JP2013500572A - 太陽電池電極形成用ペースト{apastecompositionformakingelectrodeofsolar−cell} - Google Patents
太陽電池電極形成用ペースト{apastecompositionformakingelectrodeofsolar−cell} Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013500572A JP2013500572A JP2012522749A JP2012522749A JP2013500572A JP 2013500572 A JP2013500572 A JP 2013500572A JP 2012522749 A JP2012522749 A JP 2012522749A JP 2012522749 A JP2012522749 A JP 2012522749A JP 2013500572 A JP2013500572 A JP 2013500572A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solar cell
- poly
- cell electrode
- paste
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 title description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 12
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 19
- -1 poly (p-phenylenevinylene) Polymers 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 claims description 12
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 claims description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 12
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 11
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 10
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 claims description 10
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 claims description 10
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 10
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 claims description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 125000001140 1,4-phenylene group Chemical group [H]C1=C([H])C([*:2])=C([H])C([H])=C1[*:1] 0.000 claims description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 claims description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 claims description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 2
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 claims description 2
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 claims description 2
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 claims description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CUDYYMUUJHLCGZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)CO CUDYYMUUJHLCGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2,4-trimethylpentyl) 2-methylpropanoate Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)COC(=O)C(C)C DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DOVZUKKPYKRVIK-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-yl propanoate Chemical compound CCC(=O)OC(C)COC DOVZUKKPYKRVIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCOCCOCCOCCO WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- RHFOYRRUVLOOJP-UHFFFAOYSA-N ethoxyethane;propanoic acid Chemical compound CCOCC.CCC(O)=O RHFOYRRUVLOOJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000007602 hot air drying Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol monomethyl ether Chemical compound COCCOCCOCCO JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
- H01L31/0747—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
高い電気伝導度、低い接触抵抗、高い縦横比、優れた保管安定性および優れた接着力を示し、太陽電池電極形成時に別途の焼成工程を経ず、乾燥温度で硬化が行われて電極が形成されるので太陽電池電極形成の生産性が高い太陽電池電極形成用ペーストを提供する。
Description
本発明は太陽電池電極形成用ペーストに関するものであって、本発明による太陽電池電極形成用ペーストは低い接触抵抗、高い縦横比、優れた保管安定性、および優れた接着力を示し、太陽電池電極形成時に別途の焼成工程を経ず、乾燥温度で硬化が行われて電極が形成されるので太陽電池電極形成の生産性が高い。
従来は太陽電池の電極形成では焼成温度が350℃以上の高温であるのでペースト内の有機物が容易に除去された。しかし、焼成温度が350℃以下である電極材料を要求する場合には、ペースト内の有機物が残存することによって電気化学的に絶縁体の役割を果たして、電子の流れを妨害するようになった。特に、太陽電池分野のうちの非晶質/結晶質シリコン異種接合太陽電池の場合、非晶質層の結晶化抑制のために低温(250℃以下)の焼成条件が要求されている。このような低温焼成用電極では残存有機物によって電気的特性が低下する問題が発生している。
したがって、本発明は低い接触抵抗、高い縦横比、優れた保管安定性、および優れた接着力を示し、太陽電池電極形成時に別途の焼成工程を経ず、乾燥温度で硬化が行われて電極が形成されるので太陽電池電極形成の生産性を高めることができる太陽電池電極形成用ペーストおよびこれを利用した太陽電池電極形成方法を提供することを目的とする。
前記目的を達成するために本発明は、
(a)銀粉末(silver powder)、
(b)PEDOT−PSS、ポリチオフェン(Polythiophene)、ポリ(3−アルキルチオフェン)(Poly(3−alkylthiophene))、ポリピロール(Polypyrrole)、ポリ((2,5ジアルコキシ)−p−フェニレンビニレン)(Poly((2、5dialkoxy)−p−phenylene vinylene))、ポリ(p−フェニレンビニレン)(Poly(p−phenylene vinylene))、およびポリ(p−フェニレン)(Poly(p−phenylene))からなる群より1種以上選択される伝導性高分子、
(c)セルロース誘導体、および
(d)溶剤
を含む太陽電池電極形成用ペーストを提供する。
(a)銀粉末(silver powder)、
(b)PEDOT−PSS、ポリチオフェン(Polythiophene)、ポリ(3−アルキルチオフェン)(Poly(3−alkylthiophene))、ポリピロール(Polypyrrole)、ポリ((2,5ジアルコキシ)−p−フェニレンビニレン)(Poly((2、5dialkoxy)−p−phenylene vinylene))、ポリ(p−フェニレンビニレン)(Poly(p−phenylene vinylene))、およびポリ(p−フェニレン)(Poly(p−phenylene))からなる群より1種以上選択される伝導性高分子、
(c)セルロース誘導体、および
(d)溶剤
を含む太陽電池電極形成用ペーストを提供する。
また、本発明は、前記太陽電池電極形成用ペーストを用いた太陽電池電極形成方法、前記方法によって形成された太陽電池電極、および前記電極を含む太陽電池を提供する。
本発明による太陽電池電極形成用ペーストは下記のような効果を示す。
第一に、高い生産性:乾燥温度(100〜250℃以下)で短時間に硬化しながら電極を形成するので、別途の焼成工程が必要でない。
第二に、高い電導度および優れた電気比抵抗:乾燥温度(100〜250℃以下)で伝導性高分子がペースト内部に残存して、電気化学的に安定して電子の流れを円滑に誘導する。
第三に、低い接触抵抗:低い接触抵抗特性を示し、特に非晶質/結晶質異種接合太陽電池に適合する。
第四に、熱的保管安定性:有機バインダーおよび溶剤などとの相溶性が優れていて熱的安定性が非常に高くて、物理的化学的状態変化が少ない長所がある。
第五に、高い縦横比:ペーストのレオロジー特性が優れていて高い縦横比(Aspect ratio)を実現することができる。
以下、本発明を詳しく説明する。
本発明による太陽電池電極形成用ペーストは、
(a)銀粉末(silver powder)、
(b)PEDOT−PSS、ポリチオフェン(Polythiophene)、ポリ(3−アルキルチオフェン)(Poly(3−alkylthiophene))、ポリピロール(Polypyrrole)、ポリ((2,5ジアルコキシ)−p−フェニレンビニレン)(Poly((2、5dialkoxy)−p−phenylene vinylene))、ポリ(p−フェニレンビニレン)(Poly(p−phenylene vinylene))、およびポリ(p−フェニレン)(Poly(p−phenylene))からなる群より1種以上選択される伝導性高分子、
(c)セルロース誘導体、および
(d)溶剤
を含む。
(a)銀粉末(silver powder)、
(b)PEDOT−PSS、ポリチオフェン(Polythiophene)、ポリ(3−アルキルチオフェン)(Poly(3−alkylthiophene))、ポリピロール(Polypyrrole)、ポリ((2,5ジアルコキシ)−p−フェニレンビニレン)(Poly((2、5dialkoxy)−p−phenylene vinylene))、ポリ(p−フェニレンビニレン)(Poly(p−phenylene vinylene))、およびポリ(p−フェニレン)(Poly(p−phenylene))からなる群より1種以上選択される伝導性高分子、
(c)セルロース誘導体、および
(d)溶剤
を含む。
好ましくは、本発明による電極ペーストは、(a)銀粉末(silver powder)30〜95重量%;(b)PEDOT−PSS、ポリチオフェン、ポリ(3−アルキルチオフェン)、ポリピロール、ポリ((2,5ジアルコキシ)−p−フェニレンビニレン)、ポリ(p−フェニレンビニレン)、およびポリ(p−フェニレン)からなる群より1種以上選択される伝導性高分子0.1〜40重量%;(c)セルロース誘導体0.1〜50重量%;および(d)残量の溶剤を含む。
本発明の「太陽電池電極形成用電極ペースト」には積層構造体からなる単層または多層からなる配線板のような回路形成用材料として使用されるペーストを含む。したがって、太陽電池に使用される電極だけでなくこれら装置に使用される電気配線もこれに該当する。
以下、各成分について詳細に説明する。
(a)銀粉末(silver powder)
本発明の前記銀粉末は、0.05乃至10μmの平均粒度を有することが好ましい。多様な粒子大きさを有する金属粉末を混合して使用することが、印刷の精密性を高め、太陽電池に適用時太陽電池の曲線因子(Fill Factor)(以下、「FF」という)を大きく向上させて効率を高めることができるため好ましい。
前記銀粉末はペースト内に30乃至95重量%で含まれ、前記銀含有量が30重量%未満である場合、ペーストの粘度が低くて、プリントスクリーン印刷法で基材に印刷する時にマスクのパターンサイズよりさらに広く印刷される問題点があり、また、銀含有量が95重量%を超過する場合、粘度が高くて、導電性粉末の均一な分散が難しく、印刷時にマスクでのペースト抜け性が良くなくて電極形成に困難があり、印刷後の基材での表面粗度が良くない。
(b)伝導性高分子
本発明で使用可能な伝導性高分子は、PEDOT−PSS、ポリチオフェン、ポリ(3−アルキルチオフェン)、ポリピロール、ポリ((2,5ジアルコキシ)−p−フェニレンビニレン)、ポリ(p−フェニレンビニレン)、およびポリ(p−フェニレン)からなる群より1種以上選択されるものを使用することができる。また、前記伝導性高分子に溶媒が混合されているものを使用することもできる。特に、本発明に使用されるPEDOT−PSS、ポリチオフェン、ポリ(3−アルキルチオフェン)、ポリピロール、ポリ((2,5ジアルコキシ)−p−フェニレンビニレン)、ポリ(p−フェニレンビニレン)、およびポリ(p−フェニレン)からなる群より1種以上選択される伝導性高分子は一般的なポリアニリン(Polyaniline)のような伝導性高分子と比較して、電気比抵抗、基板付着力、接触抵抗、縦横比および粘度変化率面で顕著な差を示す。
前記伝導性高分子は0.1乃至40重量%で含むことができる。伝導性高分子含有量が0.1重量%未満である場合、電気伝導度の改善効果を期待するのが難しく、また、伝導性高分子含有量が40重量%を超過する場合、伝導性高分子の低い粘度によって製造される電極ペーストの粘度が低く形成されて印刷されたパターン線幅の拡散現象をもたらし、これは高解像度パターンの実現が難しく、優れた縦横比の電極パターンを得るのが難しい。
(c)セルロース誘導体
本発明で前記セルロース誘導体はバインダーとして作用し、伝導性高分子および溶剤との相溶性が優れて、本発明の太陽電池電極形成用ペーストの電気伝導度および保管安定性を顕著に向上させる。本発明の前記セルロース誘導体の具体的な例としては、ヒドロキシセルロース、メチルセルロース、ニトロセルロースおよびエチルセルロースからなる群より1種以上選択されるものを使用することができる。
前記セルロース誘導体は0.1乃至50重量%で含むことができる。前記セルロース誘導体の含有量が0.1重量%範囲未満である場合、印刷時にマスクの抜け性が良くない。含有量が30重量%範囲超過である場合、100〜250℃領域で乾燥をすれば多量のセルロース誘導体が残存し、これは電極ペーストの硬化度を阻害させる要素として作用して、基板付着強度を落とす問題を引き起こさせる。
(d)溶媒
前記(a)−(c)の成分は溶媒中で混合分散されて使用される。
この時、使用可能な溶媒は沸点が80〜250℃であるものが好ましく、具体的な例としては、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、ブチルカルビトールアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、ブチルカルビトール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、エチルエーテルプロピオネート、テルピネオール、テキサノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコール、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメチルアミノフォルムアルデヒド、メチルエチルケトン、ガンマブチロラクトン、または乳酸エチルなどを単独または2種以上混合して使用することができる。好ましくは、ブチルカルビトールアセテート、エチレングリコールまたはこれらの混合物を使用することができる。
前記溶媒は(a)−(c)の成分を除いた残量を含むことができる。
(e)その他の添加剤
前記以外にも本発明による電極ペーストは通常ペーストに含まれる添加剤を必要によってさらに含むことができる。前記添加剤の例としては増粘剤、安定化剤、分散剤、脱泡剤または界面活性剤などが挙げられ、これら成分は0.1〜5重量%で使用されることが好ましい。
このような組成を有する本発明の太陽電池電極形成用ペーストは、前記記載した必須成分と任意の成分を所定の比率により配合し、これをブレンダーまたは3軸ロールなどの混練機で均一に分散して得ることができる。
好ましくは、本発明による電極ペーストはブルックフィールド(Brookfield)HBT粘度系および#14スピンドルを使用する多用途カップで10rpmおよび25℃で測定する場合、1乃至300Pa・Sの粘度を有するものが良い。
本発明による太陽電池電極形成用ペーストは別途の焼成工程無しに乾燥工程のみで電極を形成することができる。したがって焼成工程が別途に必要でないので作業性が容易であり、低温乾燥によって伝導性高分子がペースト内部に残存して電気化学的に安定し電子の流れを円滑に誘導するようになる長所がある。特に、非晶質/結晶質シリコン異種接合太陽電池に適用する場合に効果がさらに大きい。
本発明はまた、前記電極ペーストを基材の上に印刷し、乾燥することを特徴とする太陽電池の電極形成方法、前記方法によって製造された太陽電池電極、および前記太陽電池電極を含む太陽電池を提供する。
本発明の太陽電池電極形成方法で前記太陽電池電極形成用ペーストを使用することを除いて、基材、印刷、および乾燥は通常太陽電池の製造に使用される方法を用いることができるのはもちろんである。一例として、前記基材はSi基板であることができ、前記電極はシリコン太陽電池の前面電極であることができ、前記印刷はスクリーン印刷であることができ、前記乾燥は100〜250℃で10分乃至30分間行われることができ、前記印刷は任意に調節可能であり、20乃至50μmの厚さに印刷をすることが良い。
本発明の太陽電池電極形成方法は焼成工程が別途に必要でないので作業性および生産性が優れ、精密性が高く、本発明による電極ペーストを利用して製造された電極を含む太陽電池は高効率、高解像度であり、特に低温焼成に適して量産性が優れ、非晶質/結晶質シリコン異種接合太陽電池に適用する場合に効果がさらに良いという長所がある。
以下、本発明の理解のために好ましい実施例を提示するが、下記の実施例は本発明を例示するものに過ぎず、本発明の範囲が下記の実施例に限定されるのではない。
実施例1乃至4および比較例1、2
下記表1に記載された成分および含有量で混合後、3ロール混練機で混合分散させて電極ペーストを製造した。
下記表1に記載された成分および含有量で混合後、3ロール混練機で混合分散させて電極ペーストを製造した。
前記実施例1乃至4、および比較例1、2で製造された電極ペーストに対して下記のような方法で特性(比抵抗、基板付着力、接触抵抗、縦横比および粘度変化率)をそれぞれ測定した。その結果を下記表2に示した。
1)比抵抗(*10−5Ω.cm)
前記実施例1乃至4、および比較例1、2で製造された電極ペーストをそれぞれ基材に印刷した後、180℃で15分、200℃で15分、および220℃で15分で硬化した後に4ポイントプローブを用いて比抵抗を測定した。
前記実施例1乃至4、および比較例1、2で製造された電極ペーストをそれぞれ基材に印刷した後、180℃で15分、200℃で15分、および220℃で15分で硬化した後に4ポイントプローブを用いて比抵抗を測定した。
2)基板付着力
格子付着性評価(ASTMD3359)に基づいて、基材上に印刷されて硬化されたペーストにクロスカットナイフ(crosscut knife)で100個の格子紋を作って、金属付着力専用テープ(3M、#610)を付けてから取り外し、剥離された格子数を記録した。
格子付着性評価(ASTMD3359)に基づいて、基材上に印刷されて硬化されたペーストにクロスカットナイフ(crosscut knife)で100個の格子紋を作って、金属付着力専用テープ(3M、#610)を付けてから取り外し、剥離された格子数を記録した。
3)接触抵抗(mΩ.cm)
前記実施例1乃至4、および比較例1、2で製造された電極ペーストを太陽電池セル(Cell)の後面にスクリーンプリンティング技法で印刷し、熱風式乾燥炉を用いて乾燥させた。そして、前面に線幅110μmの電極パターンを印刷して、160℃で5分間乾燥させた。前記過程で製造されたセル(cell)を焼成炉を用いて220℃で15分間焼成した。このように製造されたセル(cell)に対してコアスキャン(Correscan)を用いて接触抵抗を測定した。
前記実施例1乃至4、および比較例1、2で製造された電極ペーストを太陽電池セル(Cell)の後面にスクリーンプリンティング技法で印刷し、熱風式乾燥炉を用いて乾燥させた。そして、前面に線幅110μmの電極パターンを印刷して、160℃で5分間乾燥させた。前記過程で製造されたセル(cell)を焼成炉を用いて220℃で15分間焼成した。このように製造されたセル(cell)に対してコアスキャン(Correscan)を用いて接触抵抗を測定した。
4)縦横比(%)
線幅110μmの電極パターンを印刷、乾燥、焼成後、電極パターンの高さおよびパターン線幅をそれぞれSEMで測定し、パターンの高さ/パターン線幅比率を求めて縦横比(%)を記録した。
線幅110μmの電極パターンを印刷、乾燥、焼成後、電極パターンの高さおよびパターン線幅をそれぞれSEMで測定し、パターンの高さ/パターン線幅比率を求めて縦横比(%)を記録した。
5)粘度変化率(%)
前記実施例1乃至4、および比較例1、2で製造された電極ペーストを25℃で1ヶ月間保管後、粘度変化をブルックフィールド(Brookfield)HBT粘度計を用いて#51スピンドルとして温度25℃下でせん断速度(shear rate)3.84sec−1条件で測定して、粘度変化率を観察した。
前記実施例1乃至4、および比較例1、2で製造された電極ペーストを25℃で1ヶ月間保管後、粘度変化をブルックフィールド(Brookfield)HBT粘度計を用いて#51スピンドルとして温度25℃下でせん断速度(shear rate)3.84sec−1条件で測定して、粘度変化率を観察した。
前記表2に示されているように、PEDOT−PSS、ポリチオフェン、ポリ(3−アルキルチオフェン)、ポリピロール、ポリ((2,5ジアルコキシ)−p−フェニレンビニレン)、ポリ(p−フェニレンビニレン)、およびポリ(p−フェニレン)からなる群より1種以上選択される伝導性高分子を含む本発明による実施例1乃至4による電極ペーストは、伝導性高分子を含まない比較例1−2およびポリアニリンを含む電極ペーストと比較して、電気比抵抗、基板付着力、接触抵抗、縦横比および粘度変化率面で顕著に改善された効果を示した。その中でも特に本発明による実施例1乃至4による電極ペーストは低温焼成時比抵抗改善効果がより顕著であった。
Claims (10)
- (a)銀粉末、
(b)PEDOT−PSS、ポリチオフェン、ポリ(3−アルキルチオフェン)、ポリピロール、ポリ((2,5ジアルコキシ)−p−フェニレンビニレン)、ポリ(p−フェニレンビニレン)、およびポリ(p−フェニレン)からなる群より1種以上選択される伝導性高分子、
(c)セルロース誘導体、および
(d)溶剤
を含む太陽電池電極形成用ペースト。 - (a)銀粉末30乃至95重量%、
(b)伝導性高分子0.1乃至40重量%、
(c)セルロース誘導体0.1乃至50重量%、および
(d)残量の溶剤
を含む、請求項1に記載の太陽電池電極形成用ペースト。 - 前記伝導性高分子は、PEDOT−PSS、ポリチオフェン、ポリ(3−アルキルチオフェン)、ポリピロール、ポリ((2,5ジアルコキシ)−p−フェニレンビニレン)、ポリ(p−フェニレンビニレン)、およびポリ(p−フェニレン)からなる群より1種以上選択されることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池電極形成用ペースト。
- 前記セルロース誘導体はヒドロキシセルロース、メチルセルロース、ニトロセルロースおよびエチルセルロースからなる群より1種以上選択されることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池電極形成用ペースト。
- 前記溶剤は沸点が80〜250℃であることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池電極形成用ペースト。
- 前記太陽電池は、非晶質/結晶質シリコン異種接合太陽電池であることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池電極形成用ペースト。
- 請求項1乃至6から選択されるいずれか一項のペーストを基材の上に印刷し、乾燥することを特徴とする太陽電池電極形成方法。
- 請求項7によって製造された太陽電池電極。
- 前記太陽電池は、非晶質/結晶質シリコン異種接合太陽電池であることを特徴とする、請求項8に記載の太陽電池電極。
- 請求項8記載の太陽電池電極を含む太陽電池。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2009-0068733 | 2009-07-28 | ||
KR20090068733 | 2009-07-28 | ||
KR10-2009-0087937 | 2009-09-17 | ||
KR1020090087937A KR100972014B1 (ko) | 2009-07-28 | 2009-09-17 | 태양전지 전극형성방법 |
PCT/KR2010/004647 WO2011013928A2 (ko) | 2009-07-28 | 2010-07-16 | 태양전지 전극형성용 페이스트 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013500572A true JP2013500572A (ja) | 2013-01-07 |
Family
ID=42645944
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012522749A Pending JP2013500572A (ja) | 2009-07-28 | 2010-07-16 | 太陽電池電極形成用ペースト{apastecompositionformakingelectrodeofsolar−cell} |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120180864A1 (ja) |
JP (1) | JP2013500572A (ja) |
KR (1) | KR100972014B1 (ja) |
CN (1) | CN102473741A (ja) |
DE (1) | DE112010003118T5 (ja) |
TW (1) | TW201117389A (ja) |
WO (1) | WO2011013928A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017011164A (ja) * | 2015-06-24 | 2017-01-12 | 大研化学工業株式会社 | 導体用ペースト、セラミック電子部品及び電子部品の製造方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101428131B1 (ko) * | 2010-10-28 | 2014-08-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 전도성 페이스트 조성물 |
CN103396500B (zh) * | 2013-08-07 | 2016-08-17 | 中国科学院广州能源研究所 | 天然高分子衍生物-导电聚合物水性复合粘结剂及其应用 |
CN108269645A (zh) * | 2017-12-11 | 2018-07-10 | 珠海纳金科技有限公司 | 一种丝印透明导电浆料及其制备方法和应用 |
CN111145934B (zh) * | 2019-12-16 | 2021-05-14 | 苏州瑞力博新材科技有限公司 | 一种可室温存储的异质结(hit)太阳能电池用银浆及制备方法 |
CN118472084A (zh) * | 2024-07-15 | 2024-08-09 | 浙江润海新能源有限公司 | 一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0892506A (ja) * | 1994-09-26 | 1996-04-09 | Murata Mfg Co Ltd | 導電ペースト、電極形成方法、および太陽電池 |
JPH10261318A (ja) | 1997-03-17 | 1998-09-29 | Toyobo Co Ltd | 導電性ペースト |
US6951666B2 (en) * | 2001-10-05 | 2005-10-04 | Cabot Corporation | Precursor compositions for the deposition of electrically conductive features |
JP4493995B2 (ja) * | 2003-11-11 | 2010-06-30 | トッパン・フォームズ株式会社 | 導電性ペースト、導電機能部材、印刷回路部材 |
EP1734589B1 (en) * | 2005-06-16 | 2019-12-18 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Method for manufacturing photovoltaic module |
KR20070075185A (ko) * | 2006-01-12 | 2007-07-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 전극 형성용 페이스트 조성물 및 이를 이용한반도체 전극의 제조방법 |
JP2008097949A (ja) * | 2006-10-11 | 2008-04-24 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | 導電性ペースト |
KR100846306B1 (ko) * | 2007-09-06 | 2008-07-15 | 주식회사 코나텍 | 태양전지용 전극 조성물 |
-
2009
- 2009-09-17 KR KR1020090087937A patent/KR100972014B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-07-16 DE DE112010003118T patent/DE112010003118T5/de not_active Withdrawn
- 2010-07-16 JP JP2012522749A patent/JP2013500572A/ja active Pending
- 2010-07-16 CN CN2010800330675A patent/CN102473741A/zh active Pending
- 2010-07-16 WO PCT/KR2010/004647 patent/WO2011013928A2/ko active Application Filing
- 2010-07-16 US US13/381,214 patent/US20120180864A1/en not_active Abandoned
- 2010-07-27 TW TW099124714A patent/TW201117389A/zh unknown
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017011164A (ja) * | 2015-06-24 | 2017-01-12 | 大研化学工業株式会社 | 導体用ペースト、セラミック電子部品及び電子部品の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100972014B1 (ko) | 2010-07-22 |
WO2011013928A2 (ko) | 2011-02-03 |
WO2011013928A3 (ko) | 2011-06-16 |
US20120180864A1 (en) | 2012-07-19 |
DE112010003118T5 (de) | 2012-10-25 |
CN102473741A (zh) | 2012-05-23 |
TW201117389A (en) | 2011-05-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101099237B1 (ko) | 전도성 페이스트와 이를 이용한 전도성 기판 | |
US9190188B2 (en) | Photonic sintering of polymer thick film copper conductor compositions | |
WO2017033911A1 (ja) | 低温焼結性に優れる金属ペースト及び該金属ペーストの製造方法 | |
JP2013500572A (ja) | 太陽電池電極形成用ペースト{apastecompositionformakingelectrodeofsolar−cell} | |
KR101133466B1 (ko) | 태양전지용 저온 건조형 전극 페이스트 조성물 및 이를 이용한 인쇄방법 | |
JP5957546B2 (ja) | 導電性組成物 | |
JP2010090211A (ja) | 導電性インク組成物及びこれを用いた電極の形成方法 | |
KR20110033937A (ko) | 박막 광전지에 사용하기 위한 중합체 후막 은 전극 조성물 | |
JP2011138704A (ja) | 導電性ペーストおよびセラミックコンデンサ | |
CN105225722A (zh) | 一种高导电性能的晶硅太阳能电池铝浆 | |
JP2013199648A (ja) | ポリマー厚膜はんだ合金/金属導電体組成物 | |
JP5342603B2 (ja) | 焼成ペースト用銅微粒子および銅焼成膜の形成方法 | |
KR101243895B1 (ko) | 도전성 잉크 조성물 및 그 제조방법 | |
JP2013163808A (ja) | ポリマー厚膜正温度係数炭素組成物 | |
EP3170188B1 (en) | Polymer thick film silver conductor with inverted cure profile behavior | |
US8562808B2 (en) | Polymer thick film silver electrode composition for use as a plating link | |
KR20110030263A (ko) | 태양전지 전극형성용 페이스트 | |
KR101232798B1 (ko) | 전자재료용 전극 형성 방법 | |
JP4396134B2 (ja) | 導電性銅ペースト組成物 | |
JP6247015B2 (ja) | ポリマー型導電性ペースト、及びポリマー型導電性ペーストを用いた電極の製造方法 | |
JP4396126B2 (ja) | 導電性銅ペースト組成物 | |
CN1797614A (zh) | 用于制做碳阻元件的碳油及其制备方法以及由其制做的碳阻元件 | |
KR101758436B1 (ko) | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 | |
JP5692295B2 (ja) | 太陽電池セルの集電極の形成方法及び該太陽電池セルを備えた太陽電池モジュール | |
KR101991976B1 (ko) | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 |