KR101124161B1 - Apparatus for chemical vapor deposition - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 화학기상 증착장치는 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되며, 적어도 하나 이상의 웨이퍼가 안착되는 서셉터; 상기 서셉터를 가열하도록 온도가 제어되는 히터; 상기 서셉터의 상부에 위치하여 상기 서셉터 측으로 공정가스를 분사하도록 다수개의 분사홀을 포함하며, 내부로 상기 공정가스가 이동하도록 일체로 연장 형성되어 나선 형태를 이루는 적어도 하나 이상의 가스 분사부; 및 상기 가스 분사부와 병렬 배치되며 나선 형태로 연장 형성되고, 상기 가스 분사부를 냉각하기 위한 냉각물질이 이동하는 냉각부를 포함하여, 공정가스를 공급하는 가스 분사부를 제작하는 비용의 절감 및 제작시간이 단축되고, 제작 및 유지보수가 용이하며, 공정가스의 적절한 공급이 가능하여 고효율의 발광소자 제작이 가능한 화학기상 증착장치를 얻는 효과가 있다.Chemical vapor deposition apparatus according to the invention the chamber; A susceptor installed inside the chamber and having at least one wafer seated thereon; A heater whose temperature is controlled to heat the susceptor; At least one gas injection unit positioned in an upper portion of the susceptor and including a plurality of injection holes to inject a process gas toward the susceptor and integrally extending to move the process gas inwardly to form a spiral; And a cooling unit disposed in parallel with the gas injection unit and extending in a spiral form, and including a cooling unit to move a cooling material for cooling the gas injection unit, thereby reducing the cost and manufacturing time of manufacturing a gas injection unit supplying a process gas. It is shortened, easy to manufacture and maintain, and can supply a process gas appropriately has the effect of obtaining a chemical vapor deposition apparatus capable of manufacturing a high efficiency light emitting device.

Description

화학기상 증착장치{Apparatus for chemical vapor deposition}Chemical vapor deposition apparatus {Apparatus for chemical vapor deposition}

본 발명은 화학기상 증착장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 공정가스를 공급하는 가스 분사부를 제작하는 비용의 절감 및 제작시간이 단축되고, 제작 및 유지보수가 용이하며, 공정가스의 적절한 공급이 가능한 화학기상 증착장치에 관한 것이다.The present invention relates to a chemical vapor deposition apparatus, and more particularly, to reduce the cost of manufacturing the gas injection unit for supplying the process gas and manufacturing time is short, easy to manufacture and maintenance, it is possible to supply the appropriate process gas It relates to a chemical vapor deposition apparatus.

화학기상증착장치는 반도체 웨이퍼의 표면에 박막을 증착하기 위하여 사용되고 있다. 챔버 내부에 공정가스를 가스 분사부를 통하여 불어 넣어서 서셉터에 놓인 웨이퍼에 원하는 박막을 증착시키게 된다.Chemical vapor deposition apparatuses are used to deposit thin films on the surface of semiconductor wafers. The process gas is blown into the chamber through a gas injector to deposit a desired thin film on the wafer placed on the susceptor.

박막의 증착에서 웨이퍼 표면에 증착되는 증착 두께는 박막의 품질에 큰 영향을 미친다. 이를 위해 해당 박막을 형성하기 위한 증착 온도유지 및 증착을 위한 공정가스의 균일한 공급 등을 제어하게 된다. 특히 유기금속 화학기상장치(MOCVD)의 경우 증착두께가 이루어져야 고효율의 발광소자를 얻을 수 있다.In the deposition of thin films, the deposition thickness deposited on the wafer surface greatly affects the quality of the thin film. To this end, the deposition temperature is maintained and the uniform supply of process gas for deposition is controlled. In particular, in the case of an organometallic chemical vapor apparatus (MOCVD), a deposition thickness is required to obtain a high efficiency light emitting device.

증착이 웨이퍼의 전 면적에 걸쳐 균일하게 이루어지도록 웨이퍼가 얹힌 서셉 터(Susceptor)를 회전시킨다. 이는 웨이퍼의 표면으로 공급되는 공정가스가 웨이퍼의 표면에 균일하게 퍼져 반응이 일어나 증착 두께가 균일하게 되도록 하기 위한 것이다.The susceptor on which the wafer is placed is rotated so that the deposition is made uniform over the entire area of the wafer. This is for the process gas supplied to the surface of the wafer to be uniformly spread on the surface of the wafer so that the reaction occurs and the deposition thickness is uniform.

종래에 사용되는 가스 분사부의 형태는 샤워헤드(shower head) 형태와 노즐(nozzle)형태 2가지가 있다. 이중에서 샤워헤드 형태의 가스 분사부는, 각각 다른 종류의 공정가스가 공급되는 수㎜ 직경의 파이프 수만 개를 독립된 별도의 층에 위치시킨 후 여러 번의 브레이징(brazing)작업을 통해 제작하게 된다. 이에 따라 작업 시간이 장기화되며, 제작 완료 후에도 누설(leak) 부위가 많아 이를 재가공 해야 하는 문제가 있다. 또한, 제작비용이 고가인 문제가 있다.There are two types of gas injectors conventionally used, a shower head type and a nozzle type. In particular, the shower head-type gas injector is manufactured by placing several tens of thousands of pipes, each of which is supplied with different kinds of process gases, in separate separate layers and then brazing. Accordingly, the working time is prolonged, and there are many leakage parts even after the completion of production, which requires reprocessing. In addition, there is a problem that the manufacturing cost is expensive.

본 발명의 목적은 비용 절감 및 제작시간이 단축되고, 제작 및 유지보수가 용이하며, 균일한 증착이 가능하도록 적절한 공정가스의 공급이 가능한 화학기상 증착장치를 제공하기 위한 것이다.An object of the present invention is to provide a chemical vapor deposition apparatus capable of supplying a suitable process gas to reduce costs and shorten the manufacturing time, easy manufacturing and maintenance, and uniform deposition.

본 발명에 따른 화학기상 증착장치는 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되며, 적어도 하나 이상의 웨이퍼가 안착되는 서셉터; 상기 서셉터를 가열하도록 온도가 제어되는 히터; 상기 서셉터의 상부에 위치하여 상기 서셉터 측으로 공정가스를 분사 하도록 다수개의 분사홀을 포함하며, 내부로 상기 공정가스가 이동하도록 일체로 연장 형성되어 나선 형태를 이루는 적어도 하나 이상의 가스 분사부; 및 상기 가스 분사부와 병렬 배치되며 나선 형태로 연장 형성되고, 상기 가스 분사부를 냉각하기 위한 냉각물질이 이동하는 냉각부를 포함한다.Chemical vapor deposition apparatus according to the invention the chamber; A susceptor installed inside the chamber and having at least one wafer seated thereon; A heater whose temperature is controlled to heat the susceptor; At least one gas injection unit positioned in an upper portion of the susceptor and including a plurality of injection holes to inject a process gas toward the susceptor, and integrally extending to move the process gas inwardly to form a spiral; And a cooling unit disposed in parallel with the gas injection unit and extending in a spiral shape, and moving with a cooling material for cooling the gas injection unit.

상기 공정가스는 상기 가스 분사부의 일측에서 공급되어 상기 가스 분사부의 타측으로 이동하거나, 상기 가스분사부의 타측에서 공급되어 상기 가스 분사부의 일측으로 이동하며 상기 분사홀을 통해 상기 웨이퍼 상으로 분사된다. The process gas is supplied from one side of the gas injection unit to move to the other side of the gas injection unit, or supplied from the other side of the gas injection unit to move to one side of the gas injection unit and injected onto the wafer through the injection hole.

상기 분사홀의 직경은 상기 가스분사부의 일측에서 타측으로 갈수록 커지거나, 상기 가스 분사부의 일측에서 타측으로 갈수록 작아지는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.The diameter of the injection hole is a chemical vapor deposition apparatus characterized in that the larger from one side to the other side of the gas injection unit, or smaller from one side to the other side of the gas injection unit.

상기 가스 분사부의 일측과 상기 가스 분사부의 타측의 사이에는 상기 공정가스를 추가로 공급하기 위한 보조 가스 공급부를 포함한다.An auxiliary gas supply unit for additionally supplying the process gas is provided between one side of the gas injector and the other side of the gas injector.

상기 공정가스는 상기 가스 분사부의 일측과 타측의 사이에서 공급되어 상기 가스 분사부의 양측으로 이동하며 상기 분사홀을 통해 상기 웨이퍼 상으로 분사되고, 상기 분사홀의 직경은 상기 가스 분사부의 양측으로 갈수록 커지거나 작아진다.The process gas is supplied between one side and the other side of the gas injector and moves to both sides of the gas injector and is injected onto the wafer through the injection hole, and the diameter of the injection hole increases toward both sides of the gas injector. Becomes smaller.

상기 챔버에는 상기 웨이퍼의 온도 또는 증착된 증착 두께를 측정하기 위한 파이로미터(pyrometer)와 같은 형태의 측정부를 포함한다.The chamber includes a measurement unit, such as a pyrometer, for measuring the temperature of the wafer or the deposited deposition thickness.

그리고 본 발명의 다른 실시예에 따른 화학기상 증착장치는 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되며, 적어도 하나 이상의 웨이퍼가 안착되는 서셉터; 상기 서셉터를 가열하도록 온도가 제어되는 히터; 상기 서셉터의 상부에 위치하여 상기 서셉터 측으로 공정가스를 분사하기 위한 다수개의 분사홀을 포함하며, 내부로 상기 공정가스가 이동하도록 라인(line) 형태를 이루는 적어도 하나 이상의 가스 분사부; 및 상기 가스 분사부와 병렬 배치되며, 상기 가스 분사부를 냉각하기 위한 냉각물질이 이동하도록 라인(line) 형태를 이루는 적어도 하나 이상의 냉각부를 포함한다.And chemical vapor deposition apparatus according to another embodiment of the present invention the chamber; A susceptor installed inside the chamber and having at least one wafer seated thereon; A heater whose temperature is controlled to heat the susceptor; At least one gas injector disposed on the susceptor and including a plurality of injection holes for injecting process gas to the susceptor and forming a line to move the process gas into the susceptor; And at least one cooling unit disposed in parallel with the gas injection unit and forming a line to move a cooling material for cooling the gas injection unit.

상기 공정가스는 상기 가스 분사부의 일측에서 공급되어 상기 가스 분사부의 타측으로 이동하거나, 상기 가스분사부의 타측에서 공급되어 상기 가스 분사부의 일측으로 이동하며 상기 분사홀을 통해 상기 웨이퍼 상으로 분사되고, 상기 분사홀의 직경은 상기 가스분사부의 일측에서 타측으로 갈수록 커지거나, 상기 가스 분사부의 일측에서 타측으로 갈수록 작아진다.The process gas is supplied from one side of the gas injection unit and moves to the other side of the gas injection unit, or is supplied from the other side of the gas injection unit and moves to one side of the gas injection unit and injected onto the wafer through the injection hole. The diameter of the injection hole is larger from one side to the other side of the gas injection unit or smaller from one side to the other side of the gas injection unit.

상기 공정가스는 상기 가스 분사부의 중심부분에서 공급되어 상기 가스 분사부의 양측으로 이동하며, 상기 분사홀을 상기 가스 분사부의 중심부분에서 상기 가스 분사부의 양측으로 갈수록 커지거나, 상기 가스 분사부의 중심부분에서 상기 가스 분사부의 양측으로 갈수록 작아진다.The process gas is supplied from the center portion of the gas injector and moves to both sides of the gas injector, and the injection hole increases from the center portion of the gas injector toward both sides of the gas injector, or from the center portion of the gas injector. It becomes smaller toward both sides of the said gas injection part.

상기 챔버에는 상기 웨이퍼의 온도 또는 증착된 증착 두께를 측정하기 위한 파이로미터(pyrometer)와 같은 형태의 측정부를 포함한다.The chamber includes a measurement unit, such as a pyrometer, for measuring the temperature of the wafer or the deposited deposition thickness.

본 발명에 따른 화학기상 증착장치에 따르면 공정가스를 공급하는 가스 분사 부를 제작하는 비용의 절감 및 제작시간이 단축되고, 제작 및 유지보수가 용이하며, 공정가스의 적절한 공급이 가능하여 고효율의 발광소자 제작이 가능한 화학기상 증착장치를 얻는 효과가 있다.According to the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention, the cost of manufacturing the gas injection unit for supplying the process gas is reduced, the manufacturing time is shortened, the manufacturing and maintenance is easy, and the proper supply of the process gas is possible, thus providing a high efficiency light emitting device. There is an effect of obtaining a chemical vapor deposition apparatus that can be manufactured.

이하에서는 본 실시예에 따른 화학기상 증착장치에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, the chemical vapor deposition apparatus according to the present embodiment will be described.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 화학기상 증착장치의 단면도를 나타낸 것이다. 1 is a cross-sectional view of a chemical vapor deposition apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 화학기상 증착장치(100)는 웨이퍼(W)가 내부에 위치하는 챔버(110)를 구비한다.As shown in FIG. 1, the chemical vapor deposition apparatus 100 includes a chamber 110 in which a wafer W is located.

챔버(110)는 상부에 위치하며, 공정가스가 공급되는 가스분사부(150)가 설치되는 상부챔버(112, Lid라고도 함)와, 상부챔버(112)와 결합되어 공정공간을 형성하는 하부챔버(114, 리액터[Reactor]라고도 함)로 구성된다.The chamber 110 is positioned at an upper portion, and includes an upper chamber 112 (also referred to as Lid) in which a gas injection unit 150 for supplying process gas is installed, and a lower chamber coupled with the upper chamber 112 to form a process space. (114, also called a reactor).

가스 분사부(150)는 서셉터(110)의 상부에 위치하여 서셉터(110) 측으로 공정가스를 분사하기 위한 것으로, 일체로 연장 형성되어 나선 형태를 이루는 형태이다. 가스 분사부(150)에는 내부를 이동하는 공정가스(B)(C)가 서셉터(110) 상에 위치한 웨이퍼(W)로 공급되도록 다수개의 분사홀(152a)이 형성된다.The gas injection unit 150 is positioned above the susceptor 110 to inject a process gas toward the susceptor 110, and is integrally formed to form a spiral shape. In the gas injection unit 150, a plurality of injection holes 152a are formed to supply process gases B and C that move inside the wafer W to the wafer W positioned on the susceptor 110.

그리고 상부챔버(112)에는 가스 분사부(150)와 병렬 배치되며 나선 형태로 연장 형성되고, 가스 분사부(150)를 냉각하기 위한 냉각물질(A)이 이동하는 냉각부(160)가 구비된다. In addition, the upper chamber 112 is disposed in parallel with the gas injector 150 and extends in a spiral form, and includes a cooling unit 160 in which a cooling material A for cooling the gas injector 150 moves. .

하부챔버(114)에는 웨이퍼(W)가 안착되어 회전하는 서셉터(110)가 구비된다.The lower chamber 114 is provided with a susceptor 110 on which the wafer W is seated and rotated.

그리고 하부챔버(114)에는 서셉터(110)에 위치한 웨이퍼(W)를 가열하기 위한 히터(120a)~(120d)가 설치된다. 히터(120a)(120b)(120c)(120d)는 서셉터(110)에 위치한 웨이퍼(W)들을 전체적으로 균일하게 또는 부분적으로 상이한 온도로 가열하기 위해 4개의 분리된 형태가 개별적인 온도 조절이 가능하게 된다. 4개의 분리된 형태로 설치된 히터(120a)(120b)(120c)(120d)는 서셉터(110)는 회전 속도와 연동하여 각 구간의 온도조절을 할 수 있으며, 또는 서셉터(110)와 연동되지 않고 개별적으로 각 구간의 온도조절을 할 수도 있다.And the lower chamber 114 is provided with a heater (120a) to 120d for heating the wafer (W) located in the susceptor 110. The heaters 120a, 120b, 120c, and 120d allow the four separate forms to be individually temperature controlled to heat the wafers W positioned on the susceptor 110 to a uniform or partially different temperature throughout. do. The heaters 120a, 120b, 120c, and 120d installed in four separate forms may adjust the temperature of each section in conjunction with the rotational speed of the susceptor 110, or interlock with the susceptor 110. You can also adjust the temperature of each section individually.

이러한 히터(120a)(120b)(120c)(120d)는 상술한 바와 같이 4개의 분리된 형태로 제작하거나, 일률적인 제어가 가능하도록 하나의 나선 형태로 제작하여 사용할 수 있다.The heaters 120a, 120b, 120c, and 120d may be manufactured in four separate forms as described above, or may be manufactured and used in one spiral form to enable uniform control.

그리고 하부챔버(114)에는 외셉터(110)를 회전시키기 위한 구동부(140)가 설치된다.In addition, the lower chamber 114 is provided with a driving unit 140 for rotating the outer receptor 110.

구동부(140)는 구동모터(142) 및 구동축(144)을 구비하고 있으며, 구동축(144)의 둘레에는 구동축(144)의 회전을 가이드 하고, 회전하는 서셉터(110)를 지지하기 위한 지지축(146)을 포함한다.The driving unit 140 includes a driving motor 142 and a driving shaft 144, and a support shaft for guiding the rotation of the driving shaft 144 around the driving shaft 144 and supporting the rotating susceptor 110. 146.

그리고 상부챔버(112)에는 서셉터(110) 상에 위치한 웨이퍼(W)의 온도 또는 증착 두께를 측정하기 위한 측정부(130)가 설치된다. 측정부(130)는 파이로미터(Pyrometer)와 같은 형태를 사용한다.In addition, the upper chamber 112 is provided with a measuring unit 130 for measuring the temperature or the deposition thickness of the wafer (W) located on the susceptor 110. The measuring unit 130 uses a form such as a pyrometer.

챔버(112)(114) 내부에 설치된 가스 공급부(150), 히터(120a)(120b)(120c)(120d), 구동부(140) 등은 제어부(미도시)에 연결되어 제어된다.The gas supply unit 150, the heaters 120a, 120b, 120c, 120d, and the driving unit 140 installed in the chambers 112 and 114 are connected to and controlled by a controller (not shown).

측정부(130)는 서셉터(110)에 위치한 웨이퍼(W)의 온도와 증착두께를 측정하여 이를 제어부로 전달하게 되고, 이에 따라 히터(120a)(120b)(120c)(120d)의 온도 및 서셉터(110)의 회전속도를 제어하게 된다.The measurement unit 130 measures the temperature and deposition thickness of the wafer W located in the susceptor 110 and transmits the measured thickness to the control unit. Accordingly, the temperature of the heaters 120a, 120b, 120c, and 120d is measured. The rotation speed of the susceptor 110 is controlled.

미설명 196은 기밀유지를 위한 O-ring이다.Description 196 is an O-ring for confidentiality.

도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 실시예에 따른 화학기상 증착장치(100)에 구비된 가스 분사부(150)와 냉각부(160)의 단면도를 나타낸 것으로, 각각의 도면들과 같은 형태로 가스 분사부(150)와 냉각부(160)를 제작한 후 이들을 나선 형태로 구부려 서셉터(110)의 상부에 설치하게 된다.2a to 2e are cross-sectional views of the gas injection unit 150 and the cooling unit 160 provided in the chemical vapor deposition apparatus 100 according to an embodiment of the present invention, the gas in the same form as the respective figures After the injection part 150 and the cooling part 160 are manufactured, they are bent in a spiral shape and installed on the susceptor 110.

도 2a 내지 도 2c는 복수개 이상의 공정가스(B)(C)가 사용되는 경우의 실시예를 나타내기 위한 것이고, 도 2e는 하나의 공정가스(B)가 사용되는 실시예를 나타내기 위한 것이다.2A to 2C show an embodiment in which a plurality of process gases B and C are used, and FIG. 2E illustrates an embodiment in which one process gas B is used.

도 2a, 2b 또는 2e에 도시된 바와 같이, 가스 분사부(150)(150′)의 내부에는 서셉터(110) 상에 위치한 웨이퍼(W)에 증착이 되도록 공정가스(B)(C)가 이동하게 된다. 가스 분사부(150)(150′)에는 내부를 이동하는 공정가스(B)(C)가 웨이퍼(W)로 분사되도록 다수개의 분사홀(152a)이 형성된다.As shown in FIG. 2A, 2B, or 2E, the process gas (B) (C) is deposited inside the gas injector (150) (150 ') to be deposited on the wafer (W) located on the susceptor (110). Will move. A plurality of injection holes 152a are formed in the gas injection units 150 and 150 ′ so that the process gases B and C moving therein are injected into the wafer W.

이러한 가스 분사부(150)(150′)와 인접한 형태 또는 밀착된 형태로 냉각 부(160)가 병렬 배치된다. 냉각부(160)에 형성된 설치홈(162)에 가스 분사부(150)(150′)는 감싸지는 형태로 설치되며, 이에 따라 공정가스(B)(C)에 의해 가열되는 가스 분사부(150)(150′)를 냉각하게 된다.Cooling units 160 are arranged in parallel to or adjacent to the gas injection units 150 and 150 ′. The gas injection units 150 and 150 ′ are installed in the installation grooves 162 formed in the cooling unit 160 so as to be wrapped, and thus the gas injection units 150 heated by the process gases B and C. 150 'is cooled.

그리고 도 2c 및 도 2d에 도시된 바와 같이, 가스 분사부(150)(150′) 및 냉각부(160)를 병렬 형태로 나란히 배치시키고, 이러한 상태에서 이들의 외부에 가스 분사부(150)(150′)와 냉각부(160)를 지지하기 위한 지지체(192)를 구비한 형태로 제작하여 나선 형태로 구부려 서셉터(110)의 상부에 설치하게 된다. 냉각부(160)는 가스 공급부(150)(150′)의 양측에 위치하여 가스 공급부(150)를 냉각하게 된다.2C and 2D, the gas injection parts 150 and 150 ′ and the cooling parts 160 are arranged side by side in parallel, and in this state, the gas injection parts 150 ( 150 ') and the support 192 for supporting the cooling unit 160 are manufactured to be bent in a spiral shape and installed on the susceptor 110. The cooling unit 160 is positioned at both sides of the gas supply units 150 and 150 ′ to cool the gas supply unit 150.

도 3 내지 도 7은 가스 분사부(150)(150′)와 냉각부(160)를 나타낸 사시도로써, 공정가스(B)(C)의 흐름을 나타낸 것이다.3 to 7 are perspective views showing the gas injection unit 150, 150 'and the cooling unit 160, and shows the flow of the process gas (B) (C).

도 3에 도시된 바와 같이, 가스 분사부(150)(150′)와 냉각부(160)는 서셉터(110)의 상부에 나선 형태로 설치된다.As shown in FIG. 3, the gas injection units 150 and 150 ′ and the cooling unit 160 are installed in a spiral form on the susceptor 110.

가스 분사부(150)(150′)와 냉각부(160)의 일측에서 공정가스(B)(C)와 냉각물질(A)이 공급(IN-B, IN-C, IN-A)되어 타측으로 이동한다. 공급되는 공정가스(B)(C)는 일측에서 타측으로 이동하며, 가스 분사부(150)(150′)에 형성된 분사홀(152a)(152a′)을 통해 웨이퍼(W)로 분사되어 증착층이 형성된다. 이 경우 가스 분사부(150)(150′)의 타측은 막혀있다. 냉각부(160)를 이동하는 냉각물질(A)은 일측에서 타측으로 이동하여 외부로 배출(OUT-A)된 후 다시 냉각부(160)의 일측으로 유입(IN-A)되어 순환된다.Process gas (B) (C) and the cooling material (A) is supplied (IN-B, IN-C, IN-A) from one side of the gas injection unit 150, 150 'and the cooling unit 160 To the side. The supplied process gas (B) (C) is moved from one side to the other side, is injected into the wafer (W) through the injection holes 152a, 152a 'formed in the gas injection unit 150, 150' is deposited layer Is formed. In this case, the other side of the gas injection parts 150 and 150 'is blocked. The cooling material A moving the cooling unit 160 moves from one side to the other side to be discharged to the outside (OUT-A), and then flows back to one side of the cooling unit 160 (IN-A) and circulates.

도 4는 가스 분사부(150)(150′)와 냉각부(160)의 타측에서 공정가스(B)(C)와 냉각물질(A)이 공급(IN-B, IN-C, IN-A)되어 일측으로 이동하는 형태를 나타낸 것이다. 이 경우 공정가스(B)(C)와 냉각물질(A)은 막혀 있는 일측으로 이동하며, 공정가스(B)(C)는 분사홀(152a)(152a′)을 통해 웨이퍼(W) 상으로 분사되어 증착된다. 냉각물질(A)은 일측으로 배출(OUT-A)된 후 다시 타측(IN-A)으로 유입되어 순환된다.4 is supplied with the process gas (B) (C) and the cooling material (A) from the other side of the gas injection unit 150, 150 'and the cooling unit 160 (IN-B, IN-C, IN-A ) Shows a form moving to one side. In this case, the process gas (B) (C) and the cooling material (A) moves to one side that is blocked, and the process gas (B) (C) flows onto the wafer (W) through the injection holes (152a) and (152a '). Sprayed and deposited. The cooling material (A) is discharged to one side (OUT-A) and then flows back to the other side (IN-A) and circulated.

도 5는 가스 분사부(150)(150′)에 공급되는 공정가스(B)(C)의 흐름을 반대가 되도록 나타낸 것이다.5 shows the flow of the process gases B and C supplied to the gas injection units 150 and 150 'to be reversed.

하나의 가스 분사부(150)에 공급되는 공정가스(B)는 일측에서 공급(IN-B)하여 타측으로 이동하도록 하고, 다른 하나의 가스 분사부(150′)에 공급되는 다른 공정가스(C)는 타측에서 공급(IN-C)하여 일측으로 이동하도록 하는 것이다. 하나의 공정가스(B)는 일측에서 막혀 있는 타측으로, 다른 하나의 공정가스(C)는 타측에서 막혀 있는 일측으로 이동하여 분사홀(152a)(152a′)을 통해 웨이퍼(W)에 공급되어 증착층이 형성되는 것이다.The process gas B supplied to one gas injector 150 is supplied from one side (IN-B) to move to the other side, and the other process gas C supplied to the other gas injector 150 ′ ) Is to be supplied to the other side (IN-C) to move to one side. One process gas (B) is moved to the other side blocked from one side, the other process gas (C) is moved to one side blocked from the other side is supplied to the wafer (W) through the injection holes (152a) (152a ') The deposition layer is formed.

이 경우 냉각부(160)를 이동하는 냉각물질(A)은 일측 또는 타측에서 공급할 수 있는데, 도시된 도면에서는 타측에서 공급(IN-A)하여 일측으로 이동한 후 다시 타측으로 유입(IN-A)되어 순환되는 형태를 나타낸 것이다.In this case, the cooling material A that moves the cooling unit 160 may be supplied from one side or the other side. In the illustrated drawing, the other side is supplied to the other side (IN-A), moved to one side, and then flows back to the other side (IN-A). ) Shows the form of circulation.

도 6은 일측에서 타측 또는 타측에서 일측으로 공급되는 공정가스(B)(C)에 일측과 타측의 사이 가스 분사부(150)(150′)에 추가적인 공정가스(B′)(C′)가 공급되도록 보조 가스 공급부(170)를 설치한 것을 나타낸다.6 shows an additional process gas B ′ (C ′) to the gas injection units 150 and 150 ′ between one side and the other side to the process gas B (C) supplied from one side to the other side or the other side to one side. The auxiliary gas supply unit 170 is provided to be supplied.

예를 들어, 가스 분사부(150)(150′)의 일측에서 공정가스(B)(C)를 공급(IN-B), IN-C)하여 타측으로 이동하는 상태에서 가스 분사부(150)(150′)의 일부에 보조 가스 공급부(170)의 가스 공급라인(172)(174)를 연결하여 추가적인 공정가스(B′)(C′)를 공급(IN-B′)(IN-C′)하는 것이다.For example, the gas injection unit 150 in a state in which the process gas B (C) is supplied (IN-B) or IN-C from one side of the gas injection units 150 and 150 ′ and moved to the other side. The gas supply lines 172 and 174 of the auxiliary gas supply unit 170 are connected to a part of the 150 'to supply additional process gases B' and C '(IN-B') (IN-C '). )

도 7은 공정가스(B)(C)를 가스 분사부(150)(150′)의 일측과 타측의 사이에서 공급하는 형태를 나타낸 것으로, 이 경우 가스 분사부(150)(150′)의 양측은 막혀있다. 공정가스(B)(C)는 가스 분사부(150)의 일측과 타측의 사이에서 공급(IN-B), IN-C)되어 가스 분사부(150)(150′)의 양측으로 이동하며 분사홀(152a)(152a′)을 통해 웨이퍼(W) 상으로 분사된다.7 illustrates a form in which process gas (B) (C) is supplied between one side and the other side of the gas injection units 150 and 150 ′, and in this case, both sides of the gas injection units 150 and 150 ′. Is blocked. Process gas (B) (C) is supplied between one side and the other side of the gas injection unit 150 (IN-B, IN-C) is moved to both sides of the gas injection unit 150 (150 ') injection It is injected onto the wafer W through the holes 152a and 152a '.

도 8 및 도 9는 가스 분사부(150)(150′)에 형성된 분사홀(152a)(152a′)의 형태를 나타낸 것으로, 앞서 설명한바와 같이 가스 분사부(150)(150′)의 일측과 타측에서 공정가스(B)(C)가 공급되는 경우에 따라 분사홀(152a)(152a′)의 직경을 다르게 나타낸 것이다.8 and 9 illustrate the shapes of the injection holes 152a and 152a 'formed in the gas injection units 150 and 150', and as described above, one side of the gas injection units 150 and 150 'is shown. According to the case where the process gas (B) (C) is supplied from the other side, the diameters of the injection holes 152a and 152a 'are different.

도 8은 가스 공급부(150)(150′)의 타측, 도시된 도면을 기준으로 할 경우 중심 부분에서 공정가스(B)(C)를 공급(IN-B, IN-C)시켜 외측 부분인 일측으로 이동 하는 형태를 나타낸 것이다. 이 경우 가스 분사부(150)(150′)의 타측에 해당하는 중심부분의 공정가스(B)(C)의 압력이 높기 때문에 분사홀(152a)(152a′)의 직경을 타측에서 일측으로 갈수록 커지는 형태가 되게 하여, 상대적으로 낮은 압력의 공정가스(B)(C)가 분사되는 일측부분으로 많이 분사되게 한다. 이를 통해 중심부분의 타측과 외측부분의 일측에 공급되는 공정가스(B)(C)의 양을 조절하여 웨이퍼(W)에 대한 증착의 균일도를 유지하게 하는 것이다.8 is the other side of the gas supply unit 150 (150 ′), which is the outer side by supplying (IN-B, IN-C) the process gas (B) (C) from the center portion based on the illustrated drawing. It shows the form to move to. In this case, since the pressure of the process gas (B) (C) for the central portion corresponding to the other side of the gas injection unit 150 (150 ') is high, the diameter of the injection holes 152a, 152a' is increased from the other side to one side. Increasingly, the process gas (B) (C) of a relatively low pressure is injected to one side portion to be injected. This is to maintain the uniformity of the deposition on the wafer (W) by adjusting the amount of process gas (B) (C) supplied to the other side of the central portion and one side of the outer portion.

도 9는 가스 공급부(150)(150′)의 일측, 도시된 도면을 기준으로 할 경우 외측부분에서 공정가스(B)(C)를 공급(IN-B, IN-C)시켜 중심 부분인 타측으로 이동하는 형태를 나타낸 것이다. 이 경우 가스 분사부(150)(150′)의 일측에 해당하는 외측부분의 공정가스(B)(C)의 압력이 높기 때문에 분사홀(152a)(152a′)의 직경을 일측에서 타측인 중심부분으로 갈수록 커지는 형태가 되게 하여, 상대적으로 낮은 압력의 공정가스(B)(C)가 분사되는 타측부분으로 많이 분사되게 한다. 이를 통해 중심부분의 타측과 외측부분의 일측에 공급되는 공정가스(B)(C)의 양을 조절하여 웨이퍼(W)에 대한 증착의 균일도를 유지하게 하는 것이다.9 is a side of the gas supply unit 150, 150 ′, and the center portion of the gas supply unit 150 (150 ′) by supplying the process gas (B) (C) from the outside portion (IN-B, IN-C) from the outside portion. It shows the form moving to the side. In this case, since the pressure of the process gas (B) (C) of the outer portion corresponding to one side of the gas injection unit 150 (150 ') is high, the diameter of the injection holes 152a and 152a' is centered on one side to the other side. The larger the portion becomes, the more the process gas (B) (C) of the relatively low pressure is injected to the other portion is injected. This is to maintain the uniformity of the deposition on the wafer (W) by adjusting the amount of process gas (B) (C) supplied to the other side of the central portion and one side of the outer portion.

도 10은 가스 분사부(150)(150′)를 수직으로 구부려 전체적인 형태가 4각형의 형태가 되게 한 것이다. 이러한 형태는 웨이퍼(W) 이외에 LCD 및 PDP에 사용되는 직사각형 형태의 GLASS에 증착할 경우 사용할 수 있다.FIG. 10 shows the gas injectors 150 and 150 'vertically bent so that the overall shape becomes a quadrangular shape. Such a form can be used when depositing on a rectangular glass type GLASS used for LCD and PDP in addition to the wafer (W).

이하에서는 본 발명의 제 2실시예에 따른 화학기상 증착장치에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, a chemical vapor deposition apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described.

도 11은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 화학기상 증착장치의 단면도를 나타낸 것이다. 11 is a sectional view of a chemical vapor deposition apparatus according to a second embodiment of the present invention.

도 11에 도시된 바와 같이, 화학기상 증착장치(100)는 웨이퍼(W)가 내부에 위치하는 챔버(110)를 구비한다.As shown in FIG. 11, the chemical vapor deposition apparatus 100 includes a chamber 110 in which a wafer W is located.

챔버(110)는 상부에 위치하며, 공정가스가 공급되는 가스분사부(250)가 설치되는 상부챔버(112, Lid라고도 함)와, 상부챔버(112)와 결합되어 공정공간을 형성하는 하부챔버(114, 리액터[Reactor]라고도 함)로 구성된다.The chamber 110 is positioned at an upper portion, and includes an upper chamber 112 (also referred to as Lid) on which a gas injection unit 250 to which process gas is supplied is installed, and a lower chamber coupled to the upper chamber 112 to form a process space. (114, also called a reactor).

가스 분사부(250)는 서셉터(110)의 상부에 위치하여 서셉터(110) 측으로 공정가스를 분사하기 위한 것으로, 직선(LINE) 형태이다. 가스 분사부(250)에는 내부를 이동하는 공정가스(B)(C)가 서셉터(110) 상에 위치한 웨이퍼(W)로 공급되도록 다수개의 분사홀(252a)이 형성된다.The gas injector 250 is positioned above the susceptor 110 to inject a process gas toward the susceptor 110 and has a straight line shape. A plurality of injection holes 252a are formed in the gas injection unit 250 such that process gases B and C moving inside the gas injection unit 250 are supplied to the wafer W positioned on the susceptor 110.

그리고 상부챔버(112)에는 가스 분사부(150)와 병렬 배치되며 직선(LINE) 형태로 형성되고, 가스 분사부(250)를 냉각하기 위한 냉각물질(A)이 이동하는 냉각부(260)가 구비된다. In addition, the upper chamber 112 has a cooling unit 260 disposed in parallel with the gas injection unit 150 and formed in a straight line shape, and having a cooling material A for cooling the gas injection unit 250 moving. It is provided.

하부챔버(114)에는 웨이퍼(W)가 안착되어 회전하는 서셉터(110)가 구비된다.The lower chamber 114 is provided with a susceptor 110 on which the wafer W is seated and rotated.

그리고 하부챔버(114)에는 서셉터(110)에 위치한 웨이퍼(W)를 가열하기 위한 히터(120a)~(120d)가 설치된다. 히터(120a)(120b)(120c)(120d)는 서셉터(110)에 위치한 웨이퍼(W)들을 전체적으로 균일하게 또는 부분적으로 상이한 온도로 가열하기 위해 4개의 분리된 형태가 개별적인 온도 조절이 가능하게 된다. 4개의 분리된 형태로 설치된 히터(120a)(120b)(120c)(120d)는 서셉터(110)는 회전 속도와 연동하여 각 구간의 온도조절을 할 수 있으며, 또는 서셉터(110)와 연동되지 않고 개별적으로 각 구간의 온도조절을 할 수도 있다.And the lower chamber 114 is provided with a heater (120a) to 120d for heating the wafer (W) located in the susceptor 110. The heaters 120a, 120b, 120c, and 120d allow the four separate forms to be individually temperature controlled to heat the wafers W positioned on the susceptor 110 to a uniform or partially different temperature throughout. do. The heaters 120a, 120b, 120c, and 120d installed in four separate forms may adjust the temperature of each section in conjunction with the rotational speed of the susceptor 110, or interlock with the susceptor 110. You can also adjust the temperature of each section individually.

이러한 히터(120a)(120b)(120c)(120d)는 상술한 바와 같이 4개의 분리된 형태로 제작하거나, 일률적인 제어가 가능하도록 하나의 나선 형태로 제작하여 사용할 수 있다.The heaters 120a, 120b, 120c, and 120d may be manufactured in four separate forms as described above, or may be manufactured and used in one spiral form to enable uniform control.

그리고 하부챔버(114)에는 외셉터(110)를 회전시키기 위한 구동부(140)가 설치된다.In addition, the lower chamber 114 is provided with a driving unit 140 for rotating the outer receptor 110.

구동부(140)는 구동모터(142) 및 구동축(144)을 구비하고 있으며, 구동축(144)의 둘레에는 구동축(144)의 회전을 가이드 하고, 회전하는 서셉터(110)를 지지하기 위한 지지축(146)을 포함한다.The driving unit 140 includes a driving motor 142 and a driving shaft 144, and a support shaft for guiding the rotation of the driving shaft 144 around the driving shaft 144 and supporting the rotating susceptor 110. 146.

그리고 상부챔버(112)에는 서셉터(110) 상에 위치한 웨이퍼(W)의 온도나 증착 두께를 측정하기 위한 측정부(130)가 설치된다. 측정부(130)는 파이로미터(Pyrometer)와 같은 형태를 사용한다.In addition, the upper chamber 112 is provided with a measuring unit 130 for measuring the temperature or the deposition thickness of the wafer (W) located on the susceptor 110. The measuring unit 130 uses a form such as a pyrometer.

챔버(112)(114) 내부에 설치된 가스 공급부(150), 히터(120a)(120b)(120c)(120d), 구동부(140) 등은 제어부(미도시)에 연결되어 제어된다.The gas supply unit 150, the heaters 120a, 120b, 120c, 120d, and the driving unit 140 installed in the chambers 112 and 114 are connected to and controlled by a controller (not shown).

측정부(130)는 서셉터(110)에 위치한 웨이퍼(W)의 온도 또는 증착두께를 측 정하여 이를 제어부로 전달하게 되고, 이에 따라 히터(120a)(120b)(120c)(120d)의 온도 및 서셉터(110)의 회전속도를 제어하게 된다.The measurement unit 130 measures the temperature or deposition thickness of the wafer W located on the susceptor 110 and transmits the measured thickness to the control unit. Accordingly, the temperature of the heaters 120a, 120b, 120c, and 120d is measured. The rotation speed of the susceptor 110 is controlled.

미설명 196은 기밀유지를 위한 O-ring이다.Description 196 is an O-ring for confidentiality.

도 12는 본 발명의 실시예에 따른 화학기상 증착장치(100)에 구비된 가스 분사부(250)(250′)와 냉각부(260)를 나타낸 것으로, 가스 분사부(250)(250′) 및 냉각부(260)를 병렬 형태로 나란히 배치시키고, 이러한 상태에서 이들의 외부에 가스 분사부(150)(150′)와 냉각부(160)를 지지하기 위한 지지체(192)를 구비한 형태를 나타낸 것이다. 냉각부(260)는 가스 공급부(250)(250′)의 양측에 위치하여 가스 공급부(250)(250′)를 냉각하게 된다.12 shows the gas injection units 250 and 250 ′ and the cooling unit 260 included in the chemical vapor deposition apparatus 100 according to the embodiment of the present invention, and the gas injection units 250 and 250 ′ are shown. And arranging the cooling units 260 side by side in parallel, and having a support 192 for supporting the gas injection units 150, 150 ′ and the cooling unit 160 in the outside thereof in this state. It is shown. The cooling unit 260 is positioned at both sides of the gas supply units 250 and 250 ′ to cool the gas supply units 250 and 250 ′.

가스 분사부(250)의 양측에 각각 냉각부(260)를 배치한 형태를 하나의 단위 유닛(U)으로 제작하고, 이러한 유닛(U) 복수개를 병렬로 배치하는 형태가 되도록 할 수 있다.The cooling unit 260 is disposed on both sides of the gas injection unit 250 in one unit unit U, and a plurality of such units U may be arranged in parallel.

또한, 상기와 같은 방법 이외에 지지체(192)를 배제하는 형태로, 직선 형태의 가스 분사부(250)(250′)와 냉각부(260)를 개별적으로 병렬 배치하는 방법을 반복적으로 설치하여 가스 분사부(250)(250′)와 냉각부(260)를 구성할 수도 있다.Further, in addition to the above-described method, the support body 192 is removed, and a method of arranging the gas injectors 250 and 250 'and the cooling unit 260 in a straight line in parallel and separately is repeatedly provided. The dead part 250 (250 ') and the cooling part 260 can also be comprised.

도 13 내지 도 15는 가스 분사부(250)(250)′)로 공급되는 공정가스(B)(C)와 냉각부(260)로 공급되는 냉각물질(A)의 흐름을 나타낸 것이다.13 to 15 illustrate the flow of the process gas (B) (C) supplied to the gas injection units 250 and 250 ′ and the cooling material A supplied to the cooling unit 260.

도 13에 도시된 바와 같이, 공정가스(B)(C)와 냉각물질(A)은 가스 분사 부(250)(250′)와 냉각부(260)의 일측에서 공급(IN-B, IN-C, IN-A)에 공급시켜 타측으로 이동되도록 하는 것을 나타낸다. 일측에서 공급(IN-B, IN-C)된 공정가스(B)(C)는 막혀 있는 타측으로 이동하며, 분사홀(250a)(250a′)을 통해 웨이퍼(W)에 분사되어 증착층으로 형성된다. 그리고 냉각물질(A)은 일측에서 타측으로 이동하며 배출(OUT-A)된 후 다시 일측으로 공급(IN-A)되어 순환된다.As shown in FIG. 13, the process gas B and the cooling material A are supplied from one side of the gas injection units 250 and 250 ′ and the cooling unit 260 (IN-B and IN−). C, IN-A) to be moved to the other side. Process gas (B) (C) supplied from one side (IN-B, IN-C) is moved to the other side that is blocked, is injected into the wafer (W) through the injection holes (250a) (250a ') to the deposition layer Is formed. And the cooling material (A) is moved from one side to the other side is discharged (OUT-A) and then supplied to one side (IN-A) is circulated again.

도 14는 공정가스(B)(C)와 냉각물질(A)을 가스 분사부(250)(250′)와 냉각부(260)의 일측에서 공급(IN-B, IN-C, IN-A)하여 타측으로 이동하도록 하는 형태와 타측에서 공급(IN-B, IN-C, IN-A)하여 일측으로 이동하게 하는 형태를 혼합하여 배치시킨 형태를 나타낸다. 이 경우 공정가스(B)(C)가 공급되는 부분의 반대측은 막힌 상태가 된다.14 shows a process gas (B) (C) and a cooling material (A) from one side of the gas injection unit (250) (250 ') and the cooling unit (260) (IN-B, IN-C, IN-A It shows the form where the form to move to the other side and the form to be supplied to the other side (IN-B, IN-C, IN-A) to move to one side are arranged. In this case, the opposite side to the part to which process gas (B) (C) is supplied is in the closed state.

도 15는 공정가스(B)(C)를 가스 분사부(250)(250′)의 중심부분에서 공급(IN-B, IN-C)하여 일측과 타측으로 이동하게 하는 형태를 나타낸 것이다. 냉각물질(A)은 공정가스(B)(C)와 마찬가지로 냉각부(260)의 중심부분에서 공급하거나, 냉각부(260)의 일측 또는 타측에서 공급할 수 있다. 이 경우 공정가스(B)(C)가 이동하는 가스 분사부(250)(250′)의 일측과 타측은 막혀 있다.FIG. 15 shows a form in which the process gas (B) (C) is supplied (IN-B, IN-C) from the center portion of the gas injection unit 250 (250 ') to move to one side and the other side. The cooling material A may be supplied from a central portion of the cooling unit 260, or may be supplied from one side or the other side of the cooling unit 260 similarly to the process gases B and C. In this case, one side and the other side of the gas injection units 250 and 250 ′ through which the process gases B and C move are blocked.

도 16a 내지 도 16c는 가스 분사부(250)(250′)의 일측 또는 타측에서 공급되는 형태에 따른 분사홀(252a)(252a′)의 형태를 나타낸 것이다.16A to 16C illustrate the shapes of the injection holes 252a and 252a 'according to the form supplied from one side or the other side of the gas injection units 250 and 250'.

도 16a 및 도 16b에 도시된 바와 같이, 분사홀(252a)(252a′)은 공정가스(B)(C)가 공급(IN-B, IN-C)되는 일측 또는 타측의 직경이 작게 형성되고, 공급되지 않는 일측 또는 타측으로 갈수록 직경이 크게 형성되는 형태로 하여 웨이퍼(W)에 대한 균일한 증착이 가능하게 한다.As shown in FIGS. 16A and 16B, the injection holes 252a and 252a 'have a smaller diameter at one side or the other side to which the process gases B and C are supplied (IN-B and IN-C). In the form of a larger diameter toward one side or the other side that is not supplied, uniform deposition of the wafer W is possible.

도 16c는 가스 분사부(250)(250′)의 중심부분에서 공정가스(B)(C)를 공급(IN-B, IN-C)하여 일측과 타측으로 이동하게 하는 형태를 나타낸다. 이 경우 가스 분사부(250)(250)′)의 분사홀(252a)(252a′)은 중심부분의 직경이 작게 형성되고, 일측과 타측으로 갈수록 커지는 형태가 되도록 형성한다.FIG. 16C illustrates a form in which the process gases B and C are supplied (IN-B and IN-C) from the central portion of the gas injection units 250 and 250 'to move to one side and the other side. In this case, the injection holes 252a and 252a 'of the gas injection units 250 and 250' are formed so that the diameter of the central portion is small and becomes larger toward one side and the other side.

이상, 본 발명은 도시된 실시예를 참고로 설명하였으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 그러므로 본 발명의 범위는 첨부된 특허청구의 범위와 이와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.As mentioned above, although the present invention has been described with reference to the illustrated embodiments, it is only an example, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the scope of the present invention should be defined by the appended claims and their equivalents.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 화학기상 증착장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a chemical vapor deposition apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 2a 내지 2e는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 화학기상 증착장치에 구비된 가스 분사부 및 냉각부의 단면도이다.2A to 2E are cross-sectional views of a gas injection unit and a cooling unit provided in the chemical vapor deposition apparatus according to the first embodiment of the present invention.

도 3 내지 도 7은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 화학기상 증착장치에 구비된 가스 분사부 및 냉각부를 이동하는 공정가스와 냉각물질의 이동 상태를 나타낸 서로 다른 실시예이다.3 to 7 are different embodiments showing the movement state of the process gas and the cooling material moving the gas injection unit and the cooling unit provided in the chemical vapor deposition apparatus according to the first embodiment of the present invention.

도 8 및 도 9는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 화학기상 증착장치에 구비된 가스 분사부에 형성된 분사홀의 다른 실시예를 나타낸 평면도이다.8 and 9 are plan views showing another embodiment of the injection hole formed in the gas injection unit provided in the chemical vapor deposition apparatus according to the first embodiment of the present invention.

도 10은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 화학기상 증착장치에 구비된 가스 분사부 및 냉각부의 다른 실시예를 나타낸 평면도이다.10 is a plan view showing another embodiment of the gas injection unit and the cooling unit provided in the chemical vapor deposition apparatus according to the first embodiment of the present invention.

도 11은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 화학기상 증착장치를 나타낸 단면도이다.11 is a cross-sectional view showing a chemical vapor deposition apparatus according to a second embodiment of the present invention.

도 12는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 화학기상 증착장치에 구비된 가스 분사부 및 냉각부의 단면도이다.12 is a cross-sectional view of a gas injection unit and a cooling unit provided in the chemical vapor deposition apparatus according to the second embodiment of the present invention.

도 13 내지 도 15는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 화학기상 증착장치에 구비된 가스 분사부 및 냉각부를 이동하는 공정가스와 냉각물질의 이동 상태를 나타낸 서로 다른 실시예이다.13 to 15 are different embodiments showing the movement state of the process gas and the cooling material moving the gas injection unit and the cooling unit provided in the chemical vapor deposition apparatus according to the second embodiment of the present invention.

도 16a 내지 도 16c는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 화학기상 증착장치에 구비된 가스 분사부에 형성된 분사홀의 다른 실시예를 나타낸 평면도이다.16A to 16C are plan views illustrating another embodiment of the injection hole formed in the gas injection unit included in the chemical vapor deposition apparatus according to the second embodiment of the present invention.

Claims (17)

챔버;chamber; 상기 챔버 내부에 설치되며, 적어도 하나 이상의 웨이퍼가 안착되는 서셉터;A susceptor installed inside the chamber and having at least one wafer seated thereon; 상기 서셉터를 가열하도록 온도를 제어하는 히터;A heater controlling a temperature to heat the susceptor; 상기 서셉터의 상부에 위치하며, 나선 형태로 형성되어 상기 서셉터 측으로 공정가스를 분사하도록 하는 다수개의 분사홀이 형성된 적어도 하나 이상의 가스 분사부를 포함하고, Located at the top of the susceptor, and formed in a spiral form at least one gas injection portion formed with a plurality of injection holes for injecting the process gas to the susceptor side, 상기 다수개의 가스 분사홀의 직경은 상기 가스 분사부의 가스가 유입되는 입측 부분에서 타측으로 갈수록 커지는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.The diameter of the plurality of gas injection hole is a chemical vapor deposition apparatus, characterized in that the larger toward the other side from the inlet portion into which the gas is injected gas injection portion. 제 1 항에 있어서, 상기 가스 분사부는 복수개가 병렬 배치되어 나선 형태로 연장 형성되고, 상기 가스 분사부를 냉각하기 위한 냉각물질이 이동하는 냉각부를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.The chemical vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the gas ejection unit includes a plurality of gas ejection units arranged in parallel to extend in a spiral form, and a cooling unit to move a cooling material for cooling the gas ejection unit. 제 1 항에 있어서, 상기 공정가스는 상기 가스 분사부의 일측에서 공급되어 상기 가스 분사부의 타측으로 이동하거나, 상기 가스분사부의 타측에서 공급되어 상기 가스 분사부의 일측으로 이동하며 상기 분사홀을 통해 상기 웨이퍼 상으로 분사되는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.The wafer of claim 1, wherein the process gas is supplied from one side of the gas injection unit to move to the other side of the gas injection unit, or supplied from the other side of the gas injection unit to move to one side of the gas injection unit, and moves through the wafer through the injection hole. Chemical vapor deposition apparatus, characterized in that sprayed onto the phase. 제 3 항에 있어서, 상기 가스 분사부의 일측과 상기 가스 분사부의 타측의 사이에는 상기 공정가스를 추가로 공급하기 위한 보조 가스 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.4. The chemical vapor deposition apparatus according to claim 3, further comprising an auxiliary gas supply unit for additionally supplying the process gas between one side of the gas injector and the other side of the gas injector. 제 1 항에 있어서, 상기 공정가스는 상기 가스 분사부의 일측과 타측의 사이에서 공급되어 상기 가스 분사부의 양측으로 이동하며 상기 분사홀을 통해 상기 웨이퍼 상으로 분사되는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.The chemical vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the process gas is supplied between one side and the other side of the gas injector to move to both sides of the gas injector, and is sprayed onto the wafer through the injection hole. 제 5 항에 있어서, 상기 분사홀의 직경은 상기 가스 분사부의 양측으로 갈수록 커지거나 작아지는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.6. The chemical vapor deposition apparatus according to claim 5, wherein the diameter of the injection hole increases or decreases toward both sides of the gas injection portion. 제 1 항에 있어서, 상기 챔버에는 상기 웨이퍼의 온도 또는 증착된 증착 두께를 측정하기 위한 측정부를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.The chemical vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the chamber includes a measuring unit for measuring the temperature of the wafer or the deposited deposition thickness. 제 7 항에 있어서, 상기 측정부는 파이로미터(pyrometer)인 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.The chemical vapor deposition apparatus according to claim 7, wherein the measurement unit is a pyrometer. 챔버;chamber; 상기 챔버 내부에 설치되며, 적어도 하나 이상의 웨이퍼가 안착되는 서셉터;A susceptor installed inside the chamber and having at least one wafer seated thereon; 상기 서셉터를 가열하도록 온도가 제어되는 히터;A heater whose temperature is controlled to heat the susceptor; 상기 서셉터의 상부에 위치하여 상기 서셉터 측으로 공정가스를 분사하기 위한 다수개의 분사홀을 포함하며, 라인(line) 형태를 형성되며, Located in the upper portion of the susceptor and includes a plurality of injection holes for injecting the process gas to the susceptor side, and forms a line (line), 상기 다수개의 가스 분사홀의 직경은 상기 가스 분사부의 가스가 유입되는 입측 부분에서 타측으로 갈수록 커지는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.The diameter of the plurality of gas injection hole is a chemical vapor deposition apparatus, characterized in that the larger toward the other side from the inlet portion into which the gas is injected gas injection portion. 제 9 항에 있어서, 상기 가스 분사부와 병렬 배치되며, 상기 가스 분사부를 냉각하기 위한 냉각물질이 이동하도록 라인(line) 형태를 이루는 적어도 하나 이상의 냉각부를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.10. The chemical vapor deposition apparatus according to claim 9, further comprising at least one cooling unit arranged in parallel with the gas injection unit and forming a line to move a cooling material for cooling the gas injection unit. 제 9 항에 있어서, 상기 공정가스는 상기 가스 분사부의 일측에서 공급되어 상기 가스 분사부의 타측으로 이동하거나, 상기 가스분사부의 타측에서 공급되어 상기 가스 분사부의 일측으로 이동하며 상기 분사홀을 통해 상기 웨이퍼 상으로 분사되는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.The wafer of claim 9, wherein the process gas is supplied from one side of the gas injection unit to move to the other side of the gas injection unit, or supplied from the other side of the gas injection unit to move to one side of the gas injection unit, and moves through the wafer through the injection hole. Chemical vapor deposition apparatus, characterized in that sprayed onto the phase. 제 9 항에 있어서, 상기 공정가스는 상기 가스 분사부의 중심부분에서 공급되어 상기 가스 분사부의 양측으로 이동하며 상기 분사홀을 통해 상기 웨이퍼 상으로 분사되는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.10. The chemical vapor deposition apparatus according to claim 9, wherein the process gas is supplied from a central portion of the gas injector to move to both sides of the gas injector, and is sprayed onto the wafer through the injection hole. 제 12 항에 있어서, 상기 분사홀의 직경은 상기 가스 분사부의 중심부분에서 상기 가스 분사부의 양측으로 갈수록 커지거나, 상기 가스 분사부의 중심부분에서 상기 가스 분사부의 양측으로 갈수록 작아지는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.The chemical vapor phase of claim 12, wherein the diameter of the injection hole is increased toward both sides of the gas injection unit at the center portion of the gas injection unit or decreases toward both sides of the gas injection unit at the center portion of the gas injection unit. Vapor deposition apparatus. 제 9 항에 있어서, 상기 챔버에는 상기 웨이퍼의 온도 또는 증착된 증착 두께를 측정하기 위한 측정부를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.10. The chemical vapor deposition apparatus as claimed in claim 9, wherein the chamber includes a measuring unit for measuring the temperature of the wafer or the deposited deposition thickness. 제 14 항에 있어서, 상기 측정부는 파이로미터(pyrometer)인 것을 특징으로 하는 화학기상 증착장치.15. The chemical vapor deposition apparatus according to claim 14, wherein the measurement unit is a pyrometer. 삭제delete 삭제delete
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