KR101292626B1 - Substrate safe arrival device and apparatus for substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 안치 수단 및 이를 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것으로, 기판이 안치되는 복수의 서셉터부와, 상기 서셉터부를 지지하는 디스크부를 구비하고, 상기 서셉터부와 상기 디스크부는 착탈 가능한 기판 안치 수단을 제공한다. 본 발명은 기판이 안치되는 서셉터부를 디스크부와 분리 제작하여 디스크부에 의한 서셉터부의 온도가 불균일 현상을 최소화할 수 있고, 장비 유지 보수를 위한 원가 절감은 물론 손상부의 교체 시간 및 작업 절차를 간소화할 수 있고, 장비의 PM(Prevention Maintenance) 주기도 연장할 수 있다.The present invention relates to a substrate placing means and a substrate processing apparatus having the same, comprising a plurality of susceptor portions on which a substrate is placed, and a disk portion supporting the susceptor portion, wherein the susceptor portion and the disk portion are removable substrates. Provide a means of settlement. According to the present invention, the susceptor portion on which the substrate is placed can be separated from the disk portion to minimize the temperature of the susceptor portion caused by the disk portion. It also simplifies and extends the equipment's PM (Prevention Maintenance) cycle.

챔버, 기판 안치 수단, 서셉터, 디스크, 기판 Chamber, Substrate Placement Means, Susceptor, Disc, Substrate

Description

기판 안치 수단 및 이를 구비하는 기판 처리 장치{SUBSTRATE SAFE ARRIVAL DEVICE AND APPARATUS FOR SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}Substrate mounting means and substrate processing apparatus having the same {SUBSTRATE SAFE ARRIVAL DEVICE AND APPARATUS FOR SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면 개념도. 1 is a cross-sectional conceptual view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 일 실시예의 기판 안치 수단을 개략적으로 도시한 사시도. 2 is a perspective view schematically showing a substrate placing means in one embodiment;

도 3은 일 실시예의 기판 안치 수단의 평면 개념도. 3 is a top conceptual view of the substrate placing means of one embodiment;

도 4는 도 3의 기판 안치 수단을 A-A선에 대해 자른 단면 개념도. 4 is a cross-sectional conceptual view of the substrate setter of FIG. 3 taken along line A-A.

도 5 내지 도 8은 일 실시예의 변형예에 다른 기판 안치 수단의 단면 개념도.5 to 8 are cross-sectional conceptual views of substrate placing means according to a variant of the embodiment;

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 안치 수단의 평면 개념도. 9 is a plan conceptual view of a substrate placing means according to another embodiment of the present invention.

도 10은 도 9의 기판 안치 수단을 A-A선에 대해 자른 단면 개념도.10 is a cross-sectional conceptual view of the substrate setter of FIG. 9 taken along line A-A.

도 11은 도 10의 기판 안치 수단을 B-B선에 대해 자른 단면 개념도.FIG. 11 is a cross-sectional conceptual view of the substrate setter of FIG. 10 taken along line B-B. FIG.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100 : 챔버 200 : 기판 안치 수단100 chamber 200 substrate placing means

210 : 디스크부 220 : 서셉터부210: disk portion 220: susceptor portion

300 : 가열 수단 400 : 가스 분사 수단300: heating means 400: gas injection means

500 : 회전 수단500: rotation means

본 발명은 기판 안치 수단 및 이를 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것으로, 세미 배치 타입 챔버의 기판 안치 수단 내의 디스크와 복수의 서셉터를 분리 제작하여 서셉터의 온도 분포를 균일하게 할 수 있는 기판 안치 수단 및 이를 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate placing means and a substrate processing apparatus including the same. A substrate placing means capable of uniformly producing a temperature distribution of a susceptor by separating and manufacturing a disk and a plurality of susceptors in a substrate placing means of a semi-batch type chamber. And a substrate processing apparatus having the same.

기존의 세미 배치 타입의 기판 처리 장치는 복수의 기판을 로딩한 다음 이들을 동시에 처리하는 장치이다. 이때, 기판 처리 장치는 챔버와 상기 챔버 내측에 복수의 기판이 안착될 원형 디스크를 구비하였다. Conventional semi-batch type substrate processing apparatuses are devices that load a plurality of substrates and then process them simultaneously. In this case, the substrate processing apparatus includes a chamber and a circular disk on which a plurality of substrates are mounted.

이러한 세미 배치 타입의 기판 처리 장치는 복수의 기판을 상기 원형 디스크 상에 안치시킨 다음 디스크 상부에 안치된 기판을 공정 온도가 되도록 가열하여 소정의 증착 또는 식각 등의 공정을 수행하였다. In the semi-batch type substrate processing apparatus, a plurality of substrates are placed on the circular disk, and then the substrate placed on the disk is heated to a process temperature to perform a predetermined deposition or etching process.

그러나, 기판 처리 장치 내부적인 요인에 의해 원형 디스크 상에 기판이 안착되는 영역의 온도와 그 외측면의 디스크 온도 간에 온도차가 발생하게 된다. 예를 들어 기판 안착 영역과 디스크간의 두께 불균형에 의한 가열 불균일 또는 디스크 가장자리 영역이 저온의 챔버의 측벽에 접함으로 인한 온도 불균형이 발생한다. 이를 통해 기판 안착 영역의 온도를 디스크로 빼앗기거나, 디스크의 온도가 기판 안착 영역으로 전도되는 문제가 발생하였다. However, due to internal factors in the substrate processing apparatus, a temperature difference occurs between the temperature of the region where the substrate is seated on the circular disk and the disk temperature of the outer surface thereof. For example, heating unevenness due to thickness imbalance between the substrate seating region and the disk or temperature unevenness due to the contact of the disk edge region with the sidewall of the low temperature chamber occurs. As a result, the temperature of the substrate seating area is lost to the disk, or the temperature of the disk is transferred to the substrate seating area.

이로 인해, 기판 안착 영역의 온도 불균형에 의해 기판이 균일하게 가열되지 못하고 국부적으로 그 온도가 상승되거나 하강되는 영역이 발생한다. 이로 인해 기판 상에 형성되는 박막의 두께가 불균일해지는 문제가 발생하였다.For this reason, the temperature is not uniformly heated by the temperature imbalance of the substrate seating region, but a region where the temperature is raised or lowered locally occurs. This caused a problem in that the thickness of the thin film formed on the substrate was uneven.

따라서, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 기판이 안치되는 서셉터를 디스크부와 분리 제작하여 기판 처리 공정시 기판의 온도를 균일하게 유지할 수 있는 기판 안치 수단 및 이를 구비하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다. Accordingly, the present invention provides a substrate mounting means and a substrate processing apparatus having the same to maintain the temperature of the substrate uniformly during the substrate processing process by manufacturing a susceptor in which the substrate is placed in order to solve the above problems and the disk portion; It is for that purpose.

본 발명에 따른 기판이 안치되는 복수의 서셉터부와, 상기 서셉터부를 지지하는 디스크부를 구비하고, 상기 디스크부는 몸체부와, 상기 몸체부 내에 마련되어 상기 서셉터부에 대응되는 복수의 관통홀과, 상기 관통홀 상측 영역에 마련되어 상기 서셉터부의 가장자리 영역의 적어도 일부를 지지하는 지지부를 포함하는 기판 안치 수단을 제공한다. A plurality of susceptor portions on which the substrate according to the present invention is placed, and a disk portion for supporting the susceptor portion, wherein the disk portion includes a body portion, a plurality of through holes provided in the body portion and corresponding to the susceptor portion; And a support part provided in an upper region of the through hole and supporting at least a portion of an edge region of the susceptor part.

여기서, 상기 서셉터부는 상기 관통홀에 대응되는 몸체와, 상기 지지부에 대응되는 고정부를 포함하는 것이 바람직하다. Here, the susceptor portion preferably includes a body corresponding to the through hole and a fixing portion corresponding to the support portion.

상기 서셉터부와 상기 디스크부는 각기 고정 돌기 또는 고정 홈을 포함하는 것이 효과적이다. It is effective that the susceptor portion and the disk portion include fixing protrusions or fixing grooves, respectively.

그리고, 상기 디스크부와 상기 서셉터부의 지지면 사이 영역에 마련된 열 차단 부재를 더 포함할 수 있다. 물론 상기 디스크부와 상기 서셉터부의 지지면 사이 영역에 마련된 돌기부를 더 포함하는 것이 가능하다. The apparatus may further include a heat shield member provided in a region between the disk portion and the support surface of the susceptor portion. Of course, it is possible to further include a projection provided in the region between the support surface of the disk portion and the susceptor portion.

이때, 상기 서셉터부의 두께를 1로 하였을 경우, 상기 디스크부 가장자리 영역의 상기 몸체부 두께가 0.5 내지 1.5인 것이 바람직하다. At this time, when the thickness of the susceptor portion is 1, it is preferable that the thickness of the body portion of the disk portion edge region is 0.5 to 1.5.

또한, 본 발명에 따른 챔버와, 복수의 기판이 안치되는 기판 안치 수단과, 상기 기판 안치 수단을 회전하는 회전 수단과, 상기 챔버 내측에 공정 가스를 공급하는 가스 공급 수단을 포함하고, 상기 기판 안치 수단은 상기 기판이 안치되는 복수의 서셉터부와, 상기 서셉터부를 지지하는 디스크부를 구비하고, 상기 디스크부는 몸체부와, 상기 몸체부 내에 마련되어 상기 서셉터부에 대응되는 복수의 관통홀과, 상기 관통홀 상측 영역에 마련되어 상기 서셉터부의 가장자리 영역의 적어도 일부를 지지하는 지지부를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다. In addition, the substrate according to the present invention includes a substrate holding means for placing a plurality of substrates, a rotating means for rotating the substrate placing means, and a gas supply means for supplying a process gas into the chamber. The means includes a plurality of susceptor portions on which the substrate is placed, a disk portion for supporting the susceptor portion, the disk portion, a plurality of through holes provided in the body portion and corresponding to the susceptor portion, A substrate processing apparatus is provided in an upper region of the through hole, and includes a supporter configured to support at least a portion of an edge region of the susceptor unit.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know. Wherein like reference numerals refer to like elements throughout.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면 개념도이다. 도 2는 일 실시예의 기판 안치 수단을 개략적으로 도시한 사시도이다. 도 3은 일 실시예의 기판 안치 수단의 평면 개념도이다. 도 4는 도 3의 기판 안치 수단을 A-A선에 대해 자른 단면 개념도이다. 도 5 내지 도 8은 일 실시예의 변형예에 다른 기판 안치 수단의 단면 개념도이다. 1 is a cross-sectional conceptual view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Figure 2 is a perspective view schematically showing a substrate placing means of one embodiment. 3 is a top conceptual view of the substrate placing means in one embodiment. 4 is a cross-sectional conceptual view of the substrate setter of FIG. 3 taken along line A-A. 5 to 8 are cross-sectional conceptual views of substrate placing means according to a modification of the embodiment.

도 1 내지 도 8을 참조하면, 본 실시예에 따른 기판 처리 장치는 챔버(100)와, 상기 챔버(100) 내에 배치되어 복수의 기판(101)이 안치되는 기판 안치 수단(200)과, 상기 기판 안치 수단(200) 하부에 마련된 가열 수단(300)과, 상기 챔버(100) 내부에 공정 가스를 공급하는 가스 분사 수단(400)과, 상기 기판 안치 수단(200)을 회전시키는 회전수단(500)을 포함한다. 1 to 8, a substrate processing apparatus according to the present embodiment includes a chamber 100, a substrate placing means 200 disposed in the chamber 100 to place a plurality of substrates 101, and A heating means 300 provided below the substrate placing means 200, a gas injection means 400 for supplying a process gas into the chamber 100, and a rotation means 500 for rotating the substrate placing means 200. ).

물론 상기 챔버(100) 내부의 가스를 배기하는 배기 수단(600)을 포함한다. 그리고 도면에는 도시되지 않았지만 챔버(100) 내부의 압력을 조절하는 별도의 압력 조절 수단 더 포함할 수도 있고, 상기 챔버(100)의 일측에는 기판(101)의 인입 및 인출을 위한 출입구가 마련 될 수도 있다. 또한, 상기 챔버(100) 내측의 공정 가스를 활성화하는 플라즈마 생성부를 더 포함할 수도 있다. Of course, it includes an exhaust means 600 for exhausting the gas inside the chamber 100. And although not shown in the figure may further include a separate pressure control means for adjusting the pressure in the chamber 100, one side of the chamber 100 may be provided with an entrance for the inlet and out of the substrate 101 have. In addition, the plasma generating unit for activating the process gas inside the chamber 100 may be further included.

상술한 본 실시예의 기판 안치 수단은 기판(101)이 안치되는 복수의 서셉터부(220)와, 상기 서셉터부(220)를 지지하는 디스크부(210)를 구비한다. The substrate placing means of the present embodiment described above includes a plurality of susceptor portions 220 on which the substrate 101 is placed, and a disk portion 210 supporting the susceptor portion 220.

여기서 상기 서셉터부(220)는 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 원형 판 형상의 몸체를 포함한다. 이때, 상기 서셉터부(220)의 형상은 그 상측에 안치되는 기 판(101)의 형상에 따라 다양하게 변화될 수 있다. 그리고 본 실시예의 서셉터부(220)는 상기 디스크부(210)에 안치된다. 따라서, 서셉터부(220) 끝단에는 상기 디스크부(210)에 안치되기 위한 단턱면이 마련된다. 즉, 상기 서셉터부의(220) 몸체 상측 끝단 영역의 적어도 일부가 측방향으로 돌출된 돌출부가 마련되고, 하측 끝단 영역은 그 일부가 측 방향으로 들어간 오목부가 마련된다.Here, the susceptor portion 220 includes a body having a circular plate shape as shown in FIGS. 2 and 3. In this case, the shape of the susceptor 220 may be changed in various ways according to the shape of the substrate 101 is placed on the upper side. In addition, the susceptor portion 220 of the present embodiment is placed in the disk portion 210. Accordingly, a stepped surface is provided at the end of the susceptor 220 to be placed in the disk 210. That is, at least a portion of the upper end region of the body of the susceptor portion 220 protrudes in a lateral direction, and a lower end region is provided with a recess in which a portion thereof enters in the lateral direction.

상기의 디스크부(210)는 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 원형 판 형상의 몸체와 상기 몸체 내에 상기 서셉터부(220)를 안착 시키는 복수의 안착부가 마련된다. 상기 안착부는 그 내측에 안착된 서셉터부(220)를 기판 안치 수단(200) 하측면으로 노출시키기 위한 홀 형태의 관통영역과, 상기 서셉터부(220)의 끝단 영역의 단턱면에 대응하여 상기 서셉터부(220)의 끝단을 지지하는 고정턱 영역을 구비한다. 이때, 고정턱 영역의 상측 영역은 적어도 일부가 들어간 오목부를 구비한다. 그리고, 본 실시예에서는 가열 수단(300)으로 광학식 열원을 사용할 경우 상기 디스크부(210)의 관통 영역을 통해 상기 열원에 서셉터부(220)가 직접 노출된다. 물론 이에 한정되지 않고, 상기 관통 영역 대신 오목한 공간 내에 상기 서셉터부(220)가 안치될 수 있다. 2 and 3, the disk unit 210 is provided with a circular plate-shaped body and a plurality of seating units for mounting the susceptor unit 220 in the body. The seating portion corresponds to a through-hole having a hole shape for exposing the susceptor portion 220 mounted therein to the lower surface of the substrate mounting means 200 and a stepped surface of the end region of the susceptor portion 220. It has a fixed jaw region for supporting the end of the susceptor 220. At this time, the upper region of the fixed jaw area includes a recessed portion having at least a portion thereof. In the present embodiment, when an optical heat source is used as the heating means 300, the susceptor portion 220 is directly exposed to the heat source through the through area of the disk portion 210. Of course, the present invention is not limited thereto, and the susceptor 220 may be placed in a concave space instead of the through area.

본 실시예의 기판 안치 수단(200)을 상기 서셉터부(220)와 디스크부(210)를 각기 제작한 다음 상기 디스크부(210)에 서셉터부(220)를 삽입하여 제작한다. 이때, 상기 서셉터부(220)의 단턱면이 디스크부(210)의 관통 영역 상측의 고정턱 영역에 걸리게 되어 서셉터부(220)를 지지한다. 이때, 서셉터부(220)와 디스크부(210)를 각기 동일한 물질로 제작할 수 있고, 서로 다른 특성의 물질로 제작할 수도 있다. 본 실시예에서는 서셉터부(220)와 디스크부(210)로 그라파이트(graphite) 또는 SiC를 사용하는 것이 바람직하다. 물론 상기 그라파이트에 SiC를 코팅할 수도 있다. 그리고, 도 1 및 도 4에 도시된 바와 같이 상기 서셉터부(220)의 두께가 상기 디스크부(210)의 두께보다 얇게 제작한다. 물론 이에 한정되지 않고, 상기 서셉터부(220)와 디스크부(210)의 두께를 동일하게 할 수도 있다. The susceptor unit 220 and the disk unit 210 are fabricated, respectively, and then the susceptor unit 220 is inserted into the disk unit 210. At this time, the stepped surface of the susceptor 220 is caught by the fixing jaw area above the through area of the disk 210 to support the susceptor 220. In this case, the susceptor 220 and the disk 210 may be made of the same material, or may be made of materials having different characteristics. In this embodiment, it is preferable to use graphite or SiC as the susceptor 220 and the disk 210. Of course, SiC may be coated on the graphite. As shown in FIGS. 1 and 4, the thickness of the susceptor 220 is made thinner than the thickness of the disk 210. Of course, the present invention is not limited thereto, and the thickness of the susceptor 220 and the disk 210 may be the same.

이와 같이 본 실시예에서는 기판(101)이 안치되는 서셉터부(220)와 디스크부(210)를 각기 제작한 다음 이들을 조립하여 기판 안치 수단(200)을 제작하기 때문에 디스크부(210)에 의해 서셉터부(220)의 온도가 변화하는 현상을 최소화시킬 수 있다. As described above, in the present embodiment, since the susceptor portion 220 and the disk portion 210 on which the substrate 101 is placed are manufactured, and then assembled, the substrate placing means 200 is produced by the disk portion 210. The phenomenon in which the temperature of the susceptor portion 220 changes can be minimized.

즉, 종래의 경우 서셉터부와 디스크부를 일체로 제작하였기 때문에 상기 서셉터부와 디스크부는 동일 물체 내의 분자 대 분자 결합을 하게 된다. 따라서, 디스크부와 서셉터 간이 열적으로 쉽게 영향을 주고 받을 수 있게 된다. That is, in the conventional case, since the susceptor portion and the disc portion are manufactured integrally, the susceptor portion and the disc portion are in a molecule-to-molecular bond within the same object. Therefore, the disk portion and the susceptor can be easily affected thermally.

하지만, 본 실시예에서와 같이 서셉터부(220)와 디스크부(210)를 각기 분리 제작하게 되면 이둘 사이의 결합은 분자 대 분자의 결합이 아닌 두 물체 간의 면접촉으로 바뀌어 지게 된다. 이를 통해 분자 대 분자의 결합보다는 면 접촉에 의한 열 전달이 늦어지게 되고 이로인해 상기 디스크부(210)의 열적 불균형이 서셉터부(220)에 빠르게 전달되지 않게 된다. 서셉터부(220)의 온도 변화를 방지하여 서셉터부(220)의 온도를 균일하게 유지할 수 있다. 이는 두 물질의 면 접촉으로 인해 열적인 측면에서 두 물질층 사이에 별도의 버퍼층이 형성됨과 동일한 효과를 얻을 수 있다.However, when the susceptor portion 220 and the disc portion 210 are separately manufactured as in the present embodiment, the bond between the two is changed to the surface contact between the two objects, not the bond between molecules and molecules. As a result, the heat transfer due to the surface contact is delayed rather than the molecular-to-molecule binding, and thus, the thermal imbalance of the disk unit 210 is not rapidly transmitted to the susceptor unit 220. The temperature of the susceptor 220 may be kept uniform by preventing the temperature change of the susceptor 220. This can have the same effect as a separate buffer layer is formed between the two material layers in terms of thermal due to the surface contact of the two materials.

만일 단일 서셉터부(220) 내에서 국부적인 온도차가 발생하게 되면 온도가 낮은 영역에 위치한 기판(101)의 박막 증착 속도가 떨어지게 되고, 온도가 높은 영역에 위치한 기판(101)의 박막 증착 속도가 증가하게 되어 박막의 두께가 변화하게 된다. 따라서, 본 실시예와 같이 서셉터부(220)의 온도를 균일하게 유지할 수 있어 그 상측에 안착된 기판(101)상에 증착되는 박막의 두께를 균일(두께 균일성 향상)하게 할 수 있다. If a local temperature difference occurs in the single susceptor unit 220, the thin film deposition rate of the substrate 101 located in the low temperature region decreases, and the thin film deposition rate of the substrate 101 located in the high temperature region decreases. This increases the thickness of the thin film. Therefore, as in the present embodiment, the temperature of the susceptor portion 220 can be kept uniform, and the thickness of the thin film deposited on the substrate 101 seated on the upper side thereof can be made uniform (thickness uniformity improvement).

그리고 본 실시예와 같이 상기 서셉터부(220)와 디스크부(210)를 분리 제작하기 때문에 기판(101)이 안착되는 서셉터부(220)의 손상 발생시 전체 기판 안치 수단(200)을 교체하지 않고, 손상이 발생한 서셉터부(220)만을 교체할 수 있다. 이를 통해 장비 유지 보수를 위한 원가 절감은 물론 손상부의 교체 시간 및 작업 절차를 간소화할 수 있다. 물론 장비의 PM(Prevention Maintenance) 주기를 연장할 수도 있다. In addition, since the susceptor 220 and the disk 210 are separately manufactured as in the present embodiment, when the susceptor portion 220 on which the substrate 101 is mounted is damaged, the entire substrate placing means 200 is not replaced. Instead, only the susceptor portion 220 in which damage occurs may be replaced. This not only reduces costs for equipment maintenance but also simplifies replacement time and work procedures for damaged parts. Of course, you can extend the PM (Prevention Maintenance) period of the equipment.

또한, 본 실시예에서는 서셉터부(220)의 돌출부의 두께와 디스크부(210)의 오목부의 두께를 조절하여 서셉터부(220)의 상부면과 디스크부(210)의 상부면의 높이를 동일하게 할 수 있다. 물론 서셉터부(220)의 상부면이 디스크부(210)의 상부면 보다 더 높을 수도 있고, 낮을 수도 있다. In addition, in the present embodiment, the height of the upper surface of the susceptor 220 and the upper surface of the disk 210 is adjusted by adjusting the thickness of the protrusion of the susceptor 220 and the thickness of the recess of the disk 210. The same can be done. Of course, the upper surface of the susceptor portion 220 may be higher or lower than the upper surface of the disk portion 210.

또한, 본 실시예에서는 디스크부(210) 내측에 지지되는 서셉터부(220)의 움직임(회전)을 방지하기 위해 상기 디스크부(210) 또는 서셉터부(220)에는 돌기와 이에 대응되는 오목홈이 마련될 수도 있다. 물론 상기 서셉터부(220)의 단턱면은 서셉터부(220)의 원형 몸체 끝단 전체 둘레를 따라 형성되지 않고, 둘레 영역에 복 수개의 단턱면이 국부적으로 마련될 수도 있고, 이에 대응하는 디스크부(210)의 고정턱 또한 원형의 관통 영역 내측 둘레를 따라 복수개의 고정턱이 국부적으로 마련될 수도 있다. In addition, in the present embodiment, in order to prevent the movement (rotation) of the susceptor portion 220 supported inside the disc portion 210, the disc portion 210 or the susceptor portion 220 has protrusions and concave grooves corresponding thereto. This may be provided. Of course, the stepped surface of the susceptor portion 220 is not formed along the entire circumference of the circular body end of the susceptor portion 220, and a plurality of stepped surfaces may be locally provided in the circumferential region, and a disc corresponding thereto. A plurality of fixing jaws may be locally provided along the inner circumference of the circular through region.

그리고, 본 실시예의 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 상기 서셉터부(220)의 몸체 내에는 복수의 리프트 핀홀(230)을 포함할 수 있다. 즉, 도 3에 도시된 바와 같이 서셉터부(220) 각각에 3개의 리프트 핀홀(230)이 마련된다. 물론 리프트 핀홀(230)의 개수는 한정되지 않는다. 기판(101)의 인입 및 인출을 위해 리프트 핀(700)이 상기 리프트 핀홀(230)을 관통하여 승강한다. 여기서, 상기 리프트 핀(700)은 기판(101)이 로딩되는 챔버(100)의 입구 영역에만 배치되어 인입 및 인출되는 기판(101)의 상하 운동을 주관하는 것이 바람직하다. 본 실시예의 기판 안치 수단(200)에는 복수의 서셉터부(220)가 마련되어 있고, 이러한 서셉터부(220) 각각에 기판(101)을 로딩한다. 이를 위해서는 디스크부(210)를 회전시켜 일 서셉터부(220)를 챔버(100)의 출입구 영역으로 이동시킨 다음 리프트 핀(700)을 상승 및 하강시켜 일 서셉터부(220)에 기판(101)을 안치시킨다. 이후에 다시 디스크부(210)를 회전시켜 다른 서셉터부(220)를 챔버(100)의 출입구로 이동시키고 리프트 핀(700)을 상승 및 하강시켜 그 상측에 기판(101)을 안착시킨다. 이와 같이 디스크부(210)가 회전하여 기판(101)이 안착될 서셉터부를(220) 챔버(100)의 출입구 영역으로 이동시킬 수 있기 때문이다. 3 and 4, the plurality of lift pinholes 230 may be included in the body of the susceptor 220. That is, as shown in FIG. 3, three lift pinholes 230 are provided in each of the susceptor portions 220. Of course, the number of the lift pinholes 230 is not limited. Lift pins 700 are lifted through the lift pin holes 230 to draw in and out of the substrate 101. Here, the lift pin 700 is preferably disposed only in the inlet region of the chamber 100 in which the substrate 101 is loaded to manage the vertical movement of the substrate 101 which is drawn in and drawn out. A plurality of susceptor portions 220 are provided in the substrate placing means 200 of the present embodiment, and the substrate 101 is loaded into each of the susceptor portions 220. To this end, the disk unit 210 is rotated to move the one susceptor 220 to the entrance area of the chamber 100, and then the lift pin 700 is raised and lowered to thereby move the substrate 101 to the one susceptor 220. )). Thereafter, the disk unit 210 is rotated again to move the other susceptor unit 220 to the entrance and exit of the chamber 100, and the lift pin 700 is raised and lowered to seat the substrate 101 thereon. This is because the disk unit 210 may rotate to move the susceptor unit 220 on which the substrate 101 is to be seated to the entrance / exit area of the chamber 100.

또한, 도시되지는 않았지만 상기 서셉터부(220)의 상측면에는 상기 기판(101)을 고정시키기 위한 돌기 도는 오목홈이 마련될 수도 있다. 그리고, 서셉터 부(220)의 표면에는 기판(101)을 균일하게 가열하기 위한 요철부가 마련될 수도 있다. In addition, although not shown, protrusions or concave grooves for fixing the substrate 101 may be provided on an upper surface of the susceptor portion 220. In addition, an uneven portion for uniformly heating the substrate 101 may be provided on the surface of the susceptor portion 220.

도 4에 도시된 바와 같이 상기 디스크부(210)의 하부 중심 영역에는 소정의 오목홈이 마련된다. 그리고, 상기 오목홈에는 상기 디스크부(210)를 회전시키는 회전 수단(500)이 장착될 수도 있다. As shown in FIG. 4, a predetermined concave groove is provided in the lower center area of the disk unit 210. In addition, the concave groove may be equipped with a rotation means 500 for rotating the disk unit 210.

본 실시예에 따른 기판 안치 수단(200)은 상술한 설명에 한정되지 않고, 다양한 형태의 변형이 가능하다. The substrate mounting means 200 according to the present embodiment is not limited to the above description, and various modifications are possible.

즉, 도 5에 도시된 바와 같이 본 실시예의 변형예에 따른 기판 안치 수단(200)은 기판(101)이 안치되는 복수의 서셉터부(220)와, 상기 서셉터부(220)가 안치되는 디스크부(210)를 구비하고, 상기 서셉터부(220)와 디스크부(210) 사이 영역에 열 차단 부재(240)가 마련된다. 열 차단 부재(240)로는 열에 강하고 열 전도율이 낮은 물질을 사용하는 것이 바람직하다. That is, as shown in FIG. 5, the substrate mounting means 200 according to the modified example of the present embodiment includes a plurality of susceptor portions 220 on which the substrate 101 is placed, and the susceptor portion 220 is placed thereon. The disk unit 210 is provided, and a heat blocking member 240 is provided in an area between the susceptor unit 220 and the disk unit 210. As the heat blocking member 240, a material that is strong in heat and low in thermal conductivity is preferably used.

앞서 설명한 실시예에서는 서셉터부(220)와 디스크부(210)가 동일 물체 내의 분자 결합이 아닌 두 물체간의 면 접촉을 하기 때문에 열적으로 디스크부(210)와 차단되어 서셉터부(220)의 국부적인 온도 변화를 방지할 수 있었다. 본 변형예에서는 이에 더하여 상기 서셉터부(220)와 디스크부(210) 사이의 열전달을 차단하는 열 차단 부재(240)를 마련하여 이둘 사이의 열전달을 차단시켜 서셉터부(220)의 온도가 변화하는 것을 방지할 수 있다. 그리고, 상기 열 차단 부재(240)가 서셉터부(220)와 디스크부(210) 사이에 마련되기 때문에 이둘의 접촉 영역으로 공정 가스가 침투하여 원치않는 막이 형성되는 것을 방지할 수 있다.In the above-described embodiment, since the susceptor portion 220 and the disk portion 210 make surface contact between two objects rather than molecular bonds in the same object, the susceptor portion 220 and the disk portion 210 are thermally blocked from the disk portion 210 so that Local temperature changes could be prevented. In this modified example, in addition to the heat blocking member 240 to block the heat transfer between the susceptor 220 and the disk 210 to block the heat transfer between the two to the temperature of the susceptor 220 Changes can be prevented. In addition, since the heat blocking member 240 is provided between the susceptor portion 220 and the disk portion 210, it is possible to prevent the process gas from penetrating into the contact region of the two and forming an unwanted film.

또한, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이 본 실시예의 다른 변형예에 따른 기판 안치 수단(200)은 복수의 서셉터부(220)와, 서셉터부(220)가 장착된 디스크부(210)를 구비하고, 상기 서셉터부(220)와 디스크부(210) 사이 영역에 마련된 복수의 돌기부(211)를 포함한다. 본 변형예에서는 상기 돌기부(211)는 서셉터부(220)와 중첩되는 영역의 디스크부(210) 상에 마련된다. 이러한 돌기부(211)는 상기 디스크부(210)의 일부가 돌출되어 형성될 수도 있고, 상기 디스크부(210)와 동일한 재질의 돌기를 제작한 다음 이를 상기 디스크부(210)에 부착하여 제작할 수도 있다. In addition, as shown in FIGS. 6 and 7, the substrate mounting means 200 according to another modification of the present embodiment may include a plurality of susceptor portions 220 and a disc portion 210 on which the susceptor portions 220 are mounted. And a plurality of protrusions 211 provided in a region between the susceptor portion 220 and the disc portion 210. In the present modification, the protrusion 211 is provided on the disc portion 210 in an area overlapping the susceptor portion 220. The protrusion 211 may be formed by protruding a part of the disc portion 210, or may be manufactured by attaching the protrusion 211 to the disc portion 210 after manufacturing the protrusion having the same material as that of the disc portion 210. .

본 변형예에서는 상술한 돌기부(211)를 통해 서셉터부(220)와 디스크부(210)간의 접촉 면적을 줄일 수 있다. 더욱이 도 7에서는 돌기부(211)를 통해 서셉터부(220)와 디스크부(210)간의 접촉은 점 접촉이 될 수 있다. 이와 같이 본 변형예에서는 상기 서셉터부(220)와 디스크부(210)간의 접촉 면적을 줄여 이둘 사이의 열전달을 최소화할 수 있다. 이를 통해 디스크부(210)내의 서셉터부(220)를 열적으로 고립시킬 수 있어 기판(101) 처리 공정 중 서셉터부(220)의 온도를 일정하게 유지할 수 있다. 또한, 상기 돌기부(211)를 통해 상기 서셉터부(220)와 디스크부(210) 사이 영역에 소정의 이격 공간이 형성되어 이둘간의 열 전달을 차단할 수 있다. 그리고 본 변형예에서는 도시되지 않았지만 상기 서셉터부(220)와 디스크부(210) 사이의 이격 공간에 소정의 커튼 가스를 분사하여 이둘 사이 영역으로 공정 가스 침투를 막을 수 있다. 이때, 커튼 가스는 상기 디스크부(210)를 통해 공급되는 것이 바람직하다. 또한, 본 실시예에서는 상기 이격 공간 사이에 버퍼층 또는 격리층 이 마련되어 상기 이격 공간 사이로의 공정 가스 유입을 차단하여 이로인한 원치 않는 박막의 성장을 방지할 수 있다. In this modification, the contact area between the susceptor 220 and the disk 210 can be reduced through the above-described protrusion 211. In addition, in FIG. 7, the contact between the susceptor 220 and the disk 210 through the protrusion 211 may be point contact. As described above, in the present modified example, the contact area between the susceptor 220 and the disk 210 may be reduced to minimize heat transfer between the two. As a result, the susceptor 220 in the disk 210 may be thermally isolated, so that the temperature of the susceptor 220 may be kept constant during the process of processing the substrate 101. In addition, a predetermined space is formed in an area between the susceptor 220 and the disk 210 through the protrusion 211 to block heat transfer between the two. Although not shown in the present modification, a predetermined curtain gas may be injected into the space between the susceptor 220 and the disk 210 to prevent process gas from penetrating into the area between the two. At this time, the curtain gas is preferably supplied through the disk unit 210. In addition, in the present embodiment, a buffer layer or an isolation layer may be provided between the spaced spaces to prevent process gas from flowing into the spaced spaces, thereby preventing the growth of unwanted thin films.

또한, 도 6에 도시된 바와 같이 본 변형예에 따른 서셉터부(220)는 서셉터부(220)의 중앙에 리프트 핀(700)이 관통하는 리프트 핀홀(230)이 마련될 수도 있다. In addition, as shown in FIG. 6, in the susceptor 220 according to the present modification, a lift pinhole 230 through which the lift pin 700 penetrates may be provided in the center of the susceptor 220.

그리고, 도 8에 도시된 바와 같이 본 실시예의 변형예에 따른 기판 안치 수단(200)은 서셉터부(220)와 디스크부(210)의 접촉면의 경사면일 수 있다. 서셉터부(220)의 끝단부를 하향 기울기를 갖는 경사면으로 제작한다. 그리고, 디스크부(210)의 관통 영역 상측면을 상기 서셉터부(220)의 끝단부에 대응하는 상향 기울기를 갖는 경사면으로 제작하는 것이 바람직하다. 이와 같이 본 변형예에서는 상기 서셉터부(220)와 디스크부(210)의 접촉면의 수직 단면의 형상이 앞서 실시예의 절곡된 직선 형상이 아닌 사선일 수 있다. 물론 이에 한정되지 않고, 접촉면의 수직 단면 형상은 곡선 형상일 수도 있다. In addition, as shown in FIG. 8, the substrate mounting means 200 according to the modification of the present embodiment may be an inclined surface of the contact surface between the susceptor 220 and the disk 210. The end portion of the susceptor portion 220 is manufactured as an inclined surface having a downward slope. In addition, the upper surface of the through region of the disk unit 210 may be manufactured to have an inclined surface having an upward slope corresponding to the end of the susceptor unit 220. As described above, in the modified example, the shape of the vertical cross section of the contact surface of the susceptor portion 220 and the disk portion 210 may be an oblique line rather than the bent straight shape of the previous embodiment. Of course, the present invention is not limited thereto, and the vertical cross-sectional shape of the contact surface may be curved.

그리고, 도 8에 도시된 바와 같이 상기 디스크부(210)와 회전 수단(500)을 나사 또는 볼트와 같은 고정 부재(510)를 통해 고정할 수도 있다. 즉, 도면에서와 같이 고정 부재(510)가 상기 디스크부(210)를 관통하여 회전 수단(500)에 고정될 수 있다. As shown in FIG. 8, the disk unit 210 and the rotating unit 500 may be fixed through a fixing member 510 such as a screw or a bolt. That is, as shown in the drawing, the fixing member 510 may be fixed to the rotating means 500 through the disk portion 210.

하기에서는 도 1 내지 도 4를 참조하여 기판 처리 장치의 다른 요소에 관해 설명한다. Hereinafter, other elements of the substrate processing apparatus will be described with reference to FIGS. 1 to 4.

본 실시예에서는 디스크부(210)의 하측 중앙 영역에 오목부가 마련되고 상기 오목부 내측으로 회전 수단(500)이 삽입 장착된다. In the present embodiment, a recess is provided in the lower central region of the disk portion 210, and the rotating means 500 is inserted into the recess.

이때, 오목홈의 수평 단면 형상을 도 3에 도시된 바와 같이 5개의 꼭지점을 갖는 별 형상으로 제작하여 회전 수단(500)의 회전력의 인가가 용이하도록 할 수 있다. 물론 도 4에서와 같이 디스크부(210)의 오목부와 회전 수단(500) 사이에는 소정의 고정홈이 마련되고, 이 고정홈 영역에 고정 부재(510)들이 마련되어 회전 수단(500)의 회전력을 디스크부(210)에 전달할 수도 있다. At this time, the horizontal cross-sectional shape of the concave groove may be manufactured in a star shape having five vertices as shown in FIG. 3 to facilitate the application of the rotational force of the rotation means 500. Of course, a predetermined fixing groove is provided between the concave portion of the disc portion 210 and the rotating means 500, as shown in FIG. It may be transferred to the disk unit 210.

상기 회전 수단(500)은 도시되지 않았지만 모터와 같은 외부 동력을 인가하는 동력부와, 상기 동력부의 회전력을 상기 기판 안치 수단(200)에 공급하기 위해 챔버(100) 내측으로 연장된 회전축을 포함한다. 이때, 상기 회전축이 상기 오목홈의 내측으로 삽입되어 볼트와 같은 고정 부재를 사용하지 않고도 기판 안치 수단(200)을 회전시킬 수 있다. Although not shown, the rotating means 500 includes a power unit for applying external power, such as a motor, and a rotating shaft extending into the chamber 100 to supply the rotational force of the power unit to the substrate mounting means 200. . In this case, the rotation shaft may be inserted into the concave groove to rotate the substrate placing means 200 without using a fixing member such as a bolt.

그리고, 본 실시예의 기판 안치 수단(200) 하측 영역에는 가열 수단(300)으로 광학식 가열 수단인 복수의 램프 히터가 원형의 띠 형태로 배치된다. 즉, 직경이 다른 복수의 램프 히터가 동일 평면 상에서 동심원을 따라 기판 안치 수단(200) 하측 영역에 배치된다. 이를 통해 동일한 반경 영역은 동일한 복사열을 생성하는 램프 히터에 의해 가열된다. 이와 같이 기판 안치 수단(200) 하측에 복수의 램프 히터를 균일하게 배치하여 서셉터부(220)를 균일하게 가열시킬 수 있다. 물론 복수 램프 히터의 동작을 달리하여 국부적인 가열을 수행할 수도 있다. 그리고, 상기 가열 수단(300)으로 전열식 가열 수단을 사용할 수도 있다.In addition, a plurality of lamp heaters, which are optical heating means, are disposed in the form of a circular band in the lower region of the substrate placing means 200 according to the present embodiment. That is, a plurality of lamp heaters having different diameters are arranged in the region below the substrate placing means 200 along concentric circles on the same plane. This ensures that the same radius region is heated by a lamp heater that produces the same radiant heat. As such, the plurality of lamp heaters may be uniformly disposed under the substrate mounting means 200 to uniformly heat the susceptor portion 220. Of course, the local heating may be performed by changing the operation of the plurality of lamp heaters. In addition, an electrothermal heating means may be used as the heating means 300.

상술한 가스 분사 수단(400)은 챔버(100) 상측에 마련되어 하측에 배치된 기 판(101) 상에 공정 가스를 분사한다. 이때, 가스 분사 수단(400)은 도시되지는 않았지만 공정 가스가 저장된 탱크부와, 상기 공정 가스를 공급받아 챔버 내부로 분사하는 분사부를 포함한다. 여기서, 상기 분사부는 챔버(100) 내에서 회전하는 것이 바람직하다. 본 실시예의 챔버(100) 내에는 복수개의 기판(101) 각각이 복수의 서셉터부(220) 상측에 안착 되어, 기판 안치 수단(200)의 크기가 증대된다. 따라서, 분사부가 인젝터 형태의 복수의 봉으로 제작되고 이 봉이 회전함으로 인해 복수의 기판(101)에 고르게 공정 가스를 공급할 수 있다. 이때, 공급되는 공정 가스의 종류에 따라 복수의 분사부를 포함할 수도 있다. 물론 이에 한정되지 않고, 상기 분사부는 샤워헤드 형태로 제작할 수도 있다. 본 실시예에서는 가스 분사 수단(400) 내측에서 가스가 분사되기 직전에 플라즈마에 의해 공정 가스가 활성화되어 공급될 수도 있고, 분사된 후, 플라즈마에 의해 공정 가스가 활성화되어 공급될 수도 있다. 본 실시예에 따른 기판 처리 장치는 상기 가스 분사 수단(400)을 통해 공급되는 공정 가스를 조절하여 CVD 공정과 ALD 공정 같은 증착 공정을 수행할 수 있고, 식각 공정, 세정 공정 및 에싱 공정을 포함하는 다양한 기판 처리 공정을 수행할 수도 있다.The gas injection means 400 is provided above the chamber 100 to inject the process gas onto the substrate 101 disposed below. In this case, although not shown, the gas injection means 400 includes a tank unit in which a process gas is stored, and an injection unit receiving the process gas and spraying the process gas into the chamber. Here, the injection unit is preferably rotated in the chamber 100. In the chamber 100 of the present embodiment, each of the plurality of substrates 101 is seated on the upper side of the plurality of susceptor portions 220, thereby increasing the size of the substrate placing means 200. Therefore, the injection unit is made of a plurality of rods in the form of an injector, and the rods can rotate to uniformly supply process gas to the plurality of substrates 101. In this case, a plurality of injection units may be included according to the type of process gas supplied. Of course, the present invention is not limited thereto, and the spray unit may be manufactured in the form of a shower head. In the present embodiment, the process gas may be activated and supplied by the plasma immediately before the gas is injected inside the gas injection means 400, or after the injection, the process gas may be activated and supplied by the plasma. The substrate processing apparatus according to the present exemplary embodiment may perform a deposition process such as a CVD process and an ALD process by adjusting the process gas supplied through the gas ejection means 400, and includes an etching process, a cleaning process, and an ashing process. Various substrate processing processes may be performed.

또한, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 디스크부의 가장자리 영역의 두께를 얇게하여 디스크부와 서셉터부간의 두께차에 의한 열 전도 현상을 방지할 수 있다. 하기에서는 도면을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 안치 수단에 관해 설명한다. 후술되는 설명중 상술한 설명과 중복되는 설명은 생략한다. 하기 설명의 기술은 앞선 실시예에 적용될 수 있다. In addition, the present invention is not limited to this, and the thickness of the edge region of the disk portion can be reduced to prevent thermal conduction due to the thickness difference between the disk portion and the susceptor portion. Hereinafter, with reference to the drawings will be described with respect to the substrate placing means according to another embodiment of the present invention. The description overlapping with the above description will be omitted. The techniques described below can be applied to the preceding embodiments.

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 안치 수단의 평면 개념도이다. 도 10은 도 9의 기판 안치 수단을 A-A선에 대해 자른 단면 개념도이고, 도 11은 도 10의 기판 안치 수단을 B-B선에 대해 자른 단면 개념도이다. 9 is a plan conceptual view of a substrate placing means according to another embodiment of the present invention. FIG. 10 is a cross-sectional conceptual view of the substrate setter of FIG. 9 taken along line A-A, and FIG. 11 is a cross-sectional conceptual view of the board setter of FIG. 10 taken along line B-B.

도 9 내지 도 11을 참조하면, 본 실시예에 따른 기판 안치 수단(200)은 기판(101)이 안치되는 복수의 서셉터부(220)와, 상기 서셉터부(220)를 지지하는 디스크부(210)를 구비한다. 9 to 11, the substrate placing means 200 according to the present embodiment includes a plurality of susceptor portions 220 on which the substrate 101 is placed, and a disk portion supporting the susceptor portion 220. 210 is provided.

서셉터부(220)는 원형의 몸체와, 몸체의 가장자리 영역의 적어도 일부에 마련된 고정부를 구비한다. 그리고 상기 디스크부(210)는 원형의 몸체와, 몸체의 중심부 하단에 마련되어 회전수단(500)이 삽입 장착되는 오목부와, 상기 몸체 내에 마련되어 상기 서셉터부(220)가 안착 고정되는 복수의 관통홀을 구비한다. 여기서, 상기 관통홀들은 오목부의 가장자리 둘레를 따라 등간격으로 이격 배치되어 있는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 관통홀 내측 상부 영역에는 상기 서셉터부(220)를 지지고정하는 지지부가 마련되어 있다. The susceptor portion 220 has a circular body and a fixing portion provided on at least a portion of an edge region of the body. The disk 210 has a circular body, a concave portion provided at a lower end of a central portion of the body and inserted into the rotating means 500, and a plurality of through holes provided in the body to which the susceptor portion 220 is seated and fixed. It is provided with a hole. Here, the through holes are preferably spaced apart at equal intervals along the circumference of the recess. In addition, a support part for supporting and fixing the susceptor part 220 is provided at an inner upper region of the through hole.

그리고, 본 실시예에서는 상기 디스크부(210)의 몸체의 두께 중 상기 오목부를 포함하는 중심부 영역의 두께는 상기 서셉터부(220)의 두께보다 두껍고, 그 외의 관통홀 외측 영역의 디스크부(210)의 몸체 두께는 상기 서셉터부(220)의 두께와 동일한 것이 바람직하다. In the present embodiment, the thickness of the central region including the concave portion among the thicknesses of the body of the disk portion 210 is thicker than the thickness of the susceptor portion 220, and the disk portion 210 of the region outside the through hole. The thickness of the body) is preferably the same as the thickness of the susceptor portion 220.

이때, 만일 관통홀(서셉터부(220)) 외측의 디스크부(210) 영역(디스크부(210)의 가장자리 영역)의 두께가 상기 중심부의 두께와 동일할 경우, 상기 디스크부(210)의 가장자리 영역과 서셉터부(220)간의 두께 차이로 인해 이들간의 열적 불균형이 발생할 수 있다. 즉, 두께 차이로 인해 열의 이동 정도와 열이 저장 및 전달되는 경로의 차가 발생하게 된다. 이에 더하여 챔버(100)의 내벽과 인접한 영역의 디스크부(210)와 서셉터부(220)는 상대적으로 저온인 챔버(100) 내벽에 의해 그 온도가 영향을 받게 된다. 이로인해 서셉터부(220) 가장자리의 온도가 서셉터부(220)의 중심부 영역의 온도보다 더 낮아지게 되는 문제가 발생한다. 이에 본 실시예에서는 상기 서셉터부(220)의 두께와, 디스크부(210)의 가장자리 영역의 두께를 균일하게 하여 이둘간이 열적 평행을 이룰 수 있어 서셉터부(220) 가장자리의 온도 변화를 방지할 수 있다.At this time, if the thickness of the disk portion 210 region (edge region of the disk portion 210) outside the through-hole (susceptor portion 220) is the same as the thickness of the central portion, the disk portion 210 Due to the difference in thickness between the edge region and the susceptor portion 220, thermal imbalance between them may occur. That is, the difference in thickness causes a difference in the degree of movement of heat and the path in which the heat is stored and transferred. In addition, the temperature of the disk portion 210 and the susceptor portion 220 in the region adjacent to the inner wall of the chamber 100 is affected by the inner wall of the chamber 100 which is relatively low temperature. This causes a problem that the temperature of the edge of the susceptor 220 is lower than the temperature of the central region of the susceptor 220. In this embodiment, the thickness of the susceptor portion 220 and the thickness of the edge region of the disk portion 210 are uniform, so that the two may be thermally parallel to each other, thereby preventing the temperature change at the edge of the susceptor portion 220. can do.

즉, 본 실시예에서는 디스크부(210) 가장자리 영역의 후면가공을 통해 디스크부(210)의 가장자리 영역 전체 두께를 서셉터부(220)의 두께와 동일하게 할 수 있다. 본 실시예에서는 도 10 및 도 11에 도시된 바와같이 상기 디스크부(210)의 가장자리의 두께 중 서셉터부(220)와 접하는 영역의 두께는 중심부의 두께와 동일하게 하고, 나머지 영역의 두께는 서셉터부(220)의 두께와 동일하게 하는 것이 바람직하다. 이를 통해 디스크부(210)의 가장자리 몸체에 오목홈부(250)가 마련된다. 물론 이에 한정되지 않고, 디스크부(210)의 가장자리 영역 전체 두께를 서셉터부(220)의 두께와 동일하게 할 수 있다. 또한, 디스크부(210)의 가장자리 영역의 일부가 서셉터부(220)의 두께와 동일할 수 있다. 예를 들어 디스크부(210)의 가장자리 영역 중 인접하는 서셉터부(220)들 사이의 두께를 서셉터부(220)의 두께와 동일하게 하는 것이 바람직하다. That is, in the present exemplary embodiment, the entire thickness of the edge region of the disk portion 210 may be the same as the thickness of the susceptor portion 220 through the rear surface processing of the edge region of the disk portion 210. 10 and 11, the thickness of an area in contact with the susceptor portion 220 among the thicknesses of the edge of the disk portion 210 is the same as the thickness of the center portion, and the thickness of the remaining areas is equal to the thickness of the center portion. It is preferable to make it the same as the thickness of the susceptor part 220. Through this, the recess 250 is provided in the edge body of the disk 210. Of course, the present invention is not limited thereto, and the entire thickness of the edge region of the disk unit 210 may be equal to the thickness of the susceptor unit 220. In addition, a portion of the edge region of the disk unit 210 may be equal to the thickness of the susceptor unit 220. For example, it is preferable to make the thickness between the susceptor portions 220 adjacent to each other in the edge region of the disc portion 210 equal to the thickness of the susceptor portion 220.

물론 이때, 상기 디스크부(210)의 두께는 상기 서셉터부(220)의 두께 보다 더 두껍게나 얇을 수 있다. 이때, 상기 서셉터부(220)의 두께를 1로 할 경우 디스크부(210)의 두께는 0.5 내지 1.5인 것이 바람직하다. 이와 같이 디스크부(210) 가장자리 영역 일부의 두께와 서셉터부(220)의 두께를 동일 수준으로 가공하여 디스크부(210)와 서셉터부(220)간의 열 분포를 균일하게 할 수 있다. 이를 통해 서셉터부(220) 상에 안치된 기판(101)을 균일하게 가열하여 기판(101) 상에 균일한 두께의 박막을 형성할 수 있다. Of course, at this time, the thickness of the disk 210 may be thicker or thinner than the thickness of the susceptor 220. In this case, when the thickness of the susceptor portion 220 is 1, the thickness of the disk portion 210 is preferably 0.5 to 1.5. As described above, the thickness of a portion of the edge portion of the disc portion 210 and the thickness of the susceptor portion 220 may be processed to the same level, thereby making it possible to uniformize the heat distribution between the disc portion 210 and the susceptor portion 220. Through this, the substrate 101 placed on the susceptor unit 220 may be uniformly heated to form a thin film having a uniform thickness on the substrate 101.

상술한 바와 같이 본 발명은 기판이 안치되는 서셉터부를 디스크부와 분리 제작하여 디스크부에 의해 서셉터부의 온도가 불균일해지는 현상을 최소화할 수 있다. As described above, the present invention can minimize the phenomenon that the temperature of the susceptor portion is uneven by the disk portion by manufacturing the susceptor portion where the substrate is placed and the disk portion.

또한, 본 발명은 디스크부의 가장자리 영역의 두께를 서셉터부의 두께와 동일 수준으로 가공하여 서셉터부의 열 분포와 흐름을 개선하여 디스크부에 의해 세섭터부의 온도가 불균일해지는 현상을 최소화할 수 있다.In addition, the present invention improves the heat distribution and flow of the susceptor portion by processing the thickness of the edge region of the disk portion to the same level as the thickness of the susceptor portion, thereby minimizing the phenomenon that the temperature of the secessor portion is uneven by the disk portion.

또한, 본 발명은 서셉터부 내의 국부적인 온도차 발생을 최소화하여 서셉터부 상측에 위치한 기판 상에 형성되는 박막의 두께를 균일하게 할 수 있다. In addition, the present invention can minimize the occurrence of a local temperature difference in the susceptor portion to uniform the thickness of the thin film formed on the substrate located above the susceptor portion.

또한, 본 발명은 서셉터부와 디스크부를 분리 제작하기 때문에 서셉터부의 손상 발생시 전체 기판 안치 수단을 교체하지 않고, 손상이 발생한 서셉터부만을 교체할 수 있다. In addition, since the present invention separates and manufactures the susceptor portion and the disc portion, it is possible to replace only the susceptor portion that is damaged without replacing the entire substrate placing means when the susceptor portion is damaged.

또한, 본 발명은 서셉터부와 디스크부를 분리 제작하여 장비 유지 보수를 위 한 원가 절감은 물론 손상부의 교체 시간 및 작업 절차를 간소화할 수 있고, 장비의 PM(Prevention Maintenance) 주기도 연장할 수 있다. In addition, the present invention can be manufactured by separating the susceptor portion and the disk portion, as well as reducing the cost of equipment maintenance, replacement time and work procedures of the damaged portion, and can also extend the PM (Prevention Maintenance) cycle of the equipment.

본 발명은 상기에서 서술된 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다. 즉, 상기의 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명의 범위는 본원의 특허 청구 범위에 의해서 이해되어야 한다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, but may be embodied in various forms. In other words, the above-described embodiments are provided so that the disclosure of the present invention is complete, and those skilled in the art will fully understand the scope of the invention, and the scope of the present invention should be understood by the appended claims .

Claims (7)

기판이 안치되는 복수의 서셉터부;A plurality of susceptor portions on which the substrate is placed; 상기 서셉터부를 지지하는 디스크부를 구비하고,A disk portion for supporting the susceptor portion, 상기 디스크부는,The disk unit, 몸체부와, 상기 몸체부 내에 마련되어 상기 서셉터부에 대응되는 복수의 관통홀과, 상기 관통홀 상측 영역에 마련되어 상기 서셉터부의 가장자리 영역의 적어도 일부를 지지하는 지지부를 포함하고,A body portion, a plurality of through holes provided in the body portion corresponding to the susceptor portion, and a support portion provided in an upper region of the through hole to support at least a portion of an edge region of the susceptor portion, 상기 서셉터부와 상기 디스크부의 지지면 사이에 마련되고, 이들 사이의 열전달을 차단하기 위해 마련된 열 전달 차단 부재를 포함하는 기판 안치 수단.And a heat transfer blocking member provided between the susceptor portion and the support surface of the disk portion, the heat transfer blocking member provided to block heat transfer therebetween. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 서셉터부는 상기 관통홀에 대응되는 몸체와, 상기 지지부에 대응되는 고정부를 포함하는 기판 안치 수단.And the susceptor portion including a body corresponding to the through hole and a fixing portion corresponding to the support portion. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 서셉터부와 상기 디스크부 사이의 어느 하나에는 고정 돌기가 형성되고 다른 하나에는 고정 홈이 형성되어 이들의 지지 상태를 안정적으로 유지하는 기판 안치 수단.Fixing protrusions are formed in one of the susceptor portion and the disk portion, and a fixing groove is formed in the other, the substrate placing means for stably maintaining their support state. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 열 전달 차단 부재는 상기 디스크부와 상기 서셉터부의 지지면 사이 영역에 면 접촉하도록 마련된 열 차단 부재를 포함하는 기판 안치 수단.And the heat transfer blocking member includes a heat blocking member provided in surface contact with an area between the support portion of the disc portion and the susceptor portion. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 열 전달 차단 부재는 상기 디스크부와 상기 서셉터부의 지지면 사이 영역에 점 접촉하도록 마련된 돌기부를 포함하는 기판 안치 수단.And the heat transfer blocking member includes a protrusion provided in point contact with an area between the disc portion and the support surface of the susceptor portion. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 서셉터부의 두께를 1로 하였을 경우, 상기 디스크부 가장자리 영역의 상기 몸체부 두께가 0.5 내지 1.5인 기판 안치 수단.When the thickness of the susceptor portion is 1, the substrate mounting means of the body portion thickness of the disk portion edge region is 0.5 to 1.5. 챔버;chamber; 복수의 기판이 안치되는 기판 안치 수단;Substrate placing means on which a plurality of substrates are placed; 상기 기판 안치 수단을 회전하는 회전 수단;Rotating means for rotating the substrate placing means; 상기 챔버 내측에 공정 가스를 공급하는 가스 공급 수단을 포함하고,Gas supply means for supplying a process gas inside the chamber, 상기 기판 안치 수단은 상기 기판이 안치되는 복수의 서셉터부와, 상기 서셉터부를 지지하는 디스크부를 구비하고,The substrate placing means includes a plurality of susceptor portions on which the substrate is placed, and a disk portion supporting the susceptor portion, 상기 디스크부는 몸체부와, 상기 몸체부 내에 마련되어 상기 서셉터부에 대응되는 복수의 관통홀과, 상기 관통홀 상측 영역에 마련되어 상기 서셉터부의 가장자리 영역의 적어도 일부를 지지하는 지지부를 포함하며,The disc part includes a body part, a plurality of through holes provided in the body part corresponding to the susceptor part, and a support part provided in an upper region of the through hole to support at least a portion of an edge region of the susceptor part. 상기 서셉터부와 상기 디스크부의 지지면 사이에 마련되고, 이들 사이의 열전달을 차단하기 위해 마련된 열 전달 차단 부재를 포함하는 기판 처리 장치.And a heat transfer blocking member provided between the susceptor portion and the support surface of the disk portion and provided to block heat transfer therebetween.
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