KR101980313B1 - Apparatus for processing substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 기판이 처리되는 내부 공간을 가지는 챔버; 상기 챔버의 상부 개구를 덮는 탑리드; 상기 챔버의 내부 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지대; 및 상기 기판상으로 가스를 분사하도록 상기 탑리드를 상하방향으로 관통하며 배치되는 제1가이드 부재와, 상기 제1가이드 부재의 외측에 구비되어 상기 제1가이드 부재와의 사이에 제1가스공급유로를 형성하는 제2가이드 부재와, 상기 제2가이드 부재의 외측에 구비되어 상기 제2가이드 부재와의 사이에 제2가스공급유로를 형성하며 상기 탑리드와의 사이에 제3가스공급유로를 형성하는 제3 가이드 부재를 포함하는 가스분사부를 포함하며, 상기 제1가이드 부재, 제2가이드 부재 및 제3가이드 부재는 상기 탑리드를 관통하여 상하방향으로 배치되는 수직부와, 상기 수직부의 하부에서 수평방향으로 연장되는 수평부를 포함하고, 상기 제1가이드 부재의 수평부와 상기 제2가이드 부재의 수평부 사이에 제1유로가 형성되고, 상기 제2가이드 부재의 수평부와 제3가이드 부재의 수평부 사이에 제2유로가 형성되며, 상기 제3가이드 부재의 제3수평부와 상기 탑리드 사이에 제3유로가 형성되되, 상기 제1, 제2 및 제3가이드 부재 중 적어도 어느 하나가 상하 방향으로 이동 가능하도록 형성되어, 공정 가스를 기판 전체에 걸쳐 균일하게 분사시킬 수 있으므로 기판 상에 증착되는 박막의 균일도를 향상시킬 수 있다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, comprising: a chamber having an interior space in which a substrate is processed; A top lead covering an upper opening of the chamber; A substrate support for supporting a substrate in an internal space of the chamber; A first guide member disposed on the top surface of the top plate so as to vertically penetrate the top lead so as to inject gas onto the substrate and a first guide member provided on the outer side of the first guide member, A second guide member provided on the outer side of the second guide member to form a second gas supply passage between the second guide member and a third gas supply passage formed between the second guide member and the top lead Wherein the first guide member, the second guide member, and the third guide member include a vertical portion passing through the top lead and arranged in the vertical direction, and a gas injection portion including a third guide member including a first guide member, Wherein a first flow path is formed between a horizontal portion of the first guide member and a horizontal portion of the second guide member, and a horizontal portion of the second guide member A second flow path is formed between the horizontal portions of the third guide member and a third flow path is formed between the third horizontal portion of the third guide member and the top lead, Can be moved in the vertical direction, and the process gas can be uniformly injected over the entire substrate, so that the uniformity of the thin film deposited on the substrate can be improved.

Description

기판 처리 장치{Apparatus for processing substrate}[0001] Apparatus for processing substrate [0002]

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 기판상에 박막을 증착시키는 기판 처리 장치이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus for depositing a thin film on a substrate.

일반적으로, 반도체에서 사용하는 박막 제조 방법으로는 CVD(Chemical Vapor Deposition)법, PVD(Physical Vapor Deposition)법이 있다. CVD법은 기체상태의 혼합물을 가열된 기판 표면에서 화학 반응시켜 생성물을 기판 표면에 증착시키는 기술이다. CVD법은 전구체(precursor)로 사용되는 물질의 종류, 공정 중의 압력, 반응에 필요한 에너지 전달 방식 등에 의해, APCVD(Atmospheric CVD), LPCVD(Low Pressure CVD), PECVD(Plasma Enhanced CVD), MOCVD(Metal Organic CVD)법 등으로 구분된다.Generally, thin film manufacturing methods used in semiconductors include CVD (Chemical Vapor Deposition) and PVD (Physical Vapor Deposition). CVD is a technique in which a gaseous mixture is chemically reacted on the surface of a heated substrate to deposit a product on the surface of the substrate. The CVD method can be performed by various methods such as APCVD (Atmospheric CVD), LPCVD (Low Pressure CVD), PECVD (Plasma Enhanced CVD), MOCVD (Metal Chemical Vapor Deposition), and the like, depending on the kind of material used as a precursor, Organic CVD) method.

최근에는 발광다이오드용 질화물 반도체가 각광을 받고 있는데, 발광다이오드용 질화물 반도체의 단결정 성장을 위해 MOCVD법이 많이 사용되고 있다. MOCVD법은 액체 상태의 원료인 유기금속 화합물을 기체 상태로 기화시킨 다음, 기화된 가스를 증착 대상인 기판으로 공급해서 고온의 기판에 접촉시킴으로써, 기판 상에 금속 박막을 증착시키는 방법이다. 이러한 MOCVD법의 경우, 가스를 기판으로 공급하기 위한 방식으로 인젝션(injection) 방식이 많이 채용되고 있다. 인젝션 방식은 챔버의 중앙에 설치된 인젝터를 통해 가스를 기판 지지대의 상부 중앙으로 도입한 후, 도입된 가스를 수평 방향으로 기판 지지대 주변을 향해 분사하여 기판 지지대 상의 기판들에 공급하는 방식이다.Recently, a nitride semiconductor for a light emitting diode has been spotlighted, and MOCVD is widely used for growing a single crystal of a nitride semiconductor for a light emitting diode. The MOCVD method is a method of vaporizing an organometallic compound, which is a raw material in a liquid state, in a gaseous state, and then supplying a vaporized gas to a substrate to be vaporized and bringing the vaporized gas into contact with a high temperature substrate. In the case of this MOCVD method, many injection methods are employed in a method for supplying gas to a substrate. The injection method is a method in which the gas is introduced into the upper center of the substrate support through an injector installed in the center of the chamber, and then the introduced gas is horizontally injected toward the periphery of the substrate support and supplied to the substrates on the substrate support.

인젝션 방식에 의한 MOCVD 증착 장치는 복수의 가스의 유로를 형성하는 가이드 부재가 구비되는 인젝터를 포함한다. 가이드 부재는 복수 개가 구비되어 여러 종류의 가스를 수평방향으로 분사하는 복수의 유로를 형성한다. 예컨대 제1가스는 폭 R1을 갖는 제1유로를 통해, 제2가스는 폭 R2를 갖는 제2유로를 통해, 제3가스는 폭 R3를 갖는 제3유로를 통해 수평방향으로 분사되어 기판 지지대 상의 기판으로 분사된다(도 1 참조). 예컨대 제1유로와 제3유로를 통해서는 5족 가스를, 제2유로를 통해서는 3족 가스를 분사할 수 있다. 이때, 제1 내지 제3유로의 폭은 고정 설치된다. The MOCVD deposition apparatus by the injection method includes an injector provided with a guide member for forming a plurality of gas flow paths. A plurality of guide members are provided to form a plurality of flow paths for spraying various kinds of gases in the horizontal direction. For example, the first gas is sprayed in a horizontal direction through a first flow path with a width R1, the second gas through a second flow path with a width R2, and the third gas through a third flow path with a width R3, (See Fig. 1). For example, Group 5 gas can be injected through the first flow path and the third flow path, and Group 3 gas can be injected through the second flow path. At this time, the widths of the first to third flow paths are fixed.

한편, 다층 박막을 증착하는 경우, 예컨대 제2유로를 통해 서로 다른 종류의 3족 가스를 분사하게 된다. 그런데 가스의 종류에 따라 가스를 구성하는 성분이 상이하고, 성분에 따라 서로 다른 질량을 갖기 때문에 제2유로를 통해 분사되는 가스의 이동 거리나 분사 압력 등에 차이가 발생하게 된다. 이에 제2유로를 따라 분사된 가스가 분사된 시점에서 기판 지지대의 가장자리 영역, 보다 구체적으로는 기판 전체에 걸쳐 균일하게 분사되어야 하나, 분사되는 가스의 종류에 따라 가스의 이동 패턴에 변화가 생겨 기판 전체에 걸쳐 균일하게 분사되지 않는 경우가 발생하게 된다. 이에 종래에는 캐리어 가스의 유량을 조절하여 가스의 이동 거리 및 분사 압력 등을 제어하는 방법이 사용되고 있다. 그러나 기판이 대면적화됨에 따라 기판 전체에 걸쳐 가스를 균일하게 분사하기 위해서는 대량의 캐리어 가스가 요구되고, 캐리어 가스의 유량 조절을 통해 가스의 이동 거리를 제어하는 데에도 한계가 있다는 문제점이 있다.On the other hand, when the multilayer thin film is deposited, different kinds of Group III gases are injected through the second flow path, for example. However, since components constituting the gas are different depending on the kind of the gas, and the components have different masses depending on the components, the movement distance of the gas injected through the second flow path, the injection pressure, and the like are different. Therefore, at the point of time when the gas injected along the second flow path is injected, the gas should be uniformly sprayed to the edge region of the substrate support, more specifically, the entire substrate. However, It may occur that the nozzles are not uniformly sprayed all over. Conventionally, a method of controlling the moving distance and the injection pressure of the gas by controlling the flow rate of the carrier gas has been used. However, as the size of the substrate is increased, a large amount of carrier gas is required to uniformly inject gas across the entire substrate, and there is also a limitation in controlling the travel distance of the gas through controlling the flow rate of the carrier gas.

KR 2008-0075529 AKR 2008-0075529 A JP 2013-538463 AJP 2013-538463 A

본 발명은 공정 가스가 분사되는 노즐의 폭을 조절할 수 있는 기판처리장치를 제공한다. The present invention provides a substrate processing apparatus capable of adjusting the width of a nozzle through which a process gas is injected.

본 발명은 공정 가스의 이동 거리 및 분사 압력을 제어할 수 있는 기판처리장치를 제공한다. The present invention provides a substrate processing apparatus capable of controlling the moving distance and the injection pressure of the process gas.

본 발명은 박막의 증착 효율 및 생산성을 향상시킬 수 있는 기판처리장치를 제공한다.The present invention provides a substrate processing apparatus capable of improving deposition efficiency and productivity of a thin film.

본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치는, 기판이 처리되는 내부 공간을 가지는 챔버; 상기 챔버의 상부 개구를 덮는 탑리드; 상기 챔버의 내부 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지대; 및 상기 기판상으로 가스를 분사하도록 상기 탑리드를 상하방향으로 관통하며 배치되는 제1가이드 부재와, 상기 제1가이드 부재의 외측에 구비되어 상기 제1가이드 부재와의 사이에 제1가스공급유로를 형성하는 제2가이드 부재와, 상기 제2가이드 부재의 외측에 구비되어 상기 제2가이드 부재와의 사이에 제2가스공급유로를 형성하며 상기 탑리드와의 사이에 제3가스공급유로를 형성하는 제3 가이드 부재를 포함하는 가스분사부를 포함하며, 상기 제1가이드 부재, 제2가이드 부재 및 제3가이드 부재는 상기 탑리드를 관통하여 상하방향으로 배치되는 수직부와, 상기 수직부의 하부에서 수평방향으로 연장되는 수평부를 포함하고, 상기 제1가이드 부재의 수평부와 상기 제2가이드 부재의 수평부 사이에 제1유로가 형성되고, 상기 제2가이드 부재의 수평부와 제3가이드 부재의 수평부 사이에 제2유로가 형성되며, 상기 제3가이드 부재의 제3수평부와 상기 탑리드 사이에 제3유로가 형성되되, 상기 제1, 제2 및 제3가이드 부재 중 적어도 어느 하나가 상하 방향으로 이동 가능하도록 형성되는 것을 특징으로 한다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a chamber having an internal space in which a substrate is processed; A top lead covering an upper opening of the chamber; A substrate support for supporting a substrate in an internal space of the chamber; A first guide member disposed on the top surface of the top plate so as to vertically penetrate the top lead so as to inject gas onto the substrate and a first guide member provided on the outer side of the first guide member, A second guide member provided on the outer side of the second guide member to form a second gas supply passage between the second guide member and a third gas supply passage formed between the second guide member and the top lead Wherein the first guide member, the second guide member, and the third guide member include a vertical portion passing through the top lead and arranged in the vertical direction, and a gas injection portion including a third guide member including a first guide member, Wherein a first flow path is formed between a horizontal portion of the first guide member and a horizontal portion of the second guide member, and a horizontal portion of the second guide member A second flow path is formed between the horizontal portions of the third guide member and a third flow path is formed between the third horizontal portion of the third guide member and the top lead, Is formed so as to be movable in the vertical direction.

상기 제2가이드 부재의 수직부는 상기 제1가이드 부재의 수직부보다 짧고 상기 제3가이드 부재의 수직부보다 길 수 있다. The vertical portion of the second guide member may be shorter than the vertical portion of the first guide member and may be longer than the vertical portion of the third guide member.

상기 제2가이드 부재에는 상기 제2가이드 부재를 상하방향으로 이동시키기 위한 구동장치가 연결될 수 있다. A driving device for moving the second guide member in the vertical direction may be connected to the second guide member.

상기 구동장치는, 상기 탑리드 상부에 연결되는 하부 프레임, 상기 하부 프레임 상부에 이격 위치되는 상부 프레임, 상기 상부 프레임과 하부 프레임을 연결 지지하는 측부 프레임과, 상기 상부 프레임과 하부 프레임 사이에 상하 방향으로 배치되고, 회전 가능하도록 배치되는 회전축과, 상기 회전축에 장착되어 회전축의 회전 구동에 따라 승강 구동되는 이동 부재와, 상기 제2 가이드 부재와 이동부재를 연결하는 연결부재와, 상기 하부 프레임과 상기 연결부재 사이를 밀폐하며 상기 제2 가이드 부재를 감싸도록 구비되는 하부 주름관 및 상기 상부 프레임과 상기 연결부재 사이를 밀폐하며 상기 제1 가이드 부재를 감싸도록 구비되는 상부 주름관을 포함할 수 있다.The driving device includes a lower frame connected to an upper portion of the top lead, an upper frame spaced apart from the upper portion of the lower frame, a side frame connecting and supporting the upper frame and the lower frame, A moving member mounted on the rotating shaft and driven to move up and down according to rotation of the rotating shaft; a connecting member connecting the second guiding member and the moving member; A lower corrugated tube for sealing the connection members and surrounding the second guide member, and an upper corrugated tube for sealing the upper frame and the connection member and enclosing the first guide member.

상기 회전축은 외주면의 적어도 일부에 나사산이 형성되는 스크류이고, 상기 이동부재는 상기 나사산과 맞물려지는 볼을 구비하는 볼너트일 수 있다.The rotating shaft is a screw having a thread formed on at least a part of the outer circumferential surface, and the moving member may be a ball nut having a ball engaged with the thread.

상기 상부 주름관과 상기 하부 주름관은 서로 반대 방향으로 신축할 수 있다. The upper bellows pipe and the lower bellows pipe may extend and contract in directions opposite to each other.

상기 제1가이드 부재에는 상기 제1 가이드 부재를 냉각하기 위한 냉각 유로가 형성될 수 있다. The first guide member may be provided with a cooling channel for cooling the first guide member.

본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치는, 공정 가스의 물성에 따라 공정 가스가 분사되는 노즐의 폭 조절을 통해 공정 가스의 이동 거리 및 분사 압력을 일정하게 제어할 수 있다. 따라서 공정 가스가 기판 전체에 걸쳐 균일하게 분사됨으로써 기판 상에 증착되는 박막의 균일도를 향상시킬 수 있다. 특히, 대면적 기판을 이용한 박막 증착에 유용하게 적용될 수 있다. The substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention can control the moving distance of the process gas and the injection pressure constantly by adjusting the width of the nozzle through which the process gas is injected according to the physical properties of the process gas. Therefore, uniformity of the thin film deposited on the substrate can be improved by injecting the process gas uniformly throughout the substrate. In particular, it can be applied to thin film deposition using a large area substrate.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 단면도.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따라 기판지지대 위에 놓인 복수의 기판 지지 홀더를 도시한 도면.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 가스 분사부의 구조를 보여주는 단면도.
도 4a 내지 도 4c는 도 3에 도시된 가스 분사부의 단면도.
도 5는 가스 분사부의 유로 폭에 따른 가스의 이동 거리에 따른 박막 두께의 변화를 보여주는 그래프.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 가스 분사부의 사용 상태를 보여주는 단면도. 1 is a cross-sectional view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;
Figure 2 illustrates a plurality of substrate support holders placed on a substrate support in accordance with an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view showing a structure of a gas injection unit according to an embodiment of the present invention;
4A to 4C are cross-sectional views of the gas injection portion shown in Fig.
5 is a graph showing a change in the thickness of the thin film according to the moving distance of the gas according to the flow path width of the gas injection part.
6 is a cross-sectional view showing a use state of the gas injection unit according to the embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know. Wherein like reference numerals refer to like elements throughout.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이고, 도 2는 본 발명의 변형 예에 따라 기판지지대 위에 놓인 복수의 기판 지지 홀더를 도시한 도면이고, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 가스 분사부의 구조를 보여주는 단면도이고, 도 4a 내지 도 4c는 도 3에 도시된 가스 분사부의 단면도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a view showing a plurality of substrate support holders placed on a substrate support according to a modification of the present invention, Sectional view showing the structure of the gas injection portion according to the embodiment of the present invention, and Figs. 4A to 4C are sectional views of the gas injection portion shown in Fig.

도 1을 참조하면, 챔버(100)는 기판에 대한 증착 공정이 행해지는 내부 공간을 갖는다. 챔버(100)는 상부가 개구된 챔버 본체(102)와, 챔버 본체(102)의 상부 개구를 덮는 탑리드(101)를 구비한다. 이때, 탑리드(101)의 하면을 보호하기 위해 석영, 그라파이트 재질 등으로 이루어진 라이너(미도시)를 포함할 수 있다. 탑 리드(101)는 증착 공정 시 하강 동작하여 챔버 본체(102)의 상부 개구를 폐쇄하고, 기판의 로딩 또는 언로딩시 승강 동작하여 챔버 본체(102)의 상부 개구를 개방시킬 수 있다.Referring to FIG. 1, the chamber 100 has an interior space in which a deposition process is performed on the substrate. The chamber 100 has a chamber body 102 with an open top and a top lid 101 covering the top opening of the chamber body 102. In order to protect the bottom surface of the top lead 101, a liner (not shown) made of quartz, graphite or the like may be included. The top lead 101 may be lowered during the deposition process to close the upper opening of the chamber body 102 and move up and down when the substrate is loaded or unloaded to open the upper opening of the chamber body 102.

기판 지지대(150)는 상면에 중심점의 둘레를 따라 복수의 기판(W)들을 지지한다. 이는 대량 생산을 위해 보다 많은 기판들에 대해 한꺼번에 박막 증착하기 위함이다. 기판지지대(150)의 중심 주위에 복수의 기판 안착부(151)들이 균일하게 분포되어 형성될 수 있다. 기판 안착부(151)들에 기판들이 각각 안착되어 지지될 수 있다. 변형 예로, 도 2에 도시된 바와 같이 기판지지대(150)의 중심점의 주위에 새틀라이트(satellite)와 같은 복수의 기판 지지 홀더(155)들이 균일하게 분포되어 설치될 수 있다. 각각의 기판 지지 홀더는 상면에 복수의 기판들을 각각 수용해서 지지한다. 예를 들어, 기판 지지대(150) 위에는 복수의 기판 지지 홀더(155)가 마련되며, 이러한 기판 지지 홀더(155) 위에 복수의 기판(W)들이 안착되어 기판 집적도를 향상시킬 수 있다.The substrate support 150 supports a plurality of substrates W around the center point on the upper surface. This is for thin film deposition at a time on more substrates for mass production. A plurality of substrate seating portions 151 may be uniformly distributed around the center of the substrate support 150. The substrates can be seated and supported on the substrate seating portions 151, respectively. As an alternative, a plurality of substrate support holders 155, such as satellites, may be uniformly distributed around the center point of the substrate support 150 as shown in FIG. Each substrate support holder houses and supports a plurality of substrates on its upper surface. For example, a plurality of substrate support holders 155 are provided on the substrate support 150, and a plurality of substrates W are mounted on the substrate support holder 155 to improve the degree of substrate integration.

기판지지대(150)는 챔버(100) 내에 회전구동기구(미도시)에 의해 회전 가능하게 설치된다. 예컨대, 기판지지대(150)는 기판 지지축(160)에 의해 지지되며, 기판지지축(160)이 회전구동기구(미도시)에 의해 회전함에 따라 회전할 수 있다. 만일, 기판지지대(150) 상에 전술한 바와 같이 복수의 기판을 지지하는 기판 지지 홀더(155)들이 마련된 경우라면 기판 지지 홀더(155)들도 각각 가스 쿠션 등에 의해 회전 가능하게 설치된다. 이는 증착 공정 중 기판지지대(150)의 상부 중앙으로부터 분사되는 가스가 기판지지대(150) 상의 모든 기판들에 고르게 공급되도록 하기 위해서이다. 기판지지대(150)는 증착 공정 중 히터(미도시)에 의해 가열되어 상면에 지지된 기판들이 가열될 수 있게 한다.The substrate support 150 is rotatably installed in the chamber 100 by a rotation drive mechanism (not shown). For example, the substrate support 150 is supported by the substrate support shaft 160 and can rotate as the substrate support shaft 160 is rotated by a rotation drive mechanism (not shown). If the substrate support holders 155 for supporting a plurality of substrates are provided on the substrate support 150 as described above, the substrate support holders 155 are also rotatably installed by gas cushions and the like, respectively. This is to ensure that gas injected from the upper center of the substrate support 150 during the deposition process is evenly supplied to all the substrates on the substrate support 150. The substrate support 150 is heated by a heater (not shown) during the deposition process to allow the substrates supported on the top surface to be heated.

가스 분사부(110)는 기판지지대(150) 상의 기판들에 가스를 공급하는 인젝터(injector)로서 동작하는 모듈이다. 가스 분사부(110)는 탑리드(101)를 상하방향으로 관통하며 탑리드(101)에 연결되며 상하방향으로 관통하는 삽입구가 형성되는 고정부재(112)와, 삽입구를 관통하며 구비되는 복수의 가이드 부재를 포함할 수 있다. 복수의 가이드 부재는 삽입구를 관통하며 상하방향으로 배치되는 제1가이드 부재(114)와, 제1가이드 부재(114)의 외측에 구비되어 제1가이드 부재(114)와의 사이에 제1유로(119a)를 형성하는 제2가이드 부재(116)와, 제2가이드 부재(116)의 외측에 구비되어 제2가이드 부재(116)와의 사이에 제2유로(119b)를 형성하며 고정부재(112)의 하부면과의 사이에 제3유로(119c)를 형성하는 제3가이드 부재(118)를 포함한다. 제1 내지 제3가이드 부재(114, 116, 118)는 상하방향으로 연장 형성되는 수직부와, 수직부를 중심으로 수평방향으로 연장형성되는 수평부를 포함할 수 있다. 이때, 수직부는 중공의 파이프 형태로 형성될 수 있고, 수평부는 파이프의 가장자리를 따라 방사상으로 연장 형성되는 원판형 등과 같은 판형의 플레이트 형태로 형성될 수 있다. 그리고 수직부와 수평부는 일체형으로 형성될 수도 있고, 분리형으로 형성될 수도 있다. 이러한 구성을 통해 제1 내지 제3가이드 부재(114, 116, 118)는 수직부 및 수평부를 갖는 제1 내지 제3유로(119a, 119b, 119c)를 형성한다. 또한, 제1가이드 부재(114)에서 제3가이드 부재(118)로 갈수록 수직부의 길이가 점점 짧아지도록 형성될 수 있다. 그리고 제1가이드 부재(114)는 내부를 통해 냉각재가 유입 및 배출되는 냉각재 유로(120a, 120b)가 형성될 수 있다.The gas injection unit 110 is a module that operates as an injector that supplies gas to the substrates on the substrate support 150. The gas spraying unit 110 includes a fixing member 112 which penetrates the top lead 101 in the up and down direction and is connected to the top lead 101 and has an insertion hole penetrating in the up and down direction, And may include a guide member. The plurality of guide members includes a first guide member 114 which is disposed in the up and down direction and penetrates the insertion port and a first guide member 114 which is provided on the outer side of the first guide member 114, And a second flow path 119b is formed between the second guide member 116 and the second flow path 119b provided on the outer side of the second guide member 116. The second flow path 119b And a third guide member 118 that forms a third flow path 119c between the second guide member 118 and the lower surface. The first to third guide members 114, 116, and 118 may include a vertical portion extending in the vertical direction and a horizontal portion extending in the horizontal direction about the vertical portion. At this time, the vertical part may be formed as a hollow pipe shape, and the horizontal part may be formed as a plate-like plate shape such as a disk-like shape extending radially along the edge of the pipe. The vertical portion and the horizontal portion may be formed integrally or separately. In this configuration, the first to third guide members 114, 116, and 118 form first to third flow paths 119a, 119b, and 119c having a vertical portion and a horizontal portion. In addition, the length of the vertical portion may gradually decrease from the first guide member 114 to the third guide member 118. The first guide member 114 may have coolant flow passages 120a and 120b through which the coolant flows.

상기 제1 내지 제3가이드 부재(114, 116, 118)는 고정부재(112)의 삽입구를 상하방향으로 관통하며 배치된다. 이때, 삽입구의 내주면에는 단턱이 형성되고, 제3가이드 부재(118)의 수직부는 삽입구의 단턱에 연결되어 삽입구의 내주면과 사이에 제3유로(119c)의 일부를 형성하고, 제3가이드 부재(118)의 수평부는 고정부재(112)의 하부면과의 사이, 또는 고정부재(112)의 하부면과 탑리드(101)의 하부면 사이에서 제3유로(119c)의 나머지부분을 형성할 수 있다. 그리고 제2가이드 부재(116)와 제1가이드 부재(114)는 고정부재(112) 상부로 연장 돌출되도록 구비된다.The first, second, and third guide members 114, 116, and 118 are disposed so as to penetrate the insertion port of the fixing member 112 in the vertical direction. At this time, a step is formed in the inner circumferential surface of the insertion port, and the vertical part of the third guide member 118 is connected to the step of the insertion port to form a part of the third flow path 119c between the inner circumferential surface of the insertion port and the third guide member 118 can form the remaining portion of the third flow path 119c between the lower surface of the fixing member 112 or between the lower surface of the fixing member 112 and the lower surface of the top lead 101 have. The second guide member 116 and the first guide member 114 are provided so as to protrude upward from the fixing member 112.

제1가이드 부재(114), 제2가이드 부재(116) 및 제3가이드 부재(118)는 제1유로(119a), 제2유로(119b) 및 제3유로(119c)에서 가스가 분사되는 부분(수평부)이 각각 R1, R2 및 R3의 폭을 가질 수 있도록 배치될 수 있다. 그런데 전술한 바와 같이 예컨대 제2유로(119b)를 통해 분사되는 가스의 종류에 따라 가스의 분사 압력 및 이동 거리에 편차가 발생할 수 있으므로, 가스의 종류에 따라 제2유로(119b)의 폭(R2)을 조절하여 가스의 종류에 관계없이 가스가 일정한 압력을 가지며 분사되고, 일정한 패턴을 가지며 이동시킬 수 있다. The first guide member 114, the second guide member 116 and the third guide member 118 are connected to each other through the first flow path 119a, the second flow path 119b and the third flow path 119c, (Horizontal portions) may have widths of R 1 , R 2 and R 3 , respectively. However, as described above, depending on the kind of the gas injected through the second flow path 119b, for example, the gas injection pressure and the movement distance may be varied. Therefore, depending on the type of the gas, the width R of the second flow path 119b 2 ), the gas can be injected with a constant pressure regardless of the kind of gas, and can move with a certain pattern.

따라서 본 발명의 실시 예에 따른 기판처리장치는 가스 분사부(110)에 제2유로(119b)의 폭을 조절할 수 있도록 제2가이드 부재(116)를 상하방향으로 이동시킬 수 있는 구동장치와 가스의 종류에 따라서 구동장치의 동작을 제어하여 제2유로(119b)의 폭을 조절할 수 있는 제어기를 포함한다.Therefore, the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention includes a driving device capable of moving the second guide member 116 in the vertical direction so as to adjust the width of the second flow path 119b to the gas spraying unit 110, And a controller that controls the operation of the driving device according to the type of the second flow path 119b to adjust the width of the second flow path 119b.

구동장치는 탑리드(101) 상부에 가스 분사부(110)와 연결되도록 구비될 수 있다. 구동장치는 제2가이드 부재(116)와 연결되어 제2가이드 부재(116)를 상하방향으로 이동시킬 수 있다. 제2가이드 부재(116)의 수직부는 고정부재(112)를 관통하며 고정부재(112)의 상부로 돌출되도록 연장되어 구동장치에 연결될 수 있다. 이에 구동장치의 구동에 의해 제2가이드 부재(116)를 상하방향으로 이동시켜 제2가이드 부재(116)에 의해 형성되는 유로, 예컨대 제2유로(119b)의 수평부 폭을 조절할 수 있다. The driving device may be provided to be connected to the gas spraying part 110 above the top lead 101. The driving device may be connected to the second guide member 116 to move the second guide member 116 in the vertical direction. The vertical portion of the second guide member 116 may extend through the fixing member 112 and protrude upward from the fixing member 112 and may be connected to the driving device. The second guide member 116 can be moved in the vertical direction by driving the drive unit to adjust the width of the horizontal portion of the flow path formed by the second guide member 116, for example, the second flow path 119b.

구동장치는 다양한 방법으로 제2가이드 부재(116)를 상하방향으로 이동시킬 수 있으나, 본 실시 예에서는 볼스크류 구조를 이용하여 제2가이드 부재(116)를 상하방향으로 이동시킨다. The driving device can move the second guide member 116 in the vertical direction by various methods, but in this embodiment, the second guide member 116 is moved in the vertical direction using the ball screw structure.

구동장치는 탑리드(101) 상부에 구비되며, 내부에 공간이 형성되는 프레임(210)과, 프레임(210) 내부에 상하방향으로 배치되고 상단부와 하단부가 프레임(210)에 회전 가능하도록 연결되는 회전축(212)과, 회전축(212)의 외주면에 상하방향으로 이동 가능하도록 연결되는 이동부재(214)와, 이동부재(214)와 제2가이드 부재(116)를 연결하는 연결부재(216) 및 회전축(212)에 회전력을 제공하는 구동기(230)를 포함한다. The driving device is provided on the top lead 101 and includes a frame 210 in which a space is formed therein and a frame 210 which is vertically disposed inside the frame 210. The upper and lower ends of the frame 210 are rotatably connected to the frame 210 A moving member 214 connected to the outer circumferential surface of the rotating shaft 212 so as to be movable up and down, a connecting member 216 connecting the moving member 214 and the second guide member 116, And a driver 230 for providing rotational force to the rotating shaft 212.

프레임(210)은 회전축(212)을 상하방향에 지지할 수 있는 다양한 형상으로 형성될 수 있으나, 본 실시 예에서는 탑리드(101)의 상부에 연결되는 하부프레임(210b)과, 하부프레임(210b) 상부에 이격되어 배치되는 상부프레임(210a)과, 하부프레임(210b)과 상부프레임(210a)을 가장자리를 상하방향으로 연결하여 지지하는 측부프레임(210c)을 구비하여, 중공의 박스 형상으로 형성될 수 있다. The frame 210 may be formed in various shapes capable of supporting the rotary shaft 212 in the vertical direction. In this embodiment, the lower frame 210b connected to the upper portion of the top lead 101, And a side frame 210c for supporting the lower frame 210b and the upper frame 210a by vertically connecting the upper and lower edges of the lower frame 210b and the upper frame 210a to form a hollow box shape .

회전축(212)은 상부프레임(210a)과 하부프레임(210b) 사이에 상하방향으로 배치되어 회전축(212)의 길이 방향을 중심으로 회전 가능하도록 구비되고, 외주면의 적어도 일부에 나사산이 형성되는 스크류 형상으로 형성될 수 있다. 이때, 나사산은 회전축(212)의 길이 방향을 따라 형성될 수 있으며, 적어도 제2가이드 부재(116)의 이동 범위에 걸쳐 형성될 수 있다. The rotary shaft 212 is vertically disposed between the upper frame 210a and the lower frame 210b so as to be rotatable about the longitudinal direction of the rotary shaft 212 and has a screw shape As shown in FIG. At this time, the thread may be formed along the longitudinal direction of the rotary shaft 212, and may be formed over at least the moving range of the second guide member 116.

이동부재(214)는 회전축(212)의 회전에 따라 회전축(212)의 길이 방향을 따라 이동할 수 있다. 즉, 이동부재(214)는 회전축(212)의 회전운동을 직선운동으로 변환하는 운동변환 수단일 수 있다. 이때, 이동부재(214)는 스크류의 나사산을 따라 이동하는 볼 너트일 수 있다. The movable member 214 can move along the longitudinal direction of the rotary shaft 212 in accordance with the rotation of the rotary shaft 212. [ That is, the moving member 214 may be a motion converting means for converting the rotational motion of the rotating shaft 212 into a linear motion. At this time, the moving member 214 may be a ball nut moving along the thread of the screw.

연결부재(216)는 제2가이드 부재(116)를 이동부재(214)에 연결한다. 이에 회전축(212)의 회전에 의해 이동부재(214)가 상하방향으로 이동하면 이동부재(214)에 연결된 연결부재(216) 및 제2가이드 부재(116)도 이동부재(214)의 이동방향으로 따라 이동하게 된다. The connecting member 216 connects the second guide member 116 to the moving member 214. The connecting member 216 and the second guide member 116 connected to the moving member 214 are also moved in the moving direction of the moving member 214 when the moving member 214 is moved in the vertical direction by the rotation of the rotating shaft 212 .

한편, 제2가이드 부재(116)는 제1가이드 부재(114)와의 사이에 제1유로(119a)를 형성하고, 제3가이드 부재(118)와의 사이에 제2유로(119b)를 형성하게 되는데, 제2가이드 부재(116)는 상하방향으로 이동 가능하도록 형성되어 제1가이드 부재(114)와 제3가이드 부재(118) 간에 고정설치하기 어려운 구조이다. 따라서 제1유로(119a)와 제2유로(119b)의 끝단, 예컨대 상부는 개방되어 있는 구조일 수 있다. 이에 본 실시 예에서는 하부프레임(210b)과 연결부재(216)를 연결하는 하부 주름관(218b)과, 연결부재(216)와 상부프레임(210a)을 연결하는 상부 주름관(218a)을 구비하여, 제1유로(119a)와 제2유로(119b)의 끝단을 밀폐하였다. 즉, 상부 주름관(218a)이 제1가이드 부재(114)와 제2가이드 부재(116) 사이를 밀폐하여 제1가이드 부재(114)와 제2가이드 부재(116) 사이에 형성되는 제1유로(119a)의 일부를 형성하도록 하였다. 이때, 하부 주름관(218b)은 상부 주름관(218a)과 서로 반대방향으로 신축하며 연결부재(216)의 이동을 안정적으로 지지할 수 있다. The second guide member 116 forms a first flow path 119a between the first guide member 114 and the first guide member 114 and a second flow path 119b between the second guide member 116 and the third guide member 118 The second guide member 116 is configured to be movable in the up and down direction and is difficult to be fixed between the first guide member 114 and the third guide member 118. Accordingly, the end of the first flow path 119a and the end of the second flow path 119b may be opened. A lower bell pipe 218b connecting the lower frame 210b and the connecting member 216 and an upper bell pipe 218a connecting the connecting member 216 and the upper frame 210a, The ends of the first flow path 119a and the second flow path 119b were sealed. That is, the upper corrugated tube 218a closes the first guide member 114 and the second guide member 116 to form a first flow path (not shown) formed between the first guide member 114 and the second guide member 116, 119a. At this time, the lower bellows pipe 218b can expand and contract in directions opposite to the upper bellows pipe 218a, and can stably support the movement of the connecting member 216. [

상부 주름관(218a)과 하부 주름관(218b)은 프레임(210)과 연결부재(216) 사이, 즉 연결부재(216)의 상하부에서 제1가이드 부재(114) 및 제2가이드 부재(116)를 감싸도록 형성될 수 있으며, 회전축(212)의 회전에 의해 이동부재(214)가 상하방향으로 이동하면 이동부재(214)와 연결되어 있는 연결부재(216)가 상하방향으로 이동함에 따라 제1가이드 부재(114)와 제2가이드 부재(116)의 외주면에서 신장 및 수축하도록 구비된다. 예컨대 연결부재(216)가 상승하는 경우에는 연결부재(216)의 상부에서는 상부 주름관(218a)이 수축하고 연결부재(216)의 하부 주름관(218b)은 신장할 수 있다. The upper corrugated tube 218a and the lower corrugated tube 218b surround the first guide member 114 and the second guide member 116 between the frame 210 and the connecting member 216, When the moving member 214 moves in the vertical direction by the rotation of the rotating shaft 212, the connecting member 216 connected to the moving member 214 moves in the vertical direction, And extend and contract on the outer circumferential surfaces of the first guide member 114 and the second guide member 116. When the connecting member 216 is lifted up, the upper bulging tube 218a contracts at the upper part of the connecting member 216 and the lower bulging tube 218b of the connecting member 216 can extend.

구동기(230)는 프레임(210) 외부에 구비되어 회전축(212)에 회전력을 제공한다. 도면에서는 구동기(230)가 프레임(210)의 일측에 구비된 것으로 도시하고 있으나, 프레임(210)의 상부에 구비될 수도 있다. 그리고 제1유로(119a), 제2유로(119b) 및 제3유로(119c)는 가스를 각각 공급받아 분사할 수 있도록 가스공급배관(126a, 126b, 126c)에 연결될 수 있다. 예컨대 제3유로(119c)와 제2유로(119b)는 고정부재(112)를 관통하는 가스공급배관(126c, 126b)에 연결(도 4b, 도 4c 참조)될 수 있고, 제1유로(119a)는 제1가이드 부재(114)의 연결구조에 따라 프레임(210)을 관통하는 가스공급배관(126a)에 연결(도 4a 참조)되거나 프레임(210) 외부로 노출된 제1가이드 부재(114)에 가스공급배관에 직접 연결될 수도 있다. 이와 같이 유로와 가스공급배관 간의 연결구조는 다양하게 변경 가능하다. The driving unit 230 is provided outside the frame 210 to provide rotational force to the rotating shaft 212. Although the driver 230 is shown as being provided on one side of the frame 210 in the drawing, it may be provided on the upper side of the frame 210. The first flow path 119a, the second flow path 119b and the third flow path 119c may be connected to the gas supply lines 126a, 126b, and 126c so as to supply and discharge gas, respectively. For example, the third flow path 119c and the second flow path 119b may be connected to gas supply pipes 126c and 126b (see FIGS. 4b and 4c) passing through the fixing member 112, and the first flow path 119a Is connected to the gas supply pipe 126a passing through the frame 210 according to the connection structure of the first guide member 114 (see FIG. 4A) or the first guide member 114 exposed to the outside of the frame 210, Or may be directly connected to the gas supply pipe. Thus, the connection structure between the flow path and the gas supply pipe can be variously changed.

여기에서는 제2가이드 부재(116)를 상하방향으로 이동 가능하도록 형성하는 것으로 설명하고 있으나, 필요에 따라서는 제1가이드 부재(114)나 제3가이드 부재(118)도 상하방향으로 이동 가능하도록 형성할 수도 있음은 물론이다.
The first guide member 114 and the third guide member 118 may be formed so as to be movable in the up and down direction Of course.

상기와 같은 구성을 통해 가스 분사부(110)의 가이드 부재, 예컨대 제2가이드 부재(116)를 상하방향으로 이동시킴으로써 가스가 분사되는 유로의 폭을 조절하는 방법에 대해서 설명한다. A method of adjusting the width of the flow path through which the gas is injected by moving the guide member of the gas injecting unit 110, for example, the second guide member 116 in the vertical direction will be described.

도 5는 가스 분사부의 유로 폭에 따른 가스의 이동 거리에 따른 박막 두께의 변화를 보여주는 그래프이고, 도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 가스 분사부의 사용 상태를 보여주는 단면도이다.FIG. 5 is a graph showing a change in a thickness of a thin film according to a travel distance of the gas according to a flow path width of the gas injection part, and FIG. 6 is a cross-sectional view showing a use state of the gas injection part according to an embodiment of the present invention.

먼저, 가스 분사부(110)의 유로를 통해 분사되는 가스는 도 5에 도시된 바와 같이 유로의 폭에 따라 기판지지대(150)의 중심에서 가장자리쪽으로 가면서 감소하는 패턴이 상이하다. 즉, 유로의 폭이 비교적 작은 경우(X), 가스는 기판지지대(150)의 중심에서 가장자리쪽으로 가면서 일정한 비율, 즉 선형으로 감소하여 두께와 특성이 균일한 박막이 증착된다. 그런데 유로의 폭이 비교적 큰 경우(Y)에는 가스가 기판지지대(150)의 중심에서 가장자리쪽으로 갈수록 불균일하게, 즉 비선형으로 감소하는 현상이 발생하여 기판 전체에 걸쳐 두께와 특성이 불균일한 박막이 증착된다. 따라서 본 발명에서는 이러한 원리를 이용하여 가스 종류에 따라 유로를 통해 분사되는 가스의 분사 압력 차이로 인한 가스의 이동 패턴, 예컨대 이동 거리를 제어할 수 있다. 따라서 본 발명의 실시 예에서는 분사되는 가스의 종류에 따라 유로의 폭을 조절하여 가스의 분사 압력을 제어함으로써 가스가 기판지지대(150)의 중심에서 가장자리쪽으로 이동하면서 일정한 비율로, 즉 선형으로 감소하도록 하여 기판 전체에 걸쳐 두께와 특성이 균일한 박막을 증착할 수 있다. As shown in FIG. 5, the gas injected through the flow path of the gas injection unit 110 is different from the center of the substrate support 150 in a decreasing pattern toward the edge depending on the width of the flow path. That is, when the width of the flow path is relatively small (X), the gas is reduced at a constant rate, that is, linearly decreasing from the center of the substrate support 150 toward the edge, and a thin film having uniform thickness and characteristics is deposited. However, when the width of the flow path is relatively large (Y), a phenomenon occurs in which the gas is non-uniformly (i.e., non-linearly) decreased from the center to the edge of the substrate supporter 150. As a result, do. Therefore, in the present invention, it is possible to control the movement pattern of the gas, for example, the movement distance due to the difference in the injection pressure of the gas injected through the flow path, according to the kind of the gas. Accordingly, in the embodiment of the present invention, the width of the flow path is controlled according to the type of the gas to be sprayed, thereby controlling the gas injection pressure so that the gas is reduced at a constant rate, that is, linearly decreasing from the center to the edge of the substrate support 150 Whereby a thin film having uniform thickness and characteristics over the entire substrate can be deposited.

예를 들어, 제2유로(119b)를 통해 분사되는 가스가 서로 다른 질량을 가지는 성분을 가지는 3종류의 가스, 예컨대 제1가스, 제2가스 및 제3가스인 경우, 제1가스를 구성하는 성분의 질량이 가장 크고, 제3가스를 구성하는 성분의 질량이 가장 작다고 가정한다(제1가스>제2가스>제3가스).For example, when the gas injected through the second flow path 119b is three kinds of gases having components having different masses, for example, the first gas, the second gas and the third gas, It is assumed that the mass of the component is the largest and the mass of the component constituting the third gas is the smallest (first gas> second gas> third gas).

제1가스The first gas 제2가스Second gas 제3가스Third gas 제2가이드 부재The second guide member 상승Increase 기준standard 하강descent 제2유로의 폭The width of the second flow path R21 R 21 R2 R 2 R22 R 22

이때, 제2가스를 분사하는 경우 제2유로(119b)의 폭(W2)을 기준으로 한다. 예컨대 제2가스보다 질량이 큰 성분을 포함하는 제1가스를 분사하는 경우에는 도 6의 a)에 도시된 바와 같이 제2가이드 부재(116)를 제3가이드 부재(118) 측으로 상승시켜 제2유로(119b)의 폭을 감소(R21)시키고, 제3가스를 분사하는 경우에는 도 6의 b)에 도시된 바와 같이 제2가이드 부재(116)를 제1가이드 부재(114) 측으로 하강시켜 제2유로(119b)의 폭을 증가(R22)시킨다. At this time, when injecting a second gas being based on the width (W 2) of the second flow path (119b). The second guide member 116 is raised toward the third guide member 118 as shown in FIG. 6 (a)) to inject the first gas containing a component having a larger mass than the second gas, reducing (R 21), the width of the flow path (119b) and, by lowering the second the second guide members (116, as shown in, the b) of Figure 6 when injecting a third gas) toward the first guide member 114 second increase (R 22) the width of the flow path (119b).

이에 동일한 유량의 제1 및 제3가스 각각을 폭이 조정된 제2유로(119b)를 통해 분사하게 되면, 제1가스는 제2유로(119b)의 폭을 조정하기 전(R2)보다 높은 압력으로 분사되어 기판 전 구간에서 일정한 속도로 감소하며 이동한다. 또한, 제3가스는 제2유로(119b)의 폭을 조정하기 전(R2)보다 낮은 압력으로 분사되어 기판 전 구간에서 일정한 속도로 감소하며 이동한다. Thus when the first and third gases respectively, with the same flow rate as the injection through the second flow path (119b) of the width adjustment, the first gas is a second higher than the flow path around (R 2) adjusting the width of the (119b) It is injected under pressure and moves at a constant speed in the whole area of the substrate. Also, the third gas is injected at a pressure lower than the pressure R 2 before the width of the second flow path 119b is adjusted, and the third gas is reduced and moved at a constant speed in the entire area of the substrate.

따라서 반복되는 실험을 통해 제2유로(119b)를 통해 분사되는 가스의 종류에 따른 제2가이드 부재(116)의 상하 이동 거리를 데이터베이스를 구축하여 실제 공정에서 제2유로(119b)를 통해 분사되는 가스의 종류에 따라 제2가이드 부재(116)의 상하 이동 거리를 조절할 수 있다.
Therefore, it is possible to construct a database of the vertical movement distance of the second guide member 116 depending on the kind of gas injected through the second flow path 119b through repeated experiments, The vertical movement distance of the second guide member 116 can be adjusted according to the type of the gas.

본 발명을 첨부 도면과 전술된 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였으나, 본 발명은 그에 한정되지 않으며, 후술되는 특허청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 후술되는 특허청구범위의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 변형 및 수정할 수 있다.Although the present invention has been described with reference to the accompanying drawings and the preferred embodiments described above, the present invention is not limited thereto but is limited by the following claims. Accordingly, those skilled in the art will appreciate that various modifications and changes may be made thereto without departing from the spirit of the following claims.

100:챔버 101:탑리드
110: 가스 분사부 114: 제1가이드 부재
116: 제2가이드 부재 118: 제3가이드 부재
150: 기판 지지대 200: 구동장치100: chamber 101: top lead
110: gas injection part 114: first guide member
116: second guide member 118: third guide member
150: substrate support 200: drive device

Claims (7)

기판이 처리되는 내부 공간을 가지는 챔버;
상기 챔버의 상부 개구를 덮는 탑리드;
상기 챔버의 내부 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지대; 및
상기 기판상으로 가스를 분사하도록 상기 탑리드를 상하방향으로 관통하며 배치되는 제1가이드 부재와, 상기 제1가이드 부재의 외측에 구비되어 상기 제1가이드 부재와의 사이에 제1가스공급유로를 형성하는 제2가이드 부재와, 상기 제2가이드 부재의 외측에 구비되어 상기 제2가이드 부재와의 사이에 제2가스공급유로를 형성하며 상기 탑리드와의 사이에 제3가스공급유로를 형성하는 제3 가이드 부재를 포함하는 가스분사부를 포함하며,
상기 제1가이드 부재, 제2가이드 부재 및 제3가이드 부재는 상기 탑리드를 관통하여 상하방향으로 배치되는 수직부와, 상기 수직부의 하부에서 수평방향으로 연장되는 수평부를 포함하고,
상기 제1가이드 부재의 수평부와 상기 제2가이드 부재의 수평부 사이에 제1유로가 형성되고, 상기 제2가이드 부재의 수평부와 제3가이드 부재의 수평부 사이에 제2유로가 형성되며, 상기 제3가이드 부재의 제3수평부와 상기 탑리드 사이에 제3유로가 형성되되,
상기 제1유로, 제2유로 및 제3유로 중 적어도 어느 하나의 폭을 조절하여 가스의 분사 압력을 제어할 수 있도록, 상기 제1, 제2 및 제3가이드 부재 중 적어도 어느 하나가 상하 방향으로 이동 가능하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A chamber having an interior space in which the substrate is processed;
A top lead covering an upper opening of the chamber;
A substrate support for supporting a substrate in an internal space of the chamber; And
A first guide member disposed above the top lead to vertically penetrate the substrate to inject gas onto the substrate and a first gas supply passage provided between the first guide member and the first guide member, And a second gas supply passage formed between the second guide member and the third gas supply passage, the third gas supply passage being formed between the second guide member and the second lead member, And a gas injection portion including a third guide member,
Wherein the first guide member, the second guide member, and the third guide member include a vertical portion passing through the top lead and arranged in the vertical direction, and a horizontal portion extending in the horizontal direction from the bottom of the vertical portion,
A first flow path is formed between the horizontal portion of the first guide member and the horizontal portion of the second guide member and a second flow path is formed between the horizontal portion of the second guide member and the horizontal portion of the third guide member A third flow path is formed between the third horizontal portion of the third guide member and the top lead,
Wherein at least one of the first, second, and third guide members is vertically movable so as to control a gas injection pressure by controlling a width of at least one of the first flow path, the second flow path, Wherein the substrate processing apparatus is configured to be movable. 청구항 1에 있어서,
상기 제2가이드 부재의 수직부는 상기 제1가이드 부재의 수직부보다 짧고 상기 제3가이드 부재의 수직부보다 긴 기판 처리 장치. The method according to claim 1,
Wherein the vertical portion of the second guide member is shorter than the vertical portion of the first guide member and longer than the vertical portion of the third guide member. 청구항 1에 있어서,
상기 제2가이드 부재에는 상기 제2가이드 부재를 상하방향으로 이동시키기 위한 구동장치가 연결되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
And a drive device for moving the second guide member in a vertical direction is connected to the second guide member. 청구항 3에 있어서,
상기 구동장치는,
상기 탑리드 상부에 연결되는 하부 프레임, 상기 하부 프레임 상부에 이격 위치되는 상부 프레임, 상기 상부 프레임과 하부 프레임을 연결 지지하는 측부 프레임과,
상기 상부 프레임과 하부 프레임 사이에 상하 방향으로 배치되고, 회전 가능하도록 배치되는 회전축과,
상기 회전축에 장착되어 회전축의 회전 구동에 따라 승강 구동되는 이동 부재와,
상기 제2 가이드 부재와 이동부재를 연결하는 연결부재와,
상기 하부 프레임과 상기 연결부재 사이를 밀폐하며 상기 제2 가이드 부재를 감싸도록 구비되는 하부 주름관 및,
상기 상부 프레임과 상기 연결부재 사이를 밀폐하며 상기 제1 가이드 부재를 감싸도록 구비되는 상부 주름관을 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
The driving device includes:
A lower frame connected to an upper portion of the top lead, an upper frame spaced apart from the upper portion of the lower frame, a side frame connecting and supporting the upper frame and the lower frame,
A rotating shaft disposed in a vertical direction between the upper frame and the lower frame and arranged to be rotatable,
A moving member which is mounted on the rotating shaft and is driven to move up and down according to rotational driving of the rotating shaft,
A connecting member connecting the second guide member and the moving member,
A lower bellows tube configured to close between the lower frame and the connection member and to surround the second guide member,
And an upper corrugated tube for sealing between the upper frame and the connection member and surrounding the first guide member. 청구항 4에 있어서,
상기 회전축은 외주면의 적어도 일부에 나사산이 형성되는 스크류이고,
상기 이동부재는 상기 나사산과 맞물려지는 볼을 구비하는 볼너트인 기판 처리 장치. The method of claim 4,
The rotary shaft is a screw in which a screw thread is formed on at least a part of the outer circumferential surface,
Wherein the moving member is a ball nut having a ball engaged with the thread. 청구항 4 또는 청구항 5에 있어서
상기 상부 주름관과 상기 하부 주름관은 서로 반대 방향으로 신축하는 기판 처리 장치. In claim 4 or claim 5
Wherein the upper bell pipe and the lower bell pipe extend and contract in opposite directions to each other. 청구항 1에 있어서,
상기 제1가이드 부재에는 상기 제1 가이드 부재를 냉각하기 위한 냉각 유로가 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein a cooling passage for cooling the first guide member is formed in the first guide member.
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