JP2004052098A - Substrate treatment apparatus and susceptor used for it - Google Patents

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JP2004052098A
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susceptor
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temperature
wafer
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Application number
JP2002255356A
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Japanese (ja)
Inventor
Masashi Murakami
Hiroshi Ogose
村上 誠志
生越 啓
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
東京エレクトロン株式会社
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a treatment apparatus for uniformizing a temperature of a substrate on a susceptor for supporting the substrate, without making a temperature difference in the susceptor, and to provide the susceptor used for it. <P>SOLUTION: The substrate treatment apparatus 100 for heat-treating the substrate W or performing predetermined treatment while heating the substrate, comprises a chamber 11, an exhaust system 38 for keeping the inside pressure of the chamber 11 to a reduced one, the susceptor 12 for supporting the substrate in the chamber 11, and a heater 15 for heating the substrate through the susceptor 12, wherein the susceptor 12 has a recess 12a formed on a substrate-supporting face, so as to form such a space between the supported substrate W and the substrate-supporting face so as to uniformize a temperature within the surface of the supported substrate W according to the pressure in the chamber 11. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【0001】 [0001]
【発明の属する技術分野】 BACKGROUND OF THE INVENTION
本発明は、ウエハ等の基板に対する熱処理または基板を加熱しつつCVD等の所定の処理を行う処理装置およびそれに用いられるサセプタに関する。 The present invention relates to a processing apparatus and a susceptor used therefor while heating the heat treatment or the substrate relative to a substrate such as a wafer performing a predetermined process such as CVD.
【0002】 [0002]
【従来の技術】 BACKGROUND OF THE INVENTION
半導体デバイスの製造工程においては、被処理基板である半導体ウエハ(以下、単にウエハと記す)に成膜処理、エッチング処理等の種々のガス処理が施される。 In the manufacturing process of a semiconductor device, a semiconductor wafer as a substrate to be processed (hereinafter, simply referred to as a wafer) in the film forming process, a variety of gas treatment such as an etching process is performed. これらの中で、例えばTi,TiN,W等のCVD成膜処理では、ウエハをセラミック製や金属製のサセプタに載置した状態で抵抗ヒーターまたはランプによってサセプタを介してウエハを例えば500〜700℃程度まで加熱する。 Among these, for example Ti, TiN, the CVD film-forming process such as W is a wafer for example, 500 to 700 ° C. over the susceptor in a state of placing the wafer in a ceramic or metal susceptor by a resistance heater or lamp It is heated to a degree.
【0003】 [0003]
この場合に、処理の均一化の観点からウエハ温度の面内分布を均一にする必要があり、そのためにはサセプタ温度を均一に制御することが考えられるが、実際にはウエハ中心のほうが温度が上昇しやすく、サセプタ温度を均一に制御しただけではウエハの均一な温度面内分布が得られない。 In this case, it is necessary to make uniform the in-plane distribution of the wafer temperature from the viewpoint of uniformity of treatment, their possible to uniformly control the susceptor temperature in order, but actually towards the wafer center temperature increased easily, simply and uniformly controlled susceptor temperature is not uniform temperature-plane distribution of the wafer is obtained. 特に、Ti,TiN,W等の金属膜を成膜するCVD成膜装置の場合、サセプタ表面の放射率(ε)が母材時よりも大きく変化してしまう。 In particular, Ti, TiN, when the CVD film forming apparatus for forming a metal film such as W, the emissivity of the susceptor surface (epsilon) greatly changes than when the base material. このため、ウエハ面内で均一な温度を得るためには、サセプタの中心部と周辺部とで温度差を生じさせる必要があり、そのために、抵抗ヒーターによる加熱の場合には、ヒーターを複数のゾーンに分割して各ゾーンのヒーターのパワーを個別に制御し、温度制御するようにしている。 Therefore, in order to obtain a uniform temperature in the wafer surface, it is necessary to produce a temperature difference between the central portion and the peripheral portion of the susceptor, in order that, in the case of heating by resistance heater, a heater plurality of divided into zones the power of each zone of the heater is controlled individually, so that temperature control.
【0004】 [0004]
【発明が解決しようとする課題】 [Problems that the Invention is to Solve
しかしながら、セラミック製のサセプタの場合、中心部と周辺部との温度差が大きくなると熱応力によりクラックが入ったり、破損するという問題が生じる。 However, if the ceramic susceptor, or cracked due to thermal stress when the temperature difference between the central portion and the peripheral portion is increased, a problem of damage caused.
【0005】 [0005]
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、基板を支持するサセプタに温度差を生じさせることなくその上の基板の温度を均一にすることができる処理装置およびそれに用いられるサセプタを提供することを目的とする。 The present invention was made in view of such circumstances, provide a susceptor for use processor and its can be made uniform and the temperature of the substrate thereon without causing a temperature difference susceptor for supporting a substrate an object of the present invention is to.
【0006】 [0006]
【課題を解決するための手段】 In order to solve the problems]
上記課題を解決するために、本発明は、チャンバーと、前記チャンバー内を減圧下に保持する排気手段と、前記チャンバー内で基板を支持するサセプタと、前記サセプタを介して基板を加熱する加熱手段とを有し、基板に対する熱処理または基板を加熱しつつ所定の処理を行う基板処理装置であって、前記サセプタは、支持した基板と基板支持面との間に、前記チャンバー内の圧力に応じて、支持された基板の面内温度が均一になるような空間が形成されるように、基板支持面に凹部が形成されていることを特徴とする基板処理装置を提供する。 In order to solve the above problems, the present invention includes a chamber and an exhaust means for holding the chamber under vacuum, a susceptor for supporting a substrate within said chamber, heating means for heating the substrate via the susceptor has the door, while heating the heat treatment or the substrate relative to the substrate the substrate processing apparatus for performing predetermined processing, the susceptor is between the supporting substrate and the substrate supporting surface, depending on the pressure in the chamber , so that the supported space such as plane temperature becomes uniform in the substrate are formed, to provide a substrate processing apparatus, characterized in that the recess is formed on the substrate supporting surface.
【0007】 [0007]
本発明はまた、減圧下に保持されたチャンバー内で基板を支持し、加熱手段により加熱されてその熱により基板を加熱するサセプタであって、支持した基板と基板支持面との間に、前記チャンバー内の圧力に応じて、支持された基板の面内温度が均一になるような空間が形成されるように、基板支持面に凹部が形成されていることを特徴とするサセプタを提供する。 The present invention also supports the substrate in which is held under reduced pressure chamber, is heated by the heating means to a susceptor for heating the substrate by the heat, between the supporting substrate and the substrate support surface, wherein depending on the pressure in the chamber, so that space as plane temperature of the supported substrate becomes uniform is formed to provide a susceptor which is characterized in that a recess is formed on the substrate supporting surface.
【0008】 [0008]
サセプタに基板を載置した際に、微視的に見ればサセプタと基板との間には僅かな隙間が形成されている。 When placing the substrate on the susceptor, slight gap is formed between the susceptor and the substrate when viewed microscopically. このような状況において基板の加熱は、サセプタからの熱放射による熱伝達とガス分子によるガス伝熱効果によってなされる。 The heating of the substrate in such a situation is achieved by the gas heat transfer effects due to heat transfer and gas molecules by thermal radiation from the susceptor. この際のガス伝熱効果は、チャンバー内の圧力によって大きく変化し、例えば、サセプタ温度を500℃の場合に、チャンバー内が大気圧では基板温度がほぼ500℃になるのに対し、13.3Pa(100mTorr)程度の高真空の場合には基板温度がほぼ400℃にまで低下する。 Gas heat transfer effect in this case is largely changed by the pressure in the chamber, for example, when the susceptor temperature of 500 ° C., while the chamber is approximately 500 ° C. substrate temperature at atmospheric pressure, 13.3 Pa the substrate temperature in the case of a high vacuum of about (100 mTorr) is lowered to approximately 400 ° C.. そして、665Pa(5torr)程度ではその中間の450℃程度である。 Then, in 665 Pa (5 torr) degree is 450 ° C. of about between. このようなことを踏まえて、本発明では、支持した基板と基板支持面との間に、チャンバー内の圧力に応じて、支持された基板の面内温度が均一になるような空間が形成されるように、基板支持面に凹部を形成するようにした。 In light of the above, in the present invention, between the supporting substrate and the substrate supporting surface, depending on the pressure in the chamber, the space such as plane temperature of the supported substrate becomes uniform is formed so that the, and to form a recess in the substrate supporting surface. すなわち、基板温度が高くなるサセプタ中央部に凹部を形成すれば、その部分はサセプタと基板との間の距離の増加によってサセプタからの熱放射の効果が抑制され、温度を低くすることができる。 That is, by forming a recess in the susceptor central portion which the substrate temperature increases, that part is suppressed, the effect of thermal radiation from the susceptor by increasing the distance between the susceptor and the substrate, it is possible to lower the temperature. 一方、ガス分子による熱伝達効果はガス圧力によって変化するから、処理の際のガス圧力に応じてそのギャップの量を調整すれば、サセプタの温度が不均一になるような制御を行うことなく基板温度を均一にすることができる。 On the other hand, since the heat transfer effect of the gas molecules is changed by the gas pressure, by adjusting the amount of the gap in response to the gas pressure during processing, without performing control such that the temperature of the susceptor becomes uneven substrate it can be made uniform temperature.
【0009】 [0009]
上記構成において、前記凹部は、サセプタの中央の深さが最も大きく、中央から端部に向けて浅くなるように形成することが好ましい。 In the above configuration, the recess, the center of the depth of the susceptor is the largest, it is preferably formed so as to become shallower towards the end from the center. これにより、温度が最も高くなりやすいサセプタ中央部において基板温度をより低くすることができる。 Thus, it is possible to lower the substrate temperature at the highest tends susceptor central temperature.
【0010】 [0010]
前記加熱手段は、前記サセプタ内に埋設された抵抗ヒーターを有する構成とすることもできるし、前記サセプタの下方に設けられた加熱ランプを有する構成とすることもできる。 Said heating means may be employed a configuration having a buried resistive heater in the susceptor, it may also be configured to have a heat lamp that is provided under the susceptor.
【0011】 [0011]
【発明の実施の形態】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
以下、本発明の実施形態について具体的に説明する。 Hereinafter, specific description will be given of an embodiment of the present invention.
図1は、本発明の第1の実施形態に係る成膜装置を示す断面図である。 Figure 1 is a sectional view showing a film forming apparatus according to a first embodiment of the present invention. この成膜装置100は、TiN膜またはTi膜を成膜するためのものであり、略円筒状のチャンバー11を有している。 The film forming apparatus 100 is for forming a TiN film or a Ti film and has a substantially cylindrical chamber 11. チャンバー11の内部には、被処理基板であるウエハWを水平に支持するための円盤状のサセプタ12がその中央下部に設けられた円筒状の支持部材13により支持された状態で配置されている。 Inside the chamber 11, are arranged in a state of being supported by a cylindrical support member 13 which disc-shaped susceptor 12 provided on the lower center portion for the wafer W to horizontally supporting a substrate to be processed . サセプタ12は、Al 、AlN等のセラミック製であり、後で詳細に説明するように、そのウエハ載置面の中央部に凹部12aが形成されている。 The susceptor 12 is is Al 2 O 3, a ceramic such as AlN, as described later in detail, is formed with a recess 12a in the central portion of the wafer mounting surface. サセプタ12の外縁部にはウエハWをガイドするためのガイドリング14が設けられている。 The outer edge of the susceptor 12 guide ring 14 for guiding the wafer W is provided. また、サセプタ12にはヒーター15が埋め込まれており、このヒーター15はヒーター電源16から給電されることにより被処理基板であるウエハWを所定の温度に加熱する。 Further, the susceptor 12 is embedded a heater 15, the heater 15 heats the target substrate or wafer W to a predetermined temperature by being powered from a heater power supply 16. 図示しないが、サセプタ32の表面近傍には電極が埋設されており、プラズマ処理する際にプラズマの安定性を維持するために用いられる。 Although not shown, in the vicinity of the surface of the susceptor 32 electrode is embedded is used to maintain the stability of the plasma during the plasma treatment. また、この電極に高周波電源を接続して所定の周波数の高周波バイアスを印加することにより成膜分子をウエハWに引き込んでホール内の膜形成を効果的に行うことができる。 Further, it is possible to effectively carry out the film formation of the hole draws deposition molecules on the wafer W by applying a high frequency bias of a predetermined frequency by connecting a high-frequency power to this electrode.
【0012】 [0012]
チャンバー11の天壁11aには、絶縁部材19を介してシャワーヘッド20が設けられている。 The top wall 11a of the chamber 11, a shower head 20 is provided via an insulating member 19. このシャワーヘッド20は、上段ブロック体20a、中段ブロック体20b、下段ブロック体20cで構成されている。 The shower head 20, upper block body 20a, middle block body 20b, and a lower block body 20c. 下段ブロック体20cにはガスを吐出する吐出孔27と28とが交互に形成されている。 The lower block body 20c are alternately formed in the discharge holes 27 and 28 for discharging the gas. 上段ブロック体20aの上面には、第1のガス導入口21と、第2のガス導入口22とが形成されている。 On the upper surface of the upper block body 20a, a first gas inlet 21 and a second gas feed port 22 is formed. 上段ブロック体20aの中では、第1のガス導入口21から多数のガス通路23が分岐している。 In the upper block body 20a, the number of gas passages 23 from the first gas inlet port 21 is branched. 中段ブロック体20bにはガス通路25が形成されており、上記ガス通路23が水平に延びる連通路23aを介してこれらガス通路25に連通している。 The middle block body 20b are formed gas passages 25 communicates with these gas passage 25 through the communicating passage 23a to the gas passage 23 extends horizontally. さらにこのガス通路25が下段ブロック体20cの吐出孔27に連通している。 The gas passage 25 is communicated with the discharge hole 27 of the lower block body 20c further. また、上段ブロック体20aの中では、第2のガス導入口22から多数のガス通路24が分岐している。 Also in the upper block body 20a, the number of gas passages 24 are branched from the second gas inlet 22. 中段ブロック体20bにはガス通路26が形成されており、上記ガス通路24がこれらガス通路26に連通している。 The middle block body 20b are formed gas passages 26, the gas passage 24 is communicated with the these gas passages 26. さらにこのガス通路26が中段ブロック体20b内に水平に延びる連通路26aに接続されており、この連通路26aが下段ブロック体20cの多数の吐出孔28に連通している。 The gas passage 26 is connected to the communication passage 26a extending horizontally in the middle block body 20b, the communication passage 26a communicates with the plurality of injection holes 28 of the lower block body 20c further. そして、上記第1および第2のガス導入口21,22は、それぞれガスライン31および32に接続されている。 Then, the first and second gas inlet 21 and 22 are respectively connected to gas lines 31 and 32.
【0013】 [0013]
ガス供給機構30は、成膜ガス、キャリアガス、クリーニングガスのガス供給源、ガス配管、およびマスフローコントローラを有し、プロセス時には、ガスライン31およびガス導入口21を介してN ガス等のキャリアガスとともにTi含有ガスであるTiCl ガスをシャワーヘッド20へ供給し、ガスライン32およびガス導入口22を介してN ガス等の希釈ガスとともに還元ガスであるNH ガス(TiN膜成膜時)またはH ガス(Ti膜成膜時)をシャワーヘッド20へ供給するようになっている。 Gas supply mechanism 30, film-forming gas, the carrier gas, a gas supply source of cleaning gas, a gas pipe, and has a mass flow controller, at the time of process, the carrier such as N 2 gas through the gas line 31 and gas inlet 21 the TiCl 4 gas used as a Ti-containing gas together with the gas supplied to the showerhead 20, NH 3 gas (when TiN film formation is reducing gas with a dilution gas such as N 2 gas through the gas line 32 and gas inlet 22 ) or H 2 gas (time Ti film formation) and supplies to the showerhead 20. ガス導入口21からシャワーヘッド20内へ導入されたTiCl ガスはガス通路23,25を経て吐出孔27からチャンバー11内へ吐出される一方、ガス導入口22からシャワーヘッド20内へ導入されたNH ガスまたはH ガスはガス通路24,26を経て吐出孔28からチャンバー11内へ吐出される。 While TiCl 4 gas introduced from the gas inlet 21 into the shower head 20 is discharged into the chamber 11 from the discharge hole 27 through the gas passage 23 and 25, is introduced from the gas inlet 22 to the showerhead 20 NH 3 gas or H 2 gas is discharged from the discharge hole 28 through the gas passage 24, 26 into the chamber 11. すなわち、シャワーヘッド20は、TiCl ガスと還元ガスであるNH ガスまたはH ガスとが全く独立してチャンバー11内に供給されるマトリックスタイプとなっており、これらは吐出後に混合され反応が生じる。 That is, the shower head 20 has a matrix type and NH 3 gas or H 2 gas as a reducing gas and TiCl 4 gas is supplied to the totally independently chamber 11, they are mixed after discharge reaction occur. なお、チャンバー11のクリーニング時には、ガス供給機構30からクリーニングガスとして例えばClF ガスがガスライン31およびシャワーヘッド20を介してチャンバー11内に供給される。 At the time of cleaning of the chamber 11, as for example ClF 3 gas cleaning gas from the gas supply mechanism 30 is supplied into the chamber 11 through the gas line 31 and the shower head 20.
【0014】 [0014]
シャワーヘッド20には、整合器33を介して高周波電源34が接続されており、必要に応じてこの高周波電源34からシャワーヘッド20に所定周波数の高周波電力が供給されるようになっている。 The shower head 20, is connected to a high frequency power source 34 via a matching unit 33, high frequency power of a predetermined frequency from the high frequency power source 34 to the shower head 20 as needed are supplied. 通常はこの高周波電源34は必要ないが、成膜反応の反応性を高めて成膜する場合、特にTi膜を成膜する場合には、高周波電源34から高周波電力を供給することにより、シャワーヘッド20を介してチャンバー11内に供給されたガスをプラズマ化して成膜することも可能である。 Although not usually required high-frequency power source 34, when forming to increase the reactivity of the film-forming reaction, particularly in the case of forming a Ti film by supplying a high frequency power from the high frequency power supply 34, a shower head It can be deposited by plasma gas supplied into the chamber 11 through the 20.
【0015】 [0015]
チャンバー11の底壁11bの中央部には円形の穴35が形成されており、底壁11bにはこの穴35を覆うように下方に向けて突出する凹状の排気室36が設けられている。 The central portion of the bottom wall 11b of the chamber 11 is formed with a circular hole 35, a concave exhaust chamber 36 projecting downward so as to cover the hole 35 is provided in the bottom wall 11b. 排気室36の側面には排気管が37が接続されており、この排気管37には排気装置38が接続されている。 The side surface of the exhaust chamber 36 is connected to the exhaust pipe 37, an exhaust unit 38 is connected to the exhaust pipe 37. そしてこの排気装置38を作動させることによりチャンバー11内を所定の真空度まで減圧することが可能となっている。 And it is possible to reduce the pressure in the chamber 11 to a predetermined degree of vacuum by operating the gas exhaust unit 38.
【0016】 [0016]
サセプタ12には、ウエハWを支持して昇降させるための3本(2本のみ図示)のウエハ支持ピン39がサセプタ12の表面に対して突没可能に設けられ、これらウエハ支持ピン39は支持板40に固定されている。 The susceptor 12, the wafer support pins 39 of the three for supporting and vertically moving the wafer W with (only two shown) are provided can project and retreat relative to the surface of the susceptor 12, these wafer support pins 39 support and it is fixed to the plate 40. そして、ウエハ支持ピン39は、エアシリンダ等の駆動機構41により支持板40を介して昇降される。 Then, the wafer support pins 39 are raised and lowered via the supporting plate 40 by a drive mechanism 41 such as an air cylinder.
【0017】 [0017]
チャンバー11の側壁には、隣接する図示しない搬送室との間でウエハWの搬入出を行うための搬入出口42と、この搬入出口42を開閉するゲートバルブ43とが設けられている。 The sidewall of the chamber 11, a transfer port 42 for transferring the wafer W between the transfer chamber (not shown) adjacent are provided a gate valve 43 for opening and closing the transfer port 42.
【0018】 [0018]
上記サセプタ12は、図2に示すように、ウエハ載置面の中央部に凹部12aが形成されている。 The susceptor 12, as shown in FIG. 2, the recess 12a in the central portion of the wafer mounting surface is formed. この凹部12aにおいては、載置されたウエハWとサセプタ12との間に、チャンバー11内の圧力に応じて、支持されたウエハWの面内温度が均一になるような空間が形成されている。 In this recess 12a is provided between the mounted wafer W and the susceptor 12 was, depending on the pressure in the chamber 11, the space such as plane temperature becomes uniform in the supported wafer W is formed . そして、その空間の内部の圧力とチャンバー11内の圧力は略同じになっている。 Then, the pressure in the pressure and the chamber 11 of the internal of the space are substantially the same. 具体的には、凹部12aは、図示するように、サセプタ12の中央の深さが最も大きく、中央から端部に向けて浅くなるお椀状に形成されている。 Specifically, recess 12a, as shown, the depth of the center of the susceptor 12 is the largest, is formed in a bowl shape which becomes shallower toward the end from the center. なお、ウエハWの面内温度が所望の均一性が得られれば、凹部12aの代わりに、図3に示すような断面階段状の凹部12bであってもよいし、図4に示すようなすり鉢状の凹部12cであってもよい。 Incidentally, the in-plane temperature of the wafer W is Rarere obtained desired uniformity, instead of the recesses 12a, may be a cross-section stepped recess 12b as shown in FIG. 3, a mortar as shown in FIG. 4 Jo of it may be a recess 12c. また、図2では、ウエハWはサセプタ12に単に載置された状態であるが、図5に示すように、ウエハWの位置決め用にウエハ形状に合わせた凹部(ざぐり部)12dを設けてもよい。 Further, in FIG. 2, the wafer W is in a state of being simply placed on the susceptor 12, as shown in FIG. 5, the combined recess (counterbore portion) in the wafer shape for positioning the wafer W be provided 12d good.
【0019】 [0019]
次に、このような成膜装置100の成膜動作について説明する。 Next, a description will be given deposition operation of the deposition apparatus 100.
まず、チャンバー11内にウエハWが存在しない状態で、TiCl ガスおよびNH ガス等の還元ガスを導入してチャンバー11内壁、排気室36内壁およびシャワーヘッド20等のチャンバー内部材表面にに対するプリコート膜形成処理を行う。 First, precoating for with no wafer W is present in the chamber 11, the TiCl 4 gas and NH 3 chamber 11 inner wall by introducing a reducing gas such as a gas exhaust chamber 36 inner wall and the chamber member surface, such as a showerhead 20 performing film formation process.
【0020】 [0020]
プリコート処理が終了後、TiCl ガスおよび還元ガスを停止し、排気装置38によりチャンバー11内を急激に真空排気して引き切り状態とし、ゲートバルブ43を開にして、搬入出口42を介してウエハ搬送装置によりウエハWをチャンバー11内へ搬入し、サセプタ12上に載置する。 After precoating process is complete, stop the TiCl 4 gas and the reducing gas, a scribing condition rapidly evacuating the chamber 11 by the exhaust device 38, the gate valve 43 is opened, through the transfer port 42 wafers the wafer W is loaded into the chamber 11 by the transfer device, placed on the susceptor 12. そして、チャンバー11内にN ガスを供給してウエハWを予備加熱してウエハの温度がほぼ安定した時点で、N ガス、還元ガスであるNH ガスまたはH ガス、およびTiCl ガスを所定流量で導入し、排気ラインにプリフローを行った後、これらガスをシャワーヘッド20を介して所定流量でチャンバー11内に導入し、チャンバー内圧力を所定値に維持しつつ、ヒーター15によるウエハWの加熱によりウエハWにTiN膜またはTi膜を成膜する。 When the temperature of the wafer by supplying N 2 gas pre-heat the wafer W in the chamber 11 is substantially stable, N 2 gas, NH 3 gas or H 2 gas as a reduction gas, and TiCl 4 gas was introduced at a predetermined flow rate, after the pre-flow into the exhaust line, these gases through the showerhead 20 into the chamber 11 at a predetermined flow rate, while maintaining the chamber pressure at a predetermined value, the wafer by the heater 15 W depositing a TiN film or a Ti film on the wafer W by heating. この際の基板の加熱温度は400〜700℃程度、好ましくは600℃程度である。 The heating temperature of the substrate at this time is about 400 to 700 ° C., preferably about 600 ° C.. この成膜の際には、必ずしも高周波電源34から高周波電力を供給してガスをプラズマ化する必要はないが、反応性を高めるために高周波電力によりガスをプラズマ化してもよい。 During the film formation, but not necessarily need to plasma gas by supplying high frequency power from the high frequency power supply 34, gas may be plasma of the high frequency power in order to increase the reactivity. このようにプラズマを形成する場合には、ガスの反応性が高いのでウエハWの温度は300〜700℃、好ましくは400〜600℃程度である。 In the case of forming in this way the plasma, because of the high reactivity of the gas temperature of the wafer W is 300 to 700 ° C., preferably about 400 to 600 ° C..
【0021】 [0021]
このような成膜処理の際には、従来は、図6に示すように、載置面が平面状のサセプタ112を用いており、ウエハWはその全面がその載置面に載置されていた。 During such deposition process, conventionally, as shown in FIG. 6, the mounting surface has with planar susceptor 112, a wafer W is being placed its entire surface to the mounting surface It was. しかし、この場合には、図7に示すように、ヒーター115により均一に加熱すると、ウエハWの温度は中央で高く端部で低くなるという不均一が生じ、中央部と端部との温度差が10〜40℃、例えば図示するように25℃にもなってしまう。 However, in this case, as shown in FIG. 7, when uniformly heated by the heater 115, the temperature of the wafer W occur unevenly that it becomes lower at the higher end in the middle, the temperature difference between the center and the ends but 10 to 40 ° C., for example becomes also the 25 ° C. as shown. ウエハ温度を均一にするために、ゾーン分割したヒーターを用いて、サセプタ112に温度分布を持たせてウエハ温度を均一にしようとすると、サセプタ112の中央部と端部との温度差によりセラミック部材で構成されるサセプタ112の内部に熱応力が発生し、それによってサセプタ112にクラックや破損が生じる。 To the wafer temperature uniformity, with a heater and zoning and to have a temperature distribution in the susceptor 112 to try to equalize the wafer temperature, the ceramic member due to the temperature difference between the center and the ends of the susceptor 112 in thermal stress is generated in the interior of the constructed susceptor 112, thereby cracking or breakage occurs in the susceptor 112.
【0022】 [0022]
これに対して、図2〜4に示すような凹部12a、12b、12cを形成することにより、図8に示すようなサセプタ12の中央部と端部との温度差を小さくした状態を形成することができ、これにより、ウエハ温度を均一にすることができる。 In contrast, the recess 12a as shown in FIG. 2 to 4, 12b, by forming 12c, to form a reduced state the temperature difference between the center and the ends of the susceptor 12 as shown in FIG. 8 it can, thereby, the wafer temperature can be made uniform. すなわち、このような凹部12a、12b、12cを形成すれば、その部分はサセプタ12からの熱放射の効果が抑制されるため、凹部がない場合よりもウエハWの中央部の温度を低くすることができるから、このような凹部12aを設けることにより、ウエハ温度の面内分布を均一化することができる。 That is, such recesses 12a, 12b, by forming the 12c, that the part of the effect of thermal radiation from the susceptor 12 is suppressed, lowering the temperature of the center portion of the wafer W than without recess since it is, by providing such recesses 12a, it is possible to equalize the in-plane distribution of the wafer temperature. この場合に、サセプタ12からの熱放射の効果は、サセプタ12とウエハWとの距離によって異なるから、ウエハWとサセプタ12との間に、サセプタ12に載置された基板の面内温度が均一になるような空間が形成されるように、凹部12aを設定する。 In this case, the effect of thermal radiation from the susceptor 12, since different depending on the distance between the susceptor 12 and the wafer W, between the wafer W and the susceptor 12, a uniform in-plane temperature of the substrate placed on the susceptor 12 as space such that is formed, to configure the recess 12a.
【0023】 [0023]
このときのウエハWとサセプタ12との間のギャップ(空間の高さ)とウエハ温度の変化(ΔT=ギャップ0のときのウエハ温度−そのときのウエハ温度)との関係をチャンバ内圧力666Paの場合と40Paの場合とで比較して図9に示す。 Wafer W and the wafer temperature change (height of the space) gap between the susceptor 12 in this case - the relationship between the pressure inside the chamber 666 Pa (wafer temperature when the [Delta] T = Gap 0 wafer temperature at that time) If compared with the case of the 40Pa shown in FIG. このときの条件は、サセプタ温度:680℃、N ガス流量:0.5L/min、ギャップ0のときのウエハ温度:666Paのとき630℃、40Paのとき580℃である。 The conditions in the susceptor temperature: 680 ° C., N 2 gas flow rate: 0.5 L / min, the wafer temperature when the gap 0: 630 ° C. When 666 Pa, which is 580 ° C. When 40 Pa. 図9に示すように、チャンバー内圧力が高いほどガス分子による熱伝達効果が高く、40Paでは1mmのギャップで2.7℃低下するに過ぎないが、666Paの場合には1mmのギャップで24.7℃も温度を低下させることができることがわかる。 As shown in FIG. 9, as the chamber pressure is higher high heat transfer effect by gas molecules, but only reduced 2.7 ° C. with a gap of 1mm at 40 Pa, at a gap of 1mm in the case of 666 Pa 24. 7 ° C. it can be seen that it is possible to lower the temperature. このように、予めチャンバー内のガス圧力に応じてギャップの大きさ(すなわち空間の高さ)とΔTとの関係を把握しておけば、そのプロセスに最適な凹部を形成することができる。 Thus, if to grasp the size of the gap in response to the gas pressure in advance chamber (i.e. the height of the space) the relationship between [Delta] T, it is possible to form an optimum recesses in the process. なお、サセプタ12に凹部12aを設けることに加え、ヒーターをゾーン分割して、温度分布の微調整を行うようにすることにより、クラックや破損を生じさせることなく、より高精度の温度制御を行うことができる。 Incidentally, in addition to providing a recess 12a on the susceptor 12, the heater and zoning, carried out by such a fine adjustment of the temperature distribution, without causing cracks or damage, the more high-precision temperature control be able to.
【0024】 [0024]
次に、第2の実施形態について説明する。 Next, a second embodiment will be described. ここではランプ加熱方式の成膜装置の例について説明する。 Here will be described an example of a deposition apparatus of a lamp heating method. 図10は本発明の第2の実施形態に係る成膜装置を示す断面図である。 Figure 10 is a sectional view showing a film forming apparatus according to a second embodiment of the present invention. この成膜装置200は、W膜を成膜するためのものであり、略円筒状のチャンバー51を有している。 The film forming apparatus 200 is for forming a W film, and has a substantially cylindrical chamber 51. チャンバー51の内部には、被処理基板であるウエハWを水平に支持するための円盤状のサセプタ52が設けられ、その周縁部が支持部材53により支持されている。 Inside the chamber 51, a disk-shaped susceptor 52 for horizontally supporting a wafer W as a substrate to be processed is provided, the peripheral portion is supported by the support member 53. サセプタ52は、第1の実施形態のサセプタ12と同様、Al 、AlN等のセラミック製であり、サセプタ12と同様に、そのウエハ載置面の中央部に凹部52aが形成されている。 The susceptor 52 is similar to the susceptor 12 in the first embodiment, it is Al 2 O 3, a ceramic such as AlN, similarly to the susceptor 12, the recess 52a is formed in the center portion of the wafer mounting surface . 支持部材53とチャンバー51の内壁との間のサセプタ52の載置面と略同一高さ位置にはバッフルプレート54が設けられている。 At substantially the same height and the mounting surface of the susceptor 52 between the inner wall of the supporting member 53 and the chamber 51 is a baffle plate 54 is provided. サセプタ52の外縁部上方にはウエハWをクランプするクランプリング55が設けられている。 The outer edge above the susceptor 52 clamp ring 55 for clamping the wafer W is provided. サセプタ52には、ウエハWを支持して昇降させるための3本(2本のみ図示)のウエハ支持ピン56がサセプタ52の表面に対して突没可能に設けられ、これらウエハ支持ピン56は、エアシリンダ等の駆動機構57により昇降される。 The susceptor 52, the wafer support pins 56 of the three for supporting and vertically moving the wafer W with (only two shown) are provided can project and retreat relative to the surface of the susceptor 52, these wafer support pins 56, It is lowered by the driving mechanism 57 such as an air cylinder. 上記クランプリング55は、連結部材58により支持ピン56と連結されており、支持ピン56の昇降に連動して昇降するようになっている。 The clamp ring 55, the connecting member 58 is coupled to the support pin 56, so as to work to lift the lifting of the support pin 56. なお、参照符号59はリフレクターを示す。 Reference numeral 59 denotes a reflector.
【0025】 [0025]
チャンバー51の天壁51aには、シャワーヘッド60が設けられている。 The top wall 51a of the chamber 51, a shower head 60 is provided. このシャワーヘッド60は円盤状をなし、天壁51aの上方から嵌め込まれ、その上面および側面を構成するシャワーベース61と、下面を構成する多数の吐出孔62aが形成されたシャワープレート62と、内部空間に水平に2段に形成された拡散板63,64とを有している。 The shower head 60 has a disk shape, is fitted from above the top wall 51a, a shower base 61 which constitutes the upper and side surfaces, the shower plate 62 a number of discharge holes 62a constituting the lower surface is formed, the internal and a diffusion plate 63 and 64 formed in the horizontal two-stage space. シャワーベース61の上面中央にはガス導入口65が設けられている。 The center of the upper surface of the shower base 61 gas inlet 65 is provided.
【0026】 [0026]
上記ガス導入口65には、ガスライン66を介してガス供給機構70が接続されている。 To the gas inlet 65, a gas supply mechanism 70 through the gas line 66 is connected. ガス供給機構70は、成膜ガス、キャリアガス、クリーニングガスのガス供給源、ガス配管、およびマスフローコントローラを有し、プロセス時には、ガスライン66およびガス導入口65を介してArやN ガス等のキャリアガスとともにW含有ガスであるWF ガスおよび還元ガスであるSiH ガス,H ガスをシャワーヘッド60へ導入し、吐出孔62aから吐出させるようになっている。 Gas supply mechanism 70, film-forming gas, the carrier gas, a gas supply source of cleaning gas, a gas pipe, and has a mass flow controller, at the time of the process, via a gas line 66 and gas inlet 65 Ar or N 2 gas or the like SiH 4 gas is WF 6 gas and the reducing gas is a W-containing gas, H 2 gas was introduced into the shower head 60 with a carrier gas, so as to eject from the ejection hole 62a. なお、チャンバー51のクリーニング時には、ガス供給機構70からクリーニングガスとして例えばClF ガスがガスライン66およびシャワーヘッド60を介してチャンバー11内に供給される。 At the time of cleaning of the chamber 51, as for example ClF 3 gas cleaning gas from the gas supply mechanism 70 is supplied to the chamber 11 through the gas line 66 and the shower head 60.
【0027】 [0027]
チャンバー51底部のサセプタ52の直下位置には、石英等の熱線透過材料よりなる透過窓71が気密に設けられており、その下方には、透過窓71を囲むように箱状のランプ室72が設けられている。 The position directly below the chamber 51 the bottom of the susceptor 52, the transmission window 71 made of a heat ray transmissive material such as quartz is provided hermetically in its downward, a box-shaped lamp chamber 72 so as to surround the transmission window 71 It is provided. このランプ室72内には、ランプ73が反射鏡をも兼ねる回転台74に取付けられており、この回転台74は、回転軸75を介してランプ室72の底部に設けられた回転モータ76により回転されるようになっている。 The lamp chamber 72, the lamp 73 is attached to the turntable 74 which also serves as a reflecting mirror, the turntable 74 is a rotating motor 76 provided on the bottom of the lamp chamber 72 through the rotary shaft 75 and it is rotated. したがって、このランプ73から放出された熱線は、透過窓71を透過してサセプタ52の下面を照射して加熱し、ウエハWを加熱し得るようになっている。 Therefore, heat rays emitted from the lamp 73 is transmitted through the transmission window 71 is heated by irradiating a lower surface of the susceptor 52, and is able to heat the wafer W.
【0028】 [0028]
チャンバー51の底部には排気管が77が接続されており、この排気管77には排気装置78が接続されている。 The bottom of the chamber 51 is connected to the exhaust pipe 77, an exhaust device 78 is connected to the exhaust pipe 77. そしてこの排気装置78を作動させることによりチャンバー51内を所定の真空度まで減圧することが可能となっている。 And it is possible to reduce the pressure in the chamber 51 to a predetermined degree of vacuum by operating the gas exhaust unit 78.
【0029】 [0029]
チャンバー51の側壁には、隣接する図示しない搬送室との間でウエハWの搬入出を行うための搬入出口79と、この搬入出口79を開閉するゲートバルブ80とが設けられている。 The sidewall of the chamber 51, a transfer port 79 for transferring the wafer W between the transfer chamber (not shown) adjacent are provided a gate valve 80 for opening and closing the transfer port 79.
【0030】 [0030]
このような成膜装置200においては、まず、チャンバー51の側壁に設けられたゲートバルブ80を開いて搬入出口79を介してウエハ搬送装置によりウエハWをチャンバー51内へ搬入し、サセプタ52上に載置する。 In such a film forming apparatus 200, first, the wafer W is loaded into the chamber 51 by the wafer transfer apparatus through the transfer port 79 by opening the gate valve 80 provided in the side wall of the chamber 51, on the susceptor 52 It is placed.
【0031】 [0031]
この状態で排気装置78によりチャンバー51内を排気して高真空度に維持した後、ガス供給機構70からシャワーヘッド40を介してチャンバー51内にArガスやN ガス等を供給しながら、ランプ室72内のランプ73を点灯してその熱線によりウエハWを例えば350〜500℃に加熱し、その状態で所定時間保持する。 After maintaining the exhaust system 78 in this state by evacuating the chamber 51 to a high vacuum degree, while supplying the Ar gas and N 2 gas or the like into the chamber 51 from the gas supply mechanism 70 through the shower head 40, the lamp lit lamp 73 in the chamber 72 to heat the wafer W by the hot wire for example, 350 to 500 ° C., for a predetermined time in this state. その後、ランプ73を点灯したままの状態で、チャンバー51内にSiH ガスを供給してイニシエーション工程を行う。 Then, in the state of the lamp 73 remains lit, perform initiation process by supplying the SiH 4 gas into the chamber 51. 次に、ガス供給機構70から、WF ガス、N ガス、Arガス、SiH ガス、およびH ガスを所定の流量で供給し、チャンバー51内の圧力を533〜2666Pa程度にし、ウエハ温度を350〜500℃として、高精度のマスフローコントローラーにより厳密に流量を制御しつつ、本成膜工程よりも少量のWF ガスの供給を開始しウエハW表面にニュークリエーション膜を形成する。 Next, from the gas supply mechanism 70 supplies WF 6 gas, N 2 gas, Ar gas, SiH 4 gas, and H 2 gas at a predetermined flow rate, the pressure in the chamber 51 to about 533~2666Pa, wafer temperature as 350 to 500 ° C., while controlling the exact flow rate by the high-precision mass flow controller, than the film-forming step of forming a nucleation film on the start and the wafer W surface the supply of small quantities of WF 6 gas. その後、WF ガスおよびSiH ガスの供給を停止し、その他のガスの供給量を維持した状態で、排気装置78により急激に排気し、ニュークリエーション膜を形成した後に残留した処理ガスをチャンバー51から一掃した後、ウエハWの表面に、W膜の本成膜工程を行う。 Thereafter, to stop the supply of WF 6 gas and SiH 4 gas, other while maintaining the supply amount of gas, rapidly exhausted by the exhaust device 78, nucleation layer residual processing gas after forming a chamber 51 after wiped from the surface of the wafer W, it performs the process of forming the W film. この本成膜工程においては、ニュークリエーション膜形成時よりWF ガスを増量してガス供給機構70からArガス、H ガス、N ガス、WF ガスの供給を開始してチャンバー51内の圧力を2666〜13333Pa程度にし、W膜の本成膜を行う。 In this present film-forming step, and increasing the WF 6 gas than during nucleation film formed from the gas supply mechanism 70 Ar gas, H 2 gas, N 2 gas, WF 6 gas supply in the chamber 51 to start the a pressure of about 2666~13333Pa, conduct the film formation of the W film. この際にもウエハ温度は350〜500℃程度に維持される。 Wafer temperature during this is kept at about 350 to 500 ° C..
【0032】 [0032]
このようなランプ加熱の場合においても、サセプタ52に凹部52aを形成することにより、サセプタ52の中心部と周縁部との温度差を小さい状態にすることができ、これによってウエハ温度を均一にすることができる。 Also in case of such a lamp heating, by forming the recess 52a to the susceptor 52, it is possible to small state temperature difference between the central portion and the peripheral portion of the susceptor 52, thereby to the wafer temperature uniformity be able to. すなわち、このような凹部52aを形成すれば、ウエハWと凹部52aとの間に形成される空間内はサセプタ12からの熱放射の効果が抑えられるため、凹部がない場合よりも温度を低くすることができる。 That is, when forming such a recess 52a, a space formed between the wafer W and the recess 52a, since the effect of thermal radiation from the susceptor 12 is suppressed, lowering the temperature than without the recess be able to. したがって、このような凹部52aを設けることにより、ウエハ中央部の温度を低下させて温度の面内分布を均一化することができる。 Thus, by providing such recesses 52a, it is possible to reduce the temperature of the wafer central portion to equalize the in-plane distribution of temperature. 凹部52aは、第1の実施形態の凹部12aと同様、ウエハWとサセプタ52との間に、ガス圧力に応じて、サセプタ52に載置された支持された基板の面内温度が均一になるような空間が形成されるように設定される。 Recess 52a is similar to the recess 12a of the first embodiment, between the wafer W and the susceptor 52 in response to the gas pressure, surface temperature of the supported substrate becomes uniform placed on the susceptor 52 It is set such that the space that is formed.
【0033】 [0033]
なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々変形することが可能である。 The present invention can be variously modified without being limited to the above embodiment. 例えば、上記実施形態では本発明をTiN、Ti膜成膜、およびW膜成膜に適用した場合について示したが、これらの膜に限定されず、他のCVD膜の成膜に適用することが可能であり、また、成膜に限らず、加熱をともなう処理であれば、他の処理も可能である。 For example, the present invention in the above embodiment TiN, has been described when applied to Ti film formation, and W film forming, is not limited to these films, to be applied to the deposition of other CVD film is possible, also, not limited to deposition, if a process involving heating, other processes are also possible. また、単に加熱処理のみを行う装置に適用することも可能である。 It is also possible to simply applied to an apparatus that performs only heat treatment. さらに、基板として半導体ウエハを用いた場合について示したが、これに限らず他の基板、例えば液晶表示装置(LCD)用のガラス基板にも適用することが可能である。 Furthermore, although illustrated for the case where a semiconductor wafer is used as substrate, the other substrate is not limited to this, for example, it can be applied to a glass substrate for a liquid crystal display device (LCD).
【0034】 [0034]
【発明の効果】 【Effect of the invention】
以上説明したように、本発明によれば、支持した基板と基板支持面との間に、チャンバー内の圧力に応じて、支持された基板の面内温度が均一になるような空間が形成されるように、基板支持面に凹部を形成するようにしたので、基板温度が高くなる部分のサセプタからの熱放射の効果を抑制して温度を低くすることができ、そしてこのようなサセプタからの熱放射の効果はサセプタと基板との間の距離によって変化するから、処理の際のガス圧力に応じてその空間の高さを調整すれば、サセプタの温度が不均一になるような制御を行うことなく基板温度を均一にすることができる。 As described above, according to the present invention, between the supporting substrate and the substrate supporting surface, depending on the pressure in the chamber, the space such as plane temperature of the supported substrate becomes uniform is formed in so that, since so as to form a concave portion on the substrate supporting surface, to suppress the effect of thermal radiation from the susceptor portion substrate temperature is high it is possible to lower the temperature, and from such susceptors since the effect of heat radiation varies with the distance between the susceptor and the substrate, by adjusting the height of the space, the control such that the temperature of the susceptor becomes uneven performed in accordance with the gas pressure during processing it can be made uniform substrate temperature without.
【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
【図1】本発明の第1の実施形態に係る成膜装置を示す断面図。 Sectional view showing a film forming apparatus according to a first embodiment of the present invention; FIG.
【図2】図1の成膜装置に用いられたサセプタを示す拡大断面図。 Figure 2 is an enlarged sectional view showing a susceptor used in the film deposition apparatus of FIG.
【図3】サセプタの他の例を示す断面図。 3 is a cross-sectional view illustrating another example of the susceptor.
【図4】サセプタのさらに他の例を示す断面図。 4 is a cross-sectional view showing still another example of the susceptor.
【図5】図2のサセプタにウエハの位置決め用の凹部(ざぐり部)を設けた状態を示す断面図。 5 is a sectional view showing a state in which a recess (counterbore portion) for positioning the wafer on the susceptor of FIG.
【図6】従来のサセプタを示す断面図。 6 is a sectional view showing a conventional susceptor.
【図7】従来のヒーターの温度分布とウエハの温度分布とを示すグラフ。 Figure 7 is a graph showing the temperature distribution of the temperature distribution of a conventional heater and the wafer.
【図8】本発明の第1の実施形態におけるヒーターの温度分布とウエハの温度分布とを示すグラフ。 Graph showing the temperature distribution and the temperature distribution of the wafer of the heater in the first embodiment of the invention; FIG.
【図9】ウエハとサセプタとの間のギャップとウエハ温度の変化との関係をチャンバ内圧力666Paの場合と40Paの場合とで比較して示す図。 [9] the wafer and illustrates by comparing the relationship between the case when the 40Pa in pressure inside the chamber 666Pa between the change of the gap and the wafer temperature between the susceptor.
【図10】本発明の第2の実施形態に係る成膜装置を示す断面図。 Figure 10 is a cross-sectional view showing a film forming apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS
1,51;チャンバー12,52;サセプタ12a,12b,12c,52a;凹部15;ヒーター20,60;シャワーヘッド30,70;ガス供給機構38,78;排気装置100,200;成膜装置W;半導体ウエハ 1,51; chamber 12, 52; susceptor 12a, 12b, 12c, 52a; recess 15; heater 20, 60; showerhead 30 and 70; the gas supply mechanism 38, 78; exhaust devices 100 and 200; film forming apparatus W; semiconductor wafer

Claims (8)

  1. チャンバーと、 And the chamber,
    前記チャンバー内を減圧下に保持する排気手段と、 And exhaust means for holding the chamber under vacuum,
    前記チャンバー内で基板を支持するサセプタと、 A susceptor for supporting a substrate within said chamber,
    前記サセプタを介して基板を加熱する加熱手段とを有し、基板に対する熱処理または基板を加熱しつつ所定の処理を行う基板処理装置であって、 Wherein and a heating means for heating the substrate through the susceptor, a substrate processing apparatus for performing predetermined processing while heating the heat treatment or the substrate relative to the substrate,
    前記サセプタは、支持した基板と基板支持面との間に、前記チャンバー内の圧力に応じて、支持された基板の面内温度が均一になるような空間が形成されるように、基板支持面に凹部が形成されていることを特徴とする基板処理装置。 The susceptor is provided between the supporting substrate and the substrate support surface, the depending on the pressure in the chamber, such that a space, such as in-plane temperature of the supported substrate becomes uniform is formed, the substrate supporting surface the substrate processing apparatus characterized by recess is formed on.
  2. 前記凹部は、サセプタの中央の深さが最も大きく、中央から端部に向けて浅くなるように形成されていることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 The recess, the center of the depth of the susceptor is the largest, the substrate processing apparatus according to claim 1, characterized in that is formed to be shallower toward the end portion from the center.
  3. 前記加熱手段は、前記サセプタ内に埋設された抵抗ヒーターを有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の基板処理装置。 Said heating means, the substrate processing apparatus according to claim 1 or claim 2 characterized by having a buried resistive heater in the susceptor.
  4. 前記加熱手段は、前記サセプタの下方に設けられた加熱ランプを有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の基板処理装置。 It said heating means, the substrate processing apparatus according to claim 1 or claim 2 characterized in that it has a heating lamp provided below the susceptor.
  5. 減圧下に保持されたチャンバー内で基板を支持し、加熱手段により加熱されてその熱により基板を加熱するサセプタであって、 Supporting the substrate in a chamber held under vacuum, a susceptor for heating the substrate by the heat is heated by the heating means,
    支持した基板と基板支持面との間に、前記チャンバー内の圧力に応じて、支持された基板の面内温度が均一になるような空間が形成されるように、基板支持面に凹部が形成されていることを特徴とするサセプタ。 Between the supporting substrate and the substrate supporting surface, depending on the pressure in the chamber, so that space as plane temperature of the supported substrate becomes uniform is formed, the recess on the substrate supporting surface formed susceptor, characterized in that it is.
  6. 前記凹部は、中央の深さが最も大きく、中央から端部に向けて浅くなるように形成されていることを特徴とする請求項5に記載のサセプタ。 The recess, the central depth is the largest, the susceptor according to claim 5, characterized in that it is formed to be shallower toward the end portion from the center.
  7. その中に抵抗ヒーターが埋設され、これに通電されることにより加熱されることを特徴とする請求項5または請求項6に記載のサセプタ。 Resistance heater is embedded therein, a susceptor according to claim 5 or claim 6, characterized in that it is heated by being energized thereto.
  8. その下方に配置された加熱ランプにより加熱されることを特徴とする請求項5または請求項6に記載のサセプタ。 The susceptor according to claim 5 or claim 6, characterized in that it is heated by the arranged heating lamp thereunder.
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