DE10152922B4

DE10152922B4 - Nitrid-basierendes Halbleiterbauelement

Info

Publication number: DE10152922B4
Application number: DE10152922A
Authority: DE
Inventors: Uwe Dr. Strauss; Andreas Weimar
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2001-10-26
Filing date: 2001-10-26
Publication date: 2010-05-12
Anticipated expiration: 2021-10-27
Also published as: US7345313B2; WO2003038913A3; US20050072982A1; DE10152922A1; WO2003038913A2; JP2005507179A

Abstract

Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper (1), der einen Nitrid-Verbindungshalbleiter enthält, und einer Kontaktmetallisierung (4), dadurch gekennzeichnet, daß auf der Kontaktmetallisierung (4) eine Schutzschicht (3) angeordnet ist, die zum Schutz der Kontaktmetallisierung (4) vor mechanischer Beschädigung dient, wobei die Schutzschicht eine Mehrzahl von Ausnehmungen (5) aufweist, durch die Wasserstoff entweichen kann.

Description

Die Erfindung betrifft ein Nitrid-basierendes Halbleiterbauelement nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Halbleiterbauelemente der genannten Art sind beispielsweise in US 5 210 051 A beschrieben. Hierin ist ein Halbleiterchip für eine Lichtemissionsdiode offenbart. Der Halbleiterchip umfaßt ein SiC-Substrat, auf dem eine n-leitende und nachfolgend eine p-leitende Galliumnitrid-Schicht aufgebracht ist. Zwischen der p-leitenden und der n-leitenden Schicht ist ein strahlungserzeugender pn-Übergang ausgebildet, der im Betrieb blaues oder violettes Licht emittiert. Auf der p-leitenden Schicht ist eine Kontaktmetallisierung aufgebracht.
In der Regel ist ein solcher Halbleiterchip mit einer Schutzschicht versehen. Diese Schutzschicht dient insbesondere dazu, die Kontaktmetallisierung vor Korrosion und mechanischer Beschädigung, beispielsweise Kratzern, zu schützen. Zudem werden elektrische Überschläge an der Oberfläche des Halbleiterkörpers unterdrückt. Derartige Überschläge können vor allem an den Stellen der Oberfläche auftreten, an denen der pn-Übergang freiliegt. Nitrid-basierende Halbleiterbauelemente mit einer auf der Kontaktmetallisierung aufgebrachten Schutzschicht sind beispielsweise in EP 0 892 443 A2 und WO 01/47036 A1 beschrieben. In DE 101 07 472 A1 ist eine Lumineszenzdiode mit Öffnungen in einer Kontaktschicht zur Verbesserung der Durchlässigkeit der Kontaktschicht angegeben.
Allerdings kann eine solche Schutzschicht die elektrischen Eigenschaften des Bauelements stark beeinträchtigen. So wurde für Galliumnitrid-basierende Lichtemissionsdioden in Flußpolung eine Erhöhung der Vorwärtsspannung um mehr als 100% gegenüber einem gleichartigen Bauelement ohne Schutzschicht festgestellt. Dies führte in der Folge zu einer wesentlichen Erhöhung der Verlustwärme bzw. der Temperatur des Bauelements mit Schutzschicht und schließlich zu dessen Totalausfall durch thermische Überlastung.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Bauelement der eingangs genannten Art mit einer verbesserten Schutzschicht zu schaffen.
Diese Aufgabe wird durch ein Halbleiterbauelement gemäß Patentanspruch 1 oder gemäß Patentanspruch 2 gelöst.
Bei einer ersten Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, ein Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper, der einen Nitrid-Verbindungshalbleiter enthält, einer Kontaktmetallisierung und einer Schutzschicht, die auf der Kontaktmetallisierung aufgebracht ist, zu bilden, wobei die Schutzschicht eine Mehrzahl von Ausnehmungen aufweist, durch die Wasserstoff entweichen kann.
Bei einer zweiten Ausführungsform der Erfindung umfaßt das Halbleiterbauelement einen Nitrid-Verbindungshalbleiter enthaltenden Halbleiterkörper mit einer Kontaktmetallisierung und einem pn-Übergang, der lateral von Seitenflächen des Halbleiterkörpers begrenzt wird, wobei eine Schutzschicht den an den Seitenflächen freiliegenden pn-Übergang zumindest teilweise bedeckt und seitens der Kontaktmetallisierung Wasserstoff entweichen kann.
Unter einem Nitrid-Verbindungshalbleiter sind dabei insbesondere Nitridverbindungen von Elementen der dritten und/oder der fünften Hauptgruppe des Periodensystems der chemischen Elemente, beispielsweise GaN, AlN, InN, Al_xGa_1-xN, 0 ≤ x ≤ 1, In_xGa_1-xN, 0 ≤ x ≤ 1 oder Al_xIn_yGa_1-x-yN, 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 0 ≤ x + y ≤ 1, zu verstehen.
Es hat sich gezeigt, daß Wasserstoff im Bereich der Grenzfläche zwischen Halbleiterkörper und Kontaktmetallisierung zu einer nachteiligen Erhöhung der Vorwärtsspannung des Bauelements führt. Wird der Halbleiterkörper mit einer herkömmlichen geschlossenen Schutzschicht versehen, kann der im Halbleiterkörper befindliche Wasserstoff nicht entweichen, rei chert sich beispielsweise an der Grenzfläche zwischen Halbleiterkörper und Kontaktmetallisierung an und verschlechtert in der Folge den Kontaktwiderstand bzw. erhöht die Vorwärtsspannung.
Bei der Erfindung hingegen ist die Schutzschicht aufgrund der Ausnehmungen oder der nur teilweisen Bedeckung des Halbleiterkörpers für Wasserstoff durchlässig, so daß Wasserstoff aus dem Halbleiterkörper entweichen kann. Dies bewirkt mit Vorteil eine deutlich geringere Vorwärtsspannung.
Vorzugsweise wird als Schutzschicht eine Siliziumoxid- oder eine Siliziumnitrid-Schicht verwendet. Als Kontaktmetallisierung eignen sich bei der Erfindung beispielsweise Metallschichten, die Platin oder Palladium enthalten. Weitergehend können auch gold- oder nickelhaltige Metallisierungen oder Palladium-Gold- oder Palladium-Nickel-Legierungen verwendet werden.
Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist die Kontaktmetallisierung wasserstoffdurchlässig ausgeführt. Bei einer ersten Variante hierzu weist die Kontaktmetallisierung eine Mehrzahl von nebeneinander angeordneten Ausnehmungen auf. Damit wird der Anteil der von der Kontaktmetallisierung bedeckten Oberfläche des Halbleiterkörpers verringert und entsprechend der Anteil der freien Halbleiteroberfläche, durch die Wasserstoff entweichen kann, erhöht. Vorteilhafterweise führt dies zu einer niedrigeren Vorwärtsspannung des Bauelements. Bei strahlungsemittierenden Bauelementen besteht ein weiterer Vorteil darin, daß aufgrund der geringeren Bedeckung der Halbleiteroberfläche mit der Kontaktmetallisierung auch die Strahlungsausbeute steigt.
Bei einer zweiten Variante einer wasserstoffdurchlässigen Kontaktmetallisierung ist die Kontaktmetallisierung so dünn ausgeführt sind, daß Wasserstoff durch sie hindurchtreten kann.
Hierbei zeichnen sich dünne, unstrukturierte Kontaktmetallisierungen der zweiten Variante durch einen geringeren Herstellungsaufwand auf, während dickere Kontaktschichten gemäß der ersten Variante vergleichsweise robust sind und gegebenenfalls nicht durch zusätzliche Mittel wie beispielsweise eine Schutzschicht vor mechanischer Beschädigung geschützt werden müssen. Selbstverständlich können auch beide Varianten in Form einer dünnen Kontaktmetallisierung mit einer Mehrzahl von Ausnehmungen kombiniert werden.
Als dünne, wasserstoffdurchlässige Kontaktschicht kann zum Beispiel eine Platinschicht oder eine Palladiumschicht mit einer Dicke zwischen 5 nm und 20 nm verwendet werden. Dickere, mit Ausnehmungen strukturierte Kontaktschichten hingegen können eine Dicke bis hin zu mehreren Mikrometern aufweisen.
Die Erfindung eignet sich insbesondere für strahlungsemittierende Halbleiterbauelemente, beispielsweise Lumineszenzdioden. Die strukturierte Schutzschicht und die strukturierte oder dünn ausgeführte Kontaktmetallisierung bringt, wie bereits beschrieben, den zusätzlichen Vorteil einer erhöhten Strahlungsausbeute mit sich. Ferner werden beispielsweise Laserdioden mit einem vergleichsweise hohen Strom betrieben, so daß sich eine Reduktion der Vorwärtsspannung besonders vorteilhaft in Bezug auf die entstehende Verlustwärme und Temperaturbelastung auswirkt.
Weitere Merkmale, Vorzüge und Zweckmäßigkeiten der Erfindung werden nachfolgend anhand von mehreren Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den 1 bis 7 erläutert.
Es zeigen
1 eine schematisch Schnittdarstellung eines ersten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Bauelements,
2 eine schematische Schnittdarstellung eines zweiten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Bauelements,
3 eine schematische Schnittdarstellung eines dritten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Bauelements,
4 eine schematische Aufsicht des dritten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Bauelements,
5a bis 5g sieben Varianten eines vierten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Bauelements,
6 eine graphische Auftragung der Vorwärtsspannung eines erfindungsgemäßen Bauelements für verschiedene Herstellungsschritte im Vergleich zu einem Bauelement nach dem Stand der Technik und
7 eine graphische Darstellung der Vorwärtsspannung eines erfindungsgemäßen Bauelements für verschiedene Herstellungsschritte im Vergleich zu einem Bauelement nach dem Stand der Technik.
Gleiche oder gleichwirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen.
Das in 1 dargestellte Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Bauelements weist einen Halbleiterkörper 1 auf, der auf eine Oberfläche 7 eines Substrats 2 aufgebracht ist. Auf der von dem Substrat 2 abgewandten Hauptfläche 9 ist der Halbleiterkörper 1 mit einer Kontaktmetallisierung 4 versehen. Weiterhin ist in dem Halbleiterkörper 1 ein pn-Übergang 6 ausgebildet, der im wesentlichen parallel zur Substratoberfläche 7 angeordnet ist und sich bis zu den von der Hauptfläche 9 zur Substratoberfläche 7 verlaufenden Seitenflächen 10 des Halbleiterkörpers 1 erstreckt.
Der Halbleiterkörper 1 ist vorzugsweise mehrschichtig gebildet. Die einzelnen Schichten dabei können Nitrid-Verbindungshalbleiter wie beispielsweise GaN, AlN, InN, Al_xGa_1-xN, 0 ≤ x ≤ 1, In_xGa_1-xN, 0 ≤ x ≤ 1 oder Al_xIn_yGa_1-x-yN, 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1, 0 ≤ x + y ≤ 1 enthalten.
Zur Ausbildung des pn-Übergangs ist der Halbleiterkörper bzw. die darin enthaltene Halbleiterschichtenfolge auf der dem Substrat zugewandten Seite teilweise n-dotiert und auf der dem Substrat abgewandten Seite p-dotiert. Als n-Dotierung eignet sich zum Beispiel Silizium, als p-Dotierung zum Beispiel Magnesium. Derartige Halbleiterschichten können durch epitaktische Abscheidung auf einem geeigneten Substrat, vorzugsweise einem Siliziumkarbidsubstrat oder einem Saphirsubstrat hergestellt werden.
Als Kontaktmetallisierung 4 eignet sich insbesondere eine Platin- oder Palladium-Metallschicht, die sich durch ihre vergleichsweise hohe Wasserstoffdurchlässigkeit auszeichnet. Bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel ist die Kontaktmetallisierung 4 unstrukturiert auf der Hauptfläche 9 des Halbleiterkörpers 1 ausgebildet. Die Kontaktmetallisierung ist dabei so dünn ausgeführt, daß sie eine ausreichende Durchlässigkeit für Wasserstoff besitzt. Geeignet sind hierfür insbesondere Schichtdicken zwischen 5 nm und 20 nm.
Der Halbleiterkörper ist allseitig mit einer Schutzschicht 3 versehen, die beispielsweise aus Siliziumoxid oder Siliziumnitrid bestehen kann. Diese Schutzschicht 3 dient als Schutz der Kontaktmetallisierung vor mechanischer Beschädigung. Dies ist insbesondere für die genannten dünnen Kontaktmetallisierungen zweckmäßig. Bei solchen dünnen Kontaktmetallisierungen besteht anderenfalls bereits bei der Herstellung die Gefahr einer Beschädigung durch nachfolgende Prozeßschritte.
Weiterhin bedeckt die Schutzschicht 3 den an den Seitenflächen 10 des Halbleiterkörpers 1 freiliegenden pn-Übergang 6 und verhindert so, daß an den Seitenflächen des Halbleiterkörpers elektrische Überschläge zwischen der n-leitenden und der p-leitenden Seite stattfinden.
In der Schutzschicht 3 sind mehrere nebeneinanderliegende Ausnehmungen 5 ausgebildet. Diese Ausnehmungen 5 gewährleisten, daß die Schutzschicht 3 für Wasserstoff durchlässig ist und so den Austritt von Wasserstoff aus dem Halbleiterkörper 1 nicht behindert.
Die Erfindung ist besonders vorteilhaft für Halbleiterkörper mit Wasserstoff-Verunreinigungen. Insbesondere Nitrid-basierende Halbleiterkörper, beispielsweise auf Galliumnitrid-Basis, weisen oftmals einen gewissen Wasserstoff-Restgehalt auf.
Zwar kann der im Halbleiterkörper verbliebende Wasserstoff-Restgehalt im Rahmen der Herstellung auch mittels geeigneter Verfahren ausgetrieben werden. Dies führt jedoch zu einem zusätzlichen Herstellungsaufwand. Weiterhin kann die Austreibung von Wasserstoff aus dem Halbleiterkörper andere Bauelement-Eigenschaften negativ beeinflussen, so daß zusätzliche technische Probleme entstehen.
Ein besonderes durch den Wasserstoff-Gehalt bedingtes Problem besteht darin, daß der in dem Halbleiterkörper befindliche Wasserstoff bei höheren Temperaturen, wie sie zum Beispiel während der Herstellung oder auch im Betrieb des Bauelements auftreten können, mobilisiert werden kann. Reichert sich dieser mobilisierte Wasserstoff in Magnesium-dotierten Bereichen des Halbleiterkörpers an, so bindet er vorzugsweise an Magnesium-Störstellen. Dadurch wird die elektrische Aktivierung dieser Störstellen blockiert mit der Folge, daß die Magnesium-Störstellen keine p-Ladungsträger abgeben. Dies bewirkt letztendlich die oben beschriebene Erhöhung der Vorwärtsspannung des Bauelements.
Es hat sich zudem gezeigt, daß sich Wasserstoff bevorzugt in Magnesium-dotierten Bereichen von Galliumnitrid-basierenden Halbleiterkörpern anreichert.
Wird ein solcher Halbleiterkörper mit einer geschlossenen Schutzschicht umhüllt, so wirkt die Schutzschicht als Barriere für den im Halbleiterkörper eingeschlossenen Wasserstoff und unterstützt die nachteilige Erhöhung der Vorwärtsspannung. Bei der Erfindung hingegen ist gewährleistet, daß die Schutzschicht aufgrund der Ausnehmungen wasserstoffdurchlässig ist. Die Erhöhung der Vorwärtsspannung ist dementsprechend wesentlich geringer als bei einem Bauelement nach dem Stand der Technik. Ein weiterer Vorteil der Erfindung besteht darin, daß auch bei einer Temperaturbelastung die oben beschriebene Wasserstoffanreicherung vermieden oder zumindest reduziert wird. Daher kann ein erfindungsgemäßes Bauelement sowohl bei der Herstellung als auch im Betrieb höheren Temperaturbelastungen ausgesetzt werden als ein Bauelement nach dem Stand der Technik.
In 2 ist ein zweites Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Bauelements gezeigt. Im Unterschied zum ersten Ausführungsbeispiel ist hier die Kontaktmetallisierung 4 dicker ausgeführt und mit einer Mehrzahl nebeneinanderliegender Ausnehmungen 8 versehen. Vorteilhafterweise können bei diesem Ausführungsbeispiel auch Kontaktmetallisierungen verwendet werden, die als durchgehende Fläche nicht wasserstoffdurchlässig sind, beispielsweise Goldkontaktmetallisierungen mit einer Dicke über 1 μm. Weiterhin können Dicke und Fertigungstoleranz der Kontaktmetallisierung größer als bei dem ersten Ausführungsbeispiel gewählt werden, wodurch der Herstellungsaufwand für die Aufbringung der Kontaktmetallisierung 4 reduziert wird.
Die Wasserstoffdurchlässigkeit der Kontaktmetallisierung ist bei dem zweiten Ausführungsbeispiel durch die Ausnehmungen 8 in der Kontaktmetallisierung 4 gewährleistet. Vorzugsweise sind die Ausnehmungen 5 in der Schutzschicht 3 so angeordnet, daß sie in der Aufsicht mit den Ausnehmungen 8 in der Kontaktmetallisierung 4 deckungsgleich sind oder zumindest überlappen bzw., wie im Schnitt dargestellt, über den Ausnehmungen 8 in der Kontaktmetallisierung 4 angeordnet sind.
In 3 ist ein drittes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Bauelements schematisch im Schnitt dargestellt, 4 zeigt die zugehörige Aufsicht.
Bei diesem Ausführungsbeispiel sind nur die vom Substrat 2 zur Hauptfläche 9 des Halbleiterkörpers 1 verlaufenden Seitenflächen mit der Schutzschicht 3 bedeckt. Damit ist der freiliegende pn-Übergang 6 an den Seitenflächen 10 abgedeckt und die Gefahr eines elektrischen Überschlags in diesem Bereich verringert.
Die Kontaktmetallisierung auf der Hauptfläche 9 des Halbleiterkörpers 1 ist ausreichend dick ausgeführt, so daß eine Schutzschicht als Schutz vor mechanischer Beschädigung nicht erforderlich ist. Hierfür eignen sich insbesondere Kontaktschichten mit einer Dicke von etwa 100 nm bis zu einigen Mikrometern.
Die Wasserstoffdurchlässigkeit der Kontaktmetallisierung wird durch die in der Aufsicht kreisförmigen Ausnehmungen 8 in der Kontaktmetallisierung sichergestellt. Vorzugsweise wird als Material für die Kontaktmetallisierung wiederum Platin oder Palladium verwendet. Das in 3 und 4 gezeigte Ausführungsbeispiel entspricht der oben genannten zweiten Ausführungsform der Erfindung.
5 zeigt sieben Varianten für die Anordnung der Ausnehmungen 5 in der Schutzschicht bzw. der Ausnehmungen 8 in der Kontaktmetallisierung. So können die Ausnehmungen beispielsweise sechseckig, 5a, quadratisch, 5b, oder kreisförmig, 5c, ausgeführt sein. Die Ausnehmungen sind jeweils rasterartig nebeneinander angeordnet und durch Stege 9 mit einer Breite w voneinander getrennt. Hierbei haben sich Stege mit einer Breite w zwischen 1 μm und 4 μm hinsichtlich der Wasserstoffdurchlässigkeit der Kontaktmetallisierung als besonders vorteilhaft erwiesen.
Weitergehend können die Ausnehmungen auch in Form von Kreuzen, 5d, T-förmigen Öffnungen, 5e, Rechtecken, 5f, oder langgestreckten Schlitzen, 5g, ausgebildet sein. Bei den in den 5d, 5e, 5f und 5g dargestellten Varianten ist jeder Ausnehmung in der Kontaktmetallisierung eine Elementarzelle 18 zugeordnet. Um eine möglichst dichte Anordnung der Ausnehmungen zu erzielen, sind die Elementarzellen 18 flächendeckend rasterartig nebeneinander angeordnet.
In 6 ist die Vorwärtsspannung eines erfindungsgemäßen Bauelements in Abhängigkeit verschiedener Prozeßschritte bei der Herstellung im Vergleich zu einem Bauelement nach dem Stand der Technik dargestellt. Punkt 1 auf der Abszisse kennzeichnet ein Bauelement mit einer geschlossenen Schutzschicht, bei Punkt 2 wurde bei dem erfindungsgemäßen Bauelement die Schutzschicht geöffnet, d. h. eine Mehrzahl von Ausnehmungen in der Schutzschicht gebildet, Punkt 3 kennzeichnet eine Temperaturbehandlung bei 300°C für eine Dauer von 20 Minuten.
Linie 11 bzw. die zugehörigen Meßwerte geben die Vorwärtsspannung für ein erfindungsgemäßes Bauelement an, Linie 12 und zugehörige Meßwerte die entsprechende Vorwärtsspannung für ein Bauelement nach dem Stand der Technik. Die Bauelemente weisen im wesentlichen die in 2 dargestellte Struktur auf, wobei in der Kontaktmetallisierung eine Mehrzahl von kreuzförmigen Ausnehmungen gemäß 5d ausgebildet sind. Bei dem erfindungsgemäßen Bauelement wurde bei Punkt 2 auf der Abszisse die Struktur der Kontaktmetallisierung auf die Struktur der Schutzschicht übertragen, so daß der Bedeckungs grad der Schutzschicht im Bereich der Kontaktmetallisierung von anfänglich 100% auf 42% gesenkt wurde. Bei dem Bauelement nach dem Stand der Technik wurde eine solche Öffnung der Schutzschicht nicht vorgenommen.
Wie dargestellt, steigt bei dem Bauelement nach dem Stand der Technik nach der Temperaturbehandlung die Vorwärtsspannung von anfänglich etwa 4 V auf über 9 V an, was in der Folge zu einem Totalausfall des Bauelements führt. Bei dem erfindungsgemäßen Bauelement, Linie 11 und zugehörige Meßwerte, hingegen ist die Vorwärtsspannung im wesentlichen konstant.
In 7 ist eine ähnliche Darstellung der Vorwärtsspannung eines erfindungsgemäßen Bauelements im Vergleich zu einem Bauelement nach dem Stand der Technik dargestellt. Die auf der Abszisse aufgetragenen Punkte 2, 3, 4 und 5 entsprechen einer weitergehenden Temperaturbehandlung des Bauelements bei 300°C für 20 Minuten, bei 350°C für 15 Minuten, bei 350°C für 45 Minuten und bei 350°C für 120 Minuten.
Wiederum ist ein deutlicher Anstieg der Vorwärtsspannung bei dem Bauelement nach dem Stand der Technik, Linie 14 und zugehörige Meßwerte, festzustellen auf etwa 9 V, der zu einem Totalausfall des Bauelements führt. Bei dem erfindungsgemäßen Bauelement, Linie 13 und zugehörige Meßwerte, bleibt hingegen die Vorwärtsspannung im wesentlichen konstant.
Die Erläuterung der Erfindung anhand der dargestellten Ausführungsbeispiele ist selbstverständlich nicht als Beschränkung der Erfindung hierauf zu verstehen.

Claims

Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper (1), der einen Nitrid-Verbindungshalbleiter enthält, und einer Kontaktmetallisierung (4), dadurch gekennzeichnet, daß auf der Kontaktmetallisierung (4) eine Schutzschicht (3) angeordnet ist, die zum Schutz der Kontaktmetallisierung (4) vor mechanischer Beschädigung dient, wobei die Schutzschicht eine Mehrzahl von Ausnehmungen (5) aufweist, durch die Wasserstoff entweichen kann.
Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper (1), der einen Nitrid-Verbindungshalbleiter enthält, einer Kontaktmetallisierung (4) und einem pn-Übergang (6), der lateral von Seitenflächen (10) des Halbleiterkörpers begrenzt wird, wobei eine Schutzschicht (3) den an den Seitenflächen freiliegenden pn-Übergang (6) zumindest teilweise bedeckt, dadurch gekennzeichnet, daß seitens der Kontaktmetallisierung Wasserstoff entweichen kann.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktmetallisierung (4) zumindest teilweise von der Schutzschicht (3) unbedeckt ist.
Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Nitrid-Verbindungshalbleiter eine Nitridverbindung mit Elementen der dritten und/oder fünften Hauptgruppe des Periodensystems ist.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Nitridverbindung eine der Verbindungen GaN, AlN, InN, Al_xGa_1-xN, 0 ≤ x ≤ 1, In_xGa_1-xN, 0 ≤ x ≤ 1 oder Al_xIn_yGa_1-x-yN, 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1, 0 ≤ x + y ≤ 1 ist.
Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (1) einen p-leitenden Teilbereich aufweist und die Kontaktmetallisierung (4) auf einer Oberfläche des p-leitenden Teilbereichs des Halbleiterkörpers (1) angeordnet ist.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 2 oder einem darauf rückbezogenen Anspruch, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzschicht (3) Siliziumoxid oder Siliziumnitrid enthält.
Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktmetallisierung (4) wasserstoffdurchlässig ist.
Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktmetallisierung (4) Palladium, Platin, Nickel oder Gold enthält.
Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktmetallisierung (4) eine Mehrzahl von nebeneinander angeordneten Ausnehmungen (8) aufweist.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausnehmungen (8) durch Stege (9) voneinander getrennt sind, die eine Breite zwischen 1 μm und 5 μm aufweisen.
Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Kontaktmetallisierung zwischen 1 nm und 100 nm liegt.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Kontaktmetallisierung zwischen 100 nm und 5 μm liegt.
Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 10, 11 oder 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausnehmungen (5) in der Schutzschicht (3) in der Aufsicht mit den Ausnehmungen (8) in der Kontaktmetallisierung (4) überlappen.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausnehmungen (5) in der Schutzschicht (3) und die Ausnehmungen (8) in der Kontaktmetallisierung (4) dieselbe Form aufweisen und deckungsgleich übereinander angeordnet sind.
Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß es ein strahlungsemittierendes Bauelement ist.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß es eine Lumineszenzdiode, insbesondere eine Leuchtdiode oder eine Laserdiode, ist.
Halbleiterbauelement nach Anspruch 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktmetallisierung (4) strahlungsdurchlässig ist.