KR101213392B1 - Substrate processing apparatus and method for processing substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 다수의 기판을 반응 공간에 순차적으로 안치하고, 안치된 기판의 하부면을 동시에 가열하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서, 상기 반응 공간으로 진입하여 안치된 기판의 상부면을 가열하도록 상기 반응 공간의 상부에 설치되는 가열 수단을 더 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 제공한다. 이와 같이 복수의 기판을 순차적으로 수용하는 챔버의 상부에 국부적으로 설치된 가열 수단을 통해 챔버 내부로 인입되는 기판의 상부면을 가열하여 인입 안착되는 단일 기판의 상하부간의 온도차와 복수 기판들 간의 온도차를 최소화할 수 있다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, wherein a plurality of substrates are sequentially placed in a reaction space, and a substrate processing apparatus for processing a substrate by simultaneously heating a lower surface of the placed substrate, wherein the substrate processing apparatus enters the reaction space. It provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method using the same further comprising a heating means installed on the upper portion of the reaction space to heat the upper surface of the substrate placed. As such, the temperature difference between the upper and lower portions of the single substrate to be drawn and minimized and the temperature difference between the plurality of substrates are minimized by heating the upper surface of the substrate introduced into the chamber through a heating means locally installed on the upper portion of the chamber that sequentially receives the plurality of substrates. can do.

챔버, 기판 안착 수단, 가열 수단, 기판 출입부 Chamber, Substrate Mounting Means, Heating Means, Substrate Entry

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate processing apparatus and method for processing substrate}Substrate processing apparatus and method for processing substrate

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면 개념도.1 is a cross-sectional conceptual view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 제 1 실시예에 따른 기판 처리 장치의 평면 개념도. 2 is a plan conceptual view of the substrate processing apparatus according to the first embodiment.

도 3은 제 1 실시예에 따른 가열 수단의 배치를 설명하기 위한 챔버 리드 영역의 단면 개념도.3 is a cross-sectional conceptual view of a chamber lead region for explaining the arrangement of heating means according to the first embodiment;

도 4 내지 도 7은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 평면 개념도.4 to 7 are plan views illustrating the operation of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 처리 장치의 평면 개념도.8 is a plan conceptual view of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 기판 처리 장치의 평면 개념도.9 is a plan conceptual view of a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

110 : 챔버 120 : 기판 안착 수단110: chamber 120: substrate seating means

130 : 가스 공급 수단 140, 150 : 가열 수단130: gas supply means 140, 150: heating means

200 : 기판200: substrate

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 복수의 기판을 챔버 내에서 처리하는 세미 배치 타입(semi-batch type)의 장치의 기판 로딩시 기판 상하부간의 온도차를 최소화하고, 서로 다른 기판 간의 온도차를 최소화할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and minimizes the temperature difference between upper and lower substrates when loading a substrate of a semi-batch type apparatus in which a plurality of substrates are processed in a chamber. The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of minimizing a temperature difference.

종래의 세미 배치 타입의 기판 처리 장치의 경우 복수의 기판을 수납하고, 이들 기판에 소정의 기판 프로세싱을 실시한다. 이중 특히 박막을 증착하는 기판 처리 장치는 기판 안착 수단 상에 복수의 기판을 안착시킨 다음 고온에서 박막 형성을 위한 공정을 실시하여 다수의 기판상에 목표로 하는 박막을 형성한다. In the conventional semi-batch type substrate processing apparatus, a plurality of substrates are stored and predetermined substrate processing is performed on these substrates. In particular, a substrate processing apparatus for depositing thin films forms a target thin film on a plurality of substrates by mounting a plurality of substrates on a substrate seating means and then performing a process for forming a thin film at a high temperature.

일반적으로, 박막을 증착하는 기판 처리 장치에 있어서 단일 기판 내의 온도를 균일하게 할 뿐만 아니라 복수 기판들 간의 온도를 균일하게 해주는 것이 매우 중요하다. 이는 온도에 따라 기판상에 증착되는 박막의 두께가 서로 달라 박막의 균일성이 떨어지고 박막의 결정립의 크기도 달라져 막질의 차이가 발생하는 문제가 있기 때문이다.In general, in a substrate processing apparatus for depositing a thin film, it is very important not only to uniformize the temperature in a single substrate but also to uniform the temperature between a plurality of substrates. This is because the thicknesses of the thin films deposited on the substrate are different according to the temperature, thereby decreasing the uniformity of the thin films and the size of the crystal grains of the thin films.

따라서, 종래의 세미 배치 타입의 기판 처리 장치의 경우 복수의 기판이 안착되는 기판 안착 수단 내에 히터 등의 열원을 내장하여 기판에 열원을 공급하였다. 이때 기판의 면적보다 큰 기판 안착 수단을 통해 기판에 열에너지를 공급하기 때문에 박막 증착 시 기판들 사이의 온도 차를 줄일 수 있고, 단일 기판의 중심부와 가장자리 사이의 온도차이를 최소화할 수 있다. Therefore, in the case of the conventional semi-batch type substrate processing apparatus, a heat source such as a heater is embedded in a substrate seating means on which a plurality of substrates are seated to supply a heat source to the substrate. In this case, since thermal energy is supplied to the substrate through a substrate seating means larger than the area of the substrate, the temperature difference between the substrates may be reduced during thin film deposition, and the temperature difference between the center and the edge of the single substrate may be minimized.

하지만 기판이 안착 되는 기판 안착 수단에 열원이 마련됨으로 인해 단일 기판의 상하부간의 온도차가 발생하게 된다. 기판은 기판 출입부를 통해 기판 안착 수단에 안착되는 순간 기판 안착 수단으로부터 열원을 공급받아 기판 하부 영역부터 가열되기 시작한다. 이때, 기판 출입부와 연결된 다른 챔버의 내부는 반응 챔버 보다 온도가 낮고 대부분 압력이 상대적으로 높아 반응 챔버 쪽으로 낮은 온도의 유체가 유입된다. 또한, 기판이 기판 안치 수단에 인착될 때까지 기판은 낮은 온도를 유지하고, 기판 안치 수단에 마련된 열원으로부터 챔버 리드 부분이 가열되는 것을 차단한다. 따라서, 기판 출입부의 기판 안치 수단의 상부 영역은 압력차에 의한 낮은 온도의 유체 유입의 영향을 받고, 낮은 온도의 기판이 유입되고, 유입되는 기판에 의해서 기판 안치 수단의 열원으로부터 차단되어, 온도가 낮아진다. 기판 안치수단의 상부 영역의 온도가 낮아지면, 기판이 기판 안치 수단에 안치될 때, 기판의 상부 온도도 충분히 가열될 수 없게 된다. However, since a heat source is provided in the substrate seating means on which the substrate is seated, a temperature difference occurs between the upper and lower portions of the single substrate. As soon as the substrate is seated on the substrate seating means through the substrate entrance and exit, the substrate receives heat source from the substrate seating means and starts heating from the lower region of the substrate. At this time, the inside of the other chamber connected to the substrate entrance is lower than the temperature of the reaction chamber and the pressure is relatively high, most of the fluid flows into the reaction chamber toward the lower temperature. Further, the substrate is kept at a low temperature until the substrate is attached to the substrate placing means, and blocks the chamber lead portion from being heated from the heat source provided in the substrate placing means. Therefore, the upper region of the substrate placing means of the substrate entrance and exit portion is affected by the low temperature fluid inflow due to the pressure difference, the low temperature substrate is introduced, and the incoming substrate is blocked from the heat source of the substrate placing means, so that the temperature is increased. Lowers. When the temperature of the upper region of the substrate placing means is lowered, when the substrate is placed in the substrate placing means, the upper temperature of the substrate also cannot be sufficiently heated.

특히 복수의 기판이 순차적으로 인입되는 세미 배치 타입의 경우 처음 인입된 기판의 상하부간의 온도차보다 마지막에 인입되는 기판의 상하부간의 온도차가 커진다. 이는 기판 안착 수단에 접속하는 기판의 하부는 온도가 균일하게 유지되는 반면에 기판의 상부는 계속하여 온도가 떨어져 온도차가 증대되기 때문이다. 기판의 상하부간의 온도차가 지나치게 커지면, 기판 표면에 미리 형성된 박막에 열적 변형이 발생하거나 기판이 뒤틀리는 문제가 발생한다. In particular, in the case of the semi-batch type in which a plurality of substrates are sequentially inserted, the temperature difference between the upper and lower portions of the substrate to be introduced last is greater than the temperature difference between the upper and lower portions of the firstly inserted substrate. This is because the lower part of the substrate connected to the substrate seating means maintains a uniform temperature while the upper part of the substrate continues to drop in temperature, thereby increasing the temperature difference. If the temperature difference between the upper and lower portions of the substrate is too large, thermal deformation or thinning of the thin film formed in advance on the substrate surface may occur.

또한, 기판이 반응 공간인 반응 챔버 내부로 인입되기 전에 상온 상태로 유지되어 있으므로 상온상태의 기판이 고온의 반응 챔버 내부로 인입된 후, 기판이 충분이 가열되지 않은 상태에서 반응이 이루어지는 문제가 있다. 즉, 복수의 기판이 인입되기 때문에 처음 인입된 기판의 경우 충분한 열원을 공급받아 충분한 가열이 이루어지지만 마지막으로 인입되는 기판의 경우 처음 기판에 비하여 상대적으로 적은 양의 열원을 공급받게 되어 충분한 가열이 이루어 지지 않게 된다. 이로 인해 복수의 기판 간의 가열 상태가 달라져 각 기판에 초기 증착되는 박막의 두께와 특성이 달라지는 문제가 있다. 이렇게 되면, 증착되는 박막이 기판마다 차이가 크게 나서 생산성이 저하되는 문제가 될 수 있다. In addition, since the substrate is kept at room temperature before being introduced into the reaction chamber, which is a reaction space, there is a problem that the reaction occurs after the substrate is brought into the high temperature reaction chamber and the substrate is not sufficiently heated. . That is, since a plurality of substrates are drawn in, the first drawn substrate is supplied with a sufficient heat source, and sufficient heating is performed. However, the last drawn substrate is supplied with a relatively small amount of heat source compared to the first substrate. You won't lose. As a result, there is a problem in that the heating state between the plurality of substrates is changed, and thus the thickness and characteristics of the thin film initially deposited on each substrate are changed. In this case, the thin film to be deposited may be a problem that the productivity is reduced because the difference between the substrate is large.

따라서, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 챔버 내부로 인입되는 기판에 별도의 열에너지를 공급할 수 있는 열원을 두어 기판 상하부 간의 온도차를 줄일 수 있고, 복수 기판들 간의 온도차를 줄일 수 있으며, 복수의 기판 각각을 충분히 가열시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다. Therefore, the present invention can reduce the temperature difference between the upper and lower substrates, reduce the temperature difference between the plurality of substrates by providing a heat source that can supply a separate heat energy to the substrate introduced into the chamber to solve the above problems, It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of sufficiently heating each substrate.

본 발명에 따른 다수의 기판을 반응 공간에 순차적으로 안치하고, 안치된 기판의 하부면을 동시에 가열하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서, 상기 반응 공간으로 진입하여 안치된 기판의 상부면을 가열하도록 상기 반응 공간의 상부에 설치되는 가열 수단을 더 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다. A substrate processing apparatus for sequentially placing a plurality of substrates according to the present invention in a reaction space and heating the bottom surface of the placed substrate at the same time, wherein the substrate is processed to enter the reaction space and heat the upper surface of the placed substrate. It provides a substrate processing apparatus further comprising a heating means installed in the upper portion of the reaction space.

여기서, 상기 가열 수단은 상기 기판이 상기 반응 공간에 노출되어 안치될 때까지 가열하는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 가열 수단은 램프 히터 또는 저항 가열체 중 하나인 것이 바람직하다. 상기 기판처리 장치는 기판 출입부를 가지며, 상기 기판 출입부가 위치한 상기 반응 공간의 상부에 상기 가열 수단이 설치되는 것이 효과적이다. 상기 가열 수단의 가열 온도는 기판의 하부면을 가열하는 온도보다 높지 않은 것이 바람직하다. 상기 가열 수단의 상기 가열 온도는 200 내지 800 도 사이에서 선택되는 것이 효과적이다. Here, the heating means is preferably heated until the substrate is exposed and placed in the reaction space. Preferably, the heating means is one of a lamp heater or a resistance heater. It is effective that the substrate processing apparatus has a substrate entry part, and the heating means is provided on an upper portion of the reaction space in which the substrate entrance part is located. The heating temperature of the heating means is preferably not higher than the temperature for heating the lower surface of the substrate. The heating temperature of the heating means is effectively selected between 200 and 800 degrees.

또한, 본 발명에 따른 다수의 기판을 반응 공간에 안치하고 기판의 하부면을 동시에 가열하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서, 상기 다수의 기판 중 어느 하나의 상부면을 가열하도록 상기 반응 공간 상부에 설치되는 가열 수단을 더 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다. In addition, a substrate processing apparatus for placing a plurality of substrates in the reaction space and simultaneously heating the lower surface of the substrate to process the substrate, the substrate processing apparatus to heat the upper surface of any one of the plurality of substrates in the upper portion of the reaction space It provides the substrate processing apparatus further including the heating means installed.

이때, 상기 가열 수단은 상기 반응 공간에 안치되는 다수의 기판을 순차적으로 가열하는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 가열 수단은 램프 히터 또는 저항 가열체 중 하나인 것이 바람직하다.In this case, it is preferable that the heating means sequentially heats a plurality of substrates placed in the reaction space. Preferably, the heating means is one of a lamp heater or a resistance heater.

물론 상기 가열 수단의 가열 온도는 기판의 하부면을 가열하는 온도보다 높지 않은 것이 바람직하다. 이때, 상기 가열 수단의 상기 가열 온도는 200 내지 800 도 사이에서 선택되는 것이 효과적이다.  Of course, the heating temperature of the heating means is preferably not higher than the temperature for heating the lower surface of the substrate. At this time, it is effective that the heating temperature of the heating means is selected between 200 and 800 degrees.

또한, 본 발명에 따른 다수의 기판의 하부면을 가열하여 기판을 처리하는 기 판 처리 장치로서, 적어도 2개 이상의 기판을 안치하는 기판 안치 수단과, 상기 기판 안치 수단에 안치된 기판의 하부면을 가열하는 제 1 가열 수단과, 상기 기판 안치 수단을 회전시키는 구동 수단과, 상기 기판 안치 수단 상에 공정 가스를 공급하는 가스 공급 수단과, 상기 기판 안치 수단에 안치되는 기판 중 어느 하나의 상부에 대응되도록 설치되어 해당 기판의 상부면을 가열하는 제 2 가열 수단을 더 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다. Further, a substrate processing apparatus for processing a substrate by heating lower surfaces of a plurality of substrates according to the present invention, comprising: substrate placing means for placing at least two or more substrates; and lower surfaces of the substrates placed in the substrate placing means. Corresponds to an upper portion of any one of a first heating means for heating, a driving means for rotating the substrate placing means, a gas supply means for supplying a process gas on the substrate placing means, and a substrate placed in the substrate placing means. It is provided so as to provide a substrate processing apparatus further comprises a second heating means for heating the upper surface of the substrate.

여기서, 상기 기판 안치 수단은 동일 높이에 다수의 기판을 안치하는 것이 바람직하다. 상기 기판 안치 수단은 단일 기판을 안치하는 다수개의 서셉터로 구성되는 것이 바람직하다.  Here, it is preferable that the substrate settlement means settles a plurality of substrates at the same height. Preferably, the substrate placing means is composed of a plurality of susceptors that house a single substrate.

상기 제 2 가열 수단은 상기 기판 처리 장치의 기판 출입부 앞의 상기 기판 안치 수단의 상부 영역에 마련되는 것이 효과적이다. 물론 상기 제 2 가열 수단은 상기 기판 안치 수단에 안치되는 다수의 기판을 순차적으로 가열하는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 제 2 가열 수단은 램프 히터 또는 저항 가열체 중 하나인 것이 바람직하고, 상기 제 2 가열 수단의 가열 면적은 기판 한 장의 면적보다 같거나 크고, 두 기판을 동시에 가열하지 않는 것이 효과적이다. 상기 제 2 가열 수단의 가열 온도는 기판의 하부면을 가열하는 온도보다 높지 않은 것이 바람직하다. 상기 가열 수단의 가열 온도는 200 내지 800 도 사이에서 선택되는 것이 바람직하다. It is effective that the second heating means is provided in an upper region of the substrate placing means in front of the substrate entrance and exit portion of the substrate processing apparatus. Of course, it is preferable that the second heating means sequentially heats a plurality of substrates placed in the substrate placing means. Preferably, the second heating means is one of a lamp heater or a resistance heating body, and the heating area of the second heating means is equal to or larger than the area of one substrate, and it is effective not to simultaneously heat the two substrates. The heating temperature of the second heating means is preferably not higher than the temperature for heating the lower surface of the substrate. The heating temperature of the heating means is preferably selected between 200 and 800 degrees.

또한, 본 발명에 따른 다수의 기판의 하부면을 가열하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서, 적어도 2개 이상의 기판을 안치하는 기판 안치 수단과, 상기 기판 안치 수단에 안치된 기판의 하부면을 가열하는 제 1 가열 수단과, 상기 기판 안 치 수단을 회전시키는 구동 수단과, 상기 기판 안치 수단 상에 공정 가스를 공급하는 가스 공급 수단과, 상기 기판 안치 수단에 안치되는 기판 중 어느 하나의 상부에 대응되도록 설치되어 해당 기판의 상부면을 가열하는 제 2 가열 수단과, 상기 제 2 가열 수단에 연접하여 상기 제 2 가열 수단에서 가열되는 기판보다 먼저 들어온 기판의 상부면을 가열하는 제 3 가열 수단을 더 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다. Moreover, the substrate processing apparatus which heats the lower surface of the several board | substrate which concerns on this invention, and processes a board | substrate, Comprising: At least 2 or more board | substrate settling means which heats up, and the lower surface of the board | substrate settled by said board | substrate settlement means are heated. A first heating means, a driving means for rotating the substrate mounting means, a gas supply means for supplying a process gas on the substrate mounting means, and an upper portion of any one of the substrates placed in the substrate mounting means. And second heating means for heating the upper surface of the substrate, and third heating means for heating the upper surface of the substrate which comes in contact with the second heating means before the substrate heated in the second heating means. It provides a substrate processing apparatus comprising.

이때, 상기 제 2 및 제 3 가열 수단의 온도는 상기 제 1 가열 수단의 온도보다 높지 않은 것이 바람직하다. 물론, 상기 제 2 가열 수단의 온도는 상기 제 3 가열 수단의 온도보다 높지 않은 것이 효과적이다. 상기 제 2 가열 수단의 가열 온도는 200 내지 800 도 사이에서 선택되는 것이 바람직하다. At this time, the temperature of the second and third heating means is preferably not higher than the temperature of the first heating means. Of course, it is effective that the temperature of the second heating means is not higher than the temperature of the third heating means. The heating temperature of the second heating means is preferably selected between 200 and 800 degrees.

또한, 본 발명에 따른 다수의 기판의 하부면을 가열하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치의 기판 처리 방법에 있어서, (a) 고온의 기판 처리 장치를 유지하는 단계와, (b) 상기 기판 처리 장치에 진입하는 기판을 대상으로 해당 기판의 상부면을 가열하는 단계와, (c) 상기 기판을 상기 기판 처리 장치의 기판 안치 수단에 안치를 완료하는 단계와, (d) 상기 안치된 기판의 위치를 이동시키는 단계와, (e) 상기 기판 처리 장치에 또다른 기판을 진입시켜 상기 (b),(c),(d) 단계를 반복하는 단계와, (f) 상기 기판 처리 장치에 다수의 기판의 안치를 완료하는 단계를 포함하는 기판 처리 장치의 기판 처리 방법을 제공한다. Further, in a substrate processing method of a substrate processing apparatus for heating a lower surface of a plurality of substrates according to the present invention, (a) holding a high temperature substrate processing apparatus; and (b) the substrate processing apparatus. Heating the upper surface of the substrate for the substrate entering the process; (c) completing the placing of the substrate on the substrate placing means of the substrate processing apparatus; and (d) positioning the placed substrate. Moving the substrate; (e) entering another substrate into the substrate processing apparatus, repeating steps (b), (c), and (d); and (f) removing a plurality of substrates from the substrate processing apparatus. It provides a substrate processing method of the substrate processing apparatus comprising the step of completing the settling.

여기서, 상기 기판의 상부면을 가열하는 단계에 있어서, 진입되는 기판에 대해서 순차적으로 가열 온도를 증가시키는 것이 바람직하다. 상기 기판의 상부면 가 열 온도는 기판의 하부면 가열온도보다 높지 않은 것이 바람직하다. 상기 기판의 상부면 가열 온도는 200 내지 800 도 사이에서 선택되는 것이 바람직하다. Here, in the step of heating the upper surface of the substrate, it is preferable to sequentially increase the heating temperature with respect to the entering substrate. The upper surface heating temperature of the substrate is preferably not higher than the heating temperature of the lower surface of the substrate. The upper surface heating temperature of the substrate is preferably selected between 200 and 800 degrees.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know. Wherein like reference numerals refer to like elements throughout.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면 개념도이고, 도 2는 제 1 실시예에 따른 기판 처리 장치의 평면 개념도이다. 도 3은 제 1 실시예에 따른 가열 수단의 배치를 설명하기 위한 챔버 리드 영역의 단면 개념도이다. 1 is a cross-sectional conceptual view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a top conceptual view of the substrate processing apparatus according to the first embodiment. 3 is a cross-sectional conceptual view of the chamber lead region for explaining the arrangement of the heating means according to the first embodiment.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 기판 처리 장치는 반응 공간을 갖는 챔버(110)와, 히팅 부재(미도시)를 갖고 복수의 기판(200)이 안착되는 기판 안착 수단(120)과, 상기 기판 안착 수단(120)을 움직이는 구동 수단(160)과, 상기 반응 공간에 공정 가스를 공급하는 가스 공급 수단(130)과, 상기 기판(200)이 인입되는 영역의 상기 기판 안착 수단(120) 상부 영역에 마련된 가열 수단인 램프 히터(141)를 포함한다. 또한, 상기 기판 처리 장치는 도면에 도시되지는 않았지만 상기 챔버(110) 내부의 압력을 조절하는 압력 조절수단과, 상기 챔버(110) 내부의 가스를 배기하는 배기수단과, 상기 챔버(110) 내부에 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성 수단을 더 포함할 수도 있다. 1 to 3, the substrate processing apparatus according to the present embodiment includes a chamber 110 having a reaction space, a substrate mounting means 120 having a heating member (not shown) and a plurality of substrates 200 mounted thereon. ), A driving means 160 for moving the substrate seating means 120, a gas supply means 130 for supplying a process gas to the reaction space, and the substrate seating means in a region into which the substrate 200 is retracted. 120 includes a lamp heater 141 which is a heating means provided in the upper region. In addition, although not shown in the drawings, the substrate processing apparatus may include pressure adjusting means for adjusting a pressure in the chamber 110, an exhausting means for exhausting gas in the chamber 110, and an inside of the chamber 110. It may further comprise a plasma generating means for generating a plasma.

상기 챔버(110)는 기판 안착 수단(120)이 마련되는 챔버 몸체(미도시)와, 상기 챔버 몸체를 덮는 챔버 리드(111)와, 상기 챕버 몸체의 일측면에 마련되어 기판(200)이 출입하는 기판 출입부(112)를 포함한다. 상기 챔버 리드(111)의 하측 표면에는 실드판(113)이 마련되어 있어 챔버 리드(111) 하부면의 오염을 방지하는 것이 바람직하다.The chamber 110 is provided with a chamber body (not shown) in which the substrate seating means 120 is provided, a chamber lid 111 covering the chamber body, and a side surface of the chapter body to allow the substrate 200 to enter and exit. And a substrate entry part 112. A shield plate 113 is provided on the lower surface of the chamber lid 111 to prevent contamination of the lower surface of the chamber lid 111.

기판 안착 수단(120)은 대략 원형의 몸체와 상기 몸체 내에 내장된 상기 히팅 부재를 포함한다. 그리고, 상기 몸체의 상부에는 기판(200)이 안착 될 복수의 기판 안착 영역(미도시)이 마련되고, 또한 기판 안착을 용이하게 하기 위해 각각의 기판 안착 영역에 소정의 관통공(미도시)이 형성되어 기판 출입부(112)로부터 인입된 기판(200)을 지지하기 위한 적어도 하나의 리프트 핀(미도시)이 상하 운동을 할 수 있다. The substrate seating means 120 comprises a generally circular body and the heating member embedded in the body. In addition, a plurality of substrate seating areas (not shown) on which the substrate 200 is to be seated is provided on the upper portion of the body, and a predetermined through hole (not shown) is provided in each substrate seating area to facilitate substrate mounting. At least one lift pin (not shown) formed to support the substrate 200 drawn from the substrate entrance part 112 may vertically move.

기판 안착 수단(120)은 상기 챔버(110)에 인입되는 기판을 각각 수용하는 독립적인 안착 수단의 조합일 수도 있다. 각각의 안착 수단에는 히팅 부재와 기판을 지지하기 위한 관통공과 리프트 핀 등이 형성될 수 있다. Substrate seating means 120 may be a combination of independent seating means, each receiving a substrate introduced into chamber 110. Each mounting means may be formed with a through hole and a lift pin for supporting the heating member and the substrate.

상기의 히팅 부재로 저항을 이용한 발열체를 사용하거나, 램프를 이용한 광학식 히터를 사용하는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 히팅 부재를 상기 기판 안착 수단(120) 내에 마련되지 않고, 기판 안착 수단(120) 하부에 배치되어 기판 안착 수단(120)을 고르게 가열할 수도 있다. 이때, 기판 안착 수단(120)으로 열 전도성이 우수한 물질을 사용하여 기판 안착 수단(120) 하부의 히팅 부재의 열을 기판에 효과적으로 전달할 수 있다. 또한, 기판 안착 수단(120) 내에는 이의 온도를 조절하기 위한 냉각 수단이 더 포함될 수도 있다. It is preferable to use a heating element using a resistance or an optical heater using a lamp as the heating member. In addition, the heating member may not be provided in the substrate seating means 120, but may be disposed below the substrate seating means 120 to evenly heat the substrate seating means 120. In this case, the heat of the heating member under the substrate mounting means 120 may be effectively transmitted to the substrate using a material having excellent thermal conductivity as the substrate mounting means 120. In addition, the substrate seating means 120 may further include cooling means for adjusting its temperature.

상기 기판 안착 수단(120) 하부에는 이에 접속되어 이의 움직임을 제어하는 구동 수단(160)이 마련된다. 이러한 구동 수단(160)은 기판 안착 수단(120)의 회전 운동을 제어할 뿐만 아니라 기판 안착 수단(120)의 상하 운동 또한 제어할 수 있다. 상기 구동 수단(160)은 기판 안착 수단(120)을 회전시키거나 승강시키기 위한 동력을 생산하는 동력 생성 수단(미도시)과 상기 동력 생성 수단의 구동력을 상기 기판 안착 수단(120)에 공급하는 구동축을 포함하는 것이 바람직하다. 이때, 상기 구동축은 열의 차폐 특성이 좋은 물질로 형성하여 기판 안착 수단(120)의 열이 동력 생성 수단으로 인가되는 문제를 해결할 수 있다. 또한, 구동축내에 열 차폐 축을 두어 이러한 열 전달을 차단할 수도 있다. A driving means 160 connected to the substrate mounting means 120 and controlling the movement thereof is provided below the substrate mounting means 120. The driving means 160 may not only control the rotational movement of the substrate seating means 120, but also control the vertical movement of the substrate seating means 120. The driving means 160 is a power generating means (not shown) for generating power for rotating or lifting the substrate mounting means 120 and a drive shaft for supplying the driving force of the power generating means to the substrate mounting means 120. It is preferable to include. In this case, the drive shaft may be formed of a material having a good heat shielding property to solve the problem that the heat of the substrate mounting means 120 is applied to the power generating means. It is also possible to block this heat transfer by placing a heat shield axis in the drive shaft.

상기의 가스 공급 수단(130)은 공정 가스가 공급되는 가스 공급축(131)과, 상기 가스 공급축(131)의 끝단에서 연장되어 가스를 챔버(110) 내부에 분사하는 복수의 가스 분사부(132)를 포함하는 것이 바람직하다. 이때, 상기 가스 공급축(131)은 회전 운동을 하고 이에 접속된 복수의 가스 분사부(132)도 회전운동을 함으로서 하부 기판 안착 수단(120) 상에 안착된 복수의 기판(200)에 공정 가스를 균일하게 분사할 수 있다. 또한, 상기 가스 분사부(132)에서 분사되는 공정 가스에 변화를 주어 CVD 및 ALD등의 다양한 증착 방법을 이용하는 증착 공정을 실시할 수도 있다. 그리고, 상기 가스 분사부(132)는 플라즈마로 인해 활성화된 공정 가스를 공급받아 기판(110)에 분사시킬 수도 있다. The gas supply means 130 may include a gas supply shaft 131 to which a process gas is supplied, and a plurality of gas injection units extending from an end of the gas supply shaft 131 to inject gas into the chamber 110. 132). In this case, the gas supply shaft 131 rotates and the plurality of gas injectors 132 connected thereto also rotate to process gas on the plurality of substrates 200 mounted on the lower substrate mounting means 120. Can be sprayed uniformly. In addition, a deposition process using various deposition methods such as CVD and ALD may be performed by changing a process gas injected from the gas injection unit 132. In addition, the gas injector 132 may be supplied to the substrate 110 by receiving a process gas activated by plasma.

램프 히터(141)는 기판(200)이 인입되는 영역의 기판 안착 수단(120) 상부에 마련되어 챔버(110) 내부로 인입되는 기판(200)의 상부 영역을 가열하여 기판 안착 수단(120)에 안착되는 기판(200)의 상부와 하부 사이의 온도차를 줄일 수 있고, 복수의 기판(200) 인입시 인입되는 기판(200)과 미리 인입되어 기판 안착 수단(120) 상에 안착된 기판(200)과의 온도차를 줄일 수 있다. 상기의 램프 히터(141)로 200 내지 800도 사이의 온도범위의 열 에너지를 챔버(110) 내부에 공급할 수 있는 다양한 형태의 히터를 사용할 수 있다. 또한, 램프 히터(141) 이외에 전열을 이용한 전기식 히터를 포함하는 다양한 가열 장치가 사용될 수 있다. 이때, 상기 램프 히터(141)의 온도는 상기 기판 안착 수단(120)의 가열온도와 같거나 이보다 낮은 온도가 되도록 하는 것이 바람직하다. 이를 통해 낮은 온도 상태에서 챔버(110) 내부로 유입되는 기판(200)의 상부를 가열하여 기판(200)의 상부와 하부간의 온도차가 크게 발생되지 않도록 할 수 있다. 예를들어 상기 기판 안착 수단(120)의 온도가 1일 경우 상기 램프 히터(141)의 온도는 0.7 내지 1인 것이 바람직하다. The lamp heater 141 is provided above the substrate seating means 120 in the region where the substrate 200 is inserted, and heats the upper region of the substrate 200 that is introduced into the chamber 110 to be seated on the substrate seating means 120. The temperature difference between the upper portion and the lower portion of the substrate 200 may be reduced, and the substrate 200 which is pre-introduced with the substrate 200 to be inserted at the time of the plurality of substrates 200 is seated on the substrate seating means 120 and Can reduce the temperature difference. As the lamp heater 141, various types of heaters capable of supplying thermal energy within a temperature range of 200 to 800 degrees may be used in the chamber 110. In addition, various heating apparatuses may be used, including the electric heater using electric heat, in addition to the lamp heater 141. At this time, the temperature of the lamp heater 141 is preferably equal to or lower than the heating temperature of the substrate mounting means 120. Through this, the upper portion of the substrate 200 introduced into the chamber 110 in a low temperature state may be heated so that a large temperature difference between the upper portion and the lower portion of the substrate 200 may not occur. For example, when the temperature of the substrate seating means 120 is 1, the temperature of the lamp heater 141 is preferably 0.7 to 1.

상기 램프 히터(141)는 기판(200)이 인입되는 기판 출입부(112) 상측 영역에 챔버(110) 내부로 인입되는 단일 기판(200)의 크기와 같거나 이보다 크게 제작하는 것이 바람직하다. 이는 기판 안착 수단(120) 전체면에 걸쳐 그 상부에 램프 히터(141)가 마련되지 않고 한장의 기판(200)을 커버할 수 있는 면적에 한정하여 설치되는 것이 효과적이다. 즉, 기판(200)의 면적을 1로 하였을 경우 램프 히터(141)의 면적은 1 내지 1.8인 것이 바람직하다. 그리고, 도 2에서는 램프 히터(141)의 형상을 원형으로 표시하였지만, 이에 한정되지 않고, 인입되는 기판(200)의 모든 영 역을 커버할 수 있는 다각형 및 타원등의 다양한 형상이 가능하다. The lamp heater 141 may be manufactured to be the same as or larger than the size of the single substrate 200 introduced into the chamber 110 in the upper region of the substrate entrance 112 through which the substrate 200 is introduced. This is effective to be limited to the area that can cover a single substrate 200 without the lamp heater 141 is provided over the entire surface of the substrate mounting means 120. That is, when the area of the substrate 200 is 1, the area of the lamp heater 141 is preferably 1 to 1.8. In addition, although the shape of the lamp heater 141 is shown in a circle in FIG. 2, the shape of the lamp heater 141 is not limited thereto, and various shapes such as a polygon and an ellipse may cover all areas of the substrate 200 to be introduced.

이러한 램프 히터(141)가 배치되는 위치는 도 3에 도시된 바와 같이 기판(200)이 인입되는 기판 안착 수단(120)의 상측 영역 즉, 챔버 리드(111)를 기준으로 그 내부, 그 하부 및 그 상부 영역에 마련될 수 있다. 도 3의 (a)에 도시된 바와 같이 챔버 리드(111) 배면의 실드판(113)과 가스 공급 수단(130) 사이 영역에 마련하여 챔버(110) 내부로 인입되는 기판(200)의 상부 영역에 열 에너지를 효과적으로 공급하여 단일 기판 및 복수 기판 간의 온도를 균일하게 할 수 있다. 이때, 도면에서와 같이 상기 실드판(113)으로 부터 일정간격 이격되어 램프 히터(141)가 마련될 수도 있지만 실드판(113) 즉, 챔버 리드(111)에 부착될 수도 있다. 또한, 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이 챔버 리드(111) 내측에 램프 히터(141)를 마련하여 챔버(110) 내부로 인입되는 기판(200)의 상부영역을 가열할 수 있다. 상기 도면에서는 상기 챔버 리드(111) 하측 즉 실드판(113) 상에 램프 히터(141)가 마련됨을 도시하였지만 이에 한정되지 않고, 램프 히터(141)는 챔버 리드(111) 내부 어느 영역에도 형성될 수 있다. 또한, 도 3의 (c)에 도시된 바와 같이 챔버(110)의 외측에 가열 수단인 램프 히터(141)를 마련하되 열 투과성이 우수한 윈도우부(142)를 두어 윈도우부(142)를 통해 챔버(110)로 인입되는 기판(200)의 상부 영역을 가열할 수 있다. 이를통해 챔버(200)와 분리된 공간에 램프 히터(141)를 마련할 수 있다. As shown in FIG. 3, the lamp heater 141 is disposed at an upper region of the substrate seating means 120 into which the substrate 200 is inserted, ie, inside and under the chamber lid 111. It may be provided in the upper region. As shown in (a) of FIG. 3, an upper region of the substrate 200 provided in the region between the shield plate 113 on the rear surface of the chamber lid 111 and the gas supply means 130 and drawn into the chamber 110. The heat energy can be supplied effectively to the uniform temperature between the single substrate and the plurality of substrates. At this time, the lamp heater 141 may be provided at a predetermined interval from the shield plate 113 as shown in the drawing, but may be attached to the shield plate 113, that is, the chamber lid 111. In addition, as illustrated in FIG. 3B, a lamp heater 141 may be provided inside the chamber lid 111 to heat the upper region of the substrate 200 introduced into the chamber 110. Although the drawing illustrates that the lamp heater 141 is provided below the chamber lid 111, that is, on the shield plate 113, the present invention is not limited thereto. The lamp heater 141 may be formed in any area inside the chamber lid 111. Can be. In addition, as shown in (c) of FIG. 3, the lamp heater 141, which is a heating means, is provided outside the chamber 110, but the window unit 142 having excellent heat permeability is provided to provide a chamber through the window unit 142. The upper region of the substrate 200 introduced into the 110 may be heated. Through this, the lamp heater 141 may be provided in a space separated from the chamber 200.

하기에서는 도면을 참조하여 본 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명한다. Hereinafter, an operation of the substrate processing apparatus according to the present embodiment will be described with reference to the drawings.

도 4 내지 도 7은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 평면 개념도이다. 4 to 7 are plan conceptual views for explaining the operation of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 5장의 기판(200)이 안착되는 제 1 내지 제 5 기판 안착 영역(121, 122, 123, 124, 125)을 갖는 기판 안착 수단(120)의 제 1 기판 안착 영역에 기판 이송 장치(210; 예를 들어 로봇암)를 이용하여 제 1 기판(201)을 인입시킨다. 이때, 챔버(110) 내부의 기판 안착 수단(120)과 기판(200)이 인입되는 영역 상부에 마련된 가열 수단인 램프 히터(141)는 가열된다. 챔버(110) 내부는 기판 안착 수단(120)에 내장되거나 하부에 설치된 히팅 부재에 의해서 반응에 충분한 온도까지 미리 가열될 수 있다. Referring to FIG. 4, a substrate is placed in a first substrate seating area of the substrate seating means 120 having first to fifth substrate seating areas 121, 122, 123, 124, and 125 on which five substrates 200 are seated. The first substrate 201 is introduced using a transfer device 210 (for example, a robot arm). In this case, the lamp heater 141, which is a heating means provided in the substrate mounting means 120 and the substrate 200 in which the substrate 200 is inserted, is heated. The interior of the chamber 110 may be preheated to a temperature sufficient for reaction by a heating member embedded in or below the substrate seating means 120.

즉, 챔버(110)의 일측에 마련된 기판 출입부(112)가 열리고, 제 1 기판(201)이 올려진 기판 이송 장치(210)가 기판 출입부(112)를 지나 기판 안착 수단(120)의 제 1 기판 안착 영역(121)으로 이동한다. 이후, 제 1 기판 안착 영역(121)의 관통홀(126)을 통해 기판(200)을 지지하는 별도의 리프트 핀(미도시)이 상승하여 제 1 기판(201)을 지지한다. 리프트 핀에 의해 제 1 기판(201)이 지지되면 기판 이송장치(210)는 기판 출입부(112) 외부로 빠져나간다. 이후 기판 출입부(112)가 닫힐 수도 있다. 즉, 각각의 기판(200)의 인입시 기판 출입부(112)가 개폐를 수행할 수도 있고, 기판 출입부(112)가 개방된 후 5장의 기판(200) 모두가 인입된 다음 기판 출입구(112)가 닫힐 수도 있다. That is, the substrate entry part 112 provided at one side of the chamber 110 is opened, and the substrate transfer device 210 on which the first substrate 201 is mounted passes through the substrate entrance part 112 and then the substrate seating means 120 is formed. It moves to the first substrate seating area 121. Thereafter, a separate lift pin (not shown) that supports the substrate 200 is raised through the through hole 126 of the first substrate seating region 121 to support the first substrate 201. When the first substrate 201 is supported by the lift pins, the substrate transfer device 210 exits to the outside of the substrate entrance part 112. The substrate entrance 112 may then be closed. That is, the substrate entrance part 112 may open and close when the substrate 200 is retracted. After the substrate entrance part 112 is opened, all five substrates 200 may be retracted and then the substrate entrance 112 may be opened. ) May be closed.

이때, 기판 이송 장치(210)에 올려진 제 1 기판(201)은 기판 출입부(112)를 지나 제 1 기판 안착 영역(121)으로 가는 도중 그 하부는 기판 안착 수단(120)에 의해 점차 가열되고, 상부는 램프 히터(141)에 의해 점차 가열된다. 가열온도 범위 는 약 200 내지 800도 사이에서 선택되며, 바람직하게는 기판 상부의 가열 온도가 기판 하부의 가열 온도보다 높지 않도록 램프 히터(141)의 가열 온도가 선택된다. 종래에는 챔버(110)로 인입되는 기판(120)의 상부를 가열하는 가열 수단이 없었기 때문에 기판(200) 하부와 상부 사이에 온도차가 매우 커 이로인해 많은 문제가 발생하였지만 본 실시예에서는 기판(200) 상부를 가열하는 램프 히터(141)를 통해 단일 기판(200)의 상하부의 온도를 균일하게 할 수 있다. At this time, the first substrate 201 mounted on the substrate transfer device 210 is gradually heated by the substrate seating means 120 while the first substrate 201 passes through the substrate entrance and exit 112 to the first substrate seating region 121. The upper portion is gradually heated by the lamp heater 141. The heating temperature range is selected between about 200 and 800 degrees, and the heating temperature of the lamp heater 141 is preferably selected so that the heating temperature of the upper part of the substrate is not higher than the heating temperature of the lower part of the substrate. Conventionally, since there is no heating means for heating the upper portion of the substrate 120 introduced into the chamber 110, a large temperature difference between the lower portion and the upper portion of the substrate 200 causes a lot of problems, but in this embodiment, the substrate 200 The temperature of the upper and lower portions of the single substrate 200 may be uniformed through the lamp heater 141 that heats the upper portion.

여기서, 상기 기판 처리 장치는 단일의 장치로 구성될 수도 있고, 복수의 챔버를 갖는 시스템의 일 장치로 구성될 수 있다. 따라서, 만일 복수의 챔버를 갖는 시스템일 경우 기판을 이송하는 별도의 챔버로부터 기판이 본 실시예의 기판 처리 장치로 인입될 수 있다. Here, the substrate processing apparatus may be composed of a single apparatus or may be composed of one apparatus of a system having a plurality of chambers. Thus, if the system has a plurality of chambers, the substrate can be introduced into the substrate processing apparatus of the present embodiment from a separate chamber for transporting the substrate.

도 5 및 도 6을 참조하면, 리프트 핀이 하강하여 제 1 기판 안착 영역(121)에 제 1 기판(201)이 안착된다. 이후, 챔버(110) 외부에서는 제 2 기판(202)이 기판 이송 장치(210)에 올려지게 되고, 기판 출입부(112)를 통해 챔버(110) 내부로 인입된다. 이때, 챔버(110) 내부의 기판 안착 수단(120)이 회전하여 제 2 기판 안착 수단(122)이 기판 출입부(112)와 인접한 영역에 위치되도록 한다. 5 and 6, the lift pin is lowered and the first substrate 201 is seated on the first substrate seating area 121. Thereafter, the second substrate 202 is mounted on the substrate transfer device 210 outside the chamber 110, and is introduced into the chamber 110 through the substrate entrance part 112. At this time, the substrate seating means 120 inside the chamber 110 is rotated such that the second substrate seating means 122 is located in an area adjacent to the substrate entrance part 112.

이때, 상기 제 1 기판 안착 영역(121)에 안착된 제 1 기판(201)은 기판 안착 수단(120)이 회전하기 전까지 기판 안착 수단(120)과 그 상부의 램프 히터(141)에 의해 충분하게 가열될 수 있다. 즉, 기판(200)의 안착이 완료되고, 다음 위치(예를 들어 본 실시예에서는 시계방향으로 이동)로 기판 안착 수단(120)이 회전하기 전까지 기판 안착 수단(120)에 안착된 기판(200)의 상부를 가열된다. 이때, 상기 기판 (200)의 가열은 기판(200) 또는 기판(200)상에 미리 형성된 박막이 변형되거나 열응력이 발생하지 않는 범위의 가열 온도 내에서 가열하는 것이 바람직하다. 램프 히터(141)를 통해 제 1 기판(201)을 가열하는 시간은 제 1 기판(201)이 챔버(110) 내부로 인입, 안착 중 및 안착된 후 다음 위치로 이동하는 동안 가열하는 것이 바람직하지만, 이에 한정되지 않고, 소정 시간 즉, 기판이 인입되는 시간, 기판이 안착 중인 시간 및 기판이 안착 되어 다음 위치로 이동하는 시간 중 적어도 어느 하나의 시간 동안 제 1 기판(201)을 가열할 수 있다. At this time, the first substrate 201 seated in the first substrate seating area 121 is sufficiently provided by the substrate seating means 120 and the lamp heater 141 thereon until the substrate seating means 120 rotates. Can be heated. That is, the substrate 200 seated on the substrate mounting means 120 is completed until the mounting of the substrate 200 is completed and the substrate mounting means 120 rotates to the next position (for example, clockwise in this embodiment). The top of the is heated. At this time, the heating of the substrate 200 is preferably heated within the heating temperature of the range in which the substrate 200 or the thin film previously formed on the substrate 200 is not deformed or thermal stress is generated. The time for heating the first substrate 201 through the lamp heater 141 is preferably heated while moving to the next position after the first substrate 201 is drawn in, seated, and seated in the chamber 110. However, the present invention is not limited thereto, and the first substrate 201 may be heated for at least one of a predetermined time, that is, a time when the substrate is inserted, a time when the substrate is seated, and a time when the substrate is seated and moved to the next position. .

앞서 설명한 바와 같이 기판 안착 수단(120)이 회전하여 제 2 기판 안착 영역(122)이 기판 출입부(112) 인접영역으로 위치한다. 이후, 기판 이송 장치(210)에 올려진 제 2 기판(202)이 챔버(110) 내부로 인입되어 제 2 기판 안착 영역(122) 상에 배치되고, 제 2 기판 안착 영역(122)의 관통홀(126)을 통해 리프트 핀이 제 2 기판(202)을 지지한다. 기판 이송 장치(210)는 챔버(110) 외부로 빠져나간다. 그리고, 리프트 핀이 하강하여 제 2 기판 안착 영역(122) 상에 제 2 기판(202)이 안착된다. 이때, 제 2 기판(202)도 앞서 설명한 제 1 기판(201)과 동일한 가열이 이루어지게 된다. As described above, the substrate seating means 120 rotates so that the second substrate seating area 122 is positioned adjacent to the substrate entrance part 112. Thereafter, the second substrate 202 mounted on the substrate transfer device 210 is introduced into the chamber 110 and disposed on the second substrate seating region 122, and the through hole of the second substrate seating region 122 is formed. The lift pins support the second substrate 202 through 126. The substrate transfer device 210 exits out of the chamber 110. Then, the lift pin is lowered so that the second substrate 202 is seated on the second substrate seating region 122. In this case, the second substrate 202 is also heated in the same manner as the first substrate 201 described above.

도 7을 참조하면, 상기와 동일한 동작으로 제 3 내지 제 5 기판(203, 204, 205)을 순차적으로 챔버(110) 내부의 기판 안착 수단(120) 상에 안착한다. 즉, 기판 이송 장치(210)를 통해 제 3 내지 제 5 기판(203, 204, 205)을 순차적으로 챔버(110) 내부로 인입되고, 이에 따라 기판 안착 수단(120)도 회전하여 제 3 내지 제 5 기판 안착 영역(123, 124, 125)이 기판 출입부(112)와 인접한 영역으로 배치되도 록 한다. 이때, 상기 제 3 내지 제 5 기판(203, 204, 205)들 또한 앞서 설명한 바와 같이 램프 히터(141)를 통해 그 상부가 가열되고, 기판 안착 수단(120)을 통해 그 하부가 가열되어 기판(200)의 상부 및 하부간의 온도차를 줄일 수 있다. 상기와 같이 제 1 내지 제 5 기판(201, 202, 203, 204, 205)을 기판 안착 수단(120) 상에 안착한 후 램프 히터(141)를 오프 시켜 기판(200)의 상부 영역의 가열을 중단한다. 즉, 이는 기판(200)의 상부가 충분히 가열되었기 때문에 기판(200) 하부의 기판 안착 수단(120)의 열원으로 인해 충분히 기판(200)이 일정한 온도를 유지할 수 있기 때문이다. Referring to FIG. 7, the third to fifth substrates 203, 204, and 205 are sequentially mounted on the substrate mounting means 120 in the chamber 110 in the same operation as described above. That is, the third to fifth substrates 203, 204, and 205 are sequentially introduced into the chamber 110 through the substrate transfer device 210. Accordingly, the substrate seating means 120 also rotates to form the third to fifth substrates. 5 The substrate seating areas 123, 124, and 125 are arranged in an area adjacent to the substrate entrance part 112. At this time, the upper portion of the third to fifth substrates 203, 204, and 205 is also heated by the lamp heater 141, and the lower portion thereof is heated by the substrate seating means 120, as described above. It is possible to reduce the temperature difference between the top and bottom of the 200). As described above, the first to fifth substrates 201, 202, 203, 204, and 205 are seated on the substrate seating means 120, and then the lamp heater 141 is turned off to stop heating of the upper region of the substrate 200. do. That is, since the upper portion of the substrate 200 is sufficiently heated, the substrate 200 can be sufficiently maintained at a constant temperature due to the heat source of the substrate seating means 120 under the substrate 200.

이후, 앞서 설명한 가스 공급 수단(130)을 통해 챔버(110) 내부로 공정 가스를 공급하여 제 1 내지 제 5 기판(201, 202, 203, 204, 205) 상에 박막을 형성할 수 있다. 이때, CVD 또는 ALD 공정을 통해 박막이 증착될 수 있다.Thereafter, the process gas may be supplied into the chamber 110 through the gas supply unit 130 described above to form a thin film on the first to fifth substrates 201, 202, 203, 204, and 205. At this time, the thin film may be deposited through a CVD or ALD process.

상기에서 제 1 내지 제 5 기판(201, 202, 203, 204, 205)이 입인될 경우 ㄹ램프 히터(141)을 통해 가열되는 온도는 한정되지 않고 서로 일정할 수도 있고, 서로 다를 수도 있으며 일정 개수동안 일정하거나 다를 수 있다. When the first to fifth substrates 201, 202, 203, 204, and 205 are admitted, the temperatures heated by the dram heater 141 are not limited and may be constant, may be different from each other, or may be a predetermined number. May be constant or different.

복수의 기판(200)이 순차적으로 인입되는 경우 먼저 인입되어 기판 안착 수단(120)에 안착된 기판(200)은 램프 히터(141) 및 기판 안착 수단(120)에 의해 가열된 다음 지속적으로 기판 안착 수단(120)에 의해 가열된 상태가 된다. 하지만, 이후에 인입되는 기판(200)은 상온 또는 그 전단 챔버의 온도를 유지하기 때문에 먼저 인입되어 기판 안착 수단(120)에 안착된 기판(200)에 비하여 그 온도가 떨어지게 된다. 따라서, 먼저 인입 안착된 기판(200)과 동일한 온도를 맞추기 위해서는 앞서 설명한 바와 같이 가열 수단인 램프 히터(141)의 온도를 점진적으로 증대시켜 주어 짧은 시간 동안 미리 인입 안착된 기판(200)과 동일한 온도가 될 수 있도록 하는 것이 바람직하다. 그리고, 가열 수단인 램프 히터(141)에 의해 가열되어 기판 처리 장치 내부로 인입되는 다수의 기판(200)들 사이의 상부면 온도차가 감소하거나 발생하지 않을 수 있다. When the plurality of substrates 200 are sequentially inserted, the substrate 200 that is first inserted and seated on the substrate seating means 120 is heated by the lamp heater 141 and the substrate seating means 120, and then continuously seats the substrate. It becomes the state heated by the means 120. However, since the substrate 200 to be introduced thereafter maintains the room temperature or the temperature of the front end chamber thereof, the temperature of the substrate 200 is lower than that of the substrate 200 which is first introduced and is seated on the substrate seating means 120. Therefore, in order to set the same temperature as the substrate 200 placed first, the temperature of the lamp heater 141, which is a heating means, is gradually increased as described above, so that the same temperature as the substrate 200 previously placed and placed for a short time. It is desirable to be able to be. In addition, an upper surface temperature difference between the plurality of substrates 200 heated by the lamp heater 141 which is a heating means and drawn into the substrate processing apparatus may not decrease or occur.

또한, 본 발명은 상술한 설명에 한정되지 않고, 일 기판이 안착된 후 다음 다른 기판의 안착을 위해 소정 각도 이동한 영역에서 그 상부가 가열될 수 있도록 가열 수단인 램프 히터를 기판 인입 영역에서 기판의 이동 방향으로 이격하여 배치할 수도 있다. 하기에서는 상술한 바와 같이 가열 수단이 기판 인입 영역에서 기판 안착수단의 이동 방향을 따라 이격하여 배치된 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 처리 장치에 관해 설명한다. 후술되는 설명중 앞서 설명한 실시예의 설명과 중복되는 설명은 생략한다. 그리고, 후술되는 설명의 기술내용은 앞서 설명한 실시예에 적용될 수 있다. In addition, the present invention is not limited to the above description, and the lamp heater, which is a heating means, can be heated in the substrate inlet region so that the upper part of the substrate can be heated in a predetermined angle shifted area for mounting of the next substrate after the one substrate is seated. It may be arranged spaced apart in the moving direction of. Hereinafter, the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention in which the heating means are spaced apart along the moving direction of the substrate seating means in the substrate inlet region will be described. Descriptions overlapping with the descriptions of the above-described embodiments will be omitted. In addition, the technical contents of the following description may be applied to the above-described embodiment.

도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 처리 장치의 평면 개념도이다.8 is a schematic plan view of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 본 실시예에 따른 기판 처리 장치는 반응 공간을 갖는 챔버(110)와, 히팅 부재(미도시)를 갖고 복수의 기판(200)이 안착되는 기판 안착 수단(120)과, 상기 기판 안착 수단(120)을 움직이는 구동 수단(160)과, 상기 반응 공간에 공정 가스를 공급하는 가스 공급 수단(130)과, 상기 기판(200)이 인입되는 영역에서 상기 기판 안착 수단(120)의 이동 방향으로 이격되어 상기 기판 안착 수단(120) 상부 영역에 마련된 가열 수단(140)을 포함한다. Referring to FIG. 8, the substrate processing apparatus according to the present embodiment includes a chamber 110 having a reaction space, a substrate seating means 120 having a heating member (not shown) and a plurality of substrates 200 mounted thereon, The driving means 160 for moving the substrate seating means 120, the gas supply means 130 for supplying a process gas to the reaction space, and the substrate seating means 120 in a region where the substrate 200 is retracted. It includes a heating means 140 provided in the upper region of the substrate mounting means 120 spaced apart in the moving direction of the.

기판 출입부(112)에서 기판(200)이 안착되고 다음 기판(200)이 안착되기 위해 기판 안착 수단(120)이 회전한 위치에서 기판(200)을 가열하도록 가열 수단(140)을 기판 안착 수단(120) 상측 영역에 위치시키는 것이 바람직하다. 실시예1의 기판 출입부(112) 앞의 상측 영역에 위치시키는 것에 비해서 기판의 상부 가열 시간을 길게 가져갈 수 있는 이점이 있다. 또한 이를 통해 기판(20)이 인입되는 과정에서 열에 의한 기판 이송 장치가 변형되는 현상을 방지할 수 있다.The heating means 140 is heated to the substrate 200 at the position where the substrate seating means 120 is rotated so that the substrate 200 is seated at the substrate entrance 112 and the next substrate 200 is seated. (120) It is preferable to locate in the upper region. Compared with the upper region located in front of the substrate entrance part 112 of the first embodiment, the upper heating time of the substrate can be increased. In addition, it is possible to prevent the phenomenon in which the substrate transfer device is deformed due to heat during the introduction of the substrate 20.

가열 수단(140)은 기판(200)이 출입하는 위치의 그 다음 단계 위치에 대응하여 설치되는 것이 바람직하다. 예를 들어 5개의 기판(200)을 안착하는 기판 안착 수단(120)의 경우 다섯 단계의 위치 이동을 하게 된다. 즉, 제 1 기판이 기판 출입부(112)를 통해 기판 안착 수단(120)의 제 1 위치에 안착되고, 제 2 기판이 안착되기 위해서는 약 72도의 각도만큼 시계방향 또는 반 시계 방향으로 위치 이동을 하여 제 2 기판이 안착될 영역이 기판 출입부(112)와 인접한 영역에 배치될 수 있도록 한다. 도 9에서는 기판 안착 수단(120)이 시계방향으로 이동함을 고려하여 가열 수단(140)을 도시하였다. 이에, 본 실시예에서는 기판 출입부(112)의 중심과 기판 안착 수단(120)의 중심을 연결하는 선과, 가열 수단(140)의 중심과 기판 안착 수단(120)의 중심을 연결하는 선이 이루는 각이 45 내지 90도의 범위가 되도록 가열 수단(140)의 위치를 조절하는 것이 바람직하다. 본 실시예에서는 상기 각도에 한정되지 않고, 기판 안착 수단 상에 안착되는 기판의 개수에 따라 다양하게 변화될 수 있다. 예를 들어 4개의 기판이 안착되는 경우 기판의 안착을 위해 기판 안착 수단은 약 90도의 회전을 한다 따라서 기판 출입부(112)의 중심과 기판 안착 수단 (120)의 중심을 연결하는 선과, 가열 수단(140)의 중심과 기판 안착 수단(120)의 중심을 연결하는 선이 이루는 각은 60 내지 120도의 범위가 될 수 있다. 따라서, 360을 안착되는 기판(200)의 개수로 나눈 값에서 10 내지 60% 정도의 범위에서 그 상한과 하한을 결정하는 것이 바람직하다. 상술한 범위의 각도를 통해 기판(200)이 챔버(110) 내부로 인입될 경우 기판의 상부를 충분히 가열할 시간을 확보하고, 기판 이송 장치의 열적 변형을 방지할 수 있다. 그리고 기판(200)이 안착된 후, 다음 위치로 회전하는 동안 기판(200) 상부가 가열될 수 있고, 다음 위치에 위치한 다음 가열될 수도 있다. 따라서 본 실시예에서는 기판(200)이 챔버(110) 내부로 인입 안착됨과 동시에 기판 안착 수단(120)이 회전하여 기판(200)이 가열 수단(140)에 의해 가열 되도록 하는 것이 바람직하다. The heating means 140 is preferably installed corresponding to the next step position of the position where the substrate 200 enters and exits. For example, in the case of the substrate seating means 120 that seats five substrates 200, the position shift is performed in five steps. That is, the first substrate is seated at the first position of the substrate mounting means 120 through the substrate entrance part 112, and the position movement is performed clockwise or counterclockwise by an angle of about 72 degrees in order for the second substrate to be seated. Thus, the area where the second substrate is to be seated may be disposed in an area adjacent to the substrate access part 112. In FIG. 9, the heating means 140 is illustrated in consideration of the movement of the substrate seating means 120 in a clockwise direction. Therefore, in the present embodiment, a line connecting the center of the substrate entrance part 112 and the center of the substrate seating means 120 and a line connecting the center of the heating means 140 and the center of the substrate seating means 120 are formed. It is preferable to adjust the position of the heating means 140 such that the angle is in the range of 45 to 90 degrees. In the present embodiment, the present invention is not limited to the above angle, and may be variously changed according to the number of substrates mounted on the substrate mounting means. For example, when four substrates are seated, the substrate seating means rotates about 90 degrees in order to mount the substrates. Thus, a line connecting the center of the substrate entry part 112 and the center of the substrate seating means 120 and the heating means. The angle formed by the line connecting the center of the 140 and the center of the substrate mounting means 120 may be in the range of 60 to 120 degrees. Therefore, it is preferable to determine the upper limit and the lower limit in the range of about 10 to 60% from the value obtained by dividing 360 by the number of substrates 200 to be seated. When the substrate 200 is introduced into the chamber 110 through the above-described angle, it is possible to secure a time for sufficiently heating the upper portion of the substrate and to prevent thermal deformation of the substrate transfer apparatus. After the substrate 200 is seated, the upper portion of the substrate 200 may be heated while rotating to the next position, and may be heated next to the next position. Therefore, in the present embodiment, it is preferable that the substrate 200 is pulled into the chamber 110 and the substrate seating means 120 rotates so that the substrate 200 is heated by the heating means 140.

또한, 본 실시예에 따른 가열 수단(140)은 복수개로 기판(200)이 안착된 기판 안착 수단(120)이 이동하여 머무르는 영역의 적어도 일부 상측에 마련될 수 있다. 즉, 2개 이상의 가열 수단(140)이 기판 안착 수단(120)의 상측 영역 즉, 챔버 리드 상부에 마련될 수 있다. 이때, 복수개의 가열 수단(140)의 가열 온도는 각 기판(200) 마다 동일 할 수 있고 또는 필요에 따라 기판(200) 마다 다른 온도로 가열할 수도 있다. 예를들어 처음 인입되는 기판(200)의 가열 온도가 가장 낮고 그 후 회전하여 다른 위치로 이동할수록 그 온도가 높아지도록 하는 것이 바람직하다. In addition, a plurality of heating means 140 according to the present embodiment may be provided on at least a portion of an area where the substrate seating means 120 on which the substrate 200 is seated moves and stays. That is, two or more heating means 140 may be provided on the upper region of the substrate seating means 120, that is, the chamber lid. At this time, the heating temperature of the plurality of heating means 140 may be the same for each substrate 200, or may be heated to a different temperature for each substrate 200 as necessary. For example, it is preferable that the heating temperature of the substrate 200 initially introduced is the lowest, and the temperature thereof increases as it rotates and moves to another position.

하기에서는 기판이 인입되는 영역의 챔버 리드 상측에 제 1 가열 수단을 배치하고, 기판이 인입되는 영역에서 상기 기판 안착 수단의 이동 방향으로 이격되어 챔버 리드 상측에 마련된 제 2 가열 수단을 갖는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 기 판 처리 장치에 관해 설명한다. 후술되는 설명중 앞서 설명한 실시예의 설명과 중복되는 설명은 생략한다. 그리고, 후술되는 설명의 기술내용은 앞서 설명한 실시예에 적용될 수 있다. In the following, the first heating means is disposed above the chamber lid in the region where the substrate is drawn in, and the second heating means is provided above the chamber lid in the region where the substrate is drawn and spaced apart in the moving direction of the substrate seating means. The substrate processing apparatus according to the third embodiment will be described. Descriptions overlapping with the descriptions of the above-described embodiments will be omitted. In addition, the technical contents of the following description may be applied to the above-described embodiment.

도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 기판 처리 장치의 평면 개념도이다.9 is a schematic plan view of a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 본 실시예에 따른 기판 처리 장치는 반응 공간을 갖는 챔버(110)와, 히팅 부재(미도시)를 갖고 복수의 기판(200)이 안착되는 기판 안착 수단(120)과, 상기 기판 안착 수단(120)을 움직이는 구동 수단(160)과, 상기 반응 공간에 공정 가스를 공급하는 가스 공급 수단(130)과, 상기 기판(200)이 인입되는 영역의 상기 기판 안착 수단(120) 상부 영역에 마련된 제 1 가열 수단(140)과, 상기 제 1 가열 수단(140)과 인접하여 상기 기판 안착 수단(120)의 이동 방향으로 이격된 제 2 가열 수단(150)을 포함한다. 9, a substrate processing apparatus according to the present embodiment includes a chamber 110 having a reaction space, a substrate seating means 120 having a heating member (not shown) and a plurality of substrates 200 mounted thereon, A driving means 160 for moving the substrate seating means 120, a gas supply means 130 for supplying a process gas to the reaction space, and the substrate seating means 120 in a region into which the substrate 200 is retracted The first heating means 140 provided in the upper region and the second heating means 150 adjacent to the first heating means 140 and spaced apart in the moving direction of the substrate mounting means 120.

일 기판(200)이 기판 출입부(112)를 통해 기판 안착 수단(120)에 안착되는 기판 안착 수단(120)의 상부 영역(예를들어 챔버리드)에 제 1 가열 수단(140)을 배치하고, 기판 출입부(112)를 통해 기판 안착 수단(120)에 안착된 일 기판(200)이 최초 회전하여 정지하는 위치에 제 2 가열 수단(150)을 배치하는 것이 바람직하다. 물론 상기 제 2 가열 수단(150)의 위치는 일 기판(200)이 적어도 한번 이상 회전하여 정지하는 위치에 마련될 수도 있다. 상기 도 10에서는 기판 안착 수단(120)이 시계방향으로 회전함을 고려하여 제 1 및 2 가열 수단(140, 150)을 도시하였다. Place the first heating means 140 in the upper region (eg chamber lid) of the substrate seating means 120 where one substrate 200 is seated on the substrate seating means 120 via the substrate entrance 112. The second heating means 150 may be disposed at a position where the first substrate 200 mounted on the substrate seating means 120 rotates and stops for the first time. Of course, the position of the second heating means 150 may be provided at a position where one substrate 200 rotates at least once and stops. In FIG. 10, the first and second heating means 140 and 150 are illustrated in consideration of the rotation of the substrate seating means 120 in a clockwise direction.

상기와 같이 본 실시예에서는 두개의 가열 수단을 통해 좀더 정밀한 온도 제어를 수행할 수 있다. 즉, 기판(200)이 기판 출입부(112)를 통해 인입 안착되는 경 우 제 1 가열 수단(140)에 의해 충분한 가열이 이루어지지 않을 수도 있다. 따라서, 제 2 가열 수단(150)을 통해 기판(200)을 추가로 가열하여 기판(200)의 상하부간의 온도차를 줄일 수 있다. 또한, 기판(200)이 기판 출입구(112)를 통해 챔버 (110)내부로 인입되어 고온의 기판 안착 수단(120) 상에 안착될때, 실질적으로 기판(200)이 기판 안착 수단(120)에 의해 그 하부가 가열되는 시간보다 상부의 제 1 가열 수단(140)에 의해 직접 가열되는 시간이 더 길어질 수 있다. 이로인해 오히려 기판(200) 상부의 온도가 기판(200) 하부의 온도보다 더 높아지는 문제가 발생한다. 따라서, 제 1 가열 수단(140)은 그 가열 온도를 기판 안착 수단(120)의 온도보다 낮게 하고, 제 2 가열 수단(150)은 그 가열 온도를 기판 안착 수단(120)과 비슷하게 하여 기판(200) 상하부간의 온도차를 줄이고, 기판(200)의 충분한 가열이 이루어지도록 할 수 있다. 이를 통해 기판(200)의 상부 표면을 가열하여 기판(200)의 상하부간의 온도차를 줄이되, 순차적으로 단계를 두고 줄여감으로써 기판(200)의 상부가 짧은 시간에 고온으로 가열되어 박막이 손상되는 것을 방지한다. 상기의 제 1 및 제 2 가열 수단(140, 150)은 각기 독립적으로 제어되는 것이 바람직하다. 물론 이에 한정되지 않고, 단일 제어수단에 의해 제어될 수도 있다. 그리고, 상기 제 1 및 제 2 가열 수단(140, 150)의 가열 온도 또한 동일할 수도 있다. As described above, in the present embodiment, more precise temperature control may be performed through two heating means. That is, when the substrate 200 is seated and seated through the substrate entrance part 112, sufficient heating may not be performed by the first heating means 140. Accordingly, the temperature difference between the upper and lower portions of the substrate 200 may be reduced by further heating the substrate 200 through the second heating means 150. In addition, when the substrate 200 is introduced into the chamber 110 through the substrate entrance 112 and seated on the high temperature substrate mounting means 120, the substrate 200 is substantially formed by the substrate mounting means 120. The time for direct heating by the upper first heating means 140 may be longer than the time during which the lower portion is heated. This causes a problem that the temperature of the upper portion of the substrate 200 is higher than the temperature of the lower portion of the substrate 200. Accordingly, the first heating means 140 lowers the heating temperature of the substrate mounting means 120 and the second heating means 150 makes the heating temperature similar to the substrate seating means 120. The temperature difference between the upper and lower portions may be reduced, and sufficient heating of the substrate 200 may be achieved. Through this, the upper surface of the substrate 200 is heated to reduce the temperature difference between the upper and lower portions of the substrate 200, and the steps are sequentially reduced so that the upper portion of the substrate 200 is heated to a high temperature in a short time to damage the thin film. prevent. Preferably, the first and second heating means 140, 150 are controlled independently of each other. Of course, the present invention is not limited thereto and may be controlled by a single control means. In addition, the heating temperatures of the first and second heating means 140 and 150 may also be the same.

상술한 바와 같이 본 발명은 복수의 기판을 순차적으로 수용하는 챔버의 상부에 국부적으로 설치된 가열 수단을 통해 챔버 내부로 인입되는 기판의 상부면을 가열하여 인입 안착되는 단일 기판의 상하부간의 온도차와 복수 기판들 간의 온도차를 최소화할 수 있다. As described above, the present invention provides a plurality of substrates and a temperature difference between upper and lower portions of a single substrate to be seated by heating the upper surface of the substrate introduced into the chamber through a heating means locally installed in the upper portion of the chamber that sequentially receives the plurality of substrates. The temperature difference between them can be minimized.

또한, 기판 및 기판들간의 온도차를 최소화하여 기판의 변형을 방지할 수 있고, 기판 상에 증착되는 박막의 막질을 균일하게 유지할 수 있고, 신뢰성 있는 박막의 증착이 가능해진다. In addition, the temperature difference between the substrate and the substrates can be minimized to prevent deformation of the substrate, the film quality of the thin film deposited on the substrate can be maintained uniformly, and reliable thin film deposition can be performed.

또한, 공정 가스를 공급하기 전에 챔버 내부에서 기판을 가열할 수 있다. It is also possible to heat the substrate inside the chamber before supplying the process gas.

또한, 반응 공간 전체를 가열하지 않고, 국부적인 공간만을 가열하고도 균일한 막질의 박막을 증착할 수 있다. In addition, a thin film having a uniform film quality can be deposited without heating the entire reaction space but only the local space.

본 발명은 상기에서 서술된 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다. 즉, 상기의 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명의 범위는 본원의 특허 청구 범위에 의해서 이해되어야 한다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, but may be embodied in various forms. In other words, the above-described embodiments are provided so that the disclosure of the present invention is complete, and those skilled in the art will fully understand the scope of the invention, and the scope of the present invention should be understood by the appended claims .

Claims (28)

다수의 기판을 반응 공간에 순차적으로 안치하고, 안치된 기판의 하부면을 동시에 가열하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서,A substrate processing apparatus for sequentially placing a plurality of substrates in the reaction space, and heating the lower surface of the placed substrate at the same time to process the substrate, 상기 반응 공간으로 진입하여 안치된 기판의 상부면을 가열하도록 상기 반응 공간의 상부에 설치되는 가열 수단을 더 포함하고,And heating means installed in the upper portion of the reaction space to enter the reaction space and heat the upper surface of the substrate placed therein, 상기 가열 수단은 상기 반응 공간에 안치되는 다수의 기판을 순차적으로 가열하는 기판 처리 장치.And the heating means sequentially heats a plurality of substrates placed in the reaction space. 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판처리 장치는 기판 출입부를 가지며,The substrate processing apparatus has a substrate entry part, 상기 기판 출입부가 위치한 상기 반응 공간의 상부에 상기 가열 수단이 설치되는 기판 처리 장치.And the heating means is provided at an upper portion of the reaction space in which the substrate entrance and exit is located. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가열 수단의 가열 온도는 기판의 하부면을 가열하는 온도보다 높지 않은 기판 처리 장치.And a heating temperature of the heating means is not higher than a temperature for heating the lower surface of the substrate. 삭제delete 다수의 기판을 반응 공간에 안치하고 기판의 하부면을 동시에 가열하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서,A substrate processing apparatus for processing a substrate by placing a plurality of substrates in the reaction space and simultaneously heating the lower surface of the substrate, 상기 다수의 기판 중 어느 하나의 상부면을 가열하도록 상기 반응 공간 상부에 설치되는 가열 수단을 더 포함하고,And heating means installed above the reaction space to heat the top surface of any one of the plurality of substrates, 상기 가열 수단은 상기 반응 공간에 안치되는 다수의 기판을 순차적으로 가열하는 기판 처리 장치.And the heating means sequentially heats a plurality of substrates placed in the reaction space. 삭제delete 삭제delete 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 가열 수단의 가열 온도는 기판의 하부면을 가열하는 온도보다 높지 않은 기판 처리 장치.And a heating temperature of the heating means is not higher than a temperature for heating the lower surface of the substrate. 삭제delete 다수의 기판의 하부면을 가열하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서,A substrate processing apparatus for processing a substrate by heating the lower surface of the plurality of substrates, 적어도 2개 이상의 기판을 안치하는 기판 안치 수단;Substrate placing means for placing at least two substrates; 상기 기판 안치 수단에 안치된 기판의 하부면을 가열하는 제 1 가열 수단;First heating means for heating a lower surface of the substrate placed in the substrate placing means; 상기 기판 안치 수단을 회전시키는 구동 수단;Driving means for rotating the substrate placing means; 상기 기판 안치 수단 상에 공정 가스를 공급하는 가스 공급 수단;Gas supply means for supplying a process gas onto the substrate placing means; 상기 기판 안치 수단에 안치되는 기판 중 어느 하나의 상부에 대응되도록 설치되어 해당 기판의 상부면을 가열하는 제 2 가열 수단을 포함하고,A second heating means installed to correspond to an upper portion of any one of the substrates placed in the substrate placing means and heating the upper surface of the substrate; 상기 제 2 가열 수단은 상기 기판 안치 수단에 안치되는 다수의 기판을 순차적으로 가열하는 기판 처리 장치.And the second heating means sequentially heats a plurality of substrates placed in the substrate placing means. 삭제delete 삭제delete 제 12 항에 있어서,13. The method of claim 12, 상기 제 2 가열 수단은 상기 기판 처리 장치의 기판 출입부 앞의 상기 기판 안치 수단의 상부 영역에 마련되는 기판 처리 장치.And the second heating means is provided in an upper region of the substrate placing means in front of the substrate entrance and exit portion of the substrate processing apparatus. 삭제delete 삭제delete 제 12 항에 있어서,13. The method of claim 12, 상기 제 2 가열 수단의 가열 면적은 기판 한 장의 면적보다 같거나 크고, 두 기판을 동시에 가열하지 않는 면적인 기판 처리 장치.And a heating area of the second heating means is equal to or larger than that of one substrate, and does not heat both substrates at the same time. 제 12 항에 있어서,13. The method of claim 12, 상기 제 2 가열 수단의 가열 온도는 기판의 하부면을 가열하는 온도보다 높지 않은 기판 처리 장치.And a heating temperature of the second heating means is not higher than a temperature for heating the lower surface of the substrate. 삭제delete 다수의 기판의 하부면을 가열하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서,A substrate processing apparatus for processing a substrate by heating the lower surface of the plurality of substrates, 적어도 2개 이상의 기판을 안치하는 기판 안치 수단;Substrate placing means for placing at least two substrates; 상기 기판 안치 수단에 안치된 기판의 하부면을 가열하는 제 1 가열 수단;First heating means for heating a lower surface of the substrate placed in the substrate placing means; 상기 기판 안치 수단을 회전시키는 구동 수단;Driving means for rotating the substrate placing means; 상기 기판 안치 수단 상에 공정 가스를 공급하는 가스 공급 수단;Gas supply means for supplying a process gas onto the substrate placing means; 상기 기판 안치 수단에 안치되는 기판 중 어느 하나의 상부에 대응되도록 설치되어 해당 기판의 상부면을 가열하는 제 2 가열 수단;Second heating means installed to correspond to an upper portion of any one of the substrates placed in the substrate placing means and heating the upper surface of the substrate; 상기 제 2 가열 수단에 연접하여 상기 제 2 가열 수단에서 가열되는 기판보다 먼저 들어온 기판의 상부면을 가열하는 제 3 가열 수단;Third heating means connected to the second heating means to heat the upper surface of the substrate that comes before the substrate heated by the second heating means; 을 더 포함하는 기판 처리 장치. Substrate processing apparatus further comprising. 제 21 항에 있어서,22. The method of claim 21, 상기 제 2 및 제 3 가열 수단의 온도는 상기 제 1 가열 수단의 온도보다 높지 않은 기판 처리 장치.And the temperature of the second and third heating means is not higher than the temperature of the first heating means. 제 21 항에 있어서,22. The method of claim 21, 상기 제 2 가열 수단의 온도는 상기 제 3 가열 수단의 온도보다 높지 않은 기판 처리 장치.And the temperature of the second heating means is not higher than the temperature of the third heating means. 삭제delete 다수의 기판의 하부면을 가열하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치의 기판 처리 방법에 있어서,In the substrate processing method of the substrate processing apparatus which heats the lower surface of many board | substrates, and processes a board | substrate, (a) 고온의 기판 처리 장치를 유지하는 단계;(a) maintaining a high temperature substrate processing apparatus; (b) 상기 기판 처리 장치에 진입하는 기판을 대상으로 해당 기판의 상부면을 가열하는 단계;(b) heating an upper surface of the substrate for the substrate entering the substrate processing apparatus; (c) 상기 기판을 상기 기판 처리 장치의 기판 안치 수단에 안치를 완료하는 단계;(c) completing the placing of the substrate on the substrate placing means of the substrate processing apparatus; (d) 상기 안치된 기판의 위치를 이동시키는 단계;(d) moving the position of the deposited substrate; (e) 상기 기판 처리 장치에 또다른 기판을 진입시켜 상기 (b),(c),(d) 단계를 반복하는 단계;(e) entering another substrate into the substrate processing apparatus and repeating steps (b), (c) and (d); (f) 상기 기판 처리 장치에 다수의 기판의 안치를 완료하는 단계를 포함하고,(f) completing the settling of the plurality of substrates in the substrate processing apparatus, 상기 기판의 상부면을 가열하는 단계에 있어서,In the step of heating the upper surface of the substrate, 진입되는 기판에 대해서 순차적으로 가열 온도를 증가시키는 기판 처리 방법.A substrate processing method for sequentially increasing the heating temperature with respect to the entering substrate. 삭제delete 제 25 항에 있어서,26. The method of claim 25, 상기 기판의 상부면 가열 온도는 기판의 하부면 가열온도보다 높지 않은 기판 처리 방법.And the upper surface heating temperature of the substrate is not higher than the lower surface heating temperature of the substrate. 삭제delete
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