KR20100040033A - 고전도성 페이스트 조성물 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 발열체의 전기에너지를 열에너지로 변화시키는 발열부분(전도성 카본페이스트)의 문제점(음의 온도저항계수 및 높은 저항값)을 보완 가능한 탄소나노튜브(MWNT 또는 SWNT)를 사용한 제품들에 있어, 탄소나노튜브가 가진 구리 또는 알루미늄보다 5~10배 높은 열발산효과, 높은 전계방출효과, 흑체복사 등의 음의 온도저항계수에 대한 영향을 최소화 할 수 있는 고전도성 페이스트 조성물에 관한 것이다.
페이스트, 발열, 탄소나노튜브, 관능기

Description

고전도성 페이스트 조성물 및 이의 제조방법{High conductive paste composition and method of high conductive paste composition}
본 발명은, -COOR의 관능기를 갖는 탄소나노튜브(CNT)를 포함하는 고전도성 페이스트 조성물 및 이의 제조방법, 이를 포함하는 저항체막 및 전자부품에 관한 것이다.
일반적인 전도성 페이스트는 전도성 물질(전도성 카본, 흑연), 유기 바인더 및 희석제 등으로 구성되어 있다. 전도성 페이스트는 실크스크린, 그라비아 방식 등에 의해서 일정한 패턴으로 피착제(PET필름, 세라믹 기판)에 인쇄되며 희석제의 증발 온도 이상으로 건조하여 피막을 형성한다.
이렇게 형성된 패턴은 패턴 양 말단에 전기를 인가시킴으로써 발열을 하게 된다. 발열체 저항치의 조정은 전도성 페이스트의 저항값, 즉 전도성 물질과 바인더의 혼합비에 의하여 결정되며 전도성 물질의 피막 두께 및 폭, 길이 등을 조정하여 조절할 수 있다.
그러나, 전도성 물질의 피막을 두껍게 할수록 기계적 특성이 좋지 않아 피막의 두께를 두껍게 하는 데는 한계가 있다.
또한, 전도성 물질의 함량을 증가시켜 전도성을 향상시킬 수 있으나 전도성 물질의 큰 흡유량과 분산의 어려움 때문에 전도성 물질의 함유량에 대한 제한과 함유량에 비해 고전도성을 구현하기가 어렵다.
본 발명은, 표면 처리된 탄소나노튜브가 첨가됨에 따라 낮은 저항 및 안정된 온도 저항 계수를 갖는 고전도성 페이스트 조성물 및 이의 제조방법, 이를 포함하는 저항체막 및 상기 저항체막을 포함하는 전자 부품을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있다.
본 발명은, -COOR(R은 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 6~20의 아릴기, 탄소수 2~20의 알케닐, 또는 탄소수 2~20의 알키닐)의 관능기를 갖는 탄소나노튜브(CNT)를, 전체 조성물 100중량부에 대해, 1 내지 10중량부로 포함하는 것을 특징으로 하는 고전도성 페이스트 조성물을 제공한다.
본 발명은, a) 탄소나노튜브(CNT)에 -COOR(R은 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 6~20의 아릴기, 탄소수 2~20의 알케닐, 또는 탄소수 2~20의 알키닐)의 관능기를 도입하여 -COOR의 관능기를 갖는 탄소나노튜브를 형성하는 단계로서, a1) 탄소나노튜브를 산처리하는 단계 및 a2) 상기 산처리된 탄소나노튜브에 다가 알코올을 첨가하여 에스테르반응시키는 단계를 포함하는 단계; 및 b) 상기 a) 단계에서 제조된 상기 -COOR의 관능기를 갖는 탄소나노튜브와 유기 바인더를 혼합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고전도성 페이스트 조성물의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따른 고전도성 페이스트 조성물을 포함하는 저항체막을 제공한다.
본 발명에 따른 저항체막을 포함하는 전자 부품을 제공한다.
본 발명에 따르면, 저항체 크기에 따른 면저항값 및 온도저항계수의 변화가 적고, 낮은 면저항값 및 온도저항계수를 갖는 고전도성 페이스트 조성물이 제공되며, 이는 다양한 발열체의 저항체로서 적용될 수 있다.
본 발명에 따른 고전도성 페이스트 조성물은, -COOR(R은 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 6~20의 아릴기, 탄소수 2~20의 알케닐, 또는 탄소수 2~20의 알키닐)의 관능기를 갖는 탄소나노튜브(CNT)를, 전체 조성물 100중량부에 대해, 1 내지 10중량부로 포함하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 -COOR의 관능기를 갖는 탄소나노튜브(CNT)는, 탄소나노튜브를 표면처리하여 제조된 것이다.
탄소나노튜브 자체도 일반적으로 사용되는 전도성 카본에 비해 우수한 전도성 물질이지만 탄소나노튜브를 표면처리하여 사용하게 되면 탄소나노튜브의 특성인 반데르왈스힘에 의해 바인더에 분산됨에 있어서 더욱 우수한 전도성을 구현 할 수 있다. 이에 표면처리된 탄소나노튜브를 첨가하게 되면 표면처리 되지 않은 탄소나노튜브를 첨가한 전도성 페이스트에 비해 더욱 우수한 전도성 페이스트의 구현이 가능하게 되는 것이다. 또한 일반적인 전도성 카본에 비해 작은 온도저항계수를 가지고 있어 안정된 온도 저항 계수를 갖는 고전도성 발열체용 페이스트 조성물을 제공할 수 있다.
여기서, 표면처리되는 탄소나노튜브의 종류가 특별히 한정되는 것은 아니지만, 100 내지 600㎡/g 범위의 비표면적을 갖는 탄소나노튜브를 사용할 수 있다.
예컨대, 다중벽 탄소나노튜브(MWNT), 단일벽 탄소나노튜브(SWNNT), 및 박벽 탄소나노튜브 중에서 선택된 적어도 하나의 탄소나노튜브를 사용할 수 있다. 바람직하게는, 상기 탄소나노튜브는 열전도도와 전기전도도가 우수하여 가장 활용도가 높고, 산화 온도가 비교적 높아 상대적으로 발열체의 소재로 적합한 다중벽 탄소나노튜브 및 단일벽 탄소나노튜브 중에서 선택된 적어도 하나의 탄소나노튜브를 사용할 수 있다.
표면처리된 탄소나노튜브에 대해 구체적으로 설명하면, 탄소나노튜브를 산처리한 후 에스테르화 반응에 의해 -COOR의 관능기가 탄소나노튜브에 도입됨에 따라, 탄소나노튜브의 반데르왈스힘을 약화시켜 분산이 더욱 용이해 짐으로 탄소나노튜브의 특성인 전기적 네트웍 현상으로 고전도성을 구현할 수 있는 것이다.
전술한 바와 같이, 상기 -COOR의 관능기를 갖는 탄소나노튜브(CNT)는, 탄소나노튜브를 표면처리하여 제조된 것으로서, 탄소나노튜브를 표면처리하고 나면 탄소나노튜브에는 상기 -COOR의 관능기가 도입된다.
구체적으로는, 상기 -COOR의 관능기를 갖는 탄소나노튜브는, 탄소나노튜브의 산처리 후 다가 알코올(polyol)을 사용한 에스테르화 반응을 통해 탄소나노튜브에 상기 관능기를 도입시키게 된다. 여기서, -COOR의 관능기에서 R의 예로 반복단위 10이상의 methyl methacrylate 또는 ethylene terephtalate가 될 수 있다.
여기서, 상기 다가 알코올은, 글리콜 또는 글리세롤일 수 있다. 구체적인 예 로, 메틸메타클릴레이크디올 및 에스테르 테레프탈레이디올을 들 수 있다. 여기서, 다가 알코올(POLYOL)이란 분자 내에 알코올성 히드록시기 -OH를 2개 이상 갖는 알코올을 의미한다.
이하에서는 산처리 및 다가 알코올을 첨가한 에스테르 반응에 대해 구체적으로 설명하기로 한다(도 1 참조).
탄소나노튜브를 산처리를 하면 탄소나노튜브의 표면에 -OH기 또는 카르복시기(-COOH)기가 도입된다.
여기서, 산처리 과정은 예컨대 카르복시기를 관능기로 도입하는 과정은 다음과 같다. H2SO4와 HNO3를 3:1 의 부피비율로 혼합된 용액에 MWNT(탄소나노튜브의 한 예)를 첨가하여 140℃에서 30분 동안 환류시킨 다음, 탈 이온수를 이용하여 용액의 pH가 7~8에 가까운 값을 나타낼 때까지 세척과 여과의 과정을 반복한 후 건조하면 산처리된 MWNT를 얻게 된다. 이 과정을 통해 탄소나노튜브의 표면에 -COOH 기가 생성된다.
다음으로, 이렇게 MWNT 표면에 생성된 -COOH에 다가 알코올계열 물질을 사용한 에스테르화 반응을 통해서 -COOR의 관능기로 도입하게 되는 것이다. 만일 그 외에 MWNT 표면에 생성된 -OH기에도 관능기를 도입시키고자 하려면 지방산을 CNT표면에 생성된 -OH기와 에스테르화 반응을 이용하여 관능기를 도입할 수 있다.
여기서, MWNT 표면에 -COOH 기가 도입되었을 때 다가 알코올계열 물질을 사용한 에스테르화 반응에 대해 구체적으로 설명하면 다음과 같다. 표면에 -COOH 기 가 도입된 MWNT를 5배 부피의 액상의 다가 알코올에 첨가한 후 H2SO4를 첨가한 후 60℃온도에서 두시간 동안 환류시킨 다음 5%의 sodium bicarbonate를 첨가하여 CO2 가 발생될 때까지 돌린다. 그 후 반응물을 원심분리를 이용하여 침전물을 제거하고 소량의 anhydrous sodium sulfate를 첨가여 수분을 완전히 제거 하게 된다.
전술한 바와 같이, 처리하고 나면, 도 1에 도시된 바와 같이, 탄소나노튜브의 표면에는 -COOR의 관능기가 도입되게 되는 것이다. 관능기는 탄소나노튜브가 구성하는 탄소구조에 붙어 있을 수 있다.
요약하면, 탄소나노튜브의 산처리 후, 탄소나노튜브의 표면에 -COOH 기가 붙었던 곳은 다가 알코올이 에스테르화 반응에 의해 관능기화 됨에 따라, -COOR의 관능기가 도입되게 된다. 또한, 탄소나노튜브의 산처리 후, 탄소나노튜브의 표면에 -OH기가 붙었던 자리에 지방산을 에스테르화 반응에 의해 관능기화 됨에 따라, -OOCR의 관능기가 도입되게 된다.
상기 관능기를 갖는 탄소나노튜브는 상기 고전도성 페이스트 조성물에서 무게 대비 부피비가 매우 크기 때문에, 소량으로 조성물에 존재하더라도 조성물의 점도 유지가 가능하다.
본 발명에 따른 고전도성 페이스트 조성물은, 탄소나노튜브를 단독으로 포함할 수도 있으나, 탄소나노튜브와 흑연을 함께 포함할 수도 있다.
탄소나노튜브와 흑연을 함께 사용하면 탄소나노튜브를 단독으로 사용하는 경우 보다 활성과 작업성이 더욱 상승된다.
이 경우, 한 예로, 고전도성 페이스트 조성물은, -COOR의 관능기를 갖는 탄소나노튜브 1 내지 10중량부 및 흑연 10 내지 20중량부를 포함할 수 있다.
10 내지 20중량부로 흑연을 첨가하게 되면, 흑연은 고전도성 페이스트 조성물이 낮은 저항값을 갖도록 한다. 또한, 표면처리되어 관능기가 붙은 탄소나노튜브는 저항값을 조절하면서 분산이 용이해 지므로 같은 첨가량을 높일 수 있어서 낮은 저항값을 구현할 수 있다.
상기 고전도성 페이스트 조성물은, 전체 조성물 100중량부에 대해 70 내지 89 중량부의 유기 바인더를 더 포함할 수 있다.
이에 본 발명에 따른 고전도성 페이스트 조성물은 한 예로, 다가 알코올 이 관능기로 도입된 탄소나노튜브 1 내지 10중량부, 흑연 10 내지 20중량부 및 유기 바인더 70내지 89중량부를 포함할 수 있다.
상기 유기 바인더는 페이스트 조성물 내의 각 구성 성분의 분산을 용이하게 하고, 고전도성 페이스트 조성물의 실크 인쇄 시 인쇄 도막의 균일성을 확보하기 위한 적절한 점도를 제공할 수 있다.
상기 유기 바인더로는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 아크릴레이트, 에틸셀룰로즈, 메틸셀룰로즈, 니트로셀룰로즈, 카복시메틸셀룰로즈 등의 셀룰로즈 유도체와 아크릴산에스테르, 메타크릴산에스테르, 폴리비닐알콜, 폴리비닐부티랄 등의 수지 성분이 사용될 수 있다. 바람직하게는 유기 바인더로는 아크릴 수지를 사용할 수 있으나, 이로 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 고전도성 페이스트 조성물에는 점도를 조절하기 위하여, 싸 이클로헥사논(Cyclohexanone), 아농 또는 부틸아세테이트 그리고 부틸 셀로솔브 아세테이트 등의 용매를 첨가할 수 있다.
이에 본 발명에 따른 고전도성 페이스트 조성물은 한 예로, 상기 -COOR의 관능기로 도입된 탄소나노튜브 1 내지 10중량부, 흑연 10 내지 20중량부, 유기 바인더 70내지 89중량부를 포함할 수 있으며, 이들의 혼합물이 전체 조성물 100중량부에 대해 90중량부면 용매 10중량부를 첨가하여 제조할 수 있고, 40중량부이면 용매 60중량부를 첨가하여 제조할 수 있다.
본 발명에 따른 고전도성 페이스트 조성물에 있어서, 고전도성이란 일반적으로 30Ω/sq 이하를 의미하나, 이로 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 고전도성 페이스트 조성물을 피착체에 실크스크린 인쇄법 또는 그라비아 인쇄법으로 인쇄하여 저항체막을 형성할 수 있다.
또한, 이렇게 형성된 저항체막은 저항의 조절이 자유로워 다양한 전자 부품에 적용될 수 있다. 예컨대, 필름 발열체, 거울발열체 등 발열제품의 발열체로 사용 될 수 있다.
본 발명에 따른 고전도성 페이스트 조성물의 제조방법은, a) 탄소나노튜브(CNT)에 -COOR(R은 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 6~20의 아릴기, 탄소수 2~20의 알케닐, 또는 탄소수 2~20의 알키닐)의 관능기를 도입하여 -COOR의 관능기를 갖는 탄소나노튜브를 형성하는 단계로서, a1) 탄소나노튜브를 산처리하는 단계 및 a2) 상기 산처리된 탄소나노튜브에 다가 알코올을 첨가하여 에스테르반응시키는 단계를 포함하는 단계; 및 b) 상기 a) 단계에서 제조된 상기 -COOR의 관능기를 갖는 탄소 나노튜브와 유기 바인더를 혼합하는 단계를 포함한다. 전술한 실시 상태의 내용이 모두 적용됨은 물론이다.
상기 a1) 단계에서 산처리는 H2SO4와 HNO3를 3:1의 부피비율로 혼합된 용액에 탄소나노튜브를 첨가하여 처리할 수 있다. 한 것을 특징으로 한다.
상기 a2) 단계에서는, 상기 a1) 단계의 산처리에 의해 카르복시기(-COOH)가 도입된 탄소나노튜브를 액상의 상기 다가 알코올에 첨가하여 에스테르 반응시키는 것을 통해 상기 -COOR의 관능기를 갖는 탄소나노튜브를 제조할 수 있다.
상기 다가 알코올은, 글리콜 또는 글리세롤일 수 있다. 구체적인 예로, 메틸메타클릴레이크디올 및 에스테르 테레프탈레이디올을 들 수 있다.
상기 -COOR의 관능기를 갖는 탄소나노튜브는, MWNT(multi wall nanotube)와 SWNT(single wall nanotube) 중 선택된 적어도 하나의 탄소나노튜브일 수 있다.
상기 b) 단계에서는, 전체 조성물 100중량부에 대해 상기 -COOR의 관능기를 갖는 탄소나노튜브 1~10중량부 및 상기 유기 바인더 90~99중량부를 혼합할 수 있다.
상기 b) 단계에서는 흑연이 더 첨가되며, 상기 b) 단계에서는, 전체 조성물 100중량부에 대해 상기 -COOR의 관능기를 갖는 탄소나노튜브 1~10중량부, 상기 유기 바인더 70~89중량부 및 상기 흑연 10~20중량부를 혼합할 수 있다.
상기 b) 단계에서의 혼합물이 전체 조성물 100중량부에 대해 40~90중량부인 경우, 용매를 10~60중량부를 첨가할 수 있다.
이하에서는, 실시예를 통해 본 발명에 대해 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명이 실시예들이 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 본 발명의 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 적절하게 변경 가능하다.
실시예 1
-COOR(여기서, R은 methyl methacrylate)의 관능기를 갖는 다중벽 탄소나노튜브(MWNT) 5중량부, 흑연 20중량부, 유기바인더로 아크릴 수지 75중량부에 희석제로 용매인 사이클로 헥사논 10중량부를 가하여 점도 조정한 후, 3 단롤로 분산 혼합하여 고전도성 페이스트 조성물을 제조하였다. 여기서, 다중벽 탄소나노튜브(MWNT), 흑연, 유기바인더 및 사이클로 헥사논을 포함하는 전체 조성물 100중량부를 기준으로 했을 때, 다중벽 탄소나노튜브(MWNT), 흑연 및 유기바인더의 혼합물이 90중량부이고, 100중량부가 되도록 사이클로 헥사논 10중량부를 가하여 제조한 것이다.
PET필름에 고전도성 페이스트 조성물을 스크린 인쇄법으로 인쇄하여 도막을 형성한 후, 이를 135℃에서 10분간 건조하였다. 이때, 상기 도막의 두께는 약 12㎛였다. 이러한 저항체막 상에 전극층을 형성하고, 그 위에 라미네이팅 필름을 합지시켜 발열체를 수득하였다.
상기 발열체의 전극층 양단에 220V의 교류를 인가하여, HIOKI 3280-10 디지달 멀티메타를 이용하여 최대 포화 온도 영역에서 전류를 측정하여 초기 저항값과 발열시 저항값을 각각 산출하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타냈다.
실시예 2
-COOR(여기서, R은 methyl methacrylate)의 관능기를 갖는 다중벽 탄소나노튜브(MWNT) 10중량부, 흑연 20중량부, 유기바인더로 아크릴 수지 70중량부에 희석제로 용매인 사이클로 헥사논 10중량부를 가하여 점도 조정한 후, 3 단롤로 분산 혼합하여 고전도성 페이스트 조성물을 제조하였다. 여기서, 다중벽 탄소나노튜브(MWNT), 흑연, 유기바인더 및 사이클로 헥사논을 포함하는 전체 조성물 100중량부를 기준으로 했을 때, 다중벽 탄소나노튜브(MWNT), 흑연 및 유기바인더의 혼합물이 90중량부이고, 100중량부가 되도록 사이클로 헥사논 10중량부를 가하여 제조한 것이다.
PET필름에 고전도성 페이스트 조성물을 스크린 인쇄법으로 인쇄하여 도막을 형성한 후, 이를 135℃에서 10분간 건조하였다. 이때, 상기 도막의 두께는 약 12㎛였다. 이러한 저항체막 상에 전극층을 형성하고, 그 위에 라미네이팅 필름을 합지시켜 발열체를 수득하였다.
상기 발열체의 전극층 양단에 220V의 교류를 인가하여, HIOKI 3280-10 디지달 멀티메타를 이용하여 최대 포화 온도 영역에서 전류를 측정하여 초기 저항값과 발열시 저항값을 각각 산출하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타냈다.
비교예 1
관능기가 도입되지 않은 일반 탄소나노튜브(MWNT) 5중량부, 흑연 20중량부, 유기바인더로 아크릴 수지 65중량부에 희석제 10중량부를 가하여 점도 조정한 후, 3 단롤로 분산 혼합하여 페이스트 조성물을 제조하였다.
PET필름에 상기 페이스트 조성물을 스크린 인쇄법으로 인쇄하여 도막을 형성한 후, 이를 135℃에서 10분간 건조하였다. 이때, 상기 도막의 두께는 약 12㎛였다. 이러한 저항체막 상에 전극층을 형성하고, 그 위에 라미네이팅 필름을 합지시켜 발열체를 수득하였다.
상기 발열체의 전극층 양단에 220V의 교류를 인가하여, HIOKI 3280-10 디지달 멀티메타를 이용하여 최대 포화 온도 영역에서 전류를 측정하여 초기 저항값과 발열시 저항값을 각각 산출하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타냈다.
비교예 2
관능기가 도입되지 않은 일반 탄소나노튜브(MWNT) 10중량부, 흑연 20중량부, 유기바인더로 아크릴 수지 60중량부에 희석제 10중량부를 가하여 점도 조정한 후, 3 단롤로 분산 혼합하여 페이스트 조성물을 제조하였다.
PET필름에 상기 페이스트 조성물을 스크린 인쇄법으로 인쇄하여 도막을 형성한 후, 이를 135℃에서 10분간 건조하였다. 이때, 상기 도막의 두께는 약 12㎛였다. 이러한 저항체막 상에 전극층을 형성하고, 그 위에 라미네이팅 필름을 합지시켜 발열체를 수득하였다.
상기 발열체의 전극층 양단에 220V의 교류를 인가하여, HIOKI 3280-10 디지달 멀티메타를 이용하여 최대 포화 온도 영역에서 전류를 측정하여 초기 저항값과 발열시 저항값을 각각 산출하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타냈다.
비교예 3
도전성 카본블랙 5중량부, 흑연 20중량부, 아크릴 유기바인더 65중량부에 희 석제 10중량부를 가하여 점도조정한 후, 3 단롤로 분산 혼합하여 페이스트 조성물을 제조하였다.
PET필름에 상기 페이스트 조성물을 스크린 인쇄법으로 인쇄하여 도막을 형성한 후, 이를 135℃에서 10분간 건조하였다. 이때, 상기 도막의 두께는 약 12㎛였다. 이러한 저항체막 상에 전극층을 형성하고, 그 위에 라미네이팅 필름을 합지시켜 발열체를 수득하였다.
상기 발열체의 전극층 양단에 220V의 교류를 인가하여, HIOKI 3280-10 디지달 멀티메타를 이용하여 최대 포화 온도 영역에서 전류를 측정하여 초기 저항값과 발열시 저항값을 각각 산출하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타냈다.
비교예 4
도전성 카본블랙 10중량부, 흑연 20중량부, 아크릴 유기바인더 60중량부에 희석제 10중량부를 가하여 점도 조정한 후, 3 단롤로 분산 혼합하여 페이스트 조성물을 제조하였다.
PET필름에 상기 페이스트 조성물을 스크린 인쇄법으로 인쇄하여 도막을 형성한 후, 이를 135℃에서 10분간 건조하였다. 이때, 상기 도막의 두께는 약 12㎛였다. 이러한 저항체막 상에 전극층을 형성하고, 그 위에 라미네이팅 필름을 합지시켜 발열체를 수득하였다.
상기 발열체의 전극층 양단에 220V의 교류를 인가하여, HIOKI 3280-10 디지달 멀티메타를 이용하여 최대 포화 온도 영역에서 전류를 측정하여 초기 저항값과 발열시 저항값을 각각 산출하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타냈다.
표 1
구분 저항 측정값(Ω)
초기 저항값 발열시 저항값
실시예 1 802 800
실시예 2 520 517
비교예 1 1204 1200
비교예 2 893 890
비교예 3 1897 1792
비교예 4 1197 947
표 1에서 볼 수 있는 바와 같이, 탄소나노튜브인 MWNT와 도전성 카본블랙으로 도전성 물질은 다르지만 같은 5중량부로 같은 양을 첨가한 실시예 1, 비교예 1 및 비교예 3를 비교하여 보면, 첨가량이 같은 경우 도전성 카본블랙 보다 탄소나노튜브(MWNT)를 첨가한 것이 낮은 저항값을 구현하며, 관능기가 도입된 MWNT를 첨가한 경우가 관능기가 도입되지 않은 MWNT를 첨가한 경우 보다 낮은 저항값을 구현함을 알 수 있다.
또한, 실시예 2, 비교예 2 및 비교예 4에서도 같은 현상을 나타내며, 도전성 카본블랙보다 MWNT가 발열 시 저항변화율이 적은 것을 알 수 있다.
이로부터, 본 발명의 실시예들에 따른 관능기가 도입된 탄소나노튜브를 포함하는 고전도성 페이스트 조성물이 같은 함량대비 더욱 낮은 저항 값을 구현할 수 있음을 확인할 수 있다.
도 1은 탄소나노튜브에 -COOR의 관능기를 도입하는 과정을 도시한 도면이다.

Claims (16)

  1. -COOR(R은 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 6~20의 아릴기, 탄소수 2~20의 알케닐, 또는 탄소수 2~20의 알키닐)의 관능기를 갖는 탄소나노튜브(CNT)를, 전체 조성물 100중량부에 대해, 1 내지 10중량부로 포함하는 것을 특징으로 하는 고전도성 페이스트 조성물.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 -COOR의 관능기를 갖는 탄소나노튜브는, 탄소나노튜브의 산처리 후 다가 알코올(polyol)을 사용한 에스테르화 반응을 통해 탄소나노튜브에 상기 관능기를 도입시킨 것인 고전도성 페이스트 조성물.
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 다가 알코올은, 메틸메타클릴레이크디올 또는 에스테르 테레프탈레이디올인 것을 특징으로 하는 고전도성 페이스트 조성물.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 -COOR의 관능기를 갖는 탄소나노튜브는, MWNT(multi wall nanotube)와 SWNT(single wall nanotube) 중 선택된 적어도 하나의 탄소나노튜브인 것을 특징으로 하는 고전도성 페이스트 조성물.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 고전도성 페이스트 조성물은, 전체 조성물 100중량부에 대해 10 내지 20중량부의 흑연을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고전도성 페이스트 조성물.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 고전도성 페이스트 조성물은, 전체 조성물 100중량부에 대해 70 내지 89 중량부의 유기 바인더를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고전도성 페이스트 조성물.
  7. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 따른 고전도성 페이스트 조성물을 포함하는 저항체막.
  8. 청구항 7에 따른 저항체막을 포함하는 전자 부품.
  9. a) 탄소나노튜브(CNT)에 -COOR(R은 탄소수 1~20의 알킬기, 탄소수 6~20의 아릴기, 탄소수 2~20의 알케닐, 또는 탄소수 2~20의 알키닐)의 관능기를 도입하여 -COOR의 관능기를 갖는 탄소나노튜브를 형성하는 단계로서, a1) 탄소나노튜브를 산처리하는 단계 및 a2) 상기 산처리된 탄소나노튜브에 다가 알코올을 첨가하여 에스테르반응시키는 단계를 포함하는 단계; 및
    b) 상기 a) 단계에서 제조된 상기 -COOR의 관능기를 갖는 탄소나노튜브와 유기 바인더를 혼합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고전도성 페이스트 조성물의 제조방법.
  10. 청구항 9에 있어서, 상기 a1) 단계에서 산처리는 H2SO4와 HNO3를 3:1의 부피비율로 혼합된 용액에 탄소나노튜브를 첨가하여 처리한 것을 특징으로 하는 고전도성 페이스트 조성물의 제조방법.
  11. 청구항 9에 있어서, 상기 a2) 단계에서는, 상기 a1) 단계의 산처리에 의해 카르복시기(-COOH)가 도입된 탄소나노튜브를 액상의 상기 다가 알코올에 첨가하여 에스테르 반응시키는 것을 통해 상기 -COOR의 관능기를 갖는 탄소나노튜브를 제조한 것을 특징으로 하는 고전도성 페이스트 조성물의 제조방법.
  12. 청구항 9에 있어서, 상기 다가 알코올은, 메틸메타클릴레이크디올 또는 에스테르 테레프탈레이디올인 것을 특징으로 하는 고전도성 페이스트 조성물의 제조방법.
  13. 청구항 9에 있어서, 상기 -COOR의 관능기를 갖는 탄소나노튜브는, MWNT(multi wall nanotube)와 SWNT(single wall nanotube) 중 선택된 적어도 하나의 탄소나노튜브인 것을 특징으로 하는 고전도성 페이스트 조성물의 제조방법.
  14. 청구항 9에 있어서, 상기 b) 단계에서는, 전체 조성물 100중량부에 대해 상기 -COOR의 관능기를 갖는 탄소나노튜브 1~10중량부 및 상기 유기 바인더 90~99중 량부를 혼합하는 것을 특징으로 하는 고전도성 페이스트 조성물의 제조방법.
  15. 청구항 9에 있어서, 상기 b) 단계에서는 흑연이 더 첨가되며,
    상기 b) 단계에서는, 전체 조성물 100중량부에 대해 상기 -COOR의 관능기를 갖는 탄소나노튜브 1~10중량부, 상기 유기 바인더 70~89중량부 및 상기 흑연 10~20중량부를 혼합하는 것을 특징으로 하는 고전도성 페이스트 조성물.
  16. 청구항 14 또는 청구항 15에 있어서, 상기 b) 단계에서의 혼합물이 전체 조성물 100중량부에 대해 40~90중량부인 경우, 용매를 10~60중량부를 첨가하는 것을 특징으로 하는 고전도성 페이스트 조성물
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