KR101907973B1 - Gas injecting device and Substrate processing apparatus having the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 전 영역에 걸쳐 공정가스를 균일하게 공급함으로써 박막의 증착 균일도를 향상시킬 수 있는 가스분사장치 및 이를 구비하는 기판처리장치에 관한 것으로서, 챔버 내부에 공정가스를 분사하는 가스분사장치로서, 공정가스가 공급되는 가스도입구가 형성된 탑리드와, 상기 탑리드의 하부 일부에 이격되어 결합되며, 상기 가스도입구와 연통하는 복수의 가스분사공이 형성된 복수의 분사플레이트를 포함하고, 상기 복수의 분사플레이트 각각에는, 상기 복수의 가스분사공이 상기 탑리드의 반경방향으로 연장되는 복수의 열을 형성하며, 상기 탑리드의 중심에서 반경방향으로 서로 다른 거리에 적어도 한 개의 가스분사공이 형성되어, 증착 균일도 저하에 따른 공정 불량을 억제함으로써 공정 효율 및 생산성을 향상시킬 수 있다. The present invention relates to a gas injection device capable of improving the uniformity of deposition of a thin film by uniformly supplying a process gas over the entire area of a substrate, and a substrate processing apparatus having the same, and is a gas injection device for injecting a process gas into a chamber And a plurality of gas injection holes communicating with the gas inlet, the plurality of gas injection holes communicating with the gas inlet, and the plurality of gas injection holes communicating with the gas inlet, Each of the plurality of gas injection holes forming a plurality of rows extending in the radial direction of the top leads and at least one gas injection hole being formed at different distances from the center of the top leads in the radial direction, Process efficiency and productivity can be improved by suppressing process defects due to lowering of deposition uniformity.

Description

가스분사장치 및 이를 구비하는 기판처리장치{Gas injecting device and Substrate processing apparatus having the same}[0001] The present invention relates to a gas injecting apparatus and a substrate processing apparatus having the same,

본 발명은 가스분사장치 및 이를 구비하는 기판처리장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판 전 영역에 걸쳐 공정가스를 균일하게 공급함으로써 박막의 증착 균일도를 향상시킬 수 있는 가스분사장치 및 이를 구비하는 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a gas injection apparatus and a substrate processing apparatus having the same, and more particularly, to a gas injection apparatus capable of improving uniformity of deposition of a thin film by uniformly supplying a process gas over the entire substrate, Processing apparatus.

반도체 소자의 스케일이 점차 축소됨에 따라 극박막에 대한 요구가 갈수록 증대되고 있으며, 콘택홀 크기가 감소되면서 단차 도포성(step coverage)에 대한 문제도 점점 더 심각해지고 있다. 이에 따른 여러 가지 문제들을 극복할 수 있는 증착방법으로서 원자층증착(atomic layer deposition, ALD)방법이 사용되고 있다. As the scale of the semiconductor device is gradually reduced, the demand for the polar thin film is increasing and the problem of the step coverage becomes increasingly serious as the contact hole size is reduced. Atomic layer deposition (ALD) has been used as a deposition method to overcome various problems.

원자층 박막증착방법의 원리를 간단하게 설명하면 다음과 같다. 기판이 챔버 내로 공급된 제1원료가스에 노출되면 기판 표면과의 반응을 통해 제1원료가스가 기판 표면에 화학 흡착되어 단원자층을 형성한다. 그러나 기판 표면이 제1원료가스로 포화되면 단원자층 이상의 제1원료가스는 동일한 리간드 간의 비반응성으로 인해 화학 흡착 상태를 형성하지 못하고 물리 흡착 상태에 있게 된다. 이후, 기판이 퍼지(purge)가스에 노출이 되면 기판 상에 존재하던 물리 흡착 상태의 제1원료가스는 퍼지가스에 의해서 제거된다. 이어서 기판이 제2원료가스에 노출되면, 제2원료가스가 기판 표면에 화학 흡착되어 있는 제1원료가스와 리간드 상호 간 치환반응을 하면서 두 번째 층이 형성되고, 첫 번째 층과 반응하지 못한 제2원료가스는 물리 흡착 상태에 있다가, 다시 기판이 퍼지가스에 노출되면 퍼지가스에 의해 제거된다. 그리고 이 두 번째 층의 표면은 제1원료가스와 반응할 수 있는 상태에 있게 된다. 상기한 과정이 하나의 사이클을 이루고 기판에 원하는 두께의 박막이 형성될 때까지 여러 사이클을 반복한다. The principle of the atomic layer thin film deposition method will be briefly described as follows. When the substrate is exposed to the first source gas supplied into the chamber, the first source gas is chemically adsorbed onto the substrate surface through reaction with the substrate surface to form a monolayer. However, when the surface of the substrate is saturated with the first source gas, the first source gas above the monolayer does not form a chemisorption state due to the non-reactivity between the same ligands, and is in a state of physically adsorbed. Thereafter, when the substrate is exposed to the purge gas, the first raw material gas in the physically adsorbed state existing on the substrate is removed by the purge gas. When the substrate is exposed to the second source gas, a second layer is formed while the second source gas chemically adsorbs the first source gas to the ligand, and the second layer is formed. 2 The source gas is physically adsorbed, and once the substrate is exposed to the purge gas, it is removed by the purge gas. And the surface of the second layer is in a state capable of reacting with the first raw material gas. The above process repeats several cycles until one cycle is formed and a thin film having a desired thickness is formed on the substrate.

도 1은 종래의 기판처리장치의 개략적 단면도이고, 도 2는 도 1의 가스분사장치의 저면도이다. Fig. 1 is a schematic sectional view of a conventional substrate processing apparatus, and Fig. 2 is a bottom view of the gas injection apparatus of Fig. 1. Fig.

도 1을 참조하면, 기판처리장치는 내부에 공간부가 형성되어 있는 챔버(10)와, 챔버(10) 내부에 회전가능하게 설치되며 복수의 기판(S)이 안착되는 기판지지부(20)를 구비한다. 또한, 챔버(10)의 상부에는 기판(S)을 향해 가스를 공급하는 가스분사장치(11)가 설치된다. Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus includes a chamber 10 having a space formed therein, and a substrate supporting portion 20 rotatably installed in the chamber 10 and on which a plurality of substrates S are mounted do. A gas injection device 11 for supplying a gas toward the substrate S is provided on the chamber 10.

가스분사장치(11)는 도 2에 도시된 것처럼 복수의 가스분사유닛으로 이루어진다. 보다 구체적으로 가스분사장치(11)의 구성을 설명하면, 원판 형상의 탑리드(12)가 상부에 배치되고, 부채꼴과 유사한 형태의 분사플레이트(16) 복수 개가 탑리드(12)의 하부에 이격되어 결합된다. 탑리드(12)에는 중심점을 기준으로 복수의 가스주입공(14)이 형성되어 있어, 각 가스주입공(14)을 통해 각 가스분사유닛에 가스를 공급한다. 가스주입공(14)을 통해 주입된 가스는 분사플레이트(16)와 탑리드(12) 사이에서 확산되어, 분사플레이트(16)에 형성된 가스분사공(17)을 통해 기판(S)으로 공급된다. The gas injection device 11 is composed of a plurality of gas injection units as shown in Fig. More specifically, the structure of the gas injection device 11 will be described. A disc-shaped top lead 12 is disposed on the upper portion, and a plurality of ejection plates 16 of a fan- . A plurality of gas injection holes 14 are formed in the top lead 12 with reference to the center point, and gas is supplied to each gas injection unit through each gas injection hole 14. The gas injected through the gas injection hole 14 is diffused between the injection plate 16 and the top lead 12 and supplied to the substrate S through the gas injection hole 17 formed in the injection plate 16 .

기판지지부(20)는 챔버(10) 내에서 회전하여 기판지지부(20)에 안착된 복수의 기판(S)이 각 가스분사유닛으로부터 공급되는 가스를 순차적으로 공급받을 수 있도록 한다. 예컨대, 기판(S)은 공정이 시작되는 시점에 제1원료가스를 공급받고, 순차적으로 퍼지가스, 제2원료가스, 퍼지가스를 공급받음으로써 박막증착이 이루어진다. The substrate support 20 rotates in the chamber 10 to allow a plurality of substrates S placed on the substrate support 20 to sequentially receive the gas supplied from each gas injection unit. For example, the substrate S is supplied with the first source gas at the start of the process, and sequentially receives the purge gas, the second source gas, and the purge gas, thereby depositing the thin film.

한편, 이와 구성된 기판처리장치에서는 각 가스분사유닛에 형성된 가스분사공(17)이 도 2에 도시된 것처럼 가스분사장치, 즉 탑리드(12)의 중심점을 기준으로 형성되는 동일한 동심원(R) 상에 복수 개씩 배열된다. 이에 직경이 다른 동심원 상에 배열되는 가스분사공(17)과 가스분사공(17) 사이에는 필연적으로 간격(d)이 형성될 수밖에 없다. 따라서 기판지지부(20)를 회전시키면서 기판(S) 상부에 박막을 증착하게 되면, 가스분사공(17)을 통해 분사되는 가스도 동심원을 그리며 분사되기 때문에 동일 동심원 상에 배열된 가스분사공을 통해 분사되는 가스는 기판(S)의 동일한 지점에 중복해서 분사되는 현상이 발생한다. 다시 말해서 가스분사공(17)의 바로 하부의 기판(S)으로 분사되는 가스의 양보다 가스분사공(17)과 가스분사공(17) 사이의 간격(d) 하부의 기판(S)으로 분사되는 가스의 양이 상대적으로 적기 때문에 도 2에 도시된 것과 같은 가스 분포가 나타나게 된다. 따라서 기판(S) 상에 증착되는 박막의 증착 균일도가 저하되어 제품의 신뢰성이 저하되는 문제점이 있다. In the substrate processing apparatus configured as described above, the gas injection holes 17 formed in the respective gas injection units are arranged in the same concentric circle (R) shape formed on the basis of the center point of the gas injection device, that is, the top lead 12 Respectively. A gap d is inevitably formed between the gas injection holes 17 and the gas injection holes 17 arranged on the concentric circles having different diameters. Therefore, when the thin film is deposited on the substrate S while rotating the substrate supporting part 20, the gas injected through the gas injection hole 17 is also injected in a concentric manner so that the gas is injected through the gas injection holes arranged on the same concentric circle A phenomenon occurs in which the gas to be injected is injected to the same point of the substrate S in an overlapping manner. In other words, the amount of gas injected to the substrate S immediately below the gas injection hole 17 is smaller than the amount of gas injected to the substrate S below the gap d between the gas injection hole 17 and the gas injection hole 17 The gas distribution as shown in Fig. 2 appears because the amount of the gas to be supplied is relatively small. Therefore, there is a problem that the uniformity of deposition of the thin film deposited on the substrate S is lowered and the reliability of the product is deteriorated.

KR 2009-0117408 A1KR 2009-0117408 A1 KR 2007-0093704 A1KR 2007-0093704 A1

본 발명은 박막의 증착 균일도를 향상시킬 수 있는 가스분사장치 및 이를 구비하는 기판처리장치를 제공한다. The present invention provides a gas injection device capable of improving the deposition uniformity of a thin film and a substrate processing apparatus having the gas injection device.

본 발명은 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 가스분사장치 및 이를 구비하는 기판처리장치를 제공한다. The present invention provides a gas injection device capable of improving the reliability of a product and a substrate processing apparatus having the gas injection device.

본 발명은 공정 효율 및 생산성을 향상시킬 수 있는 가스분사장치 및 이를 구비하는 기판처리장치를 제공한다.The present invention provides a gas injection apparatus capable of improving process efficiency and productivity and a substrate processing apparatus having the gas injection apparatus.

본 발명의 실시 형태에 따른 가스분사장치는, 챔버 내부에 공정가스를 분사하는 가스분사장치로서, 공정가스가 공급되는 가스도입구가 형성된 탑리드와, 상기 탑리드의 하부 일부에 이격되어 결합되며, 상기 가스도입구와 연통하는 복수의 가스분사공이 형성된 복수의 분사플레이트를 포함하고, 상기 복수의 분사플레이트 각각에는, 상기 복수의 가스분사공이 상기 탑리드의 반경방향으로 연장되는 복수의 열을 형성하며, 상기 탑리드의 중심에서 반경방향으로 서로 다른 거리에 적어도 한 개의 가스분사공이 형성된다. 이때, 상기 복수의 열은 상기 탑리드의 중심을 기준으로 반경방향으로 동일한 거리에 단일의 가스분사공이 형성되어 있을 수도 있다. A gas injection device according to an embodiment of the present invention is a gas injection device for injecting a process gas into a chamber, comprising: a top lead having a gas inlet to which a process gas is supplied; And a plurality of gas injection holes communicating with the gas inlet, wherein the plurality of gas injection holes form a plurality of rows extending in the radial direction of the top leads, And at least one gas injection hole is formed at a different distance in the radial direction from the center of the top lead. At this time, the plurality of rows may be formed with a single gas injection hole at the same distance in the radial direction with respect to the center of the top lead.

상기 복수의 열은 상기 탑리드의 반경방향으로 나란하게 배열될 수도 있다. The plurality of rows may be arranged in parallel in the radial direction of the top leads.

상기 복수의 열은 상기 탑리드의 반경방향으로 상호 일정한 각도를 가지며 배치될 수도 있다. The plurality of rows may be disposed at an angle to each other in the radial direction of the top leads.

상기 복수의 열은 상기 탑리드의 중심 측에서 가장자리 측으로 갈수록 넓어지는 'V'자형으로 형성될 수도 있다. 이때, 상기 복수의 가스분사공은 상기 탑리드의 반경방향으로 일정한 간격을 가지며 이격되어 각각의 열을 형성할 수도 있고, 상기 각각의 열을 형성하는 복수의 가스분사공은 상기 가스분사공의 반경보다 넓고 상기 가스분사공의 직경보다 작은 간격을 가지며 이격되어 형성될 수도 있다. 그리고, 상기 각각의 열을 형성하는 복수의 가스분사공은 상기 가스분사공의 반경보다 작은 간격을 가지며 이격되어 형성될 수도 있다. The plurality of rows may be formed in a V shape extending from the center side of the top lead to the edge side. At this time, the plurality of gas injection holes may be spaced apart from each other at a predetermined interval in the radial direction of the top lead to form respective rows, and the plurality of gas injection holes forming the respective columns may have a radius And may be spaced apart from each other with a gap smaller than the diameter of the gas injection hole. The plurality of gas injection holes forming the respective rows may be spaced apart from each other with an interval smaller than the radius of the gas injection holes.

상기 복수의 열을 형성하는 복수의 가스분사공 사이의 거리는 상기 탑리드의 중심 영역과 상기 탑리드의 가장자리 영역 중 적어도 어느 하나의 영역으로 갈수록 더 좁아질 수도 있다. The distance between the plurality of gas injection holes forming the plurality of rows may become narrower toward the region of at least one of the center region of the top lead and the edge region of the top lead.

본 발명의 실시 형태에 따른 기판처리장치는, 내부에 공간부가 형성되어 있는 챔버와; 상기 챔버 내부에 회전 가능하게 설치되어 복수의 기판을 지지하는 기판지지부; 및 상기 기판지지부의 상부에 구비되어 상기 기판으로 공정가스를 분사하는 가스분사장치;를 포함하며, 상기 가스분사장치는 복수의 가스분사공이 형성된 복수의 분사플레이트를 포함하고, 상기 복수의 분사플레이트 각각에는 상기 복수의 가스분사공이 상기 가스분사장치의 반경방향으로 연장되는 복수의 열을 형성하고, 상기 가스분사장치의 중심에서 반경방향으로 서로 다른 거리에는 적어도 한 개의 가스분사공이 형성될 수 있다. 이때, 상기 복수의 열은 상기 가스분사장치의 중심을 기준으로 반경방향으로 동일한 거리에 단일의 가스분사공이 형성되어 있을 수도 있다. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a chamber having a space formed therein; A substrate support rotatably installed in the chamber to support a plurality of substrates; And a gas injection device provided on the substrate supporting part and injecting a process gas into the substrate, wherein the gas injection device includes a plurality of injection plates formed with a plurality of gas injection holes, and the plurality of injection plates The plurality of gas injection holes form a plurality of rows extending in the radial direction of the gas injection device and at least one gas injection hole may be formed at different distances from the center of the gas injection device in the radial direction. At this time, the plurality of rows may be formed with a single gas injection hole at the same distance in the radial direction with respect to the center of the gas injection device.

상기 복수의 열은 상기 가스분사장치의 반경방향으로 나란하게 배열될 수도 있다. The plurality of rows may be arranged in parallel in the radial direction of the gas injection device.

상기 복수의 열은 상기 가스분사장치의 반경방향으로 상호 일정한 각도를 가지며 배치될 수도 있다. The plurality of rows may be disposed at mutually different angles in the radial direction of the gas injection device.

상기 복수의 열은 상기 가스분사장치의 중심 측에서 가장자리 측으로 갈수록 넓어지는 'V'자형으로 형성될 수도 있다. 이때, 상기 복수의 가스분사공은 상기 가스분사장치의 반경방향으로 일정한 간격을 가지며 이격되어 각각의 열을 형성할 수도 있고, 상기 각각의 열을 형성하는 복수의 가스분사공은 상기 가스분사공의 반경보다 넓고 상기 가스분사공의 직경보다 작은 간격을 가지며 이격되어 형성될 수도 있다. 그리고, 상기 각각의 열을 형성하는 복수의 가스분사공은 상기 가스분사공의 반경보다 작은 간격을 가지며 이격되어 형성될 수도 있다. The plurality of rows may be formed in a V shape extending from the center side to the edge side of the gas injection device. At this time, the plurality of gas injection holes may be spaced apart from each other at a predetermined interval in the radial direction of the gas injection device to form respective rows, and a plurality of gas injection holes, And may be spaced apart from each other with a gap larger than the radius and smaller than the diameter of the gas injection hole. The plurality of gas injection holes forming the respective rows may be spaced apart from each other with an interval smaller than the radius of the gas injection holes.

상기 복수의 열을 형성하는 복수의 가스분사공 사이의 거리는 상기 가스분사장치의 중심 영역과 상기 가스분사장치의 가장자리 영역 중 적어도 어느 하나의 영역으로 갈수록 더 좁아질 수도 있다. The distance between the plurality of gas injection holes forming the plurality of rows may become narrower toward at least one of the central region of the gas injection device and the edge region of the gas injection device.

본 발명의 실시 형태에 따른 가스분사장치 및 이를 구비하는 기판처리장치는, 박막의 증착 균일도를 향상시킬 수 있다. 이에 증착 균일도 저하에 따른 공정 불량을 억제하여 공정 효율 및 생산성도 향상시킬 수 있다. 또한, 형성하고자 하는 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 반도체소자 제조장치가 대형화되더라도 증착 균일도가 우수한 박막을 증착할 수 있다. The gas injection apparatus and the substrate processing apparatus having the gas injection apparatus according to the embodiments of the present invention can improve the uniformity of deposition of the thin film. Thus, it is possible to suppress the process failure due to the lowering of the deposition uniformity, thereby improving the process efficiency and productivity. In addition, reliability of the device to be formed can be improved. Further, even if the semiconductor device manufacturing apparatus is enlarged, a thin film having excellent deposition uniformity can be deposited.

도 1은 종래기술에 따른 기판처리장치의 개략적 단면도.
도 2는 도 1에 도시된 가스분사장치의 저면도.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 기판처리장치의 개략적 단면도.
도 4는 도 3의 기판처리장치에 적용되는 가스분사장치의 일 예를 보여주는 도면.
도 5는 도 4의 변형 예를 보여주는 도면.
도 6은 도 3의 기판처리장치에 적용되는 가스분사장치의 다른 예를 보여주는 도면.
도 7은 도 6의 변형 예를 보여주는 도면.1 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to the prior art;
2 is a bottom view of the gas injection device shown in Fig.
3 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Fig. 4 is a view showing an example of a gas injection device applied to the substrate processing apparatus of Fig. 3; Fig.
Fig. 5 is a view showing a modification of Fig. 4; Fig.
FIG. 6 is a view showing another example of a gas injection device applied to the substrate processing apparatus of FIG. 3; FIG.
FIG. 7 is a view showing a modification of FIG. 6; FIG.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know.

이하, 첨부된 도면을 참고로 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 기판처리장치의 개략적 단면도이다. 3 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 기판처리장치는 챔버(100), 기판지지부(200) 및 가스분사장치(120)를 포함한다. Referring to FIG. 3, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a chamber 100, a substrate support 200, and a gas injection device 120.

챔버(100)는 상부가 개방된 본체(110)와, 본체(110)의 상부에 개폐 가능하게 설치되는 탑리드(122)를 구비한다. 탑리드(122)가 본체(110)의 상부에 결합되어 본체(110) 내부를 폐쇄하면, 챔버(100)의 내부에는 예컨대, 증착 공정 등 기판(S)에 대한 처리가 행해지는 공간부(102)가 형성된다.The chamber 100 includes a main body 110 with an open top and a top lead 122 that is openable and closable at the top of the main body 110. When the top lead 122 is coupled to the upper part of the main body 110 to close the inside of the main body 110, a space part 102 in which processing for the substrate S such as a deposition process is performed is provided inside the chamber 100 Is formed.

공간부(102)는 일반적으로 진공 분위기로 형성되어야 하므로, 챔버(100)의 소정 위치에는 공간부(102)에 존재하는 가스의 배출을 위한 배기구(104)가 형성되어 있고, 배기구(104)는 외부에 구비되는 펌프(미도시)에 연결된 배기관(140)과 연결된다. The exhaust port 104 for exhausting the gas existing in the space portion 102 is formed at a predetermined position of the chamber 100 and the exhaust port 104 is formed at a predetermined position And is connected to an exhaust pipe 140 connected to a pump (not shown) provided outside.

또한, 본체(102)의 바닥면에는 후술할 기판지지부(200)의 회전축(210)이 삽입되는 관통공(106)이 형성되어 있다. 본체(102)의 측벽에는 기판(S)을 챔버(100) 내부로 반입하거나, 외부로 반출하기 위한 게이트벨브(미도시)가 형성되어 있다. A through hole 106 is formed in the bottom surface of the main body 102 to receive the rotation shaft 210 of the substrate support 200, which will be described later. A gate valve (not shown) is formed on the side wall of the main body 102 to carry the substrate S into the chamber 100 or carry it out.

기판지지부(200)는 기판(S)을 지지하기 위한 구성으로서, 지지플레이트(220)와 회전축(210)을 구비한다. 지지플레이트(220)는 원판 형상으로 챔버(100) 내부에 수평방향으로 구비되고, 회전축(210)은 지지플레이트(220)의 저면에 수직으로 연결된다. 회전축(210)은 관통공(106) 외부의 모터 등의 구동수단(미도시)에 연결되어 지지플레이트(220)를 승강 및 회전시킨다. 이때, 회전축(210)과 관통공(106) 사이는 벨로우즈(미도시) 등을 이용하여 밀폐시킴으로써 박막을 증착하는 과정에서 챔버(100) 내부의 진공이 해제되는 것을 방지한다.The substrate supporting unit 200 includes a supporting plate 220 and a rotating shaft 210 for supporting the substrate S. The support plate 220 is provided in the shape of a disk in a horizontal direction inside the chamber 100 and the rotation axis 210 is vertically connected to the bottom surface of the support plate 220. The rotating shaft 210 is connected to driving means (not shown) such as a motor outside the through hole 106 to lift and rotate the supporting plate 220. At this time, the space between the rotating shaft 210 and the through hole 106 is sealed by using a bellows (not shown) or the like to prevent the vacuum in the chamber 100 from being released in the process of depositing the thin film.

또한, 지지플레이트(220)의 상부에는 복수의 기판안착부(222)가 일정 간격을 가지며 형성된다. 기판안착부(222)는 박막증착을 위한 지지플레이트(220)의 회전 시 장착된 기판(S)의 이탈을 방지할 수 있도록 함몰된 형태로 형성되는 것이 좋다. 또한 지지플레이트(220)의 하측 또는 내부에는 히터(미도시)가 구비되어 기판(S)을 일정한 공정 온도로 가열할 수도 있다. In addition, a plurality of substrate seating parts 222 are formed at an upper portion of the support plate 220 at predetermined intervals. The substrate seating part 222 may be formed in a recessed shape to prevent the substrate S mounted on rotation of the support plate 220 for thin film deposition. A heater (not shown) may be provided on the lower side or inside of the support plate 220 to heat the substrate S to a predetermined process temperature.

가스분사장치(120)는 기판지지부(200) 상부에 이격되어 구비되며, 기판지지부(200) 측으로 원료가스(S), 반응가스(R), 퍼지가스(P) 등 공정가스를 분사한다. The gas injector 120 is spaced apart from the upper portion of the substrate supporting part 200 and injects a process gas such as a raw material gas S, a reactive gas R, and a purge gas P to the substrate supporting part 200 side.

가스분사장치(120)는 서로 다른 종류의 가스를 분사하는 복수의 가스분사유닛을 포함하며, 각각의 가스분사유닛은 부채꼴과 유사한 형태를 이루며 지지플레이트(220)의 중심점을 기준으로 배열된다(도 4참조). The gas injection device 120 includes a plurality of gas injection units that inject different types of gas, and each gas injection unit is shaped like a sector and is arranged with respect to the center point of the support plate 220 4).

또한, 각각의 가스분사유닛은 탑리드(122)의 하부 일부를 점유하는 형태로 탑리드(122)를 공유하며, 탑리드(122) 하부에 복수의 가스분사공(128)이 형성된 분사플레이트(126)가 이격되어 결합된다. 이렇게 형성된 가스분사유닛은 분사플레이트(126)와 탑리드(122) 사이에 가스확산공간을 형성한다. 본 발명의 실시 예에서는 각각의 분사플레이트(126)에 복수의 가스분사공(128)을 형성함에 있어서 가스분사장치(120), 즉 탑리드(122)의 중심점을 기준으로 동일한 동심원 상에 하나의 가스분사공(128)이 형성되도록 함으로써 가스가 회전하는 기판지지부(220)에 장착된 기판(S)의 전 영역에 걸쳐 균일하게 분사되도록 하였다. 또한, 각각의 분사플레이트(126)에 형성되는 복수의 가스분사공(128) 각각은 가스분사장치(120)의 중심으로부터의 서로 다른 거리에 위치하도록 형성하였다. 이와 같이 분사플레이트(126)에 형성되는 가스분사공(128)의 그 구체적인 구조에 대해서는 아래에서 다시 설명하기로 한다. Each of the gas injection units may share a top lead 122 in a form occupying a lower portion of the top lead 122 and may be provided with a plurality of gas injection holes 128 126 are spaced apart. The gas injection unit thus formed forms a gas diffusion space between the injection plate 126 and the top lead 122. The plurality of gas injection holes 128 are formed in the respective injection plates 126 in the embodiment of the present invention so that one gas injection hole 128 is formed on the same concentric circle with respect to the center point of the gas injection device 120, So that the gas is uniformly injected over the entire area of the substrate S mounted on the substrate support 220 on which the gas is rotated. Further, each of the plurality of gas injection holes 128 formed in each of the injection plates 126 is formed so as to be located at different distances from the center of the gas injection device 120. The specific structure of the gas injection hole 128 formed in the injection plate 126 will be described below.

그리고 탑리드(122)에는 가스분사유닛의 개수와 대응하는 개수로 가스도입구(124)가 형성되어 탑리드(122)와 분사플레이트(126) 사이의 가스확산공간과 연통된다. 각각의 가스도입구(124)는 외부의 다양한 가스공급원(미도시)과 선택적으로 연결될 수 있다. The gas lead-in opening 124 is formed in the top lead 122 in correspondence with the number of the gas injection units to communicate with the gas diffusion space between the top lead 122 and the injection plate 126. Each gas inlet 124 may be selectively connected to various external gas sources (not shown).

여기에서는 분사플레이트(126)가 탑리드(122)의 일부분씩을 점유하며 결합되어 가스분사유닛을 형성한 예에 대해서 설명하고 있지만, 복수의 가스분사유닛은 개별적으로 형성될 수도 있다. 그리고 가스분사유닛들의 중앙에는 퍼지가스를 분사하는 중앙 가스분사유닛(130)을 더 구비함으로써 원료가스와 반응가스가 기판지지부(200)의 중앙에서 상호 혼합되는 것을 방지할 수도 있다. 이때, 중앙 가스분사유닛(130)에는 퍼지가스 가스공급원에 연결되는 가스도입구(124)가 연결되는데, 가스도입구(124)는 퍼지가스를 분사하는 다른 가스분사유닛에 연결되는 가스도입구(124)와 연결배관(미도시)을 통해 연결될 수도 있고, 중앙 가스분사유닛(130)과 가스분사유닛에 독립적으로 연결될 수도 있다. Here, an example is described in which the injection plate 126 occupies a portion of the top lead 122 and is combined to form a gas injection unit, but a plurality of gas injection units may be formed separately. Further, the center of the gas injection units may further include a central gas injection unit 130 for injecting purge gas, thereby preventing the source gas and the reactive gas from intermingling at the center of the substrate support 200. At this time, the central gas injection unit 130 is connected to a gas inlet 124 connected to a purge gas gas supply source. The gas inlet 124 is connected to a gas inlet (not shown) connected to another gas injection unit 124 and a connection pipe (not shown), or may be independently connected to the central gas injection unit 130 and the gas injection unit.

또한, 탑리드(122)와 분사플레이트(126) 사이에 분사공(미도시)이 형성된 중간플레이트(미도시)가 개재될 수도 있다. 이 경우 가스도입구(124)를 통해 가스분사유닛으로 유입된 가스는 탑리드(122)와 중간플레이트 사이 그리고 중간플레이트와 분사플레이트(126) 사이에 형성되는 가스확산공간 내에서 고르게 확산될 수 있다. 즉, 가스도입구(124)를 통해 유입된 공정가스는 가스확산공간에서 완전히 확산된 후 기판(S)으로 공급되어야 만이 공정가스가 기판(S)의 전체 영역에 걸쳐 고르게 공급될 수 있다. 이에 탑리드(122)와 분사플레이트(126) 사이에 중간플레이트를 개재함으로써, 가스도입구(124)로부터 공급되는 가스를 중간플레이트와 탑리드(122) 사이에서 1차적으로 확산시킨 후 중간플레이트에 형성된 분사공을 통해 배출되게 하고, 다시 중간플레이트와 분사플레이트(126) 사이에서 2차적으로 확산시킨 후 기판(S)으로 공급되게 한다. 공정가스는 2번의 확산과정을 통해 가스확산공간에서 완전히 확산됨으로써 기판(S) 전체 영역에 고르게 분사될 수 있다. An intermediate plate (not shown) having a spray hole (not shown) may be interposed between the top lead 122 and the spray plate 126. In this case, the gas introduced into the gas injection unit through the gas inlet 124 can be evenly diffused in the gas diffusion space formed between the top lead 122 and the intermediate plate and between the intermediate plate and the injection plate 126 . That is, the process gas introduced through the gas inlet 124 is completely diffused in the gas diffusion space and then supplied to the substrate S, so that the process gas can be uniformly supplied over the entire area of the substrate S. The intermediate plate is interposed between the top lead 122 and the injection plate 126 so that the gas supplied from the gas inlet 124 is firstly diffused between the intermediate plate and the top lead 122, To be ejected through the formed spray hole, and secondarily diffused again between the intermediate plate and the ejection plate 126, and then supplied to the substrate S. The process gas can be uniformly sprayed over the entire region of the substrate S by being completely diffused in the gas diffusion space through two diffusion processes.

이와 같이 구성된 기판처리장치는 박막을 증착하는 과정에서 가스분사장치(120)를 통해 원료가스(S), 반응가스(R) 및 퍼지가스(P)를 기판(S) 상부로 지속적으로 공급되고, 잔류가스 및 부산물 등은 배기구(104)를 통해 배기관(140)으로 배출된다.
The substrate processing apparatus thus constructed is continuously supplied with the raw material gas S, the reactive gas R and the purge gas P via the gas injector 120 to the upper portion of the substrate S during the deposition of the thin film, Residual gas and byproducts are discharged to the exhaust pipe 140 through the exhaust port 104.

이하에서는 가스분사장치의 분사플레이트에 형성되는 가스분사공의 구체적인 구조에 대해서 설명한다. Hereinafter, the specific structure of the gas injection hole formed in the injection plate of the gas injection device will be described.

도 4는 도 3의 기판처리장치에 적용되는 가스분사장치의 일 예를 보여주는 도면이다.FIG. 4 is a view showing an example of a gas injection device applied to the substrate processing apparatus of FIG. 3;

도 4의 (a)를 참조하면, 분사플레이트(126)에는 가스분사장치(120), 즉 탑리드(122)의 중심에 반경방향으로 동일한 거리마다 동심원(R1, R2...)이 형성된다. 여기에서 동심원(R1, R2...)은 가스분사공(128)의 배열을 보다 구체적으로 보여주기 위해 도시한 가상의 선이다. 복수 개의 가스분사공(128)은 복수 개의 동심원(R1, R2...)을 가로지르며, 즉 가스분사장치(120)의 반경방향으로 두 개의 열(C1, C2)을 형성한다. 이때, 두 개의 열(C1, C2)은 가스분사장치(120)의 반경과는 정확하게 일치하지는 않는다. 이와 같이 형성된 가스분사공(128)은 가스분사장치(120)의 중심을 기준으로 동일 동심원(R1, R2....) 상에 적어도 한 개씩 형성되어 있어, 예컨대 열 C1을 형성하는 가스분사공(128)과 열 C2를 형성하는 가스분사공(128)은 서로 엇갈리도록 형성된다. 또한, 이렇게 형성된 가스분사공(128)은 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이 각각 가스분사장치(120)의 중심으로부터 서로 다른 거리에 형성된다. 4A, concentric circles R1, R2, ... are formed at the same distance in the radial direction at the center of the gas injection device 120, that is, the top lead 122, in the injection plate 126 . Here, the concentric circles R1, R2, ... are imaginary lines shown to show the arrangement of the gas injection holes 128 more specifically. The plurality of gas injection holes 128 intersect the plurality of concentric circles R1, R2 ..., that is, form two rows C1 and C2 in the radial direction of the gas injector 120. [ At this time, the two columns (C1, C2) do not exactly coincide with the radius of the gas injector (120). At least one gas injection hole 128 is formed on the same concentric circle (R1, R2 ....) on the basis of the center of the gas injector 120, And the gas injection holes 128 forming the column C2 are formed to be staggered with respect to each other. In addition, the gas injection holes 128 thus formed are formed at different distances from the center of the gas injector 120, respectively, as shown in FIG. 4 (b).

여기에서 가스분사공(128)은 가스분사장치(120)의 반경방향으로 일정한 간격으로 이격되어 각각의 열(C1, C2)을 형성할 수도 있다. 이때, 가스분사공(128)은 종래의 가스분사공이 가스분사장치의 반경방향으로 이격되는 간격보다 상대적으로 작은 간격을 가지며 형성될 수도 있다. 예컨대 가스분사장치(120)의 중심으로부터 가장 가까운 위치에 형성되는 제1동심원(R1)에는 제1가스분사공(128a)을 형성하고, 제1동심원(R1)의 바로 외측에 형성되는 제2동심원(R2)에는 원주방향을 따라 일정 거리 이격된 위치에 제2가스분사공(128b)을 형성하였다. 이후, 제3동심원(R3)에는 제1가스분사공(128a)과 대응하는 위치에 제3가스분사공(128c)을 형성하고, 제4동심원(R4)에는 제2가스분사공(128b)과 대응하는 위치에 제4가스분사공(128d)을 형성하는 방식으로 가스분사공을 반복해서 형성함으로써 가스분사공이 지그재그 형태를 이루며 두 개의 열(C1, C2)을 형성하도록 하였다. 이때, 동심원(R1, R2...) 간의 간격은 적어도 가스분사공(128)의 반경보다는 넓고, 가스분사공(128)의 직경보다는 작은 것이 좋다. 예컨대 동심원(R1, R2...) 간의 간격이 가스분사공(128)의 반경과 동일한 경우 제1동심원(R1)과 제3동심원(R3)에 형성되는 제1가스분사공(128a)과 제3가스분사공(128c)은 같은 열에 위치하게 되므로 제1가스분사공(128a)과 제3가스분사공(128c)의 가장자리가 서로 연통될 수 있는 문제점이 있다. 또한, 동심원(R1, R2...) 간의 간격이 가스분사공(128)의 직경보다 큰 경우에는 제1가스분사공(128a)과 제2가스분사공(128b), 제2가스분사공(128b)과 제3가스분사공(128c) 또는 제3가스분사공(128c)과 제4가스분사공(128d) 간에 간격이 형성되어 종래의 가스분사장치와 같은 문제점이 발생할 수 있다. 따라서 동심원(R1, R2...) 간의 간격을 제시된 범위 내에서 적절하게 조절함으로써 공정가스가 기판지지부(200), 즉 기판(S) 상부로 균일하게 분사될 수 있도록 한다.Here, the gas injection holes 128 may be spaced at regular intervals in the radial direction of the gas injection device 120 to form the respective columns C1 and C2. At this time, the gas injection holes 128 may be formed to have a relatively smaller interval than the gap in which the conventional gas injection holes are radially spaced from the gas injection device. A first gas injection hole 128a is formed in a first concentric circle R1 formed at a position closest to the center of the gas injection device 120 and a second concentric circle R1 formed on the second concentric circle R1, The second gas injection hole 128b is formed at a position spaced a certain distance along the circumferential direction. A third gas injection hole 128c is formed in the third concentric circle R3 at a position corresponding to the first gas injection hole 128a and a second gas injection hole 128b is formed in the fourth concentric circle R4. The gas injection hole is repeatedly formed in such a manner that the fourth gas injection hole 128d is formed at the corresponding position so that the gas injection hole forms a zigzag shape to form two columns C1 and C2. At this time, the interval between the concentric circles R1, R2, ... is preferably at least larger than the radius of the gas injection hole 128 and smaller than the diameter of the gas injection hole 128. The first gas injection hole 128a formed in the first concentric circle R1 and the third concentric circle R3 and the second gas injection hole 128b formed in the third concentric circle R3 when the interval between the concentric circles R1, R2, ... is equal to the radius of the gas injection hole 128, 3 gas injection holes 128c are located in the same row, the edges of the first gas injection hole 128a and the third gas injection hole 128c can communicate with each other. When the distance between the concentric circles R1, R2 ... is larger than the diameter of the gas injection hole 128, the first gas injection hole 128a and the second gas injection hole 128b, A gap may be formed between the third gas injection hole 128b and the third gas injection hole 128c or between the third gas injection hole 128c and the fourth gas injection hole 128d. Accordingly, the gap between the concentric circles R1, R2 ... is appropriately adjusted within a predetermined range so that the process gas can be uniformly injected onto the substrate support 200, that is, the substrate S.

이에 본 발명에서는 가스분사공(128)이 가스분사장치(120)의 반경방향으로 서로 엇갈리도록 형성되어 박막 증착시 분사되는 가스가 기판(S)의 전 영역에 걸쳐 균일하게 분포할 수 있도록 할 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이 가스분사장치(120)를 통해 분사되는 가스는 가스분사장치(120)의 반경방향을 따라 비교적 균일한 분포를 가지며 기판지지부로 분사된다. 다시 말해서 도 4에 도시된 가스의 분포는 도 2에 도시된 가스의 분포에 비해 평탄하게 나타나고 있어 공정가스가 기판(S) 전 영역에 걸쳐 균일하게 분사되고 있음을 알 수 있다. Accordingly, in the present invention, the gas injection holes 128 are formed to be offset from each other in the radial direction of the gas injection device 120, so that the gas injected during the thin film deposition can be uniformly distributed over the entire area of the substrate S. have. As shown in FIG. 4, the gas injected through the gas injector 120 has a relatively uniform distribution along the radial direction of the gas injector 120 and is injected into the substrate support. In other words, the distribution of the gas shown in FIG. 4 is flat compared with the distribution of the gas shown in FIG. 2, and it can be seen that the process gas is uniformly sprayed over the entire area of the substrate S.

한편, 여기에서는 각 열을 형성하는 가스분사공들이 가스분사장치(120)의 중심에서 반경방향으로 일정한 간격, 예컨대 가상의 동심원(R1, R2...)이 일정한 간격을 가지며 형성되는 것으로 설명하고 있으나, 각 열을 형성하는 가스분사공(128)들은 가스분사장치(120)의 중심 영역 및 가장자리 영역 중 적어도 어느 한 영역으로 갈수록 더 조밀한 간격으로 형성될 수도 있다. 즉, 기판지지부(200)가 회전하는 가운데 기판(S) 상에 박막이 증착되기 때문에 기판(S)의 직경 방향을 따라 공정가스가 고르게 공급된다고 하더라도, 하나의 기판(S) 내에서도 기판지지부(200)의 중심 측보다 가장자리 측에 배치된 부분은 동일한 시간 내에 회전이동량이 많아 공정가스와의 접촉량이 상대적으로 적다. 또한, 가스분사장치(120)의 중심에서는 공정가스가 분사되지 않을뿐더러 분사된 공정가스는 기판지지부(200) 가장자리 측으로 흘러가기 때문에 기판지지부(200)의 중심부에 배치된 기판(S) 상에 접촉되는 공정가스 양 또한 적다. 이와 같은 이유로 최종적으로 기판 전체 영역에 공정가스가 고르게 공급되도록 하기 위해서는 기판지지부(200)의 중심 영역과 가장자리 영역에서 공급되는 공정가스의 양이 많아야 하는 것이다. 따라서 전술한 바와 같이 가스분사장치(120)의 중심 영역과 가장자리 영역 중 어느 하나의 영역으로 갈수록 가스분사공(128) 사이의 거리를 더 좁게 형성함으로써 기판지지부(200)의 전 영역에 걸쳐 공정가스가 균일하게 분사되도록 하는 것이 좋다.
Here, it is explained that the gas injection holes forming the respective rows are formed at regular intervals in the radial direction at the center of the gas injector 120, for example, virtual concentric circles R1, R2 ... with a constant interval However, the gas injection holes 128 forming each row may be formed at denser intervals toward at least one of the central region and the edge region of the gas injector 120. That is, even if the process gas is uniformly supplied along the radial direction of the substrate S because the thin film is deposited on the substrate S while the substrate supporting unit 200 rotates, the substrate support 200 The amount of contact with the process gas is relatively small because the amount of rotational movement is large within the same time. Since the process gas is not injected at the center of the gas injecting apparatus 120 and the injected process gas flows toward the edge of the substrate supporting unit 200, contact with the substrate S placed at the center of the substrate supporting unit 200 The amount of process gas is also small. For this reason, in order to uniformly supply the process gas to the entire area of the substrate, the amount of the process gas supplied from the central region and the edge region of the substrate supporting unit 200 must be large. Therefore, as described above, the distance between the gas injection holes 128 is further narrowed toward one of the center region and the edge region of the gas injection apparatus 120, Is uniformly sprayed.

도 5는 도 4의 변형 예를 보여주는 도면이다. FIG. 5 is a view showing a modification of FIG. 4. FIG.

도 5를 참조하면, 분사플레이트(126)에는 가스분사공(128)이 가스분사장치(120)의 반경방향으로 세 개의 열을 이루며 형성되어 있다. 가스분사공(128)은 도 4에 도시된 가스분사공(128)과 동일한 방식으로 배열된다. 이때, 가스분사공(128)의 열 간 간격과 가스분사공(128) 간의 간격, 즉 동심원 간의 간격은 도 4에 도시된 가스분사공(128)의 열 간 간격과 가스분사공(128) 간의 간격보다 조밀하게 배열될 수 있다. 즉, 동일한 열에 형성되는 가스분사공(128)은 열 수에 비례하여 이격되어 형성되기 때문에 동심원에 형성되는 가스분사공(128) 간의 간격은 가스분사공(128)의 반경보다 작은 간격을 가지며 형성될 수도 있다. 여기에서는 가스분사공(128)이 세 개의 열을 이루며 형성된 경우에 대해서 설명하고 있지만, 가스분사공(128)의 열 수는 이에 한정되지 않는다. 그리고 가스분사공(128)의 열 수가 증가할수록 가스분사장치(120)의 원주방향을 따라 가스분사공(128)이 일부 중첩되어 배열되는 효과가 있어, 기판의 동일 영역에 공정가스를 일부 중복해서 분사하는 효과를 구현할 수 있다. 또한, 이와 같은 구조는 각각의 동심원에 형성되는 가스분사공(128)이 서로 엇갈리면서 형성되기 때문에 가스분사공(128) 간에 형성되는 간격을 거의 없앨 수 있으므로 가스분사장치의 반경방향을 따라 분사되는 가스의 분포를 더욱 균일하게 할 수 있다.
Referring to FIG. 5, a gas injection hole 128 is formed in the injection plate 126 in three rows in the radial direction of the gas injection device 120. The gas injection holes 128 are arranged in the same manner as the gas injection holes 128 shown in Fig. The distance between the heat spots of the gas injection holes 128 and the distance between the gas injection holes 128, that is, the distance between the concentric circles is larger than the distance between the heat injection holes 128 shown in FIG. Can be arranged more densely than intervals. That is, since the gas injection holes 128 formed in the same column are spaced apart in proportion to the number of the heat, the interval between the gas injection holes 128 formed in the concentric circles is smaller than the radius of the gas injection holes 128, . Here, the case where the gas injection holes 128 are formed in three rows is described, but the number of heat of the gas injection holes 128 is not limited thereto. As the number of heat of the gas injection holes 128 increases, the gas injection holes 128 are partially overlapped along the circumferential direction of the gas injection device 120, and the process gas is partially overlapped The effect of spraying can be realized. In addition, since the gas injection holes 128 formed in the respective concentric circles are formed to be offset from each other, the gap formed between the gas injection holes 128 can be substantially eliminated, so that the gas is injected along the radial direction of the gas injection device The distribution of the gas can be made more uniform.

도 6은 도 3의 기판처리장치에 적용되는 가스분사장치의 다른 예를 보여주는 도면이다. Fig. 6 is a view showing another example of the gas injection device applied to the substrate processing apparatus of Fig. 3;

도 6을 참조하면, 분사플레이트(126)에는 가스분사공(128)이 형성하는 열들이 일정한 각도(θ)를 가지며 가스분사장치(120)의 가장자리로 갈수록 넓어지는 'V'자 형태로 형성되어 있다. 이 경우에도 동일 동심원 상에는 한 개의 가스분사공(128)이 형성되며, 인접한 동심원 상에 형성되는 가스분사공(128)은 가스분사장치(120)의 중심 측에서 가장자리 측으로 갈수록 넓은 간격을 가지며 형성된다. 6, the rows of the gas injection holes 128 formed in the injection plate 126 are formed in a V shape having a predetermined angle? And becoming wider toward the edge of the gas injection device 120 have. Also in this case, one gas injection hole 128 is formed on the same concentric circle, and the gas injection holes 128 formed on the adjacent concentric circles are formed to have a wider spacing from the center side to the edge side of the gas injection device 120 .

도 7은 도 6의 변형 예를 보여주는 도면이다. FIG. 7 is a view showing a modification of FIG. 6. FIG.

도 7에서는 분사플레이트(126)에 가스분사공(128)이 가스분사장치(120)의 반경방향을 따라 세 개의 열을 이루며 형성되어 있으며, 각각의 열은 상호 일정 각도를 가지며 이격되어 형성된다. 이 경우에도 동일 동심원 상에 적어도 한 개의 가스분사공(128)이 형성되며, 각각의 가스분사공(128)은 가스분사장치(120)의 중심을 기준으로 서로 다른 거리에 형성된다. 또한, 여기에서는 가스분사공(128)이 세 개의 열로 형성된 것으로 설명하고 있으나, 가스분사공(128)의 열 수는 이에 한정되지 않는다.
In FIG. 7, a gas injection hole 128 is formed in the injection plate 126 along three radial directions of the gas injection device 120, and the respective rows are spaced apart from each other at a predetermined angle. In this case, at least one gas injection hole 128 is formed on the same concentric circle, and the respective gas injection holes 128 are formed at different distances with respect to the center of the gas injection device 120. Although the gas injection hole 128 is described as being formed in three rows in this embodiment, the number of heat of the gas injection hole 128 is not limited thereto.

이와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Although the present invention has been described in connection with certain exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. Therefore, the scope of the present invention should not be limited by the described embodiments, but should be defined by the appended claims and equivalents thereof.

100 : 챔버 102 : 공간부
104 : 배기구 106 : 관통공
110 : 본체 120 : 가스분사장치
122 : 탑리드 124 : 가스도입구
126 : 분사플레이트 128 : 가스분사공
140 : 배기관 200 : 기판지지부
210 : 회전축 220 : 지지플레이트
222 : 기판안착부
R1, R2, R3, R4 : 동심원100: chamber 102:
104: exhaust port 106: through hole
110: main body 120: gas injection device
122: Top lead 124: Gas inlet
126: injection plate 128: gas injection hole
140: Exhaust pipe 200:
210: rotation shaft 220: support plate
222:
R1, R2, R3, R4: concentric circles

Claims (18)

챔버 내부에 공정가스를 분사하는 가스분사장치로서,
공정가스가 공급되는 가스도입구가 형성된 탑리드와,
가스확산공간을 형성하도록 상기 탑리드의 하부 일부에 이격되어 결합되고, 상기 탑리드의 중심점을 기준으로 연속적으로 배열되며, 상기 가스도입구와 연통하는 복수의 가스분사공이 형성된 복수의 분사플레이트를 포함하고,
상기 복수의 분사플레이트 각각에는, 상기 복수의 가스분사공 중 적어도 일부가 상기 탑리드의 반경방향으로 연장되어 열을 형성하며,
상기 복수의 가스분사공은 상기 탑리드의 중심점을 기준으로 형성되는 복수의 동심원 상에 형성되고, 한 개의 동심원에는 한 개의 가스분사공이 형성되고,
상기 가스분사공은 서로 나란하게 배열되는 복수의 열을 형성하는 가스분사장치.1. A gas injection device for injecting a process gas into a chamber,
A top lead having a gas inlet to which a process gas is supplied,
And a plurality of gas injection holes communicating with the gas inlet, the plurality of gas injection holes communicating with the lower portion of the top lead to form a gas diffusion space, the plurality of gas injection holes communicating with the gas inlet, and,
Wherein at least a part of the plurality of gas injection holes extend in a radial direction of the top lead to each of the plurality of injection plates,
Wherein the plurality of gas injection holes are formed on a plurality of concentric circles formed with reference to the center point of the top leads, one gas injection hole is formed in one concentric circle,
Wherein the gas injection holes form a plurality of rows arranged in parallel with each other. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 복수의 가스분사공은 상기 탑리드의 반경방향으로 일정한 간격을 가지며 이격되어 각각의 열을 형성하는 가스분사장치.The method according to claim 1,
Wherein the plurality of gas injection holes are spaced apart from each other in a radial direction of the top leads to form respective rows. 청구항 6에 있어서,
상기 각각의 열을 형성하는 복수의 가스분사공은 상기 가스분사공의 반경보다 넓고 상기 가스분사공의 직경보다 작은 간격을 가지며 이격되어 형성되는 가스분사장치.The method of claim 6,
Wherein the plurality of gas injection holes forming each row are formed to be wider than the radius of the gas injection holes and spaced apart from each other by a distance smaller than the diameter of the gas injection holes. 청구항 6에 있어서,
상기 각각의 열을 형성하는 복수의 가스분사공은 상기 가스분사공의 반경보다 작은 간격을 가지며 이격되어 형성되는 가스분사장치. The method of claim 6,
Wherein the plurality of gas injection holes forming the respective rows are spaced apart from each other with an interval smaller than a radius of the gas injection hole. 삭제delete 내부에 공간부가 형성되어 있는 챔버와;
상기 챔버 내부에 회전 가능하게 설치되어 복수의 기판을 지지하는 기판지지부; 및
상기 기판의 전 영역에 걸쳐 공정가스를 균일하게 분사할 수 있도록, 상기 기판지지부의 상부에 구비되는 가스분사장치;
를 포함하며,
상기 가스분사장치는 내부에 가스확산공간을 구비하고 상기 기판지지부의 중심점을 기준으로 연속적으로 배치되고, 복수의 가스분사공이 형성된 복수의 분사플레이트를 포함하고,
상기 복수의 분사플레이트 각각에는 상기 복수의 가스분사공 중 적어도 일부는 상기 가스분사장치의 반경방향으로 연장되는 열을 형성하고,
상기 복수의 가스분사공은 상기 가스분사장치의 중심점을 기준으로 형성되는 복수의 동심원 상에 형성되고, 한 개의 동심원에는 한 개의 가스분사공이 형성되고,
상기 가스분사공은 서로 나란하게 배열되는 복수의 열을 형성하는 기판처리장치.A chamber having a space formed therein;
A substrate support rotatably installed in the chamber to support a plurality of substrates; And
A gas injection device provided on the substrate supporting part so as to uniformly inject the process gas over the entire area of the substrate;
/ RTI >
Wherein the gas ejection apparatus includes a plurality of ejection plates provided with a gas diffusion space therein and continuously arranged with respect to a central point of the substrate support unit and having a plurality of gas injection holes,
Wherein at least a part of the plurality of gas injection holes form a row extending in the radial direction of the gas injection device in each of the plurality of injection plates,
Wherein the plurality of gas injection holes are formed on a plurality of concentric circles formed with reference to the center point of the gas injection device, one gas injection hole is formed in one concentric circle,
Wherein the gas injection holes form a plurality of rows arranged in parallel with each other. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 청구항 10에 있어서,
상기 복수의 가스분사공은 상기 가스분사장치의 반경방향으로 일정한 간격을 가지며 이격되어 각각의 열을 형성하는 기판처리장치The method of claim 10,
Wherein the plurality of gas injection holes are spaced apart from each other by a predetermined distance in the radial direction of the gas injection device, 청구항 15에 있어서,
상기 각각의 열을 형성하는 복수의 가스분사공은 상기 가스분사공의 반경보다 넓고 상기 가스분사공의 직경보다 작은 간격을 가지며 이격되어 형성되는 기판처리장치.16. The method of claim 15,
Wherein the plurality of gas injection holes forming the respective rows are formed to be wider than the radius of the gas injection holes and spaced apart from each other with an interval smaller than the diameter of the gas injection holes. 청구항 15에 있어서,
상기 각각의 열을 형성하는 복수의 가스분사공은 상기 가스분사공의 반경보다 작은 간격을 가지며 이격되어 형성되는 기판처리장치. 16. The method of claim 15,
Wherein the plurality of gas injection holes forming the respective rows are spaced apart from each other with an interval smaller than a radius of the gas injection holes. 삭제delete
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