KR20100042481A - 반도체 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
실시 예는 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
실시 예에 따른 반도체 발광소자는 제1도전형 반도체층, 활성층 및 제2도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 제2도전형 반도체층 위에 형성된 제1반사 전극층; 상기 제1도전형 반도체층 아래에 형성된 제2반사 전극층; 상기 발광 구조물의 외측벽에 형성된 절연층을 포함한다.
반도체, 발광소자
Description
실시 예는 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체(group Ⅲ-Ⅴ nitride semiconductor)는 물리적, 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD) 등의 발광 소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다. Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체는 통상 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 이루어져 있다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode : LED)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜서 신호를 주고 받거나, 광원으로 사용되는 반도체 소자의 일종이다.
이러한 질화물 반도체 재료를 이용한 LED 혹은 LD는 광을 얻기 위한 발광 소자에 많이 사용되고 있으며, 핸드폰의 키패드 발광부, 전광판, 조명 장치 등 각종 제품의 광원으로 응용되고 있다.
실시 예는 4개의 측벽 또는 360°로 칩을 실장할 수 있는 반도체 발광소자 및 그 제조방법을 제공한다.
실시 예에 따른 반도체 발광소자는 위에 형성된 상부 전극층; 아래에 형성된 하부 전극층; 상기 상부 전극층 및 상기 하부 전극층 사이에 형성된 발광 구조물; 상기 발광 구조물의 외측벽에서 상기 상부 전극층과 하부 전극층을 절연시켜 주는 절연층을 포함한다.
실시 예에 따른 반도체 발광소자는 제1도전형 반도체층, 활성층 및 제2도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 제2도전형 반도체층 위에 형성된 제1반사 전극층; 상기 제1도전형 반도체층 아래에 형성된 제2반사 전극층; 상기 발광 구조물의 외측벽에 형성된 절연층을 포함한다.
실시 예에 따른 반도체 발광소자 제조방법은 발광 구조물을 형성하는 단계; 상기 발광 구조물 위에 제1반사전극층을 형성하는 단계; 상기 발광 구조물 아래에 제2반사전극층을 형성하는 단계; 상기 발광 구조물의 외측벽에 제2절연층을 형성하는 단계를 포함한다.
실시 예는 발광 소자를 4개의 측벽 또는 360°로 실장할 수 있어, 탑재를 용 이하게 할 수 있다.
실시 예는 사이드 뷰 패키지에 적용 가능한 발광 소자를 제공할 수 있다.
실시 예는 전 영역으로 광을 방출할 수 있는 수직형 반도체 발광소자를 제공할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예를 설명하면 다음과 같다. 이하, 실시 예를 설명함에 있어서, 각 층의 위 또는 아래는 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 1은 제1실시 예에 따른 반도체 발광소자를 나타낸 사시도이며 도 2는 도 1의 측 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 반도체 발광소자(100)는 발광구조물(135), 제1 및 제2절연층(140,170), 제1반사전극층(150), 제2반사전극층(152), 제1전도성 지지부재(160) 및 제 2전도성 지지부재(162)를 포함한다.
상기 발광 구조물(135)은 제 1도전형 반도체층(110), 활성층(120), 제 2도전형 반도체층(130)을 포함한다. 또한 상기 발광 구조물(135)은 상기 제 2도전형 반도체층(120) 위에 n형 반도체층 또는 p형 반도체층을 형성할 수 있다.
상기 제 1도전형 반도체층(110)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있으며, 상기 n형 반도체층은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있고, n형 도펀트(예; Si, Ge, Sn , Se, Te 등)가 도핑된다.
상기 제 1도전형 반도체층(110) 위에는 활성층(120)이 형성되며, 상기 활성층(120)은 단일 또는 다중 양자우물 구조로 형성되는 데, 예컨대, InGaN 우물층/GaN 장벽층을 한 주기로 하여, 단일 또는 다중 양자 우물 구조로 형성될 수 있다. 상기 활성층(120)의 위 또는/및 아래에는 클래드층이 형성될 수도 있다.
상기 활성층(120) 위에는 제 2도전형 반도체층(130)이 형성되며, 상기 제 2도전형 반도체층(130)은 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 p형 반도체층은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 상기 p형 도펀트는 Mg, Be, Zn 등의 원소계열을 포함한다.
또한 상기 제 1도전형 반도체층(110)이 p형 반도체층이고, 제 2도전형 반도체층(130)이 n형 반도체층으로 구현될 수도 있다. 여기서 제 3도전형 반도체층은 제 2도전형 반도체층이 n형 반도체층인 경우 p형 반도체층으로 형성되며, p형 반도체층인 경우 n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 발광 구조물(135)은 np 접합, pn 접합, npn 접합, pnp 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1절연층(140)은 상기 제2도전형 반도체층(130) 위의 외측에 형성되며, 상기 제2절연층(170)은 상기 제1도전형 반도체층(110) 아래의 외측과 상기 발광 구조물(135)의 측벽에 형성된다. 상기 제1 및 제2절연층(140,170)은 SiO2, Si3N4, Al2O3, TiO2, SiOx, SiNx 중에서 어느 하나로 형성될 수 있다. 상기 제1 및 제2절연층(140,170)은 투과성 특성을 갖는 절연 물질로 형성될 수 있다. 이에 따라 상기 제1 및 제2절연층(140,170)을 통해 광이 방출된다.
상기 제1반사 전극층(150)는 상기 제2도전형 반도체층(130) 및 상기 제1절연층(140) 위에 형성되며, 상기 제2반사 전극층(152)는 상기 제1도전형 반도체층(110) 아래 및 상기 제2절연층(170)의 아래에 형성될 수 있다.
상기 제1반사 전극층(150)는 상기 제2도전형 반도체층(130) 위에 형성될 수 있으며, 상기 제2반사 전극층(152)는 상기 제1도전형 반도체층(110)의 아래에 형성될 수 있다.
상기 제1반사 전극층(150) 및 상기 제2반사 전극층(152)는 오믹 특성을 갖는 금속 또는/및 반사 특성을 갖는 금속을 포함한다. 상기 제1및 제2반사 전극층(150,152)은 Al, Ag, Pd, Rh, Pt 등 중에서 적어도 하나 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있다. 또한 상기 제1및 제2반사전극층(150,152)와 상기 제2및제1도전형 반도체층(130,110) 사이에 ITO(Indium Tin Oxide) 재질이 형성될 수 있다.
상기 제1전도성 지지부재(160)은 상기 제1반사전극층(150) 위에 형성되며, 상기 제2전도성 지지부재(162)는 상기 제2반사전극층(152)의 아래에 형성된다. 상기 제1 및 제2전도성 지지부재(160,162)는 구리 또는 금과 같은 물질로 형성될 수 있다.
여기서, 상기 제1반사 전극층(150) 및 제1전도성 지지부재(160)의 내측 영역에는 소정 형상의 제1패턴(165)이 형성되며, 상기 제1패턴(165)은 일자형, 서로 교차되는 매트릭스 형상 또는 그물 형상 등으로 형성될 수 있다. 상기 제1패턴(165) 사이에는 상기 제2도전형 반도체층(130)이 노출되는 제1홈(155)이 형성된다. 상기 홈(155)을 통해 광이 방출될 수 있다.
상기 제2반사 전극층(150) 및 제2전도성 지지부재(162)의 내측 영역에는 소정 형상의 제2패턴(166)이 형성되며, 상기 제2패턴(166)은 일자형, 서로 교차되는 매트릭스 형상 또는 그물 형상 등으로 형성될 수 있다. 상기 제2패턴(166) 사이에는 상기 제1도전형 반도체층(110)이 노출되는 제2홈(156)이 형성된다. 상기 제2홈(156)을 통해 광이 방출될 수 있다.
여기서, 상기 반도체 발광소자(100)의 광 출력을 위해 상부 또는 하부 중 어느 하나의 홈(155 또는 156)은 제거하어, 상부 또는 하부로 발광되는 광을 반사시켜 다른 방향으로의 광량을 증가시켜 줄 수 있다.
상기 반도체 발광소자(100)는 도 1과 같은 외형 구조로 형성될 수 있다. 상기 발광 소자(100)의 4 측면(P1)은 상부에 제1반사전극층(150) 및 제1전도성 지지부재(160)이 배치되고, 하부에 제2반사전극층(152) 및 제2전도성 지지부재(162)가 배치된다.
상기 발광소자(100)에서 상기 제1반사전극층(150) 및 제1전도성 지지부재(160)는 제1전극으로 기능하며, 상기 제2반사전극층(152) 및 제2전도성 지지부재(162)는 제2전극으로 기능하게 된다.
상기 반도체 발광 소자(100)의 측면(P1) 중 어느 한 측면은 기판의 전극에 탑재될 수 있다. 상기 탑재 방식은 별도의 와이어를 이용하지 않고 표면실장기술(SMT)로 탑재될 수 있다. 이에 따라 상기 발광 소자(100)는 4측면이 모두 탑재 가능한 구조로 제공되며, 모든 방향에서 광이 방출된다.
도 3내지 도 11은 제1실시 예에 따른 반도체 발광소자 제조과정을 나타낸 도면이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 기판(101) 위에는 제 1도전형 반도체층(110)이 형성되고, 상기 제 1도전형 반도체층(110) 위에는 활성층(120)이 형성되며, 상기 활성층(120) 위에는 제 2도전형 반도체층(130)이 형성된다.
상기 기판(101)은 사파이어 기판(Al203), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, 그리고 GaAs 등으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 이러한 기판(101) 위에는 버퍼층 또는/및 언도프드 반도체층이 형성될 수도 있으며, 박막 성장 후 제거될 수도 있다.
상기 제 1도전형 반도체층(110)은 n형 반도체층으로, 상기 제 2도전형 반도체층(130)은 p형 반도체층으로 구현할 수 있으며, 상기 n형 반도체층은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있고, n형 도펀트(예; Si, Ge, Sn , Se, Te 등)가 도핑된다. 상기 p형 반도체층은 Mg와 같은 p형 도펀트가 도핑되며, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
상기 제2도전형 반도체층(130) 위에는 제1절연층(140)이 형성되며, 상기 제1절연층(140)은 상기 제2도전형 반도체층(130) 위의 외측에 틀 형태로 형성될 수 있다. 상기 제1절연층(140)은 SiO2, Si3N4, Al2O3, TiO2, SiOx, SiNx 중에서 어느 하나로 형성될 수 있다. 상기 제1절연층(140)은 광의 방출을 위해 투과성 특성을 갖는 절연 물질로 형성될 수 있다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 제2도전형 반도체층(130) 위의 내측과 상기 제1절연층(140) 위에는 제1반사전극층(150)이 형성되며, 상기 제1반사 전극층(150)의 내측에는 제1반사 패턴(165A)이 형성된다. 상기 제1반사 패턴(165A)는 일자형 또는 서로 교차되는 메트릭스 또는 그물 형태 등으로 형성될 수 있다. 상기 제1반사 패턴(165A) 사이에는 제1홈(155)이 형성되어, 상기 제2도전형 반도체층(130)의 위를 노출시켜 준다. 상기 제1홈(155)는 식각 공정을 통해 형성되거나, 홈 영역에 마스크층을 형성한 후 제1반사 전극층(150)을 형성할 수 있으며, 이러한 형성 공정에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1반사 전극층(150)은 Al, Ag, Pd, Rh, Pt 등 중에서 적어도 하나 또는 합금 등으로 형성될 수 있다.
상기 제1반사 전극층(150) 위에는 제1전도성 지지부재(160)가 형성되며, 상기 전도성 지지부재(160)는 구리 또는 금 등으로 형성될 수 있다. 상기 제1전도성 지지부재(160)의 내측에는 상기 제1반사 패턴을 따라 제1패턴(165)이 형성된다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 상기 기판(101)을 제거하게 된다. 상기 기판(101)의 제거 방법은 레이저 리프트 오프(LLO : Laser Lift Off) 과정으로 제거하게 된다. 즉, 상기 기판(101)에 일정 영역의 파장을 가지는 레이저를 조사하는 방식(LLO : Laser Lift Off)으로 상기 기판(101)을 분리시켜 준다. 또는 상기 기판(101)과 제 1도전형 반도체층(110) 사이에 다른 반도체층(예: 버퍼층)이 형성된 경우, 습식 식각 기술을 이용하여 상기 버퍼층을 제거하여, 상기 기판을 분리할 수도 있다. 상기 기판(101)이 제거된 상기 제 1도전형 반도체층(110)의 표면에 대해 ICP/RIE(Inductively coupled Plasma/Reactive Ion Etching) 방식으로 연마하는 공정을 수행할 수 있다.
도 8을 참조하면, 상기 제1도전형 반도체층(110)에서 상기 제2도전형 반도체층(130)의 외곽부(105)를 에칭하여 제거하게 된다. 이는 칩과 칩 사이를 분리할 때 칩 분리 과정에서 발생되는 파편에 의해 상기 제1도전형 반도체층(110)과 제2도전형 반도체층(130) 사이를 전기적으로 단락시키는 문제를 해결할 수 있다.
도 9를 참조하면, 발광 구조물(135)의 외벽과 상기 제1도전형 반도체층(110)의 아래의 외측에는 제2절연층(170)이 형성된다. 상기 제2절연층(170)은 발광 구조물(135)의 외벽에 형성되어 외부 요인에 의해 층 상호간이 쇼트되는 것을 방지해 준다. 상기 제2절연층(170)은 상기 제1절연층(140)과 동일한 물질로 형성될 수 있으며, 예컨대, SiO2, Si3N4, Al2O3, TiO2, SiOx, SiNx 중에서 어느 하나이거나 투과성 물질로 형성될 수 있다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 상기 제1도전형 반도체층(110) 아래의 내측과 상기 제2절연층(170) 아래에는 제2반사전극층(152)이 형성되며, 상기 제2반사 전극층(152)의 내측에는 제2반사 패턴(166A)이 형성된다. 상기 제2반사 패턴(166A)는 일자형 또는 서로 교차되는 메트릭스 또는 그물 형태 등으로 형성될 수 있다. 상기 제2반사 패턴(166A) 사이에는 제2홈(156)이 형성되어, 상기 제2도전형 반도체 층(130)의 아래를 부분 노출시켜 준다. 상기 제2홈(156)는 식각 공정을 통해 형성되거나, 홈 영역에 마스크층을 형성한 후 제2반사 전극층(152)을 형성할 수 있으며, 이러한 형성 공정에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제2반사 전극층(152)은 상기 제1반사 전극층(150)과 동일한 물질로 형성될 수 있으며, Al, Ag, Pd, Rh, Pt 등 중에서 적어도 하나 또는 합금 등으로 형성될 수 있다.
상기 제2반사 전극층(152) 아래에는 제2전도성 지지부재(162)가 형성되며, 상기 전도성 지지부재(162)는 구리, 금, 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO 등) 등으로 형성될 수 있다. 상기 제2전도성 지지부재(162)의 내측에는 상기 제2반사 패턴을 따라 제2패턴(166)이 형성된다.
도 11에서, 상기 반도체 발광 소자의 상부 또는 하부 중 적어도 한 부분에는 상기 패턴(165 또는 166)을 형성하지 않을 수 있다. 이는 상부 또는 하부 홈(155,165)으로 발광되는 광을 반사시켜 다른 방향으로 광량을 개선시켜 줄 수 있다.
상기 반도체 발광 소자(100)의 4개의 외벽(즉, 측면) 또는 360°을 선택적으로 이용하여 기판에 탑재될 수 있으며, 그 탑재 방식은 별도의 와이어를 이용하지 않고 표면실장기술(SMT)로 탑재될 수 있다. 이에 따라 상기 반도체 발광 소자(100)는 측벽이 모두 탑재 가능한 구조로 제공되며, 또한 모든 측 방향에서 광이 방출된다.
도12는 제2실시 예에 따른 반도체 발광소자를 나타낸 측 단면도이다. 상기 제 2실시 예를 설명함에 있어서, 상기 제1실시 예와 동일한 부분에 대해서는 동일 부호로 처리하여 중복 설명은 생략하기로 한다.
도 12를 참조하면, 반도체 발광소자(100A)는 제1도전형 반도체층(110), 활성층(120) 및 제2도전형 반도체층(130)을 포함하는 발광구조물(135), 제1 및 제2절연층(140,170), 제1반사전극층(150), 제2반사전극층(152), 제1전도성 지지부재(160) 및 제 2전도성 지지부재(162), 상부 개방 홈(155B)을 포함한다.
상기 반도체 발광소자(100A)의 상부 센터는 상부 개방 홈(155B)이 형성되고, 그 주변은 상기 제1반사전극층(150) 및 상기 제1전도성 지지부재(160)이 형성된 구조이다. 이러한 구조는 제1실시 예의 도11에서 상기 패턴(165)이 제거된 구조로서, 상기 반도체 발광소자(100A)의 상부 개방 홈(155B)을 통해 광이 방출될 수 있다.
상기 반도체 발광소자(100A)는 상부 개방 홈(155B)가 아닌 하부 개방 홈으로 형성할 수 있다.
또한 상기 반도체 발광소자(100A)의 하부 센터 영역은 하부 패턴(166) 및 홈(156)이 형성되는 데, 상기 홈(156)이 제거될 수도 있다. 즉, 상기 하부 패턴(166)이 모든 하부 영역을 커버할 경우, 하부 전 영역에 형성된 상기 제2반사전극층(152)에 의한 반사 광량을 증가시켜 줄 수 있다.
또한 실시 예에서는 제2반사전극층(152)이 하부 영역 전체에 형성되면, 상기 제2전도성 지지부재(162)는 상기 제2반사 전극층(152) 위에 패턴 형태가 아닌 층 형태로 형성되거나, 홈이 구비된 패턴 형태로 형성될 수 있다. 이는 상기 패턴 형태의 제2전도성 지지부재(162)를 통해 방열을 효과적으로 수행할 수 있다.
도13은 제3실시 예에 따른 반도체 발광소자를 나타낸 측 단면도이다. 상기 제3실시 예를 설명함에 있어서, 상기 제1실시 예와 동일한 부분에 대해서는 동일 부호로 처리하여 중복 설명은 생략하기로 한다.
도 13을 참조하면, 반도체 발광소자(100B)는 제1도전형 반도체층(110), 활성층(120) 및 제2도전형 반도체층(130)을 포함하는 발광구조물(135), 제1 및 제2절연층(140,170), 제1반사전극층(150), 제2반사전극층(152), 제1전도성 지지부재(160) 및 제 2전도성 지지부재(162), 상부 개방 홈(155B) 및 하부 개방 홈(155C)을 포함한다.
상기 반도체 발광소자(100B)의 상부 센터는 상부 개방 홈(155B)이 형성되고 그 주변은 상기 제1반사전극층(150) 및 상기 제1전도성 지지부재(160)이 형성되며, 하부 센터는 하부 개방 홈(155C)이 형성되고 그 주변에는 상기 제2반사 전극층(152) 및 제2전도성 지지부재(162)가 형성된 구조이다.
이러한 구조는 제1실시 예의 도 11에서 상부 및 하부의 패턴(165,166)이 제거된 구조로서, 상기 반도체 발광소자(100A)의 상부 및 하부 개방 홈(155B,155C)을 통해 광이 방출될 수 있다.
상기의 실시 예를 설명함에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "directly"와 "indirectly"의 의미를 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
이상에서 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 제1실시 예에 따른 반도체 발광소자를 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1의 측 단면도이다.
도 3 내지 도 11은 제1실시 예에 따른 반도체 발광소자 제조과정을 나타낸 도면이다.
도 12는 제2실시 예에 따른 반도체 발광소자의 측 단면도이다.
도 13은 제3실시 예에 따른 반도체 발광소자의 측 단면도이다.
Claims (13)
- 위에 형성된 상부 전극층;아래에 형성된 하부 전극층;상기 상부 전극층 및 상기 하부 전극층 사이에 형성된 발광 구조물;상기 발광 구조물의 외측벽에서 상기 상부 전극층과 하부 전극층을 절연시켜 주는 절연층을 포함하는 반도체 발광소자.
- 제1도전형 반도체층, 활성층 및 제2도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;상기 제2도전형 반도체층 위에 형성된 제1반사 전극층;상기 제1도전형 반도체층 아래에 형성된 제2반사 전극층;상기 발광 구조물의 외측벽에 형성된 절연층을 포함하는 반도체 발광소자.
- 제 2항에 있어서,상기 절연층은 상기 제2도전형 반도체층 위의 외측 둘레에 형성된 제1절연층; 상기 제1도전형 반도체층의 아래의 외측 둘레와 상기 발광 구조물의 측벽에 형성된 제2절연층을 포함하는 반도체 발광소자.
- 제1항에 있어서,상기 상부 전극층 및 하부 전극층 중 적어도 한 전극층의 내측에는 발광 구조물의 반도체층의 일부를 노출시켜 주는 홈을 포함하는 반도체 발광소자.
- 제2항에 있어서,상기 제1반사 전극층 위에 형성된 제1전도성 지지부재;상기 제2반사 전극층 아래에 형성된 제2전도성 지지부재를 포함하는 반도체 발광소자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 발광 구조물의 외측벽은 상기 발광 구조물의 상면 및 하면을 제외한 4측면을 포함하는 반도체 발광소자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 절연층은 투과성 절연물질을 포함하는 반도체 발광소자.
- 발광 구조물을 형성하는 단계;상기 발광 구조물 위에 제1반사전극층을 형성하는 단계;상기 발광 구조물 아래에 제2반사전극층을 형성하는 단계;상기 발광 구조물의 외측벽에 제2절연층을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 발광 구조물 위의 외측 둘레에 제1절연층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 제1절연층이 형성되면, 상기 제1반사전극층을 상기 발광 구조물의 위의 내측에 형성하는 반도체 발광소자 제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 제2절연층은 상기 발광 구조물의 둘레를 메사 에칭한 다음, 상기 발광 구조물의 외측벽 및 상기 발광 구조물의 아래 외측에 상기 제2절연층을 형성하며,상기 제2반사 전극층은 상기 발광 구조물의 아래 내측에 형성되는 반도체 발광소자 제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 제1반사 전극층 위에 제1전도성 지지부재를 형성하는 단계;상기 제2반사 전극층 위에 제2전도성 지지부재를 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
- 제11항에 있어서,상기 발광 구조물은 제1도전형 반도체층, 활성층 및 제2도전형 반도체층을 포함하며,상기 제1도전형 반도체층의 아래에는 기판이 형성되며,상기 기판은 상기 제1전도성 지지부재 형성 후 제거되는 반도체 발광소자 제조방법.
- 제11항에 있어서,상기 제 1 및 제2반사 전극층 중 적어도 한 층의 내측에는 외부와 연통되는 홈이 형성되는 반도체 발광소자 제조방법.
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