KR20230080054A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 복수의 처리공간을 형성하는 공정챔버 내에서 복수의 기판에 대해 기판처리를 수행하는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다.
본 발명은, 기판(1)을 처리하기 위해 서로 구분된 N개의 처리공간(S)(N은 2 이상의 자연수)이 형성되는 공정챔버(100)와; N개의 상기 처리공간(S)에 각각 대응되어 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되며 상기 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 N개의 가스분사부(200)와; 상기 가스분사부(200)에 대향하며 기판(1)을 지지하는 N개의 기판지지부(300)와; 상기 공정챔버(100)에 설치되어 상기 기판(1)이 안착되며, 안착된 상기 기판(1)을 수직방향 회전축으로 회전시키는 회전구동부(500)와; 상기 공정챔버(100)에 설치되어 상기 기판지지부(300)와 상기 기판회전부(500) 사이 및 하나의 기판지지부(300) 측과 다른 기판지지부(300) 측 사이에서 상기 기판(1)을 이송하는 기판이송부(400)를 포함하는 기판처리장치를 개시한다. The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for performing substrate processing on a plurality of substrates within a process chamber forming a plurality of processing spaces.
The present invention includes a process chamber 100 in which N processing spaces S separated from each other to process a substrate 1 (N is a natural number of 2 or more) are formed; N gas dispensing units 200 corresponding to the N processing spaces S, installed above the process chamber 100, and injecting gas into the processing spaces S; N substrate support units 300 facing the gas dispensing unit 200 and supporting the substrate 1; a rotation drive unit 500 installed in the process chamber 100 to seat the substrate 1 and rotating the substrate 1 on a vertical axis of rotation; It is installed in the process chamber 100 to transfer the substrate 1 between the substrate support part 300 and the substrate rotation part 500 and between one substrate support part 300 side and another substrate support part 300 side A substrate processing apparatus including a substrate transfer unit 400 is disclosed.

Description

기판처리장치 및 기판처리방법{Substrate processing apparatus and substrate processing method}Substrate processing apparatus and substrate processing method

본 발명은 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 복수의 처리공간을 형성하는 공정챔버 내에서 복수의 기판에 대해 기판처리를 수행하는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for performing substrate processing on a plurality of substrates in a process chamber forming a plurality of processing spaces.

종래 기판처리장치에서 생산성, 공정균일성 등의 다양한 목적으로 하나의 공정챔버 내에서 복수의 기판에 대한 기판처리가 이루어지는 경우가 있다.In a conventional substrate processing apparatus, substrate processing for a plurality of substrates may be performed in one process chamber for various purposes such as productivity and process uniformity.

이를 위하여, 종래 기판처리장치는, 복수의 처리공간들을 형성하며 기판처리를 수행하는 공정챔버와, 공정챔버 상측에 설치되어 처리공간으로 공정가스를 분사하는 복수의 가스분사부들과, 복수의 가스분사부들에 대응되어 공정챔버 내에 설치되며, 기판을 지지하는 복수의 기판지지부들을 포함할 수 있다.To this end, a conventional substrate processing apparatus includes a process chamber forming a plurality of processing spaces and performing substrate processing, a plurality of gas injection units installed above the process chamber to inject process gas into the processing space, and a plurality of gas injection units. Corresponding to the parts, it is installed in the process chamber and may include a plurality of substrate support parts for supporting the substrate.

이때 투입되는 복수의 기판들은 기판이송부를 통해 각각 처리공간에 배치되고 기판처리가 수행되며, 기판처리가 완료되면 기판처리가 완료된 기판들을 공정챔버 외부로 배출한다.At this time, the plurality of substrates input are disposed in the processing space through the substrate transfer unit, and substrate processing is performed. When the substrate processing is completed, the substrates on which the substrate processing is completed are discharged to the outside of the process chamber.

한편, 기판 처리과정에서 기판 위치에 따른 가스분사부를 통한 가스분사량의 편차 등으로 인해 기판 박막 두께 산포가 불균일한 문제점이 있다.On the other hand, there is a problem in that the substrate thin film thickness distribution is non-uniform due to variations in gas injection amount through the gas injection unit according to the substrate position during the substrate processing process.

특히, 단일 공정챔버 내에서 동시에 기판처리가 수행된 기판들 사이에서도 기판처리가 수행된 처리공간에 따라 산포 불균일의 방향 및 정도에 차이가 발생하는 문제점이 있다. In particular, there is a problem in that a difference occurs in the direction and degree of non-uniform distribution according to the processing space in which the substrate processing is performed even between the substrates on which the substrate processing is simultaneously performed within a single process chamber.

구체적으로, 가스분사량 편차 등으로 인해 기판 박막 두께 산포가 180도를 기준으로 일측이 타측보다 높은 산포를 보이는 현상이 발생되는데, 이와 같은 현상이 기판처리가 수행된 처리공간에 따라 그 방향이 서로 다르고 제각각인 문제점이 있다.Specifically, a phenomenon in which one side of the substrate thin film thickness distribution shows a higher distribution than the other side with respect to 180 degrees due to the deviation of the gas injection amount occurs. There are different problems.

본 발명의 목적은, 상기와 같은 문제점을 개선하기 위하여 복수의 기판지지부들을 통해 각 처리공간에서 처리되는 기판을 회전시켜 기판 박막두께 산포를 개선하는 기판처리장치를 제공하는데 있다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that improves substrate thin film thickness distribution by rotating a substrate to be processed in each processing space through a plurality of substrate support units in order to solve the above problems.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 기판(1)을 처리하기 위해 서로 구분된 N개의 처리공간(S)(N은 2 이상의 자연수)이 형성되는 공정챔버(100)와; N개의 상기 처리공간(S)에 각각 대응되어 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되며 상기 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 N개의 가스분사부(200)와; 상기 가스분사부(200)에 대향하며 기판(1)을 지지하는 N개의 기판지지부(300)와; 상기 공정챔버(100)에 설치되어 상기 기판(1)이 안착되며, 안착된 상기 기판(1)을 수직방향 회전축으로 회전시키는 회전구동부(500)와; 상기 공정챔버(100)에 설치되어 상기 기판지지부(300)와 상기 기판회전부(500) 사이 및 하나의 기판지지부(300) 측과 다른 기판지지부(300) 측 사이에서 상기 기판(1)을 이송하는 기판이송부(400)를 포함하는 기판처리장치를 개시한다. The present invention was created to achieve the object of the present invention as described above, and in the present invention, N processing spaces S separated from each other (N is a natural number of 2 or more) are formed to process the substrate 1 a process chamber 100; N gas dispensing units 200 corresponding to the N processing spaces S, installed above the process chamber 100, and injecting gas into the processing spaces S; N substrate support units 300 facing the gas dispensing unit 200 and supporting the substrate 1; a rotation drive unit 500 installed in the process chamber 100 to seat the substrate 1 and rotating the substrate 1 on a vertical axis of rotation; It is installed in the process chamber 100 to transfer the substrate 1 between the substrate support part 300 and the substrate rotation part 500 and between one substrate support part 300 side and another substrate support part 300 side A substrate processing apparatus including a substrate transfer unit 400 is disclosed.

상기 회전구동부(500)는, N개이며, 상기 기판지지부(300)들 사이로서, 상기 기판이송부(400)를 통한 기판 이송경로 상에 각각 설치될 수 있다. The number of rotation driving units 500 is N, and may be installed between the substrate support units 300 and on a substrate transfer path through the substrate transfer unit 400 .

상기 회전구동부(500)는, 기판(1)이 안착되는 회전플레이트(510)와, 상기 회전플레이트(510) 하부에 결합하여 상기 회전플레이트(510)를 지지하는 지지샤프트(520)와, 상기 지지샤프트(520)에 연결되어 상기 회전플레이트(510)에 회전동력을 제공하는 구동모터(530)를 포함할 수 있다.The rotation drive unit 500 includes a rotation plate 510 on which the substrate 1 is seated, a support shaft 520 coupled to a lower portion of the rotation plate 510 to support the rotation plate 510, and the support A drive motor 530 connected to the shaft 520 to provide rotational power to the rotation plate 510 may be included.

상기 회전구동부(500)는, 기판(1)이 안착되는 N개의 회전플레이트(510)와, N개의 상기 회전플레이트(510) 하부에 각각 결합하여 상기 회전플레이트(510)를 지지하는 N개의 지지샤프트(520)와, N개의 상기 지지샤프트(520) 각각에 공통으로 연결되어 N개의 상기 회전플레이트(510)에 회전동력을 제공하는 단일의 구동모터를 포함할 수 있다. The rotary drive unit 500 includes N rotary plates 510 on which the substrate 1 is seated, and N support shafts respectively coupled to the lower portions of the N rotary plates 510 to support the rotary plates 510. 520 and a single drive motor that is commonly connected to each of the N number of support shafts 520 and provides rotational power to the N number of rotation plates 510 .

상기 회전구동부(500)는, 상기 지지샤프트(520) 중 상기 회전플레이트(510)와 상기 구동모터(530) 사이에 구비되는 자성유체실(540)을 추가로 포함할 수 있다. The rotary drive unit 500 may further include a magnetic fluid chamber 540 provided between the rotation plate 510 and the driving motor 530 among the support shafts 520 .

상기 회전플레이트(510)는, 안착되는 상기 기판(1)을 고정하기 위한 진공척 또는 정전척일 수 있다. The rotation plate 510 may be a vacuum chuck or an electrostatic chuck for fixing the substrate 1 to be seated thereon.

상기 회전구동부(500)는, 상기 회전플레이트(510)를 승강구동하는 승강구동부를 추가로 포함할 수 있다. The rotation drive unit 500 may further include a lift drive unit for driving the rotation plate 510 up and down.

N개의 상기 회전구동부(500) 각각을 개별적으로 제어하는 제어부를 추가로 포함하며, 상기 제어부는, 각각의 처리공간(S)들에 대해 미리 설정된 개별적인 회전보상값으로 각 기판(1)들을 N개의 상기 회전구동부(500)를 통해 개별적인 회전각도로 회전시킬 수 있다. It further includes a control unit for individually controlling each of the N rotary driving units 500, wherein the control unit moves each substrate 1 to N rotation compensation values set in advance for each of the processing spaces S. It can be rotated at individual rotation angles through the rotation driving unit 500 .

상기 회전보상값은, 각 처리공간(S)들에서 처리된 각 기판(1) 박막의 두께 산포에 대한 균일도 측정에 따라 설정될 수 있다. The rotation compensation value may be set according to the uniformity measurement of the thickness distribution of each thin film of the substrate 1 processed in each processing space S.

또한 본 발명은, 기판(1)을 처리하기 위해 서로 구분된 N개의 처리공간(S)(N은 2 이상의 자연수)이 형성되는 공정챔버(100)와; N개의 상기 처리공간(S)에 각각 대응되어 기판(1)을 지지하는 N개의 기판지지부(300)와, 상기 공정챔버(100)에 설치되어 기판(1)을 이송하는 기판이송부(400)와; 상기 기판이송부(400)를 통한 기판(1) 이송경로 상에 설치되며, 상기 기판이송부(400)를 통해 이송되어 안착된 상기 기판(1)을 수직방향 회전축으로 회전시키는 N개의 회전구동부(500)를 포함하는 기판처리장치를 통한 기판처리방법으로서, N개의 상기 처리공간(S)들 각각에 위치한 기판(1)에 대한 박막 증착이 수행되는 기판처리단계(S100)와; 상기 기판처리단계(S100) 이후에 N개의 상기 기판지지부(300)에서 N개의 상기 회전구동부(500)로 기판(1)들을 이송하는 기판이송단계(S200)와; 상기 회전구동부(500)를 통해 기판(1)들 중 적어도 하나를 수직방향 회전축으로 회전시키는 기판회전단계(S300)를 포함하며, 상기 기판회전단계(S300)는, 각각의 처리공간(S)들에 대해 미리 설정된 개별적인 회전보상값으로 각 기판(1)들을 N개의 상기 회전구동부(500)를 통해 개별적인 회전각도로 회전시키는 기판처리방법을 개시한다. In addition, the present invention includes a process chamber 100 in which N processing spaces S separated from each other (N is a natural number of 2 or more) are formed to process the substrate 1; N substrate support units 300 respectively corresponding to the N processing spaces S to support the substrate 1 , and a substrate transfer unit 400 installed in the process chamber 100 to transfer the substrate 1 and; It is installed on the substrate 1 transfer path through the substrate transfer unit 400 and rotates the substrate 1 transported and seated through the substrate transfer unit 400 in a vertical rotation axis N rotational driving units ( 500), comprising: a substrate processing step (S100) of performing thin film deposition on the substrate (1) located in each of the N processing spaces (S); a substrate transfer step (S200) of transferring the substrates 1 from the N substrate support units 300 to the N rotation drive units 500 after the substrate processing step (S100); and a substrate rotation step (S300) of rotating at least one of the substrates (1) on a vertical axis of rotation through the rotation drive unit (500), wherein the substrate rotation step (S300) is performed on each of the processing spaces (S). Disclosed is a substrate processing method in which each substrate 1 is rotated at an individual rotation angle through the N rotation driving units 500 with individual rotation compensation values set in advance for .

상기 기판회전단계(S300) 이전에 기판지지부(300)들에서 처리되는 각 기판(1)에 대한 회전각도인 상기 회전보상값을 설정하는 회전보상값설정단계(S600)를 추가로 포함할 수 있다. Prior to the substrate rotation step (S300), a rotation compensation value setting step (S600) of setting the rotation compensation value, which is a rotation angle for each substrate 1 processed in the substrate support units 300, may be further included. .

상기 회전보상값설정단계(S600)는, 증착된 각 기판(1) 박막의 두께 산포를 측정하는 균일도측정단계와, 상기 균일도측정단계 결과에 따라 각 기판지지부(300)에서 처리되는 각 기판(1)에 대한 상기 회전보상값을 결정하는 회전보상값결정단계를 포함할 수 있다. The rotation compensation value setting step (S600) is a uniformity measurement step of measuring the thickness distribution of each thin film of each substrate 1 deposited, and each substrate 1 processed in each substrate support unit 300 according to the result of the uniformity measurement step. A rotation compensation value determining step of determining the rotation compensation value for ) may be included.

상기 기판처리단계(S100), 상기 기판이송단계(S200) 및 상기 기판회전단계(S300)는 순차적으로 복수회 수행되며, 상기 회전보상값설정단계(S600)는, 최초 상기 기판처리단계(S100) 이전에 1회 수행되어 상기 회전보상값을 설정할 수 있다. The substrate processing step (S100), the substrate transfer step (S200), and the substrate rotation step (S300) are sequentially performed a plurality of times, and the rotation compensation value setting step (S600) is the first substrate processing step (S100). It may be performed once before to set the rotation compensation value.

상기 회전보상값설정단계(S600)는, 상기 기판처리단계(S100)와 상기 기판회전단계(S300) 사이에 수행될 수 있다. The rotation compensation value setting step (S600) may be performed between the substrate processing step (S100) and the substrate rotation step (S300).

상기 기판회전단계(S300) 이후에 N개의 상기 회전구동부(500)에서 N개의 상기 기판지지부(300)로 기판(1)들을 이송하는 기판재이송단계(S400)를 포함하며, 상기 기판재이송단계(S400) 이후에 상기 기판처리단계(S100)가 추가로 수행될 수 있다. After the substrate rotation step (S300), a substrate re-transfer step (S400) of transferring the substrates 1 from the N rotation driving units 500 to the N substrate support units 300 is included, and the substrate re-transfer step After (S400), the substrate processing step (S100) may be additionally performed.

본 발명에 따른 기판처리장치 및 기판처리방법은, 복수의 처리공간에 배치되는 기판을 회전시켜 균일한 기판처리가 가능한 이점이 있다.The substrate processing apparatus and substrate processing method according to the present invention have an advantage in that uniform substrate processing is possible by rotating substrates disposed in a plurality of processing spaces.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치 및 기판처리방법은, 복수의 처리공간에 배치되는 기판들을 개별적이고 독립적으로 방향, 각도, 속도로 회전 제어함으로써 각 처리공간에 최적화된 기판 박막 두께에 대한 산포개선이 가능한 이점이 있다.In addition, the substrate processing apparatus and substrate processing method according to the present invention individually and independently control the rotation of substrates disposed in a plurality of processing spaces in a direction, angle, and speed, thereby improving the distribution of the substrate thin film thickness optimized for each processing space. There are possible advantages to this.

도 1은, 본 발명에 따른 기판처리장치의 모습을 보여주는 단면도이다.
도 2는, 도 1에 따른 기판처리장치의 구성일부를 보여주는 평면도이다.
도 3은, 도 1에 따른 기판처리장치 중 회전구동모듈의 모습을 보여주는 사시도이다.
도 4a 내지 도 4d는, 도 1에 따른 기판처리장치를 통해 기판이 이송되는 모습을 보여주는 도면들이다.
도 5는, 본 발명에 따른 기판처리방법을 보여주는 순서도이다.
도 6은, 본 발명에 따른 기판처리방법의 다른 실시예를 보여주는 순서도이다.1 is a cross-sectional view showing the appearance of a substrate processing apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a plan view showing a part of the configuration of the substrate processing apparatus according to FIG. 1 .
FIG. 3 is a perspective view showing a rotation driving module of the substrate processing apparatus according to FIG. 1 .
4A to 4D are views showing how a substrate is transferred through the substrate processing apparatus according to FIG. 1 .
5 is a flow chart showing a substrate processing method according to the present invention.
6 is a flowchart showing another embodiment of a substrate processing method according to the present invention.

이하 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 기판(1)을 처리하기 위해 서로 구분된 N개의 처리공간(S)(N은 2 이상의 자연수)이 형성되는 공정챔버(100)와; N개의 상기 처리공간(S)에 각각 대응되어 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되며 상기 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 N개의 가스분사부(200)와; 상기 가스분사부(200)에 대향하며 기판(1)을 지지하는 N개의 기판지지부(300)와; 상기 공정챔버(100)에 설치되어 상기 기판(1)이 안착되며, 안착된 상기 기판(1)을 수직방향 회전축으로 회전시키는 회전구동부(500)와; 상기 공정챔버(100)에 설치되어 상기 기판지지부(300)와 상기 기판회전부(500) 사이 및 하나의 기판지지부(300) 측과 다른 기판지지부(300) 측 사이에서 상기 기판(1)을 이송하는 기판이송부(400)를 포함한다. As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus according to the present invention includes a process chamber 100 in which N processing spaces S separated from each other (N is a natural number of 2 or more) are formed to process a substrate 1. and; N gas dispensing units 200 corresponding to the N processing spaces S, installed above the process chamber 100, and injecting gas into the processing spaces S; N substrate support units 300 facing the gas dispensing unit 200 and supporting the substrate 1; a rotation drive unit 500 installed in the process chamber 100 to seat the substrate 1 and rotating the substrate 1 on a vertical axis of rotation; It is installed in the process chamber 100 to transfer the substrate 1 between the substrate support part 300 and the substrate rotation part 500 and between one substrate support part 300 side and another substrate support part 300 side A substrate transfer unit 400 is included.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, N개의 상기 회전구동부(500) 각각을 개별적으로 제어하는 제어부를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention may further include a control unit for individually controlling each of the N rotary driving units 500 .

본 발명의 처리대상인 기판(1)은, 증착, 식각 등 기판처리가 수행되는 구성으로서, 반도체 제조용기판, LCD 제조용 기판, OLED 제조용 기판, 태양전지 제조용 기판, 투명 글라스기판 등 어떠한 기판도 가능하다.The substrate 1, which is a processing target of the present invention, is a configuration in which substrate processing such as deposition and etching is performed, and any substrate such as a substrate for semiconductor manufacturing, a substrate for LCD manufacturing, a substrate for OLED manufacturing, a substrate for solar cell manufacturing, and a transparent glass substrate is possible.

그리고 본 발명에 따른 기판처리장치에 의하여 수행되는 기판처리는, 처리공간 내에서 기판처리를 수행하는 기판처리공정이면 어떠한 공정도 가능하다.Further, the substrate processing performed by the substrate processing apparatus according to the present invention may be any process as long as it is a substrate processing process in which substrate processing is performed in a processing space.

상기 공정챔버(100)는, 기판처리를 위한 처리공간(S)을 형성하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The process chamber 100 is a configuration that forms a processing space S for substrate processing, and various configurations are possible.

예로서, 상기 공정챔버(100)는, 상측에 개구가 형성된 챔버본체(110)와, 챔버본체(110)의 개구에 탈착가능하게 결합되어 챔버본체(110)와 함께 기판처리공간을 형성하는 상부리드(120)를 포함하여 구성될 수 있다.For example, the process chamber 100 includes a chamber main body 110 having an opening formed thereon, and an upper part that is detachably coupled to the opening of the chamber main body 110 to form a substrate processing space together with the chamber main body 110. It may be configured to include a lead 120.

또한, 상기 공정챔버(100)는, 복수의 기판에 대한 기판처리를 위하여 서로 다른 N개의 처리공간(S)들(N은 2 이상의 자연수)을 형성함이 바람직하다. In addition, the process chamber 100 preferably forms N different processing spaces S (where N is a natural number equal to or greater than 2) for substrate processing of a plurality of substrates.

상기 N개의 처리공간(S)들은 공정챔버(100) 내에서 서로 완전히 밀폐된 공간은 아니나 공간적으로 구분(분리)되는 공간일 수 있다.The N number of processing spaces S are not spaces completely sealed from each other within the process chamber 100, but may be spatially separated (separated) spaces.

예로서, 상기 공정챔버(100)는, 평면상 원주방향으로 배치되는 4개의 처리공간(S)을 형성할 수 있다.For example, the process chamber 100 may form four processing spaces S arranged in a circumferential direction on a plane.

이때, 상기 챔버본체(110)에는, 도 1에 도시된 바와 같이, 후술하는 기판지지부(300)가 배치되는 기판지지부 안착홈(114)이 형성될 수 있다.At this time, as shown in FIG. 1 , the chamber main body 110 may be formed with a substrate supporter mounting groove 114 in which a substrate supporter 300 to be described later is disposed.

상기 기판지지부 안착홈(114)은 챔버본체(110)의 바닥면에 형성될 수 있다.The substrate support seating groove 114 may be formed on a bottom surface of the chamber body 110 .

상기 공정챔버(100) 내에 4개의 기판지지대부(300)가 구비되는 경우, 4개의 기판지지부 안착홈(114)이 각각 형성될 수 있다.When four substrate support units 300 are provided in the process chamber 100, four substrate support unit seating grooves 114 may be respectively formed.

상기 공정챔버(100)의 내부 공간은 일반적으로 진공 분위기로 형성되므로, 상기 챔버본체(110)의 바닥면에는 각 기판지지부 안착홈(114)에 존재하는 공정 가스의 배출을 위한 배기홈부(미도시)와 배기포트(미도시)가 형성될 수 있다. Since the inner space of the process chamber 100 is generally formed in a vacuum atmosphere, the bottom surface of the chamber body 110 has exhaust grooves (not shown) for discharging process gases present in each substrate support seating groove 114. ) and an exhaust port (not shown) may be formed.

상기 배기포트(미도시)는 외부에 구비되는 펌프에 연결된 배기 라인과 연결될 수 있다.The exhaust port (not shown) may be connected to an exhaust line connected to an external pump.

또한, 상기 챔버본체(110)의 바닥면에는 후술하는 기판지지부(300)의 지지샤프트(312)가 삽입되는 관통홀이 각 기판지지부 안착홈(114)마다 형성될 수 있다.In addition, a through hole into which a support shaft 312 of the substrate supporter 300 to be described later is inserted may be formed on the bottom surface of the chamber body 110 for each substrate supporter seating groove 114 .

상기 기판지지부 안착홈(114)과 후술하는 기판지지부(300) 사이에는 틈이 형성되어, 기판 처리가 완료된 공정가스(원료가스, 플라즈마가스, 세정가스 등)가 틈으로 유입되어 배기포트(미도시)를 통해 배기될 수 있다.A gap is formed between the substrate supporter seating groove 114 and the substrate supporter 300 to be described later, and process gas (raw material gas, plasma gas, cleaning gas, etc.) after substrate processing is introduced into the gap through an exhaust port (not shown). ) can be exhausted through

그리고 상기 공정챔버(100)는, 기판(1)의 도입 및 배출을 위한 하나 이상의 게이트가 형성될 수 있다.Also, the process chamber 100 may have one or more gates for introducing and discharging the substrate 1 .

또한, 공정챔버(100) 게이트에 설치되어 게이트를 개폐함으로써, 처리공간(S)의 진공상태를 조성하고 기판(1)이 도입 및 배출되도록 개폐도어(130)를 포함할 수 있다. In addition, it may include an opening/closing door 130 installed at the gate of the process chamber 100 to open and close the gate to create a vacuum state in the processing space S and allow the substrate 1 to be introduced and discharged.

상기 공정챔버(100)는, 기판처리 수행을 위한 전원인가시스템, 처리공간의 압력 제어 및 배기를 위한 배기시스템 등이 연결 또는 설치될 수 있다.The process chamber 100 may be connected to or installed with a power supply system for substrate processing, an exhaust system for pressure control and exhaust of the processing space, and the like.

상기 N개의 가스분사부(200)들은, 상기 N개의 처리공간(S)에 각각 대응되어 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되며 상기 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The N number of gas injection units 200 correspond to the N number of processing spaces S, are installed above the process chamber 100, and inject gas into the processing space S, and various configurations are possible. do.

상기 가스분사부(200)는, 처리공간(S)의 개수에 대응되는 수로 설치되며 공정챔버(100) 상측에 설치되어 각 처리공간(S)으로 공정가스를 분사할 수 있다.The gas dispensing unit 200 is installed in a number corresponding to the number of processing spaces S and is installed above the process chamber 100 to inject process gas into each processing space S.

예로서, 상기 가스분사부(200)는, 상부리드(120)에 설치되며 일측에 형성되는 가스유입부(미도시)와, 가스유입부를 통해 유입된 공정가스를 확산시키는 하나 이상의 확산플레이트(미도시)와, 확산된 공정가스를 처리공간(S)을 향해 분사하는 복수의 분사홀(미도시)들을 포함할 수 있다.For example, the gas injection unit 200 includes a gas inlet (not shown) installed on the upper lid 120 and formed on one side, and one or more diffusion plates (not shown) for diffusing the process gas introduced through the gas inlet. ) and a plurality of injection holes (not shown) for injecting the diffused process gas toward the processing space S.

상기 기판이송부(400)는, 공정챔버(100)에 설치되어 N개의 기판지지부(300) 중 하나의 기판지지부(300) 측에서 다른 기판지지부(300) 측으로 기판(1)을 이송하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The substrate transfer unit 400 is installed in the process chamber 100 and transfers the substrate 1 from one substrate support unit 300 side of the N substrate support units 300 to the other substrate support unit 300 side. , various configurations are possible.

또한, 상기 기판이송부(400)는, 공정챔버(100)에 설치되어 기판지지부(300)와 회전구동부(500) 사이에서 기판(1)을 이송하는 구성일 수 있다.In addition, the substrate transfer unit 400 may be installed in the process chamber 100 to transfer the substrate 1 between the substrate support unit 300 and the rotary driving unit 500 .

예로서, 상기 기판이송부(400)는, 상면에 기판(1)이 안착되는 안착영역이 형성된 기판안착블레이드(410)와, 하나 이상의 기판안착블레이드(410)가 결합되는 결합몸체부(420)를 포함할 수 있다.For example, the substrate transfer unit 400 includes a substrate seating blade 410 having a seating area on the upper surface of which the substrate 1 is seated, and a coupling body portion 420 in which one or more substrate seating blades 410 are coupled. can include

상기 기판안착블레이드(410)는, 기판지지부(300)의 리프트핀(362)에 의해 상측으로 들어올려진 기판(1)과 기판안착면(311) 사이로 진입하여 해당 기판(1)을 지지하기 위한 안착영역이 형성되는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The substrate seating blade 410 enters between the substrate 1 lifted upward by the lift pins 362 of the substrate support unit 300 and the substrate seating surface 311 to support the substrate 1. Various configurations are possible as a configuration in which the region is formed.

상기 기판안착블레이드(410)는, N개의 기판지지부(300)에 대응되는 개수로 구비될 수 있고, 상기 결합몸체부(420)에 방사형으로 결합될 수 있다.The substrate seating blade 410 may be provided in a number corresponding to the number of N substrate supporters 300 and may be radially coupled to the coupling body 420 .

한편, 상기 기판안착블레이드(410)는, 공정환경에 따라 다양한 재질로 이루어질 수 있으나, 공정환경 노출되는 바 고온에 강하며 내식성 있는 재질로 형성됨이 바람직하다. Meanwhile, the substrate seating blade 410 may be made of various materials depending on the process environment, but is preferably formed of a material that is resistant to high temperatures and has corrosion resistance as it is exposed to the process environment.

예로서, 상기 기판안착블레이드(410)는, 세라믹재질로 이루어지며 세라믹가공에 의해 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the substrate seating blade 410 is made of a ceramic material and may be formed by ceramic processing, but is not limited thereto.

또한, 상기 기판안착블레이드(410)는, 리프트핀(362)과 간섭없이 기판(1)을 안정적으로 전달하거나 전달받을 수 있다면 다양한 형상으로 형성될 수 있으며, 예로서, 도 2에 도시된 바와 같이, 갈고리 형상으로 형성될 수 있다.In addition, the substrate seating blade 410 may be formed in various shapes as long as it can stably deliver or receive the substrate 1 without interference with the lift pins 362. For example, as shown in FIG. , can be formed in a hook shape.

상기 결합몸체부(420)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 공정챔버(100)의 중앙부에 설치되며 복수의 기판안착블레이드(410)들이 평면상 방사형으로 결합되는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.As shown in FIG. 2 , the coupling body 420 is installed in the central portion of the process chamber 100 and various configurations are possible in which a plurality of substrate seating blades 410 are radially coupled on a plane.

구체적으로, 상기 결합몸체부(420)는, 결합몸체부(420)를 중심으로 평면상 방사형으로 일정 간격으로 배치되는 복수의 기판안착블레이드(410)들과 결합될 수 있다.Specifically, the coupling body portion 420 may be combined with a plurality of substrate seating blades 410 disposed at regular intervals in a planar radial shape around the coupling body portion 420 .

상기 기판이송부(400)가 4개의 기판안착블레이드(410)를 포함하는 경우, 4개의 기판안착블레이드(410)는 평면 상 90°간격으로 결합몸체부(420)에 결합될 수 있다.When the substrate transfer unit 400 includes four substrate seating blades 410, the four substrate seating blades 410 may be coupled to the coupling body 420 at intervals of 90° on a plane.

상기 결합몸체부(420)는, 공정챔버(100)의 중앙부에서 복수의 기판안착블레이드(410)들의 끝단과 각각 결합될 수 있다.The coupling body 420 may be coupled to ends of the plurality of substrate seating blades 410 at the center of the process chamber 100 , respectively.

상기 결합몸체부(420)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 결합몸체부(420)의 중심을 지나는 수직방향 제1회전축(C1)을 중심으로 회전가능하게 설치될 수 있다.As shown in FIG. 1 , the coupling body portion 420 may be rotatably installed around a first vertical axis of rotation C1 passing through the center of the coupling body portion 420 .

상기 결합몸체부(420)의 회전 시 복수의 기판안착블레이드(410)도 결합몸체부(420)와 함께 결합몸체부(420)의 중심을 지나는 수직방향 제1회전축(C1)을 중심으로 회전이동될 수 있다.When the coupling body 420 rotates, the plurality of substrate seating blades 410 also rotate along with the coupling body 420 around the first rotation axis C1 in the vertical direction passing through the center of the coupling body 420. It can be.

상기 기판안착블레이드(410)의 회전이동에 따라 기판(1)이 하나의 기판지지부(300)에서 이웃하는 다른 기판지지부(300)로 이송될 수 있다.The substrate 1 may be transferred from one substrate supporter 300 to another neighboring substrate supporter 300 according to the rotational movement of the substrate seating blade 410 .

또한, 상기 기판안착블레이드(410)의 회전이동에 따라 기판(1)이 기판지지부(300)에서 수직방향 회전축으로 회전하기 위하여 회전구동부(500)로 이송될 수 있다.In addition, according to the rotational movement of the substrate seating blade 410 , the substrate 1 may be transferred to the rotary driving unit 500 to rotate in a vertical rotation axis in the substrate support unit 300 .

또한, 상기 결합몸체부(420)는, 리프트핀(362)으로 기판(1)을 전달하거나 리프트핀(362)으로부터 기판(1)을 전달받기 위하여 상하방향으로 이동가능하게 설치될 수 있다.In addition, the coupling body 420 may be installed to be movable in the vertical direction to transfer the substrate 1 to the lift pins 362 or to receive the substrate 1 from the lift pins 362 .

이때, 상기 기판처리장치는, 상기 결합몸체부(420)의 회전을 구동하기 위한 동력을 형성하는 회전동력부를 포함할 수 있다.At this time, the substrate processing apparatus may include a rotational power unit for generating power for driving rotation of the coupling body 420 .

상기 회전동력부는, 회전동력을 생성하는 동력원으로서, 모터 등 다양한 구성이 가능하다.The rotational power unit is a power source for generating rotational power, and various configurations such as a motor are possible.

상기 기판지지부(300)는, 상기 가스분사부(200)에 대향하며 기판(1)을 지지하는 기판안착면(311)을 구비하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The substrate support part 300 may be configured with a substrate seating surface 311 facing the gas injection part 200 and supporting the substrate 1 , and various configurations are possible.

상기 기판지지부(300)는, 가스분사부(200) 마다 대응되어 설치되며 가스분사부(200)와 상하로 대향하도록 설치될 수 있다.The substrate support part 300 is installed to correspond to each gas ejection part 200 and may be installed so as to face the gas ejection part 200 vertically.

예로서, 상기 기판지지부(300)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상면에 기판(1)을 지지하는 기판안착면(311)이 형성되는 기판지지플레이트(310)와, 기판지지플레이트(310)의 저면에 결합되어 기판지지플레이트(310)를 지지하며 상하구동부(미도시)에 의해 상하이동 가능하게 설치되는 샤프트부(320)를 포함할 수 있다.For example, as shown in FIG. 1 , the substrate support part 300 includes a substrate support plate 310 on which a substrate seating surface 311 for supporting the substrate 1 is formed, and a substrate support plate 310 ) It may include a shaft portion 320 coupled to the bottom surface of the substrate supporting plate 310 and installed to be movable up and down by a vertical driving unit (not shown).

상기 기판지지플레이트(310)는, 기판(1)의 평면형상에 대응되는 형상의 플레이트로 이루어질 수 있다.The substrate support plate 310 may be formed of a plate having a shape corresponding to the planar shape of the substrate 1 .

또한, 상기 기판지지플레이트(310)에는, 기판안착면(311)에 지지된 기판(1)을 가열하기 위한 히터부(미도시)가 내장될 수 있다.In addition, a heater unit (not shown) for heating the substrate 1 supported on the substrate seating surface 311 may be incorporated in the substrate support plate 310 .

상기 N개의 기판지지부(300)들은, 공정챔버(100)의 중앙부를 중심으로 원주방향을 따라 등간격으로 설치될 수 있다.The N number of substrate supporters 300 may be installed at equal intervals along the circumferential direction around the center of the process chamber 100 .

상기 기판지지부(300)는, 지지된 기판(1)을 흡착고정하기 위한 진공척 또는 정전척일 수 있다.The substrate support part 300 may be a vacuum chuck or an electrostatic chuck for adsorbing and fixing the supported substrate 1 .

상기 샤프트부(320)는, 상기 기판지지플레이트(310)에 결합되어 기판지지플레이트(310)를 지지하는 샤프트로서, 상기 공정챔버(100) 하부벽을 관통하는 개구(112)를 통과해 상기 기판지지플레이트(310)의 저면에 결합될 수 있고, 공정챔버 외부의 별도 승하강구동부에 의해 상하이동 가능하게 결합될 수 있다.The shaft part 320 is a shaft coupled to the substrate support plate 310 to support the substrate support plate 310, and passes through an opening 112 penetrating the lower wall of the process chamber 100 to the substrate. It can be coupled to the lower surface of the support plate 310, and can be coupled to be movable up and down by a separate lifting and lowering driver outside the process chamber.

이때, 상기 기판처리장치는, 상기 기판안착면(311)에서 기판(1)을 들어올려 상하이격 시키기 위하여 상기 기판지지플레이트(310) 하부에 설치되는 기판리프트부(360)를 추가로 포함할 수 있다.At this time, the substrate processing apparatus may further include a substrate lift unit 360 installed under the substrate support plate 310 to lift and lift the substrate 1 from the substrate seating surface 311. there is.

상기 기판리프트부(360)는, 기판로딩, 언로딩, 또는 공정챔버(100) 내에서의 기판이송 시 기판(1)이 기판안착면(311)과 상하 이격된 상태에서 기판(1)을 지지하기 위한 구성으로 다양한 구성이 가능하다.The substrate lift unit 360 supports the substrate 1 while the substrate 1 is vertically spaced from the substrate seating surface 311 during substrate loading, unloading, or substrate transfer within the process chamber 100. Various configurations are possible as a configuration for doing so.

상기 기판리프트부(360)는, 상기 기판지지플레이트(310)를 상하 관통하여 기판(1) 저면을 지지하는 다수의 리프트핀(362)들, 상기 다수의 리프트핀(362)들이 결합되며 상기 기판지지플레이트(310) 하부에 위치되는 리프트핀본체부(361)를 포함할 수 있다.The substrate lift unit 360 includes a plurality of lift pins 362 that vertically penetrate the substrate support plate 310 to support the lower surface of the substrate 1, and the plurality of lift pins 362 are coupled to each other, and the substrate The support plate 310 may include a lift pin body portion 361 located below.

이때, 상기 기판지지플레이트(310)에는, 리프트핀(362)이 관통되는 관통구가 형성될 수 있다.At this time, a through-hole through which the lift pin 362 passes may be formed in the substrate support plate 310 .

상기 리프트핀(362)의 상측 끝단에는 기판(1)의 저면과 접촉되는 접촉영역으로, 상측으로 갈수록 수평단면이 넓어지도록 테이퍼 형상으로 형성되는 기판지지영역이 형성될 수 있다.At the upper end of the lift pin 362, a contact area contacting the bottom surface of the substrate 1, and a substrate support area formed in a tapered shape such that the horizontal cross section widens toward the upper side may be formed.

상기 기판지지영역은, 상기 기판지지플레이트(310)의 관통구 보다 직경이 넓게 형성됨에 따라 관통구 상측에 물리적으로 걸려 기판지지플레이트(310) 하측으로 빠지지 않도록 구성될 수 있다.Since the substrate support area has a wider diameter than the through hole of the substrate support plate 310 , it may be physically caught on the upper side of the through hole and prevented from falling down the substrate support plate 310 .

이때, 관통구의 상측에는 기판지지영역의 형상에 대응되는 형상으로 형성되는 함몰부가 형성될 수 있다.At this time, a depression formed in a shape corresponding to the shape of the substrate supporting region may be formed on the upper side of the through hole.

상기 기판지지영역은, 기판지지플레이트(310) 상승 시 상기 함몰부에 안착되어 기판지지플레이트(310)의 기판안착면(311) 상측으로 돌출되지 않은 상태로 유지될 수 있다.When the substrate support plate 310 rises, the substrate support area may be seated in the recessed portion and may be maintained in a state in which it does not protrude upward from the substrate seating surface 311 of the substrate support plate 310 .

상기 리프트핀본체부(361)는 기판지지플레이트(310) 하부에 위치되며 다수의 리프트핀(362)들이 결합되는 본체로서 다양한 구성이 가능하다.The lift pin body part 361 is located under the substrate support plate 310 and is a main body to which a plurality of lift pins 362 are coupled, and various configurations are possible.

예로서, 상기 리프트핀본체부(361)는 샤프트부(320)를 둘러싸는 링형상으로 형성될 수 있고, 이때 다수의 리프트핀(362)들은 리프트핀본체부(361)의 둘레를 따라 등간격으로 위치될 수 있다.For example, the lift pin body part 361 may be formed in a ring shape surrounding the shaft part 320, and at this time, the plurality of lift pins 362 are equally spaced along the circumference of the lift pin body part 361. can be located as

상기 리프트핀본체부(361)는, 기판지지영역이 관통구 상측 함몰부에 의해 지지될 수 있으므로, 별도의 구동수단 없이 상기 기판지지부(300)의 상하이동에 연동되어 함께 상하이동될 수 있다.The lift pin main body part 361 can be moved up and down in conjunction with the up and down movement of the substrate support part 300 without a separate driving means because the substrate support area can be supported by the recessed part on the upper side of the through hole.

즉, 기판지지부(300)가 일정 범위 이상 상측으로 이동되면 공정챔버(100) 바닥에 지지되던 리프트핀본체부(361)가 기판지지부(300)의 함몰부에 의해 기판지지부(300)와 함께 상측으로 이동되고, 다시 기판지지부(300)가 하측으로 이동되면 리프트핀본체부(361)도 함께 하측으로 이동될 수 있다.That is, when the substrate supporter 300 is moved upward over a certain range, the lift pin body 361 supported on the bottom of the process chamber 100 moves upward along with the substrate supporter 300 due to the depression of the substrate supporter 300. , and when the substrate support 300 moves downward again, the lift pin main body 361 may also move downward together.

상기 기판지지부(300)가 하측으로 이동함에 따라 리프트핀본체부(361)가 공정챔버(100) 바닥에 지지되고 그에 따라 상기 기판지지영역이 관통구 상측 함몰부에서 상측으로 돌출되어 리프트핀(362)이 기판(1)을 기판안착면(311)에서 상하 이격시킨 상태로 지지할 수 있다.As the substrate support part 300 moves downward, the lift pin body part 361 is supported on the bottom of the process chamber 100, and accordingly, the substrate support area protrudes upward from the upper recessed part of the through-hole, and the lift pin 362 ) can support the substrate 1 while being spaced up and down from the substrate seating surface 311 .

한편, 기판지지부(300)에 안착되어 기판(1)에 대한 공정, 특히 박막 증착공정이 수행되는 경우, 기판분사부(200)의 영역별 분사량 차이 등에 따라 박막 두께 산포에 차이가 발생하는 문제점이 있으며, 이를 보정하여 박막 두께 균일도를 향상하기 위하여, 기판(1)을 수직방향 회전축으로 회전시키는 구성이 필요하다.On the other hand, when a process for the substrate 1 is seated on the substrate support 300, in particular, a thin film deposition process is performed, there is a problem in that a difference in thin film thickness distribution occurs due to a difference in spraying amount for each area of the substrate spraying unit 200. In order to correct this and improve the uniformity of the thickness of the thin film, it is necessary to rotate the substrate 1 with a vertical axis of rotation.

이를 위하여, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 기판(1)을 수직방향 회전축으로 회전시키는 회전구동부(500)를 포함할 수 있다.To this end, the substrate processing apparatus according to the present invention may include a rotary driving unit 500 for rotating the substrate 1 in a vertical rotational axis.

상기 회전구동부(500)는, 공정챔버(100)에 설치되어 기판(1)이 안착되며, 안착된 기판(1)을 수직방향 회전축으로 회전시키는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The rotary drive unit 500 is installed in the process chamber 100 to seat the substrate 1 and rotates the seated substrate 1 in a vertical rotation axis, and various configurations are possible.

이때, 상기 회전구동부(500)는, 기판이송부(400) 기판(1) 이송경로 상에 배치되어, 이송되는 기판(1)을 회전시킬 수 있으며, 적어도 한개 보다 바람직하게는 N개가 기판지지부(300)들 사이에 각각 설치될 수 있다.At this time, the rotary driving unit 500 is disposed on the substrate 1 transfer path of the substrate transfer unit 400 to rotate the substrate 1 being transferred, and more preferably N number of substrate support units ( 300) may be respectively installed between them.

예를 들면, 상기 회전구동부(500)는, 4개의 기판지지부(300)들 사이에 각각 구비되어 총 4개가 구비될 수 있으며, 4개의 기판안착블레이드(410)를 통해 기판(1)을 이송하여 회전구동부(500) 각각에 안착시킬 수 있다.For example, the rotary driving unit 500 may be provided between the four substrate support units 300, respectively, and a total of four may be provided, and the substrate 1 is transported through the four substrate seating blades 410. It can be seated on each of the rotary drive units 500 .

보다 구체적으로, 상기 회전구동부(500)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 기판(1)이 안착되는 회전플레이트(510)와, 상기 회전플레이트(510) 하부에 결합하여 상기 회전플레이트(510)를 지지하는 지지샤프트(520)와, 상기 지지샤프트(520)에 연결되어 상기 회전플레이트(510)에 회전동력을 제공하는 구동모터(530)를 포함할 수 있다.More specifically, as shown in FIG. 3, the rotary drive unit 500 is coupled to the rotary plate 510 on which the substrate 1 is seated and the lower part of the rotary plate 510 to form the rotary plate 510. It may include a support shaft 520 for supporting and a drive motor 530 connected to the support shaft 520 to provide rotational power to the rotation plate 510 .

또한, 상기 회전구동부(500)는, 상기 지지샤프트(520) 중 상기 회전플레이트(510)와 상기 구동모터(530) 사이에 구비되는 자성유체실(540)을 추가로 포함할 수 있다.In addition, the rotary drive unit 500 may further include a magnetic fluid chamber 540 provided between the rotation plate 510 and the driving motor 530 among the support shafts 520 .

또한, 상기 회전구동부(500)는, 회전플레이트(510)의 수평방향에 대한 위치를 조절하는 위치조절부(550)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the rotary drive unit 500 may further include a position control unit 550 for adjusting the position of the rotation plate 510 in a horizontal direction.

또한, 상기 회전구동부(500)는, 회전플레이트(510)를 승강구동하는 승강구동부를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the rotation drive unit 500 may further include a lift drive unit for driving the rotation plate 510 up and down.

상기 회전플레이트(510)는, 기판(1)이 안착되는 구성으로서, 기판(1)에 대응되는 형상인 원형으로 구비될 수 있다.The rotating plate 510, as a configuration on which the substrate 1 is seated, may be provided in a circular shape corresponding to the substrate 1.

이때, 상기 회전플레이트(510)는, 전술한 기판안착블레이드(410)와의 간섭없이 기판(1)이 안착 및 분리되어야 하므로, 갈고리 형상의 기판안착블레이드(410)와 간섭되지 않는 평면적을 가지는 원형으로 구비될 수 있다.At this time, since the substrate 1 must be seated and separated without interference with the aforementioned substrate seating blade 410, the rotating plate 510 has a circular shape that does not interfere with the hook-shaped substrate seating blade 410. may be provided.

한편, 이 경우 기판(1)과의 평면적 차이로 인해 기판(1)과의 접촉면적이 작아 회전에 따라 슬립 등의 문제가 발생할 수 있는 바, 회전플레이트(510)는, 안착되는 기판(1)을 고정하기 위한 진공척 또는 정전척일 수 있다.On the other hand, in this case, the contact area with the substrate 1 is small due to the difference in plane with the substrate 1, and problems such as slip may occur according to rotation. It may be a vacuum chuck or electrostatic chuck for fixing.

또한, 상기 회전플레이트(510)는, 안착되는 기판(1)을 가열 또는 냉각하기 위한 온도조절부를 포함할 수 있으며, 보다 구체적으로는 기판(1)을 가열하기 위하여 회전플레이트(510) 내부에 구비되는 내부히터를 포함할 수 있다.In addition, the rotating plate 510 may include a temperature controller for heating or cooling the substrate 1 on which it is seated, and more specifically, provided inside the rotating plate 510 to heat the substrate 1. An internal heater may be included.

이로써, 상기 회전플레이트(510)는, 기판지지부(300)들 사이에 배치된 상태에서 기판(1)이 안착될 때 기판(1)에 열을 지속적으로 공급할 수 있다.Thus, the rotation plate 510 can continuously supply heat to the substrate 1 when the substrate 1 is seated in a state of being disposed between the substrate supporters 300 .

상기 지지샤프트(520)는, 회전플레이트(510) 하부에 결합하여 회전플레이트(510)를 지지하며, 구동모터(530)를 통해 제공되는 회전동력을 회전플레이트(510)에 제공하는 구성일 수 있다.The support shaft 520 may be configured to support the rotation plate 510 by being coupled to the lower portion of the rotation plate 510 and to provide rotational power provided through the driving motor 530 to the rotation plate 510. .

이에, 상기 지지샤프트(520)는, 일단이 회전플레이트(510) 하부에 결합하고 타단이 구동모터(530)에 연결될 수 있다.Accordingly, the support shaft 520 may have one end coupled to the lower portion of the rotation plate 510 and the other end connected to the driving motor 530 .

상기 구동모터(530)는, 지지샤프트(520)에 연결되어 회전플레이트(510)에 회전동력을 제공하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The drive motor 530 is connected to the support shaft 520 to provide rotational power to the rotation plate 510, and various configurations are possible.

특히, 상기 구동모터(530)는, 지지샤프트(520)에 직접 연결됨으로써, 기어를 이용하여 연결되는 구성에서 발생하는 백래쉬 이슈가 없이 지지샤프트(520) 및 회전플레이트(510)를 안정적이고 정밀하게 회전시킬 수 있다.In particular, the drive motor 530 is directly connected to the support shaft 520, so that the support shaft 520 and the rotation plate 510 can be stably and precisely operated without a backlash issue occurring in a configuration in which they are connected using gears. can be rotated

한편, 다른 예로서, 상기 회전구동부(500)는, 기판(1)이 안착되는 N개의 회전플레이트(510)와, N개의 상기 회전플레이트(510) 하부에 각각 결합하여 상기 회전플레이트(510)를 지지하는 N개의 지지샤프트(520)와, N개의 상기 지지샤프트(520) 각각에 공통으로 연결되어 N개의 상기 회전플레이트(510)에 회전동력을 제공하는 단일의 구동모터를 포함할 수 있다.On the other hand, as another example, the rotary drive unit 500 is coupled to the N number of rotation plates 510 on which the substrate 1 is seated and the lower portion of the N number of rotation plates 510, respectively, to form the rotation plate 510. It may include N supporting shafts 520 and a single driving motor connected to each of the N supporting shafts 520 in common and providing rotational power to the N rotating plates 510 .

즉, 이 경우, 상기 회전구동부(500)는, N개의 기판지지부(300) 사이인 기판이송부(400) 이송경로 상에 각각 구비되는 N개의 회전플레이트(510)를 지지하는 N개의 지지샤프트(520)에 각각 공통으로 연결되어 N개의 회전플레이트(510)에 회전동력을 제공하는 단일의 구동모터를 포함할 수 있다.That is, in this case, the rotary drive unit 500 includes N support shafts (which support the N rotation plates 510 respectively provided on the transfer path of the substrate transfer unit 400 between the N substrate support units 300) ( 520) may include a single driving motor that is commonly connected to each other and provides rotational power to the N rotation plates 510.

이때, 단일의 구동모터는, N개의 지지샤프트(520)에 공통으로 연결되어 단일의 회전동력을 공통으로 제공할 수 있다. At this time, a single drive motor may be commonly connected to the N number of support shafts 520 to provide a single rotational power in common.

즉, 상기 구동모터는, N개의 기판지지부(300)들을 회전구동할 수 있으며, 단일의 구동모터를 통한 회전구동력이 공급되는 바 동기화되어 일체로 회전할 수 있다.That is, the driving motor can rotate and drive the N substrate supporters 300, and can rotate integrally in synchronization as rotational driving force is supplied through a single driving motor.

상기 자성유체실(540)은, 지지샤프트(520) 중 회전플레이트(510)와 구동모터(530) 사이에 구비되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The magnetic fluid chamber 540 is provided between the rotation plate 510 and the drive motor 530 of the support shaft 520, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 자성유체실(540)은, 지지샤프트(520)의 회전에도 진공과 상압 사이의 실링이 원활하게 유지되도록 구비되는 구성으로서, 종래 개시된 어떠한 형태도 적용 가능하다.For example, the magnetic fluid chamber 540 is configured to smoothly maintain sealing between vacuum and atmospheric pressure even when the support shaft 520 rotates, and any form disclosed in the related art can be applied.

상기 위치조절부(550)는, 회전플레이트(510)의 수평방향에 대한 위치를 조절하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The position control unit 550 is a component that adjusts the position of the rotation plate 510 in the horizontal direction, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 위치조절부(550)는, 회전플레이트(510) 및 지지샤프트(520) 하측에 구비되어 회전플레이트(510)를 X축 및 Y축 방향으로 이동하여 회전플레이트(510)의 정위치를 설정할 수 있다.For example, the position adjusting unit 550 is provided below the rotation plate 510 and the support shaft 520 to move the rotation plate 510 in the X-axis and Y-axis directions to move the rotation plate 510 to the right. location can be set.

보다 구체적으로, 상기 위치조절부(550)는, 일종의 XY테이블이 회전플레이트(510) 하부, 보다 구체적으로는 구동모터(530) 하부에 구비됨으로써, 회전플레이트(510), 자성유체실(540), 구동모터(530) 및 지지샤프트(520) 전체를 수평방향으로 이동시켜 위치를 조절할 수 있다.More specifically, the position adjusting unit 550 is provided with a kind of XY table below the rotation plate 510, more specifically below the drive motor 530, so that the rotation plate 510, the magnetic fluid chamber 540 , The position of the driving motor 530 and the support shaft 520 can be adjusted by moving the entirety in a horizontal direction.

이로써, 기판안착블레이드(410)와의 간섭을 방지하기 위하여 회전플레이트(510)의 면적이 작은 상태에서도, 회전플레이트(510)의 정밀한 위치조정을 통해 기판(1)을 안정적으로 지지할 수 있다.Thus, even when the area of the rotation plate 510 is small in order to prevent interference with the substrate seating blade 410, the substrate 1 can be stably supported through precise positioning of the rotation plate 510.

상기 승강구동부는, 회전플레이트(510)를 승강구동하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The lifting and lowering driving unit is configured to lift and drive the rotating plate 510, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 승강구동부는, 회전플레이트(510)와 기판안착블레이드(410) 사이의 상대높이를 조절함으로써, 기판(1)을 회전플레이트(510)에 안착시키거나 기판안착블레이드(410)에 안착시킬 수 있다.For example, the lifting and lowering driving unit seats the substrate 1 on the rotating plate 510 or on the substrate seating blade 410 by adjusting the relative height between the rotating plate 510 and the substrate seating blade 410. can be settled.

즉, 상기 승강구동부는, 기판안착블레이드(410)에 기판(1)이 안착된 상태에서 회전플레이트(510)를 상승시켜 기판안착블레이드(410)로부터 기판(1)을 전달받아 지지할 수 있으며, 상승된 상태에서 회전구동을 통해 기판(1)을 회전시킬 수 있다.That is, the lifting and lowering driving unit can raise the rotating plate 510 in a state where the substrate 1 is seated on the substrate seating blade 410 to receive and support the substrate 1 from the substrate seating blade 410, In an elevated state, the substrate 1 may be rotated through rotational driving.

한편, 전술한 바와 같이 기판안착블레이드(410)가 승강구동함으로써, 기판(1)을 회전플레이트(510)와의 사이에서 주고받을 수 있음은 또한 물론이다.On the other hand, as described above, by driving the substrate seating blade 410 up and down, the substrate 1 can be exchanged between the rotating plate 510 and, of course, also.

이 경우, 상기 승강구동부는, 종래 개시된 어떠한 형태의 승강구동 구성도 적용 가능하며, 모터와 LM가이드를 이용하거나 실린더를 이용하여 승강구동할 수 있다.In this case, the elevation driving unit can be applied to any type of elevation driving configuration disclosed in the prior art, and can be driven by using a motor and an LM guide or a cylinder.

상기 제어부는, N개의 회전구동부(500) 각각을 개별적으로 제어하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The control unit, as a configuration for individually controlling each of the N rotary driving units 500, various configurations are possible.

예를 들면, 상기 제어부는, 각각의 처리공간(S)들에 대해 미리 설정된 개별적인 회전보상값으로 각 기판(1)들을 N개의 상기 회전구동부(500)를 통해 개별적인 회전각도로 회전시킬 수 있다.For example, the control unit may rotate each of the substrates 1 at individual rotation angles through the N rotation driving units 500 with individual rotation compensation values preset for each of the processing spaces S.

이때, 상기 회전보상값은, 각 처리공간(S)들에서 처리된 각 기판(1) 박막의 두께 산포에 대한 균일도 측정에 따라 설정될 수 있다.At this time, the rotation compensation value may be set according to the uniformity measurement of the thickness distribution of each thin film of the substrate 1 processed in each processing space S.

즉, 상기 제어부는, 기판(1) 박막의 두께 산포에 대한 균일도 측정 결과를 토대로 각 처리공간(S)에 대한 회전보상값을 도출하고, 도출된 회전보상값에 따라 각각의 회전구동부(500) 및 그에 안착된 기판(1)을 수직방향 회전축으로 회전시킬 수 있다.That is, the control unit derives a rotation compensation value for each processing space (S) based on the uniformity measurement result for the thickness distribution of the thin film of the substrate 1, and each rotation drive unit 500 according to the derived rotation compensation value And it can rotate the substrate 1 seated thereon in a vertical rotational axis.

이때, 상기 제어부는, 공정 과정에서 각 기판(1)들에 대한 박막 두께 산포를 측정하고 공정 도중 계산된 회전보상값에 따라 회전구동부(500)를 개별적인 회전각도로 회전시킬 수 있다.At this time, the control unit may measure the thin film thickness distribution for each substrate 1 during the process and rotate the rotary drive unit 500 at an individual rotation angle according to the rotation compensation value calculated during the process.

또한, 다른 예로서, 공정챔버(100)에 따라 회전보상값을 미리 설정하고, 기판(1)들에 대한 공정이 일정 진행된 상태에서 회전구동부(500)들을 미리 설정된 회전보상값에 따라 개별적인 회전각도로 회전하도록 제어할 수 있다.In addition, as another example, a rotation compensation value is set in advance according to the process chamber 100, and individual rotation angles of the rotation drive units 500 according to the preset rotation compensation value in a state in which the process for the substrates 1 is in progress. can be controlled to rotate.

보다 구체적으로, 본 발명에 따른 기판처리방법에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.More specifically, a substrate processing method according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 기판처리방법은, 도 5에 도시된 바와 같이, N개의 상기 처리공간(S)들 각각에 위치한 기판(1)에 대한 기판처리가 수행되는 기판처리단계(S100)와; 상기 기판처리단계(S100) 이후에 이후에 N개의 상기 기판지지부(300)에서 N개의 상기 회전구동부(500)로 기판(1)들을 이송하는 기판이송단계(S200)와; 상기 회전구동부(500)를 통해 기판(1)들 중 적어도 하나를 수직방향 회전축으로 회전시키는 기판회전단계(S300)를 포함한다. A substrate processing method according to the present invention, as shown in FIG. 5, includes a substrate processing step (S100) of performing substrate processing on a substrate 1 located in each of the N processing spaces (S); After the substrate processing step (S100), a substrate transfer step (S200) of transferring the substrates 1 from the N substrate support units 300 to the N rotation driving units 500; and a substrate rotation step (S300) of rotating at least one of the substrates 1 in a vertical rotational axis through the rotation drive unit 500.

또한, 본 발명에 따른 기판처리방법은, 상기 기판회전단계(S300) 이후에 N개의 상기 회전구동부(500)에서 N개의 상기 기판지지부(300)로 기판(1)들을 이송하는 기판재이송단계(S400)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, in the substrate processing method according to the present invention, after the substrate rotation step (S300), the substrate re-transfer step of transferring the substrates 1 from the N rotation drive units 500 to the N substrate support units 300 ( S400) may be further included.

또한, 본 발명에 따른 기판처리방법은, 상기 기판회전단계(S300) 이전에 기판지지부(300)들에서 처리되는 각 기판(1)에 대한 회전각도인 상기 회전보상값을 설정하는 회전보상값설정단계(S600)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, in the substrate processing method according to the present invention, the rotation compensation value for setting the rotation compensation value, which is the rotation angle for each substrate 1 processed in the substrate support units 300, before the substrate rotation step (S300) Step S600 may be further included.

상기 기판처리단계(S100)는, N개의 처리공간(S)들 각각에 위치한 기판(1)에 대한 기판처리가 수행되는 단계로서, 다양한 방법에 의해 수행될 수 있다.The substrate processing step (S100) is a step in which substrate processing is performed on the substrate 1 located in each of the N processing spaces S, and may be performed by various methods.

예를 들면, 상기 기판처리단계(S100)는, 가스분사부(200)를 통해 기판지지부(300) 상에 안착되는 기판(1)에 대하여 공정가스를 분사하여 수행될 수 있으며, 이를 통해 기판(1) 상에 박막을 증착하는 단계일 수 있다.For example, the substrate processing step (S100) may be performed by spraying a process gas to the substrate 1 seated on the substrate support 300 through the gas spraying unit 200, through which the substrate ( 1) may be a step of depositing a thin film on the surface.

상기 기판이송단계(S200)는, 기판처리단계(S100) 이후에 N개의 기판지지부(300)에서 N개의 회전구동부(500)로 기판(1)들을 이송하는 단계일 수 있다.The substrate transferring step (S200) may be a step of transferring the substrates 1 from the N substrate support units 300 to the N rotary driving units 500 after the substrate processing step (S100).

즉, 상기 기판이송단계(S200)는, 기판이송부(400)를 통해 기판처리단계(S100)를 거친 기판(1)을 N개의 회전구동부(500)로 각각 이송할 수 있으며, 이때 기판처리가 완료된 기판(1)을 이송할 수 있으나 보다 바람직하게는 박막 두께 산포를 고려하여 회전을 통해 이를 보상하도록 기판처리가 완료되지 않은 상태에서 기판(1)을 N개의 회전구동부(500)로 각각 이송할 수 있다.That is, in the substrate transfer step (S200), the substrate 1 that has passed through the substrate treatment step (S100) can be transferred to N rotary driving units 500 through the substrate transfer unit 400, respectively. The completed substrate 1 can be transferred, but more preferably, the substrate 1 is transferred to the N rotary driving units 500 in a state in which the substrate processing is not completed to compensate for this through rotation in consideration of thin film thickness distribution. can

이때, 상기 기판이송단계(S200)는, 기판(1)을 기판안착블레이드(410)에 안착시킨 상태에서 기판이송부(400)의 회전을 통해 회전구동부(500) 측으로 기판(1)을 이동시키고, 기판안착블레이드(410)가 하강하거나 회전플레이트(510)가 상승하여 기판(1)을 회전플레이트(510)에 안착시킬 수 있다.At this time, in the substrate transfer step (S200), the substrate 1 is moved toward the rotary drive unit 500 through rotation of the substrate transfer unit 400 in a state where the substrate 1 is seated on the substrate seating blade 410, , The substrate 1 may be seated on the rotating plate 510 by lowering the substrate mounting blade 410 or by raising the rotating plate 510 .

상기 기판회전단계(S300)는, 각각의 처리공간(S)들에 대해 미리 설정된 개별적인 회전보상값으로 각 기판(1)들을 N개의 상기 회전구동부(500)를 통해 개별적인 회전각도로 회전시키는 단계일 수 있다.The substrate rotation step (S300) is a step of rotating each substrate 1 at an individual rotation angle through the N rotation drive units 500 with individual rotation compensation values set in advance for each processing space S. can

한편, 다른 예로서, 상기 기판회전단계(S300)는, 각 기판(1)들을 일괄적으로 미리 설정된 값으로 동일하게 회전시킬 수 있음은 또한 물론이다.On the other hand, as another example, in the substrate rotation step (S300), it is also of course possible to equally rotate each substrate 1 collectively at a preset value.

상기 기판재이송단계(S400)는, 기판회전단계(S300) 이후에 N개의 회전구동부(500)에서 N개의 기판지지부(300)로 기판(1)들을 이송하는 단계일 수 있다.The substrate re-transfer step (S400) may be a step of transferring the substrates 1 from the N rotary driving units 500 to the N substrate support units 300 after the substrate rotation step (S300).

이때, 상기 기판재이송단계(S400)는, 도 4a 내지 도 4d에 도시된 바와 같이, 기판회전단계(S300) 이후에 각 기판(1)들이 기판처리단계(S100)가 수행된 기판지지부(300)로 옮겨져 후속 기판처리단계(S100)가 추가로 진행될 수 있다.At this time, in the substrate re-transfer step (S400), as shown in FIGS. 4A to 4D, each substrate 1 after the substrate rotation step (S300) is subjected to the substrate processing step (S100), the substrate support unit 300 ), and the subsequent substrate processing step (S100) may be additionally performed.

또한, 다른 예로서, 상기 기판재이송단계(S400)는, 기판회전단계(S300) 이후에 각 기판(1)들이 기판처리단계(S100)가 수행된 기판지지부(300)에 이웃하는 기판지지부(300)로 옮겨져 후속 기판처리단계(S100)가 추가로 진행될 수 있다.In addition, as another example, in the substrate retransfer step (S400), each substrate 1 after the substrate rotation step (S300) is adjacent to the substrate support portion 300 in which the substrate processing step (S100) was performed ( 300), and a subsequent substrate processing step (S100) may be additionally performed.

이 경우, 후속 기판처리단계(S100)는, 최초의 기판처리단계(S100)와 상이한 기판처리가 수행될 수 있고, N개의 처리공간(S)들 각각의 위치에서 서로 다른 기판처리가 순차적으로 수행되는 구성일 수 있다.In this case, in the subsequent substrate processing step (S100), substrate processing different from that of the first substrate processing step (S100) may be performed, and different substrate processing is sequentially performed at each location of the N processing spaces (S). It may be a configuration that becomes.

상기 회전보상값설정단계(S600)는, 상기 기판회전단계(S300) 이전에 기판지지부(300)들에서 처리되는 각 기판(1)에 대한 회전각도인 상기 회전보상값을 설정하는 단계일 수 있다.The rotation compensation value setting step (S600) may be a step of setting the rotation compensation value, which is a rotation angle for each substrate 1 processed in the substrate support units 300, before the substrate rotation step (S300). .

예를 들면, 상기 회전보상값설정단계(S600)는, 증착된 각 기판(1) 박막의 두께 산포를 측정하는 균일도측정단계와, 상기 균일도측정단계 결과에 따라 각 기판지지부(300)에서 처리되는 각 기판(1)에 대한 상기 회전보상값을 결정하는 회전보상값결정단계를 포함할 수 있다.For example, the rotation compensation value setting step (S600) is a uniformity measurement step of measuring the thickness distribution of each thin film of the substrate 1 deposited, and processing in each substrate support unit 300 according to the result of the uniformity measurement step A rotation compensation value determining step of determining the rotation compensation value for each substrate 1 may be included.

즉, 상기 회전보상값설정단계(S600)는, 기판처리단계(S100)를 통해 증착된 기판(1) 박막의 두께 산포를 측정하여 이를 보상하기 위한 회전보상값을 도출하는 균일도측정단계를 거치고, 도출된 회전보상값에 따라 각 기판(1)들 중 적어도 일부를 회전구동부(500)를 통해 개별적으로 회전시킬 수 있다.That is, the rotation compensation value setting step (S600) is a uniformity measurement step of measuring the thickness distribution of the thin film of the substrate 1 deposited through the substrate processing step (S100) and deriving a rotation compensation value to compensate for this, At least some of the substrates 1 may be individually rotated through the rotary driving unit 500 according to the derived rotation compensation value.

또한, 다른 예로서, 상기 회전보상값설정단계(S600)는, 회정보상값을 180도로 설정하여 기판(1)이 180도로 회전하도록 유도할 수 있다. Also, as another example, in the rotation compensation value setting step (S600), the substrate 1 may be induced to rotate by 180 degrees by setting the rotation compensation value to 180 degrees.

즉, 상기 회전보상값설정단계(S600)는, 회전보상값을 180도로 설정함으로써, 기판(1)의 180도 회전, 즉 반전을 통하여 균일한 산포를 가지는 기판처리가 가능하도록 유도할 수 있다.That is, in the rotation compensation value setting step (S600), by setting the rotation compensation value to 180 degrees, it is possible to induce substrate processing having uniform distribution through rotation of the substrate 1 by 180 degrees, that is, inversion.

한편, 상기 기판처리단계(S100), 상기 기판이송단계(S200) 및 상기 기판회전단계(S300)는 다수의 기판(1)을 처리하기 위하여 순차적으로 복수회 수행되며, 이때, 상기 회전보상값설정단계(S600)는, 최초 기판처리단계(S100) 이전에 1회 수행되어 기판처리장치에 대한 회전보상값을 세팅할 수 있다.Meanwhile, the substrate processing step (S100), the substrate transfer step (S200), and the substrate rotation step (S300) are sequentially performed a plurality of times to process a plurality of substrates 1, and at this time, the rotation compensation value is set. Step (S600) may be performed once before the first substrate processing step (S100) to set a rotation compensation value for the substrate processing apparatus.

다른 예로서, 상기 회전보상값설정단계(S600)는, 상기 기판처리단계(S100)와 상기 기판회전단계(S300) 사이에 수행될 수 있으며, 기판처리단계(S100) 이후에 인시츄(in-situ) 상태인 공정챔버(100) 내에서 각 처리공간(S)에서의 기판(1)에 대한 박막 증착 균일도를 측정하고 이를 고려하여 회전보상값을 설정할 수 있다.As another example, the rotation compensation value setting step (S600) may be performed between the substrate processing step (S100) and the substrate rotation step (S300), and in-situ after the substrate processing step (S100). In the process chamber 100 in situ, the uniformity of thin film deposition on the substrate 1 in each processing space S may be measured, and the rotation compensation value may be set in consideration of the uniformity.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.Since the above has only been described with respect to some of the preferred embodiments that can be implemented by the present invention, as noted, the scope of the present invention should not be construed as being limited to the above embodiments, and the scope of the present invention described above It will be said that the technical idea and the technical idea accompanying the root are all included in the scope of the present invention.

1: 기판 100: 공정챔버
200: 가스분사부 300: 기판지지부
400: 기판이송부 500: 회전구동부1: substrate 100: process chamber
200: gas injection unit 300: substrate support unit
400: substrate transfer unit 500: rotary drive unit

Claims (15)

기판(1)을 처리하기 위해 서로 구분된 N개의 처리공간(S)(N은 2 이상의 자연수)이 형성되는 공정챔버(100)와;
N개의 상기 처리공간(S)에 각각 대응되어 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되며 상기 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 N개의 가스분사부(200)와;
상기 가스분사부(200)에 대향하며 기판(1)을 지지하는 N개의 기판지지부(300)와;
상기 공정챔버(100)에 설치되어 상기 기판(1)이 안착되며, 안착된 상기 기판(1)을 수직방향 회전축으로 회전시키는 회전구동부(500)와;
상기 공정챔버(100)에 설치되어 상기 기판지지부(300)와 상기 기판회전부(500) 사이 및 하나의 기판지지부(300) 측과 다른 기판지지부(300) 측 사이에서 상기 기판(1)을 이송하는 기판이송부(400)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. a process chamber 100 in which N processing spaces S separated from each other are formed to process the substrate 1 (N is a natural number equal to or greater than 2);
N gas dispensing units 200 corresponding to the N processing spaces S, installed above the process chamber 100, and injecting gas into the processing spaces S;
N substrate support units 300 facing the gas dispensing unit 200 and supporting the substrate 1;
a rotation drive unit 500 installed in the process chamber 100 to seat the substrate 1 and rotating the substrate 1 on a vertical axis of rotation;
It is installed in the process chamber 100 to transfer the substrate 1 between the substrate support part 300 and the substrate rotation part 500 and between one substrate support part 300 side and another substrate support part 300 side A substrate processing apparatus comprising a substrate transfer unit 400. 청구항 1에 있어서,
상기 회전구동부(500)는, N개이며,
상기 기판지지부(300)들 사이 상기 기판이송부(400)를 통한 기판 이송경로 상에 각각 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 1,
The rotary drive unit 500 is N,
The substrate processing apparatus characterized in that each is installed on the substrate transfer path through the substrate transfer unit 400 between the substrate support units 300. 청구항 1에 있어서,
상기 회전구동부(500)는,
기판(1)이 안착되는 회전플레이트(510)와, 상기 회전플레이트(510) 하부에 결합하여 상기 회전플레이트(510)를 지지하는 지지샤프트(520)와, 상기 지지샤프트(520)에 연결되어 상기 회전플레이트(510)에 회전동력을 제공하는 구동모터(530)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. The method of claim 1,
The rotary drive unit 500,
A rotation plate 510 on which the substrate 1 is seated, a support shaft 520 coupled to the lower portion of the rotation plate 510 to support the rotation plate 510, and connected to the support shaft 520 to A substrate processing apparatus comprising a drive motor 530 providing rotational power to the rotation plate 510. 청구항 1에 있어서,
상기 회전구동부(500)는,
기판(1)이 안착되는 N개의 회전플레이트(510)와, N개의 상기 회전플레이트(510) 하부에 각각 결합하여 상기 회전플레이트(510)를 지지하는 N개의 지지샤프트(520)와, N개의 상기 지지샤프트(520) 각각에 공통으로 연결되어 N개의 상기 회전플레이트(510)에 회전동력을 제공하는 단일의 구동모터를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. The method of claim 1,
The rotary drive unit 500,
N rotation plates 510 on which the substrate 1 is seated, N support shafts 520 coupled to lower portions of the N rotation plates 510 to support the rotation plates 510, and N rotation plates 510, respectively. A substrate processing apparatus comprising a single driving motor connected to each of the support shafts 520 in common and providing rotational power to the N rotation plates 510. 청구항 3에 있어서,
상기 회전구동부(500)는,
상기 지지샤프트(520) 중 상기 회전플레이트(510)와 상기 구동모터(530) 사이에 구비되는 자성유체실(540)을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 3,
The rotary drive unit 500,
The substrate processing apparatus further comprises a magnetic fluid chamber 540 provided between the rotation plate 510 and the drive motor 530 among the support shafts 520. 청구항 3 또는 청구항 4에 있어서,
상기 회전플레이트(510)는,
안착되는 상기 기판(1)을 고정하기 위한 진공척 또는 정전척인 것을 특징으로 하는 기판처리장치. According to claim 3 or claim 4,
The rotation plate 510,
A substrate processing apparatus characterized in that it is a vacuum chuck or electrostatic chuck for fixing the substrate (1) to be seated. 청구항 3 또는 청구항 4에 있어서,
상기 회전구동부(500)는,
상기 회전플레이트(510)를 승강구동하는 승강구동부를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 3 or claim 4,
The rotary drive unit 500,
A substrate processing apparatus further comprising a lifting and lowering driver for driving the rotating plate 510 up and down. 청구항 2에 있어서,
N개의 상기 회전구동부(500) 각각을 개별적으로 제어하는 제어부를 추가로 포함하며,
상기 제어부는,
각각의 처리공간(S)들에 대해 미리 설정된 개별적인 회전보상값으로 각 기판(1)들을 N개의 상기 회전구동부(500)를 통해 개별적인 회전각도로 회전시키는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 2,
Further comprising a control unit for individually controlling each of the N rotary driving units 500,
The control unit,
A substrate processing apparatus characterized in that each substrate (1) is rotated at an individual rotation angle through the N number of rotation driving units (500) with an individual rotation compensation value set in advance for each processing space (S). 청구항 8에 있어서,
상기 회전보상값은,
각 처리공간(S)들에서 처리된 각 기판(1) 박막의 두께 산포에 대한 균일도 측정에 따라 설정되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. The method of claim 8,
The rotation compensation value is,
A substrate processing apparatus characterized in that it is set according to the uniformity measurement of the thickness distribution of each substrate (1) thin film processed in each processing space (S). 기판(1)을 처리하기 위해 서로 구분된 N개의 처리공간(S)(N은 2 이상의 자연수)이 형성되는 공정챔버(100)와; N개의 상기 처리공간(S)에 각각 대응되어 기판(1)을 지지하는 N개의 기판지지부(300)와, 상기 공정챔버(100)에 설치되어 기판(1)을 이송하는 기판이송부(400)와; 상기 기판이송부(400)를 통한 기판(1) 이송경로 상에 설치되며, 상기 기판이송부(400)를 통해 이송되어 안착된 상기 기판(1)을 수직방향 회전축으로 회전시키는 N개의 회전구동부(500)를 포함하는 기판처리장치를 통한 기판처리방법으로서,
N개의 상기 처리공간(S)들 각각에 위치한 기판(1)에 대한 박막 증착이 수행되는 기판처리단계(S100)와;
상기 기판처리단계(S100) 이후에 N개의 상기 기판지지부(300)에서 N개의 상기 회전구동부(500)로 기판(1)들을 이송하는 기판이송단계(S200)와;
상기 회전구동부(500)를 통해 기판(1)들 중 적어도 하나를 수직방향 회전축으로 회전시키는 기판회전단계(S300)를 포함하며,
상기 기판회전단계(S300)는,
각각의 처리공간(S)들에 대해 미리 설정된 개별적인 회전보상값으로 각 기판(1)들을 N개의 상기 회전구동부(500)를 통해 개별적인 회전각도로 회전시키는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.a process chamber 100 in which N processing spaces S separated from each other are formed to process the substrate 1 (N is a natural number equal to or greater than 2); N substrate support units 300 respectively corresponding to the N processing spaces S to support the substrate 1 , and a substrate transfer unit 400 installed in the process chamber 100 to transfer the substrate 1 and; It is installed on the substrate 1 transfer path through the substrate transfer unit 400 and rotates the substrate 1 transported and seated through the substrate transfer unit 400 in a vertical rotation axis N rotational driving units ( 500) as a substrate processing method through a substrate processing apparatus comprising:
a substrate processing step (S100) in which thin film deposition is performed on the substrate 1 located in each of the N processing spaces (S);
a substrate transfer step (S200) of transferring the substrates 1 from the N substrate support units 300 to the N rotation drive units 500 after the substrate processing step (S100);
And a substrate rotation step (S300) of rotating at least one of the substrates 1 in a vertical rotation axis through the rotation drive unit 500,
In the substrate rotation step (S300),
A substrate processing method characterized in that each substrate (1) is rotated at an individual rotation angle through the N number of rotation driving units (500) with individual rotation compensation values set in advance for each processing space (S). 청구항 10에 있어서,
상기 기판회전단계(S300) 이전에 기판지지부(300)들에서 처리되는 각 기판(1)에 대한 회전각도인 상기 회전보상값을 설정하는 회전보상값설정단계(S600)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.The method of claim 10,
Further comprising a rotation compensation value setting step (S600) of setting the rotation compensation value, which is a rotation angle for each substrate 1 processed in the substrate support units 300, prior to the substrate rotation step (S300). Substrate treatment method to. 청구항 11에 있어서,
상기 회전보상값설정단계(S600)는,
증착된 각 기판(1) 박막의 두께 산포를 측정하는 균일도측정단계와, 상기 균일도측정단계 결과에 따라 각 기판지지부(300)에서 처리되는 각 기판(1)에 대한 상기 회전보상값을 결정하는 회전보상값결정단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법. The method of claim 11,
In the rotation compensation value setting step (S600),
A uniformity measurement step of measuring the thickness distribution of each deposited substrate 1 thin film, and a rotation of determining the rotation compensation value for each substrate 1 processed in each substrate support unit 300 according to the result of the uniformity measurement step. A substrate processing method comprising a compensation value determining step. 청구항 11에 있어서,
상기 기판처리단계(S100), 상기 기판이송단계(S200) 및 상기 기판회전단계(S300)는 순차적으로 복수회 수행되며,
상기 회전보상값설정단계(S600)는,
최초 상기 기판처리단계(S100) 이전에 1회 수행되어 상기 회전보상값을 설정하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.The method of claim 11,
The substrate processing step (S100), the substrate transfer step (S200) and the substrate rotation step (S300) are sequentially performed a plurality of times,
In the rotation compensation value setting step (S600),
First, the substrate processing method characterized in that it is performed once before the substrate processing step (S100) to set the rotation compensation value. 청구항 11에 있어서,
상기 회전보상값설정단계(S600)는,
상기 기판처리단계(S100)와 상기 기판회전단계(S300) 사이에 수행되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.The method of claim 11,
In the rotation compensation value setting step (S600),
The substrate processing method, characterized in that carried out between the substrate processing step (S100) and the substrate rotation step (S300). 청구항 10에 있어서,
상기 기판회전단계(S300) 이후에 N개의 상기 회전구동부(500)에서 N개의 상기 기판지지부(300)로 기판(1)들을 이송하는 기판재이송단계(S400)를 포함하며,
상기 기판재이송단계(S400) 이후에 상기 기판처리단계(S100)가 추가로 수행되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.The method of claim 10,
After the substrate rotation step (S300), a substrate re-transfer step (S400) of transferring the substrates 1 from the N rotation drive units 500 to the N substrate support units 300 is included,
The substrate processing method, characterized in that the substrate processing step (S100) is additionally performed after the substrate re-transfer step (S400).
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