KR20160093386A - Deposition apparatus for semiconductor manufacturing - Google Patents

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Abstract

A deposition apparatus for a semiconductor manufacture disclosed by the present invention comprises: a chamber unit wherein a deposition process for at least one substrate is performed; a susceptor unit supporting the substrate within the chamber unit and rotated; a shower head unit injecting a deposition gas for a deposition towards the substrate in the chamber unit; and an exhaust unit which exhausts the deposition gas towards the outside of the chamber unit. The exhaust unit is operated to be able to adjust the height thereof in the chamber unit. Due to such configuration, the apparatus adjusts a residence time of a deposition gas for a substrate, thereby improving the efficiency of a deposition.

Description

반도체 제조용 증착장치{DEPOSITION APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING}[0001] DEPOSITION APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING [0002]

본 발명은 반도체 제조용 증착장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 소스가스의 체류시간을 증가시켜 증착효율을 향상시킬 수 있는 반도체 제조용 증착장치를 제공하기 위한 것이다.
The present invention relates to a deposition apparatus for semiconductor fabrication, and more particularly, to provide a deposition apparatus for semiconductor fabrication that can improve the deposition efficiency by increasing the residence time of a source gas.

일반적으로, 반도체 웨이퍼나 글래스 등의 기판 상에 소정 두께의 박막을 증착하기 위해서는 스퍼터링(sputtering)과 같이 물리적인 충돌을 이용하는 물리 기상 증착법(physical vapor deposition, PVD)과, 화학 반응을 이용하는 화학 기상 증착법(chemical vapor deposition, CVD) 등을 이용한 박막 제조 방법이 사용된다.In general, in order to deposit a thin film having a predetermined thickness on a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate, physical vapor deposition (PVD) using physical collision such as sputtering and chemical vapor deposition (chemical vapor deposition), or the like.

여기서, 화학 기상 증착법으로는 상압 화학 기상 증착법(atmospheric pressure CVD, APCVD), 저압 화학 기상 증착법(low pressure CVD, LPCVD), 플라즈마 유기 화학 기상 증착법(plasma enhanced CVD, PECVD)등이 있다. 이러한 다양한 화학 기상 증착법 중에서 저온 증착이 가능하고 박막 형성 속도가 빠른 장점 때문에 플라즈마 유기 화학 기상 증착법이 많이 사용되고 있다.Examples of the chemical vapor deposition method include atmospheric pressure CVD (APCVD), low pressure CVD (LPCVD), and plasma enhanced CVD (PECVD). Among these various chemical vapor deposition methods, plasma organic chemical vapor deposition (CVD) is widely used because of its low temperature deposition capability and rapid film forming speed.

그러나, 근래에는 반도체 소자의 디자인 룰(design rule)이 급격하게 미세해짐으로써 미세 패턴의 박막이 요구되는 추세임에 따라, 박막이 형성되는 영역의 단차 또한 매우 커지게 되었다. 이에 따라, 원자층 두께의 미세 패턴을 매우 균일하게 형성할 수 있을 뿐만 아니라 스텝 커버리지(step coverage)가 우수한 단원자층 증착 방법(atomic layer deposition, ALD)의 사용이 증대되고 있다.However, in recent years, since a design rule of a semiconductor device is rapidly finer and a thin film of a fine pattern is required, a step of a region where a thin film is formed becomes very large. As a result, the use of atomic layer deposition (ALD), which not only can form fine patterns of atomic layer thickness very uniformly but also has excellent step coverage, is increasing.

원자층 증착 방법(ALD)은, 기체 분자들 간의 화학 반응을 이용한다는 점에 있어서 일반적인 화학 기상 증착 방법과 유사하다. 하지만, 통상의 화학 기상 증착(CVD) 방법이 다수의 기체 분자들을 동시에 프로세스 챔버 내로 주입하여 기판의 상방에서 발생된 반응 생성물을 기판에 증착하는 방식인데 반하여, 원자층 증착 방법은 하나의 기체 물질을 프로세스 챔버 내로 주입한 후 이를 퍼지(purge)하여 가열된 기판의 상부에 물리적으로 흡착된 기체만을 잔류시키고 이후에 다른 기체 물질을 주입함으로써 기판의 상면에서만 발생되는 화학 반응 생성물을 증착한다는 점에서 상이하다. 이러한 원자층 증착 방법을 통해 구현되는 박막은 스텝 커버리지 특성이 매우 우수하며 불순물 함유량이 낮은 순수한 박막을 구현하는 것이 가능한 장점을 갖고 있어 현재 널리 각광받고 있다.The atomic layer deposition method (ALD) is similar to the general chemical vapor deposition method in that it utilizes a chemical reaction between gas molecules. However, the conventional chemical vapor deposition (CVD) method is a method in which a plurality of gas molecules are simultaneously injected into a process chamber to deposit a reaction product generated on a substrate above the substrate, whereas the atomic layer deposition method is a method in which a single gaseous substance In that the gas is injected into the process chamber and then purged to deposit only the physically adsorbed gas on top of the heated substrate and thereafter inject another gas material to deposit the chemical reaction product generated only on the upper surface of the substrate . The thin film realized by the atomic layer deposition method is widely popular because it has the advantage of having excellent step coverage characteristics and realizing a pure thin film having a low impurity content.

그러나, 기존의 원자층 증착 장치를 이용하여 샤워헤드 또는 서셉터가 고속으로 회전하면서 서로 다른 종류의 소스가스들을 분사하고 기판이 순차적으로 소스가스를 통과하여 박막을 형성하는 경우, 기판의 고속 회전으로 인해 기판과 소스가스의 접촉시간이 짧아서 기판 표면에서 소스가스의 화학반응이 충분히 발생하지 못하는 문제점이 있다. 이로 인해 증착효율 및 증착된 박막의 품질이 저하되고 증착 시간이 증가하는 문제점이 있다.
However, when a showerhead or a susceptor rotates at a high speed using a conventional atomic layer deposition apparatus and sprays different types of source gases and the substrate sequentially passes through the source gas to form a thin film, The contact time between the substrate and the source gas is short and the chemical reaction of the source gas on the substrate surface can not be sufficiently generated. As a result, there is a problem that the deposition efficiency and the quality of the deposited thin film are deteriorated and the deposition time is increased.

-. 국내공개특허 제10-2012-0036464호(출원인: 주식회사 케이씨텍)-. Korean Patent Laid-Open No. 10-2012-0036464 (filed by KC Tech) -. 국내등록특허 제10-1126389호(출원인: 이재민, 강현)-. Korean Registered Patent No. 10-1126389 (Applicants: Jae-Min Lee, Kang Hyun)

본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 소스가스와 기판의 접촉시간을 증가시켜 증착효율을 향상시키는 반도체 제조용 증착장치를 제공하기 위한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a deposition apparatus for semiconductor fabrication which improves the deposition efficiency by increasing the contact time between the source gas and the substrate.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 반도체 제조용 증착장치는, 적어도 하나의 기판에 대한 증착공정이 이루어지는 챔버유닛, 상기 챔버유닛 내에서 상기 기판을 지지하여 회전되는 서셉터유닛, 상기 챔버유닛 내에서 상기 기판을 향해 증착을 위한 증착가스를 분사하는 샤워헤드유닛 및, 상기 챔버유닛의 외부로 상기 증착가스를 배기시키는 배기유닛을 포함하며, 상기 배기유닛은 상기 챔버유닛의 내부에서 높낮이 조절이 가능하게 구동된다. According to an aspect of the present invention, there is provided a deposition apparatus for semiconductor manufacturing, including: a chamber unit for performing a deposition process on at least one substrate; a susceptor unit rotatably supported by the substrate in the chamber unit; A shower head unit for spraying a deposition gas for deposition toward the substrate; and an exhaust unit for exhausting the deposition gas to the outside of the chamber unit, wherein the exhaust unit is adjustable in height inside the chamber unit .

일측에 의하면, 상기 배기유닛은 상기 챔버유닛과 상기 서셉터유닛 사이에 승하강 가능하게 설치된다. According to one aspect, the exhaust unit is installed between the chamber unit and the susceptor unit so as to be able to move up and down.

일측에 의하면, 상기 배기유닛은, 상기 챔버유닛의 내주면을 따라 설치되는 배기하우징, 상기 배기하우징 내에 움직임 가능하게 설치되며, 상기 증착소스를 배기시키기 위한 배기홀이 마련되는 배기배플 및, 상기 배기배플을 상기 배기하우징 내에서 승하강 시키는 배기구동부를 포함한다. According to one aspect of the present invention, the exhaust unit includes an exhaust housing installed along the inner circumferential surface of the chamber unit, an exhaust baffle provided movably in the exhaust housing and provided with an exhaust hole for exhausting the evaporation source, And an exhaust port portion that moves up and down in the exhaust housing.

일측에 의하면, 상기 배기배플은 상기 배기하우징에 대해 회전 가능하여, 상기 배기하우징에 대한 돌출각도가 조절 가능하다. According to one aspect, the exhaust baffle is rotatable with respect to the exhaust housing, and the projecting angle with respect to the exhaust housing is adjustable.

본 발명의 바람직한 일 실시예에 의한 반도체 제조용 증착장치는, 적어도 하나의 기판의 증착공정이 이루어지는 챔버유닛, 상기 챔버유닛 내에서 상기 기판을 지지하여 회전되는 서셉터유닛, 상기 챔버유닛 내에서 상기 기판을 향해 증착을 위한 증착가스를 분사하는 샤워헤드유닛 및, 상기 챔버유닛의 외부로 상기 증착가스를 배기시키는 배기유닛을 포함하며, 상기 배기유닛은 상기 챔버유닛의 내부에서 자세 변환 가능하여 상기 기판에 대한 상기 증착가스의 체류시간을 조절한다. A deposition apparatus for semiconductor manufacturing according to a preferred embodiment of the present invention includes a chamber unit in which at least one substrate is deposited, a susceptor unit rotatably supported in the chamber unit, And an exhaust unit for exhausting the deposition gas to the outside of the chamber unit, wherein the exhaust unit is changeable in the interior of the chamber unit, Thereby controlling the residence time of the deposition gas.

일측에 의하면, 상기 배기유닛은, 상기 챔버유닛과 상기 서셉터유닛의 사이에 설치되는 배기하우징, 상기 배기하우징 내에 움직임 가능하게 설치되며, 상기 증착소스를 배기시키기 위한 배기홀이 마련되는 배기배플 및, 상기 배기배플을 상기 배기하우징 내에서 승하강 시키는 배기구동부를 포함한다. According to one aspect of the present invention, the exhaust unit includes an exhaust housing provided between the chamber unit and the susceptor unit, an exhaust baffle provided movably in the exhaust housing and provided with an exhaust hole for exhausting the evaporation source, And an exhaust port portion for moving the exhaust baffle up and down in the exhaust housing.

일측에 의하면, 상기 배기배플은 상기 배기하우징에 대해 회전 가능하여, 상기 배기하우징에 대한 돌출각도가 조절 가능하다.
According to one aspect, the exhaust baffle is rotatable with respect to the exhaust housing, and the projecting angle with respect to the exhaust housing is adjustable.

상기와 같은 구성을 가지는 본 발명에 따르면, 첫째, 증착가스가 배기되는 배기유닛의 높낮이를 조절함으로써, 배기되는 증착가스의 유동을 저지하여 기판에 대한 증착가스의 잔류시간을 조절할 수 있게 된다. 이로 인해, 기판에 대한 증착 효율 및 박막 품질이 향상된다. According to the present invention having the above-described structure, first, by controlling the height of the exhaust unit through which the deposition gas is exhausted, it is possible to control the deposition time of the deposition gas on the substrate by stopping the flow of the exhaust gas being exhausted. This improves the deposition efficiency and the film quality for the substrate.

둘째, 서셉터유닛 및 샤워헤드유닛의 구조 변경 없이 배기유닛의 높낮이 조절로 증착가스의 배기 시간을 조절할 수 있게 되어, 구조가 단순하다. Second, the exhaust time of the deposition gas can be adjusted by adjusting the height of the exhaust unit without changing the structure of the susceptor unit and the showerhead unit, and the structure is simple.

셋째, 배기배플을 회전시켜 배기하우징에 대해 돌출된 각도를 조절함으로써, 배기배플로 유입되어 배기되는 증착가스의 배기시간 조절에 용이하다.
Third, by adjusting the angle of projection of the exhaust baffle with respect to the exhaust housing by rotating the exhaust baffle, it is easy to control the exhaust time of the exhaust gas flowing into and exhausted from the exhaust baffle.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의한 반도체 제조용 증착장치를 개략적으로 도시한 단면도,
도 2는 도 1에 도시된 반도체 제조용 증착장치의 배기유닛 동작을 설명하기 위해 개략적으로 도시한 단면도, 그리고,
도 3은 도 1에 도시된 반도체 제조용 증착장치의 배기유닛 변형예를 개략적으로 도시한 요부 단면도이다. 1 is a cross-sectional view schematically showing a deposition apparatus for manufacturing a semiconductor according to a preferred embodiment of the present invention,
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically illustrating an operation of an exhaust unit of the deposition apparatus for semiconductor manufacturing shown in FIG. 1,
Fig. 3 is a cross-sectional view of the main portion schematically showing a modification of the exhaust unit of the deposition apparatus for semiconductor manufacturing shown in Fig. 1. Fig.

이하, 본 발명을 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참고하여 설명한다.
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1을 참고하면, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의한 반도체 제조용 증착장치(1)는 챔버유닛(10), 서셉터유닛(20), 샤워헤드유닛(30) 및 배기유닛(40)을 포함한다.
1, a deposition apparatus 1 for semiconductor manufacturing according to a preferred embodiment of the present invention includes a chamber unit 10, a susceptor unit 20, a showerhead unit 30, and an exhaust unit 40 do.

상기 챔버유닛(10)은 적어도 하나의 기판(W)에 대한 증착공정이 이루어진다. 상기 챔버유닛(10)은 내부에 적어도 하나의 기판(W)이 수용될 수 있는 공간을 가지도록 내부가 중공인 프로세스 챔버를 포함한다. The chamber unit 10 is subjected to a deposition process for at least one substrate W. The chamber unit 10 includes a process chamber in which the inside is hollow so as to have a space in which at least one substrate W can be received.

본 실시예에서는 상기 챔버유닛(10)의 내부에서 복수의 기판(W)이 동시에 수용되어 증착되는 것으로 도시 및 예시한다. 아울러, 상기 기판(W)은 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 기판(W)은 LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치용으로 사용하는 유리를 포함하는 투명 기판일 수 있다. 또한, 상기 기판(W)은 형상 및 크기가 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 원형 및 사각형 플레이트 등 실질적으로 다양한 형상과 크기를 가질 수 있다.In this embodiment, a plurality of substrates W are accommodated and deposited in the chamber unit 10, and are illustrated and exemplified. In addition, the substrate W may be a silicon wafer. However, the present invention is not limited thereto, and the substrate W may be a transparent substrate including a glass used for a flat panel display device such as a liquid crystal display (LCD) or a plasma display panel (PDP). In addition, the shape and size of the substrate W are not limited by the drawings, and may have substantially various shapes and sizes such as circular and rectangular plates.

상기 서셉터유닛(20)은 챔버유닛(10)의 내부에서 기판(W)을 지지하여, 기판(W)이 공전하도록 회전축(21)을 중심으로 회전된다. 이러한 서셉터유닛(20)은 복수의 기판(W)이 놓여지는 원형의 플레이트 형상을 가진다. The susceptor unit 20 supports the substrate W in the chamber unit 10 and is rotated around the rotation axis 21 so that the substrate W revolves. Such a susceptor unit 20 has a circular plate shape in which a plurality of substrates W are placed.

참고로, 본 발명에서 설명하는 서셉터유닛(20)은 스루풋(throughput)이 우수한 세미배치(semi-batch) 타입으로서, 복수의 기판(W)이 동일 평면 상에 일면이 지지되도록 배치되고 서셉터유닛(20)의 표면에서 원주 방향을 따라 방사상으로 배치된다.For reference, the susceptor unit 20 described in the present invention is a semi-batch type having an excellent throughput, in which a plurality of substrates W are arranged to be supported on one plane on the same plane, Is arranged radially along the circumferential direction at the surface of the unit (20).

상기 샤워헤드유닛(30)은 챔버유닛(10) 내에서 기판(W)을 향해 증착을 위한 증착가스를 분사한다. 상기 샤워헤드유닛(30)은 챔버유닛(10)의 상부에 구비되어 서셉터유닛(20)에 지지된 복수의 기판(W) 표면으로 증착가스를 제공한다. 이러한 샤워헤드유닛(30)은 기판(W)과 마주하는 위치에 복수의 분사홀(31)이 관통 형성되어, 증착가스를 분사한다. 여기서, 상기 분사홀(31)의 크기, 개수 및 배치 형태는 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 기판(W)으로 균일하게 증착가스를 분사할 수 있도록 실질적으로 다양한 형태로 배치될 수 있다. 또한, 상기 분사홀(31)은 원형 홀 또는 슬릿 형태를 가질 수 있다.The showerhead unit 30 injects a deposition gas for deposition toward the substrate W in the chamber unit 10. The showerhead unit 30 is provided on the top of the chamber unit 10 to provide a deposition gas to the surface of a plurality of substrates W supported by the susceptor unit 20. In the shower head unit 30, a plurality of injection holes 31 are formed at positions facing the substrate W, and the deposition gas is injected. Here, the size, number, and arrangement of the injection holes 31 are not limited to those shown in the drawings, but may be arranged in various forms so as to uniformly spray the deposition gas on the substrate W. The injection hole 31 may have a circular hole or a slit shape.

참고로, 상기 증착가스는 상기 기판(W) 표면에 형성하고자 하는 박막을 구성하는 물질이 포함된 소스가스와 상기 소스가스의 퍼지를 위한 퍼지가스를 포함한다. 또한, 본 실시예에 따르면 소스가스로서 서로 반응하여 박막 물질을 형성하는 서로 다른 2 종류의 가스가 사용되고, 퍼지가스로는 상기 소스가스들 및 상기 기판(W)과 상기 기판(W) 상에 형성된 박막과 화학적으로 반응하지 않는 안정한 가스가 사용된다.For reference, the deposition gas includes a source gas containing a material forming the thin film to be formed on the surface of the substrate W, and a purge gas for purging the source gas. According to the present embodiment, two kinds of gases which react with each other as a source gas to form a thin film material are used. As the purge gas, the source gas and the thin film formed on the substrate W and the substrate W And a stable gas which does not chemically react with the gas is used.

상기 배기유닛(40)은 챔버유닛(10)의 외부로 증착가스를 배기시킨다. 상기 배기유닛(40)은 챔버유닛(10) 내의 미반응 증착가스 및 잔류 증착가스를 포함하는 배기가스를 배기시킨다. 상기 배기유닛(40)은 챔버유닛(10)의 내부에서 높낮이 조절이 가능하도록 구동된다. 이러한 배기유닛(40)은 챔버유닛(10)의 내주면에 승하강 가능하게 설치되며, 배기하우징(41), 배기배플(42) 및 배기구동부(43)를 포함한다. The exhaust unit 40 exhausts the deposition gas to the outside of the chamber unit 10. The exhaust unit 40 exhausts the exhaust gas containing the unreacted deposition gas and the residual deposition gas in the chamber unit 10. The exhaust unit 40 is driven to be adjustable in height within the chamber unit 10. The exhaust unit 40 includes an exhaust housing 41, an exhaust baffle 42, and an exhaust passage 43, which are installed on the inner peripheral surface of the chamber unit 10 so as to be ascendable and descendable.

상기 배기하우징(41)은 챔버유닛(10)와 서셉터유닛(20)의 사이에 마련되며, 본 실시예에서는 배기하우징(41)이 챔버유닛(10)의 내주면을 따라 설치되는 것으로 도시 및 예시한다. 이러한 배기하우징(41)은 도 1에 확대 도시된 바와 같이, 내부에 배기배플(42)의 설치를 위해 공간을 구비한다. 참고로, 상기 배기하우징(41)은 챔버유닛(10)의 내주면이 밀착 설치되지 않고 이격되어 설치되거나, 챔버유닛(10)의 내주면에 일체로 형성되는 변형예도 가능하다. The exhaust housing 41 is provided between the chamber unit 10 and the susceptor unit 20. In this embodiment, the exhaust housing 41 is installed along the inner circumferential surface of the chamber unit 10, do. The exhaust housing 41 has a space for installing the exhaust baffle 42 therein, as shown in an enlarged view in Fig. For example, the exhaust housing 41 may be formed so as to be spaced apart from the inner circumferential surface of the chamber unit 10, or may be integrally formed on the inner circumferential surface of the chamber unit 10.

상기 배기배플(42)은 배기하우징(41) 내에 움직임 가능하게 설치되며, 증착소스를 배기시키기 위한 배기홀(42a)이 마련된다. 상기 배기배플(42)은 배기하우징(41)의 내면에 밀착되어 설치되는 것으로 도시 및 예시한다. 이러한 배기배플(42)은 흡입력을 발생시키는 미도시된 배기펌프와 연결되어, 서셉터유닛(20) 상의 증착소스를 챔버유닛(10)의 외부로 배기시키기 된다. The exhaust baffle 42 is movably installed in the exhaust housing 41 and is provided with an exhaust hole 42a for exhausting the deposition source. The exhaust baffle 42 is shown in close contact with the inner surface of the exhaust housing 41. This exhaust baffle 42 is connected to an unillustrated exhaust pump for generating a suction force so as to exhaust the deposition source on the susceptor unit 20 to the outside of the chamber unit 10. [

상기 배기구동부(43)는 배기배플(42)을 배기하우징(41) 내에서 승하강 시킨다. 상기 배기구동부(43)는 도 2의 도시와 같이, 배기배플(42)을 승하강시켜 배기하우징(41)에 대한 배기배플(42)의 승하강 높이를 조절한다. 이렇게 배기구동부(43)에 의해 배기배플(42)의 승하강 높이가 조절됨으로써, 샤워헤드유닛(30)에서 분사된 증착가스가 배기배플(42)로 배출되는 것을 지연시켜 기판(W) 표면에서 체류하는 시간을 증가시킨다.
The exhaust port 43 moves the exhaust baffle 42 upward and downward in the exhaust housing 41. As shown in FIG. 2, the exhaust port 43 adjusts the height of the exhaust baffle 42 with respect to the exhaust housing 41 by moving the exhaust baffle 42 up and down. The height of the exhaust baffle 42 is adjusted by the exhaust port 43 in such a manner that the exhaust gas sprayed from the shower head unit 30 is delayed from being discharged to the exhaust baffle 42, It increases the time to stay.

상기와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 반도체 제조용 증착장치(1)의 증착동작을 도 1 및 도 2를 참고하여 설명한다. The deposition operation of the deposition apparatus 1 for semiconductor manufacturing according to the present invention having the above-described structure will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG.

도 1 및 도 2의 도시와 같이, 상기 챔버유닛(10)의 내부에서 서셉터유닛(20)에 지지된 기판(W)을 향해 샤워헤드유닛(30)이 증착가스를 분사한다. 이때, 상기 서셉터유닛(20)에 지지된 기판(W)은 서셉터유닛(20)의 회전에 의해 회전되어, 증착가스에 의해 기판(W)에 소정 박막이 증착된다.The showerhead unit 30 injects the deposition gas toward the substrate W supported by the susceptor unit 20 inside the chamber unit 10 as shown in Figs. At this time, the substrate W supported by the susceptor unit 20 is rotated by the rotation of the susceptor unit 20, and a predetermined thin film is deposited on the substrate W by the deposition gas.

한편, 상기 증착가스 중 미 반응 증착가스 또는 잔류된 증착가스는 배기유닛(40)을 통해 배기된다. 이때, 상기 배기유닛(40)의 배기배플(42)의 높낮이가 배기하우징(41)에 대해 배기구동부(43)에 의해 조절됨으로써, 배기홀(42a)로 유입되는 증착가스를 지연시켜 증착가스의 잔류 시간을 지연시킨다. 여기서, 상기 배기배플(42)의 높낮이는 기판(W)에 형성될 박막의 조건에 따라 가변됨으로써, 기판(W)에 대한 증착가스의 노출 시간을 조절하게 된다.
Meanwhile, the unreacted deposition gas or the remaining deposition gas in the deposition gas is exhausted through the exhaust unit 40. At this time, the height of the exhaust baffle 42 of the exhaust unit 40 is adjusted by the exhaust port 43 with respect to the exhaust housing 41, thereby delaying the deposition gas flowing into the exhaust hole 42a, Delay the residence time. Here, the height of the exhaust baffle 42 varies depending on the condition of the thin film to be formed on the substrate W, thereby controlling the exposure time of the deposition gas to the substrate W.

참고로, 본 실시예에서는 상기 배기하우징(41)에 대한 배기배플(42)의 높낮이만 조절하는 것으로 꼭 한정하지 않는다. 즉, 도 3의 도시와 같이, 상기 배기배플(42')이 배기하우징(41) 내에서 승하강되어 높낮이가 조절됨과 아울러, 회전되어 배기하우징(41)에 대하 배기배플(42')의 돌출 각도도 조절 가능하다. 이때, 상기 배기배플(42')은 배기하우징(41) 내에서 회전이 간섭되지 않도록 저면이 곡면으로 형성됨이 좋다. 이렇게, 상기 배기배플(42')의 돌출각도가 조절될 경우, 배기배플(42)에 마련된 배기홀(42a)로 유입되어 배기되는 증착가스의 배기시간 또한, 조절 가능해진다.
For reference, the present embodiment does not necessarily limit the height of the exhaust baffle 42 with respect to the exhaust housing 41 only. 3, the exhaust baffle 42 'is raised and lowered in the exhaust housing 41 to adjust the height thereof. In addition, the exhaust baffle 42' is rotated so that the exhaust baffle 42 ' The angle can also be adjusted. At this time, the exhaust baffle 42 'may have a curved bottom surface so as not to interfere with rotation within the exhaust housing 41. [ In this way, when the projecting angle of the exhaust baffle 42 'is adjusted, the exhaust time of the exhaust gas flowing into the exhaust hole 42a provided in the exhaust baffle 42 and being exhausted is also adjustable.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
Although the present invention has been described with reference to the preferred embodiments thereof, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the following claims. It can be understood that

1: 반도체 제조용 증착장치 10: 챔버유닛
20: 서셉터유닛 30: 샤워헤드유닛
40: 배기유닛 41: 배기하우징
42: 배기배플 43: 배기구동부1: Deposition apparatus for semiconductor manufacturing 10: Chamber unit
20: susceptor unit 30: showerhead unit
40: exhaust unit 41: exhaust housing
42: exhaust baffle 43:

Claims (7)

적어도 하나의 기판에 대한 증착공정이 이루어지는 챔버유닛;
상기 챔버유닛 내에서 상기 기판을 지지하여 회전되는 서셉터유닛;
상기 챔버유닛 내에서 상기 기판을 향해 증착을 위한 증착가스를 분사하는 샤워헤드유닛; 및
상기 챔버유닛의 외부로 상기 증착가스를 배기시키는 배기유닛;
을 포함하며,
상기 배기유닛은 상기 챔버유닛의 내부에서 높낮이 조절이 가능하게 구동되는 반도체 제조용 증착장치.
A chamber unit in which a deposition process is performed on at least one substrate;
A susceptor unit rotatably supporting the substrate in the chamber unit;
A showerhead unit for spraying a deposition gas for deposition in the chamber unit toward the substrate; And
An exhaust unit for exhausting the deposition gas to the outside of the chamber unit;
/ RTI >
Wherein the exhaust unit is driven to be adjustable in height within the chamber unit.
제1항에 있어서,
상기 배기유닛은 상기 챔버유닛과 상기 서셉터유닛 사이에 승하강 가능하게 설치되는 반도체 제조용 증착장치.
The method according to claim 1,
Wherein the exhaust unit is installed between the chamber unit and the susceptor unit so as to be vertically movable.
제1항에 있어서,
상기 배기유닛은,
상기 챔버유닛의 내주면을 따라 설치되는 배기하우징;
상기 배기하우징 내에 움직임 가능하게 설치되며, 상기 증착소스를 배기시키기 위한 배기홀이 마련되는 배기배플; 및
상기 배기배플을 상기 배기하우징 내에서 승하강 시키는 배기구동부;
를 포함하는 반도체 제조용 증착장치.
The method according to claim 1,
The exhaust unit includes:
An exhaust housing installed along an inner circumferential surface of the chamber unit;
An exhaust baffle movably installed in the exhaust housing, the exhaust baffle being provided with an exhaust hole for exhausting the deposition source; And
An exhaust port portion for moving the exhaust baffle up and down in the exhaust housing;
And a deposition apparatus for depositing a semiconductor.
제3항에 있어서,
상기 배기배플은 상기 배기하우징에 대해 회전 가능하여, 상기 배기하우징에 대한 돌출각도가 조절 가능한 반도체 제조용 증착장치.
The method of claim 3,
Wherein the exhaust baffle is rotatable with respect to the exhaust housing so that a projecting angle with respect to the exhaust housing can be adjusted.
적어도 하나의 기판의 증착공정이 이루어지는 챔버유닛;
상기 챔버유닛 내에서 상기 기판을 지지하여 회전되는 서셉터유닛;
상기 챔버유닛 내에서 상기 기판을 향해 증착을 위한 증착가스를 분사하는 샤워헤드유닛; 및
상기 챔버유닛의 외부로 상기 증착가스를 배기시키는 배기유닛;
을 포함하며,
상기 배기유닛은 상기 챔버유닛의 내부에서 자세 변환 가능하여 상기 기판에 대한 상기 증착가스의 체류시간을 조절하는 반도체 제조용 증착장치.
A chamber unit for depositing at least one substrate;
A susceptor unit rotatably supporting the substrate in the chamber unit;
A showerhead unit for spraying a deposition gas for deposition in the chamber unit toward the substrate; And
An exhaust unit for exhausting the deposition gas to the outside of the chamber unit;
/ RTI >
Wherein the exhaust unit adjusts the residence time of the deposition gas on the substrate by being posture changeable inside the chamber unit.
제5항에 있어서,
상기 배기유닛은,
상기 챔버유닛과 상기 서셉터유닛의 사이에 설치되는 배기하우징;
상기 배기하우징 내에 움직임 가능하게 설치되며, 상기 증착소스를 배기시키기 위한 배기홀이 마련되는 배기배플; 및
상기 배기배플을 상기 배기하우징 내에서 승하강 시키는 배기구동부;
를 포함하는 반도체 제조용 증착장치.
6. The method of claim 5,
The exhaust unit includes:
An exhaust housing disposed between the chamber unit and the susceptor unit;
An exhaust baffle movably installed in the exhaust housing, the exhaust baffle being provided with an exhaust hole for exhausting the deposition source; And
An exhaust port portion for moving the exhaust baffle up and down in the exhaust housing;
And a deposition apparatus for depositing a semiconductor.
제6항에 있어서,
상기 배기배플은 상기 배기하우징에 대해 회전 가능하여, 상기 배기하우징에 대한 돌출각도가 조절 가능한 반도체 제조용 증착장치.
The method according to claim 6,
Wherein the exhaust baffle is rotatable with respect to the exhaust housing so that a projecting angle with respect to the exhaust housing can be adjusted.
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