-substrate holder 2200 is largely divided into a region where the substrate is placed and a region which is connected with an external configuration to rotate the substrate set-up region.

서브 기판 홀더(2200)는 그 상측 표면에 기판(10)이 안치되는 서셉터(2210)와, 서셉터(2210)를 자전시키는 자전부(2220)를 구비한다. The sub-substrate holder 2200 has a susceptor 2210 on which the substrate 10 is placed, and a magnet 2220 for rotating the susceptor 2210 on its upper surface.

도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이 서셉터(2210)는 원형 판 형상으로 제작된다. 서셉터(2210)는 기판(10)을 지지하기 위한 별도의 지지 수단들이 마련될 수 있다. As shown in FIGS. 1 to 3, the susceptor 2210 is manufactured in a circular plate shape. The susceptor 2210 may be provided with separate supporting means for supporting the substrate 10.

자전부(2220)는 서셉터(2210)의 하측에 마련된 판 형태의 자전 몸체(2221) 와, 상기 자전 몸체(2221)의 외측에 마련된 홀더 톱니부(2222)를 구비한다. 자전부(2220)는 자전 제어부(4000)의 기어부와 연결되는 홀더 기어부로 작용한다.The rotating part 2220 includes a plate-shaped rotating body 2221 provided on the lower side of the susceptor 2210, and a holder tooth part 2222 provided on an outer side of the rotating body 2221. The rotating part 2220 serves as a holder gear part connected to the gear part of the rotating control part 4000.

여기서, 자전 몸체(2221)는 서셉터(2210)의 하측에 밀착 고정된다. 그리고, 홀더 톱니부(2222)는 자전 몸체(2221)의 측면에 돌출되어 마련된다. 즉, 홀더 톱니부(2222)는 서셉터(2210)의 하측 측면으로 돌출된 형상으로 제작된다. 이때, 홀더 톱니부(2222)의 형상은 자전 제어부(4000)에 대응된다. Here, the rotating body 2221 is tightly fixed to the lower side of the susceptor 2210. The holder tooth portion 2222 protrudes from the side surface of the rotating body 2221. That is, the holder teeth 2222 are manufactured to protrude to the lower side of the susceptor 2210. In this case, the shape of the holder tooth portion 2222 corresponds to the rotation controller 4000.

앞서 언급한 바와 같이 서셉터(2210)는 메인 디스크(2100)의 커버 몸체(2130)에 의해 노출된다. 서셉터(2210)를 제외한 자전부(2220) 영역(즉, 홀더 톱니부(2222))는 커버 몸체(2130)에 의해 차폐된다. 이를 통해 반응 공간의 공정 가스에 의해 홀더 톱니부(2222)가 노출되는 것을 막을 수 있다. As mentioned above, the susceptor 2210 is exposed by the cover body 2130 of the main disk 2100. An area of the magnet 2220 (ie, the holder tooth 2222) except for the susceptor 2210 is shielded by the cover body 2130. This may prevent the holder tooth portion 2222 from being exposed by the process gas in the reaction space.

여기서, 자전부(2220)의 하측면은 메인 디스크(2100)의 제 2 디스크 몸체(2120)의 표면에 인접 배치된다. 또는 작동시에 밀착될 수도 있다. 따라서, 상기 자전부(2220)의 하측면에 별도의 마찰 방지 코팅을 수행할 수 있다. 물론 이에 한정되지 않고, 별도의 마찰 방지막이 상기 자전부(2220)와 제 2 디스크 몸체(2120) 사이에 마련될 수 있다. Here, the lower side of the rotating part 2220 is disposed adjacent to the surface of the second disk body 2120 of the main disk 2100. Or it may be in close contact with the operation. Therefore, a separate anti-friction coating may be performed on the lower side of the rotating part 2220. Of course, the present invention is not limited thereto, and a separate anti-friction layer may be provided between the rotating unit 2220 and the second disc body 2120.

본 실시예의 서브 기판 홀더(2200)를 구성하는 서셉터(2210)와 자전부(2220)가 분리되어 제작됨을 중심으로 설명하였다. 이를 통해 홀더 톱니부(2222)의 가공을 용이하게 수행할 수 있다. 즉, 서셉터(2210) 하측에 홀더 톱니부(2222)를 갖는 기어를 부착하여 서브 기핀 홀더(2200)를 제작할 수 있다. 하지만, 이에 한정되지 않고, 서셉터(2210)와 자전부(2220)가 단일 몸체로 제작될 수 있다. 또한, 본 실 시예에서는 서셉터(2210)를 단일 몸체로 제작하고, 그 외측면에 링 형태의 기어를 끼워 고정시켜 서브 기판 홀더(2200)를 제작할 수도 있다. The susceptor 2210 and the rotating part 2220 constituting the sub-substrate holder 2200 of the present exemplary embodiment have been described with reference to the manufacturing process. Through this, the processing of the holder tooth portion 2222 can be easily performed. That is, the sub-gipin holder 2200 may be manufactured by attaching a gear having the holder tooth 2222 to the lower side of the susceptor 2210. However, the present invention is not limited thereto, and the susceptor 2210 and the rotating part 2220 may be manufactured as a single body. In addition, in the present embodiment, the susceptor 2210 may be manufactured in a single body, and the sub-substrate holder 2200 may be manufactured by inserting and fixing a ring-shaped gear on the outer surface thereof.

또한, 도 4의 변형예에서와 같이 상기 서브 기판 홀더(2200)의 자전부(2220)의 하측면의 중심에는 오목홈이 마련될 수 있다. 이를 통해 상기 오목홈 내측으로 회전 중심 돌기(2160)가 인입되어 서브 기판 홀더(2200)의 좌우 흔들림을 방지할 수 있다. 물론 이에 한정되지 않고, 상기 자전부(2220)의 중심에 돌출 돌기가 마련되고, 이 돌출 돌기가 메인 디스크(2100)에 마련된 고정홈에 인입될 수 있다. 이를 통해서도 서브 기판 홀더(2200)의 좌우 흔들림을 방지할 수 있다. In addition, as shown in the modification of FIG. 4, a concave groove may be provided at the center of the lower surface of the rotating part 2220 of the sub substrate holder 2200. As a result, the rotation center protrusion 2160 may be introduced into the concave groove to prevent left and right shaking of the sub substrate holder 2200. Of course, the present invention is not limited thereto, and a protrusion may be provided at the center of the rotating unit 2220, and the protrusion may be inserted into a fixing groove provided in the main disk 2100. Through this, the left and right shaking of the sub substrate holder 2200 may be prevented.

또한, 도시되지 않았지만, 기판 안치부(2000)는 기판(10)의 로딩과 언로딩을 위한 별도의 리프트 핀을 구비할 수 있다. 그리고, 상기 리프트 핀이 승하강하기 위한 홀이 상기 서브 기판 홀더(2200)와 메인 디스크(2100)에 마련될 수도 있다. In addition, although not shown, the substrate setter 2000 may include separate lift pins for loading and unloading the substrate 10. In addition, holes for lifting and lowering the lift pins may be provided in the sub substrate holder 2200 and the main disk 2100.

본 실시예에서는 상술한 기판 안치부(2000)의 메인 디스크(2100)를 디스크 공전 제어부(3000)를 통해 회전(즉, 공전)시킨다. In the present embodiment, the main disk 2100 of the substrate mounting part 2000 described above is rotated (ie, revolved) through the disk revolving controller 3000.

디스크 공전 제어부(3000)는 회전력을 생성하는 구동부(3100)와, 구동부(3100)의 회전력을 상기 기판 안치부(2000)에 제공하는 공전 제어축(3200)을 구비한다. 구동부(3100)는 챔버(1000)의 외측에 마련된다. 따라서, 공전 제어축(3200)은 챔버(1000)의 바닥면의 홈을 관통하여 연장된다. 따라서, 챔버(1000) 바닥면의 홈 주위에는 챔버(1000) 내부의 압력 파기를 방지하기 위한 하측 밀봉 수단(3300)이 마련된다. 하측 밀봉 수단(3300)으로 밸로우즈를 사용하는 것이 효과적이다. The disk idle controller 3000 includes a driver 3100 for generating a rotational force and an idle control shaft 3200 for providing the rotational force of the driver 3100 to the substrate setter 2000. The driver 3100 is provided outside the chamber 1000. Thus, the idle control shaft 3200 extends through the groove of the bottom surface of the chamber 1000. Therefore, the lower sealing means 3300 is provided around the groove of the bottom surface of the chamber 1000 to prevent the pressure break inside the chamber 1000. It is effective to use a bellows as the lower sealing means 3300.

공전 제어축(3200)은 그 일단이 구동부(3100)에 접속되고, 타단은 기판 안치부(2000)의 메인 디스크(2100)의 하측 중심에 접속된다. 이를 통해 구동부(3100)의 회전력을 기판 안치부(2000)의 메인 디스크(2100)에 제공한다. 따라서, 메인 디스크(2100)가 공전할 수 있게 된다. 구동부(3100)로 모터를 사용하는 것이 효과적이다. 모터의 구동축에 상기 공전 제어축(3200)이 집접 연결될 수도 있고, 별도의 기어를 통해 결합될 수도 있다. One end of the idle control shaft 3200 is connected to the driving unit 3100, and the other end thereof is connected to the lower center of the main disk 2100 of the substrate mounting unit 2000. Through this, the rotational force of the driving unit 3100 is provided to the main disk 2100 of the substrate mounting unit 2000. Thus, the main disk 2100 can revolve. It is effective to use a motor as the driver 3100. The idle control shaft 3200 may be directly connected to the drive shaft of the motor, or may be coupled through a separate gear.

그리고, 상기 구동부(3100)를 통해 기판 안치부(2000)를 승강시킬 수도 있다. 이를 통해 기판(10)의 로딩 및 언로딩을 용이하게 수행할 수 있다. 또한, 기판 안치부(2000) 상의 기판(10)의 공정 위치를 자유롭게 변화시킬 수 있다. In addition, the substrate setter 2000 may be lifted and lowered through the driver 3100. Through this, loading and unloading of the substrate 10 can be easily performed. In addition, the process position of the substrate 10 on the substrate mounting portion 2000 can be freely changed.

본 실시예에서는 기판 안치부(2000) 상측 영역에 위치하여 공전하는 메인 디스크(2100) 상의 서브 기판 홀더(2200)를 자전시키는 자전 제어부(4000)를 구비한다. 이때, 자전 제어부(4000)는 서브 기판 홀더(2200)에 결합된 상태로 고정된다. 여기서, 메인 디스크(2100)가 공정하는 경우 서브 기판 홀더(2200)도 함께 이동한다. 그러나, 서브 기판 홀더(2200)의 일측은 고정된 자전 제어부(4000)에 기어 결합 경태로 결합되어 있다. 따라서, 서브 기판 홀더(2200)가 자전하면서 메인 디스크(2100)의 회전 방향으로 이동할 수 있게 된다. 이를 통해 서브 기판 홀더(2200) 자전을 위한 별도의 회전력을 갖는 장치구성을 생략할 수 있다. In the present exemplary embodiment, a rotating controller 4000 is provided to rotate the sub-substrate holder 2200 on the main disk 2100 located in the upper region of the substrate setter 2000. In this case, the rotation controller 4000 is fixed to the sub-substrate holder 2200. Here, when the main disk 2100 is processed, the sub substrate holder 2200 also moves together. However, one side of the sub-substrate holder 2200 is coupled to the fixed rotation controller 4000 in a gear coupling state. Accordingly, the sub-substrate holder 2200 can rotate in the rotational direction of the main disk 2100 while rotating. As a result, an apparatus having a separate rotational force for rotating the sub-substrate holder 2200 may be omitted.

상기와 같은 자전 제어부(4000)는 도 1에 도시된 바와 같이 고정 판부(4100)와, 고정 판부(4100)에서 기판 안치부(2000) 방향으로 연장된 고정축부(4200)와, 고정축부(4200)의 끝단에 마련된 자전용 기어부(4300)를 구비한다. As shown in FIG. 1, the rotation controller 4000 includes a fixed plate part 4100, a fixed shaft part 4200 extending from the fixed plate part 4100 in the direction of the substrate settling part 2000, and a fixed shaft part 4200. A magnetic gear unit 4300 provided at the end of the).

고정 판부(4100)는 챔버(1000)의 상측 영역에 위치하는 고정 몸체(4110)와, 상기 고정 몸체(4110)의 회전을 고정하는 고정부(4120)를 구비한다. 고정 판부(4100)를 통해 기판 안치부(2000)의 메인 디스크(2100)에 밀착된 고정축부(4200)가 회전되는 것을 방지할 수 있다. The fixing plate 4100 includes a fixing body 4110 positioned in an upper region of the chamber 1000, and a fixing portion 4120 fixing the rotation of the fixing body 4110. It is possible to prevent the fixed shaft portion 4200, which is in close contact with the main disk 2100 of the substrate mounting portion 2000, through the fixing plate portion 4100.

고정 몸체(4110)는 판 형상으로 제작되고, 챔버(1000) 상측에 마련된 관통홀 보다 그 사이즈가 큰 것이 효과적이다. The fixed body 4110 is manufactured in a plate shape, and the size of the fixed body 4110 is larger than that of the through hole provided in the upper side of the chamber 1000.

고정부(4120)는 그 일단이 챔버(1000)의 챔버 리드(1100)에 고정된다. 그리고, 타단은 고정 몸체(4110)에 장착된다. One end of the fixing part 4120 is fixed to the chamber lid 1100 of the chamber 1000. And the other end is mounted to the fixed body (4110).

여기서, 자전 제어부(4000)는 메인 디스크(2100)에 밀착되어 있다. 따라서, 메인 디스크(2100)가 승하강하는 경우 자전 제어부(4000)도 함께 승하강할 수 있다. 따라서, 메인 디스크(2100)가 상승하는 경우에는 고정부(4120)가 고정 몸체(4110)로 부터 분리된다. 하지만, 메인 디스크(2100)가 공정 위치로 하강하는 경우에는 고정 몸체(4110)가 고정부(4120)에 장착되어 그 움직임(회전)이 제한된다.Here, the rotating controller 4000 is in close contact with the main disk 2100. Therefore, when the main disk 2100 is raised and lowered, the rotation control unit 4000 may also be raised and lowered. Therefore, when the main disk 2100 is raised, the fixing part 4120 is separated from the fixing body 4110. However, when the main disk 2100 is lowered to the process position, the fixed body 4110 is mounted to the fixed portion 4120 to limit its movement (rotation).

이를 위해 고정부(4120)를 핀 또는 봉 형상으로 제작하고, 고정 몸체(4110)에 상기 고정부(4120)에 대응하는 홈이 형성될 수 있다. 이를 통해 고정 몸체(4110)의 홈에 고정부(4120)가 장착되어 회전을 고정시킨다. To this end, the fixing part 4120 may be manufactured in a pin or rod shape, and a groove corresponding to the fixing part 4120 may be formed in the fixing body 4110. Through this, the fixing part 4120 is mounted in the groove of the fixing body 4110 to fix the rotation.

또한, 이에 한정되지 않고, 도 6의 변형예에서와 같이 상기 고정부(4120)는 고정 몸체(4110)의 승하강을 지지하고, 회전을 방지한다. 이를 위해 상기 고정부(4120)로 LM 가이드를 사용할 수 있다. In addition, the present invention is not limited thereto, and as in the modified example of FIG. 6, the fixing part 4120 supports the lifting and lowering of the fixing body 4110, and prevents rotation. For this purpose, the LM guide may be used as the fixing part 4120.

고정축부(4200)는 앞서 언급한 바와 같이 고정 판부(4100)에서 기판 안치 부(2000)의 중심 방향으로 연장된다. 그리고, 상기 고정축부(4200)와 기판 안치부(2000) 사이에는 자전용 기어부(4300)가 위치한다. As described above, the fixed shaft portion 4200 extends from the fixed plate portion 4100 toward the center of the substrate mounting portion 2000. In addition, a magnetic gear part 4300 is positioned between the fixed shaft part 4200 and the substrate mounting part 2000.

고정축부(4200)는 봉형상으로 제작된다. 봉의 일단은 고정 판부(4100)에 접속되고, 타단은 자전용 기어부(4300)에 접속된다. 고정 축부(4200)는 챔버(1000) 외측에 마련된 고정 판부(4100)에서 챔버(1000)의 상측 홀을 관통하여 챔버(1000) 내측으로 연장된다. 이때, 고정 축부(4200) 관통에 의한 반응 공간의 밀봉 파괴를 방지하기 위해 상기 챔버(1000)의 상측 홀과 고정 판부(4100) 사이에 상측 밀봉 부재(4600)가 마련된다. 밀봉 부재(4600)로 벨로우즈를 사용하는 것이 효과적이다. The fixed shaft portion 4200 is manufactured in a rod shape. One end of the rod is connected to the fixed plate portion 4100, and the other end is connected to the magnetic gear portion 4300. The fixed shaft portion 4200 extends into the chamber 1000 through the upper hole of the chamber 1000 in the fixed plate portion 4100 provided outside the chamber 1000. In this case, an upper sealing member 4600 is provided between the upper hole of the chamber 1000 and the fixing plate 4100 in order to prevent the sealing failure of the reaction space due to the penetration of the fixing shaft 4200. It is effective to use bellows as the sealing member 4600.

자전용 기어부(4300)는 고정축부(4200)에 접속 고정된 기어 몸체부(4310)와, 기어 몸체부(4310) 외측으로 돌출된 고정 톱니부(4320)를 구비한다. 기어 몸체부(4310)의 바닥면은 기판 안치부(2000)의 메인 디스크(2100)에 근접 배치된다. 이때, 기어 몸체부(4310)는 메인 디스크(2100)의 중심점 영역에 배치된다. 메인 디스크(2100) 영역 중 기판(10)이 위치하지 않는 중심 영역에 기어 몸체부(4310)가 배치됨으로 인해 기판 안치부(2000) 전체의 크기 증대없이 서브 기판 홀더(2200)를 자전 시킬 수 있다. 물로 기어 몸체부(4310)가 메인 디스크(2100) 중심 영역에 밀착되는 것이 효과적이다. 이때, 기어 몸체부(4310)는 고정되고, 메인 디스크(2100) 만이 회전하기 때문에 이들 사이에는 별도의 마찰 방지 부재 또는 오링 또는 가스켓이 마련될 수 있다. The magnetic gear unit 4300 includes a gear body portion 4310 fixed to the fixed shaft portion 4200, and a fixed tooth portion 4320 protruding outside the gear body portion 4310. The bottom surface of the gear body portion 4310 is disposed in close proximity to the main disk 2100 of the substrate mounting portion 2000. In this case, the gear body portion 4310 is disposed in the center point region of the main disk 2100. Since the gear body part 4310 is disposed in the center area where the substrate 10 is not located in the main disk 2100 area, the sub-substrate holder 2200 may be rotated without increasing the size of the entire substrate setter 2000. . It is effective that the gear body portion 4310 is in close contact with the central region of the main disk 2100 with water. At this time, since the gear body portion 4310 is fixed and only the main disk 2100 rotates, a separate friction preventing member or an O-ring or a gasket may be provided therebetween.

고정 톱니부(4320)는 서브 기판 홀더(2200)의 홀더 톱니부(2222)에 대응되는 형상으로 배치된다. 즉, 고정 톱니부(4320)의 기어 돌기와 홀더 톱니부(2222)의 기 어 홈이 맞물리고, 홀더 톱니부(2222)의 기어 돌기와 고정 톱니부(4320)의 기어 홈이 맞물리게 배치되는 것이 효과적이다. 여기서, 고정 톱니부(4320)와 홀더 톱니부(2222)의 기어비를 조절하여 서브 기판 홀더(2200)의 회전수를 조절할 수 있다. The fixed tooth portion 4320 is disposed in a shape corresponding to the holder tooth portion 2222 of the sub substrate holder 2200. That is, it is effective that the gear protrusion of the fixed tooth portion 4320 and the gear groove of the holder tooth portion 2222 mesh with each other, and the gear protrusion of the holder tooth portion 2222 and the gear groove of the fixed tooth portion 4320 engage with each other. . Here, the number of rotations of the sub-substrate holder 2200 may be adjusted by adjusting the gear ratio between the fixed tooth portion 4320 and the holder tooth portion 2222.

기판 안치부(2000)의 중심에 위치한 자전용 기어부(4300)는 복수의 서브 기판 홀더(2200)에 모두 기어 결합 형태로 체결된다. The magnetic gear part 4300 positioned at the center of the substrate mounting part 2000 is fastened to the plurality of sub-substrate holders 2200 in a gear coupling form.

따라서, 자전용 기어부(4300)에 의해 복수의 서브 기판 홀더(2200)가 동일 속도로 자전할 수 있다. Accordingly, the plurality of sub-substrate holders 2200 can rotate at the same speed by the magnetic gear part 4300.

이와 같이 서브 기판 홀더(2200)를 별도의 회전 장치 없이 자전시켜 장치 구성을 단순화 시킬 수 있다. 또한, 서브 기판 홀더(2200)의 자전으로 인해 그 상측 기판(10) 상의 박막 두께의 균일성을 높일 수 있어 수율을 향상시킬 수 있다. As such, the sub-substrate holder 2200 may be rotated without a separate rotating device to simplify the device configuration. In addition, due to the rotation of the sub-substrate holder 2200, the uniformity of the thickness of the thin film on the upper substrate 10 may be increased, and thus the yield may be improved.

그리고, 본 실시예에서는 자전 제어부(4000)를 통해 서브 기판 홀더(2200)를 부상시키는 부상 가스를 기판 안치부(2000)에 제공한다. 따라서, 자전 제어부(4000)는 고정 판부(4100), 고정축부(4200) 및 자전용 기어부(4300)를 관통하고, 기판 안치부(2000)의 부상 가스 분배 유로(2140)에 연통된 부상 가스 공급 유로(4400)를 구비한다.In the present exemplary embodiment, the floating gas for floating the sub-substrate holder 2200 through the rotating controller 4000 is provided to the substrate mounting part 2000. Accordingly, the rotating control unit 4000 penetrates the fixed plate portion 4100, the fixed shaft portion 4200, and the magnetic gear portion 4300 and communicates with the floating gas distribution flow passage 2140 of the substrate seat 2000. The supply flow path 4400 is provided.

여기서, 자전용 기어부(4300)가 메인 디스크(2100)에 밀착된 경우에는 부상 가스 공급 유로(4400)와 부상 가스 분배 유로(2140) 사이에는 가스 누설을 방지하기 위한 누설 방지 수단이 마련될 수 있다. 이때, 누설 방지 수단으로 오링 또는 가스켓을 사용할 수 있다. 물론 자전용 기어부(4300)는 고정되고 메인 디스크(2100)가 회전하기 때문에 마그네트 실링을 사용할 수도 있다. 또한, 자전용 기 어부(4300)가 메인 디스크(2100)로 부터 이격된 경우에는 부상 가스 공급 유로(4400)의 연장부가 상기 부상 가스 분배 유로(2140)에 연결될 수도 있다. Here, when the magnetic gear unit 4300 is in close contact with the main disk 2100, a leakage preventing means may be provided between the floating gas supply passage 4400 and the floating gas distribution passage 2140 to prevent gas leakage. have. At this time, an O-ring or a gasket may be used as the leakage preventing means. Of course, since the magnetic gear unit 4300 is fixed and the main disk 2100 rotates, the magnet sealing may be used. In addition, when the magnetic gear 4300 is spaced apart from the main disk 2100, an extension of the floating gas supply flow passage 4400 may be connected to the floating gas distribution flow passage 2140.

그리고, 본 실시예에서는 자전 제어부(4000)를 통해 기판(10) 상측 영역에 퍼지 가스를 분사한다. 따라서, 자전 제어부(4000)는 고정 판부(4100) 및 고정축부(4200)를 관통하는 퍼지 가스 공급 유로(4500)를 구비한다. 퍼지 가스 공급 유로(4500)의 가스 출력 홈은 고정축부(4200)의 측면 영역에 마련된다. 가스 출력홈은 서브 기판 홀더(2200)와 공정 가스 공급부(5000) 사이 영역에 위치하는 것이 효과적이다. In the present embodiment, the purge gas is injected to the upper region of the substrate 10 through the rotating controller 4000. Therefore, the rotation controller 4000 includes a purge gas supply flow passage 4500 that passes through the fixed plate portion 4100 and the fixed shaft portion 4200. The gas output groove of the purge gas supply passage 4500 is provided in the side region of the fixed shaft portion 4200. The gas output groove may be located at an area between the sub substrate holder 2200 and the process gas supply unit 5000.

상술한 설명에서 자전용 기어부(4300)와 고정 축부(4200)는 분리 제작되거나 단일 몸체로 제작될 수 있다. 또한, 자전용 기어부(4300)를 링 형상으로 제작하여 고정 축부(4200)의 하측 둘레에 끼워 고정할 수 있다. 이때, 고정 축부(4200)의 타 단부가 메인 디스크(2100)에 인접 배치될 수도 있다. In the above description, the magnetic gear unit 4300 and the fixed shaft unit 4200 may be manufactured separately or manufactured in a single body. In addition, the magnetic gear part 4300 may be manufactured in a ring shape and fixed to the lower circumference of the fixed shaft part 4200. In this case, the other end of the fixed shaft portion 4200 may be disposed adjacent to the main disk 2100.

본 실시예에서는 기판(10)에 공정 가스를 제공하는 공정 가스 공급부(5000)를 구비한다. In the present embodiment, a process gas supply unit 5000 for providing a process gas to the substrate 10 is provided.

공정 가스 공급부(5000)는 챔버(1000) 내측에 마련되어, 공전하면서 자전하는 복수의 기판(10)에 공정 가스를 균일하게 분사하는 가스 분사부(5100)와, 공정 가스가 저장된 공정 가스 저장부(5200)와, 공정 가스 저장부(5200)의 공정 가스를 가스 분사부(5100)에 제공하는 공정 가스 공급 유로(5300)를 구비한다. The process gas supply unit 5000 is provided inside the chamber 1000, and includes a gas injector 5100 that uniformly injects process gas onto a plurality of substrates 10 that rotate while rotating, and a process gas storage unit in which the process gas is stored ( 5200 and a process gas supply flow path 5300 for supplying the process gas of the process gas storage unit 5200 to the gas injection unit 5100.

가스 분사부(5100)는 챔버 리드(1100)에 결합되어 공정 가스 확산 공간을 형성하는 가스 분배판을 구비한다. 가스 분배판은 복수의 분사홀을 구비하여 공정 가 스를 균일하게 분사한다. 이때, 가스 분배판은 링 형태로 제작되는 것이 효과적이다. 그리고, 가스 분배판은 기판(10)의 회전 반경에 대응하는 영역에 마련되는 것이 효과적이다. 물론 이에 한정되지 않고, 가스 분배판은 복수 영역으로 분리 제작될 수 있다. 이때, 가스 분배판이 기판(10)과 대응하는 형상으로 제작되는 거이 효과적이다. 또한 가스 분배판이 봉 형태로 제작되고 다수의 가스 분배판이 기판(10)의 회전 반경 영역에 균일하게 배치될 수도 있다. The gas injector 5100 includes a gas distribution plate coupled to the chamber lid 1100 to form a process gas diffusion space. The gas distribution plate is provided with a plurality of injection holes to evenly spray the process gas. At this time, it is effective that the gas distribution plate is manufactured in a ring shape. In addition, it is effective that the gas distribution plate is provided in an area corresponding to the rotation radius of the substrate 10. Of course, the present invention is not limited thereto, and the gas distribution plate may be separately manufactured in a plurality of regions. At this time, it is effective that the gas distribution plate is manufactured in a shape corresponding to the substrate 10. In addition, the gas distribution plate may be manufactured in the form of a rod, and a plurality of gas distribution plates may be uniformly disposed in the rotation radius region of the substrate 10.

또한, 본 실시예에서는 부상 가스를 저장하고 이를 자전 제어부(4000)의 부상 가스 공급 유로(4400)에 제공하는 부상 가스 공급부(6000)를 구비한다. 그리고, 퍼지 가스를 저장하고, 퍼지 가스를 자전 제어부(4000)의 퍼지 가스 공급 유로(4500)에 제공하는 퍼지 가스 공급부(7000)를 구비한다. In addition, the present embodiment includes a floating gas supply unit 6000 that stores the floating gas and provides it to the floating gas supply flow path 4400 of the rotation control unit 4000. A purge gas supply unit 7000 is provided for storing the purge gas and providing the purge gas to the purge gas supply flow path 4500 of the rotation control unit 4000.

또한, 본 발명은 상술한 설명에 한정되지 않고, 부상 가스를 디스크 공전 제어부를 통해 공급할 수도 있다. 하기에서는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 처리 장치에 관해 설명한다. 후술되는 설명중 상술한 제 1 실시예와 중복되는 설명은 생략한다. 그리고, 제 2 실시예의 기술은 상기 제 1 실시예에 적용될 수 있다. In addition, this invention is not limited to the above-mentioned description, Floating gas can also be supplied through a disk revolving control part. Hereinafter, a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described. The description overlapping with the above-described first embodiment will be omitted. And the technique of the second embodiment can be applied to the first embodiment.

도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다. 7 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 본 실시예의 기판 처리 장치는 챔버(1000), 기판 안치부(2000), 디스크 공전 제어부(3000) 및 자전 제어부(4000) 그리고, 상기 디스크 공전 제어부를 통해 서브 기판 홀더(2200)를 부상시키는 부상 가스를 공급하는 부상 가스 공급부(6000)를 구비한다. Referring to FIG. 7, the substrate processing apparatus of the present embodiment includes a chamber 1000, a substrate setter 2000, a disc revolving controller 3000, a rotating controller 4000, and a sub substrate holder 2200 through the disc revolving controller. There is provided a floating gas supply unit (6000) for supplying a floating gas to rise).

기판 안치부(2000)는 메인 디스크(2100)와 서브 기판 홀더(2200)를 구비한 다. 이때, 서브 기판 홀더(2200)는 도 7에 도시된 바와 같이 자전 안치판(2230)과, 자전 안치판(2230)의 하측으로 돌출된 부상 돌출부(2240)를 구비한다. 자전 안치판(2230)은 기판(10)이 안치되는 안치 몸체(2231)와, 안치 몸체(2231) 측면에 마련된 안치 톱니부(2232)를 구비한다. 안치 톱니부(2232)는 자전 제어부(4000)의 자전용 기어부(4300)에 결합된다. 이를 통해 메인 디스크(2100)가 공전할때 서브 기판 홀더(2200)가 자전할 수 있다. 그리고, 부상 돌출부(2240)는 메인 디스크(2100)의 제 2 디스크 몸체(2120)에 마련된 회전홈에 안착된다. 이를 통해 서브 기판 홀더(2200)의 자전시 서브 기판 홀더(2200)가 좌우로 치우치거나 미끄러지는 현상을 방지할 수 있다. The substrate mounting part 2000 includes a main disk 2100 and a sub substrate holder 2200. In this case, the sub-substrate holder 2200 includes a rotating settle plate 2230 and a floating protrusion 2240 protruding downward from the rotating settle plate 2230 as shown in FIG. 7. The rotating base plate 2230 includes a settling body 2231 on which the substrate 10 is placed, and a settling tooth portion 2232 provided on the side of the settling body 2231. The settle tooth portion 2232 is coupled to the magnetic gear portion 4300 of the rotating control unit 4000. As a result, the sub-substrate holder 2200 may rotate when the main disk 2100 revolves. In addition, the floating protrusion 2240 is seated in a rotation groove provided in the second disk body 2120 of the main disk 2100. As a result, when the sub substrate holder 2200 is rotated, the sub substrate holder 2200 may be prevented from sliding left or right.

또한, 부상 가스가 상기 제 2 디스크 몸체(2120)의 회전홈과 부상 돌출부(2240) 사이에 제공됨으로 인해 서브 기판 홀더(2200)와 메인 디스크(2100) 사이의 접촉 저항을 줄일 수 있다. In addition, since the floating gas is provided between the rotary groove of the second disk body 2120 and the floating protrusion 2240, contact resistance between the sub substrate holder 2200 and the main disk 2100 may be reduced.

본 실시예에서는 상기 디스크 공전 제어부(3000)를 통해 부상 가스가 제공된다. 이 부상가스는 메인 디스크(2100)에 마련된 부상 가스 분배 유로(2140)를 따라 흘러, 제 2 디스크 몸체(2120)와 부상 돌출부(2240) 사이 영역에 제공될 수 있다. 이에, 본 실시예에서는 디스크 공전 제어부(3000)의 공전 제어축(3200)에는 부상 가스 분배 유로(2140)와 연통된 부상 가스 공급 유로(3400)가 형성된다. 부상 가스 공급 유로(3400)의 입력단은 공전 제어축(3200)의 측면에 노출된다.In this embodiment, the floating gas is provided through the disc idle control unit 3000. The floating gas flows along the floating gas distribution flow path 2140 provided in the main disk 2100, and may be provided in an area between the second disk body 2120 and the floating protrusion 2240. Thus, in the present embodiment, the floating gas supply flow path 3400 in communication with the floating gas distribution flow path 2140 is formed in the idle control shaft 3200 of the disc idle control unit 3000. The input end of the floating gas supply flow path 3400 is exposed to the side of the idle control shaft 3200.

여기서, 상기 공전 제어축(3200)는 회전한다. 따라서, 본 실시예에서는 회전하는 공전 제어축(3200)의 부상 가스 공급 유로(3400)에 부상 가스를 제공할 수 있 는 구조의 부상 가스 공급부(6000)를 구비한다. Here, the idle control shaft 3200 rotates. Therefore, the present embodiment includes a floating gas supply unit 6000 having a structure capable of providing floating gas to the floating gas supply flow path 3400 of the rotating idle control shaft 3200.

부상 가스 공급부(6000)는 챔버(1000)의 바닥면과 공전 제어축(3200) 둘레에 마련된 하우징(6100)과, 상기 하우징(6100)과 공전 제어축(3200) 사이에 마련된 회전 밀봉 부재(6200)와, 상기 하우징(6100)을 관통하여 상기 부상 가스 공급 유로(3400)와 연통되는 가스 제공부(6300)를 구비한다. 이때, 회전 밀봉 부재(6200)는 공전 제어축(3200)의 측면으로 노출된 부상 가스 공급 유로(3400)의 입력단 상하 영역에 배치된다. 이를 통해 회전하는 부상 가스 공급 유로(3400)의 입력단은 회전 밀봉 부재(6200)와 하우징(6100)에 의해 밀봉된다. 여기서, 상기 회전 밀봉 부재(6200)로 마그네틱 실을 사용할 수 있다. 그리고, 상기 입력단의 회전 반경에 대응하는 하우징(6100) 영역에 가스 제공부(6300)의 가스를 입력받는 입력홈이 마련될 수 있다. 즉, 회전 밀봉부재(6200)의 사이 영역에 입력홈이 형성된다. The floating gas supply unit 6000 may include a housing 6100 provided around the bottom surface of the chamber 1000 and the idle control shaft 3200, and a rotation sealing member 6200 provided between the housing 6100 and the idle control shaft 3200. And a gas providing part 6300 which penetrates through the housing 6100 and communicates with the floating gas supply flow path 3400. At this time, the rotation sealing member 6200 is disposed in the upper and lower regions of the input end of the floating gas supply flow path 3400 exposed to the side of the idle control shaft 3200. Through this, the input end of the floating floating gas supply flow path 3400 is sealed by the rotation sealing member 6200 and the housing 6100. Here, a magnetic seal may be used as the rotation sealing member 6200. In addition, an input groove for receiving gas from the gas providing unit 6300 may be provided in an area of the housing 6100 corresponding to the rotation radius of the input terminal. That is, the input groove is formed in the region between the rotation sealing member 6200.

이를 통해 가스 제공부(6300)를 통해 제공된 부상 가스가 하우징(6100)와 공전 제어축(3200) 사이 공간으로 제공된다. 이어서, 공전 제어축(3200)의 부상 가스 공급 유로(3400)의 입력단으로 제공된다. 이후, 메인 디스크(2100)와 서브 기판 홀더(2200) 사이에 제공된다. As a result, the floating gas provided through the gas providing unit 6300 is provided to the space between the housing 6100 and the idle control shaft 3200. Subsequently, it is provided to an input terminal of the floating gas supply flow path 3400 of the idle control shaft 3200. Thereafter, it is provided between the main disk 2100 and the sub substrate holder 2200.

또한, 본 발명은 상술한 설명에 한정되지 않고, 자전과 공정하는 기판 안치부(2000)의 측면 영역에 배기링을 형성하여 공정 가스를 외부로 배기시켜 기판 표면의 박막 균일도를 향상시킬 수 있다. 하기에서는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 기판 처리 장치에 관해 설명한다. 후술되는 설명중 상술한 제 1 및 제 2 실시예와 중복되는 기술과 설명은 생략한다. 그리고, 제 3 실시예의 기술은 상기 제 1 및 제 2 실시예에 적용될 수 있다. In addition, the present invention is not limited to the above description, and an exhaust ring may be formed in the side region of the substrate set-up part 2000 to rotate and process to exhaust the process gas to the outside, thereby improving the uniformity of the thin film on the surface of the substrate. Hereinafter, a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention will be described. In the following description, descriptions and descriptions overlapping with those of the first and second embodiments will be omitted. And, the technique of the third embodiment can be applied to the first and second embodiments.

도 8은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다. 도 9는 제 3 실시예에 따른 배기링부를 설명하기 위한 평면도이다. 8 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention. 9 is a plan view for describing an exhaust ring unit according to a third embodiment.

도 8 및 도 9를 참조하면, 본 실시예에 따른 기판 처리 장치는 챔버(1000), 기판 안치부(2000), 디스크 공전 제어부(3000), 자전 제어부(4000), 챔버(1000) 내측에 마련된 가스 분사부(5100)를 구비하고 기판 안치부(2000) 상의 기판(10)에 공정 가스를 제공하는 공정 가스 공급부(5000) 및 기판 안치부(2000)와 가스 분사부(5100) 사이 공간의 측면 영역에 배치되어 반응 부산물 및 미 반응 공정 가스를 배기하는 배기링부(9000)를 더 구비한다. 8 and 9, the substrate processing apparatus according to the present exemplary embodiment may include a chamber 1000, a substrate setter 2000, a disk revolving controller 3000, a rotating controller 4000, and an inside of the chamber 1000. A process gas supply unit 5000 having a gas injector 5100 and providing a process gas to the substrate 10 on the substrate setter 2000, and a side surface of the space between the substrate setter 2000 and the gas injector 5100. It is further provided with an exhaust ring portion 9000 disposed in the region to exhaust the reaction by-products and unreacted process gas.

여기서, 챔버(1000)의 일측면에는 기판(10)이 출입하는 기판 출입구(1300)가 구비된다. 그리고, 상기 기판 출입구(1300)를 개폐하는 별도의 개폐 수단(1400)이 마련된다. 이때, 개폐 수단(1400)으로 슬랏 밸브가 사용될 수 있다. 그리고, 상기 개폐 수단(1400)으로 챔버(1000)는 연결 챔버에 접속되어 별도의 시스템에 접속될 수도 있다. Here, one side of the chamber 1000 is provided with a substrate entrance 1300, through which the substrate 10 enters and exits. Then, a separate opening and closing means 1400 for opening and closing the substrate entrance 1300 is provided. In this case, a slot valve may be used as the opening and closing means 1400. In addition, the chamber 1000 may be connected to a separate chamber by the opening / closing means 1400.

또한, 배기링부(9000)는 도 9에 도시된 바와 같이 기판 안치부(2000) 둘레를 따라 링 형상으로 배치된다. 앞서 언급한 바와 같이 배기링부(9000)가 기판 안치부(2000)와 가스 분사부(5100)의 사이 공간의 측면 영역에 위치한다. 이로인해 기판 안치부(2000) 상측으로 기판(10)의 로딩 및 언로딩이 어려울 수 있다. 따라서, 본 실시예에서는 배기링부(9000)를 복수의 영역으로 분리한다. 그리고 기판 출입구(1300)에 대응하는 분리 영역의 배기링부(9000)를 승하강할 수 있도록 구성한다. 이를 통해 기판(10)의 로딩 및 언로딩을 자유롭게 수행할 수 있다. In addition, the exhaust ring portion 9000 is disposed in a ring shape around the substrate mounting portion 2000, as shown in FIG. As mentioned above, the exhaust ring part 9000 is positioned in the side region of the space between the substrate settling part 2000 and the gas injecting part 5100. As a result, it may be difficult to load and unload the substrate 10 above the substrate setter 2000. Therefore, in the present embodiment, the exhaust ring portion 9000 is separated into a plurality of regions. In addition, the exhaust ring unit 9000 of the separation area corresponding to the substrate entrance 1300 may be configured to be elevated. Through this, the loading and unloading of the substrate 10 can be freely performed.

도 9에서는 배기링부(9000)를 6개의 영역으로 분리하였다. 즉, 제 1 내지 제 6 배기링부(9000-a 내지 9000-f)로 분리하였다. 이중 제 1 배기링부(9000-a)가 승하강하도록 하고, 나머지 제 2 내지 제 6 배기링부(9000-b 내지 9000-f)는 고정시킨다. In FIG. 9, the exhaust ring part 9000 is divided into six regions. That is, the first to sixth exhaust ring portions 9000-a to 9000-f are separated. The first exhaust ring portion 9000-a is raised and lowered, and the remaining second to sixth exhaust ring portions 9000-b to 9000-f are fixed.

제 1 내지 제 6 배기링부(9000-a 내지 9000-f) 각각은 기판 안치부(2000)와 가스 분사부(5100) 사이 공간의 측면 영역에 마련되고 배기홀을 갖는 측면 배기부(9100)와, 상기 측면 배기부를 지지고정하는 고정부(9200)를 구비한다. Each of the first to sixth exhaust ring portions 9000-a to 9000-f is provided in a side region of a space between the substrate settling portion 2000 and the gas injector 5100 and has an exhaust hole and a side exhaust portion 9100. And a fixing part 9200 supporting and fixing the side exhaust part.

여기서, 제 1 내지 제 6 배기링부(9000-a 내지 9000-f)의 측면 배기부(9100)들이 연속 배치되어 링 형태의 측면 배기부를 형성한다. 또한, 고정부(9200)가 연속 배치되어 링 형태의 측면 고정부를 형성한다. Here, the side exhaust parts 9100 of the first to sixth exhaust ring parts 9000-a to 9000-f are continuously arranged to form a side exhaust part of a ring shape. In addition, the fixing portion 9200 is continuously arranged to form a ring-shaped side fixing portion.

그리고, 제 1 내지 제 6 배기링부(9000-a 내지 9000-f)는 상기 배기부(9100)와 연통된 배기 펌프부(9300)를 구비한다. The first to sixth exhaust ring portions 9000-a to 9000-f include an exhaust pump portion 9300 communicated with the exhaust portion 9100.

여기서, 제 2 내지 제 6 배기링부(9000-b 내지 9000-f)는 고정되어 있다. 따라서, 챔버(1000) 외측의 배기 펌프부(9300)와 측면 배기부(9100)가 연결 유로를 통해 직접 연결될 수 있다. Here, the second to sixth exhaust ring portions 9000-b to 9000-f are fixed. Therefore, the exhaust pump part 9300 and the side exhaust part 9100 outside the chamber 1000 may be directly connected through the connection flow path.

하지만, 제 1 배기링부(9000-a)의 측면 배기부(9100)는 승하강하도록 배치된다. 따라서, 제 1 배기링부(9000-a)는 측면 배기부(9100)를 승하강시키기 위한 승하강 수단(9400)과, 배기 펌프부(9300)와 측면 배기부(9100) 간을 연결하기 위한 배기 연결 유로(9500)를 구비한다. However, the side exhaust portion 9100 of the first exhaust ring portion 9000-a is disposed to move up and down. Accordingly, the first exhaust ring portion 9000-a has an elevating means 9400 for elevating and lowering the side exhaust portion 9100, and an exhaust for connecting between the exhaust pump portion 9300 and the side exhaust portion 9100. A connecting flow path 9500 is provided.

승하강 수단(9400)은 승하강력을 생성하는 스테이지부(9410)와, 스테이지부(9410)와 측면 배기부(9100) 간을 연결하는 연결 핀부(9420)를 구비한다. 이를 통해 스테이지부(9410)의 승강력이 연결 핀부(9420)를 통해 측면 배기부(9100)에 전달 될 수 있다. The elevating means 9400 includes a stage portion 9610 for generating a raising and lowering force, and a connecting pin portion 9220 for connecting between the stage portion 9210 and the side exhaust portion 9100. Through this, the lifting force of the stage part 9410 may be transmitted to the side exhaust part 9100 through the connecting pin part 9420.

이때, 스테이지부(9410)는 챔버(1000) 외측에 마련된다. 따라서, 연결 핀부(9420)는 챔버(1000)를 관통한다. 이에 연결 핀부(9420) 둘레를 따라 챔버(1000)와 스테이지부(9410) 사이에 배기 밀봉 부재(9430)가 마련되는 것이 효과적이다. 이를 통해 챔버(1000)의 진공이 파기되는 것을 방지할 수 있다. At this time, the stage portion 9410 is provided outside the chamber 1000. Thus, the connecting pin portion 9420 penetrates the chamber 1000. Accordingly, it is effective that an exhaust sealing member 9230 is provided between the chamber 1000 and the stage portion 9410 around the connecting pin portion 9420. Through this, the vacuum of the chamber 1000 may be prevented from being destroyed.

상기 배기 연결 유로(9500)는 상기 측면 배기부(9100)와 스테이지부(9410) 사이에 마련된 고정 배기 유로(9510)와, 고정 배기 유로(9510)와 배기 펌프(9300) 사이를 연결하는 가변 배기 유로(9520)를 구비한다. The exhaust connection flow path 9500 may include a fixed exhaust flow path 9510 provided between the side exhaust part 9100 and the stage part 9410, and a variable exhaust that connects the fixed exhaust flow path 9510 and the exhaust pump 9300. A flow path 9520 is provided.

고정 배기 유로(9510)는 측면 배기부(9100)와 스테이지부(9410)와 함께 승하강한다. 그리고, 가변 배기 유로(9520)는 고정 배기 유로(9510)의 승하강에 의해 전체 배기 유로가 늘어나거나 감소함을 완충시켜주는 역학을 한다. 즉, 도 8에서와 같이 가변 배기 유로(9520)는 주름 형태의 완충 영역을 구비하여 유로가 늘어나거나 줄어들도록 할 수 있다. 이를 통해 측면 배기부(9100)와 배기 펌프(9300) 간의 연결이 파괴되지 않는다. The fixed exhaust passage 9510 moves up and down together with the side exhaust portion 9100 and the stage portion 9410. In addition, the variable exhaust flow path 9520 has a dynamic function to buffer the increase or decrease of the entire exhaust flow path by raising and lowering the fixed exhaust flow path 9510. That is, as shown in FIG. 8, the variable exhaust passage 9520 may include a buffer region in the form of a pleat so that the passage may be increased or decreased. This does not destroy the connection between the side exhaust 9100 and the exhaust pump 9300.

상술한 설명에서는 제 1 내지 제 6 배기링부(9000-a 내지 9000-f) 각각이 서로 다른 배기 펌프(9300)에 접속됨을 중심으로 설명하였다. 하지만, 이에 한정되지 않고, 제 1 내지 제 6 배기링부(9000-a 내지 9000-f)의 측면 배기부(9100) 들이 하 나의 배기 펌프(9300)에 접속될 수도 있다. 또한, 배기링부(9000)는 6개의 영역에 한정되지 않고 2개 이상의 영역으로 분리 제작될 수 있다. In the above description, each of the first to sixth exhaust ring portions 9000-a to 9000-f is connected to a different exhaust pump 9300. However, the present invention is not limited thereto, and the side exhaust parts 9100 of the first to sixth exhaust ring parts 9000-a to 9000-f may be connected to one exhaust pump 9300. In addition, the exhaust ring part 9000 is not limited to six regions but may be manufactured separately in two or more regions.

상술한 실시예의 기판 처리 장치에서는 디스크 공전 제어부(3000)와 자전 제어부(4000)를 구비하였다. 하지만, 이에 한정되지 않고, 디스크 공전 제어부(3000)와 자전 제어부(4000)를 구비하지 않고, 배기링부(9000)만이 기판 안치부(2000)의 측면에 배치될 수 있다.In the substrate processing apparatus of the above-described embodiment, the disk revolving controller 3000 and the rotating controller 4000 are provided. However, the present invention is not limited thereto, and only the exhaust ring part 9000 may be disposed on the side surface of the substrate mounting part 2000 without the disk revolving control part 3000 and the rotating control part 4000.

본 발명은 상기에서 서술된 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다. 즉, 상기의 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명의 범위는 본원의 특허 청구 범위에 의해서 이해되어야 한다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, but may be implemented in various forms. That is, the above embodiments are provided to make the disclosure of the present invention complete and to fully inform those skilled in the art of the scope of the present invention, and the scope of the present invention should be understood by the claims of the present application. .

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도. 1 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 제 1 실시예에 따른 기판 안치부의 영역의 평면도. 2 is a plan view of a region of the substrate settled portion according to the first embodiment;

도 3은 제 1 실시예에 따른 기판 안치부 일부 영역의 단면 확대도. 3 is an enlarged cross-sectional view of a portion of the substrate settled portion according to the first embodiment;

도 4는 제 1 실시예의 변형예에 따른 기판 안치부 일부 영역의 단면 확대도.4 is an enlarged cross-sectional view of a portion of a substrate settled portion according to a modification of the first embodiment.

도 5는 제 1 실시예의 변형예에 따른 기판 안치부 영역의 평면도. 5 is a plan view of a substrate settling area according to a modification of the first embodiment;

도 6은 제 1 실시예에 따른 자전 제어부 일부 영역의 단면 확대도. 6 is an enlarged cross-sectional view of a portion of the rotation controller according to the first embodiment.

도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도. 7 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도. 8 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.

도 9는 제 3 실시예에 따른 배기링부를 설명하기 위한 평면도. 9 is a plan view for explaining the exhaust ring unit according to the third embodiment.

<도면의 주요 부호에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for major symbols in the drawings>

1000 : 챔버 2000 : 기판 안치부1000: chamber 2000: substrate mounting part

2100 : 메인 디스크 220 : 서브 기판 홀더2100: main disk 220: sub board holder

3000 : 디스크 공전 제어부 3100 : 구동부3000: Disc idle control unit 3100: Drive unit

3200 : 공전 제어축 4000 : 자전 제어부3200: revolution control axis 4000: rotation control

4100 : 고정 판부 4200 : 고정축부4100: fixed plate portion 4200: fixed shaft portion

4300 : 자전용 기어부4300: gear unit

Claims (18)

챔버;chamber; 상기 챔버 내측에 위치하고 공전하는 메인 디스크와 상기 메인 디스크에 배치되어 자전하는 복수의 서브 기판 홀더를 구비하는 기판 안치부;A substrate placing part including a main disk positioned inside the chamber and revolving and a plurality of sub substrate holders disposed on the main disk to rotate; 상기 기판 안치부의 상기 메인 디스크를 회전시키는 디스크 공전 제어부; 및A disk idle controller for rotating the main disk of the substrate setter; And 상기 챔버에 고정되고 상기 기판 안치부의 상기 복수의 서브 기판 홀더의 자전을 제어하는 자전 제어부를 포함하는 기판 처리 장치. And a rotation control unit fixed to the chamber to control rotation of the plurality of sub-substrate holders of the substrate mounting unit. 청구항 1에 있어서, 상기 자전 제어부는, The method according to claim 1, wherein the rotating control unit, 상기 챔버의 상측 영역에 고정되는 고정 판부와, A fixed plate part fixed to an upper region of the chamber, 상기 고정 판부에서 상기 기판 안치부 방향으로 연장된 고정 축부와, A fixed shaft portion extending from the fixed plate portion toward the substrate settled portion; 상기 고정 축부의 끝단에 마련된 자전용 기어부를 포함하는 기판 처리 장치. Substrate processing apparatus including a magnetic gear portion provided at the end of the fixed shaft portion. 청구항 2에 있어서, The method according to claim 2, 상기 고정 판부는 챔버 상측 영역에 위치하는 고정 몸체와, 상기 고정 몸체의 회전을 고정하는 고정부를 구비하는 기판 처리 장치.The fixing plate part has a fixing body positioned in the upper region of the chamber, and a fixing unit for fixing the rotation of the fixing body. 청구항 2에 있어서, The method according to claim 2, 상기 복수의 서브 기판 홀더 각각은 기판이 안치되는 기판 안치부와, 상기 자전용 기어부와 결합된 홀더용 기어부를 포함하고, 상기 자전용 기어부와 상기 홀더용 기어부간의 기어비를 조절하여 상기 서브 기판 홀더의 자전 속도를 제어하는 기판 처리 장치. Each of the plurality of sub-substrate holders includes a substrate mounting portion on which a substrate is placed, and a holder gear portion coupled to the magnetic gear portion, and adjusts the gear ratio between the magnetic gear portion and the holder gear portion to adjust the sub-substrate. A substrate processing apparatus for controlling the rotation speed of the substrate holder. 청구항 4에 있어서, The method according to claim 4, 상기 메인 디스크의 중심에 상기 자전 제어부가 배치되고, 상기 중심을 기준으로 방사상으로 상기 복수의 서브 기판 홀더가 배치되며, The rotation controller is disposed at the center of the main disk, and the plurality of sub-substrate holders are disposed radially with respect to the center. 상기 메인 디스크는 상기 자전 제어부와 상기 복수의 서브 기판 홀더를 수납하는 수납 공간을 구비하는 몸체와, 상기 서브 기판 홀더의 기판 안치부를 제외한 나머지 영역을 커버하는 커버부를 구비하는 기판 처리 장치. The main disk includes a body having a rotating space for accommodating the rotating control unit and the plurality of sub substrate holders, and a cover part covering the remaining area except for the substrate settled portion of the sub substrate holder. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 서브 기판 홀더의 하측 중심에 회전홈이 마련되고, 상기 메인 디스크 상측 표면에는 상기 회전홈에 대응하는 회전 중심 돌기가 마련되거나, Rotation grooves are provided in the lower center of the sub-substrate holder, and rotation center protrusions corresponding to the rotation grooves are provided on the upper surface of the main disk, 상기 서브 기판 홀더의 하측 중심에 상기 회전 중심 돌기가 마련되고, 상기 메인 디스크 상측 표면에 상기 회전 중심 돌기에 대응하는 회전홈이 마련된 기판 처리 장치. And a rotation center protrusion at a lower center of the sub substrate holder, and a rotation groove corresponding to the rotation center protrusion on an upper surface of the main disk. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 자전 제어부를 통해 상기 메인 디스크와 상기 서브 기판 홀더 사이에 부상(浮上) 가스를 제공하는 부상 가스 공급부를 더 포함하는 기판 처리 장치. And a floating gas supply unit configured to provide a floating gas between the main disk and the sub substrate holder through the rotating control unit. 청구항 7에 있어서, The method according to claim 7, 상기 메인 디스크와 상기 서브 기판 홀더 사이에 부상(浮上) 가스를 배기하는 부상 가스 배기유로를 더 포함하는 기판 처리 장치. And a floating gas exhaust passage for exhausting the floating gas between the main disk and the sub substrate holder. 청구항 7에 있어서, The method according to claim 7, 상기 부상 가스 공급 유로는 상기 부상 가스가 저장된 부상 가스 저장부를 구비하고, The floating gas supply flow path includes a floating gas storage unit in which the floating gas is stored. 상기 메인 디스크 내측에 마련되어 상기 메인 디스크와 상기 서브 기판 홀더 사이 영역으로 부상 가스를 공급하는 부상 가스 분배 유로와, A floating gas distribution passage provided inside the main disk to supply floating gas to a region between the main disk and the sub-substrate holder; 상기 부상 가스 분배 유로와 연통되고, 상기 자전 제어부 내측에 마련되어 부상 가스 저장부의 부상 가스를 상기 부상 가스 분배 유로에 제공하는 부상 가스 공급 유로를 포함하는 기판 처리 장치.And a floating gas supply flow passage communicating with the floating gas distribution flow passage, the floating gas supply flow passage being provided inside the rotation control unit to provide the floating gas to the floating gas distribution flow passage. 청구항 9에 있어서, The method according to claim 9, 상기 부상 가스 분배 유로와 부상 가스 공급 유로가 연통 되도록 상기 자전 제어부와 상기 메인 디스크가 밀착 배치되고, 밀착면 사이에 실링 부재가 마련된 기판 처리 장치.And a rotating member and the main disk in close contact with each other so that the floating gas distribution flow path and the floating gas supply flow path communicate with each other, and a sealing member is provided between the contact surfaces. 청구항 9에 있어서, The method according to claim 9, 상기 메인 디스크는 순차적으로 적층된 제 1 디스크 몸체와 제 2 디스크 몸체를 구비하고, The main disk has a first disk body and a second disk body stacked sequentially, 상기 부상 가스 분배 유로는 상기 제 2 디스크 몸체의 중심에 마련된 입력 유로와, 상기 입력 유로에서 각 서브 기판 홀더 방향으로 연장된 방사상 연장 유로와, 상기 방사상 연장 유로에 연통되도록 상기 제 2 디스크 몸체를 관통하여 마련된 부상 가스 분사홀을 구비하고, 상기 방사상 연장 유로는 상기 제 1 및 제 2 디스크 몸체의 경계면 영역에 마련된 기판 처리 장치. The floating gas distribution flow passage penetrates through the second disk body so as to communicate with an input flow passage provided in the center of the second disc body, a radially extending flow passage extending from the input flow passage toward each sub-substrate holder, and the radially extending flow passage. And a floating gas injection hole, wherein the radially extending passage is provided at an interface between the first and second disk bodies. 청구항 11에 있어서, The method according to claim 11, 상기 서브 기판 홀더에 대응하는 상기 제 2 디스크 몸체 영역에 링 형상으로 리세스된 부상홈을 포함하고, 상기 부상 가스 분배 유로는 상기 부상홈으로 상기 부상 가스를 분사하는 기판 처리 장치. And a floating groove recessed in a ring shape in the second disk body region corresponding to the sub substrate holder, wherein the floating gas distribution flow path injects the floating gas into the floating groove. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 자전 제어부를 통해 상기 서브 기판 홀더 상측 영역에 퍼지 가스를 분사하는 퍼지 가스 공급부를 더 포함하는 기판 처리 장치. And a purge gas supply unit configured to inject a purge gas into an upper region of the sub substrate holder through the rotating controller. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 서브 기판 홀더 상에 위치하여 공정 가스를 분사하는 가스 분사부를 구 비하는 공정 가스 공급부를 더 포함하는 기판 처리 장치.And a process gas supply unit disposed on the sub substrate holder to provide a gas injector for injecting the process gas. 청구항 14에 있어서, The method according to claim 14, 상기 챔버의 일측에 기판 출입구가 마련되고, A substrate entrance is provided at one side of the chamber, 상기 기판 안치부와 상기 가스 분사부 사이 공간의 측면 영역에 링 형태로 배치된 복수의 배기링부를 포함하고, A plurality of exhaust rings disposed in a ring shape in a side region of the space between the substrate setter and the gas injector, 상기 복수의 배기링부 중 상기 기판 출입구에 대응하는 배기링부는 승하강하고, 나머지 배기링부는 고정된 기판 처리 장치.And an exhaust ring portion corresponding to the substrate entrance and exit of the plurality of exhaust ring portions, and the other exhaust ring portion is fixed. 챔버;chamber; 상기 챔버의 일측에 마련된 기판 출입구;A substrate entrance provided at one side of the chamber; 상기 챔버 내측에 위치하여 적어도 하나의 기판을 안치하는 기판 안치부;A substrate setter positioned inside the chamber to hold at least one substrate; 상기 기판에 공정 가스를 분사하는 가스 분사부; 및A gas injector for injecting a process gas onto the substrate; And 상기 기판 안치부와 상기 가스 분사부 사이 공간의 측면 영역에 링 형태로 배치된 복수의 배기링부를 포함하고, A plurality of exhaust rings disposed in a ring shape in a side region of the space between the substrate setter and the gas injector, 상기 복수의 배기링부 중 기판 출입구에 대응하는 배기링부는 승하강하고, 나머지 배기링부는 고정된 기판 처리 장치.And an exhaust ring portion corresponding to a substrate entrance and exit of the plurality of exhaust ring portions, and the other exhaust ring portion is fixed. 청구항 16에 있어서, 18. The method of claim 16, 상기 복수의 배기링부는 상기 기판 안치부와 상기 가스 분사부 사이 공간의 측면 영역에 마련된 측면 배기부와, 상기 측면 배기부를 지지 고정하는 고정부 그리고, 상기 측면 배기부에 연결된 배기 펌프를 구비하고, The plurality of exhaust ring portions include a side exhaust portion provided in a side region of the space between the substrate settlement portion and the gas injection portion, a fixing portion for supporting and fixing the side exhaust portion, and an exhaust pump connected to the side exhaust portion, 상기 기판 출입구에 대응하는 배기링부는 상기 측면 배기부를 승하강시키는 승하강 수단과, 상기 배기 펌프와 측면 배기부 간을 연결하기 위한 배기 연결 유로를 구비하는 기판 처리 장치. And an exhaust ring unit for elevating the side exhaust portion and an exhaust connection flow path for connecting between the exhaust pump and the side exhaust portion. 청구항 17에 있어서, The method according to claim 17, 상기 승하강 수단은 승하강력을 생성하는 스테이지부와, 상기 스테이지부와 측면 배기부 간을 연결하는 연결 핀부를 구비하고, The lifting means comprises a stage portion for generating a lifting force, and a connecting pin portion for connecting between the stage portion and the side exhaust portion, 상기 배기 연결 유로는 상기 측면 배기부와 상기 스테이지부 사이에 마련된 고정 배기 유로와 상기 고정 배기 유로와 상기 배기 펌프간을 연결하는 가변 배기 유로를 구비하는 기판 처리 장치. And the exhaust connection passage comprises a fixed exhaust passage provided between the side exhaust portion and the stage portion, and a variable exhaust passage connecting the fixed exhaust passage and the exhaust pump.
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