KR101396462B1 - Atomic layer deposition apparatus - Google Patents

Atomic layer deposition apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR101396462B1
KR101396462B1 KR1020120156703A KR20120156703A KR101396462B1 KR 101396462 B1 KR101396462 B1 KR 101396462B1 KR 1020120156703 A KR1020120156703 A KR 1020120156703A KR 20120156703 A KR20120156703 A KR 20120156703A KR 101396462 B1 KR101396462 B1 KR 101396462B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
source
injector
injectors
purge gas
Prior art date
Application number
KR1020120156703A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김효주
윤종원
Original Assignee
엘아이지에이디피 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘아이지에이디피 주식회사 filed Critical 엘아이지에이디피 주식회사
Priority to KR1020120156703A priority Critical patent/KR101396462B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101396462B1 publication Critical patent/KR101396462B1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

The present invention relates to an atomic layer thin film deposition device comprising a chamber; a susceptor rotatably formed in the chamber for multiple substrates to be settled; sprayers disposed at the upper region of the susceptor for separating the susceptor into arbitrary space and for supplying source gas, fuzzy gas and reaction gas to the multiple substrates respectively positioned at the arbitrary separation space wherein the source gas sprayer for spraying the source gas and the fuzzy gas sprayer for spraying the fuzzy gas are composed of a set of source and fuzzy gas sprayers to be positioned at the same separation space. The source and fuzzy gas sprayers are multiply spaced in the same interval. A reaction gas sprayer for spraying the reaction gas is installed between the source and fuzzy gas sprayers. Thus, the efficiency according to the deposition is increased by rapid exhaustion of the remaining gas and the enhancement of the atomic layer depositing speed.

Description

원자층 박막 증착장치 {Atomic layer deposition apparatus}[0001] The present invention relates to an atomic layer deposition apparatus,

본 발명은 원자층 박막 증착장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 소스가스와 반응가스를 각각 유입시키고, 그 사이에 비활성 기체인 퍼지가스를 유입시킴으로써, 기판 표면에서 상기 가스들이 반응하여 박막이 형성되도록 하는 원자층 박막 증착장치에 관한 것이다.
The present invention relates to an atomic layer thin film deposition apparatus, and more particularly, to an atomic layer thin film deposition apparatus, in which a source gas and a reactive gas are introduced respectively, and a purge gas, which is an inert gas, is introduced therebetween, Layer thin film deposition apparatus.

최근에는, 반도체 제조 공정에서 반도체 소자의 집적도가 높아짐에 따라 미세가공의 요구가 증가하고 있다. 즉, 미세 패턴을 형성하고, 하나의 칩 상에 셀들을 고도로 집적시키기 위해서는 박막 두께 감소 및 고유전율을 갖는 새로운 물질개발 등이 이루어져야 한다.In recent years, as the degree of integration of semiconductor devices increases in semiconductor manufacturing processes, there is an increasing demand for microfabrication. That is, in order to form a fine pattern and highly integrate the cells on one chip, a new material having a thin film thickness reduction and a high dielectric constant should be developed.

특히, 웨이퍼 표면에 단차가 형성되어 있는 경우, 표면을 원만하게 덮어주는 단차도포성(Step coverage)과 웨이퍼 내 균일성(Within wafer uniformity)의 확보는 매우 중요한데, 이와 같은 요구사항을 충족시키기 위해 원자층 단위의 미소한 두께를 가지는 박막을 형성하는 방법인 원자층 증착(Atomic Layer Deposition, ADL) 방법이 제안되고 있다.Particularly, when a step is formed on the wafer surface, it is very important to secure step coverage and within wafer uniformity to smoothly cover the surface. In order to satisfy such requirements, Atomic Layer Deposition (ADL), which is a method of forming a thin film having a small thickness per layer, has been proposed.

원자층 증착 공정은 웨이퍼 표면에서 반응물질의 표면 포화 반응(Surface saturated reaction)에 의한 화학적 흡착과 탈착 과정을 이용하여 단원자층을 형성하는 방법으로, 원자층 수준에서 막 두께의 제어가 가능한 박막 증착 방법이다.The atomic layer deposition process is a method of forming a monolayer by using chemical adsorption and desorption process by surface saturated reaction of a reactive material on the wafer surface. It is a thin film deposition method which can control the film thickness at the atomic layer level to be.

원자층 증착 공정은, 도 1의 a~d에 도시된 바와 같이, 두 가지 이상의 소스가스(소스가스와 반응가스)를 각각 교대로 유입시키고, 각 소스가스의 유입 사이에 비활성 기체인 퍼지가스를 유입시킴으로써 웨이퍼 표면에서 상기 소스가스들이 반응하여 소정의 박막이 형성된다. 즉, 하나의 소스가스(소스가스)가 웨이퍼 표면에 화학적으로 흡착된 상태에서 후속하여 다른 하나의 소스가스(반응가스)가 제공되면, 상기 웨이퍼 표면에서 두 가지 소스가스가 화학적으로 반응함으로써 웨이퍼 표면에 한 층의 원차층이 생성된다. 그리고, 이와 같은 공정을 한 주기로 하여 원하는 두께의 박막이 형성될 때까지 반복하여 소정 두께의 박막이 형성된다.
In the atomic layer deposition process, two or more source gases (a source gas and a reactive gas) are alternately introduced, as shown in FIGS. 1A to 1D, and a purge gas, which is an inert gas, The source gases react on the wafer surface to form a predetermined thin film. That is, when one source gas (source gas) is chemically adsorbed on the wafer surface and subsequently another source gas (reaction gas) is provided, the two source gases chemically react on the wafer surface, A one-layered sub-layer is formed. Then, a thin film having a predetermined thickness is formed by repeating the above-described processes at one cycle until a thin film having a desired thickness is formed.

그러나, 이러한 원자층 증착 공정의 경우, 소스가스들의 공급과, 퍼지 및 배기 시간 등에 의해 공정속도가 현저하게 느려지기 때문에 생산성이 저하되는 문제점이 있었으며, 이러한 문제점을 해결하기 위한 방안으로 특허출원 제2002-0060145호가 선출원 된바 있다.However, in the case of such an atomic layer deposition process, the process speed is significantly slowed down by the supply of source gases, the purge and the exhaust time, and the productivity is lowered. To solve these problems, Patent Application No. 2002 -0060145 has been filed.

상기한 특허출원 제2002-0060145호의 경우, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 소스가스 분사기(2)와, 반응가스 분사기(4) 및 퍼지가스 분사기(6,8)를 방사형으로 설치하고, 이를 회전시키면서 서셉터(32)들에 순차적으로 각 가스를 순차적으로 분사해줌으로써, 공정속도를 향상시킬 수 있도록 하고 있으나, 다음과 같은 문제점이 있었다.2 and 3, the source gas injector 2, the reactive gas injector 4, and the purge gas injector 6, 8 are installed in a radial manner as described in the above-mentioned Patent Application No. 2002-0060145 , And the gas is sequentially injected to the susceptors 32 sequentially while rotating the gas susceptor 32, thereby improving the process speed. However, the following problems have been encountered.

첫째, 각 분사기(2,4,6,8)의 회전으로 인하여 챔버(20) 내부에 와류가 발생하게 됨으로써, 소스가스와 반응가스가 공중에서 접촉되는 현상이 가속화되는 문제점이 있으며, 이에 따라 소스가스 입자가 기판(30)에 안착되기 이전에 이미 공중에서 불필요한 화학적 반응을 일으키기 때문에, 정상적으로 기판(30)에 증착되지 못하게 되는 문제점이 있었다.First, a vortex is generated in the chamber 20 due to the rotation of each of the injectors 2, 4, 6, and 8, thereby causing a problem that the source gas and the reactive gas are in contact with each other in the air, There is a problem in that the gas is not normally deposited on the substrate 30 because it causes an unnecessary chemical reaction in the air before the gas particles are seated on the substrate 30.

특히, 분사기 회전축(10)이 1회전을 함으로 인하여 박막 증착공정이 1회 실시됨으로써, 공정시간이 많이 소요되어 결국 생산성이 좋지 못하고, 공정시간을 단축시키기 위하여 분사기 회전축(10)을 빠르게 회전시키면 소스가스와 반응가스가 공중에서 접촉될 우려가 증대됨에 따라 역시 생산성이 저하되는 문제점이 있었다.Particularly, since the thin film deposition process is performed once due to one rotation of the injector rotary shaft 10, a long process time is required, resulting in poor productivity. In order to shorten the process time, the injector rotary shaft 10 is rotated rapidly, There has been a problem that productivity is lowered due to an increase in concern that the gas and the reactive gas are in contact with each other in the air.

둘째, 소스가스와 반응가스가 각각 퍼지가스에 의해 외부로 배출될 때, 챔버(20)의 하부에 형성되는 가스배출구(22)를 통해 외부로 배기됨으로써, 그 배기 경로가 길어 배기시간이 오래 걸리고, 이에 따라 반응가스가 공급될 때 챔버(20) 내에 미처 배기되지 못한 소스가스가 공중에 잔존하여 역시 접촉의 가능성이 큰 문제점이 있었다.Second, when the source gas and the reactive gas are exhausted to the outside by the purge gas, the exhaust gas is exhausted to the outside through the gas exhaust port 22 formed in the lower part of the chamber 20, The source gas remaining in the chamber 20 in the chamber 20 remains in the air when the reaction gas is supplied.

본 발명은 상기와 같은 제반 문제점에 착안하여 안출된 것으로서, 소스가스 분사기와 퍼지가스 분사기를 한 세트의 소스/퍼지가스 분사기로 구성하여 동일 구역에 설치하되, 서로 대향되는 방향으로 나란하게 설치하고, 이들 소스/퍼지가스 분사기들 사이에 반응가스 분사기들을 설치하여, 보다 효과적인 공간 분할로 인하여 공정 시간을 단축시킴은 물론 생산성이 매우 향상되는 원자층 박막 증착장치를 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a gas purifier and a purge gas injector in which a source gas injector and a purge gas injector are constituted by a set of source / purge gas injectors, It is an object of the present invention to provide an atomic layer thin film deposition apparatus in which reaction gas injectors are provided between these source / purge gas injectors to shorten the process time owing to more effective space division, and also to greatly improve productivity.

즉, 소스/퍼지가스 분사기를 서로 대향되게 두 세트 구비하고, 이들 사이에 반응가스 분사기 또한 서로 대향되게 두 세트를 구비함으로써, 1회전시 박막 증착공정이 2회 실시되도록 하여, 공정 시간의 단축은 물론 생산성이 크게 향상되도록 하는 원자층 박막 증착장치를 제공하는데 목적이 있다.That is, by providing two sets of the source / purge gas injectors opposed to each other and two sets of reaction gas injectors facing each other, the thin film deposition process is performed twice in one rotation, It is an object of the present invention to provide an atomic layer thin film deposition apparatus capable of significantly improving productivity.

또한, 본 발명은 각 분사기들로부터 공급된 가스의 배기 흐름을 상부로 유도하도록 상기 가스 분사기에 인접하게 배기부를 설치하여 각 분사기로부터 분사된 가스 중, 기판에 증착되지 않고 챔버 내 공중에 존재하는 가스를 신속하게 배기시키도록 함으로써, 다른 가스와의 접촉을 미연에 방지하여 결국 증착효율을 향상시키도록 하는 원자층 박막 증착장치를 제공하는데에도 목적이 있다.Further, according to the present invention, an exhaust part is provided adjacent to the gas injector so as to induce the exhaust flow of the gas supplied from each of the injectors to the upper part, so that gas among the gases injected from each injector, So that contact with other gases can be prevented in advance, thereby improving the deposition efficiency. It is also an object of the present invention to provide an atomic layer thin film deposition apparatus.

또, 본 발명은 상기 배기부를, 상기 소스/퍼지가스 분사기들과, 반응가스 분사기들 사이의 각 영역을 구획하도록 중심을 기준으로 방사상으로 등간격 설치함으로써, 각 분사기로부터 분사되는 가스가 다른 분사기로부터 분사되는 가스와 챔버 내 공중에서 접촉하는 것을 예방하여 증착효율을 더욱 향상시키도록 하는 원자층 박막 증착장치를 제공하는데에도 목적이 있다.Further, according to the present invention, the exhaust portion is radially equidistantly spaced from the center of the source / purge gas injectors so as to partition the respective regions between the source / purge gas injectors and the reaction gas injectors, so that the gas injected from each injector And an object of the present invention is to provide an atomic layer thin film deposition apparatus which prevents deposition of gas from being in contact with air in a chamber and further improves deposition efficiency.

한편, 본 발명은 반응가스 분사기에 플라즈마 발생부를 설치하여 반응가스의 반응성을 향상시킴에 따라 증착 속도와 효율을 향상시키고, 우수한 막질을 갖는 박막을 형성할 수 있는 원자층 박막 증착장치를 제공하는데에도 목적이 있다.It is another object of the present invention to provide an atomic layer thin film deposition apparatus capable of improving a deposition rate and efficiency by providing a plasma generating unit in a reactive gas injector to improve the reactivity of a reactive gas and forming a thin film having excellent film quality There is a purpose.

또 한편, 상기 두 세트의 소스/퍼지가스 분사기와, 역시 두 세트의 반응가스 분사기 및 이들을 구획하는 배기부는 모두 하나의 가스 헤드에 의해 고정시키고, 이 가스 헤드로부터 각각의 분사기들로 해당 가스를 공급하거나 또는 배기부로부터 배출되는 가스를 외부로 배출시키도록 함으로써, 그 구성이 간단한 원자층 박막 증착장치를 제공하는데에도 목적이 있다.
On the other hand, both of the two sets of the source / purge gas injectors, the two sets of reaction gas injectors, and the exhaust part for partitioning them are all fixed by one gas head, and the gas is supplied from the gas head to the respective injectors Or the gas discharged from the discharge unit is discharged to the outside, thereby providing an atomic layer thin film deposition apparatus having a simple structure.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 원자층 박막 증착장치는, 챔버와; 상기 챔버 내에 회전가능하게 마련되어 복수개의 기판이 안착되는 서셉터와; 상기 서셉터의 상부영역에 구비되어 상기 서셉터를 임의의 공간으로 구획하고, 상기 임의의 구획공간에 각각 위치한 상기 복수개의 기판에 소스가스와 퍼지가스 및 반응가스를 공급하는 분사기들을 포함하며, 상기 소스가스를 분사하는 소스가스 분사기와, 퍼지가스를 분사하는 퍼지가스 분사기는 동일 구획공간에 위치하도록 한 세트의 소스/퍼지가스 분사기로 구성되되, 상기 소스/퍼지가스 분사기는 등간격으로 복수개 형성되고, 상기 소스/퍼지가스 분사기들 사이에는 반응가스를 분사하는 반응가스 분사기가 설치된 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an atomic layer thin film deposition apparatus including: a chamber; A susceptor rotatably provided in the chamber and on which a plurality of substrates are mounted; And an injector provided in an upper region of the susceptor to divide the susceptor into an arbitrary space and to supply a source gas, a purge gas, and a reactive gas to the plurality of substrates respectively located in the arbitrary partition spaces, A source gas injector for injecting a source gas and a purge gas injector for injecting a purge gas are constituted by a set of source / purge gas injectors so as to be located in the same partition space, wherein a plurality of source / purge gas injectors are formed at equal intervals And a reaction gas injector for injecting a reaction gas is installed between the source / purge gas injectors.

이 경우, 상기 소스/퍼지가스 분사기는, 소스가스 분사기를 사이에 두고 양쪽에 나란하게 퍼지가스 분사기가 설치되는 것이 바람직하다.In this case, it is preferable that the source / purge gas injector is provided with a purge gas injector arranged on both sides of the source gas injector.

또한, 상기 서셉터의 상부에 구비되어, 상기 소스가스와 퍼지가스 및 반응가스의 배기 흐름을 상부쪽으로 유도하도록 상기 분사기들에 인접하게 설치되는 배기부를 더 포함하는 것이 바람직하다.The apparatus may further include an exhaust unit provided at an upper portion of the susceptor and disposed adjacent to the injectors so as to direct an exhaust flow of the source gas, the purge gas, and the reactive gas upward.

여기서, 상기 배기부는, 상기 가스 분사기들 사이의 각 영역을 구획하도록 중심을 기준으로 방사상으로 등간격 설치되는 것이 바람직하다.Here, it is preferable that the exhaust unit is installed at equal intervals in the radial direction with respect to the center so as to partition each region between the gas injectors.

한편, 상기 반응가스 분사기에는 플라즈마 발생기가 설치될 수 있다.Meanwhile, the reaction gas injector may be provided with a plasma generator.

또 한편, 상기 소스/퍼지가스 분사기와 반응가스 분사기는 가스 헤드에 의해 고정설치되고, 상기 가스 헤드를 통해 각 가스가 공급되도록 구성되는 것이 바람직하다.Preferably, the source / purge gas injector and the reactive gas injector are fixedly installed by a gas head, and each gas is supplied through the gas head.

또, 상기 배기부는 가스 헤드에 의해 고정설치되고, 상기 배기부를 통해 배기되는 가스는 상기 가스 헤드를 통해 외부로 배출되도록 구성되는 것이 바람직하다.
Preferably, the exhaust unit is fixed by a gas head, and the gas discharged through the exhaust unit is discharged to the outside through the gas head.

이상에서와 같이, 본 발명에 따른 원자층 박막 증착장치에 의하면, 소스/퍼지가스 분사기가 서로 대향되게 두 세트 구비되고, 이들 사이에 반응가스 분사기 또한 서로 대향되게 두 세트로 구비됨으로써, 1회전시 박막 증착공정이 2회 실시되는바, 공정 시간의 단축은 물론 생산성이 크게 향상되는 효과가 제공된다.As described above, according to the atomic layer thin film deposition apparatus of the present invention, two sets of source / purge gas injectors are provided so as to face each other and two sets of reaction gas injectors are provided so as to face each other, Since the thin film deposition process is performed twice, the productivity is greatly improved as well as the processing time is shortened.

또한, 본 발명은 각 분사기들로부터 공급된 가스의 배기 흐름을 상부로 유도하도록 상기 가스 분사기에 인접하게 배기부가 설치되어 각 분사기로부터 분사된 가스 중, 기판에 증착되지 않고 챔버 내 공중에 존재하는 가스가 신속하게 배기됨으로써, 다른 가스와의 접촉이 미연에 방지되어 증착효율이 향상되는 효과도 제공된다.In addition, the present invention provides an exhaust unit adjacent to the gas injector so as to direct the exhaust flow of the gas supplied from each of the injectors to the upper part, so that the gas emitted from each of the injectors, It is possible to avoid the contact with other gases and to improve the deposition efficiency.

한편, 본 발명은 반응가스 분사기에 플라즈마 발생부가 설치되어 반응가스의 반응성이 향상됨에 따라 증착 속도와 효율이 향상되고, 우수한 막질을 갖는 박막이 형성되는 효과도 제공된다.In the meantime, since the reactive gas reactivity of the reactive gas injector is improved by the plasma generating unit, the deposition rate and efficiency are improved, and a thin film having excellent film quality is formed.

또 한편, 상기 두 세트의 소스/퍼지가스 분사기와, 역시 두 세트의 반응가스 분사기 및 이들을 구획하는 배기부가 모두 하나의 가스 헤드에 의해 고정되고, 이 가스 헤드로부터 각각의 분사기들로 해당 가스가 공급되거나 또는 배기부로부터 배출되는 가스가 외부로 배출됨으로써, 그 구성이 간단해지는 효과도 제공된다.
On the other hand, both of the two sets of the source / purge gas injectors and the two sets of reaction gas injectors and the exhaust part for partitioning them are fixed by one gas head, and the gas is supplied from the gas head to each of the injectors Or the gas discharged from the exhaust part is discharged to the outside, so that the structure is simplified.

도 1은 원자층 박막 증착장비에 의하여 기판 표면에 박막이 증착되는 과정을 순차적으로 도시한 구성도.
도 2는 종래의 원자층 박막 증착장비의 단면도.
도 3은 도 2의 일부 구성 사시도.
도 4는 본 발명에 따른 원자층 박막 증착장비의 사시도.
도 5는 도 4에서 가스 헤드와 이 가스 헤드에 장착된 분사기들 및 배기부의 구성을 나타낸 저면 사시도.
도 6은 본 발명에 따른 원자층 박막 증착장치의 작동관계를 나타내기 위한 평면 구성도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a schematic view showing a process of depositing a thin film on a substrate surface by an atomic layer thin film deposition apparatus; FIG.
2 is a cross-sectional view of a conventional atomic layer thin film deposition apparatus.
3 is a perspective view of part of Fig. 2; Fig.
FIG. 4 is a perspective view of an atomic layer thin film deposition apparatus according to the present invention. FIG.
Fig. 5 is a bottom perspective view showing the structure of the gas head, the injectors mounted on the gas head, and the exhaust part in Fig. 4; Fig.
FIG. 6 is a planar view showing an operation relationship of the atomic layer thin film deposition apparatus according to the present invention. FIG.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부된 예시도면에 의거하여 상세히 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 발명에 따른 원자층 박막 증착장비의 사시도이고, 도 5는 도 4에서 가스 헤드와 이 가스 헤드에 장착된 분사기들 및 배기부의 구성을 나타낸 저면 사시도이며, 도 6은 본 발명에 따른 원자층 박막 증착장치의 작동관계를 나타내기 위한 평면 구성도이다.FIG. 4 is a perspective view of the atomic layer thin film deposition apparatus according to the present invention, FIG. 5 is a bottom perspective view showing the structure of the gas head, the injectors and the exhaust unit mounted on the gas head in FIG. FIG. 2 is a plan view showing an operation relationship of the atomic layer thin film deposition apparatus. FIG.

도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 원자층 박막 증착장치는, 챔버(미도시됨)와, 이 챔버의 내부 하부공간에 마련되어 상부면에 기판(122)이 안착되는 복수의 세섭터(120)를 구비하는 서셉터 안착부(110)를 포함한다.As shown in the figure, the atomic layer thin film deposition apparatus according to the present invention includes a chamber (not shown) and a plurality of three innersubstants 120 provided in an inner lower space of the chamber, And a susceptor receiving portion 110 provided with the susceptor.

여기서, 상부면에 기판(122)이 안착되는 복수의 서셉터(120)는 각각 서셉터 안착부(110)에 대하여 개별적으로 회전이 이루어지고, 서셉터 안착부(110) 또한 회전이 이루어짐에 따라 공전도 함께 이루어진다.Here, the plurality of susceptors 120 on which the substrate 122 is mounted on the upper surface are individually rotated with respect to the susceptor seating portion 110, and as the susceptor seating portion 110 is also rotated The revolution also takes place.

또한, 본 발명에 따른 원자층 박막 증착장치는, 챔버 내 상부쪽에 마련되어 자전 및 공전을 이루는 기판(122)에 소스가스와 퍼지가스를 분사해주는 소스/퍼지 가스 분사기(130)들과, 반응가스를 분사해주는 반응가스 분사기(140)들을 포함한다.In addition, the atomic layer thin film deposition apparatus according to the present invention includes a source / purge gas injector 130 provided at an upper portion of a chamber for injecting a source gas and a purge gas into a substrate 122 rotating and revolving, And a reactive gas injector 140 for injecting the gas.

여기서, 소스가스 분사기(132)와 퍼지가스 분사기(134)는 하나의 세트로 이루어져서 동일영역에 위치함으로써, 소스/퍼지가스 분사기(130)로 형성되는데, 이 소스/퍼지가스 분사기(130)는 서로 대향되는 방향 즉, 180도로 대향되는 위치에 평행하게 형성되어 두 세트로 설치되어 있다.Here, the source gas injector 132 and the purge gas injector 134 are formed of one set and are located in the same area, thereby forming a source / purge gas injector 130, Are arranged in parallel in a direction opposite to each other, that is, 180 degrees, and are provided in two sets.

이 경우, 세트를 이루는 소스/퍼지가스 분사기(130)는, 소스가스 분사기(132)를 사이에 두고 양쪽에 나란하게 퍼지가스 분사기(134)가 설치된 구조로 이루어질 수 있다.In this case, the source / purge gas injector 130 constituting the set may have a structure in which a purge gas injector 134 is provided on both sides of the source gas injector 132 therebetween.

한편, 서로 대향되는 위치에 평행하게 형성되는 두 세트의 소스/퍼지가스 분사기(130)들 사이에는 각각 반응가스 분사기들(140)이 설치되어 있다.On the other hand, reaction gas injectors 140 are provided between the two sets of the source / purge gas injectors 130 formed parallel to each other.

따라서, 상기 두 세트의 소스/퍼지가스 분사기(130)들로부터 각각 90도를 이루는 지점에는 각각 반응가스 분사기(140)들이 설치되는 구조로 이루어져 있다.Therefore, the reaction gas injectors 140 are installed at the positions 90 degrees from the two sets of the source / purge gas injectors 130, respectively.

여기서, 반응가스 분사기(140)들에는 플라즈마 발생기(150)가 설치되는 것이 바람직하다. 이와 같이 반응가스 분사기(140)들에 플라즈마 발생기(150)가 설치됨에 따라 소스가스와 반응가스에 의한 플라즈마화가 이루어지도록 하여 증착의 효율성이 증대된다.Here, it is preferable that the reaction gas injectors 140 are provided with a plasma generator 150. As the plasma generator 150 is installed in the reaction gas injectors 140, the plasma is formed by the source gas and the reactive gas, thereby increasing the deposition efficiency.

또한, 본 발명에 따른 원자층 박막 증착장치는, 소스/퍼지가스 분사기(130)들과, 반응가스 분사기(140)들 사이의 공간을 구획하여 각 분사기(130,140)로부터 분사된 가스들이 근접하는 다른 분사기의 영역으로 인입되는 것을 예방하도록 하는 배기부(160)를 더 포함한다.In addition, the atomic layer thin film deposition apparatus according to the present invention is a device for depositing atomic layer thin films according to the present invention, in which spaces between the source / purge gas injectors 130 and the reactive gas injectors 140 are partitioned and the gases injected from the respective injectors 130, And an exhaust unit 160 for preventing entry into the area of the injector.

참고로, 상기 서셉터(120) 및 기판(122)은 도 6에 도시된 바와 같이, 4개가 등간격으로 구비되는 것이 바람직하고, 이에 대응하여 소스/퍼지가스 분사기(130)들과, 반응가스 분사기(140)들은 모두 4개 구비되는 것이 바람직하다.As shown in FIG. 6, the susceptor 120 and the substrate 122 are preferably equidistantly spaced from each other, and the source / purge gas injectors 130, It is preferable that all four injectors 140 are provided.

따라서, 앞서 설명한 바와 같이, 소스/퍼지가스 분사기(130)는 180도로 대향되게 설치되고, 퍼지가스 분사기(140)들은 상기 소스/퍼지가스 분사기(130)들과 90도 직각방향으로 설치된다.Therefore, as described above, the source / purge gas injector 130 is installed at 180 degrees to face each other, and the purge gas injectors 140 are installed in a direction perpendicular to the source / purge gas injectors 130 at 90 degrees.

이에, 상기 분사기(130,140)들을 구획하는 배기부(160)는 그 중심을 기준으로 방사상으로 등간격 설치되어 열십자(+) 형태로 이루어져서 상기 분사기(130,140)들 사이의 공간을 구획하게 구성될 수 있다.The exhaust unit 160 for dividing the injectors 130 and 140 may be arranged radially and equally spaced from the center of the exhaust unit 160 to define a space between the injectors 130 and 140 have.

상기 배기부(160)의 내부에는 연통로가 형성되고, 그 측면 또는 저면 중, 적어도 어느 하나의 면에는 상기 연통로와 연통되는 배기홀(162)이 형성된다.A communication path is formed in the exhaust part 160, and an exhaust hole 162 communicating with the communication path is formed on at least one of a side surface and a bottom surface.

따라서, 배기부(160)에 의하여 소스/퍼지가스 분사기(130)들과, 반응가스 분사기(140)들은 각각 별도의 공간에 형성되는바, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 챔버 내부는 제1소스가스 및 제1퍼지가스 분사영역(A)과, 제1반응가스 분사영역(B)과, 제2소스가스 및 제2퍼지가스 분사영역(C) 및 제2반응가스 분사영역(D)으로 구분된다.Therefore, the source / purge gas injectors 130 and the reaction gas injectors 140 are formed in separate spaces by the exhaust unit 160, and as shown in FIGS. 5 and 6, The first source gas and the first purge gas injection region A and the first reaction gas injection region B and the second source gas and the second purge gas injection region C and the second reaction gas injection region D ).

한편, 상기 소스/퍼지가스 분사기(130)들과, 반응가스 분사기(140)들 및 배기부(160)는 가스 헤드(170)의 일면에 고정되게 설치되며, 이 가스 헤드(170)로부터 각각의 분사기(130,140)들로 해당 가스를 공급하거나 또는 배기부(160)로부터 배출되는 가스를 외부로 배출시키도록 형성되어 있다.
The source / purge gas injectors 130, the reactive gas injectors 140 and the exhaust unit 160 are fixedly provided on one surface of the gas head 170, And the gas is supplied to the injectors 130 and 140 or the gas discharged from the exhaust unit 160 is discharged to the outside.

상기와 같은 구성으로 이루어진 원자층 박막 증착장치의 작동관계를 설명하면 다음과 같다.The operation of the atomic layer thin film deposition apparatus having the above structure will now be described.

각 서셉터(120)와 서셉터 안착부(110)의 회전에 의해 기판(122)이 자전 및 공전을 이루는 상태에서, 가스 헤드(170) 또한 회전을 이룸으로써 소스/퍼지가스 분사기(130)들과 반응가스 분사기(140)들 및 배기부(160) 또한 회전을 이루게 된다.The gas head 170 also rotates in a state in which the substrate 122 rotates and revolves by the rotation of the susceptor 120 and the susceptor seating portion 110 so that the source and purge gas injectors 130 The reaction gas injectors 140 and the exhaust unit 160 are also rotated.

여기서, 가스 헤드(170)는 서셉터 안착부(110)와 반대방향으로 회전이 이루어지도록 함으로써, 기판(122)들이 보다 빠른 속도로 가스들에 의해 증착이 이루어지도록 하는 것이 바람직하다.Here, it is preferred that the gas head 170 be rotated in a direction opposite to the susceptor seating portion 110 so that the substrates 122 are deposited by the gases at a faster rate.

이와 같이, 서셉터 안착부(110)의 회전과 가스 헤드(170)의 회전이 이루어짐과 동시에, 제1소스/퍼지가스 분사기(130)에서는 소스가스와 퍼지가스를 분사하여 해당 영역에 위치하는 기판에 소스가스를 증착시키고, 동시에 기판에 증착되지 않고 챔버 내 공중에 떠 있는 소스가스를 외부로 배기시키도록 유도하게 된다.As described above, the rotation of the susceptor receiving portion 110 and the rotation of the gas head 170 are performed. In addition, the first source / purge gas injector 130 injects the source gas and the purge gas, And simultaneously induce the source gas floating in the chamber to be exhausted to the outside without being deposited on the substrate.

여기서, 제1소스/퍼지가스 분사기(130)에서 분사된 소스가스 중, 기판에 증착되지 않고 챔버 내 공중 즉, 제1소스/퍼지가스 분사영역(A) 내 공중에 떠 있는 소스가스와 이를 외부로 배기시키도록 유도하는 퍼지가스는 배기부(160)에 의해 다른 분사영역으로의 이동이 제한됨과 동시에, 배기부(160)의 배기홀(162)을 통해 흡입된 후, 외부로 배기된다.Here, among the source gas injected from the first source / purge gas injector 130, a source gas floating in the air in the chamber, that is, the first source / purge gas injection region A, The purge gas guiding the exhaust gas to the exhaust portion 160 is restricted by the exhaust portion 160 to the other injection region and sucked through the exhaust hole 162 of the exhaust portion 160 and then exhausted to the outside.

상기 제1소스/퍼지가스 분사기(130)로부터 소스가스와 퍼지가스를 분사시킬 때, 소스가스와 퍼지가스는 동시에 분사가 이루어지도록 할 수도 있으나, 소스가스가 먼저 분사되도록 한 후, 일정시간 뒤에 퍼지가스가 분사되도록 할 수도 있다.When the source gas and the purge gas are injected from the first source / purge gas injector 130, the source gas and the purge gas may be simultaneously injected. However, after the source gas is injected first, Gas may be injected.

제1소스/퍼지가스 분사기(130)에 의해 소스가스가 증착된 기판은 다음 분사영역인 제1반응가스 분사영역(B)으로 이동되며, 이에 따라 제1반응가스 분사기(140)로부터 분사된 반응가스는 상기 제1소스/퍼지가스 분사기(130)에서 분사된 소스가스와 반응하여 기판의 표면에서 증착을 이루게 된다.The substrate on which the source gas is deposited by the first source / purge gas injector 130 is moved to the first reaction gas injection region B which is the next injection region, and accordingly, the reaction gas injected from the first reaction gas injector 140 The gas reacts with the source gas injected in the first source / purge gas injector 130 to effect deposition at the surface of the substrate.

이때, 제1반응가스 분사기(140)에는 플라즈마 발생기(150)가 설치되어 있는바, 소스가스와 반응가스의 반응에 따라 플라즈마화 시킴으로써, 증착에 따른 반응성을 향상시키게 되어, 증착 속도와 효율이 향상되고, 우수한 막질을 갖는 박막이 형성된다.At this time, the plasma generator 150 is installed in the first reaction gas injector 140, and plasma is generated according to the reaction between the source gas and the reaction gas, thereby improving the reactivity of the deposition. And a thin film having excellent film quality is formed.

한편, 제1소스/퍼지가스 분사기(130)가 설치된 제1소스/퍼지가스 분사영역(A)과, 제1반응가스 분사기(140)가 설치된 제1반응가스 분사영역(B)을 통과하여 1차 박막이 증착된 기판은 다시 제2소스/퍼지가스 분사기가 설치된 제2소스/퍼지가스 분사영역(C)과, 제2반응가스 분사기가 설치된 제2반응가스 분사영역(D)을 연속적으로 통과하면서 다시 한 번 박막의 증착이 이루어지게 된다.On the other hand, the first source / purge gas injector 130 is provided with a first source / purge gas injection region A and a first reaction gas injection region 140 provided with a first reaction gas injection region B, The substrate on which the thin film has been deposited is further passed through a second source / purge gas injection region C in which a second source / purge gas injector is installed and a second reaction gas injection region D in which a second reaction gas injector is installed And the thin film is again deposited.

따라서, 서셉터(120)에 안착된 기판(122)은 1회전 마다 2번의 박막 증착이 이루어지게 됨으로써, 공정시간이 크게 단축되는 등 공정의 효율성 향상에 따라 생산성이 크게 증대되게 된다.
Accordingly, since the substrate 122 deposited on the susceptor 120 is deposited twice for each revolution, the productivity is greatly increased due to the improvement of the efficiency of the process, such as a shortening of the process time.

이상에서와 같은 본 발명의 실시 예에서 설명한 기술적 사상은 각각 독립적으로 실시될 수 있으며, 서로 조합되어 실시될 수도 있다. 또한, 본 발명은 도면 및 발명의 상세한 설명에 기재된 실시 예를 통하여 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시 예가 가능하다. 따라서, 본 발명의 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해 정해져야 할 것이다.
The technical ideas described in the embodiments of the present invention as described above may be independently performed, or may be implemented in combination with each other. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is evident that many alternatives, modifications, and variations will be apparent to those skilled in the art. It is possible. Accordingly, the technical scope of the present invention should be determined by the appended claims.

110 : 서셉터 안착부 120 : 서셉터
122 : 기판 130 : 소스/퍼지가스 분사기
132 : 소스가스 분사기 134 : 퍼지가스 분사기
140 : 반응가스 분사기 150 : 플라즈마 발생기
160 : 배기부 162 : 배기홀
170 : 가스 헤드 A : 제1소스/퍼지가스 분사영역
B : 제1반응가스 분사영역 C : 제2소스/퍼지가스 분사영역
D : 제2반응가스 분사영역110: susceptor seating part 120: susceptor
122: substrate 130: source / purge gas injector
132: source gas injector 134: purge gas injector
140: Reaction gas injector 150: Plasma generator
160: exhaust part 162: exhaust hole
170: gas head A: first source / purge gas injection area
B: first reaction gas injection region C: second source / purge gas injection region
D: Second reaction gas injection region

Claims (7)

챔버와;
상기 챔버 내에 회전가능하게 마련되어 복수개의 기판이 안착되는 서셉터와;
상기 서셉터의 상부영역에 구비되어 상기 서셉터를 임의의 공간으로 구획하고, 상기 임의의 구획공간에 각각 위치한 상기 복수개의 기판에 소스가스와 퍼지가스 및 반응가스를 공급하는 분사기들과;
상기 서셉터의 상부에 구비되어, 상기 소스가스와 퍼지가스 및 반응가스의 배기흐름을 상부쪽으로 유도하도록 상기 분사기들에 인접하게 설치되는 배기부를 포함하며,
상기 소스가스를 분사하는 소스가스 분사기와, 퍼지가스를 분사하는 퍼지가스 분사기는 동일 구획공간에 위치하도록 한 세트의 소스/퍼지가스 분사기로 구성되되, 상기 소스/퍼지가스 분사기는 등간격으로 복수개 형성되고,
상기 소스/퍼지가스 분사기들 사이에는 반응가스를 분사하는 반응가스 분사기가 설치된 것을 특징으로 하는 원자층 박막 증착장치.
A chamber;
A susceptor rotatably provided in the chamber and on which a plurality of substrates are mounted;
Injectors provided in an upper region of the susceptor to divide the susceptor into an arbitrary space and supply a source gas, a purge gas, and a reactive gas to the plurality of substrates respectively disposed in the arbitrary partition spaces;
And an exhaust unit provided at an upper portion of the susceptor so as to be adjacent to the injectors to direct the exhaust gas flow of the source gas, the purge gas, and the reactive gas upward,
The source gas injector for injecting the source gas and the purge gas injector injecting the purge gas are constituted by a set of source / purge gas injectors so as to be located in the same partition space, wherein the source / And,
And a reactive gas injector for injecting a reactive gas is provided between the source / purge gas injectors.
제 1항에 있어서,
상기 소스/퍼지가스 분사기는,
소스가스 분사기를 사이에 두고 양쪽에 나란하게 퍼지가스 분사기가 설치된 것을 특징으로 하는 원자층 박막 증착장치.
The method according to claim 1,
The source / purge gas injector includes:
And a purge gas injector is disposed in parallel on both sides of the source gas injector.
삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 배기부는, 상기 가스 분사기들 사이의 각 영역을 구획하도록 중심을 기준으로 방사상으로 등간격 설치된 것을 특징으로 하는 원자층 박막 증착장치.
The method according to claim 1,
Wherein the exhaust unit is radially and uniformly spaced from the center of the gas injector so as to divide each region between the gas injectors.
챔버와;
상기 챔버 내에 회전가능하게 마련되어 복수개의 기판이 안착되는 서셉터와;
상기 서셉터의 상부영역에 구비되어 상기 서셉터를 임의의 공간으로 구획하고, 상기 임의의 구획공간에 각각 위치한 상기 복수개의 기판에 소스가스와 퍼지가스 및 반응가스를 공급하는 분사기들을 포함하며,
상기 소스가스를 분사하는 소스가스 분사기와, 퍼지가스를 분사하는 퍼지가스 분사기는 동일 구획공간에 위치하도록 한 세트의 소스/퍼지가스 분사기로 구성되되, 상기 소스/퍼지가스 분사기는 등간격으로 복수개 형성되고,
상기 소스/퍼지가스 분사기들 사이에는 반응가스를 분사하는 반응가스 분사기가 설치되며,
상기 반응가스 분사기에는 플라즈마 발생기가 설치된 것을 특징으로 하는 원자층 박막 증착장치.
A chamber;
A susceptor rotatably provided in the chamber and on which a plurality of substrates are mounted;
And an injector provided in an upper region of the susceptor to divide the susceptor into an arbitrary space and supply a source gas, a purge gas, and a reactive gas to the plurality of substrates respectively located in the arbitrary compartment space,
The source gas injector for injecting the source gas and the purge gas injector injecting the purge gas are constituted by a set of source / purge gas injectors so as to be located in the same partition space, wherein the source / And,
A reaction gas injector for injecting a reaction gas is provided between the source / purge gas injectors,
Wherein the reaction gas injector is provided with a plasma generator.
제 1항, 제 2항, 제 5항 중, 어느 하나의 항에 있어서,
상기 소스/퍼지가스 분사기와 반응가스 분사기는 가스 헤드에 의해 고정설치되고, 상기 가스 헤드를 통해 각 가스가 공급되도록 구성된 것을 특징으로 하는 원자층 박막 증착장치.
The method according to any one of claims 1, 2, and 5,
Wherein the source / purge gas injector and the reactive gas injector are fixedly installed by a gas head, and each gas is supplied through the gas head.
제 1항 또는 제 4항에 있어서,
상기 배기부는 가스 헤드에 의해 고정설치되고, 상기 배기부를 통해 배기되는 가스는 상기 가스 헤드를 통해 외부로 배출되도록 구성된 것을 특징으로 하는 원자층 박막 증착장치.The method according to claim 1 or 4,
Wherein the exhaust unit is fixedly installed by a gas head, and a gas exhausted through the exhaust unit is discharged to the outside through the gas head.
KR1020120156703A 2012-12-28 2012-12-28 Atomic layer deposition apparatus KR101396462B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120156703A KR101396462B1 (en) 2012-12-28 2012-12-28 Atomic layer deposition apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120156703A KR101396462B1 (en) 2012-12-28 2012-12-28 Atomic layer deposition apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101396462B1 true KR101396462B1 (en) 2014-05-20

Family

ID=50894512

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120156703A KR101396462B1 (en) 2012-12-28 2012-12-28 Atomic layer deposition apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101396462B1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150139293A (en) * 2014-06-03 2015-12-11 주식회사 원익아이피에스 Substrate processing apparatus and substrate processing system including the same
KR101668867B1 (en) * 2015-01-29 2016-10-25 주식회사 케이씨텍 Atomic layer deposition apparatus
KR101668868B1 (en) * 2015-01-29 2016-10-25 주식회사 케이씨텍 Atomic layer deposition apparatus

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070093820A (en) * 2006-03-15 2007-09-19 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 Semiconductor-processing apparatus with rotating susceptor
KR20090116020A (en) * 2008-05-06 2009-11-11 주식회사 휘닉스 디지탈테크 Gas injection head slowing down emission speed of source gas and reaction gas and atomic layer deposition apparatus for depositing thin film including the gas injection head
KR20090117408A (en) * 2008-05-09 2009-11-12 주식회사 케이씨텍 Atomic layer deposition apparatus
JP2012079919A (en) 2010-10-01 2012-04-19 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070093820A (en) * 2006-03-15 2007-09-19 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 Semiconductor-processing apparatus with rotating susceptor
KR20090116020A (en) * 2008-05-06 2009-11-11 주식회사 휘닉스 디지탈테크 Gas injection head slowing down emission speed of source gas and reaction gas and atomic layer deposition apparatus for depositing thin film including the gas injection head
KR20090117408A (en) * 2008-05-09 2009-11-12 주식회사 케이씨텍 Atomic layer deposition apparatus
JP2012079919A (en) 2010-10-01 2012-04-19 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150139293A (en) * 2014-06-03 2015-12-11 주식회사 원익아이피에스 Substrate processing apparatus and substrate processing system including the same
KR102026963B1 (en) * 2014-06-03 2019-09-30 주식회사 원익아이피에스 Substrate processing apparatus and substrate processing system including the same
KR101668867B1 (en) * 2015-01-29 2016-10-25 주식회사 케이씨텍 Atomic layer deposition apparatus
KR101668868B1 (en) * 2015-01-29 2016-10-25 주식회사 케이씨텍 Atomic layer deposition apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101445918B (en) Apparatus for depositting atomic layer
JP2007247066A (en) Semiconductor-processing apparatus with rotating susceptor
KR101095687B1 (en) Showerhead of atomic layer deposition apparatus
KR20110024558A (en) Gas injecting device and substrate processing apparatus using the same
KR100574569B1 (en) Methode for depositing atomic layer and ALD system having separate jet orifice for spouting purge-gas
KR20130020593A (en) Film deposition apparatus
KR101804125B1 (en) Substrate processing apparatus
JP7008629B2 (en) Board processing equipment
JP2018527749A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20240055233A1 (en) Substrate processing device and substrate processing method
TW201707057A (en) Apparatus and method for processing substrate
KR101396462B1 (en) Atomic layer deposition apparatus
KR20090021035A (en) Injection unit of atomic layer deposition device
KR101493250B1 (en) Atomic layer deposition apparatus
JP6740799B2 (en) Film forming apparatus, film forming method and storage medium
KR101493254B1 (en) Atomic layer deposition apparatus
KR20130139651A (en) Manufacturing method for thin film and substrate process apparatus
JP2019529699A (en) Gas injection device for substrate processing apparatus and substrate processing apparatus
KR20120045149A (en) Showerhead of atomic layer deposition apparatus
KR20140134879A (en) Atomic layer deposition apparatus
KR101907973B1 (en) Gas injecting device and Substrate processing apparatus having the same
KR102193667B1 (en) Substrate Processing Apparatus
KR20210132890A (en) Apparatus for processing substrate
KR20140134880A (en) Atomic layer deposition apparatus
KR101665581B1 (en) Method for depositing thin film on wafer

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee